JP2002328373A - 液晶セルおよび液晶セル集合体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】液晶注入口の潰れの無いアクティブマトリック
ス型の液晶セルを提供する。 【解決手段】画素電極３とＴＦＴ４とゲート配線１２お
よびデータ配線１４が設けられた第１の基板１と、対向
電極２５が設けられた第２の基板２とを接合する枠状シ
ール材３２に形成された液晶注入口３３の近傍に位置さ
せて、前記液晶注入口３３の近傍の基板間隔を規制する
ための補助スペーサ３０を設けた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、薄膜トランジス
タ（以下、ＴＦＴと記す）を能動素子とするアクティブ
マトリックス型の液晶セルおよび液晶セル集合体に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】ＴＦＴを能動素子とするアクティブマト
リックス型の液晶セルは、マトリックス状に配列された
複数の画素電極と、前記複数の画素電極にそれぞれ接続
された複数のＴＦＴと、前記複数のＴＦＴにゲート信号
を供給する複数のゲート配線と、前記複数のＴＦＴにデ
ータ信号を供給する複数のデータ配線とが設けられた第
１の基板と、前記複数の画素電極に対向する対向電極が
設けられた第２の基板とを、その間に前記画素電極がマ
トリックス状に配列する表示エリアを囲んで設けられ、
前記ゲート配線およびデータ配線の導出側とは異なる辺
部に液晶注入口が形成された枠状シール材を介して接合
した構成となっている。

【０００３】この液晶セルは、前記第１と第２の基板間
の前記枠状シール材により囲まれた領域に前記液晶注入
口から液晶を注入し、前記注入口を封止することにより
液晶表示素子とされるものであり、前記第１と第２の基
板の間隔は、前記液晶表示素子の液晶層厚を所定の値に
するために、前記表示エリア内に所定のピッチで配置さ
れた複数の表示エリア内スペーサと、前記枠状シール材
に混入されたギャップ材とにより規制されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記アクティブマトリ
ックス型液晶セルは、前記第１の基板の前記枠状シール
材に対応するシール部のうち、ゲート配線およびデータ
配線が通っている部分が高く盛り上がっているのに対
し、前記枠状シール材のゲート配線およびデータ配線の
導出側とは異なる辺部に形成された液晶注入口の付近に
は盛り上がり部が無いため、前記枠状シール材に混入さ
れたギャップ材により規制されるシール部の基板間隔の
うち、前記液晶注入口の付近の基板間隔が、前記ゲート
配線およびデータ配線の導出側の基板間隔よりも小さく
なり、前記基板の液晶注入口付近の領域がセル内方向に
撓み変形して、前記液晶注入口に潰れが生じる。

【０００５】一方、液晶表示素子の液晶層厚は、前記液
晶セルの第１の基板と第２の基板の最も内面にそれぞれ
設けられた配向膜間のギャップ（以下、基板間ギャップ
と言う）によって決まり、この基板間ギャップは、液晶
表示素子の液晶層厚を小さくして応答速度を速くするた
めに、できるだけ狭くすることが望まれている。

【０００６】その場合、第１と第２の基板のいずれか一
方の内面に表示エリアに対応させて設けられたカラーフ
ィルタを備えている液晶セルは、表示エリアの基板間ギ
ャップに比べてシール部の基板間ギャップがはるかに大
きいため、前記表示エリアの基板間ギャップを狭くして
も、前記液晶注入口の高さを充分に確保することができ
る。

【０００７】しかし、カラーフィルタを備えない液晶セ
ルは、表示エリアの基板間ギャップとシール部の基板間
ギャップとの差が小さいため、前記表示エリアの基板間
ギャップを狭くすると、前記液晶注入口の高さが前記表
示エリアの基板間ギャップと同程度に小さくなる。

【０００８】そして、従来のアクティブマトリックス型
液晶セルは、上述したように、シール部の基板間隔のう
ち、液晶注入口付近の基板間隔が、ゲート配線およびデ
ータ配線の導出側の基板間隔よりも小さくなり、前記液
晶注入口に潰れが生じるため、前記液晶注入口の高さが
さらに小さくなる。

【０００９】そのため、従来のカラーフィルタを備えな
いアクティブマトリックス型の狭ギャップ液晶セルは、
前記液晶注入口の高さが極端に小さく、したがって液晶
セル内への液晶の注入に時間がかかり、液晶表示素子の
製造コストを上昇させてしまう。

【００１０】この発明は、液晶注入口の潰れの無いアク
ティブマトリックス型の液晶セルおよびその集合体を提
供することを目的としたものである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】この発明の液晶セルは、
マトリックス状に配列された複数の画素電極と、前記複
数の画素電極にそれぞれ接続された複数のＴＦＴと、前
記複数のＴＦＴにゲート信号を供給する複数のゲート配
線と、前記複数のＴＦＴにデータ信号を供給する複数の
データ配線とが設けられた第１の基板と、前記複数の画
素電極に対向する対向電極が設けられた第２の基板と、
前記ゲート配線およびデータ配線の導出側とは異なる辺
部に液晶注入口を有し、前記第１と第２の基板間に、前
記画素電極がマトリックス状に配列する表示エリアを囲
んで設けられた枠状シール材と、前記第１と第２のいず
れか一方の基板の前記表示エリア内に所定のピッチで設
けられた複数の表示エリア内スペーサと、前記一方の基
板の前記表示エリアの外側の領域に少なくとも前記液晶
注入口の近傍に位置させて設けられた補助スペーサとか
らなり、前記第１と第２の基板が、その間隔を前記複数
の表示エリア内スペーサと前記補助スペーサとにより規
制され、前記枠状シール材を介して接合されていること
を特徴とするものである。

【００１２】この液晶セルは、画素電極とＴＦＴとゲー
ト配線およびデータ配線が設けられた第１の基板と、対
向電極が設けられた第２の基板とを、前記ゲート配線お
よびデータ配線の導出側とは異なる辺部に液晶注入口が
形成された枠状シール材を介して接合したものである
が、前記第１と第２の基板の間隔を、いずれか一方の基
板の前記表示エリア内に設けられた複数の表示エリア内
スペーサと、前記一方の基板の前記表示エリアの外側の
領域に少なくとも前記液晶注入口の近傍に位置させて設
けられた補助スペーサとにより規制しているため、前記
液晶注入口の潰れを防ぐことができる。

【００１３】すなわち、この発明の液晶セルは、画素電
極とＴＦＴとゲート配線およびデータ配線が設けられた
第１の基板と、対向電極が設けられた第２の基板とを接
合する枠状シール材に形成された液晶注入口の近傍に位
置させて補助スペーサを設けることにより、前記液晶注
入口の潰れを無くすようにしたものである。

【００１４】この発明の液晶セルにおいて、前記補助ス
ペーサは、前記液晶注入口の両側に設けても、前記枠状
シール材の液晶注入口を除く領域の全周に沿わせて所定
ピッチで設けてもよい。

【００１５】さらに、前記複数の表示エリア内スペーサ
は、前記第１の基板に設けられた複数のＴＦＴにそれぞ
れ対応させて設け、前記第１の基板の補助スペーサに対
応する部分に、前記ＴＦＴの最も厚い部分と同じ積層構
造の第１の補助スペーサ支持層を形成するとともに、前
記第２の基板の前記補助スペーサに対応する部分に、前
記第２の基板の前記表示エリア内スペーサに対応する部
分の内面と同じ高さの第２の補助スペーサ支持層を形成
するのが好ましい。

【００１６】また、この発明の液晶セル集合体は、前記
液晶セルの第１の基板となる複数の基板領域を有し、前
記複数の基板領域にそれぞれ、マトリックス状に配列さ
れた複数の画素電極と、前記複数の画素電極にそれぞれ
接続された複数のＴＦＴと、前記複数のＴＦＴにゲート
信号を供給する複数のゲート配線と、前記複数のＴＦＴ
にデータ信号を供給する複数のデータ配線とが設けられ
た第１の基板材と、前記液晶セルの第２の基板となる複
数の基板領域を有し、前記複数の基板領域にそれぞれ、
前記複数の画素電極に対向する対向電極が設けられた第
２の基板材と、前記ゲート配線およびデータ配線の導出
側とは異なる辺部に液晶注入口を有し、前記第１と第２
の基板材の前記複数の基板領域の間に、前記複数の基板
領域の前記画素電極がマトリックス状に配列する表示エ
リアをそれぞれ囲んで設けられた複数の枠状シール材
と、前記第１と第２のいずれか一方の基板材の前記複数
の基板領域の前記表示エリア内に所定のピッチで設けら
れた複数の表示エリア内スペーサと、前記一方の基板材
の前記複数の基板領域の外側に、前記複数の枠状シール
材の液晶注入口の前にそれぞれ位置させて設けられた捨
てスペーサとからなり、前記第１と第２の基板材が、そ
の間隔を前記複数の表示エリア内スペーサと前記捨てス
ペーサとにより規制され、前記複数の枠状シール材を介
して接合されていることを特徴とするものであり、この
液晶セル集合体は、前記第１と第２の基板材を前記複数
の基板領域毎に切離すことにより個々の液晶セルに分離
される。

