KR100270127B1 - 액정표시장치 - Google Patents

액정표시장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100270127B1
KR100270127B1 KR1019970037770A KR19970037770A KR100270127B1 KR 100270127 B1 KR100270127 B1 KR 100270127B1 KR 1019970037770 A KR1019970037770 A KR 1019970037770A KR 19970037770 A KR19970037770 A KR 19970037770A KR 100270127 B1 KR100270127 B1 KR 100270127B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
liquid crystal
plurality
electrode
crystal display
display device
Prior art date
Application number
KR1019970037770A
Other languages
English (en)
Other versions
KR19980018480A (ko
Inventor
마사토시 와카기
마사히코 안도
리쯔오 후카야
Original Assignee
가나이 쓰도무
가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JP96-208438 priority Critical
Priority to JP20843896A priority patent/JP3148129B2/ja
Application filed by 가나이 쓰도무, 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 filed Critical 가나이 쓰도무
Publication of KR19980018480A publication Critical patent/KR19980018480A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100270127B1 publication Critical patent/KR100270127B1/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FDEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/134309Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134363Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FDEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133345Insulating layers
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FDEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device

Abstract

본 발명은 화소전극과 대향전극사이에 기판과 거의 평행의 전계를 인가하는 가로전계방식에 의해 액정을 구동시키는 액정표시장치에 관한 것으로서, 액정에 인가하는 구동전압의 손실을 저감하고, 또한, 금속전극과의 열악화를 방지한 액티브 매트릭스기판 및 그것을 사용한 액정표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한 것이며, 그 구성에 있어서, 1쌍의 기판의 한쪽의 기판에는, 복수의 게이트배선과, 이들에게 매트릭스형상으로 교차하는 복수의 드레인배선과, 이들 배선의 각각의 교차점에 대응해서 형성된 복수의 박막트랜지스터와, 상기 복수의 게이트배선과 동일방향으로 뻗은 복수의 공통배선을 가지고, 상기 복수의 게이트배선 및 드레인배선에 의해 둘러싸이는 각각의 영역에 의해 적어도 1개의 화소가 구성되고, 각각의 화소에는 대응하는 공통배선에 접속되고 상기 드레인배선과 동일방향으로 뻗은 대향전극과, 대응하는 박막트랜지스터에 접속되고 상기 대향전극과 동일방향으로 뻗은 화소 전극을 가지고, 대향전극은 액정층에 직접해있고, 대향전극과 화소전극사이에 인가되는 전압에 의해, 상기 액정층에는 한쪽의 기판에 대해서 지배적으로 평행한 성분을 가진 전계가 발생하도록 한 것을 특징으로 한 것이다.

Description

액정표시장치

본 발명은 화소전극과 대향전극사이에 기판과 거의 평행의 전계를 인가하는 가로전계방식에 의해 액정을 구동시키는 액정표시장치에 관한 것이다.

박막트랜지스터(TFT)등 액티브소자를 사용한 액티브매트릭스형 액정표시장치는 얇고, 또한, 경량이라고 하는 특장과, 고화질을 얻을 수 있다고 하는 점에서, 표시단말로서 널리 채용되고 있다.

상기의 액정표시장치는, TFT소자를 가진 액티브매트릭스기판과, 이것과 대향하는 기판과의 사이에 끼워 유지된 액정에, 화소전극과 대향전극사이에 인가하는 전계에 의해서 구동, 제어하여, 입사광을 변조, 출사함으로써 화상을 형성한다.

특히, 액정표시장치의 시각을 넓히기 위하여, 화소전극과 대향전극을 한쪽의 액티브매트릭스기판위에 형성하고, 기판면과 거의 평행으로 전계를 인가하는 가로 전계방식의 액정표시장치가 발표되어 있다(Proceeding of the 15th, International Display Research Conference, p.707(1995), 일본국 특개평 7-36058호 공보).

이 가로전계방식은, 액정을 시선방향에서 봐서 가로방향으로 인가한 전계에 의해 제어하기 때문에, 시각을 넓게 잡을 수 있다. 그리고, 화소전극, 대향전극으로서 금속막을 보호성절연막의 아래에 형성하는 구성으로 되어 있다.

그러나, 보호성절연막을 개재해서 액정에 전계를 인가하기 때문에, 전압손실이 발생하고, 구동전압을 크게 하지 않으면 안되어, 소비전력이 증대한다고 하는 문제가 있다.

또, 개구율을 크게 하려면 화소전극과 대향전극사이의 거리를 크게 잡는 것이 유효하나, 그렇게 하면 더욱 구동전압을 크게 할 필요가 있다. 또, 구동전압의 제한으로 액정의 임계치전압이 제한되고, 응답성이 빠른 액정의 선정범위에 제약이 있다고하는 문제가 있다.

