JPS60217343A - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置およびその製造方法Info
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- JPS60217343A JPS60217343A JP59074024A JP7402484A JPS60217343A JP S60217343 A JPS60217343 A JP S60217343A JP 59074024 A JP59074024 A JP 59074024A JP 7402484 A JP7402484 A JP 7402484A JP S60217343 A JPS60217343 A JP S60217343A
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/13378—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation
- G02F1/133788—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation by light irradiation, e.g. linearly polarised light photo-polymerisation
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- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
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- G02F1/13394—Gaskets; Spacers; Sealing of cells spacers regularly patterned on the cell subtrate, e.g. walls, pillars
-
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/133765—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers without a surface treatment
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は文字あるいは画像表示用の液晶表示装置および
その製造方法に関し、とくに電極基板表面に新規な方法
で液晶セル厚の精度向上機能を賦与した構造の液晶表示
装置およびその製造方法を提供するものである。
その製造方法に関し、とくに電極基板表面に新規な方法
で液晶セル厚の精度向上機能を賦与した構造の液晶表示
装置およびその製造方法を提供するものである。
従来例の構成とその問題点
液晶表示装置の基本構成は、一対の電極基板間に液晶を
充填したパネルに偏光板を組み合わせたもので初期配向
した液晶分子と電極に電圧を印加した状態で再配列した
液晶分子との複屈折性の差により、液晶表示装置を通過
する光の濃淡を制御するものである。液晶を初期配向さ
せるには通常液晶の接するパネル内壁に配向処理と呼ば
れる一連の処理が施される。
充填したパネルに偏光板を組み合わせたもので初期配向
した液晶分子と電極に電圧を印加した状態で再配列した
液晶分子との複屈折性の差により、液晶表示装置を通過
する光の濃淡を制御するものである。液晶を初期配向さ
せるには通常液晶の接するパネル内壁に配向処理と呼ば
れる一連の処理が施される。
配向処理の一例は有機材料、例えばポリイミド樹脂を薄
く（約０，１ ／Ｉ悦前後）塗布し、約２００°Ｃ以上
の加熱処理で硬化した後に、ナイロン系またはビニール
系の繊維を一定方向に何度もこすりつけるもので、配向
処理のラビング法と呼ばれる。
く（約０，１ ／Ｉ悦前後）塗布し、約２００°Ｃ以上
の加熱処理で硬化した後に、ナイロン系またはビニール
系の繊維を一定方向に何度もこすりつけるもので、配向
処理のラビング法と呼ばれる。
ラビング法では有機配向膜の材質、硬化条件。
ラビング布の材質、繊維構造、こすりつけの押圧力、相
対速度１回数等を組合せにより実験し、経験的にその最
適条件をめているのが実情である。
対速度１回数等を組合せにより実験し、経験的にその最
適条件をめているのが実情である。
しかしながら、ラビングの場合機械的に配向膜表面をこ
することから、脱落したラビング布繊維やごみ、ちりに
より配向膜表面に欠陥や異常スクラッチを生じ易いこと
、ラビング布の耐久性が十分でないために使用回数を重
ねる度に配向性能が変化したり、配向の不均一を生じる
などの欠点があ５ペ−ノ る。
することから、脱落したラビング布繊維やごみ、ちりに
より配向膜表面に欠陥や異常スクラッチを生じ易いこと
、ラビング布の耐久性が十分でないために使用回数を重
ねる度に配向性能が変化したり、配向の不均一を生じる
などの欠点があ５ペ−ノ る。
さらに画像表示用の液晶パネルで、多数の絵素の一つ一
つに対応して薄膜トランジスタなどのスイッチング素子
が電極基板に構成されたものでは、基板表面に必らず凹
凸がありラビング法による配 ７向ではこの凹凸の段差
近傍で配向のむらを生じることがあり、とくに段差が大
きいほど顕著である。
つに対応して薄膜トランジスタなどのスイッチング素子
が電極基板に構成されたものでは、基板表面に必らず凹
凸がありラビング法による配 ７向ではこの凹凸の段差
近傍で配向のむらを生じることがあり、とくに段差が大
きいほど顕著である。
加えてラビングによる帯電によってスイッチング素子や
その他の素子を静電破壊させてしまうことも少なくない
。
その他の素子を静電破壊させてしまうことも少なくない
。
そして配向処理が終了した後は、配向膜表面にいかなる
化学的処理をしてもならないという大きな制約があるこ
とも特記すべき事項であろう。有機溶材による洗滌はも
ちろんのこと、水洗のみの処理であってもラビングによ
る配向処理はほぼ確実に失なわれ、液晶分子の初期配向
は実現されない。精々、乾燥窒素ガスの吹きつけによる
ラビング布の脱落した繊維を吹き飛ばす位の処理しか追
加できない。
化学的処理をしてもならないという大きな制約があるこ
とも特記すべき事項であろう。有機溶材による洗滌はも
ちろんのこと、水洗のみの処理であってもラビングによ
る配向処理はほぼ確実に失なわれ、液晶分子の初期配向
は実現されない。精々、乾燥窒素ガスの吹きつけによる
ラビング布の脱落した繊維を吹き飛ばす位の処理しか追
加できない。
この大きな制約が液晶セルの厚みを精密あるい６１ψノ
は任意に制御するための最大の障害となっている。
液晶セルに液晶を注入する工程で、一対の電極基板で構
成される空間はシール材の併用により減圧される。そし
て減圧の解除とともに液晶が注入されるのである。減圧
状態では大気圧によって一対の電極基板は押し曲げられ
て近づきあうので、何らかのスペーサが電極基板間に必
要である。このスペーサが適当量存在すれば電極基板が
接近しすぎることは防止され、液晶セルのギャップ厚は
精度が保証される。
成される空間はシール材の併用により減圧される。そし
て減圧の解除とともに液晶が注入されるのである。減圧
状態では大気圧によって一対の電極基板は押し曲げられ
て近づきあうので、何らかのスペーサが電極基板間に必
要である。このスペーサが適当量存在すれば電極基板が
接近しすぎることは防止され、液晶セルのギャップ厚は
精度が保証される。
ところが先述したように、ラビングによる配向処理が終
了した後はいかなる化学処理も許されないことから、電
極基板の一方上に適当な形状のスペーサを散布すること
しかギャップ厚の制御はできない。そして簡単な液晶パ
ネノペすなわち透明電極しか電極基板上に存在しないよ
うな液晶パネルでは、電極基板上には高々０．１／ｆｆ
ｉ程度の段差しか存在しないので絶縁性の適当々粒径を
有するポールまたはファイバを散布することにより極め
て高精度のギャップ厚が実現されている。
了した後はいかなる化学処理も許されないことから、電
極基板の一方上に適当な形状のスペーサを散布すること
しかギャップ厚の制御はできない。そして簡単な液晶パ
ネノペすなわち透明電極しか電極基板上に存在しないよ
