KR20070116511A - 액정표시장치 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 공통 라인과 공통 전극과의 접촉 저항을 감소시킴으로써 화질을 향상시킬 수 있는 액정표시장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 액정표시장치는 하부 기판 위의 표시 영역의 외곽에 위치하는 비표시 영역에 형성된 공통 라인 하부 전극과; 상기 하부 기판과 액정을 사이에 두고 대면하는 상부 기판 위에 형성된 공통 전극과; 상기 공통 라인 하부 전극이 위치하는 상기 하부 기판의 네 모서리에 형성된 상기 공통 라인 상부 전극 및 상기 하부 기판의 네 모서리의 주위 영역에 형성된 보조 공통 라인 상부 전극과; 상기 공통 라인 상부 전극 및 상기 보조 공통 라인 상부 전극과 상기 공통 전극을 전기적으로 접속시키는 도전 볼과; 상기 공통 라인 하부 전극과 중첩되는 영역의 상기 상부 기판과 상기 하부 기판 사이에 도포된 도전성 실런트를 구비한다.
Description
도 1은 종래의 액정표시장치의 박막 트랜지스터 어레이 기판의 일부분을 나타내는 평면도.
도 2는 도 1에 도시된 Ⅰ-Ⅰ’선을 절취한 컬러 필터 어레이 기판을 포함하는 액정표시장치를 나타내는 단면도.
도 3은 종래의 다른 액정표시장치의 일부분을 나타내는 단면도.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 어레이 기판의 일부분을 나타내는 평면도.
도 5는 도 4에 도시된 Ⅱ-Ⅱ’선을 절취한 컬러 필터 어레이 기판을 포함하는 액정표시장치를 나타내는 단면도.
도 6a 내지 도 6d는 본 발명의 실시 예에 따른 액정표시장치의 제조 방법을 단계적으로 나타내는 단면도들.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 간단한 설명 >
1, 101 : 하부 기판 4, 104 : 게이트 절연막
6, 106 : 보호막 7, 107 : 공통 라인 하부 전극
8, 108 : 공통 라인 상부 전극 9, 109 : 공통 접촉홀
10, 110 : 박막 트랜지스터 어레이 기판
11, 111 : 상부 기판 12, 112 : 블랙 매트릭스
14, 114 : 공통 전극 20, 120 : 컬러 필터 어레이 기판
25 : 은 도트 26 : 실런트
118 : 보조 공통 라인 상부 전극 119 : 보조 공통 접촉홀
75, 175 : 도전 볼 76, 176 : 도전성 실런트
본 발명은 액정표시장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로 특히, 공통 라인과 공통 전극과의 접촉 저항을 감소시킴으로써 화질을 향상시킬 수 있는 액정표시장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
액정표시장치는 액정을 사이에 두고 서로 대면하는 박막 트랜지스터 어레이 기판과 컬러 필터 어레이 기판을 구비한다.
박막 트랜지스터 어레이 기판은 하부 기판 위의 표시 영역에 서로 교차하는 게이트 라인 및 데이터 라인과, 게이트 라인 및 데이터 라인의 교차부에 형성된 박막 트랜지스터와, 박막 트랜지스터와 접속된 화소 전극을 구비한다.
컬러 필터 어레이 기판은 하부 어레이 기판의 게이트 라인 및 데이터 라인과 대응되는 영역의 상부 기판 위에 형성되어 빛 샘을 방지하는 블랙 매트릭스와, 하부 어레이 기판의 화소 전극이 형성된 영역에 대응되는 영역에 형성되어 적색, 녹색, 청색 컬러를 구현하는 컬러 필터와, 박막 트랜지스터 어레이 기판의 화소 전극과 수직 전계를 이루는 공통 전극을 구비한다.
