TWI518413B - 液晶顯示裝置 - Google Patents

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TWI518413B
TWI518413B TW103128088A TW103128088A TWI518413B TW I518413 B TWI518413 B TW I518413B TW 103128088 A TW103128088 A TW 103128088A TW 103128088 A TW103128088 A TW 103128088A TW I518413 B TWI518413 B TW I518413B
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shielding layer
layer
contact hole
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藤川最史
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半導體能源研究所股份有限公司
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Description

液晶顯示裝置
本發明係關於主動矩陣型液晶顯示裝置。
從來，對於使用薄膜電晶體(TFT)等主動元件的主動矩陣型液晶顯示裝置已經是衆所周知。由於主動矩陣型液晶顯示裝置可以提高像素密度，並且其尺寸小，重量輕且耗電量低，因而作為代替CRT的平面顯示器之一種，正在對個人電腦的監視器、液晶電視機、以及汽車導航系統的監視器等的產品進行開發。
在液晶顯示裝置中，將形成有除了多個薄膜電晶體(TFT)和佈線以外還包括第一電極(像素電極)等的像素部的基板(主動矩陣基板)與形成有第二電極(相對電極)、遮光層(黑矩陣)、以及彩色層(彩色濾光片)等的基板(相對基板)貼合在一起，並將液晶封入到它們之間，且利用施加到像素電極和相對電極之間的電場使液晶分子對準，以控制來自光源的光量而進行顯示。
當液晶顯示裝置進行顯示之際，若發生液晶分子取向 無序，就不能進行高清晰度的影像顯示。需要使像素電極和相對電極之間的距離(單元間隙)均勻化(平整化)，以使液晶分子的取向為一致。作為其方法，例如可舉出透過塗敷法等形成絕緣膜作為平整化膜的方法(參照專利文獻1)。專利文獻1所記載的有機膜是以平整化為目的的有機絕緣膜，且是丙烯類透明有機膜。看到附圖等就知道，當使用有機膜時，由於該有機膜的厚度厚，因此接觸孔變深。
〔專利文獻1〕日本專利申請公開第2001-305576號公報
如專利文獻1所記載那樣，用於平整化的層間膜的厚度較厚。當層間膜的厚度厚時，用來形成將像素電極和薄膜電晶體電連接的佈線的接觸孔變深。當接觸孔深時，像素電極和相對電極之間的距離(單元間隙)也長。因此，在形成有接觸孔的部分中，液晶層的厚度對應於層間膜的厚度而變厚，從而形成有接觸孔的部分和不形成有接觸孔的部分的液晶層厚度不同得多。就是說，產生在形成有接觸孔的部分周邊容易發生液晶分子的取向無序的狀態。當發生液晶分子的取向無序時，在液晶顯示器中發生顏色不均勻。
於是，本發明的目的在於設置一種液晶顯示裝置，其中，解除顏色不均勻，具有高可視性和高影像品質。
此外，本發明的目的在於設置一種液晶顯示裝置，其中，解除顏色不均勻，具有高開口率和高影像品質。
本發明的液晶顯示裝置包括：薄膜電晶體；與薄膜電晶體電連接的導電層；設置在導電層上且具有接觸孔的絕緣膜；設置在導電層及具有接觸孔的絕緣膜上且透過接觸孔與導電層電連接的像素電極；以及設置在至少重疊於接觸孔的邊緣的區域中的遮光層。
本發明的液晶顯示裝置包括：薄膜電晶體；與薄膜電晶體電連接的導電層；設置在導電層上且具有接觸孔的絕緣膜；設置在導電層及具有接觸孔的絕緣膜上且透過接觸孔與導電層電連接的像素電極；以及具有開口部的彩色層，其中，彩色層的開口部設置在至少重疊於接觸孔的邊緣的區域中。
本發明的液晶顯示裝置包括：薄膜電晶體；與薄膜電晶體電連接的導電層；設置在導電層上且具有接觸孔的絕緣膜；設置在導電層及具有接觸孔的絕緣膜上且透過接觸孔與導電層電連接的像素電極；具有開口部的彩色層；以及設置在至少重疊於接觸孔的邊緣的區域中的遮光層，其中，彩色層的開口部設置在至少重疊於接觸孔的邊緣的區域中。
在上述結構中，遮光層是遮光性金屬膜、分散有顏料或染料的樹脂膜。
在上述結構中，絕緣膜是樹脂膜。
本發明的液晶顯示裝置不將液晶分子的取向無序的部 分用作顯示部。
在本發明的液晶顯示裝置中，以覆蓋接觸孔的方式選擇性地形成有遮光層，可以設置沒有顏色不均勻的顯示器。
在本發明的液晶顯示裝置中，由於以防止反映接觸孔部分的液晶分子的取向無序的方式選擇性地去除彩色濾光片，因此可以設置沒有顏色不均勻的顯示器。
151‧‧‧閘極線
152‧‧‧源極線
103‧‧‧接觸孔
154‧‧‧半導體層
108‧‧‧第一遮光層
109‧‧‧第二遮光層
100‧‧‧基板
101‧‧‧薄膜電晶體
102‧‧‧絕緣膜
104‧‧‧像素電極
105b‧‧‧汲極電極
106‧‧‧對準膜
107‧‧‧基板
105a‧‧‧源極電極
110‧‧‧相對電極
111‧‧‧對準膜
112‧‧‧液晶層
401‧‧‧第二遮光層
402‧‧‧第一遮光層
601‧‧‧源極電極或汲極電極
602‧‧‧像素電極
611‧‧‧源極電極或汲極電極
612‧‧‧像素電極
613‧‧‧導電層
621‧‧‧源極區域或汲極區域
622‧‧‧像素電極
631‧‧‧源極電極或汲極電極
632‧‧‧像素電極
633‧‧‧導電層
122‧‧‧第二遮光層
153‧‧‧接觸孔
121‧‧‧傾斜的部份
251‧‧‧閘極線
252‧‧‧源極線
203‧‧‧接觸孔
254‧‧‧半導體層
208‧‧‧遮光層
209‧‧‧彩色層
200‧‧‧基板
201‧‧‧薄膜電晶體
202‧‧‧絕緣膜
204‧‧‧像素電極
206‧‧‧對準膜
205b‧‧‧汲極電極
207‧‧‧基板
210‧‧‧相對電極
211‧‧‧對準膜
212‧‧‧液晶層
253‧‧‧接觸孔
223‧‧‧第一彩色層
222‧‧‧第二彩色層
221‧‧‧傾斜的部份
351‧‧‧閘極線
352‧‧‧源極線
303‧‧‧接觸孔
354‧‧‧半導體層
308‧‧‧第一遮光層
309‧‧‧第二遮光層
310‧‧‧彩色層
300‧‧‧基板
301‧‧‧薄膜電晶體
302‧‧‧絕緣膜
304‧‧‧像素電極
305b‧‧‧汲極電極
306‧‧‧對準膜
307‧‧‧基板
305a‧‧‧源極電極
311‧‧‧相對電極
312‧‧‧對準膜
313‧‧‧液晶層
322‧‧‧第二遮光層
323‧‧‧第一彩色層
324‧‧‧第二彩色層
131‧‧‧接觸孔
132‧‧‧第二遮光層
133‧‧‧接觸孔
134‧‧‧第二遮光層
303‧‧‧接觸孔
500‧‧‧基板
501‧‧‧遮光層
502‧‧‧R著色樹脂膜
503‧‧‧G著色樹脂膜
504‧‧‧B著色樹脂膜
505‧‧‧相對電極
506‧‧‧絕緣膜
701‧‧‧主動矩陣基板
702‧‧‧相對基板
703‧‧‧密封劑
704‧‧‧密封構件
705‧‧‧像素部份
706‧‧‧驅動電路部
707‧‧‧第一基板
711‧‧‧第一電極
713‧‧‧TFT
708‧‧‧第二基板
716‧‧‧第一遮光層
717‧‧‧第二遮光層
719‧‧‧第二電極
720‧‧‧對準膜
712‧‧‧液晶層
721‧‧‧柱狀隔離物
722‧‧‧連接佈線
723‧‧‧FPC
724‧‧‧各向異性導電樹脂
801‧‧‧像素部
802‧‧‧源極線驅動電路
803a‧‧‧閘極線驅動電路
803b‧‧‧閘極線驅動電路
800‧‧‧基板
805‧‧‧IC晶片
806‧‧‧FPC
901‧‧‧主動矩陣基板
902‧‧‧相對基板
903‧‧‧密封劑
905‧‧‧液晶層
906‧‧‧著色膜
907‧‧‧偏光板
908‧‧‧偏光板
909‧‧‧保護膜
910‧‧‧連接端子
911‧‧‧FPC
912‧‧‧佈線基板
913‧‧‧外部電路
914‧‧‧冷陰極管
915‧‧‧反射板
916‧‧‧光學薄膜
917‧‧‧框架
918‧‧‧對準膜
919‧‧‧對準膜
8001‧‧‧主體
8002‧‧‧顯示部
8101‧‧‧主體
8102‧‧‧顯示部
8201‧‧‧主體
8202‧‧‧顯示部
8301‧‧‧主體
8302‧‧‧顯示部
8401‧‧‧主體
8402‧‧‧顯示部
1000‧‧‧基板
1001‧‧‧薄膜電晶體
1002‧‧‧絕緣膜
1003‧‧‧接觸孔
1004‧‧‧第一電極
1005a‧‧‧源極電極
1005b‧‧‧汲極電極
1006‧‧‧包括發光層的層
1007‧‧‧第二電極
1008‧‧‧基板
1009‧‧‧遮光層
1010‧‧‧空間
圖1A和1B是說明實施例模式2的圖；圖2A和2B是說明實施例模式2的圖；圖3A和3B是說明實施例模式3的圖；圖4A和4B是說明實施例模式3的圖；圖5A和5B是說明實施例模式4的圖；圖6A和6B是說明實施例模式4的圖；圖7是說明實施例模式2的圖；圖8A至8F是說明實施例模式6的圖；圖9A至9D是示出可以適用於本發明的薄膜電晶體的一個例子的圖；圖10A和10B示出使用本發明的液晶顯示裝置；圖11A至11C示出使用本發明的液晶顯示裝置的驅動電路；圖12示出使用本發明的液晶顯示裝置；圖13A至13E示出具備使用本發明的液晶顯示裝置 的電子設備；圖14是說明實施例模式11的圖；和圖15A和15B是說明實施例模式5的圖。
下面，對本發明的一個模式將參照附圖等給予詳細說明。但是，本發明能夠透過多種不同的方式來實施，所屬技術領域的普通人員可以很容易地理解一個事實即其方式和詳細內容可以被變換為各種各樣的形式，而不脫離本發明的宗旨及其範圍。因此，本發明不應該被解釋為僅限定在實施例模式所記載的內容中。
實施例模式1
在本實施例模式中，將說明使用本發明的液晶顯示裝置的結構。
用來不使液晶分子的取向無序的部分用作顯示部的方法大致分為兩種。一種是以覆蓋液晶分子的取向無序的部分的方式設置遮光層的結構，而另一種是在液晶分子的取向無序的部分中不設置彩色濾光片的結構。
作為以覆蓋液晶分子的取向無序的部分的方式設置遮光層的結構，可舉出圓形及環形。圓形是指覆蓋接觸孔整體的結構，而環形是指除了接觸孔的中心部分之外的部分以遮光層覆蓋的結構。作為環形，較佳的採用至少覆蓋接觸孔的邊緣的形狀。注意，接觸孔的邊緣是指接觸孔中的 絕緣膜傾斜的區域。
在將遮光層形成為圓形的情況下，由於覆蓋接觸孔整體，因此可以覆蓋液晶分子的取向無序的整個部分。透過採用這種結構，可以製造沒有顏色不均勻且具有高開口率的顯示器。此外，由於可以透過與在佈線部分中形成遮光層的製程相同的步驟來製造該圓形的遮光層，因此製程數量不增加且不需要採用複雜的步驟。
在將遮光層形成為環形的情況下，由於覆蓋接觸孔的邊緣，即接觸孔中的絕緣膜傾斜的區域，因此可以覆蓋作為最容易發生液晶分子的取向無序的部分的接觸孔邊緣的取向無序。因為在接觸孔的邊緣之外的部分中幾乎沒有液晶層的厚度變動，所以在該部分中不會發生液晶分子的取向無序。透過採用這種結構，可以製造沒有顏色不均勻且具有高開口率的顯示器。此外，由於可以透過與將遮光層形成在佈線部分的製程相同的步驟形成該環形的遮光層，所以製程數量不增加且不需要採用複雜的步驟。注意，在本說明書中，雖然將遮光層的形狀寫為“圓形”、“環形”，但是可以根據接觸孔的形狀而適當地改變遮光層的形狀。就是說，只要以覆蓋接觸孔的目的來設置就可以採用任何形狀，例如，可以舉出圓周形、橢圓形、正方形、長方形、三角形等。
作為在液晶分子的取向無序的部分中不設置彩色濾光片的結構，可舉出圓形及環形。圓形是指在接觸孔整體的上部不設置彩色濾光片的結構，環形是指在接觸孔的邊 緣，即接觸孔中的絕緣膜傾斜的區域的上方不設置彩色濾光片的結構。
在以圓形去除彩色濾光片的情況下，在接觸孔整體中不存在彩色濾光片。因此液晶層的厚度不同得多，且不反映液晶分子的取向無序的部分。透過採用這種結構，可以製造沒有顏色不均勻且具有高開口率的顯示器。此外，在以圓形去除彩色濾光片的結構中，製程數量不增加且不需要採用複雜的步驟。
在以環形去除彩色濾光片的情況下，去除接觸孔的邊緣，即接觸孔中的絕緣膜傾斜的區域的彩色濾光片。在接觸孔的邊緣之外的部分中，幾乎沒有液晶層的厚度變動，所以在該部分中不會發生液晶分子的取向無序。透過採用這種結構，可以製造沒有顏色不均勻且具有高開口率的顯示器。此外，在以環形去除彩色濾光片的結構中，製程數量不增加且不需要採用複雜的步驟。注意，在本說明書中，雖然將彩色濾光片的形狀寫為“圓形”、“環形”，但是可以根據接觸孔的形狀而適當地改變彩色濾光片的形狀。就是說，只要以去除重疊於接觸孔的區域的彩色濾光片的目的來去除就可以採用任何形狀，例如，可以舉出圓周形、橢圓形、正方形、長方形、三角形等。
實施例模式2
在本實施例模式中，將參照圖1A至圖2B說明選擇性地形成遮光層的液晶顯示裝置。
圖1B是從相對基板一側看到適用本發明的液晶顯示裝置的俯視圖。作為主動矩陣基板，在基板上形成有薄膜電晶體、電連接到薄膜電晶體的佈線層、絕緣膜、像素電極、對準膜等。作為與主動矩陣基板貼合在一起的相對基板，在基板上形成有遮光層、相對電極、對準膜等。圖1B只圖示閘極線151、源極線152、接觸孔103、薄膜電晶體的半導體層154、第一遮光層108、以及第二遮光層109，省略其他部分。
如圖1B所示那樣，形成第一遮光層108和第二遮光層109作為遮光層。該第一遮光層108形成在對應於閘極線151及源極線152的區域中，而該第二遮光層109形成在對應於薄膜電晶體的源區或汲區的接觸孔103的區域中。
圖1A是放大接觸孔部分的圖，且是沿圖1B的A-A’線截斷的截面圖。下面將說明本實施例模式的主動矩陣基板的結構。
在基板100上形成有薄膜電晶體101。作為基板100，除了玻璃基板如鋁硼矽酸鹽玻璃、鋇硼矽酸鹽玻璃、石英玻璃等之外，還可以使用將以PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)、PES(聚醚碸)、聚丙烯為典型的塑膠、以及以丙烯等為典型的合成樹脂用作原料的基板。薄膜電晶體101可以是頂閘型、底閘型、通道蝕刻型、通道保護型中的任何一種。在圖1A中圖示通道蝕刻型電晶體。
在薄膜電晶體101上形成絕緣膜102，並且形成用來電連接到薄膜電晶體101的接觸孔103。可以使用有機樹脂膜、無機絕緣膜、或以矽氧烷類材料為啟始材料來形成的包含Si-O-Si鍵的絕緣膜(矽氧烷類絕緣膜)形成絕緣膜102。在此，矽氧烷是指具有由矽(Si)和氧(O)的鍵構成的骨架結構的物質，使用至少包含氫的有機基(例如，烷基、芳基)作為取代基。此外，作為取代基，也可以使用氟基或至少包含氫的有機基和氟基。另外，也可以將低介電常數材料用作絕緣膜。
注意，也可以相對於基板垂直地形成接觸孔103。但是，較佳的如圖1A所示那樣以使接觸孔103的邊緣傾斜的方式形成開口，以便在後面的製程中提高當形成像素電極104之際的階梯覆蓋率。因此，在本說明書中，接觸孔具有傾斜部，且將該傾斜部寫為接觸孔的邊緣。
覆蓋薄膜電晶體101及絕緣膜102地形成像素電極104。像素電極104與露出了的薄膜電晶體101的汲極電極105b電連接。
在製造反射型液晶顯示裝置的情況下，可以使用具有反射性的金屬作為像素電極104。在製造透過型液晶顯示裝置的情況下，可以使用將氧化錫混合到氧化銦的氧化銦錫(ITO)、將氧化矽混合到氧化銦錫(ITO)的氧化銦錫矽(ITSO)、將氧化鋅混合到氧化銦的氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、或氧化錫(SnO2)等。在製造半透過型液晶顯示裝置的情況下，對於反射區域，可以 使用具有反射性的金屬作為像素電極，而對於透過區域，可以使用具有透光性的材料(例如，將氧化錫混合到氧化銦的氧化銦錫(ITO)、將氧化矽混合到氧化銦錫(ITO)的氧化銦錫矽(ITSO)、將氧化鋅混合到氧化銦的氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、或氧化錫(SnO2)等)。
在像素電極104上形成有對準膜106。作為對準膜106，可以使用聚醯亞胺樹脂等。
接著，將說明本實施例模式的相對基板的結構。
與基板107接觸地形成有第一遮光層108及第二遮光層109。覆蓋源極佈線和源極電極105a的一部分地形成第一遮光層108。對應於接觸孔103地形成第二遮光層109。作為基板107，除了玻璃基板如鋁硼矽酸鹽玻璃、鋇硼矽酸鹽玻璃、石英玻璃等之外，還可以使用將以PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)、PES(聚醚碸)、聚丙烯為典型的塑膠、以及以丙烯等為典型的合成樹脂用作原料的基板。作為第一遮光層108及第二遮光層109，可以使用遮光性膜(例如，鉻(Cr)的單層膜、氧化鉻(CrxOy)和鉻(Cr)的疊層膜、分散有碳黑等的顏料、染料等的樹脂膜等)。
如圖1B所示那樣，形成第一遮光層108和第二遮光層109作為遮光層。該第一遮光層108形成在對應於主動矩陣基板上的閘極線151及源極線152的區域中，而該第二遮光層109形成在對應於主動矩陣基板上的薄膜電晶體 的源極區域或汲極區域的接觸孔103的區域中。對應於接觸孔103的區域是指與接觸孔103重疊的區域。
第二遮光層109形成在對應於主動矩陣基板的接觸孔103的區域中，而從形成在對應於閘極線151及源極線152的區域的第一遮光層108獨立。因此，由於該區域不起到顯示部的作用，所以即使在接觸孔103的上層存在的液晶分子中產生取向無序，也可以設置沒有顏色不均勻且具有高對比度和高影像品質的顯示裝置。
此外，雖然第一遮光層108設置在閘極線151及源極線152的上方，但是不覆蓋薄膜電晶體的整體。由於採用這種結構，所以可以將開口率的降低抑制為最低限度。
可以透過將遮光層形成為第一遮光層108和第二遮光層109的兩個，將開口率的降低抑制為最低限度，從而可以製造沒有顏色不均勻且具有高對比度和高影像品質的顯示裝置。
第二遮光層109的形狀可以是任何形狀，只要設置在對應於主動矩陣基板的接觸孔103的區域中。例如，可舉出圓周形、橢圓形、正方形、長方形、三角形等。
與基板107、第一遮光層108、及第二遮光層109接觸地形成有相對電極110。作為相對電極110，可以使用將氧化錫混合到氧化銦的氧化銦錫(ITO)、將氧化矽混合到氧化銦錫(ITO)的氧化銦錫矽(ITSO)、將氧化鋅混合到氧化銦的氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、或氧化錫(SnO2)等。
在相對電極110上形成有對準膜111。作為對準膜111，可以使用聚醯亞胺樹脂等。
將具有上述結構的主動矩陣基板和相對基板貼合在一起，並且將液晶層112形成在主動矩陣基板和相對基板之間。作為液晶，可以採用鐵電性液晶(FLC)、向列液晶、層列液晶、成為平行取向的液晶、成為垂直取向的液晶等。
注意，當採用圖1A及1B所示的結構時，如圖7所示那樣，第二遮光層402從第一遮光層401獨立地設置。
除了圖1A及1B的結構之外，既可以在主動矩陣基板一側形成彩色層(彩色濾光片)，又可以在相對基板一側形成彩色層(彩色濾光片)。此外，當形成彩色層(彩色濾光片)時，可以採用單色或256灰度。
形成在主動矩陣基板的薄膜電晶體可以是頂閘型、底閘型、通道蝕刻型、通道保護型中的任何一種。此外，薄膜電晶體的源極電極或汲極電極也可以不直接連接到像素電極。圖9A示出圖1A所示的結構。在圖9A中，通道蝕刻型的電晶體的源極電極或汲極電極601與像素電極602接觸。圖9B示出圖9A所示的通道蝕刻型的薄膜電晶體的源極電極或汲極電極611與像素電極612透過導電層613電連接的結構。
圖9C示出在頂閘型的薄膜電晶體中，薄膜電晶體的源極區域或汲極區域621與像素電極622接觸的結構。圖9D示出圖9C所示的頂閘型的薄膜電晶體的源極電極或汲 極電極631與像素電極632透過導電層633電連接的結構。
注意，圖9A至9D所示的薄膜電晶體是一個例子。 雖然本實施例模式示出形成在玻璃基板上的薄膜電晶體，但是可以適用於本發明的薄膜電晶體不局限於這種電晶體，而可以採用使用矽片的電晶體。
由於透過採用圖1A及1B所示的結構，接觸孔103的上部發生的液晶分子的取向無序不會影響到影像顯示，因此可以製造沒有顏色不均勻的顯示器。此外，因為第二遮光層109選擇性地形成，所以可以抑制開口率的降低。另外，由於可以透過與在對應於主動矩陣基板上的閘極線151及源極線152的區域中形成第一遮光層108的製程相同的步驟來形成，因此製程數量不增加且不需要採用複雜的步驟。
此外，可以採用如下結構：將遮光層設置在對應於接觸孔103中的絕緣膜102傾斜的部分的區域，即重疊於接觸孔的邊緣的區域中。這是因為在絕緣膜102傾斜的區域(接觸孔的邊緣)中最容易發生液晶分子的取向無序的緣故。
圖2B是從相對基板一側看到適用本發明的液晶顯示裝置的俯視圖。與圖1B不同之處是如下：第二遮光層122的形狀是環形，而不是圓形。作為主動矩陣基板，在基板上形成有薄膜電晶體、電連接到薄膜電晶體的佈線層、絕緣膜、像素電極、對準膜等。作為與主動矩陣基板 貼合在一起的相對基板，在基板上形成有遮光層、相對電極、對準膜等。圖2B只圖示閘極線151、源極線152、接觸孔153、薄膜電晶體的半導體層154、第一遮光層108、以及第二遮光層122，省略其他部分。注意，與圖1B相同的部分使用相同的附圖標記。
如圖2B所示那樣，形成第一遮光層123和第二遮光層122作為遮光層。該第一遮光層108形成在對應於閘極線151及源極線152的區域中，而該第二遮光層122形成在對應於薄膜電晶體的源極區域或汲極區域的接觸孔153中的絕緣膜傾斜的部分121的區域中。對應於接觸孔153中的絕緣膜傾斜的部分121的區域是指與接觸孔153的邊緣重疊的區域。
圖2A是放大接觸孔部分的圖，並且是沿圖2B的B-B’線截斷的截面圖。由於主動矩陣基板的結構與圖1A及1B相同，所以在此省略其說明。注意，與圖1A相同的部分使用相同的附圖標記。
相對基板的結構是如下：與基板107接觸地形成有第一遮光層108及第二遮光層122。第二遮光層122根據對應於形成在主動矩陣基板的絕緣膜102傾斜的部分121的區域形成。注意，對應於絕緣膜102傾斜的部分121的區域是指與接觸孔的邊緣重疊的區域。
作為基板107，除了玻璃基板如鋁硼矽酸鹽玻璃、鋇硼矽酸鹽玻璃、石英玻璃等之外，還可以使用將以PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇 酯)、PES(聚醚碸)、聚丙烯為典型的塑膠、以及以丙烯等為典型的合成樹脂用作原料的基板。作為第二遮光層122，可以使用遮光性膜(例如，鉻(Cr)的單層膜、氧化鉻(CrxOy)和鉻(Cr)的疊層膜、分散有碳黑等的顏料、染料等的樹脂膜等)。
相對電極110與基板107、第二遮光層122接觸地形成。作為相對電極110，可以使用將氧化錫混合到氧化銦的氧化銦錫(ITO)、將氧化矽混合到氧化銦錫(ITO)的氧化銦錫矽(ITSO)、將氧化鋅混合到氧化銦的氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、或氧化錫(SnO2)等。
對準膜111形成在相對電極110上。可以使用聚醯亞胺樹脂等作為對準膜111。
將具有上述結構的相對基板和圖1A所說明的主動矩陣基板貼合在一起，並且將液晶注入到主動矩陣基板和相對基板之間。作為液晶，可以採用鐵電性液晶(FLC)、向列液晶、層列液晶、成為平行取向的液晶、成為垂直取向的液晶等。
除了圖2A及2B的結構之外，既可以在主動矩陣基板一側形成彩色層(彩色濾光片)，又可以在相對基板一側形成彩色層(彩色濾光片)。此外，當形成彩色層(彩色濾光片)時，可以採用單色或256灰度。
形成在主動矩陣基板的薄膜電晶體可以是頂閘型、底閘型、通道蝕刻型、通道保護型中的任何一種。此外，薄膜電晶體的源極電極或汲極電極也可以不直接連接到像素 電極。也可以與圖1A及1B同樣地將圖9A至9D所示的電晶體使用於圖2A及2B。
由於透過採用圖2A及2B所示的結構，接觸孔153中的絕緣膜102傾斜的部分121，即接觸孔的邊緣上發生的液晶分子的取向無序不會影響影像顯示，因此可以製造沒有顏色不均勻的顯示器。此外，因為第二遮光層122選擇性地形成，所以可以抑制開口率的降低。另外，由於可以透過與在對應於主動矩陣基板上的閘極線151及源極線152的區域中形成第一遮光層108的製程相同的步驟來形成，因此製程數量不增加且不需要採用複雜的步驟。
實施例模式3
在本實施例模式中，將參照圖3A至圖4B說明選擇性地去除彩色層(彩色濾光片)的液晶顯示裝置。
圖3B是從相對基板一側看到適用本發明的液晶顯示裝置的俯視圖。作為主動矩陣基板，在基板上形成有薄膜電晶體、絕緣膜、像素電極、對準膜等。作為與主動矩陣基板貼合在一起的相對基板，在基板上形成有遮光層、彩色層、相對電極、對準膜等。圖3B只圖示閘極線251、源極線252、接觸孔203、薄膜電晶體的半導體層254、遮光層208、以及彩色層(彩色濾光片)209，省略其他部分。
如圖3B所示那樣，在彩色層(彩色濾光片)209中，對應於去除主動矩陣基板上的薄膜電晶體的源極區域 或汲極區域的接觸孔203的區域。對應於接觸孔203的區域是指與接觸孔203重疊的區域。
圖3A是放大接觸孔部分的圖，且是沿圖3B的C-C’線截斷的截面圖。下面將說明本實施例模式的主動矩陣基板的結構。
在基板200上形成有薄膜電晶體201。作為基板200，除了玻璃基板如鋁硼矽酸鹽玻璃、鋇硼矽酸鹽玻璃、石英玻璃等之外，還可以使用將以PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)、PES(聚醚碸)、聚丙烯為典型的塑膠、以及以丙烯等為典型的合成樹脂用作原料的基板。薄膜電晶體201可以是頂閘型、底閘型、通道蝕刻型、通道保護型中的任何一種。在圖3A中圖示通道蝕刻型電晶體。
在薄膜電晶體201上形成絕緣膜202，並且形成用來電連接到薄膜電晶體201的接觸孔203。可以使用有機樹脂膜、無機絕緣膜、或以矽氧烷類材料為啟始材料來形成的包含Si-O-Si鍵的絕緣膜(矽氧烷類絕緣膜)形成絕緣膜202。在此，矽氧烷是指具有由矽(Si)和氧(O)的鍵構成的骨架結構的物質，使用至少包含氫的有機基(例如，烷基、芳基)作為取代基。此外，作為取代基，也可以使用氟基或至少包含氫的有機基和氟基。另外，也可以將低介電常數材料用作絕緣膜。
覆蓋薄膜電晶體201及絕緣膜202地形成像素電極204。像素電極204電連接到露出了的薄膜電晶體201的 汲極電極205b。
在製造反射型液晶顯示裝置的情況下，可以使用具有反射性的金屬作為像素電極204。在製造透過型液晶顯示裝置的情況下，可以使用將氧化錫混合到氧化銦的氧化銦錫(ITO)、將氧化矽混合到氧化銦錫(ITO)的氧化銦錫矽(ITSO)、將氧化鋅混合到氧化銦的氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、或氧化錫(SnO2)等。在製造半透過型液晶顯示裝置的情況下，對於反射區域，可以使用具有反射性的金屬作為像素電極，而對於透過區域，可以使用具有透光性的材料(例如，將氧化錫混合到氧化銦的氧化銦錫(ITO)、將氧化矽混合到氧化銦錫(ITO)的氧化銦錫矽(ITSO)、將氧化鋅混合到氧化銦的氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、或氧化錫(SnO2)等)。
在像素電極204上形成有對準膜206。作為對準膜206，可以使用聚醯亞胺樹脂等。
接著，將說明本實施例模式的相對基板的結構。
與基板207接觸地形成有遮光層208及彩色層(彩色濾光片)209。根據形成在絕緣膜202中的接觸孔203去除彩色層(彩色濾光片)。作為基板207，除了玻璃基板如鋁硼矽酸鹽玻璃、鋇硼矽酸鹽玻璃、石英玻璃等之外，還可以使用將以PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)、PES(聚醚碸)、聚丙烯為典型的塑膠、以及以丙烯等為典型的合成樹脂用作原料的基 板。此外，彩色層(彩色濾光片)209可以是單色或256灰度。
去除彩色層(彩色濾光片)的部分的形狀可以是任何形狀，只要形成在對應於主動矩陣基板的接觸孔203的區域，即與接觸孔203重疊的區域。例如，可舉出圓周形、橢圓形、正方形、長方形、三角形等。
與基板207、遮光層208、及彩色層(彩色濾光片)209接觸地形成有相對電極210。作為相對電極210，可以使用將氧化錫混合到氧化銦的氧化銦錫(ITO)、將氧化矽混合到氧化銦錫(ITO)的氧化銦錫矽(ITSO)、將氧化鋅混合到氧化銦的氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、或氧化錫(SnO2)等。
在相對電極210上形成有對準膜211。作為對準膜211，可以使用聚醯亞胺樹脂等。
將具有上述結構的主動矩陣基板和相對基板貼合在一起，並且將液晶層212形成在主動矩陣基板和相對基板之間。作為液晶，可以採用鐵電性液晶(FLC)、向列液晶、層列液晶、成為平行取向的液晶、成為垂直取向的液晶等。
形成在主動矩陣基板的薄膜電晶體可以是頂閘型、底閘型、通道蝕刻型、通道保護型中的任何一種。此外，薄膜電晶體的源極電極或汲極電極也可以不直接連接到像素電極。也可以與圖1A及1B同樣地將圖9A至9D所示的電晶體使用於圖3A及3B。
由於透過採用圖3A及3B所示的結構，接觸孔203上發生的液晶分子的取向無序不會影響影像顯示，因此可以製造沒有顏色不均勻的顯示器。此外，因為選擇性地去除彩色層(彩色濾光片)，所以可以與設置遮光層的結構相比抑制開口率的降低。另外，由於可以透過與通常的製造彩色層(彩色濾光片)的製程相同的步驟來形成，因此製程數量不增加且不需要採用複雜的步驟。
此外，也可以採用如下結構：去除對應於主動矩陣基板的接觸孔203中的絕緣膜202傾斜的部分的區域的彩色層(彩色濾光片)。這是因為在絕緣膜202傾斜的部分，即接觸孔的邊緣上最容易發生液晶分子的取向無序的緣故。
圖4B是從相對基板一側看到適用本發明的液晶顯示裝置的俯視圖。與圖3B不同之處是如下：以環形去除彩色層(彩色濾光片)，而不以圓形去除。作為主動矩陣基板，在基板上形成有薄膜電晶體、絕緣膜、像素電極、對準膜等。作為與主動矩陣基板貼合在一起的相對基板，在基板上形成有遮光層、彩色層、相對電極、對準膜等。圖4B只圖示閘極線251、源極線252、接觸孔253、薄膜電晶體的半導體層254、遮光層208、以及第一彩色層(彩色濾光片)223、第二彩色層(彩色濾光片)222，省略其他部分。注意，與圖3B相同的部分使用相同的附圖標記。
如圖4B所示那樣，在彩色層(彩色濾光片)中，去 除對應於主動矩陣基板上的薄膜電晶體的源極區域或汲極區域的接觸孔中的絕緣膜202傾斜的部分221的區域。對應於接觸孔中的絕緣膜202傾斜的部分221的區域是指與接觸孔的邊緣重疊的部分。就是說，除了第一彩色層(彩色濾光片223)之外，還在對應於絕緣膜202的開口部分的區域中形成有第二彩色層(彩色濾光片)222。
圖4A是放大接觸孔部分的圖，且是沿圖4B的D-D’線截斷的截面圖。由於主動矩陣基板的結構與圖3A和3B相同，所以在此省略其說明。
相對基板的結構是如下：與基板207接觸地形成有遮光層208、第一彩色層(彩色濾光片)223、及第二彩色層(彩色濾光片)222。根據對應於形成在主動矩陣基板的絕緣膜202傾斜的部分的區域去除彩色層(彩色濾光片)。對應於絕緣膜202傾斜的部分的區域是指與接觸孔的邊緣重疊的區域。就是說，形成第一彩色層(彩色濾光片)223及第二彩色層(彩色濾光片)222。
與基板207、第一彩色層(彩色濾光片)223、及第二彩色層(彩色濾光片)222接觸地形成有相對電極210。作為相對電極210，可以使用將氧化錫混合到氧化銦的氧化銦錫(ITO)、將氧化矽混合到氧化銦錫(ITO)的氧化銦錫矽(ITSO)、將氧化鋅混合到氧化銦的氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、或氧化錫(SnO2)等。
在相對電極210上形成有對準膜211。作為對準膜 211，可以使用聚醯亞胺樹脂等。
將具有上述結構的相對基板和圖3A所說明的主動矩陣基板貼合在一起，且在主動矩陣基板和相對基板之間形成液晶層212。作為液晶，可以採用鐵電性液晶(FLC)、向列液晶、層列液晶、成為平行取向的液晶、成為垂直取向的液晶等。
形成在主動矩陣基板的薄膜電晶體可以是頂閘型、底閘型、通道蝕刻型、通道保護型中的任何一種。此外，薄膜電晶體的源極電極或汲極電極也可以不直接連接到像素電極。也可以與圖1A及1B同樣地將圖9A至9D所示的電晶體使用於圖4A及4B。
由於透過採用圖4A及4B所示的結構，接觸孔中的絕緣膜202傾斜的部分221的上部發生的液晶分子的取向無序不會影響影像顯示，因此可以製造沒有顏色不均勻的顯示器。此外，因為選擇性地形成彩色層(彩色濾光片)，所以可以將開口率的降低抑制為最低限度。另外，由於可以透過與通常的製造彩色層的製程相同的步驟來形成，因此製程數量不增加且不需要採用複雜的步驟。
實施例模式4
在本實施例模式中，將參照圖5A至圖6B說明選擇性地形成遮光層並選擇性地去除彩色層(彩色濾光片)的液晶顯示裝置。
圖5B是從相對基板一側看到適用本發明的液晶顯示 裝置的俯視圖。作為主動矩陣基板，在基板上形成有薄膜電晶體、絕緣膜、像素電極、對準膜等。作為與主動矩陣基板貼合的相對基板，在基板上形成有遮光層、相對電極、對準膜、彩色層(彩色濾光片)等。在圖5B中，只示出閘極線351、源極線352、接觸孔303、薄膜電晶體的半導體層354、第一遮光層308、以及第二遮光層309、彩色層(彩色濾光片)310，省略其他部分。
如圖5B所示那樣，形成第一遮光層308和第二遮光層309作為遮光層。該第一遮光層308形成在對應於閘極線351及源極線352的區域中，而該第二遮光層309形成在對應於薄膜電晶體的源極區域或汲極區域的接觸孔303的區域中。此外，在彩色層(彩色濾光片)中，去除對應於薄膜電晶體的源極區域或汲極區域的接觸孔303的區域。對應於接觸孔303的區域是指與接觸孔303重疊的區域。圖5B示出遮光層形成在去除彩色層(彩色濾光片)的區域中的結構。
圖5A是擴大接觸孔部分的圖，且是沿圖5B的E-E’線截斷的截面圖。下面將說明本實施例模式的主動矩陣基板的結構。
在基板300上形成有薄膜電晶體301。作為基板300，除了玻璃基板如鋁硼矽酸鹽玻璃、鋇硼矽酸鹽玻璃、石英玻璃等之外，還可以使用將以PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)、PES(聚醚碸)、聚丙烯為典型的塑膠、以及以丙烯等為典型的合 成樹脂用作原料的基板。薄膜電晶體301可以是頂閘型、底閘型、通道蝕刻型、通道保護型中的任何一種。在圖5A中圖示通道蝕刻型電晶體。
在薄膜電晶體301上形成絕緣膜302，並且形成用來電連接到薄膜電晶體301的接觸孔303。可以使用有機樹脂膜、無機絕緣膜、或以矽氧烷類材料為啟始材料來形成的包含Si-O-Si鍵的絕緣膜(矽氧烷類絕緣膜)形成絕緣膜302。在此，矽氧烷是指具有由矽(Si)和氧(O)的鍵構成的骨架結構的物質，使用至少包含氫的有機基(例如，烷基、芳基)作為取代基。此外，作為取代基，也可以使用氟基或至少包含氫的有機基和氟基。另外，也可以將低介電常數材料用作絕緣膜。
覆蓋薄膜電晶體301及絕緣膜302地形成像素電極304。像素電極304電連接到露出了的薄膜電晶體301的汲極電極305b。
在製造反射型液晶顯示裝置的情況下，可以使用具有反射性的金屬作為像素電極304。在製造透過型液晶顯示裝置的情況下，可以使用將氧化錫混合到氧化銦的氧化銦錫(ITO)、將氧化矽混合到氧化銦錫(ITO)的氧化銦錫矽(ITSO)、將氧化鋅混合到氧化銦的氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、或氧化錫(SnO2)等。在製造半透過型液晶顯示裝置的情況下，對於反射區域，可以使用具有反射性的金屬作為像素電極，而對於透過區域，可以使用具有透光性的材料(例如，將氧化錫混合到氧化 銦的氧化銦錫(ITO)、將氧化矽混合到氧化銦錫(ITO)的氧化銦錫矽(ITSO)、將氧化鋅混合到氧化銦的氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、或氧化錫(SnO2)等)。
在像素電極304上形成有對準膜306。作為對準膜306，可以使用聚醯亞胺樹脂等。
接著，將說明本實施例模式的相對基板的結構。
與基板307接觸地形成有第一遮光層308、第二遮光層309、彩色層(彩色濾光片)310。第一遮光層308覆蓋源佈線地形成，但是對於源極電極305a，只覆蓋其一部分。根據接觸孔303形成第二遮光層309。作為基板307，除了玻璃基板如鋁硼矽酸鹽玻璃、鋇硼矽酸鹽玻璃、石英玻璃等之外，還可以使用將以PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)、PES(聚醚碸)、聚丙烯為典型的塑膠、以及以丙烯等為典型的合成樹脂用作原料的基板。作為第一遮光層308及第二遮光層309，可以使用遮光性膜(例如，鉻(Cr)的單層膜、氧化鉻(CrxOy)和鉻(Cr)的疊層膜、分散有碳黑等的顏料、染料等的樹脂膜等)。
如圖5B所示那樣，形成第一遮光層308和第二遮光層309。該第一遮光層308形成在對應於主動矩陣基板上的閘極線351及源極線352的區域中，而該第二遮光層309形成在對應於主動矩陣基板上的薄膜電晶體的源極區域或汲極區域的接觸孔303的區域中。注意，對應於接觸 孔303的區域是指與接觸孔303重疊的區域。
第二遮光層309形成在對應於主動矩陣基板的接觸孔303的區域中，而從形成在對應於閘極線351及源極線352的區域的第一遮光層308獨立。因此，由於該區域不起到顯示部的作用，所以即使在接觸孔303的上層存在的液晶分子中產生取向無序，也可以設置沒有顏色不均勻且具有高影像品質的顯示裝置。
此外，雖然第一遮光層308設置在閘極線351及源極線352的上方，但是不覆蓋薄膜電晶體的整體。由於採用這種結構，因此可以將開口率的降低抑制為最低限度。
可以透過將遮光層形成為第一遮光層308和第二遮光層309的兩個，將開口率的降低抑制為最低限度，從而可以製造沒有顏色不均勻且具有高對比度和高影像品質的顯示裝置。
注意，第二遮光層309的形狀可以是任何形狀，只要設置在對應於主動矩陣基板的接觸孔的區域中。例如，可舉出圓周形、橢圓形、正方形、長方形、三角形等。
接著，形成彩色層(彩色濾光片)310。根據形成在絕緣膜302中的接觸孔303去除彩色層(彩色濾光片)。此外，彩色層(彩色濾光片)310可以是單色或256灰度。
去除彩色層(彩色濾光片)的形狀可以是任何形狀，只要設置在對應於主動矩陣基板的接觸孔303的區域中。例如，可舉出圓周形、橢圓形、正方形、長方形、三角形 等。
接著，形成相對電極311。作為相對電極311，可以使用將氧化錫混合到氧化銦的氧化銦錫(ITO)、將氧化矽混合到氧化銦錫(ITO)的氧化銦錫矽(ITSO)、將氧化鋅混合到氧化銦的氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、或氧化錫(SnO2)等。
在相對電極311上形成有對準膜312。作為對準膜312，可以使用聚醯亞胺樹脂等。
將具有上述結構的主動矩陣基板和相對基板貼合在一起，並且將液晶層313形成在主動矩陣基板和相對基板之間。作為液晶，可以採用鐵電性液晶(FLC)、向列液晶、層列液晶、成為平行取向的液晶、成為垂直取向的液晶等。
形成在主動矩陣基板的薄膜電晶體可以是頂閘型、底閘型、通道蝕刻型、通道保護型中的任何一種。此外，薄膜電晶體的源極電極或汲極電極也可以不直接連接到像素電極。也可以與圖1A及1B同樣地將圖9A至9D所示的電晶體使用於圖5A及5B。
由於透過採用圖5A及5B所示的結構，接觸孔303上發生的液晶分子的取向無序不會影響影像顯示，因此可以製造沒有顏色不均勻的顯示器。此外，因為選擇性地形成遮光層並選擇性地去除彩色層(彩色濾光片)，所以可以抑制開口率的降低。另外，由於可以透過與通常的製造遮光層及彩色層(彩色濾光片)的製程相同的步驟來形 成，因此製程數量不增加且不需要採用複雜的步驟。
此外，可以採用如下結構：在主動矩陣基板的接觸孔中的絕緣膜傾斜的部分，即重疊於接觸孔的邊緣的區域中形成遮光層，並且去除彩色層(彩色濾光片)。這是因為在絕緣膜302傾斜的區域(接觸孔的邊緣)中最容易發生液晶分子的取向無序的緣故。
圖6B是從相對基板一側看到適用本發明的液晶顯示裝置的俯視圖。與圖5B不同之處是如下：第二遮光層322的形狀是環形，而不是圓形，並且不是以圓形而是以環形去除彩色層(彩色濾光片)。作為主動矩陣基板，在基板上形成有薄膜電晶體、絕緣膜、像素電極、對準膜等。作為與主動矩陣基板貼合在一起的相對基板，在基板上形成有遮光層、彩色層、相對電極、對準膜等。圖6B只圖示閘極線351、源極線352、薄膜電晶體的半導體層354、第一遮光層308、第二遮光層322、第一彩色層(彩色濾光片)323、第二彩色層(彩色濾光片)324，省略其他部分。注意，與圖5B相同的部分使用相同的附圖標記。
如圖6B所示那樣，在對應於形成在主動矩陣基板上的薄膜電晶體的源極區域或汲極區域的接觸孔中的絕緣膜302傾斜的部分321的區域中形成第二遮光層322，並且去除彩色層(彩色濾光片)。注意，對應於絕緣膜302傾斜的部分321的區域是指與接觸孔的邊緣重疊的區域。
圖6A是放大接觸孔部分的圖，且是沿圖6B的F-F’ 線截斷的截面圖。由於主動矩陣基板的結構與圖5A和5B相同，所以在此省略其說明。
相對基板的結構是如下：與基板307接觸地形成有第一遮光層308、第二遮光層322、第一彩色層(彩色濾光片)323、第二彩色層(彩色濾光片)324。第一遮光層308覆蓋源佈線地形成，但是對於源極電極305a，只覆蓋其一部分。根據接觸孔中的絕緣膜302傾斜的部分321形成第二遮光層322。作為基板307，除了玻璃基板如鋁硼矽酸鹽玻璃、鋇硼矽酸鹽玻璃、石英玻璃等之外，還可以使用將以PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)、PES(聚醚碸)、聚丙烯為典型的塑膠、以及以丙烯等為典型的合成樹脂用作原料的基板。作為第一遮光層308及第二遮光層322，可以使用遮光性膜(例如，鉻(Cr)的單層膜、氧化鉻(CrxOy)和鉻(Cr)的疊層膜、分散有碳黑等的顏料、染料等的樹脂膜等)。
如圖6B所示那樣，形成第一遮光層308和第二遮光層322。該第一遮光層308形成在對應於主動矩陣基板上的閘極線351及源極線352的區域中，而該第二遮光層322形成在對應於主動矩陣基板上的薄膜電晶體的源極區域或汲極區域的接觸孔中的絕緣膜302傾斜的部分321的區域中。注意，對應於絕緣膜302傾斜的部分321的區域是指與接觸孔的邊緣重疊的區域。
第二遮光層322形成在對應於主動矩陣基板的接觸孔 中的絕緣膜302傾斜的部分321的區域中，而從形成在對應於閘極線351及源極線352的區域的第一遮光層308獨立。因此，由於該區域不起到顯示部的作用，所以即使發生液晶分子的取向無序，也可以設置沒有顏色不均勻且具有高影像品質的顯示裝置。
另外，雖然第一遮光層308設置在閘極線351及源極線352的上方，但是沒有覆蓋薄膜電晶體的整體。由於採用這種結構，可以將開口率的降低抑制為最低限度。
可以透過將遮光層形成為第一遮光層308和第二遮光層322的兩個，將開口率的降低抑制為最低限度，從而可以製造沒有顏色不均勻且具有高對比度和高影像品質的顯示裝置。
注意，第二遮光層322的形狀可以是任何形狀，而只要設置在對應於主動矩陣基板的接觸孔的區域中。例如，可舉出圓周形、橢圓形、正方形、長方形、三角形等。
接著，形成第一彩色層(彩色濾光片)323及第二彩色層(彩色濾光片)324。根據形成在主動矩陣基板上的接觸孔中的絕緣膜傾斜的區域(接觸孔的邊緣)去除彩色層(彩色濾光片)。此外，彩色層(彩色濾光片)可以是單色或256灰度。
去除彩色層(彩色濾光片)的形狀可以是任何形狀，而只要設置在對應於主動矩陣基板的接觸孔的區域中。例如，可舉出圓周形、橢圓形、正方形、長方形、三角形等。
接著，形成相對電極311。作為相對電極311，可以使用將氧化錫混合到氧化銦的氧化銦錫(ITO)、將氧化矽混合到氧化銦錫(ITO)的氧化銦錫矽(ITSO)、將氧化鋅混合到氧化銦的氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、或氧化錫(SnO2)等。
在相對電極311上形成有對準膜312。作為對準膜312，可以使用聚醯亞胺樹脂等。
將具有上述結構的主動矩陣基板和相對基板貼合在一起，並且將液晶層313形成在主動矩陣基板和相對基板之間。作為液晶，可以採用鐵電性液晶(FLC)、向列液晶、層列液晶、成為平行取向的液晶、成為垂直取向的液晶等。
形成在主動矩陣基板的薄膜電晶體可以是頂閘型、底閘型、通道蝕刻型、通道保護型中的任何一種。此外，薄膜電晶體的源極電極或汲極電極也可以不直接連接到像素電極。也可以與圖1A及1B同樣地將圖9A至9D所示的電晶體使用於圖6A及6B。
由於透過採用圖6A及6B所示的結構，在接觸孔中的絕緣膜302傾斜的部分321的上部發生的液晶分子的取向無序不會影響影像顯示，因此可以製造沒有顏色不均勻的顯示器。此外，因為選擇性地形成遮光層並選擇性地去除彩色層(彩色濾光片)，所以可以抑制開口率的降低。另外，由於可以透過與形成在對應於主動矩陣基板上的閘極線351及源極線352的區域中的第一遮光層308的製程 相同的步驟來形成第二遮光層322，並且彩色層也可以透過與通常的製造彩色層的製程相同的步驟來形成，因此製程數量不增加且不需要採用複雜的步驟。
實施例模式5
在實施例模式中，將說明實施例模式2至4的其他模式。
圖15A及15B示出圖1B的其他模式。在圖15A及15B中，閘極線151、源極線152、第一遮光層108與圖1B相同。
雖然圖1B示出第二遮光層109及接觸孔103比汲極電極小的形狀，但是也可以如圖15A所示那樣，以第二遮光層132覆蓋接觸孔131且其一部分不重疊於汲極電極的方式形成。此外，也可以如圖15B所示那樣，以第二遮光層134的一部分及接觸孔133的一部分的邊緣不重疊於汲極電極的方式形成。
此外，也可以組合圖15A及15B和圖2B。雖然圖2B示出第二遮光層122及接觸孔153比汲極電極小的形狀，但是也可以以第二遮光層覆蓋接觸孔的邊緣且其一部分不重疊於汲極電極的方式形成。此外，可以以第二遮光層的一部及接觸孔的一部分的邊緣不重疊於汲極電極的方式形成。
同樣地，也可以組合圖15A及15B和圖3B。雖然圖3B示出去除彩色層(彩色濾光片)的部分的形狀比汲極 電極小的形狀，但是也可以以去除彩色層(彩色濾光片)的部分的形狀覆蓋接觸孔且其一部分不重疊於汲極電極的方式形成。
同樣地，也可以組合圖15A及15B和圖4B。雖然圖4B示出去除彩色層(彩色濾光片)的部分的形狀比汲極電極小的形狀，但是也可以以去除彩色層(彩色濾光片)的部分的形狀覆蓋接觸孔的邊緣且其一部分不重疊於汲極電極的方式形成。此外，也可以以去除彩色層(彩色濾光片)的部分的形狀及接觸孔的邊緣的一部分不重疊於汲極電極的方式形成。
同樣地，也可以組合圖15A及15B和圖5B。雖然圖5B示出第二遮光層309及接觸孔303比汲極電極小的形狀，但是也可以以第二遮光層覆蓋接觸孔且其一部分不重疊於汲極電極的方式形成。此外，也可以以第二遮光層的一部分及接觸孔的邊緣的一部分不重疊於汲極電極的方式形成。
同樣地，也可以組合圖15A及15B和圖6B。雖然圖6B示出第二遮光層322及接觸孔比汲極電極小的形狀，但是也可以以第二遮光層覆蓋接觸孔的邊緣且其一部分不重疊於汲極電極的方式形成。此外，也可以以第二遮光層的一部分及接觸孔的邊緣的一部分不重疊於汲極電極的方式形成。
實施例模式6
在本實施例模式中，將參照圖8A至8F說明使用本發明的相對基板的製造方法。
在基板500上形成成為遮光層501的金屬鉻膜。作為基板500，除了玻璃基板如鋁硼矽酸鹽玻璃、鋇硼矽酸鹽玻璃、石英玻璃等之外，還可以使用將以PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)、PES(聚醚碸)、聚丙烯為典型的塑膠、以及以丙烯等為典型的合成樹脂用作原料的基板。作為金屬鉻膜的形成方法，可以使用濺射法等。接著，透過採用光微影法加工為所希望的形狀，形成遮光層501(圖8A)。
注意，作為遮光層的材料，可以使用遮光性膜(例如，鉻(Cr)的單層膜、氧化鉻(CrxOy)和鉻(Cr)的疊層膜、分散有碳黑等的顏料、染料等的樹脂膜等)。此外，也可以層疊RGB的各個彩色濾光片來用作遮光層。
此時，在對應於主動矩陣基板的閘極線151及源極線152的區域和對應於薄膜電晶體的源極區域或汲極區域的接觸孔103的區域中形成遮光層，以成為圖1A及1B所示的結構。在對應於主動矩陣基板的閘極線151及源極線152的區域和對應於薄膜電晶體的源極區域或汲極區域的接觸孔153中的絕緣膜102傾斜的部分121(接觸孔的邊緣)的區域中形成遮光層，以成為圖2A及2B所示的結構。在對應於主動矩陣基板的閘極線251及源極線252的區域中形成遮光層，以成為圖3A至圖4B所示的結構。在對應於主動矩陣基板的閘極線351及源極線352的區域 和對應於薄膜電晶體的源極區域或汲極區域的接觸孔303的區域中形成遮光層，以成為圖5A及圖5B所示的結構。在對應於主動矩陣基板的閘極線351及源極線352的區域和對應於薄膜電晶體的源極區域或汲極區域的接觸孔中的絕緣膜302傾斜的部分321(接觸孔的邊緣)的區域中形成遮光層，以成為圖6A及6B所示的結構。
接著，形成彩色層(彩色濾光片)。作為彩色濾光片的形成方法，存在有顏料分散法、染色法、電沈積法、印刷法等，可以使用任何方法。在本實施例模式中，將說明採用顏料分散法的情況。
作為顏色分散法存在有兩種，即蝕刻法和彩色抗蝕劑法。在採用蝕刻法的情況下，透過旋轉塗敷法將分散有R的顏料的著色樹脂塗敷在形成有遮光層的基板上，並且進行乾燥和預備加熱。接著，在塗敷正型抗蝕劑之後，進行掩模曝光。接下來，使用鹼性水溶液進行正型抗蝕劑的顯影和著色樹脂膜的蝕刻，且使用有機溶劑剝離正型抗蝕劑，從而可以形成R的著色樹脂膜502(圖8B)。
透過對於G和B的著色樹脂反復相同的製程，形成G的著色樹脂膜503及B的著色樹脂膜504(圖8C和8D)。接著，塗敷保護膜(未圖示)。透過上述製程，形成彩色濾光片。
在採用彩色抗蝕劑法的情況下(未圖示)，使用給著色樹脂賦予了如抗蝕劑那樣具有光固化性的彩色抗蝕劑。彩色抗蝕劑將顏料分散在丙烯．環氧類紫外線固化樹脂 (負型抗蝕劑)等中並溶解在溶劑中而構成。透過旋轉塗敷法等將彩色抗蝕劑(R)塗敷在形成有遮光層的基板上。接下來，透過使用掩模來進行曝光和顯影，加工為所希望的形狀。
透過對於G和B的彩色抗蝕劑反復相同的製程，塗敷保護膜。透過上述製程，形成彩色層(彩色濾光片)。
此時，並不需要去除彩色層(彩色濾光片)，以成為圖1A至圖2B所示的結構。去除對應於主動矩陣基板上的薄膜電晶體的源極區域或汲極區域的接觸孔的區域的彩色層，以成為圖3A和3B以及圖5A和5B所示的結構。去除對應於主動矩陣基板上的薄膜電晶體的源極區域或汲極區域的接觸孔中的絕緣膜傾斜的區域(接觸孔的邊緣)的區域的彩色層(彩色濾光片)，以成為圖4A和4B以及圖6A和6B所示的結構。
接著，形成相對電極505(圖8E)。作為相對電極505，可以使用將氧化錫混合到氧化銦的氧化銦錫(ITO)、將氧化矽混合到氧化銦錫(ITO)的氧化銦錫矽(ITSO)、將氧化鋅混合到氧化銦的氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、或氧化錫(SnO2)等。作為形成膜的方法，可舉出真空沈積法及濺射法等。
接著，形成用作對準膜的絕緣膜506(圖8F)。可以透過在採用印刷法、輥式塗布法等形成聚醯亞胺及聚乙烯醇等的高分子化合物膜之後進行研磨，以形成絕緣膜506。此外，也可以從相對於基板傾斜的方向氣相沉積氧 化矽來形成。此外，也可以對光反應型高分子化合物照射偏振的UV光來聚合光反應型高分子化合物，以形成絕緣膜256。在此，在將聚醯亞胺及聚乙烯醇等的高分子化合物膜透過印刷法印刷並焙燒之後研磨，以形成絕緣膜256。
透過上述製程，可以製造選擇性地形成有遮光層的相對基板。
本實施例模式可以與實施例模式1至4自由地組合。
實施例模式7
在本實施例模式中，將參照圖10A和10B說明本發明的液晶顯示裝置的結構。圖10A是將液晶層夾在主動矩陣基板701和相對基板702之間而成的液晶面板的俯視圖，而圖10B相當於沿圖10A的G-G’線截斷的截面圖。此外，作為主動矩陣基板701，可以使用透過任何方法而成的基板，而作為相對基板702，使用實施例模式1至4所說明的基板。在此圖示實施例模式2所示的相對基板。
在圖10A中，附圖標記705示出像素部，附圖標記706示出驅動電路部。在本實施例模式中，像素部705形成在由密封劑703圍繞的區域中，而驅動電路部706安裝在該區域之外的區域。
此外，用於密封主動矩陣基板701和相對基板702的密封劑703含有用於保持密封空間的間隔的間隙材料，並且在由它們形成的空間中填充有液晶。注意，雖然圖10A 示出在使用密封劑703貼合主動矩陣基板701和相對基板702之後，在兩個基板之間注入液晶，且使用密封構件704密封的情況，但是本發明不局限於這種方法。也可以使用在將液晶滴落在主動矩陣基板701和相對基板702中的一方的基板上之後貼合雙方基板的方法(ODF法)。
接著，將參照圖10B說明截面結構。在形成主動矩陣基板701的第一基板707上形成有像素部705，並且具有多個以TFT為典型的半導體元件。此外，在本實施例模式中，安裝在基板上的驅動電路部706包括源極線驅動電路以及閘極線驅動電路。
在像素部705中形成有多個像素，並且作為像素電極的第一電極711電連接到TFT713。
另外，在形成相對基板702的第二基板708上形成有第一遮光層716、第二遮光層717、第二電極719。此外，在第二電極719上形成有對準膜720。
此外，第二遮光層717設置在對應於形成在主動矩陣基板701的接觸孔的區域中。
此外，在本實施例模式所示的液晶顯示裝置中，將液晶層712夾在形成在主動矩陣基板701上的第一電極711和形成在相對基板702上的第二電極719之間而成的部分是液晶元件。
此外，附圖標記721示出柱狀隔離物，為控制主動矩陣基板701和相對基板702之間的距離(單元間隙)而設置。透過將絕緣膜蝕刻為所希望的形狀形成柱狀隔離物 721。注意，可以使用球狀隔離物。
供給到像素部705及驅動電路部706的各種信號及電位透過連接佈線722從FPC723供給。注意，連接佈線722和FPC723使用各向異性導電膜或各向異性導電樹脂724電連接。注意，也可以使用焊料及銀膏等的導電膏劑代替各向異性導電膜或各向異性導電樹脂。
此外，雖然未圖示，但是使用粘合劑將偏光板固定到主動矩陣基板701及相對基板702中的一方或雙方的表面。注意，除了偏光板之外，還可以設置相位差板。
實施例模式8
在本實施例模式中，將參照圖11A至11C說明本發明的液晶顯示裝置中的驅動電路的安裝方法。
當採用圖11A所示的結構時，在像素部801周邊安裝源極線驅動電路802、以及閘極線驅動電路803a、803b。就是說，透過採用各向異性導電粘合劑、及各向異性導電薄膜的已知的安裝方法、COG方式、引線鍵合方法、以及使用焊接凸塊的回流處理等來將IC晶片805安裝在基板800上，以安裝源極線驅動電路802、以及閘極線驅動電路803a、803b等。注意，IC晶片805透過FPC(撓性印刷電路)806連接到外部電路。
注意，也可以將源極線驅動電路802的一部分，例如類比開關形成在基板上，且另外安裝其他部分作為IC晶片。
此外，當採用圖11B所示的結構時，在基板上安裝像素部801、以及閘極線驅動電路803a、803b等，並且另外安裝源極線驅動電路802等作為IC晶片。就是說，透過採用COG方式等的安裝方法將IC晶片805安裝在形成有像素部801以及閘極線驅動電路803a、803b等的基板800上，安裝源極線驅動電路802等。注意，IC晶片805透過FPC806連接到外部電路。
注意，將源極線驅動電路802的一部分，例如類比開關形成在基板上，且另外安裝其他部分作為IC晶片。
再者，當採用圖11C所示的結構時，透過TAB方式安裝源極線驅動電路802等。注意，IC晶片805透過FPC806連接到外部電路。在圖11C中，雖然透過TAB方式安裝源極線驅動電路802等，但是也可以透過TAB方式安裝閘極線驅動電路等。
當透過TAB方式安裝IC晶片805時，可以設置相對於基板大的像素部，以可以實現窄邊框化。
此外，也可以設置將IC形成在玻璃基板上的IC(下面寫為驅動器IC)代替IC晶片805。由於IC晶片805是從圓周形的矽片取出而成的IC晶片，因此其母基板形狀具有限制。另一方，因為驅動器IC的母基板是玻璃且其形狀沒有限制，所以可以提高生產率。從而，驅動器IC的形狀尺寸可以自由地設定。例如，當形成長邊為15mm至80mm的長度的驅動器IC時，與安裝IC晶片的情況相比，可以減少驅動器IC的必需量。結果，可以減少連接 端子的數量，從而提高製造上的成品率。
可以使用形成在基板上的結晶半導體形成驅動器IC，並且較佳的透過照射連續振蕩型雷射形成結晶半導體。在照射連續振蕩型雷射而獲得的半導體膜中，結晶缺陷少，且晶粒的粒徑大。其結果，具有這種半導體膜的電晶體具有良好的遷移度和回應速度，且可以進行高速驅動，從而合適於驅動器IC。
實施例模式9
在本實施例模式中，將參照圖12的截面圖說明一種液晶模組，該液晶模組將電源電路、控制器等的外部電路連接到透過實施實施例模式1至7形成的本發明的液晶顯示裝置而形成，並且使用白色照明進行彩色顯示。
如圖12所示那樣，主動矩陣基板901和相對基板902被密封材料903固定且其間設置有液晶層905，以形成液晶顯示面板。
此外，當進行彩色顯示時需要形成在主動矩陣基板901上的彩色膜906。在採用RGB方式時，根據各個像素設置有對應於紅色、綠色、藍色的各種顏色的彩色膜。在主動矩陣基板901和相對基板902的內側形成有對準膜918、919。此外，主動矩陣基板901和相對基板902的外側配置有偏光板907、908。另外，偏光板907的表面形成有保護膜909，以緩和來自外部的衝擊。
佈線基板912透過FPC911連接到設置在主動矩陣基 板901的連接端子910。佈線基板912安裝有像素驅動電路(IC晶片、驅動器IC等)、控制電路、電源電路等的外部電路913。
冷陰極管914、反射板915、以及光學薄膜916、反相器(未圖示)是背光單元，它們成為光源以將光投射到液晶顯示面板。框架917保持並保護液晶顯示面板、光源、佈線基板912、FPC911等。
實施例模式10
作為具備本發明的液晶顯示裝置的電子設備，可以舉出電視裝置(也簡單地稱為電視、或電視接收機)、數位相機、數位視頻相機、電話裝置(也簡單地稱為電話機、電話)、PDA等的資訊終端、電子書、遊戲機、電腦用的監視器、電腦、如汽車音響及MP3播放器等的聲音再現裝置、如家用遊戲機等的具備記錄媒體的影像再現裝置等。將參照圖13A至13E說明這種電子設備的較佳方式。
圖13A所示的電視裝置包括主體8001、顯示部8002等。可以將本發明的液晶顯示裝置適用於顯示部8002。本發明的液晶顯示裝置可以設置能夠實現可視性高的影像顯示的電視裝置。
圖13B所示的資訊終端設備包括主體8101、顯示部8102等。可以將本發明的液晶顯示裝置適用於顯示部8102。本發明的液晶顯示裝置可以設置能夠實現可視性高 的影像顯示的資訊終端設備。
圖13C所示的數位視頻相機包括主體8201、顯示部8202等。可以將本發明的液晶顯示裝置適用於顯示部8202。本發明的液晶顯示裝置可以設置能夠實現可視性高的影像顯示的數位視頻相機。
圖13D所示的電話機包括主體8301、顯示部8302等。可以將本發明的液晶顯示裝置適用於顯示部8302。本發明的液晶顯示裝置可以設置能夠實現可視性高的影像顯示的電話機。
圖13E所示的監視器包括主體8401、顯示部8402等。可以將本發明的液晶顯示裝置適用於顯示部8402。本發明的液晶顯示裝置可以設置能夠實現可視性高的影像顯示的監視器。
實施例模式11
雖然在實施例模式1至10中說明了液晶顯示裝置，但是本發明不但可以使用於液晶顯示裝置，而且可以使用於發光裝置。在發光裝置中，由於當在接觸孔中產生發光時，接觸孔部分和其他部分的透過光的光路長度不同，所以產生顏色不均勻。
在圖14中，附圖標記1000示出基板；附圖標記1001示出薄膜電晶體；附圖標記1002示出絕緣膜；附圖標記1003示出接觸孔；附圖標記1004示出第一電極；附圖標記1005a示出源極電極；附圖標記1005b示出汲極電 極；附圖標記1006示出包括發光層的層；附圖標記1007示出第二電極；附圖標記1008示出基板；附圖標記1009示出遮光層；附圖標記1010示出空間。
如圖14所示那樣，當與液晶顯示裝置同樣地將遮光層形成在對應於發光裝置的接觸孔1003的區域時，獲得沒有顏色不均勻的影像顯示。
注意，雖然圖14示出適用實施例模式2所示的結構的發光裝置，但是可以將實施例模式1至5中的任何方式適用於發光裝置。此外，可以將發光裝置適用於實施例模式10的顯示部。
103‧‧‧接觸孔
108‧‧‧第一遮光層
109‧‧‧第二遮光層
151‧‧‧閘極線
152‧‧‧源極線
154‧‧‧半導體層

Claims (15)

  1. 一種液晶顯示裝置，包含：一基板；在該基板上的一第一電極；在該第一電極上的一半導體層，該半導體層包含一通道形成區；在該半導體層上的一第二電極；在該第二電極上的一絕緣膜；在該絕緣膜上的一像素電極，該像素電極在一接觸孔與該第二電極接觸；在該絕緣膜上的一彩色層；電連接到該第一電極的一閘極線；一源極線；一第一遮光層，該第一遮光層的至少一部分與該閘極線的至少一部分及該源極線的至少一部分重疊；以及一第二遮光層，該第二遮光層的至少一部分與該接觸孔重疊，其中該第二遮光層與該第一遮光層分離，其中該第一遮光層不與該通道形成區的至少一部分重疊，其中該第一遮光層不與該接觸孔重疊，以及其中該第二遮光層包含該第二遮光層不與該彩色層重疊的一區域。
  2. 一種液晶顯示裝置，包含： 一基板；在該基板上的一第一電極；在該第一電極上的一半導體層，該半導體層包含一通道形成區；在該半導體層上的一第二電極；在該第二電極上的一絕緣膜；在該絕緣膜上的一像素電極，該像素電極在一接觸孔與該第二電極接觸；在該絕緣膜上的一彩色層；電連接到該第一電極的一閘極線；一源極線；一第一遮光層，該第一遮光層的至少一部分與該閘極線的至少一部分及該源極線的至少一部分重疊；以及一第二遮光層，該第二遮光層的至少一部分與該接觸孔重疊，其中該第二遮光層與該第一遮光層分離，其中該第一遮光層不與該通道形成區的至少一部分重疊，其中該第一遮光層不與該接觸孔重疊，以及其中該第二遮光層包含該第二遮光層不與該絕緣膜重疊的一區域。
  3. 一種液晶顯示裝置，包含：一基板；在該基板上的一第一電極； 在該第一電極上的一半導體層，該半導體層包含一通道形成區；在該半導體層上的一第二電極；在該第二電極上的一絕緣膜；在該絕緣膜上的一像素電極，該像素電極在一接觸孔與該第二電極接觸；在該絕緣膜上的一彩色層；電連接到該第一電極的一閘極線；一源極線；一第一遮光層，該第一遮光層的至少一部分與該閘極線的至少一部分及該源極線的至少一部分重疊；以及一第二遮光層，該第二遮光層的至少一部分與該接觸孔重疊，其中該第二遮光層與該第一遮光層分離，其中該第一遮光層不與該通道形成區的至少一部分重疊，以及其中該第二遮光層包含該第二遮光層不與該彩色層和該第一遮光層重疊的一區域。
  4. 如申請專利範圍第1、第2或第3項的液晶顯示裝置，其中該第一遮光層為一黑矩陣。
  5. 如申請專利範圍第1、第2或第3項的液晶顯示裝置，其中該第二遮光層為一黑矩陣。
  6. 如申請專利範圍第1、第2或第3項的液晶顯示裝置，其中該第一遮光層設置在一相對基板上。
  7. 如申請專利範圍第1、第2或第3項的液晶顯示裝置，其中該第二遮光層設置在一相對基板上。
  8. 如申請專利範圍第1、第2或第3項的液晶顯示裝置，其中該彩色層設置在一相對基板上。
  9. 如申請專利範圍第1、第2或第3項的液晶顯示裝置，其中該第二電極在該接觸孔中不與該第一電極重疊。
  10. 如申請專利範圍第1、第2或第3項的液晶顯示裝置，其中該閘極線的整個表面被該第一遮光層覆蓋。
  11. 如申請專利範圍第1、第2或第3項的液晶顯示裝置，其中該源極線的整個表面被該第一遮光層覆蓋。
  12. 如申請專利範圍第1、第2或第3項的液晶顯示裝置，其中該第二遮光層不完全與該彩色層重疊。
  13. 如申請專利範圍第1、第2或第3項的液晶顯示裝置，其中該第一遮光層的材料與該第二遮光層的材料相同。
  14. 一種液晶顯示裝置，包含：在一第一基板上的一半導體層；電連接到該半導體層的一第一導電層；在該第一導電層上的第一絕緣膜；在該第一絕緣膜上的第二導電層；在該第二導電層上的第二絕緣膜；在該第二絕緣膜上的一像素電極；在該像素電極上的一彩色濾光片； 在該彩色濾光片上的一遮光層；以及在該遮光層上的一第二基板，其中該半導體層包含一電晶體的一通道形成區，其中該第一導電層包括該電晶體的源極電極和汲極電極之一者的一區域，其中該第一絕緣膜包括一第一接觸孔，其中該第二絕緣膜包括一第二接觸孔，其中該第一導電層和該第二導電層透過該第一接觸孔而彼此電連接，其中該第二導電層和該像素電極透過該第二接觸孔而彼此電連接，其中該遮光層包括一開口，其中該第一接觸孔包括與該第二接觸孔重疊的一區域，其中該遮光層包括重疊該第一接觸孔的邊緣的一區域，以及其中該遮光層包括重疊該第二接觸孔的邊緣的一區域。
  15. 一種液晶顯示裝置，包含：在一第一基板上的一半導體層；一第一導電層包括與該半導體層重疊的一區域；電連接到該半導體層的一第二導電層；電連接到該半導體層的一第三導電層；在該第二導電層和該第三導電層上的一第一絕緣膜； 在該第一絕緣膜上的一第四導電層；在該第四導電層上的一第二絕緣膜；在該第二絕緣膜上的一像素電極；在該像素電極上的一彩色濾光片；在該彩色濾光片上的一第一遮光層；與該第一遮光層分離的一第二遮光層；以及在該第一遮光層和該第二遮光層上的一第二基板，其中該半導體層包含一電晶體的一通道形成區，其中該第一導電層包括該電晶體的閘極電極的一區域，其中該第二導電層包括該電晶體的源極電極和汲極電極之一者的一區域，其中該第三導電層為該電晶體的該源極電極和該汲極電極之另一者，其中該第一絕緣膜包括一第一接觸孔，其中該第二絕緣膜包括一第二接觸孔，其中該第二導電層和該第四導電層透過該第一接觸孔而彼此電連接，其中該第四導電層和該像素電極透過該第二接觸孔而彼此電連接，其中該第一遮光層包括一開口部，其中該第一接觸孔包括與該第二接觸孔重疊的一區域，其中該第一遮光層包括重疊該第一接觸孔的邊緣的一 區域，其中該第一遮光層包括重疊該第二接觸孔的邊緣的一區域，其中該第二遮光層包括重疊該第一導電層和該第三導電層的一區域，其中該彩色濾光片包括與該第二遮光層重疊的一區域。
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