CN107561749A - 具有提高的静电放电容限的液晶显示设备 - Google Patents

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Abstract

提供了一种具有提高的静电放电容限的液晶显示设备，所述液晶显示设备包括：彼此间隔开的第一基板和第二基板；在所述第一基板和所述第二基板之间的液晶层；在所述第一基板上的公共线；在所述第二基板上的公共电极；以及在所述公共线和所述公共电极之间的多个短路部分。所述多个短路部分中的每个短路部分包括接触公共线的接触表面，并且所述短路部分中的至少两个包括具有不同尺寸的接触表面。

Description

具有提高的静电放电容限的液晶显示设备
本申请要求于2016年6月30日递交的韩国专利申请第10-2016-0082308的优先权，并要求从其获得的所有权益，该韩国专利申请的内容通过引用整体合并于此。
技术领域
本发明的示例性实施例总体涉及液晶显示(“LCD”)设备，并且更具体地，涉及具有提高的静电放电(“ESD”)容限的LCD设备。
背景技术
LCD设备是平板显示(FPD)设备的最广泛使用的类型之一。LCD设备包括两个基板和插入这两个基板之间的液晶层，该两个基板包括分别形成于其上的两个电极。
一旦在两个电极上施加电压，液晶层的液晶分子就被重新布置，以使透射光的量在LCD设备中被控制。
LCD设备通过几个测试工艺完成。测试工艺包括ESD容限提升工艺。在ESD容限提升工艺中，ESD被施加至LCD设备。如果LCD具有低ESD容限，则LCD设备的薄膜晶体管(“TFT”)可能被所施加的ESD破坏。
应当理解，此背景技术部分旨在提供用于理解技术的有用背景，并且如本文所公开的那样，背景技术部分可以包括在本文公开的主题的相应有效申请日之前不是本领域技术人员所知或所理解的部分的想法、构思或认识。
发明内容
本发明的示例性实施例致力于具有提高的静电放电(“ESD”)容限的液晶显示(“LCD”)设备。
根据本发明的示例性实施例，一种液晶显示设备包括：彼此间隔开的第一基板和第二基板；在所述第一基板和所述第二基板之间的液晶层；在所述第一基板上的公共线；在所述第二基板上的公共电极；以及在所述公共线和所述公共电极之间的多个短路部分。所述多个短路部分中的每个短路部分包括接触所述公共线的接触表面，并且所述多个短路部分中的至少两个包括具有不同尺寸的接触表面。
接近所述第一基板的角的短路部分可以包括具有与另一个短路部分的接触表面的尺寸不同的尺寸的接触表面。
接近所述第一基板的角的所述短路部分可以包括具有比所述另一个短路部分的接触表面的尺寸大的尺寸的接触表面。
所述液晶显示设备可以进一步包括在所述多个短路部分和所述公共线之间的绝缘层，所述绝缘层具有所述多个短路部分通过其接触所述公共线的接触孔。
所述多个短路部分中的所述至少两个可以分别通过所述接触孔中的不同接触孔连接至所述公共线。
所述多个短路部分可以包括：相比于靠近所述第一基板的第二侧被放置为更靠近所述第一基板的第一侧的多个第一短路部分，所述第一侧和所述第二侧彼此相对；以及相比于靠近所述第一基板的所述第一侧被放置为更靠近所述第一基板的所述第二侧的多个第二短路部分。
所述液晶显示设备可以进一步包括连接至所述第一基板的所述第一侧的焊盘单元的数据驱动器。
在所述多个第二短路部分当中的彼此最远的两个最外第二短路部分中的至少一个可以包括：具有与除了所述两个最外第二短路部分之外的另一第二短路部分的接触表面的尺寸不同的尺寸的接触表面。
所述两个最外第二短路部分中的所述至少一个可以包括比所述另一个第二短路部分的接触表面大的接触表面。
所述液晶显示设备可以进一步包括在所述多个第二短路部分和所述公共线之间的绝缘层。所述绝缘层可以具有用于连接所述多个第二短路部分和所述公共线的接触孔。
所述两个最外第二短路部分中的所述至少一个可以通过比所述另一个第二短路部分接触所述公共线所通过的接触孔的数量更大数量的接触孔接触所述公共线。
所述两个最外第二短路部分中的一个可以与从所述第一基板的显示区域的第一侧延伸的假想第一延伸线相交。
所述两个最外第二短路部分中的另一个可以与从所述显示区域的第二侧延伸的假想第二延伸线相交。
所述第一延伸线和所述第二延伸线中的每一个可以与所述第一基板的所述第二侧相交。
所述两个最外第二短路部分中的所述一个可以包括：在所述显示区域的第三侧和所述第一基板的所述第二侧之间的第一接触部分，所述显示区域的所述第三侧面向所述第一基板的所述第二侧；以及被放置在由所述第一基板的所述第二侧、从所述显示区域的所述第三侧延伸的假想第三延伸线、所述第一延伸线和所述第一基板的第三侧限定的区域中的第二接触部分，所述第一基板的所述第三侧面向所述第一延伸线。
所述两个最外第二短路部分中的一个最外第二短路部分的第一接触部分可以包括具有与所述另一个第二短路部分的接触表面的尺寸基本相同的尺寸的接触表面。
所述两个最外第二短路部分中的另一个可以包括：在所述显示区域的第三侧和所述第一基板的所述第二侧之间的第一接触部分，所述显示区域的所述第三侧面向所述第一基板的所述第二侧；以及被放置在由所述第一基板的所述第二侧、从所述显示区域的所述第三侧延伸的假想第三延伸线、所述第一延伸线和所述第一基板的第三侧限定的区域中的第二接触部分，所述第一基板的所述第三侧面向所述第一延伸线。
所述两个最外第二短路部分中的另一个最外第二短路部分的第一接触部分可以包括具有与所述另一个第二短路部分的接触表面的尺寸基本相同的尺寸的接触表面。
所述多个第二短路部分越靠近所述第一基板的第二侧的端部,包括越大的接触表面。
前述只是例示性的，并且并不旨在以任何方式限制。除了上述例示性的方面、实施例和特征之外，进一步的方面、实施例和特征通过参考图和以下详细描述将变得显而易见。
附图说明
从以下结合附图的详细描述中将更清楚地理解本发明公开的上述和其它特征以及方面，附图中：
图1是示出LCD设备的示例性实施例的图；
图2是沿图1的线I-I'截取的截面图；
图3是示出在图2的第二短路部分单元中包括的短路部分当中的除了最外短路部分的一个短路部分以及这个短路部分的附近区域的平面图；
图4是沿图3的线I-I'截取的截面图；
图5是示出图2的第一最外短路部分及其周围的示例性实施例的平面图；
图6是沿图5的线I-I'截取的截面图；
图7是示出图2的第二最外短路部分及其周围的示例性实施例的平面图；
图8是沿图7的线I-I'截取的截面图；
图9是示出图2的第一最外短路部分及其周围的可替代示例性实施例的平面图；
图10是示出图2的第二最外短路部分及其周围的可替代示例性实施例的平面图；以及
图11是示出LCD设备的可替代示例性实施例的图。
具体实施方式