그리고, 박막 트랜지스터 어레이 기판은 표시 영역의 외곽에 위치하는 비표시 영역에 컬러 필터 어레이 기판에 형성된 공통 전극에 액정 구동을 위한 기준 전압을 공급하기 위한 공통 라인을 더 구비한다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 공통 라인(CL)은 박막 트랜지스터 어레이 기판(10)과 컬러 필터 어레이 기판(20)의 합착을 위한 실런트(26)가 도포된 영역의 외곽 영역에 형성되며, 박막 트랜지스터 어레이 기판(10)의 네 모서리에 각각 하나씩 위치하는 은(Ag) 도트(25)를 통하여 컬러 필터 어레이 기판(20)의 공통 전극(14)과 전기적으로 접속된다. 이 공통 라인(CL)은 하부 기판(1) 위에 게이트 라인과 함께 형성되는 공통 라인 하부 전극(7)과, 은(Ag) 도트(25)가 위치하는 영역에서 보호막(6) 및 게이트 절연막(4)을 관통하여 공통 라인 하부 전극(7)을 노출시키는 공통 접촉홀(9), 및 공통 접촉홀(9)을 통하여 공통 라인 하부 전극(7)과 접촉되며 은(Ag) 도트(25)와 집적 접촉되는 공통 라인 상부 전극(8)을 포함한다. 은(Ag) 도트(25)가 배치되는 영역 및 실런트(26)가 도포되는 영역의 상부 기판(11)과 공통 전극(14) 사이에는 블랙 매트릭스(12)가 위치한다.
한편, 최근의 액정표시장치는 액정표시장치를 축소시키기 위하여 도 3에 도 시된 바와 같이 도전 볼(75)을 포함하는 도전성 실런트(76)를 이용하여 박막 트랜지스터 어레이 기판(10)과 컬러 필터 어레이 기판(20)을 합착시키고, 도전성 실런트(76)에 포함된 도전 볼(75)을 통하여 박막 트랜지스터 어레이 기판(10)의 공통 라인(CL)과 컬러 필터 어레이 기판(20)의 공통 전극(14)과 전기적으로 접속시킨다. 따라서, 최근의 액정표시장치는 공통 라인(CL)과 도전성 실런트(76)를 동일 영역에 형성함으로써 종래와 비교하여 그 크기가 축소된다. 도전 볼(75)은 은(Ag) 도트(25) 보다 도전성이 뛰어난 금(Au)을 사용하여 은(Ag) 도트(25) 보다 1/50배 이하의 크기로 형성한다.
그러나, 공통 라인(CL)과 공통 전극(14)을 전기적으로 접속시키는 도전 볼(75)은 도전성 실런트(76)의 도포시에 도전성 실런트(76)가 도포되는 전 영역에 걸쳐 불규칙하게 산포됨에 따라 액정표시장치의 제조시에 공정 조건에 따라 공통 라인 상부 전극(8) 위에 불규칙적으로 배치된다. 이에 따라, 최근의 액정표시장치는 공통 라인 상부 전극(8) 위에 적정 개수 이하의 도전 볼(75)이 위치하는 경우 공통 라인(CL)과 공통 전극(14)의 접촉 면적이 감소함으로써 접촉 저항이 높아져 그 화질이 저하되는 문제가 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 공통 라인과 공통 전극과의 접촉 저항을 감소시킴으로써 화질을 향상시킬 수 있는 액정표시장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시 예에 따른 액정표시장치는 하부 기판 위의 표시 영역의 외곽에 위치하는 비표시 영역에 형성된 공통 라인 하부 전극과; 상기 하부 기판과 액정을 사이에 두고 대면하는 상부 기판 위에 형성된 공통 전극과; 상기 공통 라인 하부 전극이 위치하는 상기 하부 기판의 네 모서리에 형성된 상기 공통 라인 상부 전극 및 상기 하부 기판의 네 모서리의 주위 영역에 형성된 보조 공통 라인 상부 전극과; 상기 공통 라인 상부 전극 및 상기 보조 공통 라인 상부 전극과 상기 공통 전극을 전기적으로 접속시키는 도전 볼과; 상기 공통 라인 하부 전극과 중첩되는 영역의 상기 상부 기판과 상기 하부 기판 사이에 도포된 도전성 실런트를 구비한다.
상기 액정표시장치는 상기 공통 라인 하부 전극을 덮는 적어도 하나의 절연막과; 상기 하부 기판의 네 모서리에서 상기 적어도 하나의 절연막을 관통하여 상기 공통 라인 하부 전극을 노출시키는 공통 접촉홀을 더 구비하며, 상기 공통 라인 상부 전극은 상기 공통 접촉홀을 통하여 상기 공통 라인 하부 전극과 접속된다.
