JPS60217340A - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置およびその製造方法Info
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- JPS60217340A JPS60217340A JP59074026A JP7402684A JPS60217340A JP S60217340 A JPS60217340 A JP S60217340A JP 59074026 A JP59074026 A JP 59074026A JP 7402684 A JP7402684 A JP 7402684A JP S60217340 A JPS60217340 A JP S60217340A
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、文字あるいは画像表示用の液晶表示装置およ
びその製造方法に関し、特に配向膜の表面に新規左方法
で液晶の配向性能を付与した構造の液晶表示装置および
その製造方法に関するものである。
びその製造方法に関し、特に配向膜の表面に新規左方法
で液晶の配向性能を付与した構造の液晶表示装置および
その製造方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点
液晶表示装置の基本構成は、一対の電極基板間に液晶を
充填したパネルに偏光板を組合せたもので、初期配向し
た液晶分子と電極に電圧を印加し３ ！ た状態で再配列した液晶分子との複屈折性の差により濃
淡を表示するものである。液晶を初期配向させるには通
常、液晶の接するパネル内壁に配向処理と呼ばれる各種
の処理が施される。
充填したパネルに偏光板を組合せたもので、初期配向し
た液晶分子と電極に電圧を印加し３ ！ た状態で再配列した液晶分子との複屈折性の差により濃
淡を表示するものである。液晶を初期配向させるには通
常、液晶の接するパネル内壁に配向処理と呼ばれる各種
の処理が施される。
配向処理の一例は、有機材料たとえばポリイミドを塗布
し硬化した膜にナイロン系またはビニル系の繊維を一定
方向にこすりつけるもので配向処理のラビング法と呼ば
れる。配向処理の他の一例は無機材料たとえばＳｉＯを
電極基板に対して斜方向から蒸着するもので、配向処理
の斜蒸着法と呼ばれる。
し硬化した膜にナイロン系またはビニル系の繊維を一定
方向にこすりつけるもので配向処理のラビング法と呼ば
れる。配向処理の他の一例は無機材料たとえばＳｉＯを
電極基板に対して斜方向から蒸着するもので、配向処理
の斜蒸着法と呼ばれる。
配向処理した配向膜表面で液晶分子が一定方向に配列す
る現象は、長鎖状の高分子である液晶分子の位置エネル
ギが、その方向に配列した場合に最も小さくなるためで
ある。ラビングによる配向膜が配向性能を有するメカニ
ズムについては、ラビングにより表面に物理的凹凸、い
わゆるヘアライン加工表面のよう々スクラッチ状の凹凸
が生じるためであるとする説や、ラビング布の有機物質
が表面に方向性を持って付着するためであるとする説等
があり、いずれも定説に至っていない。
る現象は、長鎖状の高分子である液晶分子の位置エネル
ギが、その方向に配列した場合に最も小さくなるためで
ある。ラビングによる配向膜が配向性能を有するメカニ
ズムについては、ラビングにより表面に物理的凹凸、い
わゆるヘアライン加工表面のよう々スクラッチ状の凹凸
が生じるためであるとする説や、ラビング布の有機物質
が表面に方向性を持って付着するためであるとする説等
があり、いずれも定説に至っていない。
このようなことから実用化されているラビング処理は、
有機配向膜の材質、硬化条件、ラビング布の材質、繊維
構造、こすりつけの押圧力、相対速度２回数等を組合せ
により実験し、経験的にその最適条件をめているのが実
情である。特にラビングの場合、機械的に配向膜表面を
こすることから、脱落したラビング布繊維やごみにより
配向膜表面に欠陥や異常スクラッチが生じやすいこと。
有機配向膜の材質、硬化条件、ラビング布の材質、繊維
