JPH10170950A - アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 製造工程数を増加させることなく、画素開口
率が高く、高表示品質で、低消費電力のアクティブマト
リクス型液晶表示装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明に係るアクティブマトリクス型液
晶表示装置においては、画素電極に接続されるＴＦＴの
ソース領域を、導電性及び光透過性を有する金属反応層
（シリサイド）とし、その製造方法は、従来の製造方法
と比較して実質的に製造工程数の増加がないものであ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、アクティブマトリ
クス型液晶表示装置及びその製造方法に係り、特に、薄
膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いた構成のアクティブマ
トリクス型液晶表示装置及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のアクティブマトリクス型液晶表示
装置は、以下のように構成されている。即ち、アクティ
ブマトリクス型液晶表示装置を構成する２枚の絶縁基板
のうちの一方であるアレイ基板には、複数本の信号線Ｘ
ｉ（ｉ＝１，２，．．．，ｍ）と走査線Ｙｊ（ｊ＝１，
２，．．．，ｎ）とがマトリクス状に形成され、その各
交差部に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を介して接続され
た画素電極が配設されている。また、他方の絶縁基板で
ある対向基板には、画素電極に対向するように透明導電
膜からなる対向電極と、着色層と、画素電極に対応する
所定の開口部を有するブラックマトリクスとが形成され
ている。これら２枚の絶縁基板は周縁部をシール剤によ
り貼り合わせられ、基板間の間隙に液晶層が挟持されて
液晶セルが構成されている。さらに、各信号線Ｘｉは信
号線ドライバ回路に、各走査線Ｙｊは走査線ドライバ回
路に、対向電極は対向電極ドライバ回路に接続されて液
晶表示装置が構成されている。

【０００３】図７は、従来のアクティブマトリクス型液
晶表示装置を構成するアレイ基板の画素部の一部の概略
平面図、図８は、図７の線Ｃ−Ｃ’に沿ったアレイ基板
及び対向基板の概略断面図である。

【０００４】ＴＦＴ５０１は、アレイ基板となる絶縁基
板５０２上に形成されたゲート電極５１９ｐ、ゲート絶
縁膜５０５、半導体層５０６、エッチングストッパ層５
０７、オーミックコンタクト層５０８、ドレイン電極５
２１ｐ及びソース電極５１１から構成されている。ＴＦ
Ｔ５０１は信号線５２１と走査線５１９との交差部近傍
に配設され、ドレイン電極５２１ｐは信号線５２１に、
ゲート電極５１９ｐは走査線５１９に、ソース電極５１
１は画素電極５０９にそれぞれ接続されている。

【０００５】また、ゲート絶縁膜５０５下に形成された
補助容量配線５２０の一部である補助容量電極５２０ｐ
と、ゲート絶縁膜５０５を介した画素電極５０９とが重
なり合った部分に補助容量が形成されている。補助容量
を設ける目的は、ゲート電圧をオフにする際に発生して
フリッカや焼き付きの原因となる画素電極電位の変位Δ
Ｖｐを低減させ、信号書込み後の画素電極電位の保持特
性を向上させるためである。

【０００６】ＴＦＴ５０１並びに信号線５２１及び走査
線５１９上には、ＴＦＴ５０１の経時変化を抑制する目
的で保護膜５１２が形成されている。そして、これら全
体を覆って配向膜５１３が形成されている。

【０００７】一方、対向電極となる絶縁基板５１４に
は、開口部となる部分以外の部分にブラックマトリクス
５１５が形成され、その上に着色層５１６、対向電極５
１７、配向膜５１３が順に形成されている。そして、ア
レイ基板５０２と対向基板５１４との間には、液晶層５
１８が挟持されている。

