CN110007530A - 液晶显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供了一种液晶显示装置。根据本公开的示例性实施例，一种液晶显示(LCD)装置可以包括：基底；第一数据线和第二数据线，在基底之上彼此平行地延伸；第一薄膜晶体管(TFT)，设置在基底上并且连接到第一数据线；第二TFT，设置在基底上并且连接到第二数据线；第一子像素电极，设置为与第一数据线和第二数据线叠置并且连接到第一TFT；以及第二子像素电极，设置为与第一数据线和第二数据线叠置并且连接到第二TFT，其中，第一子像素电极和第一数据线的叠置面积与第一子像素电极和第二数据线的叠置面积相同。

Description

液晶显示装置
本申请要求于2017年12月6日提交的第10-2017-0166743号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种液晶显示(LCD)装置。
背景技术
作为最常用的平板显示装置之一的液晶显示(LCD)装置包括形成有诸如像素电极和共电极的场发生电极的两个基底以及设置在两个基底之间的液晶层。LCD装置通过将电压施加到场发生电极来在液晶层中产生电场以确定液晶层中的液晶分子的取向，并且利用电场通过控制入射在其上的光的偏振来显示图像。
已经开发了在不存在电场的情况下液晶分子的长轴垂直于上基底和下基底取向的垂直取向(VA)模式的LCD装置。
VA模式的LCD装置的侧面可见性会比其前面可见性差。具体地，VA模式的LCD装置在从侧面观看时比从前面观看时会看起来亮，随着VA模式的LCD装置的在从前面观看时的亮度与VA模式的LCD装置的在从侧面观看时的亮度之间的差增大，VA模式的LCD装置的可见性变得更差。
为了使可见性的劣化最小化，VA模式的LCD装置的每个像素被分成两个子像素，并且在两个子像素中的每个中不同地控制电场的强度。为了在两个子像素中的每个中不同地控制电场的强度，设置在两个子像素中的两个子像素电极可以通过不同的数据线被提供有电压。
然而，分别向像素的一对子像素电极提供电压的一对数据线可以与像素的一对子像素电极形成不同的电容，结果，VA模式的LCD装置的显示质量会劣化。
发明内容
本公开的示例性实施例提供了一种能够使由数据线与子像素电极之间的不同的电容引起的显示质量的劣化最小化的液晶显示(LCD)装置。
然而，本公开的示例性实施例不限于这里阐述的这些示例性实施例。通过参照下面给出的本公开的详细描述，本公开的以上和其他示例性实施例对本公开所属领域的普通技术人员而言将变得更明显。
根据本公开的示例性实施例，一种液晶显示(LCD)装置可以包括：基底；第一数据线和第二数据线，在基底之上彼此平行地延伸；第一薄膜晶体管(TFT)，设置在基底上并且连接到第一数据线；第二TFT，设置在基底上并且连接到第二数据线；第一子像素电极，设置为与第一数据线和第二数据线叠置，并且连接到第一TFT；以及第二子像素电极，设置为与第一数据线和第二数据线叠置，并且连接到第二TFT，其中，第一子像素电极和第一数据线的叠置面积与第一子像素电极和第二数据线的叠置面积相同。
在示例性实施例中，第一子像素电极可以包括第一主干电极、从第一主干电极延伸的多个第一分支电极、连接到第一TFT的第一延伸电极、将第一主干电极或第一分支电极连接到第一延伸电极的第一连接电极以及连接到第一主干电极或第一分支电极的第一补偿电极。
在示例性实施例中，第一连接电极可以设置为与第一数据线交叉。
在示例性实施例中，第一连接电极和第一数据线的叠置面积可以与第一补偿电极和第二数据线的叠置面积相同。
在示例性实施例中，LCD装置还可以包括设置在基底与第一子像素电极和第二子像素电极的层之间的维持电极，其中，第一补偿电极与维持电极不叠置。
在示例性实施例中，第一子像素电极可以与第一数据线和第二数据线部分地叠置。
在示例性实施例中，第二子像素电极可以包括第二主干电极、从第二主干电极延伸的多个第二分支电极、连接到第二TFT的第二延伸电极以及将第二主干电极或第二分支电极连接到第二延伸电极的第二连接电极。
在示例性实施例中，第一子像素电极可以包括第一场控制区域，第二子像素电极包括第二场控制区域，其中，形成在第一场控制区域中的电场的强度可以由提供给第一数据线的电压控制，形成在第二场控制区域中的电场的强度可以由提供给第二数据线的电压控制。
在示例性实施例中，第一主干电极和第一分支电极可以设置在第一场控制区域内部。
在示例性实施例中，第一延伸电极、第一连接电极和第一补偿电极可以设置在第一场控制区域的外部。
根据本公开的前述和其他示例性实施例，可以提供一种能够使由数据线与子像素电极之间的不同的电容引起的显示质量的劣化最小化的LCD装置。
通过下面的详细描述、附图和权利要求，其他特征和示例性实施例可以是明显的。
附图说明
通过参照附图详细地描述本公开的示例性实施例，本公开的以上和其他示例性实施例以及特征将变得更明显，在附图中：
图1是根据本公开的示例性实施例的液晶显示(LCD)装置的框图；
图2是根据本公开的示例性实施例的像素的示意性布局图；
图3是示出图2的像素的第一子像素电极和第二子像素电极的平面图；
图4是沿图2的线I-I′截取的剖视图；
图5是根据本公开的另一示例性实施例的像素的示意性布局图；以及
图6是示出图5的像素的第一子像素电极和第二子像素电极的平面图。
具体实施方式
通过参照将参照附图详细描述的实施例，本发明构思的方面和特征以及用于实现方面和特征的方法将是明显的。然而，本发明构思不限于在下文中公开的实施例，而是可以以不同的形式实现。说明书中限定的事物(诸如详细的构造和元件)只不过是为了帮助本领域普通技术人员全面理解发明构思而提供的具体细节，本发明构思仅限定在权利要求的范围内。
用于表示元件位于另一元件上或处于某一层上的术语“在……上”包括元件直接处于另一元件或所述某一层上的情况和元件经由另一层或又一元件处于另一元件上的情况两者。在本发明构思的整个描述中，贯穿各个附图对于相同的元件使用相同的附图标记。
虽然术语“第一和第二等”用于描述不同的构成元件，但是这样的构成元件不受该术语限制。术语仅用于将构成元件与其他构成元件区分开。因此，在下面的描述中，第一构成元件可以是第二构成元件。
在下文中，将参照附图描述本发明构思的实施例。
图1是根据本公开的示例性实施例的液晶显示(LCD)装置的框图。
参照图1，LCD装置1包括显示面板10、时序控制器20、数据驱动器30和栅极驱动器40。
显示面板10包括在第一方向dr1上延伸的多条栅极线GL1至GLm(其中，m是大于1的自然数)、在与栅极线GL1至GLm交叉的第二方向dr2上延伸的多条数据线DL1至DLn(其中，n是大于1的自然数)、多个第一子像素SPX1以及多个第二子像素SPX2。
第一子像素SPX1中的每个和第二子像素SPX2中的每个可以连接到一条栅极线(例如，栅极线GLi(其中，i是满足1≤i≤n的正整数))和一条数据线(例如，数据线DLj(其中，j是满足1≤j≤n的正整数))。栅极线GLi可以连接到第一子像素SPX1和第二子像素SPX2两者。具体地，第一子像素SPX1和设置为与第一子像素SPX1相邻并与第一子像素SPX1共用同一栅极线(例如，栅极线GLi)的第二子像素SPX2可以一起形成像素PX，然而，像素PX的第一子像素SPX1和第二子像素SPX2可以连接到不同的数据线。也就是说，像素PX可以包括第一子像素SPX1和第二子像素SPX2并且可以连接到一条栅极线和两条数据线(具体地，一对相邻的数据线)。
时序控制器20可以接收图像信号RGB和用于控制图像信号RGB的显示的第一控制信号CONT1，诸如以垂直同步信号、水平同步信号、主时钟信号和数据使能信号为例。时序控制器20可以将图像信号RGB转换成图像数据信号DATA并且可以输出第二控制信号CONT2和第三控制信号CONT3。
数据驱动器30可以响应于从时序控制器20接收的图像数据信号DATA和第二控制信号CONT2而输出用于驱动数据线DL1至DLn的灰度电压。
栅极驱动器40可以响应于从时序控制器20接收的第三控制信号CONT3用栅极导通电压和栅极截止电压中的一个来驱动栅极线GL1至GLm。
栅极驱动器40可以实现为包括非晶硅(a-Si)薄膜晶体管(TFT)或氧化物半导体晶体管的电路，并且可以与显示面板10形成在同一基底上。
在LCD装置1中，每个像素PX包括第一子像素SPX1和第二子像素SPX2，第一子像素SPX1和第二子像素SPX2被不同的数据线控制。因此，可以改善LCD装置1的可见性。
将在下文中描述根据本公开的示例性实施例的像素PX。
图2是根据本公开的示例性实施例的像素的示意性布局图，图3是示出图2的像素的第一子像素电极和第二子像素电极的平面图，图4是沿图2的线I-I′截取的剖视图。
参照图2至图4，图1的LCD装置1包括第一显示基底100、第二显示基底300和置于第一显示基底100与第二显示基底300之间的液晶层200。
用于控制设置在液晶层200中的液晶分子210的取向的开关元件(诸如以第一TFTTR1和第二TFT TR2为例)，可以设置在第一显示基底100中。第二显示基底300是设置为面对第一显示基底100的基底。
液晶层200可以置于第一显示基底100与第二显示基底300之间并且可以包括具有介电各向异性的多个液晶分子210。响应于施加在第一显示基底100与第二显示基底300之间的电场，液晶分子210可以在第一显示基底100与第二显示基底300之间沿特定方向旋转，并且可以因此允许或阻挡穿过其的光的透射。如这里使用的，术语“旋转”或其变型不仅表示液晶分子210实际旋转，也表示液晶分子210的取向由于电场而改变。
图1的LCD装置1包括以矩阵形式布置的多个像素PX。多个像素PX可以是用于显示颜色的基本单元，多个像素PX的灰度级可以是单独可控的。多个像素PX中的每个包括可以不同地控制形成在液晶层200中的电场的强度的两个区域，即，第一场控制区域ECA1和第二场控制区域ECA2。如上面参照图1所描述的，多个像素PX中的每个包括第一子像素SPX1和第二子像素SPX2。第一子像素SPX1包括用于控制形成在第一场控制区域ECA1中的电场的元件，第二子像素SPX2包括用于控制形成在第二场控制区域ECA2中的电场的元件。
将在下文中描述第一显示基底100。
第一显示基底100包括第一基体基底110。第一基体基底110可以是透明绝缘基底。例如，第一基体基底110可以是玻璃基底、石英基底或透明树脂基底等。
在一些示例性实施例中，第一基体基底110可以在一个方向上弯曲。在一些其他示例性实施例中，第一基体基底110可以具有柔性。也就是说，第一基体基底110可以是可卷绕的、可折叠的或可弯曲的。
栅极线GLi、第一栅电极124、第二栅电极126和维持电极128设置在第一基体基底110上。
栅极线GLi传输控制第一TFT TR1和第二TFT TR2的栅极电压。栅极线GLi可以在第一方向dr1上延伸。
栅极电压可以从图1的栅极驱动器40提供并且可以具有可变的电平。可以根据栅极电压的电平来控制第一TFT TR1和第二TFT TR2的导通或截止。
第一栅电极124和第二栅电极126可以作为栅极线GLi的部分利用与栅极线GLi相同的材料与栅极线GLi一体地形成。具体地，第一栅电极124和第二栅电极126可以表示栅极线GLi的与第一TFT TR1和第二TFT TR2叠置的部分。第一栅电极124和第二栅电极126可以分别是第一TFT TR1的元件和第二TFT TR2的元件。
在一些示例性实施例中，第一栅电极124和第二栅电极126可以形成为来自栅极线GLi的单个突起。
维持电极128可以设置在第一基体基底110上并且可以与栅极线GLi设置在同一层中。维持电极128可以大体在第一方向dr1上延伸，但是可以包括沿第一场控制区域ECA1和第二场控制区域ECA2的边界在第二方向dr2上延伸的部分。
维持电极128可以设置为与稍后将描述的第一子像素电极SPE1或第二子像素电极SPE2的边缘相邻，或者可以与稍后将描述的第一子像素电极SPE1或第二子像素电极SPE2的边缘叠置，预定电容可以形成在维持电极128与第一子像素电极SPE1或第二子像素电极SPE2之间。因此，可以防止提供给第一子像素电极SPE1和第二子像素电极SPE2的电压的突然下降。
栅极线GLi、第一栅电极124和第二栅电极126以及维持电极128可以由相同的材料形成。例如，栅极线GLi、第一栅电极124和第二栅电极126以及维持电极128可以由铝(Al)或诸如Al合金的Al基金属、银(Ag)或诸如Ag合金的Ag基金属、铜(Cu)或诸如Cu合金的Cu基金属、钼(Mo)或诸如Mo合金的Mo基金属、铬(Cr)、钽(Ta)或钛(Ti)形成。栅极线GLi、第一栅电极124和第二栅电极126以及维持电极128可以具有单层结构或者可以具有多层结构，所述多层结构包括具有不同的物理性质的至少两个导电膜。
第一绝缘层130设置在栅极线GLi、第一栅电极124和第二栅电极126以及维持电极128上。第一绝缘层130可以由诸如以氮化硅或氧化硅为例的绝缘材料形成。第一绝缘层130可以具有单层结构或者可以具有多层结构，所述多层结构包括具有不同的物理性质的至少两个绝缘膜。
第一半导体图案142和第二半导体图案144设置在第一绝缘层130上。
第一半导体图案142设置为与第一栅电极124至少部分地叠置，第二半导体图案144设置为与第二栅电极126至少部分地叠置。如图2中所示，第一半导体图案142和第二半导体图案144可以一起形成单个层。
第一半导体图案142和第二半导体图案144可以由a-Si、多晶硅或氧化物半导体形成。
虽然未具体地示出，但是在一些示例性实施例中，第一半导体图案142和第二半导体图案144的部分可以掺杂有高浓度的n型杂质或p型杂质。
第一数据线DLj、第二数据线DLj+1、第一源电极162、第一漏电极164、第二源电极166和第二漏电极168设置在第一半导体图案142和第二半导体图案144以及第一绝缘层130上。
图2的第一数据线DLj和第二数据线DLj+1可以与图1中示出的数据线DL1至DLn之中的布置为彼此紧邻的两条任意数据线对应，为了方便起见，所述两条任意数据线被称为第一数据线DLj和第二数据线DLj+1。
第一数据线DLj和第二数据线DLj+1可以在与栅极线GLi交叉的第二方向dr2上延伸。
第一数据线DLj和第二数据线DLj+1可以通过第一绝缘层130与栅极线GLi、第一栅电极124和第二栅电极126以及维持电极128绝缘。
第一数据线DLj可以将第一数据电压提供给第一源电极162。第二数据线DLj+1可以将第二数据电压提供给第二源电极166。第一数据电压和第二数据电压可以从图1的数据驱动器30提供并且可以具有不同的电平。形成在第一场控制区域ECA1中的电场的强度可以由第一数据电压的电平决定，形成在第二场控制区域ECA2中的电场的强度可以由第二数据电压的电平决定。
第一源电极162可以从第一数据线DLj分支以与第一栅电极124至少部分地叠置。因此，第一源电极162可以从第一数据线DLj接收第一数据电压。
第二源电极166可以从第二数据线DLj+1分支以与第二栅电极126至少部分地叠置，但是本公开不限于此。因此，第二源电极166可以从第二数据线DLj+1接收第二数据电压。
如图2中所示，第一漏电极164可以与第一源电极162分隔开以使第一半导体图案142被暴露并且可以与第一栅电极124至少部分地叠置。例如，第一漏电极164可以形成为与形成为U形形状的第一源电极162分隔开预定距离，并且被形成为U形形状的第一源电极162围绕。
如图2中所示，第二漏电极168可以与第二源电极166分隔开以使第二半导体图案144被暴露并且可以与第二栅电极126至少部分地叠置。例如，第二漏电极168可以形成为与形成为U形形状的第二源电极166分隔开预定距离，并且被形成为U形形状的第二源电极166围绕。
第一栅电极124、第一半导体图案142、第一源电极162和第一漏电极164形成第一TFT TR1。也就是说，如果将足够的电压提供给第一栅电极124，那么可以在第一半导体图案142中形成沟道，并且提供给第一源电极162的电压也可以提供给第一漏电极164。
第二栅电极126、第二半导体图案144、第二源电极166和第二漏电极168形成第二TFT TR2。也就是说，如果将足够的电压提供给第二栅电极126，那么可以在第二半导体图案144中形成沟道，并且提供给第二源电极166的电压也可以提供给第二漏电极168。
第一漏电极164可以经由稍后将描述的第一接触孔CNT1电连接到第一子像素电极SPE1。第二漏电极168可以经由稍后将描述的第二接触孔CNT2电连接到第二子像素电极SPE2。
第一数据线DLj和第二数据线DLj+1、第一源电极162、第一漏电极164、第二源电极166以及第二漏电极168可以由相同的材料形成。例如，第一数据线DLj和第二数据线DLj+1、第一源电极162、第一漏电极164、第二源电极166以及第二漏电极168可以由Al或诸如Al合金的Al基金属、Ag或诸如Ag合金的Ag基金属、Cu或诸如Cu合金的Cu基金属、Mo或诸如Mo合金的Mo基金属、Cr、Ta或Ti形成。第一数据线DLj和第二数据线DLj+1、第一源电极162、第一漏电极164、第二源电极166以及第二漏电极168可以具有单层结构或者可以具有多层结构，所述多层结构包括具有不同的物理性质的至少两个导电膜。
如图1中所示，像素PX包括第一子像素SPX1和第二子像素SPX2，第一子像素SPX1和第二子像素SPX2分别包括第一场控制区域ECA1和第二场控制区域ECA2。因此，液晶分子210可以以各种角度倾斜。因此，可以使图1的LCD装置1的前灰度级与侧灰度级之间的差最小化。换言之，可以改善图1的LCD装置1的可见性。
第二绝缘层140设置在第一绝缘层130以及第一TFT TR1和第二TFT TR2上。第二绝缘层140可以由绝缘材料形成。例如，第二绝缘层140可以是包括有机材料的有机层。第二绝缘层140可以使由设置在第二绝缘层140与第一基体基底110之间的元件形成的高度差平坦化。换言之，第二绝缘层140的顶表面可以是基本平坦的。
第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2可以设置在第二绝缘层140中以穿透第二绝缘层140。
具体地，相对于第一基体基底110的顶表面沿垂直方向暴露第一漏电极164的部分的第一接触孔CNT1可以形成在第二绝缘层140中。第一漏电极164的部分和设置在第二绝缘层140上方的第一子像素电极SPE1可以经由第一接触孔CNT1彼此物理连接。
此外，相对于第一基体基底110的顶表面沿垂直方向暴露第二漏电极168的部分的第二接触孔CNT2可以形成在第二绝缘层140中。第二漏电极168的部分和设置在第二绝缘层140上方的第二子像素电极SPE2可以经由第二接触孔CNT2彼此电连接。
第一子像素电极SPE1和第二子像素电极SPE2以及屏蔽电极SDE设置在第二绝缘层140上。在平面图中，第一子像素电极SPE1与屏蔽电极SDE可以被设置为彼此不叠置，并且第二子像素电极SPE2与屏蔽电极SDE可以被设置为彼此不叠置。
第一子像素电极SPE1可以经由第一接触孔CNT1电连接到第一漏电极164并且可以接收第一数据电压。
第二子像素电极SPE2可以经由第二接触孔CNT2电连接到第二漏电极168并且可以接收第二数据电压。
第一子像素电极SPE1可以大体设置在第一场控制区域ECA1内，但是可以包括延伸为与第一接触孔CNT1叠置的第一部分和延伸为与第一部分对称的第二部分，以连接到第一漏电极164。此外，第一子像素电极SPE1可以包括未设置透明导电材料的开口。由于开口的存在，规则的图案形成在第一子像素电极SPE1上，设置为与第一子像素电极SPE1叠置的液晶分子210的倾斜方向和倾斜角度可以由第一子像素电极SPE1的形状和图案控制。
具体地，第一子像素电极SPE1包括第一主干电极181、多个第一分支电极182、多个第一边缘电极183、第一延伸电极184、第一连接电极185以及第一补偿电极186。在本公开的示例性实施例中，第一主干电极181、多个第一分支电极182、多个第一边缘电极183可以设置在第一场控制区域ECA1内部，而第一延伸电极184、第一连接电极185以及第一补偿电极186可以设置在第一场控制区域ECA1的外部。
第一主干电极181可以在第一方向dr1和/或第二方向dr2上延伸。第一分支电极182可以从第一主干电极181在相对于第一方向dr1和第二方向dr2的对角线方向上延伸。第一边缘电极183可以连接第一分支电极182的端部并且可以在第二方向dr2上延伸。第一延伸电极184可以设置为与形成有第一接触孔CNT1的区域叠置。
第一连接电极185可以设置为将第一主干电极181、第一分支电极182和/或第一边缘电极183连接到第一延伸电极184。在图2至图4的示例性实施例中，第一连接电极185可以连接到第一边缘电极183。
第一连接电极185可以设置为与第一数据线DLj交叉。因此，第一连接电极185和第一数据线DLj可以一起形成预定电容。
第一补偿电极186可以设置为连接第一主干电极181、第一分支电极182和/或第一边缘电极183。在图2至图4的示例性实施例中，第一补偿电极186可以连接到第一边缘电极183。
第一补偿电极186可以设置为与第二数据线DLj+1交叉。因此，第一补偿电极186和第二数据线DLj+1可以一起形成预定电容。
也就是说，为了防止显示质量由于形成在第一连接电极185与第一数据线DLj之间的电容而降低，第一补偿电极186可以与第二数据线DLj+1一起形成电容。为此，第一补偿电极186和第二数据线DLj+1的叠置面积可以与第一连接电极185和第一数据线DLj的叠置面积相同。因此，在本公开的示例性实施例中，由第一补偿电极186和第二数据线DLj+1形成的电容可以与由第一连接电极185和第一数据线DLj形成的电容相同。
在图2至图4的示例性实施例中，第一补偿电极186可以具有与第一连接电极185的部分的形状相同的形状，但是可以形成为与维持电极128不叠置。
第二子像素电极SPE2可以大体设置在第二场控制区域ECA2内，但是可以包括与第二接触孔CNT2叠置的第一部分和延伸为与第一部分对称的第二部分，以连接到第二漏电极168。此外，第二子像素电极SPE2可以包括未设置透明导电材料的开口。由于开口的存在，规则的图案形成在第二子像素电极SPE2上，设置为与第二子像素电极SPE2叠置的液晶分子210的倾斜方向和倾斜角度可以由第二子像素电极SPE2的形状和图案控制。在图2至图4的示例性实施例中，第二子像素电极SPE2可以具有包括从第二场控制区域ECA2的中心向外延伸的多个分支的图案，但是本公开不限于此。
具体地，第二子像素电极SPE2包括第二主干电极191、多个第二分支电极192、多个第二边缘电极193、第二延伸电极194和第二连接电极195。
第二主干电极191可以在第一方向dr1和/或第二方向dr2上延伸。第二分支电极192可以从第二主干电极191在相对于第一方向dr1和第二方向dr2的对角线方向上延伸。第二边缘电极193可以连接第二分支电极192的端部并且可以在第二方向dr2上延伸。第二边缘电极193还可以连接第二分支电极192的端部并且可以在第一方向dr1上延伸。第二延伸电极194可以设置为与形成有第二接触孔CNT2的区域叠置。
第二连接电极195可以设置为将第二主干电极191、第二分支电极192和/或第二边缘电极193连接到第二延伸电极194。在图2至图4的示例性实施例中，第二连接电极195可以连接到第二分支电极192。
与第一连接电极185不同，第二连接电极195可以设置为不与第一数据线DLj交叉。因此，第二连接电极195可以不与第一数据线DLj一起形成任何电容。
屏蔽电极SDE可以被设置为与维持电极128部分地叠置(具体地，在沿第二方向dr2延伸的维持电极128的区域中与维持电极128部分地叠置)。屏蔽电极SDE可以通过防止设置为与屏蔽电极SDE叠置的液晶分子210的取向的非预期改变来防止光泄漏，并且可以清楚地限定多个像素PX之间的边界。
第一子像素电极SPE1和第二子像素电极SPE2以及屏蔽电极SDE可以由诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)或掺杂铝(Al)的氧化锌(AZO)的透明导电材料形成。
第一取向膜(未示出)可以附加地设置在第一子像素电极SPE1和第二子像素电极SPE2以及屏蔽电极SDE上。第一取向膜可以控制液晶层200中的液晶分子210的初始取向角。
将在下文中描述第二显示基底300。
第二显示基底300包括第二基体基底310、光屏蔽构件320、滤色器层330、覆层340和共电极350。
第二基体基底310设置为面对第一基体基底110。第二基体基底310可以足够耐用以承受外部冲击。第二基体基底310可以是透明绝缘基底。例如，第二基体基底310可以是玻璃基底、石英基底或透明树脂基底等。第二基体基底310可以具有平板形状，但是可以在特定方向上弯曲。
光屏蔽构件320设置在第二基体基底310的面对第一显示基底100的表面上。
光屏蔽构件320可以设置为与栅极线GLi、数据线DL、第一TFT TR1和第二TFT TR2以及第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2叠置并且可以阻挡光的透射。
滤色器层330设置在光屏蔽构件320的面对第一显示基底100的表面上。
滤色器层330可以包括包含用于实现颜色的颜料的光敏有机组合物，并且可以包括红色颜料、绿色颜料和蓝色颜料中的任何一种。例如，滤色器层330可以包括多个滤色器，多个滤色器中的一个可以显示三原色(即，红色、绿色和蓝色)中的一种。然而，本公开不限于该示例。可选择地，多个滤色器可以显示青色、品红色、黄色和白色中的任何一种。
在图2至图4的示例性实施例中，滤色器层330可以形成在第二显示基底300中，但是本公开不限于此。也就是说，在一些示例性实施例中，滤色器层330可以形成在第一显示基底100中。
覆层340设置在滤色器层330的面对第一显示基底100的表面上。覆层340可以减轻由光屏蔽构件320和滤色器层330形成的高度差。在一些示例性实施例中，可以不设置覆层340。
共电极350设置在覆层340的面对第一显示基底100的表面上。
共电极350可以在第二基体基底310的整个表面之上形成为未图案化的板。从外部供应的共电压可以施加到共电极350以与第一子像素电极SPE1和第二子像素电极SPE2一起在液晶层200中形成电场。然而，在一些示例性实施例中，开口可以形成在共电极350上，使得共电极350可以具有特定图案。
可以从外部提供共电压，并且可以在LCD装置1正在操作时均匀地保持共电压的电平。因此，可以通过设置为彼此叠置的第一子像素电极SPE1与共电极350之间的电压差或设置为彼此叠置的第二子像素电极SPE2与共电极350之间的电压差来形成电场。液晶分子210可以通过电场旋转或倾斜。
另一方面，在一些示例性实施例中，屏蔽电极SDE可以被提供有与共电压的电平基本相同的电平的电压。因此，在LCD装置1的操作期间，具有方向性的电场可以不形成在设置为彼此叠置的屏蔽电极SDE与共电极350之间的液晶层200的部分中。因为具有与共电压的电平相同的电平的电压被提供给屏蔽电极SDE和共电极350，所以不形成电位差。因此，设置为彼此叠置的屏蔽电极SDE与共电极350之间的空间中的液晶分子210可以不旋转或倾斜，并且可以保持在与在LCD装置1关闭时的状态相同的状态下。例如，可以阻挡光的透射。
第二取向膜(未示出)可以设置在共电极350的面对第一显示基底100的表面上。第二取向膜(与第一取向膜不同)可以控制注入到液晶层200中的液晶分子210的初始取向角。可以不设置第二取向膜。
将在下文中描述液晶层200。
液晶层200可以包括具有介电各向异性和折射率各向异性的液晶分子210。在液晶层200中不存在电场的情况下，液晶分子210可以相对于第一显示基底100和第二显示基底300在垂直方向上取向。响应于形成在第一显示基底100与第二显示基底300之间的电场，液晶分子210可以在特定方向上倾斜或旋转并且可以因此改变光的偏振。
图5是根据本公开的另一示例性实施例的像素的示意性布局图，图6是示出图5的像素的第一子像素电极和第二子像素电极的平面图。
图5和图6的像素PX_a与图2至图4的像素PX在第一补偿电极186_a的形状上不同。在图1至图6中，同样的附图标记表示同样的元件，因此，将省略对其的详细描述。
参照图5和图6，像素PX_a包括第一子像素电极SPE1_a和第二子像素电极SPE2。
第一子像素电极SPE1_a包括第一主干电极181、多个第一分支电极182、多个第一边缘电极183、第一延伸电极184、第一连接电极185和第一补偿电极186_a。
第一补偿电极186_a(与图2至图4的第一补偿电极186不同)可以形成为具有与第一连接电极185的形状不同的形状。也就是说，在图5和图6的示例性实施例中，与在图2至图4的示例性实施例中相似，由第一补偿电极186_a和第二数据线DLj+1形成的电容与由第一连接电极185和第一数据线DLj形成的电容相同。然而，第一补偿电极186_a具有与图2至图4的第一补偿电极186的形状不同的形状。换言之，第一补偿电极186_a可以被允许具有与第一连接电极185的形状不同的形状，只要第一补偿电极186_a可以与第二数据线DLj+1一起形成预定电容即可。在本公开的示例性实施例中，第一补偿电极186_a可以被允许具有与第一连接电极185的形状不同的形状，只要第一补偿电极186_a和第二数据线DLj+1的叠置面积与第一连接电极185和第一数据线DLj的叠置面积相同即可。例如，第一补偿电极186_a可以形成为从第一边缘电极183一体地突出以沿第二方向dr2具有与第一连接电极185的沿第二方向dr2的宽度相同的突起宽度。
虽然已经参照本发明构思的示例性实施例具体示出并描述了本发明构思，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如由权利要求限定本发明构思的精神和范围的情况下，可以在其中做出形式和细节上的各种改变。示例性实施例应该仅以描述性的意义来考虑而不为了限制的目的。

Claims (10)

1.一种液晶显示装置，所述液晶显示装置包括：
基底；
第一数据线和第二数据线，在所述基底之上彼此平行地延伸；
第一薄膜晶体管，设置在所述基底上并且连接到所述第一数据线；
第二薄膜晶体管，设置在所述基底上并且连接到所述第二数据线；
第一子像素电极，设置为与所述第一数据线和所述第二数据线叠置，并且连接到所述第一薄膜晶体管；以及
第二子像素电极，设置为与所述第一数据线和所述第二数据线叠置，并且连接到所述第二薄膜晶体管，
其中，所述第一子像素电极和所述第一数据线的叠置面积与所述第一子像素电极和所述第二数据线的叠置面积相同。
2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，所述第一子像素电极包括第一主干电极、从所述第一主干电极延伸的多个第一分支电极、连接到所述第一薄膜晶体管的第一延伸电极、将所述第一主干电极或所述第一分支电极连接到所述第一延伸电极的第一连接电极以及连接到所述第一主干电极或所述第一分支电极的第一补偿电极。
3.根据权利要求2所述的液晶显示装置，其中，所述第一连接电极设置为与所述第一数据线交叉。
4.根据权利要求3所述的液晶显示装置，其中，所述第一连接电极和所述第一数据线的叠置面积与所述第一补偿电极和所述第二数据线的叠置面积相同。
5.根据权利要求2所述的液晶显示装置，所述液晶显示装置还包括：
维持电极，设置在所述基底与所述第一子像素电极和所述第二子像素电极的层之间，
其中，所述第一补偿电极与所述维持电极不叠置。
6.根据权利要求2所述的液晶显示装置，其中，所述第一子像素电极与所述第一数据线和所述第二数据线部分地叠置。
7.根据权利要求2所述的液晶显示装置，其中，所述第二子像素电极包括第二主干电极、从所述第二主干电极延伸的多个第二分支电极、连接到所述第二薄膜晶体管的第二延伸电极以及将所述第二主干电极或所述第二分支电极连接到所述第二延伸电极的第二连接电极。
8.根据权利要求2所述的液晶显示装置，其中，所述第一子像素电极包括第一场控制区域，所述第二子像素电极包括第二场控制区域，并且
其中，形成在所述第一场控制区域中的电场的强度由提供给所述第一数据线的电压控制，形成在所述第二场控制区域中的电场的强度由提供给所述第二数据线的电压控制。
9.根据权利要求8所述的液晶显示装置，其中，所述第一主干电极和所述第一分支电极设置在所述第一场控制区域内部。
10.根据权利要求9所述的液晶显示装置，其中，所述第一延伸电极、所述第一连接电极和所述第一补偿电极设置在所述第一场控制区域的外部。
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