KR101331901B1 - 액정표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명은 어레이기판위에 서로 교차되게 형성된 게이트배선 및 데이터배선; 상기 게이트배선 및 데이터배선의 교차지점에 형성된 박막트랜지스터; 상기 박막트랜지스터 및 데이터라인상에 형성된 블랙매트릭스; 및 상기 상기 블랙매트릭스상에 형성되고 상기 박막트랜지스터와 연결되는 화소전극을 포함하여 구성된다.
광누설, 블랙매트릭스, 화소전극, 마스크
Description
도 1은 종래기술에 따른 액정표시장치의 어레이기판을 개략적으로 도시한 평면도.
도 2는 종래기술에 따른 액정표시장치의 어레이기판의 단면도로서, 도 ⅡA-ⅡA선 및 ⅡB-ⅡB선에 따른 단면도.
도 3은 본 발명에 따른 액정표시장치의 어레이기판을 개략적으로 도시한 평면도.
도 4는 본 발명에 따른 액정표시장치의 어레이기판의 단면도로서, 도 3의 ⅣA-ⅣA선 및 ⅣB-ⅣB선에 따른 단면도.
도 5a 내지 도 5e는 본 발명에 따른 액정표시장치의 어레이기판의 공정 단면도.
** 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 **
101 : 어레이기판 103 : 게이트전극
105 : 제1절연막 107 : 반도체층
107a : 반도체층패턴 109 : 소스전극
111 : 드레인전극 113 : 데이터라인
115 : 블랙매트릭스 117 : 화소전극
본 발명은 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 고개구율용 유기절연막을 블랙매트릭스로 대체하여 박막트랜지스터 어레이기판에 수지 블랙매트릭스를 형성한 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
액정표시소자의 시야각특성을 향상시킬 목적으로, 광보상판이 장착된 트위스트네마틱(twisted nematic) 액정표시소자, 멀티도메인 액정표시소자와 같은 여러가지 액정표시소자가 제안되고 있다.
이러한 관점에서, 종래기술에 따른 액정표시장치 및 그 제조방법에 대해 도 1 및 도 2를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 1은 종래기술에 따른 액정표시장치의 어레이기판을 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 2는 종래기술에 따른 액정표시장치의 어레이기판의 단면도로서, 도 ⅡA-ⅡA선 및 ⅡB-ⅡB선에 따른 단면도이다.
도 1을 참조하면, 종래기술에 따른 액정표시장치는, 어레이기판(미도시)위에 화소영역을 정의하는 게이트배선(11) 및 데이터배선(21)이 서로 교차되게 형성되어 있고, 상기 게이트배선(12) 및 데이터배선(23)의 교차지점에는 박막트랜지스터(미도시)가 형성되어 있으며, 상기 박막트랜지스터(미도시)에는 화소전극배선(29)이 연결되어 있다.
그리고, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 어레이기판과 일정간격만큼 이격되어 배치되는 상부기판에는 광차단역할을 수행하는 블랙매트릭스와 컬러필터층이 적층되어 있으며, 상기 상부기판과 어레이기판사이에는 액정층(미도시)이 형성되어 져 액정표시장치를 구성하게 된다.
상기와 같이 구성되는 종래기술에 따른 액정표시장치 제조방법에 대해 도 2를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 2에 도시된 바와같이, 박막트랜지스터 어레이기판(11)상에 게이트물질층을 증착한후 이를 선택적으로 패터닝하여 게이트전극(13)을 형성한다. 이때, 게이트전극(13) 형성시에 게이트전극배선(도1의 12)도 함께 형성된다.
그다음, 상기 게이트전극(13)을 포함한 어레이기판(11)상에 제1절연막(15)을 증착한후 그 위에 비정질실리콘층 또는 폴리실리콘층으로 구성된 반도체층(미도시)을 증착한다.
이어서, 상기 반도체층(미도시)을 선택적으로 패터닝하여 반도체층패턴(17)을 형성한후 기판 전체에 금속물질층을 증착한다.
그다음, 상기 금속물질층을 선택적으로 패터닝하여 상기 반도체층패턴(17) 및 제1절연막(15)상에 서로 대향하는 소스전극(19)과 드레인전극(21)을 형성한다. 이때, 상기 소스전극(19)과 드레인전극(21) 형성시에 데이터라인(23)도 함께 형성된다.
이어서, 기판전체에 제2절연막인 보호막(25)을 두껍게 증착한후 이를 선택적 으로 패터닝하여 상기 드레인전극(21) 일부를 노출시키는 콘택홀(27)을 형성한다.
그다음, 상기 콘택홀(27)을 포함한 상기 보호막(25)상에 ITO 또는 IZO와 같은 투명도전물질을 증착한후 이를 선택적으로 제거하여 화소전극(29)을 형성한다. 이때, 상기 화소전극(29)은 데이터라인(23)과 일정거리(D2)만큼 이격되게 형성되어 있다.
한편, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 어레이기판과 합착되는 상부기판에는 광차단역할을 수행하는 블랙매트릭스와 컬러필터층을 형성한다.
그다음, 상기 상부기판과 어레이기판(11)사이에 액정층(미도시)을 형성하는 과정을 거쳐 액정표시장치 제조를 완료한다.
그러나, 상기한 바와 같이, 종래기술에 따른 액정표시장치 및 그 제조방법에 의하면 다음과 같은 문제점이 있다.
종래기술에 따른 액정표시장치 및 그 제조방법에 의하면, 도 1에서와 같이, 게이트전극과 반도체층간에는 일정 거리(D1)만큼 이격되어 있어 광이 누설될 수 있는 가능성이 있다.
또한, 도 1에서와 같이, 데이터라인과 화소전극간의 일정거리(D2)만큼 이격되어 있어 수직 콘트라스트비(contrast ratio)가 떨어지게 된다.
그리고, 어레이기판의 화소전극과 상부기판의 블랙매트릭스간에는 일정거리(D3)만큼의 합착마진이 생성되게 된다.
따라서, 이러한 문제점들로 인해 액정표시장치의 개구율이 나빠지게 된다.
이에 본 발명은 상기한 바와 같은 종래기술의 제반 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명은 고개구율을 구조의 유기절연막을 수지 블랙매트릭스로 대체하여 공정단순화를 이루고 백라이트에 의한 TFT 광누설을 방지하기 위해 반도체층과 게이트전극간 거리에 대한 마진을 줄여 고개구율을 달성할 수 있는 액정표시장치 및 그 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정표시장치는, 어레이기판위에 서로 교차되게 형성된 게이트배선 및 데이터배선;
상기 게이트배선 및 데이터배선의 교차지점에 형성된 박막트랜지스터;
상기 박막트랜지스터 및 데이터라인상에 형성된 블랙매트릭스; 및
상기 상기 블랙매트릭스상에 형성되고 상기 박막트랜지스터와 연결되는 화소전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로한다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정표시장치 제조방법은, 어레이기판위에 서로 교차되게 게이트배선 및 데이터배선을 형성하는 단계;
상기 게이트배선 및 데이터배선의 교차지점에 박막트랜지스터를 형성하는 단계;
상기 박막트랜지스터 및 데이터라인상에 블랙매트릭스를 형성하는 단계; 및
상기 블랙매트릭스상에 상기 박막트랜지스터와 연결되는 화소전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로한다.
이하, 본 발명에 따른 액정표시장치 및 그 제조방법에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 3은 본 발명에 따른 액정표시장치의 어레이기판을 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 액정표시장치의 어레이기판의 단면도로서, 도 3의 ⅣA-ⅣA선 및 ⅣB-ⅣB선에 따른 단면도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 액정표시장치는, 어레이기판(미도시)위에 화소영역을 정의하는 게이트배선(102) 및 데이터배선(113)이 서로 교차되게 형성되어 있고, 상기 게이트배선(102) 및 데이터배선(113)의 교차지점에는 박막트랜지스터(미도시)가 형성되어 있으며, 상기 박막트랜지스터(미도시)에는 화소전극(117)이 연결되어 있다.
또한, 도 3 및 4를 참조하면, 상기 게이트배선(102)과 데이터배선(113) 및 박막트랜지스터(미도시)상에는 블랙매트릭스층(115)이 형성되어 있으며, 상기 화소전극(117)의 가장자리부는 상기 데이터라인(113)과 일정길이만큼 오버랩되어 있다. 그리고, 상기 블랙매트릭스층(115)은 데이터라인(13) 전체와 상기 화소전극(117)의 일부와 오버랩되어 있다.
