KR20120022630A - 액정 장치 및 액정 장치의 제작 방법 - Google Patents

액정 장치 및 액정 장치의 제작 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20120022630A
KR20120022630A KR1020110081112A KR20110081112A KR20120022630A KR 20120022630 A KR20120022630 A KR 20120022630A KR 1020110081112 A KR1020110081112 A KR 1020110081112A KR 20110081112 A KR20110081112 A KR 20110081112A KR 20120022630 A KR20120022630 A KR 20120022630A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
liquid crystal
sealing material
electrode film
base substrate
Prior art date
Application number
KR1020110081112A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101856123B1 (ko
Inventor
요헤이 몬마
히로키 아다치
신고 에구치
사키 오바나
코지 모리야
슈지 후카이
Original Assignee
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 filed Critical 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
Publication of KR20120022630A publication Critical patent/KR20120022630A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101856123B1 publication Critical patent/KR101856123B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

외부로부터 강한 힘이 가해진 경우에도 쉽게 파괴되지 않는 액정 장치를 제공하는 것을 하나의 과제로 한다. 또한, 상기 액정 장치를 수율 좋게 제조하는 방법을 제공하는 것을 하나의 과제로 한다.
액정 재료를 개재하는 베이스 기판 및 대향 기판으로서 파괴 인성값이 1.5［㎫?m1/2］ 이상인 재료를 이용하고, 액정 오염물질의 함유량이 1×10-4 중량% 이하인 제 1 시일재가 액정 재료에 접하여 액정 재료를 끊김 없이 둘러싸는 상태로 마련되고, 제 2 시일재가 제 1 시일재를 둘러싸는 상태로 마련되고, 제 1 시일재 및 제 2 시일재에 의해 액정 재료를 개재하는 베이스 기판과 대향 기판이 1［N/㎟］ 이상의 접착 강도로 접착된 구조로 함으로써, 과제 중 하나를 해결할 수 있다. 또한, 제 1 기판 및 제 2 기판에 임시 고정 기판을 마련한 상태로 액정 장치를 제작함으로써, 과제 중 하나를 해결할 수 있다.