本发明的优点和特征及实现它们的方法将从以下参考附图详细描述的示例性实施例中变得清楚。然而，本发明可以以多种不同的形式体现，并且不应当被理解为限于本文所列举的示例性实施例。相反，提供这些示例性实施例的目的在于使本公开将透彻和完整，并且将向本领域技术人员充分地传达本发明的范围。本发明仅由权利要求的范围限定。因此，在示例性实施例中不详细描述众所周知的组成元件、操作和技术，以防止本发明晦涩难懂。在整个说明书中相同的附图标记指代相同的元件。
在图中，某些元件或形状可以以放大的方式或以简化的方式示出，以更好地图示本发明，并且存在于实际产品中的其他元件还可以被省略。因此，图旨在便于理解本发明。各个图可以不按比例。
当层、区域或板被称为在另一层、区域或板“上”时，它可以直接在另一层、区域或板上，或者在它们之间可以存在中间层、区域或板。相反，当层、区域或板被称为“直接”在另一层、区域或板“上”时，在它们之间可以不存在中间层、区域或板。进一步，当层、区域或板被称为在另一层、区域或板“之下”时，它可以“直接”在另一层、区域或板“之下”，或者在它们之间可以存在中间层、区域或板。相反，当层、区域或板被称为“直接”在另一层、区域或板“之下”时，在它们之间可以不存在中间层、区域或板。
在本文中可以使用空间相对术语“在……之下”、“在……下面”、“下面的”、“在……之上”、“上面的”等以便于描述如图中所示的一个元件或部件与另一元件或部件之间的关系。将理解，空间相对术语旨在包含使用或操作中的设备的除图中描绘的方位之外的不同方位。例如，在图中所示的设备被翻转的情况下，被定位在另一设备“之下”或“下面”的设备可以被放置在另一设备“之上”。因此，例示性的术语“在……之下”可以包括下面位置和上面位置两者。设备也可以被定向在其他方向上，并且因此，空间相对术语可以取决于方位而被不同地解释。
贯穿说明书，当元件被称为“连接”到另一个元件时，该元件“直接连接”到另一元件，或者在它们之间插入有一个或多个中间元件的情况下“电连接”到另一元件。将进一步理解，当在本说明书中使用时，术语“包括”、“包括有”、“包含”和/或“包含有”指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组的存在或添加。
将理解，尽管本文可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等描述各种元件，但这些元件不应当受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。因此，下面讨论的“第一元件”可以被称为“第二元件”或“第三元件”，并且“第二元件”和“第三元件”可以同样地被称呼而不脱离本文中的教导。
本文所使用的“大约”或“近似”包含所列举的值，并且意指在考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关联的误差(即，测量系统的限制)的情况下在本领域普通技术人员所确定的特定值的可接受偏差范围内。例如，“大约”可以意指在一个或多个标准偏差内，或者在所列举的值的±30％、±20％、±10％、±5％内。
除非另外限定，否则在本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有如本发明所属领域的技术人员通常所理解的含义相同的含义。将进一步理解，诸如在通用词典中定义的术语之类的术语应该被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，而不将以理想的或过于正式的意义来解释，除非在本说明书中清楚地定义。所有数值是近似的，并且可以变化。具体材料和成分的所有示例将被视为仅仅是非限制性的和示例性的。其他适合的材料和成分可以被替代使用。
下文中，将参考图1至图11来详细描述液晶显示(“LCD”)设备的示例性实施例。
图1是示出LCD设备的示例性实施例的图，并且图2是沿图1的线I-I'截取的截面图。
如图1和图2所示，LCD设备的示例性实施例包括第一基板301、第二基板302、液晶层333、数据驱动器136、栅驱动器126和电路板168。
第一基板301具有显示区域AR1和非显示区域AR2。非显示区域AR2围绕显示区域AR1。
多条栅线GL1至GLi、多条数据线DL1至DLj以及多个像素PX被设置在第一基板301的显示区域AR1中。
栅线GL1至GLi延伸至非显示区域AR2以连接至栅驱动器126。
栅线GL1至GLi由栅驱动器126驱动。如图1所示，栅驱动器126可以被设置在第一基板301的非显示区域AR2中。例如，栅驱动器126可以被设置在公共线166和显示区域AR1之间的非显示区域AR2中。虽然图1中未示出，但是栅驱动器126与遮光层376重叠。
数据线DL1至DLj与栅线GL1至GLi相交。数据线DL1至DLj延伸至非显示区域AR2以连接至数据驱动器136。
数据驱动器136包括多个数据驱动集成电路147。数据驱动集成电路147从时序控制器接收数字图像数据信号和数据控制信号。数据驱动集成电路147根据数据控制信号对数字图像数据信号进行采样，在每个水平周期中对应于一条水平线锁存所采样的图像数据信号，并且将锁存的图像数据信号施加至数据线DL1至DLj。也就是说，数据驱动集成电路147使用从电源(未示出)输入的伽马电压将来自时序控制器的数字图像数据信号转换为模拟图像信号，并将转换后的模拟图像信号施加至数据线DL1至DLj。
数据驱动集成电路147中的每一个被安装在数据载体146上。数据载体146连接在电路板168与第一基板301之间。例如，数据载体146中的每一个可以电连接在电路板168与第一基板301的非显示区域AR2之间。数据载体146可以是数据带载封装。
上述时序控制器和电源可以被设置在电路板168上，并且数据载体146包括将来自时序控制器和电源的各种信号传输至数据驱动集成电路147的输入布线、和将从数据驱动集成电路147输出的图像数据信号传输至数据线DL1至DLj中的对应数据线的输出布线。在示例性实施例中，至少一个数据载体146可以进一步包括可将从时序控制器和电源施加的各种信号传输至栅驱动器126的辅助布线，其中这些辅助布线连接至第一基板301上的面板布线。面板布线将辅助布线和栅驱动器126互相连接。面板布线可以以玻璃上线的方式被设置在第一基板301的非显示区域AR2中。
如图1所示，公共线166被设置在第一基板301的非显示区域AR2中。公共线166可以具有围绕显示区域AR1的形状。例如，公共线166的一部分可以被设置在显示区域AR1与第一基板301的左侧之间的非显示区域AR2中，公共线166的另一部分可以被设置在显示区域AR1与第一基板301的右侧之间的非显示区域AR2中，公共线166的另一部分可以被设置在显示区域AR1与第一基板301的上侧之间的非显示区域AR2中，并且公共线166的另一部分可以被设置在显示区域AR1与第一基板301的下侧之间的非显示区域AR2中。