【０００８】以上説明したアクティブマトリクス型液晶
表示装置は透過型液晶表示装置であり、通常、ノーマリ
ホワイトモードが採用され、アレイ基板５０２側にバッ
クライトを設置して照明を行っているので、画素電極５
０９のない部分からの光漏れを防止するために、対向基
板５１４に形成したブラックマトリクス５１５により遮
光を行っている。従って、ブラックマトリクス５１５が
形成されていない部分が開口部となる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
アクティブマトリクス型液晶表示装置には、以下のよう
な問題点があった。

【００１０】即ち、画素電極５０９は、リソグラフィ重
ね合わせ精度を考慮して、ＴＦＴ５０１を構成するゲー
ト電極５１９ｐ、半導体層５０６及びドレイン電極５２
１ｐ、さらに信号線５２１、走査線５１９といった配線
等から、２μｍ乃至４μｍ内側に離隔して形成されてい
る。また、信号線５２１と画素電極５０９とのカップリ
ング容量が大きくなって画素電極５０９から信号線５２
１に電荷がリークすることによる表示品質の低下を防止
するため、特に、信号線５２１と画素電極５０９との間
は、さらに、数μｍ間隔を広げられて形成されていた。
その結果、画素電極５０９の面積が縮小し、画素開口率
が低下していた。

【００１１】また、アレイ基板５０２側からの光漏れを
防止するために、対向基板５１４にブラックマトリクス
５１５を形成して遮光機能を持たせている。ところが、
アレイ基板５０２と対向基板５１４とを貼り合わせて液
晶セルを組み立てる際の位置合わせ精度は６μｍ乃至１
０μｍと、アレイ基板５０２上のリソグラフィ重ね合わ
せ精度よりもさらに低いため、アレイ基板５０２の画素
電極５０９部分以外の部分を十分に遮光するためには、
ブラックマトリクス５１５と画素電極５０９との重複面
積を大きくする必要がある。その結果、画素電極５０９
の面積のうち実際に光が透過する面積の割合は小さくな
り、さらに画素開口率が低下していた。

【００１２】加えて、ＴＦＴ５０１のソース電極５１１
と画素電極５０９とは、十分なコンタクトを確保するた
めに、重複面積が十分に大きくなるように形成する必要
があるが、ソース電極は不透明な金属であるため、開口
率が一層低下していた。

【００１３】以上の理由から、液晶表示装置の光透過率
が低下し、画面輝度が低下していた。従って、画面輝度
を向上させるためには、バックライトの光量を増加させ
る必要があり、その結果、バックライトの消費電力が増
大することとなった。

【００１４】一方、信号線５２１と画素電極５０９と
は、図７及び図８に示されるように、ゲート絶縁膜上に
おいて相互に隣接して形成されるため、信号線５２１と
画素電極５０９との間の短絡により点欠陥として見える
表示不良が発生することもあった。

【００１５】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、実質的に製造工程数を増加させるこ
となく、画素開口率が高く、高表示品質で、低消費電力
のアクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方
法を提供することである。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明に係るアクティブ
マトリクス型液晶表示装置によれば、第１の絶縁基板
と、第１の絶縁基板の一主面上に、相互に交差するよう
に形成された複数本の走査線及び複数の信号線と、走査
線と信号線との各交差部にそれぞれ配設され、ソース電
極部がシリサイド（表面近傍部分に金属反応層を形成さ
れた半導体層）からなる薄膜トランジスタと、走査線及
び信号線と絶縁され、かつ、薄膜トランジスタのソース
電極部に電気的に接続されて形成された画素電極とを有
するアレイ基板と、アレイ基板に対向する第２の絶縁基
板である対向基板とを備えたことを特徴とし、画素電極
に接続されるＴＦＴのソース領域を、導電性及び光透過
性を有する金属反応層（シリサイド）としたので、従来
の製造方法と比較して実質的に製造工程数を増加させず
に、画素開口率が高く、高表示品質で、低消費電力のア
クティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法を
提供することができる。