構造、こすりつけの押圧力、相対速度２回数等を組合せ
により実験し、経験的にその最適条件をめているのが実
情である。特にラビングの場合、機械的に配向膜表面を
こすることから、脱落したラビング布繊維やごみにより
配向膜表面に欠陥や異常スクラッチが生じやすいこと。
ラブング布の耐久性が十分でないために使用回数を重ね
る度に配向性能が変化したり、配向の不均一を生じる等
の欠点がある。さらに画像表示用の液晶表示装置で、・
多数の画素子の一つ一つに対応したスイッチング用の薄
膜トランジスタが電極基板に構成されたものでは、基板
表面に凹凸の段差近傍で配向のむらを生じることがある
。さらにラビングによる帯電により、このような能動素
子を静電破壊させてしまうこともある。
る度に配向性能が変化したり、配向の不均一を生じる等
の欠点がある。さらに画像表示用の液晶表示装置で、・
多数の画素子の一つ一つに対応したスイッチング用の薄
膜トランジスタが電極基板に構成されたものでは、基板
表面に凹凸の段差近傍で配向のむらを生じることがある
。さらにラビングによる帯電により、このような能動素
子を静電破壊させてしまうこともある。
斜蒸着による配向処理はラビングによる配向処理に比べ
てこのような諸々の欠陥は比較的少ない５ ぐ 。
てこのような諸々の欠陥は比較的少ない５ ぐ 。
が、蒸着装置の規模および基板の斜装置の制約から大き
力電極基板を処理しにくいこと、工数が大となること、
最適条件範囲（特に蒸着角度、蒸着速度、基板温度等）
が比較的に狭く、蒸着条件管理が必要なこと等の欠点が
ある。
力電極基板を処理しにくいこと、工数が大となること、
最適条件範囲（特に蒸着角度、蒸着速度、基板温度等）
が比較的に狭く、蒸着条件管理が必要なこと等の欠点が
ある。
発明の目的
本発明はこのような従来の配向膜に対してその欠点を解
決あるいは改善した新規な方法で配向処理した配向膜を
有する液晶表示装置およびその製造方法を目的とする。
決あるいは改善した新規な方法で配向処理した配向膜を
有する液晶表示装置およびその製造方法を目的とする。
発明の構成
上記目的を達成するため、本発明の液晶表示装置は、一
対の電極基板間に配向膜を介して液晶を充填してなる液
晶表示装置において、配向膜の表面のグレーティング状
の凹凸をレーザ光の三光束干渉縞による露光等によって
形成されたほぼ一定の周期とし、かつ配向膜表面のグレ
ーティング状の凹凸の断面を矩形状または鋸歯状に形成
する構成としたことを特徴とするものである。
対の電極基板間に配向膜を介して液晶を充填してなる液
晶表示装置において、配向膜の表面のグレーティング状
の凹凸をレーザ光の三光束干渉縞による露光等によって
形成されたほぼ一定の周期とし、かつ配向膜表面のグレ
ーティング状の凹凸の断面を矩形状または鋸歯状に形成
する構成としたことを特徴とするものである。
さらに液晶表示装置において、液晶分子が配向（３＋ｅ
ミ 膜のグレーティング状の凹凸の方向に平行に配列する構
成としたこと、あるいは液晶分子が配向膜のグレーティ
ング状の第１の凹凸の方向に垂直に形成された第２の凹
凸の方向に配列する構成としたことを特徴とするもので
あり、配向膜の第２の凹凸が液晶分子の指向性を与え、
かつ組立てた液晶表示装置において、その表示に指向性
をつける −（のに有効である。したがって、配向膜の
表面にグレーティング状の凹凸を有する液晶表示パネル
を製造するには、配向膜の上にフォト・レジストが塗布
された二層構造を形成する工程と、レーザ光の三光束干
渉縞の照射によりフォト・レジスト表面に干渉縞を形成
し、かつフォト・レジストが現像によりグレーティング
状の凹凸に加工される工程と、基板に対してイオン・ビ
ームの進行方向が垂直方向あるいは斜方向のイオン・ビ
ーム照射により配向膜表面の断面が矩形状または鋸歯状
の溝に加工される工程と、エツチングによりレジストが
除去される工程を構成とする 実施例の説明 ７史 以下、本発明の一実施例について、図面に基づいて説明
する。
ミ 膜のグレーティング状の凹凸の方向に平行に配列する構
成としたこと、あるいは液晶分子が配向膜のグレーティ
ング状の第１の凹凸の方向に垂直に形成された第２の凹