公共线166从上述电源接收公共电压Vcom。为此，公共线166可以通过数据载体146上的信号传输线连接至电源。
多个像素PX被设置在显示区域AR1中。像素PX以矩阵形式布置。像素PX可以包括显示红色图像的红色像素、显示绿色图像的绿色像素和显示蓝色图像的蓝色像素。在这样的示例性实施例中，彼此相邻设置的红色像素、绿色像素和蓝色像素可以限定用于显示单元图像的单元像素。单元像素可以进一步包括显示白颜色的白色像素。
沿第n(n是从1至i中选择的一个)水平线布置有分别连接至第一数据线DL1至第j数据线DLj的“j”个像素PX(下文中，第n水平线像素)。进一步，第n水平线像素共同连接至第n栅线。相应地，第n水平线像素接收第n栅信号作为公共信号。也即，设置在相同水平线中的“j”个像素接收相同的栅信号，而设置在不同水平线中的像素分别接收不同的栅信号。
像素PX中的每一个包括像素电极PE、开关元件TFT、液晶电容器Clc和存储电容器Cst。
开关元件TFT连接至栅线GL1、数据线DL1和像素电极PE。例如，开关元件TFT的栅电极连接至栅线GL1，开关元件TFT的源电极连接至数据线DL1，并且开关元件TFT的漏电极连接至像素电极PE。开关元件TFT可以是薄膜晶体管(“TFT”)。
开关元件TFT根据来自栅线GL1的栅信号被控制，并且连接在数据线DL1和像素电极PE之间。开关元件TFT通过从栅线GL1施加的栅信号的栅高电压而导通，并且在导通时，将来自数据线DL1的图像数据电压施加至像素电极PE。在示例性实施例中，开关元件TFT通过来自栅线GL1的栅信号的栅低电压而截止。
液晶电容器Clc形成在像素电极PE和公共电极330之间。液晶电容器Clc包括连接至像素电极PE的第一电极、连接至公共电极330的第二电极、和在第一电极与第二电极之间的液晶层。液晶电容器Clc的第一电极可以是像素电极PE的一部分，并且液晶电容器Clc的第二电极可以是公共电极330的一部分。公共电压Vcom被施加至公共电极330。
存储电容器Cst形成在像素电极PE和存储电极751之间。存储电容器Cst包括连接至像素电极PE的第一电极、连接至存储电极751的第二电极、以及在存储电容器Cst的第一电极和存储电容器Cst的第二电极之间的介电材料。介电材料包括至少一个绝缘层。存储电容器Cst的第一电极可以是像素电极PE的一部分，并且存储电容器Cst的第二电极可以是存储电极751的一部分。存储电压Vcst被施加至存储电极751。存储电压Vcst可以具有与公共电压Vcom的电压水平相等的电压水平。
液晶层333被设置在第一基板301与第二基板302之间。液晶层333可以包括具有负介电各向异性且被垂直取向的液晶分子。可替代地，液晶层333可以包括光聚合材料，并且这种光聚合材料可以是反应性单体或反应性液晶基元。
如图2所示，栅电极GE和公共线166被设置在第一基板301上。栅电极GE可以具有从栅线突出的形状。栅电极GE和栅线可以是单个的一元结构。栅电极GE可以是栅线的一部分。
栅电极GE和公共线166中的至少一个可以包括铝(Al)或其合金、银(Ag)或其合金、铜(Cu)或其合金、和/或钼(Mo)或其合金，或者由铝(Al)或其合金、银(Ag)或其合金、铜(Cu)或其合金、和/或钼(Mo)或其合金形成。在可替代示例性实施例中，栅电极GE和公共线166中的至少一个可以包括铬(Cr)、钽(Ta)和钛(Ti)中的一个，或者由铬(Cr)、钽(Ta)和钛(Ti)中的一个形成。在可替代示例性实施例中，栅线GL、栅电极GE和公共线166中的至少一个可以具有多层结构，该多层结构包括具有彼此不同的物理特性的至少两个导电层。
如图2所示，栅绝缘层311被设置在栅电极GE和公共线166上。栅绝缘层311可以被设置在包括栅电极GE和公共线166的第一基板301的整个表面上。如图2所示，栅绝缘层311使用在公共线166上限定的孔(下文中，第一孔)来限定。
栅绝缘层311可以包括氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)，或者由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)形成。栅绝缘层311可以具有多层结构，该多层结构包括具有不同物理特性的至少两个绝缘层。
半导体层321被设置在栅绝缘层311上。半导体层321与栅电极GE、源电极SE和漏电极DE重叠。半导体层321可以包括非晶硅、多晶硅等。
源电极SE被设置在半导体层321上。虽然未示出，但是源电极SE可以进一步被设置在栅绝缘层311上。源电极SE与半导体层321和栅电极GE至少部分重叠。源电极SE可以具有从数据线突出的形状。源电极SE和数据线可以是单个的一元结构。源电极SE可以是数据线的一部分。
源电极SE可以包括难熔金属或由难熔金属形成，诸如钼、铬、钽和钛或其合金，并且可以具有包括难熔金属层和低电阻导电层的多层结构。这个多层结构的示例可以包括：包括铬或钼(合金)下层和铝(合金)上层的双层结构；以及包括钼(合金)下层、铝(合金)中间层和钼(合金)上层的三层结构。在可替代示例性实施例中，源电极SE可以包括除了上述材料以外的任意适合的金属或导体，或者由除了上述材料以外的任意适合的金属或导体形成。
漏电极DE被设置在半导体层321上，与源电极SE间隔开预定距离。虽然未示出，但是漏电极DE可以进一步被设置在栅绝缘层311上。漏电极DE与半导体层321和栅电极GE至少部分重叠。开关元件TFT的沟道区被设置在漏电极DE和源电极SE之间。漏电极DE可以包括与源电极SE的材料基本相同的材料，并且具有与源电极SE的结构基本相同的结构(多层结构)。漏电极DE和源电极SE可以以基本上相同的工艺同时提供。
开关元件TFT可以进一步包括第一欧姆接触层321a和第二欧姆接触层321b。
第一欧姆接触层321a被设置在半导体层321和源电极SE之间。第一欧姆接触层321a减小半导体层321和源电极SE之间的界面电阻。
第一欧姆接触层321a可以包括硅化物或以高浓度掺杂有n型杂质(例如磷(P)或三氢化磷(PH3))的n+氢化非晶硅。
第二欧姆接触层321b被设置在半导体层321和漏电极DE之间。第二欧姆接触层321b减小半导体层321和漏电极DE之间的界面电阻。第二欧姆接触层321b可以包括与第一欧姆接触层321a的材料基本相同的材料，并且具有与第一欧姆接触层321a的结构基本相同的结构(多层结构)。第一欧姆接触层321a和第二欧姆接触层321b可以以基本相同的工艺同时提供。
虽然未被示出，但半导体层321可以进一步被设置在栅绝缘层311和源电极SE之间。此外，半导体层321还可以被设置在栅绝缘层311和漏电极DE之间。本文中，栅绝缘层311和源电极SE之间的半导体层被限定为第一附加半导体层，并且栅绝缘层311和漏电极DE之间的半导体层被限定为第二附加半导体层。在这样的示例性实施例中，上述第一欧姆接触层321a可以进一步被设置在第一附加半导体层和源电极SE之间，并且上述第二欧姆接触层321b可以进一步被设置在第二附加半导体层和漏电极DE之间。