이러한 전압손실에 의해 소비전력의 증대는, 게이트절연막위에 개구한 콘택트홀을 형성하고, 이것을 개재해서 액정구동용의 전극을 형성함으로써 개선할 수 있다(일본국 특개평 7-128683호 공보). 그러나, 통상의 금속전극은, 액정조성물에 의해 부식된다고하는 문제가 발생하기 때문에, 거듭보호성절연막을 이 위에 형성할 필요가 있다. 이 경우, 보호성절연막에 의해 전압손실이 발생한다.

본 발명의 목적은, 액정에 인가하는 구동전압의 손실을 저감하고, 또한, 금속전극과의 열악화를 방지한 액티브매트릭스기판 및 그것을 사용한 액정표시장치를 제공하는 데 있다.

제1도는 실시예 1의 액티브매트릭스기판의 모식단면도.

제2도는 제1도의 화소부의 평면도.

제3도는 종래 구조의 액티브매트릭스기판의 모식단면도.

제4도는 제3도의 화소부의 평면도.

제5도는 실시예 2의 액티브매트릭스기판의 모식단면도.

제6도는 제5도의 화소부의 평면도.

제7도는 실시예 3의 액티브매트릭스기판의 모식단면도.

제8도는 제7도의 화소부의 평면도.

제9도는 실시예 4의 액티브매트릭스기판의 모식단면도.

제10도는 제9도의 화소부의 평면도.

제11도는 실시예 5의 액티브매트릭스기판의 단면모식도.

제12도 제11도의 화소부의 평면도.

제13도는 실시예 6의 액티브매트릭스기판의 단면모식도.

제14도는 제13도의 화소부의 평면도.

제15도는 실시예 17의 액티브매트릭스기판의 단면모식도.

제16도는 제15도의 화소부의 평면도.

제17도는 실시예 8의 액티브매트릭스기판의 평면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 투명기판 2 : 게이트배선

3 : 공통배선 4 : 게이트절연막

5 : 반도체막 6 : 콘택트층

7 : 드레인배선 8 : 소스전극

9 : 보호성절연막 10 : 콘택트홀

11 : 화소전극 12 : 대향전극

13 : 차광층

본 발명의 액정표시장치에 의하면, 1쌍의 기판의 한쪽의 기판에는, 복수의 게이트배선과, 이들에게 매트릭스형상으로 교차하는 복수의 드레인배선과, 이들 배선의 각각의 교차점에 대응해서 형성된 복수의 박막트랜지스터와, 상기 복수의 게이트배선과 동일방향으로 뻗은 복수의 공통배선을 가지고 있다.

복수의 게이트배선 및 드레인배선에 의해 둘러싸이는 각각의 영역에 의해 적어도 1개의 화소가 구성되고, 각각의 화소에는 대응하는 공통배선에 접속되어 드레인배선과 동일방향으로 뻗은 대향전극과, 대응하는 박막트랜지스터에 접속되어 대향전극과 동일방향으로 뻗은 화소전극을 가지고 있다.

대향전극과 화소전극사이에 인가되는 전압에 의해, 상기 액정층에는 상기 한 쪽의 기판에 대하여 지배적으로 평행한 성분을 가진 전계가 발생한다. 대향전극은 액정층에 직접 접해있다.

본 발명의 실시태양에 의하면, 공통배선위에는 절연층이 형성되고, 대향전극은 이 절연층에 형성되는 콘택트홀을 개재해서 공통배선에 접속된다. 절연층은 제 1 및 제 2의 절연층으로 구성되며, 제 1의 절연층은 게이트 배선 및 공통배선위에 형성되고, 제 2의 절연층은 드레인배선 및 상기 복수의 박막트랜지스터위에 형성된다.

또, 각각의 박막트랜지스터의 소스전극은 제 1의 절연층위에 형성되고, 화소전극을 겸하는 일도 가능하다. 또는, 소스전극은, 상기 제 2의 절연층에 형성된 콘택트홀을 개재해서 화소전극에 접속된다. 이 경우 화소전극은 대향전극과 마찬가지로 액정층에 직접 접한다.

대향전극 또는 화소전극은, 산화물도전막 또는 그래파이트로 구성되어 있는 것이 바람직하다.

본 발명의 다른 실시태양에 의하면, 드레인배선 및 게이트배선이 구동회로와 접속되는 드레인배선단자부 및 게이트배선단자부는 산화물 도전막 또는 그래파이트로 구성되어 있다.