【００１７】また、本発明に係るアクティブマトリクス
型液晶表示装置によれば、アレイ基板となる第１の絶縁
基板の一主面上に複数本の走査線及び走査線にそれぞれ
接続された複数個のゲート電極を形成する第１の工程
と、走査線及びゲート電極が形成された第１の絶縁基板
の一主面上にゲート絶縁膜を形成する第２の工程と、ゲ
ート絶縁膜上にアモルファスシリコン膜を形成する第３
の工程と、アモルファスシリコン膜上のゲート電極上の
部分に、アモルファスシリコン膜のゲート電極上の部分
を保護する無機保護膜を形成する第４の工程と、無機保
護膜をマスクとしてアモルファスシリコン膜にイオン注
入を行い、アモルファスシリコン膜のイオン注入が行わ
れた部分に低抵抗半導体層を形成する第５の工程と、ア
モルファスシリコン膜及び低抵抗半導体層の所定の形状
加工を行う第６の過程と、低抵抗半導体層を覆って高融
点金属層を形成し、熱処理により低抵抗半導体層の表面
近傍部分と高融点金属層の高融点金属とを化合反応させ
た後に高融点金属層の未反応部分を除去することによ
り、低抵抗半導体層上に金属反応層を形成する第７の工
程と、低抵抗半導体層及び金属反応層にソース領域及び
ドレイン領域を形成する第８の工程と、アモルファスシ
リコン膜及び無機保護膜、低抵抗半導体層、金属反応層
が形成されたゲート絶縁膜上に走査線と交差する複数本
の信号線と、信号線にそれぞれ接続された複数個のドレ
イン電極とを形成する第９の工程と、第１の絶縁基板の
一主面上の各形成物を覆って絶縁膜を形成する第１０の
工程と、絶縁膜のソース領域上の部分にコンタクトホー
ルを開口する第１１の工程と、コンタクトホールを介し
てソース領域に接続されるように、絶縁膜上の所定部分
に画素電極を形成する第１２の工程とを備えたことを特
徴とし、画素電極に接続されるＴＦＴのソース領域を、
導電性及び光透過性を有する金属反応層（シリサイド）
としたので、従来の製造方法と比較して実質的に製造工
程数を増加させずに、画素開口率が高く、高表示品質
で、低消費電力のアクティブマトリクス型液晶表示装置
及びその製造方法を提供することができる。

【００１８】

【発明の実施の形態】本発明に係るアクティブマトリク
ス型液晶表示装置の特徴は、画素電極に接続されるＴＦ
Ｔのソース領域を、十分な導電性を確保しながら光透過
性のものとした点にあり、その製造方法は、従来の製造
方法と比較して実質的に製造工程数の増加がないもので
ある。

【００１９】以下、本発明に係るアクティブマトリクス
型液晶表示装置及びその製造方法の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。

【００２０】図１は、本発明に係るアクティブマトリク
ス型液晶表示装置を構成するアレイ基板の画素部の一部
の概略平面図、図２は、図１の線Ａ−Ａ’に沿ったアレ
イ基板の概略断面図、図３は、図１の線Ｂ−Ｂ’に沿っ
たアレイ基板の概略断面図である。尚、対向基板の基本
的な構成は、図７及び図８に示した従来のアクティブマ
トリクス型液晶表示装置における対向基板の構成と同様
であるので、図面上の表示及び明細書中の説明は省略す
る。但し、ブラックマトリクス等の形状は、アレイ基板
側の構成に対応して異なる。

【００２１】図１及び図２、図３に示した本発明に係る
アクティブマトリクス型液晶表示装置のアレイ基板は、
以下のような製造方法により以下のように構成されてい
る。絶縁基板１０２上には、図１に示したように、走査
線１１４及び補助容量配線１１５が形成されている。こ
れらの配線は、図２において、走査線１１４に接続され
たゲート電極１１４ｐとして、図３において、補助容量
配線１１５の一部である補助容量電極１１５ｐとして、
それぞれ示されている。本実施の形態においては、走査
線１１４及びゲート線１１４ｐは、例えば、タンタル
（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、
チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａ
ｌ）といった金属材料又はこれらの合金の単層膜若しく
は積層膜により形成されている。配線の形状は、配線形
成の安定性確保等のため、例えば、エッチング断面を傾
斜面とするテーパエッチング技術により形成した形状と
しても良い。

