JP5232321B2 - 表示装置の作製方法 - Google Patents

Description

本発明は表示装置の作製方法に関し、特に液晶滴下法を用いる表示装置の作製方法に関
する。

近年、液晶表示装置は時計、電卓はもとより、パーソナルコンピュータなどのＯＡ機器
、液晶テレビやＰＤＡ、携帯電話など各種幅広い分野で用いられている。

この液晶表示装置は、２枚の透光性基板の間に液晶を封入し、電圧を印加することによ
り液晶分子の向きを変えて光透過率を変化させて所定の画像等を光学的に表示する。透光
性基板の間に液晶を封入する方法として、２枚の基板をシール材により貼り合わせた後、
真空下においてシール材の一部に形成された液晶注入口から液晶を注入することにより、
シール材で囲まれた領域に液晶を注入する方法（注入法）がある。また、他にも一方の基
板上にシール材を形成し、シール材に囲まれる領域に液晶を滴下した後に、他方の基板と
貼り合わせる方法（液晶滴下法）がある。

注入法では、液晶の注入に要する時間が画面サイズに依存し量産性に欠ける問題点を有
しているが、液晶滴下法は画面サイズにほとんど依存せず液晶を形成でき、液晶注入口を
設ける必要がないため封止処理が不要である利点を有している。さらに、液晶滴下法では
、一対の基板の貼り合わせが完了した場合には、２枚の基板間には液晶が封入された状態
となっている。

しかし、液晶滴下法ではシール材の硬化処理（紫外線照射又は熱処理等）が、液晶を滴
下して２枚の基板を貼り合わせた後に行われる（例えば、特許文献１）。つまり、シール
材を形成した後に熱処理等を経ずに当該シール材で囲まれた領域に液晶を滴下するため、
シール材に含まれる不純物が液晶滴下前の基板等に付着することによって、液晶に不純物
が混入し、表示不良等の信頼性の低下が生じる。

このような問題を解決するために、液晶を滴下する直前に基板に付着した異物を除去す
る方法が提案されている（例えば、特許文献２）。

特開２００５−２１５６１０号公報 特開２００５−２０２２５８号公報

しかしながら、シール材の乾燥に伴って生じる有機物等の不純物が一度基板に付着した
場合には完全に除去することが困難であり、その後に形成される液晶に不純物が混入する
おそれがある。また、一度基板に付着した不純物を除去する場合には、気体の吹き付けに
際し風量等を強くする必要がある。

本発明は、上記問題に鑑み、液晶滴下法を用いる場合であってもシール材から生じる不
純物が液晶に混入することを低減し、表示不良の問題を抑制する表示装置の作製方法を提
供することを課題とする。

本発明の表示装置の作製方法の一は、素子形成層が設けられた第１の基板上に、素子形
成層を囲むようにシール材を形成し、シール材で囲まれた領域に気体を吹き付け、少なく
ともシール材の表面を乾燥させ、シール材で囲まれた領域に液晶を滴下し、第２の基板を
第１の基板と貼り合わせる。気体としては、窒素やアルゴン等の不活性気体を用いること
ができる。

また、本発明の表示装置の作製方法の一は、素子形成層が設けられた第１の基板上にお
いて、液晶を形成する領域に気体を吹き付け、気体を吹き付けながら素子形成層を囲むよ
うにシール材を形成し、少なくともシール材の表面が乾燥した後に、シール材で囲まれた
領域に液晶を滴下し、第２の基板を第１の基板と貼り合わせる。

また、本発明の表示装置の作製方法の一は、上記構成において、シール材に囲まれた領
域への気体の吹き付けと並行して紫外線照射又は熱処理を行うことによりシール材を仮硬
化させる。

また、本発明の表示装置の作製方法の一は、上記構成において、素子形成層が設けられ
た基板の表面が下方を向くように配置し、シール材の形成を基板の下側からディスペンサ
により行い、気体の吹き付けを基板の下側から吹き付ける。

また、本発明の表示装置の作製方法の一は、上記構成において、気体の吹き付けをシー
ル材で囲まれる領域において内側から外側に気体が流れるように行う。

また、本発明の表示装置の作製方法の一は、素子形成層が設けられた第１の基板上に、
素子形成層を囲むようにシール材を形成し、シール材を覆うように遮蔽板を設けて、シー
ル材で囲まれた領域をシール材から遮蔽させ、シール材に気体を吹き付け、少なくともシ
ール材の表面を乾燥させ、遮蔽板を除去した後に、シール材で囲まれた領域に液晶を滴下
し、第２の基板を第１の基板と貼り合わせる。

また、本発明の表示装置の作製方法の一は、上記構成において、気体の吹き付けを不活
性雰囲気下のチャンバー内で行う。

また、本発明の表示装置の作製方法の一は、上記構成において、吹き付け後の気体をチ
ャンバー内に設けられた排気口から排気する。

また、本発明の表示装置の作製方法の一は、上記構成において、第２の基板と第１の基
板とを貼り合わせた後に、紫外線照射又は熱処理を行うことによりシール材を硬化させる
。

基板上に形成されたシール材に気体を吹き付けて当該シール材を乾燥させることにより
、シール材に囲まれた領域に不純物が付着することを抑制し液晶への不純物の混入を低減
することができる。また、基板に不純物が付着した後に当該付着した不純物を除去する場
合と比較して、気体の吹き付けの風量を強くする必要がないという利点を有している。

本発明の表示装置の作製方法の一例を示す図。 本発明の表示装置の作製方法の一例を示す図。 本発明の表示装置の作製方法の一例を示す図。 本発明の表示装置の作製方法の一例を示す図。 本発明の表示装置の作製方法の一例を示す図。 本発明の表示装置の作製方法の一例を示す図。 本発明の表示装置の作製方法の一例を示す図。 本発明の表示装置の一例を示す図。 本発明の表示装置の一例を示す図。 本発明の表示装置の一例を示す図。 本発明の表示装置の使用形態の一例を示す図。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。ただし、本発明は多
くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱するこ
となくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。し
たがって、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、本明細書
中の図面において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その
説明は省略する場合がある。

（実施の形態１）
本実施の形態では、表示装置の作製方法の一例に関し図面を参照して説明する。

本実施の形態で示す表示装置の作製方法は、基板上にシール材を形成し、当該シール材
で囲まれた領域に気体を吹き付けて少なくともシール材の表面を乾燥させた後、シール材
で囲まれた領域に液晶を滴下する。以下に、具体的な作製方法に関して図１を参照して説
明する。

まず、基板１０１上に少なくとも素子形成層１０２を形成する（図１（Ａ）参照）。

基板１０１は、ガラス基板、石英基板又は可撓性基板等を用いることができる。可撓性
基板は、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン等からなるプラス
チック基板等を用いることができる。

素子形成層１０２は、表示装置において画素部をとなる部分を少なくとも含んでおり、
トランジスタやダイオード等の半導体素子から構成されている。画素部を構成しうる部分
は、例えば、スイッチとして機能するトランジスタ及び画素電極により構成される領域が
マトリクス状に配置された構成とすることができる。

表示装置に適用しうるトランジスタとして、様々な形態のトランジスタを適用させるこ
とが出来る。よって、適用可能なトランジスタの種類に限定はない。従って、例えば、非
晶質シリコンや多結晶シリコンに代表される非単結晶半導体膜を有する薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）などを適用することが出来る。また、インクジェットや印刷法を用いて作成し
たトランジスタなどを適用することが出来る。また、有機半導体やカーボンナノチューブ
を有するトランジスタ、その他のトランジスタを適用することができる。また、ＳＯＩ基
板を用いて単結晶シリコンに代表される単結晶半導体膜を有するトランジスタを適用する
ことができる。なお、非単結晶半導体膜には水素またはハロゲンが含まれていてもよい。
また、トランジスタが配置されている基板の種類は、様々なものを用いることができ、特
定のものに限定されることはない。例えば、ガラス基板上に貼り合わせて形成された単結
晶シリコン（Ｓｉ）膜を用いて形成されたトランジスタを用いることも可能である。

また、素子形成層１０２に配向膜やスペーサ等を設けた構成としてもよい。例えば、画
素部を構成しうる部分に柱状や球状のスペーサを設けることができる。

次に、基板１０１上にシール材１０３を形成する（図１（Ｂ）参照）。シール材１０３
は、素子形成層１０２を囲むように設ける。基板１０１上に設けるシール材１０３のパタ
ーンは、素子形成層１０２を完全に囲んで設けた構成（閉ループ）とする。もちろん、閉
ループに限られず、例えば、液晶量を調整するための開口部を設けた構成としてもよい。

シール材１０３は、ディスペンサ法、印刷法、熱圧着法等を用いて、エポキシ樹脂等の
熱硬化型の樹脂、又はアクリル樹脂等の紫外線硬化型の樹脂を用いることができる。また
、紫外線硬化樹脂と熱硬化型樹脂とを混合したハイブリッドタイプを用いてもよい。ここ
では、紫外線硬化型のアクリル系の樹脂を用いる。

なお、図１では、素子形成層１０２を囲むように基板１０１上にシール材１０３を設け
た構成としたが、素子形成層１０２と重なるようにシール材１０３を設けてもよい。

次に、シール材１０３で囲まれた領域に気体１０４を吹き付ける（図１（Ｃ）参照）。
気体１０４の吹き付けは、少なくともシール材１０３の表面が乾燥するまで行うことが好
ましい。シール材１０３の表面が乾燥すれば、シール材１０３から揮発等により生じる有
機物等の不純物が低減するためである。

また、気体１０４の吹き付けは、シール材１０３の形成直後又は形成と同時に行うこと
が好ましい。シール材１０３の形成直後又は形成と同時に気体１０４を吹き付けることに
よって、シール材１０３から揮発等により生じる不純物がシール材１０３に囲まれた領域
に付着することを低減することができる。

さらに、気体１０４の吹き付けは、シール材１０３に囲まれた領域において、内側から
外側に気体１０４が流れるように行う。その結果、シール材１０３に囲まれた領域に当該
シール材１０３から生じる不純物が付着することを効果的に抑制することができる。

なお、気体１０４の吹き付けは不活性雰囲気下のチャンバー内で行うことが好ましい。
空気中に含まれるゴミ等が気体１０４に混入してシール材１０３に囲まれた領域に付着し
ないようにするためである。例えば、図３に示すように、チャンバー１２１に設けられた
支持台１２２上に基板１０１を設け、当該基板１０１にシール材１０３を形成した後に気
体１０４の吹き付けを行う。チャンバー１２１内で気体１０４の吹き付けを行うことによ
り、基板１０１及び素子形成層１０２へのゴミ等の不純物の付着を防止することができる
。なお、チャンバー１２１を真空にして気体１０４の吹き付けを行ってもよい。

また、図３（Ａ）に示すように、気体噴射装置１２３から発生させた気体１０４をシー
ル材１０３で囲まれた領域に吹き付けた後、排気口１２４から外部に排気することにより
、不純物が混入した吹き付け後の気体１０４がシール材で囲まれた領域に再度吹き付けら
れることを防止することができる。気体１０４としては、不活性気体を用いればよく、例
えば、窒素、アルゴン（Ａｒ）等を用いることができる。

なお、排気口１２４は、支持台１２２に設けた構成としてもよい（図３（Ｂ））。支持
台１２２に排気口１２４を設けることによって、シール材１０３に囲まれた領域に吹き付
け後の気体１０４がチャンバー１２１内に広がる前に効果的に排気することが可能となる
。従って、不純物が混入した吹き付け後の気体１０４が再度シール材１０３で囲まれた領
域に吹き付けられることによる不純物の付着を防止することができる。

このように、シール材１０３で囲まれた領域に気体１０４を吹き付けながらシール材１
０３の少なくとも表面を乾燥させることにより、シール材１０３に囲まれた領域に不純物
元素が付着することを抑制することが可能となる。

次に、シール材１０３に囲まれた領域に液晶１０５を滴下する（図１（Ｄ）参照）。

液晶１０５の滴下は、ディスペンサ装置又はインクジェット装置を用いて行うことがで
きる。インクジェット法は、画素電極に向けて微量の液晶を複数滴噴射（または滴下）で
行なうものである。インクジェット法を用いることによって、吐出回数、または吐出ポイ
ントの数などで微量な液晶の量を自由に調節することができる。

また、液晶１０５の滴下は、不純物が混入しないように不活性雰囲気下で行うことが好
ましい。また、液晶の滴下を行っている間、基板を加熱して液晶の脱気を行うとともに液
晶を低粘度化させることが好ましい。ここでは、シール材１０３に気体１０４を吹き付け
た後に、チャンバー１２１内で続けて液晶１０５の滴下を行えばよい。

液晶滴下法は、必要な箇所のみに必要な量の液晶が滴下されるため、材料のロスがなく
なる。また、シール材１０３のパターンを閉ループとすることにより、液晶注入口および
通り道のシールパターンが不要となる。従って、液晶注入時に生じる不良（例えば、配向
不良など）を低減することが可能となる。

次に、シール材１０３を利用して、対向基板１０６と基板１０１とを貼り合わせる（図
１（Ｅ）参照）。また、貼り合わせの作業は、貼り合わせる際に気泡が入らないように減
圧下又は真空雰囲気下で行うことが好ましい。ここでは、チャンバー１２１内で液晶１０
５を滴下した後に、続けて基板の貼り合わせを行えばよい。

対向基板１０６は、ガラス基板、石英基板又は可撓性基板等を用いることができる。可
撓性基板は、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン等からなるプ
ラスチック基板等を用いることができる。また、対向基板１０６には、あらかじめ対向電
極、配向膜、カラーフィルタ等を設けておく。

次に、シール材１０３に熱処理と紫外線照射の一方又は両方を行うことにより、シール
材１０３を硬化させる（図１（Ｆ）参照）。なお、シール材１０３に紫外線照射を行った
後に、熱処理を行ってもよい。

基板１０１と対向基板１０６を貼り合わせると同時に紫外線照射や熱処理を行い減圧下
又は真空雰囲気下でシール材１０３を硬化させてもよいし、貼り合わせた後に大気圧下に
放置した後にシール材１０３の硬化を行ってもよい。

以上の工程により、表示装置を形成することができる。図１に示す方法を用いることに
よって、シール材１０３から発生する不純物が液晶１０５へ混入することを抑制し、表示
装置の表示不良を防止することが可能となる。また、基板に不純物が付着した後に当該付
着した不純物を除去する場合と比較して、気体の吹き付けの風量を強くする必要がないと
いう利点を有している。

なお、図１では、素子形成層１０２が設けられた基板１０１上にシール材１０３を形成
し液晶１０５を滴下した例を示したが、これに限られない。対向基板１０６にシール材１
０３を形成して液晶１０５を滴下した後に、素子形成層１０２が設けられた基板１０１を
貼り合わせてもよい。この場合の作製方法に関して、図７を参照して以下に説明する。

まず、対向基板１０６上にシール材１０３を形成する（図７（Ａ）参照）。なお、あら
かじめ対向電極、配向膜、カラーフィルタ等が設けられた対向基板１０６を用いることが
できる。シール材１０３は、後に液晶を設ける領域を囲むように形成する。

次に、シール材１０３に囲まれた領域に気体１０４を吹き付け、少なくともシール材１
０３の表面を乾燥させる（図７（Ｂ）参照）。気体１０４の吹き付けは、気体１０４がシ
ール材１０３に囲まれた領域の内側から外側に流れるように吹き付ける。なお、気体１０
４の吹き付けは、上記図３に示したようにチャンバー１２１内で行うことが好ましい。

次に、シール材１０３に囲まれた領域に液晶１０５を滴下する（図７（Ｃ）参照）。

次に、素子形成層１０２が設けられた基板１０１と対向基板１０６を貼り合わせて設け
る（図７（Ｄ）参照）。貼り合わせの作業は、貼り合わせる際に気泡が入らないように減
圧下で行うことが好ましい。ここでは、チャンバー１２１内で液晶１０５を滴下した後に
、続けて基板の貼り合わせを行えばよい。

次に、シール材１０３に熱処理と紫外線照射の一方又は両方を行うことにより、シール
材１０３を硬化させる（図７（Ｅ）参照）。なお、シール材１０３に紫外線照射を行った
後に、熱処理を行ってもよい。

基板１０１と対向基板１０６を貼り合わせると同時に紫外線照射や熱処理を行い減圧下
でシール材１０３を硬化させてもよいし、貼り合わせた後に大気圧下に放置した後にシー
ル材１０３の硬化を行ってもよい。

以上の工程により、表示装置を形成することができる。図７に示す方法を用いても、シ
ール材１０３から発生する不純物が液晶１０５へ混入することを抑制し、表示装置の表示
不良を防止することが可能となる。

本実施の形態は、本明細書の他の実施の形態で示した表示装置の構成又は作製方法と自
由に組み合わせて実施することができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、上記実施の形態と異なる表示装置の作製方法に関して図面を参照し
て説明する。具体的には、シール材の形成前から気体を吹き付ける場合について示す。

まず、基板１０１上に少なくとも素子形成層１０２を形成する（図２（Ａ）参照）。

次に、基板１０１上において、後に形成されるシール材で囲まれる領域（液晶が形成さ
れる領域）に気体１０４を吹き付ける（図２（Ｂ）参照）。気体１０４の吹き付けは、後
に形成されるシール材に囲まれる領域において、内側から外側に気体１０４が流れるよう
に行う。

なお、気体１０４の吹き付けは図３に示したチャンバー１２１内で行うことが好ましい
。チャンバー１２１で行うことにより、基板１０１及び素子形成層１０２へのゴミ等の不
純物の付着を防止することができる。

次に、気体１０４を吹き付けながらシール材１０３を形成する（図２（Ｃ）参照）。シ
ール材１０３は、素子形成層１０２を囲むように形成する。なお、ここではディスペンサ
１１１からシール材１０３を吐出して形成している例を示しているが、シール材１０３の
形成は印刷法、熱圧着法等を用いてもよい。また、気体１０４の吹き付けによりシール材
１０３の形成位置が変わらないようシール材１０３の粘性や気体１０４の風量を適宜制御
する。

このように、シール材１０３の形成前から気体１０４を吹き付けることによって、シー
ル材１０３で囲まれる領域にシール材１０３から揮発等により生じる不純物が付着するこ
とを効果的に防止することが可能となる。なお、基板１０１に吹き付けた後の気体１０４
は上記図３で示したように排気口１２４から排気することが好ましい。

気体１０４の吹き付けは、少なくともシール材１０３の表面が乾燥するまで行うことが
好ましい。シール材１０３の表面が乾燥すれば、乾燥に伴いシール材１０３から発生する
不純物が低減するためである。

その後、図１（Ｄ）〜図１（Ｆ）と同様に、図２（Ｄ）〜図２（Ｆ）の工程を経ること
によって、表示装置を得ることができる。

本実施の形態で示す方法を用いることによって、シール材１０３から生じる不純物元素
がシール材１０３で囲まれた領域に付着することを効果的に防止し、液晶１０５への不純
物の混入を低減することができる。その結果、液晶に不純物が混入することによる表示装
置の表示不良を抑制することができる。

本実施の形態は、本明細書の他の実施の形態で示した表示装置の構成又は作製方法と自
由に組み合わせて実施することができる。例えば、上記図７で示したように、対向基板１
０６にシール材１０３を形成して液晶１０５を滴下した後に、素子形成層１０２が設けら
れた基板１０１と貼り合わせてもよい。

（実施の形態３）
本実施の形態では、上記実施の形態と異なる表示装置の作製方法に関して図面を参照し
て説明する。具体的には、気体の吹き付けと並行してシール材を仮硬化させる作製方法に
ついて示す。

まず、素子形成層１０２が設けられた基板１０１上にシール材１０３を形成する（図４
（Ａ）参照）。シール材１０３は、素子形成層１０２を囲むように形成する。

次に、シール材１０３で囲まれた領域に気体１０４を吹き付ける（図４（Ｂ）参照）。
気体１０４の吹き付けは、シール材１０３に囲まれた領域において、内側から外側に気体
１０４が流れるように行う。シール材１０３に囲まれた領域に当該シール材１０３から生
じる不純物が付着することを効果的に抑制することができるためである。

なお、上記図２に示したように、シール材１０３の形成前から気体１０４の吹き付けを
行ってもよい。

次に、シール材１０３に気体１０４を吹き付けながらシール材１０３に紫外線照射又は
熱処理を行うことによって、シール材１０３の仮硬化を行う（図４（Ｃ）参照）。ここで
は、シール材１０３として紫外線硬化型の樹脂を用い、気体１０４を吹き付けながら紫外
線を照射することによりシール材１０３を仮硬化させる場合を示しているが、熱処理によ
り仮硬化を行ってもよい。

気体１０４の吹き付けは、少なくともシール材１０３の仮硬化が完了するまで行うこと
が好ましい。シール材１０３が仮硬化すれば、シール材１０３から生じる不純物が低減す
るためである。

このように、シール材１０３で囲まれた領域に気体１０４を吹き付けながらシール材１
０３を仮硬化させることにより、シール材１０３に囲まれた領域に不純物元素が付着する
ことを抑制することが可能となる。

その後、図１（Ｄ）〜図１（Ｆ）と同様に、図４（Ｄ）〜図４（Ｆ）の工程を経ること
によって、表示装置を得ることができる。

このように、気体の吹き付けとシール材の仮硬化を同時に並行して行うことによって、
シール材から生じる不純物が液晶へ混入することを効果的に抑制することが可能となる。

本実施の形態は、本明細書の他の実施の形態で示した表示装置の構成又は作製方法と自
由に組み合わせて実施することができる。例えば、上記図７で示したように、対向基板１
０６にシール材１０３を形成して液晶１０５を滴下した後に、素子形成層１０２が設けら
れた基板１０１と貼り合わせてもよい。

（実施の形態４）
本実施の形態では、上記実施の形態と異なる表示装置の作製方法に関して図面を参照し
て説明する。

本実施の形態では、上記実施の形態で示した構成において基板を逆さまにして当該基板
の下側からシール材を形成する方法に関して図５を参照して説明する。

まず、チャンバー１２１内の支持台１２２に素子形成層１０２が設けられた基板１０１
を固定する。ここでは、素子形成層１０２が設けられた基板１０１の表面が下側を向くよ
うに配置する。

次に、基板１０１上に設けられた素子形成層１０２を囲むようにシール材１０３を形成
する（図５（Ａ）参照）。シール材１０３は、ディスペンサ１１１を用いて基板１０１の
下側から基板１０１の表面に形成することができる。

シール材１０３を形成した後、基板１０１の下側からシール材１０３で囲まれた領域に
気体１０４を吹き付ける（図５（Ｂ）参照）。気体１０４の吹き付けは、少なくともシー
ル材１０３の表面が乾燥するまで行うことが好ましい。シール材１０３の表面が乾燥すれ
ば、シール材１０３から生じる不純物が低減するためである。

さらに、気体１０４の吹き付けは、シール材１０３に囲まれた領域において、内側から
外側に気体１０４が流れるように行う。シール材１０３に囲まれた領域に当該シール材１
０３から生じる不純物が付着することを効果的に抑制することができるためである。

このように、シール材１０３を形成する基板１０１の表面を逆さにすることによって、
基板１０１及び素子形成層１０２にゴミ等の不純物が付着することを低減することが可能
となる。また、吹き付け後の気体１０４をチャンバー１２１に設けられた排気口１２４か
ら外部へ排気することにより、不純物が混入した吹き付け後の気体１０４がシール材で囲
まれた領域に再度吹き付けられることを防止することができる。

本実施の形態は、本明細書の他の実施の形態で示した表示装置の構成又は作製方法と自
由に組み合わせて実施することができる。例えば、図５に示した作製方法において、上記
図２に示したようにシール材１０３の形成前から気体１０４を吹き付けてもよいし、上記
図４に示したように気体１０４の吹き付けとシール材１０３の仮硬化を並行して行っても
よい。

（実施の形態５）
本実施の形態では、上記実施の形態と異なる表示装置の作製方法に関して図面を参照し
て説明する。

まず、素子形成層１０２が設けられた基板１０１上にシール材１０３を形成する（図６
（Ａ）参照）。シール材１０３は、素子形成層１０２を囲むように形成する。

次に、シール材１０３を覆うように遮蔽板１３１を設ける（図６（Ｂ）参照）。遮蔽板
１３１は、乾燥等伴いシール材１０３から生じる有機物等の不純物がシール材１０３で囲
まれた基板１０１及び素子形成層１０２に付着することを防止する役割を果たす。従って
、遮蔽板１３１は、シール材１０３から生じる有機物等の不純物を遮断できるものであれ
ばよく、例えば、ステンレス、カーボングラファイト、ガラス、石英、シリコーン樹脂、
フッ素樹脂等を用いることができる。なお、遮蔽板１３１は、シール材１０３の形成前か
ら配置しておいてもよい。

また、シール材１０３と面した遮蔽板１３１の表面に多孔質性の吸着剤（例えば、シリ
カゲル、活性炭等）を設ける用いることにより、シール材１０３から生じる有機物等の不
純物を拡散させることなく効果的に除去することが可能となる。

次に、遮蔽板１３１に覆われたシール材１０３に気体１０４を吹き付けることにより、
シール材１０３の少なくとも表面を乾燥させる（図６（Ｃ）参照）。ここでは、遮蔽板１
３１に覆われたシール材１０３にのみ気体１０４を吹き付ける場合を示しているが、これ
に限られない。例えば、上記実施の形態で示したように、シール材１０３で囲まれた領域
にも気体を吹き付けてもよい。

気体１０４の吹き付けは、少なくともシール材１０３の表面の乾燥が完了するまで行う
ことが好ましい。シール材１０３が乾燥すれば、シール材１０３から生じる不純物が低減
するためである。また、遮蔽板１３１に覆われたシール材１０３に気体１０４を吹き付け
と並行して、又は気体１０４を吹き付ける代わりに、紫外線照射や熱処理を行うことによ
りシール材１０３の仮硬化を行ってもよい。シール材１０３が仮硬化すれば、シール材１
０３から生じる不純物を低減することができる。

シール材１０３の乾燥又は仮硬化が終了した後に遮蔽板１３１を取り除く。その後、図
１（Ｄ）〜図１（Ｆ）と同様に、図６（Ｄ）〜図６（Ｆ）の工程を経ることによって、表
示装置を得ることができる。

このように、遮蔽板１３１を設けて、シール材１０３と当該シール材１０３で囲まれた
領域を遮断することによって、シール材１０３から生じる不純物元素がシール材１０３で
囲まれた領域に付着することを防止し、液晶１０５への不純物の混入を低減することがで
きる。その結果、液晶に不純物が混入することによる表示装置の表示不良を抑制すること
ができる。

本実施の形態は、本明細書の他の実施の形態で示した表示装置の構成又は作製方法と自
由に組み合わせて実施することができる。

（実施の形態６）
本実施の形態では、上記実施の形態で作製した液晶表示装置の一例について説明する。
具体的には、上記実施の形態における素子形成層を構成する画素部について図８を参照し
て説明する。

表示装置の画素部の上面図を図８（Ａ）に、図８（Ａ）における線Ｅ−Ｆの断面図を図
８（Ｂ）に示す。また、図８（Ａ）には、液晶層、及び対向基板側に設けられる配向膜、
対向電極、着色層などは省略され図示されていないが、図８（Ｂ）で示すようにそれぞれ
設けられている。

下地膜として絶縁層５２３が設けられた基板５２０上に、第１の方向に延びた第１の配
線と、第１の方向と垂直な第２の方向に延びた第２の配線とがマトリクス状に設けられて
いる。また、第１の配線はトランジスタ５２１のソース電極又はドレイン電極に接続され
ており、第２の配線はトランジスタ５２１のゲート電極に接続されている。さらに、第１
の配線と接続されていないトランジスタ５２１のソース電極またはドレイン電極である配
線層５２５ｂに、画素電極５３１が接続されている。

逆スタガ型薄膜トランジスタであるトランジスタ５２１、絶縁層５５７、絶縁層５２７
、画素電極５３１、配向膜として機能する絶縁層５６１が設けられた基板５２０と、配向
膜として機能する絶縁層５６３、対向電極５６４、カラーフィルタとして機能する着色層
５６５、偏光板５５６（偏光子を有する層、単に偏光子ともいう）が設けられた基板５６
８とが液晶層５６２を挟持して対向している。

液晶層５６２は、上記実施の形態で示したように気体を吹き付けてシール材を乾燥させ
た後に、液晶を滴下法により滴下して形成する。

また、基板５２０及び基板５６８を、液晶層５６２を充填した状態で貼り合わせ後、シ
ール材を硬化し、加熱処理を行うことが好ましい。加熱処理によって、液晶の配向乱れを
さらに修正することができる。また、貼り合わせ工程は減圧下で行うと好ましい。

配向膜として機能する絶縁層は、ポリイミド、ポリアミドなどを用いることができる。
絶縁層は、ラビング処理によって配向膜として機能させることができるが、その形成方法
は限定されない。液晶を一方向に配向させられるように、配向膜として機能できる絶縁層
であればよい。絶縁層の配向処理として光照射、加熱処理を行ってもよい。

シール材としては、代表的には可視光硬化性、紫外線硬化性または熱硬化性の樹脂を用
いることができる。例えば、ビスフェノールＡ型液状樹脂、ビスフェノールＡ型固形樹脂
、含ブロムエポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型樹脂、ビスフェノールＡＤ型樹脂、フェノ
ール型樹脂、クレゾール型樹脂、ノボラック型樹脂、環状脂肪族エポキシ樹脂、エピビス
型エポキシ樹脂、グリシジルエステル樹脂、グリジシルアミン系樹脂、複素環式エポキシ
樹脂、変性エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂を用いることができる。

スメクティック液晶に紫外線硬化樹脂を添加したＰＳ−ＦＬＣなどを用いる場合は、シ
ール材として熱硬化型樹脂、又は液晶に添加した紫外線硬化樹脂の硬化する光の波長以外
で硬化する紫外線硬化型樹脂を用いることが好ましい。シール材は、光照射、加熱処理、
又は両方を行って硬化を行えばよい。

基板に薄膜トランジスタなどの半導体素子を形成した素子基板を用いる場合、液晶の滴
下は素子基板に行ってもよいし、カラーフィルタやブラックマトリクスなどが設けられた
対向基板にシール材を形成し、液晶を滴下してもよい。従って、素子基板である基板５２
０、及び対向基板である基板５６８どちら側にシール材を形成し、液晶を滴下してもよい
。

図８では、トランジスタ５２１はチャネルエッチ型逆スタガトランジスタの例を示して
いる。図８において、トランジスタ５２１は、ゲート電極層５０２、ゲート絶縁層５２６
、半導体層５０４、一導電型を有する半導体層５０３ａ、５０３ｂ、ソース電極層又はド
レイン電極層である配線層５２５ａ、５２５ｂを含む。

図９は、マルチゲート構造のトランジスタを用いる例である。図９において、マルチゲ
ート構造のトランジスタ５５１及び画素電極５６０、配向膜として機能する絶縁層５６１
が設けられた基板５２０と、配向膜として機能する絶縁層５６３、対向電極５６４、カラ
ーフィルタとして機能する着色層５６５、偏光板５５６（偏光子を有する層、単に偏光子
ともいう）が設けられた基板５６８とが液晶層５６２を挟持して対向している。

図９において、偏光板５５６は対向基板である基板５６８の外側に設けられている。偏
光板、カラーフィルタなどは基板内に設けられても良いし、基板外側に設けられてもよい
。図９の液晶表示装置では、基板５６８外側に偏光板５５６、基板５６８内側に着色層５
６５、対向電極５６４という順に設ける例を示すが、偏光板と着色層の積層構造も図９に
限定されず、偏光板及び着色層の材料や作製工程条件によって適宜設定すればよい。また
、図９では反射型液晶表示装置とするので偏光板は視認側である対向基板側に一枚設ける
が、透過型液晶表示装置であれば、液晶層を挟むように素子基板及び対向基板両方に偏光
板を設ける構成とする。また、偏光板と配向膜との間に位相差板などを設けても良く、も
っとも視認側に近い面に反射防止膜などの光学フィルムを設けることもできる。

ここでは、トランジスタ５５１はマルチゲート型のチャネルエッチ型逆スタガトランジ
スタの例を示している。図９において、トランジスタ５５１は、ゲート電極層５５２ａ、
５５２ｂ、ゲート絶縁層５５８、半導体層５５４、一導電型を有する半導体層５５３ａ、
５５３ｂ、５５３ｃ、ソース電極層又はドレイン電極層である配線層５５５ａ、５５５ｂ
、５５５ｃを含む。トランジスタ５５１上には絶縁層５５７が設けられている。

半導体層を形成する材料は、シランやゲルマンに代表される半導体材料ガスを用いて気
相成長法やスパッタリング法で作製される非晶質半導体（以下「アモルファス半導体：Ａ
Ｓ」ともいう。）、該非晶質半導体を光エネルギーや熱エネルギーを利用して結晶化させ
た多結晶半導体、また単結晶半導体などを用いることができる。

非晶質半導体膜の結晶化は、熱処理とレーザ光照射による結晶化を組み合わせてもよく
、熱処理やレーザ光照射を単独で、複数回行っても良い。

ゲート電極層は、スパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法等の手法により形成することが
できる。ゲート電極層はタンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、モリ
ブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、ネオジウム（Ｎ
ｄ）から選ばれた元素、又は前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料で形成
すればよい。また、ゲート電極層としてリン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリ
コン膜に代表される半導体膜や、ＡｇＰｄＣｕ合金を用いてもよい。また、ゲート電極層
は単層でも積層でもよい。

本実施の形態ではゲート電極層をテーパー形状を有する様に形成するが、それに限定さ
れず、ゲート電極層を積層構造にして、一層のみがテーパー形状を有し、他方は異方性エ
ッチングによって垂直な側面を有していてもよい。テーパー角度も積層するゲート電極層
間で異なっていても良いし、同一でもよい。テーパー形状を有することによって、その上
に積層する膜の被覆性が向上し、欠陥が軽減されるので信頼性が向上する。

ソース電極層又はドレイン電極層は、スパッタリング法、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法、蒸着法
等により導電膜を成膜した後、所望の形状にエッチングして形成することができる。また
、液滴吐出法、印刷法、ディスペンサ法、電界メッキ法等により、所定の場所に選択的に
導電層を形成することができる。更にはリフロー法、ダマシン法を用いても良い。ソース
電極層又はドレイン電極層の材料は金属などの導電性材料を用いることができ、具体的に
はＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｚ
ｎ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｂａ、Ｓｉ、Ｇｅなどの材料、又は上記材料の合金、若しくはそ
の窒化物を用いて形成する。また、これらの積層構造としても良い。

絶縁層５２３、５５７、５２７としては、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、酸化ア
ルミニウム、窒化アルミニウム、酸窒化アルミニウムその他の無機絶縁性材料、又はアク
リル酸、メタクリル酸及びこれらの誘導体、又はポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、芳
香族ポリアミド、ポリベンゾイミダゾール（ｐｏｌｙｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌｅ）など
の耐熱性高分子、又はシロキサン樹脂を用いてもよい。また、ポリビニルアルコール、ポ
リビニルブチラールなどのビニル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ノボラック樹脂
、アクリル樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂等の樹脂材料を用いる。また、ベンゾシク
ロブテン、フッ化アリレンエーテル、ポリイミドなどの有機材料、水溶性ホモポリマーと
水溶性共重合体を含む組成物材料等を用いてもよい。作製法としては、プラズマＣＶＤ法
や熱ＣＶＤ法などの気相成長法やスパッタリング法を用いることができる。また、液滴吐
出法や、印刷法（スクリーン印刷やオフセット印刷などパターンが形成される方法）を用
いることもできる。塗布法で得られる膜やＳＯＧ膜なども用いることができる。

トランジスタの構造は、本実施の形態に限定されず、薄膜トランジスタはチャネル形成
領域が一つ形成されるシングルゲート構造でも、二つ形成されるダブルゲート構造もしく
は三つ形成されるトリプルゲート構造であっても良い。また、周辺駆動回路領域の薄膜ト
ランジスタも、シングルゲート構造、ダブルゲート構造もしくはトリプルゲート構造であ
っても良い。

本実施の形態は、本明細書の他の実施の形態で示した表示装置の構成又は作製方法と自
由に組み合わせて実施することができる。

（実施の形態７）
本実施の形態では、上記実施の形態で作製した液晶表示装置の一例について図８を参照
して説明する。なお、以下の説明において、図１０（Ａ）は、液晶表示装置の上面図であ
り、図１０（Ｂ）は図１０（Ａ）の線Ｃ−Ｄにおける断面図である。

図１０で示すように、画素領域６０６、走査線駆動回路である駆動回路領域６０８ａ、
走査線駆動領域である駆動回路領域６０８ｂが、シール材６９２によって、素子基板であ
る基板６００と対向基板である基板６９５との間に封止され、基板６００上にＩＣドライ
バによって形成された信号線駆動回路である駆動回路領域６０７が設けられている。画素
領域６０６にはトランジスタ６２２及び容量素子６２３が設けられ、駆動回路領域６０８
ｂにはトランジスタ６２０及びトランジスタ６２１を有する駆動回路が設けられている。

基板６００及び基板６９５は、透光性を有する絶縁性基板（以下、透光性基板とも記す
）とする。特に可視光の波長領域において透光性を有する。例えば、バリウムホウケイ酸
ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板等を用いることができ
る。また、ポリエチレン−テレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥ
Ｎ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）に代表されるプラ
スチックや、アクリル等の可撓性を有する合成樹脂からなる基板を適用することができる
。また、フィルム（ポリプロピレン、ポリエステル、ビニル、ポリフッ化ビニル、塩化ビ
ニルなどからなる）、基材フィルム（ポリエステル、ポリアミド、無機蒸着フィルム等）
などを用いることもできる。また一般的に合成樹脂からなる基板は、他の基板と比較して
耐熱温度が低いことが懸念されるが、耐熱性の高い基板を用いた作製工程の後、転置する
ことによっても採用することが可能となる。

画素領域６０６には、下地膜６０４ａ、下地膜６０４ｂを介してスイッチング素子とな
るトランジスタ６２２が設けられている。

下地膜６０４ａ、６０４ｂの材料は、アクリル酸、メタクリル酸及びこれらの誘導体、
又はポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、芳香族ポリアミド、ポリベンゾイミダゾール（
ｐｏｌｙｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌｅ）などの耐熱性高分子、又はシロキサン樹脂を用い
てもよい。また、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラールなどのビニル樹脂、エポ
キシ樹脂、フェノール樹脂、ノボラック樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹
脂等の樹脂材料を用いてもよい。また、ベンゾシクロブテン、パリレン、フッ化アリレン
エーテル、ポリイミドなどの有機材料、水溶性ホモポリマーと水溶性共重合体を含む組成
物材料等を用いてもよい。また、オキサゾール樹脂を用いることもでき、例えば光硬化型
ポリベンゾオキサゾールなどを用いることができる。

下地膜６０４ａ、６０４ｂは、スパッタリング法、ＰＶＤ法（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａ
ｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、減圧ＣＶＤ法（ＬＰＣＶＤ法）、またはプラズマＣＶ
Ｄ法等のＣＶＤ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などを用い
て形成することができる。また、液滴吐出法や、印刷法（スクリーン印刷やオフセット印
刷などパターンが形成される方法）、スピンコート法などの塗布法、ディッピング法、デ
ィスペンサ法などを用いることもできる。

本実施の形態では、トランジスタ６２２にマルチゲート型薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
を用い、ソース領域及びドレイン領域として機能する不純物領域を有する半導体層、ゲー
ト絶縁層、２層の積層構造であるゲート電極層、ソース電極層及びドレイン電極層を有し
、ソース電極層又はドレイン電極層は、半導体層の不純物領域と画素電極６３０に接して
電気的に接続している。

さらに平坦性を高めるため、層間絶縁膜として絶縁膜６１５、絶縁膜６１６を形成して
もよい。絶縁膜６１５、絶縁膜６１６には、有機材料、又は無機材料、若しくはそれらの
積層構造を用いることができる。例えば酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪
素、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒素含有量が酸素含有量よりも多い窒化
酸化アルミニウムまたは酸化アルミニウム、ダイアモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、ポ
リシラザン、窒素含有炭素（ＣＮ）、ＰＳＧ（リンガラス）、ＢＰＳＧ（リンボロンガラ
ス）、アルミナ、その他の無機絶縁性材料を含む物質から選ばれた材料で形成することが
できる。また、有機絶縁性材料を用いてもよく、有機材料としては、感光性、非感光性ど
ちらでも良く、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジスト又はベ
ンゾシクロブテン、シロキサン樹脂などを用いることができる。なお、シロキサン樹脂と
は、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む樹脂に相当する。シロキサンは、シリコン（Ｓｉ）と酸素
（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される。置換基として、少なくとも水素を含む有機基（
例えばアルキル基、アリール基）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いてもよ
い。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい
。

また、結晶性半導体膜を用いることにより、画素領域と駆動回路領域を同一基板上に一
体形成することができる。その場合、画素部のトランジスタと、駆動回路領域６０８ｂの
トランジスタとは同時に形成される。駆動回路領域６０８ｂに用いるトランジスタは、Ｃ
ＭＯＳ回路を構成する。

本実施の形態に限定されず、画素領域の薄膜トランジスタはチャネル形成領域が一つ形
成されるシングルゲート構造でも、二つ形成されるダブルゲート構造もしくは三つ形成さ
れるトリプルゲート構造であっても良い。また、周辺駆動回路領域の薄膜トランジスタも
、シングルゲート構造、ダブルゲート構造もしくはトリプルゲート構造であっても良い。

なお、本実施の形態で示した薄膜トランジスタの作製方法に限らず、トップゲート型（
例えば順スタガ型）、ボトムゲート型（例えば、逆スタガ型）、あるいはチャネル領域の
上下にゲート絶縁膜を介して配置された２つのゲート電極層を有する、デュアルゲート型
やその他の構造においても適用できる。

次に、画素電極６３０及び絶縁膜６１６を覆うように、印刷法や液滴吐出法により、配
向膜とて機能する絶縁層６３１を形成する。なお、絶縁層６３１は、スクリーン印刷法や
オフセット印刷法を用いれば、選択的に形成することができる。その後、ラビング処理を
行う。配向膜とて機能する絶縁層６３３も配向膜とて機能する絶縁層６３１と同様である
。続いて、シール材６９２を液滴吐出法により画素を形成した周辺の領域に形成する。な
お、シール材６９２の形成前又は形成後に上記実施の形態で示したように気体を吹き付け
る。

液晶の滴下は素子基板である基板６００に行ってもよいし、カラーフィルタとして機能
する着色層６３５が設けられた対向基板である基板６９５にシール材６９２を形成し、液
晶を滴下してもよい。従って、素子基板である基板６００、及び対向基板である基板６９
５どちら側にシール材を形成し、液晶を滴下してもよい。

シール材６９２としては、代表的には可視光硬化性、紫外線硬化性または熱硬化性の樹
脂を用いるのが好ましい。例えば、ビスフェノールＡ型液状樹脂、ビスフェノールＡ型固
形樹脂、含ブロムエポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型樹脂、ビスフェノールＡＤ型樹脂、
フェノール型樹脂、クレゾール型樹脂、ノボラック型樹脂、環状脂肪族エポキシ樹脂、エ
ピビス型エポキシ樹脂、グリシジルエステル樹脂、グリジシルアミン系樹脂、複素環式エ
ポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂を用いることができる。

基板６００及び基板６９５を、液晶層６３２を充填した状態で貼り合わせ後、シール材
を硬化し、加熱処理を行うことが好ましい。加熱処理によって、液晶の配向乱れをさらに
修正することができる。また、貼り合わせ工程は減圧下で行うと好ましい。

配向膜として機能する絶縁層は、ポリイミド、ポリアミドなどを用いることができる。
絶縁層は、ラビング処理によって配向膜として機能させることができるが、その形成方法
は限定されない。液晶を一方向に配向させられるように、配向膜として機能できる絶縁層
であればよい。絶縁層の配向処理として光照射、加熱処理を行ってもよい。

その後、対向基板である基板６９５の外側に偏光板６４１を設け、基板６００の素子を
有する面と反対側にも偏光板６４３を設ける。偏光板は、接着層によって基板に設けるこ
とができる。また偏光板と、基板との間に位相差板を設けてもよい。シール材にはフィラ
ーが混入されていても良く、さらに対向基板である基板６９５には、遮蔽膜（ブラックマ
トリクス）などが形成されていても良い。なお、カラーフィルタ等は、液晶表示装置をフ
ルカラー表示とする場合、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）を呈する材料から形成す
ればよく、モノカラー表示とする場合、着色層を無くす、もしくは少なくとも一つの色を
呈する材料から形成すればよい。

なお、バックライト装置にＲＧＢの発光ダイオード（ＬＥＤ）等を配置し、時分割によ
りカラー表示する継時加法混色法（フィールドシーケンシャル法）を採用するときには、
カラーフィルタを設けない場合がある。ブラックマトリクスは、トランジスタやＣＭＯＳ
回路の配線による外光の反射を低減するため、トランジスタやＣＭＯＳ回路と重なるよう
に設けるとよい。なお、ブラックマトリクスは、容量素子に重なるように形成してもよい
。容量素子を構成する金属膜による反射を防止することができるからである。

スペーサは数μｍの粒子を散布して設ける方法でも良いが、本実施の形態ではシール材
形成前又は形成後に気体を吹き付けるため、基板全面に樹脂膜を形成した後これをエッチ
ング加工して形成する方法を採用する。このようなスペーサの材料を、スピナーで塗布し
た後、露光と現像処理によって所定のパターンに形成する。さらにクリーンオーブンなど
で１５０〜２００℃で加熱して硬化させる。このようにして作製されるスペーサは露光と
現像処理の条件によって形状を異ならせることができるが、好ましくは、スペーサの形状
は柱状で頂部が平坦な形状となるようにすると、対向側の基板を合わせたときに液晶表示
装置としての機械的な強度を確保することができる。形状は円錐状、角錐状などを用いる
ことができ、特別な限定はない。

続いて、画素領域と電気的に接続されている端子電極層６７８に、異方性導電体層６９
６を介して、接続用の配線基板であるＦＰＣ６９４を設ける。ＦＰＣ６９４は、外部から
の信号や電位を伝達する役目を担う。上記工程を経て、表示機能を有する液晶表示装置を
作製することができる。

なお、トランジスタが有する配線、ゲート電極層、画素電極６３０、対向電極６３４は
、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化インジウムに酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺ
Ｏ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、酸化インジウムに酸化珪素（ＳｉＯ_２）を
混合した導電材料、有機インジウム、有機スズ、酸化タングステンを含むインジウム酸化
物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物
、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ジ
ルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタ
ル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、
白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）等の金属又はその合金、
若しくはその金属窒化物から一種、又は複数種を用いて形成することができる。

透過型液晶表示装置とする場合は、画素電極６３０及び対向電極６３４に透光性の導電
性材料を用いればよい。一方、反射型液晶表示装置とする場合は、反射性を有する層を別
途設けても良いし、画素電極６３０に反射性を有する導電性材料を、対向電極６３４に透
光性の導電性材料をそれぞれ用いて形成し、画素電極６３０で反射した光を対向電極６３
４より透過し、視認側に射出する構成とすればよい。

ソース電極層又はドレイン電極層と画素電極が直接接して電気的な接続を行うのではな
く、配線層を介して接続してもよい。また、ソース電極層又はドレイン電極層の上に画素
電極が一部積層するように接続してもよいし、先に画素電極を形成し、その画素電極上に
接するようにソース電極層又はドレイン電極層を形成する構成でもよい。

本実施の形態では、上記のような回路で形成するが、これに限定されず、周辺駆動回路
としてＩＣチップを前述したＣＯＧ方式やＴＡＢ方式によって実装したものでもよい。ま
た、ゲート線駆動回路、ソース線駆動回路は複数であっても単数であっても良い。

また、画面表示の駆動方法は特に限定されず、例えば、点順次駆動方法や線順次駆動方
法や面順次駆動方法などを用いればよい。代表的には、線順次駆動方法とし、時分割階調
駆動方法や面積階調駆動方法を適宜用いればよい。また、液晶表示装置のソース線に入力
する映像信号は、アナログ信号であってもよいし、デジタル信号であってもよく、適宜、
映像信号に合わせて駆動回路などを設計すればよい。

本実施の形態は、本明細書の他の実施の形態で示した表示装置の構成又は作製方法と自
由に組み合わせて実施することができる。

（実施の形態８）
本実施の形態では、上記実施の形態で作製した表示装置の使用形態に関して図面を参照
して説明する。

上記実施の形態で作製した表示装置は、テレビジョン装置（単にテレビ、又はテレビジ
ョン受信機ともよぶ）、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、携帯電話装置（単に携
帯電話機、携帯電話ともよぶ）、ＰＤＡ等の携帯情報端末、携帯型ゲーム機、コンピュー
タ用のモニタ、コンピュータ、カーオーディオ等の音響再生装置、家庭用ゲーム機等の記
録媒体を備えた画像再生装置等が挙げられる。また、パチンコ機、スロットマシン、ピン
ボール機、大型ゲーム機など液晶表示装置を有するあらゆる遊技機に適用することができ
る。その具体例について、図１１を参照して説明する。

図１１（Ａ）に示す携帯情報端末機器は、本体９２０１、表示部９２０２等を含んでい
る。上記実施の形態で示した作製方法を用いることによって、表示部９２０２における表
示不良を改善し、視認性が優れた高画質な画像を表示することができる高性能な携帯情報
端末機器を提供することができる。

図１１（Ｂ）に示すデジタルビデオカメラは、表示部９７０１、表示部９７０２等を含
んでいる。上記実施の形態で示した作製方法を用いることによって、表示部９７０１にお
ける表示不良を改善し、視認性が優れた高画質な画像を表示することができる高性能なデ
ジタルビデオカメラを提供することができる。

図１１（Ｃ）に示す携帯電話機は、本体９１０１、表示部９１０２等を含んでいる。上
記実施の形態で示した作製方法を用いることによって、表示部９１０２における表示不良
を改善し、視認性が優れた高画質な画像を表示することができる高性能な携帯電話機を提
供することができる。

図１１（Ｄ）に示す携帯型のテレビジョン装置は、本体９３０１、表示部９３０２等を
含んでいる。上記実施の形態で示した作製方法を用いることによって、表示部９３０２に
おける表示不良を改善し、視認性が優れた高画質な画像を表示することができる高性能な
携帯型のテレビジョン装置を提供することができる。またテレビジョン装置としては、携
帯電話機などの携帯端末に搭載する小型のものから、持ち運びをすることができる中型の
もの、また、大型のもの（例えば４０インチ以上）まで、幅広いものに、上記実施の形態
で示した表示装置の作製方法を適用することができる。

図１１（Ｅ）に示す携帯型のコンピュータは、本体９４０１、表示部９４０２等を含ん
でいる。上記実施の形態で示した作製方法を用いることによって、表示部９４０２におけ
る表示不良を改善し、視認性が優れた高画質な画像を表示することができる高性能な携帯
型のコンピュータを提供することができる。

図１１（Ｆ）に示すスロットマシンは、本体９５０１、表示部９５０２等を含んでいる
。上記実施の形態で示した作製方法を用いることによって、表示部９５０２における表示
不良を改善し、視認性が優れた高画質な画像を表示することができる高性能なスロットマ
シンを提供することができる。

このように、上記実施の形態で示した作製方法を適用することにより、視認性が優れた
高画質な画像を表示することができる高性能な電子機器を提供することができる。

本実施の形態は、本明細書の他の実施の形態で示した表示装置の構成又は作製方法と自
由に組み合わせて実施することができる。

１０１ 基板
１０２ 素子形成層
１０３ シール材
１０４ 気体
１０５ 液晶
１０６ 対向基板
１１１ ディスペンサ
１２１ チャンバー
１２２ 支持台
１２３ 気体噴射装置
１２４ 排気口
１３１ 遮蔽板
５０２ ゲート電極層
５０４ 半導体層
５２０ 基板
５２１ トランジスタ
５２３ 絶縁層
５２６ ゲート絶縁層
５２７ 絶縁層
５３１ 画素電極
５５１ トランジスタ
５５４ 半導体層
５５６ 偏光板
５５７ 絶縁層
５５８ ゲート絶縁層
５６０ 画素電極
５６１ 絶縁層
５６２ 液晶層
５６２ 液晶層
５６３ 絶縁層
５６４ 対向電極
５６５ 着色層
５６８ 基板
６００ 基板
６０６ 画素領域
６０７ 駆動回路領域
６１５ 絶縁膜
６１６ 絶縁膜
６２０ トランジスタ
６２１ トランジスタ
６２２ トランジスタ
６２３ 容量素子
６３０ 画素電極
６３１ 絶縁層
６３２ 液晶層
６３３ 絶縁層
６３４ 対向電極
６３５ 着色層
６４１ 偏光板
６４３ 偏光板
６７８ 端子電極層
６９２ シール材
６９４ ＦＰＣ
６９５ 基板
６９６ 異方性導電体層
５０３ａ 半導体層
５２５ａ 配線層
５２５ｂ 配線層
５５２ａ ゲート電極層
５５３ａ 半導体層
５５５ａ 配線層
６０４ａ 下地膜
６０４ｂ 下地膜
６０８ａ 駆動回路領域
６０８ｂ 駆動回路領域
９１０１ 本体
９１０２ 表示部
９２０１ 本体
９２０２ 表示部
９３０１ 本体
９３０２ 表示部
９４０１ 本体
９４０２ 表示部
９５０１ 本体
９５０２ 表示部
９７０１ 表示部
９７０２ 表示部

Claims (10)

1. 第１の基板の表面が下方を向くように配置し、
   前記第１の基板に、液晶を形成する領域を囲むように、前記第１の基板の下側からディスペンサによりシール材を形成し、
   前記第１の基板の下側から前記シール材で囲まれた領域内に気体を吹き付け、前記気体を前記領域の内側から外側へ流し、少なくとも前記シール材の表面を乾燥させ、
   前記第１の基板の表面が上方を向くように配置し、
   前記シール材で囲まれた領域に前記液晶を滴下し、
   第２の基板を前記第１の基板と貼り合わせることを特徴とする表示装置の作製方法。
2. 請求項１において、
   前記シール材で囲まれた領域への前記気体の吹き付けは、チャンバー内で行い、
   吹き付け後の前記気体を、前記シール材で囲まれた領域に戻らない様に前記チャンバー内に設けられた排気口から排気することを特徴とする表示装置の作製方法。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記気体の吹き付けは、不活性雰囲気下で行うことを特徴とする表示装置の作製方法。
4. 請求項１又は請求項２において、
   前記気体の吹き付けは、真空下で行うことを特徴とする表示装置の作製方法。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
   前記気体は、不活性気体であることを特徴とする表示装置の作製方法。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
   前記シール材に囲まれた領域への前記気体の吹き付けと並行して、紫外線照射又は熱処理を行うことにより前記シール材を仮硬化させることを特徴とする表示装置の作製方法。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
   前記第２の基板と前記第１の基板とを貼り合わせた後に、紫外線照射又は熱処理を行うことにより前記シール材を硬化させることを特徴とする表示装置の作製方法。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
   前記シール材に囲まれた領域への前記液晶の滴下は、不活性雰囲気下で行うことを特徴とする表示装置の作製方法。
9. 請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
   前記気体の吹き付けと、前記液晶の滴下とは、同一のチャンバー内で続けて行うことを特徴とする表示装置の作製方法。
10. 請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
    前記液晶の滴下と、前記貼り合わせとは、同一のチャンバー内で続けて行うことを特徴とする表示装置の作製方法。

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