KR100672641B1 - 액정표시소자 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 하부기판 및 상부기판을 준비하는 공정; 상기 양 기판 중 어느 하나의 기판 상에서, 더미영역에 보조 UV경화형 씨일재를 형성하고 연속해서 폐쇄형의 주 UV경화형 씨일재를 형성하는 공정; 상기 양 기판 중 어느 하나의 기판 상에 액정을 적하하는 공정; 상기 양 기판을 합착하는 공정; 및 상기 합착 기판에 UV를 조사하는 공정을 포함하는 액정표시소자의 제조방법 및 그에 의해 제조된 액정표시소자에 관한 것으로서,

본 발명에 따르면 디스펜싱 장치의 노즐 끝에 뭉쳐있는 씨일재가 기판 상의 더미영역에 형성됨으로써 합착공정에서 액정층이 오염될 염려가 없고 셀절단공정이 용이하게 된다.

씨일재, UV조사

Description

액정표시소자 및 그 제조방법{Liquid Crystal Display Device and Method of manufacturing the same}

도 1a 내지 도 1d는 종래의 액정적하방식에 의한 액정표시소자의 제조공정을 도시한 사시도이다.

도 2a 및 도 2b는 종래의 디스펜서법에 의해 씨일재를 형성하는 공정을 도시한 사시도이다.

도 2c는 종래의 디스펜서법에 의해 형성된 씨일재의 합착공정후의 모습을 보여주는 사시도이다.

도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시소자의 제조공정을 도시한 사시도이다.

도 4a 내지 도 5b는 각각 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 액정표시소자의 제조공정 중 UV조사공정을 도시한 사시도이다.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시소자의 개략적 사시도이다.

도 7a 및 도 7b는 각각 도 6의 A-A라인 및 B-B라인에 따른 단면도이다.

<도면의 주요부에 대한 부호의 설명>

1, 10 : 하부기판 3, 30 : 상부기판

5, 50 : 액정 7 : UV경화형 씨일재

70a: 보조 UV경화형 씨일재 70b: 주 UV경화형 씨일재

80, 82 : 마스크 9, 90 : 광조사 장치

본 발명은 액정표시소자(Liquid Crystal Display : LCD)에 관한 것으로서, 보다 구체적으로, 액정적하방식에 의한 액정표시소자의 씨일재(sealant)에 관한 것이다.

표시화면의 두께가 수 센치미터(cm)에 불과한 초박형의 평판표시소자(Flat Panel Display), 그 중에서도 액정표시소자는 동작 전압이 낮아 소비 전력이 적고 휴대용으로 쓰일 수 있는 등의 이점으로 노트북 컴퓨터, 모니터, 우주선, 항공기 등에 이르기까지 응용분야가 넓고 다양하다.

이와 같은 액정표시소자는 일반적으로 그 위에 박막트랜지스터와 화소전극이 형성되어 있는 하부기판과, 상기 하부기판과 대향되도록 형성되며 그 위에 차광막, 칼라필터층, 및 공통전극이 형성되어 있는 상부기판과, 그리고 상기 양 기판 사이에 형성되어 있는 액정층으로 구성되어 있으며, 상기 화소전극과 공통전극에 의해 양 기판 사이에 전기장이 형성되어 액정이 구동되고, 그 구동되는 액정을 통해서 광투과도가 조절되어 화상이 디스플레이되게 된다.

이와 같은 구조의 액정표시소자에 있어서, 상기 하부기판과 상부기판 사이에 액정층을 형성하기 위해서 종래에는 모세관 현상과 압력차를 이용한 진공주입방식 을 사용하였으나, 이 방식은 액정주입에 장시간이 소요되므로 기판이 대면적화 되면 생산성이 떨어지는 문제점이 발생하였다.

따라서, 상기 문제점을 해결하기 위해서 액정적하방식이라는 새로운 방법이 제안되었는데, 이하 첨부된 도면을 참조로 종래의 액정적하방식에 의한 액정표시소자의 제조방법을 설명한다.