【００２２】また、図２に示したように、走査線１１４
及びゲート電極１１４ｐ並びに補助容量配線１１５及び
補助容量電極１１５ｐを覆って、例えば窒化珪素（窒化
シリコン）からなるゲート絶縁膜１０５、非晶質珪素
（アモルファスシリコン）薄膜１０６、例えば窒化珪素
（窒化シリコン）からなる無機保護膜１０７が、ゲート
電極１１４ｐ上の部分に順次形成されており積層膜を構
成している。これらの積層膜の形成には、例えば、プラ
ズマ、常圧、減圧等のＣＶＤ法が用いられる。本実施の
形態においては、ゲート絶縁膜１０５、アモルファスシ
リコン薄膜１０６、無機保護膜１０７の膜厚は、それぞ
れ４０００オングストローム、５００オングストロー
ム、２０００オングストロームとした。尚、ここでは、
積層膜の各層は、それぞれ単一材料、単一層としたが、
例えば、それぞれが異なる材料からなる積層膜で構成さ
れているものであっても良い。また、符号１０８で示さ
れている低抵抗半導体層は、当初はアモルファスシリコ
ン薄膜１０６として形成され、イオン注入された層であ
る。従って、アモルファスシリコン薄膜１０６は、当初
はゲート絶縁膜１０５上のゲート電極１１４ｐ上の部分
のみならず、ＴＦＴ１０１が形成されることとなるゲー
ト絶縁膜１０５上の部分に形成されていたものである。

【００２３】無機保護膜１０７は、絶縁基板１０２の背
面側から露光する裏面露光技術を用いて、ゲート電極１
１４ｐにより自己整合的に形状を加工されたものであ
る。ゲート電極１１４ｐによる自己整合的形状加工によ
り、ゲート電極１１４ｐと無機保護膜１０７との非重複
領域の面積を最小限に抑制することができる。

【００２４】この無機保護膜１０７をマスクとしてアモ
ルファスシリコン薄膜１０６に例えばリンイオンを注入
したことにより、低抵抗半導体層１０８が形成されてい
る。本実施の形態においては、リンイオンの注入条件
は、加速電圧Ｖｉを３０ｋＶ、ドーズ量を５×１０¹⁵／
ｃｍ² とした。また、ここではリンイオンのみを選択的
に注入したが、例えば、水素イオン等と同時にリンイオ
ンを注入する非質量分離型のイオン注入法を用いても良
い。

【００２５】イオン注入後、低抵抗半導体層１０８及び
アモルファスシリコン薄膜１０６の形状加工が行われ
る。さらに、ゲート絶縁膜１０５上の少なくとも低抵抗
半導体層１０８上の部分に、例えば、タンタル（Ｔ
ａ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、チタ
ン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）と
いった高融点金属材料又はこれらの合金からなる金属層
を形成し、例えば、２００℃の温度で２時間の熱処理を
行った後当該金属層の未反応部分を剥離したことによ
り、低抵抗半導体層１０８上に、低抵抗半導体層１０８
の表面近傍部分と当該金属層の金属とが化合反応した金
属反応層（シリサイド）１０９が形成されている。信号
線１１６及びドレイン電極１１６ｐは、金属反応層１０
９の形成と同時に或いは形成後に形成されたものであ
り、その際、低抵抗半導体層１０８にソース領域及びド
レイン領域も形成されて、ＴＦＴ１０１が構成されてい
る。金属反応層（シリサイド）１０９は、低抵抗半導体
層１０８の表面近傍部分と当該金属層の金属とが化合反
応したものであるから、当初はアモルファスシリコン薄
膜１０６として形成されていた層であり、また、アモル
ファスシリコン薄膜１０６にイオンドーピングした低抵
抗半導体層１０８よりも低抵抗である。従って、低抵抗
半導体層１０８及び金属反応層１０９は、十分な導電性
及び光透過性を有している。シリサイド１０９として、
例えば、モリブデンシリサイドを低抵抗半導体層１０８
上に形成した場合のシート抵抗は５００ｋΩ／ｍ² 以下
と低く、本発明の構成におけるＴＦＴ（図１）のオン電
流は通常のＴＦＴ（図８）と同等程度に得られる。一
方、低抵抗半導体層１０８のみで図１のＴＦＴを構成し
た場合、低抵抗半導体層１０８のシート抵抗がモリブデ
ンシリサイドを低抵抗半導体層１０８上に形成した場合
のシート抵抗の値より３桁ほど高いため、充分なオン電
流が得られなくなる。

【００２６】以上の各形成物を覆って全面に、例えば窒
化珪素（窒化シリコン）等の絶縁膜からなる表面保護膜
１１１が形成されており、金属反応層１０９のソース領
域部分上の表面保護膜１１１には、画素電極１１３と金
属反応層１０９のソース領域部分とを接続するためのコ
ンタクトホール１１２が開口されている。透明電極であ
る画素電極１１３は、後述する方法によって、例えば、
酸化錫をドープした酸化インジウム（ＩＴＯ）により所
定形状に形成され、上記コンタクトホールを通じて金属
反応層１０９のソース領域部分に接続されている。

【００２７】図４及び図５は、本発明に係るアクティブ
マトリクス型液晶表示装置及びその製造方法におけるア
レイ基板上の画素電極の形成過程を示した概略断面図で
ある。尚、図４及び図５の概略断面図は、図２及び図３
と同様に、アレイ基板の画素部の一部の概略断面を示し
ている。

【００２８】図４に示したように、表面保護膜１１１上
にＩＴＯ膜１１３を形成後、ＩＴＯ膜１１３上に、例え
ばネガ型感光性レジストをスピンコータ等により塗布
し、絶縁基板１０２の背面側から露光する裏面露光技術
を用いて、走査線１１４、ゲート電極１１４ｐ、補助容
量配線１１５、補助容量電極１１５ｐ、信号線１１６、
ドレイン電極１１６ｐにより自己整合的に上記ネガ型レ
ジストの感光を行い、露光領域１１７及び非露光領域１
１８を形成する。

【００２９】次に、図５に示したように、通常のフォト
マスク１１９を用い、当該フォトマスク１１９上に形成
された所定形状の感光パターンにより、絶縁基板１０２
の表面側から上記ネガ型レジストの感光をさらに行う。
一連の露光後、非露光領域１１８を現像により除去し、
ＩＴＯ膜１１３の露出した部分をエッチングして所定形
状の画素電極１１３を形成する。以上の一連の露光・現
像により、所定部位に補助容量を形成しながら、画素電
極１１３の形状加工が行われる。従って、画素電極１１
３は、配線領域以外の領域のほぼ全面を覆って形成され
ている。

【００３０】一方、対向基板は以下のように作製され
る。例えばガラスからなる絶縁基板上に遮光性材料であ
るクロム（Ｃｒ）膜等をスパッタ法で形成した後、所定
形状にフォトエッチングすることにより、ブラックマト
リクスが格子状に形成される。格子状のブラックマトリ
クスにより分離された各領域には、赤色（Ｒ）、緑色
（Ｇ）、青色（Ｂ）の各顔料が分散された着色層が、そ
れぞれフォトエッチングによって例えば縦ストライプ状
に形成される。さらに、ＩＴＯからなる対向電極がスパ
ッタ法により全面に形成されると、対向基板が得られ
る。

【００３１】また、液晶表示装置の組立に際しては、上
記各形成物が形成されたアレイ基板及び対向基板の一主
面上全面に、例えば低温キュア型のポリイミドからなる
配向膜がそれぞれ形成され、ラビング処理が施される。
その後、アレイ基板と対向基板とを、それぞれの配向膜
が相互に対向し、かつ、配向軸が相互に例えば約９０度
の角度をなすように、配置して貼り合わせ、その間隙に
例えばネマティック型液晶を注入して液晶層とする。そ
して、アレイ基板及び対向基板の他主面側にそれぞれ偏
光板を配設すると、液晶表示装置が完成する。表示を行
うときは、アレイ基板の他主面側から照明を行う。

【００３２】上述のように、本発明に係るアクティブマ
トリクス型液晶表示装置においては、低抵抗半導体層１
０８及び金属反応層１０９のソース領域部分と画素電極
１１３とを接続する電極部分が、金属反応層１０９で覆
われた低抵抗半導体層１０８であり、当該電極部分は、
十分な導電性及び光透過性を有しているものであるの
で、画素の開口率を低下させずにＴＦＴ１０１の十分な
オン電流を確保することが可能となった。

【００３３】本実施の形態においては、画素電極の面積
が従来の約１．３倍となり、対向基板上のブラックマト
リクスにより開口部を設定した場合においても、開口率
は約１．３倍に増加した。また、図２及び図３に示した
ように、信号線１１６と画素電極１１３とが表面保護膜
１１１を挟んで異なった層に形成されているので、信号
線１１６と画素電極１１３との間の短絡が発生すること
がない。

【００３４】本実施の形態に従って作製した液晶表示装
置により表示を行ったところ、表面保護膜１１１の十分
な厚さのため信号線１１６と画素電極１１３との間のカ
ップリング容量が減少した結果、クロストークが無く均
一で、かつ、開口率の増加により明るい表示を得ること
ができた。

【００３５】本実施の形態においては、ＴＦＴ１０１を
走査線１１４上に配設して開口率を向上させたが、低抵
抗半導体層１０８及び金属反応層１０９は十分な導電性
及び光透過性を有しているものであるので、従来の構成
のようにＴＦＴのゲート電極を走査線上の領域外まで拡
張して形成しても良い。また、表面保護膜１１１の材料
は窒化シリコン（ＳｉＮx ）としたが、その他の透明な
有機材料を用いても良い。

【００３６】図６は、本発明の他の実施の形態に係るア
クティブマトリクス型液晶表示装置を構成するアレイ基
板の画素部の一部の概略平面図である。

【００３７】図６のアクティブマトリクス型液晶表示装
置においては、走査線４０２の一部を補助容量電極部４
０２ｐとして形成し、走査線４０２及び補助容量電極部
４０２ｐに、図１の補助容量配線１１５及び補助容量電
極１１５ｐの機能を兼備させたので、この構成によりさ
らに画素の開口率を向上させることができる。

【００３８】以上の各実施の形態において、ブラックマ
トリクスは、対向基板上に形成された格子状のものとし
たが、この形態以外のブラックマトリクスを採用するこ
ともできる。ブラックマトリクスの他の形態としては、
導電性のない黒色材料、例えば、好感度のネガ型感光性
樹脂に有機顔料を分散したものや、無機材料を用いて、
アレイ基板上に形成されたものとしても良い。この場
合、リソグラフィ重ね合わせ精度により開口部が決定さ
れるため、上記各実施の形態よりも開口率を向上させる
ことができる。また、対向基板上のブラックマトリクス
とアレイ基板上のブラックマトリクスとを組み合わせて
用いる構成としても良い。

【００３９】

【発明の効果】本発明に係るアクティブマトリクス型液
晶表示装置及びその製造方法によれば、画素電極に接続
されるＴＦＴのソース領域を、導電性及び光透過性を有
する金属反応層（シリサイド）としたので、従来の製造
方法と比較して実質的に製造工程数を増加させずに、画
素開口率が高く、高表示品質で、低消費電力のアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法を提供す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るアクティブマトリクス型液晶表示
装置を構成するアレイ基板の画素部の一部の概略平面
図。

【図２】図１の線Ａ−Ａ’に沿ったアレイ基板の概略断
面図。

【図３】図１の線Ｂ−Ｂ’に沿ったアレイ基板の概略断
面図。

【図４】本発明に係るアクティブマトリクス型液晶表示
装置及びその製造方法におけるアレイ基板上の画素電極
の形成過程を示した概略断面図。

【図５】本発明に係るアクティブマトリクス型液晶表示
装置及びその製造方法におけるアレイ基板上の画素電極
の形成過程を示した概略断面図。

【図６】本発明の他の実施の形態に係るアクティブマト
リクス型液晶表示装置を構成するアレイ基板の画素部の
一部の概略平面図。

【図７】従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置を
構成するアレイ基板の画素部の一部の概略平面図。

【図８】図７の線Ｃ−Ｃ’に沿ったアレイ基板及び対向
基板の概略断面図。

【符号の説明】

１０１、４０１、５０１ ＴＦＴ １０２、５０２、５１４ 絶縁基板 １０５、５０５ ゲート絶縁膜 １０６ 非晶質珪素（アモルファスシリコン）薄膜 １０７ 無機保護膜 １０８ 低抵抗半導体層 １０９ 金属反応層 １１１ 表面保護膜 １１２ コンタクトホール １１３、４０５、５０９ 画素電極（ＩＴＯ膜） １１４、４０２、５１９ 走査線 １１４ｐ、５１９ｐ ゲート電極 １１５、５２０ 補助容量配線 １１５ｐ、５２０ｐ 補助容量電極 １１６、４０３、５２１ 信号線 １１６ｐ、５２１ｐ ドレイン電極 １１７ 露光領域 １１８ 非露光領域 １１９ フォトマスク １２０ マスクパターン ４０２ｐ 補助容量電極部 ５０６ 半導体層 ５０７ エッチングストッパ層 ５０８ オーミックコンタクト層 ５１１ ソース電極 ５１２ 保護膜 ５１３ 配向膜 ５１５ ブラックマトリクス ５１６ 着色層 ５１７ 対向電極 ５１８ 液晶層

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】第１の絶縁基板と、 前記第１の絶縁基板の一主面上に、相互に交差するよう
   に形成された複数本の走査線及び複数の信号線と、 前記走査線と前記信号線との各交差部にそれぞれ配設さ
   れ、ソース電極部がシリサイドからなる薄膜トランジス
   タと、 前記走査線及び前記信号線と絶縁され、かつ、前記薄膜
   トランジスタの前記ソース電極部に電気的に接続されて
   形成された画素電極とを有するアレイ基板と、 前記アレイ基板に対向する第２の絶縁基板である対向基
   板とを備えたことを特徴とするアクティブマトリクス型
   液晶表示装置。
2. 【請求項２】第１の絶縁基板と、 前記第１の絶縁基板の一主面上に、相互に交差するよう
   に形成された複数本の走査線及び複数の信号線と、 前記走査線と前記信号線との各交差部にそれぞれ配設さ
   れ、ソース電極部が表面近傍部分に金属反応層を形成さ
   れた半導体層からなる薄膜トランジスタと、 前記走査線及び前記信号線と絶縁され、かつ、前記薄膜
   トランジスタの前記ソース電極部に電気的に接続されて
   形成された画素電極とを有するアレイ基板と、 前記アレイ基板に対向する第２の絶縁基板である対向基
   板とを備えたことを特徴とするアクティブマトリクス型
   液晶表示装置。
3. 【請求項３】請求項２に記載のアクティブマトリクス型
   液晶表示装置において、前記金属反応層は、高融点金属
   と前記半導体層の表面近傍部分とが化合反応して形成さ
   れたものであることを特徴とするアクティブマトリクス
   型液晶表示装置。
4. 【請求項４】請求項２又は３のいずれかに記載のアクテ
   ィブマトリクス型液晶表示装置において、前記金属反応
   層は、前記信号線の材料と同一の材料と前記半導体層の
   表面近傍部分とが化合反応して形成されたものであるこ
   とを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。
5. 【請求項５】請求項１乃至４のいずれかに記載のアクテ
   ィブマトリクス型液晶表示装置において、前記画素電極
   は、前記走査線及び前記信号線が形成された前記第１の
   絶縁基板の前記一主面上全面に形成された絶縁膜上に形
   成されたものであることを特徴とするアクティブマトリ
   クス型液晶表示装置。
6. 【請求項６】アレイ基板となる第１の絶縁基板の一主面
   上に複数本の走査線及び前記走査線にそれぞれ接続され
   た複数個のゲート電極を形成する第１の工程と、 前記走査線及び前記ゲート電極が形成された前記第１の
   絶縁基板の前記一主面上にゲート絶縁膜を形成する第２
   の工程と、 前記ゲート絶縁膜上にアモルファスシリコン膜を形成す
   る第３の工程と、 前記アモルファスシリコン膜上の前記ゲート電極上の部
   分に、前記アモルファスシリコン膜の前記ゲート電極上
   の部分を保護する無機保護膜を形成する第４の工程と、 前記無機保護膜をマスクとして前記アモルファスシリコ
   ン膜にイオン注入を行い、前記アモルファスシリコン膜
   の前記イオン注入が行われた部分に低抵抗半導体層を形
   成する第５の工程と、 前記アモルファスシリコン膜及び前記低抵抗半導体層の
   所定の形状加工を行う第６の過程と、 前記低抵抗半導体層を覆って高融点金属層を形成し、熱
   処理により前記低抵抗半導体層の表面近傍部分と前記高
   融点金属層の高融点金属とを化合反応させた後に前記高
   融点金属層の未反応部分を除去することにより、前記低
   抵抗半導体層上に金属反応層を形成する第７の工程と、 前記低抵抗半導体層及び前記金属反応層にソース領域及
   びドレイン領域を形成する第８の工程と、 前記アモルファスシリコン膜及び前記無機保護膜、前記
   低抵抗半導体層、前記金属反応層が形成された前記ゲー
   ト絶縁膜上に前記走査線と交差する複数本の信号線と、
   前記信号線にそれぞれ接続された複数個のドレイン電極
   とを形成する第９の工程と、 前記前記第１の絶縁基板の前記一主面上の各形成物を覆
   って絶縁膜を形成する第１０の工程と、 前記絶縁膜の前記ソース領域上の部分にコンタクトホー
   ルを開口する第１１の工程と、 前記コンタクトホールを介して前記ソース領域に接続さ
   れるように、前記絶縁膜上の所定部分に画素電極を形成
   する第１２の工程とを備えたことを特徴とするアクティ
   ブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
7. 【請求項７】請求項６に記載のアクティブマトリクス型
   液晶表示装置の製造方法において、前記高融点金属層
   は、前記信号線の材料と同一の材料からなるものである
   ことを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装
   置。
8. 【請求項８】請求項６又は７のいずれかに記載のアクテ
   ィブマトリクス型液晶表示装置の製造方法において、前
   記画素電極は、前記走査線及び前記ゲート電極並びに前
   記信号線及び前記ドレイン電極による自己整合により、
   前記絶縁膜上の前記所定部分に形成されるものであるこ
   とを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。
9. 【請求項９】請求項８に記載のアクティブマトリクス型
   液晶表示装置の製造方法において、前記画素電極は、前
   記画素電極となる透明導電膜上に形成されたネガ型感光
   性レジストを、前記走査線及び前記ゲート電極並びに前
   記信号線及び前記ドレイン電極による自己整合により前
   記第１の絶縁基板の他主面側から露光し現像してマスク
   として用いることにより、前記絶縁膜上の前記所定部分
   に形成されるように形状加工されるものであることを特
   徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。