그리고, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 어레이기판과 일정간격만큼 이격되어 배치되는 상부기판에는 컬러필터층이 적층되어 있으며, 상기 상부기판과 어레이기판사이에는 액정층(미도시)이 형성되어 져 액정표시장치를 구성하게 된다.
상기와 같이 구성되는 본 발명에 따른 액정표시장치 제조방법에 대해 도 5a 내지 도 5e를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 5a 내지 도 5e는 본 발명에 따른 액정표시장치의 어레이기판의 공정 단면도이다.
도 5a에 도시된 바와같이, 알루미늄, 알루미늄합금, 크롬, 텅스텐 등의 도전성금속을 증착하고 이를 패터닝하여 게이트전극(103)을 포함하는 게이트배선(도 3의 102 참조)을 형성한다.
그다음, 도 5b에 도시된 바와같이, 상기 게이트전극(103)을 포함한 어레이기판(101)상에 제1절연막(105)을 증착한후 그 위에 비정질실리콘층 또는 폴리실리콘층으로 구성된 반도체층(107)을 증착한다.
이어서, 도 5c에 도시된 바와같이, 상기 반도체층(107)을 선택적으로 패터닝하여 반도체층패턴(107a)을 형성한후 기판 전체에 금속물질층을 증착한다.
그다음, 상기 금속물질층을 선택적으로 패터닝하여 상기 반도체층패턴(107a) 및 제1절연막(105)상에 서로 대향하는 소스전극(109)과 드레인전극(111)을 형성한다. 이때, 상기 소스전극(109)과 드레인전극(111) 형성시에 데이터라인(113)도 함께 형성된다.
이어서, 도 5d에 도시된 바와같이, 상기 반도체층패턴(107a), 소스전극(109) 과 드레인전극(111) 및 상기 데이터라인(113)의 노출된 전체 표면을 포함한 기판 전면에 광차단 역할을 하는 블랙매트릭스를 형성하기 위해 수지 블랙매트릭스층(미도시)을 증착한다. 이때, 상기 수지 블랙매트릭스층은 광 강도(optical density)가 3.5 이상인 불투명한 크롬 등의 금속 재료나 카본(carbon) 계열의 유기 재료를 혼합하여 사용한다.
그다음, 상기 수지 블랙매트릭스층(미도시)을 선택적으로 패터닝하여 상기 반도체층패턴(107a), 소스전극(109), 드레인전극(111) 및 데이터라인(113)을 덮는 블랙매트릭스(115)를 형성한다. 이때, 상기 블랙매트릭스(115) 형성시에 상기 드레인전극(111)의 일부를 노출시킨다.
이어서, 도 5e에 도시된 바와같이, 상기 블랙매트릭스(115)를 포함한 기판 전체 구조상에 ITO 또는 IZO 등과 같은 투명성 도전물질을 증착한후 이를 패터닝하여 화소전극(117)을 형성한다. 이때, 상기 화소전극(117)은 상기 드레인전극(111)의 노출된 부분과 접촉되어 전기적으로 연결된다. 또한, 상기 화소전극(117)은 소스/드레인전극(109, 111) 및 데이터라인(113)과 일정길이만큼 오버랩되어 있다.
한편, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 어레이기판과 합착되는 상부기판에는 컬러필터층을 형성한다.
이어서, 상기 상부기판과 어레이기판(11)사이에 액정층(미도시)을 형성하는 과정을 거쳐 액정표시장치 제조를 완료한다.
상기에서 설명한 바와같이, 본 발명에 따른 액정표시장치 및 그 제조방법에 의하면 다음과 같은 효과가 있다.
본 발명에 따른 액정표시장치 및 그 제조방법에 의하면, TFT 공정중 고개구율 구조의 유기절연막 공정을 수지 블랙매트릭스로 형성한후 수지 블랙매트릭스 현상후 투명전극물질층을 오버랩구조로 패터닝하므로써 백라이트에 의한 광누설전류 유발요인이 제거되어 게이트패턴의 축소가 가능하고 개구율 증대 효과가 기대된다.
특히, 블랙매트릭스에 의해 반도체층패턴과 게이트금속간 거리마진이 축소가능하므로서 백라이트 광유입이 차단되므로 개구율이 증대된다.
또한, 기존에는 블랙매트릭스를 컬러필터기판상에 형성하였으나 본 발명에서는 하부 어레이기판에 블랙매트릭스를 형성하고 컬러필터기판에는 블랙매트릭스 공정을 생략하므로써 제조공정이 단순화된다.
이상의 설명에서 본 발명은 특정의 실시예와 관련하여 도시 및 설명을 하였지만, 상기한 명세서는 본 발명의 권리를 한정하지 않으며, 본 발명에 따른 권리범위는 후술될 특허청구범위에 의해 결정되어져야 할 것이다.
Claims (8)
- 어레이기판 상에 형성된 게이트배선;상기 게이트배선을 포함한 상기 어레이기판 상에 형성된 게이트 절연막;상기 어레이기판위의 상기 게이트 절연막 상에 형성되고, 상기 게이트배선과 서로 교차되어 화소영역을 정의하는 데이터배선;상기 게이트배선 및 데이터배선의 교차지점에 형성되고, 상기 게이트배선으로부터 연장된 게이트전극과, 상기 게이트전극 위의 상기 게이트 절연막 상에 형성된 반도체층패턴과, 상기 반도체층패턴 및 게이트 절연막 상에 서로 대향하여 형성된 소스전극과 드레인전극으로 구성된 박막트랜지스터;상기 박막트랜지스터 및 데이터배선 상에 형성되어 상기 박막트랜지스터를 구성하는 상기 반도체층패턴, 상기 소스전극과 드레인전극 및 데이터배선의 노출된 전체 표면을 덮으며, 수지 블랙매트릭스로 구성된 블랙매트릭스; 및상기 블랙매트릭스와 상기 어레이기판의 화소영역에 위치하는 상기 게이트 절연막 상에 형성되고 상기 박막트랜지스터의 드레인전극과 전기적으로 연결되는 화소전극을 포함하여 구성되며,상기 화소전극은 상기 데이터배선의 일부와 오버랩된 것을 특징으로하는 액정표시장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 어레이기판과 일정 갭을 두고 결합되고 컬러필터가 구비된 상부기판과, 상기 상부기판과 어레이기판사이에 형성된 액정층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로하는 액정표시장치.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서, 상기 블랙매트릭스 재질로는 불투명한 크롬의 금속재료나 카본(carbon) 계열의 유기 재료가 사용되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 어레이기판 상에 게이트전극을 포함한 게이트배선을 형성하는 단계;상기 게이트배선을 포함한 상기 어레이기판 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트전극 위의 상기 게이트 절연막 상에 반도체층패턴을 형성하는 단계;상기 반도체층패턴 및 제1 절연막상에 서로 대향하는 소스전극과 드레인전극을 형성하여 상기 게이트전극과 반도체층패턴 및 소스전극 그리고 드레인전극으로 구성된 박막트랜지스터를 형성함과 동시에, 상기 게이트배선과 서로 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터배선을 형성하는 단계;상기 박막트랜지스터 및 데이터배선 상에 형성하여 상기 박막트랜지스터를 구성하는 상기 반도체층패턴, 상기 소스전극과 드레인전극 및 데이터배선의 노출된 전체 표면을 덮으며, 수지 블랙매트릭스로 구성된 블랙매트릭스를 형성하는 단계; 및상기 블랙매트릭스와 상기 어레이기판의 화소영역에 위치하는 상기 게이트절연막 상에 상기 박막트랜지스터의 드레인전극과 전기적으로 연결되는 화소전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되며,상기 화소전극은 상기 데이터배선의 일부와 오버랩된 것을 특징으로하는 액정표시장치 제조방법.
- 제 5 항에 있어서, 상부기판상에 컬러필터를 형성하는 단계와, 상기 어레이기판과 상부기판을 합착시키는 단계와, 상기 상부기판과 어레이기판사이에 액정층을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로하는 액정표시장치 제조방법.
- 삭제
- 제 5 항에 있어서, 상기 블랙매트릭스 재질로는 불투명한 크롬의 금속 재료나 카본(carbon) 계열의 유기 재료가 사용되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.
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|---|---|---|---|---|
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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