투명한 절연성기판위에 형성하는 게이트배선(주사배선), 공통배선으로서의 금속막은, Cr, Al, Ta, 또는, 이들의 합금을 들 수 있다. 또, 게이트절연막, 반도체막으로서는, CVD(Chemical Vapor Deposition)법으로 제작한 SiN막, SiO막, a-Si막, 또, 콘택트층으로서 인(P)을 도프한 n(+)a-Si을 들 수 있다.

이들 막을 가공하여 액티브소자인 TFT를 형성한다. 또 TFT의 드레인배선(영상배선), 소스전극(화소전극)을 Cr, Al, Ta, 또는 이들의 합금을 들 수 있다.

또, 보호성 절연막으로서는 CVD법으로 제작한 SiN막등을 들 수 있다.

보호성 절연막형성후, 콘택트홀을 형성하고, 소스전극, 공통배선에 콘택트를 취한다. 또, 게이트배선, 공통배선, 드레인배선의 단자부의 콘택트홀을 형성하고, 이 위에 화소전극과 대향전극을 형성한다.

화소전극, 대향전극으로서는, ITO(Indium Tin Oxide)등의 산화물 도전막이나 그래파이트가 바람직하다. 이들은, 화학적으로 안정적이고, 액정에 접촉해도 양호한 전기특성을 유지할 수 있기 때문이다.

또, 게이트배선, 공통배선, 드레인배선의 단자부를, 산화물 도전막으로 피복함으로써, 안정된 콘택트특성을 얻는 것이 가능해진다.

또, 절연성보호막위에 형성한 산화물도전막의 화소전극과 대향전극은, 액정에 직접 전계를 인가할 수 있기 때문에 전압손실이 작고, 종래의 절연성보호막을 개재해서 전계를 인가하는 것에 비해서, 액정의 구동전압을 작게 할 수 있다.

또한, 산화물 도전막의 화소전극과 대향전극은, 밀봉되어 있는 액정조성물에 의해 열악화되는 염려가 매우 작다. 통상의 액정표시장치에 있어서는, 액정의 배향막이 형성되어 있으나, 이 막은 1000Å오더의 막두께이며, 반도체장치의 패시베이션막과 같은 작용은 거의 없고, 핀홀현상의 결함도 많기 때문에, 액정조성물에 의한 금속막의 열악화를 방지할 수 없다. 그러나, 산화물도전막은 이와 같은 열악화가 발생하지 않기 때문에, 뛰어나 있다. 산화물도전막으로서는 ITO(Indium Tin Oxide)막 등을 들 수 있다.

ITO로는, 비정질 ITO와 결정질 ITO가 있다. 소스전극, 공통배선, 게이트 배선, 드레인배선의 콘택트저항을 나게 하기 위해서는, 결정질 ITO막의 사용이 바람직하다.

ITO등의 산화물 도전막은 투명도전막이라 호칭되며 가시광을 투과한다. 투명도전막위의 전계는 기판에 대해서 수직의 성분이 커지나, 흑표시때는 통상 인가되는 전계가 0 또는 작아지기 때문에, 액정의 편광투과율을 거의 0이 되도록 광학설계를 하면, 이 부분도 차광할 수 있다.

또, 투명도전막과 금속막을 중첩해서 형성하는 구성으로 차광하는 것도 가능하다. 예를 들면, 금속막의 소스전극 또는/및 공통배선을 투명도전막과 기판의 수직방향에서 봐서 중첩되도록 형성한다.

이 구성에서 개구율을 크게 하기 위해서는, 개구부에서 화소전극, 대향전극과 중첩되는 상기 금속막으로 이루어지는 전극을 동일형상으로 형성한다. 이 때문에, 화소전극과 대향전극의 형성에는, 사진평판공법을 사용한다. 이 경우, 뒷면 노광에 의해서 레지스트패턴을 형성하는 방식도 있다. 구체적으로는, ITO막 표면을 레지스트막으로 피복하고, 표면으로부터 화소개구부이외의 패턴을 노광하고, 또 뒷면으로부터 노광하면 개구부에서 금속막과 동일한 형상으로 레지스트패턴을 형성할 수 있다. 이것을 에칭가공하면 화소전극과 대향전극이, 개구부에서 금속막과 동일패턴으로 가공할 수 있다.

이 뒷면노광프로세스에 의해, 화소전극과 대향전극의 전극폭을 보다 작게 형성할 수 있는 동시에, 금속막에 의한 차광부를 필요최소한으로 억제 가능하게 된다. 이 금속막을, 공통배선, 소스전극으로 형성함으로써, 공정수를 증가하는 일없이 제작할 수 있다.

또, 전기적으로 화소전극, 대향전극과, 이에 대응하는 금속막이 동일전위로 되기 때문에, 용량이 형성되는 일도 없다.