うな液晶パネルでは、電極基板上には高々０．１／ｆｆ
ｉ程度の段差しか存在しないので絶縁性の適当々粒径を
有するポールまたはファイバを散布することにより極め
て高精度のギャップ厚が実現されている。
７Ｉ′＋７
しかしながら薄膜トランジスタなどのスイッチング素子
を電極基板上に組みこんだ液晶パネルでは、通常１ ）
１ｍ以上の段差が存在する。したがってギャップ厚を制
御する目的でスペーサ材を散布すると、スペーサ材は結
局電極基板上の一番高い所に位置するものがギャップ厚
の調整に寄与することになり、電極基板上の低い所に位
置するスペーサ材はパネルに組み立てられた状態では一
対の電極基板間の液晶中を漂い、何の役目も果さないこ
とが分るであろう。電極基板上の高い所というのは、ス
イッチング素子や走査線あるいは信号線が存在する領域
であり、これらの領域にスペーサ材があれば、当然ある
程度の圧力がスペーサ材を介してかかることは言うまで
もない。とくにスイッチング素子では過度の圧力が加わ
るとリーク電流の増大するものが少なくない。そうする
と圧力の分散を助長するために大量のスペーサ材を散布
せねばならなくなり、余分に漂うスペーサが液晶セルの
光学的諸量を低下させることになる。
を電極基板上に組みこんだ液晶パネルでは、通常１ ）
１ｍ以上の段差が存在する。したがってギャップ厚を制
御する目的でスペーサ材を散布すると、スペーサ材は結
局電極基板上の一番高い所に位置するものがギャップ厚
の調整に寄与することになり、電極基板上の低い所に位
置するスペーサ材はパネルに組み立てられた状態では一
対の電極基板間の液晶中を漂い、何の役目も果さないこ
とが分るであろう。電極基板上の高い所というのは、ス
イッチング素子や走査線あるいは信号線が存在する領域
であり、これらの領域にスペーサ材があれば、当然ある
程度の圧力がスペーサ材を介してかかることは言うまで
もない。とくにスイッチング素子では過度の圧力が加わ
るとリーク電流の増大するものが少なくない。そうする
と圧力の分散を助長するために大量のスペーサ材を散布
せねばならなくなり、余分に漂うスペーサが液晶セルの
光学的諸量を低下させることになる。
スペーサ材としては圧力の集中が生じないように、結局
はファイバが使用されるのであるが、その直径を任意の
値で多数準備しておくことは不可能である。
はファイバが使用されるのであるが、その直径を任意の
値で多数準備しておくことは不可能である。
発明の目的
本発明はこのような従来の配向膜およびギャップ厚の調
整方法の欠点を改善し、新規な方法で配向処理した配向
膜、および配向膜に影響を与えない柱状スペーサを有す
る液晶表示パネルおよびその製造方法を提供するもので
あり、また本発明の別の目的は任意のギャップ厚を達成
しうるパネル構造の提供にある。
整方法の欠点を改善し、新規な方法で配向処理した配向
膜、および配向膜に影響を与えない柱状スペーサを有す
る液晶表示パネルおよびその製造方法を提供するもので
あり、また本発明の別の目的は任意のギャップ厚を達成
しうるパネル構造の提供にある。
発明の構成
本発明においては、従来のラビング法のように配向膜表
面に原子あるいは分子的規模の弱い痕跡を形成するので
はなく、レーザ光の２光束干渉縞によって配向膜表面に
浅い溝を形成する点で新規性を有し、またこの浅い溝を
破壊することなく柱状スペーサを形成ならしめた点に進
歩性を有するものであり、以下図面とともに本発明の実
施例について説明する。
面に原子あるいは分子的規模の弱い痕跡を形成するので
はなく、レーザ光の２光束干渉縞によって配向膜表面に
浅い溝を形成する点で新規性を有し、またこの浅い溝を
破壊することなく柱状スペーサを形成ならしめた点に進
歩性を有するものであり、以下図面とともに本発明の実
施例について説明する。
９ページ
実施例の説明
第１図は本発明による液晶表示パネルの構成図を表わし
、多数の画素に対応した透明電極１を有する下側の電極
基板２と全面透明電極３を有するもう一方の電極基板４
との間に液晶５をシール６で周囲を封止して充填しであ
る。この液晶セルフは２枚の偏光板８および９に挾まれ
ており、外光を何らかの方法で利用するか、あるいは面
