JP3010325B2 - 液晶パネルの製造方法 - Google Patents

液晶パネルの製造方法

Info

Publication number
JP3010325B2
JP3010325B2 JP4070131A JP7013192A JP3010325B2 JP 3010325 B2 JP3010325 B2 JP 3010325B2 JP 4070131 A JP4070131 A JP 4070131A JP 7013192 A JP7013192 A JP 7013192A JP 3010325 B2 JP3010325 B2 JP 3010325B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
substrate
crystal panel
dicing
substrates
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP4070131A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH05232422A (ja
Inventor
輝彦 古島
守之 岡村
優 神尾
裕 玄地
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP4070131A priority Critical patent/JP3010325B2/ja
Priority to US08/019,568 priority patent/US5410423A/en
Priority to DE69315454T priority patent/DE69315454T2/de
Priority to EP93102683A priority patent/EP0556855B1/en
Publication of JPH05232422A publication Critical patent/JPH05232422A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3010325B2 publication Critical patent/JP3010325B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133351—Manufacturing of individual cells out of a plurality of cells, e.g. by dicing

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶パネルの製造方法、
特に完成時のパネル基板寸法より大きな基板を用い、基
板の貼り合わせ後に周辺の余分な部分をダイシング法に
より切り離して作る液晶パネルの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から単純マトリックス方式の液晶パ
ネルは、板チョコ方式、即ち大型の基板に複数個のパネ
ルのパターンを形成した後に貼り合わせ、これをスクラ
イブして１つ１つのパネルに分離する方法により製造さ
れている。液晶パネルのＴＦＴ基板には石英ガラスやＳ
ｉウエハを用いる場合にはスクライブが困難であり、そ
の切断にはディスク状の砥石を回転させて切るダイシン
グ法が採用される。
【０００３】しかし、ダイシング時には液晶パネルの液
晶注入口が未だ封口されておらず、しかもダイシング工
程では冷却水をかける必要があるため、冷却水が液晶パ
ネル内に侵入するという問題があった。
【０００４】かかる問題を解決する手段として特開昭６
３−２９８２１９号公報には、完成時のパネル基板寸法
より大きな基板を用い、基板の余分な部分にダミーシー
ルを形成し、シール硬化後にダイシングを行うことによ
りダイシング時の冷却水の液晶パネル内への侵入を防止
する方法が開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の方
法においては、２枚の基板を貼り合わせる際に内部のエ
アーが、所望のセルギャップ厚の２〜３倍の厚さで形成
されたダミーシールにより密封されるため、貼り合わせ
時の加圧により１／２〜１／３の体積に圧縮されたエア
ーが、そののちのシール硬化のための加熱時に膨張して
セルギャップが広がり、所望のセルギャップを得ること
ができないという問題点があった。
【０００６】本発明は従来の問題点を解決するもので、
ダイシング時の冷却水の液晶パネル内への侵入を防止す
ると共に、シール加熱硬化時のセルギャップの広がりを
防止する液晶パネルの製造方法を提供することを目的と
する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】即ち本発明は、完成時の
パネル基板寸法より大きな基板を用い、基板の貼り合わ
せ後に周辺の余分な部分をダイシング法により切り離し
て作る液晶パネルの製造方法において、基板の余分な部
分に、少なくとも一部に開口部を有するダミーシールを
形成し、上下基板の貼り合わせ、シール硬化後に、ダミ
ーシールの開口部を封口し、ダイシングを行うことを特
徴とする液晶パネルの製造方法である。
【０００８】
【実施例】以下、実施例により本発明を詳細に説明す
る。
【０００９】（実施例１）図１は本実施例の基板貼り合
わせ前の状態を示す上面図、図２はダイシング後の液晶
パネルの断面図である。
【００１０】液晶を駆動するための電極が形成された、
ＳｉウエハよりなるＴＦＴ基板１と低熱膨張低アルカリ
ガラス（旭硝子社製ＡＬ）よりなる対向基板２に配向処
理を行った後、一方の基板に、セルギャップを精度良く
形成するためのスぺーサーを混合したシール材で、図１
に示す様に液晶パネル８を構成するシール３及び基板の
余分な部分にダミーシール４を形成した。ダミーシール
４には開口部５を形成した。
【００１１】所定の位置合わせを行い２枚の基板を貼り
合わせ、加圧、加熱して、シール３及びダミーシール４
の硬化を行う。ダミーシール４にエアーの逃げ口である
開口部５があるため熱硬化時のエアーの熱膨張によるギ
ャップ幅の変化を防止できる。
【００１２】次に、外周シールの開口部５を瞬間接着剤
６で封口し、ダイシング（ハーフカット７）を行った。
ダミーシール４を設けているため、ダイシング時の冷却
水の液晶パネル８内への侵入を防止できる。
【００１３】ダイシング終了後、乾燥工程で水分を取り
除き、剪断力を加えることにより各パネルに分割でき
る。分割後、それぞれのパネルに液晶を注入し、この液