상기 액정표시장치는 상기 하부 기판의 네 모서리의 주위 영역에서 상기 적어도 하나의 절연막을 관통하여 상기 공통 라인 하부 전극을 노출시키는 보조 공통 접촉홀을 더 구비하며, 상기 보조 공통 라인 상부 전극은 상기 보조 공통 접촉홀을 통하여 상기 공통 라인 하부 전극과 접속된다.
상기 도전 볼은 금(Au)을 포함한다.
상기 도전 볼은 상기 도전성 실런트가 도포되는 영역을 따라 산포된다.
상기 액정표시장치는 상기 하부 기판 위의 상기 표시 영역에 서로 교차하는 게이트 라인 및 데이터 라인과; 상기 게이트 라인 및 데이터 라인의 교차부에 형성된 박막 트랜지스터와; 상기 박막 트랜지스터와 접속되며 상기 공통 전극과 수직 전계를 형성하는 화소 전극을 더 구비한다.
본 발명의 실시 예에 따른 액정표시장치의 제조 방법은 상부 기판 위에 공통 전극을 형성하는 단계와; 상기 상부 기판과 액정을 사이에 두고 대면하는 하부 기판 위의 비표시 영역의 외곽에 위치하는 비표시 영역에 공통 라인 하부 전극을 형성하는 단계와; 상기 공통 라인 하부 전극이 위치하는 상기 하부 기판의 네 모서리에 공통 라인 상부 전극 및 상기 하부 기판의 네 모서리의 주위 영역에 보조 공통 라인 상부 전극을 형성하는 단계와; 상기 공통 라인 상부 전극 및 상기 보조 공통 라인 상부 전극과 상기 공통 전극을 전기적으로 접속시키는 도전 볼을 포함하는 도전성 실런트를 상기 공통 라인 하부 전극과 중첩되는 영역의 상기 하부 기판 위에 도포하는 단계와; 상기 상부 기판과 상기 하부 기판을 상기 도전성 실런트를 통하여 합착하는 단계를 포함한다.
상기의 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 이점들은 첨부 도면을 참조한 본 발명의 바람직한 실시 예에 대한 설명으로 명백하게 드러나게 될 것이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 예들을 도 4 내지 도 6d를 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
본 발명의 액정표시장치는 액정을 사이에 두고 서로 대면하는 박막 트랜지스 터 어레이 기판과 컬러 필터 어레이 기판을 구비한다.
박막 트랜지스터 어레이 기판은 하부 기판 위의 표시 영역에 서로 교차하는 게이트 라인 및 데이터 라인과, 게이트 라인 및 데이터 라인의 교차부에 형성된 박막 트랜지스터와, 박막 트랜지스터와 접속된 화소 전극을 구비한다.
컬러 필터 어레이 기판은 하부 어레이 기판의 게이트 라인 및 데이터 라인과 대응되는 영역의 상부 기판 위에 형성되어 빛 샘을 방지하는 블랙 매트릭스와, 하부 어레이 기판의 화소 전극이 형성된 영역에 대응되는 영역에 형성되어 적색, 녹색, 청색 컬러를 구현하는 컬러 필터와, 박막 트랜지스터 어레이 기판의 화소 전극과 수직 전계를 이루는 공통 전극을 구비한다.
그리고, 본 발명의 실시 예에 따른 액정표시장치는 도 4 및 도 5를 참조하면, 표시 영역의 외곽에 위치하는 비표시 영역에 박막 트랜지스터 어레이 기판(110)과 컬러 필터 어레이 기판(120)의 합착을 위한 도전성 실런트(176)와, 도전성 실런트(176)가 도포된 영역과 중첩되는 영역에 형성되며, 컬러 필터 어레이 기판(120)의 공통 전극(114)에 도전성 실런트(176)에 포함된 도전 볼(175)을 통하여 기준 전압을 공급하는 공통 라인(CL)을 구비한다. 컬러 필터 어레이 기판(120)은 공통 라인(CL)이 형성되는 영역 및 도전성 실런트(176)가 도포되는 영역의 상부 기판(111)과 공통 전극(114) 사이에 형성된 블랙 매트릭스(112)를 구비한다.
