JP2009020258A - 液晶表示パネル及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】歩留を向上させることができる液晶表示パネル及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる液晶表示パネルは、ＴＦＴ基板１０と、ＴＦＴ基板１０と対向配置されたＣＦ基板２０と、一部に開口を有し、ＴＦＴ基板１０とＣＦ基板２０との端より内側において、表示領域を取り囲むように形成され、ＴＦＴ基板１０とＣＦ基板２０とを貼り合わせるシール材３１と、シール材３１の開口近傍のシール材３１からＴＦＴ基板１０及びＣＦ基板２０の端まで形成される壁用スペーサ３５とを備えるものである。
【選択図】図１

Description

本発明は、液晶表示パネル及びその製造方法に関する。

液晶表示装置は、液晶表示パネルとバックライトなどから構成されている。液晶表示パネルは、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、配向膜などを積層した下部透明絶縁性基板（ＴＦＴ基板）と、カラーフィルタ、配向膜などを積層した上部透明絶縁性基板（カラーフィルタ基板：ＣＦ基板）とを備える。ＴＦＴ基板は、ガラス基板等の透明絶縁性基板に、各種電極となる導電膜、絶縁膜、半導体層を成膜し、パターニングすることによって形成される。ＣＦ基板は、ガラス基板等の透明絶縁性基板に、遮光層、着色層、透明導電膜を成膜、塗布、パターニングすることによって形成される。

ＴＦＴ基板とＣＦ基板とは、面内スペーサを用いて所定の間隔を隔てて重ね合わせ、周縁部に設けたシール材によって接着される。そして、シール材の一部に形成された液晶注入口から液晶が注入、封止され、両基板の外側に偏光板を貼り付けられることにより、液晶表示パネルが形成される。バックライトは、液晶表示パネルの一方の基板の外側に配置され、液晶表示パネル向けて光を照射する。

液晶表示パネルの製造工程において、大判の透明絶縁性基板（マザー基板）に複数個のセルパターンを形成し、セルパターンごとに切断する方法が一般的に用いられている。この場合、セルパターンの間隔をできるだけ狭くすると、一対のマザー基板あたりのセルパターンの面付け数が増える。このように、セルパターンの間隔を狭くすることにより、面付け数が増え、基板の有効活用ができる。さらに、生産性を向上させることができる。

このため、セルパターンの間隔を０にして、セルパターンを密着させることが好ましい。図１１は、セルパターン５０の間隔を０としたマザー基板の構成の一例を示す平面図である。それぞれのセルパターン５０において、後の工程でＴＦＴ基板となるＴＦＴ基板部１０ａと、後の工程でＣＦ基板となるＣＦ基板部２０ａは、シール材３１によって接着される。シール材３１は、一部に開口を有し、枠状に形成される。また、シール材３１は、セルパターン５０の端から突出するように、上記の開口から直線状に延在している。シール材３１の開口から外側に向けて延在する部分をシール材突出部３２とする。このシール材突出部３２がセルパターン５０ごとに切断した後、液晶を注入する際のガイドとなる。すなわち、このシール材３１の開口した部分が液晶注入口３３となる。

また、セルパターン５０において、ＴＦＴ基板部１０ａは、ＣＦ基板部２０ａより外形寸法が大きく形成され、ＣＦ基板部２０ａの一辺から突出するように形成される。このＴＦＴ基板部１０ａがＣＦ基板部２０ａから突出した突出領域５１には、外部から接続される端子電極が形成される。図１１においては、突出領域５１を液晶注入口３３が設けられた一辺と隣接する辺に形成されている。すなわち、矩形状のセルパターン５０の突出領域５１が設けられた一辺と、液晶注入口３３が設けられた一辺とは９０度の角度を成している。

然しながら、一対のマザー基板を重ね合わせ熱圧着する際に、それぞれの基板に含有されたガスを基板外に出す必要がある。すなわち、液晶注入口３３から基板端に至るガスの通り道を確保する必要がある。このため、シール材突出部３２と隣接するセルパターン５０のシール材３１とは、離して形成される。つまり、セルパターン５０の外形から隣接するセルパターン５０のシール材３１までの寸法、すなわち図１１において両矢印で示される距離を大きくとる必要がある。以上の様に、図１１のような配置を採用した場合、結果的にセルパターン５０の外形が大きくなり基板を十分に活用することができない。

そこで、セルパターン５０の外形を最小にするには、図１２に示されるように、液晶注入口３３を突出領域５１とは反対側（反端子側）に形成する必要がある。すなわち、シール材突出部３２と隣接するセルパターン５０のシール材３１までの間に端子電極が配置される。この場合、シール材突出部３２は、隣接するセルパターン５０の突出領域５１にも形成される。このような構成により、図１１のように、セルパターン５０の外形から隣接するセルパターン５０のシール材３１までの寸法を大きくとる必要がない。このため、セルパターン５０の外形を小さくでき、基板を十分に有効活用することができる。

このように、液晶注入口３３を反端子側に形成した場合、図１３に示されるように、切断ラインにシール材突出部３２が形成されてしまう。そして、切断ラインにシール材突出部３２が形成されることにより切断が困難になる。さらに、図１３に示されるように、隣接するセルパターン５０の突出領域５１までシール材突出部３２によって接着されてしまう。このため、端子電極１３上部の絶縁性基板２１を除去しにくくなり、端子電極１３の取り出しが困難になる。このように、切断や端子だしが困難であり、歩留の低下の要因となる。さらには、シール材突出部３２の一部が、隣接するセルパターン５０の端子電極１３に乗り上げる場合もある。これにより、端子間の接続不良等の問題が生じる。上記の問題を解消するために、特許文献１では、隣接するセルパターンの突出領域に乗り上げるシール材を細くする方法が開示されている。これにより、突出領域に乗り上げるシール材の面積が小さくなり、上記の問題が改善される。
特開２００２−９８９４２号公報

しかし、シールパターンが位置ずれした場合を考慮すると、特許文献１のように、シール材の一部を細くするのも限界があり、ある程度のシール幅を確保する必要がある。このため、十分に効果を得ることができない場合があった。

本発明は、上記の問題を鑑みるためになされたものであり、歩留を向上させることができる液晶表示パネル及びその製造方法を提供することを目的とする。

本発明にかかる液晶表示パネルは、第１基板と、前記第１基板と対向配置された第２基板と、一部に開口を有し、前記第１基板と前記第２基板との端より内側において、表示領域を取り囲むように形成され、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材と、前記シール材の開口近傍の前記シール材から前記第１基板及び前記第２基板の端まで形成される液晶注入ガイドとを備えるものである。

本発明にかかる他の液晶表示パネルは、第１基板と、前記第１基板と対向配置された第２基板と、前記第１基板において、前記第１基板の端まで形成され、前記第１基板と前記第２基板との間隔を保持する液晶注入ガイドとを備えるものである。

本発明にかかる液晶表示パネルの製造方法は、第１マザー基板上に複数の第１基板部を形成する工程と、第２マザー基板上に複数の第２基板部を形成する工程と、前記第１マザー基板と前記第２マザー基板とを対向配置させて、前記第１基板部と前記第２基板部とが一部に開口を有するシール材によって貼り合わせられ、前記開口近傍の前記シール材から延在した液晶注入ガイドを備える複数のセルパターンを形成する工程と、前記シール材の外側において、前記液晶注入ガイドを跨ぐように、前記第１マザー基板及び前記第２マザー基板を切断して、前記セルパターン毎に分断する工程と、前記セルパターンの前記液晶注入ガイドをガイドとして液晶を注入する工程とを備える方法である。

本発明によれば、歩留を向上させることができる液晶表示パネル及びその製造方法を提供することができる。

実施の形態１．
まず、図１及び図２を用いて、液晶表示装置を説明する。図１は、液晶表示パネル４０の構成を示す平面図である。なお、図１においては、液晶表示パネル４０の要部を示すものであり、詳細な構成については図示を省略する。図２は、図１のＩＩ−ＩＩ断面図である。ここでは、一例として、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を用いたＴＦＴ方式の液晶表示装置について説明する。

液晶表示装置は、液晶表示パネル４０、バックライトユニット（不図示）等を備えるものである。図２に示されるように、液晶表示パネル４０は、第１基板としてのＴＦＴ基板１０と、ＴＦＴ基板１０に対向して配置される第２基板としてのＣＦ基板２０とを有する。また、液晶表示パネル４０は、両基板１０、２０の外周縁にて、シール材３１を用いて貼り合わせ、その間に液晶層３０を形成して封止したものである。バックライトユニットは、液晶表示パネル４０の反視認側に配置され、液晶表示パネル４０の背面側から光を照射する。

ＴＦＴ基板１０は、絶縁性基板１１上に複数の配線１２が形成される。絶縁性基板１１としては、例えば光透過性を有するガラス基板を用いることができる。配線１２は、例えばゲート配線であり、複数設けられている。複数のゲート配線は平行に設けられている。また、絶縁膜（不図示）を介して、複数のゲート配線と交差するように、複数のソース配線（不図示）が設けられている。そして、ゲート配線を介してゲート信号（走査信号）がＴＦＴ（不図示）に供給される。これにより、ＴＦＴのＯＮとＯＦＦを制御している。そして、ＴＦＴがＯＮ状態のときに、ソース配線を介して表示信号（表示電圧）が後述する画素電極１５に印加される。また、それぞれの配線１２に対応して、複数の端子電極１３が形成される。端子電極１３は、それぞれ配線１２の端部に接続され、外部からの各種信号を配線１２に供給する。さらに、端子電極１３から入力された信号を後述する共通電極２４に伝達するためのトランスファ電極（不図示）が形成される。そして、ＴＦＴあるいは配線１２を覆うように、絶縁膜１４が形成される。

絶縁膜１４上には、画素毎に画素電極１５が形成される。具体的には、隣接する配線１２間に画素電極１５が形成される。また、ＴＦＴも画素電極１５と同様、画素毎に形成され、対応するＴＦＴがＯＮ状態のとき、画素電極１５に表示電圧が印加される。このように、ＴＦＴや画素電極１５が列状、すなわちアレイ状に配列されることからアレイ基板とも呼ばれる。そして、複数の画素から構成される表示領域の略全体にて、配向膜１６が形成される。配向膜１６は、液晶を所定の方向に配向させる。そして、このＴＦＴ基板１０の下面には、偏光板１７が貼付される。

ＣＦ基板２０は、絶縁性基板２１の液晶層３０側の面上に、カラーフィルタ層、共通電極２４、配向膜２５が順次形成される。絶縁性基板２１としては、例えば光透過性を有するガラス基板を用いることができる。カラーフィルタ層は、ブラックマトリクス（ＢＭ）層等からなる遮光層２２と、赤（Ｒ）緑（Ｇ）青（Ｂ）の着色層２３とを有している。また、着色層２３と画素電極１５とは対向配置される。そして、配線１２と遮光層２２とは対向配置される。共通電極２４は、ＴＦＴ基板１０とＣＦ基板２０間に形成されたトランスファ材（不図示）を介して、ＴＦＴ基板１０上に配置されたトランスファ電極（不図示）と電気的に接続されている。このトランスファ電極及びトランスファ材を介して端子電極１３から入力された信号が共通電極２４に伝達される。これにより、共通電極２４に共通電位が供給され、画素電極１５との間で電界を生じ、液晶を駆動する。また、このＣＦ基板２０の液晶層３０とは反対側の面上には、偏光板２６が貼付される。

そして、ＴＦＴ基板１０とＣＦ基板２０とは、シール材３１を介して貼り合わされている。シール材３１は、基板１０、２０の端より内側に形成される。また、シール材３１は、表示領域を囲むように、枠状に形成される。そして、シール材３１の一部は、開口して、この開口から外側に向けて突出したシール材突出部３２を有する。具体的には、シール材突出部３２は、上記の開口から２本平行で直線状に延在している。また、シール材突出部３２は、シール材３１の開口が設けられた一辺とは垂直方向に延在している。シール材突出部３２は、突出領域５１とは反対側（反端子側）において、シール位置ずれ、切断位置精度を考慮して、液晶表示パネル４０端部にかからないように形成する。また、ＴＦＴ基板１０は、ＣＦ基板２０より外形寸法が大きく形成される。ここでは、シール材３１によって、ＣＦ基板２０の一辺（一端）からＴＦＴ基板１０が突出するように貼り合わせる。このＴＦＴ基板１０がＣＦ基板２０から突出した突出領域５１には、外部から接続される端子電極１３が形成される。

また、両基板１０、２０の間は、面内スペーサである柱状スペーサ３４によって、所定の間隔となるように保持されている。具体的には、柱状スペーサ３４は、表示領域内において、画素電極１５間に形成され、シール材３１より内側の基板間距離を保持する。このように、シール材３１より内側において、ＴＦＴ基板１０とＣＦ基板２０との基板間距離は、柱状スペーサ３４により決定される。本実施の形態では、柱状スペーサ３４は、遮光層２２及び配線１２の上に設けられる。さらに、柱状スペーサ３４と同一材料により形成された液晶注入ガイドとしての壁用スペーサ３５が設けられる。また、柱状スペーサ３４及び壁用スペーサ３５は、ＣＦ基板２０に形成され、ＴＦＴ基板１０とは接着していない。壁用スペーサ３５は、図２に示されるように、突出領域５１とは反対側の液晶表示パネル４０端部に配置される。すなわち、柱状スペーサ３４が液晶表示パネル４０面内に配置され、壁用スペーサ３５が液晶表示パネル４０端部に配置される。このため、両基板の間隔を面内及びパネル端において一致させるように、柱状スペーサ３４と同様、壁用スペーサ３５が形成されるパネル端にも、遮光層２２及び配線１２を形成する。なお、パネル端に形成された配線１２は、配線１２と同一材料で形成されたダミーパターンであってもよい。

そして、図１で示されるように、壁用スペーサ３５は、反端子側において、シール材突出部３２に対して平行に形成され、シール材３１の開口近傍のシール材３１から基板１０、２０の端まで延設されている。本実施の形態では、壁用スペーサ３５は、シール材突出部３２の外側に形成されている。すなわち、２本の壁用スペーサ３５で挟まれる領域に、シール材突出部３２が形成されている。通常、シール材突出部３２が液晶注入口３３から液晶を注入する際のガイドの役割を果たすが、本実施の形態では、壁用スペーサ３５がシール材突出部３２の外側で液晶表示パネル４０端まで延設されているため、壁用スペーサ３５がガイドの役割を代用する。このように、壁用スペーサ３５内に液晶が注入されるため、２本の壁用スペーサ３５の間が液晶注入口３３となる。なお、液晶注入口３３は、液晶を注入した後、封止材３８によって封止される。ここでは、２本の壁用スペーサ３５の間を封止材３８によって封止する。封止材３８は、液晶注入口３３の内部、及びシール材突出部３２の内部まで形成される。

また、液晶表示パネル４０には各種信号を発生する制御基板３６、制御基板３６を端子電極１３に電気的に接続するＦＦＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｆｌａｔ Ｃａｂｌｅ）３７を備える。これにより、制御基板３６からのＦＦＣ３７を介して、各種信号が端子電極１３に供給される。液晶表示装置は、以上のように構成される。

次に、液晶表示装置の動作について説明する。例えば、制御基板３６から電気信号が入力されると、ＦＦＣ３７を介して、各種信号が端子電極１３に供給される。そして、端子電極１３に接続された配線１２に、走査信号や表示信号が供給される。これにより、配線１２に電気的に接続された画素電極１５に表示電圧が印加される。また、トランスファ電極及びトランスファ材を介して端子電極１３から入力された信号が共通電極２４に伝達し、共通電極２４に共通電位が供給される。これにより、画素電極１５及び共通電極２４間に電界が発生する。

画素電極１５と共通電極２４との間の電界によって、液晶が駆動され、液晶の分子の方向が変わる。すなわち、基板間の液晶の配向方向が変化する。これにより、液晶層３０を通過する光の偏光状態が変化する。すなわち、偏光板１７を通過して直線偏光となった光は液晶層３０によって、偏光状態が変化する。具体的には、光源であるバックライトユニットからの光及び外部から入射した外光は、偏光板１７によって直線偏光になる。そして、この直線偏光が液晶層３０を通過することによって、偏光状態が変化する。

従って、偏光状態によって、ＣＦ基板２０側の偏光板２６を通過する光量が変化する。すなわち、バックライトユニットから液晶表示パネル４０を透過する透過光のうち、視認側の偏光板２６を通過する光の光量が変化する。液晶の配向方向は、印加される表示電圧によって変化する。従って、表示電圧を制御することによって、視認側の偏光板２６を通過する光量を変化させることができる。すなわち、画素毎に表示電圧を変えることによって、所望の画像を表示することができる。

なお、上記の液晶表示パネル４０の構成は、一例であり、他の構成であってもよい。また、液晶表示パネル４０の動作モードは、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モードや、ＳＴＮ（Ｓｕｐｅｒ Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、強誘電性液晶モード等でもよい。なお、例えばＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｈｉｎｇ）モードの場合、図２においてＣＦ基板２０に設けた共通電極２４は、ＴＦＴ基板１０側に配置される。これにより、画素電極１５と共通電極２４との間で液晶に対して横方向に電界が生じる。このように、横電界方式を用いた液晶表示パネル４０でもよい。さらに、駆動方法は、単純マトリクスやアクティブマトリクス等でもよい。このように、様々な液晶表示パネル４０に対して本発明が適用可能である。

次に、液晶表示パネル４０の製造方法について図３を用いて説明する。図３は、液晶表示パネル４０の製造方法を示すフローチャート図である。

まず、複数のＴＦＴ基板部を有する第１マザー基板、及び複数のＣＦ基板部を有する第２マザー基板を製造する（ステップＳ１）。なお、第１マザー基板及び第２マザー基板とは、図２に示す絶縁性基板１１、２１に相当する。また、ＴＦＴ基板部、ＣＦ基板部は、後の工程でＴＦＴ基板１０、ＣＦ基板２０となる。この工程では、一般的な方法を用いることができるため、簡単に説明する。

ガラス基板等の第１マザー基板の一方の面に、成膜、フォトリソグラフィー法によるパターニング、エッチング等のパターン形成工程を繰り返し用いて、ＴＦＴ等のスイッチング素子、配線１２、端子電極１３、絶縁膜１４、画素電極１５をパターン形成する。これにより、第１マザー基板上に複数のＴＦＴ基板部が形成される。また、第１マザー基板と同様、ガラス基板等の第２マザー基板の一方の面に、遮光層２２、着色層２３、及び共通電極２４をパターン形成する。これにより、第２マザー基板に複数のＣＦ基板部が製造される。また、矩形状のＴＦＴ基板部、ＣＦ基板部は、それぞれの長辺及び短辺が、矩形状の第１マザー基板、第２マザー基板の長辺又は短辺と平行になるように配置される。そして、ＴＦＴ基板部及びＣＦ基板部は、規則正しく配置される。これにより、１対のマザー基板に多数のセルパターンを効率よく面付けすることができる。

また、本実施の形態では、それぞれのＣＦ基板部に、柱状スペーサ３４、及び液晶注入ガイドである壁用スペーサ３５が形成される。柱状スペーサ３４及び壁用スペーサ３５は、フォトリソグラフィー法によって同時にパターン形成される。具体的には、スペーサ材料となる光硬化型樹脂等を塗布する。次に、フォトマスク上から光硬化型樹脂を露光し感光させる。そして、光硬化型樹脂を現像させることにより、柱状スペーサ３４及び壁用スペーサ３５がパターン形成される。壁用スペーサ３５は、後の工程で形成されるシール材突出部３２の外側において、開口が形成されるシール材３１の一辺から、隣接するＴＦＴ基板部の突出領域５１まで形成される。なお、壁用スペーサ３５は、シール位置ずれ、切断位置精度を考慮して、必ず隣接するＴＦＴ基板部、すなわち隣接するセルパターンの突出領域５１まで形成される。このように、壁用スペーサ３５は、隣接するパターンまではみ出して形成される。

次に、基板洗浄工程において、第１マザー基板を洗浄する（ステップＳ２）。そして、配向膜形成工程において、第１マザー基板の画素電極１５が形成された面に、配向膜１６を形成する（ステップＳ３）。この工程では、例えば印刷法により有機膜からなる配向膜１６を塗布する。そして、ホットプレートなどにより、焼成処理して乾燥させる。その後、ラビング工程において、配向膜１６にラビングを施し、配向膜１６を配向させる（ステップＳ４）。

また、ステップＳ２からステップＳ４と同様に、第２マザー基板についても基板洗浄、配向膜形成、及びラビングを行う。なお、第２マザー基板の場合、共通電極２４が形成された面に、配向膜１６が形成される。

続いて、シール材塗布工程において、スクリーン印刷装置により、第１マザー基板あるいは第２マザー基板の電極が形成された面に、シール材３１の塗布処理を行う（ステップＳ５）。シール材３１には、例えばエポキシ系接着材等の熱硬化型樹脂や紫外線硬化型樹脂を用いることができる。これにより、一部に開口を有する枠状のシールパターンと、開口から外側に向けて延在するシール材突出部３２が形成される。シール材突出部３２は、それぞれのＴＦＴ基板部又はＣＦ基板の端には形成されない。

次に、トランスファ材塗布工程において、第１マザー基板あるいは第２マザー基板の電極が形成された面に、トランスファ材の塗布処理を行う（ステップＳ６）。その後、貼り合わせ工程において、第１マザー基板と第２マザー基板とを貼り合わせる（ステップＳ７）。これにより、図４に示されるように、それぞれのＴＦＴ基板部１０ａ及びＣＦ基板部２０ａが貼りあわせられ、複数のセルパターン５０がアレイ状に形成される。図４は、貼り合わされたマザー基板の構成を示す平面図である。そして、シール硬化工程において、第１マザー基板１１ａと第２マザー基板２１ａとを貼り合わせた状態で、シール材３１を完全に硬化させる（ステップＳ８）。この工程は、例えばシール材３１の材質に合わせて熱を加えることや、紫外線を照射することにより行われる。

次に、セル分断工程において、貼り合わされたマザー基板をセルパターン５０ごとに分断する（ステップＳ９）。具体的には、シール材３１の外側において、壁用スペーサ３５を跨ぐようにマザー基板１１ａ、２１ａを切断して、セルパターン５０毎に分断する。すなわち、隣接するセルパターン５０の突出領域５１近傍の一辺では、配線１２、遮光層２２、及び壁用スペーサ３５が切断される。ここでは、図５に示される一点鎖線を切断する。図５は、図４のＶ−Ｖ断面図である。図５に示されるように、切断ラインには、シール材突出部３２が形成されていないため、シール材突出部３２は切断されない。このため、切断が容易になり、切断歩留が向上する。

その後、突出領域５１の端子電極１３を露出させるために、図６に示されるように、突出領域５１に対向する絶縁性基板２１等の不要部５２を切断して除去する。図６は、マザー基板の切断の状態を示す断面図である。すなわち、図５に示される一点鎖線でマザー基板を切断した後の状態を示している。壁用スペーサ３５は、図４〜図６から分かるように、隣接するセルパターン５０の突出領域５１に亘って形成される。また、壁用スペーサ３５は、隣接するセルパターン５０の突出領域５１と接触している。具体的には、隣接するセルパターン５０の突出領域５１の絶縁膜１４に接触している。壁用スペーサ３５は、ＣＦ基板部２０ａ上に形成され、ＴＦＴ基板部１０ａと貼り合わせる前に硬化されている。このため、壁用スペーサ３５は、突出領域５１のＴＦＴ基板部１０ａ表面との密着力が高くない。そして、突出領域の不要部５２を容易に除去することができる。これにより、端子電極１３が露出し、外部から接続することができる。

このように、本実施の形態では、シール材突出部３２ではなく壁用スペーサ３５と突出領域５１が接触しているために、容易に端子だし（液晶表示パネル４０と不要部５２との取り外し）を行うことができる。また、ここでは、ＣＦ基板部２０ａに壁用スペーサ３５を形成したために、不要部５２と壁用スペーサ３５とが接着している。このため、不要部５２と一緒に壁用スペーサ３５を除去することができる。このように、壁用スペーサ３５を除去することができるため、マザー基板を貼り合わせた際に、壁用スペーサ３５が端子電極１３に乗り上げたとしても、後の工程で除去することができる。具体的には、壁用スペーサ３５がＣＦ基板部２０ａに形成されているため、端子だしの際に壁用スペーサ３５も取り除くことができる。従って、接続不良等の問題も生じにくくなる。

そして、液晶注入工程において、個々のセルパターン５０に対して液晶注入口３３から液晶を注入する（ステップＳ１０）。この工程は、液晶を液晶注入口３３から真空注入により充填することにより行われる。真空注入法では、例えば、真空チャンバ内に液晶を貯留した液晶ボートとセルパターン５０とを配置する。そして、真空チャンバ内を真空排気して減圧し、セルパターン５０の間隙内及び液晶を脱気する。その後、セルパターン５０の下端の液晶注入口３３を液晶ボート内の液晶に接触させる。そして、真空チャンバ内を大気圧に戻すと、毛細管現象とセルパターン５０内外の圧力差により、液晶ボート内の液晶がセルパターン５０内に吸い上げられる。本実施の形態では、シール材突出部３２をガイドとするのではなく、シール材突出部３２の両側に設けられた壁用スペーサ３５が実効的なガイドとして作用して液晶が注入されることになる。すなわち、図１に示されるように、壁用スペーサ３５の内側及びシール材３１の内側に液晶が充填される。

次に、封止工程において、液晶注入口３３を封止材３８によって封止、具体的には加圧封止する（ステップＳ１１）。この工程では、セルパターン５０の厚み方向に圧力を加えた状態で、液晶注入口３３に、封止材３８として硬化型樹脂を塗布する。その後、セルパターン５０に加えられた圧力を解除することにより、液晶注入口３３内へ硬化型樹脂が引き込まれる。そして、硬化型樹脂に光を照射することにより、封止材３８が形成される。この工程では、壁用スペーサ３５も含め、封止されるように、封止材３８を塗布して液晶注入口３３の封止を行う。なお、本実施の形態では、壁用スペーサ３５を形成しているため、シール材突出部３２をセルパターン５０の端まで形成しなくても、液晶注入及び封止することができる。最後に、偏光板貼付工程において、液晶セルに偏光板１７、２６を貼り付け（ステップＳ１２）、制御基板実装工程において、制御基板３６を実装する（ステップＳ１３）。これにより、液晶表示パネル４０が完成する。

このように、壁用スペーサ３５を形成することにより、セルパターン５０の切断及び端子だしを容易に行うことができる。このため、歩留が向上する。さらに、反端子側に液晶注入口３３を形成することができるので、パネル外形を小さくすることができる。また、壁用スペーサ３５は、柱状スペーサ３４と同工程で形成されるためコストも抑えることができる。

実施の形態２．
本実施の形態では、シール材突出部３２の内側に壁用スペーサ３５を形成する点で実施の形態１と異なる。なお、それ以外の構成、製造工程等については、実施の形態１と同様なので説明を省略する。

図７を用いて本実施の形態にかかる液晶表示パネルについて説明する。図７は、貼り合わされたマザー基板の構成を示す平面図である。すなわち、図３のステップＳ７におけるマザー基板を示している。図７に示されるように、枠状に形成されたシール材３１の一部が開口している。そして、この開口から外側に向けてシール材突出部３２が形成される。具体的には、開口が形成されたシール材３１の一辺から垂直方向に平行して２本のシール材突出部３２が形成される。そして、シール材突出部３２の内側において、隣接するセルパターン５０の突出領域５１まで壁用スペーサ３５が直線状に２本平行に形成されている。すなわち、２本のシール材突出部３２の内側の領域に、壁用スペーサ３５が形成される。なお、シール材突出部３２及び壁用スペーサ３５は、それぞれ平行に形成される。また、シール材３１の開口側において、壁用スペーサ３５は、枠状のシールパターンの端部に向けて略９０°に折れ曲がっている。すなわち、壁用スペーサ３５は、それぞれＬ字型に形成される。このように、シールパターンの端部と繋がるように、壁用スペーサ３５が形成されている。

このように、シール材突出部３２の内側に壁用スペーサ３５を形成しても、実施の形態１と同様の効果が得られる。また、液晶注入口３３近傍では、シール材突出部３２の内側に形成された壁用スペーサ３５内のみに液晶が注入される。このため、注入される液晶の量を抑えることができる。

実施の形態３．
本実施の形態では、シール材突出部３２と壁用スペーサ３５とが隣接して形成される点で実施の形態１と異なる。なお、それ以外の構成、製造工程等については、実施の形態１と同様なので説明を省略する。

図８を用いて本実施の形態にかかる液晶表示パネルについて説明する。図８は、貼り合わされたマザー基板の構成を示す平面図である。すなわち、図３のステップＳ７におけるマザー基板を示している。図８に示されるように、枠状に形成されたシール材３１の一部が開口している。そして、この開口から外側に向けて、平行に２本のシール材突出部３２が形成される。このシール材突出部３２の端から隣接するセルパターン５０の突出領域５１まで平行に２本の壁用スペーサ３５が形成される。また、シール材突出部３２と壁用スペーサ３５とは、一直線状に形成される。なお、シール材突出部３２と壁用スペーサ３５とが接触する端部は、重なって形成される。

このように、シール材突出部３２と壁用スペーサ３５とを隣接して形成しても、実施の形態１と同様の効果が得られる。

実施の形態４．
本実施の形態では、配線１２及び着色層２３上において、柱状スペーサ３４及び壁用スペーサ３５がＴＦＴ基板１０側に形成される点で実施の形態１と異なる。なお、それ以外の構成、製造工程等については、実施の形態１と同様なので説明を省略する。

図９を用いて本実施の形態にかかる液晶表示パネルについて説明する。図９は、貼り合わされたマザー基板の構成を示す断面図である。すなわち、図３のステップＳ７におけるマザー基板を示している。本実施の形態では、柱状スペーサ３４及び壁用スペーサ３５が、配線１２及び着色層２３上に形成される。すなわち、配線１２と着色層２３とが対向して配置される。このため、両基板の間隔を面内及びパネル端において一致することができる。なお、実施の形態１と同様、パネル端に形成された配線１２は、配線１２と同一材料で形成されたダミーパターンであってもよい。

そして、図９に示される一点鎖線を切断する。すなわち、配線１２、着色層２３、及び壁用スペーサ３５を切断する。図９に示されるように、切断ラインには、シール材突出部３２が形成されていないため、シール材突出部３２が切断されない。このため、切断が容易になり、切断歩留が向上する。その後、突出領域５１の端子電極１３を露出させるために、図１０に示されるように、突出領域５１に対向する絶縁性基板２１等の不要部５２を切断して除去する。図１０は、マザー基板の切断の状態を示す断面図である。すなわち、図９に示される一点鎖線でマザー基板を切断した後の状態を示している。このように、不要部５２を除去することにより、端子だしをすることができる。

本実施の形態でも、シール材突出部３２ではなく壁用スペーサ３５と不要部５２が接触している。具体的には、隣接するセルパターン５０の突出領域５１に対向する共通電極２４に接触している。このため、壁用スペーサ３５は、不要部５２の表面との密着力が高くない。従って、容易に端子だし（液晶表示パネル４０と不要部５２との取り外し）を行うことができる。このように、本実施の形態でも、実施の形態１と同様の効果をえることができる。

また、上記の実施の形態は、必要に応じて組み合わせることも可能である。例えば、実施の形態２と実施の形態４とを組み合わせた場合、シール材突出部３２の内側に壁用スペーサ３５が形成され、柱状スペーサ３４及び壁用スペーサ３５がＴＦＴ基板１０側に形成される。もちろん、実施の形態１と実施の形態２又は３との組み合わせなど、他の組み合わせでも可能である。

また、ＣＦ基板２０側に壁用スペーサ３５が形成された実施の形態１では、配線１２と遮光層２２とが対向配置される構成とし、ＴＦＴ基板１０側に壁用スペーサ３５が形成された本実施の形態では、配線１２と着色層２３とが対向配置される構成としたが、これに限らない。反対に、実施の形態１では、配線１２と着色層２３とが対向配置される構成とし、本実施の形態では、配線１２と遮光層２２とが対向配置される構成としてもよい。さらには、これら以外の構成であっても、パネル端と面内において、両基板の間隔を面内及びパネル端において一致していればよい。これらの場合でも、上記の効果を得ることができる。また、上記の実施の形態１及び実施の形態２において、シール材突出部３２が形成されていなくてもよいが、シール材突出部３２を形成したほうが強度（両基板の接着力）が向上するので好ましい。

実施の形態１にかかる液晶表示パネルの構成を示す平面図である。 図１のＩＩ−ＩＩ断面図である。 実施の形態１にかかる液晶表示パネルの製造方法を示すフローチャート図である。 実施の形態１にかかる貼り合わされたマザー基板の構成を示す平面図である。 図４のＶ−Ｖ断面図である。 実施の形態１にかかるマザー基板の切断の状態を示す断面図である。 実施の形態２にかかるマザー基板の構成を示す平面図である。 実施の形態３にかかるマザー基板の構成を示す平面図である。 実施の形態４にかかるマザー基板の構成を示す断面図である。 実施の形態４にかかるマザー基板の切断の状態を示す断面図である。 従来のマザー基板の構成の一例を示す平面図である。 従来のマザー基板の構成の他の例を示す平面図である。 図１２のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ断面図である。

符号の説明

１０ ＴＦＴ基板、１０ａ ＴＦＴ基板部、１１ 絶縁性基板、
１１ａ 第１マザー基板、１２ 配線、１３ 端子電極、１４ 絶縁膜、
１５ 画素電極、１６ 配向膜、１７ 偏光板、
２０ ＣＦ基板、２０ａ ＣＦ基板部、２１ 絶縁性基板、２１ａ 第２マザー基板、
２２ 遮光層、２３ 着色層、２４ 共通電極、２５ 配向膜、２６ 偏光板、
３０ 液晶層、３１ シール材、３２ シール材突出部、３３ 液晶注入口、
３４ 柱状スペーサ、３５ 壁用スペーサ、３６ 制御基板、３７ ＦＦＣ、
３８ 封止材、
４０液晶表示パネル、
５０ セルパターン、５１ 突出領域、５２ 不要部

Claims (9)

1. 第１基板と、
   前記第１基板と対向配置された第２基板と、
   一部に開口を有し、前記第１基板と前記第２基板との端より内側において、表示領域を取り囲むように形成され、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材と、
   前記シール材の開口近傍の前記シール材から前記第１基板及び前記第２基板の端まで形成される液晶注入ガイドとを備える液晶表示パネル。
2. 前記第１基板の一端が前記第２基板から突出した突出領域と、
   前記突出領域に形成された端子電極とをさらに有し、
   前記液晶注入ガイドは、前記突出領域とは反対側に形成された請求項１に記載の液晶表示パネル。
3. 前記液晶注入ガイドは、前記第１基板及び前記第２基板のいずれか一方に形成される請求項１又は２に記載の液晶表示パネル。
4. 前記表示領域において、前記第１基板と前記第２基板との間隔を保持する柱状スペーサをさらに有し、
   前記液晶注入ガイドは、前記柱状スペーサと同一材料によって形成される請求項１乃至３のいずれか１項に記載の液晶表示パネル。
5. 第１基板と、
   前記第１基板と対向配置された第２基板と、
   前記第１基板において、前記第１基板の端まで形成され、前記第１基板と前記第２基板との間隔を保持する液晶注入ガイドとを備える液晶表示パネル。
6. 第１マザー基板上に複数の第１基板部を形成する工程と、
   第２マザー基板上に複数の第２基板部を形成する工程と、
   前記第１マザー基板と前記第２マザー基板とを対向配置させて、前記第１基板部と前記第２基板部とが一部に開口を有するシール材によって貼り合わせられ、前記開口近傍の前記シール材から延在した液晶注入ガイドを備える複数のセルパターンを形成する工程と、
   前記シール材の外側において、前記液晶注入ガイドを跨ぐように、前記第１マザー基板及び前記第２マザー基板を切断して、前記セルパターン毎に分断する工程と、
   前記セルパターンの前記液晶注入ガイドをガイドとして液晶を注入する工程とを備える液晶表示パネルの製造方法。
7. 前記セルパターンを形成する工程では、前記第１基板部の一端が前記第２基板部から突出した突出領域に端子電極を有し、前記液晶注入ガイドが隣接する前記セルパターンの突出領域まで形成され、
   前記セルパターンを切断する工程後、前記第２マザー基板の前記突出領域に対向する不要部を切断して除去する工程をさらに有する請求項６に記載の液晶表示パネルの製造方法。
8. 前記セルパターンを形成する工程では、前記液晶注入ガイドを前記第１マザー基板及び前記第２マザー基板のいずれか一方に形成する請求項６又は７に記載の液晶表示パネルの製造方法。
9. 前記セルパターンを形成する工程では、前記表示領域において、前記第１マザー基板と前記第２マザー基板との間隔を保持する柱状スペーサを前記液晶注入ガイドと同時に形成する請求項６乃至８のいずれか１項に記載の液晶表示パネル。

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