晶の注入口を封口剤にて封止した。この液晶に関する諸
工程は、公知の液晶表示装置の製造技術を適用した。
【００１４】こののち、Ｓｉ基板のＴＦＴが形成されて
いる表面と反対側に液晶画素部の直下を除いて耐弗酸性
ゴムを被覆し、弗酸、酢酸、硝酸の混合液を用いて、絶
縁層までＳｉウエハを部分的に除去し、光透過による透
過型液晶画像表示装置を完成させた。
【００１５】尚、ＴＦＴ基板１に用いたＳｉウエハは以
下の方法により作成した。
【００１６】３００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１０
０）単結晶Ｓｉ基板にＨＦ溶液中において陽極化成を施
し、多孔質Ｓｉ基板を形成した。
【００１７】陽極化成条件は以下のとおりであった。
【００１８】印加時間： ２．６ （Ｖ） 電流密度： ３０ （ｍＡ・ｃｍ-2） 陽極化成溶液： ＨＦ：Ｈ2 Ｏ：Ｃ2 Ｈ5 ＯＨ＝
１：１：１ 時間： ２．４ （時間） 多孔質Ｓｉの厚み： ３００ （μｍ） Ｐｏｒｏｓｉｔｙ： ５６ （％） こうして得られたＰ型（１００）多孔質Ｓｉ基板上に減
圧ＣＶＤ法により、Ｓｉエピタキシャル層を１．０ミク
ロンの層厚で成長させた。堆積条件は、以下のとおりで
ある。
【００１９】ソースガス： ＳｉＨ4 キヤリヤーガス： Ｈ2 温度： ８５０℃ 圧力： １×１０-2Ｔｏｒｒ 成長速度： ３．３ｎｍ／ｓｅｃ 次に、このエピタキシャル層の表面に１０００オングス
トロームの酸化層を形成し、その酸化表面に、表面に５
０００オングストロームの酸化層、１０００オングスト
ロームの酸化層、１０００オングストロームの窒化層を
形成したもう一方のＳｉ基板を重ね合せ、窒素雰囲気中
で８００℃、０．５時間加熱することにより、２つのＳ
ｉ基板を強固に貼り合わせた。
【００２０】その後、該貼り合わせた基板を４９％弗酸
とアルコールと３０％過酸化水素水との混合液（１０：
６：５０）中で撹拌することなく選択エッチングした。
６５分後には、非多孔質Ｓｉ層だけがエッチングされず
に残り、単結晶Ｓｉをエッチ・ストップの材料として、
多孔質Ｓｉ基板は選択エッチングされ、完全に除去され
た。非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液に対するエッ
チング速度は、極めて低く６５分後でもエッチング層は
５０オングストローム以下であり、多孔質層のエッチン
グ速度との選択比は十の５乗以上にも達し、非多孔質層
におけるエッチング量（数十オングストローム）は実用
上無視できる程度のものであった。こうしたところ、２
００ミクロンの厚みをもった多孔質化されたＳｉ基板は
除去され、ＳｉＯ2 上に１．０μｍの厚みを持った単結
晶Ｓｉ層が形成できた。ソースガスとして、ＳｉＨ2 Ｃ
ｌを用いた場合には、成長温度を数十度上昇させる必要
があるが、多孔質基板に特有な増速エッチング特性は維
持された。
【００２１】上記単結晶Ｓｉ薄膜に電界効果トランジス
タを作成し、接続することにより、相補性素子、及びそ
の集積回路を作成し、液晶画像表示装置に必要な画素切
り替え素子、駆動回路を形成した。なお、各トランジス
タの製造方法については公知のＭＯＳ集積回路製造技術
を用いた。
【００２２】また、対向基板２は以下の方法で作成し
た。
【００２３】低熱膨張低アルカリガラス基板にブラック
マトリックスとして、まず二酸化クロム膜をスパッタに
よって形成し、所定のパターンにフォトエッチングにて
形成する。次に赤、青、緑の各色のフィルターを顔料分
散法にて形成し、トップコート層を設け、更にＩＴＯ層
をスパッタによって形成し完成する。
【００２４】（実施例２）ダミーシール４の開口部５
に、図３に示す様に土手９を設けた以外は実施例１と同
様にして液晶パネルを製造した。
【００２５】本実施例によれば、開口部５の封口剤とし
て粘度が低いものを使用しても、土手９により封口剤が
せき止められるため、封口剤が表面張力によりダミーシ
ール４内部に侵入し、個別パネル３の液晶注入口１０を
ふさぐ事を防止できる。従って、この形状のダミーシー
ル４を使用することによりダミーシール４の封口剤とし
ての使用できる粘度の範囲が広まる。
【００２６】尚、土手形状は図３に示した物に限定され
ずにコの字型等いろいろな形が可能である。
【００２７】（実施例３）ＴＦＴ基板として石英ガラス
上に多結晶シリコンを形成し、多結晶シリコン薄膜に電
界効果トランジスタを作成し、接続することにより、相
補性素子、及びその集積回路を作成し、液晶画像表示装
置に必要な画素切り替え素子、駆動回路を形成した。
【００２８】また、対向基板として石英ガラス基板にブ
ラックマトリックスとして、まず、二酸化クロム膜をス
パッタによって形成し、所定のパターンにフォトエッチ
ングにて形成する。次に、赤、青、緑の各色のフィルタ
ーを染色法にて形成し、トップコート層を設け、更にＩ
ＴＯ層をスパッタによって形成し完成する。図４に本実
施例のダミーシール形状を模式的に示す。
【００２９】石英ガラスとして、本実施例では角形を使
用したが、ウエハと同じ形状の物を使用してもかまわな
い。
【００３０】
【発明の効果】以上説明のごとく、本発明によればダミ
ーシールに開口部を設けているため、基板間のエアーが
密封されず、所望のセルギャップを得ることができ、良
好な表示を実現できる液晶パネルを製造できる。更に、
シール剤の熱硬化時のエアーの膨張によるセルギャップ
の変化を防止できる。従って、熱硬化の温度条件が制約
されず、信頼性が高い液晶パネルを製造できる。しか
も、ダミーシールの開口部はダイシング前に封口される
ため冷却水の液晶パネル内への侵入を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による基板貼り合わせ前の状態を示す上
面図
【図２】本発明によるダイシング後の液晶パネルの断面
図
【図３】本発明による基板貼り合わせ前の状態を示す上
面図
【図４】本発明による基板張り合わせ前の状態を示す上
面図
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 玄地 裕 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−298219（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−116619（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/13 101 G02F 1/1333 500 G02F 1/1339