此外，虽然未示出，但半导体层321可以进一步被设置在栅绝缘层311和数据线之间。本文中，栅绝缘层311与数据线之间的半导体层被限定为第三附加半导体层。在这样的示例性实施例中，上述第一欧姆接触层321a可以进一步被设置在第三附加半导体层和数据线之间。
钝化层320被设置在源电极SE、漏电极DE和栅绝缘层311上。钝化层320可以被设置在包括源电极SE、漏电极DE和栅绝缘层311的第一基板301的整个表面上。钝化层320利用漏电极DE上的孔(下文中，第二孔)限定。此外，钝化层320利用上述第一孔上方的孔(下文中，第三孔)限定。
钝化层320可以包括诸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的无机绝缘材料，并且在这样的示例性实施例中，可以使用具有光敏性和具有约4.0的介电常数的无机绝缘材料。在可替代示例性实施例中，钝化层320可以具有包括下无机层和上有机层的双层结构。钝化层320可以具有大于或等于约的厚度，例如，在约至约的范围中。
滤色器354被垂直设置在钝化层320上。滤色器354对应于像素PX的发光区域111而被水平设置。在这样的示例性实施例中，滤色器354的一部分可以进一步延伸超过发光区域111以被设置在遮光区域中。例如，滤色器354的边缘部分可以被设置在遮光区域中。滤色器354的在遮光区域中的边缘部分可以与漏电极DE垂直重叠。滤色器354利用上述第二孔上方的孔(下文中，第四孔)来限定。
盖层391被设置在滤色器354和钝化层320上。盖层391防止滤色器354的染料被分散到液晶层333中。盖层391利用上述第四孔上方的孔(下文中，第五孔)来限定。此外，盖层391利用上述第三孔上方的第六孔来限定。盖层391可以包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)等，或者由氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)等形成。
像素电极PE被垂直设置在盖层391上。像素电极PE对应于发光区域111而被水平设置。像素电极PE的一部分延伸超过发光区域111以被设置在遮光区域中。例如，像素电极PE的边缘部分被设置在遮光区域中。像素电极PE通过漏极接触孔901连接至漏电极DE。换句话说，像素电极PE通过遮光区域中的漏极接触孔901连接至漏电极DE。漏极接触孔901包括第二孔、第四孔和第五孔。
像素电极PE可以包括诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的透明导电材料，或者由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的透明导电材料形成。本文中，ITO可以是多晶或单晶材料，并且IZO也可以是多晶或单晶材料。在可替代示例性实施例中，IZO可以是非晶材料。
遮光层376被设置在第二基板302上。遮光层376限定像素PX的发光区域111。遮光层376防止光发射通过除了发光区域111之外的区域。为此，遮光层376被设置在遮光区域中。例如，遮光层376对应于遮光区域被设置在第二基板302上。
保护层343被设置在遮光层376上以及第二基板302上。保护层343显著地减少(例如，最小化)遮光层376和第二基板302之间的高度差。换句话说，保护层343使第二基板302平坦化。保护层343可以包括有机层材料。
公共电极330被设置在保护层343上。公共电极330可以包括与像素电极PE中包括的材料基本相同的材料，或者由与像素电极PE中包括的材料基本相同的材料形成。可替代地，在示例性实施例中，在像素电极PE包括IZO时，公共电极330可以包括ITO。
主柱状间隔件472a和子柱状间隔件472b被设置在公共电极330上。主柱状间隔件472a具有比子柱状间隔件472b的厚度更大的厚度。
如图1所示，短路部分888被设置在公共电极330上。LCD设备的示例性实施例可以包括至少两个短路部分888，并且通过示例的方式，在图1中示出包括十八个短路部分888的LCD设备。
十八个短路部分888中的九个相邻短路部分(下文中，第一短路部分单元561)被设置在第一基板301的上侧与显示区域AR1之间，并且十八个短路部分888中的另外九个相邻短路部分(下文中，第二短路部分单元562)被设置在第一基板301的下侧与显示区域AR1之间。相比于靠近第一基板301的下侧，在第一短路部分单元561中包括的九个短路部分888被设置为更靠近第一基板301的上侧，并且相比于靠近第一基板301的上侧，包括在第二短路部分单元562中的九个短路部分888被设置为更靠近第一基板301的下侧。
如图2所示，短路部分888被设置在公共线166和公共电极330之间。短路部分888的一侧接触公共线166，并且短路部分888的另一侧接触公共电极330。短路部分888的该一侧通过公共接触孔902接触公共线166。公共接触孔902包括第一孔、第三孔和第六孔。本文中，短路部分888的接触公共线166的一部分被限定为短路部分888的接触表面。
多个短路部分888中的至少两个可以具有不同尺寸的接触表面。换句话说，多个短路部分888中的至少两个可以具有不同面积(接触面积)的接触表面。例如，多个短路部分888中与第一基板301的角相邻的一个短路部分888的接触表面可以具有与多个短路部分888中的另一个短路部分888的接触表面的尺寸不同的尺寸。例如，多个短路部分888中与第一基板301的每个角相邻的一个短路部分888的接触表面可以具有比多个短路部分888中的另一个短路部分888的接触表面的尺寸大的尺寸。例如，多个短路部分888中与第一基板301的每个角相邻的一个短路部分888的接触表面可以具有是多个短路部分888中的另一个短路部分888的接触表面的尺寸的约1.2倍至约2倍的尺寸。
将参考图1来进一步描述上面的示例。首先，在第二短路部分单元562中包括的九个短路部分888当中的被设置为彼此最远的两个短路部分888分别被限定为第一最外短路部分888L和第二最外短路部分888R。在这样的示例性实施例中，第一最外短路部分888L和第二最外短路部分888R中至少一个的接触表面可以具有与除了这两个最外短路部分888L和888R之外的其它短路部分888的接触表面的尺寸不同的尺寸。例如，第一最外短路部分888L的接触表面可以比其它短路部分888中的一个短路部分(例如，短路部分888C)的接触表面大。换句话说，第一最外短路部分888L与公共线166之间的接触表面的面积可以比短路部分888C与公共线166之间的接触表面的面积大。此外，第二短路部分888R的接触表面可以比短路部分888C的接触表面大。换句话说，第二最外短路部分888R与公共线166之间的接触表面的面积可以比短路部分888C与公共线166之间的接触表面的面积大。在示例性实施例中，第一最外短路部分888L的接触表面可以具有与第二最外短路部分888R的接触表面的尺寸基本相同的尺寸。