Description

액정 장치 및 액정 장치의 제작 방법{Liquid crystal device and manufacturing method thereof}
본 발명은 액정 장치 및 액정 장치의 제작 방법에 관한 것이다.
최근, 액정 재료에 전압을 가하여 액정 재료의 배열을 제어함으로써 광의 투과율을 조정하는 액정 장치가 개발되고 있으며, 예를 들면 액정 디스플레이, 조광 유리 등이 제품화되어 있다. 특히, 화상 표시 장치에 있어서는, 생산성, 비용, 표시 품질, 신뢰성 등의 각종 성능이 균형 있게 구비되어 있다고 하는 점에서 액정 디스플레이가 시장에서 높은 점유율을 차지하고 있다.
액정 디스플레이를 포함하는 액정 장치에 대하여 박형화 및 경량화의 요구가 매우 높아지고 있다. 예를 들어, 액정 재료를 봉입하기 위한 기판(주로 유리 기판이 이용되고 있다)을 기계적 연마나 화학적 연마 등의 기법에 의해 얇게 하는 것이 행해지고 있다.
그러나, 이와 같이 기판을 기계적 연마나 화학적 연마 등의 수법에 의해 얇게 하는 데에는 한계가 있으며, 또한 얇게 할수록 기판의 강도가 저하되고, 외부로부터의 충격에 의해 액정 장치가 쉽게 파괴된다고 하는 문제가 있다. 얇고 경량이면서 충격이나 휨 등 외부로부터 힘을 부가해도 쉽게 파괴되지 않는 액정 장치에 대해서, 예를 들어, 특허 문헌 1에 기재되어 있는 기법이 연구되고 있다.
일본국 특개 2007-43121호 공보
본 발명은 이러한 기술적 배경하에서 이루어진 것이다. 따라서, 그 목적은 외부로부터 강한 힘이 가해지는 경우에도 쉽게 파괴되지 않는 액정 장치를 제공하는 것을 하나의 과제로 한다.
또한, 상기 액정 장치를 수율 좋게 제조하는 방법을 제공하는 것을 하나의 과제로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 기판의 인성, 시일재의 불순물, 접착 강도 및 시일재의 구조에 초점을 맞추었다.
쉽게 파괴되지 않는 액정 장치를 제작하기 위해서는, 액정 재료를 개재하는 대향한 2장의 기판으로서 높은 인성을 구비한 재료를 이용하면 된다. 또한, 전술한 2장의 기판에 대해서, 이하의 문장에서는 베이스 기판, 대향 기판이라고 칭한다. 베이스 기판은 높은 인성을 구비한 기판(이하, 제 1 기판이라 칭함)을 포함하고, 액정 재료를 개재하기 위해 이용되는 한 쌍의 기판 중 1장이며, 대향 기판은 높은 인성을 구비한 기판(이하, 제 2 기판이라 칭함)을 포함하고, 액정 재료를 개재하기 위해 이용되는 한 쌍의 기판 중 1장이다.
인성이란 물질의 파괴에 저항하는 성질을 나타내며, 높은 인성을 구비한 재료일수록 큰 힘을 가해도 쉽게 파괴가 진행되지 않고, 예를 들어 기판의 일부에 생긴 작은 상처를 기점으로 쉽게 파괴가 진행되지 않는 성질을 말한다. 또한, 인성의 정도는 파괴 인성값 Kc로 나타낼 수 있다. 또한, 파괴 인성값 Kc는 JIS R1607에 정의되는 시험 방법 등으로 구할 수 있다.
충격이나 휨 등의 응력에 대한 내성을 높이기 위해서, 파괴 인성값이 1.5[㎫?m1/2] 이상인 높은 인성을 구비한 재료를 이용하면 된다. 상기의 높은 인성을 구비한 재료를 이용하면, 외부로부터의 강한 힘에 대한 액정 장치의 내성을 높일 수 있다. 예를 들어 액정 장치를 떨어뜨려 강한 충격력을 가해도 기판이 파손되는 현상을 방지할 수 있다.
그러나, 베이스 기판 및 대향 기판에 높은 인성을 구비한 재료를 이용함으로써 반도체 장치가 쉽게 파손되지 않는 만큼, 시일재와 기판의 접착 부분에 강한 힘이 가해지게 된다. 이 때문에, 시일재에는 종래 이상의 접착력이 필요하게 되며, 예를 들어 베이스 기판과 대향 기판을 1[N/㎟] 이상의 접착 강도로 접착할 필요가 있다.
또한, 시일재의 접착력은 예를 들어 시일재의 종류나 첨가제를 부가함으로써 높일 수 있다.
또한, 시일재는 베이스 기판과 대향 기판을 접착하는 기능 외에, 액정 재료를 밀봉하는 기능도 요구된다. 밀봉 기능을 하는 시일재는 액정 재료가 새어 나오지 않도록 액정 재료를 둘러싸며 마련되고, 그 결과, 액정 재료와 접하는 구성이 된다. 그 때문에, 시일재의 성분이 액정 재료에 용출하여 액정 재료를 오염시키지 않도록, 종래의 시일재는 액정 재료에 악영향을 미치는 불순물(이하, 액정 오염물질이라 칭함)이 낮게 억제되고 있다.
예를 들어, 액정 오염물질을 포함하는 시일재로는 광양이온 경화형 접착제를 그 예로 들 수 있다. 광양이온 경화형 접착제는 경화 처리에 고온의 가열이 불필요하고 경화 처리 시간이 짧다고 하는 생산면에서의 이점을 가지며, 또한 높은 접착력을 갖는다. 한편, 경화 처리에 동반하여 발생하는 양이온 성분이 액정 재료에 혼입하면 액정 재료의 배열을 흐트러뜨리는 등의 악영향이 있기 때문에, 액정 재료를 밀봉하는 시일재로의 사용에는 적합하지 않다.
이와 같이, 베이스 기판 및 대향 기판에 높은 인성을 구비한 재료를 이용하는 경우, 시일재는 기판으로의 높은 접착력과 액정 재료으로의 저오염성이라는 두 가지 요구를 충족시킬 필요가 있다. 그러나, 높은 접착력을 갖는 재료는 일반적으로 액정 오염물질을 포함하는 각종 첨가재료가 포함되어 있어, 상기 두 가지 요구를 충족시키는 것은 상당히 곤란하다.
이에, 상기 두 가지 요구를 충족시키기 위해서, 액정 오염물질을 고려하여 선정한 제 1 시일재와 액정 오염물질을 고려하지 않고 선정한 제 2 시일재에 의해, 베이스 기판과 대향 기판이 액정 재료를 개재하여 접착된 구조로 했다. 구체적으로는, 액정 오염물질의 함유량이 1×10-4 중량% 이하이며 액정 재료를 밀봉하는 기능을 하는 제 1 시일재가 액정 재료에 접하여 액정 재료를 둘러싸는 상태로 끊김 없이 마련되고, 제 1 시일재를 둘러싸는 상태로 제 2 시일재가 마련되고, 제 1 시일재 및 제 2 시일재에 의해 파괴 인성값이 1.5[㎫?m1/2] 이상인 베이스 기판과 대향 기판이 접착된 구조로 하면 된다.
이로써, 액정 오염물질이 억제된 제 1 시일재가 액정 재료와 제 2 시일재가 직접 접촉하는 것을 방지하므로, 제 2 시일재는 액정 오염물질을 고려하지 않고 다양한 재료로부터 선정할 수 있다. 또한, 제 1 시일재는 액정 오염물질이 스며 나오는 것을 억제하는 외에, 베이스 기판과 대향 기판을 접착하는 효과를 함께 가지고 있을 수도 있다.
또한, 제 1 시일재를 둘러싸는 상태로 제 2 시일재가 형성되고, 양 시일재에 의해 베이스 기판과 대향 기판을 1[N/㎟] 이상의 접착 강도로 접착할 수 있다.
이러한 구성으로 함으로써, 반도체 장치에 외부로부터 강한 힘이 가해져도 베이스 기판과 대향 기판이 떨어지는 일이 없으며, 쉽게 파괴되지 않는 액정 장치를 제공할 수 있다.
즉, 본 발명의 일 양태는 액정 재료, 액정 재료에 접하여 상기 액정 재료를 끊김 없이 둘러싸는 제 1 시일재, 제 1 시일재를 둘러싸는 제 2 시일재, 파괴 인성값이 1.5[㎫?m1/2] 이상인 베이스 기판 및 대향 기판을 갖는다. 베이스 기판과 대향 기판이 제 1 시일재와 제 2 시일재에 의해 1[N/㎟] 이상의 접착 강도로 접착되고, 베이스 기판과 대향 기판 간에 제 1 시일재에 접하여 액정 재료가 개재되며, 제 1 시일재의 액정 오염물질의 함유량이 1×10-4 중량% 이하이며, 베이스 기판은 제 1 기판, 제 1 기판 상에 구비된 소자층, 소자층 상에 구비되고 액정 재료와 접하는 제 1 배향막을 가지고, 대향 기판은 제 2 기판, 제 2 기판 상에 구비된 전극막, 전극막 상에 구비되고 액정 재료와 접하는 제 2 배향막을 가지며, 소자층의 일부와 전극막의 일부가 도전재료를 개재하여 전기적으로 접속되는 것을 특징으로 하는 액정 장치이다.
상기 본 발명의 일 양태에 따르면, 베이스 기판 상에 형성된 소자층과, 대향 기판 상에 형성된 전극막에 전압을 인가 또는 정지함으로써 액정 재료의 배열을 조정할 수 있다. 그리고, 외부로부터 강한 힘이 가해진 경우에도 쉽게 파괴되지 않으며, 높은 표시 품위를 구비한 액정 장치를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 양태는 베이스 기판이 제 1 기판과, 제 1 기판 상에 구비되며 액정 재료와 접하는 소자층을 가지고 있고, 대향 기판이 제 2 기판과, 제 2 기판 상에 구비되며 액정 재료와 접하는 전극막을 가지고 있고, 액정 재료가 블루상을 나타내는 액정 재료이며, 소자층의 일부와 전극막의 일부가 도전재료를 개재하여 전기적으로 접속되는 것을 특징으로 하는 액정 장치이다.
상기 본 발명의 일 양태에 따르면, 베이스 기판 상에 형성된 소자층과, 대향 기판 상에 형성된 전극막에 전압을 인가 또는 정지함으로써 배향막을 이용하지 않고 액정의 배열을 제어할 수 있다. 또한, 원리적으로 시야각 의존이 없고, 1msec 이하의 상당히 고속의 응답에 대응한 표시가 가능하다. 이로써, 외부로부터 강한 힘이 가해진 경우에도 쉽게 파괴되지 않으며, 고속 응답 특성 및 높은 시야각 특성을 구비한 액정 장치를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 양태는 베이스 기판이 제 1 기판, 제 1 기판 상에 마련된 제 1 전극막, 제 1 전극막 상에 마련되며 액정 재료와 접하는 제 1 배향막을 가지고, 대향 기판이 제 2 기판, 제 2 기판 상에 마련된 제 2 전극막, 제 2 전극막 상에 마련되고 액정 재료와 접하는 제 2 배향막을 가지며, 제 1 전극막의 일부와 제 2 전극막의 일부가 도전재료를 개재하여 전기적으로 접속되는 것을 특징으로 하는 액정 장치이다.
상기 본 발명의 일 양태에 따르면, 베이스 기판 상에 형성된 제 1 전극막과, 대향 기판 상에 형성된 제 2 전극막에 전압을 인가 또는 정지함으로써, 베이스 기판 상에 소자층을 마련하지 않고 액정의 배열 상태를 조정하여 액정 장치의 광투과율을 조정할 수 있다. 그리고, 외부로부터 강한 힘이 가해진 경우에도 쉽게 파괴되지 않는 구조가 단순하며 저렴한 액정 장치를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 양태는 제 1 시일재 및 제 2 시일재가 광경화형 재료인 것을 특징으로 하는 액정 장치이다.
상기 본 발명의 일 양태에 따르면, 가열 처리를 수행하지 않고 제 1 시일재 및 제 2 시일재를 경화하여 제 1 기판과 제 2 기판을 접착할 수 있다. 이로써 제 1 기판 및 제 2 기판에 대하여 열에 의한 수축이나 변형 등의 악영향이 억제된 액정 장치를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 양태는 점도가 1000cP 이하인 제 2 시일재를 둘러싸는 상태로 끊김 없이 마련된 제 3 시일재를 갖는 것을 특징으로 하는 액정 장치이다.
상기 본 발명의 일 양태에 따르면, 베이스 기판과 대향 기판을 접착시킬 때에 제 2 시일재가 기판 단면으로부터 외부로 새는 것을 방지할 수 있다. 이로써, 베이스 기판과 대향 기판의 접착에 필요한 제 2 시일재가 부족한 사태를 방지할 수 있다. 따라서, 제 1 기판과 제 2 기판이 확실하게 1[N/㎟］ 이상의 접착 강도로 접착된 신뢰성이 높은 액정 장치를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 양태는 제 1 기판의 표면에 소자층을 형성하고, 제 1 기판의 이면에 미점착 재료를 개재하여 제 1 임시 고정 기판을 마련하고, 소자층 상에 제 1 배향막을 형성하고, 제 1 배향막에 대하여 배향 처리를 수행함으로써 제 1 임시 고정 기판이 점착된 베이스 기판을 제작하는 단계과, 제 2 기판의 표면에 도전막을 형성하고, 제 2 기판의 이면에 미점착 재료를 개재하여 제 2 임시 고정 기판을 마련하고, 도전막 상에 제 2 배향막을 형성하고, 제 2 배향막에 대하여 배향 처리를 수행함으로써 제 2 임시 고정 기판이 점착된 대향 기판을 제작하는 단계를 순서 없이 수행하고, 베이스 기판 상에, 액정 재료, 액정 재료를 둘러싸는 제 1 시일재, 제 1 시일재를 둘러싸는 제 2 시일재를 마련하고, 소자층 상에 제 1 도전재료를 마련하고, 베이스 기판의 제 1 배향막 형성면에 대하여 대향 기판의 제 2 배향막 형성면을 감압 상태로 접착시키고, 제 1 시일재, 제 2 시일재 및 제 1 도전재료에 대하여 경화 처리를 수행함으로써, 제 1 시일재와 제 2 시일재에 의해 베이스 기판과 대향 기판을 접착하고, 제 1 도전재료에 의해 소자층의 일부와 전극막의 일부를 전기적으로 접속한 후에, 베이스 기판으로부터 미점착 재료 및 제 1 임시 고정 기판을 분리하는 단계와, 대향 기판으로부터 미점착 재료 및 제 2 임시 고정 기판을 분리하는 단계을 순서 없이 수행하고, 소자층의 일부에 제 2 도전재료를 개재하여 외부접속단자를 접속하는 것을 특징으로 하는 액정 장치의 제작 방법이다.
상기 본 발명의 일 양태에 따르면, 높은 표시 품위를 구비한 액정 장치를 제작할 때에 있어서, 제 1 기판에는 미점착 재료를 개재하여 제 1 임시 고정 기판이 마련되고, 제 2 기판에는 미점착 재료를 개재하여 제 2 임시 고정 기판이 마련되어 있으므로, 액정 장치 제작 시에 가해지는 힘에 의한 제 1 기판 및 제 2 기판의 변형이나 파괴를 억제할 수 있다. 또한, 제 1 기판 및 제 2 기판이 가요성을 갖고 있어도, 임시 고정 기판에 의해 변형이나 파괴가 억제되므로, 유리 기판 등을 이용하여 액정표시장치를 제작할 때에 이용하는 일반적인 제조장치를 그대로 사용할 수 있다. 따라서, 높은 표시 품위를 구비한 액정 장치를 수율 좋게 제작할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 양태는 제 1 기판의 표면에 소자층을 형성하고, 제 1 기판의 이면에 미점착 재료를 개재하여 제 1 임시 고정 기판을 마련함으로써 제 1 임시 고정 기판이 점착된 베이스 기판을 제작하는 단계와, 제 2 기판의 표면에 전극막을 형성하고, 제 2 기판의 이면에 미점착 재료를 개재하여 제 2 임시 고정 기판을 마련함으로써 제 2 임시 고정 기판이 점착된 대향 기판을 제작하는 단계를 순서 없이 수행하고, 베이스 기판 상에, 블루상을 나타내는 액정 재료, 액정 재료를 둘러싸는 제 1 시일재, 제 1 시일재를 둘러싸는 제 2 시일재를 마련하고, 소자층 상에 제 1 도전재료를 마련하고, 베이스 기판의 소자층 형성면에 대하여 대향 기판의 전극막 형성면을 감압 상태로 접착시키고, 제 1 시일재, 제 2 시일재 및 제 1 도전재료에 대하여 경화 처리를 수행함으로써, 제 1 시일재와 제 2 시일재에 의해 베이스 기판과 대향 기판을 접착하며, 제 1 도전재료에 의해 소자층의 일부와 전극막의 일부를 전기적으로 접속한 후에, 베이스 기판으로부터 미점착 재료 및 제 1 임시 고정 기판을 분리하는 단계와, 대향 기판으로부터 미점착 재료 및 제 2 임시 고정 기판을 분리하는 단계를 순서 없이 수행하고, 소자층의 일부에 제 2 도전재료를 개재하여 외부접속단자를 접속하는 것을 특징으로 하는 액정 장치의 제작 방법이다.
상기 본 발명의 일 양태에 따르면, 광시야각, 고속 응답 가능한 고성능의 액정 장치를 제작할 때에 있어서, 베이스 기판에는 미점착 재료를 개재하여 제 1 임시 고정 기판이, 대향 기판에는 미점착 재료를 개재하여 제 2 임시 고정 기판이 마련되어 있으므로, 액정 장치 제작 시에 가해지는 힘에 의한 베이스 기판 및 대향 기판의 변형이나 파괴를 억제할 수 있다. 또한, 베이스 기판 및 대향 기판에 이용한 높은 인성을 구비한 기판이 가요성을 갖고 있어도, 임시 고정 기판에 의해 변형이나 파괴가 억제되므로, 유리 기판 등을 이용하여 액정 장치를 제작할 때에 이용하는 일반적인 제조 장치를 그대로 사용할 수 있다. 따라서, 광시야각 및 고속 응답 가능한 고성능의 액정 장치를 수율 좋게 제작할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 양태는 제 1 기판의 표면에 제 1 전극막을 형성하고, 제 1 기판의 이면에 미점착 재료를 개재하여 제 1 임시 고정 기판을 마련하고, 제 1 전극막 상에 제 1 배향막을 형성하고, 제 1 배향막에 대하여 제 1 배향 처리를 수행함으로써 제 1 임시 고정 기판이 점착된 베이스 기판을 제작하는 단계와, 제 2 기판의 표면에 제 2 전극막을 형성하고, 제 2 기판의 이면에 미점착 재료를 개재하여 제 2 임시 고정 기판을 마련하고, 제 2 전극막 상에 제 2 배향막을 형성하고, 제 2 배향막에 대하여 제 2 배향 처리를 수행함으로써 제 2 임시 고정 기판이 점착된 대향 기판을 제작하는 단계를 순서 없이 수행하고, 베이스 기판 상에, 액정 재료, 액정 재료를 둘러싸는 제 1 시일재, 제 1 시일재를 둘러싸는 제 2 시일재를 마련하고, 제 1 전극 상에 제 1 도전재료를 마련하고, 베이스 기판의 제 1 배향막 형성면에 대하여 대향 기판의 제 2 배향막 형성면을 감압 상태로 접착시키고, 제 1 시일재, 제 2 시일재 및 제 1 도전재료에 대하여 경화 처리를 수행함으로써, 제 1 시일재와 제 2 시일재에 의해 베이스 기판과 대향 기판을 접착하고, 제 1 도전재료에 의해 제 1 전극막의 일부와 제 2 전극막의 일부를 전기적으로 접속한 후에, 베이스 기판으로부터 미점착 재료 및 제 1 임시 고정 기판을 분리하는 단계과, 대향 기판으로부터 미점착 재료 및 제 2 임시 고정 기판을 분리하는 단계를 순서 없이 수행하고, 소자층의 일부에 제 2 도전재료를 개재하여 외부접속단자를 접속하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제작 방법이다.
상기 본 발명의 일 양태에 따르면, 소자층이 없는 구조의 단순한 액정 장치를 제작할 때에 있어서, 베이스 기판에는 미점착 재료를 개재하여 제 1 임시 고정 기판이 마련되고, 대향 기판에는 미점착 재료를 개재하여 제 2 임시 고정 기판이 마련되어 있으므로, 액정 장치를 제작할 때에 가해지는 힘에 의한 베이스 기판 및 대향 기판의 변형이나 파괴를 억제할 수 있다. 또한, 베이스 기판 및 대향 기판에 이용한 높은 인성을 구비한 기판이 가요성을 갖고 있어도, 임시 고정 기판에 의해 변형이나 파괴가 억제되므로, 유리 기판 등을 이용하여 액정표시장치를 제작할 때에 이용하는 일반적인 제조 장치를 그대로 사용할 수 있다. 따라서, 소자층이 없는 구조의 단순한 액정 장치를 수율 좋게 제작할 수 있다.
본 명세서에 있어서 A 위에 B가 형성되어 있고, 또는 A 상에 B가 형성되어 있다고 명시적으로 기재하는 경우는, A 위에 B가 직접 접하여 형성되어 있는 것에 한정되지 않는다. 직접 접해 있지 않은 경우, 즉 A와 B의 사이에 별도의 대상물이 개재하는 경우도 포함하는 것으로 한다. 여기서, A, B는 대상물(예를 들어 장치, 소자, 회로, 배선, 전극, 단자, 막, 층 또는 기판 등)인 것으로 한다.
따라서, 예를 들어 층 A의 위 또는 층 A 상에 층 B가 형성되어 있다고 명시적으로 기재되어 있는 경우는, 층 A 위에 직접 접하여 층 B가 형성되어 있는 경우와, 층 A 위에 직접 접하여 별도의 층(예를 들어, 층 C나 층 D 등)이 형성되어 있고, 그 위에 직접 접하여 층 B가 형성되어 있는 경우를 포함하는 것으로 한다. 또한, 별도의 층(예를 들어, 층 C나 층 D 등)은 단층일 수도 있고, 복수 층일 수도 있다.
또한, 본 명세서에 있어서 이용되는 액정 장치라고 하는 용어는, 장치 중에 액정 재료가 이용되는 것 전반을 나타내고 있다. 예를 들어, 액정 디스플레이 등과 같은 화상을 표시하는 장치뿐만 아니라, 광의 투과 상태를 조정하는 액정 재료가 봉입된 유리 등도 포함되어 있다.
본 발명에 따르면, 국소적인 강한 힘이 가해져도 베이스 기판과 대향 기판이 떨어지지 않고, 또한 액정 오염물질에 의한 액정 재료로의 오염이 억제된 저렴하며 고성능인 액정 장치를 제공할 수 있다. 또한, 이러한 액정 장치의 제조 방법을 제공할 수 있다.
도 1(A) 및 도 1(B)는 실시형태에 따른 액정 장치의 상면 구조 및 단면 구조를 설명하는 도이다.
도 2(A) 내지 도 2(E)는 실시형태에 따른 액정 장치의 제작 공정을 설명하는 도이다.
도 3(A) 내지 도 3(C)는 실시형태에 따른 액정 장치의 제작 공정을 설명하는 도이다.
도 4(A) 및 도 4(B)는 실시형태에 따른 액정 장치의 제작 공정을 설명하는 도이다.
도 5(A) 및 도 5(B)는 실시형태에 따른 액정 장치의 제작 공정을 설명하는 도이다.
도 6(A) 및 도 6(B)는 실시형태에 따른 액정 장치의 상면 구조 및 단면 구조를 설명하는 도이다.
도 7(A) 내지 도 7(D)는 실시형태에 따른 액정 장치의 제작 공정을 설명하는 도이다.
도 8은 실시형태에 따른 액정 장치를 제작하는 장치를 설명하는 도이다.
도 9(A) 및 도 9(B)는 실시형태에 따른 액정 장치를 제작하는 장치를 설명하는 도이다.
도 10(A) 및 도 10(B)는 실시형태에 따른 액정 장치를 제작하는 장치를 설명하는 도이다.
도 11은 실시형태에 따른 액정 장치를 제작하는 장치를 설명하는 도이다.
실시형태에 대해서 도면을 이용하여 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은 이하의 설명에 한정되지 않으며, 본 발명의 취지 및 그 범위를 벗어나지 않는 범위에서 그 형태 및 세부 사항을 다양하게 변경할 수 있는 것은 당업자라면 용이하게 이해될 것이다. 따라서, 본 발명은 이하에 나타내는 실시형태의 기재 내용에 한정하여 해석되는 것은 아니다. 또한, 이하에 설명하는 발명의 구성에 있어서, 동일 부분 또는 동일한 기능을 갖는 부분에는 동일한 부호를 서로 다른 도면 간에 공통적으로 이용하고, 그 반복 설명은 생략한다.
(실시 형태 1)
본 실시형태에서는 개시하는 발명의 일 양태에 따른 액정 장치의 구성 및 그 제작 방법에 대해서, 도 1(A) 및 1B, 도 2(A) 내지 도 2(E), 도 3(A) 내지 도 3(C), 도 4(A) 및 도 4(B), 도 5(A) 및 도 5(B)를 이용하여 설명한다.
<액정 장치의 전체 구성 예>
개시하는 발명의 일 양태에 따른 액정 장치의 구성의 일례로서, 제 1 시일재 및 제 2 시일재에 의해 베이스 기판 및 대향 기판 사이에 액정 재료가 개재된 VA(Vertical Alignment) 구동 방식의 반사형 모노크롬 액정 장치에 대한 상면도를 도 1(A)에 나타내고, 도 1(A)의 1점 쇄선부에 있어서의 단면도를 도 1(B)에 나타낸다.
베이스 기판(100)은 파괴 인성값이 1.5[㎫?m1/2] 이상의 값을 갖고, 제 1 기판(102)의 한쪽 면에 고정용 접착제(210)를 개재하여 소자층(104) 및 제 1 배향막(106)이 순서대로 마련된 구조로 이루어진다. 베이스 기판(100)은 얇고 경량이면서 충격이나 휨 등 외부로부터 힘을 부가해도 쉽게 파괴되지 않는다.
대향 기판(110)은 파괴 인성값이 1.5[㎫?m1/2] 이상의 값을 갖고, 제 2 기판(112)의 한쪽 면에 전극막(114) 및 제 2 배향막(116)이 순서대로 마련된 구조로 이루어진다. 대향 기판(110)은 얇고 경량이면서 충격이나 휨 등 외부로부터 힘을 부가해도 쉽게 파괴되지 않는다. 또한, 대향 기판(110)에는 편광판(180)이 마련되어 있다.
제 1 시일재(120)는 액정 오염물질의 함유량이 1×10-4 중량% 이하이며, 액정 재료(140)와 접하여 액정 재료(140)를 둘러싸는 상태로 끊김 없이 형성된다. 이로써, 제 2 시일재(130)와 액정 재료(140)가 직접 접하지 않기 때문에 제 2 시일재(130) 내에 포함되는 액정 오염물질이 액정 재료(140)에 혼입하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 액정 오염물질로는, 예를 들어 금속 이온, 무기 음이온, 유기산 등의 이온성 불순물이나, 액정 장치 제작 공정에서 수행되는 경화 처리 등에 의해 이들 이온성 불순물이 발생하는 재료를 들 수 있다.
제 2 시일재(130)는 제 1 시일재(120)에 접하여 제 1 시일재(120)를 둘러싸는 상태로 형성되고, 베이스 기판(100) 및 대향 기판(110)은 제 1 시일재(120) 및 제 2 시일재(130)에 의해 1[N/㎟] 이상의 접착 강도로 접착된다. 이로써, 액정 장치에 외부로부터 힘이 부가된 경우에도, 베이스 기판(100)과 대향 기판(110)이 떨어지지 않고, 베이스 기판(100)과 대향 기판(110)을 견고하게 접착할 수 있다.
제 1 도전재료(150)는 소자층(104)의 일부 및 전극막(114)의 일부를 전기적으로 접속하도록 마련된다. 이로써, 제 1 도전재료(150)를 통해 소자층(104)으로부터 전극막(114)에 전압을 인가할 수 있으므로, 베이스 기판(100) 및 대향 기판(110)에 의해 개재된 액정 재료(140)에 전압을 인가하여 액정 재료(140)의 배열을 변화시킬 수 있다.
또한, 외부접속단자(170)는 소자층(104)의 일부에 제 2 도전재료(160)를 개재하여 전기적으로 접속되고, 외부로부터 액정 장치를 동작시키기 위해 필요한 전력을 제 2 도전재료(160)를 통해 소자층(104)에 공급하는 기능을 갖는다.
상기 구조를 형성함으로써, 외부로부터 강한 힘이 가해진 경우에도 액정 재료를 개재한 높은 인성을 구비한 2장의 기판이 쉽게 떨어지지 않고, 또한 액정 오염물질에 의한 액정 재료의 오염이 억제된 얇고 경량이면서 충격이나 휨 등 외부로부터 힘을 부가해도 쉽게 파괴되지 않는, 액정 재료의 배향을 임의로 행할 수 있는 높은 표시 품위를 구비한 액정 장치를 제공할 수 있다.
<액정 장치의 제작 방법>
이어서, 상기 액정 장치의 제작 방법의 일례에 대해서 도 2(A) 내지 도 2(E), 도 3(A) 내지 도 3(C), 도 4(A) 및 도 4(B), 도 5(A) 및 도 5(B)를 이용하여 설명한다. 또한, 본 실시의 형태에 있어서의 액정 장치의 작성 공정은 “베이스 기판 제작 공정”, “대향 기판 제작 공정”, “액정 밀봉 공정”의 3가지로 크게 나눌 수 있다. 이하에서 각 공정에 대해서 설명한다.
<베이스 기판 제작 공정>
우선, 소자층 제작 기판(200)의 한쪽 면에 박리층(202)을 개재하여 소자층(104)을 형성한다(도 2(A) 참조).
소자층 제작 기판(200)으로는 석영 기판, 사파이어 기판, 세라믹 기판이나 유리 기판, 금속 기판 등을 이용할 수 있다. 또한, 이들 기판은 가요성을 명확하게 나타내지 않는 정도로 두께가 있는 것을 사용함으로써, 정밀도 좋게 트랜지스터 등의 소자를 형성할 수 있다. 가요성을 명확하게 나타내지 않는 정도란, 통상 액정 디스플레이를 제작할 때에 사용되는 유리 기판의 탄성률에 상당하는 정도, 또는 그 보다 탄성률이 큰 것을 말한다.
박리층(202)은 스퍼터링법이나 플라즈마 CVD법, 도포법, 인쇄법 등에 의해 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 탄탈(Ta), 니오븀(Nb), 니켈(Ni), 코발트(Co), 지르코늄(Zr), 아연(Zn), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 팔라듐(Pd), 오스뮴(Os), 이리듐(Ir), 규소(Si)로부터 선택된 원소, 또는 원소를 주성분으로 하는 합금 재료, 또는 원소를 주성분으로 하는 화합물 재료로 이루어지는 층을 단층 또는 적층하여 형성한다.
박리층(202)이 단층 구조인 경우, 바람직하게는, 텅스텐층, 몰리브덴층, 또는 텅스텐과 몰리브덴의 혼합물을 포함하는 층을 형성한다. 또는, 텅스텐의 산화물 혹은 산화 질화물을 포함하는 층, 몰리브덴의 산화물 혹은 산화 질화물을 포함하는 층, 또는 텅스텐과 몰리브덴의 혼합물의 산화물 혹은 산화 질화물을 포함하는 층을 형성한다. 또한, 텅스텐과 몰리브덴의 혼합물이란, 예를 들어, 텅스텐과 몰리브덴의 합금에 상당한다.
박리층(202)이 적층 구조인 경우, 바람직하게는, 1층째에 금속층을 형성하고, 2층째에 금속 산화물층을 형성한다. 대표적으로는 1층째에 텅스텐층, 몰리브덴층, 또는 텅스텐과 몰리브덴의 혼합물을 포함하는 층을 형성하고, 2층째에 텅스텐, 몰리브덴, 또는 텅스텐과 몰리브덴의 혼합물의 산화물층, 질화물층, 산화 질화물층 또는 질화 산화물층을 형성하면 된다. 2층째의 금속 산화물층의 형성은 1층째의 금속층 상에 산화물층(예를 들어, 산화 실리콘 등의 절연층으로서 이용 가능한 것)을 형성함으로써 금속층 표면에 해당 금속의 산화물이 형성되는 것을 이용해도 좋다.
소자층 제작 기판(200)의 한쪽 면에 박리층(202)을 마련하기 전에, 소자층 제작 기판(200)에 대하여 유체 제트 세정, 초음파 세정, 플라즈마 세정, UV 세정, 오존 세정 등을 행하여 소자층 제작 기판(200)에 부착된 먼지나 유기성분을 제거하는 것이 바람직하다.
소자층(104)은 액정 장치가 패시브 매트릭스형인 경우, 적어도 화소 전극을 갖고 있다. 또한, 액정 장치가 액티브 매트릭스형인 경우, 적어도 배선, 화소 전극, 트랜지스터(스위칭 소자를 포함함)를 갖고 있다. 본 실시의 형태에서는 VA 구동 방식에 대해서 설명하고 있으므로, 액정의 배향을 제어하는 전극은 소자층(104) 내에 형성되는 화소 전극과 대향 기판에 형성되는 화소 전극(본 명세서에서는 전극막이라고 기재되어 있다)이라는 2장의 서로 마주본 한 쌍의 전극에 의해 발생하는 세로방향의 전계로 제어하지만, 소자층(104) 내에 쌍이 되는 전극을 형성하고 가로방향의 전계로 제어할 수도 있다. 또한, 액정 동작 모드나 광(화상) 취출 방향 등의 제약 상황에 따라 컬러 필터, 블랙 매트릭스, 스페이서 재료(베이스 기판(100)과 대향 기판(110)을 접착시킨 때에, 베이스 기판(100)과 대향 기판(110)의 사이에 액정 재료(140)를 마련하기 위한 스페이스를 확보하기 위한 재료) 등 소자 기판으로서 필요한 요소가 포함된다. 또한, 소자층(104)을 형성하는 공정에는 특별한 유의점은 없으며 공지의 기술을 이용하여 적당히 제작하면 된다.
이어서, 박리용 접착제(206)를 이용하여 소자층(104)에 임시 지지 기판(208)을 접착한 상태로 소자층(104)을 소자층 제작 기판(200)의 박리층(202)으로부터 박리하고, 소자층(104)을 임시 지지 기판 측에 전치한다(도 2(B) 참조). 이로써 소자층(104)은 임시 지지 기판(208) 측에 마련된다. 또한, 본 명세서에 있어서, 소자층 제작 기판(200)으로부터 임시 지지 기판(208)에 소자층을 전치하는 공정을 전치 공정(transfer process)이라고 한다.
박리용 접착제(206)는 물이나 용매에 가용인 성질을 갖는 것이나, 자외선 등의 조사에 의해 접착력을 저하시키는 것이 가능한 재료를 이용한다. 이로써, 후 공정에 있어서 임시 지지 기판(208) 및 소자층(104)으로부터 박리용 접착제(206)를 제거할 수 있다. 또한, 박리용 접착제(206)는 스핀 코터, 슬릿 코터, 그라비어 코터, 롤 코터 등의 각종 코팅 장치나, 플렉소 인쇄장치, 오프셋 인쇄장치, 그라비어 인쇄장치, 스크린 인쇄장치, 잉크젯 장치 등의 각종 인쇄장치를 이용하여 얇고 균일한 막 두께로 마련하는 것이 바람직하다.
임시 지지 기판(208)은 UV 박리형 테이프, 열 박리형 테이프 등과 같은, 표면의 점착성을 임의로 저하할 수 있는 테이프를 이용할 수 있다. 또한, 유리 기판, 석영 기판, 사파이어 기판, 세라믹 기판, 금속 기판, 플라스틱 기판 등을 이용할 수도 있다. 또한, 표면의 점착성을 임의로 저하할 수 있는 테이프를 이용하는 경우는, 박리용 접착제(206)는 반드시 필요하지 않으며, 전치 작업에 지장을 초래하지 않는다면 박리용 접착제(206)는 이용하지 않아도 좋다. 또한, 임시 지지 기판(208)으로서 플라스틱 기판을 이용하는 경우는, 이후의 처리 온도에 견딜 수 있는 내열성을 갖는 것을 이용하는 것이 바람직하다.
또한, 임시 지지 기판(208)을 소자층 제작 기판(200)에 접착시키는 방법에는 특별히 한정은 없으나, 임시 지지 기판(208)으로서 각종 테이프와 같은 가요성을 갖는 재료를 이용하는 경우는, 예를 들어, 롤러를 이용하여 접착시키는 것이 가능한 장치(롤 라미네이터라고도 칭함) 등을 이용하면 된다. 이로써, 소자층 제작 기판(200)과 임시 지지 기판(208)의 사이에 기포 등이 혼입하지 않고 안정된 접착을 행할 수 있다.
소자층 제작 기판(200)에서 임시 지지 기판(208)으로 소자층(104)을 전치하는 공정은 다양한 방법을 적당히 이용할 수 있다. 예를 들어, 박리층(202)으로 금속 산화막을 포함하는 층을 형성한 경우는, 해당 금속 산화막을 결정화시킴으로써 취약하게 만들어 소자층(104)을 소자층 제작 기판(200)으로부터 박리할 수 있다. 또한, 소자층 제작 기판(200)과 소자층(104) 사이에 박리층(202)으로서 수소를 포함하는 비정질 규소막을 형성한 경우는, 레이저광의 조사 또는 에칭에 의해 해당 수소를 포함하는 비정질 규소막을 제거하여 소자층(104)을 소자층 제작 기판(200)으로부터 박리할 수 있다. 또한, 박리층(202)으로서 질소, 산소나 수소 등을 포함하는 막(예를 들어, 수소를 포함하는 비정질 규소막, 수소 함유 합금막, 산소 함유 합금막 등)을 이용한 경우에는, 박리층(202)에 레이저광을 조사하여 박리층(202) 내에 함유하는 질소, 산소나 수소를 가스로서 방출시켜 소자층(104)과 소자층 제작 기판(200)의 분리를 촉진할 수 있다. 또한, 박리층(202)을 용액이나 NF3, BrF3, ClF3 등의 플루오르화 할로겐 가스에 의한 에칭으로 제거하는 방법 등도 이용할 수 있다.
상기 방법 이외에도, 소자층 제작 기판(200)의 소자층(104)이 형성되어 있지 않은 면에 대하여 기계적으로 연삭 처리, 연마 처리를 수행하여 소자층 제작 기판(200)을 제거하는 방법도 있다. 이 경우는, 박리층(202)을 반드시 마련할 필요는 없다.
상기 박리 방법을 복수 조합함으로써 보다 용이하게 박리 공정을 수행할 수 있다. 레이저광의 조사, 가스나 용액 등에 의한 박리층으로의 에칭, 날카로운 나이프나 메스 등에 의한 기계적인 제거를 부분적으로 수행하여 박리층과 소자층을 박리하기 쉬운 상태로 하고 나서, 물리적인 힘에 의해 박리를 수행하는 공정 등이 이에 해당된다. 박리층(202)을 금속과 금속 산화물의 적층 구조에 의해 형성한 경우, 레이저광의 조사에 의해 형성되는 홈이나 날카로운 나이프나 메스 등에 의한 상처 등을 기점으로 하여 박리층으로부터 물리적으로 떼어내는 것이 용이하게 된다.
또한, 물리적인 수단에 의해 박리를 행하는 경우에는, 물 등의 액체를 부으면서 박리를 행할 수도 있다. 이로써, 박리 작업에 의해 발생하는 정전기가 소자층(104)에게 주는 악영향(예를 들어, 반도체 소자가 정전기에 의해 파괴됨)을 억제할 수 있다.
전치 공정에 있어서, 소자층 제작 기판(200)을 고정한 상태로 소자층(104)을 박리층(202)으로부터 박리함으로써, 소자층(104)에 국소적인 힘이 가해지는 것을 방지하여 깨끗하게 박리할 수 있다. 소자층 제작 기판(200)을 고정하는 방법으로는, 예를 들어, 접착 재료(또는 점착 재료)를 이용하여 안정된 베이스에 고정하는 방법, 진공척에 의해 고정하는 방법 등이 있으나, 소자층 제작 기판(200)을 떼어내는 수고나 재이용을 고려하면, 진공척에 의해 고정하는 것이 바람직하다. 특히, 표면이 다공질형으로 되어 있는 진공척(포러스 척이라고도 함)을 이용함으로써 소자층 제작 기판(200)의 전면을 균일한 힘으로 고정할 수 있기 때문에, 보다 바람직하다.
또한, 소자층(104) 상에 박리용 접착제(206)를 마련하기 전에, 소자층(104)에 대하여 유체 제트 세정, 초음파 세정, 플라즈마 세정, UV 세정, 오존 세정 등을 행하여 소자층(104) 표면에 부착된 먼지나 유기 성분을 제거하는 것이 바람직하다.
이어서, 소자층(104)에 고정용 접착제(210)를 개재하여 제 1 기판(102)을 접착한다(도 2(C) 참조.).
고정용 접착제(210)의 재료로는 자외선 경화형 접착제 등 광경화형 접착제, 반응 경화형 접착제, 열 경화형 접착제, 또는 혐기형 접착제 등 각종 경화형 접착제를 이용할 수 있다.
고정용 접착제(210)는 스핀 코터, 슬릿 코터, 그라비어 코터, 롤 코터 등의 각종 코팅 장치나, 플렉소 인쇄장치, 오프셋 인쇄장치, 그라비어 인쇄장치, 스크린 인쇄장치, 잉크젯 장치 등의 각종 인쇄장치를 이용하여 얇고 균일한 막 두께로 마련하는 것이 바람직하다.
제 1 기판(102)으로서는 높은 인성을 구비한 각종 기판을 이용한다. 예를 들어, 유기 수지 기판, 유기 수지 박막, 금속 기판, 금속 박막 등을 이용한다. 이로써, 얇고 경량이면서 충격이나 휨 등 외부로부터 힘을 부가해도 쉽게 파괴되지 않는 베이스 기판을 제작할 수 있다.
상기 유기 수지 기판이나 유기 수지 박막으로는, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지(PET), 폴리에테르술폰 수지(PES), 폴리에틸렌 나프탈레이트 수지(PEN), 폴리비닐 알코올 수지(PVA), 폴리카보네이트 수지(PC), 나일론 수지, 아크릴 수지, 폴리아크릴니트릴 수지, 폴리에테르에테르케톤 수지(PEEK), 폴리스티렌 수지(PS), 폴리술폰 수지(PSF), 폴리에테르이미드 수지(PEI), 폴리아릴레이트 수지(PAR), 폴리부틸렌테레프탈레이트 수지(PBT), 폴리이미드 수지(PI), 폴리아미드 수지(PA), 폴리아미드이미드 수지(PAI), 폴리이소부틸렌 수지(PIB), 염소화 폴리에테르 수지(CP), 멜라민 수지(MF), 에폭시 수지(EP), 폴리염화비닐리덴 수지(PVDC) 폴리프로필렌 수지(PP), 폴리아세탈 수지(POM), 페놀 수지(PF), 푸란 수지(FF), 불포화 폴리에스테르 수지(FRP), 초산셀룰로오스 수지(CA), 요소 수지(UF), 크실렌 수지(XR), 디알릴프탈레이트 수지(DAP), 폴리초산비닐 수지(PVAc), 폴리에틸렌 수지(PE), 불소 수지, ABS 수지 중 적어도 한 종류 이상을 구성 성분으로 포함하는 기판 및 박막을 이용할 수 있다.
상기 금속 기판이나 금속 박막으로는, 예를 들어, 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 탄탈(Ta), 베릴륨(Be), 지르코늄(Zr), 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 아연(Zn), 철(Fe), 납(Pb), 주석(Sn), 또는 이들의 합금으로 이루어지는 기판이나 박막을 이용할 수 있다.
제 1 기판(102)의 재료를 선정함에 있어서, 백라이트 등을 광원으로 하여 표시를 행하는 투과형 혹은 반투과형 액정 장치에서는 가시광에 대한 투과율이 높은 유기 수지 기판을 제 1 기판(102)으로서 이용하는 것이 바람직하며, 특히 열팽창 계수가 20ppm/℃ 이하이고 리타데이션(복굴절 위상차)이 없는 기판이 바람직하다. 또한, 외광의 반사에 의해 표시를 행하는 반사형 액정 장치에서는 가시광에 대한 반사율이 높은 상기 금속 기판을 제 1 기판(102)으로서 이용하는 것이 바람직하며, 특히 열팽창 계수가 20ppm/℃ 이하인 기판이 바람직하다.
또한, 본 실시형태에서는 제 1 기판(102)은 단층 구조이지만, 제 1 기판(102)의 표면이나 이면에 보호막을 형성해도 좋다. 보호막으로는, 예를 들어, 산화 규소(SiO2), 질화 규소(SiN), 산화 질화 규소(SiON), 질화 산화 규소(SiNO) 등의 무기 박막이나, 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg) 등의 금속막 및 그들 금속의 산화막 등을 이용할 수 있고, 특히 수증기 투과성, 가스 투과성, 자외선 투과성이 낮은 막을 이용하는 것이 바람직하다.
이들 보호막을 형성하는 방법으로는, 예를 들어, 스퍼터링법이나 플라즈마 CVD법에 의해 마련하는 것이 바람직하다.
또한, 보호막으로서 내용제성을 구비한 수지 등을 이용해도 좋다. 보호막의 성분은 기판 세정에 이용하는 약액이나 배향막 내에 포함되는 용제의 종류에 따라 적당히 선택하면 되고, 예를 들어, 염화비닐 수지(PVC), 폴리비닐 알코올(PVA), 폴리이소부틸렌 수지(PIB), 아크릴(메타크릴) 수지(PMMA), 초산셀룰로오스 수지(CA), 요소 수지(UF), 크실렌 수지(XR), 디알릴프탈레이트 수지(DAP), 폴리초산비닐 수지(PVAc), 폴리에틸렌 수지(PE), 폴리아미드(나일론) 수지(PA), 폴리카보네이트 수지(PC), 염소화 폴리에테르 수지(CP), 멜라민 수지(MF), 에폭시 수지(EP), 염화비닐리덴 수지(PVDC), 폴리스틸렌(PS), 폴리프로필렌 수지(PP), 폴리아세탈 수지(POM), 페놀 수지(PF), 푸란 수지(FF), 불포화 폴리에스테르 수지(FRP), 불소 수지, ABS 수지 등으로부터 적당히 선택하면 된다. 이로써, 기판 세정시에 이용하는 약액이나 배향막 내에 포함되는 용제 등에 의해 제 1 기판의 변질을 방지할 수 있다.
이들 보호막을 형성하는 방법으로는, 예를 들어, 스핀 코터, 슬릿 코터, 그라비어 코터, 롤 코터 등의 각종 코팅 장치나, 플렉소 인쇄장치, 오프셋 인쇄장치, 그라비어 인쇄장치, 스크린 인쇄장치, 잉크젯 장치 등의 각종 인쇄장치를 이용하여 얇고 균일한 막 두께로 마련하는 것이 바람직하다.
또한, 제 1 기판(102)을 소자층(104)에 접착하기 전에, 제 1 기판(102)에 대하여 유체 제트 세정, 초음파 세정, 플라즈마 세정, UV 세정, 오존 세정 등을 행하여 제 1 기판(102)에 부착된 먼지나 유기성분을 제거하는 것이 바람직하다.
또한, 제 1 기판(102)에 대하여 가열 처리를 수행해도 좋다. 가열 처리를 수행함으로써 제 1 기판에 부착된 수분이나 불순물을 제거할 수 있다. 또한, 감압 상태로 가열 처리를 수행함으로써, 보다 효율적으로 수분이나 불순물을 제거할 수 있다. 가열 처리를 수행하는 경우는, 제 1 기판(102)에는 가열 처리의 온도를 견딜 수 있을 만큼의 내열 온도를 갖는 기판을 이용하는 것이 바람직하다.
또한, 상기의 각종 세정 방법 및 가열 처리에 대해서는 어느 하나를 수행할 수도 있고, 복수를 조합시켜 수행할 수도 있다. 예를 들어, 유체 제트 세정을 행하여 제 1 기판(102)에 부착된 먼지를 제거한 후에 오존 세정을 행하여 유기 성분을 제거하고, 마지막에 가열 처리를 수행하여 유체 세정 시에 제 1 기판(102)에 부착된 수분이나 내부에 흡수된 수분을 제거함으로써 제 1 기판(102)의 먼지, 유기 성분, 수분을 효과적으로 제거할 수 있다.
이어서, 소자층(104)으로부터 임시 지지 기판(208)을 분리한다. 박리용 접착제(206)는 필요한 때에 임시 지지 기판(208)과 소자층(104)을 분리하는 것이 가능한 재료로 형성되어 있으므로, 해당 재료에 맞는 방법에 의해 임시 지지 기판(208)을 분리하면 된다. 또한, 제 1 기판(102)은 높은 인성을 구비하고 있기 때문에, 외부로부터 힘이 가해짐으로써 변형될 만큼의 가요성을 갖고 있다. 이 때문에, 분리 작업 시 또는 후 공정에서 제 1 기판(102)에 힘이 가해져 변형이나 파괴가 발생하지 않도록, 제 1 기판(102)에 대하여 미점착 재료(212)를 개재하여 제 1 임시 고정 기판(214)을 접착한 상태로 소자층(104)으로부터 임시 지지 기판(208)을 분리한다. 이로써, 제 1 기판(102)에 대하여 외부로부터 힘이 가해진 경우에도 제 1 임시 고정 기판(214)이 제 1 기판(102)의 변형을 억제하므로, 제 1 기판(102)에 변형이나 파괴가 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 베이스 기판(100)에 이용한 높은 인성을 구비한 제 1 기판(102)이 가요성을 갖고 있어도, 제 1 임시 고정 기판(214)에 의해 변형이나 파괴가 억제되므로, 유리 기판 등을 이용하여 액정표시장치를 제작할 때에 이용하는 일반적인 제조 장치를 그대로 사용할 수 있다(도 2(D) 참조).
상기 미점착 재료(212)로서는, 예를 들어, 광 조사, 가열 등의 처리에 의해 표면의 점착성을 저하할 수 있는 재료(예를 들어, UV 박리 테이프나 열 박리 테이프 등)나, 점착성 저하 처리를 수행하지 않고서도 제 1 기판(102)을 떼어낼 수 있는 표면에 약한 점착성을 갖는 재료(예를 들어, 미점착 시트, 실리콘 시트, 고무 시트 등)를 이용하면 된다.
상기 제 1 임시 고정 기판(214)으로서는, 예를 들어, 석영 기판, 사파이어 기판, 세라믹 기판이나, 유리 기판, 금속 기판 등을 이용할 수 있다. 또한, 이들 기판은 가요성을 명확하게 나타내지 않는 정도로 두께가 있는 것을 사용하는 것이 바람직하다. 후 공정에서 제 1 시일재(120), 제 2 시일재(130), 제 1 도전재료(150)에 대하여 경화 처리를 수행하지만, 이들 재료에 광경화성 재료를 이용하는 경우는, 제 1 임시 고정 기판(214)으로서는 투광성을 갖는 기판을 이용하는 것이 바람직하다.
또한, 미점착 재료(212)와 제 1 임시 고정 기판(214)은 미점착 재료(212)의 점착성을 이용하여 접착시킬 수도 있고, 접착제 등에 의해 접착시킬 수도 있다.
또한, 본 실시형태에서는 전치 공정에 의해 제 1 기판(102)에 고정용 접착제(210)를 개재하여 소자층(104)이 마련된 구조가 되지만, 고정용 접착제(210)는 반드시 필요한 것은 아니다. 예를 들어, 배선, 공통 전극 또는 화소 전극은 잉크젯 장치나 디스펜서 장치를 이용하여 미세한 금속 입자를 포함하는 잉크를 기판상에 토출하여 패턴을 형성한 후에 가열 등의 경화 처리를 수행함으로써 형성할 수 있고, 층간 절연막에 대해서도 폴리이미드 등의 절연성이 높은 유기 재료를 잉크젯 장치, 디스펜서 장치 또는 스핀 코트 장치를 이용하여 마련한 후에 가열 등의 경화 처리를 수행함으로써 형성할 수 있다. 마찬가지로, 블랙 매트릭스나 컬러 필터에 대해서도 잉크젯 장치나 디스펜서 장치를 이용하여 형성할 수 있다. 이와 같이, 잉크젯 장치, 디스펜서 장치 또는 스핀 코트 장치와 같은 웨트 프로세스로 막을 형성하는 장치를 이용함으로써, 제 1 기판(102) 상에 직접 접하여 소자층(104)을 형성하는 것도 가능하다.
본 실시형태에서 이용한 도면에는 제 1 기판(102)과 소자층(104) 사이에 고정용 접착제(210)가 형성되어 있으나, 상기와 같은 웨트 프로세스로 소자층(104)을 형성한 경우는 고정용 접착제(210)를 마련할 필요는 없다.
또한, 웨트 프로세스에 의해 제 1 기판(102)에 직접 소자층(104)을 형성한 경우는, 제 1 기판(102)에 마련한 각종 재료에 대하여 가열 등의 경화 처리를 수행할 필요가 있다. 이 때문에, 제 1 기판(102)은, 이들 열처리를 수행할 수 있을 만큼의 내열성을 갖는 기판을 이용하는 것이 바람직하다.
이어서, 소자층(104) 상에 제 1 배향막(106)을 마련하고, 제 1 배향막(106)에 대하여 러빙 처리를 수행한다. 이로써, 제 1 기판(102)에 소자층(104) 및 제 1 배향막(106)이 순서대로 마련된 베이스 기판(100)이 완성된다(도 2(E) 참조).
소자층(104) 상에 제 1 배향막(106)을 마련하는 방법으로는, 예를 들어, 스핀 코터, 슬릿 코터, 그라비어 코터, 롤 코터 등의 각종 코팅 장치나, 플렉소 인쇄장치, 오프셋 인쇄장치, 그라비어 인쇄장치, 스크린 인쇄장치, 잉크젯 장치 등의 각종 인쇄장치를 이용하면 된다.
러빙 처리에 이용하는 러빙 처리 부재(218)는 통상적으로 러빙 처리 장치에 설치된 상태로 이용된다. 러빙 처리 부재(218)는, 예를 들어, 레이온 섬유, 코튼 섬유, 나일론 섬유 등을 주재료로 하는 섬유가 표면(제 1 배향막과 접촉하는 면)에 마련되어 있는 롤러 등을 이용한다. 러빙 처리 부재(218)를 이용하여 배향막을 문지름으로써 배향막에 배향 성능을 부가할 수 있다.
또한, 러빙 처리를 수행한 후에, 제 1 배향막에 대하여 스페이서 재료(베이스 기판(100)과 대향 기판(110)을 접착시킨 때에, 베이스 기판(100)과 대향 기판(110) 사이에 액정 재료(140)를 마련하기 위한 간격, 이른바 갭을 확보하는 재료를) 필요에 따라 마련해도 좋다.
<대향 기판 제작 공정>
우선, 제 2 기판(112)을 준비하고, 제 2 기판(112)의 한쪽 면에 전극막(114)을 마련한다(도 3(A) 참조.).
또한, 본 실시형태는 반사형 모노크롬 액정 장치에 대해서 설명하고 있으므로 컬러 필터를 마련하고 있지 않지만, 컬러 액정 장치에서는 제 2 기판(112)과 전극막(114) 사이에 컬러 필터를 설치해도 좋다.
또한, 본 실시형태에서는 액정 장치의 구동 방식이 VA(Vertical Alignment) 방식인 설명이므로 전극막(114)을 마련하고 있으나, 가로 전계 방식과 같이 대향 기판 측의 전극막을 필요로 하지 않는 구동 방식인 경우, 전극막(114)은 반드시 필요한 것은 아니다.
제 2 기판(112)으로는 높은 인성을 구비한 각종 기판을 이용한다. 예를 들어, 유기 수지 기판 및 유기 수지 박막 등을 이용한다. 이로써, 얇고 경량이면서 충격이나 휨 등 외부로부터 힘을 부가해도 쉽게 파괴되지 않는 베이스 기판을 제작할 수 있다.
상기 유기 수지 기판 및 유기 수지 박막에는, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지(PET), 폴리에테르술폰 수지(PES), 폴리에틸렌 나프탈레이트 수지(PEN), 폴리비닐 알코올 수지(PVA), 폴리카보네이트 수지(PC), 나일론 수지, 아크릴 수지, 폴리아크릴니트릴 수지, 폴리에테르에테르케톤 수지(PEEK), 폴리스티렌 수지(PS), 폴리술폰 수지(PSF), 폴리에테르이미드 수지(PEI), 폴리아릴레이트 수지(PAR), 폴리부틸렌테레프탈레이트 수지(PBT), 폴리이미드 수지(PI), 폴리아미드 수지(PA), 폴리아미드이미드 수지(PAI), 폴리이소부틸렌 수지(PIB), 염소화 폴리에테르 수지(CP), 멜라민 수지(MF), 에폭시 수지(EP), 폴리염화비닐리덴 수지(PVDC) 폴리프로필렌 수지(PP), 폴리아세탈 수지(POM), 페놀 수지(PF), 푸란 수지(FF), 불포화 폴리에스테르 수지(FRP), 초산셀룰로오스 수지(CA), 요소 수지(UF), 크실렌 수지(XR), 디알릴프탈레이트 수지(DAP), 폴리초산비닐 수지(PVAc), 폴리에틸렌 수지(PE), 불소 수지, ABS 수지 중 적어도 한 종류 이상을 구성 성분으로 포함하는 기판 및 박막을 이용할 수 있다.
제 2 기판(112)의 재료를 선정함에 있어서, 백라이트 등을 광원으로 하여 표시를 행하는 투과형 혹은 반투과형 액정 장치에서는 열팽창 계수가 20ppm/℃ 이하이며 리타데이션(복굴절 위상차)이 없고, 내용제성이 높은 기판이 바람직하다. 또한, 외광의 반사에 의해 표시를 행하는 반사형 액정 장치에 있어서도, 동일한 성질을 갖는 기판이 바람직하다.
본 실시형태에서는 제 2 기판(112)은 단층 구조이지만, 제 2 기판(112)의 표면이나 이면에 보호막을 형성해도 좋다. 보호막으로는, 예를 들어, 산화 규소(SiO2), 질화 규소(SiN), 산화 질화 규소(SiON), 질화 산화 규소(SiNO) 등의 무기 박막이나, 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg) 등의 금속막이나, 이들 금속의 산화막 등을 이용할 수 있고, 특히 수증기 투과성, 가스 투과성, 자외선 투과성이 낮은 막을 이용하는 것이 바람직하다.
이들 보호막을 형성하는 방법으로는, 예를 들어, 스퍼터링법이나 플라즈마 CVD법에 의해 마련하는 것이 바람직하다.
또한, 보호막으로서 내용제성을 구비한 수지 등을 이용해도 좋다. 보호막의 성분은 기판 세정에 이용하는 약액이나 배향막 내에 포함되는 용제의 종류에 따라 적당히 선택하면 되고, 예를 들어, 염화비닐 수지(PVC), 폴리비닐 알코올(PVA), 폴리이소부틸렌 수지(PIB), 아크릴(메타크릴) 수지(PMMA), 초산셀룰로오스 수지(CA), 요소 수지(UF), 크실렌 수지(XR), 디알릴프탈레이트 수지(DAP), 폴리초산비닐 수지(PVAc), 폴리에틸렌 수지(PE), 폴리아미드(나일론) 수지(PA), 폴리카보네이트 수지(PC), 염소화 폴리에테르 수지(CP), 멜라민 수지(MF), 에폭시 수지(EP), 염화비닐리덴 수지(PVDC), 폴리스틸렌(PS), 폴리프로필렌 수지(PP), 폴리아세탈 수지(POM), 페놀 수지(PF), 푸란 수지(FF), 불포화 폴리에스테르 수지(FRP), 불소 수지, ABS 수지 등으로부터 적당히 선택하면 된다. 이로써, 기판 세정 시에 이용하는 약액이나 배향막 내에 포함되는 용제 등에 의해 제 2 기판의 변질을 방지할 수 있다.
이들 보호막을 형성하는 방법으로는, 예를 들어, 스핀 코터, 슬릿 코터, 그라비어 코터, 롤 코터 등의 각종 코팅 장치나, 플렉소 인쇄장치, 오프셋 인쇄장치, 그라비어 인쇄장치, 스크린 인쇄장치, 잉크젯 장치 등의 각종 인쇄장치를 이용하여 얇고 균일한 막 두께로 마련하는 것이 바람직하다.
또한, 제 2 기판(112)에 전극막(114)을 마련하기 전에, 제 2 기판(112)에 대하여 유체 제트 세정, 초음파 세정, 플라즈마 세정, UV 세정, 오존 세정 등을 행하여 제 2 기판(112)에 부착된 먼지나 유기성분을 제거하는 것이 바람직하다.
또한, 제 2 기판(112)에 대하여 가열 처리를 수행해도 좋다. 가열 처리를 수행함으로써 제 2 기판에 부착된 수분이나 불순물을 제거할 수 있다. 또한, 감압 상태로 가열 처리를 수행함으로써 보다 효율적으로 수분이나 불순물을 제거할 수 있다. 가열 처리를 수행하는 경우는, 제 2 기판(112)에는 가열 처리의 온도에 견딜 수 있을 만큼의 내열 온도를 갖는 기판을 이용하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 각종 세정 방법 및 가열 처리에 대해서는, 어느 하나를 수행할 수도 있고, 복수를 조합시켜 수행할 수도 있다. 예를 들어, 유체 제트 세정을 행하여 제 2 기판(112)에 부착된 먼지를 제거한 후에 오존 세정을 행하여 유기 성분을 제거하고, 마지막에 가열 처리를 수행하여 유체 세정 시에 제 2 기판(112)에 부착된 수분이나 내부에 흡수된 수분을 제거함으로써 제 2 기판(112)의 먼지, 유기 성분, 수분을 효과적으로 제거할 수 있다.
전극막(114)은 스퍼터링법, 플라즈마 CVD법, 도포법, 인쇄법 등에 의해, 산화 텅스텐을 포함하는 인듐 산화물, 산화 텅스텐을 포함하는 인듐 아연 산화물, 산화 티타늄을 포함하는 인듐 산화물, 산화 티타늄을 포함하는 인듐 주석 산화물, 인듐 주석 산화물(이하, ITO로 나타낸다), 인듐 아연 산화물, 산화 규소를 첨가한 인듐 주석 산화물 등의 투광성을 갖는 도전재료를 주성분으로 하는 층을 단층 또는 적층으로 형성한 막을 이용할 수 있다.
이어서, 베이스 기판 제작 공정과 마찬가지로, 제 2 기판(112)에 대하여 미점착 재료(212)를 개재하여 제 2 임시 고정 기판(216)을 붙인다(도 3(B) 참조). 이로써, 제 2 기판(112)에 대하여 외부로부터 힘이 가해진 경우에도, 제 2 임시 고정 기판(216)이 제 2 기판(112)의 변형을 억제하므로, 제 2 기판(112)에 변형이나 파괴가 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 높은 인성을 구비한 제 2 기판(112)이 가요성을 갖고 있어도, 제 2 임시 고정 기판(216)에 의해 변형이나 파괴가 억제되므로, 유리 기판 등을 이용하여 액정표시장치를 제작할 때에 이용하는 일반적인 제조 장치를 그대로 사용할 수 있다.
상기 미점착 재료(212)로서는, 예를 들어, 광 조사, 가열 등의 처리에 의해 표면의 점착성을 저하할 수 있는 재료(예를 들어, UV 박리 테이프나 열 박리 테이프 등)나, 점착성 저하 처리를 수행하지 않고서도 제 2 기판(112)을 떼어낼 수 있는 약한 점착성을 갖는 재료(예를 들어, 미점착 시트나 실리콘 시트 등)를 이용하면 된다.
상기 제 2 임시 고정 기판(216)으로는, 예를 들어, 석영 기판, 사파이어 기판, 세라믹 기판이나, 유리 기판, 금속 기판 등을 이용할 수 있다. 또한, 이들 기판은 가요성을 명확하게 나타내지 않는 정도로 두께가 있는 것을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 후 공정에서 제 1 시일재(120), 제 2 시일재(130), 제 1 도전재료(150)에 대하여 경화 처리를 수행하지만, 이들 재료에 광경화성 재료를 이용하는 경우는, 제 2 임시 고정 기판(216)으로서는 투광성을 갖는 기판을 이용하는 것이 바람직하다.
또한, 미점착 재료(212)와 제 2 임시 고정 기판(216)은 미점착 재료(212)의 점착성을 이용하여 접착시킬 수도 있고, 접착제 등에 의해 접착시킬 수도 있다.
이어서, 전극막(114) 상에 제 2 배향막(116)을 마련하고, 러빙 처리 부재(218)로 제 2 배향막(116)에 대하여 러빙 처리를 수행한다. 이로써, 제 2 기판(112)에 전극막(114) 및 제 2 배향막(116)이 순서대로 마련된 대향 기판(110)이 완성된다(도 3(C) 참조).
전극막(114) 상에 제 2 배향막(116)을 마련하는 방법으로는, 예를 들어, 스핀 코터, 슬릿 코터, 그라비어 코터, 롤 코터 등의 각종 코팅 장치나, 플렉소 인쇄장치, 오프셋 인쇄장치, 그라비어 인쇄장치, 스크린 인쇄장치, 잉크젯 장치 등의 각종 인쇄장치를 이용하면 된다.
제 2 배향막(116)으로는, 예를 들어, 폴리이미드(PI), 폴리비닐 알코올(PVA), 폴리비닐신나메이트(PVCi) 등의 절연 유기 재료를 이용하면 된다.
러빙 처리에 이용하는 러빙 처리 부재(218)는, 예를 들어, 레이온 섬유, 코튼 섬유, 나일론 섬유 등을 주재료로 하는 섬유가 표면(제 1 배향막과 접촉하는 면)에 마련되어 있는 롤러 등을 이용한다. 러빙 처리 부재(218)를 이용하여 배향막을 문지름으로써 배향막에 배향 성능을 부가할 수 있다.
또한, 러빙 처리를 수행한 후에, 제 2 배향막(116)에 대하여 스페이서 재료(베이스 기판(100)과 대향 기판(110)을 접착시킨 때에, 베이스 기판(100)과 대향 기판(110)의 사이에 액정 재료(140)를 마련하기 위한 간격, 이른바 갭을 확보하는 재료)를 필요에 따라 마련해도 좋다.
또한, 본 실시형태에서는 베이스 기판 제작 공정 다음에 대향 기판 제작 공정이 기재되어 있으나, 양자의 제작 순서에 한정은 없으며, 대향 기판 제작 공정을 수행하고 나서 베이스 기판 제작 공정을 수행해도 좋고, 양 공정을 동시에 함께 수행해도 좋다. 액정 장치의 제조 시간을 단축하기 위해서는, 베이스 기판 제작 공정과 대향 기판 제작 공정을 동시에 병행하여 수행하는 것이 바람직하다.
<액정 밀봉 공정>
우선, 베이스 기판 제작 공정에서 제작한, 미점착 재료(212)에 의해 제 1 임시 고정 기판(214)이 접착된 베이스 기판(100)을 준비하고, 제 1 시일재(120), 제 2 시일재(130), 액정 재료(140) 및 제 1 도전재료(150)를 마련한다(도 4(A) 참조.).
제 1 시일재(120)는 액정 재료(140)를 끊김 없이 둘러싸는 상태로 액정 재료(140)와 제 2 시일재(130)의 사이에 마련되고, 플렉소 인쇄장치, 오프셋 인쇄장치, 그라비어 인쇄장치, 스크린 인쇄장치, 잉크젯 장치, 디스펜서 장치 등의 각종 인쇄장치를 이용할 수 있다.
제 1 시일재(120)는 제 2 시일재(130)가 액정 재료(140)에 접촉하여 제 2 시일재(130)로부터 액정 재료(140)에 액정 오염물질이 혼입하는 것을 방지하는 역할을 한다. 이 때문에, 제 1 시일재(120) 내에 포함되는 액정 오염물질의 양을 최대한 줄일 필요가 있다. 구체적으로는 제 1 시일재(120) 내에 포함되는 액정 오염물질의 농도는 1×10-4 중량 이하, 바람직하게는 1×10-6 중량 이하로 하는 것이 바람직하다.
제 1 시일재(120)로는, 예를 들어, 자외선 경화형 접착제 등 광경화형 접착제, 반응 경화형 접착제, 열경화형 접착제, 또는 혐기형 접착제 등 각종 경화형 접착제를 이용하면 된다. 액정 장치에 사용되는 각종 재료에의 영향이나 생산성을 고려하면, 고온 상태에서의 경화 처리가 불필요하고 단시간에 접착제가 경화하는 광경화형 접착제를 이용하는 것이 바람직하다.
광경화형 접착제는 외부로부터의 광 조사에 의해 양이온 성분이 발생하는 중합 개시제를 이용한 광양이온 경화형과, 라디칼 성분이 발생하는 중합 개시제를 이용한 광라디칼 경화형의 두 종류가 있다. 이 중, 양이온 성분 등의 이온성 불순물은 액정 재료에 혼입함으로써 액정 배향의 흐트러짐이나 액정의 전압 유지율 저하를 일으키는 요인이 될 수 있다. 따라서, 제 1 시일재(120)로는 양이온 성분 등의 이온성 불순물의 용출이 적은 광라디칼 경화형 접착제를 이용하는 것이 바람직하다.
또한, 제 1 시일재(120)는 스페이서 재료(베이스 기판(100)과 대향 기판(110)을 접착시킨 때에, 베이스 기판(100)과 대향 기판(110)의 사이에 액정 재료(140)를 마련하기 위한 간격, 이른바 갭을 확보하는 재료)를 포함하고 있어도 좋다.
또한, 상기에서는 광경화형 접착제에 대한 설명을 기술했으나, 물론 이에 한정되는 것은 아니며, 각종 접착제를 적당히 이용하면 된다.
제 2 시일재(130)는 제 1 시일재(120)를 둘러싸는 상태로 마련되고, 플렉소 인쇄장치, 오프셋 인쇄장치, 그라비어 인쇄장치, 스크린 인쇄장치, 잉크젯 장치, 디스펜서 장치 등의 각종 인쇄장치를 이용할 수 있다.
제 2 시일재(130)로는, 예를 들어, 자외선 경화형 접착제 등 광경화형 접착제, 반응 경화형 접착제, 열경화형 접착제, 또는 혐기형 접착제 등 각종 경화형 접착제를 이용하면 된다. 또한, 액정 장치에 사용되는 각종 재료에의 영향이나 생산성을 고려하면, 고온 상태에서의 경화 처리가 불필요하고 단시간에 접착제가 경화하는 광경화형 접착제를 이용하는 것이 바람직하다.
제 2 시일재(130)는 액정 재료(140)에 직접 접하지 않기 때문에, 액정 재료(140)에의 오염성을 신경 쓰지 않고 각종 첨가제를 첨가할 수 있다. 따라서, 폭넓은 재료를 이용할 수 있다. 예를 들어, 광경화형 접착제에 있어서는, 상기의 광라디칼 경화형 접착제 이외에, 외부로부터의 광 조사에 의해 액정 오염물질인 양이온 성분이 발생하는 중합 개시제를 이용한 광양이온 경화형을 이용해도 좋다. 광양이온 경화형 접착제는 경화 처리 시에 발생하는 경화 수축이 작고, 대상물과의 접착력이 크다고 하는 특징을 갖고 있다.
또한, 제 2 시일재(130)는 스페이서 재료(베이스 기판(100)과 대향 기판(110)을 접착시킨 때에, 베이스 기판(100)과 대향 기판(110)의 사이에 액정 재료(140)를 마련하기 위한 간격, 이른바 갭을 확보하는 재료)를 포함하고 있어도 좋다.
이와 같이, 제 2 시일재(130)는 액정 재료(140)에 악영향을 미치는 각종 첨가제를 부가하는 것이 가능하므로, 시일재의 선택 범위가 넓다. 예를 들어, 경화 처리 후에 있어서 높은 탄성을 갖는 시일재를 이용함으로써, 액정 장치에 외부로부터 힘을 부가한 경우에도 시일재가 변형하여 부가된 힘을 완화할 수 있다.
또한, 제 2 시일재(130)는 폭넓은 종류의 시일재를 이용할 수 있으므로, 제 1 시일재(120)와 비교하여 베이스 기판(100) 및 대향 기판(110)에의 접착력이 강한 경향이 있다.
또한, 제 1 시일재(120)는 제 2 시일재(130)로부터 액정 재료(140)에의 액정 오염물질의 혼입을 방지하는 효과 이외에도, 베이스 기판(100)과 대향 기판(110)을 접착시킨 때에, 액정 재료(140)의 기판 외주 방향으로의 확산을 방지하고, 액정 재료(140)의 밀봉 영역의 형상을 결정하는 역할을 한다(예를 들어, 액정 재료를 둥근 형상으로 하고 싶은 경우는, 제 1 시일재(120)를 액정 재료를 둘러싸는 형상으로 둥글게 마련한다).
이 때문에, 제 2 시일재(130)는 액정 재료(140)의 밀봉 영역의 형상에는 관여하지 않으므로, 제 1 시일 재료(120)를 둘러싸는 상태이기만 하면 어떠한 형상으로 해도 좋다. 예를 들어, 제 2 시일재(130)를 파선 형상으로 함으로써, 제 2 시일재(130)의 접착 면적을 증가시킬 수 있기 때문에, 베이스 기판(100)과 대향 기판(110)을 보다 견고하게 접착하는 것이 가능해진다.
상기에서는 광경화형 접착제에 대한 설명을 기술했으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 각종 접착제를 적당히 이용해도 좋다.
또한, 본 실시형태에서는 제 1 시일재(120) 및 제 2 시일재(130)만을 이용하고 있으나, 제 2 시일재(130)를 둘러싸는 상태로 제 3 시일재가 더 존재해도 좋다.
높은 인성을 구비한 기판을 견고하게 접착하기 위한 제 2 시일재(130)는, 접착 대상물의 접착면의 오목부에 들어가거나, 용제로 접착 대상의 표면을 용해함으로써 높은 접착성을 얻는 경우가 많다. 일반적으로는 미경화 상태에서는 점도가 낮으며, 이 때문에, 베이스 기판(100)과 대향 기판(110)을 접착시킨 때에, 제 2 시일재(130)가 베이스 기판(100) 및 대향 기판(110)의 단면으로부터 비어져 나와, 접착력이 저하되는 원인이 된다.
이에, 제 2 시일재(130)를 끊김 없이 둘러싸는 상태로 제 3 시일재를 마련함으로써, 제 2 시일재(130)는 제 1 시일재(120)와 제 3 시일재의 사이에 유지된다. 이로써, 제 2 시일재(130)가 베이스 기판(100) 및 대향 기판(110)의 단면으로부터 비어져 나오는 데에서 기인한 베이스 기판(100)과 대향 기판(110)의 접착성의 저하를 방지할 수 있다.
제 1 도전재료(150)로는 도전 입자와 유기 수지를 갖는 재료를 이용한다. 구체적으로는, 입경이 수 nm에서 수십 ㎛인 도전 입자를 유기 수지에 용해 또는 분산시킨 재료를 이용한다. 도전 입자로는 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 탄탈(Ta), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 카본(C) 중 어느 하나 이상의 금속 입자, 절연 입자(예를 들어 유리 입자나 유기 수지 입자 등) 표면에 상기 어느 하나 이상의 금속막이 형성된 입자, 할로겐화은의 미립자, 또는 분산성 나노 입자를 이용할 수 있다. 또한, 제 1 도전재료(150)에 포함되는 유기 수지는 금속 입자의 바인더, 용매, 분산제 및 피복재로서 기능하는 유기 수지로부터 선택된 하나 또는 복수를 이용할 수 있다. 대표적으로는, 에폭시 수지, 실리콘 수지 등의 유기 수지를 들 수 있다.
제 1 도전재료(150)를 마련하는 방법으로는 플렉소 인쇄장치, 오프셋 인쇄장치, 그라비어 인쇄장치, 스크린 인쇄장치, 잉크젯 장치, 디스펜서 장치 등의 각종 인쇄장치를 이용하면 된다.
이어서, 제 1 시일재(120)에 의해 둘러싸인 영역 내에 액정 재료(140)를 마련한다.
액정 재료(140)로는 리오트로픽 액정, 서모트로픽 액정, 저분자 액정, 고분자 액정, 디스코틱 액정, 강유전 액정, 반강유전 액정 등을 이용한다. 또한, 상기 액정 재료는 조건에 따라 네마틱상, 콜레스테릭상, 콜레스테릭 블루상, 스멕틱상, 스멕틱 블루상, 큐빅상, 스멕틱 D상, 키랄ㆍ네마틱상, 등방상 등을 나타낸다. 콜레스테릭 블루상 및 스멕틱 블루상은 나선 피치가 500nm 이하로 비교적 짧은 콜레스테릭상 또는 스멕틱상을 가지는 액정 재료라고 볼 수 있다. 액정 재료의 배향은 이중 꼬임 구조를 갖는다. 블루상은 액정상 중 하나이며, 콜레스테릭 액정의 온도를 상승시켜 가면 콜레스테릭상에서 등방상으로 전이하기 직전에 발현하는 상이다. 블루상은 좁은 온도 범위에서만 발현하기 때문에, 온도 범위를 개선하기 위해서, 5 중량% 이상의 키랄제를 혼합시킨 액정 조성물을 이용하여 액정 재료에 적용한다. 그 중에서도, 블루상을 나타내는 액정과 키랄제를 포함하는 액정 조성물은 응답 속도가 10μs~100μs로 짧고, 광학적으로 등방성이기 때문에 배향막이 불필요하며, 시야각 의존성이 작다고 하는 특성을 가지고 있다. 그러므로, 본 실시형태에서 나타내는 액정 장치 구성으로부터 제 1 배향막(106) 및 제 2 배향막(116)을 제외한 구성이라고 해도 액정 재료의 배열을 고속으로 조정하는 것이 가능하고, 표시 화상 품질의 향상 및 비용의 삭감을 이룰 수 있다.
액정 재료(140)를 마련하는 방법으로는 플렉소 인쇄장치, 오프셋 인쇄장치, 그라비어 인쇄장치, 스크린 인쇄장치, 잉크젯 장치, 디스펜서 장치 등의 각종 인쇄장치를 이용하면 된다.
이어서, 베이스 기판(100)의 액정 재료(140)를 마련한 면에 대하여, 대향 기판(110)의 제 2 배향막(116)을 마련한 면을 접착시킴과 아울러, 제 1 시일재(120), 제 2 시일재(130), 제 1 도전재료(150)에 대하여 경화 처리를 수행한다(도 4(B) 참조).
베이스 기판(100) 및 대향 기판(110)은 진공 접착 장치 등을 이용하여, 감압 상태가 유지된 처리실 내에서 접착시키는 것이 바람직하다. 이로써, 시일재나 액정 재료 내에 기포가 혼입하는 일 없이 베이스 기판(100) 및 대향 기판(110)을 접착시킬 수 있다. 또한, 제 1 시일재(120)에 의해 둘러싸인 영역 내에 대기 성분이 봉입되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 접착 처리를 수행한 후에, 베이스 기판(100) 및 대향 기판(110)의 편면 또는 양면에 대하여 압력을 부가하는 처리를 수행하는 것이 바람직하다. 이로써, 제 1 시일재(120)에 의해 둘러싸인 영역 내에 액정 재료(140)가 빈틈없이 균일하게 형성된다.
경화 처리는 제 1 시일재(120), 제 2 시일재(130), 제 1 도전재료(150)의 재료 성분에 따라, 가시광 조사, UV 광 조사, 가열 처리 중에서 한 종류 또는 복수의 처리를 제 1 시일재(120), 제 2 시일재(130), 제 1 도전재료(150)의 경화 상태가 최적이 되도록 수행한다. 예를 들어, 제 1 시일재(120), 제 2 시일재(130), 제 1 도전재료(150)가 광경화성 재료인 경우는, 각각의 경화 조건에 따라 조사하는 광의 파장, 강도, 시간을 적당히 선택한다. 또한, 제 1 시일재(120), 제 2 시일재(130), 제 1 도전재료(150)에 경화 조건이 동일한 재료(예를 들어, 제 1 시일재(120), 제 2 시일재(130), 제 1 도전재료(150) 모두 광경화성 재료이며, 경화 파장이나 경화 강도도 대체로 일치하고 있는 등)를 이용함으로써 경화 처리 횟수를 줄일 수 있기 때문에 바람직하다. 또한, 제 1 도전재료(150) 자체의 도전 향상이나, 소자층(104) 및 전극막(114)과 제 1 도전재료(150)의 도통 불량 방지를 위해서, 제 1 도전재료(150)의 경화 시에는 압력을 가하는 것이 바람직하다.
상기 처리에 의해, 베이스 기판(100)과 대향 기판(110)은 제 1 시일재(120) 및 제 2 시일재(130)에 의해 1[N/㎟] 이상의 접착 강도로 접착된다. 이로써, 외부로부터 강한 힘이 가해진 경우에도 액정 재료를 개재한 베이스 기판과 대향 기판이 쉽게 떨어지지 않는 액정 장치를 제작할 수 있다.
또한, 제 1 도전재료(150)에 의해 베이스 기판(100)의 소자층(104)의 일부와 대향 기판(110)의 전극막(114)의 일부가 전기적으로 접속되므로, 액정 재료(140)의 배열을 임의로 조정할 수 있다. 이로써, 높은 표시 품위를 구비한 액정 장치를 제작할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서는 액정 재료(140)를 적하한 후에 베이스 기판(100)과 대향 기판(110)을 접착시키는 방법(적하법)을 이용하였으나, 베이스 기판(100)과 대향 기판(110)을 접착시킨 후에, 베이스 기판(100)과 대향 기판(110)의 사이에 생기는 틈을 이용한 모세관 현상에 의해, 제 1 시일재(120)에 둘러싸인 영역 내에 액정 재료(140)를 주입하는 방법(주입법)을 이용해도 좋다. 또한, 주입법에 있어서는, 베이스 기판(100) 상에 제 1 시일재(120) 및 제 2 시일재(130)를 마련한 후에, 베이스 기판(100)과 대향 기판(110)을 접착시키고, 그 후, 제 1 시일재(120)에 둘러싸인 영역 내에 액정 재료(140)를 주입하기 때문에, 본 실시형태에서 나타낸 제작 순서와는 다소 다르지만, 제작 자체는 공지된 바이며 전후관계는 당업자라면 용이하게 상상할 수 있으므로, 세부 사항은 생략한다.
이어서, 베이스 기판(100)의 소자층(104)의 일부에 제 2 도전재료(160)를 개재하여 외부접속단자(170)를 마련하고, 접속 처리를 수행함으로써 소자층(104)의 일부와 외부접속단자(170)를 전기적으로 접속한다(도 5(A) 참조.).
제 2 도전재료(160)로는, 예를 들어, 도전 입자와 유기 수지를 갖는 재료를 이용한다. 구체적으로는, 입경이 수 nm에서 수십 ㎛인 도전 입자를 유기 수지에 용해 또는 분산시킨 재료를 이용한다. 도전 입자로는 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 탄탈(Ta), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 카본(C) 중 어느 하나 이상의 금속 입자, 절연 입자 표면에 상기 어느 하나 이상의 금속막이 형성된 입자, 할로겐화은의 미립자, 분산성 나노 입자 또는 땜납 재료 등을 이용할 수 있다. 또한, 제 2 도전재료(160)에 포함되는 유기 수지는 금속 입자의 바인더, 용매, 분산제 및 피복재로서 기능하는 유기 수지로부터 선택된 하나 또는 복수를 이용할 수 있다. 대표적으로는 에폭시 수지, 실리콘 수지 등의 유기 수지를 들 수 있다.
외부접속단자(170)로는, 예를 들어, 프린트 배선판이나 FPC(Flexible Printed Circuit) 등이 있다. 본 실시형태에 있어서의 액정 장치는 베이스 기판, 대향 기판 모두 높은 인성을 구비하고 있고, 액정 장치가 가요성을 갖는 상태의 경우도 있기 때문에, 외부접속단자(170)도 가요성을 갖는 것이 바람직하다.
접속 처리로서는 제 2 도전재료(160)가 경화하는 조건(가시광 조사, UV 광 조사, 가열 처리 등)을 제 2 도전재료(160)에 가하면 된다. 또한, 제 2 도전재료(160) 자체의 도전 향상이나, 소자층(104)과 제 2 도전재료(160)의 도통 불량 방지를 위해서, 제 2 도전재료(160)의 접속 처리 시에는 압력을 가하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 제 2 도전재료(160), 외부접속단자(170)에 대하여 가압 처리를 수행하면서 가열 처리를 수행하는 열압착 장치를 이용하여 접속 처리를 수행하면 된다.
이어서, 베이스 기판(100)으로부터 미점착 재료(212) 및 제 1 임시 고정 기판(214)을 떼어내고, 대향 기판(110)으로부터 미점착 재료(212) 및 제 2 임시 고정 기판(216)을 떼어낸 후에, 제 2 기판(112)에 대하여 편광판(180)을 붙인다(도 5(B) 참조.).
또한, 본 실시형태는 반사형 액정 장치이므로 제 2 기판(112) 측에만 편광판(180)을 마련했으나, 투과형 액정 장치에서는 제 1 기판(102) 측에도 편광판을 마련해도 좋다.
이상의 공정에 의해, 외부로부터 강한 힘이 가해진 경우에도 액정 재료를 개재한 높은 인성을 구비한 2장의 기판이 쉽게 떨어지지 않고, 또한 액정 오염물질에 의한 액정 재료의 오염이 억제된, 얇고 경량이면서 충격이나 휨 등 외부로부터 힘을 부가해도 쉽게 파괴되지 않는 높은 표시 품위를 구비한 액정 장치를 제작할 수 있다.
또한, 본 실시형태는 반사형 액정 장치의 설명이기 때문에 백라이트를 마련하고 있지 않지만, 투과형 액정 장치에서는 베이스 기판(100) 측에 백라이트를 설치해도 좋다.
상기 본 발명의 일 양태와 같이, 베이스 기판(100)에 미점착 재료(212)를 개재하여 제 1 임시 고정 기판(214)을 마련하고, 대향 기판(110)에 미점착 재료(212)를 개재하여 제 2 임시 고정 기판(216)을 마련한 상태로 액정 장치를 제작함으로써, 장치 제작 시에 가해지는 힘에 의한 베이스 기판(100) 및 대향 기판(110)의 변형이나 파괴를 억제할 수 있다.
따라서, 높은 표시 품위를 구비한 액정 장치를 수율 좋게 제작할 수 있다.
(실시 형태 2)
본 실시형태에서는, 실시 형태 1에서 기재한 액정 장치와 관련하여, 일부의 구성요소가 다른 액정 장치의 구성 및 그 제작 방법에 대해서, 도 6(A) 및 도 6(B), 도 7(A) 내지 도 7(D), 도 8을 이용하여 설명한다. 또한, 본 실시형태에서 설명하는 액정 장치는, 실시 형태 1에서 기재한 제작 방법의 일부를 생략함으로써 제작할 수 있기 때문에, 제작 방법에 대해서는 실시 형태 1에서 기재한 방법을 적당히 이용할 수 있다.
<액정 장치의 전체 구성 예>
개시하는 발명의 일 양태에 따른 액정 장치의 구성의 일례로서, 제 1 시일재 및 제 2 시일재에 의해 베이스 기판 및 대향 기판 간에 액정 재료가 개재된 액정 장치에 대한 상면도를 도 6(A)에 나타내고, 도 6(A)의 1점 쇄선부에 있어서의 단면도를 도 6(B)에 나타낸다.
베이스 기판(600)은 제 1 기판(602)의 한쪽 면에 제 1 전극막(604) 및 제 1 배향막(606)이 순서대로 마련된 구조로 이루어진다. 베이스 기판(600)은 얇고 경량이면서 충격이나 휨 등 외부로부터 힘을 부가해도 쉽게 파괴되지 않는다.
또한, 베이스 기판(600)은 실시 형태 1에서 기재한 베이스 기판(100)에 마련되어 있는 소자층(104)을 마련하지 않을 수도 있어, 소자층(104)의 형성 공정 및 전치 공정을 수행할 필요가 없다. 따라서, 저렴하게 또한 단시간에 제작할 수 있다.
대향 기판(610)은 제 2 기판(612)의 한쪽 면에 접하여 제 2 전극막(614) 및 제 2 배향막(616)이 순서대로 마련된 구조로 이루어진다. 대향 기판(610)은 얇고 경량이면서 충격이나 휨 등 외부로부터 힘을 부가해도 쉽게 파괴되지 않는다. 또한, 대향 기판에는 편광판(680)이 마련되어 있다.
제 1 시일재(620)는 액정 오염물질의 함유량이 1×10-4 중량% 이하이고, 액정 재료(640)를 둘러싸며 끊김이 없는 상태로 형성된다. 이로써, 제 2 시일재(630)와 액정 재료(640)가 직접 접촉하여 제 2 시일재(630) 내에 포함되는 액정 오염물질이 액정 재료(640)에 혼입하는 것을 방지할 수 있다.
제 2 시일재(630)는 제 1 시일재(620)를 둘러싸며 끊김이 없는 상태로 형성되고, 제 1 시일재(620) 및 제 2 시일재(630)에 의해 베이스 기판(600) 및 대향 기판(610)에 대하여 1[N/㎟] 이상의 접착 강도로 접착된다. 이로써, 액정 장치에 외부로부터 힘이 부가된 경우에도, 베이스 기판(600)과 대향 기판(610)이 떨어지지 않고, 베이스 기판(600)과 대향 기판(610)을 견고하게 접착할 수 있다.
제 1 도전재료(650)는 제 1 전극막(604)의 일부 및 제 2 전극막(614)의 일부를 전기적으로 접속하도록 마련된다. 이로써, 제 1 도전재료(650)를 통해 제 1 전극막(604)에서 제 2 전극막(614)으로 전압을 인가할 수 있으므로, 베이스 기판(600) 및 대향 기판(610)에 의해 개재된 액정 재료(640)에 전압을 인가하여 액정 재료(640)의 배열을 조정할 수 있다.
또한, 외부접속단자(670)는 제 1 기판(602)의 한쪽 면에 형성된 제 1 전극막(604)의 일부에 제 2 도전재료(660)를 개재하여 전기적으로 접속되고, 외부로부터 액정 장치를 동작시키기 위해 필요한 전력을 제 2 도전재료(660)를 통해 제 1 전극막(604)에 공급하는 기능을 갖는다.
상기 구조를 형성함으로써, 외부로부터 강한 힘이 가해진 경우에도 액정 재료를 개재한 높은 인성을 구비한 2장의 기판이 쉽게 떨어지지 않고, 또한 액정 오염물질에 의한 액정 재료의 오염이 억제되는 얇고 경량이면서 충격이나 휨 등 외부로부터 힘을 부가해도 쉽게 파괴되지 않는, 액정 재료의 배열 조정을 임의로 행할 수 있는 저렴한 액정 장치를 제공할 수 있다.
<액정 장치의 제작 방법>
이어서, 상기 액정 장치의 제작 방법의 일례에 대해서, 도 7(A) 내지 도 7(D) 및 도 8을 이용하여 설명한다. 또한, 본 실시형태에 있어서의 액정 장치도 실시 형태 1과 마찬가지로 “베이스 기판 제작 공정”, “대향 기판 제작 공정”, “액정 밀봉 공정”의 3가지로 크게 나눌 수 있지만, 실시 형태 1과 동일한 처리를 수행하는 부분에 관해서는 적절히 생략하여 기재한다.
<베이스 기판 제작 공정>
우선, 제 1 기판(602)의 한쪽 면에 제 1 전극막(604)을 마련하고, 제 1 기판(602)의 다른 한쪽 면에 대하여 미점착 재료(622)를 개재하여 제 1 임시 고정 기판(624)을 붙인다. 이어서, 제 1 전극막(604) 상에 제 1 배향막(606)을 마련하고, 제 1 배향막(606)에 대하여 러빙 처리를 수행한다. 이로써, 제 1 기판(602)의 한쪽 면에 제 1 전극막(604) 및 제 1 배향막(606)이 순서대로 마련된 베이스 기판(600)이 완성된다(도 7(A) 참조).
또한, 제 1 기판(602)은 실시 형태 1의 제 1 기판(102)과 동일한 재질, 제 1 전극막(604)의 재질 및 형성 방법은 실시 형태 1의 전극막(114)과 동일한 재질 및 형성 방법, 미점착 재료(622)의 재질은 실시 형태 1의 미점착 재료(212)와 동일한 재질, 제 1 임시 고정 기판(624)의 재질은 실시 형태 1의 제 1 임시 고정 기판(214)과 동일한 재질, 제 1 배향막(606)의 재질 및 형성 방법은 실시 형태 1의 제 1 배향막(106)과 동일한 재질 및 형성 방법을 이용할 수 있다. 또한, 러빙 처리의 사용 부재나 처리 내용, 및 베이스 기판 제작 공정 중에 행해지는 세정 내용 등의 세부 사항에 대해서도, 실시 형태 1을 참조로 한다.
<대향 기판 제작 공정>
이어서, 제 2 기판(612)의 한쪽 면에 제 2 전극막(614)을 마련하고, 제 2 기판(612)의 다른 한쪽 면에 대하여 미점착 재료(632)를 개재하여 제 2 임시 고정 기판(634)을 붙인다. 이어서, 제 2 전극막(614) 상에 제 2 배향막(616)을 마련하고, 제 2 배향막(616)에 대하여 러빙 처리를 수행한다. 이로써, 제 2 기판(612)의 한쪽 면에 제 2 전극막(614) 및 제 2 배향막(616)이 순서대로 마련된 대향 기판(610)이 완성된다(도 7(B) 참조).
또한, 제 2 기판(612)의 재질은 실시 형태 1의 제 2 기판(112)과 동일한 재질, 제 2 전극막(614)의 재질 및 형성 방법은 실시 형태 1의 전극막(114)과 동일한 재질 및 형성 방법, 미점착 재료(632)의 재질은 실시 형태 1의 미점착 재료(212)와 동일한 재질, 제 2 임시 고정 기판(634)의 재질은 실시 형태 1의 제 2 임시 고정 기판(216)과 동일한 재질, 제 2 배향막(616)의 재질 및 형성 방법은 실시 형태 1의 제 2 배향막(116)과 동일한 재질 및 형성 방법을 이용할 수 있다. 또한, 러빙 처리의 사용 부재나 처리 내용, 및 베이스 기판 제작 공정 중에 행해지는 세정 내용 등의 세부 사항에 대해서도, 실시 형태 1을 참조로 한다.
또한, 본 실시형태에서는 베이스 기판 제작 공정 다음에 대향 기판 제작 공정이 기재되어 있으나, 양자의 제작 순서에 한정은 없으며, 대향 기판 제작 공정을 수행하고 나서 베이스 기판 제작 공정을 수행해도 좋고, 양 공정을 동시에 함께 수행해도 좋다. 액정 장치의 제조 시간을 단축하기 위해서는, 베이스 기판 제작 공정과 대향 기판 제작 공정을 동시에 병행하여 수행하는 것이 바람직하다.
또한, 본 실시형태는 컬러 필터를 마련하고 있지 않지만, 제 1 기판(602)과 제 1 전극막(604)의 사이, 또는 제 2 기판(612)과 제 2 전극막(614)의 사이에 컬러 필터를 마련해도 좋다.
<액정 밀봉 공정>
이어서, 미점착 재료(622)에 의해 제 1 임시 고정 기판(624)이 접착된 베이스 기판(600) 상에 제 1 시일재(620), 제 2 시일재(630), 액정 재료(640) 및 제 1 도전재료(650)를 마련한다(도 7(C) 참조).
또한, 제 1 시일재(620)의 필요 특성이나 형성 방법은 실시 형태 1의 제 1 시일재와 동일한 필요 특성이나 형성 방법, 제 2 시일재(630)의 필요 특성이나 형성 방법은 실시 형태 1의 제 2 시일재(130)와 동일한 필요 특성이나 형성 방법, 액정 재료(640)의 재질이나 특성은 실시 형태 1의 액정 재료(140)와 동일한 재질이나 특성, 제 1 도전재료(650)의 재질이나 형성 방법은 실시 형태 1의 제 1 도전재료(150)와 동일한 재질이나 형성 방법을 이용할 수 있다.
이어서, 베이스 기판(600)의 액정 재료(640)를 마련한 면에 대하여, 대향 기판(610)의 제 2 배향막(616)을 마련한 면을 접착시킴과 아울러, 제 1 시일재(620), 제 2 시일재(630), 제 1 도전재료(650)에 대하여 경화 처리를 수행한다. 그 후, 베이스 기판(600) 상의 제 1 전극막(604)의 일부에 제 2 도전재료(660)를 개재하여 외부접속단자(670)를 마련하고, 접속 처리를 수행함으로써 제 1 전극막(604)의 일부와 외부접속단자(670)를 전기적으로 접속한다(도 7(D) 참조).
또한, 제 2 도전재료(660)의 재질은 실시 형태 1의 제 2 도전재료(160)와 동일한 재질을 이용할 수 있다. 또한, 접착 처리의 내용, 경화 처리의 내용, 베이스 기판 및 대향 기판에 대한 시일재의 접착력, 접속 처리의 처리 내용 등의 세부 사항에 대해서도, 실시 형태 1을 참조로 한다.
또한, 실시 형태 1과 마찬가지로, 제 2 시일재(630)를 둘러싸는 상태로 제 3 시일재가 더 존재해도 좋다.
이어서, 베이스 기판(600)으로부터 미점착 재료(622) 및 제 1 임시 고정 기판(624)을 떼어내고, 대향 기판(610)으로부터 미점착 재료(632) 및 제 2 임시 고정 기판(634)을 떼어낸 후에, 제 2 기판(612)에 대하여 편광판(680)을 붙인다(도 8 참조).
또한, 본 실시형태는 반사형 액정 장치이므로 제 2 기판(612) 측에만 편광판(680)을 마련하였으나, 투과형 액정 장치에서는 제 1 기판(602) 측에도 편광판을 마련해도 좋다.
이상의 공정에 의해, 외부로부터 강한 힘이 가해진 경우에도 액정 재료를 개재한 높은 인성을 구비한 2장의 기판이 쉽게 떨어지지 않고, 또한 액정 오염물질에 의한 액정 재료의 오염이 억제된 얇고 경량이면서 충격이나 휨 등 외부로부터 힘을 부가해도 쉽게 파괴되지 않는, 저렴하고 광투과율 조정이 가능한 액정 장치가 완성된다.
또한, 본 실시형태는 반사형 액정 장치의 설명이기 때문에 백라이트를 마련하고 있지 않지만, 투과형 액정 장치에서는 베이스 기판(600) 측에 백라이트를 설치해도 좋다.
상기 본 발명의 일 양태와 같이, 베이스 기판(600)에 미점착 재료(622)를 개재하여 제 1 임시 고정 기판(624)을 마련하고, 대향 기판(610)에 미점착 재료(632)를 개재하여 제 2 임시 고정 기판(634)을 마련한 상태로 액정 장치를 제작함으로써, 장치 제작 시에 가해지는 힘에 의한 베이스 기판 및 대향 기판의 변형이나 파괴를 억제할 수 있다.
또한, 본 실시형태의 액정 장치는 제 1 기판(602) 상에 소자층을 형성할 필요가 없으므로, 소자층 형성에 필요한 처리를 삭감하는 것이 가능하여, 처리 비용이나 처리 시간을 억제할 수 있다.
따라서, 액정 재료의 배열 상태를 조정하여 유리의 광투과율을 조정할 수 있는, 광투과율 조정이 가능한 저렴한 액정 장치를 수율 좋게 제작할 수 있다.
(실시 형태 3)
본 실시형태에서는 연속 제작 장치의 일례로서, 실시 형태 1에서 설명한 구조의 액정 장치를 제작하는 연속 제작 장치의 구조 및 제작 단계에 대해서 도 9(A) 및 도 9(B), 도 10(A) 및 도 10(B), 도 11을 이용하여 설명한다. 또한, 연속 제작 장치는 “베이스 기판 제작 기구”, “대향 기판 제작 기구”, “액정 밀봉 기구”의 3가지 기구로 나누어 설명한다.
<베이스 기판 제작 장치>
베이스 기판 제작 장치의 구성의 일례를 도 9(A) 및 도 9(B)에 나타낸다. 베이스 기판 제작 장치(800)는 반송 기구(802), 기판 설치실(810), 세정 장치(820), 스핀 코터(830), UV 처리실(840), 접착 장치(850), 전치 장치(860), 가열 장치(870), 스크린 인쇄장치(880), 러빙 장치(890)로 이루어진다. 또한, 세정 장치(820)는 샤워 세정을 구비한 제 1 웨트 세정기구(822), 유체 제트 세정기구 및 초음파 세정기구를 구비한 제 2 웨트 세정기구(824), UV 오존 세정기구를 구비한 드라이 세정기구(826)를 구비하고 있으며, 접착 장치(850)는 임시 지지 기판(208)이 세트된 카세트(852), 미점착 재료(212)가 세트된 카세트(854), 제 1 임시 고정 기판(214)이 세트된 카세트(856), 제 1 기판(102)이 세트된 카세트(858)를 구비하고 있고, 가열 장치(870)는 감압 처리 장치(872)를 구비한다. 또한, 스핀 코터(830)는 박리용 접착제(206) 및 고정용 접착제(210) 양쪽 모두를 마련할 수 있다(도 9(A) 참조).
우선, 박리층(202) 및 소자층(104)이 형성된 소자층 제작 기판(200)을 기판 설치실(810)에 설치한다. 소자층 제작 기판(200)은 탈부착이 자유로운 기판 수납 카세트에 복수 장 세트하고, 카세트 단위로 기판 설치실(810) 내에 세트하는 구조로 되어 있다. 또한, 여기서는 박리층(202)으로서 실시 형태 1에서 기재한 성분 중, 금속과 금속 산화물의 적층 구조를 이용한다. 이로써, 물리적인 박리력(예를 들어, 소자층 제작 기판(200)으로부터 소자층(104)을 떼어내는 힘)을 가함으로써 소자층을 전치할 수 있다.
이어서, 기판 설치실(810)에 세트된 소자층 제작 기판(200)은 반송 기구(802)에 의해 세정 장치(820)로 반송되고, 제 2 웨트 세정기구(824)에 의해 세정된다. 또한, 웨트 세정 후에 드라이 세정기구(826)에 의한 세정을 행하고, 소자층 제작 기판(200)을 추가로 세정해도 좋다.
이어서, 제 2 웨트 세정기구(824)에 의해 세정된 소자층 제작 기판(200)은 반송 기구(802)에 의해 스핀 코터(830)로 반송되고 박리용 접착제(206)가 마련된다. 또한, 여기서는 박리용 접착제(206)로서 실시 형태 1에 기재한 재료인 물에 가용인 성질을 갖는 접착제(이하, 수용성 접착제라고 칭함)를 이용한다. 또한, 수용성 접착제에는 가열 경화형이나 광(UV) 경화형 등 다양한 종류가 있으나, 본 실시형태에서는 UV 경화형의 수용성 접착제를 이용한 경우에 대한 설명을 실시한다.
이어서, 박리용 접착제(206)가 마련된 소자층 제작 기판(200)은 반송 기구(802)에 의해 UV 처리실(840)로 반송되고, UV의 조사에 의해 박리용 접착제(206)가 경화한다.
이어서, 경화한 박리용 접착제(206)가 마련된 소자층 제작 기판(200)은 반송 기구(802)에 의해 접착 장치(850)로 반송되고, 임시 지지 기판(208)이 접착된다. 또한, 접착 장치(850)는, 도 9(B)에 나타낸 바와 같이, 이동 기구(851)와, 상하 구동하여 이동 기구(851)와의 거리를 임의로 조정할 수 있는 접착 지그(859)(예를 들어, 롤러 등)를 1개 또는 복수 개 가지는 구조이며, 이동 기구(851)에 설치된 대상물에 대하여 접착 지그(859)를 이용하여 접착 처리를 수행한다. 도 9(B)는 박리용 접착제(206) 상에 임시 지지 기판(208)을 접착시키는 상태를 나타내고 있으며, 여기서는 임시 지지 기판(208)으로서 실시 형태 1에서 기재한 재료인 UV 박리형 테이프를 이용한다.
이어서, 임시 지지 기판(208)이 접착된 소자층 제작 기판(200)은 반송 기구(802)에 의해 전치 장치(860)로 반송되고, 실시 형태 1에 나타낸 기법에 의해, 소자층(104)이 임시 지지 기판(208) 측에 전치된다.
이어서, 소자층(104)이 마련된 임시 지지 기판(208)은 반송 기구(802)에 의해 스핀 코터(830)로 반송되고 고정용 접착제(210)가 마련된다. 또한, 여기서는 고정용 접착제(210)로서 실시 형태 1에 기재한 재료인 UV 경화형 접착제를 이용한 경우에 대한 설명을 실시한다.
이어서, 고정용 접착제(210)가 마련된 임시 지지 기판(208)은 반송 기구(802)에 의해 접착 장치(850)로 반송되고, 고정용 접착제(210)에 대하여 제 1 기판(102)이 접착된다.
이어서, 임시 지지 기판(208)이 접착된 제 1 기판(102)은 반송 기구(802)에 의해 UV 처리실(840)로 반송되고, 고정용 접착제(210)에 대하여 UV 조사가 행해지고, 고정용 접착제(210)를 개재하여 임시 지지 기판(208)과 제 1 기판(102)이 접착된다.
이어서, 임시 지지 기판(208)이 접착된 제 1 기판(102)은 반송 기구(802)에 의해 접착 장치(850)로 반송되고, 제 1 기판(102)에 미점착 재료(212)를 개재하여 제 1 임시 고정 기판(214)이 접착된다.
이어서, 임시 지지 기판(208)이 접착되고, 또한 제 1 임시 고정 기판(214)이 접착된 제 1 기판(102)은 반송 기구(802)에 의해 전치 장치(860)로 반송되어, 박리용 접착제(206)로부터 임시 지지 기판(208)이 분리된다. 또한, 세정 장치(820)로 반송되어 제 1 웨트 세정기구(822)에 의해 박리용 접착제(206)가 제거된다. 이로써, 소자층(104)은 고정용 접착제(210)를 개재하여 제 1 기판(102) 측으로 전치된다.
이어서, 소자층(104)이 마련된 제 1 기판(102)은 반송 기구(802)에 의해 세정 장치(820)로 반송되고, 드라이 세정기구(826)에 의한 세정이 행해진다. 또한, 이 때 동시에 제 2 웨트 세정기구(824)에 의한 세정을 행해도 좋다. 제 2 웨트 세정기구(824)에 의한 세정을 행한 경우는, 가열 장치(870)에 의해 가열 처리를 수행하거나, 또는 감압 처리 장치를 이용한 감압 상태에서의 가열 처리를 수행함으로써, 기판에 부착한 수분을 효과적으로 제거할 수 있다.
이어서, 세정 처리를 수행한 제 1 기판(102)은 반송 기구(802)에 의해 스크린 인쇄장치(880)로 반송되고, 제 1 배향막(106)이 형성된다. 또한, 여기서는 제 1 배향막(106)으로서 실시 형태 1에서 기재한 폴리이미드를 이용한다.
이어서, 제 1 배향막(106)이 마련된 제 1 기판(102)은 반송 기구(802)에 의해 러빙 장치(890)로 반송되고, 제 1 배향막(106)에 대하여 러빙 처리를 수행한다.
이어서, 러빙 처리를 수행한 제 1 기판(102)은 반송 기구(802)에 의해 기판 설치실(810)의 기판 수납 카세트에 수납된다.
이상의 제작 단계를 경유함으로써, 미점착 재료(212)를 개재하여 제 1 임시 고정 기판(214)이 접착된 베이스 기판(100)이 완성된다.
또한, 본 실시형태에 있어서의 대향 기판 제작 장치는 반송 기구(802)를 중심으로 주위에 각 처리 장치가 배치된 구조로 되어 있으나, 이러한 구조에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 각 처리 장치가 일렬형상으로 늘어선 구조나, L자형으로 늘어선 구조 등, 작업성이나 장치의 설치 공간 등을 고려하여 적당히 가장 적합한 구조로 하면 된다.
<대향 기판 제작 장치>
대향 기판 제작 장치의 구성의 일례를 도 10(A) 및 도 10(B)에 나타낸다. 대향 기판 제작 장치(900)는 반송 기구(902), 기판 설치실(910), 세정 장치(920), 가열 장치(930), 스핀 코터(940), 스퍼터 장치(950), 접착 장치(960), 스크린 인쇄장치(970), 러빙 장치(980)로 이루어진다. 또한, 세정 장치(920)는 유체 제트 세정기구 및 초음파 세정기구를 구비한 웨트 세정기구(922)와, UV 오존 세정기구를 구비한 드라이 세정기구(924)를 구비하고 있고, 가열 장치(930)는 감압 처리 장치(932)를 구비하고 있고, 접착 장치(960)는 미점착 재료(212)가 세트된 카세트(962) 및 제 2 임시 고정 기판(216)이 세트된 카세트(964)를 구비하고 있다(도 10(A) 참조).
우선, 제 2 기판(112)을 기판 설치실(910)에 설치한다. 제 2 기판(112)은 탈부착이 자유로운 기판 수납 카세트에 복수 장 세트하고, 카세트 단위로 기판 설치실(910)에 세트하는 구조로 되어 있다.
이어서, 기판 설치실(910)에 세트된 제 2 기판(112)은 반송 기구(902)에 의해 세정 장치(920)로 반송되고, 웨트 세정기구(922) 및 드라이 세정기구(924) 중 한쪽 또는 양쪽 모두에 의해 세정된다.
이어서, 세정 장치(920)에 의해 세정된 제 2 기판(112)은 반송 기구(902)에 의해 스핀 코터(940)로 반송되고 보호막이 형성된다. 또한, 여기서는 보호막으로서 실시 형태 1에서 기재한 재료인 아크릴 수지를 이용한다.
이어서, 보호막이 형성된 제 2 기판(112)은 반송 기구(902)에 의해 가열 장치(930)로 반송되고, 가열 처리를 수행하여 보호막을 경화시킨다. 경화 처리 후, 감압 처리 장치(932)를 이용하여 가열 장치(930) 내를 감압 상태로 하여, 가열 처리를 더 수행함으로써, 제 2 기판(112) 및 보호막에 흡착한 수분을 제거할 수 있다.
이어서, 보호막이 형성된 제 2 기판(112)은 반송 기구(902)에 의해 스퍼터 장치(950)로 반송되고, 전극막(114)이 성막된다. 또한, 여기서는 전극막(114)으로서 실시 형태 1에서 기재한 ITO막을 이용한다.
이어서, 전극막(114)이 형성된 제 2 기판(112)은 반송 기구(902)에 의해 접착 장치(960)로 반송되고, 미점착 재료(212)를 개재하여 제 2 기판(112)에 제 2 임시 고정 기판(216)이 접착된다. 또한, 접착 장치(960)는, 도 10(B)에 나타낸 바와 같이, 이동 기구(965)와, 상하 구동하여 이동 기구(965)와의 거리를 임의로 조정할 수 있는 접착 지그(966)(예를 들어, 롤러 등)를 1개 또는 복수 개 가지는 구조이며, 이동 기구(965)에 설치된 대상물에 대하여 접착 지그(966)를 이용하여 접착 처리를 수행한다. 도 10(B)는 제 2 임시 고정 기판(216) 상에 미점착 재료(212)를 접착한 후에, 미점착 재료(212)에 제 2 기판(112)을 접착시키는 상태를 나타내고 있다.
이어서, 미점착 재료(212)를 개재하여 제 2 임시 고정 기판(216)이 접착된 제 2 기판(112)은 반송 기구(902)에 의해 스크린 인쇄장치(970)로 반송되고, 전극막(114) 상에 제 2 배향막(116)이 형성된다. 또한, 여기서는 제 2 배향막(116)으로서 실시 형태 1에서 기재한 폴리이미드를 이용한다.
이어서, 제 2 배향막(116)이 마련된 제 2 기판(112)은 반송 기구(902)에 의해 러빙 장치(980)로 반송되고, 제 2 배향막(116)에 대하여 러빙 처리를 수행한다.
이어서, 러빙 처리를 수행한 제 2 기판(112)은 반송 기구(902)에 의해 기판 설치실(910)의 기판 수납 카세트에 수납된다.
이상의 제작 단계를 경유함으로써, 미점착 재료(212)를 개재하여 제 2 임시 고정 기판(216)이 접착된 대향 기판(110)이 완성된다.
또한, 본 실시형태에 있어서의 대향 기판 제작 장치는 반송 기구(902)를 중심으로 주위에 각 처리 장치가 배치된 구조로 되어 있으나, 이러한 구조에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 각 처리 장치가 일렬형상으로 늘어선 구조나, L자형으로 늘어선 구조 등, 작업성이나 장치의 설치 공간 등을 고려하여 적당히 가장 적합한 구조로 하면 된다.
<액정 밀봉 장치>
액정 밀봉 장치의 구성의 일례를 도 11에 나타낸다. 액정 밀봉 장치(1000)는 반송 기구(1002), 베이스 기판 제작 장치(800), 대향 기판 제작 장치(900), 디스펜서(1010), 접착 장치(1020), 외부접속단자 압착 장치(1030), 분리 장치(1040)로 이루어진다. 또한, 디스펜서(1010)는 전환 처리에 의해 제 1 시일재(120), 제 2 시일재(130), 액정 재료(140), 제 1 도전재료(150), 제 2 도전재료(160) 중 어느 것을 이용할지를 선택할 수 있는 기구를 구비한다. 또한, 각 재료 각각에 한 대의 디스펜서를 할당하는 방식이어도 상관없다. 또한, 접착 장치(1020)는 감압 처리 장치(1022) 및 UV 조사 장치(1024)를 구비한다.
우선, 베이스 기판 제작 장치(800)의 기판 설치실(810)로부터 미점착 재료(212)를 개재하여 제 1 임시 고정 기판(214)이 접착된 베이스 기판(100)이 반송 기구(1002)에 의해 디스펜서(1010)로 반송되고, 제 1 시일재(120), 제 2 시일재(130), 액정 재료(140), 제 1 도전재료(150)가 마련된다. 또한, 여기서는 제 1 시일재(120)로서 실시 형태 1에서 기재한 광라디칼 경화형 접착제를 이용하고, 제 2 시일재(130)로서 광양이온 경화형 접착제를 이용하고, 액정 재료(140)로서 고분자 액정을 이용하고, 제 1 도전재료(150)로서 Ag 입자가 분산된 자외선 경화형 에폭시 수지를 이용한다.
또한, 실시 형태 1과 마찬가지로, 제 2 시일재(130)를 끊김 없이 둘러싸는 상태로 제 3 시일재가 존재해도 좋다.
이어서, 상기 각 재료가 마련된 베이스 기판은 반송 기구(1002)에 의해 접착 장치(1020)로 반송되고, 장치 내에 설치된다. 또한, 대향 기판 제작 장치(900)로부터 미점착 재료(212)를 개재하여 제 2 임시 고정 기판(216)이 접착된 대향 기판(110)이 반송되고, 감압 처리 장치(1022)에 의해 감압 상태가 유지된 장치 내에서 접착 처리를 수행한다. 그리고, UV 조사 장치(1024)에 의해 제 1 시일재(120), 제 2 시일재(130), 제 1 도전재료(150)에 대하여 경화 처리를 수행한다. 이로써, 베이스 기판(100)과 대향 기판(110)은 제 1 시일재(120) 및 제 2 시일재(130)에 의해 견고하게 접착된다. 또한, 제 1 도전재료(150)를 개재하여 소자층(104)의 일부와 전극막(114)의 일부가 전기적으로 접속된다.
이어서, 시일재에 의해 접착된 베이스 기판(100)과 대향 기판(110)은 반송 기구(1002)에 의해 외부접속단자 압착 장치(1030)로 반송되고, 제 2 도전재료(160)를 개재하여 소자층(104)의 일부에 외부접속단자(170)가 접속된다. 또한, 여기서는 제 2 도전재료로서 실시 형태 1에서 기재한 유기 수지 입자의 주위에 니켈 박막 및 은 박막이 순서대로 코팅된 도전 입자를 이용하고, 외부접속단자(170)로서 실시 형태 1에 기재한 FPC(Flexible Printed Circuit)를 이용한다.
이어서, 제 2 도전재료(160)를 개재하여 외부접속단자(170)가 마련된 기판은 반송 기구(1002)에 의해 분리 장치(1040)로 반송되고, 미점착 재료(212) 및 제 1 임시 고정 기판(214)이 베이스 기판(100)으로부터 분리되고, 미점착 재료(212) 및 제 2 임시 고정 기판(216)이 대향 기판(110)으로부터 분리된다.
마지막으로, 상기 공정에 의해 제작된 액정 장치는 반송 기구(1002)에 의해 기판 취출실(1050)로 반송되어 보관된다.
이상의 공정에 의해, 제 1 시일재(120) 및 제 2 시일재(130)에 의해 베이스 기판(100) 및 대향 기판(110) 간에 액정 재료(140)가 개재되고, 액정 재료의 배열을 임의로 조정할 수 있는 액정 장치가 완성된다.
또한, 본 실시형태에 있어서의 액정 밀봉 장치는 반송 기구(1002)를 중심으로 주위에 각 처리 장치가 배치된 구조로 되어 있으나, 이러한 구조에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 각 처리 장치가 일렬형상으로 늘어선 구조나, L자형으로 늘어선 구조 등, 작업성이나 장치의 설치 공간 등을 고려하여 적당히 가장 적합한 구조로 하면 된다.
이와 같이, 액정 장치의 제작 공정을 장치 내에서 연속하여 수행함으로써 먼지나 불순물이 액정 장치 내에 혼입하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 장치 간의 기판 반송을 모두 반송 기구에 의해 수행하므로 반송 시에 액정 장치가 파괴되는 등의 불량을 억제할 수 있다. 또한, 본 실시형태에서는 베이스 기판 제작 장치, 대향 기판 제작 장치, 액정 밀봉 장치가 각각 반송 기구를 중심으로 한 멀티 챔버형 형상으로 되어 있어, 복수의 기판을 동시에 처리할 수 있으므로 액정 장치의 제조 시간을 큰 폭으로 단축할 수 있다.
따라서, 액정 장치를 높은 수율로 또한 단시간에 제작할 수 있다.
100 : 베이스 기판 102 : 제 1 기판
104 : 소자층 106 : 제 1 배향막
110 : 대향 기판 112 : 제 2 기판
114 : 전극막 116 : 제 2 배향막
120 : 제 1 시일재 130 : 제 2 시일재
140 : 액정 재료 150 : 제 1 도전재료
160 : 제 2 도전재료 170 : 외부접속단자
180 : 편광판 200 : 소자층 제작 기판
202 : 박리층 206 : 박리용 접착제
208 : 임시 지지 기판 210 : 고정용 접착제
212 : 미점착 재료 214 : 제 1 임시 고정 기판
216 : 제 2 임시 고정 기판 218 : 러빙 처리 부재
600 : 베이스 기판 602 : 제 1 기판
604 : 제 1 전극막 606 : 제 1 배향막
610 : 대향 기판 612 : 제 2 기판
614 : 제 2 전극막 616 : 제 2 배향막
620 : 제 1 시일재 622 : 미점착 재료
624 : 제 1 임시 고정 기판 630 : 제 2 시일재
632 : 미점착 재료 634 : 제 2 임시 고정 기판
640 : 액정 재료 650 : 제 1 도전재료
660 : 제 2 도전재료 670 : 외부접속단자
680 : 편광판 800 : 베이스 기판 제작 장치
802 : 반송 기구 810 : 기판 설치실
820 : 세정 장치 822 : 제 1 웨트 세정기구
824 : 제 2 웨트 세정기구 826 : 드라이 세정기구
830 : 스핀 코터 840 : UV 처리실
850 : 접착 장치 851 : 이동 기구
852 : 카세트 854 : 카세트
856 : 카세트 858 : 카세트
859 : 접착 지그 860 : 전치 장치
870 : 가열 장치 872 : 감압 처리 장치
880 : 스크린 인쇄장치 890 : 러빙 장치
900 : 대향 기판 제작 장치 902 : 반송 기구
910 : 기판 설치실 920 : 세정 장치
922 : 웨트 세정기구 924 : 드라이 세정기구
930 : 가열 장치 932 : 감압 처리 장치
940 : 스핀 코터 950 : 스퍼터 장치
960 : 접착 장치 962 : 카세트
964 : 카세트 965 : 이동 기구
966 : 접착 지그 970 : 스크린 인쇄장치
980 : 러빙 장치 1000 : 액정 밀봉 장치
1002 : 반송 기구 1010 : 디스펜서
1020 : 접착 장치 1022 : 감압 처리 장치
1024 : UV 조사 장치 1030 : 외부접속단자 압착 장치
1040 : 분리 장치 1050 : 기판 취출실

Claims (10)

  1. 액정 재료와,
    상기 액정 재료에 접하여 상기 액정 재료가 새어 나오지 않도록 끊김없이 둘러싸고 있는 제 1 시일재와,
    상기 제 1 시일재를 둘러싸고 있는 제 2 시일재와,
    파괴 인성값이 1.5 [MPa.m1/2 ]이상의 베이스 기판과 대향 기판을 포함하고,
    상기 베이스 기판은 상기 제 1 시일재와 상기 제 2 시일재를 사용하여 1[M/mm2] 이상의 결합 강도를 가지고 상기 대응 기판에 접착되고,
    상기 액정 재료는 상기 베이스 기판과 상기 제 1 시일재와 접하고 있는 상기 대응 기판 사이에 제공되고,
    상기 제 1 시일재는 1x10-4wt% 이하의 액정 오염물질을 포함하고,
    상기 베이스 기판은:
    제 1 기판과,
    상기 제 1 기판 위에 제공되어 있는 제 1 전극막과,
    상기 액정 재료와 접하고 있고 상기 제 1 전극막 위에 제공되어 있는 제 1 배향막을 포함하고,
    상기 대향 기판은:
    제 2 기판과,
    상기 제 2 기판 위에 제공되어 있는 제 2 전극막과,
    상기 액정 재료와 접하고 있고 상기 제 2 전극막 위에 제공되어 있는 제 2 배향막을 포함하고,
    상기 제 1 전극막의 일부분은 도전 재료로 상기 제 2 전극막의 일부분에 전기적으로 접속된, 액정 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 기판 위에 제공된 소자층을 더 포함하고,
    상기 소자층의 일부분은 도전 재료로 상기 제 2 전극막의 일부분과 전기적으로 접속된, 액정 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 시일재는 광경화성 재료이고,
    상기 제 2 시일재는 광경화성 재료인, 액정 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 시일재가 경화되기 전의 점도는 1000 cP 이하이고,
    상기 제 2 시일재가 새어나오지 않도록 끊김없이 둘러싸는 제 3 시일재가 제공된, 액정 장치.
  5. 블루상을 나타내는 액정 재료와,
    상기 액정 재료에 접하여 상기 액정 재료가 새어 나오지 않도록 끊김없이 둘러싸고 있는 제 1 시일재와,
    상기 제 1 시일재를 둘러싸고 있는 제 2 시일재와,
    파괴 인성값이 1.5 [MPa.m1/2 ] 이상의 베이스 기판과 대향 기판을 포함하고,
    상기 베이스 기판은 상기 제 1 시일재와 상기 제 2 시일재를 사용하여 1[M/mm2] 이상의 결합 강도를 가지고 상기 대응 기판에 접착되고,
    상기 액정 재료는 상기 베이스 기판과 상기 제 1 시일재와 접하고 있는 상기 대응 기판 사이에 제공되고,
    상기 제 1 시일재는 1x10-4wt% 이하의 액정 오염물질을 포함하고,
    상기 베이스 기판은:
    제 1 기판과,
    상기 액정 재료와 접하고 있고 상기 제 1 기판 위에 제공되어 있는 소자층을 포함하고,
    상기 대향 기판은:
    제 2 기판과,
    상기 제 2 기판 위에 제공되어 있고 상기 액정 재료와 접하는 전극막을 포함하고,
    상기 소자층의 일부분은 도전 재료로 상기 전극막의 일부분에 전기적으로 접속된, 액정 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 1 시일재는 광경화성 재료이고,
    상기 제 2 시일재는 광경화성 재료인, 액정 장치.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 시일재가 경화되기 전의 점도는 1000 cP 이하이고,
    상기 제 2 시일재가 새어나오지 않도록 끊김없이 제 3 시일재가 제공된, 액정 장치.
  8. 파괴 인성값이 1.5 [MPa.m1/2 ] 이상의 제 1 기판의 표면 위에 소자층을 형성하고,
    상기 제 1 기판의 하면에 미점착제를 개재하여 제 1 반고정 기판을 제공하고,
    상기 소자층 위에 제 1 배향막을 형성하고,
    상기 제 1 배향막 위에 제 1 배향처리를 행하고,
    상기 제 1 반고정 기판이 접착되어 있는 베이스 기판을 형성하는 단계와,
    파괴 인성값이 1.5 [MPa.m1/2 ] 이상의 제 2 기판의 표면에 전극막을 형성하고,
    상기 제 2 기판의 하면에 미점착제를 개재하여 제 2 반고정 기판을 제공하고,
    상기 전극막 위에 제 2 배향막을 형성하고,
    상기 제 2 배향막 위에 제 2 배향처리를 행하고,
    상기 제 2 반고정 기판이 접착되어 있는 대향 기판을 형성하는 단계와,
    상기 단계들은 특별한 순서없이 행해지고,
    상기 액정 장치의 제작 방법은:
    액정 재료와,
    상기 액정 재료를 둘러싸는 제 1 시일재와,
    상기 제 1 시일재를 둘러싸는 제 2 시일재와,
    상기 소자층 위에 제 1 도전 재료를 상기 베이스 기판 위에 제공하고,
    상기 베이스 기판의 상기 제 1 배향막 형성면에 대하여 상기 대향 기판의 상기 제 2 배향막 형성면을 감압상태에서 접착하고,
    상기 제 1 시일재와, 상기 제 2 시일재와, 상기 제 1 도전 재료를 경화 처리를 행하고,
    상기 베이스 기판과 상기 대향 기판을 상기 제 1 시일재와 상기 제 2 시일재를 사용하여 접착하고,
    상기 소자층의 일부분과 상기 전극막의 일부분이 상기 제 1 도전 재료를 사용하여 전기적으로 접속하고,
    상기 베이스 기판으로부터 상기 미점착 재료와 상기 제 1 반고정 기판을 분리하는 단계와,
    상기 대향 기판으로부터 상기 미점착 재료와 상기 제 2 반고정 기판을 분리하는 단계를 포함하고,
    상기 단계들은 특별한 순서없이 행해지고,
    상기 소자층의 일부분에 제 2 도전 재료를 개재하여 외부 접속단자에 접속하는, 액정 장치 제작 방법.
  9. 파괴 인성값이 1.5 [MPa.m1/2 ] 이상의 제 1 기판의 표면에 소자층을 형성하고,
    상기 제 1 기판의 하면에 미점착제를 개재하여 제 1 반고정 기판을 제공하고,
    상기 제 1 반고정 기판이 접착되어 있는 베이스 기판을 형성하는 단계와,
    파괴 인성값이 1.5 [MPa.m1/2 ] 이상의 제 2 기판의 표면에 전극막을 형성하고,
    상기 제 2 기판의 하면에 미점착제를 개재하여 제 2 반고정 기판을 제공하고,
    상기 제 2 반고정 기판이 접착되어 있는 대향 기판을 형성하는 단계와,
    상기 단계들은 특별한 순서없이 행해지고,
    상기 액정 장치의 제작 방법은:
    액정 재료와,
    상기 액정 재료를 둘러싸는 제 1 시일재와,
    상기 제 1 시일재를 둘러싸는 제 2 시일재와,
    상기 소자층 위에 제 1 도전 재료를 상기 베이스 기판 위에 제공하고,
    상기 베이스 기판의 상기 소자층의 형성면이 상기 대향 기판의 상기 전극막 형성면을 감압상태에서 접착하고,
    상기 제 1 시일재와, 상기 제 2 시일재와, 상기 제 1 도전 재료를 경화 처리를 행하고,
    상기 베이스 기판과 상기 대향 기판을 상기 제 1 시일재와 상기 제 2 시일재를 사용하여 접착하고,
    상기 소자층의 일부분과 상기 전극막의 일부분이 상기 제 1 도전 재료를 사용하여 전기적으로 접속하고,
    상기 베이스 기판으로부터 상기 미점착 재료와 상기 제 1 반고정 기판을 분리하는 단계와,
    상기 대향 기판으로부터 상기 미점착 재료와 상기 제 2 반고정 기판을 분리하는 단계를 포함하고,
    상기 단계들은 특별한 순서없이 행해지고,
    상기 소자층의 일부분에 상기 제 2 도전 재료를 개재하여 외부 접속단자에 접속하는, 액정 장치 제작 방법.
  10. 파괴 인성값이 1.5 [MPa.m1/2 ] 이상의 제 1 기판의 표면에 제 1 전극막을 형성하고,
    상기 제 1 기판의 하면에 미점착제를 개재하여 제 1 반고정 기판을 제공하고,
    상기 제 1 전극막 위에 제 1 배향막을 형성하고,
    상기 제 1 배향막 위에 제 1 배향처리를 행하고,
    상기 제 1 반고정 기판이 접착되어 있는 베이스 기판을 형성하는 단계와,
    파괴 인성값이 1.5 [MPa.m1/2 ] 이상의 제 2 기판의 표면에 제 2 전극막을 형성하고,
    상기 제 2 기판의 하면에 미점착제를 개재하여 제 2 반고정 기판을 제공하고,
    상기 제 2 전극막 위에 제 2 배향막을 형성하고,
    상기 제 2 배향막 위에 제 2 배향처리를 행하고,
    상기 제 2 반고정 기판이 접착되어 있는 대향 기판을 형성하는 단계와,
    상기 단계들은 특별한 순서없이 행해지고,
    상기 액정 장치의 제작 방법은:
    액정 재료와,
    상기 액정 재료를 둘러싸는 제 1 시일재와,
    상기 제 1 시일재를 둘러싸는 제 2 시일재와,
    상기 소자층 위에 제 1 도전 재료를 상기 베이스 기판 위에 제공하고,
    상기 베이스 기판의 상기 제 1 배향막 형성면에 대하여 상기 대향 기판의 상기 제 2 배향막 형성면을 감압상태에서 접착하고,
    상기 제 1 시일재와, 상기 제 2 시일재와, 상기 제 1 도전 재료를 경화 처리를 행하고,
    상기 베이스 기판과 상기 대향 기판을 상기 제 1 시일재와 상기 제 2 시일재를 사용하여 접착하고,
    상기 제 1 전극막의 일부분과 상기 제 2 전극막의 일부분이 상기 제 1 도전 재료를 사용하여 전기적으로 접속하고,
    상기 베이스 기판으로부터 상기 미점착 재료와 상기 제 1 반고정 기판을 분리하는 단계와,
    상기 대향 기판으로부터 상기 미점착 재료와 상기 제 2 반고정 기판을 분리하는 단계를 포함하고,
    상기 단계들은 특별한 순서없이 행해지고,
    상기 제 1 전극막의 일부분 또는 상기 제 2 전극막의 일부분에 상기 제 2 도전 재료를 개재하여 외부 접속단자에 접속하는, 액정 장치 제작 방법.
KR1020110081112A 2010-08-17 2011-08-16 액정 장치 및 액정 장치의 제작 방법 KR101856123B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2010-182078 2010-08-17
JP2010182078 2010-08-17