본 발명의 실시 예에 따른 공통 라인(CL)은 하부 기판(101) 위에 게이트 라인과 함께 형성되는 공통 라인 하부 전극(107)과, 하부 기판(101)의 네 모서리에서 보호막(106) 및 게이트 절연막(104)을 관통하여 공통 라인 하부 전극(107)을 노출 시키는 공통 접촉홀(109), 및 공통 접촉홀(109)을 통하여 공통 라인 하부 전극(107)과 접속되는 공통 라인 상부 전극(108)을 포함한다. 그리고, 본 발명의 공통 라인(DL)은 공통 접촉홀(109)이 형성된 하부 기판(101)의 네 모서리의 주위 영역에 형성되며 보호막(106) 및 게이트 절연막(104)을 관통하여 하부 기판(101)의 네 모서리의 주위 영역에 공통 라인 하부 전극(107)을 노출시키는 보조 공통 접촉홀(119), 및 보조 공통 접촉홀(119)을 통하여 공통 라인 하부 전극(107)과 접속되는 보조 공통 라인 상부 전극(118)을 더 포함한다. 보조 공통 접촉홀(119)은 도전성 실런트(176)가 도포된 영역을 따라 등간격 또는 비등간격으로 다수 개 형성되어 공통 라인 하부 전극(107)을 노출시킨다.
따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 액정표시장치는 컬러 필터 어레이 기판(120)에 형성된 공통 전극(114)과 박막 트랜지스터 어레이 기판(110)에 형성된 공통 라인(CL)이 하부 기판(101)의 네 모서리에 형성된 공통 전극 상부 전극(108)과 접속된 도전 볼(175)을 통하여 서로 전기적으로 접속됨과 아울러, 하부 기판(101)의 네 모서리의 주위 영역에 형성된 보조 공통 전극 상부 전극(118)과 접속된 도전 볼(175)을 통하여 서로 전기적으로 접속된다. 이에 따라, 본 발명의 액정표시장치는 컬러 필터 어레이 기판(120)에 형성된 공통 전극(114)과 박막 트랜지스터 어레이 기판(110)에 형성된 공통 라인(CL)의 접촉 저항이 공통 전극 상부 전극(108)과 보조 공통 전극 상부 전극(118)을 통하여 다수의 장소에서 서로 접속됨으로써 감소한다. 이 결과, 본 발명의 액정표시장치는 공통 라인(CL)으로부터 공통 전극(114)으로 공급되는 기준 전압의 왜곡을 감소시킴으로써 그 화질을 향상시 킬 수 있다.
이하, 도 6a 내지 도 6d를 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법을 상세히 설명하기로 한다.
도 6a를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법은 하부 기판(101) 위에 스퍼터링, PECVD 등의 증착 방법으로 게이트 금속층을 형성한 후 포토리쏘그래피 공정 및 식각 공정을 실시함으로써 도시하지 않은 표시 영역에 형성되는 게이트 라인과 공통 라인 하부 전극(7)을 형성한다. 게이트 금속으로는 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 알루미늄네오듐(AlNd) 등의 알루미늄계 금속 등이 이용된다.
그런 다음, 공통 라인 하부 전극(7)이 형성된 하부 기판(101) 위에 절연 물질을 전면 도포하여 도 6b에 도시된 바와 같이 게이트 절연막(104)을 전면 형성한다. 그리고, 게이트 절연막(104)이 형성된 하부 기판(101) 위에 도시하지 않은 표시 영역에는 게이트 라인과 게이트 절연막(104)을 사이에 두고 교차하는 데이터 라인이 형성된다.
이어서, 데이터 라인이 형성된 하부 기판(101) 위에 절연 물질을 전면 도포하여 보호막 물질을 전면 형성한 후 포토리쏘그래피 공정으로 보호막(106)과 게이트 절연막(104)을 패터닝함으로써 도 6c와 같이 하부 기판(101)의 네 모서리에 형성된 공통 라인 하부 전극(107)을 노출시키는 공통 접촉홀(109)과, 하부 기판(101)의 네 모서리의 주위 영역에 공통 라인 하부 전극(107)을 노출시키는 보조 공통 접촉홀(119)을 형성한다.