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】完成時のパネル基板寸法より大きな基板を
    用い、基板の貼り合わせ後に周辺の余分な部分をダイシ
    ング法により切り離して作る液晶パネルの製造方法にお
    いて、基板の余分な部分に、少なくとも一部に開口部を
    有するダミーシールを形成し、上下基板の貼り合わせ、
    シール硬化後に、ダミーシールの開口部を封口し、ダイ
    シングを行うことを特徴とする液晶パネルの製造方法。
  2. 【請求項２】基板の少なくとも一方に、石英ガラス或い
    はＳｉウエハを使用することを特徴とする請求項１記載
    の液晶パネルの製造方法。
JP4070131A 1992-02-21 1992-02-21 液晶パネルの製造方法 Expired - Fee Related JP3010325B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4070131A JP3010325B2 (ja) 1992-02-21 1992-02-21 液晶パネルの製造方法
US08/019,568 US5410423A (en) 1992-02-21 1993-02-18 Method of fabricating a liquid crystal panel using a dummy seal which is closed after hardening
DE69315454T DE69315454T2 (de) 1992-02-21 1993-02-19 Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristalltafel
EP93102683A EP0556855B1 (en) 1992-02-21 1993-02-19 Method of fabricating a liquid crystal panel

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4070131A JP3010325B2 (ja) 1992-02-21 1992-02-21 液晶パネルの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05232422A JPH05232422A (ja) 1993-09-10
JP3010325B2 true JP3010325B2 (ja) 2000-02-21

Family

ID=13422705

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4070131A Expired - Fee Related JP3010325B2 (ja) 1992-02-21 1992-02-21 液晶パネルの製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5410423A (ja)
EP (1) EP0556855B1 (ja)
JP (1) JP3010325B2 (ja)
DE (1) DE69315454T2 (ja)

Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5499127A (en) * 1992-05-25 1996-03-12 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device having a larger gap between the substrates in the display area than in the sealant area
GB2274723B (en) * 1992-12-24 1996-09-25 Gold Star Co Liquid crystal display and the manufacturing method thereof
JP3089448B2 (ja) * 1993-11-17 2000-09-18 松下電器産業株式会社 液晶表示用パネルの製造方法
US5480842A (en) * 1994-04-11 1996-01-02 At&T Corp. Method for fabricating thin, strong, and flexible die for smart cards
GB9410261D0 (en) * 1994-05-20 1994-07-13 Glaverbel Optical cell
US5557436A (en) * 1994-05-12 1996-09-17 Magnascreen Corporation Thin seal liquid crystal display and method of making same
JP3074111B2 (ja) * 1994-05-27 2000-08-07 シャープ株式会社 液晶パネル及びその製造方法
US5786663A (en) * 1994-12-01 1998-07-28 Commissariat A L'energie Atomique Electron collector having independently controllable conductive strips
TW347479B (en) * 1994-12-15 1998-12-11 Sharp Kk Liquid crystal display panel and liquid crystal display apparatus
JP3698749B2 (ja) * 1995-01-11 2005-09-21 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶セルの作製方法およびその作製装置、液晶セルの生産システム
GB2301194A (en) * 1995-05-24 1996-11-27 Marconi Gec Ltd Manufacture of spatial light modulators
KR0169381B1 (ko) * 1995-09-21 1999-03-20 김광호 액정 표시 장치용 액정 셀 및 그 제조 방법
JP4067588B2 (ja) * 1995-12-19 2008-03-26 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
JP3271691B2 (ja) * 1996-02-29 2002-04-02 セイコーインスツルメンツ株式会社 表示装置の製造方法
US6023318A (en) * 1996-04-15 2000-02-08 Canon Kabushiki Kaisha Electrode plate, process for producing the plate, liquid crystal device including the plate and process for producing the device
JPH10282480A (ja) * 1997-04-04 1998-10-23 Sanyo Electric Co Ltd マザーガラス基板
US6239855B1 (en) * 1997-08-25 2001-05-29 Sharp Kabushiki Kaisha Method for producing a liquid crystal display panel having dummy seal particles arranged in at least two arrays
US5963281A (en) * 1997-10-14 1999-10-05 Rainbow Displays, Inc. Method for fabricating AMLCD tiled displays with controlled inner seal perimeters
GB9721804D0 (en) 1997-10-15 1997-12-17 Gec Marconi Avionics Holdings Improvements in or relating to liquid crystal displays
TW507091B (en) * 1997-10-30 2002-10-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method of manufacturing liquid crystal display devices
JPH11264991A (ja) * 1998-01-13 1999-09-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示素子の製造方法
US6204906B1 (en) 1999-03-22 2001-03-20 Lawrence E. Tannas, Jr. Methods of customizing the physical size and shape of commercial off-the-shelf (COTS) electronic displays
KR100347436B1 (ko) * 1999-12-16 2002-08-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시장치의 씰 패턴 형성방법 및 그 방법에 의해제조된 씰 패턴
KR100493870B1 (ko) * 1999-12-29 2005-06-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시장치의 씰 패턴 형성방법
JP4587242B2 (ja) * 2000-04-11 2010-11-24 スタンレー電気株式会社 液晶装置の製造方法
KR100623821B1 (ko) * 2000-10-20 2006-09-12 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 주입 방법
US6473148B1 (en) 2000-11-28 2002-10-29 Yafo Networks, Inc. Seal pattern for liquid crystal device
KR100552798B1 (ko) * 2000-11-30 2006-02-20 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시 장치의 씰 패턴 및 그의 형성 방법
JP3930284B2 (ja) * 2000-12-18 2007-06-13 株式会社東芝 平面表示素子の製造方法
KR20020095509A (ko) * 2001-06-14 2002-12-27 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 액정표시장치의 실링 방법
KR20030010135A (ko) * 2001-07-25 2003-02-05 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시 장치의 제조 방법
KR100813004B1 (ko) * 2001-08-21 2008-03-14 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치의 셀 절단 공정용 씰 패턴
KR100809938B1 (ko) * 2001-12-06 2008-03-06 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시 장치의 제조 방법
KR100672633B1 (ko) * 2001-12-18 2007-01-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자의 제조방법
KR100510719B1 (ko) * 2002-02-05 2005-08-30 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시 장치의 제조 방법
US7365822B2 (en) * 2002-02-20 2008-04-29 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Method for fabricating LCD
KR100672641B1 (ko) * 2002-02-20 2007-01-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
KR100720414B1 (ko) * 2002-02-27 2007-05-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시 장치의 제조 방법
KR100685951B1 (ko) * 2002-03-06 2007-02-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
KR100662496B1 (ko) * 2002-03-23 2007-01-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
JP2004061846A (ja) * 2002-07-29 2004-02-26 Nec Kagoshima Ltd 液晶表示パネルの製造方法および液晶表示パネル
TW565727B (en) * 2002-10-24 2003-12-11 Toppoly Optoelectronics Corp Dual-layer glass substrate structure capable of preventing internal contamination in a liquid crystal panel process and its manufacturing method
JP4133475B2 (ja) * 2003-03-14 2008-08-13 シチズンミヨタ株式会社 液晶表示パネルの製造方法
US7938051B2 (en) 2004-05-21 2011-05-10 Tannas Lawrence E Apparatus and methods for cutting electronic displays during resizing
US7780492B2 (en) 2004-09-02 2010-08-24 Tannas Jr Lawrence E Apparatus and methods for resizing electronic displays
KR100670366B1 (ko) * 2005-12-07 2007-01-16 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
JP4933892B2 (ja) * 2006-12-28 2012-05-16 シチズンファインテックミヨタ株式会社 液晶表示素子の製造方法
JP4978248B2 (ja) 2007-03-14 2012-07-18 三菱電機株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
US8259282B2 (en) 2010-05-17 2012-09-04 Tannas Jr Lawrence E Method of repairing short or potential short circuits during resizing of an electronic flat panel display
US8804090B2 (en) 2010-12-02 2014-08-12 Lawrence E. Tannas, Jr. Methods for creating a minimally visible seal along the edge of a flat panel display
WO2013067473A1 (en) 2011-11-04 2013-05-10 Tannas Lawrence E Jr Apparatus and methods for resealing resized electronic displays
US8885138B2 (en) 2012-04-03 2014-11-11 Lawrence E. Tannas, Jr. Apparatus and methods for resizing electronic displays
CN108037606A (zh) * 2017-12-15 2018-05-15 信利（惠州）智能显示有限公司 一种ips液晶屏液晶盒的制备方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5925205B2 (ja) * 1978-06-21 1984-06-15 三菱電機株式会社 表示素子の製造方法
CH624491A5 (ja) * 1978-11-06 1981-07-31 Ebauches Electroniques Sa
JPS58121021A (ja) * 1982-01-13 1983-07-19 Hitachi Ltd プラスチツク液晶素子の封止方法
JPS58139126A (ja) * 1982-02-12 1983-08-18 Citizen Watch Co Ltd 液晶セルの製造方法
GB8402654D0 (en) * 1984-02-01 1984-03-07 Secr Defence Flatpanel display
GB2183073B (en) * 1985-11-15 1989-05-04 Philips Electronic Associated Liquid crystal display devices
US4806996A (en) * 1986-04-10 1989-02-21 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Dislocation-free epitaxial layer on a lattice-mismatched porous or otherwise submicron patterned single crystal substrate
JPS63271226A (ja) * 1987-04-28 1988-11-09 Alps Electric Co Ltd 液晶表示素子の製造方法
US4875086A (en) * 1987-05-22 1989-10-17 Texas Instruments Incorporated Silicon-on-insulator integrated circuits and method
JPS63298219A (ja) * 1987-05-29 1988-12-06 Seiko Epson Corp 液晶パネルの製造方法
NL8800847A (nl) * 1988-04-05 1989-11-01 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een soi-struktuur.
US4910165A (en) * 1988-11-04 1990-03-20 Ncr Corporation Method for forming epitaxial silicon on insulator structures using oxidized porous silicon
US5206749A (en) * 1990-12-31 1993-04-27 Kopin Corporation Liquid crystal display having essentially single crystal transistors pixels and driving circuits
JPH07113721B2 (ja) * 1991-07-15 1995-12-06 松下電器産業株式会社 液晶表示パネル

Also Published As

Publication number Publication date
DE69315454T2 (de) 1998-04-23
US5410423A (en) 1995-04-25
EP0556855A1 (en) 1993-08-25
DE69315454D1 (de) 1998-01-15
JPH05232422A (ja) 1993-09-10
EP0556855B1 (en) 1997-12-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3010325B2 (ja) 液晶パネルの製造方法
US5513028A (en) Liquid crystal display with display area having same height as peripheral portion thereof
US5786242A (en) Method of manufacturing SOI semiconductor integrated circuit
JP3278296B2 (ja) 液晶表示アレイの製造方法
JP3218861B2 (ja) 液晶表示装置の製造方法
JPH0543095B2 (ja)
US5693237A (en) Method of producing integrated active-matrix liquid crystal displays
JPH09127497A (ja) 液晶表示装置およびその製造方法
KR970011966A (ko) 액정셀의 제조 방법
JP3203459B2 (ja) 液晶表示装置
JPS58192375A (ja) 薄膜トランジスタの製造方法
KR100259610B1 (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
JP3216173B2 (ja) 薄膜トランジスタ回路の製造方法
JPH01223430A (ja) 液晶表示装置
JP3023729B2 (ja) 液晶表示装置
JP3595568B2 (ja) 液晶表示装置の製造方法
JP3108835B2 (ja) 液晶素子の製造方法
KR100453367B1 (ko) 액정표시소자에서의절연막식각방법
JPH0541505A (ja) 液晶表示装置
JPH06151418A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS6150117A (ja) 液晶セル
KR20020089959A (ko) 폴리실리콘 박막트랜지스터의 제조방법 및 이를 적용한액정표시소자
JPH1048617A (ja) 液晶表示装置およびその製造方法
JPS6338255A (ja) 半導体素子形成用基板の製造方法
JPH0685254A (ja) 薄膜トランジスタマトリックス及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19991026

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081210

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081210

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091210

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091210

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101210

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111210

Year of fee payment: 12

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees