JP2008083327A - 液晶装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】液晶封入領域への不純物の混入を防止し液晶装置の信頼性を向上させることが可能な液晶装置の製造方法を提供するを目的とする。
【解決手段】真空雰囲気下において、一部に開口部を有する枠状のシール材を介して貼り合わされた一対の基板間に、前記開口部近傍に液晶を滴下し該液晶を毛細管現象により前記一対の基板間に所定量だけ注入し、前記一対の基板の少なくとも一方を押圧又は引張することにより前記液晶層の厚さを所定の値に調整し、前記開口部を封止することにより、液晶封入領域内に水分やガス等の不純物が混入することを防止する。
【選択図】図５

Description

本発明は、液晶装置の製造方法に関し、特に枠状のシール材を介して貼り合わされた一対の基板間に液晶が充填されてなる液晶装置の製造方法に関する。

一般に液晶装置は、ガラス基板等の一対の基板間に液晶を挟持して構成される。液晶装置においては、一対の基板は枠状のシール材により貼り合わされており、該一対の基板間であり枠状のシール材の内側の領域（液晶封入領域）に、液晶が封入されることで液晶層が形成されている。液晶を液晶封入領域内に封入する方法として、シール材の周方向の一部を切り欠くことにより形成された開口部である注入口から液晶を注入し、その後封止材（封止樹脂）により注入口を封止する方法が知られている。液晶を注入口から注入する方法として、例えば、特開２０００−２９０５２号公報に、真空雰囲気下において注入口を液晶に接触させ、その後に真空雰囲気の圧力を上昇させることで、液晶封入領域と雰囲気との圧力差を利用して液晶を注入口から液晶封入領域内に注入する方法が開示されている。
特開２０００−２９０５２号公報

しかしながら、基板雰囲気の圧力を上昇させるために窒素等のガスをチャンバ内に導入する場合、ガスや、ガスに含まれる水分が注入前の液晶に触れてしまう。また、ガスや、ガスに含まれる水分が液晶封入領域内に不純物として混入してしまう。

このように、水分等の不純物が液晶封入領域内に混入してしまうと、例えば画像表示領域における表示ムラの原因となる等、液晶装置の品質及び信頼性を低下させてしまう。

本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、液晶封入領域への不純物の混入を防止し液晶装置の信頼性を向上させることが可能な液晶装置の製造方法を提供することを目的とする。

本発明の液晶装置の製造方法は一部に開口部を有する枠状のシール材を介して貼り合わされた一対の基板間に、前記開口部から液晶を所定量だけ注入して液晶層を形成する注入工程と、前記一対の基板の少なくとも一方を押圧又は引張することにより前記液晶層の厚さを所定の値に調整するギャップ調整工程と、前記開口部を封止する封止工程とを有し、前記注入工程、前記ギャップ調整工程及び前記封止工程は、同一圧力の真空雰囲気下において実施されることを特徴とする。

本発明のこのような構成によれば、毛細管現象により液晶を一対の基板間である液晶封入領域に注入することにより、注入を真空雰囲気下で実施することが可能となる。また、ギャップの調整及び封止まで真空雰囲気下で実施している。すなわち、従来の液晶封入領域と雰囲気との圧力差を利用して液晶を液晶封入領域内に注入する方法のように、雰囲気中にガスや水分が含まれることがない。したがって、注入前の液晶が雰囲気中のガスや水分に触れることがなく、また封止後の液晶封入領域内に水分やガス等の不純物が混入してしまうことがない。よって、液晶装置の信頼性を向上させ、より長期に亘って高い品質を維持することが可能となる。

また、本発明の液晶装置の製造方法は、一部に開口部を有する枠状のシール材を介して貼り合わされた一対の基板間に、前記開口部から液晶を所定量だけ注入して液晶層を形成する注入工程と、前記一対の基板の少なくとも一方を押圧又は引張することにより前記液晶層の厚さを所定の値に調整するギャップ調整工程と、前記開口部を封止する封止工程とを有し、前記注入工程は真空雰囲気下において実施され、前記ギャップ調整工程及び前記封止工程は、大気圧雰囲気下において実施されることを特徴とする。

本発明のこのような構成によれば、毛細管現象により液晶を一対の基板間である液晶封入領域に注入することにより、注入を真空雰囲気下で実施することが可能となる。したがって、注入前の液晶が雰囲気中のガスや水分に触れることがなく、また液晶封入領域内に水分やガス等の不純物が混入してしまうことがない。よって、液晶装置の信頼性を向上させ、より長期に亘って高い品質を維持することが可能となる。

（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態を図１から図７を参照して説明する。なお、以下の説明に用いた各図においては、各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせてある。

本実施形態の液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここで、図１はＴＦＴアレイ基板を、その上に構成された各構成要素と共に対向基板の側から見た液晶装置の平面図である。図２は、図１のＨ−Ｈ’断面図である。ここでは、液晶装置の一例として、駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の透過型液晶表示装置を例にとる。

液晶装置１００は、ガラスもしくは石英等からなるＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０を挟持してなり、液晶の配向状態を変化させることにより、画像表示領域１０ａに対向基板２０側から入射する光を変調しＴＦＴアレイ基板１０側から出射することで、画像表示領域１０ａにおいて画像を表示するものである。

図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置１００では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間でありシール材５２により囲まれた領域である液晶封入領域には、液晶が封入され液晶層５０が形成されている。シール材５２は、紫外線硬化型樹脂もしくは熱硬化型樹脂からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上又は対向基板２０上の少なくとも一方に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化されたものである。また、シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔を所定値とするためのグラスファイバあるいはガラスビーズ等のギャップ材が散らばって配設されている。

本実施形態の液晶装置１００では、シール材５２の１辺の一部を切り欠くことにより、液晶封入領域と液晶装置１００の外部領域とを連通する、開口部である液晶注入口１１０が形成されている。液晶注入口１１０から液晶封入領域内に液晶が注入され、その後封止材１１１により液晶注入口１１０が封止されることにより、液晶層５０が形成される。なお、液晶注入口１１０は、複数設けられるものであってもよい。

シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。なお、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。また、本実施形態においては、ＴＦＴアレイ基板１０の中心から見て、額縁遮光膜５３より以遠を周辺領域として規定する。

周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。また、走査線駆動回路１０４は、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２が設けられたＴＦＴアレイ基板１０の一辺に隣接する２辺に沿い、かつ額縁遮光膜５３に覆われるように設けられている。また、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺、すなわちデータ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２が設けられたＴＦＴアレイ基板１０の一辺に対向する辺に沿って設けられ、額縁遮光膜５３に覆われるように設けられた複数の配線１０５によって、二つの走査線駆動回路１０４は互いに接続されている。

また、対向基板２０の４つのコーナー部には、ＴＦＴアレイ基板１０との電気的接続を行う上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらの上下導通材１０６に対応する領域において上下導通端子が設けられている。上下導通材１０６と上下導通端子を介して、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な接続が行われる。

図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜１６が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３、更には最上層部分に配向膜２２が形成されている。配向膜１６及び２２は、ポリイミド等の有機膜にラビングを施すことにより形成された有機配向膜、もしくはＳｉＯ等の無機膜を斜方蒸着することにより形成された無機配向膜から構成される。

液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、一対の配向膜１６及び２２の間で、所定の配向状態をとる。液晶層５０の液晶の配向状態に応じて、対向基板２０側から入射しＴＦＴアレイ基板１０側から出射する光の偏光状態が変化する。

また、図示しないが対向基板２０の入射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の出射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮ（ツイステッドネマティック）モード、ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モード、Ｄ−ＳＴＮ（ダブル−ＳＴＮ）モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が所定の方向で配置されている。この一対の偏光板により液晶装置１００の画像表示領域１０ａを透過する光の透過率が液晶の配向状態に応じて変化するのである。

次に、液晶装置１００の組立て工程について説明する。図３はマザー基板の平面図である。図４は液晶装置の組立工程のフローチャートである。

本実施の形態においては、図３に示すような、マザー基板３５上に形成された各ＴＦＴアレイ基板が分断されることなく一体的に処理される、いわゆるアレイ製造が採用される。マザー基板３５上には複数のＴＦＴアレイ基板１０を構成する素子１０ｂが、組立て工程の前工程であるＴＦＴ基板工程において形成されている。

ステップＳ１においては、複数の素子１０ｂがアレイ状に形成されているマザー基板３５が投入される。一方、ステップＳ６では、各素子１０ｂに対応した対向基板２０が投入される。

ステップＳ１で用意されたマザー基板３５に対して、次のステップＳ２では、配向膜１６となるポリイミド（ＰＩ）を塗布する。次に、ステップＳ３において、マザー基板３５上のポリイミド膜配向膜（配向膜１６に相当）に対して、ラビング処理を施す。そして、ステップＳ４において洗浄を行う。ステップＳ４の洗浄工程は、ＴＦＴ基板のラビング処理によって生じた塵埃を除去するためのものである。洗浄工程が終了すると、ステップＳ５において、シール材５２、及び導通材１０６を形成する。シール材５２は、例えば、ディスペンス塗布によって形成され、一部に液晶注入口１１０となる開口部を有する枠状に形成される。なお、シール材５２は、スクリーン印刷法によって形成されてもよい。

一方、対向基板については、ステップＳ６で用意された対向基板２０に対して、次のステップＳ７では、配向膜２２となるポリイミド（ＰＩ）を塗布する。次に、ステップＳ８において、対向基板２０表面の配向膜（配向膜２２に相当）に対して、ラビング処理を施す。そして、ステップＳ９において、洗浄を行う。ステップＳ９の洗浄工程は、対向基板のラビング処理によって生じた塵埃を除去するためのものである。

次に、ステップＳ１０で、マザー基板３５の各素子１０ｂ上に、それぞれ位置決めしながら対向基板２０を貼り合わせ、ステップＳ１１でアライメントを施しながら圧着し、シール材５２を硬化させる。ステップ５、ステップＳ１０及びステップＳ１１は、貼り合わせ工程を構成するものである。

次に、シール材５２を硬化させることで形成された各液晶封入領域（空セル）内に、ステップＳ１２において、シール材５２の一部に設けた液晶注入口１１０から液晶を注入し、液晶注入口１１０を封止材１１１により塞いで液晶を封止する。

また、ステップＳ１２においては、詳しくは後述する方法により、液晶封入領域内に注入される液晶の量が制御され、液晶層５０の厚さ（セルギャップ）が所定の値となるように調整される。ステップＳ１２は、注入工程とギャップ調整工程と封止工程とを構成するものである。こうして、マザー基板３５上に複数の液晶パネルがアレイ状に形成されたアレイ基板が得られる。

次に、ステップＳ１３において、アレイ基板を分断することにより液晶装置１００の組立工程が完了するのである。

以下に、上述したステップＳ１２の注入封止工程における、液晶の注入、封止及びギャップ調整の方法について説明する。図５は、注入封止工程において使用される液晶注入封止装置の概略構成図である。図６は、セルギャップを調整する方法を説明する断面図である。図７は、注入封止工程のフローチャートである。

図５に示すように、液晶注入封止装置は、液晶注入装置２００とセルギャップ制御装置３００と封止装置４００とを具備して構成されている。液晶注入装置２００、セルギャップ制御装置３００及び封止装置４００は、それぞれ内部に気密に区画された空間を有する真空チャンバ２０１、３０１及び４０１を具備して構成されている。また、液晶注入装置２００、セルギャップ制御装置３００及び封止装置４００は、それぞれ制御装置５００に電気的に接続されており、各装置の動作は該制御装置５００により制御される。

本実施形態の注入封止工程においては、各真空チャンバ２０１、３０１及び４０１は真空ポンプ５０１にそれぞれ接続されており、各真空チャンバ２０１、３０１及び４０１の内部は、それぞれ略同一の真空度である圧力Ｐ１に維持されている。本実施形態では、圧力Ｐ１は、１Ｐａ以下とされる。

各真空チャンバ２０１、３０１及び４０１には、マザー基板３５を搬入及び搬出するための開口が設けられている。本実施形態の注入封止工程においては、マザー基板３５は図示しない搬送装置によって各装置間を搬送されるものであり、マザー基板３５は、液晶注入装置２００、セルギャップ制御装置３００、封止装置４００の順に搬送される。

各真空チャンバ２０１、３０１及び４０１は連設されており、注入封止工程においては、各真空チャンバ間を搬送されるマザー基板３５は、常に圧力Ｐ１の真空雰囲気下におかれる。

液晶注入装置２００は、真空チャンバ２０１内に液晶ディスペンサ２０２を具備しており、液晶ディスペンサ２０２によりマザー基板３５の各素子１０ｂの液晶注入口１１０の近傍に、所定の体積の液晶を滴下する装置である。

セルギャップ制御装置３００は、マザー基板３５が載置される基板ホルダ３２０と、バックライト装置３１１と、撮像装置３１０とを具備している。基板ホルダ３２０は、透光性を有する材料により形成されている。バックライト装置３１１は面状に一様な照明光を出射する光源装置であり、基板ホルダ３２０のマザー基板３５が載置される側とは反対側に配設されている。

撮像装置３１０は、ＣＣＤ等の撮像素子を有したカメラであり、基板ホルダ３２０のマザー基板３５が載置される側に配設されている。撮像装置３１０は、画像処理装置に電気的に接続されている。なお、真空チャンバ３０１に、透明な観察窓を設けることで、撮像装置３１０を真空チャンバ３０１外に配設してもよい。

また、図示しないが、バックライト装置３１１の出射側、及び撮像装置３１０の入射側には、それぞれ偏光板が配設されている。ここで、マザー基板３５を挟んで配設された一対の偏光板の偏光方向は固定されているため、バックライト装置３１１から出射されて、該偏光板とマザー基板３５の液晶層５０を透過し、撮像装置３１０へ到達する光の透過率は、液晶層５０の配向状態により決定される。

したがって、セルギャップ制御装置３００においては、バックライト装置３１１から出射される光の透過率を撮像装置３１０によって測定することにより、液晶層５０の厚さ、すなわちセルギャップを計測することができるのである。

また、基板ホルダ３２０の、マザー基板３５が載置される側の表面である基板支持面には、図６に示すように、複数の凹部である吸引溝３２３とギャップ調整溝３２１とが形成されている。

吸引溝３２３は、マザー基板３５が載置された状態において、平面的に見てマザー基板３５の各シール領域よりも外側となる領域のみに形成されている。吸引溝３２３は図示しない真空経路を介して真空ポンプ３２４に接続されている。マザー基板３５が載置された状態において、吸引溝３２３内は、真空ポンプ３２４により真空チャンバ３０１よりもより高い真空度とされる。すなわち、吸引溝３２３内の圧力Ｐ２は、圧力Ｐ１よりも低く設定され、これによりマザー基板３５は、基板ホルダ３２０上に吸着される。

また、ギャップ調整溝３２１は、マザー基板３５が載置された状態において、平面的に見てマザー基板３５の各シール領域よりも内側となる領域に形成されている。すなわち、ギャップ調整溝３２１は、液晶封入領域と重なる領域に形成されている。ギャップ調整溝３２１は、それぞれ図示しない圧力経路を介して可変圧力装置３２２に接続されている。

可変圧力装置３２２は、ギャップ調整溝３２１内の圧力ＰＶを、任意の値に変化させることが可能な装置であり、例えば吸引手段としての真空ポンプと加圧手段としてのガス供給ポンプとの組み合わせにより構成されている。可変圧力装置３２２は制御装置５００に電気的に接続されており、ギャップ調整溝３２１内の圧力ＰＶは、制御装置５００により決定される。

例えば、可変圧力装置３２２により、ギャップ調整溝３２１内の圧力ＰＶを、マザー基板３５の雰囲気の圧力Ｐ１よりも高くすれば、基板ホルダ３２０上に吸着された状態のマザー基板３５のシール領域内が、基板ホルダ３２０側から押圧されるように変形する。すなわちセルギャップｄが小さくなるように液晶封入領域を変形させることができる。

一方、可変圧力装置３２２により、ギャップ調整溝３２１内の圧力ＰＶを、マザー基板３５の雰囲気の圧力Ｐ１よりも低くすれば、基板ホルダ３２０上に吸着された状態のマザー基板３５のシール領域内が、基板ホルダ３２０側に引張されるように変形する。すなわちセルギャップｄが大きくなるように液晶封入領域を変形させることができる。

以上のような構成を有するセルギャップ制御装置３００は、撮像装置３１０によって測定されるセルギャップの値を制御装置５００にフィードバックして、ギャップ調整溝３２１内の圧力ＰＶを変化させることにより、セルギャップを目標の値となるように調整することが可能である。

封止装置４００は、真空チャンバ４０１内にディスペンサ４０２を具備しており、ディスペンサ４０２によりマザー基板３５の各素子１０ｂの液晶注入口１１０に、封止材１１１を塗布して硬化させることにより、液晶注入口１１０を封止する装置である。封止材１１１は、本実施形態では紫外線硬化型樹脂により構成されており、封止装置４００は、封止材１１１を硬化させるための図示しない紫外線照射装置を具備している。

上述の構成を有する液晶注入封止装置を用いて実施される、注入封止工程について以下に説明する。

まず、マザー基板３５を、液晶注入装置２００内に搬入した後に、真空ポンプ５０１を駆動することにより、真空チャンバ２０１、３０１及び４０１内を圧力Ｐ１とする（ステップＳ２１）。ここで、圧力Ｐ１は、上述のように１Ｐａ以下であり、対向基板２０がシール材５２を介して張り合わされたマザー基板３５は、真空雰囲気下におかれる。

次に、液晶ディスペンサ２０２によりマザー基板３５の各素子１０ｂの液晶注入口１１０の近傍に、所定の体積の液晶を滴下する（ステップＳ２２）。

次に、マザー基板３５の全ての素子１０ｂの液晶注入口１１０近傍に液晶を滴下した後に、所定の時間だけマザー基板３５を放置する。このときの真空チャンバ２０１内は圧力Ｐ１のままである。液晶注入口１１０近傍に滴下された液晶は、毛細管現象により液晶封入領域内に注入される（ステップＳ２３）。ここで、上述のマザー基板３５を放置する時間は、予め実験により定められた時間であり、毛細管現象により液晶が液晶封入領域内に行き渡りまで注入され、かつ液晶層５０の厚さであるセルギャップが所定の値以上となる時間である。液晶が注入された状態のマザー基板３５は、搬送装置によりセルギャップ制御装置３００に搬送される。

次に、セルギャップ制御装置３００により、マザー基板３５の各素子１０ｂのセルギャップが、目標値と一致するように調整される（ステップＳ２４）。上述のように真空チャンバ３０１内は圧力Ｐ１のまま一定であり、すなわち本実施形態では、ギャップ調整工程も真空雰囲気中において実施される。セルギャップが所定の値に調整されたマザー基板３５は、搬送装置により封止装置４００に搬送される。

次に、封止装置４００において、ディスペンサ４０２によりマザー基板３５の各素子１０ｂの液晶注入口１１０に、封止材１１１が塗布され、紫外線が照射されることにより封止材１１１が硬化され、液晶注入口１１０が封止される（ステップＳ２５）。ここで、真空チャンバ４０１内は圧力Ｐ１のまま一定であり、すなわち本実施形態では、封止工程も真空雰囲気中において実施される。

液晶注入口１１０を封止した後に、真空チャンバ４０１内は大気圧とされ、マザー基板３５は液晶注入封止装置から搬出される（ステップＳ２６）。
以上により、注入封止工程が終了する。

上述のように、本実施形態によれば、毛細管現象により液晶を液晶封入領域内に注入することにより、注入工程、ギャップ調整工程及び封止工程を全て真空雰囲気下で実施している。すなわち、本実施形態では、従来の液晶封入領域と雰囲気との圧力差を利用して液晶を液晶封入領域内に注入する方法のように、雰囲気中にガスや水分が含まれることがない。したがって、注入前の液晶が雰囲気中のガスや水分に触れることがなく、また封止後の液晶層５０内に水分やガス等の不純物が混入してしまうことがない。よって本実施形態の注入封止工程によれば、液晶装置の信頼性を向上させ、より長期に亘って高い品質を維持することが可能となるのである。

（第２の実施形態）
以下に、本発明の第２の実施形態に係る液晶装置の製造方法について、図８を参照して説明する。本実施形態の液晶装置の製造方法は、第１の実施形態に対して、工程の順序のみが異なる。よって、以下ではこの相違点のみを説明するものとし、また、第１の実施形態と同様の構成要素については同一の符号を付し、その説明を適宜に省略するものとする。図８は、第２の実施形態に係る注入封止工程を説明するフローチャートである。

第１の実施形態においては、注入工程、ギャップ調整工程及び封止工程を全て真空雰囲気下で実施しているものであるが、本実施形態においては、図８に示すように、注入工程のみを真空雰囲気下において実施するものである。

すなわち、真空雰囲気下においてマザー基板３５の液晶注入口１１０の近傍に、所定の体積の液晶を滴下し（ステップＳ３１、Ｓ３２）、毛細管現象によって液晶を液晶封入領域内に注入させる（ステップＳ３３）。次に、大気圧雰囲気下において、マザー基板３５の各液晶層５０のギャップの調整を実施し（ステップＳ３４、Ｓ３５）、封止材１１１により液晶注入口１１０を封止する。

本実施形態では、ギャップ調整工程において、液晶注入口１１０近傍の液晶が、ガスに触れてしまうが、それ以外の液晶、すなわち画像表示領域１０ａ内に位置する液晶は真空雰囲気中において注入されるためガスや水分に触れることはなく、また液晶層５０内に水分やガス等の不純物が混入してしまうことがない。このため、本実施形態においても、液晶装置の信頼性を向上させ、より長期に亘って高い品質を維持することが可能となる。

また、本実施形態によれば、真空チャンバの容積を、第１の実施形態に比して小さくすることが可能である。このため、第１の実施形態に比して、真空チャンバ内の圧力を、より迅速に所定の真空度である圧力Ｐ１に到達させることが可能である。したがって、本実施形態によれば、注入封止工程における所要時間の短縮、及び消費電力の削減を図ることが可能となる。

なお、本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う液晶装置の製造方法もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。

上述の実施形態では、ＴＦＴを用いたアクティブマトリクス駆動方式の透過型液晶パネルを液晶装置として説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、ＴＦＤ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｉｏｄｅ）を用いたアクティブマトリクス駆動方式や、パッシブマトリクス駆動方式を採用した液晶装置にも本発明を適用可能である。また、本発明は透過型の液晶装置に限られるものではなく、反射型や半透過半反射型の液晶装置にも本発明を適用可能である。

ＴＦＴアレイ基板を、その上に構成された各構成要素と共に対向基板の側から見た液晶装置の平面図である。 図１のＨ−Ｈ'断面図である。 マザー基板の構成を説明する平面図である。 液晶装置の組立工程のフローチャートである。 注入封止工程において使用される液晶注入封止装置の概略構成図である。 セルギャップを調整する方法を説明する断面図である。 注入封止工程のフローチャートである。 第２の実施形態に係る注入封止工程のフローチャートである。

符号の説明

３５ マザー基板、 ２００ 液晶注入装置、 ３００ セルギャップ制御装置、 ４００ 封止装置、 ２０１、３０１、４０１ 真空チャンバ、 ５００ 制御装置、 ５０１ 真空ポンプ

Claims (2)

1. 一部に開口部を有する枠状のシール材を介して貼り合わされた一対の基板間に、前記開口部から液晶を所定量だけ注入して液晶層を形成する注入工程と、
   前記一対の基板の少なくとも一方を押圧又は引張することにより前記液晶層の厚さを所定の値に調整するギャップ調整工程と、
   前記開口部を封止する封止工程とを有し、
   前記注入工程、前記ギャップ調整工程及び前記封止工程は、同一圧力の真空雰囲気下において実施されることを特徴とする液晶装置の製造方法。
2. 一部に開口部を有する枠状のシール材を介して貼り合わされた一対の基板間に、前記開口部から液晶を所定量だけ注入して液晶層を形成する注入工程と、
   前記一対の基板の少なくとも一方を押圧又は引張することにより前記液晶層の厚さを所定の値に調整するギャップ調整工程と、
   前記開口部を封止する封止工程とを有し、
   前記注入工程は真空雰囲気下において実施され、前記ギャップ調整工程及び前記封止工程は、大気圧雰囲気下において実施されることを特徴とする液晶装置の製造方法。

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