凸の方向に配列する構成としたことを特徴とするもので
あり、配向膜の第２の凹凸が液晶分子の指向性を与え、
かつ組立てた液晶表示装置において、その表示に指向性
をつける −（のに有効である。したがって、配向膜の
表面にグレーティング状の凹凸を有する液晶表示パネル
を製造するには、配向膜の上にフォト・レジストが塗布
された二層構造を形成する工程と、レーザ光の三光束干
渉縞の照射によりフォト・レジスト表面に干渉縞を形成
し、かつフォト・レジストが現像によりグレーティング
状の凹凸に加工される工程と、基板に対してイオン・ビ
ームの進行方向が垂直方向あるいは斜方向のイオン・ビ
ーム照射により配向膜表面の断面が矩形状または鋸歯状
の溝に加工される工程と、エツチングによりレジストが
除去される工程を構成とする 実施例の説明 ７史 以下、本発明の一実施例について、図面に基づいて説明
する。
第１図において、液晶表示装置は透明電極１とその上に
配向膜２が付いた前面ガラス板３と、ＴＰＴ素子（薄膜
トランジスタで構成され画素電極の印加電圧のスイッチ
ングに用いるトランジスタ素子）部４および画素部５と
その上に配向膜６が付いた液晶表示用基板７との間に、
周辺部には。
配向膜２が付いた前面ガラス板３と、ＴＰＴ素子（薄膜
トランジスタで構成され画素電極の印加電圧のスイッチ
ングに用いるトランジスタ素子）部４および画素部５と
その上に配向膜６が付いた液晶表示用基板７との間に、
周辺部には。
予め所定のスペーサが混合されたシール剤８があり、シ
ール剤に囲１れたパネル中に液晶９．多数のスペーサ１
０が存在して１４ｏそして偏光板１１．１２が前面ガラ
ス板３と液晶表示用基板７の両面に貼り付けられて、さ
らにたとえば光源となるエレクトロルミネセント１３を
液晶表示用基板７上の偏光板１２に貼り付けることによ
り構成される。
ール剤に囲１れたパネル中に液晶９．多数のスペーサ１
０が存在して１４ｏそして偏光板１１．１２が前面ガラ
ス板３と液晶表示用基板７の両面に貼り付けられて、さ
らにたとえば光源となるエレクトロルミネセント１３を
液晶表示用基板７上の偏光板１２に貼り付けることによ
り構成される。
第２図は基板７側の構造を示すもので、ＧはＴＰＴ素子
のゲート電極、工は絶縁膜、人はアモルファスシリコン
よりなるチャンネル活性部、Ｍはソース、ドレイン電極
である。
のゲート電極、工は絶縁膜、人はアモルファスシリコン
よりなるチャンネル活性部、Ｍはソース、ドレイン電極
である。
液晶９を初期配向させるためには配向膜２および配向膜
６の上に予めスピンナ塗布されたフォトレジストにレー
ザ光の三光束干渉縞が照射されてかつ現像されることに
よりフォト・レジストはグレーティング状の凹凸が形成
され、基板に対してイオン・ビームの進行方向が垂直方
向あるいは斜方向のイオン・ビーム照射により配向膜表
面の断面が矩形状または鋸歯状の溝に加工され、フォト
・レジストが除去され、配向膜が洗浄および乾燥される
ことが必要である。
６の上に予めスピンナ塗布されたフォトレジストにレー
ザ光の三光束干渉縞が照射されてかつ現像されることに
よりフォト・レジストはグレーティング状の凹凸が形成
され、基板に対してイオン・ビームの進行方向が垂直方
向あるいは斜方向のイオン・ビーム照射により配向膜表
面の断面が矩形状または鋸歯状の溝に加工され、フォト
・レジストが除去され、配向膜が洗浄および乾燥される
ことが必要である。
第３図はレーザ光の三光束干渉縞の照射装置の原理図を
示しており、レーザ光源１４を出た光線は反射鏡１５お
よび１６を経て集光レンズ１７に入射し、ピンホール１
８を通過後コリメータレンズ１９を通ってエキスバンド
された平行光線となる。その後さらにこの平行光線は反
射鏡２ｏで反射された後ビームスプリッタ２１で二分割
され反射鏡２２および２３で反射されて電極基板２４に
塗布された配向膜２６上のフォト・レジスト２６に入射
する。二分割されたレーザ平行光の三光束９ベ ノ はこのフォト・レジスト付近の空間で干渉を生じフォト
・レジスト面にスリット状の干渉縞を生せしめる。第３
図は三光束の光軸がフォト・レジスト面の法線方向に対
して等角度で入射する場合を示しており、この時のフォ
ト・レジスト表面の光強度分布および現像後のフォト・
レジストに形成されるグレーティング状の凹凸２７を第
４図ａおよびｂに示している。
示しており、レーザ光源１４を出た光線は反射鏡１５お
よび１６を経て集光レンズ１７に入射し、ピンホール１
８を通過後コリメータレンズ１９を通ってエキスバンド
された平行光線となる。その後さらにこの平行光線は反
射鏡２ｏで反射された後ビームスプリッタ２１で二分割
され反射鏡２２および２３で反射されて電極基板２４に
塗布された配向膜２６上のフォト・レジスト２６に入射
する。二分割されたレーザ平行光の三光束９ベ ノ はこのフォト・レジスト付近の空間で干渉を生じフォト
・レジスト面にスリット状の干渉縞を生せしめる。第３
図は三光束の光軸がフォト・レジスト面の法線方向に対
して等角度で入射する場合を示しており、この時のフォ
ト・レジスト表面の光強度分布および現像後のフォト・
レジストに形成されるグレーティング状の凹凸２７を第
４図ａおよびｂに示している。
ここで、配向膜表面の加工工程について説明する。第６
図ａ、ｂ、ｃ、ｄは配向膜表面の断面形状が矩形状であ
る溝を形成する工程を示した配向膜およびフォト・レジ
ストの断面図である。第５図ａは、配向膜２９の上にフ
ォト・レジスト２８を塗布した断面を示したものである
。配向膜にはポリイミドを用い、フォト・レジストには
ポジ型フォト・レジストにはポジ型フォト・レジストを
用いた０配向膜の膜厚ｉｄ１５００人程度、フォト・レ
ジストの膜厚は１Ｂｏｏ八程度へある。第６図すはフォ
ト・レジスト表面に三光束干渉縞によるグレーティング
を生ぜしめ、１８０秒から１９０１０ペゾ 秒程度露光をした後に現像して水洗することによりフォ
ト・レジストはグレーティングの凹凸を形成されること
を示している。第６図Ｃは基板に対してイオン・ビーム
の進行方向が垂直方向のイオン・ビーム照射によりフォ
ト・レジストの凹部における底面で露出している配向膜
２９の断面が矩形状に形成されることを示している。第
５図ｄはイオン・ビーム照射後に、フォト・レジストを
エツチング除去し乾燥した後の配向膜の断面形状を示し
ている。
図ａ、ｂ、ｃ、ｄは配向膜表面の断面形状が矩形状であ
る溝を形成する工程を示した配向膜およびフォト・レジ
ストの断面図である。第５図ａは、配向膜２９の上にフ
ォト・レジスト２８を塗布した断面を示したものである
。配向膜にはポリイミドを用い、フォト・レジストには
ポジ型フォト・レジストにはポジ型フォト・レジストを
用いた０配向膜の膜厚ｉｄ１５００人程度、フォト・レ
ジストの膜厚は１Ｂｏｏ八程度へある。第６図すはフォ
ト・レジスト表面に三光束干渉縞によるグレーティング
を生ぜしめ、１８０秒から１９０１０ペゾ 秒程度露光をした後に現像して水洗することによりフォ
ト・レジストはグレーティングの凹凸を形成されること
を示している。第６図Ｃは基板に対してイオン・ビーム
の進行方向が垂直方向のイオン・ビーム照射によりフォ
ト・レジストの凹部における底面で露出している配向膜
２９の断面が矩形状に形成されることを示している。第
５図ｄはイオン・ビーム照射後に、フォト・レジストを
エツチング除去し乾燥した後の配向膜の断面形状を示し
ている。
また第６図ａ、ｂ、ｃ、ｄｉｊ配向膜表面の断面形状が
鋸歯状である溝を形成する工程を示した配向膜およびフ
ォト・レジストの断面図である。第６図ａは配向膜２９
の上にフォト・レジスト２８を塗布した断面を示したも
のである。配向膜２ｅにはポリイミドを用い、フォト・
レジストにはポ “ジ型フォト・レジストを用いた。配
向膜２９の膜厚は１５００八程度、フォト・レジストの
膜厚は１８ｏ〇八程度である。第６図すはフォト・レジ
スト表面に三光束干渉縞によるグレーティングを１１
宝 生せしめ、１８０秒から１９０秒程度露光をした後に現
像して水洗することによりフォト・レジストはグレーテ
ィングの凹凸を形成されることを示している。第６図Ｃ
は基板に対してイオン・ビームの進行方向が斜方向のイ
オン・ビーム照射によりフォト・レジストの凹部におけ
る底面で露出している配向膜の断面が鋸歯状に形成され
ることを示している。第６図ｄはイオン・ビーム照射後
にフォト・レジストをエツチング除去し乾燥した後の配
向膜の断面形状を示している。
鋸歯状である溝を形成する工程を示した配向膜およびフ
ォト・レジストの断面図である。第６図ａは配向膜２９
の上にフォト・レジスト２８を塗布した断面を示したも
のである。配向膜２ｅにはポリイミドを用い、フォト・
レジストにはポ “ジ型フォト・レジストを用いた。配
向膜２９の膜厚は１５００八程度、フォト・レジストの
膜厚は１８ｏ〇八程度である。第６図すはフォト・レジ
スト表面に三光束干渉縞によるグレーティングを１１
宝 生せしめ、１８０秒から１９０秒程度露光をした後に現
像して水洗することによりフォト・レジストはグレーテ
ィングの凹凸を形成されることを示している。第６図Ｃ
は基板に対してイオン・ビームの進行方向が斜方向のイ
オン・ビーム照射によりフォト・レジストの凹部におけ
る底面で露出している配向膜の断面が鋸歯状に形成され
ることを示している。第６図ｄはイオン・ビーム照射後
にフォト・レジストをエツチング除去し乾燥した後の配
向膜の断面形状を示している。
第７図には配向膜表面に配列する液晶分子３０を円筒状
に模式的に示してあり、鋸歯状断面のスリットにより液
晶分子はなめらかな傾斜面を有するグレーティングの凹
凸の方向に平行に配列する。
に模式的に示してあり、鋸歯状断面のスリットにより液
晶分子はなめらかな傾斜面を有するグレーティングの凹
凸の方向に平行に配列する。
このような平行配列はツイスト・ネマティック型液晶表
示装置においてその表示に指向性をつけたり、液晶分子
の周期性のない配列等による表示の濃淡の部分的なむら
を防止したりする点で有効である。グレーティングのピ
ッチは液晶の配向度合を上げる上でより小さいことが望
ましいが、配向膜の表面が０．３）１ｍピッチ深さ１０
０八程度で良好々配向を示した。レーザ光源として１４
．Ｈｅ−Ｃｄレーザλ＝４４１６八を用いたが、より短
波長の紫外レーザを用いたり、三光束の入射角度条件を
変えることによりより小ピツチ化できる。
示装置においてその表示に指向性をつけたり、液晶分子
の周期性のない配列等による表示の濃淡の部分的なむら
を防止したりする点で有効である。グレーティングのピ
ッチは液晶の配向度合を上げる上でより小さいことが望
ましいが、配向膜の表面が０．３）１ｍピッチ深さ１０
０八程度で良好々配向を示した。レーザ光源として１４
．Ｈｅ−Ｃｄレーザλ＝４４１６八を用いたが、より短
波長の紫外レーザを用いたり、三光束の入射角度条件を
変えることによりより小ピツチ化できる。
第８図には、配向膜２９の上にフォト・レジスト２８が
塗布された後にレーザ光の三光束干渉縞の照射によりフ
ォト・レジスト表面に干渉縞を生じ、かつフォト・レカ
トが現像によりグレーティング状の凹凸に加工された状
態で基板に対してイオン・ビームの進行方向が斜方向の
イオン・ビーム照射をした場合の配向膜とフォト・レジ
スト２８の断面を示している。フォト・レジスト２８の
表面は現像によりむらが生じ、イオン・ビーム照射にお
いて、基板に対してイオン・ビームの進行方向が垂直方
向の場合や、イオン・ビーム照射による配向膜の加工量
が少ない場合には、むらにより生じる第２の凹凸はなく
、得られた傾斜面はなめらかであるが、基板に対して斜
方向のイオン・ビーム照射により配向膜の加工量が多い
場合には、１３ベノ 第１の凹凸の傾斜面にフォト・レジスト表面のむらによ
り生じ、かつ傾斜面に周期性のある第２の凹凸３１が形
成される。
塗布された後にレーザ光の三光束干渉縞の照射によりフ
ォト・レジスト表面に干渉縞を生じ、かつフォト・レカ
トが現像によりグレーティング状の凹凸に加工された状
態で基板に対してイオン・ビームの進行方向が斜方向の
イオン・ビーム照射をした場合の配向膜とフォト・レジ
スト２８の断面を示している。フォト・レジスト２８の
表面は現像によりむらが生じ、イオン・ビーム照射にお
いて、基板に対してイオン・ビームの進行方向が垂直方
向の場合や、イオン・ビーム照射による配向膜の加工量
が少ない場合には、むらにより生じる第２の凹凸はなく
、得られた傾斜面はなめらかであるが、基板に対して斜
方向のイオン・ビーム照射により配向膜の加工量が多い
場合には、１３ベノ 第１の凹凸の傾斜面にフォト・レジスト表面のむらによ
り生じ、かつ傾斜面に周期性のある第２の凹凸３１が形
成される。
第９図には配向膜表面に配列する液晶分子３０を円筒状
に模式的に示してあり、液晶分子３０ｕ上記により形成
された第２の凹凸３１に配列する。
に模式的に示してあり、液晶分子３０ｕ上記により形成
された第２の凹凸３１に配列する。
このような平行配列はツイスト・ネマティック型液晶表
示装置においてその表示に指向性をつけたり、逆ティル
ト等による表示の濃淡の部分的なむらを防止したりする
点で有効である。
示装置においてその表示に指向性をつけたり、逆ティル
ト等による表示の濃淡の部分的なむらを防止したりする
点で有効である。
ここで、パネルのコントラスト比と配向膜表面の凹凸の
ピンチの関係を第１０図に示す。配向膜表面の凹凸のピ
ッチが細かくなると本発明の配向処理を施したパネルの
コントラスト比はラビング等の配向処理を施したパネル
のコントラスト比に対して優位になる傾向が認められた
。３２は本発明による配向処理を施されたパネルのコン
トラスト曲線、３３はラビングによる配向処理を施され
たパネルのコントラスト曲線である。したがって、コン
トラストの点で本発明の配向処理の性能がう１４ベ ノ ピング等の従来の方法に比較して著しい効果を有するこ
とがわかった。
ピンチの関係を第１０図に示す。配向膜表面の凹凸のピ
ッチが細かくなると本発明の配向処理を施したパネルの
コントラスト比はラビング等の配向処理を施したパネル
のコントラスト比に対して優位になる傾向が認められた
。３２は本発明による配向処理を施されたパネルのコン
トラスト曲線、３３はラビングによる配向処理を施され
たパネルのコントラスト曲線である。したがって、コン
トラストの点で本発明の配向処理の性能がう１４ベ ノ ピング等の従来の方法に比較して著しい効果を有するこ
とがわかった。
発明の効果
以上のように本発明によれば次の効果を得ることができ
る。
る。
（１）従来機械的々表面のこすりによっていた場□合に
問題であった表面の各種欠陥、異常スクラッチが生じな
い。
問題であった表面の各種欠陥、異常スクラッチが生じな
い。
（２）配向の巨視的、微視的むらの少なく均質な配向品
質が得られる。
質が得られる。
（３）表示品質の優れた液晶表示装置が得られる。
（４）従来の斜蒸着による配向処理に比べて真空装置を
用いたプロセスが必要とされない。
用いたプロセスが必要とされない。
（６）比較的安定に大量の処理を行なうことができる０
第１図は液晶表示装置の断面図、第２図は同装置のＴＰ
Ｔ素子部および画素部の断面図、第３図は本発明に用い
るレーザ光の三光束干渉縞の照射装置の原理図、第４図
はフォト・レジスト表面の１５ペ ノ 光強度分布およびフォト・レジストのグレーティング状
の凹凸を示す説明図、第５図ａ、ｂ、ｃ。 ｄは配向膜表面の断面形状が矩形状である凹凸を形成す
る工程を示した配向膜およびフォト・レジストの断面図
、第６図ａ 、ｂ 、ｃ 、ｄは配向膜表面の断面形状
が鋸歯状である凹凸を形成する工程を示した配向膜およ
びフメト・レジストの断面図、第７図はグレーティング
状の凹凸の断面を鋸歯状に形成した配向膜表面の模式図
、第８図はグレーティング状の凹凸の断面を鋸歯状に形
成した配向膜とその上に塗布されたフォト・レジストの
模式図、第９図にグレーティング状の第１の凹凸の断面
を鋸歯状に形′成し、かつ傾斜面に第２の凹凸を形成し
た配向膜表面の模式図、第１０図はパネルのコントラス
ト比と配向膜表面の凹凸のピッチの関係図である。 １・・・・・・透明電極、２・・・・・・配向膜、３・
・・・・・前面ガラス板、４・・・・・・ＴＦＴ素子部
、６・・・・・・画素部、６・・・・・・配向膜、７・
・・・・・液晶表示用基板、８・・・・・・シール剤、
９・・・・・・液晶、１ｏ・・・・・・スペーサ、１１
・・・・・・偏光板（前面ガラス上面）、１２・・・・
・・偏光板（液晶表示用基板上面）、１３・・・・ エ
レクトロルミネセント、１４・・・・・・レーザ光源、
１６・・・・・・反射鏡、１６ ・・・反射鏡、１７・
・・・・集光レンズ、１８・・・・ピンホール、１９・
・・・・・コリメータレンズ、２０・・・・・・反射鏡
、２１・・・・・・ビーム・スプリッタ、２２・・・・
・反射鏡、２３・・・・反射鏡、２４・・・・・・電極
基板、２５・・・・・配向膜、２６・・・・・・フォト
・レジスト、２７・・・・・フォト・レジストに形成さ
れるグレーティング状の凹凸、２８・・・・・・フォト
・レジスト、２９・・・・・配向膜、３ｏ・・・・・・
液晶分子、３１・・・・・・フォト・レジスト表面のむ
らにより形成された第２の凹凸。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名図 ｃ３ 、ｔ５ Ｑ″′ｃ３
Ｔ素子部および画素部の断面図、第３図は本発明に用い
るレーザ光の三光束干渉縞の照射装置の原理図、第４図
はフォト・レジスト表面の１５ペ ノ 光強度分布およびフォト・レジストのグレーティング状
の凹凸を示す説明図、第５図ａ、ｂ、ｃ。 ｄは配向膜表面の断面形状が矩形状である凹凸を形成す
る工程を示した配向膜およびフォト・レジストの断面図
、第６図ａ 、ｂ 、ｃ 、ｄは配向膜表面の断面形状
が鋸歯状である凹凸を形成する工程を示した配向膜およ
びフメト・レジストの断面図、第７図はグレーティング
状の凹凸の断面を鋸歯状に形成した配向膜表面の模式図
、第８図はグレーティング状の凹凸の断面を鋸歯状に形
成した配向膜とその上に塗布されたフォト・レジストの
模式図、第９図にグレーティング状の第１の凹凸の断面
を鋸歯状に形′成し、かつ傾斜面に第２の凹凸を形成し
た配向膜表面の模式図、第１０図はパネルのコントラス
ト比と配向膜表面の凹凸のピッチの関係図である。 １・・・・・・透明電極、２・・・・・・配向膜、３・
・・・・・前面ガラス板、４・・・・・・ＴＦＴ素子部
、６・・・・・・画素部、６・・・・・・配向膜、７・
・・・・・液晶表示用基板、８・・・・・・シール剤、
９・・・・・・液晶、１ｏ・・・・・・スペーサ、１１
・・・・・・偏光板（前面ガラス上面）、１２・・・・
・・偏光板（液晶表示用基板上面）、１３・・・・ エ
レクトロルミネセント、１４・・・・・・レーザ光源、
１６・・・・・・反射鏡、１６ ・・・反射鏡、１７・
・・・・集光レンズ、１８・・・・ピンホール、１９・
・・・・・コリメータレンズ、２０・・・・・・反射鏡
、２１・・・・・・ビーム・スプリッタ、２２・・・・
・反射鏡、２３・・・・反射鏡、２４・・・・・・電極
基板、２５・・・・・配向膜、２６・・・・・・フォト
・レジスト、２７・・・・・フォト・レジストに形成さ
れるグレーティング状の凹凸、２８・・・・・・フォト
・レジスト、２９・・・・・配向膜、３ｏ・・・・・・
液晶分子、３１・・・・・・フォト・レジスト表面のむ
らにより形成された第２の凹凸。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名図 ｃ３ 、ｔ５ Ｑ″′ｃ３
Claims (4)
- （１）一対の電極基板間に配向膜を介して液晶を充填し
、前記配向膜の表面のグレーティング状の凹凸をほぼ一
定の周期としかつその断面を矩形状または鋸歯状に形成
する構成とした液晶表示装置。 - （２）液晶分子が配向膜のグレーティング状の凹凸に対
して平行な方向に配列する構成とした特許請求の範囲第
１項記載の液晶表示装置。 - （３）液晶分子が、配向膜のグレーティング状の第１の
凹凸に対して垂直な方向に形成された第２の凹凸に対し
て平行な方向に配列する構成とした特許請求の範囲第１
項記載の液晶表示装置。 - （４）一対の電極基板間に配向膜を介して液晶を充填し
てなる液晶表示装置の製造方法に際し、配向膜の上にフ
ォト・レジストが塗布された二層構造を形成する工程と
、レーザ光の三光束干渉２ページ 縞の照射により前記フォト・レジスト表面に干渉縞を形
成し、かつ前記フォト・レジストが現像によりグレーテ
ィング状の凹凸に加工される工程と、前記基板に対して
イオン・ビームの進行方向が垂直方向あるいは斜方向の
イオン・ビーム照射により配向膜表面の断面が矩形状ま
たは鋸歯状の溝に加工される工程と、エツチングにより
前記レジストが除去される工程を構成とした液晶表示装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59074026A JPS60217340A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59074026A JPS60217340A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60217340A true JPS60217340A (ja) | 1985-10-30 |
Family
ID=13535201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59074026A Pending JPS60217340A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60217340A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0497226A (ja) * | 1990-08-10 | 1992-03-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 液晶表示装置 |
| US6362863B1 (en) | 1998-09-18 | 2002-03-26 | Fujitsu Limited | Liquid crystal display device with saw-tooth alignment control layer |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5692520A (en) * | 1979-12-27 | 1981-07-27 | Casio Comput Co Ltd | Liquid crystal display device |
| JPS56130718A (en) * | 1980-03-18 | 1981-10-13 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Liquid-crystal display device and its manufacture |
-
1984
- 1984-04-13 JP JP59074026A patent/JPS60217340A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5692520A (en) * | 1979-12-27 | 1981-07-27 | Casio Comput Co Ltd | Liquid crystal display device |
| JPS56130718A (en) * | 1980-03-18 | 1981-10-13 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Liquid-crystal display device and its manufacture |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0497226A (ja) * | 1990-08-10 | 1992-03-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 液晶表示装置 |
| US6362863B1 (en) | 1998-09-18 | 2002-03-26 | Fujitsu Limited | Liquid crystal display device with saw-tooth alignment control layer |
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