그리고, 공통 접촉홀(109) 및 보조 공통 접촉홀(119)이 형성된 하부 기판(101) 위에 PECVD, 스퍼터링 등의 증착 방법을 통해 투명 도전성 물질을 형성한 후 포토리쏘그래피 공정과 식각 공정을 실시함으로써 도 6d와 같이 공통 접촉홀(109)을 통하여 공통 라인 하부 전극(107)과 접촉되는 공통 라인 상부 전극(108)과, 보조 공통 접촉홀(119)을 통하여 공통 라인 하부 전극(107)과 접촉되는 보조 공통 라인 상부 전극(118)을 형성한다. 투명 도전성 물질로는 인듐 틴 옥사이드(Induim Tin Oxide : ITO), 틴 옥사이드(Tin Oxide : TO), 인듐 틴 징크 옥사이드 (Induim Tin Zinc Oxide : ITZO) 및 인듐 징크 옥사이드(Induim Zinc Oxide : IZO) 중 어느 하나가 이용된다.
그 후, 공통 라인 상부 전극(108)과 보조 공통 라인 상부 전극(118)이 형성된 하부 기판(101) 위에 공통 라인(CL)과 중첩되도록 도전성 실런트(176)가 도포되며, 도포된 도전성 실런트(176)을 통하여 공통 전극(114)이 형성된 컬러 필터 어레이 기판(120)과 박막 트랜지스터 어레이 기판(110)이 합착됨으로써 본 발명의 액정표시장치는 도 5와 같이 완성된다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 액정표시장치 및 그 제조 방법은 컬러 필터 어레이 기판(120)에 형성된 공통 전극과 박막 트랜지스터 어레이 기판에 형성된 공통 라인이 하부 기판의 네 모서리에 형성된 공통 전극 상부 전극과 접속된 도전 볼을 통하여 서로 전기적으로 접속됨과 아울러, 하부 기판의 네 모서 리의 주위 영역에 형성된 보조 공통 전극 상부 전극과 접속된 도전 볼을 통하여 서로 전기적으로 접속된다. 따라서, 본 발명의 액정표시장치 및 그 제조 방법은 컬러 필터 어레이 기판에 형성된 공통 전극과 박막 트랜지스터 어레이 기판에 형성된 공통 라인의 접촉 저항이 공통 전극 상부 전극과 보조 공통 전극 상부 전극을 통하여 다수의 장소에서 서로 접속됨으로써 감소한다. 이 결과, 본 발명의 액정표시장치 및 그 제조 방법은 공통 라인으로부터 공통 전극으로 공급되는 기준 전압의 왜곡을 감소시킴으로써 그 화질을 향상시킬 수 있다.
이상 설명한 내용으로 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
Claims (12)
- 하부 기판 위의 표시 영역의 외곽에 위치하는 비표시 영역에 형성된 공통 라인 하부 전극과;상기 하부 기판과 액정을 사이에 두고 대면하는 상부 기판 위에 형성된 공통 전극과;상기 공통 라인 하부 전극이 위치하는 상기 하부 기판의 네 모서리에 형성된 상기 공통 라인 상부 전극 및 상기 하부 기판의 네 모서리의 주위 영역에 형성된 보조 공통 라인 상부 전극과;상기 공통 라인 상부 전극 및 상기 보조 공통 라인 상부 전극과 상기 공통 전극을 전기적으로 접속시키는 도전 볼과;상기 공통 라인 하부 전극과 중첩되는 영역의 상기 상부 기판과 상기 하부 기판 사이에 도포된 도전성 실런트를 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 공통 라인 하부 전극을 덮는 적어도 하나의 절연막과;상기 하부 기판의 네 모서리에서 상기 적어도 하나의 절연막을 관통하여 상기 공통 라인 하부 전극을 노출시키는 공통 접촉홀을 더 구비하며,상기 공통 라인 상부 전극은 상기 공통 접촉홀을 통하여 상기 공통 라인 하부 전극과 접속되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 하부 기판의 네 모서리의 주위 영역에서 상기 적어도 하나의 절연막을 관통하여 상기 공통 라인 하부 전극을 노출시키는 보조 공통 접촉홀을 더 구비하며,상기 보조 공통 라인 상부 전극은 상기 보조 공통 접촉홀을 통하여 상기 공통 라인 하부 전극과 접속되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 도전 볼은 금(Au)을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 도전 볼은 상기 도전성 실런트가 도포되는 영역을 따라 산포된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 하부 기판 위의 상기 표시 영역에 서로 교차하는 게이트 라인 및 데이터 라인과;상기 게이트 라인 및 데이터 라인의 교차부에 형성된 박막 트랜지스터와;상기 박막 트랜지스터와 접속되며 상기 공통 전극과 수직 전계를 형성하는 화소 전극을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 상부 기판 위에 공통 전극을 형성하는 단계와;상기 상부 기판과 액정을 사이에 두고 대면하는 하부 기판 위의 비표시 영역의 외곽에 위치하는 비표시 영역에 공통 라인 하부 전극을 형성하는 단계와;상기 공통 라인 하부 전극이 위치하는 상기 하부 기판의 네 모서리에 공통 라인 상부 전극 및 상기 하부 기판의 네 모서리의 주위 영역에 보조 