JP2002023176A - 液晶注入装置及び液晶注入方法 - Google Patents

液晶注入装置及び液晶注入方法

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JP2002023176A
JP2002023176A JP2000203729A JP2000203729A JP2002023176A JP 2002023176 A JP2002023176 A JP 2002023176A JP 2000203729 A JP2000203729 A JP 2000203729A JP 2000203729 A JP2000203729 A JP 2000203729A JP 2002023176 A JP2002023176 A JP 2002023176A
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Koji Yamazaki
康二 山崎
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 液晶注入工程における液晶滴下時の泡立ちを
防止し、気泡の混入及び真空チャンバ内の汚染を防止す
る。 【解決手段】 脱泡後の液晶71は気体に触れることな
く液晶容器90内に充填される。これにより、液晶容器
90内の液晶71にはガス成分は殆ど含まれていない。
真空チャンバ101内を真空状態にした後、外容器72
にガスを給気して、液晶容器90を変形させ、液晶容器
90内の液晶を排出させる。ノズル76から滴下された
液晶77は、液晶注入口78から液晶装置92のセル内
に注入される。液晶の排出に際して、液晶容器90内の
液晶71が気体にさらされることがないので、滴下され
た液晶71に含まれるガス成分は極めて少なく、滴下時
に泡立ちが生じることを防止することができ、セル内へ
の気泡の混入及び真空チャンバ内の汚染を防止すること
ができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶を液晶装置内
に注入する液晶注入装置及び液晶注入方法に関する。
【0002】
【従来の技術】液晶ライトバルブ等の液晶装置は、ガラ
ス基板、石英基板等の2枚の基板間に液晶を封入して構
成される。液晶ライトバルブでは、一方の基板に、例え
ば薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor、以下、T
FTと称す)をマトリクス状に配置し、他方の基板に対
向電極を配置して、両基板間に封止した液晶層の光学特
性を画像信号に応じて変化させることで、画像表示を可
能にする。
【0003】TFTを配置したTFT基板と、TFT基
板に対向配置される対向基板とは、別々に製造される。
両基板は、パネル組み立て工程において高精度に貼り合
わされた後、液晶が封入される。
【0004】即ち、各基板工程において夫々製造された
TFT基板と対向基板とは、パネル組み立て工程におい
て、先ず対向する面に配向膜が形成され、ラビング処理
が施される。次に、一方の基板上の表示領域外に接着剤
となるシール部が形成される。TFT基板と対向基板と
をシール部を用いて貼り合わせ、アライメントを施しな
がら圧着硬化させる。シール部の一部には液晶注入口を
成す切り欠きが設けられており、この切り欠きを介して
液晶を封入する。
【0005】図8はこのような液晶封入に用いられる従
来の液晶注入装置を示す説明図である。
【0006】図示しないシール部によって接着されたT
FT基板及び対向基板からなる液晶パネル2は、真空チ
ャンバ101内に配置される。一方、真空チャンバ10
1外の容器103には液晶104が充填されている。先
ず、真空チャンバ101内に液晶パネル102を配置し
た後排気して、真空チャンバ101内を真空状態にす
る。これにより、TFT基板と対向基板との間隙(セル
内)も真空状態となる。
【0007】容器103内の液晶104を表面からN2
(窒素)ガスのガス圧によって加圧することにより、容
器103内の液晶104を、ノズル105を介して真空
チャンバ101内に導く。液晶104は、真空チャンバ
101内ではTFT基板と対向基板とを接着しているシ
ール部の切り欠き部分を塞ぐように滴下される。
【0008】次に、真空チャンバ101内に給気して大
気圧に戻すことで、差圧を利用して、切り欠き部分から
液晶104をセル内に注入する。液晶104の封入が終
