JPH07181464A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JPH07181464A JPH07181464A JP34594093A JP34594093A JPH07181464A JP H07181464 A JPH07181464 A JP H07181464A JP 34594093 A JP34594093 A JP 34594093A JP 34594093 A JP34594093 A JP 34594093A JP H07181464 A JPH07181464 A JP H07181464A
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- JP
- Japan
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- liquid crystal
- substrate
- layer
- transparent
- driving element
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 液晶表示装置において環境変化による液晶層
のギャップ変化や駆動素子の変形を防止する。 【構成】 Ｓｉ基板１の裏面側に封口ガラス基板５を対
向配置し、弾性枠材４を介して変形可能なポッティング
材６を充填してなる液晶表示装置。
のギャップ変化や駆動素子の変形を防止する。 【構成】 Ｓｉ基板１の裏面側に封口ガラス基板５を対
向配置し、弾性枠材４を介して変形可能なポッティング
材６を充填してなる液晶表示装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、テレビジョンやビデオ
カメラのビュウファインダー等に用いられる液晶表示装
置に関する。
カメラのビュウファインダー等に用いられる液晶表示装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＣＲＴに変わる画像表示装置とし
て、薄型化、軽量化が可能な液晶表示装置が着目されて
いる。
て、薄型化、軽量化が可能な液晶表示装置が着目されて
いる。
【０００３】液晶表示装置においては、高精細な表示を
行なうためアクティブマトリクス駆動方式が広く用いら
れている。また、液晶表示装置には反射型と透過型が有
るが、いずれも光が画像表示部を透過しうることが必須
条件であるため、駆動回路基板としては一般に石英基板
が用いられ、該基板上に多結晶Ｓｉ層を形成して駆動素
子を構成していた。
行なうためアクティブマトリクス駆動方式が広く用いら
れている。また、液晶表示装置には反射型と透過型が有
るが、いずれも光が画像表示部を透過しうることが必須
条件であるため、駆動回路基板としては一般に石英基板
が用いられ、該基板上に多結晶Ｓｉ層を形成して駆動素
子を構成していた。
【０００４】しかしながら、液晶ビューアー等へのより
高品質な画像要求に応じて画面を高精細化し、高速駆動
するためには、多結晶Ｓｉからなる素子では限界があ
り、単結晶Ｓｉからなる素子を搭載した液晶表示装置が
提案されている。
高品質な画像要求に応じて画面を高精細化し、高速駆動
するためには、多結晶Ｓｉからなる素子では限界があ
り、単結晶Ｓｉからなる素子を搭載した液晶表示装置が
提案されている。
【０００５】単結晶Ｓｉからなる駆動回路を構成するに
は、半導体又は導電体基板上に絶縁層を介して単結晶Ｓ
ｉ薄膜が形成される。上記半導体や導電体からなる基板
は不透明であるから、画像表示部のみ該基板をくり抜き
除去して透明化している。
は、半導体又は導電体基板上に絶縁層を介して単結晶Ｓ
ｉ薄膜が形成される。上記半導体や導電体からなる基板
は不透明であるから、画像表示部のみ該基板をくり抜き
除去して透明化している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記単結晶Ｓｉ基板に
おいて、基板をくり抜き除去した画像表示部は薄膜化し
ており、物理的強度が低いため、透明充填材を上記くり
抜き部に充填して補強しているが、さらに該透明充填材
表面を液晶セルを構成する基板とは異なる第３の透明封
止基板にて封止及び補強する手段も開示されている。し
かしながら、温度、圧力等液晶パネルの使用環境変化の
影響で液晶層のギャップ変化や駆動素子の変形が生じ、
画質の劣化、さらには信頼性の低下を引き起こしてい
た。
おいて、基板をくり抜き除去した画像表示部は薄膜化し
ており、物理的強度が低いため、透明充填材を上記くり
抜き部に充填して補強しているが、さらに該透明充填材
表面を液晶セルを構成する基板とは異なる第３の透明封
止基板にて封止及び補強する手段も開示されている。し
かしながら、温度、圧力等液晶パネルの使用環境変化の
影響で液晶層のギャップ変化や駆動素子の変形が生じ、
画質の劣化、さらには信頼性の低下を引き起こしてい
た。
【０００７】本発明の目的はこのような問題点に鑑み、
環境変化による液晶層のギャップ変化や駆動素子の変形
を防止した液晶表示装置を提供することにある。
環境変化による液晶層のギャップ変化や駆動素子の変形
を防止した液晶表示装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明は、不透
明基板上に透明絶縁層を介して液晶駆動素子層を有する
液晶駆動素子基板と、透明基板上に透明電極を有する透
明対向基板との間に液晶を挟持してなる液晶パネルの、
表示領域に相当する上記不透明基板を上記透明絶縁層ま
でくり抜き、該くり抜き部に変形可能な透明充填材を配
し、弾性シール材を介して透明封止基板で封止してなる
ことを特徴とする液晶表示装置であり、本発明において
は、前記単結晶Ｓｉからなる駆動素子を搭載した液晶表
示装置において優れた効果を奏するが、単結晶Ｓｉを用
いた液晶表示装置に限らず、従来の多結晶Ｓｉやアモル
ファスＳｉ或いは他の半導体を用いた液晶表示装置にお
いても本発明を利用することができる。
明基板上に透明絶縁層を介して液晶駆動素子層を有する
液晶駆動素子基板と、透明基板上に透明電極を有する透
明対向基板との間に液晶を挟持してなる液晶パネルの、
表示領域に相当する上記不透明基板を上記透明絶縁層ま
でくり抜き、該くり抜き部に変形可能な透明充填材を配
し、弾性シール材を介して透明封止基板で封止してなる
ことを特徴とする液晶表示装置であり、本発明において
は、前記単結晶Ｓｉからなる駆動素子を搭載した液晶表
示装置において優れた効果を奏するが、単結晶Ｓｉを用
いた液晶表示装置に限らず、従来の多結晶Ｓｉやアモル
ファスＳｉ或いは他の半導体を用いた液晶表示装置にお
いても本発明を利用することができる。
【０００９】本発明において、透明充填材の体積変化
は、該透明充填材の封止に用いられているシール材の弾
性によって吸収され、液晶層や駆動素子への影響が防止
される。
は、該透明充填材の封止に用いられているシール材の弾
性によって吸収され、液晶層や駆動素子への影響が防止
される。
【００１０】
［実施例１］図１に本発明第１の実施例を示す。図１
（ａ）は概略平面図、（ｂ）はそのＡ−Ａ’断面図であ
る。
（ａ）は概略平面図、（ｂ）はそのＡ−Ａ’断面図であ
る。
【００１１】本発明の液晶表示装置は、画像表示用液晶
セル部と、ポッティング材（透明充填材）を注入して液
晶セル部の補強を行なうポッティングセル部よりなる。
液晶セル部は対向基板２と液晶駆動素子層３、及び枠材
６によって囲まれた部分に注入された液晶７から構成さ
れる。
セル部と、ポッティング材（透明充填材）を注入して液
晶セル部の補強を行なうポッティングセル部よりなる。
液晶セル部は対向基板２と液晶駆動素子層３、及び枠材
６によって囲まれた部分に注入された液晶７から構成さ
れる。
【００１２】上記対向基板２にはカラーフィルターとカ
ラーフィルター間を遮光する遮光層と、液晶に電圧を印
加するための透明電極、及び液晶を一定方向に配向させ
るための配向制御膜が設けられている。また、液晶駆動
素子層３は、画素部には画素電極、上記電極へ信号を印
加するための薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、ＴＦＴへ信
号を送る信号線、ＴＦＴ駆動用駆動線、画素ＴＦＴを駆
動する水平、垂直シフトレジスタからなる。
ラーフィルター間を遮光する遮光層と、液晶に電圧を印
加するための透明電極、及び液晶を一定方向に配向させ
るための配向制御膜が設けられている。また、液晶駆動
素子層３は、画素部には画素電極、上記電極へ信号を印
加するための薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、ＴＦＴへ信
号を送る信号線、ＴＦＴ駆動用駆動線、画素ＴＦＴを駆
動する水平、垂直シフトレジスタからなる。
【００１３】液晶駆動素子層３は図４に示す方法により
製造された単結晶Ｓｉ層により形成される。該単結晶Ｓ
ｉ層は経済性に優れ、大面積に渡り欠陥が著しく少な
く、均一で平坦な極めて優れた結晶性を有している。従
って該単結晶Ｓｉ層により構成した半導体アクティブ素
子は浮遊容量が低減し、高速動作が可能でラッチアップ
現象がなく、耐放射線性に優れ、駆動回路を表示画素と
同一基板上に集積した高性能な液晶表示装置が提供でき
る。以下に図４に従って、本発明に係る単結晶Ｓｉ層の
製造方法の一例を説明する。
製造された単結晶Ｓｉ層により形成される。該単結晶Ｓ
ｉ層は経済性に優れ、大面積に渡り欠陥が著しく少な
く、均一で平坦な極めて優れた結晶性を有している。従
って該単結晶Ｓｉ層により構成した半導体アクティブ素
子は浮遊容量が低減し、高速動作が可能でラッチアップ
現象がなく、耐放射線性に優れ、駆動回路を表示画素と
同一基板上に集積した高性能な液晶表示装置が提供でき
る。以下に図４に従って、本発明に係る単結晶Ｓｉ層の
製造方法の一例を説明する。
【００１４】先ず３００μｍの厚みを持ったＰ型（１０
０）単結晶Ｓｉ基板にＨＦ溶液中において陽極化成処理
を施し、多孔質Ｓｉ基板１０１を形成した。陽極化成処
理条件は以下の通りであった。
０）単結晶Ｓｉ基板にＨＦ溶液中において陽極化成処理
を施し、多孔質Ｓｉ基板１０１を形成した。陽極化成処
理条件は以下の通りであった。
【００１５】印加電圧： ２．６Ｖ 電流密度： ３０ｍＡ・ｃｍ-2 陽極化成溶液： ＨＦ：Ｈ2 Ｏ：Ｃ2 Ｈ5 ＯＨ＝１：
１：１ 時間： ２．４時間 多孔質Ｓｉの厚み： ３００μｍ Ｐｏｒｏｓｉｔｙ： ５６％
１：１ 時間： ２．４時間 多孔質Ｓｉの厚み： ３００μｍ Ｐｏｒｏｓｉｔｙ： ５６％
【００１６】こうして得られたＰ型（１００）多孔質Ｓ
ｉ基板１０１上に減圧ＣＶＤ法によりＳｉエピタキシャ
ル層１０２を１．０μｍの層厚で成長させる。堆積条件
は以下の通りである。
ｉ基板１０１上に減圧ＣＶＤ法によりＳｉエピタキシャ
ル層１０２を１．０μｍの層厚で成長させる。堆積条件
は以下の通りである。
【００１７】ソースガス： ＳｉＨ4 キャリアガス： Ｈ2 温度： ８５０℃ 圧力： １×１０-2Ｔｏｒｒ 成長速度： ３．３ｎｍ／ｓｅｃ
【００１８】次にこのエピタキシャル層１０２の表面に
１０００ÅのＳｉＯ2 層１０３を形成し（ａ）、そのＳ
ｉＯ2 層表面に５０００ÅのＳｉＯ2 層１０４、１００
０ÅのＳｉ3 Ｎ4 層１０５を形成したもう一方のＳｉ基
板１０７を重ね合わせ、窒素雰囲気中で８００℃、０．
５時間加熱することにより、２つのＳｉ基板を強固に貼
り合わせた（ｂ）。
１０００ÅのＳｉＯ2 層１０３を形成し（ａ）、そのＳ
ｉＯ2 層表面に５０００ÅのＳｉＯ2 層１０４、１００
０ÅのＳｉ3 Ｎ4 層１０５を形成したもう一方のＳｉ基
板１０７を重ね合わせ、窒素雰囲気中で８００℃、０．
５時間加熱することにより、２つのＳｉ基板を強固に貼
り合わせた（ｂ）。
【００１９】その後、貼り合わせ基板を４９％弗酸とア
ルコール、３０％過酸化水素水との混合液（１０：６：
５０）中で攪拌することなく選択エッチングした。６５
分後には図４（ｃ）に示すように、単結晶Ｓｉをエッチ
ング・ストップ材として、多孔質Ｓｉ基板１０１は選択
エッチングされ、完全に除去された。
ルコール、３０％過酸化水素水との混合液（１０：６：
５０）中で攪拌することなく選択エッチングした。６５
分後には図４（ｃ）に示すように、単結晶Ｓｉをエッチ
ング・ストップ材として、多孔質Ｓｉ基板１０１は選択
エッチングされ、完全に除去された。
【００２０】非多孔質単結晶Ｓｉの上記エッチング液に
対するエッチング速度は極めて低く、６５分後でもエッ
チング深さは５０Å以下であり、多孔質層のエッチング
速度との選択比は１０5 にも達し、非多孔質層における
エッチング量（数十Å）は実用上無視できる程度のもの
である。
対するエッチング速度は極めて低く、６５分後でもエッ
チング深さは５０Å以下であり、多孔質層のエッチング
速度との選択比は１０5 にも達し、非多孔質層における
エッチング量（数十Å）は実用上無視できる程度のもの
である。
【００２１】このように、２００μｍの厚みを持った多
孔質化Ｓｉ基板１０１は除去され、ＳｉＯ2 層１０３上
に１．０μｍの厚みを有する単結晶Ｓｉ層１０２が形成
される。ソースガスとしてＳｉＨ2 Ｃｌを用いた場合に
は、成長温度を数十℃上昇させる必要があるが、多孔質
Ｓｉ基板に特有な増速エッチング特性は維持される。
孔質化Ｓｉ基板１０１は除去され、ＳｉＯ2 層１０３上
に１．０μｍの厚みを有する単結晶Ｓｉ層１０２が形成
される。ソースガスとしてＳｉＨ2 Ｃｌを用いた場合に
は、成長温度を数十℃上昇させる必要があるが、多孔質
Ｓｉ基板に特有な増速エッチング特性は維持される。
【００２２】上記単結晶Ｓｉ層１０２にＴＦＴを形成
し、図１の液晶駆動素子層６を構成するが、液晶駆動素
子層６はＳｉ基板１（図４のＳｉ基板１０７に相当）上
に形成されるため、可視光不透明である。そこで次に可
視光透過可能にするために、表示開口部をエッチングに
よってくり抜く。
し、図１の液晶駆動素子層６を構成するが、液晶駆動素
子層６はＳｉ基板１（図４のＳｉ基板１０７に相当）上
に形成されるため、可視光不透明である。そこで次に可
視光透過可能にするために、表示開口部をエッチングに
よってくり抜く。
【００２３】エッチング液としてはテトラメチルアンモ
ニウムハイドライド（ＴＭＡＨ）水溶液を用いた。エッ
チング条件はＴＭＡＨ２２％水溶液、９０℃、１０時間
である。尚、Ｓｉ基板１としてＳｉ基板上に薄いＳｉＯ
2 層が存在し、さらにその上部に単結晶Ｓｉ層が重なっ
た構造（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｅｒ，
ＳＯＩ構造）のＳｉ基板を用いると、上記ＳｉＯ2 層が
エッチングストップ層となり均一なエッチングに有効で
あり、望ましい（例えば、図４においてＳｉＯ2 層１０
４とＳｉ3 Ｎ4 層１０５を省いた構造）。ここでエッチ
ング液としてＫＯＨ等ＳｉとＳｉＯ2 との選択比が十分
とれるものであれば特に限定されない。
ニウムハイドライド（ＴＭＡＨ）水溶液を用いた。エッ
チング条件はＴＭＡＨ２２％水溶液、９０℃、１０時間
である。尚、Ｓｉ基板１としてＳｉ基板上に薄いＳｉＯ
2 層が存在し、さらにその上部に単結晶Ｓｉ層が重なっ
た構造（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｅｒ，
ＳＯＩ構造）のＳｉ基板を用いると、上記ＳｉＯ2 層が
エッチングストップ層となり均一なエッチングに有効で
あり、望ましい（例えば、図４においてＳｉＯ2 層１０
４とＳｉ3 Ｎ4 層１０５を省いた構造）。ここでエッチ
ング液としてＫＯＨ等ＳｉとＳｉＯ2 との選択比が十分
とれるものであれば特に限定されない。
【００２４】次にポッティングセル部の作製方法につい
て述べる。本工程は、ポッティング材充填領域作製工
程、ポッティング材注入工程、注入口封止工程の３工程
に大きく分けることができる。以下、上記工程順に説明
する。
て述べる。本工程は、ポッティング材充填領域作製工
程、ポッティング材注入工程、注入口封止工程の３工程
に大きく分けることができる。以下、上記工程順に説明
する。
【００２５】図２にポッティング材充填領域作製工程を
示す。Ｓｉ基板１のくり抜かれた開口部８の、ポッティ
ング材注入口２５を除く周囲に非流動性弾性接着剤から
なる枠材４を塗布する。本実施例においてはシリコーン
接着剤（東レシリコーンＳＥ９１５０）を使用した。塗
布にはディスペンサーを使用し、厚みが０．５ｍｍ程度
になる様に調整し、更にその上に封口ガラス基板５を載
せ、所望のギャップにするため加圧した後、枠材４を硬
化させた。
示す。Ｓｉ基板１のくり抜かれた開口部８の、ポッティ
ング材注入口２５を除く周囲に非流動性弾性接着剤から
なる枠材４を塗布する。本実施例においてはシリコーン
接着剤（東レシリコーンＳＥ９１５０）を使用した。塗
布にはディスペンサーを使用し、厚みが０．５ｍｍ程度
になる様に調整し、更にその上に封口ガラス基板５を載
せ、所望のギャップにするため加圧した後、枠材４を硬
化させた。
【００２６】本実施例において上記封口ガラス基板５と
してはソーダガラスを用い、ギャップ厚はスペーサ（Ｓ
ＵＳ，ｔ＝０．３ｍｍ）を封口ガラス基板５とＳｉ基板
１間の枠材４の外側に挟み込み、ギャップ厚を定め、後
でこれを抜き取った。
してはソーダガラスを用い、ギャップ厚はスペーサ（Ｓ
ＵＳ，ｔ＝０．３ｍｍ）を封口ガラス基板５とＳｉ基板
１間の枠材４の外側に挟み込み、ギャップ厚を定め、後
でこれを抜き取った。
【００２７】次に、ポッティング材注入工程について説
明する。
明する。
【００２８】ポッティング材は注入前に真空脱泡（１０
-3Ｔｏｒｒ、１２時間）を行ない、気泡の混入がない状
態にした。枠の形成が終了している液晶表示装置（液晶
セル）とシャーレ等に入れたポッティング材を真空装置
内にセットし、１０-3Ｔｏｒｒ程度の真空度まで真空引
きする。真空引きの時間は１０-3Ｔｏｒｒに到達後１〜
２４時間の間とした。その後、真空状態のまま、液晶セ
ルをポッティング材の入ったシャーレ中に挿入し、ポッ
ティング材に浸す。毛細管現象による注入が平衡状態に
達した後、２０分〜１時間かけてゆっくり真空装置のリ
ークを行ない、ポッティング材を枠内に十分に注入し
た。
-3Ｔｏｒｒ、１２時間）を行ない、気泡の混入がない状
態にした。枠の形成が終了している液晶表示装置（液晶
セル）とシャーレ等に入れたポッティング材を真空装置
内にセットし、１０-3Ｔｏｒｒ程度の真空度まで真空引
きする。真空引きの時間は１０-3Ｔｏｒｒに到達後１〜
２４時間の間とした。その後、真空状態のまま、液晶セ
ルをポッティング材の入ったシャーレ中に挿入し、ポッ
ティング材に浸す。毛細管現象による注入が平衡状態に
達した後、２０分〜１時間かけてゆっくり真空装置のリ
ークを行ない、ポッティング材を枠内に十分に注入し
た。
【００２９】ポッティング材は上記のように１０-3Ｔｏ
ｒｒ程度の真空中で注入する。そのため、蒸気圧が低
く、しかも透明、−２０℃〜８０℃の温度範囲で固化及
び気化しない液体である必要がある。具体的には、液
晶、ポリエチレングリコール（関東化学株式会社製：ポ
リエチレングリコール＃２００）、シリコーンオイル
（信越化学工業株式会社製：信越シリコーン）を用い
た。
ｒｒ程度の真空中で注入する。そのため、蒸気圧が低
く、しかも透明、−２０℃〜８０℃の温度範囲で固化及
び気化しない液体である必要がある。具体的には、液
晶、ポリエチレングリコール（関東化学株式会社製：ポ
リエチレングリコール＃２００）、シリコーンオイル
（信越化学工業株式会社製：信越シリコーン）を用い
た。
【００３０】注入口封止工程は次の様にして行なう。
【００３１】真空装置中から液晶セルを取り出し、注入
口２５をアセトン等で良く拭き脱脂する。注入口２５に
封口材２２を盛り、封口を行なう。本実施例では封口材
としてシリコーン接着剤（東レシリコーンＳＥ９１５
０）を使用し、硬化は常温で２４時間行なった。
口２５をアセトン等で良く拭き脱脂する。注入口２５に
封口材２２を盛り、封口を行なう。本実施例では封口材
としてシリコーン接着剤（東レシリコーンＳＥ９１５
０）を使用し、硬化は常温で２４時間行なった。
【００３２】本発明の液晶表示装置は、液晶駆動素子層
３に作り込まれた液晶駆動素子によって開口部８の液晶
７を駆動し、開口部８にて表示が行なわれる。枠材６に
よって規定された対向基板２と液晶駆動素子層３との距
離（セルギャップ）は光の透過率に影響を与えるため、
全面に均一な表示を行なうためには開口部８全面にわた
ってセルギャップが均一であることが望まれる。
３に作り込まれた液晶駆動素子によって開口部８の液晶
７を駆動し、開口部８にて表示が行なわれる。枠材６に
よって規定された対向基板２と液晶駆動素子層３との距
離（セルギャップ）は光の透過率に影響を与えるため、
全面に均一な表示を行なうためには開口部８全面にわた
ってセルギャップが均一であることが望まれる。
【００３３】本実施例において液晶駆動素子層３の厚さ
は、開口部８に対して１／１０００以下と非常に薄く、
変形が起こり易く、更には割れ易い。そのため、本発明
に示す様なポッティング材による補強を行なうと、耐久
性、信頼性が向上するばかりでなく、画質向上に非常に
有効である。
は、開口部８に対して１／１０００以下と非常に薄く、
変形が起こり易く、更には割れ易い。そのため、本発明
に示す様なポッティング材による補強を行なうと、耐久
性、信頼性が向上するばかりでなく、画質向上に非常に
有効である。
【００３４】また、本発明の液晶表示装置は温度或いは
気圧等によるポッティング材の体積変化を弾性枠材の変
形により吸収する構造であるため、環境の変化にも強い
ものとなっている。
気圧等によるポッティング材の体積変化を弾性枠材の変
形により吸収する構造であるため、環境の変化にも強い
ものとなっている。
【００３５】［実施例２］本発明第２の実施例を図３に
示す。図３（ａ）は平面該略図、（ｂ）は（ａ）におけ
るＢ−Ｂ’断面図である。
示す。図３（ａ）は平面該略図、（ｂ）は（ａ）におけ
るＢ−Ｂ’断面図である。
【００３６】本実施例の特徴は、膨張率の大きなポッテ
ィング材（例えばポリエチレングリコール）を用い、更
に液体に比べて低膨張であるガラスを封口ガラス基板５
の内側に配したことにある。その結果必要なポッティン
グ液の体積が減少し、よってポッティング液の体積変化
量が小さくなり、枠材４のギャップ厚を薄くすることが
できる。
ィング材（例えばポリエチレングリコール）を用い、更
に液体に比べて低膨張であるガラスを封口ガラス基板５
の内側に配したことにある。その結果必要なポッティン
グ液の体積が減少し、よってポッティング液の体積変化
量が小さくなり、枠材４のギャップ厚を薄くすることが
できる。
【００３７】
【発明の効果】本発明によれば、環境変化による液晶層
のギャップ変化や駆動素子の変形を防止し、高画質で信
頼性の高い液晶表示装置が実現する。
のギャップ変化や駆動素子の変形を防止し、高画質で信
頼性の高い液晶表示装置が実現する。
【図１】本発明第１の実施例を示す図である。
【図２】本発明第１の実施例のポッティング材充填領域
作製工程を示す図である。
作製工程を示す図である。
【図３】本発明第２の実施例を示す図である。
【図４】本発明に係る単結晶Ｓｉ層の形成工程を示す図
である。
である。
１ Ｓｉ基板 ２ 対向基板 ３ 液晶駆動素子層 ４ 弾性枠材 ５ 封口ガラス基板 ６ 枠材 ７ 液晶 ８ 開口部 ２２ 封口 ２５ 注入口 １０１ 多孔質Ｓｉ基板 １０２ 単結晶Ｓｉエピタキシャル層 １０３ ＳｉＯ2 層 １０４ ＳｉＯ2 層 １０５ Ｓｉ3 Ｎ4 層 １０７ Ｓｉ基板
Claims (2)
- 【請求項１】 不透明基板上に透明絶縁層を介して液晶
駆動素子層を有する液晶駆動素子基板と、透明基板上に
透明電極を有する透明対向基板との間に液晶を挟持して
なる液晶パネルの、表示領域に相当する上記不透明基板
を上記透明絶縁層までくり抜き、該くり抜き部に変形可
能な透明充填材を配し、弾性シール材を介して透明封止
基板で封止してなることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 液晶駆動素子層が、単結晶Ｓｉで形成さ
れていることを特徴とする請求項１又は２記載の液晶表
示装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34594093A JPH07181464A (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 液晶表示装置 |
| US08/189,169 US5691794A (en) | 1993-02-01 | 1994-01-31 | Liquid crystal display device |
| DE69427882T DE69427882T2 (de) | 1993-02-01 | 1994-01-31 | Flüssigkristallanzeige |
| EP94101398A EP0609809B8 (en) | 1993-02-01 | 1994-01-31 | Liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34594093A JPH07181464A (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07181464A true JPH07181464A (ja) | 1995-07-21 |
Family
ID=18380038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34594093A Withdrawn JPH07181464A (ja) | 1993-02-01 | 1993-12-24 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07181464A (ja) |
-
1993
- 1993-12-24 JP JP34594093A patent/JPH07181464A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
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