공통 라인 상부 전극을 형성하는 단계와;상기 공통 라인 상부 전극 및 상기 보조 공통 라인 상부 전극과 상기 공통 전극을 전기적으로 접속시키는 도전 볼을 포함하는 도전성 실런트를 상기 공통 라인 하부 전극과 중첩되는 영역의 상기 하부 기판 위에 도포하는 단계와;상기 상부 기판과 상기 하부 기판을 상기 도전성 실런트를 통하여 합착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 공통 라인 하부 전극을 덮는 적어도 하나의 절연막을 형성하는 단계와;상기 하부 기판의 네 모서리에서 상기 적어도 하나의 절연막을 관통하여 상기 공통 라인 하부 전극을 노출시키는 공통 접촉홀을 형성하는 단계를 더 포함하며,상기 공통 라인 상부 전극은 상기 공통 접촉홀을 통하여 상기 공통 라인 하 부 전극과 접속되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 하부 기판의 네 모서리의 주위 영역에서 상기 적어도 하나의 절연막을 관통하여 상기 공통 라인 하부 전극을 노출시키는 보조 공통 접촉홀을 형성하는 단계를 더 포함하며,상기 보조 공통 라인 상부 전극은 상기 보조 공통 접촉홀을 통하여 상기 공통 라인 하부 전극과 접속되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 도전 볼은 금(Au)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 도전 볼은 상기 도전성 실런트가 도포되는 영역을 따라 산포된 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 하부 기판 위의 상기 표시 영역에 게이트 라인을 형성하는 단계와;상기 표시 영역에 상기 게이트 라인과 교차하는 데이터 라인 및 상기 게이트 라인 및 데이터 라인의 교차부에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계와;상기 박막 트랜지스터와 접속되며 상기 공통 전극과 수직 전계를 형성하는 화소 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법.
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US20110116019A1 (en) * | 2009-11-18 | 2011-05-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display |
US8294868B2 (en) | 2010-02-11 | 2012-10-23 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
CN107561749A (zh) * | 2016-06-30 | 2018-01-09 | 三星显示有限公司 | 具有提高的静电放电容限的液晶显示设备 |
WO2018196233A1 (zh) * | 2017-04-24 | 2018-11-01 | 惠科股份有限公司 | 液晶显示面板及其液晶显示装置 |
CN109613775A (zh) * | 2019-01-16 | 2019-04-12 | 惠科股份有限公司 | 阵列基板以及显示装置 |
-
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110116019A1 (en) * | 2009-11-18 | 2011-05-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display |
KR20110054855A (ko) * | 2009-11-18 | 2011-05-25 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 |
US8830410B2 (en) | 2009-11-18 | 2014-09-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display with electrostatic-resistant wirings |
US8294868B2 (en) | 2010-02-11 | 2012-10-23 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
CN107561749A (zh) * | 2016-06-30 | 2018-01-09 | 三星显示有限公司 | 具有提高的静电放电容限的液晶显示设备 |
KR20180003661A (ko) * | 2016-06-30 | 2018-01-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
CN107561749B (zh) * | 2016-06-30 | 2022-07-26 | 三星显示有限公司 | 具有提高的静电放电容限的液晶显示设备 |
WO2018196233A1 (zh) * | 2017-04-24 | 2018-11-01 | 惠科股份有限公司 | 液晶显示面板及其液晶显示装置 |
CN109613775A (zh) * | 2019-01-16 | 2019-04-12 | 惠科股份有限公司 | 阵列基板以及显示装置 |
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