了すると、切り欠き部分を接着剤によって封止する。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】ところで、液晶注入工
程では、2枚の基板で挟まれた数ミクロンの間隔(セル
内)に液晶を均一に封入する必要がある。このため、上
述したように、真空状態のチャンバ内に液晶パネルを配
置し、真空チャンバ外の容器から液晶を真空チャンバ内
に滴下した後にチャンバ内に給気することで、液晶が基
板間に均一に封入されるようにしている。
【0010】しかしながら、容器内の液晶中には、ガス
成分が含まれることがある。しかも、ガス圧で加圧する
ことで液晶を真空チャンバ内に送り込んでいることか
ら、液晶中のガス成分の混入量が比較的多くなりやす
い。ガス成分を含む液晶が真空チャンバ内で滴下される
と、液晶に含まれるガス成分は泡となって気化する。気
泡のサイズが小さい場合には、気泡も液晶と共に液晶パ
ネル内(セル内)に封入されてしまう。そうすると、気
泡部分において表示不良等が生じるという問題があっ
た。特に拡大投影される液晶パネルを用いたプロジェク
ターではその表示不良の影響が大きい。
【0011】また、ガス成分の気化によって、液晶の真
空チャンバ内への滴下時に泡立ちが生じる。そして、泡
の破裂時に、液晶が飛散して、真空チャンバ内を汚染し
てしまうことがある。このような真空チャンバ内の汚染
によって、液晶装置の製造歩留まりが低下してしまうと
いう問題点もあった。
【0012】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、真空チャンバ内への液晶の送出に際して液
晶中にガス成分が混入しないようにすることにより、液
晶パネル内に気泡が生じることを防止することができる
液晶注入装置及び液晶注入方法を提供することを目的と
する。
【0013】また、本発明は、真空チャンバ内への液晶
の送出に際して液晶中にガス成分が混入しないようにす
ることにより、液晶チャンバ内の汚染を防止することが
できる液晶注入装置及び液晶注入方法を提供することを
目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明に係る液晶注入装
置は、脱泡後の液晶が液晶充填手段によって気体に触れ
ることなく充填される液晶容器と、前記液晶容器の内容
積を変化させる内容積変化手段と、チャンバ内に収納さ
れた液晶装置のセル内及びその周辺を真空雰囲気下とす
る真空引き手段と、前記真空引き手段によって真空とさ
れた前記液晶装置の液晶注入口近傍に前記液晶容器から
供給された液晶を滴下して前記液晶によって前記液晶注
入口を閉塞する液晶供給手段とを具備したことを特徴と
する。
【0015】本発明において、液晶容器には脱泡後の液
晶が液晶充填手段によって気体に触れることなく充填さ
れる。真空引き手段によって液晶装置のセル内及び少な
くもと液晶注入口近傍が真空にされる。内容積変化手段
は、液晶容器の内容積を変化させ、液晶供給手段は、液
晶容器から排出される液晶を液晶注入口近傍に滴下す
る。この状態で、例えば、液晶注入口近傍を大気圧に戻
すことで、液晶が液晶装置のセル内に注入される。液晶
容器には、液晶充填手段によって、気体に触れることな
く液晶が充填されており、また、液晶容器に充填された
液晶は、液晶容器の内容積を変化させることによって排
出されることから、脱泡後の液晶にガス成分が混入する
ことを防止することができる。これにより、液晶滴下時
に泡立ちが発生することを防止することができ、泡立ち
の発生によって、気泡成分が液晶装置のセル内に封入さ
れてしまうこと、及び、真空雰囲気の状態を作り出す真
空引き手段、例えば、真空チャンバ等が汚染されて、製
造歩留まりが低下することを防止することができる。
【0016】また、本発明は、前記液晶充填手段が、真
空雰囲気下において、前記脱泡後の液晶を前記液晶容器
内に充填することを特徴とする。
【0017】このような構成によれば、液晶が気体に全
く触れることなく、液晶容器内に液晶を充填することが
できる。
【0018】また、本発明は、前記液晶充填手段が、前
記真空引き手段による真空雰囲気下の真空度よりも高い
真空度の真空雰囲気下で、前記脱泡後の液晶を前記液晶
容器内に充填することを特徴とする。
【0019】このような構成によれば、液晶充填手段
が、真空引き手段による真空雰囲気下の真空度よりも高
い真空度の真空雰囲気下で、脱泡後の液晶を液晶容器内
に充填しているので、液晶の確実な脱泡が行われ、液晶
の滴下時にガス成分による泡立ちが発生することを防止
することができる。
【0020】また、本発明は、液晶充填手段が、前記脱
泡後の液晶中に前記液晶容器を潜入させることによっ
て、前記液晶容器内に液晶を充填させることを特徴とす
る。
【0021】このような構成によれば、液晶が気体に全
く触れることなく、液晶容器内に液晶を充填することが
できる。
【0022】また、本発明は、前記液晶充填手段が、大
気圧よりも低い気圧下において、前記脱泡後の液晶を前
記液晶容器内に充填して、前記液晶容器内では液晶を気
体に触れないようにすることを特徴とする。
【0023】このような構成によれば、十分に脱泡され
た液晶が容器内に充填され、液晶の排出時までに、容器
中の液晶にガス成分が混入することはない。
【0024】また、本発明は、前記液晶容器が、フレキ
シブルパックであり、前記内容積変化手段は、前記フレ
キシブルパックを変形させる物理的な手段を具備したこ
とを特徴とする。
【0025】このような構成によれば、物理的な手段に
よってフレキシブルパックを変形させることによって、
液晶容器内の液晶を気体に触れさせることなく、液晶を
排出させることができる。
【0026】また、本発明は、前記内容積変化手段が、
前記フレキシブルパックが収納される剛性の外容器を有
し、前記外容器にガスを吸入することによるガス圧によ
って前記フレキシブルパックを変形させることを特徴と
する。
【0027】このような構成によれば、液晶容器内の液
晶を気体に触れさせることなく、液晶を排出させること
ができる。
【0028】また、本発明は、脱泡後の液晶を気体に触
れることなく液晶容器内に充填する手順と、チャンバ内
に収納された液晶装置のセル内及びその周辺を真空雰囲
気下とする手順と、前記液晶容器の内容積を変化させる
手順と、真空とされた前記液晶装置の液晶注入口近傍に
前記液晶容器の内容積の変化によって前記液晶容器から
排出された液晶を滴下して前記液晶によって前記液晶注
入口を閉塞する液晶供給手順と、前記チャンバ内の真空
状態を解除することにより前記液晶注入口近傍に滴下さ
れた液晶を前記液晶装置のセル内に注入する手順とを具
備したことを特徴とする。
【0029】このような構成によれば、脱泡後の液晶は
気体に触れることなく液晶容器内に充填される。これに
より、液晶容器内の液晶に含まれるガス成分は極めて少
ない。液晶装置のセル内及びその周辺が真空雰囲気下と
された後、液晶容器の内容積を変化させることにより、
液晶容器内の液晶を排出させる。液晶容器の内容積を変
化させて液晶を排出していることから、液晶排出の過程
でガス成分が混入することはない。次に、真空とされた
液晶装置の液晶注入口近傍に、液晶容器から排出された
液晶を滴下する。次いで、液晶装置の周辺を加圧するこ
とにより液晶注入口近傍に滴下された液晶を液晶装置の
セル内に注入する。液晶の脱泡工程以降、液晶の注入工
程までの間、液晶にガス成分が混入することはなく、液
晶滴下時の泡立ちによる気泡の混入及び装置の汚染等を
防止することができる。
【0030】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について詳細に説明する。図1は本発明に係る
液晶注入装置の一実施の形態を示す説明図である。図2
は液晶装置の画素領域を構成する複数の画素における各
種素子、配線等の等価回路である。図3はTFT基板等
の素子基板をその上に形成された各構成要素と共に対向
基板側から見た平面図であり、図4は素子基板と対向基
板とを貼り合わせて液晶を封入する組み立て工程終了後
の液晶装置を、図3のH−H’線の位置で切断して示す
断面図である。また、図5は液晶装置を詳細に示す断面
図である。
【0031】本実施の形態は液晶注入を行う液晶装置と
してTFT基板等の素子基板を用いた液晶表示装置を採
用した例について説明する。本実施の形態はフレキシブ
ルパック内に十分に脱泡した液晶を詰めて、フレキシブ
ルパックを変形させることで真空チャンバ内に液晶を供
給するようにしたものである。
【0032】先ず、図2乃至図5を参照して、液晶装置
について説明する。
【0033】図2に示すように、画素領域においては、
複数本の走査線3aと複数本のデータ線6aが交差する
ように配線し、走査線3aとデータ線6aで区画された
領域に画素電極9aがマトリクス状に配置される。そし
て、走査線3aとデータ線6aの各交差部分にTFT3
0が設けられ、このTFT30に液晶容量をなす画素電
極9aが接続される。これにより、データ線6aに供給
される画像信号は、走査線3aのON信号に基づいて画
素電極9aに供給される。また、画素電極9aと並列に
蓄積容量70が設けられ、例えば画素電極9aの電圧
は、蓄積容量70によりソース電圧が印加された時間よ
りも3桁も長い時間だけ保持される。これにより、保持
特性はさらに改善され、コントラスト比の高い画像表示
が可能となる。
【0034】図5は、一つの画素に着目した液晶装置の
概略断面図である。
【0035】ガラスや石英等の素子基板10には、TF
T30が設けられている。TFT30は、チャネル領域
1a、ソース領域1d、ドレイン領域1eが形成された
半導体層に絶縁薄膜2を介してゲート電極をなす走査線
3aが設けられてなる。TFT30上には第1層間絶縁
膜4を介してデータ線6aが積層され、コンタクトホー
ル5を介してソース領域1aに電気的に接続される。デ
ータ線6a上には第2層間絶縁膜7を介して画素電極9
aが積層され、コンタクトホール8を介してドレイン領
域1eに電気的に接続される。また、半導体層にはドレ
イン領域1eから延びる蓄積容量電極1fが形成されて
いる。蓄積容量電極1fは、誘電体膜である絶縁薄膜2
を介して容量線3bが対向配置され、これにより蓄積容
量70を構成している。画素電極9a上にはポリイミド
系の高分子樹脂からなる配向膜16が積層され、所定の
方向にラビング処理されている。
【0036】一方、対向基板20には、TFTアレイ基
板のデータ線6a、走査線3a及びTFT30の形成領
域に対向する領域、即ち各画素の非表示領域において第
1遮光膜23が設けられている。この第1遮光膜23に
よって、対向基板20側からの入射光がTFT30のチ
ャネル領域1a、ソース領域領域1d及びドレイン領域
1eに入射することが防止される。第1遮光膜23上
に、対向電極(共通電極)21が基板20全面に亘って
形成されている。対向電極21上にポリイミド系の高分
子樹脂からなる配向膜22が積層され、所定の方向にラ
ビング処理されている。
【0037】そして、素子基板10と対向基板20との
間に液晶層50が封入されている。これにより、TFT
30は所定のタイミングでデータ線6aから供給される
画像信号を画層電極9aに書き込む。書き込まれた画素
電極9aと対向電極21との電位差に応じて液晶の分子
集合の配向や秩序が変化して、光を変調し、階調表示を
可能にする。
【0038】図3および図4に示すように、対向基板2
1には表示領域を区画する額縁としての第2遮光膜42
が設けられている。第2遮光膜42は例えば第1遮光膜
23と同一又は異なる遮光性材料によって形成されてい
る。
【0039】第2遮光膜42の外側の領域に液晶を封入
するシール材41が、素子基板10と対向基板20間に
形成されている。シール材41は対向基板41の輪郭形
状に略一致するように配置され、素子基板10と対向基
板20を相互に固着する。シール材41は、素子基板1
0の1辺の中央の一部において欠落しており、貼り合わ
された素子基板10及び対向基板20相互の間隙(以
下、セル内と称する)に液晶を注入するための液晶注入
口78を形成する。液晶注入口78より液晶が注入され
た後、封止材89で封止される。
【0040】素子基板10のシール材41の外側の領域
には、データ線駆動回路61及び実装端子62が素子基
板10の一辺に沿って設けられており、この一辺に隣接
する2辺に沿って、走査線駆動回路63が設けられてい
る。素子基板10の残る一辺には、画面表示領域の両側
に設けられた走査線駆動回路63間を接続するための複
数の配線64が設けられている。また、対向基板20の
コーナー部の少なくとも1箇所においては、素子基板1
0と対向基板20との間を電気的に導通させるための導
通材65が設けられている。
【0041】次に、本実施の形態の特徴となる、貼り合
わせ工程後の液晶装置に対して液晶を注入する注入装置
について説明する。
【0042】図1において、真空チャンバ101にはパ
イプ81が取り付けられており、パイプ81はバルブ8
2を介して真空引きポンプ83に接続されている。真空
引きポンプ83は、パイプ81及びバルブ82を介し
て、真空チャンバ1内の気体を排気させて、真空チャン
バ1内を真空状態にすることができるようになってい
る。バルブ82は真空引きポンプ83による真空チャン
バ101からの吸引を可能にし、真空チャンバ1内の真
空度を維持すると共に、開状態によって大気を真空チャ
ンバ101内に送気して真空状態を解除することができ
るようになっている。
【0043】真空チャンバ101内には図示しない支持
台が設けられており、この支持台上に、図4と同一構成
の張り合わせ工程後の液晶装置92が載置されるように
なっている。載置された液晶装置92の液晶注入口78
近傍には、ノズル76の先端が臨んでいる。ノズル76
は他端が真空チャンバ101外部に連通されてバルブ7
5に接続される。
【0044】バルブ75は閉状態で真空チャンバ101
内の真空度を維持し、開状態で他端に接続されたパイプ
74を介して供給される液晶をノズル76を介して真空
チャンバ101に供給するようになっている。
【0045】本実施の形態においては、パイプ74の他
端はパッキン79を介して液晶容器90内に挿通される
ようになっている。液晶容器90内には十分に脱泡され
た液晶71が気体にさらされることなく充填され、密封
されている。
【0046】液晶容器90は、液密及び気密に構成され
て密閉性を有すると共に、外部からの圧力等によって変
形自在(内容積が可変)であればよく、例えば、テフロ
ンパック等のフレキシブルパックが採用される。フレキ
シブルパックとしては液晶に対する耐性を有するものが
採用される。液晶容器90のパッキン79に設けた開孔
にはパイプ74が取り付けられており、液晶容器90内
外の気体及び液体は、パイプ74のみによって吸入又は
排出されるようになっている。
【0047】本実施の形態においては、例えば、液晶容
器90は、図示しない真空チャンバ内にて液晶が充填さ
れる。即ち、図示しない容器に充填した液晶及び液晶容
器90を図示しない真空チャンバ内に放置し、排気して
真空度を徐々に高める。これにより、真空排気したチャ
ンバ内の液晶を脱泡させる。十分に脱泡した液晶を、真
空チャンバ内において、真空雰囲気下で液晶容器90に
充填する。液晶が充填された液晶容器90をパッキン7
9で密閉する。
【0048】なお、液晶容器90への液晶充填時の真空
度は、真空チャンバ101における液晶注入時の真空度
よりも高く設定した方が好ましい。
【0049】こうして、液晶が充填された液晶容器90
を外容器72に入れて、パイプ74をパッキン79から
液晶容器90内に挿入する。外容器72は剛性を有し、
パイプ80を介して例えばN2ガス等の気体を吸入する
ことで、外容器内73の圧力を高くすることができるよ
うになっている。外容器72によって内容積変化手段が
構成される。
【0050】次に、このように構成された実施の形態の
作用について図6及び図7を参照して説明する。図6は
パネル組み立て工程を示すフローチャートであり、図7
は図6中の液晶封入・封止工程を具体的に示すフローチ
ャートである。
【0051】先ず、図6を参照してパネル組み立て工程
について説明する。TFT基板等の素子基板10と対向
基板20とは、別々に製造される。ステップS1 ,S6
で夫々用意された素子基板10及び対向基板20に対し
て、次のステップS2 ,S7では、配向膜16,22と
なるポリイミド(PI)を塗布する。次に、ステップS
3 ,S8 において、素子基板10表面の配向膜16及び
対向基板20表面の配向膜22に対して、ラビング処理
を施す。
【0052】次に、ステップS4 ,S9 において、素子
基板10,対向基板20表面に対して配向膜表面に付着
した異物除去工程を行う。異物除去工程が終了すると、
ステップS5 において、シール材41(図3参照)を形
成する。次いで、ステップS10で、素子基板10と対向
基板20とを貼り合わせ、ステップS11でアライメント
を施しながら圧着し、シール材41を硬化させる。最後
に、ステップS12において、シール材41の一部に設け
た切り欠きから液晶を封入し、切り欠きを塞いで液晶を
封止する。
【0053】図7に示すように、液晶封入・封止工程に
おいては、先ず、真空度が十分に高い真空雰囲気下の真
空チャンバ101内において、十分に脱泡された液晶を
液晶容器90内に充填する(ステップS21,S22)。液
晶が充填された液晶容器90にパッキン79を取り付け
て、液晶容器90を密閉する。
【0054】次に、ステップS23において、液晶容器9
0を外容器内73に入れ、パイプ74をパッキン79か
ら液晶容器90内に挿入する。この場合には、例えば、
液晶容器90を若干変形させることで、液晶容器90内
に気体が混入しないようにパイプ74を取り付け、更
に、パイプ74内に液晶が充満された状態でバルブ75
を閉状態にする。
【0055】次に、ステップS24でバルブ82にポンプ
83を選択させ、ポンプ83によって真空チャンバ10
1内を減圧する。真空チャンバ101内、液晶装置のセ
ル内及びノズル76の管内が真空状態となる。真空チャ
ンバ101内が所定の真空度に到達すると、バルブ82
によって真空チャンバ101内の真空状態を維持させ
る。
【0056】次に、ステップS25で液晶容器90を加圧
する。即ち、外容器72にパイプ80を介してN2ガス
等を送気して、外容器72内を加圧する。これにより、
液晶容器90の外表面に印加される圧力も高くなる。次
に、バルブ75を開状態にして、液晶容器90の変形に
よって排出された液晶71を、パイプ74及びノズル7
6を介して真空チャンバ101内に滴下する。
【0057】ノズル76の先端から滴下された液晶77
は、液晶装置92の液晶注入口78を塞ぐ。この状態
で、バルブ75を閉状態にし、バルブ82を開状態にし
て、大気を真空チャンバ101内に導入して、真空チャ
ンバ101内を大気圧に戻す(ベント)(ステップS2
7)。そうすると、液晶77は、液晶装置92のセル内
外の差圧によって、液晶注入口78からセル内に注入さ
れる(ステップS28)。
【0058】液晶注入が終了すると、最後に、ステップ
S29において、封止剤89を液晶注入口78に塗布し、
硬化させてセル内の液晶を封止する。
【0059】このように、本実施の形態においては、真
空チャンバ101内に滴下される液晶は、十分に脱泡さ
れ、大気にさらされることなく液晶容器90内に充填さ
れる。そして、液晶容器90を外部から変形させること
で、液晶容器90内の液晶を真空チャンバ101内に供
給するようになっており、脱泡処理後の液晶は気体に触
れることなく真空チャンバ101内に滴下される。従っ
て、真空チャンバ101内に滴下される液晶にガス成分
はほとんど混入しておらず、液晶の滴下時に泡立ちが生
じることはなく、滴下時の泡立ちによって発生した気泡
が液晶パネル内に封入されてしまうことはない。これに
より、液晶表示パネルの表示不良等の発生を防止するこ
とができる。
【0060】また、脱泡後の液晶を気体にさらすことな
く真空チャンバ101内に滴下しており、従来例のよう
に、液晶を直接ガスで加圧することにより液晶を真空チ
ャンバ101内に供給する場合と異なり、滴下される液
晶にガス成分が混入することはなく、液晶セル内に気泡
が生じることが防止される。
【0061】また、液晶の滴下時に泡立ちが生じないの
で、液晶滴下時に液晶成分が真空チャンバ101内に飛
散することを防止することができ、真空チャンバ101
内が汚染することを防ぐこともできる。これにより、液
晶装置の製造歩留まりを向上させることができる。
【0062】なお、本実施の形態においては、真空チャ
ンバ101内で液晶容器90に液晶を充填する例につい
て説明したが、例えば、液晶の脱泡処理後に、液晶中に
液晶容器90を潜入させることで、十分に脱泡された液
晶を気体にさらすことなく、液晶容器90内に充填して
密閉することも可能である。即ち、液晶容器90内に気
体が入らないように、十分に脱泡された液晶を封入すれ
ばよく、必ずしも真空チャンバ101内で液晶を充填す
る必要はない。
【0063】しかし、大気圧では液晶内にガス成分が混
入しやすく、更に、真空雰囲気下の液晶であっても、真
空度に応じたガス成分が混入しているものとすると、上
述したように、液晶容器90への液晶充填時の真空度
を、真空チャンバ1における液晶滴下時の真空度よりも
高く設定した方が好ましい。これにより、液晶容器90
内には確実に脱泡された液晶が充填されることになり、
滴下時の真空雰囲気下でガス成分による泡立ちが発生す
ることはない。
【0064】また、本実施の形態においては、液晶容器
90としてフレキシブルパックを用い、N2ガスによっ
て外部から加圧変形させて、液晶を真空チャンバ101
内に供給する例について説明したが、N2ガスでなくい
ずれの気体を用いてもよく、更に気体でなく、液体又は
固体によって液晶容器90に変形を加えてもよい。つま
り、液晶容器90の内容積を変化させることが可能であ
れば、いずれの方法でもよい。また、真空チャンバ10
1内に収容される液晶装置は、パレットなどの治具に複
数個配設し、同時に液晶を注入してもよい。
【0065】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、真
空チャンバ内への液晶の送出に際して液晶中にガス成分
が混入しないようにすることにより、液晶パネル内に気
泡が生じることを防止することができると共に、液晶チ
ャンバ内の汚染を防止することができるという効果を有
する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る液晶注入装置の一実施の形態を示
す説明図。
【図2】液晶装置の画素領域を構成する複数の画素にお
ける各種素子、配線等示す等価回路。
【図3】TFT基板等の素子基板をその上に形成された
各構成要素と共に対向基板側から見た平面図。
【図4】素子基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封
入する組み立て工程終了後の液晶装置を図3のH−H’
線の位置で切断して示す断面図。
【図5】液晶装置を詳細に示す断面図。
【図6】パネル組み立て工程を示すフローチャート。
【図7】図7中の液晶封入・封止工程を具体的に示すフ
ローチャート。
【図8】従来例を説明するための説明図。
【符号の説明】
101…真空チャンバ 71,77…液晶 72…外容器 75…バルブ 76…ノズル 78…液晶注入口 79…パッキン 83…真空引きポンプ 90…液晶容器 92…液晶装置

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 脱泡後の液晶が液晶充填手段によって気
    体に触れることなく充填される液晶容器と、 前記液晶容器の内容積を変化させる内容積変化手段と、 チャンバ内に収納された液晶装置のセル内及びその周辺
    を真空雰囲気下とする真空引き手段と、 前記真空引き手段によって真空とされた前記液晶装置の
    液晶注入口近傍に前記液晶容器から供給された液晶を滴
    下して前記液晶によって前記液晶注入口を閉塞する液晶
    供給手段とを具備したことを特徴とする液晶注入装置。
  2. 【請求項2】 前記液晶充填手段は、真空雰囲気下にお
    いて、前記脱泡後の液晶を前記液晶容器内に充填するこ
    とを特徴とする請求項1に記載の液晶注入装置。
  3. 【請求項3】 前記液晶充填手段は、前記真空引き手段
    による真空雰囲気下の真空度よりも高い真空度の真空雰
    囲気下で、前記脱泡後の液晶を前記液晶容器内に充填す
    ることを特徴とする請求項2に記載の液晶注入装置。
  4. 【請求項4】 前記液晶充填手段は、前記脱泡後の液晶
    中に前記液晶容器を潜入させることによって、前記液晶
    容器内に液晶を充填させることを特徴とする請求項1に
    記載の液晶注入装置。
  5. 【請求項5】 前記液晶充填手段は、大気圧よりも低い
    気圧下において、前記脱泡後の液晶を前記液晶容器内に
    充填して、前記液晶容器内では液晶を気体に触れないよ
    うにすることを特徴とする請求項1に記載の液晶注入装
    置。
  6. 【請求項6】 前記液晶容器は、フレキシブルパックで
    あり、 前記内容積変化手段は、前記フレキシブルパックを変形
    させる物理的な手段を具備したことを特徴とする請求項
    1に記載の液晶注入装置。
  7. 【請求項7】 前記内容積変化手段は、前記フレキシブ
    ルパックが収納される剛性の外容器を有し、前記外容器
    にガスを吸入することによるガス圧によって前記フレキ
    シブルパックを変形させることを特徴とする請求項6に
    記載の液晶注入装置。
  8. 【請求項8】 脱泡後の液晶を気体に触れることなく液
    晶容器内に充填する手順と、 チャンバ内に収納された液晶装置のセル内及びその周辺
    を真空雰囲気下とする手順と、 前記液晶容器の内容積を変化させる手順と、 真空とされた前記液晶装置の液晶注入口近傍に前記液晶
    容器の内容積の変化によって前記液晶容器から排出され
    た液晶を滴下して前記液晶によって前記液晶注入口を閉
    塞する液晶供給手順と、 前記チャンバ内の真空状態を解除することにより前記液
    晶注入口近傍に滴下された液晶を前記液晶装置のセル内
    に注入する手順とを具備したことを特徴とする液晶注入
    方法。
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