JPH07198614A

JPH07198614A - 液晶表示装置及びその欠陥有無検査法

Info

Publication number: JPH07198614A
Application number: JP33712693A
Authority: JP
Inventors: Fumihiro Mochizuki; 文裕望月
Original assignee: Nippon Petrochemicals Co Ltd
Current assignee: Eneos Corp
Priority date: 1993-12-28
Filing date: 1993-12-28
Publication date: 1995-08-01

Abstract

(57)【要約】【構成】着色層を有する画素電極、画素電極に接続され
たトランジスタ及び着色層となる領域のみに開口部を有
する遮光層を備えた透明性絶縁基板と、透明性絶縁基板
に相対向して設けた対向基板と、透明性絶縁基板及び対
向基板の間に挟持される液晶層と、透明性絶縁基板を介
して前記液晶層に光を照射する光源とを具備した透過型
液晶表示装置、並びに前記光源を必須とせず、反射部材
を更に具備した反射型液晶表示装置、並びにトランジス
タ、画素電極及び着色層の欠陥を、同時に肉眼により検
査する液晶表示装置の欠陥有無検査法。【効果】前記液晶表示装置は、液晶セル組み立てに伴う
位置合わせ、カラーフィルター作成に伴うフォトリソグ
ラフィ工程のフォトマスク間及びＴＦＴ作製用フォトマ
スクの位置合わせ等の問題がない。また欠陥有無検査法
では、トランジスタ、画素電極、着色層の３つの欠陥有
無を同時に肉眼で検査できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はアクティブマトリックス
型の透過型又は反射型液晶表示装置及びその欠陥有無検
査法に関する。

【０００２】

【従来の技術】アクティブマトリックス型の液晶表示装
置は、薄型・軽量であるのはもちろんのこと、多画素に
してもコントラスト、レスポンスの劣化がなく、しかも
中間階調表示も可能である等の特徴を有しているため、
パーソナルコンピューターや大画面カラーテレビ等の表
示装置として期待されている。

【０００３】図１はスイッチング素子として薄膜トラン
ジスタ（ＴＦＴ）を用いた従来のアクティブマトリック
ス型液晶表示装置の構造を示した概略図である。この液
晶表示装置１０は、データ線１、走査線２、およびこれ
らの交点に配置されたＴＦＴ３、透明な画素電極４等が
配置されたＴＦＴ側透明基板８と、Ｒ（赤）Ｇ（緑）Ｂ
（青）および遮光層（ブラックマトリックス）等より構
成されるカラーフィルター５、共通電極６等を有するカ
ラーフィルター側基板９と、これらＴＦＴ側透明基板
８、カラーフィルター側基板９に挟持された液晶層７と
から基本的に構成されている。

【０００４】しかしながら、このように構成された液晶
表示装置１０は、ＴＦＴ３、画素電極４、およびカラー
フィルター５の作製にあたって、通常フォトリソグラフ
ィ技術が使用される。このため、装置の性能や信頼の低
下を防止するには、フォトマスク間の位置合わせを所定
の精度内で行う必要があるが、各フォトマスク間のずれ
を全て所定の精度内に収めるのは困難であり、ＴＦＴ特
性や表示特性の低下が起こったり、製造歩留まりが悪く
なるという問題がある。また、フォトリソグラフィ工程
はＴＦＴ３や画素電極４を有するＴＦＴ側透明基板８を
作製する場合以外に、カラーフィルター側基板９を作製
する場合にも必要で、このようなフォトリソグラフィ工
程を両基板で行わなければならないという問題がある。
更に液晶セルを組み立てる際には、ＴＦＴ３および画素
電極４とカラーフィルター５とのパターンの位置合わせ
を所定の精度内で行う必要があるが、全て所定の精度内
に収めるのが困難であるので、製造の歩留まりが悪くな
るという問題がある。

【０００５】そこで特開平５−１３４２７１号公報にお
いて、ブラックマトリックスをカラーフィルター基板側
からＴＦＴ側透明基板に移動させ、フォトリソグラフィ
工程での各フォトマスク間のずれに起因するＴＦＴ特性
および表示特性の低下や製造歩留まりの低下を防止し得
る液晶表示装置が提案されている。

【０００６】しかしながら、この液晶表示装置において
もパターン化されたカラーフィルターは、ＴＦＴ側透明
基板ではなくその対向基板に作製されているので、対向
基板を製造する際にもフォトリソグラフィ工程が必要で
ある。更に液晶セルを組み立てる際には、前記従来の液
晶セル組立て工程と同様にＴＦＴおよび画素電極とカラ
ーフィルターのパターンの位置合わせを所定の精度内で
行う必要があるという欠点が生じる。

【０００７】またブラックマトリックスがＴＦＴ基板の
対向基板側にあるなしにかかわらず、カラーフィルター
がＴＦＴ側透明基板の対向基板にある場合は、ＴＦＴ側
透明基板の画素電極を通過した光が対応するカラーフィ
ルターのサブピクセルを通過する以外にも隣のサブピク
セルに光漏れする可能性があるため、ブラックマトリッ
クスのマージンを大きめに作製しなければならず、従っ
てブラックマトリックスの開口率の向上には制限が生じ
るという問題もある。

【０００８】また従来このような液晶表示装置における
ＴＦＴ、画素電極、カラーフィルターの欠陥検査は、拡
大鏡を使用して個々別々に行なわれているのが現状であ
って、非常に能率が低いという問題がある。

【０００９】

【発明が解決しようといる課題】したがって本発明の目
的は上記のような問題点、すなわち、フォトリソグラフ
ィ工程のマスク間の位置合わせ精度の問題、および液晶
セルを組み立てる際のＴＦＴおよび画素電極とカラーフ
ィルターとのパターンの位置合わせの問題を解決し、高
い製造歩留まりを可能とする液晶表示装置を提供するこ
とにある。

【００１０】本発明の別の目的は、ブラックマトリック
スのマージンを最小限に抑え、ブラックマトリックスの
開口率を高くし、低開口率による画面の暗さの問題、低
開口率のため使用せざるをえない高輝度のバックライト
の消費電力の問題を解決する液晶表示装置を提供するこ
とにある。

【００１１】本発明の他の目的は、ブラックマトリック
スの開口率を向上させることができ、画面全体を明る
く、且つコントラストを向上させることができる反射型
液晶表示装置を提供することにある。

【００１２】本発明の更に他の目的は、ＴＦＴ、画素電
極、カラーフィルターの欠陥検査を同時に、且つ拡大鏡
を使用せずに行なうことができる液晶表示装置の欠陥有
無検査法を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明の骨子はスイッチ
ング素子としてのトランジスタを設けた透明性絶縁基板
側に、遮光層及び着色層を有するカラーフィルターを設
けたことにある。

【００１４】すなわち本発明によれば、着色層を有する
画素電極、この画素電極に接続されたスイッチング素子
としてのトランジスタ及び前記着色層となる領域のみに
開口部を有する遮光層を備えた透明性絶縁基板と、前記
透明性絶縁基板に相対向して設けた対向基板と、前記透
明性絶縁基板及び前記対向基板の間に挟持される液晶層
と、前記透明性絶縁基板を介して前記液晶層に光を照射
する光源とを具備したことを特徴とする透過型液晶表示
装置が提供される。

【００１５】また本発明によれば、着色層を有する画素
電極、この画素電極に接続されたスイッチング素子とし
てのトランジスタ及び前記着色層となる領域のみに開口
部を有する遮光層を備えた透明性絶縁基板と、前記透明
性絶縁基板に相対向して設けた対向基板と、前記透明性
絶縁基板及び前記対向基板の間に挟持される液晶層と、
反射部材とを具備したことを特徴とする反射型液晶表示
装置が提供される。

【００１６】前記透過型及び反射型液晶表示装置におい
て、前記着色層を導電性及び／又は高誘電率とすること
もできる。この際高誘電率とは、誘電率が少なくとも５
以上を示す材料、好ましくは超微粒子材料を含む場合を
いう。前記着色層を導電性及び／又は高誘電率とした場
合には、トランジスタの上画素電極を省略することがで
きる。またトランジスタの上画素電極を省略し、且つ着
色層が絶縁性あるいは低誘電率の場合に比べ、液晶表示
装置の駆動電圧を低くすることができる。前記導電性の
着色層としては、公知の導電性物質、具体的には例えば
酸化スズ、酸化インジウム、酸化チタン、酸化アンチモ
ン、酸化亜鉛、酸化カドミウム、チタン酸バリウム、酸
化鉄、金、銀、銅、コバルト、タングステン、チタン、
クロム、アルミニウム、プラチナ、スズ、ニッケル、カ
ーボン等の超微粒子を含む着色塗料等で形成することが
できる。また前記導電性着色層は、ポリピロール、ポリ
チオフェン、ポリアニリン等の導電性高分子を主成分と
して形成することも可能である。また前記高誘電率の着
色層としては、公知の高誘電率な物質、具体的には例え
ば、酸化チタン、チタン酸マグネシウム、チタノシリケ
ートカルシウム、チタン酸バリウム、チタン酸バリウム
アンチモン、チタン酸ストロンチウム、ジルコン酸バリ
ウム、スズ酸バリウム、ジルコン酸鉛、スズ酸ビスマ
ス、スズ酸ニッケル、アンチモン酸バリウム、アンチモ
ン酸ストロンチウム、アンチモン酸鉛等の超微粒子を含
む着色塗料等で形成することができる。

【００１７】また前記着色層を電気化学的に形成するこ
とができ、例えば前記スイッチング素子としてのトラン
ジスタに接続されるデータ線駆動回路（ソースドライ
バ）及び走査線駆動回路（ゲートドライバ）を用いて行
なう方法等を好ましく挙げることができる。

【００１８】更に本発明によれば、前記透過型液晶表示
装置又は前記反射型液晶表示装置の欠陥の有無を検査す
る方法であって、データ線駆動回路（ソースドライバ）
及び走査線駆動回路（ゲートドライバ）を作動させて、
トランジスタ、画素電極及び着色層の欠陥を、同時に肉
眼により検査することを特徴とする液晶表示装置の欠陥
有無検査法が提供される。前記データ線駆動回路（ソー
スドライバ）及び走査線駆動回路（ゲートドライバ）
は、通常スイッチング素子としてのトランジスタに接続
されるものをそのまま利用することができる。

【００１９】

【作用】本発明の液晶表示装置では、スイッチング素子
としてのトランジスタを有する透明性絶縁基板側に、遮
光層及び着色層を設けているので、液晶セルを組みあげ
る際、従来のトランジスタ、画素電極及びカラーフィル
ターに伴う位置合わせをする必要がなく、また画素電極
間の光漏れを考慮する必要がなく、遮光層（ブラックマ
トリックス）のマージンを小さくでき、着色層となる領
域、即ち遮光層の開口率が高められる。

【００２０】また本発明の液晶表示装置の欠陥有無検査
法では、前記遮光層及び着色層が、スイッチング素子と
してのトランジスタを有する透明性絶縁基板側に設けら
れているので、通常スイッチング素子としてのトランジ
スタに接続されるデータ線駆動回路（ソースドライバ）
及び走査線駆動回路（ゲートドライバ）等を作動させる
ことにより、トランジスタ、画素電極及び着色層の欠陥
を、同時に肉眼により、より短時間で検査しうるよう作
用する。

【００２１】

【実施例】以下図面を参照しながら、本発明の好ましい
実施例を具体的に説明するが、本発明はこれに限定され
るものではない。

【００２２】図２において２０は、ＴＮ型ＴＦＴ液晶表
示装置であって、この液晶表示装置２０は、アレー基板
２０ａ、このアレー基板２０ａに対向して設けられた対
向基板２０ｂ、アレー基板２０ａと対向基板２０ｂとで
挟持されたＴＮ（Twisted Nematic)型液晶層２０ｃ及び
この液晶層２０ｃに光を照射する光源２０ｄとから基本
的に構成されており、本実施例においては、アレー基板
２０ａ側に遮光層（ブラックマトリックス）２２と、カ
ラーフィルターの機能を示す着色層３６とを形成してい
る。

【００２３】前記アレー基板２０ａは、透明性絶縁基板
２１と、この基板２１上に形成された遮光層２２と、基
板２１上に配列された着色層３６を備えた画素電極（２
７ａ，２７ｂ）と、この画素電極（２７ａ，２７ｂ）に
接続されたＴＦＴ２０ｅ等と、後に張り合わせる偏光フ
ィルム４０とにより主に形成されている。

【００２４】次に図２〜図５によりアレー基板２０ａの
構造を説明する。尚、図２〜図５における同一部材は同
一の番号で表わし、説明が重複する部分はその説明を省
略する。

【００２５】図３は、アレー基板２０ａの平面図であっ
て、図３におけるＡ−Ａ’断面図が図２のアレー基板２
０ａである。また図４は、図２に示すアレー基板にデー
タ線駆動回路（ソースドライバ）及び走査線駆動回路
（ゲートドライバ）を接続した状態を示す概略図であっ
て、これら図２〜図４を参照しながら図５に示すアレー
基板の形成工程に基づいて、アレー基板の構造、更には
ＴＮ型ＴＦＴ液晶表示装置の構造を説明する。

【００２６】図５（ａ）に示すとおり、まず透明絶縁性
基板２１上全面に、Cr、Cr/Cr₂O₃、Mo、Ta等の金属薄膜
をスパッタ等により成膜する。次いでこの金属膜上にフ
ォトレジストを塗布した後、所望のフォトマスクを介し
ての露光工程、現像工程を行い、不要なフォトレジス
ト、つまり画素電極（２７ａ，２７ｂ）となる領域のフ
ォトレジストを除去し、残ったレジストをマスクとし
て、前記金属薄膜をエッチングし、遮光層（ブラックマ
トリックス）２２を形成する。その後遮光膜２２が形成
された基板２１上に、酸化シリコン、窒化シリコン等の
絶縁膜２３を堆積する。

【００２７】次に図３、図４及び図５（ａ）に示すとお
り、絶縁膜２３上全面に、ゲート電極２４及び走査線
（ゲート線）２５とするためのCr、Mo、Ta、Al、Ta/Ta₂
O₅等の金属薄膜をスパッタ等により成膜する。更にこの
金属膜上にフォトレジストを塗布して、所望のフォトマ
スクを介しての露光工程及び現像工程を行なった後、金
属膜をエッチングし、ゲート電極２４および走査線（ゲ
ート線）２５を形成する。次いでゲート電極２４および
走査線２５上に、酸化シリコン、窒化シリコン等のゲー
ト絶縁膜２６を堆積する。

【００２８】次に図５（ｂ）に示されるとおり、前記絶
縁膜２６上に下画素電極２７ａとするための透明電極
膜、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜等を成膜した
後、ネガ型フォトレジストを塗布して裏面露光を行い、
遮光層２２と自己整合的なフォトレジストパターンを形
成する。このフォトレジストパターンをマスクにして、
透明電極膜をエッチングし、下画素電極２７ａを形成す
る。この際裏面露光を用いたことにより、下画素電極２
７ａは遮光膜２２と自己整合的に形成され、画素となる
領域が、遮光層２２の開口部と同一であるように設けら
れる。

【００２９】次に図５（ｂ）に示すように、活性層２８
とするためのａ−Ｓｉ膜（アモルファスシリコン膜）
と、オーミックコンタクト層２９とするためのｎ+型ａ
−Ｓｉ膜（ｎ+型アモルファスシリコン膜）を順次堆積
した後、表面から露光するリソグラフィ工程により、こ
れらの半導体膜をパターニング・エッチングし、活性層
２８及びオーミックコンタクト層２９を形成する。この
際、エッチング方法として、ＣＦ₄ガスとＯ₂ガスとの混
合ガスを使用するドライエッチングを用いると、ａ−Ｓ
ｉ膜（活性層２８）とｎ+ａ−Ｓｉ膜（オーミックコン
タクト層２９）とのエッチング選択比が小さくなり、同
時にパターニングが可能になる。

【００３０】更に図５（ｃ）に示すように、表面から所
望のマスクを介して露光するリソグラフィ工程により、
チャネル上に位置するオーミックコンタクト層２９を除
去し、この部分にチャネル保護膜３０を、例えばＣＶＤ
等による成膜を行なった後、続いて、マスクを介したリ
ソグラフィ工程およびそれに続くエッチング工程を行な
って形成する。

【００３１】次に、図３、図４、図５（ｄ）に示すよう
にCr、Mo、Ta、Al、Ta/Ta₂O₅等の電極材料をスパッタ等
により成膜した後、リソグラフィ工程によりパターニン
グし、ソース電極３１、ドレイン電極３２及び図３及び
図４に示されるデータ線（ソース線）３３を作成する。
またこれらの上に、酸化シリコン、窒化シリコン等の絶
縁膜を成膜した後、リソグラフィ工程およびエッチング
工程により、チャネル保護膜３０及び図３及び図４に示
されるデータ線３３（ソース線）をカバーするように絶
縁膜３４を形成する。

【００３２】次に赤色アニオン性電着塗料の電着槽へ、
前記図５（ｄ）に示すアレー基板２０ａを浸漬し、画素
電極（２７ａ，２７ｂ）の赤色のサブピクセルとなる部
分にプラス電圧を印加し、画素となる領域に赤色電着塗
料を電析させて着色層３６を形成する。同様にして青、
緑の電着塗料をそれぞれのサブピクセルに相当する領域
に電析させて、対応する着色層３６を形成する。この際
各々の画素電極（２７ａ）への電圧の印加は、特に限定
されるものではないが、図４に示されるように前記デー
タ線（ソース線）３３及び走査線（ゲート線）２５に接
続されるデータ線駆動回路（ソースドライバ）４１およ
び走査線駆動回路（ゲートドライバ）４２を作動させて
行なうことにより、特別な電圧印加装置を必要とせずに
形成することができる。また下画素電極２７ａ上の画素
領域への着色層３６の形成は、ネガ型のカラーレジスト
を用いて、フォトマスクを使用したリソグラフィ工程に
よって行なうことも可能であるが、この場合には通常の
位置合わせが必要である。

【００３３】次に図５（ｅ）に示すように、前記着色層
３６上に透明電極膜を成膜し、リソグラフィ工程により
パターニングを行ない、上画素電極２７ｂを形成する。
この上画素電極２７ｂ上にレジストが残った状態で、C
r、Cr/Cr₂O₃、Mo、Ta等の金属遮光層をスパッタ等によ
り成膜後、上画素電極２７ａ上のレジストをリフトオフ
により取り除き、リソグラフィ工程によりパターニング
し、チャネル遮光層３５を形成する。

【００３４】以上の図５（ａ）〜（ｅ）に示される形成
工程により、図２〜図４に示されるアレー基板２０ａを
作製することができる。

【００３５】前記形成されたアレー基板２０ａは、図２
に示されるように、透明絶縁性基板３７上に設けられた
例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜等で成膜された透
明導電性膜３８からなる対向基板２０ｂと相対向させて
セルを組み立て、ＴＮ（Twisted Nematic）液晶を注入
し、液晶層２０ｃを形成し、更に偏光フィルム（３９，
４０）をセルに張り合わせ、光源（バックライト）２０
ｄを装着することにより、ＴＮ型ＴＦＴ液晶表示装置２
０を作製することができる。

【００３６】更に前記液晶層２０ｃとして、前記ＴＮ型
の他に、高分子分散型液晶を使用し、更に変更フィルム
を張り合わせる工程を除くことにより高分子分散型液晶
表示装置を作製することもできる。

【００３７】前記ＴＮ型ＴＦＴ液晶表示装置２０は、ア
レー基板２０ａ側に、遮光層２２及びカラーフィルター
として作用する着色層３６が形成されているので、前記
セル組立てに当たって、通常アレー基板側の画素電極
と、対向電極側に設けられるカラーフィルターとの精密
な位置合わせを行なう必要がない。

【００３８】しかも画素電極（２７ａ，２７ｂ）と遮光
層２２とは自己整合的に形成させ、このような画素電極
（２７ａ）上に着色層３６が形成されているので、対向
基板２０ｂにカラーフィルターの着色層がある場合に比
して遮光層２２の開口率を高くすることができる。

【００３９】また対向基板側にカラーフィルターがある
場合、通常カラーフィルターのサブピクセルのサイズ
は、隣のＴＦＴ画素電極よりの光漏れの防止のため及び
カラーフィルター側よりのＴＦＴ上への光の照射を防ぐ
ため、ＴＦＴ画素電極のサイズより小さくなっている。
しかしながら本発明においては、カラーフィルターのサ
ブピクセルのサイズはＴＦＴ画素電極のサイズと同じで
あるため、ＴＦＴの開口率を最大限に生かすことが可能
となっている。

【００４０】また本実施例において、液晶層２０ｃを前
記ＴＮ型の代わりに、高分子分散型液晶を使用し、更に
偏光フィルムを張り合わせる工程を除くことにより、高
分子分散型液晶表示装置を作製することもできる。

【００４１】図６は、本発明の他の一実施態様を示す反
射型液晶表示装置６０の断面図であって、該反射型液晶
表示装置６０は、図２におけるバックライト２０ｄの代
わりに、アルミ板等の反射板６１を装着した以外は、図
２に示すＴＮ型ＴＦＴ液晶表示装置と同様であるので、
他の部材については同一番号を付し説明を省略する。

【００４２】また本実施例では、着色層３６の上に上画
素電極２７ｂを形成したが、着色層３６を導電性着色層
を形成する電着塗料を用いて導電性にすることによっ
て、または高誘電率な着色層を形成する電着塗料を用い
て高誘電率化することによって、上画素電極２７ｂを省
略することができる。

【００４３】本発明の欠陥有無検査法では、前述の作製
されたアレー基板２０ａに、図４に示されるようなデー
タ線駆動回路（ソースドライバ）４１及び走査線駆動回
路（ゲートドライバ）４２を接続し、パターンを変えな
がら作動させることによって、トランジスタ、画素電極
及び着色層の全てが正常に作動しているかが、着色層の
着色の状態等に表われる。従ってトランジスタ、画素電
極及び着色層の欠陥有無が、データ線駆動回路４１及び
走査線駆動回路４２の作動によって、同時に肉眼で確認
することができた。このような検査は、ＴＦＴ側透明基
板に対向する対向基板側にカラーフィルターを設けた従
来の液晶表示装置においては、トランジスタ及び画素電
極と、着色層とが同一基板上に存在しないので、欠陥検
査を個々別々に、しかも顕微鏡等の拡大鏡を用いて行な
う必要があった。

【００４４】

【発明の効果】本発明の透過型液晶表示装置は、従来の
ように対向基板側にカラーフィルターがなく、スイッチ
ング素子及び画素電極を備えた透明性絶縁基板がカラー
フィルターの着色層と遮光層（ブラックマトリックス）
とを有するので、液晶セル組み立てに伴う位置合わせ、
カラーフィルター作成に伴うフォトリソグラフィ工程に
おけるフォトマスク間及びＴＦＴ作製用フォトマスクの
位置合わせ等の問題が生じることがない。従って製造の
歩留まりの向上が望め、更には従来の対向基板側にカラ
ーフィルターを有する装置に比べ、遮光層の幅を小さく
することができ、遮光層の開口率を高くすることが可能
であり、必ずしも高輝度のバックライトを必要としない
小電力の透過型液晶表示装置を提供することができる。
また反射型液晶表示装置においては、ブラックマトリッ
クスの開口率の向上のために画面全体が明るくなり、コ
ントラストを向上させることができる。更にこのような
透過型液晶表示装置又は反射型液晶表示装置におけるト
ランジスタ、画素電極、着色層の欠陥有無検査法では、
スイッチング素子及び画素電極を備えた透明性絶縁基板
がカラーフィルターの着色層と遮光層（ブラックマトリ
ックス）とを有するので、データ線駆動回路（ソースド
ライバ）及び走査線駆動回路（ゲートドライバ）を作動
させることにより、トランジスタ、画素電極、着色層の
３つの欠陥有無を同時に肉眼で検査することができる。
従ってこのような欠陥検査を効率的に短時間で行なうこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、従来のアクティブマトリックス型液晶
表示装置の構造を示す該略図である。

【図２】図２は、本発明の一実施態様を示すＴＮ型ＴＦ
Ｔ液晶表示装置を示す断面図である。

【図３】図３は、図２に示されるアレー基板を示す平面
図である。

【図４】図４は、図２に示すアレー基板にデータ線駆動
回路及び走査線駆動回路を接続した状態を示す概略図で
ある。

【図５】図５（ａ）〜（ｅ）は、図２に示す液晶表示装
置のアレー基板の形成法を示す形成工程断面図である。

【図６】図６は、本発明の他の実施態様を示す反射型液
晶表示装置を示す断面図である。

【符号の説明】

２０：ＴＮ型ＴＦＴ液晶表示装置２０ｂ：対向基板２０ｃ：液晶層２０ｅ：ＴＦＴ２０ｄ：光源２１：透明性絶縁基板２２：遮光層（ブラックマトリックス）３６：着色層４１：データ線駆動回路（ソースドライバ）４２：走査線駆動回路（ゲートドライバ）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｇ０２Ｆ 1/133 ５５０ 1/1335 ５０５ 1/136 ５００Ｈ０１Ｌ 29/786

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】着色層を有する画素電極、この画素電極
に接続されたスイッチング素子としてのトランジスタ及
び前記着色層となる領域のみに開口部を有する遮光層を
備えた透明性絶縁基板と、前記透明性絶縁基板に相対向して設けた対向基板と、前記透明性絶縁基板及び前記対向基板の間に挟持される
液晶層と、前記透明性絶縁基板を介して前記液晶層に光を照射する
光源とを具備したことを特徴とする透過型液晶表示装
置。
【請求項２】着色層を有する画素電極、この画素電極
に接続されたスイッチング素子としてのトランジスタ及
び前記着色層となる領域のみに開口部を有する遮光層を
備えた透明性絶縁基板と、前記透明性絶縁基板に相対向して設けた対向基板と、前記透明性絶縁基板及び前記対向基板の間に挟持される
液晶層と、反射部材とを具備したことを特徴とする反射型液晶表示
装置。
【請求項３】前記着色層が導電性及び／又は高誘電率
であることを特徴とする請求項１又は２記載の液晶表示
装置。
【請求項４】前記着色層が、電気化学的に形成された
ことを特徴とする請求項１又は２記載の液晶表示装置。
【請求項５】前記着色層の電気化学的形成を、スイッ
チング素子としてのトランジスタに接続されるデータ線
駆動回路（ソースドライバ）及び走査線駆動回路（ゲー
トドライバ）を用いて行なうことを特徴とする請求項４
記載の液晶表示装置。
【請求項６】請求項１記載の液晶表示装置又は請求項
２記載の液晶表示装置の欠陥の有無を検査する方法であ
って、データ線駆動回路（ソースドライバ）及び走査線
駆動回路（ゲートドライバ）を作動させて、トランジス
タ、画素電極及び着色層の欠陥を、同時に肉眼により検
査することを特徴とする液晶表示装置の欠陥有無検査
法。