【００１７】この液晶セル集合体は、複数の基板領域に
それぞれ画素電極とＴＦＴとゲート配線およびデータ配
線が設けられた第１の基板材と、複数の基板領域にそれ
ぞれ対向電極が設けられた第２の基板材との前記複数の
基板領域をそれぞれ、前記ゲート配線およびデータ配線
の導出側とは異なる辺部に液晶注入口が形成された枠状
シール材を介して接合したものであるが、前記第１と第
２の基板材の間隔を、いずれか一方の基板材の複数の基
板領域の表示エリア内にそれぞれ設けられた複数の表示
エリア内スペーサと、前記一方の基板材の前記複数の基
板領域の外側に前記複数の枠状シール材の液晶注入口の
前にそれぞれ位置させて設けられた捨てスペーサとによ
り規制しているため、前記液晶注入口の潰れを防ぐこと
ができる。

【００１８】すなわち、この発明の液晶セル集合体は、
複数の基板領域にそれぞれ画素電極とＴＦＴとゲート配
線およびデータ配線が設けられた第１の基板材と、複数
の基板領域にそれぞれ対向電極が設けられた第２の基板
との前記複数の基板領域をそれぞれ接合する複数の枠状
シール材に形成された液晶注入口の近傍に位置させて補
助スペーサを設けることにより、前記液晶注入口の潰れ
を無くすようにしたものである。

【００１９】この発明の液晶セル集合体において、前記
複数の表示エリア内スペーサは、前記第１の基板材に設
けられた複数のＴＦＴにそれぞれ対応させて設け、前記
第１の基板材の前記捨てスペーサに対応する部分に、前
記ＴＦＴの最も厚い部分と同じ積層構造の第１の捨てス
ペーサ支持層を形成するとともに、前記第２の基板材の
前記捨てスペーサに対応する部分に、前記第２の基板の
前記表示エリア内スペーサに対応する領域の内面と同じ
高さの第２の捨てスペーサ支持層を形成するのが好まし
い。

【００２０】

【発明の実施の形態】図１〜図６はこの発明の液晶セル
の第１の実施例を示しており、図１は液晶セルの一部分
の平面図、図２は前記液晶セルの１つの画素部の拡大断
面図、図３は図１のIII−III線に沿う拡大断面図、図４
は図１のIV−IV線に沿う拡大断面図、図５は図１のV−V
線に沿う拡大断面図、図６は図１のVI−VI線に沿う拡大
断面図である。

【００２１】この液晶セルは、フィールドシーケンシャ
ル液晶表示装置用の液晶表示素子に用いられるアクティ
ブマトリックス型液晶セルであり、図１〜図６に示すよ
うに、枠状シール材３２を介して接合された一対の透明
基板１，２のうち、第１の基板、例えば後側の基板１の
内面に、マトリックス状に配列された複数の透明な画素
電極３と、前記複数の画素電極３にそれぞれ接続された
複数のＴＦＴ４と、前記複数のＴＦＴ４にゲート信号を
供給する複数のゲート配線１２と、前記複数のＴＦＴ４
にデータ信号を供給する複数のデータ配線１４と、前記
基板１の一端縁部および一側縁部にそれぞれ形成された
複数のゲート配線端子１３およびデータ配線端子１５と
が設けられ、第２の基板、つまり表示の観察側である前
側の基板２の内面に、前記複数の画素電極３に対向する
一枚膜状の透明な対向電極２５と、前記複数の画素電極
３と前記対向電極２５とが互いに対向する複数の画素部
の間の領域に対応する遮光膜２６とが設けられている。

【００２２】なお、図１では便宜上、画素電極３および
ＴＦＴ４を大きく誇張して示しているが、前記画素電極
３およびＴＦＴ４は、１００μｍ〜３００μｍのピッチ
で配列されている。

【００２３】前記ＴＦＴ４は、図２に示したように、後
側基板１面に形成されたゲート電極５と、このゲート電
極５を覆って基板全体に形成された透明なゲート絶縁膜
６と、前記ゲート絶縁膜６の上に前記ゲート電極５と対
向させて形成されたｉ型半導体膜７と、このｉ型半導体
膜７のチャンネル領域の上に設けられたブロッキング絶
縁膜８と、前記ｉ型半導体膜７の両側部の上にｎ型半導
体膜９を介して形成されたソース電極１０およびドレイ
ン電極１１とからなっている。

【００２４】また、前記ゲート配線１２は、後側基板１
面に各画素電極行の一側にそれぞれ沿わせて形成されて
おり、これらのゲート配線１２の一端は、後側基板１の
一端縁部に配列形成された複数のゲート配線端子１２に
それぞれ接続され、前記ＴＦＴ４のゲート電極５は、そ
のＴＦＴ４に対応するゲート配線１２に一体に形成され
ている。

【００２５】前記ゲート電極５およびゲート配線１１
は、低抵抗のアルミニウム系合金膜により形成されてお
り、図では省略しているが、その表面は、前記ゲート配
線端子１２となる部分を除いて陽極酸化処理されてい
る。

【００２６】このゲート電極５およびゲート配線１２
は、基板２面との段差を小さくするため、０．２３μｍ
の極く薄い膜厚に形成されている。また、前記ゲート絶
縁膜６は、０．２５μｍの膜厚の窒化シリコン膜からな
っている。

【００２７】また、前記ＴＦＴ４のｉ型半導体膜７は、
膜厚が０．０５μｍのｉ型アモルファスシリコン膜から
なっており、ブロッキング絶縁膜８は、膜厚が０．１０
μｍの膜厚の窒化シリコン膜からなっており、ｎ型半導
体膜９は、膜厚が０．０２５μｍのｎ型アモルファスシ
リコン膜からなっている。

【００２８】一方、前記データ配線１４は、前記ゲート
絶縁膜６の上に各画素電極列の一側にそれぞれ沿わせて
形成されており、これらのデータ配線１４の一端は、後
側基板１の一側縁部に配列形成された複数のデータ配線
端子１５にそれぞれ接続されている。

【００２９】このデータ配線１４は、前記ＴＦＴ４のソ
ース電極１０およびドレイン電極１１と同じ金属膜によ
り形成されており、前記ＴＦＴ４のドレイン電極１１に
一体に接続されている。

【００３０】なお、図２では前記ＴＦＴ４のソース電極
１０とドレイン電極１１およびデータ配線１４を単層膜
として示しているが、このソース電極１０とドレイン電
極１１およびデータ配線１４は、前記ｎ型半導体膜９と
のコンタクト層であるクロム膜と、その上に形成された
アルミニウム系合金膜とからなっている。

【００３１】前記データ配線１４には、画像データに応
じた電荷を、前記ＴＦＴ４を介して、前記画素電極３と
対向電極２５との間に形成される画素容量に蓄積するた
めのデータ信号が流れるため、この実施例では、前記デ
ータ配線１４の抵抗によるデータ信号の電位降下をでき
るだけ小さくするために、前記データ配線１４およびＴ
ＦＴ４のソース，ドレイン電極１０，１１を、前記ゲー
ト配線１２の膜厚（０．２３μｍ）よりも充分に厚い
０．４２５μｍの膜厚に形成している。

【００３２】一方、前記画素電極３は、前記ゲート絶縁
膜６の上に形成されており、これらの画素電極３は、そ
の一側縁の端部において前記ＴＦＴ４のソース電極１０
に接続されている。なお、この画素電極３は、膜厚が
０．０５μｍのＩＴＯ膜からなっている。

【００３３】そして、前記後側基板１の内面には、前記
複数の画素電極３にそれぞれ対応する部分に開口を有す
る０．２０μｍの膜厚の窒化シリコン膜からなるオーバ
ーコート絶縁膜１６が基板全体にわたって設けられてお
り、このオーバーコート絶縁膜１６の上に、前記枠状シ
ール材３２により囲まれた領域のほぼ全域にわたって、
膜厚が０．０４μｍのポリイミド膜からなる配向膜１７
が設けられている。

【００３４】さらに、前記後側基板１の前記ゲート配線
端子１３とデータ配線端子１５のいずれか一方の端子の
配列縁部（この実施例ではデータ配線端子１５が配列形
成された一側縁部）の内面には、後側基板の内面に設け
られた対向電極２５に対応する対向電極端子１８が設け
られるとともに、この後側基板１の前記枠状シール材３
２に対応するシール部の外側の領域の内面に、前記対向
電極端子１８と接続して形成されたクロス電極１９が設
けられている。

【００３５】なお、前記枠状シール材３２は、前記後側
基板１と前側基板２との間に、前記複数の画素電極３が
マトリックス状に配列する表示エリアの周囲を所定のス
ペースを存して囲むように設けられており、この枠状シ
ール材３２は、その各角部を斜めに面取りした形状に形
成されている。

【００３６】そして、前記クロス電極１９は、図１に示
したように、前記枠状シール材３２の対向電極端子１８
が設けられた基板縁部に対応する面取り角部の外側の領
域に設けられている。

【００３７】前記クロス電極１９は、前記ゲート配線１
２とデータ配線１４とのうちの膜厚の薄いゲート配線１
２と同じ金属膜（膜厚が０．２３μｍのアルミニウム系
合金膜）からなる単層膜であり、このクロス電極１９に
一体に形成されたリード部２０を介して前記対向電極端
子１８と接続されている。

【００３８】前記ゲート配線端子１３は、図３に示した
ように、前記ゲート配線１２と同じ金属膜からなる下層
膜１３ａの上に前記データ配線１４と同じ金属膜からな
る上層膜１３ｂが形成された積層膜からなっており、前
記対向電極端子１８も、前記ゲート配線端子１３と同じ
積層膜からなっている。また、前記データ配線端子１５
は、図４に示したように、前記データ配線１４と同じ金
属膜からなる単層膜とされている。