도 1a 내지 도 1d는 종래의 액정적하방식에 의한 액정표시소자의 제조공정을 도시한 사시도이다. 도면에는 하나의 단위셀만을 도시하였으나 기판의 크기에 따라 복수개의 단위셀이 형성될 수 있다.

우선, 도 1a와 같이, 하부기판(1)과 상부기판(3)을 준비한다. 도면에는 도시하지 않았으나, 하부기판(1) 상에는 종횡으로 교차하여 화소영역을 정의하는 복수개의 게이트배선과 데이터배선을 형성하고, 상기 게이트배선과 데이터배선의 교차점에 박막트랜지스터를 형성하며, 상기 박막트랜지스터와 연결되는 화소전극을 상기 화소영역에 형성한다.

또한, 상부기판(3) 상에는 상기 게이트배선, 데이터배선, 및 박막트랜지스터 형성영역에서 광이 누설되는 것을 차단하기 위한 차광막을 형성하고, 그 위에 적색, 녹색, 및 청색의 칼라필터층을 형성하고, 그 위에 공통전극을 형성한다. 또한, 상기 하부기판(1)과 상부기판(3) 중 적어도 하나의 기판 위에 액정의 초기배향을 위한 배향막을 형성한다.

그리고, 도 1b와 같이, 상기 하부기판(1) 위에 씨일재(7)를 형성하고, 액정(5)을 적하하여 액정층을 형성한다. 그리고, 상기 상부기판(3) 위에 셀갭유지 를 위한 스페이서를 산포한다.

이때, 이와 같은 액정적하방식에서는 후 공정인 씨일재(7) 경화공정시 합착기판에 액정층이 형성되어 있어 상기 씨일재(7)로서 열경화형 씨일재를 사용하게 되면 씨일재가 가열되는 동안 흘러나와 액정(5)이 오염될 수 있으므로, UV(Ultraviolet)경화형 씨일재가 사용된다.

또한, 상기 씨일재(7)를 형성하는 방법으로는 스크린 인쇄법(Screen Printing Method), 디스펜서법(Dispensing Method) 등이 있으나, 스크린 인쇄법은 스크린이 기판과 접촉하기 때문에 기판 위에 형성된 배향막 등이 손상될 우려가 있고 기판이 대면적화되면 씨일재의 손실량이 많아 비경제적이므로 주로 디스펜서법에 의해 씨일재를 형성한다.

그리고, 도 1c와 같이 상기 하부기판(1)과 상부기판(3)을 합착한다.

그리고, 도 1d와 같이 UV조사장치(9)를 통해 UV를 조사하여 상기 씨일재(7)를 경화시킨다.

그리고, 도시하지는 않았으나, 상기 UV조사공정을 통해 씨일재를 경화시킨 후 단위셀로 기판을 절단하고, 최종 검사를 통해 하나의 액정셀을 완성하게 된다.

한편, 도 2a 및 도 2b는 디스펜서법을 이용하여 UV경화형 씨일재를 형성하는 공정을 보여주는 도면으로서, 액정적하방식은 액정을 주입하기 위한 주입구가 필요 없으므로 도 2a 및 도 2b와 같이 하부기판(1) 위에 디스펜싱 장치(8)를 사용하여 주입구 없는 패턴으로 씨일재(7)를 형성하게 된다.

그러나, 상기 씨일재(7)는 점도가 높기 때문에 상기 디스펜싱 장치(8)의 노 즐 끝에 뭉쳐있게 되며, 이와 같이 뭉쳐있는 씨일재로 인해 처음 씨일재를 형성하는 시점(start point)에 씨일재가 과다 분포하게 된다(도 2b의 'A'영역).

이와 같이 과다 분포된 씨일재는 도 2c와 같이 하부기판(1)과 상부기판(3)의 합착공정에서 액티브영역(기판의 중앙부) 및 더미 영역(기판의 외곽부) 양쪽으로 심하게 퍼지게 되어 액티브 영역으로 퍼진 씨일재는 액정을 오염시키게 되며, 더미 영역으로 퍼진 씨일재는 셀절단 라인까지 침투하여 셀절단 공정을 어렵게 하는 문제점이 있었다.

