JP2015036712A - 液晶表示パネルの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 製品歩留まり及び製造歩留まりが高く、表示品位に優れた液晶表示パネルの製造方法を提供する。【解決手段】 液晶表示パネルを製造する際、まずそれぞれに光配向処理が施された配向膜が形成された一対の基板を用意する。続いて、一対の基板の何れか一方の配向膜の額縁領域上にシール剤を設ける。次いで、一対の基板同士をシール剤により貼り合わせ、シール剤を硬化してシール材を形成し、一対の基板及びシール材で囲まれた空間に液晶層を形成する。上記シール剤は、Ｂ≰２０００［μｍ］／Ａを満たすシール剤を用いる。【選択図】図１１

Description

本発明の実施形態は、液晶表示パネルの製造方法に関する。

近年、表示パネルとして液晶表示パネルが開発されている。液晶表示パネルは、軽量、薄型及び高精細という特徴を有している。一般に、液晶表示パネルは、アレイ基板と、このアレイ基板に所定の隙間を置いて対向配置された対向基板と、アレイ基板及び対向基板を接合したシール材と、アレイ基板、対向基板及びシール材で囲まれた領域に形成された液晶層とを有している。

アレイ基板及び対向基板は、それぞれ液晶層に接した配向膜を有している。配向膜にはラビングが施されている。これにより、配向膜は液晶分子の初期配向を制御することができる。

ところで、配向膜にラビングを施した場合、摩擦により発生する静電気により素子（ＴＦＴ）が破壊する問題や、ラビングにより塵が発生すること等による表示不良（液晶分子の配向乱れ）が生じる問題がある。このため、ラビングにより生じる問題を解決する目的で、ラビング無しで液晶分子の配向を制御するいわゆるラビングレス配向法が検討されている。

そこで、製造歩留まりが高く、表示品位に優れた液晶表示パネルを得るためのラビングレス配向法として、光配向処理法が検討されている。光配向処理は、配向膜に直線偏光を照射することにより行うことができる。これにより、光配向処理が施された配向膜は、液晶分子の初期配向を制御することができる。

特開２００４−２０６０９１号公報

上記のように光配向処理を利用することにより、ラビングを利用した場合に得ることのできない効果を得ることができる。しかしながら、光分解型の配向膜材料を利用して配向膜を形成し、その上にシール材を形成する場合、配向膜に光配向処理を施すと、シール材を介して接着されるアレイ基板及び対向基板の接着強度が低下してしまうことが発明者によって見出された。このため、製品歩留まり及び製造歩留まりが高く、表示品位に優れた液晶表示パネルの製造方法が求められている。

この発明は以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、製品歩留まり及び製造歩留まりが高く、表示品位に優れた液晶表示パネルの製造方法を提供することにある。

一実施形態に係る液晶表示パネルの製造方法は、
それぞれに光配向処理が施された配向膜が形成された一対の基板を用意し、
前記一対の基板の何れか一方のシール材形成領域にシール剤を設け、
前記一対の基板同士を前記シール剤により貼り合わせ、前記シール剤を硬化してシール材を形成し、
前記一対の基板及びシール材で囲まれた空間に液晶層を形成し、
前記シール剤の幅をＡ［μｍ］、前記シール剤から前記シール材への体積収縮率をＢ［％］とすると、
Ｂ≦２０００［μｍ］／Ａ
を満たす前記シール剤を用いる。

図１は、一実施形態に係る液晶表示パネルを示す斜視図である。 図２は、上記液晶表示パネルを示す概略断面図である。 図３は、上記液晶表示パネルを示す概略平面図である。 図４は、図１乃至図３に示したアレイ基板の一部を示す概略平面図である。 図５は、上記アレイ基板を示す拡大平面図であり、アレイ基板の配線構造を示す図である。 図６は、上記液晶表示パネルを示す拡大断面図であり、液晶表示パネルの構造を示す図である。 図７は、図３の線ＶＩＩ−ＶＩＩに沿った上記液晶表示パネルの周縁部を概略的に示す拡大断面図である。 図８は、上記液晶表示パネルの製造工程を説明する図であり、マザーガラス上にアレイパターンを形成している状態を示す平面図である。 図９は、上記液晶表示パネルの製造工程において、マザーガラス上に対向パターンを形成した状態を示す平面図である。 図１０は、上記液晶表示パネルの製造工程において、６枚のアレイ基板を形成したマザーガラスと６枚の対向基板を形成したマザーガラスとが、シール剤を介して貼り合せられている状態を示す平面図である。 図１１は、シール剤の幅に対するシール剤の体積収縮率の変化をグラフで示した図である。 図１２は、偏光ＵＶを照射する前の配向膜の分子鎖の状態を示す概略図である。 図１３は、偏光ＵＶを照射した後の配向膜の分子鎖の状態を示す概略図である。 図１４は、偏光ＵＶを照射した後の配向膜の分子鎖及び液晶分子の初期配向の状態を示す概略図である。 図１５は、例１乃至例３の液晶表示パネルの破壊強度を評価した結果を示す図であり、上記破壊強度をグラフで示す図である。

始めに、本発明の実施形態の着想について説明する。
液晶表示パネルにおいて、液晶層の液晶分子を初期配向させるため、アレイ基板及び対向基板の配向膜に配向処理としての光配向処理を施す場合がある。配向膜は、シクロブタン環を有する光分解型の配向膜で形成されている場合がある。ここで、配向膜の大まかな分子構造を化１に示す。

光配向処理が施された光分解型の配向膜は、光によって配向膜を分解し、必要な方向の分子鎖だけを残し、液晶分子を初期配向させる方式である。光配向処理は、配向膜に直線偏光を照射することにより行われる。ここで、直線偏光としては、例えば紫外線の直線偏光（以下、偏光ＵＶと称する）を利用することができる。

光配向処理が施された光分解型の配向膜を形成する場合、まず、基板上に配向膜材料を塗布し、基板上に配向膜材料からなる塗布膜を形成する。これにより、塗布膜を配向膜として利用することができる。ここで、偏光ＵＶを照射する前の配向膜の分子鎖の状態を図0１２に概略的に示す。なお、図１２において、矢印の方向は、照射予定の偏光ＵＶの偏光方向である。

次いで、配向膜に偏光ＵＶを照射する。ここで、偏光ＵＶを照射した後の配向膜の分子鎖の状態を図１３に概略的に示す。なお、図１３において、矢印の方向は、照射した偏光ＵＶの偏光方向である。図１３から分かるように、偏光ＵＶが照射されると、配向膜の分子鎖が選択的に分解され、偏光ＵＶの偏光方向と直交する方向の分子鎖が残ることになる。

これにより、光配向処理が施された光分解型の配向膜を形成することができる。そして、図１４から分かるように、液晶表示パネルを完成させた後、配向膜付近の液晶分子ＬＭは残った分子鎖に沿って初期配向する。すなわち、偏光ＵＶの偏光方向と直交する方向に、配向膜付近の液晶分子ＬＭを初期配向させることができる。なお、図１４において、矢印の方向は、照射した偏光ＵＶの偏光方向である。そして、ここでは、正の誘電率異方性を有する液晶材料（ポジ型の液晶材料）で液晶層を形成した場合を例に説明した。

上記のように光配向処理を利用することにより、ラビングを利用した場合に得ることのできない効果を得ることができる。すなわち、配向膜にラビングを施す必要が無いため、摩擦により発生する静電気により素子（ＴＦＴ）が破壊する問題を解消することができる。また、ラビングにより塵が発生すること等による表示不良（液晶分子ＬＭの配向乱れ）が生じる問題を解消することができる。上記のことから分かるように、光配向処理を利用することにより、製造歩留まりが高く、表示品位に優れた液晶表示パネル及び液晶表示パネルの製造方法を提供することが可能となる。

ところで、偏光ＵＶを照射した後の配向膜に関しては、以下のような課題があることが発明者によって見出された。すなわち、アレイ基板及び対向基板の配向膜上に形成されるシール材を介して接着されるアレイ基板及び対向基板の接着強度が低下してしまう（シール材がアレイ基板及び対向基板から剥がれ易くなる）と言う課題である。

ここで、アレイ基板及び対向基板の接着強度を評価した結果を図１５に示す。例１は、配向膜に光配向用の配向膜を利用し、体積収縮率が５．１％の紫外線硬化型のシール剤を用いてアレイ基板及び対向基板を貼り合わせ、シール剤に紫外線を照射してシール剤を硬化しシール材を形成してなる液晶表示パネルの接着強度のサンプルを示している。

なお、上記体積収縮率は、硬化前のシール剤から硬化後のシール材への体積収縮率である。そして、シール剤の幅方向の収縮率と、シール剤の厚み方向の収縮率とは、概ね同一である。

例２は、配向膜に光配向用の配向膜を利用し、体積収縮率が１．２％の紫外線硬化型のシール剤を用いてアレイ基板及び対向基板を貼り合わせ、シール剤に紫外線を照射してシール剤を硬化しシール材を形成してなる液晶表示パネルの接着強度のサンプルを示している。

図１５に示すように、例１及び例２の液晶表示パネルの破壊強度を調査した結果、例１のアレイ基板及び対向基板の剥がれ開始時の液晶表示パネルの強度が６．０［Ｎ］であり、液晶表示パネルの破壊強度（アレイ基板及び対向基板が完全に剥がれる強度）が７．１［Ｎ］であった。一方、例２のアレイ基板及び対向基板の剥がれ開始時の液晶表示パネルの強度が１９．７［Ｎ］であり、液晶表示パネルの破壊強度（アレイ基板及び対向基板が完全に剥がれる強度）が２６．３［Ｎ］であった。

上記のことから分かるように、利用するシール剤の体積収縮率が高い程、液晶表示パネルの接着強度が低下することが分かる。シール剤の体積収縮率が高い程、配向膜が引きずられ易いためである。言い換えると、利用するシール剤の体積収縮率を低くする程、液晶表示パネルの接着強度を高くすることができることが分かる。

そこで、光配向処理を利用する場合であっても、シール剤の体積収縮率を低く抑えることで、アレイ基板及び対向基板の接着強度を高くすることのできる技術を着想するに至ったものである。

さらに、シール剤のタイプを替えてアレイ基板及び対向基板の破壊強度を調査した結果、シール剤のトータルでの体積収縮率が低い程、液晶表示パネルの接着強度が高くなることが分かった。シール剤としては、次の３つのタイプのシール剤を挙げることができる。

（i）紫外線の照射により硬化された後、熱処理にて本硬化される紫外線硬化型であり熱硬化型であるシール剤。

（ii）紫外線の照射により本硬化される紫外線硬化型であるシール剤。

（iii）熱処理にて本硬化される熱硬化型であるシール剤。

またさらに、紫外線硬化型のシール剤を紫外線の照射にて硬化させた場合のシール剤の体積収縮率と、熱硬化型のシール剤を熱処理にて硬化させた場合のシール剤の体積収縮率とを調査した。
上記（iii）のシール剤のように、熱処理を施したシール剤の体積収縮率は２％程度であった。シール剤の温度が高温になることでシール剤の分子の運動が活発になり、シール剤の収縮が緩和されたものと想定される。

一方、上記（i）及び（ii）のシール剤のように、紫外線を照射したシール剤の体積収縮率は６％程度であった。シール剤の温度はほぼ室温のため、シール剤の分子がほとんど運動せず、シール剤の収縮を緩和することができなかったものと想定される。上記のことから、シール剤を紫外線の照射にて硬化させた場合の方が、シール剤を熱処理にて硬化させた場合より、シール剤の体積収縮率が高く、液晶表示パネルの接着強度が低下し易い傾向にあることが分かる。

そして、本発明の実施形態においては、光配向処理を利用する場合であっても上記課題を解決することのできる液晶表示パネル及び液晶表示パネルの製造方法を提供するものである。すなわち、製品歩留まり及び製造歩留まりが高く、表示品位に優れた液晶表示パネルの製造方法を提供するものである。次に、本発明の実施形態の課題解決のため、上記着想を具体化する手段及び方法について説明する。

以下、図面を参照しながら一実施形態に係る液晶表示パネル及び液晶表示パネルの製造方法について詳細に説明する。始めに、液晶表示パネルの構成について説明する。この実施の形態において、液晶表示パネルは対向ＣＦ型であり、対向基板側にカラーフィルタが形成されている。

図１乃至図７に示すように、液晶表示パネルは、アレイ基板１と、アレイ基板に所定の隙間を置いて対向配置された対向基板２と、これら両基板間に挟持された液晶層３と、カラーフィルタ４とを備えている。アレイ基板１及び対向基板２の外面には、図示しない偏光板がそれぞれ配置されている。アレイ基板１の外面側には、図示しないバックライトユニットが配置される。液晶表示装置は、液晶表示パネル及びバックライトユニット等で形成されている。アレイ基板１及び対向基板２は矩形状の表示領域Ｒ１を有している。カラーフィルタ４は、対向基板２の表示領域Ｒ１に設けられている。

アレイ基板１は、透明な絶縁基板としてガラス基板１１を有している。表示領域Ｒ１において、ガラス基板１１上には、行方向Ｘに延びているとともに行方向Ｘと直交した列方向Ｙに間隔を置いて並んだ複数の走査線１５と、複数の走査線１５と交差して列方向Ｙに延びているとともに行方向Ｘに間隔を置いて並んだ複数の信号線２１とが格子状に配置されている。

ガラス基板１１上には、補助容量素子２４を構成し、かつ、複数の信号線２１と交差して行方向Ｘに延びているとともに列方向Ｙに間隔を置いて並んだ複数の補助容量線１７が形成されている。補助容量線１７は走査線１５と平行に延びている。

ここで、アレイ基板１及び対向基板２は、複数の信号線２１及び複数の補助容量線１７で囲まれた領域に重なって設けられたマトリクス状の複数の画素２０を有している。すなわち、各画素２０は隣合う２本の信号線２１及び隣合う２本の補助容量線１７で囲まれた領域に重なって設けられている。アレイ基板１の画素２０にはスイッチング素子としてのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１９がそれぞれ設けられている。より詳しくは、ＴＦＴ１９は、走査線１５と信号線２１との各交差部近傍に設けられている。

ＴＦＴ１９は、半導体としてのアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）又はポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）からなる半導体層１２と、走査線１５の一部を延出してなるゲート電極１６とを有している。

詳細に述べると、表示領域Ｒ１において、ガラス基板１１上には、半導体層１２と、補助容量電極１３とが形成され、これら半導体層及び補助容量電極を含むガラス基板上にゲート絶縁膜１４が成膜されている。ゲート絶縁膜１４上に、走査線１５、ゲート電極１６及び補助容量線１７が配設されている。補助容量線１７及び補助容量電極１３はゲート絶縁膜１４を挟み、対向配置されている。走査線１５、ゲート電極１６及び補助容量線１７を含むゲート絶縁膜１４上には層間絶縁膜１８が成膜されている。

層間絶縁膜１８上には、信号線２１及びコンタクト電極２２が形成されている。各コンタクト電極２２は、ゲート絶縁膜１４及び層間絶縁膜１８に形成されたコンタクトホールを通って半導体層１２のドレイン領域及び後述する画素電極２６にそれぞれ接続されている。さらに、コンタクト電極２２は、ゲート絶縁膜１４及び層間絶縁膜１８に形成された他のコンタクトホールを通って補助容量電極１３に接続されている。ここで、補助容量線１７は、補助容量電極１３とコンタクト電極２２との接続部を除いて形成されている。

信号線２１は、ゲート絶縁膜１４及び層間絶縁膜１８に形成されたコンタクトホールを通って半導体層１２のソース領域と接続されている。層間絶縁膜１８、信号線２１及びコンタクト電極２２に重ねて保護絶縁膜２３が形成されている。保護絶縁膜２３は、基板上の配線等から生じる凹凸を平坦化する平坦化膜としての役割も果たす。保護絶縁膜２３は、表示領域Ｒ１だけでなく、表示領域Ｒ１を囲む矩形枠状の額縁領域Ｒ２も覆っている。

保護絶縁膜２３上には、ＩＴＯ（インジウム・すず酸化物）等の透明な導電膜により画素電極２６がそれぞれ形成されている。コンタクト電極２２に重なった保護絶縁膜２３には複数のコンタクトホール２５が形成されている。これらのコンタクトホール２５は、複数の画素２０に設けられている。

各画素電極２６は、コンタクトホール２５を通ってコンタクト電極２２に接続されている。各画素電極２６の周縁部は、補助容量線１７及び信号線２１に重なっている。画素電極２６は、画素２０をそれぞれ形成している。

上記のように、ガラス基板１１上にアレイパターン１ｐが形成されている。表示領域Ｒ１において、アレイパターン１ｐは、ガラス基板１１と画素電極２６との間に積層されたものである。

表示領域Ｒ１及び額縁領域Ｒ２において、アレイパターン１ｐ（画素電極２６、保護絶縁膜２３等）上には配向膜２８が形成されている。配向膜２８は、配向膜形成領域内に形成されている。この実施形態において、配向膜２８は、ガラス基板１１及びアレイパターン１ｐ上全体に形成されている。配向膜２８は、光分解型の配向膜材料を用いて形成されている。配向膜２８は、例えば光分解型のポリイミド樹脂で形成されている。配向膜２８には、光配向処理が施されている。

図１、図２、図３、図６及び図７に示すように、対向基板２は、透明な絶縁基板としてガラス基板４１を備えている。このガラス基板４１上には、カラーフィルタ４が設けられている。カラーフィルタ４は、遮光部３１と、周辺遮光部３２と、複数の着色層とを有している。複数の着色層は、例えば赤色の着色層３０Ｒ、緑色の着色層３０Ｇ、青色の着色層３０Ｂを有している。

遮光部３１は、格子状に形成されている。遮光部３１は、補助容量線１７及び信号線２１に対向して形成されている。周辺遮光部３２は、矩形枠状に形成され、額縁領域Ｒ２の全体に形成されている。周辺遮光部３２は、表示領域Ｒ１の外側から漏れる光（バックライト）の遮光に寄与している。

着色層３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂは、ガラス基板４１及び遮光部３１上に形成されている。着色層３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂは、列方向Ｙに沿って帯状に延在している。着色層３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂは、行方向Ｘに互いに隣接し、交互に並べられている。着色層３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂの周縁部は、遮光部３１に重なっている。
なお、カラーフィルタ４上には、図示しないオーバーコート層を配置してもよい。これにより、遮光部３１及びカラーフィルタ４の表面の凹凸の影響を緩和することができる。

カラーフィルタ４（オーバーコート層）上に、ＩＴＯ等の透明な導電膜により対向電極４２が形成されている。上記のように、ガラス基板４１上に対向パターン２ｐが形成されている。対向パターン２ｐは、カラーフィルタ４及び対向電極４２を有している。対向パターン２ｐは、オーバーコート層をさらに有していてもよい。

対向パターン２ｐ上には、複数のスペーサとしての複数の柱状スペーサ８０と、配向膜４３と、が形成されている。柱状スペーサ８０は、少なくとも表示領域Ｒ１に形成されている。柱状スペーサ８０の高さは、セルギャップに対応させることができ、例えば３乃至５μｍとすることができる。なお、柱状スペーサ８０は、表示領域Ｒ１にだけでなく額縁領域Ｒ２にも形成されている方が好ましい。後述するようにシール材５１は硬化時に収縮して形成されるためである。

表示領域Ｒ１及び額縁領域Ｒ２において、柱状スペーサ８０が形成された対向パターン２ｐ上には配向膜４３が形成されている。配向膜４３は、配向膜形成領域内に形成されている。この実施形態において、配向膜４３は、ガラス基板４１及び対向パターン２ｐ上全体に形成されている。配向膜４３は、光分解型の配向膜材料を用いて形成されている。配向膜４３は、例えば光分解型のポリイミド樹脂で形成されている。配向膜４３には、光配向処理が施されている。

図１乃至図３及び図７に示すように、アレイ基板１及び対向基板２は、複数の柱状スペーサ８０により所定の隙間を置いて対向配置されている。シール材５１は、額縁領域Ｒ２内に位置し、アレイ基板１（配向膜２８）及び対向基板２（配向膜４３）間に設けられ、矩形枠状に連続して形成されている。

アレイ基板１及び対向基板２は、シール材５１により互いに接合されている（貼り合わせられている）。シール材５１は、アクリルやエポキシ等の樹脂を利用して形成することができる。シール材５１は、配向膜２８と、配向膜４３とに接着されている。

液晶層３は、アレイ基板１、対向基板２及びシール材５１で囲まれた空間に形成されている。
上記のように液晶表示パネルが形成されている。

次に、上記液晶表示パネルの一層詳しい構成を、その製造方法と併せて説明する。
図１乃至図７、及び図８に示すように、まず、透明な絶縁基板としてアレイ基板１よりも寸法の大きい第１マザー基板としてのマザーガラス１０１を用意する。この実施形態によれば、マザーガラス１０１は、アレイ基板１を形成するため６つの矩形状のアレイ基板形成領域Ｒ６と、アレイ基板形成領域Ｒ６から外れた非有効領域Ｒ７とを有している。マザーガラス１０１は、アレイ基板形成領域Ｒ６の周縁に重なった第１分断予定線ｅ１を有している。

用意したマザーガラス１０１上には、成膜およびパターニングを繰り返す等、通常の製造工程により、ＴＦＴ１９、補助容量素子２４、保護絶縁膜２３等を含むアレイパターン１ｐを形成する。

次いで、マザーガラス１０１の配向膜材料塗布領域上に光分解型の配向膜材料を塗布し、マザーガラス１０１上に配向膜材料からなる配向膜２８を形成する。例えば、アレイパターン１ｐが形成されたマザーガラス１０１上に、スピンコート法を用いて配向膜材料を塗布し、配向膜２８を形成することができる。スピンコート法を利用する場合、配向膜材料塗布領域は、マザーガラス１０１上全体である。

なお、上記スピンコート法に替えてインクジェット工法を用いて配向膜材料を塗布することも可能である。インクジェット工法を利用する場合、配向膜材料塗布領域は、アレイ基板形成領域Ｒ６に限定してもよい。
その後、配向膜２８に光配向処理（偏光ＵＶの照射）を施す。
これにより、１枚のマザーガラス１０１にて６個のアレイ基板１が完成する。

図１、図２、図３、図６及び図７、並びに図９に示すように、一方、対向基板２の製造方法においては、まず、透明な絶縁基板として対向基板２よりも寸法の大きい第２マザー基板としてのマザーガラス１０２を用意する。この実施形態によれば、マザーガラス１０２は、対向基板２を形成するため６つの矩形状の対向基板形成領域Ｒ８と、対向基板形成領域Ｒ８から外れた非有効領域Ｒ９とを有している。マザーガラス１０２は、対向基板形成領域Ｒ８の周縁に重なった第２分断予定線ｅ２を有している。

用意したマザーガラス１０２上には、通常の製造工程により、対向パターン２ｐを形成する。次いで、スピンナを用い、例えば感光性アクリル性の透明樹脂をマザーガラス１０２上全面に塗布する。続いて、透明樹脂を乾燥させる。その後、所定のフォトマスクを用い、透明樹脂にパターニングを露光する。次に、露光された透明樹脂を現像した後、焼成し硬化させる。これにより、柱状スペーサ８０が形成される。

その後、対向パターン２ｐが形成されたマザーガラス１０２上に光配向処理が施された配向膜４３を形成する。配向膜４３を形成する際、配向膜２８を形成する手法と同様の手法を用いて形成することができる。
これにより、１枚のマザーガラス１０２にて６個の対向基板２が完成する。

次いで、図７及び図１０に示すように、マザーガラス１０１及びマザーガラス１０２の何れか一方の配向膜（２８、４３）の額縁領域Ｒ２上にシール剤５１ａを設ける。ここでは、アレイ基板１の配向膜２８の額縁領域Ｒ２上に全周に亘って、シール剤５１ａを印刷法により塗布する。シール剤５１ａとしては、例えば、紫外線硬化型や熱硬化型のシール剤５１ａを利用することができる。この実施形態において、シール剤５１ａは、紫外線硬化型であり熱硬化型であるシール剤を利用している。これにより、枠状にシール剤５１ａが形成される。

その後、シール剤５１ａで囲まれた領域に液晶材料を滴下する。続いて、配向膜２８及び配向膜４３が対向するよう、マザーガラス１０１及びマザーガラス１０２を対向配置し、アレイ基板１及び対向基板２を複数の柱状スペーサ８０により所定の隙間を保持して対向配置し、アレイ基板１及び対向基板２の周縁部同士をシール剤５１ａにより貼り合せる。

次いで、外部よりシール剤５１ａに紫外線を照射してシール剤５１ａを硬化させ、さらに熱硬化処理を施し、本硬化させる。シール剤５１ａを硬化してなるシール材５１を形成することにより、シール材５１を介してマザーガラス１０１及びマザーガラス１０２が接合される。

また、マザーガラス１０１及びマザーガラス１０２を貼り合わせることにより、マザーガラス１０１、マザーガラス１０２及びシール材５１で囲まれた空間に液晶層３を形成することができる。

続いて、マザーガラス１０１を第１分断予定線ｅ１に沿って分割するとともに、マザーガラス１０２を第２分断予定線ｅ２に沿って分割する。分割する際、例えば、第１分断予定線ｅ１及び第２分断予定線ｅ２に沿ってスクライブラインを引いて分割する。これにより、マザーガラス１０１からアレイ基板１が、マザーガラス１０２から対向基板２がそれぞれ切出される。
これにより、図３に示すように、分断されたマザーガラス１０１及びマザーガラス１０２から、液晶表示パネルが６組取出される。そして、６つの液晶表示パネルがそれぞれ完成する。

ここで、図１０に示したように、配向膜２８及び配向膜４３に接触した状態にあり硬化前の状態にあるシール剤５１ａの幅をＡ［μｍ］とする。シール剤５１ａからシール材５１への体積収縮率をＢ［％］とする。図３に示したように、硬化後の状態にあるシール材５１の幅をＣとする。

この実施形態において、体積収縮率Ｂが２％のシール剤５１ａを使用した。ここで、体積収縮率Ｂは、シール剤５１ａから紫外線硬化及び熱硬化後のシール材５１への体積収縮率である。シール剤５１ａの幅Ａを１０００μｍとした。シール材５１の幅Ｃは、９８０μｍであった。

また、シール剤５１ａを硬化させる前の額縁領域Ｒ２のセルギャップは３μｍであったが、シール剤５１ａを硬化させてシール材５１を形成した後の額縁領域Ｒ２のセルギャップは２．９４μｍであり、僅かに変化した。額縁領域Ｒ２に柱状スペーサ８０を形成しなかったためである。このため、上述したように、額縁領域Ｒ２にも柱状スペーサ８０を形成した方が望ましい。

上記のように構成された一実施形態に係る液晶表示パネル及び液晶表示パネルの製造方法によれば、液晶表示パネルを製造する際、まず、それぞれに光配向処理が施された配向膜２８、４３が形成された一対の基板を用意する。続いて、一対の基板の何れか一方の配向膜（２８、４３）の額縁領域Ｒ２上にシール剤５１ａを設ける。

ここで、シール剤５１ａとしては、アクリル樹脂及びエポキシ樹脂の２つの成分を含んだシール剤であり、紫外線硬化型であり熱硬化型であるシール剤を利用している。シール剤５１ａの体積収縮率Ｂは、２％である。

その後、一対の基板同士をシール剤５１ａにより貼り合わせる。ここで、シール剤５１ａの幅Ａは１０００μｍである。続いて、シール剤５１ａに紫外線を照射した後、熱硬化処理を施し、シール剤５１ａを硬化してシール材５１を形成する。また、一対の基板同士がシール材５１で接合されることにより、一対の基板及びシール材５１で囲まれた空間に液晶層３が形成される。

上記のように、配向膜２８、４３への配向処理に光配向処理を利用することができるため、ラビング処理を利用した場合に得ることのできない次の効果を得ることができる。

製造歩留まりの高い液晶表示パネル及び液晶表示パネルの製造方法を得ることができる。配向膜２８、４３にラビング処理を施す必要が無いため、摩擦により発生する静電気により素子（ＴＦＴ１９等）が破壊する問題を解消することができるためである。

表示品位に優れた液晶表示パネル及び液晶表示パネルの製造方法を得ることができる。ラビング処理により塵が発生すること等による表示不良（液晶分子ＬＭの配向乱れ）が生じる問題を解消することができるためである。

また、上述したように、シール剤５１ａの幅Ａに対応付けて予めシール剤５１ａの体積収縮率Ｂを調整しておくことにより、シール剤５１ａの収縮量（移動量）を抑えることができる。本実施形態において、シール剤５１ａの一側縁側の移動量は１０μｍであった。このため、液晶表示パネルの高い接着強度を得ることができた。このため、本実施形態は、さらに、製品歩留まりの高い液晶表示パネル及び液晶表示パネルの製造方法を得ることができる。また、上記高い接着強度を得ることができるため、製造歩留まりをより高くすることができる。

上記のことから、製品歩留まり及び製造歩留まりが高く、表示品位に優れた液晶表示パネル及び液晶表示パネルの製造方法を得ることができる。

本発明の実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

シール剤５１ａの幅Ａは１０００μｍに限定されるものではなく種々変形可能である。この場合も、適当な体積収縮率Ｂに調整されたシール剤５１ａを利用することにより、液晶表示パネルの高い接着強度を得ることができる（接着強度の低下を抑えることができる）。

ここで、シール剤５１ａの幅Ａと、シール剤５１ａの体積収縮率Ｂと、液晶表示パネルの接着強度との関係を調査した結果を図１１に示す。
図１１に示すように、調査したところ、曲線Ｌ上又は曲線Ｌより下方の範囲の特性を示すシール剤５１ａを用いることにより、十分に高い接着強度が得られる結果となった。例えば、幅Ａが１０００μｍであれば体積収縮率Ｂは２％以下が望ましく、幅Ａが５００μｍであれば体積収縮率Ｂは４％以下が望ましい。

上記の結果、次の条件を満たすシール剤５１ａを用いることにより、上述した実施形態と同様の効果が得られる。

Ｂ［％］≦２０００［μｍ］／Ａ［μｍ］
シール剤５１ａは、上記（i）のシール剤の利用に限定されるものではなく種々のシール剤５１ａの利用が可能である。
シール剤５１ａとして上記（ii）のシール剤を利用することができる。例えば、アクリル樹脂を含んだシール剤を利用することができる。この場合、体積収縮率Ｂは、シール剤５１ａから紫外線硬化後のシール材５１への体積収縮率である。

また、シール剤５１ａとして上記（iii）のシール剤を利用することができる。例えば、エポキシ樹脂を含んだシール剤を利用することができる。この場合、体積収縮率Ｂは、シール剤５１ａから熱硬化後のシール材５１への体積収縮率である。

上述した実施形態の技術は、上記液晶表示パネル及び液晶表示パネルの製造方法に限定されるものではなく、各種の液晶表示パネル及び液晶表示パネルの製造方法に適用可能である。液晶注入法は、滴下注入法の利用に限定されるものではなく、真空注入法を利用することも可能である。

１…アレイ基板、２…対向基板、３…液晶層、１１，４１…ガラス基板、２８，４３…配向膜、５１…シール材、５１ａ…シール剤、１０１，１０２…マザーガラス、Ｒ１…表示領域、Ｒ２…額縁領域、Ａ…幅、Ｂ…体積収縮率。

Claims (3)

1. それぞれに光配向処理が施された配向膜が形成された一対の基板を用意し、
   前記一対の基板の何れか一方の前記配向膜の額縁領域上にシール剤を設け、
   前記一対の基板同士を前記シール剤により貼り合わせ、前記シール剤を硬化してシール材を形成し、
   前記一対の基板及びシール材で囲まれた空間に液晶層を形成し、
   前記シール剤の幅をＡ［μｍ］、前記シール剤から前記シール材への体積収縮率をＢ［％］とすると、
   Ｂ≦２０００［μｍ］／Ａ
   を満たす前記シール剤を用いる液晶表示パネルの製造方法。
2. 紫外線硬化型であり熱硬化型である前記シール剤を用い、
   前記体積収縮率（Ｂ）は、前記シール剤から紫外線硬化及び熱硬化後の前記シール材への体積収縮率である請求項１に記載の液晶表示パネルの製造方法。
3. アクリル樹脂及びエポキシ樹脂の２つの成分を含んだ前記シール剤を用いる請求項２に記載の液晶表示パネルの製造方法。

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