JPH11212115A - アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents

アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方法

Info

Publication number
JPH11212115A
JPH11212115A JP1223198A JP1223198A JPH11212115A JP H11212115 A JPH11212115 A JP H11212115A JP 1223198 A JP1223198 A JP 1223198A JP 1223198 A JP1223198 A JP 1223198A JP H11212115 A JPH11212115 A JP H11212115A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
liquid crystal
display device
active matrix
crystal display
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1223198A
Other languages
English (en)
Inventor
Hisafumi Saito
尚史 斉藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP1223198A priority Critical patent/JPH11212115A/ja
Publication of JPH11212115A publication Critical patent/JPH11212115A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【課題】 明るく高コントラストを有するアクティブマ
トリクス型液晶表示装置およびその製造方法を提供す
る。 【解決手段】 基板上にベースコート膜、活性層、ゲー
ト絶縁膜、ゲート電極を所定の形状に形成する。活性層
にはソース領域およびドレイン領域とチャネル領域とを
形成する。その後、全面に層間絶縁膜を形成し、コンタ
クトホールを開口して、ソース電極およびドレイン電極
を形成する。この後、全面に平坦化膜12を形成し、コ
ンタクトホールを開口する。続いて、平坦化膜12の画
素電極16が形成されていない領域をエッチングにより
掘り下げ、凹部を形成する。次に、全面に黒色の樹脂を
塗布し、コンタクトホールおよび凹部を黒色の樹脂で埋
める。そして、全面をエッチバックして画素電極16の
表面を露出させることで、画素用TFT25上に遮光膜
19を形成する。駆動回路24を構成するTFT上に
は、透過率の低いITO等の透明導電性薄膜からなるシ
ールド電極15を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ
(以下、TFTと称する)等のスイッチング素子を用い
たアクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造
方法に関するものであり、特に画素用スイッチング素子
と画素用スイッチング素子を駆動するための駆動回路と
を同一基板上に形成したドライバ一体型のアクティブマ
トリクス型液晶表示装置およびその製造方法に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】近年、薄型で軽量、かつ低消費電力であ
る利点を有するディスプレイとして液晶表示装置が注目
を集めている。中でも、各画素毎にTFT等のスイッチ
ング素子を設け、各画素を制御するようにしたアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置は、解像度に優れ、鮮明な
画像が得られる等の理由から特に注目されている。
【0003】従来のスイッチング素子としては、非晶質
シリコン薄膜を用いたTFTが知られており、このTF
Tを搭載したアクティブマトリクス型液晶表示装置が数
多く商品化されている。
【0004】現在、この非晶質シリコン薄膜を用いたT
FTに代わるスイッチング素子として、画素電極を駆動
させるための画素用TFTと、その画素用TFTを駆動
させるための駆動回路とを、一つの基板上に一体形成す
ることができる可能性が有る多結晶シリコン薄膜を用い
たTFTを形成する技術に大きな期待が寄せられてい
る。
【0005】多結晶シリコン薄膜は、従来のTFTに用
いられている非晶質シリコン薄膜に比べて高移動度を有
しており、高性能なTFTを形成することが可能であ
る。画素用TFTを駆動させるための駆動回路を一つの
安価なガラス基板上に一体形成することが実現される
と、従来に比べ、製造コストが大幅に低減されることに
なる。
【0006】このような多結晶シリコンTFTの活性層
となる多結晶シリコン薄膜をガラス基板上に作製する技
術としては、ガラス基板上に非晶質シリコン薄膜を堆積
した後、600℃程度の温度で数時間〜数十時間熱処理
して結晶化させる固相成長法、エキシマレーザー等のパ
ルスレーザー光を照射して、その部分の非晶質シリコン
薄膜を瞬時に熔融させて再結晶化させるレーザー結晶化
法等の方法が提案されている。
【0007】このアクティブマトリクス型液晶表示装置
には、画素電極にITO等の透明導電性薄膜を用いた透
過型液晶表示装置と、画素電極に金属膜等からなる反射
電極を用いた反射型液晶表示装置とが有る。
【0008】本来、液晶表示装置は自発光型のディスプ
レイではないため、透過型液晶表示装置の場合には、液
晶表示装置の背後に照明装置、所謂バックライトを配置
して、そこから入射される光によって表示を行ってい
る。また、反射型液晶表示装置の場合には、外部からの
入射光を反射電極によって反射させることで表示を行っ
ている。
【0009】反射型液晶表示装置は、バックライトを使
用しないため、消費電力は極めて小さいが、使用環境ま
たは使用条件、即ち周囲の明るさ等によって表示の明る
さおよびコントラストが左右されてしまうという問題を
有している。一方、透過型液晶表示装置の場合は、前述
のようにバックライトを用いて表示を行うため、消費電
力は大きくなるものの、周囲の明るさ等にさほど影響さ
れることなく、明るく、高いコントラストを有する表示
を行える利点がある。
【0010】ところで、前述のようなITO等の透明導
電性薄膜または金属膜等からなる画素電極は、TFTの
ドレイン電極に接続され、隣接するゲート配線およびソ
ース配線と短絡しないように、これらと一定の間隔を有
するように形成される。
【0011】近年では、画素電極の有効面積を拡大する
ために、図15に示すように、TFT51上を含む基板
52全面に、ポリイミド樹脂またはアクリル樹脂からな
る平坦化膜53を形成し、平坦化膜53に開口したコン
タクトホール54を介して、TFT51のドレイン電極
55と平坦化膜53上に形成された画素電極56とを接
続する保護膜上画素電極構造(以下、ピクセル・オン・
パッシ構造と呼ぶ)が提案されている。尚、図15にお
いて、57はソース電極を示している。
【0012】この方法によると、画素電極56は平坦化
膜53によってゲート配線およびソース配線と絶縁され
ることになるため、画素電極56の端部をゲート配線お
よびソース配線の上方に配置することが可能となり、画
素電極56の有効面積、即ち開口率を拡大することがで
きるようになる。また、平坦化膜53は、TFT51、
ゲート配線およびソース配線に起因する段差を容易に平
坦化することができるため、液晶層58の配向の乱れを
極めて少なくする効果を有している。
【0013】しかしながら、前述の方法では、TFT5
1、ゲート配線およびソース配線に起因する段差を平坦
にするために、平坦化膜53を1μm以上、例えば2〜
4μmの厚みに形成する必要がある。そのため、画素電
極56とドレイン電極55とを接続するために開口する
コンタクトホール54による段差が大きなものとなり、
画素電極56とドレイン電極55との接続が良好に行わ
れないことがある。また、平坦化膜53を形成すること
によってTFT51、ゲート配線およびソース配線に起
因する段差は低減されるものの、コンタクトホール54
に起因する段差が画素電極56の表面にも反映され、画
素電極56の一部の領域に大きな段差が生じて液晶層5
8の配向の乱れが発生し、表示品位の低下を引き起こす
ことになる。
【0014】そこで、図16に示すように、例えば特公
平1−35351号公報または特開平4−220625
号公報に開示されているような、コンタクトホール54
部分に平坦化膜53の表面とほぼ同じ高さとなるよう
に、金属等の導電体59を設ける方法が提案されてい
る。
【0015】これを製造する方法は、ドレイン電極55
上に金属等からなる導電体59を形成し、TFT51等
の段差を平坦化する平坦化膜53を形成した後、導電体
59の表面が露出するように平坦化膜53をエッチング
して、画素電極56を接続する方法がある。尚、図16
において、52は基板、57はソース電極を示してい
る。
【0016】一方、ピクセル・オン・パッシ構造のアク
ティブマトリクス型液晶表示装置によると、画素電極が
ゲート配線およびソース配線の上に重なるように形成さ
れるため、ゲート配線およびソース配線がブラックマト
リクスを兼ねることになり、画素電極とゲート配線およ
びソース配線との間隙を遮光するためのブラックマトリ
クスを対向基板側に配置する必要がなくなる。つまり、
ピクセル・オン・パッシ構造のアクティブマトリクス型
液晶表示装置では、ブラックマトリクスはTFTの上方
のごく一部に設けるだけでよく、開口率を極めて高くす
ることが可能なのである。TFT上のブラックマトリク
スは、TFTに不要な光が入射しないようにしてTFT
の特性を安定させるという目的も有している。
【0017】図17に示すように、近年ではこうしたピ
クセル・オン・パッシ構造の特徴を活かし、TFT51
上に直接ブラックマトリクス60を形成して、対向基板
側にはブラックマトリクスを設けない方式も考えられて
いる。尚、図17において、52は基板、53は平坦化
膜、54はコンタクトホール、55はドレイン電極、5
6は画素電極、57はソース電極を示している。
【0018】このような技術は、例えば特開平1−68
729号公報、特開平4−253028号公報または特
開平8−122761号公報等に開示されている。特開
平1−68729号公報には、TFT上に樹脂等からな
る遮光膜を形成することが提案されており、特開平4−
253028号公報には、TFT上の樹脂絶縁膜を着色
することによって遮光膜にすることが提案されている。
そして、特開平8−122761号公報には、反射電極
を形成した後、黒色樹脂を塗布し、反射電極の表面が露
出するまで黒色樹脂を研磨することによって遮光膜を形
成することが提案されている。これらの方法によると、
対向基板側にブラックマトリクスを設ける必要がなくな
る。
【0019】また、画素用TFTと、それを駆動させる
ための駆動回路とを、一つの基板上に一体形成するドラ
イバモノリシック型液晶表示装置の場合には、図18に
示すように、駆動回路61を構成するTFTの特性を安
定させるために、画素用TFT62と同様に遮光膜63
を設けることが知られている。このような技術は、例え
ば特開平9−105953号公報等に開示されている。
また、駆動回路61を外部電界から保護して信頼性を向
上させるために、駆動回路61の上方領域にシールド電
極64を設けることが、特開平6−258659号公報
または特開平6−258661号公報等に開示されてい
る。尚、図18において、56は画素電極、65は対向
基板、66はシールを示している。
【0020】
【発明が解決しようとする課題】前述したように、基板
表面の形状は、液晶層の配向に乱れを生じさせる大きな
要因となっている。基板表面に凹凸が存在すると、その
部分で液晶層の配向に乱れが生じることになるのであ
る。
【0021】最近では、前述したピクセル・オン・パッ
シ構造によって、TFT、ゲート配線およびソース配線
による段差が緩和され、平坦化膜が形成された時点では
基板表面には殆ど凹凸が存在しない。しかし、画素電極
の膜厚分の段差、および画素電極とドレイン電極とを接
続するためのコンタクトホールによる窪みが形成され
る。画素電極の膜厚分の段差はせいぜい数千Å程度であ
るが、コンタクトホールによる窪みは数μmであり、画
素電極の膜厚分の段差とは比較にならない程のものであ
る。
【0022】また、ドレイン電極と画素電極との接続を
良好なものとするためには、コンタクトホールをテーパ
ー形状に加工すればよいが、TFTの微細化に伴い、コ
ンタクトホールの寸法も微細化していることから、極端
なテーパー形状加工が行えない状況にある。つまり、テ
ーパー形状に加工するとコンタクトホールの寸法が大き
くなってしまうのである。コンタクトホールの寸法が大
きくなると、前述のようにコンタクトホールの窪みが画
素電極の表面にも反映され、画素電極の一部の領域に大
きな段差が生じて液晶層の配向の乱れが発生し、表示品
位の低下を引き起こすことになる。特に、画素電極のサ
イズが微細な場合には影響が顕著となる。
【0023】例えば、画素電極のサイズが25μm×2
5μmであり、コンタクトホールの寸法が5μm×5μ
mであったとすると、コンタクトホールが画素電極に占
める割合は4%である。コンタクトホールの開口工程で
は、エッチングによる寸法シフトが発生しやすく、完成
時にコンタクトホールの寸法が10μm×10μmであ
ったとすると、コンタクトホールが画素電極に占める割
合は16%にまで達してしまうことになる。このような
状況では、ドレイン電極と画素電極との良好な接続を維
持しつつ、コンタクトホールの段差に起因する不都合を
解消することは容易なことではない。
【0024】前述した従来の方法は、こうした問題を解
決するための方法を提案したものであり、特公平1−3
5351号公報または特開平4−220625号公報に
示される方法は、ドレイン電極上に金属等からなる導電
体を形成し、TFT等の段差を平坦化する平坦化膜を形
成した後、導電体の表面を露出させるようにして、その
部分に画素電極を接続する構成である。そのため、画素
電極の表面は平坦な状態となり、コンタクトホールの段
差に起因する液晶層の配向の乱れ、および画素電極とド
レイン電極との接続不良を低減することができると考え
られる。
【0025】しかしながら、この方法では、コンタクト
ホール部分にポリイミド樹脂またはアクリル樹脂からな
る平坦化膜の膜厚と同程度の膜厚、即ち2〜4μmの膜
厚を有する柱状の金属等からなる導電体を形成する必要
が有る。このような導電体を形成するためには、通常は
スパッタリング法またはプラズマCVD法によって導電
体を成膜することになると考えられるが、膜厚が厚いた
め、成膜に長時間を要したり、成膜途中または成膜後に
膜剥がれが生じたりすることが容易に想像される。ま
た、仮に正常に成膜が完了したとしても、これをエッチ
ングして柱状にパターニングするには、長時間のエッチ
ングを要することになると考えられ、実際には容易なこ
とではない。また、これらの方法はTFTを遮光する機
能を有するものではない。
【0026】一方、特開平1−68729号公報、特開
平4−253028号公報または特開平8−12276
1号公報に示される方法は、TFT上に遮光膜を形成す
る方法である。
【0027】特開平1−68729号公報には、金属層
によってコンタクトホール部分を埋め、TFT上には不
透明な樹脂等による遮光膜を形成し、この遮光膜をマス
クとして金属層をパターニングする方法が開示されてい
る。この方法によると、コンタクトホール部分は金属層
によって埋められることになるが、逆にこの金属層が画
素電極の表面よりも突出することになる。この金属層は
6000Å程度の膜厚を有していることが記載されてお
り、さらにこの上に不透明な樹脂等による遮光膜が形成
されると、最終的には1μm程度の膜厚となることが十
分に考えられる。画素電極の表面よりも1μmも突出し
た部分を有していると、その部分で液晶分子の配向が乱
される可能性が非常に高い。
【0028】特開平4−253028号公報には、TF
T上の樹脂等による平坦化膜を着色することによって遮
光膜を形成する方法が開示されている。この方法による
と、遮光膜は画素電極の表面よりも突出することがない
が、平坦化膜を着色して遮光膜を形成した後に、コンタ
クトホールを開口して画素電極をTFTに接続するもの
であり、コンタクトホールによる凹部を埋めることがで
きない。したがって、依然としてコンタクトホール部分
での液晶分子の配向を良好なものにすることができな
い。
【0029】特開平8−122761号公報には、TF
Tに接続される反射電極を形成した後に、黒色樹脂を塗
布し、反射電極の表面が露出するまで黒色樹脂を研磨材
を用いて研磨する方法が開示されている。この方法によ
ると、反射電極間を黒色樹脂で埋めることになる。おそ
らく、コンタクトホール部分も黒色樹脂で埋めることに
なると思われるが、詳細な記載がないためにその点に関
しては不明である。また、このようにして形成された遮
光膜は、反射電極と概ね同じ膜厚であると思われるが、
通常反射電極として形成される金属膜の膜厚は、100
0Å〜数千Å程度であると考えられ、この膜厚と同程度
の膜厚の黒色樹脂がTFTを遮光するために十分な機能
を有するかどうか不明である。
【0030】また、特開平9−105953号公報は、
駆動回路領域上を黒色の有機樹脂によって遮光するもの
が記載されている。これは、駆動回路領域上のみを遮光
するものである。したがって、本発明の主たる目的の一
つである画素電極上におけるコンタクトホールに起因す
る凹状の窪みを解消し、液晶分子の配向を安定に保つこ
とに関して、この発明は寄与することがないのである。
【0031】また、特開平6−258659号公報また
は特開平6−258661号公報には、駆動回路が形成
された領域の有機絶縁膜上にITOによるシールド電極
を設ける方法が開示されている。このシールド電極によ
って外部電界から駆動回路が保護され、信頼性が向上す
るのであるが、このシールド電極は遮光性がなく、外部
光に対して駆動回路を保護する機能は有していないので
ある。
【0032】本発明は、以上のような従来の問題点に鑑
みなされたものであって、明るく高コントラストを有す
るアクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造
方法を提供することを目的としている。
【0033】
【課題を解決するための手段】前述した目的を達成する
ために、本発明の請求項1記載のアクティブマトリクス
型液晶表示装置は、画素用スイッチング素子と前記スイ
ッチング素子を駆動するための駆動回路とが同一基板上
に形成され、前記スイッチング素子と前記駆動回路とを
被覆して表面を平坦とする平坦化膜が形成され、前記平
坦化膜に開口されたコンタクトホールを介して、前記ス
イッチング素子と前記平坦化膜上に形成された画素電極
とが電気的に接続されたアクティブマトリクス型液晶表
示装置において、表示領域では、前記画素電極以外の領
域および前記コンタクトホールが有色の絶縁膜で埋めら
れるとともに、前記駆動回路の上方領域に黒色化された
透明導電性薄膜が形成されていることを特徴としてい
る。
【0034】請求項2記載のアクティブマトリクス型液
晶表示装置は、請求項1記載のアクティブマトリクス型
液晶表示装置において、前記黒色化された透明導電性薄
膜は、前記駆動回路の上方領域を覆うとともに、前記表
示領域を囲むように前記表示領域の外周に形成されてい
ることを特徴としている。
【0035】請求項3記載のアクティブマトリクス型液
晶表示装置は、請求項1または請求項2記載のアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置において、前記黒色化され
た透明導電性薄膜上に、対向基板を貼り合わせるための
シールが形成されていることを特徴としている。
【0036】請求項4記載のアクティブマトリクス型液
晶表示装置は、請求項1乃至請求項3記載のアクティブ
マトリクス型液晶表示装置において、前記有色の絶縁膜
は、前記黒色化された透明導電性薄膜の端部に接するよ
うに形成されていることを特徴としている。
【0037】請求項5記載のアクティブマトリクス型液
晶表示装置の製造方法は、画素用スイッチング素子と前
記スイッチング素子を駆動するための駆動回路とを同一
基板上に形成し、前記スイッチング素子と前記駆動回路
とを被覆して表面を平坦とする平坦化膜を形成し、前記
平坦化膜に開口したコンタクトホールを介して、前記ス
イッチング素子と前記平坦化膜上に形成した画素電極と
を電気的に接続するアクティブマトリクス型液晶表示装
置の製造方法において、前記平坦化膜に前記コンタクト
ホールを形成する工程と、前記平坦化膜上に透明導電性
薄膜を形成する工程と、表示領域に前記画素電極を形成
するとともに、前記駆動回路の上方領域を覆うように、
前記透明導電性薄膜をパターニングする工程と、前記駆
動回路の上方領域の透明導電性薄膜を還元する工程と、
前記表示領域における前記画素電極以外の領域および前
記コンタクトホールを有色の絶縁膜で埋める工程と、を
有することを特徴としている。
【0038】請求項6記載のアクティブマトリクス型液
晶表示装置の製造方法は、請求項5記載のアクティブマ
トリクス型液晶表示装置の製造方法において、前記基板
を電解液に浸漬し、電圧を印加して前記駆動回路の上方
領域の透明導電性薄膜を陰極還元することを特徴として
いる。
【0039】請求項7記載のアクティブマトリクス型液
晶表示装置の製造方法は、請求項5記載のアクティブマ
トリクス型液晶表示装置の製造方法において、水素プラ
ズマまたは水素イオンを照射して前記駆動回路の上方領
域の透明導電性薄膜を還元することを特徴としている。
【0040】本発明のアクティブマトリクス型液晶表示
装置によれば、画素用スイッチング素子と前記スイッチ
ング素子を駆動するための駆動回路とが同一基板上に形
成され、表示領域では画素電極以外の領域およびコンタ
クトホールが有色の絶縁膜で埋められるとともに、駆動
回路の上方領域に黒色化された透明導電性薄膜が形成さ
れていることにより、液晶分子の配向を乱すことなく良
好な表示特性を得ることができるとともに、駆動回路を
シールの下に配置することが可能となって表示に寄与し
ない領域を小さくすることができる。即ち、スイッチン
グ素子、ソース配線およびゲート配線上に遮光膜を形成
すると同時に、コンタクトホールによる窪みをなくして
液晶分子の配向を乱すような凹凸を生じさせないように
できる。さらに、駆動回路の上方領域に形成された黒色
化された透明導電性薄膜は表面が平坦であるため、この
部分に対向基板を貼り合わせるためのシールを配置して
も全く差し支えない。したがって駆動回路をシールの下
に配置することが可能となり、表示に寄与しない領域を
小さくすることができる。また、駆動回路の上方領域に
シールド電極を兼ねる遮光膜を容易に形成することがで
きる。
【0041】さらに、黒色化された透明導電性薄膜は、
駆動回路の上方領域を覆うとともに表示領域を囲むよう
に表示領域の外周に形成されていることにより、有色の
絶縁膜の膜剥がれを防止することができる。即ち、有色
の絶縁膜が、表示領域の外周に形成された黒色化された
透明導電性薄膜によって囲まれ、基板の端部には形成さ
れていないため、基板の端部での有色の絶縁膜の膜剥が
れを防止することができる。
【0042】さらに、黒色化された透明導電性薄膜上に
対向基板を貼り合わせるためのシールが形成されている
ことにより、対向基板を確実に貼り合わせることができ
る。即ち、対向基板を貼り合わせるためのシールとスイ
ッチング素子等が形成されたアクティブマトリクス基板
との密着性を向上させることができる。つまり、ポリイ
ミド樹脂またはアクリル樹脂等の有機絶縁膜上ではシー
ルの密着性が悪く剥がれを生じる場合があるが、無機絶
縁膜上では良好な密着性を有する。したがって、シール
を黒色化された透明導電性薄膜上に形成することによ
り、対向基板とアクティブマトリクス基板との良好な密
着性を確保することができる。
【0043】さらに、有色の絶縁膜が黒色化された透明
導電性薄膜の端部に接するように形成されていることに
より、表示領域および駆動回路領域のスイッチング素子
を確実に遮光することができる。即ち、表示領域と駆動
回路領域との境界にも有色の絶縁膜を形成しているの
で、表示領域と駆動回路領域との境界から光が入射して
直接または多重反射によってスイッチング素子に入射す
ることを防止することができる。
【0044】本発明のアクティブマトリクス型液晶表示
装置の製造方法によれば、画素用スイッチング素子と前
記スイッチング素子を駆動するための駆動回路とを同一
基板上に形成するアクティブマトリクス型液晶表示装置
の製造方法において、平坦化膜にコンタクトホールを形
成する工程と、平坦化膜上に透明導電性薄膜を形成する
工程と、表示領域に画素電極を形成するとともに、駆動
回路の上方領域を覆うように透明導電性薄膜をパターニ
ングする工程と、駆動回路の上方領域の透明導電性薄膜
を還元する工程と、表示領域における画素電極以外の領
域およびコンタクトホールを有色の絶縁膜で埋める工程
と、を有することにより、液晶分子の配向を乱すことな
く良好な表示特性を得ることができるとともに、駆動回
路をシールの下に配置することが可能となって表示に寄
与しない領域を小さくすることができる。即ち、スイッ
チング素子、ソース配線およびゲート配線上に遮光膜を
形成すると同時に、コンタクトホールによる窪みをなく
して液晶分子の配向を乱すような凹凸を生じさせないよ
うにできる。さらに、駆動回路の上方領域に形成される
還元された透明導電性薄膜は表面が平坦であるため、こ
の部分に対向基板を貼り合わせるためのシールを配置し
ても全く差し支えない。したがって駆動回路をシールの
下に配置することが可能となり、表示に寄与しない領域
を小さくすることができる。また、駆動回路の上方領域
にシールド電極を兼ねる遮光膜を容易に形成することが
できる。
【0045】また、基板を電解液に浸漬し、電圧を印加
して駆動回路の上方領域の透明導電性薄膜を陰極還元す
ることにより、駆動回路の上方領域にシールド電極を兼
ねる遮光膜を容易に形成することができる。
【0046】また、水素プラズマまたは水素イオンを照
射して駆動回路の上方領域の透明導電性薄膜を還元する
ことにより、駆動回路の上方領域にシールド電極を兼ね
る遮光膜を容易に形成することができる。
【0047】
【発明の実施の形態】図1乃至図14を用いて、本発明
の実施の形態について説明する。図1は本発明に係わる
アクティブマトリクス型液晶表示装置を構成するアクテ
ィブマトリクス基板を示す断面図、図2は本発明に係わ
るアクティブマトリクス型液晶表示装置の画素用TFT
を示す断面図である。
【0048】図1および図2に示すように、ガラス等の
基板1上にSiO2膜等からなるベースコート膜2を形
成し、ベースコート膜2上にシリコン薄膜からなるTF
Tの活性層3を所定の形状に形成する。活性層3上には
SiO2膜等の絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜4を形成
する。ゲート絶縁膜4上にはAl等の金属材料からなる
ゲート電極5を所定の形状に形成する。活性層3には不
純物イオンを注入したソース領域およびドレイン領域6
と、ゲート電極5の下方の領域に不純物イオンを注入し
ていないチャネル領域7とを形成する。
【0049】その後、全面に絶縁膜を形成して層間絶縁
膜8を形成する。ソース領域およびドレイン領域6の上
方の層間絶縁膜8およびゲート絶縁膜4にはコンタクト
ホール9を開口し、Al等の金属材料からなるソース電
極10およびドレイン電極11を形成して、ソース領域
およびドレイン領域6に接続する。
【0050】この後、全面にポリイミド樹脂またはアク
リル樹脂等を塗布して平坦化膜12を形成する。平坦化
膜12にコンタクトホール13を開口し、ドレイン電極
11に電気的に接続するようにITO等の透明導電性薄
膜を形成する。そして、ITO等の透明導電性薄膜上に
レジストによるマスクを形成し、ITO等の透明導電性
薄膜を所定の形状にパターニングして画素電極16を形
成する。続いて、この状態で平坦化膜12の画素電極1
6が形成されていない領域をエッチングにより掘り下
げ、凹部17を形成する。
【0051】次に、全面に黒色の樹脂を塗布し、コンタ
クトホール13および凹部17を黒色の樹脂で埋める。
そして、全面をエッチバックして画素電極16の表面を
露出させることで、TFT上に遮光膜19を形成する。
本発明のTFT上とは、少なくともチャネル領域7を含
む領域であり、ゲート電極5またはソース電極10を領
域の中に含んでも差し支えない。
【0052】駆動回路24を構成するTFT上には、透
過率の低いITO等の透明導電性薄膜からなるシールド
電極15を形成する。
【0053】図示していないが、この後全面に配向膜を
形成し、配向処理を施した後、カラーフィルターおよび
対向電極等を形成した対向基板を貼り合わせ、両基板間
に液晶を注入してアクティブマトリクス型液晶表示装置
を完成させる。
【0054】本発明によると、黒色の樹脂によってコン
タクトホール13に起因する凹状の窪み部分を埋めると
ともに、画素用TFT25上に遮光膜19を有し、駆動
回路24を構成するTFT上にはシールド電極15を有
する構成であるため、画素電極16の表面に液晶分子の
配向を乱すような凹凸を生じさせることがなく、対向基
板を貼り合わせるためのシールの密着性を良好に維持す
ることができる。また、シールド電極15は駆動回路2
4を外部電界から保護するシールドの役割と遮光膜とし
ての役割を果たす。
【0055】また、本発明はこのような構成のアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置を製造するに際し、従来の
アクティブマトリクス型液晶表示装置またはTFTを製
造するために用いられる成膜方法およびエッチング方法
を有効に組み合わせることによって簡便に製造すること
ができるものであり、従来のアクティブマトリクス型液
晶表示装置またはTFTの製造工程になかった特殊な方
法を用いる必要がなく、従来の製造装置をそのまま用い
て製造することができる利点を有している。
【0056】(実施の形態1)図3乃至図8を用いて、
本発明に係わるアクティブマトリクス型液晶表示装置の
製造方法の詳細を説明する。図3は実施の形態1に係わ
るアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造工程を示
す断面図、図4は図3の続きを示す断面図、図5は図4
の続きを示す断面図、図6は実施の形態1に係わるアク
ティブマトリクス型液晶表示装置を構成するアクティブ
マトリクス基板示す平面図、図7は還元前と還元後のI
TOの可視光領域の波長における光透過率を示す説明
図、図8は遮光膜の間隙からの光の入射を説明する断面
図である。尚、図3乃至図5は図6のA−A線における
断面図であり、図6ではTFT等の細部は省略してい
る。
【0057】図3(a)に示すように、ガラス基板等の
基板上にTFTを周知の方法によって作製する。作製方
法は概ね以下の通りである。
【0058】先ず、基板上にSiO2膜等からなるベー
スコート膜をスパッタリング法またはプラズマCVD法
によって形成する。次に、多結晶シリコン薄膜または非
晶質シリコン薄膜を例えば30〜50nm程度の膜厚に
形成し、非晶質シリコン薄膜の場合は上方からレーザー
光を照射することで多結晶化して、所定の形状にパター
ニングしてTFTの活性層とする。
【0059】次いで、活性層上にSiO2膜等の絶縁膜
を形成してゲート絶縁膜を形成し、活性層上にはゲート
絶縁膜を介してAl等の金属材料からなるゲート電極を
所定の形状に形成する。
【0060】次いで、活性層にゲート電極をマスクとし
て不純物イオンを注入し、その後注入した不純物イオン
を活性化するための加熱処理を施して、ソース領域およ
びドレイン領域を形成する。ゲート電極の下方の領域に
は、不純物イオンを注入していないチャネル領域を形成
する。
【0061】その後、全面にSiO2またはSiNX膜等
を形成して層間絶縁膜を形成する。そして、ソース領域
およびドレイン領域の上方の層間絶縁膜およびゲート絶
縁膜にコンタクトホールを開口し、Al等の金属材料か
らなるソース電極およびドレイン電極を形成してソース
領域およびドレイン領域に接続する。このようにして画
素用TFT25および駆動回路24を構成するTFTを
製造する。
【0062】本実施の形態では、コプラナ型TFTにつ
いて説明したが、逆スタガ型TFTであっても差し支え
ない。
【0063】この後、全面にポリイミド樹脂またはアク
リル樹脂等を塗布して平坦化膜を形成する。本実施の形
態では、平坦化膜としてオプトマーSS(日本合成ゴム
社製)を用いて、2〜4μm、例えば最大で2μmの厚
みになるように塗布形成する。尚、平坦化膜として用い
た材料は一例であり、同等の他の材料を用いても差し支
えない。
【0064】次に、ドレイン電極の上方の平坦化膜にコ
ンタクトホールを開口する。コンタクトホールの開口に
は、酸素ガスによるドライエッチングを用いることがで
きる。本実施の形態では、酸素ガス流量400scc
m、高周波電力600W、ガス圧力20mTorrの条
件でエッチングを行い、コンタクトホールを形成する。
【0065】続いて、ITO等の透明導電性薄膜を形成
してパターニングし、所定の形状の画素電極16および
シール電極15を形成する。そして、表示領域にフォト
レジスト14を形成する。
【0066】次に、図3(b)に示すように、シールド
電極15の表面または全体を還元させて黒色化する。シ
ールド電極15の黒色化は、例えばシールド電極15が
ITOの場合には、InとSnの酸化物が還元されるこ
とによって、InとSnの金属微粒子が析出して黒色化
される。
【0067】シールド電極15を還元するためには、N
2ガス雰囲気中で250〜300℃に加熱する方法があ
る。但し、この方法によると1時間程度の加熱を要する
ため、本実施の形態では、水素(H+)プラズマまたは
水素(H+)イオンを照射してシールド電極15を還元
させる。条件としては、水素プラズマを用いる場合は、
水素プラズマ濃度は107〜1012/cm3、照射時間は
10秒〜15分程度が好ましい。水素イオンを用いる場
合は、水素イオンのドーズ量が1012〜1018cm2
好ましい。本実施の形態では、基板温度200℃で水素
プラズマ照射を10分間行うことにより、シールド電極
15を還元させる。
【0068】図7に、還元前と還元後のITOの可視光
領域(390〜770nm)の波長における光透過率を
示す。このときのITOの膜厚は100nmである。
【0069】図7に示すように、還元後の光透過率は全
波長領域において概ね50%以下の値を示している。
尚、水素プラズマの場合は、濃度、照射時間または基板
温度を変えることにより、還元される部分の膜厚を制御
することが可能である。また、水素イオンの場合は、ド
ーズ量を変えることにより、同様に還元される部分の膜
厚を制御することが可能である。即ち、還元される部分
の膜厚を制御することにより、光透過率をさらに低くす
ることが容易にできる。
【0070】ここで、本実施の形態でいう黒色化とは、
必ずしも完全な黒色となることではない。通常、液晶表
示装置等に用いられる透明導電性薄膜の光透過率(可視
光領域で90〜80%)よりも低い光透過率を有する膜
であれば、一定の効果を奏することができる。したがっ
て、本明細書中では、低い光透過率の透明導電性薄膜も
含めて黒色化と呼ぶことにする。また、ITO等の透明
導電性薄膜は、あまり緻密ではなく柱状構造であるた
め、表面は平坦ではなく微細な凹凸が形成されてざらつ
いている。これにより、光が散乱する効果が得られる。
【0071】次に、図4(c)に示すように、コンタク
トホールを形成した方法と同様の方法により、画素電極
16およびシールド電極15が形成された以外の領域、
即ち平坦化膜12が露出している領域に凹部17を形成
する。本工程では、画素電極16およびシールド電極1
5はほとんどエッチングされることがないので、画素電
極16およびシールド電極15をマスクとして用いるこ
とができる。また、本工程では、凹部17は平坦化膜1
2の膜厚の1/2〜2/3程度になるように形成した
が、全部除去するようにしても差し支えない。尚、本工
程で平坦化膜12として用いた材料は一例であり、同等
の他の材料を用いても差し支えない。
【0072】次に、図4(d)に示すように、全面に黒
色の樹脂18を塗布する。黒色の樹脂18は、コンタク
トホール13と凹部17による段差を平坦にする程度の
膜厚でよい。本実施の形態では、黒色の樹脂18として
カラーモザイクCK(富士ハント社製)を用いて、1〜
2μm、例えば1μmの厚みになるように塗布形成す
る。この工程では、黒色の樹脂18を用いることが最も
好ましいが、黒色の樹脂18の代わりに黒色に近い有色
の樹脂を用いてもある程度の効果を得ることができる。
【0073】次に、図5(e)に示すように、黒色の樹
脂の全面をエッチングし、シールド電極15および画素
電極16の表面を露出させ、遮光膜19を形成する。こ
の工程では、フォトレジスト等のマスクを用いることな
く全面をエッチングする。これをエッチバック工程と称
している。エッチングには、前述の酸素ガスによるドラ
イエッチングを用いる。本工程により、コンタクトホー
ルに起因する凹部は遮光膜19によって埋められるとと
もに、画素用TFT25の上方領域に遮光膜19が形成
される。
【0074】本実施の形態では、平坦化膜を膜厚方向に
1/2〜2/3程度除去している。即ち、平坦化膜に1
〜1.4μm程度の深さの凹部を形成し、その凹部を黒
色の樹脂で埋めるため、黒色の樹脂が遮光膜19として
機能するための十分な膜厚を確保することができる。
【0075】このとき、図6に示すように、シールド電
極15は表示領域26を囲むように形成されている。
尚、図6において、24は駆動回路、25は画素用TF
Tを示している。
【0076】このように、表示領域26はシールド電極
15で囲まれているため、遮光膜は基板の端部に形成さ
れない。したがって、1枚の基板から複数のアクティブ
マトリクス基板に分断する際の基板の端部での膜剥がれ
防止できる。特に、有機絶縁膜を積層した場合は密着性
に難があるため、一層膜剥がれが懸念されるが、これを
防止することができる。
【0077】図示していないが、この後全面に配向膜を
形成し、配向処理を施した後、カラーフィルターおよび
対向電極等を形成した対向基板を貼り合わせ、両基板間
に液晶を注入してアクティブマトリクス型液晶表示装置
を完成する。
【0078】本実施の形態によると、コンタクトホール
に起因する段差が遮光膜によって埋められるとともに、
画素用TFTの上方領域に遮光膜がシールド電極の端部
に接するように形成される。また、駆動回路の上方領域
には黒色化されたシールド電極が形成されるため、駆動
回路を構成するTFTの特性が外部から入射する光によ
って劣化することを防止することができる。
【0079】遮光膜間に間隙が存在する場合、図8に示
すように、遮光膜19間から光が入射して、TFT27
の特性の劣化を招くことになる。本実施の形態では、遮
光膜間に間隙が存在しないため、遮光の効果を最大限に
することができる。
【0080】(実施の形態2)図9乃至図14を用い
て、本発明に係わる他のアクティブマトリクス型液晶表
示装置の製造方法の詳細を説明する。図9は実施の形態
2に係わるアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造
工程を示す断面図、図10は図9の続きを示す断面図、
図11は図10の続きを示す断面図、図12は陰極還元
の方法を説明する概念図、図13は実施の形態2に係わ
るアクティブマトリクス型液晶表示装置を構成するアク
ティブマトリクス基板を示す平面図、図14は実施の形
態2に係わるアクティブマトリクス型液晶表示装置を示
す断面図である。
【0081】図9(a)に示すように、ガラス基板等の
基板上にTFTを周知の方法によって作製する。TFT
の製造方法は、実施の形態1と同様であるため詳細な説
明は省略する。本実施の形態では、コプラナ型TFTに
ついて説明するが、逆スタガ型TFTであっても差し支
えない。
【0082】表示領域および駆動回路領域のTFTを形
成した後、全面にポリイミド樹脂またはアクリル樹脂等
を塗布して平坦化膜を形成する。本実施の形態では、平
坦化膜にオプトマーSS(日本合成ゴム社製)を用い
て、2〜4μm、例えば最大で2μmの厚みになるよう
に塗布形成する。
【0083】次に、ドレイン電極の上方の平坦化膜にコ
ンタクトホールを開口する。コンタクトホールの開口に
は、酸素ガスによるドライエッチングを用いることがで
きる。本実施の形態では、酸素ガス流量400scc
m、高周波電力600W、ガス圧力20mTorrの条
件でエッチングを行い、コンタクトホールを形成する。
【0084】続いて、ITO等の透明導電性薄膜を形成
し、フォトレジストによるマスクを用いてパターニング
して、駆動回路24を構成するTFT上には所定の形状
のシールド電極15を、表示領域の画素用TFT25上
には画素電極16を形成する。
【0085】次に、図9(b)に示すように、コンタク
トホールを形成した方法と同様の方法により、画素電極
16およびシールド電極15が形成されていない領域、
即ち平坦化膜12が露出している領域に凹部17を形成
する。本工程では、凹部17は平坦化膜12の膜厚の1
/2〜2/3程度になるように形成する。その結果、表
示領域では画素電極16間の平坦化膜12が膜厚方向に
所定の量だけ除去され、凹部17が形成される。駆動回
路領域では、画素電極16と同一材料によるシールド電
極15が形成されているため、平坦化膜12は除去され
ない。尚、本工程で平坦化膜12として用いた材料は一
例であり、同等の他の材料を用いても差し支えない。
【0086】次に、図10(c)に示すように、シール
ド電極15を水素イオンを含む電解液中で陰極還元さ
せ、黒色化させる。本工程では、図12に示すように、
容器に水素イオンを含む電解液20、例えば塩酸水溶液
(濃度4%)中に基板1を浸漬し、陽極にステンレス板
21を用い、25Vの電圧を5〜10秒間印加する。
尚、これは一例を示したもので、水溶液の種類または濃
度はこれに限定されるものではない。また、水溶液の種
類または濃度が変われば印加する電圧または電圧印加時
間も当然変化する。このようにしてシールド電極15を
黒色化させることにより、遮光性を有する膜を構成す
る。
【0087】次に、図10(d)に示すように、全面に
黒色の樹脂18を塗布する。黒色の樹脂18は、コンタ
クトホール13とTFTの上方領域に形成した凹部17
による段差を平坦にする程度の膜厚でよい。本実施の形
態では、黒色の樹脂18としてカラーモザイクCK(富
士ハント社製)を用いて、1〜2μm、例えば1μmの
厚みになるように塗布形成する。この工程では、黒色の
樹脂18を用いることが最も好ましいが、黒色の樹脂1
8の代わりに黒色に近い有色の樹脂を用いてもある程度
の効果を得ることが期待できる。
【0088】次に、図11(e)に示すように、黒色の
樹脂の全面をエッチングして画素電極16の表面を露出
させる。この工程では、フォトレジスト等のマスクを用
いることなく全面をエッチングする。これをエッチバッ
ク工程と称している。エッチングには、前述の酸素ガス
によるドライエッチングを用いる。本工程によってコン
タクトホール13に起因する段差が遮光膜19によって
埋められるとともに、TFTの上方領域に樹脂による遮
光膜19が形成される。
【0089】図示していないが、この後全面に配向膜を
形成し、配向処理を施した後、カラーフィルターおよび
対向電極等を形成した対向基板を貼り合わせ、両基板間
に液晶を注入してアクティブマトリクス型液晶表示装置
を完成する。
【0090】本実施の形態によれば、図13に示すよう
に、表示領域では画素電極16以外の部分に黒色の樹脂
による遮光膜19が形成され、駆動回路24が形成され
ている領域では、その全域に黒色化された透明導電性薄
膜からなるシールド電極15による遮光膜が形成されて
いる。尚、図13において、画素用TFT25、駆動回
路24を構成するTFTおよび配線はその細部を省略し
ている。
【0091】このように、コンタクトホールに起因する
段差が遮光膜によって埋められるとともに、画素用TF
Tの上方領域に樹脂による遮光膜が形成され、駆動回路
領域には黒色化されたシールド電極による遮光膜が形成
される。このため、駆動回路を構成するTFTの特性
が、外部から入射する光によって劣化することを防止す
ることができる。さらに、シールド電極を還元する際に
水素イオンを含む電解液中で陰極還元することにより、
シールド電極部分のみを選択的に黒色化することができ
るため、他の実施の形態に比べて製造工程を短縮するこ
とができる。
【0092】また、図14に示すように、駆動回路24
の上方領域には、黒色化されたシールド電極15が形成
され、シールド電極15の表面は平坦に形成されている
ため、対向基板22を貼り合わせるためのシール23を
シールド電極15の上に配置しても全く支障がない。さ
らに、シール23が直接有機樹脂膜からなる平坦化膜1
2に接することがないので、貼り合わせ不良等が発生す
ることがない。
【0093】このように、駆動回路24をシール23下
に配置することにより、表示に寄与しない領域をより小
さくすることが可能となり、アクティブマトリクス型液
晶表示装置の小型化を実現することができる。尚、図1
4において、画素用TFT25、駆動回路24および配
線はその細部を省略している。
【0094】
【発明の効果】以上の説明のように、本発明のアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置によれば、画素用スイッチ
ング素子と前記スイッチング素子を駆動するための駆動
回路とが同一基板上に形成され、表示領域では画素電極
以外の領域およびコンタクトホールが有色の絶縁膜で埋
められるとともに、駆動回路の上方領域に黒色化された
透明導電性薄膜が形成されていることにより、液晶分子
の配向を乱すことなく良好な表示特性を得ることができ
るとともに、駆動回路をシールの下に配置することで表
示に寄与しない領域を小さくすることができる。また、
駆動回路の上方領域にシールド電極を兼ねる遮光膜を容
易に形成することができる。
【0095】さらに、黒色化された透明導電性薄膜は、
駆動回路の上方領域を覆うとともに表示領域を囲むよう
に表示領域の外周に形成されていることにより、有色の
絶縁膜の膜剥がれを防止することができる。
【0096】さらに、黒色化された透明導電性薄膜上に
対向基板を貼り合わせるためのシールが形成されている
ことにより、対向基板を確実に貼り合わせることができ
る。
【0097】さらに、有色の絶縁膜が黒色化された透明
導電性薄膜の端部に接するように形成されていることに
より、表示領域および駆動回路領域のスイッチング素子
を確実に遮光することができる。
【0098】本発明のアクティブマトリクス型液晶表示
装置の製造方法によれば、画素用スイッチング素子と前
記スイッチング素子を駆動するための駆動回路とを同一
基板上に形成するアクティブマトリクス型液晶表示装置
の製造方法において、平坦化膜にコンタクトホールを形
成する工程と、平坦化膜上に透明導電性薄膜を形成する
工程と、表示領域に画素電極を形成するとともに、駆動
回路の上方領域を覆うように透明導電性薄膜をパターニ
ングする工程と、駆動回路の上方領域の透明導電性薄膜
を還元する工程と、表示領域における画素電極以外の領
域およびコンタクトホールを有色の絶縁膜で埋める工程
と、を有することにより、液晶分子の配向を乱すことな
く良好な表示特性を得ることができるとともに、駆動回
路をシールの下に配置することで表示に寄与しない領域
を小さくすることができる。また、駆動回路の上方領域
にシールド電極を兼ねる遮光膜を容易に形成することが
できる。
【0099】また、基板を電解液に浸漬し、電圧を印加
して駆動回路の上方領域の透明導電性薄膜を陰極還元す
ることにより、駆動回路の上方領域にシールド電極を兼
ねる遮光膜を容易に形成することができる。
【0100】また、水素プラズマまたは水素イオンを照
射して駆動回路の上方領域の透明導電性薄膜を還元する
ことにより、駆動回路の上方領域にシールド電極を兼ね
る遮光膜を容易に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係わるアクティブマトリクス型液晶表
示装置を構成するアクティブマトリクス基板を示す断面
図である。
【図2】本発明に係わるアクティブマトリクス型液晶表
示装置の画素用TFTを示す断面図である。
【図3】(a)および(b)は実施の形態1に係わるア
クティブマトリクス型液晶表示装置の製造工程を示す断
面図である。
【図4】(c)および(d)は図3の続きを示す断面図
である。
【図5】(e)は図4の続きを示す断面図である。
【図6】実施の形態1に係わるアクティブマトリクス型
液晶表示装置を構成するアクティブマトリクス基板示す
平面図である。
【図7】還元前と還元後のITOの可視光領域の波長に
おける光透過率を示す説明図である。
【図8】遮光膜の間隙からの光の入射を説明する断面図
である。
【図9】(a)および(b)は実施の形態2に係わるア
クティブマトリクス型液晶表示装置の製造工程を示す断
面図である。
【図10】(c)および(d)は図9の続きを示す断面
図である。
【図11】(e)は図10の続きを示す断面図である。
【図12】陰極還元の方法を説明する概念図である。
【図13】実施の形態2に係わるアクティブマトリクス
型液晶表示装置を構成するアクティブマトリクス基板を
示す平面図である。
【図14】実施の形態2に係わるアクティブマトリクス
型液晶表示装置を示す断面図である。
【図15】ピクセル・オン・パッシ構造を説明する断面
図である。
【図16】従来の画素電極の平坦化技術を説明する断面
図である。
【図17】従来のTFT上に形成したブラックマトリク
スを説明する断面図である。
【図18】従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置
を示す断面図である。
【符号の説明】
1 基板 2 ベースコート膜 3 活性層 4 ゲート絶縁膜 5 ゲート電極 6 ソース領域およびドレイン領域 7 チャネル領域 8 層間絶縁膜 9、13 コンタクトホール 10 ソース電極 11 ドレイン電極 12 平坦化膜 14 フォトレジスト 15 シールド電極 16 画素電極 17 凹部 18 黒色の樹脂 19 遮光膜 20 電解液 21 ステンレス板 22 対向基板 23 シール 24 駆動回路 25 画素用TFT 26 表示領域 27 TFT 51 TFT 52 基板 53 平坦化膜 54 コンタクトホール 55 ドレイン電極 56 画素電極 57 ソース電極 58 液晶層 59 導電体 60 ブラックマトリクス 61 駆動回路 62 画素用TFT 63 遮光膜 64 シールド電極 65 対向基板 66 シール

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 画素用スイッチング素子と前記スイッチ
    ング素子を駆動するための駆動回路とが同一基板上に形
    成され、前記スイッチング素子と前記駆動回路とを被覆
    して表面を平坦とする平坦化膜が形成され、前記平坦化
    膜に開口されたコンタクトホールを介して、前記スイッ
    チング素子と前記平坦化膜上に形成された画素電極とが
    電気的に接続されたアクティブマトリクス型液晶表示装
    置において、 表示領域では、前記画素電極以外の領域および前記コン
    タクトホールが有色の絶縁膜で埋められるとともに、前
    記駆動回路の上方領域に黒色化された透明導電性薄膜が
    形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス
    型液晶表示装置。
  2. 【請求項2】 前記黒色化された透明導電性薄膜は、前
    記駆動回路の上方領域を覆うとともに、前記表示領域を
    囲むように前記表示領域の外周に形成されていることを
    特徴とする請求項1記載のアクティブマトリクス型液晶
    表示装置。
  3. 【請求項3】 前記黒色化された透明導電性薄膜上に、
    対向基板を貼り合わせるためのシールが形成されている
    ことを特徴とする請求項1または請求項2記載のアクテ
    ィブマトリクス型液晶表示装置。
  4. 【請求項4】 前記有色の絶縁膜は、前記黒色化された
    透明導電性薄膜の端部に接するように形成されているこ
    とを特徴とする請求項1乃至請求項3記載のアクティブ
    マトリクス型液晶表示装置。
  5. 【請求項5】 画素用スイッチング素子と前記スイッチ
    ング素子を駆動するための駆動回路とを同一基板上に形
    成し、前記スイッチング素子と前記駆動回路とを被覆し
    て表面を平坦とする平坦化膜を形成し、前記平坦化膜に
    開口したコンタクトホールを介して、前記スイッチング
    素子と前記平坦化膜上に形成した画素電極とを電気的に
    接続するアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方
    法において、 前記平坦化膜に前記コンタクトホールを形成する工程
    と、 前記平坦化膜上に透明導電性薄膜を形成する工程と、 表示領域に前記画素電極を形成するとともに、前記駆動
    回路の上方領域を覆うように、前記透明導電性薄膜をパ
    ターニングする工程と、 前記駆動回路の上方領域の透明導電性薄膜を還元する工
    程と、 前記表示領域における前記画素電極以外の領域および前
    記コンタクトホールを有色の絶縁膜で埋める工程と、を
    有することを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表
    示装置の製造方法。
  6. 【請求項6】 前記基板を電解液に浸漬し、電圧を印加
    して前記駆動回路の上方領域の透明導電性薄膜を陰極還
    元することを特徴とする請求項5記載のアクティブマト
    リクス型液晶表示装置の製造方法。
  7. 【請求項7】 水素プラズマまたは水素イオンを照射し
    て前記駆動回路の上方領域の透明導電性薄膜を還元する
    ことを特徴とする請求項5記載のアクティブマトリクス
    型液晶表示装置の製造方法。
JP1223198A 1998-01-26 1998-01-26 アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方法 Pending JPH11212115A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1223198A JPH11212115A (ja) 1998-01-26 1998-01-26 アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1223198A JPH11212115A (ja) 1998-01-26 1998-01-26 アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11212115A true JPH11212115A (ja) 1999-08-06

Family

ID=11799609

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1223198A Pending JPH11212115A (ja) 1998-01-26 1998-01-26 アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH11212115A (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100434891B1 (ko) * 2000-09-29 2004-06-07 샤프 가부시키가이샤 액티브 매트릭스 구동형 발광표시장치 및 그 제조방법
JP2004170915A (ja) * 2002-10-31 2004-06-17 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
US6897919B2 (en) 2001-01-31 2005-05-24 Fujitsu Display Technologies Corporation Liquid-crystal display device having a shield shielding an electromagnetic wave radiated from one of a driver and an electrode lead-out line
JP2008181099A (ja) * 2006-12-26 2008-08-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
JP2009258403A (ja) * 2008-04-17 2009-11-05 Epson Imaging Devices Corp 表示装置およびその製造方法
US8004636B2 (en) 2007-10-04 2011-08-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Manufacturing thin film transistor array panels for flat panel displays
JP2012209275A (ja) * 2000-02-22 2012-10-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd El表示装置
US8455870B2 (en) 2009-08-26 2013-06-04 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor array panel and method of manufacturing the same
CN107505786A (zh) * 2017-07-24 2017-12-22 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及其制造方法、液晶显示装置

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014103117A (ja) * 2000-02-22 2014-06-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd El表示装置及び電気器具
JP2014075361A (ja) * 2000-02-22 2014-04-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd El表示装置及び電気器具
JP2012209275A (ja) * 2000-02-22 2012-10-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd El表示装置
US9793328B2 (en) 2000-02-22 2017-10-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Self-light-emitting device
US9293513B2 (en) 2000-02-22 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Self-light-emitting device comprising protective portions on a pixel electrode
JP2016021413A (ja) * 2000-02-22 2016-02-04 株式会社半導体エネルギー研究所 自発光装置
KR100434891B1 (ko) * 2000-09-29 2004-06-07 샤프 가부시키가이샤 액티브 매트릭스 구동형 발광표시장치 및 그 제조방법
US6897919B2 (en) 2001-01-31 2005-05-24 Fujitsu Display Technologies Corporation Liquid-crystal display device having a shield shielding an electromagnetic wave radiated from one of a driver and an electrode lead-out line
US7242440B2 (en) 2002-10-31 2007-07-10 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and electronic apparatus having coating member coating an inner side wall of a contact hole
JP2004170915A (ja) * 2002-10-31 2004-06-17 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
JP2008181099A (ja) * 2006-12-26 2008-08-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
US8400590B2 (en) 2006-12-26 2013-03-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US8203674B2 (en) 2007-10-04 2012-06-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Manufacturing thin film transistor array panels for flat panel displays
US8004636B2 (en) 2007-10-04 2011-08-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Manufacturing thin film transistor array panels for flat panel displays
JP2009258403A (ja) * 2008-04-17 2009-11-05 Epson Imaging Devices Corp 表示装置およびその製造方法
US8455870B2 (en) 2009-08-26 2013-06-04 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor array panel and method of manufacturing the same
CN107505786A (zh) * 2017-07-24 2017-12-22 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及其制造方法、液晶显示装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3895952B2 (ja) 半透過型液晶表示装置及びその製造方法
KR100262907B1 (ko) 공간 광 변조기 어레이 및 공간 광 변조기 어레이형성방법
KR100986601B1 (ko) 액정 표시 장치를 제조하기 위한 방법
CN100426088C (zh) 半透射型液晶显示装置
US6232142B1 (en) Semiconductor device and method for making the same, electro-optical device using the same and method for making the electro-optical device, and electronic apparatus using the electro-optical device
US7138220B2 (en) Method for producing liquid crystal display apparatus
US7115913B2 (en) Array substrate used for a display device and a method of making the same
JPH08101383A (ja) 反射型液晶表示装置およびその製造方法
US6096572A (en) Manufacturing method and semiconductor device with low contact resistance between transparent electrode and pad electrode
JPH11337976A (ja) 表示装置用アレイ基板及びこのアレイ基板を備えた平面表示装置
JP2001318626A (ja) 半導体装置およびその作製方法
US20070085939A1 (en) Thin film transistor substrate with improved inter-layer adhesion
JP2003107529A (ja) 液晶表示装置用アレー基板及びその製造方法
JP3429440B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2001311963A (ja) 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法
JP5727118B2 (ja) 薄膜トランジスタ基板、その製造方法、及びこれを有する表示パネル
US20020158994A1 (en) Manufacturing method of liquid crystal display device
JPH1152419A (ja) アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方法
JP2005514653A (ja) 反射型液晶表示装置及びその製造方法
US5953085A (en) Liquid crystal display device having a storage capacitor
JPH11212115A (ja) アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方法
JP4115761B2 (ja) アクティブマトリクス基板及びその製造方法並びにそれを用いた表示装置
US7119863B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
JPH10206889A (ja) アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法
JPH1138440A (ja) アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方法