【００３９】なお、前記ゲート絶縁膜６には、前記ゲー
ト配線端子１３の下層膜１３ａと前記対向電極端子１８
の下層膜（図示せず）と前記クロス電極１９とをそれぞ
れ露出させる開口が形成されており、前記オーバーコー
ト絶縁膜１６には、前記ゲート配線端子１３の上層膜１
３ｂと前記対向電極端子１８の上層膜（図示せず）と前
記クロス電極１９と前記データ配線端子１５とをそれぞ
れ露出させる開口が設けられている。

【００４０】また、前記後側基板１の内面の前記枠状シ
ール材３２に対応するシール部には、前記枠状シール材
３２のゲート配線１２およびデータ配線１４の導出側と
は異なる辺部、例えばデータ配線端子１５の配列縁部に
沿う辺部とは反対側の辺部を部分的に欠落させて形成さ
れた液晶注入口３３の付近の領域を除く全周にわたっ
て、後述するシール部スペーサ２９を支持するためのシ
ール部スペーサ支持層２１，２２，２３が、前記ゲート
配線１１およびデータ配線１３のピッチと同じピッチで
形成されている。

【００４１】前記シール部スペーサ支持層２１，２２，
２３のうち、ゲート配線１２が通っている部分のスペー
サ支持層２１は、前記複数のゲート配線１２にそれぞれ
対応させて形成され、データ配線１４が通っている部分
のシール部スペーサ支持層２２は、前記複数のデータ配
線１４にそれぞれ対応させて形成されている。

【００４２】すなわち、前記ゲート配線１２が通ってい
る部分のシール部スペーサ支持層２１は、図３に示した
ように、前記ゲート配線１２およびゲート絶縁膜６と、
前記ゲート絶縁膜６上に前記ゲート配線１２の上に対応
させて積層形成されたｉ型半導体膜７ａとブロッキング
絶縁膜８ａとｎ型半導体膜９ａおよび疑似電極２１ａ
と、前記オーバーコート絶縁膜１６とからなっており、
前記データ配線１４が通っている部分のスペーサ支持層
２２は、図４に示したように、基板２面に前記データ配
線１４の下に対応させて形成された疑似電極２２ａと、
前記ゲート絶縁膜６と、前記ゲート絶縁膜６上に前記疑
似電極２２ａの上に対応させて積層形成されたｉ型半導
体膜７ａとブロッキング絶縁膜８ａおよびｎ型半導体膜
９ａと、前記データ配線１４と、前記オーバーコート絶
縁膜１６とからなっている。

【００４３】一方、前記ゲート配線１２およびデータ配
線１４が通っていない部分のシール部スペーサ支持層２
３は、図５に示したように、基板２面に前記データ配線
１４の下に対応させて形成された第１の疑似電極２３ａ
と、前記ゲート絶縁膜６と、前記ゲート絶縁膜６上に前
記第１の疑似電極２３ａの上に対応させて積層形成され
たｉ型半導体膜７ａとブロッキング絶縁膜８ａとｎ型半
導体膜９ａおよび第２の疑似電極２３ｂと、前記オーバ
ーコート絶縁膜１６とからなっている。

【００４４】そして、前記ゲート配線１２が通っている
部分のシール部スペーサ支持層２１の疑似電極２１ａ
と、前記配線１２，１４が通っていない部分のシール部
スペーサ支持層２３の第２の疑似電極２３ｂはそれぞれ
前記データ配線１４と同じ金属膜により形成され、前記
データ配線１４が通っている部分のシール部スペーサ支
持層２２の疑似電極２２ａと、前記配線１２，１４が通
っていない部分のシール部スペーサ支持層２３の第１の
疑似電極２３ａはそれぞれ前記ゲート配線１２と同じ金
属膜により形成されており、さらに、前記各スペーサ支
持層２１，２２，２３のｉ型半導体膜７ａとブロッキン
グ絶縁膜８ａおよびｎ型半導体膜９ａは、前記ＴＦＴ４
のｉ型半導体膜７とブロッキング絶縁膜８およびｎ型半
導体膜９と同じ膜により形成されている。

【００４５】このように、前記シール部スペーサ支持層
２１，２２，２３は、いずれも、前記ＴＦＴ４の最も厚
い部分のオーバーコート絶縁膜１６を含む断面構造と同
じ積層構造をなしており、したがって、これらのシール
部スペーサ支持層２１，２２，２３の上面の高さは、前
記ＴＦＴ４の最も厚い部分における前記オーバーコート
絶縁膜１６の上面の高さと同じである。

【００４６】なお、前記ゲート配線１２が通っている部
分のシール部スペーサ支持層２１の疑似電極２１ａは、
前記ゲート配線端子１３の上層膜１３ｂと一体に形成さ
れており、データ配線１４が通っている部分のシール部
スペーサ支持層２２の疑似電極２２ａと、配線１２，１
４が通っていない部分のシール部スペーサ支持層２３の
第１および第２の疑似電極２３ａ，２３ｂと、各シール
部スペーサ支持層２１，２２，２３のｉ型半導体膜７ａ
とブロッキング絶縁膜８ａおよびｎ型半導体膜９ａは、
前記シール部に対応させて形成されている。

【００４７】さらに、前記後側基板１の内面には、図１
に示したように、前記枠状シール材３２に形成された前
記液晶注入口３３の近傍に位置させて、後述する補助ス
ペーサ３０を支持するための第１の補助スペーサ支持層
２４が形成されている。

【００４８】この第１の補助スペーサ支持層２４は、前
記枠状シール材３２に対応するシール部の外側の領域
に、前記液晶注入口３３にできるだけ近接させて、前記
液晶注入口３３の両側にそれぞれ設けられている。な
お、この第１の補助スペーサ支持層２４は、前記シール
部の幅と同程度の縦幅および横幅を有する形状に形成さ
れている。

【００４９】前記第１の補助スペーサ支持層２４は、図
６に示したように、後側基板１面に形成された第１の疑
似電極２４ａと、前記ゲート絶縁膜６と、前記ゲート絶
縁膜６上に前記第１の疑似電極２４ａの上に対応させて
積層形成されたｉ型半導体膜７ａとブロッキング絶縁膜
８ａとｎ型半導体膜９ａおよび第２の疑似電極２４ｂ
と、前記オーバーコート絶縁膜１６と、前記オーバーコ
ート絶縁膜１６上に前記第１の疑似電極２４ａの上に対
応させて形成された疑似配向膜１７ａとからなってい
る。

【００５０】この第１の補助スペーサ支持層２４の第１
の疑似電極２４ａは前記ゲート配線１２と同じ金属膜に
より形成され、第２の疑似電極２４ｂは前記データ配線
１４と同じ金属膜により形成されており、前記ｉ型半導
体膜７ｂとブロッキング絶縁膜８ｂおよびｎ型半導体膜
９ｂは、前記ＴＦＴ４のｉ型半導体膜７とブロッキング
絶縁膜８およびｎ型半導体膜９と同じ膜により形成さ
れ、前記疑似配向膜１７ａは、前記枠状シール材３２に
より囲まれた領域に設けられた前記配向膜１７と同じ膜
厚のポリイミド膜により形成されている。

【００５１】すなわち、前記第１の補助スペーサ支持層
２４は、前記ＴＦＴ４の最も厚い部分のオーバーコート
絶縁膜１６および配向膜１７を含む断面構造と同じ積層
構造をなしており、したがって、この第１の補助スペー
サ支持層２４の上面、つまり前記疑似配向膜１７ａ面の
高さは、前記ＴＦＴ４の最も厚い部分における前記配向
膜１７面の高さと同じである。

【００５２】一方、後側基板の内面に設けられた遮光膜
２６は、後側基板面に形成されており、対向電極２５
は、前記遮光膜２６を覆って後側基板の内面に形成され
ている。

【００５３】なお、図２および図３では前記遮光膜２６
を単層膜として示しているが、この遮光膜２６は、後側
基板面に形成された酸化クロム膜とその上に形成された
クロム膜とからなる膜厚が０．１７μｍの積層膜からな
っている。

【００５４】また、前記対向電極２５は、膜厚が０．１
４μｍのＩＴＯ膜からなっており、この対向電極２５の
上に、前記枠状シール材３２により囲まれた領域のほぼ
全域にわたって、膜厚が０．０４μｍのポリイミド膜か
らなる配向膜２７が設けられている。

【００５５】前記対向電極２５は、図１に示したよう
に、その外縁が枠状シール材３２に対応するシール部の
外側縁よりも僅かに内側に位置する矩形膜状に形成され
ており、この対向電極２４の前記枠状シール材３２の面
取り角部に対応する角部が、前記シール部の外側に突出
するクロス電極接続部２５ａとされている。

【００５６】また、前記遮光膜２６は、前記対向電極２
５のクロス電極接続部２５ａを除く領域の外形とほぼ同
じ形状に形成されており、したがって、前記対向電極２
５のクロス電極接続部２５ａは、後側基板面に直接形成
されている。

【００５７】さらに、前記後側基板の内面には、前記後
側基板１の表示エリア内に設けられた複数のＴＦＴ４に
それぞれ対応する複数の表示エリア内スペーサ２８（図
２参照）と、前記後側基板１のシール部に形成されたシ
ール部スペーサ支持層２１，２２，２３にそれぞれ対応
する複数のシール部スペーサ２９（図３〜図５参照）
と、前記後側基板１の前記液晶注入口３３の両側に形成
された第１の補助スペーサ支持層２４にそれぞれ対応す
る補助スペーサ３０（図６参照）とが設けられている。

【００５８】これらのスペーサ２８，２９，３０はそれ
ぞれ絶縁膜からなっており、前記表示エリア内スペーサ
２８とシール部スペーサ２９は、前記ＴＦＴ４のブロッ
キング絶縁膜８の面積よりも若干大きい面積を有する柱
状に形成され、前記補助スペーサ３０は、前記シール部
の幅と同程度の縦幅および横幅を有する形状に形成され
た前記第１の補助スペーサ支持層２４の面積よりも若干
小さい面積を有する柱状に形成されている。

【００５９】また、前記シール部スペーサ支持層２１，
２２，２３にそれぞれ対応する複数のシール部スペーサ
２９は、前記シール部スペーサ支持層２１，２２，２３
の長さ方向（シール部の幅方向）に沿わせて前記表示エ
リア内スペーサ２８のピッチと同じピッチで設けられて
いる。

【００６０】なお、図３〜図５では便宜上、枠状シール
材３２の幅を小さく縮小して示しているが、前記枠状シ
ール材３２に対応するシール部の幅は０．３ｍｍ〜１．
０ｍｍであり、前記シール部スペーサ２９は、上述した
ように１００μｍ〜３００μｍのピッチで配列された前
記複数のＴＦＴ４にそれぞれ対応する複数の表示エリア
内スペーサ２８と同じピッチで前記シール部スペーサ支
持層２１，２２，２３の長さ方向に配列されている。

【００６１】さらに、前記表示エリア内スペーサ２８と
シール部スペーサ２９は、前記遮光膜２６と対向電極２
５との積層膜の上に設けられ、前記補助スペーサ３０
は、前記後側基板の内面に前記補助スペーサ３０の形成
領域に対応させて形成された第２の補助スペーサ支持層
３１の上に設けられている。

【００６２】前記第２の補助スペーサ支持層３１は、前
記遮光膜２６と同じ膜（酸化クロム膜とクロム膜との積
層膜）により形成された第１のスペーサ支持膜３１ａ
と、その上に前記対向電極２５と同じ膜（ＩＴＯ膜）に
より形成された第２のスペーサ支持膜３１ｂとの積層膜
からなっており、したがって、この第２の補助スペーサ
支持層３１は、前記後側基板の前記表示エリア内スペー
サ２８およびシール部スペーサ２９に対応する領域の内
面（遮光膜２６と対向電極２５との積層膜の内面）と同
じ高さを有している。

【００６３】なお、前記第２の補助スペーサ支持層３１
は、前記後側基板１の内面に設けられた第１の補助スペ
ーサ支持層２４と同程度の縦幅および横幅を有する形状
に形成されている。

【００６４】また、前記表示エリア内スペーサ２８と補
助スペーサ３０は、同じ厚さに形成されており、前記表
示エリア内スペーサ２８は、後側基板の最も内面に枠状
シール材３２により囲まれた領域のほぼ全域にわたって
設けられた配向膜２７により覆われ、前記補助スペーサ
３０の上には、前記配向膜２７と同じ膜厚のポリイミド
膜からなる疑似配向膜２７ａが形成されている。

【００６５】一方、前記シール部スペーサ２９は、前記
表示エリア内スペーサ２８よりも、後側基板に設けられ
た前記配向膜２７と、後側基板１の最も内面に前記枠状
シール材３２により囲まれた領域のほぼ全域にわたって
設けられた配向膜１７との両方の膜厚分だけ厚く形成さ
れている。

【００６６】そして、前記後側基板と後側基板１は、前
記表示エリアの基板間隔および前記シール部の基板間隔
を前記表示エリア内スペーサ２８およびシール部スペー
サ２９により規制され、前記液晶注入口３３の近傍の基
板間隔を前記補助スペーサ３０により規制されて前記枠
状シール材３１を介して接合されており、また、後側基
板１に設けられた前記クロス電極１９と後側基板に設け
られた対向電極２５のクロス電極接続部２５ａはクロス
材（図示せず）を介して電気的に接続されている。

【００６７】この液晶セルは、前記一対の基板１，２の
いずれか一方の内面に、熱硬化性樹脂からなるシール材
３２を、前記液晶注入口３３となる部分を欠落させた枠
状に印刷し、前記クロス電極１９と前記対向電極２５の
クロス電極接続部２５ａのいずれかの上に、導電性粒子
が混入された熱硬化性樹脂からなる図示しないクロス材
を印刷した後、前記一対の基板１，２を重ね合わせて加
圧することにより、後側基板に設けられた各スペーサ２
８，２９，３０のうち、前記複数の表示エリア内スペー
サ２８および複数のシール部スペーサ２９を後側基板１
の複数のＴＦＴ４上の部分の内面（配向膜１７面）およ
びシール部スペーサ支持層２１，２２，２３にそれぞれ
当接させ、前記補助スペーサ３０を後側基板１に前記液
晶注入口３３の両側に近接させて設けられた第１の補助
スペーサ支持層２４に当接させるとともに、前記クロス
材中の導電性粒子を前記クロス電極１９と対向電極２５
のクロス電極接続部２５ａとの間に挟持させ、その状態
で前記シール材３１と前記クロス材とを硬化させること
により組立てられる。

【００６８】その場合、この液晶セルでは、上述したよ
うに、前記シール部スペーサ支持層２１，２２，２３を
それぞれ前記ＴＦＴ４の最も厚い部分のオーバーコート
絶縁膜１６を含む断面構造と同じ積層構造とするととも
に、前記表示エリア内スペーサ２８と前記シール部スペ
ーサ２９とを、後側基板の内面に設けられた前記遮光膜
２６と対向電極２５との積層膜上に形成し、さらに、前
記表示エリア内スペーサ２８を、後側基板の最も内面に
枠状シール材３２により囲まれた領域のほぼ全域にわた
って設けられた配向膜２７により覆い、前記シール部ス
ペーサ２９を、前記表示エリア内スペーサ２８よりも、
後側基板に設けられた前記配向膜２７と、後側基板１の
最も内面に前記枠状シール材３２により囲まれた領域の
ほぼ全域にわたって設けられた配向膜１７との両方の膜
厚分だけ厚く形成しているため、後側基板と後側基板１
との基板間隔ｄ_０を、表示エリアからシール部にわたっ
て均一にすることができる。

【００６９】そして、この液晶セルでは、前記液晶注入
口３３の両側に近接させて、前記表示エリア内スペーサ
２８と同じ厚さに形成された補助スペーサ３０を設ける
とともに、後側基板１の内面の前記補助スペーサ３０に
対応する部分に、前記ＴＦＴ４の最も厚い部分のオーバ
ーコート絶縁膜１６および配向膜１７を含む断面構造と
同じ積層構造の第１の補助スペーサ支持層３１を形成
し、後側基板の内面の前記補助スペーサ３０に対応する
部分に、前記後側基板の前記表示エリア内スペーサ２８
およびシール部スペーサ２９に対応する領域の内面（遮
光膜２６と対向電極２５との積層膜の内面）と同じ高さ
の第２の補助スペーサ支持層３１を形成し、さらに、前
記補助スペーサ３０の上に、後側基板に設けられた前記
配向膜２７と同じ膜厚の疑似配向膜２７ａを設けている
ため、前記補助スペーサ３０により、前記液晶注入口３
３の近傍の基板間隔を、前記表示エリア内スペーサ２８
およびシール部スペーサ２９により規制される基板間隔
ｄ_０と同じなるように規制し、前記液晶注入口３３の潰
れを防ぐことができる。

【００７０】すなわち、この液晶セルは、画素電極３と
ＴＦＴ４とゲート配線１２およびデータ配線１４が設け
られた後側基板１と、対向電極２５が設けられた後側基
板とを、前記ゲート配線１２およびデータ配線１４の導
出側とは異なる辺部に液晶注入口３３が形成された枠状
シール材３２を介して接合したものであるが、前記後側
基板と後側基板１との間隔を、前記後側基板の前記表示
エリア内に設けられた複数の表示エリア内スペーサ２８
と、前記後側基板に前記シール部に対応させて設けられ
た複数のシール部スペーサ２９と、前記後側基板の前記
表示エリアの外側の領域に前記液晶注入口３３の近傍に
位置させて設けられた補助スペーサ３０とにより規制し
ているため、前記基板１，２の液晶注入口３３の付近が
セル内方向に撓み変形して前記液晶注入口３３に潰れを
生じることはない。

【００７１】このように、上記液晶セルは、画素電極３
とＴＦＴ４とゲート配線１２およびデータ配線１４が設
けられた後側基板１と、対向電極２５が設けられた後側
基板とを接合する枠状シール材３２に形成された液晶注
入口３３の近傍に位置させて補助スペーサ３０を設ける
ことにより、前記液晶注入口３３の潰れを無くすように
したものであり、この液晶セルは、前記液晶注入口３３
の潰れが無いため、前記基板間隔ｄ_０を小さくし、基板
間ギャップ（一対の基板１，２の最も内面にそれぞれ設
けられた配向膜１７，２７間のギャップ）を小さくする
ことができる。

【００７２】この液晶セルの表示エリア内の各画素部の
基板間ギャップｄ（図２参照）は、例えば前記表示エリ
ア内スペーサ２８を０．４０μｍの厚さに形成すること
により、１．５５μｍにすることができる。

【００７３】すなわち、上述したように、この実施例の
液晶セルの後側基板１の内面に設けられたＴＦＴ４のゲ
ート電極５の膜厚は０．２３μｍ、ゲート絶縁膜６の膜
厚は０．２５μｍ、ｉ型半導体膜７の膜厚は０．０５μ
ｍ、ブロッキング絶縁膜８の膜厚は０．１０μｍ、ｎ型
半導体膜９の膜厚は０．０２５μｍ、ソース，ドレイン
電極１０，１１の膜厚は０．４２５μｍであり、また、
前記ＴＦＴ４を覆うオーバーコート絶縁膜１６の膜厚は
０．２０μｍ、その上の配向膜１７の膜厚は０．０４μ
ｍであるため、前記ＴＦＴ４の最も厚い部分のオーバー
コート絶縁膜１６および配向膜１７を含む厚さは１．３
２μｍである。

【００７４】一方、前記表示エリア内スペーサ２８は、
後側基板の内面に設けられた膜厚が０．１７μｍの遮光
膜２６と膜厚が０．１４μｍの対向電極２５との積層膜
の上に形成されており、さらにこの表示エリア内スペー
サ２８は膜厚が０．０４μｍの配向膜２７により覆われ
ているため、前記表示エリア内スペーサ２８を０．４０
μｍの厚さに形成したときの基板間隔ｄ_０は２．０７μ
ｍになる。

【００７５】そして、前記表示エリア内の各画素部の基
板間ギャップｄは、一対の基板１，２の最も内面にそれ
ぞれ設けられた配向膜１７，２７間のギャップであり、
前記後側基板１の配向膜１７は、膜厚が０．２５μｍの
ゲート絶縁膜６上に設けられた膜厚が０．０５μｍの画
素電極３の上に０．０４μｍの膜厚に形成され、後側基
板の配向膜２７は、膜厚が０．１４μｍの対向電極２５
の上に０．０４μｍの膜厚に形成されているため、前記
基板間隔ｄ_０を上記のように２．０７μｍとすると、各
画素部の基板間ギャップｄは１．５５μｍになる。

【００７６】このように、表示エリア内スペーサ２８を
０．４０μｍの厚さに形成する場合は、前記シール部ス
ペーサ２９を、前記表示エリア内スペーサ２８よりも一
対の基板１，２の最も内面にそれぞれ設けられた配向膜
１７，２７間の両方の膜厚分だけ厚い０．４８μｍの厚
さに形成し、前記補助スペーサ３０を前記表示エリア内
スペーサ２８と同じ厚さ（０．４０μｍ）に形成すれば
よく、このようにすることにより、後側基板と後側基板
１との基板間隔ｄ_０を表示エリアからシール部にわたっ
て均一にするとともに、液晶注入口３３の近傍の基板間
隔を前記表示エリアの基板間隔ｄ_０と同じにし、前記液
晶注入口３３の潰れを防ぐことができる。

【００７７】なお、上記のように基板間隔ｄ_０を２．０
７μｍにする場合は、後側基板１の内面にゲート配線１
２と同じ金属膜により形成された膜厚が０．２３μｍの
クロス電極１９と、後側基板の内面に設けられた膜厚が
０．１４μｍの対向電極２５のクロス電極接続部２５ａ
との間隔が１，７μｍになるため、前記クロス電極１９
と前記対向電極２５のクロス電極接続部２５ａとを、直
径が１，７μｍの導電性粒子を混入した図示しないクロ
ス材により接続すればよい。

【００７８】しかも、この実施例の液晶セルは、前記複
数の表示エリア内スペーサ２８を、後側基板１の内面の
前記表示エリア内に設けられた複数のＴＦＴ４にそれぞ
れ対応させて設け、前記後側基板１の前記補助スペーサ
３０に対応する部分に、前記ＴＦＴ４の最も厚い部分の
オーバーコート絶縁膜１６および配向膜１７を含む断面
構造と同じ積層構造の第１の補助スペーサ支持層２４を
設けるとともに、前側基板２の内面の前記補助スペーサ
３０に対応する部分に、前記前側基板２の表示エリア内
スペーサ２８に対応する領域の内面、つまり遮光膜２６
と対向電極２５との積層膜の内面と同じ高さの第２の補
助スペーサ支持層３１を設けているため、前記補助スペ
ーサ３０の厚さは前記表示エリア内スペーサ２８の厚さ
と同じでよく、したがって、前記表示エリア内スペーサ
２８と前記補助スペーサ３０とを同じ工程で形成するこ
とができるとともに、前記第１の補助スペーサ支持層２
４を、前記ＴＦＴ４およびオーバーコート絶縁膜１６と
配向膜１７の形成工程を利用して形成することができ
る。

【００７９】さらに、この実施例では、前記第２の補助
スペーサ支持層３１を、前記遮光膜２６と同じ膜により
形成された第１のスペーサ支持膜３１ａと、その上に前
記対向電極２５と同じ膜により形成された第２のスペー
サ支持膜３１ｂとにより形成しているため、前記第２の
補助スペーサ支持層３１を、前記遮光膜２６と対向電極
２５の形成工程を利用して形成することができる。

【００８０】この実施例の液晶セルは、例えば、液晶分
子を一方向にホモジニアス配向させたホモジニアス配向
型液晶表示素子用のものであり、前記一対の基板１，２
の最も内面にそれぞれ設けられた配向膜１７，２７は、
ほぼ平行で且つ互いに逆向きに配向処理されている。

【００８１】そして、液晶表示素子は、上記液晶セル内
（一対の基板１，２間の枠状シール材３２により囲まれ
た領域）に液晶注入口３３から真空注入法により液晶を
注入して前記液晶注入口３３を封止するとともに、前記
液晶セルの一対の基板１，２の外面にそれぞれ偏光板を
配置し、いずれか一方の基板とその基板側の前記偏光板
との間に、表示のコントラストを高くするとともに視野
角を広くするための位相板を配置して構成される。

【００８２】なお、上記液晶セルは、前記ホモジニアス
配向型のアクティブマトリックス液晶表示素子に限ら
ず、液晶分子をツイスト配向させたＴＮ（ツイステッド
ネマティック）型のアクティブマトリックス液晶表示素
子、あるいは強誘電性液晶または反強誘電性液晶を用い
たアクティブマトリックス液晶表示素子用等の液晶セル
でもよく、さらに、フィールドシーケンシャル液晶表示
装置に用いられる液晶表示素子に限らず、白黒画像を表
示するアクティブマトリックス液晶表示素子用の液晶セ
ルでもよい。

【００８３】また、上記実施例では、前記補助スペーサ
３０を、枠状シール材３２に対応するシール部の外側に
設けているが、前記補助スペーサ３０は、前記シール部
の内側に前記液晶注入口３３の両側に近接させて設けて
もよく、また、前記シール部の外側と内側の両方に前記
液晶注入口３３の両側に近接させて設けてもよい。

【００８４】さらに、上記実施例では、後側基板１の第
１の補助スペーサ支持層２４と、後前基板２の第２の補
助スペーサ支持層３１とを、前記シール部の幅と同程度
の縦幅および横幅を有する形状に形成し、前記補助スペ
ーサ３０を、前記第１および第２の補助スペーサ支持層
２４，３１の面積よりも若干小さい面積を有する柱状に
形成しているが、前記補助スペーサ３０は、前記表示エ
リア内スペーサ２８と同様に、前記ＴＦＴ４のブロッキ
ング絶縁膜８の面積よりも若干大きい面積を有する柱状
に形成し、その補助スペーサを複数個、前記液晶注入口
３３の両側の領域に前記ＴＦＴ４の配列ピッチと同じピ
ッチで配列してもよい。その場合、前記第１および第２
の補助スペーサ支持層２４，３１は、前記複数の補助ス
ペーサにそれぞれ対応させて形成するのが好ましい。

【００８５】図７および図８はこの発明の液晶セルの第
２の実施例を示しており、図７は液晶セルの一部分の平
面図、図８は図７のVIII−VIII線に沿う拡大断面図であ
る。なお、図７および図８において、上述した第１の実
施例の液晶セルと同じものについては、図に同符号を付
してその説明を省略する。

【００８６】この液晶セルは、枠状シール材３２の液晶
注入口３３を除く領域の全周に沿わせて複数の補助スペ
ーサ３４を所定ピッチで設け、上記第１の実施例の液晶
セルに設けられているシール部スペーサ２９を省略した
ものであり、この実施例では、表示エリアと枠状シール
材３２に対応するシール部との間の領域Ｓに、前記液晶
注入口３３に対応する領域を除く全域にわたって、複数
の補助スペーサ３４をＴＦＴ４の配列ピッチと同じピッ
チで配列形成している。

【００８７】この液晶セルの後側基板１の内面には、図
７に示したように、前記表示エリアと枠状シール材３２
に対応するシール部との間の領域Ｓに、前記液晶注入口
３３に対応する領域を除く全域にわたって、前記複数の
補助スペーサ３４をそれぞれ支持するための複数の第１
の補助スペーサ支持層３５が、ＴＦＴ４の配列ピッチと
同じピッチで設けられている。

【００８８】なお、図７では、画素電極３およびＴＦＴ
４と前記第１の補助スペーサ支持層３５を大きく誇張し
て示しているが、前記画素電極３およびＴＦＴ４の配列
ピッチは１００μｍ〜３００μｍ、前記表示エリアとシ
ール部との間の領域Ｓの幅は１ｍｍ〜２ｍｍであり、前
記第１の補助スペーサ支持層３５は、前記領域Ｓの液晶
注入口３３に対応する領域を除く全域に、その長さ方向
および幅方向に１００μｍ〜３００μｍのピッチで並べ
て複数列に配列形成されている。

【００８９】前記第１の補助スペーサ支持層３５は、図
８に示したように、後側基板１面に形成された第１の疑
似電極３５ａと、ゲート絶縁膜６と、前記ゲート絶縁膜
６上に前記第１の疑似電極３５ａの上に対応させて積層
形成されたｉ型半導体膜７ａとブロッキング絶縁膜８ａ
とｎ型半導体膜９ａおよび第２の疑似電極３５ｂと、オ
ーバーコート絶縁膜１６と、前記オーバーコート絶縁膜
１６上に形成された配向膜１７とからなっている。

【００９０】この第１の補助スペーサ支持層３５の第１
の疑似電極３５ａはゲート配線１２と同じ金属膜により
形成され、第２の疑似電極３５ｂはデータ配線１４と同
じ金属膜により形成されており、前記ｉ型半導体膜７ｂ
とブロッキング絶縁膜８ｂおよびｎ型半導体膜９ｂは、
前記ＴＦＴ４のｉ型半導体膜７とブロッキング絶縁膜８
およびｎ型半導体膜９と同じ膜により形成されている。

【００９１】すなわち、前記第１の補助スペーサ支持層
３５は、前記ＴＦＴ４の最も厚い部分のオーバーコート
絶縁膜１６および配向膜１７を含む断面構造と同じ積層
構造をなしており、したがって、この第１の補助スペー
サ支持層３５の上面の高さは、前記ＴＦＴ４の最も厚い
部分における配向膜１７面の高さと同じである。

【００９２】一方、後側基板の内面に設けられた遮光膜
２６と対向電極２５は、その外縁が枠状シール材３２に
対応するシール部の外側縁よりも僅かに内側に位置する
矩形膜状に形成されており、この遮光膜２６と対向電極
２５との積層膜のうち、前記複数の第１の補助スペーサ
支持層３５に対応する部分により、前記複数の補助スペ
ーサ３４をそれぞれ支持するための複数の第２の補助ス
ペーサ支持層３６が形成されている。

【００９３】そして、後側基板の内面には、後側基板１
の内面に設けられた複数のＴＦＴ４にそれぞれ対応する
複数の表示エリア内スペーサ２８（図２参照）と、前記
複数の補助スペーサ３４とが設けられており、前記表示
エリア内スペーサ２８は、図２に示したように、前記遮
光膜２６と対向電極２５との積層膜の上に形成され、前
記補助スペーサ３４は、図８に示したように、前記遮光
膜２６と対向電極２５との積層膜からなる前記第２の補
助スペーサ支持層３６の上に形成されている。

【００９４】また、前記表示エリア内スペーサ２８と前
記補助スペーサ３４は、同じ絶縁膜により、前記ＴＦＴ
４のブロッキング絶縁膜８の面積よりも若干大きい面積
を有する同じ厚さの柱状に形成されており、いずれのス
ペーサ２８，３４も、後側基板の最も内面に設けられた
配向膜２７により覆われている。

【００９５】そして、前記後側基板と後側基板１は、そ
の基板間隔ｄ_０を前記複数の表示エリア内スペーサ２８
および補助スペーサ３４により規制されて前記枠状シー
ル材３１を介して接合されている。

【００９６】この液晶セルは、枠状シール材３２の液晶
注入口３３を除く領域の全周に沿わせて、前記表示エリ
ア内スペーサ２８と同じ厚さに形成された複数の補助ス
ペーサ３４を所定ピッチ（ＴＦＴ４の配列ピッチと同じ
ピッチ）で設けるとともに、後側基板１の内面の前記補
助スペーサ３４に対応する部分に、前記ＴＦＴ４の最も
厚い部分のオーバーコート絶縁膜１６および配向膜１７
を含む断面構造と同じ積層構造の第１の補助スペーサ支
持層３５を形成し、後側基板の内面の前記補助スペーサ
３４に対応する部分に、前記後側基板の前記表示エリア
内スペーサ２８に対応する領域の内面（遮光膜２６と対
向電極２５との積層膜の内面）と同じ高さの第２の補助
スペーサ支持層３６を形成し、さらに、前記補助スペー
サ３４を前記表示エリア内スペーサ２８と同様に配向膜
２７で覆っているため、前記表示エリアの周囲の基板間
隔および液晶注入口３３の付近の基板間隔を、前記複数
の補助スペーサ３４により前記表示エリア内スペーサ２
８により規制される基板間隔ｄ_０と同じになるように規
制し、液晶注入口３３の潰れを防ぐことができる。

【００９７】しかも、この実施例の液晶セルは、前記枠
状シール材３２の液晶注入口３３を除く領域の全周に沿
わせて前記複数の補助スペーサ３４を所定ピッチで設け
ているため、枠状シール材３２に対応するシール部の基
板間隔を、前記複数の補助スペーサ３４により前記表示
エリア内スペーサ２８により規制される基板間隔ｄ_０と
同じになるように規制することができ、したがって、上
述した第１の実施例のようにシール部スペーサ２９を設
ける必要がないから、液晶セルの製造コストを低減する
ことができる。

【００９８】なお、この実施例では、複数の補助スペー
サ３４を、表示エリアと枠状シール材３２に対応するシ
ール部との間の領域Ｓに配列形成しているが、前記複数
の補助スペーサ３４は、前記シール部の外側に、前記液
晶注入口３３を除く領域の全周に沿わせて配列形成して
もよく、また前記シール部の内側と外側の両方に、前記
液晶注入口３３を除く領域の全周に沿わせて配列形成し
てもよい。

【００９９】また、上記第１および第２の実施例の液晶
セルは、表示エリア内およびシール部のスペーサ２８，
２９と補助スペーサ３０とを対向電極２５が設けられた
前側基板２の内面に設けたものであるが、前記各スペー
サ２８，２９，３０は画素電極３およびＴＦＴ４が設け
られた後側基板１の内面に設けてもよい。

【０１００】図９はこの発明の液晶セル集合体の一実施
例を示す一部分の平面図であり、この実施例の液晶セル
集合体は、図１〜図６に示した第１の実施例の液晶セル
の集合体である。

【０１０１】この液晶セル集合体は、前記液晶セルの第
１の基板（後側基板）１となる複数の基板領域１ａを有
する第１の基板材１Ａと、前記液晶セルの第２の基板
（前側基板）２となる複数の基板領域２ａを有する第２
の基板材２Ａとを、これらの基板材１Ａ，２Ａの前記複
数の基板領域１ａ，２ａの間にそれぞれ設けられた複数
の枠状シール材３２を介して接合したものであり、この
液晶セル集合体は、前記第１の基板材１Ａを図に一点鎖
線で示した切断ラインＣ１に沿って切断して前記複数の
基板領域１ａ毎に切離し、前記第２の基板材２Ａを図に
二点鎖線で示した切断ラインＣ２に沿って切断して前記
複数の基板領域２ａ毎に切離すことにより、個々の液晶
セルに分離される。

【０１０２】まず、第１の基板材１Ａについて説明する
と、この第１の基板材１Ａは、前記液晶セルの第１の基
板（後側基板）１となる複数の基板領域１ａと、これら
の基板領域１ａの間に確保された最終的に廃棄される捨
て領域１ｂとを有している。

【０１０３】そして、図９では前記枠状シール材３２に
より囲まれた領域の構造を省略しているが、前記第１の
基板材１Ａの複数の基板領域１ａの内面にはそれぞれ、
図１〜図６に示したように、マトリックス状に配列され
た複数の画素電極３と、前記複数の画素電極３にそれぞ
れ接続された複数のＴＦＴ４と、前記複数のＴＦＴ４に
ゲート信号を供給する複数のゲート配線１２およびゲー
ト配線端子１３と、前記複数のＴＦＴ４にデータ信号を
供給する複数のデータ配線１４およびデータ配線端子１
５と、対向電極端子１８およびクロス電極１９と、オー
バーコート絶縁膜１６と、前記枠状シール材３２により
囲まれた領域に形成された配向膜１７が設けられてい
る。

【０１０４】なお、前記枠状シール材３２は、前記第１
と第２の基板材１Ａ，２Ａの間に、前記複数の基板領域
１ａ，２ａの前記画素電極３がマトリックス状に配列す
る表示エリアの周囲をそれぞれ所定のスペースを存して
囲むように設けられている。さらに、前記第１の基板材
１Ａの複数の基板領域１ａの枠状シール材３２に対応す
るシール部には、前記枠状シール材３２の前記ゲート配
線１２およびデータ配線１４の導出側とは異なる辺部、
例えばデータ配線端子１５の配列縁部に沿う辺部とは反
対側の辺部を部分的に欠落させて形成された液晶注入口
３３の付近の領域を除く全周にわたって、図３〜図５に
示したシール部スペーサ支持層２１，２２，２３が、前
記ゲート配線１１およびデータ配線１３のピッチと同じ
ピッチで形成されており、前記基板領域１ａの内面に
は、前記枠状シール材３２に形成された前記液晶注入口
３３の近傍に位置させて、図６に示した積層構造の第１
の補助スペーサ支持層２４が形成されている。

【０１０５】また、前記第１の基板材１Ａの複数の基板
領域１ａの外側の前記捨て領域１ｂの内面には、前記液
晶注入口３３の前にそれぞれ位置させて、図９に仮想線
（二点鎖線）で示した捨てスペーサ３７を支持するため
の第１の捨てスペーサ支持層３８が形成されている。

【０１０６】この第１の捨てスペーサ支持層３８は、前
記第１の補助スペーサ支持層２４と同様に、図２に示し
たＴＦＴ４の最も厚い部分のオーバーコート絶縁膜１６
および配向膜１７を含む断面構造と同じ積層構造をなし
ており、したがって、この第１の捨てスペーサ支持層３
８と前記第１の補助スペーサ支持層２４の上面の高さ
は、前記ＴＦＴ４の最も厚い部分における前記配向膜１
７面の高さと同じである。

【０１０７】次に、第２の基板材２Ａについて説明する
と、この第２の基板材２Ａは、前記液晶セルの第２の基
板（前側基板）２となる複数の基板領域２ａと、これら
の基板領域２ａの間に確保された最終的に廃棄される捨
て領域２ｂとを有している。

【０１０８】そして、前記第２の基板材２Ａの複数の基
板領域２ａの内面にはそれぞれ、図１〜図６に示したよ
うに、遮光膜２６とその上に形成された対向電極２５が
設けられており、この遮光膜２６と対向電極２５との積
層膜の上に、前記複数のＴＦＴ４にそれぞれ対応する複
数の表示エリア内スペーサ２８と、前記シール部スペー
サ支持層２１，２２，２３にそれぞれ対応する複数のシ
ール部スペーサ２９とが設けられるとともに、前記枠状
シール材３２により囲まれた領域に、前記表示エリア内
スペーサ２８を覆って配向膜２７が形成されている。

【０１０９】さらに、前記第２の基板材２Ａの複数の基
板領域２ａの内面にはそれぞれ、前記第１の補助スペー
サ支持層２４に対応させて、図６に示した積層構造の第
２の補助スペーサ支持層３１が形成されており、その上
に、前記第１の補助スペーサ支持層２４に対応する補助
スペーサ３０が設けられ、この補助スペーサ３０の上に
疑似配向膜２７ａが形成されている。

【０１１０】また、前記第２の基板材２Ａの複数の基板
領域２ａの外側の捨て領域２ｂの内面には、図示しない
が、前記第１の捨てスペーサ支持層３８に対応させて第
２の捨てスペーサ支持層（図示せず）が形成されてお
り、その上に、前記捨てスペーサ３８が設けられてい
る。

【０１１１】前記第２の捨てスペーサ支持層は、前記第
２の補助スペーサ支持層３１と同様に、前記遮光膜２６
と同じ膜（酸化クロム膜とクロム膜との積層膜）により
形成された第１のスペーサ支持膜と、その上に前記対向
電極２５と同じ膜（ＩＴＯ膜）により形成された第２の
スペーサ支持膜との積層膜からなっており、したがっ
て、この第２の捨てスペーサ支持層と前記第２の補助ス
ペーサ支持層３１はいずれも、前記第１の基板材１Ａの
前記表示エリア内スペーサ２８およびシール部スペーサ
２９に対応する領域の内面（遮光膜２６と対向電極２５
との積層膜の内面）と同じ高さを有している。

【０１１２】また、前記捨てスペーサ３７は、その断面
構造は図示しないが、前記表示エリア内スペーサ２８お
よび補助スペーサ３０と同じ絶縁膜により、補助スペー
サ３０と同じ形状を有する柱状に形成されており、この
捨てスペーサ３７の上にも、前記補助スペーサ３０の上
に形成された疑似配向膜２７ａと同じ疑似配向膜が形成
されている。

【０１１３】そして、前記第１と第２の基板材１Ａ，１
Ｂは、その間隔を前記複数の表示エリア内スペーサ２８
とシール部スペーサ２９と補助スペーサ３０と前記捨て
スペーサ３７とにより規制され、前記複数の枠状シール
材３２を介して接合されている。

【０１１４】この液晶セル集合体は、複数の基板領域１
ａにそれぞれ画素電極３とＴＦＴ４とゲート配線１２お
よびデータ配線１４が設けられた第１の基板材１Ａと、
複数の基板領域２ａにそれぞれ遮光膜２６と対向電極２
５が設けられた第２の基板材２Ａとの前記複数の基板領
域１ａ，２ａをそれぞれ、前記ゲート配線１２およびデ
ータ配線１４の導出側とは異なる辺部に液晶注入口３３
が形成された枠状シール材３２を介して接合したもので
あるが、前記第１と第２の基板材１Ａ，２Ａの間隔を、
前記複数の表示エリア内スペーサ２８とシール部スペー
サ２９と補助スペーサ３０と前記捨てスペーサ３７とに
より規制しているため、前記補助スペーサ３０と前記捨
てスペーサ３７とにより、前記液晶注入口３３の近傍の
基板間隔を、前記表示エリア内スペーサ２８により規制
される基板間隔ｄ_０と同じになるように規制し、前記液
晶注入口３３の潰れを防ぐことができる。

【０１１５】なお、前記捨てスペーサ３７は前記液晶注
入口３３の前に位置させて設けられているが、前記液晶
セル集合体の第１および第２の基板材１Ａ，２Ａを切断
ラインＣ１，Ｃ２に沿って切断して個々の液晶セルに分
離することにより、前記基板材１Ａ，２Ａの捨て領域１
ｂ，２ｂと一緒に除去される。

【０１１６】しかも、この実施例の液晶セル集合体は、
前記複数の表示エリア内スペーサ２８を、第１の基板材
１Ａの複数の基板領域１ａの内面の前記表示エリア内に
設けられた複数のＴＦＴ４にそれぞれ対応させて設け、
前記第１の基板材１Ａの前記基板領域１ａの内面と前記
基板領域１ａの外側の捨て領域１ｂの内面の前記補助ス
ペーサ３０および捨てスペーサ３７に対応する部分に、
前記ＴＦＴ４の最も厚い部分のオーバーコート絶縁膜１
６および配向膜１７を含む断面構造と同じ積層構造の第
１の補助スペーサ支持層２４および第１の捨てスペーサ
支持層３８を設けるとともに、第２の基板材２Ｂの複数
の基板領域２ａと前記基板領域２ａの外側の捨て領域２
ｂの内面の前記補助スペーサ３０および捨てスペーサ３
０ａに対応する部分に、前記第２の基板材２Ｂの表示エ
リア内スペーサ２８に対応する領域の内面、つまり遮光
膜２６と対向電極２５との積層膜の内面と同じ高さの第
２の補助スペーサ支持層３１および図示しない第２の捨
てスペーサ支持層を設けているため、前記補助スペーサ
３０と捨てスペーサ３７の厚さは、前記表示エリア内ス
ペーサ２８の厚さと同じでよく、したがって、前記表示
エリア内スペーサ２８と前記補助スペーサ３０と捨てス
ペーサ３７とを同じ工程で形成することができるととも
に、前記第１の補助スペーサ支持層２４と第１の捨てス
ペーサ支持層３８を、前記ＴＦＴ４およびオーバーコー
ト絶縁膜１６と配向膜１７の形成工程を利用して形成す
ることができる。

【０１１７】さらに、この実施例では、前記第２の補助
スペーサ支持層３１と図示しない第１の捨てスペーサ支
持層とを、前記遮光膜２６と同じ膜により形成された第
１のスペーサ支持膜３１ａと、その上に前記対向電極２
５と同じ膜により形成された第２のスペーサ支持膜３１
ｂとにより形成しているため、前記第２の補助スペーサ
支持層３１と第１の捨てスペーサ支持層とを、前記遮光
膜２６と対向電極２５の形成工程を利用して形成するこ
とができる。

【０１１８】なお、この実施例では、第１の基板材１Ａ
の第１の捨てスペーサ支持層３８と、第２の基板材２Ａ
の図示しない第２の捨てスペーサ支持層とを、枠状シー
ル材３２に対応するシール部の幅と同程度の縦幅および
横幅を有する形状に形成し、前記捨てスペーサ３７を、
前記第１および第２の捨てスペーサ支持層の面積よりも
若干小さい面積を有する柱状に形成しているが、前記捨
てスペーサ３０は、前記表示エリア内スペーサ２８と同
様に、前記ＴＦＴ４のブロッキング絶縁膜８の面積より
も若干大きい面積を有する柱状に形成し、その補助スペ
ーサを複数個、前記液晶注入口３３の両側の領域に前記
ＴＦＴ４の配列ピッチと同じピッチで配列してもよい。
その場合、前記第１および第２の補助スペーサ支持層２
４，３１は、前記複数の補助スペーサにそれぞれ対応さ
せて形成するのが好ましい。

【０１１９】なお、上記実施例の液晶セル集合体は、表
示エリア内およびシール部のスペーサ２８，２９と補助
スペーサ３０と捨てスペーサ３７を対向電極２５が設け
られた前側基板２となる第２の基板材２Ａの内面に設け
たものであるが、前記各スペーサ２８，２９，３０，３
７は、画素電極３およびＴＦＴ４が設けられた後側基板
１となる第１の基板材１Ａの内面に設けてもよい。

【０１２０】また、上記実施例の液晶セル集合体は、図
１〜図６に示した第１の実施例の液晶セルの集合体であ
るが、この発明は、図７および図８に示したように枠状
シール材３２の液晶注入口３３を除く領域の全周に沿わ
せて複数の補助スペーサ３４を所定ピッチで設けること
によりシール部スペーサ２９を省略した第２の実施例の
液晶セルの集合体にも適用することができる。

【０１２１】さらに、この発明は、液晶注入口の潰れを
防ぐための前記補助スペーサ３０，３４を備えない液晶
セルの集合体にも適用することができ、その場合も、前
記捨てスペーサ３７により、前記液晶注入口３３の近傍
の基板間隔を、前記表示エリア内スペーサ２８により規
制される基板間隔ｄ_０と同じになるように規制し、前記
液晶注入口３３の潰れを防ぐことができる。

【０１２２】

【発明の効果】この発明の液晶セルは、画素電極とＴＦ
Ｔとゲート配線およびデータ配線が設けられた第１の基
板と、対向電極が設けられた第２の基板とを接合する枠
状シール材に形成された液晶注入口の近傍に位置させて
補助スペーサを設けたものであるため、前記液晶注入口
の潰れを無くすことができる。

【０１２３】この発明の液晶セルにおいて、前記補助ス
ペーサは、前記液晶注入口の両側に設けてもよいが、前
記補助スペーサは、前記枠状シール材の液晶注入口を除
く領域の全周に沿わせて所定ピッチで設けるにが好まし
く、このようにすることにより、前記枠状シール材に対
応するシール部の基板間隔を前記複数の補助スペーサに
より規制し、シール部のスペーサを省略して、液晶セル
の製造コストを低減することができる。

【０１２４】さらに、前記複数の表示エリア内スペーサ
は、前記第１の基板に設けられた複数のＴＦＴにそれぞ
れ対応させて設け、前記第１の基板の補助スペーサに対
応する部分に、前記ＴＦＴの最も厚い部分と同じ積層構
造の第１の補助スペーサ支持層を形成するとともに、前
記第２の基板の前記補助スペーサに対応する部分に、前
記第２の基板の前記表示エリア内スペーサに対応する領
域の内面と同じ高さの第２の補助スペーサ支持層を形成
するのが好ましく、このようにすることにより、前記補
助スペーサの厚さを前記表示エリア内スペーサの厚さと
同じにし、前記表示エリア内スペーサと前記補助スペー
サとを同じ工程で形成することができるとともに、前記
第１の補助スペーサ支持層を、前記ＴＦＴの形成工程を
利用して形成することができる。

【０１２５】また、この液晶セル集合体は、複数の基板
領域にそれぞれ画素電極とＴＦＴとゲート配線およびデ
ータ配線が設けられた第１の基板材と、複数の基板領域
にそれぞれ対向電極が設けられた第２の基板との前記複
数の基板領域をそれぞれ接合する複数の枠状シール材に
形成された液晶注入口の近傍に位置させて補助スペーサ
を設けたものであるため、前記液晶注入口の潰れを無く
すことができる。

【０１２６】この発明の液晶セル集合体において、前記
複数の表示エリア内スペーサは、前記第１の基板材に設
けられた複数のＴＦＴにそれぞれ対応させて設け、前記
第１の基板材の前記捨てスペーサに対応する部分に、前
記ＴＦＴの最も厚い部分と同じ積層構造の第１の捨てス
ペーサ支持層を形成するとともに、前記第２の基板材の
前記捨てスペーサに対応する部分に、前記第２の基板の
前記表示エリア内スペーサに対応する領域の内面と同じ
高さの第２の捨てスペーサ支持層を形成するのが好まし
く、このようにすることにより、前記捨てスペーサの厚
さを前記表示エリア内スペーサの厚さと同じにし、前記
表示エリア内スペーサと捨てスペーサとを同じ工程で形
成することができるとともに、前記第１の捨てスペーサ
支持層を、前記ＴＦＴの形成工程を利用して形成するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の液晶セルの第１の実施例を示す平面
図。

【図２】前記液晶セルの１つの画素部の拡大断面図。

【図３】図１のIII−III線に沿う拡大断面図。

【図４】図１のIV−IV線に沿う拡大断面図。

【図５】図１のV−V線に沿う拡大断面図。

【図６】図１のVI−VI線に沿う拡大断面図。

【図７】この発明の液晶セルの第２の実施例を示す平面
図。

【図８】図２のVIII−VIII線に沿う拡大断面図。

【図９】この発明の液晶セル集合体の一実施例を示す一
部分の平面図。

【符号の説明】

１，２…基板 ３…画素電極 ４…ＴＦＴ １２…ゲート配線 １３…ゲート配線端子 １４…データ配線 １５…データ配線配線端子 １７…配向膜 ２４，３５…第１の補助スペーサ支持層 ２５…対向電極 ２６…遮光膜 ２７…配向膜 ２８…表示エリア内スペーサ ２９…シール部スペーサ ３０，３４…補助スペーサ ３１，３６…第１の補助スペーサ支持層 ３２…枠状シール材 ３３…液晶注入口 １Ａ…第１の基板材 ２Ａ…第２の基板材 １ａ，２ａ…基板領域 １ｂ，２ｂ…捨て領域 Ｃ１，Ｃ２…切断ライン ３７…捨てスペーサ ３８…第１の捨てスペーサ支持層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H089 LA12 LA13 LA18 LA22 QA12 QA14 TA07 TA09 2H092 JB22 JB31 NA30 PA03 PA04 5F110 AA30 BB01 CC07 EE06 FF03 GG02 GG15 GG25 GG35 HK04 HK06 HK09 HK16 HK22 NN12 NN24 NN72

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】マトリックス状に配列された複数の画素電
   極と、前記複数の画素電極にそれぞれ接続された複数の
   薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタにゲ
   ート信号を供給する複数のゲート配線と、前記複数の薄
   膜トランジスタにデータ信号を供給する複数のデータ配
   線とが設けられた第１の基板と、 前記複数の画素電極に対向する対向電極が設けられた第
   ２の基板と、 前記ゲート配線およびデータ配線の導出側とは異なる辺
   部に液晶注入口を有し、前記第１と第２の基板間に、前
   記複数の画素電極がマトリックス状に配列する表示エリ
   アを囲んで設けられた枠状シール材と、 前記第１と第２のいずれか一方の基板の前記表示エリア
   内に所定のピッチで設けられた複数の表示エリア内スペ
   ーサと、 前記一方の基板の前記表示エリアの外側の領域に少なく
   とも前記液晶注入口の近傍に位置させて設けられた補助
   スペーサとからなり、 前記第１と第２の基板が、その間隔を前記複数の表示エ
   リア内スペーサと前記補助スペーサとにより規制され、
   前記枠状シール材を介して接合されていることを特徴と
   する液晶セル。
2. 【請求項２】補助スペーサは、液晶注入口の両側に設け
   られていることを特徴とする請求項１に記載の液晶セ
   ル。
3. 【請求項３】補助スペーサは、枠状シール材の液晶注入
   口を除く領域の全周に沿わせて所定ピッチで設けられて
   いることを特徴とする請求項１に記載の液晶セル。
4. 【請求項４】複数の表示エリア内スペーサは、第１の基
   板に設けられた複数の薄膜トランジスタにそれぞれ対応
   させて設けられており、前記第１の基板の補助スペーサ
   に対応する部分に、前記薄膜トランジスタの最も厚い部
   分と同じ積層構造の第１の補助スペーサ支持層が形成さ
   れるとともに、第２の基板の前記補助スペーサに対応す
   る部分に、前記第２の基板の前記表示エリア内スペーサ
   に対応する部分の内面と同じ高さの第２の補助スペーサ
   支持層が形成されていることを特徴とする請求項１〜３
   のいずれかに記載の液晶セル。
5. 【請求項５】液晶セルの第１の基板となる複数の基板領
   域を有し、前記複数の基板領域にそれぞれ、マトリック
   ス状に配列された複数の画素電極と、前記複数の画素電
   極にそれぞれ接続された複数の薄膜トランジスタと、前
   記複数の薄膜トランジスタにゲート信号を供給する複数
   のゲート配線と、前記複数の薄膜トランジスタにデータ
   信号を供給する複数のデータ配線とが設けられた第１の
   基板材と、 前記液晶セルの第２の基板となる複数の基板領域を有
   し、前記複数の基板領域にそれぞれ、前記複数の画素電
   極に対向する対向電極が設けられた第２の基板材と、 前記ゲート配線およびデータ配線の導出側とは異なる辺
   部に液晶注入口を有し、前記第１と第２の基板材の間
   に、前記複数の基板領域の前記画素電極がマトリックス
   状に配列する表示エリアをそれぞれ囲んで設けられた複
   数の枠状シール材と、 前記第１と第２のいずれか一方の基板材の前記複数の基
   板領域の前記表示エリア内にそれぞれ所定のピッチで設
   けられた複数の表示エリア内スペーサと、 前記一方の基板材の前記基板領域の外側に、前記枠状シ
   ール材の液晶注入口の前に位置させて設けられた捨てス
   ペーサとからなり、 前記第１と第２の基板材が、その間隔を前記複数の表示
   エリア内スペーサと前記捨てスペーサとにより規制さ
   れ、前記複数の枠状シール材を介して接合されているこ
   とを特徴とする液晶セル集合体。
6. 【請求項６】複数の表示エリア内スペーサは、第１の基
   板材に設けられた複数の薄膜トランジスタにそれぞれ対
   応させて設けられており、前記第１の基板材の捨てスペ
   ーサに対応する部分に、前記薄膜トランジスタの最も厚
   い部分と同じ積層構造の第１の捨てスペーサ支持層が形
   成されるとともに、第２の基板材の前記捨てスペーサに
   対応する部分に、前記第２の基板の前記表示エリア内ス
   ペーサに対応する領域の内面と同じ高さの第２の捨てス
   ペーサ支持層が形成されていることを特徴とする請求項
   ５に記載の液晶セル集合体。