光源体１ｏを加え、全体として画像表示用の透過型液晶
表示装置またはパネル１１を構成している。
、多数の画素に対応した透明電極１を有する下側の電極
基板２と全面透明電極３を有するもう一方の電極基板４
との間に液晶５をシール６で周囲を封止して充填しであ
る。この液晶セルフは２枚の偏光板８および９に挾まれ
ており、外光を何らかの方法で利用するか、あるいは面
光源体１ｏを加え、全体として画像表示用の透過型液晶
表示装置またはパネル１１を構成している。
液晶５を初期配向させるためには下側の電極基板２の電
極面側およびもう一方の電極基板４の電極面側に配向膜
を塗布し、さらに配向処理が必要であるが、本発明にお
いてはラビング法ではなくレーザ光の２光束干渉縞を用
いる。そして、本発明においてはポリイミド樹脂を配向
膜に用い、配向処理材として感光性樹脂を用いた例を述
べる。
極面側およびもう一方の電極基板４の電極面側に配向膜
を塗布し、さらに配向処理が必要であるが、本発明にお
いてはラビング法ではなくレーザ光の２光束干渉縞を用
いる。そして、本発明においてはポリイミド樹脂を配向
膜に用い、配向処理材として感光性樹脂を用いた例を述
べる。
前記電極基板２および４にポリイミド樹脂１２を薄＜
（０，１〜０．２ ｐｔｎ ）塗布し、２００’Ｃ以上
の加熱によりキュアする。その後ポジ型感光性樹１０べ
、・ 脂１３、例えばシップレイ社のムＺ−１３５０をやはり
薄＜（０，１〜０．２戸常）塗布しプリベークを行なっ
た後、第２図に示すようにレーザ光の２光束干渉縞の照
射を行なう。レーザ光源１６を出た光線は反射鏡１６．
１７を経て集光レンズ１８に入射し、ピンホール１９を
通過後、コリメータレンズ２０を通って光束の拡がった
平行光線となる。その後、さらにこの平行光線は反射鏡
２１で反射された後ビームスプリッタ２２で２分割され
、反射鏡２３および２４で反射されて電極基板２（４）
上に塗布された感光性樹脂１３に入射する。２分割され
たレーザ平行光の２光束は、この試料付近の空間で干渉
を生じ、試料面上にスリット状の干渉縞を生せしめる。
（０，１〜０．２ ｐｔｎ ）塗布し、２００’Ｃ以上
の加熱によりキュアする。その後ポジ型感光性樹１０べ
、・ 脂１３、例えばシップレイ社のムＺ−１３５０をやはり
薄＜（０，１〜０．２戸常）塗布しプリベークを行なっ
た後、第２図に示すようにレーザ光の２光束干渉縞の照
射を行なう。レーザ光源１６を出た光線は反射鏡１６．
１７を経て集光レンズ１８に入射し、ピンホール１９を
通過後、コリメータレンズ２０を通って光束の拡がった
平行光線となる。その後、さらにこの平行光線は反射鏡
２１で反射された後ビームスプリッタ２２で２分割され
、反射鏡２３および２４で反射されて電極基板２（４）
上に塗布された感光性樹脂１３に入射する。２分割され
たレーザ平行光の２光束は、この試料付近の空間で干渉
を生じ、試料面上にスリット状の干渉縞を生せしめる。
第２図では２光束の光軸が試料面の法線方向に対して等
角度で入射した場合を示しており、この時の試料表面の
光強度分布と、感光性樹脂の現像後に得られる断面パタ
ーンを第３図に示す。断面パターンは光強度分布に対応
して凹凸状のグレーティング（格子）１３′となる。
角度で入射した場合を示しており、この時の試料表面の
光強度分布と、感光性樹脂の現像後に得られる断面パタ
ーンを第３図に示す。断面パターンは光強度分布に対応
して凹凸状のグレーティング（格子）１３′となる。
その後必要に応じてポストベークを行にい、例え１１ベ
ノ ば０２プラズマ中で感光性樹脂パターンを除去するとと
もにポリイミド樹脂を食刻すれば第４図に示すようにグ
レーティング状の凹凸を有するポリイミドの樹脂パター
ン１２′が得られる。
ノ ば０２プラズマ中で感光性樹脂パターンを除去するとと
もにポリイミド樹脂を食刻すれば第４図に示すようにグ
レーティング状の凹凸を有するポリイミドの樹脂パター
ン１２′が得られる。
グレーティングのピンチは液晶の配向度合を上げるため
には小さい方が望ましいが、実験的に試作した０、２）
１ｍピッチ、深さ５ｏｏ〜１ｏｏｏへのグレーティング
でも良好な配向を示した。レーザ光源としてはＨｅ−Ｃ
ｄレーザ、λ＝ ４４１６八ヲ用いたが、より短波長の
レーザを用いたり、２光束の入射角度を変えることによ
り小ピツチ化は容易である０ さらに２光束の光軸を試料面に対して傾いた角度で入射
すると、試料表面に形成される感光性樹脂の断面パター
ンは鋸歯状になるので、ポリイミド樹脂の断面パターン
を鋸歯状にすることも可能である。あるいは感光性樹脂
の断面パターンが鋸歯状でなくとも、ポリイミド樹脂の
食刻に方向性ノするＲＩＢＥ（反応性イオンビーム食刻
）ナトを採用すれば、ポリイミド樹脂の断面パターンを
鋸歯状に形成することは容易々ことである。このように
配向膜となるポリイミド樹脂の断面パターンに非対称性
を持たせることは、液晶表示装置の表示性能に指向性を
つけたシ、逆ティルトによる濃淡の部分的なむらを防止
したりする点で効果的である。
には小さい方が望ましいが、実験的に試作した０、２）
１ｍピッチ、深さ５ｏｏ〜１ｏｏｏへのグレーティング
でも良好な配向を示した。レーザ光源としてはＨｅ−Ｃ
ｄレーザ、λ＝ ４４１６八ヲ用いたが、より短波長の
レーザを用いたり、２光束の入射角度を変えることによ
り小ピツチ化は容易である０ さらに２光束の光軸を試料面に対して傾いた角度で入射
すると、試料表面に形成される感光性樹脂の断面パター
ンは鋸歯状になるので、ポリイミド樹脂の断面パターン
を鋸歯状にすることも可能である。あるいは感光性樹脂
の断面パターンが鋸歯状でなくとも、ポリイミド樹脂の
食刻に方向性ノするＲＩＢＥ（反応性イオンビーム食刻
）ナトを採用すれば、ポリイミド樹脂の断面パターンを
鋸歯状に形成することは容易々ことである。このように
配向膜となるポリイミド樹脂の断面パターンに非対称性
を持たせることは、液晶表示装置の表示性能に指向性を
つけたシ、逆ティルトによる濃淡の部分的なむらを防止
したりする点で効果的である。
次に本発明のもう一つの要点である柱状スペーサの導入
について説明する。第６図は多数の絵素電極１に対応し
て薄膜トランジスタと信号線２５と走査線２６とが形成
された一方の電極基板２の平面図を示す。薄膜トランジ
スタは走査線２６を兼ねるゲートと、信号線２５を兼ね
るソース（ドレイン）とドレイン（ソース）２７よりな
り、ドレイン２７と絵素電極１はゲート絶縁膜３１に形
成された開口部２８を介して接続されている。なお２９
は島状の半導体層である。
について説明する。第６図は多数の絵素電極１に対応し
て薄膜トランジスタと信号線２５と走査線２６とが形成
された一方の電極基板２の平面図を示す。薄膜トランジ
スタは走査線２６を兼ねるゲートと、信号線２５を兼ね
るソース（ドレイン）とドレイン（ソース）２７よりな
り、ドレイン２７と絵素電極１はゲート絶縁膜３１に形
成された開口部２８を介して接続されている。なお２９
は島状の半導体層である。
既に述べたように液晶の表示性能を低下させないこと、
薄膜トランジスタの動作に影響を与えないことを考慮す
ると柱状スペーサ３０の配置場所としては走査線２６ま
たは信号線２５を含む場所１３、。
薄膜トランジスタの動作に影響を与えないことを考慮す
ると柱状スペーサ３０の配置場所としては走査線２６ま
たは信号線２５を含む場所１３、。
が最適であることが分る。なぜ々らば通常これらのパタ
ーンは絵素と絵素の間の概ね平担な下地上に５）１ｍ以
上の幅で形成されるからで、柱状スペーサ３ｏの高さも
５ｆｉｍ以上にすることが容易だからである。なお言う
までもないことだが、柱上スペーサ３ｏの高さは（１）
電極基板２上の最も高い所よりも高く、（２）液晶が電
極基板２と接する面ともう一極の電極基板４上で液晶と
接する面との距離をギャップ厚とするように設定される
。なお図示はしないが電極基板２上にはレーザ光の２光
束干渉照射による配向膜１２′が形成されていることは
言うまでもない。第６図は同じく斜視図である。
ーンは絵素と絵素の間の概ね平担な下地上に５）１ｍ以
上の幅で形成されるからで、柱状スペーサ３ｏの高さも
５ｆｉｍ以上にすることが容易だからである。なお言う
までもないことだが、柱上スペーサ３ｏの高さは（１）
電極基板２上の最も高い所よりも高く、（２）液晶が電
極基板２と接する面ともう一極の電極基板４上で液晶と
接する面との距離をギャップ厚とするように設定される
。なお図示はしないが電極基板２上にはレーザ光の２光
束干渉照射による配向膜１２′が形成されていることは
言うまでもない。第６図は同じく斜視図である。
さて柱状スペーサの形成方法であるが、既に述べたよう
に本発明ではポリイミド樹脂による配向膜１２′が形成
されているので、十分なキーア処理が施されていること
は言うまでもなく、感光性ポリイミド、例えば東し製フ
ォトニースＵＲ−３１００の塗布・露光・現像によって
選択的に形成される。
に本発明ではポリイミド樹脂による配向膜１２′が形成
されているので、十分なキーア処理が施されていること
は言うまでもなく、感光性ポリイミド、例えば東し製フ
ォトニースＵＲ−３１００の塗布・露光・現像によって
選択的に形成される。
あるいはポジ型感光性樹脂と５Ｐ−９１０の組み合わせ
では感光性樹脂の現像時にポリイミド系材１４、、。
では感光性樹脂の現像時にポリイミド系材１４、、。
脂５Ｐ−９１０も同時にパターン出しされるので、現像
後にＩＰムやＭＥＫなどの有機溶材を用いてポジ型感光
性樹脂を除去すれば５Ｐ−９１０の柱状スペーサが形成
される。これら一連の化学処理 ）に対してキーア化し
たポリイミド樹脂よりなる配向膜１２′は溶解したり組
成が変化することはない。
後にＩＰムやＭＥＫなどの有機溶材を用いてポジ型感光
性樹脂を除去すれば５Ｐ−９１０の柱状スペーサが形成
される。これら一連の化学処理 ）に対してキーア化し
たポリイミド樹脂よりなる配向膜１２′は溶解したり組
成が変化することはない。
したがって柱状スペーサ３ｏの形成後に２００’Ｃ以上
の加熱処理を与えて柱状スペーサ３ｏをキュア化して本
発明による液晶表示装置の電極基板が完成する。配向膜
１２′には追加キーアが与えられるが、それによる物理
的および化学的変化は全く生じない。
の加熱処理を与えて柱状スペーサ３ｏをキュア化して本
発明による液晶表示装置の電極基板が完成する。配向膜
１２′には追加キーアが与えられるが、それによる物理
的および化学的変化は全く生じない。
柱状スペーサの高さは前記ポリイミド系樹脂の粘度およ
び回転塗布時の回転数を調整することにより０．１〜１
０μｍまでの任意の値を選ぶことができるし、また柱状
スペーサの数も各絵素毎に配置する必要はなく適宜減少
させられる。
び回転塗布時の回転数を調整することにより０．１〜１
０μｍまでの任意の値を選ぶことができるし、また柱状
スペーサの数も各絵素毎に配置する必要はなく適宜減少
させられる。
なお柱状スペーサ３ｏを多数の絵素電極１を配置した電
極基板２上ではなく、−主面上に全面に透明導電層３と
配向膜１２′を形成されたもう一方１５ペ ノ の電極基板４上に設けることも可能であるが、この場合
には液晶セルフの組立にあたっては一対の電極基板２と
４との接着時に位置合わせが必要となる。
極基板２上ではなく、−主面上に全面に透明導電層３と
配向膜１２′を形成されたもう一方１５ペ ノ の電極基板４上に設けることも可能であるが、この場合
には液晶セルフの組立にあたっては一対の電極基板２と
４との接着時に位置合わせが必要となる。
以上述べた液晶表示装置をカラー化するためにはカラー
フィルタが必要であり、電極基板の厚みにより光路差の
拡散が生じるのを防止するためカラーフィルタは電極基
板２．液晶５．電極基板４で構成される空間に配置され
る。本発明の他の実施例はカラーフィルタの配置に応じ
てなされるものであり、カラーフィルタを （ａ） 多数の絵素とスイッチング素子を配置した電極
基板２ （ｂ） 全面に透明導電層を有するもう一方の電極基板
４ の上のいずれかに配置するものである。そしてカラーフ
ィルタの介入によって液晶層５に印加される電圧が低下
するのを防ぐためには、透明導電層と配向膜は当然のご
とくカラーフィルタ上に形成される。そして（ａ）の場
合にはカラーフィルタに形成された開口部を介してカラ
ーフィルタ上に形成された透明電極とスイッチング素子
とを接続する手段が与えられる。柱上スペーサは（ａ）
、 （ｂ）いずれに対しても容易に形成可能であり、
またカラーフィルタが導入されると一対の電極基板２と
４とは必らず位置合わせが必要となる。
フィルタが必要であり、電極基板の厚みにより光路差の
拡散が生じるのを防止するためカラーフィルタは電極基
板２．液晶５．電極基板４で構成される空間に配置され
る。本発明の他の実施例はカラーフィルタの配置に応じ
てなされるものであり、カラーフィルタを （ａ） 多数の絵素とスイッチング素子を配置した電極
基板２ （ｂ） 全面に透明導電層を有するもう一方の電極基板
４ の上のいずれかに配置するものである。そしてカラーフ
ィルタの介入によって液晶層５に印加される電圧が低下
するのを防ぐためには、透明導電層と配向膜は当然のご
とくカラーフィルタ上に形成される。そして（ａ）の場
合にはカラーフィルタに形成された開口部を介してカラ
ーフィルタ上に形成された透明電極とスイッチング素子
とを接続する手段が与えられる。柱上スペーサは（ａ）
、 （ｂ）いずれに対しても容易に形成可能であり、
またカラーフィルタが導入されると一対の電極基板２と
４とは必らず位置合わせが必要となる。
なお、電極基板材は透明性と絶縁性を必要とし例えばガ
ラス々どが好適であるが、スイッチング素子の形成方法
によっては石英や樹脂も使用されるし、スイッチング素
子もＭＩＳ）ランジスタに限定されるものではない。
ラス々どが好適であるが、スイッチング素子の形成方法
によっては石英や樹脂も使用されるし、スイッチング素
子もＭＩＳ）ランジスタに限定されるものではない。
発明の効果
以上述べたごとく本発明によれば、配向処理をフォトフ
ァブリケーション技術で行なうため、従来の機械的な表
面のこすりによっていた場合に問題となった表面の各種
欠陥や異常スクラッチが生じることもなく、配向の巨視
的、微視的むらの少ない均一な配向品質が得られ、表示
品質の優れた液晶表示装置を提供するものである。また
素子の静電破壊が生じる恐れは皆無である。
ァブリケーション技術で行なうため、従来の機械的な表
面のこすりによっていた場合に問題となった表面の各種
欠陥や異常スクラッチが生じることもなく、配向の巨視
的、微視的むらの少ない均一な配向品質が得られ、表示
品質の優れた液晶表示装置を提供するものである。また
素子の静電破壊が生じる恐れは皆無である。
１７ペーノ
さらに、表示品質を損なうことなく液晶層の厚みを非常
に高い精度で設定することができるのでカラー化した場
合に色純度を保つことが容易となるなどの多くの利点が
ある。
に高い精度で設定することができるのでカラー化した場
合に色純度を保つことが容易となるなどの多くの利点が
ある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明にかかる液晶表示装置の分解図、第２図
はレーザ光の２光束干渉装置のシステム図、第３図は２
光束干渉照射を受けた電極基板の断面図、第４図は本発
明による配向膜の断面図、第ζ九図ｔぜ賀明による液晶
表示装置の要部平面図および斜視図である。 １・・・・・・絵素電極、２，４・・・・・・電極基板
、３・・・・・・透明導電層、５・・・・・・液晶、７
・・・・・・液晶セル、８゜９・・・・・・偏光板、１
２．１２’・・・・・・ポリイミド樹脂、１３ 、１３
’・・・・・・感光性樹脂、１５・・・・・レーザ光源
、２６・・・・・・信号線、２６・・・・・・走査線、
３０・・・・・・柱状スペーサ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名Ｐｊ
５Ｊ 二 綜 派 へ 第３図 ■ 第４図 １（４） 第５図 ２７、 ９
はレーザ光の２光束干渉装置のシステム図、第３図は２
光束干渉照射を受けた電極基板の断面図、第４図は本発
明による配向膜の断面図、第ζ九図ｔぜ賀明による液晶
表示装置の要部平面図および斜視図である。 １・・・・・・絵素電極、２，４・・・・・・電極基板
、３・・・・・・透明導電層、５・・・・・・液晶、７
・・・・・・液晶セル、８゜９・・・・・・偏光板、１
２．１２’・・・・・・ポリイミド樹脂、１３ 、１３
’・・・・・・感光性樹脂、１５・・・・・レーザ光源
、２６・・・・・・信号線、２６・・・・・・走査線、
３０・・・・・・柱状スペーサ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名Ｐｊ
５Ｊ 二 綜 派 へ 第３図 ■ 第４図 １（４） 第５図 ２７、 ９
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）一対の電極基板間に、その表面にレーザ光の２光
束干渉縞の照射によるグレーティング状の凹凸を有する
配向膜を介して液晶を充填し、絵素部とスイッチング素
子を除いた領域に柱状スペーサが配置されていることを
特徴とする液晶表示装置。 （２）いずれかの電極基板の表面にカラーフィルタが配
置されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項に
記載の液晶表示装置。 （３）カラーフィルタの表面に透明導電層が全面にわた
って形成されていることを特徴とする特許請求の範囲第
２項記載の液晶表示装置。 （４）カラーフィルタ上の透明導電層が絵素に対応して
スイッチング素子に接続され独立していることを特徴と
する特許請求の範囲第２′項記載の液晶表示装置。 ２ ゼ 。 （６）一対の電極基板間に、その表面にレーザ光の２光
束干渉縞の照射によるグレーティング状の凹凸を有する
配向膜を介して液晶を充填してなる液晶表示装置の製造
に際し、いずれか一方の電極基板表面上で絵素部とスイ
ッチング素子を除いた領域に柱状の絶縁層を形成する工
程を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 （６）柱状め絶縁層が感光性ポリイミド樹脂であること
を特徴とする特許請求の範囲第６項に記載の液晶表示装
置の製造方法。 （７）柱状の絶縁層の形成が、感光性樹脂の現像液に溶
解可能なポリイミド樹脂を塗布する工程と、２感光性樹
脂を塗布する工程と、選択的露光工程と、前記感光性樹
脂を現像する工程とからなる、ことを特徴とする特許請
求の範囲第６項に記載の液晶表示装置の禦造方法。 （８）柱状の絶縁層の形成に先立ち、いずれか一方の電
極基板表面上にカラーフィルタが形成されることを特徴
とする特許請求の範囲第６項に記載の液晶表示装置の製
造方法。 ３べ／ （９） カラーフィルタ上に透明導電層が形成されるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第８項に記載の液晶表示
装置の製造方法。 （１０）カラーフィルタに開口部を形成する工程と、絵
素に対応してカラーフィルタ上に透明導電層を形成する
工程と、前記絵素内のスイッチング素子と前記透明導電
層とを接続する工程とを有することを特徴とする特許請
求の範囲第８項に記載の液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59074024A JPS60217343A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59074024A JPS60217343A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60217343A true JPS60217343A (ja) | 1985-10-30 |
Family
ID=13535138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59074024A Pending JPS60217343A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60217343A (ja) |
Cited By (132)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61173222A (ja) * | 1985-01-28 | 1986-08-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
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