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 균일한 밀도의 씨일재를 형성하여 합착공정시 액정이 오염되지 않고 셀절단 공정이 용이하도록 한 액정표시소자의 제조방법 및 그에 의해 제조된 액정표시소자를 제공하는 것이다.

상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 하부기판 및 상부기판을 준비하는 공정; 상기 양 기판 중 어느 하나의 기판 상에서, 더미영역에 보조 UV경화형 씨일재를 형성하고 연속해서 폐쇄형의 주 UV경화형 씨일재를 형성하는 공정; 상기 양 기판 중 어느 하나의 기판 상에 액정을 적하하는 공정; 상기 양 기판을 합착하는 공정; 및 상기 합착 기판에 UV를 조사하는 공정을 포함하는 액정표시소자의 제조방법 및 그에 의해 제조된 액정표시소자를 제공한다.

이때, 상기 보조 씨일재는 씨일재 본래의 기능인 액정이 새는 것을 방지하고 양 기판을 접착하는 기능을 하지 않는 씨일재를 의미하고, 상기 주 씨일재는 씨일재 본래의 기능을 하는 씨일재를 의미한다.

즉, 본 발명은 기판 상의 더미영역에 보조 씨일재를 형성하고 그 후에 폐쇄형의 주 씨일재를 형성함으로써, 디스펜싱 장치의 노즐 끝에 뭉쳐있는 씨일재가 기판 상의 더미영역에 형성되도록 한 것이다.

이하, 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.

도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시소자의 제조공정을 도시한 사시도이다. 도면에는 하나의 단위셀만이 도시되어 있으나, 기판의 크기에 따라 기판 상에 복수개의 단위셀이 형성될 수 있다.

우선, 도 3a와 같이, 하부기판(10)과 상부기판(30)을 준비한다. 도면에는 도시하지 않았으나, 하부기판(10) 상에는 종횡으로 교차하여 화소영역을 정의하는 복수개의 게이트배선과 데이터배선을 형성하고, 상기 게이트배선과 데이터배선의 교차점에 게이트전극, 게이트절연막, 반도체층, 오믹콘택층, 소스/드레인 전극, 및 보호막으로 이루어진 박막트랜지스터를 형성하며, 상기 박막트랜지스터와 연결되는 화소전극을 상기 화소영역에 형성한다.

또한, 상기 화소전극 위에 액정의 초기배향을 위한 배향막을 형성한다. 이때, 상기 배향막은 폴리아미드(polyamide) 또는 폴리이미드(polyimide)계 화합물, PVA(polyvinylalcohol), 폴리아믹산(polyamic acid)등의 물질을 러빙 배향 처리하여 형성할 수도 있고, PVCN(polyvinylcinnamate), PSCN(polysiloxanecinnamate), 또는 CelCN(cellulosecinnamate)계 화합물과 같은 광반응성 물질을 광 배향 처리하 여 형성할 수도 있다.

또한, 상부기판(30) 상에는 상기 게이트배선, 데이터배선, 및 박막트랜지스터 형성영역에서 광이 누설되는 것을 차단하기 위한 차광막을 형성하고, 상기 차광막 위에 적색, 녹색, 및 청색의 칼라필터층을 형성하고, 상기 칼라필터층 위에 공통전극을 형성한다. 또한, 상기 칼라필터층과 공통전극 사이에 오버코트층을 추가로 형성할 수도 있다. 또한, 상기 공통전극 상에는 전술한 배향막을 형성한다.

그리고, 상기 하부기판(10)의 외곽부에는 은(Ag)을 도트(dot)형상으로 형성하여 상기 양 기판(10,30)의 합착 후 상기 상부기판(10) 위의 공통전극에 전압을 인가할 수 있도록 한다.

한편, IPS(In Plane Switching) 모드 액정표시소자의 경우는 공통전극을 화소전극과 동일한 하부기판 상에 형성하여 횡전계를 유도하게 되며, 상기 은(Ag) 도트는 형성하지 않는다.

