JP2005249886A - 電気光学表示装置の製造方法及び製造装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 ハンドリングし易く生産性が良く、パネルクリーニング作業が不要となり、歩留・品質向上、大幅な工数削減、生産性向上によるコストダウンが可能となる電気光学表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 ＴＦＴ基体１に複数の駆動基板２を形成して液晶配向膜形成及び液晶配向処理を行い、対向基体２４に複数の対向基板４を形成して液晶配向膜形成及び液晶配向処理を行い、対向基体を対向基板毎に分断して単個状態の対向基板を形成する。ＴＦＴ基体に形成された複数の駆動基板に単個状態の対向基板をシール剤及びコモン剤を介して相対して重ね合わせ、シール剤及びコモン剤を硬化して複数の空セルを形成し、この空セルを構成する駆動基板と対向基板の間隙に液晶注入封止及び液晶配向熱処理して複数のＬＣＤパネルを形成した後に、ＴＦＴ基体及び対向基板の裏面光学研磨を行う。その後、ＴＦＴ基体をＬＣＤパネル毎に分断する。
【選択図】 図１

Description

本発明は電気光学表示装置の製造方法及び製造装置に関する。詳しくは、基体内の駆動基板と対向基板を所定の液晶ギャップで相対して重ね合わせて液晶注入封止したＬＣＤパネルを形成した後に、少なくとも対向基板の裏面を光学研磨を行うことによって、ＬＣＤパネル表面のキズ及び異物付着を低減しようとした電気光学表示装置の製造方法及び製造装置に係るものである。

従来の透過型液晶表示装置の製造方法には、図１４のフローチャートに示す様に、ガラス系基板に複数のＴＦＴ基板を形成し、このＴＦＴ基板の形成時にガラス系基板の裏面に成膜されたＳｉＯ_２、ＳｉＮｘ、ＷＳｉ等の膜を裏面光学研磨によって除去した後に、例えばポリイミド配向膜形成、ラビング処理、所定の洗浄、コモン塗布したものと、ガラス系基板に複数のカラーフィルタ、マイクロレンズアレイ、ブラックマスクなどの対向基板が複数形成された対向基体に、例えばポリイミド配向膜形成、ラビング処理、所定の洗浄、シール塗布を行ったものとを面で重ね合わせて空セルを形成した後にスクライブブレークを行ういわゆる面面組立て方法と、図１５のフローチャートで示す様に、ガラス系基板に複数のＴＦＴ基板を形成し、このＴＦＴ基板の形成時にガラス系基板の裏面に成膜されたＳｉＯ_２、ＳｉＮｘ、ＷＳｉ等の膜を裏面光学研磨によって除去した後に、ダイシング、洗浄して単個状態のＴＦＴ基板を作成し、ガラス系基板に複数のカラーフィルタ、マイクロレンズアレイ、ブラックマスクなどの対向基板が複数形成された対向基体をダイシング、洗浄して単個状態の対向基板を作成し、個々の良品のＴＦＴ基板と対向基板とに例えばポリイミド配向膜形成、ラビング処理、所定の洗浄、コモン塗布（ＴＦＴ基板）、シール塗布（対向基板）を行い、その後重ね合わせて空セル形成を行い液晶注入封止する、いわゆる単個組立て方法とがある。

ところが、上記した面面組立て方法では、重ね合わせ精度の低下、液晶ギャップむら、重ね合わせ後のスクライブブレークによるダメージ（シール部分の信頼性低下など）、基板欠けや割れ等の問題があると共に、ＴＦＴ基板を形成したガラス系基板と対向基板を形成したガラス系基板との重ね合わせになり、各々の歩留りの掛け合わせとなるため片方のみに不良がある場合でも全体として不良品となってしまい歩留りの向上を図るのは困難である。
また、裏面光学研磨すると、ＴＦＴ基板が形成されたガラス系基板表面の膜の圧縮応力により凹状に反りが発生しており、また、対向基板が形成されたガラス系基板も表面にＩＴＯ（インジウム−錫系透明導電膜）等の透明導電膜が形成されると、膜の圧縮応力により凹状に反りが発生しており、面で重ね合わせを行う面面組立て方法では、双方の凹状反りにより重ね合わせた液晶ギャップが凸状となり易く、液晶ギャップ均一性に問題がある。
更に、ＴＦＴ基板が形成されたガラス系基板が石英ガラス、ネオセラム材の場合には、ダイヤモンドカッター或いは超硬カッター切断が困難であり、ブレードダイシングすると切削水が空セルの液晶注入口から浸入してしまう問題がある。

一方、上記した単個組立て方法では、各々良品のＴＦＴ基板と対向基板との重ね合わせ時点での不良発生は防げるものの、各ガラス系基板をダイシングした後に例えばポリイミド配向膜形成やラビング処理を施すため、ダイシングに起因するごみの付着不良、ＴＦＴ基板及び対向基板端のガラスチッピング付着不良、作業性の悪化や配向膜のむら、配向性のばらつきを生じさせることとなる。

そこで、図１６のフローチャートで示す様に、ガラス系基板に複数のＴＦＴ基板を形成し、このＴＦＴ基板の形成時にガラス系基板の裏面に成膜されたＳｉＯ_２、ＳｉＮｘ、ＷＳｉ等の膜を裏面光学研磨によって除去した後に、例えばポリイミド配向膜形成、ラビング処理、ダイシング、洗浄して単個状態のＴＦＴ基板を作成し、複数のカラーフィルタ、マイクロレンズアレイ、ブラックマスクなどの対向基板を複数形成したガラス系基板に例えばポリイミド配向膜形成、ラビング処理、ダイシング、洗浄して単個状態の対向基板を作成し、個々の良品のＴＦＴ基板にコモン塗布を行うと共に個々の良品の対向基板にシール剤塗布を行い、その後に重ね合わせを行って空セル形成して液晶注入封止する、いわゆる面単組立て方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
この方法は、ガラス系基板でのポリイミド配向膜形成、ラビング処理なので均一な配向特性が生産性良く得られ、しかも良品同士のＴＦＴ基板と対向基板の重ね合わせで空セルを形成するので液晶ギャップ制御がし易く、歩留、品質が向上する。

更には、特許文献２に示す様に、ガラス系基板に複数のＴＦＴ基板を形成し、単体に分断した対向基板をそのＴＦＴ基板に貼り合せるいわゆるチップマウント組立て方法が採用されることがある。
このチップマウント方式は高い生産性、高度なセル厚制御及び高い貼り合わせ精度を得やすいとしている。

特許第０３２５０４１１号公報

特開２００３−６６４０１号公報

しかしながら、上記した様に、裏面光学研磨をするとＴＦＴ基板が形成されたガラス系基板表面の膜の圧縮応力により凹状に反りが発生しており、また、対向基板が形成されたガラス系基板も表面にＩＴＯ等の透明導電膜やマイクロレンズアレイ、ブラックマスクなどが形成されると膜の圧縮応力により凹状に反りが発生しており、更にはＴＦＴ基板が形成されたガラス系基板及び対向基板が形成されたガラス系基板の裏面がポリイミドコーティング装置やバフラビング装置で擦られ、特に基板中央部に擦りキズ、異物付着するので、ＬＣＤパネルクリーニングやＬＣＤパネル裏面光学研磨加工が必要になっている。
また、ＬＣＤパネルに防塵ガラスを貼り合わせる場合には、単体のＬＣＤパネルに防塵ガラスを貼り合わせるので、防塵ガラスのキズ、ゴミ付着やパネルクリーニング工数増加の問題がある。
更に、特に生産性向上を目的として、重ね合わせからＬＣＤパネルを金属枠へ取り付けるモールド樹脂固着まではインライン自動液晶組立装置が導入されているが、（１）単個状態のＴＦＴ基板及び対向基板の作業（洗浄、重ね合わせ等）、単個状態のＬＣＤパネルの作業（液晶注入封止、防塵ガラス貼り合せ、金属枠取り付けなど）なので、インライン自動液晶組立装置のハンドリング機構が複雑であり、装置故障が発生し易く生産性低下させている（２）単個状態のＴＦＴ基板、対向基板及びＬＣＤパネルのハンドリングなので、真空吸着パッドによる表面キズ発生、異物付着の不良があり、歩留及び品質を低下させている（３）多くの複雑な機構から構成されているインライン自動液晶組立装置は比較的故障率が高く、メンテナンス工数が大であり生産性が低い等の問題が生じている。

また、チップマウント方式では、ガラス系基板をステージに保持固定すると共に、ステージ加熱してガラス系基板に発生する応力を低減し、アライメント時の反りを抑制する手段をとっている為に、ガラス系基板のＴＦＴ基板に熱併用型紫外線照射硬化型シール剤塗布していると、ステージ加熱によるシール剤の硬化促進により液晶ギャップムラが発生しやすい。この為に単体状態の対向基板側にシール剤を塗布する必要があり、ハンドリング問題、低生産性の問題などが発生する。
更に、複数の開孔による真空吸着の石英ヘッドで対向基板はハンドリングされ、ＴＦＴ基板に重ね合わせるが、この時に対向基板裏面にキズが発生し易く画質欠陥となり易い。

本発明は以上の点に鑑みて創案されたものであって、ハンドリングし易く生産性が良く、ＬＣＤパネルクリーニング作業が不要となり、歩留・品質向上、大幅な工数削減、生産性向上による大幅コストダウンが可能となる電気光学表示装置の製造方法を提供することを目的とするものである。

上記の目的を達成するために、本発明に係る電気光学表示装置の製造方法は、基体に複数の駆動基板を形成し、各駆動基板に対応する液晶配向膜形成或いは液晶配向膜形成及び液晶配向処理する工程と、基体に複数の対向基板を形成し、各対向基板に対応する液晶配向膜形成或いは液晶配向膜形成及び液晶配向処理する工程と、前記対向基板が形成された基体を前記対向基板毎に分断して単個状態の対向基板を形成する工程と、前記駆動基板と単個状態の前記対向基板とが所定の間隙を介して対面配置する様に、基体に形成された駆動基板にシール剤及びコモン剤を塗布して単個状態の前記対向基板を相対して重ね合わせ、該シール剤及びコモン剤を硬化して所定の液晶ギャップの空セルを形成する工程と、前記各駆動基板と前記各対向基板で形成された空セルの間隙に液晶注入封止及び必要に応じて液晶配向熱処理してＬＣＤパネルを形成する工程と、少なくとも前記対向基板裏面の光学研磨を行う工程と、前記駆動基板が形成された基体を前記ＬＣＤパネル毎に分断する工程とを備える。

ここで、駆動基板と対向基板で形成された空セルの間隙に液晶を注入封止してＬＣＤパネルを形成した後に、駆動基板が形成された基体と対向基板の裏面光学研磨を行うことにより、駆動基板及び対向基板のキズ、異物付着不良が低減する。
但し、透過型ＬＣＤの場合は石英ガラス等のＴＦＴ基体裏面のＴＦＴ形成膜は裏面光学研磨で除去する必要があるのでＴＦＴ基体と対向基体の双方の裏面光学研磨を行うが、反射型ＬＣＤの場合は必ずしも単結晶シリコン基板等のＴＦＴ基体裏面のＴＦＴ形成膜を除去する必要はないので対向基体或いは対向基板の裏面光学研磨のみ行ってもよい。
また、駆動基板が形成された基体と対向基板の裏面光学研磨後に駆動基板が形成された基体をＬＣＤパネル毎に分断することによって、駆動基板が形成された基体単位で裏面光学研磨を行うことができる。

尚、裏面光学研磨には、研磨水に酸化セリウム等の超微粉末を主成分とするスラリー（研磨剤）を適量分散させて研磨パッドを擦りつけるウエット光学研磨法と、酸化セリウム等の超微粉末を含有する研磨布を擦りつけるドライ光学研磨法があり、この場合にはいずれでも使用できるので生産性が良い。

更に、対向基板が形成された基体を対向基板毎に分断して単個状態の対向基板を形成し、基体に形成された各駆動基板に単個状態の対向基板を重ね合わせることで、良品の駆動基板と良品の対向基板との重ね合わせを行うことができるので歩留、品質が良い。
また、基体に形成された複数の駆動基板を単個状態の駆動基板に分断する前に各駆動基板に対応する液晶配向膜を形成しているために、配向性の均一化を図ることができる。同様に、基体に形成された複数の対向基板を単個状態の対向基板に分断する前に各対向基板に対応する液晶配向膜を形成しているために、配向性の均一化を図ることができる。
また、基体に形成された各駆動基板にシール剤及びコモン剤を塗布することによって、駆動基板が形成された基体単位でシール剤及びコモン剤の塗布作業を行うことができるので生産性が良い。

また、必要に応じて基体に形成された不良の駆動基板に少なくともシール剤を介してダミーチップを重ね合わせることによって、基体に形成された駆動基板が低歩留であったとしても駆動基板が形成された基体及び対向基板の裏面光学研磨を行う際の研磨バランスの問題が生じることは無い。

また、真空吸着ステージで駆動基板が形成された基体を保持し、真空吸着ステージとの間で相対移動自在の透明ヘッドで対向基板を真空吸着し、駆動基板が形成された基体内の少なくとも良品の駆動基板に塗布した可視光照射または紫外線照射硬化型接着剤のシール剤及びコモン剤を介して重ね合わせ、透明ヘッドを加圧しつつ対向基板の位置調整及び高さ調整した後に、透明ヘッドを介してのスポット可視光照射または紫外線照射で仮止め硬化することによって、駆動基板が形成された基体単位での重ね合わせ作業が実現する。

また、透明ヘッドで吸着した対向基板を真空吸着ステージで固定した駆動基板が形成された基体内の少なくとも良品の駆動基板にシール剤及びコモン剤を介して重ね合わせて、透明ヘッドで加圧しつつ対向基板の位置調整及び高さ調整を行い、可視光または紫外線仮止め硬化用遮光マスクを前記駆動基板が形成された基体及び真空吸着ステージに取り付け、駆動基板が形成された基体及び真空吸着ステージを真空装置内に配置し、真空装置内を所定の真空度とした後に大気圧に戻す直前或いは直後に、スポット可視光照射またはスポット紫外線照射を行い、少なくともシール領域の四隅のシール剤を仮止め硬化することによって、シール剤中の空気を脱泡することができると共に、均一な圧力で対向基板を駆動基板が形成された基体に押し付けて均一な液晶ギャップを確保することができる。

また、複数の対向基板を重ね合わせた駆動基板が形成された基体を真空吸着ステージで保持し、液晶ギャップ検査機をステップアンドリピート方式で移動させ、または液晶ギャップ検査機は移動させずに真空吸着ステージをステップアンドリピート方式で移動させて、駆動基板が形成された基体内の各駆動基板と対向基板間の液晶ギャップを光学的干渉縞で非接触検出することによって駆動基板が形成された基体単位での液晶ギャップ検査が実現するので、従来のＬＣＤパネル単体毎に比べて検査工数削減での生産性向上が実現する。

また、真空装置内の所定の真空度において、液晶注入封止用基体保持治具で駆動基板が形成された基体を保持し、液晶注入封止用基体保持治具は移動させずに液晶注入機をステップアンドリピート方式で移動させ、または液晶注入機は移動させずに液晶注入封止用基体保持治具をステップアンドリピート方式で移動させ、駆動基板が形成された基体内の対向基板を重ね合わせた駆動基板の外部取り出し電極側に設けた液晶注入口から液晶注入機のディスペンサーシリンジから液晶注入することによって駆動基板が形成された基体単位での液晶注入が実現するので、従来のＬＣＤパネル単体毎に比べて液晶注入工数削減での生産性向上が実現する。

また、液晶注入封止及び必要に応じて液晶配向熱処理した複数のＬＣＤチップからなる駆動基板が形成された基体を真空吸着ステージで保持し、液晶ギャップ検査機をステップアンドリピート方式で移動させ、または液晶ギャップ検査機は移動させずに真空吸着ステージをステップアンドリピート方式で移動させて、駆動基板が形成された基体内の各ＬＣＤパネルの液晶ギャップを光学的干渉縞で非接触検出することによって駆動基板が形成された基体単位での液晶ギャップ検査が実現するので、従来のＬＣＤパネル単体毎に比べて液晶ギャップ検査工数削減での生産性向上が実現する。

また、裏面光学研磨した複数のＬＣＤパネルからなる駆動基板が形成された基体を基体支持ステージに保持し、基体支持ステージは移動させずに画像検査機をステップアンドリピート方式で移動させ、または前記画像検査機は移動させずに基体支持ステージをステップアンドリピート方式で移動させ、駆動基板が形成された基体内のＬＣＤパネル毎の画像検査をすることによって、駆動基板が形成された基体単位での画像検査が実現するので、従来のＬＣＤパネル単体毎に比べて画像検査工数削減での生産性向上が実現する。

また、対向基板の裏面にダイシングテープを貼り、駆動基板が形成された基体側からダイシングテープを切らないフルカットダイシングを行うことにより駆動基板が形成された基体をＬＣＤパネル毎に分断することによって、対向基板の厚みが、あたかもＶまたはＵカットダイシングに相当するのでダイシングテープカットレスダイシングが可能となり、ダイシングテープ切削屑等のゴミ付着防止による歩留、品質向上を図ることができる。

また、駆動基板が形成された基体裏面にその表面のスクライブライン内の分割線に沿ったＶカット溝またはＵカット溝部を形成し、溝部が形成された駆動基板が形成された基体裏面にダイシングテープを貼り、対向基板側からダイシングテープを切らないフルカットダイシングを行うことにより駆動基板が形成された基体をＬＣＤパネル毎に分断することによってダイシングテープカットレスダイシングが可能となり、ダイシングテープ切削屑等のゴミ付着防止とチッピング低減による歩留、品質向上を図ることができる。

また、駆動基板が形成された基体裏面にその表面のスクライブライン内の分割線に沿ったＶカット溝またはＵカット溝部を形成し、全ての駆動基板を真空吸着治具で真空吸着し、対向基板側から真空吸着治具を切らないフルカットダイシングを行うことにより駆動基板が形成された基体をＬＣＤパネル毎に分断することによってダイシングテープレスダイシングが可能となり、ダイシングテープ切削屑等のゴミ付着防止とチッピング低減による歩留、品質向上、テープコスト削減を図ることができる。

また、前記ＬＣＤパネルの画像検査を行い、画像検査で良品のＬＣＤパネルの駆動基板及び対向基板裏面に紫外線照射硬化型または可視光照射硬化型の透明接着剤を塗布して保護ガラス（防塵ガラスなど）を貼り合わせることによって、良品のＬＣＤパネルのみに保護ガラスを貼り合わせることができる。更に、保護ガラスを貼り合わせた後に駆動基板が形成された基体をＬＣＤパネル毎に分断することによって、駆動基板が形成された基体単位での保護ガラスの貼り合わせを行うことができるので、歩留、品質及び生産性を向上できる。

また、基体支持ステージで駆動基板が形成された基体を保持し、基体支持ステージとの間で相対移動が自在である中空型真空吸着コレットで保護ガラスの周辺部または端部を真空吸着し、駆動基板が形成された基体内の各ＬＣＤパネルの対向基板裏面及び駆動基板裏面のうち少なくとも一方に塗布した可視光照射または紫外線照射硬化型の透明接着剤を介して位置合わせ及び重ね合わせを行い、基体支持ステージを真空装置内に配置し、真空装置内を所定の真空度とした後に大気圧に戻す時の加圧で透明接着剤を真空脱泡し、大気圧に戻る直前または直後のスポット可視光照射または紫外線照射で仮止め硬化することによって、駆動基板が形成された基体単位での保護ガラスの貼り合わせ作業が実現する。また、透明接着剤中の空気を脱泡することができると共に、均一な圧力で接着剤の厚みを均一化して貼り合わせを行うことができるので、歩留、品質及び生産性が向上する。

また、保護ガラス面にダイシングテープを貼り、このダイシングテープを貼っていない保護ガラス側からダイシングテープを切らないブレードダイシングすることにより駆動基板が形成された基体をＬＣＤパネル毎に分断することによって、保護ガラスの厚みが、あたかも裏面Ｖカット溝またはＵカット溝ダイシングに相当するので、テープカットレスダイシングが可能となる。これによりダイシング起因のダストが低減して歩留、品質が向上する。

また、ＬＣＤパネルの画像検査を行い、画像検査で良品のＬＣＤパネルの駆動基板及び対向基板裏面に保護ガラスを紫外線照射硬化型または可視光照射硬化型の透明接着剤で貼り合わせ、保護ガラスが貼り合わせられたＬＣＤパネルの画質検査を行った後に、駆動基板が形成された基体をＬＣＤパネル毎に分断することによって、駆動基板が形成された基体単位で保護ガラスが貼り合わせられたＬＣＤパネルの画像検査を行うことができるので、生産性が向上する。

また、保護ガラスを貼り合せた複数のＬＣＤパネルからなる駆動基板が形成された基体を基体支持ステージに保持し、基体支持ステージは移動させずに画質検査機をステップアンドリピート方式で移動させ、または画質検査機は移動させずに基体支持ステージをステップアンドリピート方式で移動させ、駆動基板が形成された基体内のＬＣＤパネル毎の画質検査をすることによって、駆動基板が形成された基体単位での画像検査が実現するので、生産性が向上する。

また、ＬＣＤパネルの駆動基板及び対向基板裏面に透明保護テープが貼合された保護ガラスを紫外線照射硬化型または可視光照射硬化型の透明接着剤で貼り合わせることによって、貼り合わせするときの真空吸着保持のパッドによるゴミ、キズ付着の恐れがなく、かつ真空脱泡作業時のゴミ、キズ付着の恐れもない。更には、ダイシング切削屑付着、フレキ基板の取り付け作業時における保護ガラスのキズ発生、ゴミ付着が防止できるので、歩留、品質が向上する。

また、基体支持ステージで駆動基板が形成された基体を保持し、基体支持ステージとの間で相対移動が自在である平型真空吸着コレットで透明保護テープ付き保護ガラス表面を真空吸着し、駆動基板が形成された基体内の各ＬＣＤパネルの対向基板裏面及び駆動基板裏面のうち少なくとも一方に塗布した可視光照射または紫外線照射硬化型の透明接着剤を介して位置合わせ及び重ね合わせを行い、基体支持ステージを真空装置内に配置し、真空装置内を所定の真空度とした後に大気圧に戻す時の加圧で透明接着剤を真空脱泡し、大気圧に戻る直前または直後にスポット可視光照射または紫外線照射で仮止め硬化することによって、駆動基板が形成された基体単位での透明保護テープ付き保護ガラスの貼り合わせ作業が実現する。

また、真空吸着冶具で透明保護テープが貼合された保護ガラス面を保持し、真空吸着冶具で保持されていない保護テープが貼合された保護ガラス側から真空吸着冶具を切らないフルカットダイシングを行うことにより駆動基板が形成された基体をＬＣＤパネル毎に分断することによって、テープレスダイシングが可能となり、テープ切削屑付着防止での歩留及び品質の向上、テープコスト削減が実現する。

また、シール剤が、駆動基板と対向基板とが重ね合わせられた際に、少なくとも１つの開口部がフレキ基板を取り付ける外部取り出し電極側に形成されるシールパターンで塗布されることによって、駆動基板が形成された基体単位で液晶を注入封止する際の便宜を図ることができる。即ち、駆動基板が形成された基体単位で液晶注入口に液晶を供給する作業を容易に行うことができる。

また、シール剤に適量の液晶ギャップ相当の大きさのマイクロファイバー、または前記マイクロファイバー及び適量のフィラーを混入することによって、マイクロファイバーにより高精度に液晶ギャップを制御することができ、更にフィラーにより外部からの水分の浸入を防止することができるので、歩留、品質が向上する。

なお、可視光が照射されることによって硬化するシール剤及びコモン剤を用いることによって、ＴＦＴ部等の駆動部に悪影響を及ぼさない可視光を用いてシール剤及びコモン剤を硬化することができる。

また、本発明に係る電気光学表示装置の製造方法は、基体に複数の駆動基板を形成し、各駆動基板に対応する液晶配向膜形成或いは液晶配向膜形成及び液晶配向処理する工程と、基体に複数の対向基板を形成し、各対向基板に対応する液晶配向膜形成或いは液晶配向膜形成及び液晶配向処理する工程と、前記駆動基板と前記対向基板とが所定の間隙を介して対面配置する様に、基体に形成された駆動基板にシール剤及びコモン剤を塗布して基体に形成された対向基板を相対して重ね合わせ、或いは基体形成された対向基板にシール剤及びコモン剤を塗布して基体に形成された駆動基板を相対して重ね合わせ、該シール剤及びコモン剤を硬化して所定の液晶ギャップの空セルを形成する工程と、前記対向基板が形成された基体を前記対向基板毎に分断する工程と、前記駆動基板と前記対向基板との空セルの間隙に液晶注入封止し、必要に応じて液晶配向熱処理してＬＣＤパネルを形成する工程と、少なくとも前記対向基板の裏面光学研磨を行う工程と、前記駆動基板が形成された基体を前記ＬＣＤパネル毎に分断する工程とを備える。

ここで、駆動基板と対向基板との間隙に液晶を注入封止してＬＣＤパネルを形成した後に、駆動基板が形成された基体と対向基板の裏面光学研磨を行うことにより、駆動基板及び対向基板のキズ、異物付着不良が低減する。
但し、透過型ＬＣＤの場合は石英ガラス等のＴＦＴ基体裏面のＴＦＴ形成膜は裏面光学研磨で除去する必要があるのでＴＦＴ基体と対向基体の裏面光学研磨を行うが、反射型ＬＣＤの場合は必ずしも単結晶シリコン基板等のＴＦＴ基体裏面のＴＦＴ形成膜を除去する必要はないので対向基体の裏面光学研磨のみ行ってもよい。
また、駆動基板が形成された基体と対向基板の裏面光学研磨後に駆動基板が形成された基体をＬＣＤパネル毎に分断することによって、駆動基板が形成された基体単位で裏面光学研磨を行うことができる。
更に、基体に形成された複数の駆動基板を単個状態の駆動基板に分断する前に各駆動基板に対応する液晶配向膜を形成しているために、配向性の均一化を図ることができる。同様に、基体に形成された複数の対向基板を単個状態の対向基板に分断する前に各対向基板に対応する液晶配向膜を形成しているために、配向性の均一化を図ることができる。

また、対向基板が形成された基体はレーザーカッター或いはダイヤモンドカッター或いは超硬カッターなどの切削水を使用しない分断方法で対向基板毎に分断することによって、空セル中に切削水浸入を防止することができ、しかもレーザーカッターの場合は分断面に適度な丸みを付与することができ、対向基板の裏面光学研磨時の研磨バフの摩耗低減、欠け、クラック及び割れ防止することができる。

尚、裏面光学研磨には、研磨水に酸化セリウム等の超微粉末を主成分とするスラリー（研磨剤）を適量分散させて研磨パッドを擦りつけるウエット光学研磨法と、酸化セリウム等の超微粉末を含有する研磨布を擦りつけるドライ光学研磨法があり、この場合にはいずれも採用できるので生産性が良い。

また、本発明に係る電気光学表示装置の製造方法は、基体に複数の駆動基板を形成し、各駆動基板に対応する液晶配向膜形成或いは液晶配向膜形成及び液晶配向処理する工程と、基体に複数の対向基板を形成し、各対向基板に対応する液晶配向膜形成或いは液晶配向膜形成及び液晶配向処理する工程と、前記駆動基板と前記対向基板とが所定の間隙を介して対面配置する様に、基体に形成された駆動基板にシール剤及びコモン剤を塗布して基体に形成された対向基板を相対して重ね合わせ、或いは基体に形成された対向基板にシール剤及びコモン剤を塗布して基体に形成された駆動基板を相対して重ね合わせ、該シール剤及びコモン剤を硬化して所定の液晶ギャップの空セルを形成する工程と、
少なくとも前記対向基板が形成された基体の裏面光学研磨を行う工程と、前記対向基板が形成された基体を前記対向基板毎に分断する工程と、前記駆動基板が形成された基体と前記対向基板との空セルの間隙に液晶注入封止し、必要に応じて液晶配向熱処理してＬＣＤパネルを形成する工程と、前記駆動基板が形成された基体を前記ＬＣＤパネル毎に分断する工程とを備える。

ここで、基体に形成された駆動基板にシール剤及びコモン剤を介して対向基板が形成された基体を重ね合わせ、このシール剤及びコモン剤を硬化して空セルを形成した後に、駆動基板が形成された基体と対向基板が形成された基体の裏面光学研磨を行うことにより、駆動基板及び対向基板のキズ、異物付着不良が低減する。
但し、透過型ＬＣＤの場合は石英ガラス等のＴＦＴ基体裏面のＴＦＴ形成膜は裏面光学研磨で除去する必要があるのでＴＦＴ基体と対向基体の裏面光学研磨を行うが、反射型ＬＣＤの場合は必ずしも単結晶シリコン基板等のＴＦＴ基体裏面のＴＦＴ形成膜を除去する必要はないので対向基体の裏面光学研磨のみ行ってもよい。

ところで、裏面光学研磨には、研磨水に酸化セリウム等の超微粉末を主成分とするスラリー（研磨剤）を適量分散させて研磨パッドを擦りつけるウエット光学研磨法と、酸化セリウム等の超微粉末を含有する研磨布を擦りつけるドライ光学研磨法がある。
ウエット光学研磨法の場合には、必要に応じて対向基板が形成された基体と駆動基板が形成された基体を貼りあわせた外周面を接着剤でシールして裏面光学研磨時の水分浸入を防止してもよいが、ドライ光学研磨法の場合には水分浸入の恐れがないので貼りあわせた外周面の接着剤のシールは不要である。

更に、基体に形成された駆動基板に液晶注入口無しパターンのシール剤及びコモン剤を塗布し、そのシール剤で囲まれた領域内に所定量の液晶を滴下し、基体に形成された対向基板を相対して重ね合わせ、或いは基体に形成された対向基板に液晶注入口無しパターンのシール剤及びコモン剤を塗布し、そのシール剤で囲まれた領域内に所定量の液晶を滴下し、基体に形成された駆動基板を相対して重ね合わせ、所定の真空中に保持して液晶脱泡後に大気圧に戻す直前または直後にシール剤及びコモン剤を硬化させる液晶組立の場合には、ウエット光学研磨時に貼りあわせた外周面から水分が浸入しても液晶注入口がないので問題がなく、この場合にはウエット光学研磨法とドライ光学研磨法のいずれを採用してもよい。

また、対向基板が形成された基体を対向基板毎に分断する際に、基体に形成された駆動基板と接しない基体支持固定冶具で駆動基板が形成された基体を支持した状態で、対向基板が形成された基体を対向基板毎に分断することによって、対向基板が形成された基体の分断時に駆動基板へのキズ、ゴミ付着が低減する。同様に、駆動基板と対向基板との間隙に液晶を注入封止する際に、基体に形成された駆動基板と接しない基体支持固定冶具で駆動基板が形成された基体を支持した状態で、駆動基板と対向基板との間隙に液晶を注入封止することによって、液晶の注入封止時に駆動基板へのキズ、ゴミ付着が低減する。

また、上記の目的を達成するために、本発明に係る電気光学表示装置の製造装置は、真空吸着ステージで駆動基板が形成された基体を保持し、前記真空吸着ステージは移動させずに透明ヘッドを前記真空吸着ステージとの間で相対移動自在に移動させる電気光学表示装置の製造装置において、前記透明ヘッドに対向基板を真空吸着させて、駆動基板が形成された基体内の少なくとも良品の駆動基板に塗布した可視光照射または紫外線照射硬化型接着剤のシール剤及びコモン剤を介して重ね合わせ、前記透明ヘッドを加圧しつつ対向基板の位置調整及び高さ調整した後に、透明ヘッドを介してのスポット可視光照射または紫外線照射で仮止め硬化する様に構成されている。
この電気光学表示装置の製造装置によって、面単重ね合わせ方式において、駆動基板が形成された基体単位での重ね合わせ作業が実現し、生産性が向上する。

また、本発明に係る電気光学表示装置の製造装置は、対向基板が形成された基体を真空吸着ステージで保持された基体に形成された駆動基板にシール剤及びコモン剤を介して重ね合わせた後に位置調整及び高さ調整を行い、駆動部を遮光してシール領域の少なくとも四隅が露出する紫外線仮止め硬化用遮光マスクを前記対向基体が重ね合わせられた状態の前記駆動基板が形成された基体及び真空吸着ステージに取り付け、前記真空吸着ステージを真空装置内に配置し、該真空装置内を所定の真空度とした後に大気圧に戻す直前或いは直後に、スポット紫外線照射して少なくともシール剤を仮止め硬化する様に構成されている。

更に、本発明に係る電気光学表示装置の製造装置は、対向基板が形成された基体を真空吸着ステージで保持された基体に形成された駆動基板にシール剤及びコモン剤を介して重ね合わせた後に位置調整及び高さ調整を行い、駆動部を遮光してシール領域の少なくとも四隅を露出する可視光仮止め硬化用遮光マスクを支持固定治具にセットし、前記対向基板が形成された基対が重ね合わせられた状態の前記駆動基板が形成された基体を真空装置内に配置し、該真空装置内を所定の真空度とした後に大気圧に戻す直前或いは直後に、可視光照射して少なくともシール剤を仮止め硬化する様に構成されている。
この電気光学表示装置の製造装置によって、面面重ね合わせ方式において重ね合わせ作業が実現し、生産性が向上する。

また、本発明に係る電気光学表示装置の製造装置は、複数の対向基板を重ね合わせた駆動基板が形成された基体を真空吸着ステージで保持し、液晶ギャップ検査機をステップアンドリピート方式で移動させ、または前記液晶ギャップ検査機は移動させずに前記真空吸着ステージをステップアンドリピート方式で移動させて、駆動基板が形成された基体内の各駆動基板と対向基板間の液晶ギャップを光学的干渉縞で非接触検出する様に構成されている。
この電気光学表示装置の製造装置によって、駆動基板が形成された基体単位での液晶ギャップ検査が実現し、生産性が向上する。

また、本発明に係る電気光学表示装置の製造装置は、真空装置内の所定の真空度において、液晶注入封止用基体保持治具で駆動基板が形成された基体を保持し、前記液晶注入封止用基体保持治具は移動させずに液晶注入機をステップアンドリピート方式で移動させ、または前記液晶注入機は移動させずに前記液晶注入封止用基体保持治具をステップアンドリピート方式で移動させ、駆動基板が形成された基体内の対向基板を重ね合わせた駆動基板の外部取り出し電極側に設けた液晶注入口から前記液晶注入機のディスペンサーシリンジから液晶注入する様に構成されている。
この電気光学表示装置の製造装置によって、駆動基板が形成された基体単位での液晶注入作業が実現し、生産性が向上する。

また、本発明に係る電気光学表示装置の製造装置は、液晶注入封止及び必要に応じて液晶配向熱処理した複数のＬＣＤチップからなる駆動基板が形成された基体を真空吸着ステージで保持し、液晶ギャップ検査機をステップアンドリピート方式で移動させ、または前記液晶ギャップ検査機は移動させずに前記真空吸着ステージをステップアンドリピート方式で移動させて、駆動基板が形成された基体内の各ＬＣＤパネルの液晶ギャップを光学的干渉縞で非接触検出する様に構成されている。
この電気光学表示装置の製造装置によって、駆動基板が形成された基体単位での液晶ギャップ検査が実現し、生産性が向上する。

また、本発明に係る電気光学表示装置の製造装置は、裏面光学研磨した複数のＬＣＤパネルからなる駆動基板が形成された基体を基体支持ステージに保持し、前記基体支持ステージは移動させずに画像検査機をステップアンドリピート方式で移動させ、または前記画像検査機は移動させずに前記基体支持ステージをステップアンドリピート方式で移動させ、駆動基板が形成された基体内のＬＣＤパネル毎の画像検査をする様に構成されている。
この電気光学表示装置の製造装置によって、駆動基板が形成された基体単位での画像検査が実現し、生産性が向上する。

また、本発明に係る電気光学表示装置の製造装置は、基体支持ステージで駆動基板が形成された基体を保持し、前記基体支持ステージは移動させずに中空型真空吸着コレットを前記基体支持ステージとの間で相対移動自在に移動させる電気光学表示装置の製造装置において、前記中空型真空吸着コレットで保護ガラスの周辺部または端部を真空吸着し、駆動基板が形成された基体内の各ＬＣＤパネルの対向基板裏面及び駆動基板裏面のうち少なくとも一方に塗布した可視光照射または紫外線照射硬化型の透明接着剤を介して位置合わせ及び重ね合わせを行い、前記基体支持ステージを真空装置内に配置し、該真空装置内を所定の真空度とした後に大気圧に戻す時の加圧で前記透明接着剤を真空脱泡し、大気圧に戻る直前または直後のスポット可視光照射または紫外線照射で仮止め硬化する様に構成されている。
この電気光学表示装置の製造装置によって、駆動基板が形成された基体単位での保護ガラスの貼り合わせ作業が実現し、生産性が向上する。

また、本発明に係る電気光学表示装置の製造装置は、基体支持ステージで駆動基板が形成された基体を保持し、前記基体支持ステージは移動させずに平型真空吸着コレットを前記基体支持ステージとの間で相対移動自在に移動させる電気光学表示装置の製造装置において、前記平型真空吸着コレットで透明保護テープ付き保護ガラス表面を真空吸着し、駆動基板が形成された基体内の各ＬＣＤパネルの対向基板裏面及び駆動基板裏面のうち少なくとも一方に塗布した可視光照射または紫外線照射硬化型の透明接着剤を介して位置合わせ及び重ね合わせを行い、前記基体支持ステージを真空装置内に配置し、該真空装置内を所定の真空度とした後に大気圧に戻す時の加圧で前記透明接着剤を真空脱泡し、大気圧に戻る直前または直後にスポット可視光照射または紫外線照射で仮止め硬化する様に構成されている。
この電気光学表示装置の製造装置によって、Ｔ駆動基板が形成された基体単位での透明保護テープ付き保護ガラスの貼り合わせ作業が実現し、生産性が向上する。

また、本発明に係る電気光学表示装置の製造装置は、保護ガラスを貼り合せた複数のＬＣＤパネルからなる駆動基板が形成された基体を基体支持ステージに保持し、前記基体支持ステージは移動させずに画質検査機をステップアンドリピート方式で移動させ、または前記画質検査機は移動させずに前記基体支持ステージをステップアンドリピート方式で移動させ、駆動基板が形成された基体内のＬＣＤパネル毎の画質検査をする様に構成されている。
この電気光学表示装置の製造装置によって、駆動基板が形成された基体単位での画質検査が実現し、生産性が向上する。

本発明を適用した電気光学表示装置の製造方法及び製造装置では、ＴＦＴ形成膜等の駆動素子形成膜（以下、ＴＦＴ形成膜と言う）除去前の反りの小さい駆動基板が形成された基体と対向基板或いはその駆動基板が形成された基体と対向基板が形成された基体の重ね合わせなので、液晶ギャップコントロールがし易く重ね合わせの歩留、品質及び生産性がよい。
更に、重ね合わせを行った後に駆動基板が形成された基体単位の作業により駆動基板が形成された基体裏面のＴＦＴ形成膜を光学研磨で除去し、更には対向基板裏面のキズ、汚れなどを光学研磨で除去するので、駆動基板及び対向基板裏面のクリーニング作業が不要となり、歩留・品質向上、大幅な工数削減、生産性向上による大幅コストダウンが可能である。

また、駆動基板が形成された基体単位での重ね合わせ、液晶ギャップ検査、ベーキング、裏面光学研磨、液晶注入封止、熱処理、保護ガラス貼り合わせ等を行うことができ、ハンドリングし易く生産性の向上を図ることができる。
更に、駆動基板が形成された基体単位でのハンドリングなので、ハンドリング機構が簡略化できて安価な製造装置、例えば対向基板重ね合わせ装置、液晶注入封止装置、保護ガラス貼り合わせ装置、画像検査装置、液晶ギャップ検査装置、画質検査装置などが実現できる。
また、駆動基板が形成された基体単位でのハンドリングなので、単個ハンドリング起因の駆動基板、対向基板及び保護ガラスなどの欠け、キズ、ゴミ付着などの問題が解消し、歩留・品質が向上する。

また、裏面光学研磨直後に駆動基板が形成された基体単位で画像検査を行い、良品のＬＣＤパネルのみに保護ガラスを透明接着剤で貼り合わせる場合には、保護ガラスのゴミ挟み込み不良、気泡不良がなくなり、クリーニング作業が不要となり、その後の画質検査の歩留・品質向上、保護ガラス貼り合せなどのＬＣＤパネル実装作業の大幅な工数削減、生産性向上による大幅コストダウンが可能となる。

また、駆動基板及び対向基板に保護ガラスを貼り合わせた状態で駆動基板が形成された基体のフルカットダイシングを行う場合には、駆動基板または対向基板側の保護ガラスの高さが、あたかも駆動基板が形成された基体裏面のＶカット溝またはＵカット溝部に相当するので、駆動基板が形成された基体裏面のＶカットまたはＵカットダイシングが不要であり、しかもテープカットレスダイシングとなり、ダイシング時のテープ糊起因の付着ゴミ、汚れ不良が低減して歩留・品質が向上し、テープマウント工数及びテープコスト削減となる。

また、駆動基板及び対向基板に透明保護テープ例えばＵＶテープが貼合された保護ガラスを貼り合わせると、ＵＶテープによりダイシング時のテープ糊起因の付着ゴミや汚れ不良の防止、保護ガラス貼り合わせ時の付着ゴミやキズ不良の防止、フレキシブル基板取り付け時の保護ガラスの付着ゴミや汚れ、キズ不良の防止、さらに金属枠取り付け及び高熱伝導性モールド樹脂封止時の保護ガラスの付着ゴミや汚れ、キズ不良の防止となり、歩留・品質が向上し、ＬＣＤパネル実装作業の大幅な工数削減、生産性向上による大幅コストダウンが可能となる。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明し、本発明の理解に供する。
図１は本発明を適用した電気光学表示装置の製造方法の一例であるプロジェクタ用透過型ＬＣＤの製造方法の工程フローである。
この製造方法は、複数のＴＦＴ基板からなる基体であるＴＦＴ基体内のＴＦＴ基板と対向基板を所定の液晶ギャップで相対して重ね合わせて形成した空セル中に液晶注入封止及び液晶配向熱処理した後に液晶ギャップ検査し、ＴＦＴ基体及び対向基板を裏面光学研磨し、画像検査した後に保護ガラスを貼り合せ、ＴＦＴ基体を分断してＬＣＤパネルを製造する方法である。
以下、図１に示す工程フローに沿ってプロジェクタ用ＬＣＤの製造方法について説明する。

本発明を適用したプロジェクタ用透過型ＬＣＤの製造方法では、先ず、１２インチφ、１．２ｍｍ厚の合成石英ガラス材からなるＴＦＴ基体に複数のＴＦＴ基板を形成し、このＴＦＴ基板の形成時にＴＦＴ基体の裏面に成膜されたＳｉＯ_２、ＳｉＮｘ、ＷＳｉ等の膜を残したままの状態で、ポリイミド、ポリアミド等の有機系液晶配向膜（以降 配向膜とも称す）を形成して所定の角度でバフラビング配向または直線偏光紫外線照射の光配向またはイオンビーム配向またはレーザー配向等の液晶配向処理（以降 配向処理とも称す）を行ったり、或いはＳｉＯｘなどの所定の蒸着角での斜方蒸着膜形成またはＳｉＯｘなどの所定のスパッタリング角での指向性スパッタリング膜形成または所定の角度でアルゴン等でのイオンビーム配向処理したＤＬＣ（Diamond Like Carbon）膜形成等の無機系液晶配向膜を形成した後に、必要に応じてＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等を用いた洗浄を行う。

ここで、ＴＦＴ基体は複数のＴＦＴ基板及びスクライブラインから構成されるガラス系基板であり、ＴＦＴ基板は表示部、周辺回路部、シール部（コモン部含む）、外部取り出し電極部などからなり、ＴＦＴ素子などのスイッチング素子、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide；酸化インジウムと酸化錫の透明導電膜）、IＺＯ（Indium Zinc Oxide；酸化インジウムと酸化亜鉛の透明導電膜）などの透明導電体からなる画素電極、配線、外部取り出し電極などが形成されている。
尚、対向基体は複数の対向基板及びスクライブラインから構成されるガラス系基板であり、対向基板はマイクロレンズアレイ基板或いはブラックマスク基板（画素開口部以外に遮光膜形成）或いはベタ透明導電膜基板（パターン無しのＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明導電体）などが形成されている。
このＴＦＴ基板と対向基板を相対して所定間隔で重ね合わせて空セルを形成し、この空セルの間隙に注入される液晶とを備えてアクティブマトリクス型のＬＣＤパネルが構成される。

ポリイミド、ポリアミド等の有機系配向膜形成する場合には、ＴＦＴ基体全面にポリイミド、ポリアミド等の溶液をスピンコーティング、バーコーティング、ディップコーティングなどにより塗布し、プレベーク（８０℃、１０分）で溶剤を揮発させた後に、１８０℃で１時間焼成し、ポリイミド、ポリアミド等の膜を５〜５０ｎｍ好ましくは２５〜３５ｎｍ程度を形成する。この時に、ＴＦＴ基板のコモン領域にもポリイミド、ポリアミド等の有機系配向膜が形成されているが、コモン剤中の金メッキ樹脂のミクロパールが重ね合わせ時の加圧でポリイミド、ポリアミド等の有機系配向膜を突き破って対向基板の透明導電膜とＴＦＴ基板の透明導電膜を電気的導通させる。更に、ＴＦＴ基板の外部取り出し電極部にもポリイミド、ポリアミド等の有機系配向膜が形成されているが、フレキシブル基板の異方性導電膜中のフィラーが熱圧着でポリイミド、ポリアミド等の有機系配向膜を突き破って外部取り出し電極部とフレキシブル基板を電気的導通させる。
又は、ＴＦＴ基体内のＴＦＴ基板毎に印刷版によるロールコーティングにより塗布し、プレベーク（８０℃、１０分）で溶剤を揮発させた後に、１８０℃で１時間焼成し、ポリイミド、ポリアミド等の膜を５〜５０ｎｍ好ましくは２５〜３５ｎｍ程度を形成する時には、シール領域、コモン領域及び外部取り出し電極部にはポリイミド等の有機系配向膜は形成されていないので、電気的導通は容易である。
尚、ＳｉＯｘ等の無機系配向膜厚によってはコモン剤中の金メッキ樹脂したミクロパールの圧着によるＳｉＯｘ等の無機系配向膜貫通は難しいので、対向基板との電気的導通の為にＴＦＴ基板のシール剤及びコモン剤塗布領域をマスキングしてＳｉＯｘ等の無機系配向膜形成されないようにしておくのが好ましい。
更に、ＳｉＯｘ等の無機系配向膜厚によってはフレキシブル基板の異方性導電膜の熱圧着による電気的接続は難しいので、フレキシブル基板との電気的導通の為にＴＦＴ基板の外部取り出し電極部はマスキングしてＳｉＯｘ等の無機系配向膜形成されないようにしておくのが好ましい。

また、６インチ□、１．１ｍｍ厚の合成石英ガラス材やネオセラム材の複数の対向基板からなる基体である対向基体を形成し、上記ＴＦＴ基体同様にポリイミド、ポリアミド等の有機系液晶配向膜を形成して所定の角度でバフラビング配向または直線偏光紫外線照射の光配向またはイオンビーム配向またはレーザー配向等の液晶配向処理を行ったり、或いはＳｉＯｘなどの所定の蒸着角での斜方蒸着膜形成またはＳｉＯｘなどの所定のスパッタリング角での指向性スパッタリング膜形成または所定の角度でアルゴン等でのイオンビーム配向処理したＤＬＣ（Diamond Like Carbon）膜形成等の無機系液晶配向膜を形成した後に、ダイシングを行って単個状態の対向基板を形成し、ＩＰＡ等を用いた洗浄を行う。

ここで、ポリイミド、ポリアミド等の有機系配向膜形成する場合には、対向基体全面にポリイミド、ポリアミド等の溶剤をスピンコーティング、バーコーティング、ディップコーティングなどにより塗布し、プレベーク（８０℃、１０分）で溶剤を揮発させた後に、１８０℃で１時間焼成し、ポリイミド、ポリアミド等の膜を５〜５０ｎｍ好ましくは２５〜３５ｎｍ程度を形成する。この時に、対向基板のコモン領域にもポリイミド、ポリアミド等の有機系配向膜が形成されているが、コモン剤中の金メッキ樹脂したミクロパールが重ね合わせ時の加圧でポリイミド等の有機系配向膜を突き破って対向基板の透明導電膜とＴＦＴ基板の透明導電膜を電気的導通させる。
又は、対向基体内の対向基板毎に印刷版によるロールコーティングによりポリイミド、ポリアミド等の溶剤を塗布し、プレベーク（８０℃、１０分）で溶剤を揮発させた後に、１８０℃で１時間焼成し、ポリイミド、ポリアミド等の膜を５〜５０ｎｍ好ましくは２５〜３５ｎｍ程度を形成する。この時には、コモン領域にはポリイミド、ポリアミド等の有機系配向膜は形成されていないので、電気的導通は容易である。
尚、ＳｉＯｘ等の無機系配向膜厚によってはコモン剤中の金メッキ樹脂したミクロパールの圧着によるＳｉＯｘ等の無機系配向膜貫通は難しいので、ＴＦＴ基板との電気的導通の為に対向基板のシール剤及びコモン剤塗布領域をマスキングしてＳｉＯｘ等の無機系配向膜形成されないようにしておくのが好ましい。

尚、上記の前記ＴＦＴ基体内の各ＴＦＴ基板に形成する有機系液晶配向膜の形成方法をまとめると次のようになる。
１．シール領域、コモン領域及び外部取り出し電極を含む全面に形成する。
２．シール領域、コモン領域及び外部取り出し電極を除く全面に形成する。

また、上記の前記対向基体内の各対向基板に形成する有機系液晶配向膜の形成方法をまとめると次のようになる。
１．シール領域、コモン領域を含む全面に形成する。
２．シール領域、コモン領域を除く全面に形成する。

更に、上記の前記ＴＦＴ基体内の各ＴＦＴ基板に形成する無機系液晶配向膜の形成方法をまとめると次のようになる。
１．シール領域、コモン領域及び外部取り出し電極を含む全面に形成する。
２．少なくともコモン領域及び外部取り出し電極を除く全面に形成する。

更に、上記の前記対向基体内の各対向基板に形成する無機系液晶配向膜の形成方法をまとめると次のようになる。
１．シール領域、コモン領域を含む全面に形成する。
２．少なくともコモン領域を除く全面に形成する。

次に、図２（ａ）で示す様に、重ね合わせ用真空吸着ステージ３でＴＦＴ基体１を保持し、前記真空吸着ステージ３は移動させずに透明ヘッド３４を前記真空吸着ステージ３との間で相対移動自在に移動させる構成の製造装置において、重ね合わせ用真空吸着ステージ３でＴＦＴ基体１を保持した状態で、ＴＦＴ基体１に形成された良品のＴＦＴ基板２のシール領域に、可視光を照射することによって硬化する可視光照射硬化型接着剤若しくは紫外線を照射することによって硬化する紫外線照射硬化型接着剤中に液晶ギャップ相当のマイクロファイバー及びフィラーを混入したシール剤を塗布し、更にコモン領域に金メッキ樹脂のミクロパールを混入したコモン剤を塗布し、透明ヘッドで真空吸着した良品の対向基板４を所定の精度で重ね合わせて、透明ヘッドを加圧しつつ各対向基板の水平方向及び垂直方向の位置調整を行い、シール領域の少なくとも四隅をスポット紫外線照射若しくは可視光照射してシール剤を仮止め硬化して均一な液晶ギャップの空セルを形成した後に、所定の紫外線照射若しくは可視光照射してシール剤を完全硬化させる。
この時に、ＴＦＴダメージ防止及び液晶ギャップ均一性の観点から、シール剤が可視光照射硬化型接着剤若しくは紫外線照射硬化型接着剤のいずれかによって重ね合わせ作業方法が違ってくる。
尚、本発明ではＴＦＴ形成膜研磨前の反りの小さいＴＦＴ基体と反りが極端に小さい対向基板または対向基体との相対した重ね合わせで空セルを形成するので、液晶ギャップ制御し易いのでＴＦＴ基体等を必ずしも加熱する必要はない。

ところで、一般的にはＴＦＴ基体をステージに保持固定すると共に、ステージ加熱してＴＦＴ基体に発生する応力を低減し、アライメント時の反りを抑制する手段があるが、ＴＦＴ基体のＴＦＴ基板に熱併用型のＵＶ照射硬化型接着剤のシール剤を塗布していると、加熱によるシール剤の硬化促進により液晶ギャップムラが発生しやすい。この為に単体状態の対向基板にシール剤を塗布する必要があり、ハンドリング問題、低生産性の問題などが発生する。
しかし、本発明では必要に応じて熱併用型のＵＶ照射或いは可視光照射硬化型接着剤のシール剤が変質しない範囲の熱硬化温度以下例えば１００℃以下に加熱して重ねあわせをしてもよい。
これは最初にＴＦＴ基体内のすべてのＴＦＴ基板に対向基板を重ね合わせた後に、順次透明ヘッドでの加圧による位置調整及び高さ調整するので、シール剤及びコモン剤の加熱による変質の影響を受けにくいからである。
尚、真空吸着ステージに加熱装置が不要の場合は、安価な重ね合わせ装置が可能となるのは言うまでもない。

ここで、シール剤が可視光照射硬化型接着剤または熱硬化併用の可視光照射硬化型接着剤の場合は、例えば図１７のように、ＴＦＴ基体１及び重ね合わせ用真空吸着ステージ３に可視光仮止め硬化用遮光マスク３５を取り付けて、透明ヘッド３４で真空吸着した対向基板４を前記ＴＦＴ基体１内の少なくとも良品のＴＦＴ基板２にシール剤３６及びコモン剤を介して重ね合わせた後に、或いは、透明ヘッド３４で真空吸着した対向基板４をＴＦＴ基体１内の少なくとも良品のＴＦＴ基板２にシール剤及びコモン剤を介して重ね合わせた後に可視光仮止め硬化用遮光マスク３５をＴＦＴ基体１及び真空吸着ステージ３に取り付けて、透明ヘッド３４で真空吸着した各対向基板４を加圧しつつ位置調整及び高さ調整を行った後に透明ヘッド３４を介してシール剤及びコモン剤へのスポット可視光照射で仮止め硬化する。
その後、可視光仮止め硬化用遮光マスク３５した状態で光学的干渉縞の非接触検出による液晶ギャップ（ニュートンリング）検査を行い、不具合の対向基板は透明ヘッド３４で再加圧調整して再仮止めのスポット可視光照射硬化を行い、ＴＦＴ基体１から可視光仮止め硬化用遮光マスク３５を取り外し、全面に所定条件の可視光照射硬化し、更に熱硬化併用の場合は所定条件のベーキングでシール剤及びコモン剤を完全硬化して空セルを形成する。

この時の図１７に示す可視光仮止め硬化用遮光マスクはスクライブライン幅よりも薄く、重ね合わせた対向基板高さ以上である碁盤目状の遮蔽板であり、ＴＦＴ基体のスクライブライン４２及び真空吸着ステージに取り付ける。
これにより、仮止めの可視光照射硬化する時に前後左右の未照射チップへの可視光漏れを防止する。もし、漏れると若干シール剤が硬化し、加圧しても液晶ギャップ調整がうまくいかない恐れがある。

また、図１７に示す透明ヘッド３４は複数の真空吸着穴孔形成した接触面があり、光透過性であって、真空吸着ステージとの間で相対移動自在に構成され、透明ヘッド３４を介してＣＣＤカメラによるアライメントシステムに接続され、ＴＦＴ基板及び対向基板のアライメントマークを検出して水平方向及び垂直方向の位置調整を行い、光源システムより透明ヘッド３４を介して可視光をシール剤に供給して硬化させる。
この透明ヘッド３４には、複数の真空吸着穴孔形成した接触面以外は遮光膜形成されていることが好ましい。
これにより、仮止めの可視光照射硬化する時に前後左右の未照射チップへの可視光漏れを防止する。もし、漏れると若干シール剤が硬化し、加圧しても液晶ギャップ調整がうまくいかない恐れがある。
尚、透明ヘッド材料は石英ガラス、低歪み点ガラス、透明樹脂、透明樹脂コートの石英ガラス又は低歪み点ガラスなどのいずれでもよい。
ところで、透明ヘッド真空吸着での加圧しつつ位置調整及び高さ調整することで対向基板裏面にはキズ発生しやすいが、裏面光学研磨でキズ除去するので問題なく、これが本発明の特長でもある。

また、シール剤がＵＶ照射硬化型接着剤または熱硬化併用のＵＶ照射硬化型接着剤の場合は、例えば、図１８のように、透明ヘッド３４で真空吸着した対向基板４を、紫外線（以下、ＵＶと言う）仮止め硬化用遮光マスク３７を取り付けた真空吸着ステージ３及びＴＦＴ基体１内の少なくとも良品のＴＦＴ基板２にシール剤３６及びコモン剤を介して重ね合わせた後に、或いは、透明ヘッド３４で真空吸着した対向基板４を、ＴＦＴ基体１内の少なくとも良品のＴＦＴ基板２にシール剤３６及びコモン剤を介して重ね合わせた後に、UV仮止め硬化用遮光マスク３７をＴＦＴ基体１及び真空吸着ステージ３に取り付けて、透明ヘッド３４で各対向基板４を加圧しつつ位置調整及び高さ調整を行った後に透明ヘッド３４を介してシール領域のみスポットＵＶ照射で仮止め硬化する。
その後、UV仮止め硬化用遮光マスク３７した状態で光学的干渉縞の非接触検出による液晶ギャップ検査を行い、液晶ギャップ不具合の対向基板４は透明ヘッド３４で再び加圧調整及び仮止めのスポットＵＶ光照射硬化を行い、UV仮止め硬化用遮光マスク３７を取り外してUV本硬化用遮光マスク３８をＴＦＴ基体１及び真空吸着ステージ３に取り付けて、全面に所定量のＵＶ照射硬化を行った後にUV本硬化用遮光マスク３８を取り外し、更に熱硬化併用の場合は所定条件のベーキングでシール剤及びコモン剤を完全に硬化して空セルを形成する。

この時の図１８に示すUV仮止め硬化用遮光マスク３７はスクライブライン幅よりも薄く、重ね合わせた対向基板高さ以下で、且つ外部取り出し電極部上を覆うようにL字状に曲がっている碁盤目状の遮蔽板で、ＴＦＴ基体のスクライブライン４２と真空吸着ステージに取り付ける。
これにより、UV光照射硬化する時に前後左右の未照射チップへのUV光漏れを防止する。もし、漏れると若干シール剤が硬化し、加圧しても液晶ギャップ調整がうまくいかない恐れがある。そして、ＴＦＴダメージにより特性悪化する。

また、図１８に示す透明ヘッド３４は複数の真空吸着穴孔形成した接触面があり、光透過性であって、真空吸着ステージとの間で相対移動自在に構成され、透明ヘッド３４を介してＣＣＤカメラによるアライメントシステムに接続され、ＴＦＴ基板及び対向基板のアライメントマークを検出して水平方向及び垂直方向の位置調整を行い、光源システムより透明ヘッド３４を介してＵＶ光をシール剤に供給して硬化させる。
更に、この透明ヘッドにはアライメントマーク及びシール領域対応面以外の表面に遮光膜形成し、少なくともシール領域対応面に複数の真空吸着穴孔を有する接触面を有する。
これにより、UV光照射硬化する時に前後左右の未照射チップへのUV光漏れを防止する。もし、漏れると若干シール剤が硬化し、加圧しても液晶ギャップ調整がうまくいかない恐れがある。そして、ＴＦＴダメージにより特性悪化する。
尚、透明ヘッド材料は石英ガラス、低歪み点ガラス、透明樹脂、透明樹脂コートの石英ガラス又は低歪み点ガラスのいずれでもよい。
更に、真空吸着での加圧しつつ位置調整及び高さ調整することで対向基板裏面にはキズ発生しやすいが、裏面光学研磨でキズ除去するので問題なく、これが本発明の特長でもある。

また、図２０に示すＵＶ本硬化用遮光マスク３８は、スクライブライン幅以下の厚みで、対向基板表面のシール領域の四隅以外のみ露出し、ＴＦＴダメージ防止の為にそれ以外（表示部、周辺回路部及び外部取り出し電極部など）は遮蔽されており、ＴＦＴ基体のスクライブライン４２及び真空吸着ステージに取り付ける。

上記は透明ヘッドによる加圧と可視光またはＵＶ光の仮止め及び本硬化用遮光マスクの組み合わせによる重ね合わせの実施例であったが、下記に真空加圧と可視光またはＵＶ光の仮止め及び本硬化用遮光マスクの組み合わせによる重ね合わせの実施例を示す。

シール剤が可視光照射硬化型接着剤或いは熱硬化併用の可視光照射硬化型接着剤である場合は、例えば、図１９に示すように、透明ヘッド３４で吸着した対向基板４を真空吸着ステージ３で固定したＴＦＴ基体１内の少なくとも良品のＴＦＴ基板２にシール剤及びコモン剤を介して重ね合わせて、透明ヘッド３４で加圧しつつ対向基板の位置調整及び高さ調整を行い、可視光仮止め硬化用遮光マスク３５をＴＦＴ基体１及び真空吸着ステージ３に取り付け、ＴＦＴ基体１及び真空吸着ステージ３を真空装置内に配置し、この真空装置内を所定の真空度（例えば、１３３Ｐａ以下）まで真空引きした後に大気圧に戻す時の均一な圧力で垂直方向に加圧を行い大気圧に戻す直前或いは直後に、スポット可視光照射を行い、少なくともシール領域の四隅のシール剤及びコモン剤を仮止め硬化させる。

その後、可視光仮止め硬化用遮光マスク３５を取り外して光学的干渉縞の非接触検出による液晶ギャップ検査を行い、液晶ギャップ不具合の対向基板４を透明ヘッド３４で再加圧調整した後に、再び可視光仮止め硬化用遮光マスク３５をＴＦＴ基体１及び真空吸着ステージ３に取り付け、ＴＦＴ基体１及び真空吸着ステージ３を真空装置内に配置し、この真空装置内を所定の真空度（例えば、１３３Ｐａ以下）まで真空引きした後に大気圧に戻す時の均一な圧力で垂直方向に加圧を行い大気圧に戻す直前或いは直後に、再びスポット可視光照射を行いシール領域の四隅のシール剤及びコモン剤を仮止め硬化させる。

その後、可視光仮止め硬化用遮光マスク３５を取り外し、ＴＦＴ基体１全面に所定量の可視光を照射してシール剤及びコモン剤を本硬化させ、その後に熱併用型の場合は所定条件のベーキングでシール剤及びコモン剤を完全硬化させて空セルを形成する。

この時の図１９に示す可視光仮止め硬化用遮光マスク３５は、スクライブライン幅以下の厚みで、重ね合わせた対向基板以上の高さで、少なくともシール領域の四隅に相当する領域が露出する開口部４１が形成されており、ＴＦＴ基体１のスクライブライン４２及び真空吸着ステージ３に取り付ける。

また、シール剤がＵＶ照射硬化型接着剤或いはＵＶ照射硬化及び熱硬化型接着剤である場合は、例えば、図１９のように、透明ヘッド３４で吸着した対向基板４を真空吸着ステージ３で固定したＴＦＴ基体１内の少なくとも良品のＴＦＴ基板２にシール剤及びコモン剤を介して重ね合わせて、透明ヘッド３４で加圧しつつ対向基板の位置調整及び高さ調整を行い、ＵＶ仮止め硬化用遮光マスク３７をＴＦＴ基体１及び真空吸着ステージ３に取り付け、ＴＦＴ基体１及び真空吸着ステージ３を真空装置内に配置し、この真空装置内を所定の真空度（例えば、１３３Ｐａ以下）まで真空引きした後に大気圧に戻す時の均一な圧力で垂直方向に加圧を行い大気圧に戻す直前或いは直後に、スポットＵＶ照射を行い、少なくともシール領域の四隅のシール剤及びコモン剤を仮止め硬化させる。

その後、ＵＶ仮止め硬化用遮光マスク３７を取り外して光学的干渉縞の非接触検出による液晶ギャップ検査を行い、液晶ギャップ不具合の対向基板４を透明ヘッド３４で再加圧調整した後に、再びＵＶ仮止め硬化用遮光マスク３７をＴＦＴ基体１及び真空吸着ステージ３に取り付け、ＴＦＴ基体１及び真空吸着ステージ３を真空装置内に配置し、この真空装置内を所定の真空度（例えば、１３３Ｐａ以下）まで真空引きした後に大気圧に戻す時の均一な圧力で垂直方向に加圧を行い大気圧に戻す直前或いは直後に、再びスポットＵＶ照射を行いシール領域の四隅のシール剤及びコモン剤を仮止め硬化させる。

その後、ＵＶ仮止め硬化用遮光マスク３７を取り外し、ＴＦＴ基体１にＵＶ本硬化用遮光マスク３８を取り付け、全面に所定量のＵＶを照射してシール剤及びコモン剤を本硬化させ、本硬化ＵＶ光用遮光マスク３８を取り外し、その後に熱併用型の場合は所定条件のベーキングでシール剤及びコモン剤を完全硬化させて空セルを形成する。

この時の図１９に示すＵＶ仮止め硬化用遮光マスク３７は、スクライブライン幅以下の厚みで、重ね合わせた対向基板以上の高さで、少なくともシール領域の四隅に相当する領域が露出する開口部４１が形成されており、ＴＦＴ基体のスクライブライン４２及び真空吸着ステージに取り付ける。

また図２０に示すＵＶ本硬化用遮光マスク３８はスクライブライン幅以下の厚みで、重ね合わせた対向基板以上の高さで、シール領域の四隅以外のシール領域が露出する開口部４１が形成され、ＴＦＴダメージ防止の為に表示部、周辺回路及び外部取り出し電極などは遮光されており、ＴＦＴ基体のスクライブライン４２及び真空吸着ステージに取り付ける。

尚、上記の重ね合わせにおいて仮止め硬化と本硬化に分けて作業するのは、シール剤の硬化時間を分割して重ね合わせ装置のスループットを短縮して生産性向上させると同時に、液晶ギャップ不具合の対向基板を修正して液晶ギャップ均一性向上と歩留向上を図る為である。

ところでシール剤塗布にはスクリーン印刷方式とディスペンサー方式があるが、前者のスクリーン印刷方式はスクリーンの生地が配向膜面に接触することで配向力ばらつきとなりメッシュ跡が発生し易いので後者のディスペンサー方式が望ましい。
ディスペンサー方式は圧縮空気によりシリンジ中のシール剤を押し出しつつ、ＴＦＴ基板の外部取り出し電極パッド側に液晶注入口を設けるようにシール領域にシール剤を塗布する。これは、ＴＦＴ基板と対向基板を所定の間隔で相対して重ね合わせを行い、シール剤及びコモン剤の完全硬化で形成した空セル中に液晶注入口よりディスペンサーで液晶注入及びＵＶ照射硬化型接着剤封止する際に、外部取り出し電極パッド側以外のスクライブライン幅は狭くて塗布しにくい為である。

また、ＴＦＴ基板と対向基板間の電気的導通をとる為に、ＴＦＴ基板の少なくとも２箇所のコモンパッド部に圧縮空気によりシリンジ中の金メッキ樹脂のミクロパール混入したコモン剤をディスペンサーで塗布する。

ところでシール剤とコモン剤は、可視光照射硬化型接着剤、熱硬化併用の可視光照射硬化型接着剤、若しくは紫外線照射硬化型接着剤、熱硬化併用の紫外線照射硬化型接着剤、熱硬化型接着剤のいずれでもよいが、特性及び作業面から同じタイプとするのが好ましい。
具体的なシール剤及びコモン剤は、例えばシール剤及びコモン剤の主成分で硬化後の基本特性を出現する変性アクリレートオリゴマー、液の粘度調整するアクリレートモノマー、可視光硬化またはＵＶ硬化部分を硬化する光開始剤、シール剤及びコモン剤の主成分で硬化後の基本特性を出現するエポキシ樹脂、エポキシ樹脂を硬化させる硬化剤、シール剤中には外気からの水分浸入を防ぐ充填フィラー（シリカ真球など）、液晶ギャップ相当のファイバーなどから構成されている。

ＴＦＴ基板内のコモンパッド部に塗布されるコモン剤中には液晶ギャップより大きい（例、液晶ギャップより約１ｕｍ大きい約３ｕｍΦ）金メッキ樹脂のミクロパールを混入し、ＴＦＴ基板と対向基板の重ね合わせ時の加圧でミクロパールが破砕されて、破砕された金メッキ樹脂が双方の透明導電膜を電気的に導通させる。
また、シール領域にポリイミド、ポリアミド等の液晶配向膜がある場合は、その膜を破砕された金メッキ樹脂が貫通して双方の透明導電膜を電気的に導通させるように、ミクロパールの材料、大きさなどを工夫する必要がある。

更に、スピンコーティングなどでＴＦＴ基板または／及び対向基板のシール領域にポリイミド、ポリアミド等の有機系液晶配向膜形成されている場合は、シール剤中への外気からの水分浸入を防ぐフィラー充填は重要で、ＬＣＤパネルサイズによりフィラー充填率の最適化が必要であり、例えば１インチサイズ程度のプロジェクタ用ＬＣＤパネルでは１０〜３０％程度のフィラー充填率が好ましいが、ディスペンス塗布し易さと水分浸入率との兼ね合いで決定するのが好ましい。

ここで、ＴＦＴ基板の形成時に成膜されたＳｉＯ_２、ＳｉＮｘ、ＷＳｉ等の膜５をＴＦＴ基体の裏面に残したままの状態で重ね合わせを行っているために、ＴＦＴ基体の反りが小さく、重ね合わせ時の液晶ギャップムラを低減することができる。
また、ＴＦＴ基体に形成された全ての良品のＴＦＴ基板に良品の対向基板を重ね合わせた後に、各対向基板の水平方向及び垂直方向の位置合わせを行うために、ゴミ付着を防止することができる。即ち、ある良品のＴＦＴ基板に良品の対向基板の重ね合わせ及び位置合わせを行った後に、別の良品のＴＦＴ基板に良品の対向基板の重ね合わせ及び位置合わせを行う方法で順次に水平方向及び垂直方向の位置合わせを行った場合には、ＴＦＴ基板に対向基板が重ね合わせられずにいる時間が長くなってしまうのに対して、とりあえず全ての良品のＴＦＴ基板に良品の対向基板を重ね合わせた後に各対向基板の位置合わせを行う方法で重ね合わせ及び位置合わせを行った場合には、ＴＦＴ基板に対向基板が重ね合わせられずにいる時間が短くなり、液晶ギャップ内のゴミ付着を防止することができる。
更に、真空引きした後に大気圧に戻す時の均一な圧力で垂直方向に加圧を行うために、均一な液晶ギャップが得られる。
なお、ＴＦＴ基体に形成されたＴＦＴ基板の低歩留によって後述する裏面光学研磨のバランスの問題がある場合には、ＴＦＴ基体に形成された不良のＴＦＴ基板２３にもシール剤を塗布し、ダミーの対向基板６を重ね合わせるのが好ましい。
また、シール剤中に液晶ギャップ相当のマイクロファイバーを混入したり、ＴＦＴ基板または対向基板の画素開口部以外に任意の複数のＯＣＳ（On Chip Spacer）を形成したりすることによって、より一層液晶ギャップの制御を確実に行うことができる。

次に、すでに上記で述べたが図２（ｂ）で示す様に、液晶ギャップ（ニュートンリング；ＮＲとも呼称する）検査用真空吸着ステージ７でＴＦＴ基体１を保持し、対向基板側からナトリウムランプ照射を行い、ＮＲ検査用真空吸着ステージ７は移動させずにＮＲ検査機８をステップアンドリピート方式で移動し、または、ＮＲ検査機８は移動させずにＴＦＴ基体１を保持しているＮＲ検査用真空吸着ステージ７をステップアンドリピート方式で移動し、ＣＣＤカメラ搭載のＮＲ検査機８で各ＬＣＤパネルの液晶ギャップ検査（ニュートンリングの本数及び形状検査）を行い液晶ギャップの良否の選別を行う。
例えばナトリウムランプ（ＮａＤ線；５８９．３ｎｍ波長）照射下でＬＣＤパネルを見ると、液晶ギャップが異なる部分で明るさ、コントラストに差が生じて光学的干渉縞のリング状の色ムラが発生する。このニュートンリングの本数及び形状をＣＣＤカメラにより非接触でカウントして液晶ギャップの適正可否を判断する。
尚、重ね合わせ時の液晶ギャップコントロールが充分であれば、ここでのＮＲ検査は抜き取り検査化できる。

ところで、可視光照射硬化型接着剤或いは熱併用型の可視光照射硬化型接着剤若しくは紫外線照射硬化型接着剤或いは熱併用型の紫外線照射硬化型接着剤等に液晶ギャップ相当のマイクロファイバーを混入したシール剤を採用しているので、液晶ギャップは大きい方にズレる傾向にあるが、ニュートンリング本数が多い場合は対向基板を再度均一に加圧して液晶ギャップを調整するのが好ましい。

尚、ＮＲ検査機８に接続した透明ヘッドを介してナトリウムランプ（ＮａＤ線；５８９．３ｎｍ波長）照射して、ＴＦＴ基体内のＴＦＴ基板と対向基板の重ね合わせで位置調整及び高さ調整（液晶ギャップ調整）を行い、透明ヘッドへの光源を切り替えて可視光またはＵＶ光をシール剤に供給して仮止め硬化或いは本硬化を行っても良い。

次に、図２（ｃ）で示す様に、真空容器中にて液晶注入封止用基体保持冶具９でＴＦＴ基体１を保持し、液晶注入封止用基体保持冶具９は移動させずに液晶注入機１０をステップアンドリピート方式で移動し、または、液晶注入機１０は移動させずにＴＦＴ基体１を保持している液晶注入封止用基体保持冶具９をステップアンドリピート方式で移動し、図２５（ａ）で示す様に、ＴＦＴ基板の外部取り出し電極３９側に設けた液晶注入口４０から液晶注入機１０のディスペンサーシリンジから液晶を注入する。
この時に、外部取り付けタンクから脱泡された液晶を真空容器内のディスペンサーのシリンジ部に自動供給して液晶注入すると、液晶のこぼれがなくなり液晶使用量が大幅削減できる。

その後に大気圧に戻す時の加圧、更には大気圧以上の適当な加圧（例えば１．１〜１．２Kg/ｃｍ^２）で噴出した余分な液晶を拭き取り、ディスペンサーにより可視光または紫外線照射硬化型封止剤で液晶注入口を封止し、大気圧に戻す時の加圧で可視光または紫外線照射硬化型封止剤を液晶注入口に引き込んで可視光または紫外線照射硬化する。
この液晶注入口への可視光または紫外線照射硬化型封止剤の引き込み量が大きいと液晶注入口部に染みが発生するので、引き込み量（つまり引き込み時間）の制御が必要となる。

その後に、液晶のNI点（Nematic Isotropic；相転移温度）以上である約１１５℃で約１時間の加熱処理を行い、液晶のNI点以下例えば約９５℃まで急冷却することによって液晶分子を液晶配向膜に完全配向させる熱処理を行って、図２５（ａ）のようにＴＦＴ基体内に複数のＬＣＤパネルを形成する。

この透過型ＬＣＤの時には、配向膜と配向処理及び液晶の関係は下記のような組み合わせが好ましい。
[１]５〜５０ｎｍ厚のポリイミド、ポリアミド等の有機系配向膜の場合は、バフラビング処理して正の誘電異方性のＴＮ（Twisted Nematic）モード液晶を用いる。
[２]５〜５０ｎｍ厚のポリイミド、ポリアミド等の垂直配向剤添加した有機系配向膜の場合は、バフラビング処理が不要で負の誘電異方性のＴＮモード液晶｛いわゆるＶＡ（Vertical Alignment）モード液晶；垂直配向モード液晶｝を用いる。
[３]５〜５０ｎｍ厚のポリイミド、ポリアミド等の有機系配向膜の場合は、アルゴンイオンビームを基板に対して１５〜２０°の角度から３００〜４００ｅＶの加速電圧でイオンビーム照射処理してイオンビーム配向処理を行い、正の誘電異方性のＴＮモード液晶を用いる。
[４]５〜５０ｎｍ厚のポリイミド、ポリビニルシンナメート等の有機系配向膜の場合は、２５７ｎｍの直線偏光した紫外線を基板に対して垂直に照射する光配向処理して正の誘電異方性のＴＮモード液晶を用いる。
[５]５〜５０ｎｍ厚のポリイミド、ポリアミド等の有機系配向膜の場合は、２６６ｎｍのＹＡＧレーザーを基板に対して任意の角度例えば４５°で照射するレーザー配向処理して正の誘電異方性のＴＮモード液晶を用いる。
[６]シリコン原子と酸素原子が錯体を形成したアルキル基がシリコン原子に結合しているシラン系配向膜の場合は、配向処理が不要であり、負の誘電異方性のＴＮモード（ＶＡモード）液晶を用いる。
[７]アミノシラン系配向膜の場合は、ラビング処理して正の誘電異方性のＴＮモード液晶を用いる。
[８]１０〜３０ｎｍ厚ＳｉＯｘの斜方蒸着膜などの無機系系配向膜の場合は、基板の垂直方向からの蒸着角を調整して配向処理を行い、正の誘電異方性のＴＮモード液晶を用いる。
[９]蒸着あるいはスパッタによる１０〜３０ｎｍ厚ＳｉＯｘなどの無機系系配向膜の場合は、アルゴンイオンビームを基板に対して１５〜２０°の角度から３００〜４００ｅＶの加速電圧でイオンビーム照射処理して正の誘電異方性のＴＮモード液晶を用いる。
[１０]ミラートロンスパッタリング（指向性スパッタリング）による１０〜３０ｎｍ厚ＳｉＯｘなどの無機系配向膜の場合は、基板に対するスパッタリング角度を調整して配向処理を行い、正の誘電異方性のＴＮモード液晶を用いる。
[１１]ＣＶＤ法による５〜２０ｎｍ厚のＤＬＣ（Diamond Like Carbon）膜の無機系配向膜の場合は、基板に対して例えば４５°の方向から３００〜４００ｅＶの加速電圧でアルゴンイオンビーム照射してイオンビーム配向処理を行い、正の誘電異方性のＴＮモード液晶を用いる。
[１２]上記１〜１１の処理を行った第１配向膜の上に、イオン蒸着により約５０ｎｍのＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）膜の第２配向膜を形成し、正の誘電異方性のＴＮモード液晶を用いる。
[１３]上記１〜１１の処理を行った第１配向膜の上に、イオン蒸着により約５０ｎｍのＰＥ（ポリエチレン）膜の第２配向膜を形成し、正の誘電異方性のＴＮモード液晶を用いる。
[１４]上記１〜１１の処理を行った第１配向膜の上に、イオン蒸着により約５０ｎｍビフェニルー４，４'−ジメタクリレートのポリマー化した第２配向膜を形成し、正の誘電異方性のＴＮモード液晶を用いる。
[１５]ポリイミド、ポリアミド等の有機系配向膜の場合は、バフラビング配向或いは２５７ｎｍ直線偏光ＵＶ照射の光配向或いはアルゴンイオンビーム照射のイオンビーム配向或いは２６６ｎｍのＹＡＧレーザー照射のレーザー配向処理などをして強誘電性（ＦＬＣ）液晶を用いる。
[１６]５〜５０ｎｍ厚のポリイミド、ポリアミド等の有機系配向膜の場合は、バフラビング配向或いは２５７ｎｍ直線偏光ＵＶ照射の光配向或いはアルゴンイオンビーム照射のイオンビーム配向或いは２６６ｎｍのＹＡＧレーザー照射のレーザー配向処理などをして電界効果複屈折型（ＥＣＢ）型液晶を用いる。

また反射型ＬＣＤの場合には、バフラビング等により水平配向（ホモジニアス配列）処理または傾斜配向処理したポリイミド、ポリアミド等の有機系配向膜には正の誘電異方性のＴＮモード液晶、垂直配向剤添加した垂直配向（ホメオトロピック配列）処理のポリイミド、ポリアミド等の有機系配向膜には負の誘電異方性のＴＮモードいわゆるＶＡモード液晶、クロム錯体の配向膜にはＶＡモード液晶の組み合わせが好ましい。
特にプロジェクタ用反射型ＬＣＤの配向膜は、例えばＳｉＯｘの斜方蒸着膜或いは指向性スパッタリングにより形成した耐光性の無機系配向膜とし、ＶＡモード液晶の組み合わせで使用するのが好ましい。
尚、ＰＤＬＣ（高分子分散型液晶）、ＧＨ（ゲストホスト型液晶）を反射型ＬＣＤに使用する場合は、配向膜及び配向処理は不要である。

この後に、必要に応じて前記同様にニュートンリング検査を行い、ＬＣＤパネルの良否選別を行う。
つまり、この時点で適正な液晶ギャップが得られるように、それぞれの条件を最適化することが必要である。

次に、図２（ｄ）で示す様に、図中Ａで示す酸化セリウムなどの超微粉末を含む研磨剤を供給しながら、研磨パッド材１１によって対向基板の裏面及びＴＦＴ基体の裏面を例えば１０μｍ程度を光学研磨し、ＴＦＴ基板の形成時にＴＦＴ基体の裏面に成膜されたＳｉＯ_２、ＳｉＮｘ、ＷＳｉ等の膜５、更に配向膜形成及び配向処理時のキズ、汚れを除去する。また、同時に対向基板の裏面の配向膜形成及び配向処理時のキズ、汚れ、更には重ね合わせ時のハンドリングキズを除去する。ここで、対向基板の裏面及びＴＦＴ基体の裏面の光学研磨は、バフ研磨に限らずＣＭＰ等で行っても良い。なお、この光学研磨の際には液晶ギャップに悪影響を及ぼさない様に、加圧調整する必要がある。

尚、裏面光学研磨には、研磨水に酸化セリウム等の超微粉末を含むスラリー（研磨剤）を適量分散させて研磨パッドを擦りつけるウエット光学研磨法と、酸化セリウム等の超微粉末を含む研磨布を擦りつけるドライ光学研磨法があるが、この場合にはいずれの光学研磨法でもよい。

次に、図２（ｅ）で示す様に、画像検査用基体支持冶具１２でＴＦＴ基体を保持し、画像検査用基体支持冶具１２は移動させずに照明筒１３及び画像検査機１４をステップアンドリピート方式で移動し、または、照明筒１３及び画像検査機１４は移動させずにＴＦＴ基体を保持している画像検査用基体支持冶具１２をステップアンドリピート方式で移動し、ＬＣＤパネル単位毎に、その外部取り出し電極部に押し付ける電気信号入力端子付きの照明筒を対向基板側にセットし、照明筒からの入射光１５をＬＣＤパネルに照射し、出射光１６を画像検査機１４で検出して画像を表示し、画像検査（ＤＴ；Display Test検査）を行い、ＬＣＤパネルの良否を判別する。

ところで、プロジェクタ用透過型ＬＣＤの場合は、対向基板及びＴＦＴ基板表面のキズや付着したゴミが画質欠陥となるので、対向基板及びＴＦＴ基板表面に例えば１．１ｍｍ厚の保護ガラス（防塵ガラスとも言う）を貼り合せて光学的焦点をぼかすことでキズ及びゴミの影響を防止している。
更に、特に入射側の対向基板の保護ガラスとして高熱伝導性ガラスを用いることで、ＬＣＤパネルの熱放散を促進し、高輝度化、長寿命化を図っている。
尚、入射光及び出射光損失低減の為に、この保護ガラスには少なくとも一方の表面に反射防止膜または反射防止膜及び紫外線カット膜が形成されている。

例えば、プロジェクタ用透過型ＬＣＤの場合は、保護ガラス材として光学特性を満足する熱伝導率が１（Ｗ／ｍ・Ｋ）以上の高熱伝導性ガラス例えば石英ガラス、透明結晶化ガラス（ネオセラム、クリアセラム、ゼロデュアなど）、更に高い熱伝導性ガラス例えば高透光性セラミック多結晶体｛透光性酸化物結晶体の電融ＭｇＯ（立方晶、等軸六方晶）、焼結ＭｇＯ（立方晶）、Ｙ_２Ｏ_３（イットリア）、ＣａＯ（カルシア）、単結晶サファイア（六方晶）、ＢｅＯ（ベリリア）、ＺｒＯ_２（ジルコニア）、多結晶サファイアなど、または透光性複酸化物結晶体の単結晶又は多結晶ＹＡＧ（Yttrium Aluminum Garnet）、単結晶又は多結晶ＭｇＡｌ_２Ｏ_４（スピネル）、３Ａｌ_２Ｏ_３・２ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３・ＳｉＯ_２、ＣａＣＯ_３、ＺｒＳｉＯ_４など｝、フッ化物単結晶体｛フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ_２）、フッ化バリウム（ＢａＦ_２）など｝、気相合成ダイヤモンド膜コートした高透光性セラミック多結晶体及び透明結晶化ガラス、水晶などの透明基板を耐光性の透明接着剤で対向基板に貼り合せることで、強い入射光に対して高い熱放散効果を発揮して高輝度化、高精細化、長寿命化を実現し、品質及び信頼性を高めることができる。

尚、たとえば、入射側より反射防止膜形成の単結晶サファイア防塵ガラスと単結晶サファイアの対向基板と液晶層と石英ガラスのＴＦＴ基板と反射防止膜形成の単結晶サファイア防塵ガラスの構造とし、相互を耐光性の透明接着剤で貼り合せることで、更に高い熱放散効果を期待できる。

また、プロジェクタ用反射型ＬＣＤの場合は、対向基板材、入射側の反射防止膜形成の防塵ガラス材として、上記同様の光学特性を満足する熱伝導率が１（Ｗ／ｍ・Ｋ）以上の高熱伝導性ガラス例えば石英ガラス、透明結晶化ガラス（ネオセラム、クリアセラム、ゼロデュアなど）、更に高い熱伝導性ガラス例えば高透光性セラミック多結晶体｛透光性酸化物結晶体の電融ＭｇＯ（立方晶、等軸六方晶）、焼結ＭｇＯ（立方晶）、Ｙ_２Ｏ_３（イットリア）、ＣａＯ（カルシア）、単結晶サファイア（六方晶）、ＢｅＯ（ベリリア）、ＺｒＯ_２（ジルコニア）、多結晶サファイアなど、或いは透光性複酸化物結晶体の単結晶又は多結晶ＹＡＧ（Yttrium Aluminum Garnet）、単結晶又は多結晶ＭｇＡｌ_２Ｏ_４（スピネル）、３Ａｌ_２Ｏ_３・２ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３・ＳｉＯ_２、ＣａＣＯ_３、ＺｒＳｉＯ_４など｝、フッ化物単結晶体｛フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ_２）、フッ化バリウム（ＢａＦ_２）など｝、気相合成ダイヤモンド膜コートした高透光性セラミック多結晶体及び透明結晶化ガラス、水晶などの透明基板を耐光性の透明接着剤で貼り合せることで、強い入射光に対して高い熱放散効果を発揮して高輝度化、高精細化、長寿命化を実現し、品質及び信頼性を高めることが出来る。

たとえば、入射側より反射防止膜形成した単結晶又は多結晶ＹＡＧの防塵ガラスと単結晶又は多結晶ＹＡＧの対向基板と液晶層と石英ガラスのＴＦＴ基板と金属支持基板の構造とし、反射防止膜形成した単結晶又は多結晶ＹＡＧの防塵ガラスと単結晶又は多結晶ＹＡＧの対向基板を耐光性の透明接着剤で貼り合わせ、且つ石英ガラスのＴＦＴ基板と金属支持基板を高熱伝導性及び導電性接着剤で貼り合わせることで高い熱放散効果を期待できる。
尚、これらの保護ガラスの少なくとも一方の表面には、SiO₂膜、TiO₂膜、ZrO₂膜、MgF₂膜等の屈折率の異なる薄膜を1/4波長厚（0.1〜0.3μm）の厚みとして積層することにより反射防止膜を形成し、この反射防止膜の反射率は０．８％以下（波長４５０〜６３０ｎｍ範囲）が好ましい。

更に、保護ガラス貼り合わせ時の真空吸着コレットでのキズ防止、ダイシング時のキズ、ゴミ付着防止の為に図４（ａ）で示す様に、透明保護テープ付き保護ガラスとしてもよい。
この透明保護テープとして紫外線を照射することによって粘着力が低下するテープ（以下、ＵＶテープという）２０が貼合された保護ガラスを採用すると、貼り合わせする時の真空吸着コレットによるゴミ、キズ付着の恐れがないと共に、真空脱泡作業時のゴミ、キズ付着の恐れもない。

しかも、保護ガラス貼り合わせ時の中空型または平型真空吸着コレットの真空吸着では剥がれない程度の粘着力に予めＵＶ照射により粘着力を低下させているので保護ガラス貼り合わせ作業上の問題はなく、さらに金属枠取り付け前のＴＦＴ基板側保護ガラスのＵＶテープ剥離作業や見切り板取り付け前の対向基板側保護ガラスのＵＶテープ剥離作業には問題はない。

また、保護ガラス貼り合わせの透明接着剤として可視光照射硬化型接着剤またはＵＶ照射硬化型接着剤を用いる場合には、保護ガラス剥離の再生による歩留向上とＵＶ照射によるＴＦＴダメージ防止の為に、遮光マスクが必要である。

具体的には図３（ｆ）、（ｇ）で示す様に、可視光照射硬化型透明接着剤での保護ガラスまたは透明保護テープ付き保護ガラス貼り合せの場合は、例えば図２３のように、貼り合わせ用の基体支持ステージ１７でＴＦＴ基体１を保持し、この基体支持ステージ１７は移動させずに中空型真空吸着コレット１８を基体支持ステージ１７との間で相対移動自在に移動させる構成の製造装置において、中空型真空吸着コレット１８で保護ガラス１９周辺部または端部または平型真空吸着コレット１８で透明保護テープ付き保護ガラス１９表面を真空吸着させて、ＴＦＴ基体１内の上記した画像検査で合格となった良品のＬＣＤパネルの対向基板４裏面またはＴＦＴ基板２裏面に可視光照射硬化型の透明接着剤を必要量例えば０．７型ＬＣＤパネルで５ｍｇをディスペンス塗布し、中空型真空吸着コレット１８で真空吸着保持した保護ガラス（例えば、石英ガラス材の反射防止膜付き保護ガラス）１９または平型真空吸着コレット１８で真空吸着保持した透明保護テープ付き保護ガラス１９を位置合わせ及び重ね合わせを行い、その保護ガラスまたは透明保護テープ付き保護ガラス１９の少なくとも四隅が露出した可視光仮止め硬化用遮光マスク３５をＴＦＴ基体１及び基体支持ステージ１７に取り付け、それらを真空装置内に配置し、該真空装置内を所定の真空度（例えば、１３３Ｐａ以下）として可視光照射硬化型透明接着剤を真空脱泡し、大気圧に戻す時の均一な圧力で接着剤の厚みを均一化して大気圧に戻す直前または直後にスポット可視光照射して仮止め硬化させる。
その後、可視光仮止め硬化用遮光マスク３５を取り外し、外観検査または／及び画像検査して判明した透明接着層欠陥例えば透明接着剤中の挟み込みゴミ、光るゴミ、透明接着剤広がり不足などの不良を検出し、この保護ガラスまたは透明保護テープ付き保護ガラス１９に遮光性テープを貼り、全体に可視光照射して各保護ガラス１９の前記透明接着剤を完全硬化させる。

或いは、中空型真空吸着コレット１８で保護ガラス１９周辺部又は端部或いは平型真空吸着コレット１８で透明保護テープ付き保護ガラス１９表面を真空吸着して可視光照射硬化型透明接着剤塗布した対向基板４上に位置合わせ及び加圧重ね合わせを行い、保護ガラスまたは透明保護テープ付き保護ガラス１９の少なくとも四隅が露出した可視光仮止め硬化用遮光マスク３５をＴＦＴ基体１及び基体支持ステージ１７に取り付けてＴＦＴ基体全体を反転させた後に、更に、中空型真空吸着コレット１８で保護ガラス１９周辺部又は端部或いは平型真空吸着コレット１８で透明保護テープ付き保護ガラス１９表面を真空吸着して可視光照射硬化型透明接着剤塗布したＴＦＴ基板１上に位置合わせ及び加圧重ね合わせを行い、保護ガラスまたは透明保護テープ付き保護ガラス１９の少なくとも四隅が露出した可視光仮止め硬化用遮光マスク３５をＴＦＴ基体１及び基体支持ステージ１７に取り付けて、それらを真空装置内に設置し、該真空装置内を所定の真空度（例えば、１３３Ｐａ以下）として可視光照射硬化型透明接着剤を真空脱泡し、大気圧に戻す時の均一な圧力で接着剤の厚みを均一化して大気圧に戻す直前または直後にＴＦＴ基板２側及び対向基板４側の双方にスポット可視光照射して仮止め硬化させる。
その後、両方の可視光仮止め硬化用遮光マスク３５を取り外し、両方の外観検査または／及び画像検査して判明した透明接着層欠陥例えば透明接着剤中の挟み込みゴミ、光るゴミ、透明接着剤広がり不足などの不良を検出し、この保護ガラスまたは透明保護テープ付き保護ガラス１９に遮光性テープを貼り、ＴＦＴ基板２側及び対向基板４側の両面に可視光照射して保護ガラスまたは透明保護テープ付き保護ガラス１９の可視光照射硬化型透明接着剤を完全硬化させる。

この遮光性テープを貼ったＬＣＤパネルはＴＦＴ基体のダイシング後に遮光性テープを貼った保護ガラスを剥離して洗浄を行い、ＬＣＤパネル単体としての対向基板又は／及びＴＦＴ基板面に前記同様の可視光照射硬化型透明接着剤塗布、真空脱泡作業及び可視光照射の一連の作業で透明接着剤を完全硬化させて保護ガラスを再度貼り合せる。
この方法により、保護ガラスの貼り合せによる画質不良が防止され、ＬＣＤパネルの無駄がなくなり歩留、品質が向上する。
また、透明保護テープにより保護ガラスのキズ発生が防止されて保画質不良が防止され、ＬＣＤパネルの無駄がなくなり歩留、品質が向上する。

この時の可視光仮止め硬化用遮光マスク３５は、図２３で示すように、スクライブライン幅よりも薄く且つ重ねた保護ガラスまたは透明保護テープ付き保護ガラス高さよりも高く、保護ガラス周辺部の少なくとも四隅を露出させた遮光板であり、ＴＦＴ基体及び基体支持ステージに取り付ける。
これは保護ガラスまたは透明保護テープ付き保護ガラスの周囲全部を仮止めすると、可視光照射硬化型透明接着剤の真空脱泡が出来ず、更に保護ガラスの剥離の再生がしにくい為に、この可視光仮止め硬化用遮光マスク３５で保護ガラス周辺部の少なくとも四隅をスポット可視光照射で仮止め硬化する。

これに対して、ＵＶ照射硬化型透明接着剤での保護ガラスまたは透明保護テープ付き保護ガラスの貼り合せの場合は、例えば図２３のように、中空型真空吸着コレット１８で保護ガラス１９の周辺部又は端部或いは平型真空吸着コレット１８で透明保護テープ付き保護ガラス１９表面を真空吸着してＵＶ照射硬化型透明接着剤塗布した対向基板４上またはＴＦＴ基板２上に位置合わせ及び加圧重ね合わせを行い、保護ガラスまたは透明保護テープ付き保護ガラス１９の少なくとも四隅が露出したＵＶ仮止め硬化用遮光マスク３７をＴＦＴ基体１及び基体支持ステージ１７に取り付け、それらを真空装置内に配置し、該真空装置内を所定の真空度（例えば、１３３Ｐａ以下）としてＵＶ照射硬化型透明接着剤を真空脱泡し、大気圧に戻す時の均一な圧力で接着剤の厚みを均一化して大気圧に戻す直前または直後にスポットＵＶ照射して仮止め硬化させる。
その後、ＵＶ仮止め硬化用遮光マスク３７を取り外し、外観検査または／及び画像検査して判明した透明接着層欠陥例えば透明接着剤中の挟み込みゴミ、光るゴミ、透明接着剤広がり不足などの不良を検出し、この保護ガラスまたは透明保護テープ付き保護ガラス１９に遮光性テープを貼り、ＵＶ本硬化用遮光マスク３８をＴＦＴ基体１及び基体支持ステージ１７に取り付け、全体に所定量のＵＶを照射して各保護ガラスまたは透明保護テープ付き保護ガラス１９のＵＶ照射硬化型透明接着剤を完全硬化させる。

或いは、中空型真空吸着コレット１８で保護ガラス１９の周辺部又は端部或いは平型真空吸着コレット１８で透明保護テープ付き保護ガラス１９表面を真空吸着してＵＶ照射硬化型透明接着剤塗布した対向基板４上に位置合わせ及び加圧重ね合わせを行い、保護ガラスまたは透明保護テープ付き保護ガラス１９の少なくとも四隅が露出したＵＶ仮止め硬化用遮光マスク３７をＴＦＴ基体１及び基体支持ステージ１７に取り付けてＴＦＴ基体全体を反転させた後に、更に、中空型真空吸着コレット１８で保護ガラス１９の周辺部又は端部或いは平型真空吸着コレット１８で透明保護テープ付き保護ガラス１９表面を真空吸着してＵＶ照射硬化型透明接着剤塗布したＴＦＴ基板２上に位置合わせ及び加圧重ね合わせを行い、保護ガラスまたは透明保護テープ付き保護ガラス１９の少なくとも四隅が露出したＵＶ仮止め硬化用遮光マスク３７をＴＦＴ基体１及び基体支持ステージ１７に取り付けて、それらを真空装置内に設置し、該真空装置内を所定の真空度（例えば、１３３Ｐａ以下）としてＵＶ照射硬化型透明接着剤を真空脱泡し、大気圧に戻す時の均一な圧力で接着剤の厚みを均一化して大気圧に戻す直前または直後にＴＦＴ基板２側及び対向基板４側の双方にスポットＵＶ照射して仮止め硬化させる。
その後、両方のＵＶ仮止め硬化用遮光マスク３７を取り外し、両方の外観検査または／及び画像検査して判明した透明接着層欠陥例えば透明接着剤中の挟み込みゴミ、光るゴミ、透明接着剤広がり不足などの不良を検出し、この保護ガラスまたは透明保護テープ付き保護ガラス１９に遮光性テープを貼り、両方にＵＶ本硬化用遮光マスク３８をＴＦＴ基体１及び基体支持ステージ１７に取り付け、両方全体に所定量のＵＶを照射して各保護ガラスのＵＶ照射硬化型透明接着剤を完全硬化させる。

上記において、遮光性テープを貼ったＬＣＤパネルはＴＦＴ基体のダイシング後に遮光性テープを貼った保護ガラスを剥離して洗浄を行い、ＬＣＤパネル単体としての対向基板又は／及びＴＦＴ基板面に前記同様のＵＶ照射硬化型接着剤塗布、真空脱泡作業及びＵＶ照射の一連の作業で透明接着剤を完全硬化させて保護ガラスを再度貼り合せる。

このＵＶ仮止め硬化用遮光マスク３７は、図２３で示すように、スクライブライン幅よりも薄く且つ重ねた保護ガラスまたは透明保護テープ付き保護ガラス高さよりも高く、保護ガラスまたは透明保護テープ付き保護ガラス１９周辺部の少なくとも四隅を露出させた遮光板であり、ＴＦＴ基体及び基体支持ステージに取り付ける。
尚、保護ガラスまたは透明保護テープ付き保護ガラス１９の周囲全部を仮止めすると、ＵＶ照射硬化型透明接着剤の真空脱泡が出来ず、更に保護ガラスまたは透明保護テープ付き保護ガラス１９の剥離の再生がしにくい為に、このＵＶ仮止め硬化用遮光マスク３７で保護ガラスまたは透明保護テープ付き保護ガラス１９周辺部の少なくとも四隅をスポット可視光照射で仮止め硬化する。

またＵＶ本硬化用遮光マスク３８は、図２４で示すように、スクライブライン幅よりも薄く、外部取り出し電極部を遮蔽し且つ保護ガラス領域が開口している遮光板であり、ＴＦＴ基体１及び基体支持ステージ１７に取り付ける。

中空型真空吸着コレット１８には真空吸着穴孔が形成され、保護ガラスの有効領域には接触せずその周辺部又は端部を真空吸着する中空型コレットであり、基体支持ステージ１７との間で相対移動自在に構成されている。
真空吸着により防塵ガラス周辺部又は端部を保持して可視光照射硬化型またはＵＶ照射硬化型の透明接着剤塗布された対向基板４またはＴＦＴ基板２上に重ねる。これにより保護ガラス表面に接触しないのでキズ発生しない。
平型真空吸着コレット１８には複数の真空吸着穴孔が形成され、透明保護テープ付き保護ガラス１９の全面を真空吸着する平型コレットであり、基体支持ステージ１７との間で相対移動自在に構成されている。
保護ガラスには可視光及びＵＶ光を透過させる透明保護テープが貼り合わされているので、平型真空吸着コレット１８でその表面に接触してもキズ発生しない。

ここで、対向基板表面に保護ガラスを貼り合せるために貼り合わせ用冶具１７を反転させるが、ＴＦＴ基板表面の保護ガラスが落下及び位置ズレしない様に、透明接着剤の粘土調整が必要である。なお、必要に応じてＴＦＴ基板表面に貼り合わせた保護ガラス周辺部を治具で保持しても良い。

上記では、可視光照射硬化型透明接着剤またはＵＶ照射硬化型透明接着剤を用いた防塵ガラス或いは透明保護テープ付き保護ガラス１９の貼り合わせについて説明を行ったが、保護ガラスを貼り合わせる透明接着剤は、熱硬化併用型の可視光照射硬化型透明接着剤、熱硬化併用型のＵＶ照射硬化型透明接着剤、更には熱硬化型透明接着剤であっても構わないが、いずれの場合も保護ガラス或いは透明保護テープ付き保護ガラス１９周辺部の一部を仮止めして透明接着剤の真空脱泡を行い、透明接着層の画質欠陥を除去した後に透明接着剤を完全接着する方法により、歩留、品質向上を図るのが好ましい。

次に、図３（ｈ）で示す様に、ＬＣＤパネルのＴＦＴ基板表面に貼り合わせられた保護ガラス表面を、紫外線を照射することによって粘着力が低下するダイシングテープ（以下、ダイシング用ＵＶテープという）２１で固定した状態でＴＦＴ基体の、テープカットレスフルカットダイシング加工を行う。
ここで、ＴＦＴ基板表面に貼り合わせた保護ガラスの高さが、あたかもＴＦＴ基体裏面のＶまたはＵカット溝形成のダイシングに相当するので、テープカットレスダイシングが実現し、ダイシングテープ起因の異物付着及び汚れ不良防止、ダイシングブレード長寿命化が実現する。また、ダイシングテープとしては必ずしもダイシング用ＵＶテープを使用する必要は無く、低粘着性テープとすれば繰り返しの使用が可能となる。なお、ダイシングブレードは従来よりも刃先が長いタイプを使用する必要がある。
また、ＬＣＤパネルの対向基板表面に貼り合わせられた保護ガラス表面を、ダイシング用ＵＶテープ或いは低粘着性テープで固定した状態でＴＦＴ基体のテープカットレスフルカットダイシング加工を行っても良い。

ところで、従来の面単液晶組立工程の重ね合わせ工程以降はＬＣＤパネル単位の作業であったが、本発明では図１に示すように、保護ガラスの貼り合せ工程まではＴＦＴ基体単位での作業である新しい面単液晶組立工程フローであり、ハンドリングし易く生産性が良く、裏面光学研磨によるキズ、汚れ不良撲滅の為にＬＣＤパネルクリーニング作業が不要となり、歩留・品質向上、大幅な工数削減、生産性向上によるコストダウンが可能となる。
しかし、本発明のプロジェクタ用透過型ＬＣＤの製造方法は図１に示す工程フローに限定されることはなく、例えば、図５、図６及び図７に示す様な工程フローであっても構わない。

図５は図１の工程フローと同じであるが、ＴＦＴ基板及び対向基板への透明保護テープ付き保護ガラスの貼り合わせ後にＴＦＴ基体をダイシングしてＬＣＤパネルを形成する点に違いがある。
ＴＦＴ基板及び対向基板に貼り合わせる保護ガラスとして、ＵＶテープが貼合された保護ガラスを採用している場合には、図４（ｂ）で示す様に、ＬＣＤパネルのＴＦＴ基板表面または対向基板表面に貼り合わせられたＵＶテープ付き保護ガラス表面をダイシング用真空吸着冶具２２で固定した状態でＴＦＴ基体のフルカットダイシング加工を行う。
ここで、ＵＶテープが貼合された保護ガラスを採用する場合には、ガラス切削屑付着がないので歩留、品質が向上し、更にテープレスダイシングができるのでテープコスト削減が出来る。

その後、ＬＣＤパネルのＴＦＴ基板及び対向基板に貼り合わせる保護ガラスとして、ＵＶテープが貼合された保護ガラスを採用している場合には、ＵＶテープを貼り合わせた状態でＴＦＴ基板２にフレキ基板２６を取り付け、ＴＦＴ基板側の保護ガラス１９に貼り合わせられたＵＶテープを剥離してＴＦＴ基板及び対向基板を金属枠２７に取り付け、ＴＦＴ基板及び対向基板と金属枠２７との間を、高熱伝導性モールド樹脂２８で固着する。その後、対向基板側の保護ガラス１９に貼り合わせられたＵＶテープを剥離して見切り板２９の取り付けを行うことによって図３（ｉ）で示す様な透過型液晶表示装置を得ることができる。こうして得られた透過型液晶表示装置の画質検査を行って、合格したものを出荷する。

ここで、ＵＶテープが貼合された保護ガラス１９を採用している場合には、フレキ基板の取り付けの際に保護ガラスにキズ、ゴミ付着が無く、更に、金属枠への取り付け時及び高熱伝導性モールド樹脂による固着時にもキズ、ゴミ付着が無いので歩留、品質が向上し、ＬＣＤパネルクリーニング工数が削減する。

また、図６は図１の工程フローの画像検査までは同じであり、ＴＦＴ基体をダイシングしてＬＣＤパネルを形成した後に保護ガラスを貼り合せする点に違いがあり、保護ガラスの貼り合わせ装置などの従来のＬＣＤパネル単位作業の製造設備を活用出来て設備投資を削減出来る。
尚、この時も上記のＵＶテープ等の保護テープが貼合された保護ガラスを用いることで上記同様のメリットを得ることが出来る。

図７は図１の工程フローの裏面光学研磨までは同じであり、ＴＦＴ基体をダイシングしてＬＣＤパネルを形成した後に画像検査以降の作業をすることにより、図６以上に従来の製造設備を活用出来て設備投資を削減出来る。
尚、この時も上記のＵＶテープ等の保護テープが貼合された保護ガラスを用いることで上記同様のメリットを得ることが出来る。

尚、図１、５、６、７はいずれもプロジェクタ用透過型ＬＣＤの製造方法及び製造装置の実施例を示したが、ＴＦＴ基体として単結晶Ｓｉ基体を用いたプロジェクタ用反射型ＬＣＤの場合にも適用できる。
この反射型ＬＣＤと透過型ＬＣＤの主な違いは下記の点である。
１．単結晶Ｓｉ基体の裏面に形成されたＴＦＴ形成時の膜（ＳｉＯｘ，ＳｉＮｘ，ＷＳｉなど）は、必ずしも裏面光学研磨で除去する必要はない。
２．画像検査、画質検査は反射光検査機で検査する。
３．ＴＦＴ基板側に保護ガラスは不要である。

図８は本発明を適用した電気光学表示装置の製造方法の一例であるＥＶＦ用透過型ＬＣＤの製造方法の工程フローの一例である。
この製造方法は、ＴＦＴ基体内のＴＦＴ基板と対向基体内の対向基板を所定の液晶ギャップで相対して重ね合わせて空セルを形成した後に、対向基体をレーザー等で切断して対向基板を形成し、液晶注入封止及び必要に応じて液晶配向熱処理して液晶ギャップ検査し、ＴＦＴ基体及び対向基板を裏面光学研磨し、画像検査した後にＴＦＴ基体を分断してＬＣＤパネルを製造する方法であり、ＥＶＦ用ＬＣＤのみならずプロジェクタ用ＬＣＤにも適用できるのは言うまでもない。
また、透過型ＬＣＤのみならず反射型ＬＣＤにも適用できるのは言うまでもない。
以下、図８に示す工程フローに沿ってＥＶＦ用透過型ＬＣＤの製造方法について説明する。

本発明を適用したＥＶＦ用透過型ＬＣＤの製造方法では、先ず、１２インチφで厚みが０．８ｍｍの合成石英ガラス材からなるＴＦＴ基体に複数のＴＦＴ基板を形成し、このＴＦＴ基板の形成時にＴＦＴ基体の裏面に成膜されたＳｉＯ_２、ＳｉＮｘ、ＷＳｉ等の膜を残したままの状態で、上記プロジェクタ用透過型ＬＣＤ同様に、ポリイミド、ポリアミド等の有機系配向膜を形成して所定のバフラビングまたは直線偏光紫外線照射の光配向またはイオンビーム配向またはレーザー配向等の液晶配向処理を行ったり、或いはＳｉＯｘなどの所定の蒸着角での斜方蒸着膜形成或いはＳｉＯｘなどの所定のスパッタリング角での指向性スパッタリング膜等の無機系配向膜及び液晶配向処理を形成した後に、必要に応じてＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等を用いた洗浄を行う。
尚、このＴＦＴ基板は各画素に赤、青、緑の色フィルタ層が形成されたＯＣＣＦ（On Chip Color Filter）構造とし、対向基体の対向基板はパターン無しのベタＩＴＯ膜の構造とする。
これはＴＦＴ基板内の各画素に対応した色フィルタ層形成の対向基板の対向基体を用いてもよいが、重ね合わせ位置精度ばらつきによる色ムラ及び輝度低下、生産性低下などの問題がある為に、ＯＣＣＦ構造のＴＦＴ基板が好ましい。

上記のプロジェクタ用透過型ＬＣＤと同様に、ポリイミド、ポリアミド等の有機系液晶配向膜形成する場合にはＴＦＴ基体全面にポリイミド、ポリアミド等をスピンコーティング、バーコーティング、ディップコーティングなどにより塗布し、プレベーク（８０℃、１０分）で溶剤を揮発させた後に、１８０℃で１時間焼成し、ポリイミド、ポリアミド等の膜を５〜５０ｎｍ好ましくは２５〜３５ｎｍ程度を形成する。この時に、ＴＦＴ基板のコモン領域にもポリイミド、ポリアミド等の有機系液晶配向膜が形成されているが、コモン剤中の金メッキ樹脂のミクロパールが重ね合わせ時の加圧でポリイミド、ポリアミド等の有機系液晶配向膜を突き破って対向基板の透明導電膜とＴＦＴ基板の透明導電膜を電気的導通させる。更に、ＴＦＴ基板の外部取り出し電極部にもポリイミド、ポリアミド等の有機系液晶配向膜が形成されているが、フレキシブル基板の異方性導電膜中のフィラーが熱圧着でポリイミド、ポリアミド等の有機系液晶配向膜を突き破って外部取り出し電極部とフレキシブル基板を電気的導通させる。
又は、ＴＦＴ基体内のＴＦＴ基板毎に印刷版によるロールコーティングにより塗布し、プレベーク（８０℃、１０分）で溶剤を揮発させた後に、１８０℃で１時間焼成し、ポリイミド、ポリアミド等の膜を５〜５０ｎｍ好ましくは２５〜３５ｎｍ程度を形成する。この時には、シール領域、コモン領域及び外部取り出し電極部にはポリイミド、ポリアミド等の有機系液晶配向膜は形成されていないので、電気的導通は容易である。
尚、上記のプロジェクタ用ＬＣＤと同様に、ＳｉＯｘ等の無機系液晶配向膜形成する場合にはＳｉＯｘ等の無機系液晶配向膜厚によってはコモン剤中の金メッキ樹脂したミクロパールの圧着によるＳｉＯｘ等の無機系液晶配向膜の貫通は難しいので、対向基板との電気的導通の為にＴＦＴ基板の少なくともコモン剤塗布領域をマスキングしてＳｉＯｘ等の無機系液晶配向膜形成されないようにしておくのが好ましい。
更に、ＳｉＯｘ等の無機系液晶配向膜厚によってはフレキシブル基板の異方性導電膜の熱圧着による電気的接続は難しいので、フレキシブル基板との電気的導通の為にＴＦＴ基板の外部取り出し電極部はマスキングしてＳｉＯｘ等の無機系液晶配向膜形成されないようにしておくのが好ましい。

また、１２インチφで厚みが０．７ｍｍの低歪点ガラス材（ほうけい酸ガラス、アルミノけい酸ガラスなど）からなる対向基体２４の全面にＩＴＯ（酸化インジウムと酸化錫の透明導電膜）、ＩＺＯ（酸化インジウムと酸化亜鉛の透明導電膜）等のパターン無しのベタ透明導電膜を形成し、ポリイミド、ポリアミド等の有機系液晶配向膜を形成して所定の角度でのバフラビングまたは直線偏光紫外線照射の光配向またはイオンビーム配向またはレーザー配向等の液晶配向処理を行い、或いはＳｉＯｘなどの所定の蒸着角による斜方蒸着膜またはＳｉＯｘなどの所定のスパッタリング角による指向性スパッタリング膜等の無機系液晶配向膜形成及び液晶配向処理した後に、必要に応じてＩＰＡ等を用いた洗浄を行う。
尚、対向基体には必要に応じてブラックマスク基板（画素開口部以外に遮光膜形成した全面ベタ透明導電膜の基板）からなる対向基板（対向ブラックマスク基板とも言う）を用いてもよい。

上記のプロジェクタ用透過型ＬＣＤと同様にポリイミド、ポリアミド等の有機系液晶配向膜形成する場合には、対向基体全面にポリイミド、ポリアミド等をスピンコーティング、バーコーティング、ディップコーティングなどにより塗布し、プレベーク（８０℃、１０分）で溶剤を揮発させた後に、１８０℃で１時間焼成し、ポリイミド、ポリアミド等の膜を５〜５０ｎｍ好ましくは２５〜３５ｎｍ程度を形成する。この時に、対向基板のコモン領域にもポリイミド、ポリアミド等の有機系液晶配向膜が形成されているが、コモン剤中の金メッキ樹脂したミクロパールが重ね合わせ時の加圧でポリイミド等の有機系液晶配向膜を突き破って対向基板の透明導電膜とＴＦＴ基板の透明導電膜を電気的導通させる。
又は、対向基体内の対向基板毎に印刷版によるロールコーティングにより塗布し、プレベーク（８０℃、１０分）で溶剤を揮発させた後に、１８０℃で１時間焼成し、ポリイミド、ポリアミド等の膜を５〜５０ｎｍ好ましくは２５〜３５ｎｍ程度を形成する。この時には、シール領域及びコモン領域にはポリイミド、ポリアミド等の有機系液晶配向膜は形成されていないので、電気的導通は容易である。
尚、上記のプロジェクタ用透過型ＬＣＤと同様に、ＳｉＯｘ等の無機系液晶配向膜形成する場合にはＳｉＯｘ等の無機系液晶配向膜厚によってはコモン剤中の金メッキ樹脂したミクロパールの圧着によるＳｉＯｘ等の無機系液晶配向膜貫通は難しいので、ＴＦＴ基板との電気的導通の為に対向基板のシール剤及びコモン剤塗布領域をマスキングしてＳｉＯｘ等の無機系液晶配向膜形成されないようにしておくのが好ましい。

尚、上記の前記ＴＦＴ基体内の各ＴＦＴ基板に形成する有機系液晶配向膜の形成方法をまとめると次のようになる。
１．シール領域、コモン領域及び外部取り出し電極を含む全面に形成する。
２．シール領域、コモン領域及び外部取り出し電極を除く全面に形成する。

また、上記の前記対向基体内の各対向基板に形成する有機系液晶配向膜の形成方法をまとめると次のようになる。
１．シール領域、コモン領域を含む全面に形成する。
２．シール領域、コモン領域を除く全面に形成する。

更に、上記の前記ＴＦＴ基体内の各ＴＦＴ基板に形成する無機系液晶配向膜の形成方法をまとめると次のようになる。
１．シール領域、コモン領域及び外部取り出し電極を含む全面に形成する。
２．少なくともコモン領域及び外部取り出し電極を除く全面に形成する。

更に、上記の前記対向基体内の各対向基板に形成する無機系液晶配向膜の形成方法をまとめると次のようになる。
１．シール領域、コモン領域を含む全面に形成する。
２．少なくともコモン領域を除く全面に形成する。

次に、図９（ａ）で示す様に、重ね合わせ用真空吸着ステージ３でＴＦＴ基体１を真空吸着保持した状態で、ＴＦＴ基体１に形成された良品のＴＦＴ基板２に可視光照射硬化型若しくは紫外線照射硬化型接着剤中に液晶ギャップ相当のマイクロファイバー混入したシール剤及び金メッキ樹脂のミクロパール混入したコモン剤を塗布し、対向基体２４に形成された対向基板４を相対して所定の液晶ギャップで重ね合わせて加圧しつつ、紫外線照射若しくは可視光照射してシール剤を仮止めする。

この時に、ＵＶ照射によるＴＦＴダメージ防止の為に、ＴＦＴ基板の表示領域及び周辺回路領域のＴＦＴ部を遮光マスクで覆い、シール剤硬化させる製造方法が必要である。

例えば、ＵＶ照射硬化型接着剤または熱硬化併用のＵＶ照射硬化型接着剤などのシール剤の場合は、図２１で示すように、対向基体２４に形成された対向基板４を前記ＴＦＴ基体１に形成されたＴＦＴ基板２にシール剤及びコモン剤を介して相対して重ね合わせた後に位置調整及び高さ調整を行い、表示領域及び周辺回路領域内のＴＦＴ部を遮光してシール領域の少なくとも四隅を露出するＵＶ仮止め硬化用遮光マスク３７を前記対向基体２４が重ね合わせられた状態の前記ＴＦＴ基体１及び真空吸着ステージ３に取り付け、前記真空吸着ステージ３全体を真空装置内に配置し、該真空装置内を所定の真空度（例えば、１３３Ｐａ以下）に保持した後に大気圧に戻す時の均一な圧力で垂直方向に加圧を行い大気圧に戻す直前或いは直後に、スポットＵＶ照射してシール剤及びコモン剤を仮止め硬化させる。
その後にＵＶ仮止め硬化用遮光マスク３７を取り外して光学的干渉縞の非接触検出による液晶ギャップ検査を行い、不具合の対向基板４を加圧調整した後に、再びＵＶ仮止め硬化用遮光マスク３７を取り付けて再びスポットＵＶ照射の仮止め硬化を行う。その後、図２２で示すように、表示領域及び周辺回路領域内のＴＦＴ部を遮光してシール領域の四隅以外が露出するＵＶ本硬化用遮光マスク３８を対向基体２４が重ね合わせられた状態のＴＦＴ基体１及び真空吸着ステージ３に取り付け、所定量のＵＶを照射してシール剤及びコモン剤を本硬化させ、ＵＶ本硬化用遮光マスク３８を取り外し、その後に熱硬化併用型の場合は所定条件のベーキングでシール剤及びコモン剤を完全硬化させて空セルを形成する。

或いは可視光照射硬化型接着剤または熱硬化併用の可視光照射硬化型接着剤などのシール剤の場合は、対向基体２４に形成された対向基板４を前記ＴＦＴ基体１に形成されたＴＦＴ基板２にシール剤及びコモン剤を介して相対して重ね合わせた後に位置調整及び高さ調整を行い、表示領域及び周辺回路領域内のＴＦＴ部を遮光してシール領域の少なくとも四隅を露出する可視光仮止め硬化用遮光マスク３５を前記対向基体２４が重ね合わせられた状態のＴＦＴ基体１及び真空吸着ステージ３に取り付け、前記真空吸着ステージ３全体を真空装置内に配置し、該真空装置内を所定の真空度（例えば、１３３Ｐａ以下）に保持した後に大気圧に戻す時の均一な圧力で垂直方向に加圧を行い大気圧に戻す直前或いは直後に、スポット可視光照射してシール剤及びコモン剤を仮止め硬化させる。
その後に可視光仮止め硬化用遮光マスク３５を取り外して光学的干渉縞の非接触検出による液晶ギャップ検査を行い、不具合の対向基板４を加圧調整した後に、再び可視光仮止め硬化用遮光マスク３５を取り付けて再びスポット可視光照射の仮止め硬化を行う。その後に、全面に所定の可視光を照射してシール剤及びコモン剤を本硬化させ、その後に熱硬化併用型の場合は所定のベーキングで完全硬化させて空セルを形成する。

なお、上記の重ね合わせにおいて仮止め硬化と本硬化に分けて作業するのは、シール剤及びコモン剤の硬化時間を分割して重ね合わせ装置のスループットを短縮して生産性向上させると同時に、液晶ギャップ不具合の対向基板を修正して液晶ギャップ均一性向上と歩留向上を図る為である。

ここで、上記したＴＦＴ基体１と対向基体２４との重ね合わせは面状態同士でのいわゆる面面液晶組立方法であるが、ＴＦＴ基板２の形成時に成膜されたＳｉＯ_２、ＳｉＮｘ、ＷＳｉ等の膜５をＴＦＴ基体１の裏面に残したままのＴＦＴ基体１の反りは小さく、更にＩＴＯ等の透明導電膜のみ形成した対向基体２４は反りが小さく、双方を重ね合わせ時の液晶ギャップムラを低減することができる。
また、上記のプロジェクタ用ＬＣＤ同様に、シール剤中に液晶ギャップ相当のマイクロファイバーを混入したり、ＴＦＴ基板２または対向基板４の画素開口部以外に複数のＯＣＳを形成したりすることによって、より一層液晶ギャップの制御を確実に行うことができる。

次に、上記したプロジェクタ用透過型ＬＣＤの製造方法と同様にしてＮＲ検査を行う。

次に、図９（ｂ）及び図２５（ｂ）で示す様に、レーザー切断用真空吸着冶具３０でＴＦＴ基体１を固定し、対向基体２４を透過して見えるＴＦＴ基体のスクライブライン４２に沿ってＹＡＧレーザーまたはＣＯ_２レーザーまたはＹＡＧレーザー及びＣＯ_２レーザーの組み合わせた複合レーザーなどによって対向基体２４を切断して単個状態の対向基板４にする。この時に、外部取り出し電極パッド部上の対向基体も除去する。

ここで、ダイヤモンドカッターまたは超硬カッターなどで対向基体２４の切断をしても良いが、切断端面が鋭利になりすぎて、裏面光学研磨時の研磨バフ摩耗増大、対向基板欠けなどが発生しやすくなるので、必要に応じて切断面の面取りを行うのが好ましい。
また、ブレードダイシングをすると切削水が液晶注入口から浸入するので好ましくない。従って、切断端面取りを不要として生産性の向上を図ると共に、液晶注入口からの水分浸入を無くして歩留と品質向上を図るべく、対向基体２４の切断は上記のレーザー切断が好ましい。

次に、上記したプロジェクタ用透過型ＬＣＤの製造方法と同様にして液晶注入封止、液晶配向の熱処理、液晶ギャップ検査、裏面光学研磨、画像検査を行う。

尚、裏面光学研磨には、研磨水に酸化セリウム等の超微粉末を主成分とするスラリー（研磨剤）を適量分散させて研磨パッドを擦りつけるウエット光学研磨法と、酸化セリウム等の超微粉末を含有する研磨布を擦りつけるドライ光学研磨法があるが、この場合にはいずれを採用してもよい。

次に、図９（ｃ）で示す様に、ＬＣＤパネルの対向基板表面４をダイシング用ＵＶテープ２１で固定した状態でＴＦＴ基体１のテープカットレスダイシング加工を行う。

ここで、ＴＦＴ基板２に重ね合わせた対向基板４の高さが、あたかもＴＦＴ基体１裏面のＶカット溝またはＵカット溝のダイシングに相当するので、テープカットレスダイシングが実現できる。尚、より一層チッピングを抑制するためには、図９（ｄ）で示す様に、ＴＦＴ基体１の裏面にＶカット溝またはＵカット溝を形成し、ＴＦＴ基体１をダイシング用ＵＶテープ２１で固定した状態でＴＦＴ基体１のテープカットレスのフルカットダイシング加工を行うと良い。
また、この時の合成石英ガラスからなるＴＦＴ基体１を切断する場合には、液晶注入口を封止した後であるので、切削水使用のブレードダイシングをしても構わない。更に、ＹＡＧレーザー及びＣＯ_２レーザーを組み合わせた複合レーザー切断、更にはダイヤモンドカッター或いは超硬カッターでも構わない。

その後、ＴＦＴ基板２にフレキ基板２６を異方性導電膜の熱圧着で取り付け、ＴＦＴ基板２及び対向基板４裏面に偏光板２５を貼り合わせると共に、ＴＦＴ基板２及び対向基板４を樹脂枠３１に取り付け、ＴＦＴ基板２及び対向基板４と樹脂枠３１との間を、モールド樹脂３２で固着することによって図９（ｅ）で示す様なＥＶＦ用の透過型液晶表示装置を得ることができる。こうして得られた透過型液晶表示装置の画質検査を行って、合格したものを出荷する。
尚、偏光板の異物欠陥、ゴミ付着等による画質低下を防止する為に、ＴＦＴ基板２及び対向基板４から離れた位置の別の透明支持体に偏光板を貼り合わせてフォーカスをぼかすモジュール構造としてもよい。

尚、裏面光学研磨した後に画像検査及び画質検査を行い、良品のＬＣＤパネルのＴＦＴ基板と対向基板裏面に保護フィルム付き偏光板を貼りあわせた後にＴＦＴ基体をＬＣＤパネル毎に分断し、異方性導電膜の熱圧着でＴＦＴ基板にフレキ基板を取り付け、ＴＦＴ基板及び対向基板と樹脂枠との間をモールド樹脂で固着し、必要に応じて偏光板の保護フィルム剥離して再び画質検査を行って合格したＥＶＦ用の透過型液晶表示装置を出荷してもよい。

図１０は本発明を適用した電気光学表示装置の製造方法の一例であるＥＶＦ用透過型ＬＣＤの製造方法の工程フローの他の一例である。
この製造方法は、ＴＦＴ基体内のＴＦＴ基板と対向基体内の対向基板を相対して重ね合わせて空セルを形成した後にＴＦＴ基体及び対向基体を裏面光学研磨し、対向基体をレーザー等で切断して対向基板を形成し、液晶注入封止及び液晶配向熱処理し、液晶ギャップ検査及び画像検査した後にＴＦＴ基体を分断してＬＣＤパネルを製造する方法であり、ＥＶＦ用透過型ＬＣＤのみならずプロジェクタ用透過型ＬＣＤにも適用できるのは言うまでもない。
そして、透過型ＬＣＤのみならず反射型ＬＣＤにも適用できるのは言うまでもない。
以下、図１０に示す工程フローに沿ってＥＶＦ用透過型ＬＣＤの製造方法について説明する。但し、ＴＦＴ基体と対向基体の重ね合わせ、液晶ギャップ検査、シール工程までは図８と同じである。

図１１（ａ）で示す様に、図中Ａで示す研磨剤を供給しながら、研磨パッド材１１によってＴＦＴ基体及び対向基体の裏面を光学研磨し、ＴＦＴ基板の形成時にＴＦＴ基体の裏面に成膜されたＳｉＯ_２、ＳｉＮｘ、ＷＳｉ等の膜５、更に配向膜形成及び配向処理時のキズ、汚れを除去する。また、同時に対向基体の裏面の配向膜形成及び配向処理時のキズ、汚れ、更には重ね合わせ時のハンドリングキズを除去する。ここで、ＴＦＴ基体及び対向基体の裏面の光学研磨は、バフ研磨に限らずＣＭＰ等で行っても良い。なお、光学研磨の際には液晶ギャップに悪影響を及ぼさない様に、加圧調整する必要がある。

裏面光学研磨には、研磨水に酸化セリウム等の超微粉末を主成分とするスラリー（研磨剤）を適量分散させて研磨パッドを擦りつけるウエット光学研磨法と、酸化セリウム等の超微粉末を含有する研磨布を擦りつけるドライ光学研磨法がある。
この実施例でのウエット光学研磨法の場合には、必要に応じて対向基板が形成された基体と駆動基板が形成された基体を貼りあわせた外周面を、例えば紫外線照射または可視光照射硬化型または低温硬化型接着剤などでシールして光学研磨時の水分浸入を防止してもよいが、ドライ光学研磨法の場合には水分浸入の恐れがないので貼りあわせた外周面の接着剤のシールは不要である。
更に、基体に形成された駆動基板に液晶注入口無しパターンのシール剤及びコモン剤を塗布し、そのシール剤で囲まれた領域内に所定量の液晶を滴下し、基体に形成された対向基板を相対して重ね合わせ、或いは基体に形成された対向基板に液晶注入口無しパターンのシール剤及びコモン剤を塗布し、そのシール剤で囲まれた領域内に所定量の液晶を滴下し、基体に形成された駆動基板を相対して重ね合わせ、所定の真空中に保持して液晶脱泡した後に大気圧に戻す直前または直後にシール剤及びコモン剤を硬化させる液晶組立の場合には、ウエット光学研磨時に貼りあわせた外周面から水分が浸入しても液晶注入口がないので問題がなく、ウエット光学研磨法とドライ光学研磨法のいずれを採用してもよい。尚、この場合には液晶への汚染防止の為に高純度のシール剤が要求される。

次に、図１１（ｂ）で示す様に、ＴＦＴ基体に形成されたＴＦＴ基板裏面キズ発生防止の為にＴＦＴ基板と接しない様に中抜き状の基体支持ステージ３３でＴＦＴ基体を支持し、対向基体をＹＡＧレーザー、ＣＯ_２レーザー、ＹＡＧレーザーとＣＯ_２レーザーを組み合わせた複合レーザー、またはダイヤモンドカッター、超硬カッターで単個状態の対向基板にする。
図８に示す工程フローのように、裏面光学研磨前にダイヤモンドカッターまたは超硬カッターで対向基体２４の切断を行うと、切断端面が鋭利になりすぎて、裏面光学研磨時の研磨バフ摩耗増大、対向基板欠けなどが発生しやすくなるが、図１０に示す工程フローでは裏面光学研磨後にダイヤモンドカッターまたは超硬カッターで対向基体２４の切断を行うのでそのような問題がない。
尚、この時は、液晶注入口より切削水が浸入するので、ブレードダイシングは適さない。

次に、図１１（ｃ）で示す様に、真空装置内でＴＦＴ基体１に形成されたＴＦＴ基板２と接しない様に中抜き状の基体支持ステージ３３でＴＦＴ基体１を支持し、基体支持ステージ３３は移動させずに液晶注入機１０をステップアンドリピート方式で移動し、または、液晶注入機１０は移動させずにＴＦＴ基体１を支持している基体支持ステージ３３をステップアンドリピート方式で移動し、ＴＦＴ基体１内のＴＦＴ基板２の外部取り出し電極側に設けた液晶注入口から液晶注入機１０のディスペンサーシリンジから液晶を注入する。
この時に、外部取り付けタンクから脱泡された液晶を真空容器内のディスペンサーのシリンジ部に自動供給して液晶注入すると、液晶のこぼれがなくなり液晶使用量が大幅削減できる。

その後に大気圧に戻す時の加圧、更には大気圧以上の適当な加圧（例えば１．１〜１．２Kg/ｃｍ^２）で噴出した余分な液晶を拭き取り、ディスペンサーにより可視光または紫外線照射硬化型封止剤で液晶注入口を封止し、大気圧に戻す時の加圧で可視光または紫外線照射硬化型封止剤を液晶注入口に引き込んで可視光または紫外線照射硬化する。
この液晶注入口への可視光または紫外線照射硬化型封止剤の引き込み量が大きいと液晶注入口部に染みが発生するので、引き込み量（つまり引き込み時間）の制御が必要となる。その後に、液晶のNI点以上である１１５℃で約１時間の加熱処理を行い、液晶のNI点以下例えば約９５℃まで急冷却することによって液晶分子を完全配向させる処理を行ってＬＣＤパネルを形成する。つまり、この時点で適正な液晶ギャップが得られるように、それぞれの条件を最適化することが必要である。

続いて、上記したＥＶＦ用透過型ＬＣＤの製造方法の工程フローの一例と同様にして必要に応じて液晶ギャップ（ニュートンリング）検査を行い、画像検査及びＴＦＴ基体１のダイシングを行って単個のＬＣＤパネルを形成し、その後、ＴＦＴ基板２へのフレキ基板の異方性導電膜の熱圧着での取り付け、ＴＦＴ基板２及び対向基板４裏面への偏光板貼り合わせ、樹脂枠の取り付けを行い、モールド樹脂で固着することによって図９（ｅ）で示す様なＥＶＦ用透過型液晶表示装置を得ることができる。こうして得られた透過型液晶表示装置の画質検査を行って、合格したものを出荷する。
尚、偏光板の異物欠陥による画質低下を防止する為に、ＴＦＴ基板２及び対向基板４から離れた位置の透明支持体に偏光板を貼り合わせてフォーカスをぼかすモジュール構造としてもよい。

尚、液晶注入封止、熱処理及び液晶ギャップ検査した後に画像検査及び画質検査を行い、良品のＬＣＤパネルのＴＦＴ基板と対向基板裏面に保護フィルム付き偏光板を貼りあわせた後にＴＦＴ基体をＬＣＤパネル毎に分断し、異方性導電膜の熱圧着でＴＦＴ基板にフレキ基板を取り付け、ＴＦＴ基板及び対向基板と樹脂枠との間をモールド樹脂で固着し、必要に応じて偏光板の保護フィルム剥離して再び画質検査を行って合格したＥＶＦ用の透過型液晶表示装置を出荷してもよい。

ところで、上記は図８及び図１０に示す工程フローに従って説明を行ったが、ハンドリングし易く生産性が良く、ＬＣＤパネルクリーニング作業が不要となり、歩留・品質向上、大幅な工数削減、生産性向上によるコストダウンが可能となるＥＶＦ用透過型ＬＣＤの製造方法は図８及び図１０に示す工程フローに限定されることはなく、例えば、図１２及び図１３に示す様な工程フローであっても構わない。

図１２は図８の工程フローの裏面光学研磨工程までは同じであり、ＴＦＴ基体をダイシング切断した後に画像検査以降の作業をすることで、ＬＣＤパネル単位での単個作業による従来の製造装置の活用が出来る。

図１３は図１０の工程フローの熱処理及び液晶ギャップ検査工程までは同じであり、ＴＦＴ基体をダイシング切断した後に画像検査以降の作業をすることで、ＬＣＤパネル単位での単個作業による従来の製造装置の活用が出来る。

尚、図８、１０、１２、１３はいずれもプロジェクタ用透過型ＬＣＤの製造方法及び製造装置の実施例を示したが、ＴＦＴ基体として単結晶Ｓｉ基体を用いたプロジェクタ用反射型ＬＣＤの場合にも適用できる。
この反射型ＬＣＤと透過型ＬＣＤの主な違いは下記の点である。
１．単結晶Ｓｉ基体の裏面に形成されたＴＦＴ形成時の膜（ＳｉＯｘ，ＳｉＮｘ，ＷＳｉなど）は、必ずしも裏面光学研磨で除去する必要はない。
２．画像検査、画質検査は反射光検査機で検査する。
３．ＴＦＴ基板側に偏光板は不要である。

ところで、上記の透過型ＬＣＤは、１．２ｍｍ厚の石英ガラスによる駆動基板の実施例であり、反射型ＬＣＤは１．２ｍｍ厚の単結晶Ｓｉ基板による駆動基板の実施例である。

本発明者は先に１〜１０ｕｍ厚の超薄型ＳＯＩ構造或いは超薄型単結晶半導体基板による透過型及び反射型ＬＣＤを提案しているが、この場合にも本発明による面単液晶組立及び面面液晶組立方法、更に製造装置が適用できる。
この超薄型ＬＣＤ、超薄型有機ＥＬを含む超薄型電気光学表示装置の製造方法には、下記の５つの方法がある。

[１]多孔質半導体層分離法
単結晶半導体からなる支持基板に多孔質半導体層を形成する工程と、前記支持基板上に前記多孔質半導体層を介して単結晶半導体層を形成する工程と、前記単結晶半導体層に表示素子及び周辺回路を形成する工程と、前記支持基板を前記多孔質半導体層から分離する工程と、前記分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を貼り付ける工程と、前記支持体を貼り付け後に、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程とを含む超薄型電気光学表示装置の製造方法。

[２]二重多孔質半導体層分離法
それぞれ単結晶半導体からなる種子基板および支持基板の両方に多孔質半導体層を形成する工程と、前記種子基板および支持基板の両方に、それぞれ前記多孔質半導体層を介して単結晶半導体層を形成する工程と、前記種子基板および支持基板の少なくとも一方に、前記単結晶半導体層を介して絶縁層を形成する工程と、前記種子基板および支持基板を前記絶縁層の形成面で貼り合わせる工程と、前記種子基板を同種子基板の多孔質半導体層から分離する工程と、前記種子基板の分離により露出した前記単結晶半導体層の表面を少なくとも水素アニール処理によりエッチングして平坦化する工程と、前記支持基板の単結晶半導体層に表示素子および周辺回路を形成する工程と、前記支持基板を同支持基板の多孔質半導体層から分離する工程と、前記分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を貼り付ける工程と、前記支持体の貼り付け後、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程とを含む超薄型電気光学表示装置の製造方法。

[３]イオン注入層分離法
単結晶半導体からなる支持基板に表示素子および周辺回路を形成する工程と、前記支持基板にイオン注入層を形成する工程と、剥離用アニール処理を行い、前記支持基板を前記イオン注入層の歪部から分離する工程と、前記分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を貼り付ける工程と、前記支持体の貼り付け後、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程とを含む超薄型電気光学表示装置の製造方法。

[４]二重イオン注入層分離法
単結晶半導体からなる種子基板にイオン注入層を形成する工程と、単結晶半導体からなる支持基板に絶縁層を形成する工程と、前記種子基板のイオン注入層と前記支持基板の絶縁層とを貼り合わせ、熱処理により前記イオン注入層と絶縁層とを共有結合させて単結晶半導体層を形成する工程と、剥離用アニール処理を行い、前記種子基板を同種子基板のイオン注入層の歪部から分離する工程と、少なくとも水素アニール処理により前記単結晶半導体層の表面をエッチングして平坦化する工程と、前記支持基板の単結晶半導体層に表示素子および周辺回路を形成する工程と、これらの工程後に、前記支持基板にイオン注入層を形成し、剥離用アニール処理する工程と、前記支持基板を同支持基板のイオン注入層の歪部から分離する工程と、前記分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を貼り付ける工程と、前記支持体の貼り付け後、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程とを含む超薄型電気光学表示装置の製造方法。

[５]多孔質層・イオン注入層分離法
単結晶半導体からなる種子基板にイオン注入層を形成する工程と、単結晶半導体からなる支持基板に多孔質半導体層を形成する工程と、前記支持基板上に前記多孔質半導体層を介して単結晶半導体層を形成する工程と、前記単結晶半導体層上に絶縁層を形成する工程と、前記種子基板のイオン注入層と前記支持基板の絶縁層とを貼り合わせ、熱処理により前記種子基板のイオン注入層と前記支持基板の絶縁層とを共有結合させて単結晶半導体層を形成する工程と、剥離用アニール処理を行い、前記種子基板を前記イオン注入層の歪部から分離する工程と、少なくとも水素アニール処理により前記単結晶半導体層の表面をエッチングして平坦化する工程と、前記支持基板の単結晶半導体層に表示素子および周辺回路を形成する工程と、前記支持基板を前記多孔質半導体層から分離する工程と、前記分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を貼り付ける工程と前記支持体の貼り付け後、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程とを含む超薄型電気光学表示装置の製造方法。

[６]ＳＩＭＯＸ・イオン注入層分離法
単結晶半導体からなる支持基板に酸素イオン及び／または窒素イオン注入層を形成する工程と、熱処理により支持基板内の所定位置に埋め込み絶縁層形成して単結晶半導体層形成する工程と、少なくとも水素アニール処理により前記単結晶半導体層の表面をエッチングして平坦化する工程と、前記支持基板の単結晶半導体層に表示素子および周辺回路を形成する工程と、これらの工程後に、前記支持基板にイオン注入層を形成し、剥離用アニール処理してイオン注入層の歪部形成する工程と、前記支持基板を同支持基板のイオン注入層の歪部から分離する工程と、前記分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を貼り付ける工程と、前記支持体の貼り付け後、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程とを含む超薄型電気光学表示装置の製造方法。

以上は反射型ＬＣＤ、上面発光型有機ＥＬなどの製造方法であるが、透過型ＬＣＤ、半透過型ＬＣＤ，下面発光型有機ＥＬの場合には、支持基板の単結晶半導体層に表示素子および周辺回路を形成した後に画素開口部をエッチングして透明材料で埋め込み、表面を平坦化して表示素子に接続する透明電極を形成する工程が、支持基板を分離する工程の前に必要である。

例えば、超薄型の透過型ＬＣＤの面単液晶組立方法の場合には、
[１]図１の工程フローに於いて熱処理&ＮＲ検査までは同じで、この後に多孔質Ｓｉ層からの分離作業或いは高濃度水素イオン注入層からの分離作業を行い、剥離残りの多孔質Ｓｉ層或いは単結晶Ｓｉ層をエッチングして画素開口部に埋め込んだ透明材料を絶縁層を介して露出させ、高熱伝導性ガラスを耐熱性透明接着剤で貼り合わせる。
その後は、画像検査、保護ガラスの貼り合わせを行い、ＴＦＴ基体及び高熱伝導性ガラスをダイシングしてＬＣＤパネル単体を形成する。
その後のフレキ基板取り付け、金属枠取り付け、見切り板取り付け、画質検査、出荷は同じフローである。

[２]図５の工程フローに於いても熱処理&ＮＲ検査までは同じで、この後に多孔質Ｓｉ層からの分離作業或いは高濃度水素イオン注入層からの分離作業を行い、剥離残りの多孔質Ｓｉ層或いは単結晶Ｓｉ層をエッチングして画素開口部に埋め込んだ透明材料を絶縁層を介して露出させ、高熱伝導性ガラスを耐熱性透明接着剤で貼り合わせる。
その後は、画像検査、ＵＶテープ保護ガラスの貼り合わせを行い、ＴＦＴ基体及び高熱伝導性ガラスをダイシングしてＬＣＤパネルを形成する。
その後のフレキ基板取り付け、ＴＦＴ側保護ガラスのＵＶテープを剥離しての金属枠取り付け、対向側保護ガラスのＵＶテープを剥離しての見切り板取り付け、画質検査、出荷は同じフローである。

[３]図６の工程フローに於いても熱処理&ＮＲ検査までは同じで、この後に多孔質Ｓｉ層からの分離作業或いは高濃度水素イオン注入層からの分離作業を行い、剥離残りの多孔質Ｓｉ層或いは単結晶Ｓｉ層をエッチングして画素開口部に埋め込んだ透明材料を絶縁層を介して露出させ、高熱伝導性ガラスを耐熱性透明接着剤で貼り合わせる。
その後は、画像検査してＴＦＴ基体及び高熱伝導性ガラスをダイシングしてＬＣＤパネル単体を形成する。
その後のフレキ基板取り付け、保護ガラス取り付け、金属枠取り付け、見切り板取り付け、画質検査、出荷は同じフローである。

[４]図７の工程フローに於いても熱処理&ＮＲ検査までは同じで、この後に多孔質Ｓｉ層からの分離作業或いは高濃度水素イオン注入層からの分離作業を行い、剥離残りの多孔質Ｓｉ層或いは単結晶Ｓｉ層をエッチングして画素開口部に埋め込んだ透明材料を絶縁層を介して露出させ、高熱伝導性ガラスを耐熱性透明接着剤で貼り合わせる。
その後は、ＴＦＴ基体及び高熱伝導性ガラスをダイシングしてＬＣＤパネル単体を形成する。
その後の画像検査、フレキ基板取り付け、保護ガラス取り付け、金属枠取り付け、見切り板取り付け、画質検査、出荷は同じフローである。

更に、超薄型の透過型ＬＣＤの面面液晶組立方法の場合には、
[１]図８の工程フローに於いても熱処理&ＮＲ検査までは同じで、この後に多孔質Ｓｉ層からの分離作業或いは高濃度水素イオン注入層からの分離作業を行い、剥離残りの多孔質Ｓｉ層或いは単結晶Ｓｉ層をエッチングして画素開口部に埋め込んだ透明材料を絶縁層を介して露出させ、高熱伝導性ガラスを耐熱性透明接着剤で貼り合わせる。
その後は、画像検査してＴＦＴ基体及び高熱伝導性ガラスをダイシングしてＬＣＤパネル単体を形成する。
その後のフレキ基板取り付け、偏光板取り付け、枠取り付け、画質検査、出荷は同じフローである。

[２]図１０の工程フローに於いては裏面光学研磨除いて熱処理&ＮＲ検査までは同じで、この後に多孔質Ｓｉ層からの分離作業或いは高濃度水素イオン注入層からの分離作業を行い、剥離残りの多孔質Ｓｉ層或いは単結晶Ｓｉ層をエッチングして画素開口部に埋め込んだ透明材料を絶縁層を介して露出させ、高熱伝導性ガラスを耐熱性透明接着剤で貼り合わせる。
その後は、画像検査してＴＦＴ基体及び高熱伝導性ガラスをダイシングしてＬＣＤパネル単体を形成する。
その後のフレキ基板取り付け、偏光板取り付け、枠取り付け、画質検査、出荷は同じフローである。

これに対して、超薄型の反射型ＬＣＤの面単液晶組立方法の場合は、
[１]図１の工程フローに於いて熱処理&ＮＲ検査までは同じで、この後に多孔質Ｓｉ層からの分離作業或いは高濃度水素イオン注入層からの分離作業を行い、高熱伝導性&導電性接着剤で金属支持基板を貼り合わせる。
その後は、画像検査、対向基板側保護ガラスの貼り合わせを行い、ＴＦＴ基体及び金属支持基板をダイシングしてＬＣＤパネル単体を形成する。
その後のフレキ基板取り付け、金属枠取り付け、見切り板取り付け、画質検査、出荷は同じフローである。

[２]図５の工程フローに於いても熱処理&ＮＲ検査までは同じで、この後に多孔質Ｓｉ層からの分離作業或いは高濃度水素イオン注入層からの分離作業を行い、高熱伝導性&導電性接着剤で金属支持基板を貼り合わせる。
その後は、画像検査、対向基板側へのＵＶテープ保護ガラスの貼り合わせを行い、ＴＦＴ基体及び金属支持基板をダイシングしてＬＣＤパネル単体を形成する。
その後のフレキ基板取り付け、対向基板側保護ガラスのＵＶテープを剥離しての金属枠取り付け、見切り板取り付け、画質検査、出荷は同じフローである。

[３]図６の工程フローに於いても熱処理&ＮＲ検査までは同じで、この後に多孔質Ｓｉ層からの分離作業或いは高濃度水素イオン注入層からの分離作業を行い、高熱伝導性&導電性接着剤で金属支持基板を貼り合わせる。
その後は、画像検査してＴＦＴ基体及び金属支持基板をダイシングしてＬＣＤパネル単体を形成する。
その後のフレキ基板取り付け、対向基板側保護ガラス取り付け、金属枠取り付け、見切り板取り付け、画質検査、出荷は同じフローである。

[４]図７の工程フローに於いても熱処理&ＮＲ検査までは同じで、この後に多孔質Ｓｉ層からの分離作業或いは高濃度水素イオン注入層からの分離作業を行い、高熱伝導性&導電性接着剤で金属支持基板を貼り合わせる。
その後は、ＴＦＴ基体及び金属支持基板をダイシングしてＬＣＤパネル単体を形成する。
その後の画像検査、フレキ基板取り付け、対向基板側保護ガラス取り付け、金属枠取り付け、見切り板取り付け、画質検査、出荷は同じフローである。

更に、超薄型の反射型ＬＣＤの面面液晶組立方法の場合には、
[１]図８の工程フローに於いても熱処理&ＮＲ検査までは同じで、この後に多孔質Ｓｉ層からの分離作業或いは高濃度水素イオン注入層からの分離作業を行い、高熱伝導性&導電性接着剤で金属支持基板を貼り合わせる。
その後は、画像検査してＴＦＴ基体及び金属支持基板をダイシングしてＬＣＤパネル単体を形成する。
その後のフレキ基板取り付け、対向基板側偏光板取り付け、枠取り付け、画質検査、出荷は同じフローである。

[２]図１０の工程フローに於いては裏面光学研磨除いて熱処理&ＮＲ検査までは同じで、この後に多孔質Ｓｉ層からの分離作業或いは高濃度水素イオン注入層からの分離作業を行い、高熱伝導性&導電性接着剤で金属支持基板を貼り合わせる。
その後は、画像検査してＴＦＴ基体及び金属支持基板をダイシングしてＬＣＤパネル単体を形成する。
その後のフレキ基板取り付け、対向基板側偏光板取り付け、枠取り付け、画質検査、出荷は同じフローである。

本発明の製造工程（プロジェクタ用ＬＣＤ）の一例を順に説明するフローチャートである。 本発明の製造工程（プロジェクタ用ＬＣＤ）の一例を説明するための模式的な断面図（１）である。 本発明の製造工程（プロジェクタ用ＬＣＤ）の一例を説明するための模式的な断面図（２）である。 本発明の製造工程（プロジェクタ用ＬＣＤ）の一例においてＵＶテープが貼合された防塵ガラスを貼り合わせた場合を説明するための模式的な断面図である。 本発明の製造工程（プロジェクタ用ＬＣＤ）の他の例（１）を順に説明するフローチャートである。 本発明の製造工程（プロジェクタ用ＬＣＤ）の他の例（２）を順に説明するフローチャートである。 本発明の製造工程（プロジェクタ用ＬＣＤ）の他の例（３）を順に説明するフローチャートである。 本発明の製造工程（ＥＶＦ用ＬＣＤ）の一例を順に説明するフローチャートである。 本発明の製造工程（ＥＶＦ用ＬＣＤ）の一例を説明するための模式的な断面図である。 本発明の製造工程（ＥＶＦ用ＬＣＤ）の他の例（１）を順に説明するフローチャートである。 本発明の製造工程（ＥＶＦ用ＬＣＤ）の他の例を説明するための模式的な断面図である。 本発明の製造工程（ＥＶＦ用ＬＣＤ）の他の例（２）を順に説明するフローチャートである。 本発明の製造工程（ＥＶＦ用ＬＣＤ）の他の例（３）を順に説明するフローチャートである。 面面組立ての例を順に説明するフローチャートである。 単個組立ての例を順に説明するフローチャートである。 面単組立ての例を順に説明するフローチャートである。 面単組立てにおける重ね合わせ時の可視光仮止め硬化用遮光マスクの一例を説明するための模式図である。 面単組立てにおける重ね合わせ時の紫外線仮止め硬化用遮光マスクの一例を説明するための模式図である。 面単組立てにおける重ね合わせ時の可視光及び紫外線硬化遮光マスクの一例を説明するための模式図である。 面単組立てにおける重ね合わせ時の紫外線本硬化用遮光マスクの一例を説明するための模式図である。 面面組立てにおける重ね合わせ時の可視光及び紫外線硬化遮光マスクの一例を説明するための模式図である。 面面組立てにおける重ね合わせ時の紫外線本硬化遮光マスクの一例を説明するための模式図である。 保護ガラス貼り合わせ時の可視光及び紫外線硬化遮光マスクの一例を説明するための模式図である。 保護ガラス貼り合わせ時の紫外線本硬化遮光マスクの一例を説明するための模式図である。 液晶注入及びレーザー切断を説明するための模式図である。

符号の説明

１ ＴＦＴ基体
２ 良品のＴＦＴ基板
３ 重ね合わせ用真空吸着ステージ
４ 対向基板
５ 膜
６ ダミーの対向基板
７ 液晶ギャップ検査用真空吸着ステージ
８ ニュートンリング検査機
９ 液晶注入封止用基体保持冶具
１０ 液晶注入機
１１ 研磨パッド材
１２ 画像検査用基体支持冶具
１３ 照明筒
１４ 画像検査機
１５ 入射光
１６ 出射光
１７ 貼り合わせ用基体支持ステージ
１８ 真空吸着コレット
１９ 保護ガラス
２０ ＵＶテープ
２１ ダイシング用ＵＶテープ
２２ ダイシング用真空吸着冶具
２３ 不良のＴＦＴ基板
２４ 対向基体
２５ 偏光板
２６ フレキ基板
２７ 金属枠
２８ 高熱伝導性モールド樹脂
２９ 見切り板
３０ レーザー切断用真空吸着冶具
３１ 樹脂枠
３２ モールド樹脂
３３ 基体支持ステージ
３４ 透明ヘッド
３５ 可視光仮止め硬化用遮光マスク
３６ シール剤
３７ 紫外線仮止め硬化用遮光マスク
３８ 紫外線本硬化用遮光マスク
３９ 外部取り出し電極
４０ 液晶注入口
４１ 開口部
４２ スクライブライン

Claims (80)

1. 基体に複数の駆動基板を形成し、各駆動基板に対応する液晶配向膜形成或いは液晶配向膜形成及び液晶配向処理する工程と、
   基体に複数の対向基板を形成し、各対向基板に対応する液晶配向膜形成或いは液晶配向膜形成及び液晶配向処理する工程と、
   前記対向基板が形成された基体を前記対向基板毎に分断して単個状態の対向基板を形成する工程と、
   前記駆動基板と単個状態の前記対向基板とが所定の間隙を介して対面配置する様に、基体に形成された駆動基板にシール剤及びコモン剤を塗布して単個状態の前記対向基板を相対して重ね合わせ、該シール剤及びコモン剤を硬化して所定の液晶ギャップの空セルを形成する工程と、
   前記各駆動基板と前記各対向基板からなる空セルの間隙に液晶注入封止或いは液晶注入封止及び液晶配向熱処理してＬＣＤパネルを形成する工程と、
   少なくとも前記対向基板裏面の光学研磨を行う工程と、
   前記駆動基板が形成された基体を前記ＬＣＤパネル毎に分断する工程を備える
   ことを特徴とする電気光学表示装置の製造方法。
2. 前記駆動基板が形成された基体を保持し、透明ヘッドで前記対向基板を真空吸着し、前記駆動基板が形成された基体内の少なくとも良品の駆動基板に塗布したシール剤及びコモン剤を介して良品の対向基板を重ね合わせ、前記透明ヘッドを加圧しつつ対向基板の位置調整及び高さ調整した後に、透明ヘッドを介しての仮止め硬化する
   ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学表示装置の製造方法。
3. 前記透明ヘッドに保持した前記対向基板を前記駆動基板が形成された基体内の少なくとも良品の駆動基板にシール剤及びコモン剤を介して重ね合わせた後に、
   或いは、透明ヘッドで保持した前記対向基板を前記駆動基板が形成された基体内の少なくとも良品の駆動基板にシール剤及びコモン剤を介して重ね合わせ、
   前記透明ヘッドで保持した前記各対向基板を加圧しつつ位置調整及び高さ調整を行い、その後、前記透明ヘッドを介して少なくともシール剤の仮止め硬化を行い、
   更に、液晶ギャップ検査を行い、不具合の対向基板は前記透明ヘッドで再加圧調整して再仮止め硬化を行い、その後、シール剤及びコモン剤を完全硬化して空セルを形成する
   ことを特徴とする請求項２に記載の電気光学表示装置の製造方法。
4. 前記透明ヘッドには複数の真空吸着穴孔形成した接触面があり、光透過性であって、表面に遮光膜形成されており、真空吸着ステージとの間で相対移動自在に構成され、同透明ヘッドを介して可視光を少なくともシール剤に供給して仮止め硬化すると共に、同透明ヘッドを介してナトリウムＤ線を液晶ギャップに供給する複数の光源供給システムを備えており、且つ同透明ヘッドを介して駆動基板と対向基板の水平方向及び垂直方向のアライメントシステム、更に液晶ギャップの光学的干渉縞を非接触検出できる検査システムを備えている
   ことを特徴とする請求項３に記載の電気光学表示装置の製造方法。
5. 透明ヘッドに保持した前記対向基板を前記駆動基板が形成された基体内の少なくとも良品の駆動基板にシール剤及びコモン剤を介して重ね合わせた後に、
   或いは、透明ヘッドで保持した前記対向基板を前記駆動基板が形成された基体内の少なくとも良品の駆動基板にシール剤及びコモン剤を介して重ね合わせ、
   前記透明ヘッドで保持した前記各対向基板を加圧しつつ位置調整及び高さ調整を行い、その後、前記透明ヘッドを介して少なくともシール剤の一部への仮止め硬化を行い、
   更に、液晶ギャップ検査を行い、不具合の対向基板は前記透明ヘッドで再加圧調整して再仮止め硬化を行い、その後、シール剤及びコモン剤を完全に硬化して空セルを形成する
   ことを特徴とする請求項２に記載の電気光学表示装置の製造方法。
6. 前記透明ヘッドには複数の真空吸着穴孔形成した接触面があり、光透過性であって、表面に遮光膜形成されており、真空吸着ステージとの間で相対移動自在に構成され、同透明ヘッドを介して可視光、紫外線及びナトリウムＤ線を供給する複数の光源供給システムを備えており、且つ同透明ヘッドを介して駆動基板と対向基板の位置調整及び液晶ギャップ調整を行い、透明ヘッドへの光源を切り替えて紫外線をシール剤に供給して仮止め硬化を行い、更にナトリウムＤ線を供給して液晶ギャップの光学的干渉縞を非接触検出できる検査システムを備えている
   ことを特徴とする請求項５に記載の電気光学表示装置の製造方法。
7. 前記透明ヘッドで保持した前記対向基板を前記真空吸着ステージで固定した前記駆動基板が形成された基体内の少なくとも良品の駆動基板にシール剤及びコモン剤を介して重ね合わせて、前記透明ヘッドで加圧しつつ対向基板の位置調整及び高さ調整を行い、前記駆動基板が形成された基体及び保持冶具を真空装置内に配置し、該真空装置内を所定の真空度とした後に大気圧に戻す直前或いは直後に、少なくともシール領域の四隅のシール剤を仮止め硬化を行った後に、
   液晶ギャップ検査を行い、不具合の対向基板は前記透明ヘッドで再加圧調整した後に、前記駆動基板が形成された基体及び保持冶具を真空装置内に配置し、該真空装置内を所定の真空度とした後に大気圧に戻す直前或いは直後に、少なくともシール領域の四隅のシール剤を仮止め硬化する
   ことを特徴とする請求項２に記載の電気光学表示装置の製造方法。
8. 前記液晶ギャップ検査を行い、不具合の対向基板は前記透明ヘッドで再加圧調整した後に、再度前記駆動基板が形成された基体及び保持冶具を真空装置内に配置し、該真空装置内を所定の真空度とした後に大気圧に戻す直前或いは直後に、少なくともシール領域の四隅のシール材を仮止め硬化した後、シール剤及びコモン剤を完全に硬化し、その後に熱硬化併用型の場合は所定条件のベーキングでシール剤及びコモン剤を完全硬化して空セルを形成する
   ことを特徴とする請求項７に記載の電気光学表示装置の製造方法。
9. 前記シール剤は、前記駆動基板と対向基板とが重ね合わせられた際に、少なくとも１つの開口部がフレキ基板を取り付ける外部取り出し電極パッド側に形成されるシールパターンで塗布される
   ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学表示装置の製造方法。
10. 複数の対向基板を重ね合わせた駆動基板が形成された基体を真空吸着ステージで保持し、液晶ギャップ検査機をステップアンドリピート方式で移動させ、または前記液晶ギャップ検査機は移動させずに前記真空吸着ステージをステップアンドリピート方式で移動させて、駆動基板が形成された基体内の各駆動基板と対向基板間の液晶ギャップを光学的干渉縞で非接触検出する
    ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学表示装置の製造方法。
11. 真空装置内の所定の真空度において、液晶注入封止用基体保持治具で駆動基板が形成された基体を保持し、前記液晶注入封止用基体保持治具は移動させずに液晶注入機をステップアンドリピート方式で移動させ、または前記液晶注入機は移動させずに前記液晶注入封止用基体保持治具をステップアンドリピート方式で移動させ、駆動基板が形成された基体内の対向基板を重ね合わせた駆動基板の外部取り出し電極側に設けた液晶注入口から液晶注入し、
    その後に、大気圧に戻す時の加圧、更には大気圧以上の加圧で噴出した余分な液晶を取り除き、接着剤で液晶注入口を封止し、大気圧に戻す時の減圧で接着剤を液晶注入口内に引き込み、その後液晶注入口の接着剤を硬化する
    ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学表示装置の製造方法。
12. 液晶注入封止或いは液晶注入封止及び液晶配向熱処理した複数のＬＣＤチップからなる駆動基板が形成された基体を真空吸着ステージで保持し、液晶ギャップ検査機をステップアンドリピート方式で移動させ、または前記液晶ギャップ検査機は移動させずに前記真空吸着ステージをステップアンドリピート方式で移動させて、駆動基板が形成された基体内の各ＬＣＤパネルの液晶ギャップを光学的干渉縞で非接触検出する
    ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学表示装置の製造方法。
13. 裏面光学研磨した複数のＬＣＤパネルからなる駆動基板が形成された基体を基体支持ステージに保持し、前記基体支持ステージは移動させずに画像検査機をステップアンドリピート方式で移動させ、または前記画像検査機は移動させずに前記基体支持ステージをステップアンドリピート方式で移動させ、駆動基板が形成された基体内のＬＣＤパネル毎の画像検査をする
    ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学表示装置の製造方法。
14. 前記ＬＣＤパネルの画像検査を行った後に、前記駆動基板が形成された基体を前記ＬＣＤパネル毎に分断する
    ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学表示装置の製造方法。
15. 前記対向基板の裏面にダイシングテープを貼り、前記駆動基板が形成された基体側からダイシングテープを切らないフルカットダイシングを行うことによって前記駆動基板が形成された基体を前記ＬＣＤパネル毎に分断する
    ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学表示装置の製造方法。
16. 前記駆動基板が形成された基体裏面にその表面のスクライブライン内の分割線に沿ったＶカット溝またはＵカット溝部を形成し、該溝部が形成された前記駆動基板が形成された基体裏面にダイシングテープを貼り、前記対向基板側からダイシングテープを切らないフルカットダイシングを行うことによって前記駆動基板が形成された基体を前記ＬＣＤパネル毎に分断する
    ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学表示装置の製造方法。
17. 前記駆動基板が形成された基体裏面にその表面のスクライブライン内の分割線に沿ったＶカット溝またはＵカット溝部を形成し、全ての駆動基板を真空吸着治具で真空吸着し、前記対向基板側から真空吸着治具を切らないフルカットダイシングを行うことによって前記駆動基板が形成された基体を前記ＬＣＤパネル毎に分断する
    ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学表示装置の製造方法。
18. 前記ＬＣＤパネルの画像検査を行い、該画像検査で良品のＬＣＤパネルの駆動基板及び対向基板裏面に保護ガラスを貼り合わせた後に、前記駆動基板が形成された基体を前記ＬＣＤパネル毎に分断する
    ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学表示装置の製造方法。
19. 基体保持冶具で前記駆動基板が形成された基体を保持し、コレットで前記保護ガラスを保持し、前記駆動基板が形成された基体内の各ＬＣＤパネルの対向基板裏面及び駆動基板裏面のうち少なくとも一方に塗布した接着剤を介して位置合わせ及び重ね合わせを行い、前記基体支持ステージを真空装置内に配置し、該真空装置内を所定の真空度として前記接着剤を真空脱泡し、大気圧に戻る直前または直後に仮止め硬化し、位置合わせ及び重ね合わせ良品の保護ガラスを完全硬化する
    ことを特徴とする請求項１８に記載の電気光学表示装置の製造方法。
20. 前記保護ガラスには少なくとも光入射側に反射防止膜または反射防止膜及び紫外線カット膜が形成されている
    ことを特徴とする請求項１８に記載の電気光学表示装置の製造方法。
21. 前記駆動基板、又は対向基板の保護ガラス面にダイシングテープを貼り、該ダイシングテープを貼っていない保護ガラス側からダイシングテープを切らないブレードダイシングすることで、前記駆動基板が形成された基体を前記ＬＣＤパネル毎に分断する
    ことを特徴とする請求項１８に記載の電気光学表示装置の製造方法。
22. 前記ＬＣＤパネルの画像検査を行い、該画像検査で良品のＬＣＤパネルの駆動基板及び対向基板裏面に保護ガラスを貼り合わせ、保護ガラスが貼り合わせられたＬＣＤパネルの画質検査を行った後に、前記駆動基板が形成された基体を前記ＬＣＤパネル毎に分断する
    ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学表示装置の製造方法。
23. 前記保護ガラスを貼り合せた複数のＬＣＤパネルからなる駆動基板が形成された基体を基体支持ステージに保持し、前記基体支持ステージは移動させずに画質検査機をステップアンドリピート方式で移動させ、または前記画質検査機は移動させずに前記基体支持ステージをステップアンドリピート方式で移動させ、駆動基板が形成された基体内のＬＣＤパネル毎の画質検査をする
    ことを特徴とする請求項２２に記載の電気光学表示装置の製造方法及び製造装置。
24. 前記ＬＣＤパネルの画像検査を行い、該画像検査で良品のＬＣＤパネルの駆動基板及び対向基板裏面に透明保護テープが貼合された保護ガラスを貼り合わせた後に、前記駆動基板が形成された基体を前記ＬＣＤパネル毎に分断する
    ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学表示装置の製造方法。
25. 基体支持ステージで前記駆動基板が形成された基体を保持し、コレットで透明保護テープ付き保護ガラス表面を保持し、前記駆動基板が形成された基体内の各ＬＣＤパネルの対向基板裏面及び駆動基板裏面のうち少なくとも一方に塗布した接着剤を介して位置合わせ及び重ね合わせを行い、前記基体支持ステージを真空装置内に配置し、該真空装置内を所定の真空度とした後に大気圧に戻す時の加圧で前記接着剤を真空脱泡し、大気圧に戻る直前または直後に仮止め硬化し、位置合わせ及び重ね合わせの良品の透明保護テープ付き保護ガラスを完全硬化する
    ことを特徴とする請求項２４に記載の電気光学表示装置の製造方法及び製造装置。
26. 前記保護ガラスには少なくとも透明保護テープを貼合した光入射面に反射防止膜または反射防止膜及び紫外線カット膜が形成されている
    ことを特徴とする請求項２４に記載の電気光学表示装置の製造方法。
27. 保持冶具で透明保護テープが貼合された前記保護ガラス面を保持し、前記保持冶具で保持されていない保護テープが貼合された前記保護ガラス側から前記保持冶具を切らないブレードダイシングを行うことによって前記駆動基板が形成された基体を前記ＬＣＤパネル毎に分断する
    ことを特徴とする請求項２４に記載の電気光学表示装置の製造方法。
28. 基体に複数の駆動基板を形成し、各駆動基板に対応する液晶配向膜形成或いは液晶配向膜形成及び液晶配向処理する工程と、
    基体に複数の対向基板を形成し、各対向基板に対応する液晶配向膜形成或いは液晶配向膜形成及び液晶配向処理する工程と、
    前記駆動基板と前記対向基板とが所定の間隙を介して対面配置する様に、基体に形成された駆動基板にシール剤及びコモン剤を塗布して基体に形成された対向基板を相対して重ね合わせ、或いは基体に形成された対向基板にシール剤及びコモン剤を塗布して基体に形成された駆動基板を相対して重ね合わせ、該シール剤及びコモン剤を硬化して所定の液晶ギャップの空セルを形成する工程と、
    前記対向基板が形成された基体を前記対向基板毎に分断する工程と、
    前記駆動基板と前記対向基板からなる空セルの間隙に液晶注入封止或いは液晶注入封止及び液晶配向熱処理してＬＣＤパネルを形成する工程と、
    少なくとも前記対向基板の裏面光学研磨を行う工程と、
    前記駆動基板が形成された基体を前記ＬＣＤパネル毎に分断する工程を備える
    ことを特徴とする電気光学表示装置の製造方法。
29. 前記対向基板が形成された基体を前記駆動基板が形成された基体にシール剤及びコモン剤を介して重ね合わせた後に位置調整及び高さ調整を行い、或いは前記駆動基板が形成された基体を前記対向基板が形成された基体にシール剤及びコモン剤を介して重ね合わせた後に位置調整及び高さ調整を行い、駆動基板内の周辺回路部及び表示部を遮光して、前記真空吸着ステージを真空装置内に配置し、該真空装置内を所定の真空度とした後に大気圧に戻す直前或いは直後に、少なくともシール剤を仮止め硬化する
    ことを特徴とする請求項２８に記載の電気光学表示装置の製造方法。
30. 前記仮止め硬化の後に液晶ギャップ検査を行い、不具合の対向基板または駆動基板を加圧調整した後に、駆動基板内の周辺回路部及び表示部を遮光して再び仮止め硬化を行い、更に駆動基板内の周辺回路部及び表示部を遮光してシール剤及びコモン剤を完全硬化させ、その後に熱硬化併用型の場合は所定条件のベーキングでシール剤及びコモン剤を完全硬化して空セルを形成する
    ことを特徴とする請求項２９に記載の電気光学表示装置の製造方法。
31. 前記対向基板が形成された基体を前記駆動基板が形成された基体にシール剤及びコモン剤を介して重ね合わせた後に位置調整及び高さ調整を行い、或いは前記駆動基板が形成された基体を前記対向基板が形成された基体にシール剤及びコモン剤を介して重ね合わせた後に位置調整及び高さ調整を行い、前記真空吸着ステージを真空装置内に配置し、該真空装置内を所定の真空度とした後に大気圧に戻す直前或いは直後に、少なくともシール剤を仮止め硬化する
    ことを特徴とする請求項２８に記載の電気光学表示装置の製造方法。
32. 前記仮止め硬化の後に液晶ギャップ検査を行い、液晶ギャップ不具合の対向基板を加圧調整した後に、再び前記仮止め硬化を行い、シール剤及びコモン剤を本硬化させ、その後に熱硬化併用型の場合は所定のベーキングでシール剤及びコモン剤を完全硬化して空セルを形成する
    ことを特徴とする請求項２８に記載の電気光学表示装置の製造方法。
33. 前記シール剤は、前記駆動基板及び対向基板が重ね合わせられた際に、少なくとも１つの開口部がフレキ基板を取り付ける外部取り出し電極パット側に形成されるシールパターンで塗布される
    ことを特徴とする請求項２８に記載の電気光学表示装置の製造方法。
34. 対向基板が形成された基体を重ね合わせた駆動基板が形成された基体を真空吸着ステージで保持し、液晶ギャップ検査機をステップアンドリピート方式で移動させ、または前記液晶ギャップ検査機は移動させずに前記真空吸着ステージをステップアンドリピート方式で移動させて、駆動基板が形成された基体内の駆動基板と対向基板が形成された基体内の対向基板からなる各空セルの液晶ギャップを光学的干渉縞で非接触検出する
    ことを特徴とする請求項２８に記載の電気光学表示装置の製造方法。
35. 前記対向基板が形成された基体は切削水を使用しない分断方法によって前記対向基板毎に分断する
    ことを特徴とする請求項２８に記載の電気光学表示装置の製造方法。
36. 真空装置内の所定の真空度において、液晶注入封止用基体保持治具で駆動基板が形成された基体を保持し、前記液晶注入封止用基体保持治具は移動させずに液晶注入機をステップアンドリピート方式で移動させ、または前記液晶注入機は移動させずに前記液晶注入封止用基体保持治具をステップアンドリピート方式で移動させ、液晶注入口から液晶注入した後に、
    大気圧に戻す時の加圧、更には大気圧以上の加圧で噴出した余分な液晶を取り除き、接着剤で液晶注入口を封止し、大気圧に戻す時の減圧で接着剤を液晶注入口内に引き込み、その後接着剤を硬化する
    ことを特徴とする請求項２８に記載の電気光学表示装置の製造方法。
37. 液晶注入封止或いは液晶注入封止及び液晶配向熱処理した複数のＬＣＤパネルが形成された基体を真空吸着ステージで保持し、液晶ギャップ検査機をステップアンドリピート方式で移動させ、または前記液晶ギャップ検査機は移動させずに前記真空吸着ステージをステップアンドリピート方式で移動させて、駆動基板が形成された基体内の各ＬＣＤパネルの液晶ギャップを光学的干渉縞で非接触検出する
    ことを特徴とする請求項２８に記載の電気光学表示装置の製造方法。
38. 前記駆動基板が形成された基体内の各ＬＣＤパネルの液晶ギャップ検査した後に、少なくとも対向基板裏面を光学研磨する
    ことを特徴とする請求項２８に記載の電気光学表示装置の製造方法。
39. 裏面光学研磨した複数のＬＣＤパネルからなる駆動基板が形成された基体を基体支持ステージに保持し、前記基体支持ステージは移動させずに画像検査機をステップアンドリピート方式で移動させ、または前記画像検査機は移動させずに前記基体支持ステージをステップアンドリピート方式で移動させ、駆動基板が形成された基体内のＬＣＤパネル毎の画像検査をする
    ことを特徴とする請求項２８に記載の電気光学表示装置の製造方法。
40. 前記ＬＣＤパネルの画像検査を行った後に、前記駆動基板が形成された基体を前記ＬＣＤパネル毎に分断する
    ことを特徴とする請求項２８に記載の電気光学表示装置の製造方法。
41. 前記対向基板の裏面にダイシングテープを貼り、前記駆動基板が形成された基体側からダイシングテープを切らないブレードダイシングを行うことによって前記駆動基板が形成された基体を前記ＬＣＤパネル毎に分断する
    ことを特徴とする請求項２８に記載の電気光学表示装置の製造方法。
42. 前記駆動基板が形成された基体裏面にその表面のスクライブライン内の分割線に沿ってＶカット溝或いはＵカット溝部を形成し、該溝部が形成された前記駆動基板が形成された基体裏面にダイシングテープを貼り、前記対向基板側からダイシングテープを切らないブレードダイシングを行うことによって前記駆動基板が形成された基体を前記ＬＣＤパネル毎に分断する
    ことを特徴とする請求項２８に記載の電気光学表示装置の製造方法。
43. 前記駆動基板が形成された基体裏面にその表面のスクライブライン内の分割線に沿ったＶカット溝或いはＵカット溝部を形成し、全ての駆動基板を真空吸着治具で真空吸着し、前記対向基板側から真空吸着治具を切らないブレードダイシングを行うことによって前記駆動基板が形成された基体を前記ＬＣＤパネル毎に分断する
    ことを特徴とする請求項２８に記載の電気光学表示装置の製造方法。
44. 前記ＬＣＤパネルの画像検査を行い、該画像検査で良品のＬＣＤパネルの駆動基板及び対向基板裏面に保護ガラスを貼り合わせた後に、前記駆動基板が形成された基体を前記ＬＣＤパネル毎に分断する
    ことを特徴とする請求項２８に記載の電気光学表示装置の製造方法。
45. 前記保護ガラスには少なくとも光入射側に反射防止膜または反射防止膜及び紫外線カット膜が形成されている
    ことを特徴とする請求項４４に記載の電気光学表示装置の製造方法。
46. 前記ＬＣＤパネルの画像検査を行い、該画像検査で良品のＬＣＤパネルの駆動基板及び対向基板に保護ガラスを貼り合わせ、保護ガラスが貼り合わせられたＬＣＤパネルの画質検査を行った後に前記駆動基板が形成された基体を前記ＬＣＤパネル毎に分断する
    ことを特徴とする請求項２８に記載の電気光学表示装置の製造方法。
47. 前記保護ガラスを貼り合せた複数のＬＣＤパネルからなる駆動基板が形成された基体を基体支持ステージに保持し、前記基体支持ステージは移動させずに画質検査機をステップアンドリピート方式で移動させ、または前記画質検査機は移動させずに前記基体支持ステージをステップアンドリピート方式で移動させ、駆動基板が形成された基体内のＬＣＤパネル毎の画質検査をする工程を備える
    ことを特徴とする請求項４６に記載の電気光学表示装置の製造方法。
48. 前記ＬＣＤパネルの画像検査を行い、該画像検査で良品のＬＣＤパネルの駆動基板及び対向基板に透明保護テープが貼合された保護ガラスを貼り合わせた後に前記駆動基板が形成された基体を前記ＬＣＤパネル毎に分断する
    ことを特徴とする請求項２８に記載の電気光学表示装置の製造方法。
49. 前記保護ガラスには少なくとも透明保護テープを貼合した光入射面に反射防止膜または反射防止膜及び紫外線カット膜が形成されている
    ことを特徴とする請求項４８に記載の電気光学表示装置の製造方法。
50. 基体に複数の駆動基板を形成し、各駆動基板に対応する液晶配向膜形成或いは液晶配向膜形成及び液晶配向処理する工程と、
    基体に複数の対向基板を形成し、各対向基板に対応する液晶配向膜形成或いは液晶配向膜形成及び液晶配向処理する工程と、
    前記駆動基板と前記対向基板とが所定の間隙を介して対面配置する様に、基体に形成された駆動基板にシール剤及びコモン剤を塗布して基体に形成された対向基板を相対して重ね合わせ、或いは基体に形成された対向基板にシール剤及びコモン剤を塗布して基体に形成された駆動基板を相対して重ね合わせ、該シール剤及びコモン剤を硬化して所定の液晶ギャップの空セルを形成する工程と、
    少なくとも前記対向基板が形成された基体の裏面光学研磨を行う工程と、
    前記対向基板が形成された基体を前記対向基板毎に分断する工程と、
    前記駆動基板が形成された基体と前記対向基板との空セルの間隙に液晶注入封止或いは液晶注入封止及び液晶配向熱処理してＬＣＤパネルを形成する工程と、
    前記駆動基板が形成された基体を前記ＬＣＤパネル毎に分断する工程を備える
    ことを特徴とする電気光学表示装置の製造方法。
51. 前記対向基板が形成された基体を前記駆動基板が形成された基体にシール剤及びコモン剤を介して重ね合わせた後に位置調整及び高さ調整を行い、或いは前記駆動基板が形成された基体を前記対向基板が形成された基体にシール剤及びコモン剤を介して重ね合わせた後に位置調整及び高さ調整を行い、、駆動基板内の周辺回路部及び表示部を遮光して、前記真空吸着ステージを真空装置内に配置し、該真空装置内を所定の真空度とした後に大気圧に戻す直前或いは直後に、少なくともシール剤を仮止め硬化する
    ことを特徴とする請求項５０に記載の電気光学表示装置の製造方法。
52. 前記仮止め硬化の後に液晶ギャップ検査を行い、不具合の対向基板または駆動基板を加圧調整した後に、駆動基板内の周辺回路部及び表示部を遮光して再び仮止め硬化を行い、更に駆動基板内の周辺回路部及び表示部を遮光してシール剤及びコモン剤を完全硬化させ、その後に熱硬化併用型の場合は所定条件のベーキングでシール剤及びコモン剤を完全硬化して空セルを形成する
    ことを特徴とする請求項５１に記載の電気光学表示装置の製造方法。
53. 前記対向基板が形成された基体を前記駆動基板が形成された基体にシール剤及びコモン剤を介して重ね合わせた後に位置調整及び高さ調整を行い、或いは前記駆動基板が形成された基体を前記対向基板が形成された基体にシール剤及びコモン剤を介して重ね合わせた後に位置調整及び高さ調整を行い、前記対向基板が形成された基体が重ね合わせられた状態の前記駆動基板が形成された基体を真空装置内に配置し、該真空装置内を所定の真空度とした後に大気圧に戻す直前或いは直後に、少なくともシール剤を仮止め硬化する
    ことを特徴とする請求項５０に記載の電気光学表示装置の製造方法。
54. 前記仮止め硬化の後に液晶ギャップ検査を行い、液晶ギャップ不具合の対向基板を加圧調整した後に、再び前記仮止め硬化を行い、その後、シール剤及びコモン剤を完全硬化させ、その後に熱硬化併用型の場合は所定のベーキングでシール剤及びコモン剤を完全硬化して空セルを形成する
    ことを特徴とする請求項５３に記載の電気光学表示装置の製造方法。
55. 前記シール剤は、前記駆動基板が形成された基体内の駆動基板と前記対向基板が形成された基体内の対向基板とが重ね合わせられた際に、少なくとも１つの開口部がフレキ基板を取り付ける外部取り出し電極パット側に形成されるシールパターンで塗布される
    ことを特徴とする請求項５０に記載の電気光学表示装置の製造方法。
56. 対向基板が形成された基体を重ね合わせた駆動基板が形成された基体を真空吸着ステージで保持し、液晶ギャップ検査機をステップアンドリピート方式で移動させ、または前記液晶ギャップ検査機は移動させずに前記真空吸着ステージをステップアンドリピート方式で移動させて、駆動基板が形成された基体内の駆動基板と対向基板が形成された基体内の対向基板からなる各空セルの液晶ギャップを光学的干渉縞で非接触検出する
    ことを特徴とする請求項５０に記載の電気光学表示装置の製造方法。
57. 駆動基板が形成された基体内の駆動基板と対向基板が形成された基体内の対向基板を所定の液晶ギャップで相対して重ね合わせて空セルを形成した後に、少なくとも対向基板が形成された基体裏面を光学研磨する
    ことを特徴とする請求項５０に記載の電気光学表示装置の製造方法。
58. 前記対向基板が形成された基体は切削水を使用しない分断方法によって前記対向基板毎に分断する
    ことを特徴とする請求項５０に記載の電気光学表示装置の製造方法。
59. 真空装置内の所定の真空度において、保持治具で駆動基板が形成された基体を保持し、前記保持治具は移動させずに液晶注入機をステップアンドリピート方式で移動させ、または前記液晶注入機は移動させずに前記保持治具をステップアンドリピート方式で移動させ、駆動基板が形成された基体内の対向基板を重ね合わせた駆動基板の外部取り出し電極側に設けた液晶注入口から液晶注入した後に、
    大気圧に戻す時の加圧、更には大気圧以上の加圧で噴出した余分な液晶を取り除き、接着剤で液晶注入口を封止し、大気圧に戻す時の減圧で接着剤を液晶注入口内に引き込み、その後接着剤を硬化する
    ことを特徴とする請求項５０に記載の電気光学表示装置の製造方法。
60. 液晶注入封止或いは液晶注入封止及び液晶配向熱処理した複数のＬＣＤチップからなる駆動基板が形成された基体を真空吸着ステージで保持し、液晶ギャップ検査機をステップアンドリピート方式で移動させ、または前記液晶ギャップ検査機は移動させずに前記真空吸着ステージをステップアンドリピート方式で移動させて、駆動基板が形成された基体内の各ＬＣＤパネルの液晶ギャップを光学的干渉縞で非接触検出する
    ことを特徴とする請求項５０に記載の電気光学表示装置の製造方法。
61. 裏面光学研磨した複数のＬＣＤパネルからなる駆動基板が形成された基体を基体支持ステージに保持し、前記基体支持ステージは移動させずに画像検査機をステップアンドリピート方式で移動させ、または前記画像検査機は移動させずに前記基体支持ステージをステップアンドリピート方式で移動させ、駆動基板が形成された基体内のＬＣＤパネル毎の画像検査をする
    ことを特徴とする請求項５０に記載の電気光学表示装置の製造方法。
62. 前記ＬＣＤパネルの画像検査を行った後に、前記駆動基板が形成された基体を前記ＬＣＤパネル毎に分断する
    ことを特徴とする請求項５０に記載の電気光学表示装置の製造方法。
63. 前記対向基板の裏面にダイシングテープを貼り、前記駆動基板が形成された基体側からダイシングテープを切らないブレードダイシングを行うことによって前記駆動基板が形成された基体を前記ＬＣＤパネル毎に分断する
    ことを特徴とする請求項５０に記載の電気光学表示装置の製造方法。
64. 前記駆動基板が形成された基体裏面にその表面のスクライブライン内の分割線に沿ってＶカット溝またはＵカット溝部を形成し、該溝部が形成された前記駆動基板が形成された基体の裏面にダイシングテープを貼り、前記対向基板側からダイシングテープを切らないブレードダイシングを行うことによって前記駆動基板が形成された基体を前記ＬＣＤパネル毎に分断する
    ことを特徴とする請求項５０に記載の電気光学表示装置の製造方法。
65. 前記駆動基板が形成された基体裏面にその表面のスクライブライン内の分割線に沿ったＶカット溝またはＵカット溝部を形成し、全ての駆動基板を真空吸着治具で真空吸着し、前記対向基板側から真空吸着治具を切らないブレードダイシングを行うことによって前記駆動基板が形成された基体を前記ＬＣＤパネル毎に分断する
    ことを特徴とする請求項５０に記載の電気光学表示装置の製造方法。
66. 前記ＬＣＤパネルの画像検査を行い、該画像検査で良品のＬＣＤパネルの駆動基板及び対向基板裏面に保護ガラスを貼り合わせた後に、前記駆動基板が形成された基体を前記ＬＣＤパネル毎に分断する
    ことを特徴とする請求項５０に記載の電気光学表示装置の製造方法。
67. 前記保護ガラスには少なくとも光入射側に反射防止膜または反射防止膜及び紫外線カット膜が形成されている
    ことを特徴とする請求項６６に記載の電気光学表示装置の製造方法。
68. 前記ＬＣＤパネルの画像検査を行い、該画像検査で良品のＬＣＤパネルの駆動基板及び対向基板に保護ガラスを貼り合わせ、保護ガラスが貼り合わせられたＬＣＤパネルの画質検査を行った後に前記駆動基板が形成された基体を前記ＬＣＤパネル毎に分断する
    ことを特徴とする請求項５０に記載の電気光学表示装置の製造方法。
69. 前記保護ガラスを貼り合せた複数のＬＣＤパネルからなる駆動基板が形成された基体を基体支持ステージに保持し、前記基体支持ステージは移動させずに画質検査機をステップアンドリピート方式で移動させ、または前記画質検査機は移動させずに前記基体支持ステージをステップアンドリピート方式で移動させ、駆動基板が形成された基体内のＬＣＤパネル毎の画質検査をする工程を備える
    ことを特徴とする請求項６８に記載の電気光学表示装置の製造方法及び製造装置。
70. 前記ＬＣＤパネルの画像検査を行い、該画像検査で良品のＬＣＤパネルの駆動基板及び対向基板に透明保護テープが貼合された保護ガラスを貼り合わせた後に前記駆動基板が形成された基体を前記ＬＣＤパネル毎に分断する
    ことを特徴とする請求項５０に記載の電気光学表示装置の製造方法。
71. 前記保護ガラスには少なくとも透明保護テープを貼合した光入射面に反射防止膜または反射防止膜及び紫外線カット膜が形成されている
    ことを特徴とする請求項７０に記載の電気光学表示装置の製造方法。
72. 基体に複数の駆動基板を形成し、各駆動基板に対応する液晶配向膜形成或いは液晶配向膜形成及び液晶配向処理する工程と、
    基体に複数の対向基板を形成し、各対向基板に対応する液晶配向膜形成或いは液晶配向膜形成及び液晶配向処理する工程と、
    前記駆動基板と前記対向基板とが所定の間隙を介して対面配置する様に、基体に形成された駆動基板に液晶注入口無しパターンのシール剤及びコモン剤を塗布し、そのシール剤で囲まれた領域内に所定量の液晶を滴下し、基体に形成された対向基板を相対して所定の間隙で重ね合わせ、或いは基体に形成された対向基板に液晶注入口無しパターンのシール剤及びコモン剤を塗布し、そのシール剤で囲まれた領域内に所定量の液晶を滴下し、基体に形成された駆動基板を相対して所定の間隙で重ね合わせ、前記対向基板が形成された基体が重ね合わせられた状態の前記駆動基板が形成された基体を真空装置内に配置し、該真空装置内を所定の真空度とした後に大気圧に戻す直前或いは直後に、少なくともシール剤硬化させてＬＣＤパネルを形成する工程と、
    少なくとも前記対向基板が形成された基体の裏面光学研磨を行う工程と、
    前記駆動基板が形成された基体及び前記対向基板が形成された基体を前記ＬＣＤパネル毎に分断する工程を備える
    ことを特徴とする電気光学表示装置の製造方法。
73. 真空吸着ステージで駆動基板が形成された基体を保持し、前記真空吸着ステージは移動させずに透明ヘッドを前記真空吸着ステージとの間で相対移動自在に移動させる電気光学表示装置の製造装置において、
    前記透明ヘッドに対向基板を真空吸着させて、駆動基板が形成された基体内の少なくとも良品の駆動基板にシール剤及びコモン剤を介して重ね合わせ、前記透明ヘッドを加圧しつつ対向基板の位置調整及び高さ調整した後に、透明ヘッドを介して少なくともシール剤を仮止め硬化する様に構成された
    ことを特徴とする電気光学表示装置の製造装置。
74. 透明ヘッドで真空吸着した前記対向基板を前記駆動基板が形成された基体内の少なくとも良品の駆動基板にシール剤及びコモン剤を介して重ね合わせた後に、
    前記透明ヘッドで真空吸着した前記各対向基板を加圧しつつ位置調整及び高さ調整を行い、その後、前記透明ヘッドを介して少なくともシール剤を仮止め硬化する様に構成された
    ことを特徴とする請求項７３に記載の電気光学表示装置の製造装置。
75. 透明ヘッドで吸着した前記対向基板を前記真空吸着ステージで固定した前記駆動基板が形成された基体内の少なくとも良品の駆動基板にシール剤及びコモン剤を介して重ね合わせて、前記透明ヘッドで加圧しつつ対向基板の位置調整及び高さ調整を行い、前記駆動基板が形成された基体及び真空吸着ステージを真空装置内に配置し、該真空装置内を所定の真空度とした後に大気圧に戻す直前或いは直後に、少なくともシール剤を仮止め硬化する様に構成された
    ことを特徴とする請求項７３に記載の電気光学表示装置の製造装置。
76. 対向基板が形成された基体を真空吸着ステージで保持された基体に形成された駆動基板にシール剤及びコモン剤を介して重ね合わせた後に位置調整及び高さ調整を行い、駆動基板内の周辺回路部及び表示部を遮光して前記真空吸着ステージを真空装置内に配置し、該真空装置内を所定の真空度とした後に大気圧に戻す直前或いは直後に、少なくともシール剤を仮止め硬化する様に構成された
    ことを特徴とする電気光学表示装置の製造装置。
77. 前記仮止め硬化の後に液晶ギャップ検査を行い、不具合の対向基板を再度加圧調整した後に、再度仮止め硬化を行い、更に駆動基板内の周辺回路部及び表示部を遮光して少なくともシール剤を完全硬化させ、その後に熱硬化併用型の場合は所定条件のベーキングで少なくともシール剤を完全硬化して空セルを形成する様に構成された
    ことを特徴とする請求項７６に記載の電気光学表示装置の製造装置。
78. 対向基板が形成された基体を真空吸着ステージで保持された基体に形成された駆動基板にシール剤及びコモン剤を介して重ね合わせた後に、位置調整及び高さ調整を行い、駆動基板内の周辺回路部及び表示部を遮光して、前記対向基板が形成された基体が重ね合わせられた状態の前記駆動基板が形成された基体を真空装置内に配置し、該真空装置内を所定の真空度とした後に大気圧に戻す直前或いは直後に、少なくともシール剤を仮止め硬化する様に構成された
    ことを特徴とする電気光学表示装置の製造装置。
79. 前記仮止め硬化の後に液晶ギャップ検査を行い、液晶ギャップ不具合の対向基板を再度加圧調整した後に、再度前記仮止め硬化を行い、その後、少なくともシール剤を完全硬化させ、その後に熱硬化併用型の場合は所定のベーキングで少なくともシール剤を完全硬化して空セルを形成する様に構成された
    ことを特徴とする請求項７８に記載の電気光学表示装置の製造装置。
80. 基体支持ステージで駆動基板が形成された基体を保持し、前記基体支持ステージは移動させずにコレットを前記基体支持ステージとの間で相対移動自在に移動させる電気光学表示装置の製造装置において、
    前記コレットで保護ガラスの周辺部または端部を保持し、駆動基板が形成された基体内の各ＬＣＤパネルの対向基板裏面及び駆動基板裏面のうち少なくとも一方に塗布した接着剤を介して位置合わせ及び重ね合わせを行い、前記基体支持ステージを真空装置内に配置し、該真空装置内を所定の真空度とした後に大気圧に戻す時の加圧で前記透明接着剤を真空脱泡し、大気圧に戻る直前または直後に仮止め硬化する様に構成された
    ことを特徴とする電気光学表示装置の製造装置。

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