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120022630A true KR20120022630A (ko) 2012-03-12
KR101856123B1 KR101856123B1 (ko) 2018-06-25

Family

ID=45593813

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110081112A KR101856123B1 (ko) 2010-08-17 2011-08-16 액정 장치 및 액정 장치의 제작 방법

Country Status (3)

Country Link
US (2) US20120044445A1 (ko)
JP (3) JP5977493B2 (ko)
KR (1) KR101856123B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190074513A (ko) * 2017-12-20 2019-06-28 주식회사 엘지화학 투과도 가변 필름 및 투과도 가변 필름의 제조 방법

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5285808B2 (ja) * 2010-04-06 2013-09-11 シャープ株式会社 液晶表示パネルの製造方法
CN102736302B (zh) * 2012-06-26 2016-03-30 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示装置、液晶显示面板的制造方法及设备
KR101576222B1 (ko) 2012-10-26 2015-12-10 주식회사 토비스 곡면형 디스플레이의 제조방법
JP5408374B2 (ja) * 2012-11-22 2014-02-05 旭硝子株式会社 電子デバイス用部材および電子デバイスの製造方法、ならびに電子デバイス用部材
TWI521286B (zh) * 2013-12-20 2016-02-11 友達光電股份有限公司 薄化顯示面板及其製造方法
CN117850105A (zh) * 2014-11-17 2024-04-09 阿法密克罗有限公司 用于生产柔性电光元件的方法
US10914991B2 (en) 2014-11-17 2021-02-09 Alphamicron Incorporated Method for producing a flexible electro-optic cell
US11435610B2 (en) 2014-11-17 2022-09-06 Alphamicron Incorporated Method for producing a flexible electro-optic cell
CN104624554B (zh) * 2015-01-13 2016-08-31 合肥京东方光电科技有限公司 一种清洁装置和清洁方法
JP6037070B1 (ja) * 2016-02-22 2016-11-30 大日本印刷株式会社 調光セル
US10215368B2 (en) * 2016-06-03 2019-02-26 Applied Materials, Inc. Energy efficient communication and display device
CN107706502A (zh) * 2017-09-29 2018-02-16 京东方科技集团股份有限公司 天线单元及其制造方法、液晶天线、通信设备
GB2568240B (en) * 2017-11-03 2023-01-25 Flexenable Ltd Method of producing liquid crystal devices comprising a polariser component between two lc cells
WO2019093774A1 (ko) * 2017-11-08 2019-05-16 주식회사 엘지화학 스마트 윈도우의 제조 방법
CN109917591A (zh) * 2019-03-21 2019-06-21 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板的制作方法
KR20200136690A (ko) * 2019-05-28 2020-12-08 캐논 톡키 가부시키가이샤 기판 반송 시스템, 기판 반송 방법, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법
CN112987417A (zh) * 2019-12-12 2021-06-18 京东方科技集团股份有限公司 调光玻璃及智能车窗
JP7404910B2 (ja) * 2020-02-07 2023-12-26 大日本印刷株式会社 調光セルおよび調光装置

Family Cites Families (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04131827A (ja) * 1990-09-21 1992-05-06 Seikosha Co Ltd 液晶パネルの製造方法
JPH05265012A (ja) * 1992-03-19 1993-10-15 Seiko Instr Inc 液晶電気光学装置の製造方法
JPH08171086A (ja) * 1994-12-15 1996-07-02 Sharp Corp 液晶表示素子およびその製造方法
JP3837807B2 (ja) * 1996-12-16 2006-10-25 セイコーエプソン株式会社 転写された薄膜構造ブロック間の電気的導通をとる方法，アクティブマトリクス基板の製造方法，アクティブマトリクス基板および液晶装置
JPH1164862A (ja) * 1997-08-19 1999-03-05 Toshiba Corp 液晶表示素子
JP2000039609A (ja) * 1998-05-20 2000-02-08 Toshiba Corp 液晶表示装置及び着色層部材
JP2000019540A (ja) 1998-07-01 2000-01-21 Sanyo Electric Co Ltd 液晶表示装置
US7022556B1 (en) 1998-11-11 2006-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Exposure device, exposure method and method of manufacturing semiconductor device
KR100327696B1 (ko) 1998-11-16 2002-03-09 니시무로 타이죠 액정표시장치 및 착색층 부재
JP3941401B2 (ja) * 2001-01-15 2007-07-04 セイコーエプソン株式会社 液晶装置の製造方法
JP2002221615A (ja) * 2001-01-24 2002-08-09 Mitsubishi Chemicals Corp カラーフィルタ
JP4373085B2 (ja) * 2002-12-27 2009-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法、剥離方法及び転写方法
JP4954447B2 (ja) * 2003-03-07 2012-06-13 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置およびその作製方法
TWI360702B (en) 2003-03-07 2012-03-21 Semiconductor Energy Lab Liquid crystal display device and method for manuf
JP2005234130A (ja) 2004-02-18 2005-09-02 Sekisui Chem Co Ltd 液晶表示素子用硬化性樹脂組成物、液晶滴下工法用シール剤、上下導通材料及び液晶表示素子
US7554637B2 (en) * 2004-08-27 2009-06-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display panel and display apparatus having the same
JP5030405B2 (ja) * 2004-09-01 2012-09-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7041520B1 (en) * 2004-10-18 2006-05-09 Softpixel, Inc. Method for fabricating liquid crystal displays with plastic film substrate
US7683993B2 (en) 2005-02-25 2010-03-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP2006258971A (ja) * 2005-03-15 2006-09-28 Sekisui Chem Co Ltd 液晶表示素子
JP2006267532A (ja) * 2005-03-24 2006-10-05 Citizen Watch Co Ltd シール部材及びそれを用いた液晶装置
JP4201002B2 (ja) 2005-03-28 2008-12-24 セイコーエプソン株式会社 液晶装置、その製造方法およびプロジェクタ
US7820495B2 (en) 2005-06-30 2010-10-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2007043121A (ja) 2005-06-30 2007-02-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
CN1716056A (zh) * 2005-07-29 2006-01-04 友达光电股份有限公司 平面显示装置
US7858159B2 (en) * 2005-09-02 2010-12-28 Dainippon Ink And Chemicals, Inc. Photocurable composition for sealant, liquid crystal sealant, and liquid crystal panel
KR101168731B1 (ko) * 2005-09-06 2012-07-26 삼성전자주식회사 액정표시장치용 기판
JP2007088235A (ja) * 2005-09-22 2007-04-05 Seiko Epson Corp 薄膜素子の転写方法、製造方法、薄膜装置の製造方法及び電子機器
US7662449B2 (en) * 2005-11-22 2010-02-16 Industrial Technology Research Institute Liquid crystal display
EP2037433B1 (en) * 2006-06-15 2012-07-18 Sharp Kabushiki Kaisha Display and process for producing the same
JP5138927B2 (ja) 2006-12-25 2013-02-06 共同印刷株式会社 フレキシブルｔｆｔ基板及びその製造方法とフレキシブルディスプレイ
US9434642B2 (en) 2007-05-21 2016-09-06 Corning Incorporated Mechanically flexible and durable substrates
JP2009003020A (ja) * 2007-06-19 2009-01-08 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示素子およびその製造方法
JP5121432B2 (ja) * 2007-12-11 2013-01-16 キヤノン株式会社 液晶表示装置及びその製造方法並びに液晶プロジェクション装置
JP4576420B2 (ja) * 2007-12-25 2010-11-10 芝浦メカトロニクス株式会社 接着剤塗布装置、液晶表示パネル、液晶表示パネルの製造装置及び製造方法、並びに基板貼り合わせ装置
KR101572136B1 (ko) 2008-03-13 2015-11-26 주식회사 동진쎄미켐 Top emission 방식의 디스플레이의 실링방법
KR101436770B1 (ko) 2008-04-24 2014-09-03 닛토덴코 가부시키가이샤 투명 기판
JP2010072529A (ja) * 2008-09-22 2010-04-02 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
JP2010096889A (ja) * 2008-10-15 2010-04-30 Konica Minolta Holdings Inc 表示パネルの製造方法および表示パネル
KR101495214B1 (ko) * 2008-10-29 2015-03-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
EP2899170B1 (en) 2008-11-07 2016-08-31 Nitto Denko Corporation Transparent substrate and method for production thereof
US8218111B2 (en) * 2008-11-13 2012-07-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
US8395740B2 (en) 2009-01-30 2013-03-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device having blue phase liquid crystal and particular electrode arrangement
WO2010090147A1 (ja) * 2009-02-06 2010-08-12 旭硝子株式会社 電子デバイスの製造方法およびこれに用いる剥離装置
KR101134635B1 (ko) * 2009-10-12 2012-04-09 금호석유화학 주식회사 액정 표시 소자용 실란트 조성물

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190074513A (ko) * 2017-12-20 2019-06-28 주식회사 엘지화학 투과도 가변 필름 및 투과도 가변 필름의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP5977493B2 (ja) 2016-08-24
US20120044445A1 (en) 2012-02-23
KR101856123B1 (ko) 2018-06-25
JP2019023750A (ja) 2019-02-14
US20170322437A1 (en) 2017-11-09
JP2016194725A (ja) 2016-11-17
JP6684331B2 (ja) 2020-04-22
US9995970B2 (en) 2018-06-12
JP2012063761A (ja) 2012-03-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6684331B2 (ja) 液晶装置の作製方法
JP6522198B2 (ja) 表示装置
TWI475282B (zh) 液晶顯示裝置和其製造方法
TWI249052B (en) Display panel and method for fabricating the same
TW574753B (en) Manufacturing method of thin film apparatus and semiconductor device
US8263975B2 (en) Laminate, preparatory support, method for producing laminate, and method for producing device
TWI480165B (zh) Manufacture of electronic devices
JP2006041135A (ja) 電子デバイスおよびその製造方法
JP2006243739A (ja) 液晶表示装置の配向膜製造方法及びこれに用いる配向膜エッチング装置
JP2018072832A (ja) 表示装置用支持フレームおよびこれを含む表示装置
WO2012090787A1 (ja) 積層体の製造方法
JP3837807B2 (ja) 転写された薄膜構造ブロック間の電気的導通をとる方法，アクティブマトリクス基板の製造方法，アクティブマトリクス基板および液晶装置
KR20230030564A (ko) 전자 표시 장치 및 그 제조 방법
JP5105948B2 (ja) 表示装置の作製方法
JP2007033982A (ja) 液晶表示装置の製造方法
JP2005215419A (ja) 反射型液晶表示装置及び透過型液晶表示装置
JP2007519038A (ja) 電気光学装置を製作する方法および電気光学装置
KR20070011699A (ko) 편광판어셈블리와, 이의 제조방법 및 이를 이용한패널어셈블리의 제조방법
TW200300110A (en) Method for forming thin film on synthetic resin and multilayer film the same
JP2023088993A (ja) 表示装置
JP5232321B2 (ja) 表示装置の作製方法
JP2008233701A (ja) 表示装置及び表示装置の製造方法
JPH0915618A (ja) 液晶パネル用電極基板
JP2006010830A (ja) 液晶表示装置用基板

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant