JPH05232422A - 液晶パネルの製造方法 - Google Patents
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Abstract
入を防止すると共に、シール加熱硬化時のセルギャップ
の広がりを防止する液晶パネルの製造方法を提供するこ
とを目的とする。 【構成】 完成時のパネル基板寸法より大きな基板を用
い、基板の余分な部分に、少なくとも一部に開口部を有
するダミーシールを形成し、上下基板の貼り合わせ、シ
ール硬化後に、ダミーシールの開口部を封口し、ダイシ
ングにより基板の余分な部分を切り離すことを特徴とす
る液晶パネルの製造方法。
Description
特に完成時のパネル基板寸法より大きな基板を用い、基
板の貼り合わせ後に周辺の余分な部分をダイシング法に
より切り離して作る液晶パネルの製造方法に関する。
ネルは、板チョコ方式、即ち大型の基板に複数個のパネ
ルのパターンを形成した後に貼り合わせ、これをスクラ
イブして1つ1つのパネルに分離する方法により製造さ
れている。液晶パネルのTFT基板には石英ガラスやS
iウエハを用いる場合にはスクライブが困難であり、そ
の切断にはディスク状の砥石を回転させて切るダイシン
グ法が採用される。
晶注入口が未だ封口されておらず、しかもダイシング工
程では冷却水をかける必要があるため、冷却水が液晶パ
ネル内に侵入するという問題があった。
3−298219号公報には、完成時のパネル基板寸法
より大きな基板を用い、基板の余分な部分にダミーシー
ルを形成し、シール硬化後にダイシングを行うことによ
りダイシング時の冷却水の液晶パネル内への侵入を防止
する方法が開示されている。
法においては、2枚の基板を貼り合わせる際に内部のエ
アーが、所望のセルギャップ厚の2〜3倍の厚さで形成
されたダミーシールにより密封されるため、貼り合わせ
時の加圧により1/2〜1/3の体積に圧縮されたエア
ーが、そののちのシール硬化のための加熱時に膨張して
セルギャップが広がり、所望のセルギャップを得ること
ができないという問題点があった。
ダイシング時の冷却水の液晶パネル内への侵入を防止す
ると共に、シール加熱硬化時のセルギャップの広がりを
防止する液晶パネルの製造方法を提供することを目的と
する。
パネル基板寸法より大きな基板を用い、基板の貼り合わ
せ後に周辺の余分な部分をダイシング法により切り離し
て作る液晶パネルの製造方法において、基板の余分な部
分に、少なくとも一部に開口部を有するダミーシールを
形成し、上下基板の貼り合わせ、シール硬化後に、ダミ
ーシールの開口部を封口し、ダイシングを行うことを特
徴とする液晶パネルの製造方法である。
る。
わせ前の状態を示す上面図、図2はダイシング後の液晶
パネルの断面図である。
SiウエハよりなるTFT基板1と低熱膨張低アルカリ
ガラス(旭硝子社製AL)よりなる対向基板2に配向処
理を行った後、一方の基板に、セルギャップを精度良く
形成するためのスぺーサーを混合したシール材で、図1
に示す様に液晶パネル8を構成するシール3及び基板の
余分な部分にダミーシール4を形成した。ダミーシール
4には開口部5を形成した。
合わせ、加圧、加熱して、シール3及びダミーシール4
の硬化を行う。ダミーシール4にエアーの逃げ口である
開口部5があるため熱硬化時のエアーの熱膨張によるギ
ャップ幅の変化を防止できる。
6で封口し、ダイシング(ハーフカット7)を行った。
ダミーシール4を設けているため、ダイシング時の冷却
水の液晶パネル8内への侵入を防止できる。
除き、剪断力を加えることにより各パネルに分割でき
る。分割後、それぞれのパネルに液晶を注入し、この液
晶の注入口を封口剤にて封止した。この液晶に関する諸
工程は、公知の液晶表示装置の製造技術を適用した。
いる表面と反対側に液晶画素部の直下を除いて耐弗酸性
ゴムを被覆し、弗酸、酢酸、硝酸の混合液を用いて、絶
縁層までSiウエハを部分的に除去し、光透過による透
過型液晶画像表示装置を完成させた。
下の方法により作成した。
0)単結晶Si基板にHF溶液中において陽極化成を施
し、多孔質Si基板を形成した。
1:1:1 時間: 2.4 (時間) 多孔質Siの厚み: 300 (μm) Porosity: 56 (%) こうして得られたP型(100)多孔質Si基板上に減
圧CVD法により、Siエピタキシャル層を1.0ミク
ロンの層厚で成長させた。堆積条件は、以下のとおりで
ある。
トロームの酸化層を形成し、その酸化表面に、表面に5
000オングストロームの酸化層、1000オングスト
ロームの酸化層、1000オングストロームの窒化層を
形成したもう一方のSi基板を重ね合せ、窒素雰囲気中
で800℃、0.5時間加熱することにより、2つのS
i基板を強固に貼り合わせた。
とアルコールと30%過酸化水素水との混合液(10:
6:50)中で撹拌することなく選択エッチングした。
65分後には、非多孔質Si層だけがエッチングされず
に残り、単結晶Siをエッチ・ストップの材料として、
多孔質Si基板は選択エッチングされ、完全に除去され
た。非多孔質Si単結晶の該エッチング液に対するエッ
チング速度は、極めて低く65分後でもエッチング層は
50オングストローム以下であり、多孔質層のエッチン
グ速度との選択比は十の5乗以上にも達し、非多孔質層
におけるエッチング量(数十オングストローム)は実用
上無視できる程度のものであった。こうしたところ、2
00ミクロンの厚みをもった多孔質化されたSi基板は
除去され、SiO2 上に1.0μmの厚みを持った単結
晶Si層が形成できた。ソースガスとして、SiH2 C
lを用いた場合には、成長温度を数十度上昇させる必要
があるが、多孔質基板に特有な増速エッチング特性は維
持された。
タを作成し、接続することにより、相補性素子、及びそ
の集積回路を作成し、液晶画像表示装置に必要な画素切
り替え素子、駆動回路を形成した。なお、各トランジス
タの製造方法については公知のMOS集積回路製造技術
を用いた。
た。
マトリックスとして、まず二酸化クロム膜をスパッタに
よって形成し、所定のパターンにフォトエッチングにて
形成する。次に赤、青、緑の各色のフィルターを顔料分
散法にて形成し、トップコート層を設け、更にITO層
をスパッタによって形成し完成する。
に、図3に示す様に土手9を設けた以外は実施例1と同
様にして液晶パネルを製造した。
て粘度が低いものを使用しても、土手9により封口剤が
せき止められるため、封口剤が表面張力によりダミーシ
ール4内部に侵入し、個別パネル3の液晶注入口10を
ふさぐ事を防止できる。従って、この形状のダミーシー
ル4を使用することによりダミーシール4の封口剤とし
ての使用できる粘度の範囲が広まる。
ずにコの字型等いろいろな形が可能である。
上に多結晶シリコンを形成し、多結晶シリコン薄膜に電
界効果トランジスタを作成し、接続することにより、相
補性素子、及びその集積回路を作成し、液晶画像表示装
置に必要な画素切り替え素子、駆動回路を形成した。
ラックマトリックスとして、まず、二酸化クロム膜をス
パッタによって形成し、所定のパターンにフォトエッチ
ングにて形成する。次に、赤、青、緑の各色のフィルタ
ーを染色法にて形成し、トップコート層を設け、更にI
TO層をスパッタによって形成し完成する。図4に本実
施例のダミーシール形状を模式的に示す。
用したが、ウエハと同じ形状の物を使用してもかまわな
い。
ーシールに開口部を設けているため、基板間のエアーが
密封されず、所望のセルギャップを得ることができ、良
好な表示を実現できる液晶パネルを製造できる。更に、
シール剤の熱硬化時のエアーの膨張によるセルギャップ
の変化を防止できる。従って、熱硬化の温度条件が制約
されず、信頼性が高い液晶パネルを製造できる。しか
も、ダミーシールの開口部はダイシング前に封口される
ため冷却水の液晶パネル内への侵入を防止できる。
面図
図
面図
面図
Claims (2)
- 【請求項1】完成時のパネル基板寸法より大きな基板を
用い、基板の貼り合わせ後に周辺の余分な部分をダイシ
ング法により切り離して作る液晶パネルの製造方法にお
いて、基板の余分な部分に、少なくとも一部に開口部を
有するダミーシールを形成し、上下基板の貼り合わせ、
シール硬化後に、ダミーシールの開口部を封口し、ダイ
シングを行うことを特徴とする液晶パネルの製造方法。 - 【請求項2】基板の少なくとも一方に、石英ガラス或い
はSiウエハを使用することを特徴とする請求項1記載
の液晶パネルの製造方法。
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