그리고, 도 3b와 같이, 상기 하부기판(10) 위에 액정(50)을 적하하여 액정층을 형성한다. 또한, 디스펜서법을 이용하여 상기 상부기판(30)의 가장자리 더미영역에 보조 UV경화형 씨일재(70a)를 형성한 후 연속해서 주입구 없는 폐쇄형의 주 UV경화형 씨일재(70b)를 형성한다.

상기 보조 UV경화형 씨일재(70a)는 디스펜싱 장치의 노즐 끝에 뭉쳐있는 씨일재로 인한 악영향을 방지하기 위한 것이므로, 기판의 더미영역 어느 곳에 형성하여도 상관없고, 씨일재 형성시 상기 주 UV경화형 씨일재(70b)보다 먼저 형성하면 충분하다. 또한, 도면과 같이 직선으로 형성할 수도 있고, 곡선으로 형성할 수도 있다.

이와 같은 UV경화형 씨일재(70a, 70b)로는 양 말단에 아크릴기가 결합된 모노머 또는 올리고머를 개시제와 혼합하여 사용하거나, 한쪽 말단에는 아크릴기가 다른 쪽 말단에는 에폭시기가 결합된 모노머 또는 올리고머를 개시제와 혼합하여 사용하는 것이 바람직하다.

상기 액정(50)은 상기 주 UV경화형 씨일재(70b)가 경화되기 전에 씨일재(70b)와 만나게 되면 오염되게 된다. 따라서, 상기 액정(50)은 상기 하부기판(10)의 중앙부에 적하하는 것이 바람직하다. 이와 같이 중앙부에 적하된 액정(50)은 상기 씨일재(70b)가 경화된 후까지 서서히 퍼져나가 기판 전체에 동일한 밀도로 분포되게 된다.

한편, 이에 한정되지 않고, 상기 액정(50)을 상부기판(30)상에 형성할 수 있으며, 상기 UV경화형 씨일재(70a, 70b)를 하부기판(10)상에 형성할 수도 있다. 또한, 상기 액정(50)과 UV경화형 씨일재(70a,70b)를 동일기판에 형성할 수도 있다. 다만, 상기 액정(50)과 UV경화형 씨일재(70a,70b)를 동일기판에 형성할 경우, 액정과 UV경화형 씨일재(70a,70b)가 형성되는 기판과 그렇지 않은 기판과의 공정간에 불균형이 발생되어 공정시간이 많이 소요되며, 액정(50)과 씨일재(70a,70b)가 동일기판에 형성되므로 합착전에 씨일재에 오염물질이 형성된다 하더라도 기판 세정을 할 수 없게 되므로, 상기 액정(50)과 씨일재(70a,70b)는 서로 다른 기판에 형성하는 것이 바람직하다.

따라서, 도 3b와 같이 상기 상부기판(30)위에 UV경화형 씨일재(70a, 70b)를 형성한 후 후공정인 합착 공정전에 상기 상부기판(30)을 세정하는 세정공정을 추가 로 할 수 있다.

또한, 도면에는 도시하지 않았으나, 상기 양 기판(10,30) 중 어느 하나의 기판, 바람직하게는 상기 상부기판(30) 위에 셀갭유지를 위한 스페이서를 형성할 수 있다.

상기 스페이서는 볼 스페이서를 적정농도로 용액속에 혼합한 후 분사노즐에서 고압으로 기판상에 산포하여 형성할 수도 있고, 칼럼 스페이서를 상기 게이트배선 또는 데이터배선 형성영역에 대응하는 기판상에 부착하여 형성할 수도 있으나, 볼 스페이서는 대면적에 적용할 경우에 셀갭이 불균일하게 되는 단점이 있으므로 대면적 기판에는 칼럼 스페이서를 형성하는 것이 바람직하다.

이때, 상기 칼럼 스페이서로는 감광성 유기수지를 사용하는 것이 바람직하다.

그리고, 도 3c와 같이, 상기 하부기판(10)과 상부기판(30)을 합착한다. 합착공정은 상기 양 기판(10,30) 중 액정이 적하되어 있는 일 기판을 하면에 고정하고, 나머지 다른 일 기판을 레이어(layer) 형성면이 상기 일 기판을 향하도록 180도 회전하여 상면에 위치시킨 후, 상면에 위치된 일 기판에 압력을 가하여 양 기판(10,30)을 합착하거나, 또는 상기 이격되어 있는 양 기판(10,30) 사이를 진공으로 형성한 후 진공을 해제하여 양 기판(10,30)을 합착할 수도 있다.

그리고, 도 3d와 같이, 상기 합착기판에 UV조사장치(90)를 통해 UV를 조사한다.

이와 같이 UV를 조사하면 상기 UV경화형 씨일재를 구성하는 개시제에 의해 활성화된 모노머 또는 올리고머가 중합반응 하여 고분자화 됨으로써 하부기판(10)과 상부기판(30)이 접착되게 된다.

이때, 상기 UV경화형 씨일재로서 한쪽 말단에는 아크릴기가 다른 쪽 말단에는 에폭시기가 결합된 모노머 또는 올리고머를 개시제와 혼합하여 사용한 경우는, 이와 같은 UV조사에 의해 에폭시기가 반응하지 않으므로, 상기 UV조사공정 후에 추가로 가열공정을 행하여 씨일재를 완전 경화시킨다. 상기 가열공정은 약 120℃에서 1시간 정도 수행하는 것이 바람직하다.

그리고, 도면에는 도시하지 않았으나, 상기 UV조사공정 후에 단위셀로 기판을 절단하는 공정 및 최종 검사 공정을 수행하게 된다.

상기 단위셀로 기판을 절단하는 공정은 유리보다 경도가 높은 다이아몬드 재질의 펜으로 기판의 표면에 절단라인을 형성(스크라이브 공정 : scribing process)한 후 기계적 힘을 가해 상기 절단라인을 따라서 기판을 절단(브레이크 공정 : break process)하여 수행할 수도 있고, 다이아몬드 재질의 펜을 톱니형태로 형성시켜 스크라이브 및 브레이크 공정을 하나의 공정으로 수행할 수도 있다.

이와 같은 절단공정의 절단라인은 상기 보조 UV경화형 씨일재(70a)의 최초 형성부 안쪽으로 형성되어, 결과적으로 뭉쳐있는 과밀도의 보조 UV경화형 씨일재는 제거되게 된다.

상기 최종 검사 공정은 상기 셀단위로 절단된 기판이 액정모듈로 조립되기 전에 불량유무를 확인하는 공정으로, 전압 인가시 또는 무인가시 각각의 화소가 올바르게 구동하는지 여부를 검사하게 된다.

도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 액정표시소자의 제조공정 중 UV조사공정만을 도시한 사시도로서, 본 발명의 다른 일 실시예는 씨일재 형성 영역 이외의 영역을 마스크로 가리고 UV를 조사하는 것을 제외하고 전술한 일 실시예와 동일하다. 따라서, 동일한 부분은 동일한 도면부호를 부여하였고, 동일한 부분에 대한 설명은 생략한다.

UV조사공정시 합착기판의 전면에 UV가 조사되게 되면, 기판 상에 형성된 박막트랜지스터 등의 소자 특성에 악영향이 미치게 되고, 액정의 초기배향을 위해 형성된 배향막의 프리틸트각(pretilt angle)이 변하게 되는 문제점이 발생된다. 따라서, 본 발명의 다른 일 실시예는 합착기판의 씨일재형성 영역 이외의 영역을 마스크로 가리고 UV를 조사하는 것에 관한 것이다.

이때, 도 4a는 합착기판의 상측에 보조 UV경화형 씨일재(70a) 및 주 UV경화형 씨일재(70b)가 형성된 영역 이외의 영역을 가리는 마스크(80)를 위치시키고 UV를 조사하는 공정에 관한 것이다.

도면에는 합착기판의 상측에 마스크(80)를 위치시킨 경우만 도시하였으나, 합착기판의 하측에 마스크를 위치시키는 것도 가능하다. 또한, 도면에는 합착기판의 상부기판(30)면으로 UV조사하는 경우만 도시되어 있으나, 합착기판을 회전하여 하부기판(10)면으로 UV조사하도록 하는 것도 가능하다.

한편, UV조사장치(90)에서 조사된 UV가 반사되어 반대편으로 조사될 경우 전술한 바와 같이 박막트랜지스터 및 배향막 등의 특성에 영향을 미칠 가능성이 있다. 따라서, 마스크를 합착기판의 상측 및 하측에 이중으로 형성시키는 것이 보다 바람직하다.

도 4b는 이와 같이 합착기판의 상측 및 하측에 이중으로 보조 UV경화형 씨일재(70a) 및 주 UV경화형 씨일재(70b)가 형성된 영역 이외의 영역을 가리는 마스크(80, 82)를 위치시키고 UV를 조사하는 공정에 관한 것이다.

한편, 상기 보조 UV경화형 씨일재(70a)는 씨일재 본래의 기능을 하지 않는 것이므로 경화되지 않아도 상관없다. 또한, 상기 보조 UV경화형 씨일재(70a)가 형성된 영역은 후공정인 셀절단 공정시 셀절단라인과 중첩되는 영역이므로 경화되지 않는 것이 셀절단에 보다 유리하다.

도 4c 및 도 4d는 이와 같이 마스크로 주 UV경화형 씨일재(70b)가 형성된 영역 이외의 영역을 가리고 UV를 조사함으로써, 보조 UV경화형 씨일재(70a)가 경화되지 않도록 한 것에 관한 것이다.

이때, 도 4c는 마스크(80)를 합착기판의 상측 또는 하측에 위치시키고 UV를 조사하는 경우를 도시한 것이고, 도 4d는 마스크를 합착기판의 상측 및 하측에 위치시키고 UV를 조사하는 경우를 도시한 것이다.

도 5a 및 도 5b는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 액정표시소자의 제조공정 중 UV조사공정만을 도시한 사시도로서, 본 발명의 또 다른 일 실시예는 UV를 경사지게 조사하는 것을 제외하고 전술한 일 실시예와 동일하다. 따라서, 동일한 부분은 동일한 도면부호를 부여하였고, 동일한 부분에 대한 설명은 생략한다.

UV조사시 씨일재가 형성된 영역 위에 차광막이나, 게이트배선 및 데이터배선 등의 금속 배선층 등이 형성되어 있는 경우는 그 영역에 UV조사가 차단되어 씨 일재가 경화되지 않게 되므로 결과적으로 하부기판과 상부기판의 접착력이 떨어지는 문제점이 발생된다.

따라서, 본 발명의 다른 일 실시예는 UV경화형 씨일재가 형성된 기판 상에 UV가 경사지게 조사되도록 함으로써 UV조사면과 씨일재 사이에 차광막이나 금속 배선층이 형성되어 있다 하더라도 그 영역에서 씨일재의 경화가 가능하도록 한 것에 관한 것이다.

상기 UV를 경사지게 조사하기 위해서는 도 5a와 같이 합착기판을 수평으로 위치시키고 UV조사장치(90)를 경사각 θ로 경사지게 위치시킬 수도 있고, 도 5b와 같이 합착기판을 경사지게 위치시키고 UV조사장치(90)를 수평으로 위치시킬 수도 있다.

또한, 도면에는 도시하지 않았으나, 도 4a 내지 도 4d에 도시된 바와 같이 씨일재 형성영역 이외의 영역을 마스크로 가리고 UV를 경사지게 조사하는 것도 가능하다.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시소자의 사시도이고, 도 7a 및 도 7b는 각각 도 6의 A-A라인 및 B-B라인을 따른 자른 단면도이다.

도 6 및 도 7과 같이, 본 발명의 일 실시예는 하부기판(10) 및 상부기판(30); 상기 양 기판(10,30) 사이에 형성되며, 더미영역에 형성된 보조 UV경화형 씨일재(70a)와 상기 보조 UV경화형 씨일재와 연결된 폐쇄형의 주 UV경화형 씨일재(70b)로 이루어진 UV경화형 씨일재; 및 상기 양 기판(10,30) 사이에 형성된 액정층(50)을 포함하여 구성되는 액정표시소자에 관한 것이다.

이때, 도면에는 도시되지 않았으나, 상기 하부기판(10)상에는 박막트랜지스터, 화소전극, 및 배향막이 형성되어 있고, 상기 상부기판(30)상에는 블랙매트릭스, 칼라필터층, 공통전극, 및 배향막이 형성되어 있다.

또한, 상기 양 기판(10,30) 사이에는 셀갭유지를 위한 스페이서가 형성되어 있다.

본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것이 아니라, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 범위내에서 변경 실시될 수 있을 것이다.

본 발명에 따르면 디스펜싱 장치의 노즐 끝에 뭉쳐있는 씨일재가 기판 상의 더미영역에 형성됨으로써 합착공정에 의해 액정층이 오염될 염려가 없고 셀절단공정이 용이하게 된다.

또한, 본 발명에 따라 합착 기판의 상측 및/또는 하측에 마스크를 형성하고 UV를 조사하는 경우, UV경화형 씨일재가 형성된 영역에만 UV가 조사되고 그 이외의 영역으로 UV조사가 차단되어, 기판 상에 형성된 배향막이 손상되거나, 박막트랜지스터 등의 소자 특성이 저하되지 않게 된다.

또한, 본 발명에 따라 UV를 경사지게 조사하는 경우, 씨일재 위에 차광막이나 금속 배선층이 형성되어 있다 하더라도 씨일재의 경화가 가능하여 하부기판과 상부기판의 접착력이 저하되지 않게 된다.

Claims (12)

1. 하부기판 및 상부기판을 준비하는 공정;

   상기 양 기판 중 어느 하나의 기판에 UV 경화형 시일재를 형성하는 공정에 있어서, 상기 기판의 더미영역에 보조 UV 경화형 시일재 및 이와 연결된 폐쇄형의 주 UV경화형 씨일재를 연결하여 형성하는 공정;

   상기 양 기판 중 어느 하나의 기판 상에 액정을 적하하는 공정;

   상기 양 기판을 합착하는 공정;

   상기 합착기판에 UV를 조사하는 공정;

   상기 합착기판을 단위셀로 절단하는 절단라인을 상기 보조 UV경화형 씨일재의 최초 형성부 안쪽으로 형성하여 절단하는 공정을 포함하는 액정표시소자의 제조방법.
2. 제 1항에 있어서,

   상기 UV경화형 씨일재는 상기 양 기판의 접착을 위해 양 말단에 아크릴기가 결합된 모노머 또는 올리고머를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
3. 제 1항에 있어서,

   상기 UV경화형 씨일재는 한쪽 말단에는 아크릴기가, 다른 쪽 말단에는 에폭시기가 결합된 모노머 또는 올리고머를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
4. 제 3항에 있어서,

   상기 UV조사 공정후 상기 씨일재 경화를 위한 가열공정을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
5. 제 1항에 있어서,

   상기 UV조사 공정은 상기 UV경화형 씨일재가 형성된 영역 이외의 영역을 마스크로 가리고 수행하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
6. 제 5항에 있어서,

   상기 UV조사 공정은 상기 주 UV경화형 씨일재가 형성된 영역 이외의 영역을 마스크로 가리고 수행하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
7. 제 1항에 있어서,

   상기 UV조사 공정은 UV를 조사하는 광 조사장치를 합착기판면에 대해 경사지게 조사하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
8. 제 1항에 있어서,

   상기 상부기판 상에 칼럼 스페이서를 형성하는 공정을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
9. 제 1항에 있어서,

   상기 UV경화형 씨일재를 상기 상부기판 위에 형성하고, 상기 액정을 상기 하부기판 위에 적하하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
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