类似地，在第一短路部分单元561中包括的九个短路部分888当中的被设置为彼此最远的两个短路部分分别被限定为第一最外短路部分888L`和第二最外短路部分888R`。在这样的示例性实施例中，第一最外短路部分888L`和第二最外短路部分888R`中至少一个的接触表面可以具有与除了这两个最外短路部分888L`和888R`之外的其它短路部分的接触表面的尺寸不同的尺寸。例如，第一最外短路部分888L`的接触表面和第二最外短路部分888R`的接触表面可以比其它短路部分中的一个短路部分(例如，短路部分888C`)的接触表面大。
第一短路部分单元561的第一最外短路部分888L`、第一短路部分单元561的第二最外短路部分888R`、第二短路部分单元562的第一最外短路部分888L和第二短路部分单元562的第二最外短路部分888R可各自具有基本相同尺寸的接触表面。此外，除了上述最外短路部分888L、888R、888L`和888R`之外的其它短路部分可各自具有基本相同尺寸的接触表面。其它短路部分中的每一个具有比上述最外短路部分888L、888R、888L`和888R`的接触表面小的接触表面。
如图1所示，LCD设备的示例性实施例可以进一步包括第一辅助短路部分888LL和第二辅助短路部分888RR。第一辅助短路部分888LL被设置为比第一短路部分单元561的第一最外短路部分888L`更靠近第一基板301的左上角，并且第二辅助短路部分888RR被设置为比第一短路部分单元561的第二最外短路部分888R`更靠近第一基板301的右上角。
第一辅助短路部分888LL的接触表面可以具有与第一短路部分单元561的第一最外短路部分888L`的接触表面的尺寸基本相同的尺寸，并且第二辅助短路部分888RR的接触表面可以具有与第一短路部分单元561的第二最外短路部分888R`的接触表面的尺寸基本相同的尺寸。
在示例性实施例中，第一短路部分单元561的第一最外短路部分888L`可以被转移到第一辅助短路部分888LL的位置，并且第一短路部分单元561的第二最外短路部分888R`可以被转移到第二辅助短路部分888RR的位置。在这样的示例性实施例中，可以省略第一辅助短路部分888LL和第二辅助短路部分888RR。
在短路部分888的上述接触表面(即，短路部分888的接触公共线166的一部分)被重新限定为短路部分888的第一接触表面并且短路部分888的接触公共电极330的一部分被限定为短路部分888的第二接触表面的情况下，多个短路部分888中与第一基板301的角相邻的一个短路部分888的第二接触表面可以具有与其它短路部分的第二接触表面的尺寸不同的尺寸。例如，多个短路部分888中与第一基板301的每个角相邻的一个短路部分888的第二接触表面可以比其它短路部分的第二接触表面大。换句话说，最外短路部分的第二接触表面可以具有比其它短路部分的第二接触表面的尺寸大的尺寸。这样，短路部分的相应的第二接触表面可以具有与短路部分的第一接触表面(即，接触表面)的特性基本相同的特性。
短路部分888可以包括银(Ag)或由银(Ag)形成。例如，短路部分888可以包括Ag。
如图2所示，密封部分155被设置在非显示区域AR2中。密封部分155围绕显示区域AR1。密封部分155可以与短路部分888的一部分重叠。密封部分155沿第一基板301上的公共线166设置。此外，密封部分155与数据线DL1至DLj的相应延伸部分相交。密封部分155可以具有闭环形状。
图3是示出在图2的第二短路部分单元中包括的短路部分当中的除了最外短路部分的一个短路部分以及这个短路部分的附近区域的平面图。
如图3和图4所示，短路部分888C可以通过至少一个公共接触孔902接触公共线166。例如，短路部分888C可以通过十个公共接触孔902接触公共线166。短路部分888C的接触表面的尺寸可以与公共接触孔902的数量和尺寸成比例。
图3中示出的显示区域AR1的侧由实线表示，这与图1中示出的不同，以便于在图3中识别显示区域AR1的该侧和围绕显示区域AR1的该侧的外部虚线。
图5是示出图2的第一最外短路部分及其周围的示例性实施例的平面图，并且图6是沿图5的线I-I'截取的截面图。
如图5和图6所示，第一最外短路部分888L可以通过至少一个公共接触孔902接触公共线166。例如，第一最外短路部分888L可以通过十二个公共接触孔902接触公共线166。第一最外短路部分888L的接触表面的尺寸可以与公共接触孔902的数量和尺寸成比例。
图5中示出的显示区域AR1的侧由实线表示，这与图1中示出的不同，以便于在图5中识别显示区域AR1的该侧和围绕显示区域AR1的该侧的外部虚线。
在图3中示出的被限定在短路部分888C和公共线166之间的公共接触孔902的尺寸与图5中示出的被限定在第一最外短路部分888L和公共线166之间的公共接触孔902的尺寸基本相同的情况下，通过相对大数量的公共接触孔902连接至公共线166的第一最外短路部分888L具有比短路部分888C的接触表面大的接触表面。
在示例性实施例中，如图5所示，第一最外短路部分888L可以与第一延伸线VLL相交。第一延伸线VLL是从限定显示区域AR1的四侧中的一侧(下文中，左侧552)延伸的假想线。显示区域AR1的左侧552面向第一基板301的左侧752。第一延伸线VLL与第一基板301的下侧751相交。
第一最外短路部分888L可包括第一接触部分81L和第二接触部分82L。例如，第一最外短路部分888L可以被上述第一延伸线VLL分成两部分，并且在这样的示例性实施例中，相对于第一延伸线VLL的右部对应于第一接触部分81L，并且相对于第一延伸线VLL的左部对应于第二接触部分82L。
如图5所示，第一接触部分81L被设置在显示区域AR1的下侧551和第一基板301的下侧751之间。在这样的示例性实施例中，第一接触部分81L的接触表面可以具有与其它短路部分中的一个(例如，短路部分888C)的接触表面的尺寸基本相同的尺寸。
如图5所示，第二接触部分82L被设置在由第一延伸线VLL、第二延伸线HL、第一基板301的下侧751和第一基板301的左侧752限定的区域中。在上述区域中，相比于靠近第二延伸线HL，第二接触部分82L可以被设置为更靠近第一基板301的下侧751。第二延伸线HL是从限定显示区域AR1的四侧中的另一侧(即，下侧551)延伸的假想线。
图7是示出图2的第二最外短路部分及其周围的示例性实施例的平面图，并且图8是沿图7的线I-I'截取的截面图。
如图7和图8所示，第二最外短路部分888R可以通过至少一个公共接触孔902接触公共线166。例如，第二最外短路部分888R可以通过十二个公共接触孔902接触公共线166。第二最外短路部分888R的接触表面的尺寸可以与公共接触孔902的数量和尺寸成比例。
图7中示出的显示区域AR1的侧由实线表示，这与图1中示出的不同，以便于在图7中识别显示区域AR1的该侧和围绕显示区域AR1的该侧的外部虚线。
在图3中示出的被限定在短路部分888C和公共线166之间的公共接触孔902的尺寸与图7中示出的被限定在第二最外短路部分888R和公共线166之间的公共接触孔902的尺寸基本相同的情况下，通过相对大数量的公共接触孔902连接到公共线166的第二最外短路部分888R具有比短路部分888C的接触表面大的接触表面。
在示例性实施例中，如图7所示，第二最外短路部分888R可以与第三延伸线VLR相交。第三延伸线VLR是从限定显示区域AR1的四侧中的一侧(下文中，右侧553)延伸的假想线。显示区域AR1的右侧553面向第一基板301的右侧753。第三延伸线VLR与第一基板301的下侧751相交。在此实施例中，第三延伸线VLR基本上平行于第一延伸线VLL。
第二最外短路部分888R可以包括第一接触部分81R和第二接触部分82R。例如，第二最外短路部分888R可以被上述第三延伸线VLR分成两部分，并且在这样的示例性实施例中，相对于第三延伸线VLR的左部对应于第一接触部分81R，并且相对于第三延伸线VLR的右部对应于第二接触部分82R。
如图7所示，第一接触部分81R被设置在显示区域AR1的下侧551和第一基板301的下侧751之间。在这样的示例性实施例中，第一接触部分81R的接触表面可以具有与其它短路部分中的一个(例如，短路部分888C)的接触表面的尺寸基本相同的尺寸。
如图7所示，第二接触部分82R被设置在由第三延伸线VLR、第二延伸线HL、第一基板301的下侧751和第一基板301的左侧753限定的区域中。在上述区域中，相比于靠近第二延伸线HL，第二接触部分82R可以被设置为更靠近第一基板301的下侧751。
图9是示出图2的第一最外短路部分及其周围的可替代示例性实施例的平面图，并且图10是示出图2的第二最外短路部分及其周围的可替代示例性实施例的平面图。
图9和图10中示出的显示区域AR1的侧由实线表示，这与图1中示出的不同，以便于在图9和图10中识别显示区域AR1的该侧和围绕显示区域AR1的该侧的外部虚线。
如图9所示，第一最外短路部分888L被设置在显示区域AR1的下侧551和第一基板301的下侧751之间。
如图10所示，第二最外短路部分888R被设置在显示区域AR1的下侧551和第一基板301的下侧751之间。
换句话说，第一最外短路部分888L和第二最外短路部分888R可以设置在由显示区域AR1的下侧551、第一基板301的下侧751、第一延伸线VLL和第三延伸线VLR限定的区域中。
图11是示出LCD设备的可替代示例性实施例的图。
如图11所示，第二短路部分单元562的短路部分861、862L、863L、862R和863R可以随着它们越靠近第一基板301的下侧751的相对端部，具有越大的接触表面。换句话说，第二短路部分单元562的短路部分861、862L、863L、862R和863R变得越靠近第一基板301的角，它们的接触表面面积越大。
例如，图11中示出了五个短路部分861、862L、863L、862R和863R。在五个短路部分861、862L、863L、862R和863R当中，最靠近下侧751的左端部的短路部分(下文中，第一最外短路部分863L)和最靠近下侧751的右端部的短路部分(下文中，第二最外短路部分863R)具有比其它短路部分861、862L和862R的接触表面大的接触表面。另外，尽管未示出，但是第一最外短路部分863L和第二最外短路部分863R可以具有比第一短路部分单元561的短路部分888的接触表面大的接触表面。
第一最外短路部分863L和第二最外短路部分863R可具有基本相同尺寸的接触表面。
如图5所示，第一最外短路部分863L可以与第一延伸线VLL相交。在进一步的示例性实施例中，如图9所示，第一最外短路部分863L可以被设置在显示区域AR1的下侧551和第一基板301的下侧751之间。
如图7所示，第二最外短路部分863R可以与第三延伸线VLR相交。在进一步的示例性实施例中，如图10所示，第二最外短路部分863R可以被设置在显示区域AR1的下侧551和第一基板301的下侧751之间。
在下侧751的中心部分处的短路部分(下文中，中心短路部分861)可以具有从五个短路部分861、862L、863L、862R和863R的接触表面当中的最小接触表面。
中心短路部分861和第一最外短路部分863L之间的短路部分862L具有比中心短路部分861的接触表面大且比第一最外短路部分863L的接触表面小的接触表面。
中心短路部分861和第二最外短路部分863R之间的短路部分862R具有比中心短路部分861的接触表面大且比第二最外短路部分863R的接触表面小的接触表面。
尽管未示出，但是第一短路部分单元561的短路部分888越靠近上侧(第一基板301的上侧)的相对端部，越可以具有更大的接触表面。也即，图3至图11中示出的短路部分888的配置和/或布局可以针对更靠近基板301的上侧的那些短路部分888进行复制。
第一基板301的每个角部，例如下侧的相对边缘(即，第一基板的下侧的对角)，是最大部分的静电放电(“ESD”)流动的地方。LCD设备的示例性实施例包括其上设置有公共线166和与公共线166接触的多个短路部分888的第一基板301。在第一基板301的每个角处的最外短路部分888具有比其余的短路部分888的接触表面大的接触表面。因此，施加到LCD设备的ESD可以通过最外短路部分容易地向外放电。
如上所述，根据一个或多个示例性实施例，LCD设备可以提供以下效果。
LCD设备的示例性实施例包括其上设置有公共线和与公共线接触的多个短路部分的第一基板。在第一基板的下侧的对角处的最外短路部分具有比其它短路部分的接触表面大的接触表面。因此，施加至LCD设备的ESD可以通过最外短路部分更容易地向外放电。因此，例如由ESD导致的对开关元件的损坏可以有效地降低。
从上述将理解，为了说明的目的，本文已经描述了根据本公开的各种实施例，并且在不脱离本教导的范围和精神的情况下，可以进行各种修改。因此，本文公开的各种实施例不旨在限制本教导的真实范围和精神。上述和其它实施例的各种特征可以以任何方式混合和匹配，以产生与本发明一致的进一步实施例。

Claims (14)

1.一种液晶显示设备，包括：
彼此间隔开的第一基板和第二基板；
在所述第一基板和所述第二基板之间的液晶层；
在所述第一基板上的公共线；
在所述第二基板上的公共电极；以及
在所述公共线和所述公共电极之间的多个短路部分，
其中所述多个短路部分中的每个短路部分包括接触所述公共线的接触表面，并且
所述多个短路部分中的至少两个包括具有不同尺寸的接触表面。
2.根据权利要求1所述的液晶显示设备，其中接近所述第一基板的角的短路部分包括具有与另一个短路部分的接触表面的尺寸不同的尺寸的接触表面。
3.根据权利要求2所述的液晶显示设备，其中接近所述第一基板的角的所述短路部分包括具有比所述另一个短路部分的接触表面的尺寸大的尺寸的接触表面。
4.根据权利要求1所述的液晶显示设备，进一步包括在所述多个短路部分和所述公共线之间的绝缘层，所述绝缘层具有用于连接所述多个短路部分和所述公共线的接触孔。
5.根据权利要求4所述的液晶显示设备，其中所述多个短路部分中的所述至少两个分别通过不同数量的所述接触孔连接至所述公共线。
6.根据权利要求1所述的液晶显示设备，其中所述多个短路部分包括：
相比于靠近所述第一基板的第二侧被放置为更靠近所述第一基板的第一侧的多个第一短路部分，所述第一侧和所述第二侧彼此相对；以及
相比于靠近所述第一基板的所述第一侧被放置为更靠近所述第一基板的所述第二侧的多个第二短路部分。
7.根据权利要求6所述的液晶显示设备，进一步包括连接至所述第一基板的所述第一侧的焊盘单元的数据驱动器。
8.根据权利要求6所述的液晶显示设备，其中在所述多个第二短路部分当中的彼此最远的两个最外第二短路部分中的至少一个包括：具有与除了所述两个最外第二短路部分之外的另一个第二短路部分的接触表面的尺寸不同的尺寸的接触表面。
9.根据权利要求8所述的液晶显示设备，其中所述两个最外第二短路部分中的所述至少一个包括比所述另一个第二短路部分的接触表面更大的接触表面。
10.根据权利要求8所述的液晶显示设备，进一步包括在所述多个第二短路部分和所述公共线之间的绝缘层，其中所述绝缘层具有用于连接所述多个第二短路部分和所述公共线的接触孔。
11.根据权利要求10所述的液晶显示设备，其中所述两个最外第二短路部分中的所述至少一个通过比所述另一个第二短路部分接触所述公共线所通过的接触孔的数量更大数量的接触孔接触所述公共线。
12.根据权利要求8所述的液晶显示设备，其中所述两个最外第二短路部分中的一个与从所述第一基板的显示区域的第一侧延伸的假想第一延伸线相交。
13.根据权利要求12所述的液晶显示设备，其中所述两个最外第二短路部分中的另一个与从所述显示区域的第二侧延伸的假想第二延伸线相交。
14.根据权利要求12所述的液晶显示设备，其中所述两个最外第二短路部分中的所述一个包括：
在所述显示区域的第三侧和所述第一基板的所述第二侧之间的第一接触部分，所述显示区域的所述第三侧面向所述第一基板的所述第二侧；以及
被放置在由所述第一基板的所述第二侧、从所述显示区域的所述第三侧延伸的假想第三延伸线、所述第一延伸线和所述第一基板的第三侧限定的区域中的第二接触部分，所述第一基板的所述第三侧面向所述第一延伸线。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102526508B1 (ko) * 2016-06-30 2023-04-26 티씨엘 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 액정 표시 장치
KR102347961B1 (ko) * 2016-10-28 2022-01-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20200078805A (ko) 2018-12-21 2020-07-02 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020058555A (ko) * 2000-12-30 2002-07-12 구본준, 론 위라하디락사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20050046163A (ko) * 2003-11-13 2005-05-18 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시패널 및 그 제조방법
KR20060060271A (ko) * 2004-11-30 2006-06-05 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자
CN1794071A (zh) * 2004-12-23 2006-06-28 Lg.菲利浦Lcd株式会社 液晶显示器件及其制造方法
CN1794048A (zh) * 2004-12-23 2006-06-28 Lg.菲利浦Lcd株式会社 液晶显示面板及其制造方法
US20060139553A1 (en) * 2004-12-23 2006-06-29 Kang Dong H Liquid crystal display device and method of fabricating the same
KR20070065626A (ko) * 2005-12-20 2007-06-25 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조방법
KR20070116511A (ko) * 2006-06-05 2007-12-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그 제조 방법
US20080024708A1 (en) * 2006-07-31 2008-01-31 Samsung Electronics Co., Ltd Liquid crystal display panel and fabricating method thereof
CN102347453A (zh) * 2010-07-28 2012-02-08 三星移动显示器株式会社 显示设备及有机发光二极管显示设备
US20120098811A1 (en) * 2010-10-25 2012-04-26 Jung-Mok Park Display Device
KR20140013325A (ko) * 2012-07-23 2014-02-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법
US20140184964A1 (en) * 2012-12-31 2014-07-03 Hyung Sup BYEON Display device
US20140267999A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display and manufacturing method thereof

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100971386B1 (ko) * 2005-10-19 2010-07-21 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조방법
KR20080005680A (ko) 2006-07-10 2008-01-15 삼성전자주식회사 포토레지스트층의 형성 방법 및 표시 기판의 제조 방법
KR101325198B1 (ko) 2006-08-29 2013-11-04 삼성디스플레이 주식회사 쇼트 패드와 이를 구비한 박막 트랜지스터 기판 및액정표시패널
KR101542401B1 (ko) 2009-03-05 2015-08-07 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치의 구동 방법
KR101603315B1 (ko) 2009-09-25 2016-03-15 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101769586B1 (ko) 2010-09-24 2017-08-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
WO2013172243A1 (ja) * 2012-05-16 2013-11-21 シャープ株式会社 液晶ディスプレイ
US9250489B2 (en) * 2012-11-16 2016-02-02 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. LCD panel with anti-electrostatic discharge function and LCD device using same
CN103441119B (zh) 2013-07-05 2016-03-30 京东方科技集团股份有限公司 一种制造esd器件的方法、esd器件和显示面板
KR20150135909A (ko) 2014-05-26 2015-12-04 삼성전기주식회사 복합 전자부품, 제조방법, 그 실장 기판 및 포장체
CN104090436B (zh) 2014-06-26 2017-03-22 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板的栅极行驱动电路及显示装置
KR102492032B1 (ko) * 2016-04-04 2023-01-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102526508B1 (ko) * 2016-06-30 2023-04-26 티씨엘 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 액정 표시 장치

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020058555A (ko) * 2000-12-30 2002-07-12 구본준, 론 위라하디락사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20050046163A (ko) * 2003-11-13 2005-05-18 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시패널 및 그 제조방법
KR20060060271A (ko) * 2004-11-30 2006-06-05 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자
CN1794071A (zh) * 2004-12-23 2006-06-28 Lg.菲利浦Lcd株式会社 液晶显示器件及其制造方法
CN1794048A (zh) * 2004-12-23 2006-06-28 Lg.菲利浦Lcd株式会社 液晶显示面板及其制造方法
US20060139553A1 (en) * 2004-12-23 2006-06-29 Kang Dong H Liquid crystal display device and method of fabricating the same
KR20070065626A (ko) * 2005-12-20 2007-06-25 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조방법
KR20070116511A (ko) * 2006-06-05 2007-12-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그 제조 방법
US20080024708A1 (en) * 2006-07-31 2008-01-31 Samsung Electronics Co., Ltd Liquid crystal display panel and fabricating method thereof
CN102347453A (zh) * 2010-07-28 2012-02-08 三星移动显示器株式会社 显示设备及有机发光二极管显示设备
US20120098811A1 (en) * 2010-10-25 2012-04-26 Jung-Mok Park Display Device
KR20140013325A (ko) * 2012-07-23 2014-02-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법
US20140184964A1 (en) * 2012-12-31 2014-07-03 Hyung Sup BYEON Display device
US20140267999A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display and manufacturing method thereof

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Publication number Publication date
US10732469B2 (en) 2020-08-04
US20180284550A1 (en) 2018-10-04
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