본 발명에서는 뒷면노광을 도입함으로써, 개구부에서 금속막과 동일한 형상으로 화소전극과 대향전극을 형성할 수 있어, 금속막의 맞춤정밀도를 고려하는 일없이 가공할 수 있다.

또, 드레인배선과 이에 인접한 대향전극사이를 차광하기 위하여, 이들 전극에 기판수직방향에서 봐서 중첩되도록, 게이트전극과 동일 층의 금속막을 사용해서 차광층을 형성함으로써, 이 부분에 대응한 대향기판의 블랙매트릭스를 생략할 수 있다. 액티브매트릭스기판과 대향기판의 맞붙임시에 있어서의 위치정밀도는 수 10㎛정도이기 때문에, 블랙매트릭스의 폭을, 그만큼 넓게 설계할 필요가 있다. 이 때문에, 블랙매트릭스를 생략함으로써, 액정패널의 개구율을 향상시킬 수 있다.

다음에, 화소전극과 대향전극을 보호성절연막위에 형성한 액티브매트릭스기판위에 배향막을 형성하고, 스페이서비이드를 개재해서 대향기판과 맞붙여서 액정셀을 구성한다. 이 셀에 소정의 액정조성물을 밀봉해서 액정표시장치를 얻을 수 있다.

얻게된 액정표시장치는, 구동전압을 작게 할 수 있으므로, 소비전력을 저감할 수 있다. 또, 본 발명의 액티브매트릭스기판을 사용함으로써, 임계치전압에 대한 액정선정의 자유도를 넓힐 수 있어, 응답성이 빠른 액정표시장치를 제작하는 일이 가능하게 된다.

또, 종래의 것에 비해서, 전압로스가 작으므로, 화소전극과 대향전극간 거리를 크게 하는 것도 가능하게 되어, 개구율을 향상시킬 수 있다. 이에 의해서, 밝은 표시를 얻을 수 있어, 백라이트의 소비전력을 작게 하는 것도 가능하다.

ITO막의 화소전극과 대향전극의 형성은, 종래의 단자부를 ITO막피복과 동일공정에서 성막, 가공할 수 있기 때문에, 종래와 거의 동일 공정수로 본 발명의 액티브매트릭스기판을 제작할 수 있으므로, 제조코스트의 상승도 거의 없다.

또, 본 발명의 액티브매트릭스기판의 사용에 의해, 액정에의 인가전계가 증대함으로, 사용하는 액정으로서, 보다 임계치가 큰 것을 선정 가능하게 된다. 즉, 임계치가 커도 응답성이 빠른 액정을 선정할 수 있으므로, 동화(動畵)특성이 양호한 액정표시장치를 얻을 수 있다.

또, 화소전극과 대향전극간 거리를 크게 하거나, 드레인 배선과 이에 인접한 대향전극에 중첩되도록 게이트전극과 동일 층의 금속막을 사용해서 차광층을 형성하고, 이 부분에 대응한 블랙매트릭스를 생략함으로써, 개구율을 향상하고, 밝은 표시를 얻을 수 있어, 백라이트의 소비전력을 작게 하는 일도 가능하다.

이하, 본 발명의 실시예를 도면에 의거해서 구체적으로 설명한다.

[실시예 1]

도 1에 본 발명의 액티브매트릭스기판의 화소부의 요부단면도, 도 2에 평면도를 표시한다.

투명기판(1)위에 스퍼터링법에 의해 Cr막을 200nm의 두께로 성막하였다. 이어서, 사진평판법에 의해 게이트배선(2), 공통배선(3)으로 가공하였다.

다음에 상기의 게이트배선(2), 공통배선(3)을 형성한 기판(1)을 플라즈마CVD장치 속에 설치하고, 게이트절연막(4)으로서 SiN막을 350nm, 반도체막(5)으로서 a-Si막을 200nm, 또 콘택트층(6)으로서 n(+)a-Si막을 30nm의 두께로 형성하였다.

원료가스로서, SiN막의 성막에는 SiH4, NH3, H2의 혼합가스, a-Si의 성막에는 SiH4, H2의 혼합가스, 또, n(+)a-Si의 성막에는 SiH4, H2의 혼합가스에 PH3를 첨가한 것을 각각 사용하였다.

이어서, 사진평판법에 의해 n(+)a-Si, A-Si를 섬형상으로 가공하여 TFT부를 형성하였다.

다음에, 스퍼터링법에 의해 Cr막을 200nm의 두께로 성막하고, 사진평판법에 의해, 드레인배선(7), 소스전극(8)으로 가공하였다. 그후, 채널부의 n(+)a-Si막을 드라이에칭에 의해 제거하였다. 그 위에 보호성절연막(9)(SiN)을 플라즈마CVD법에 의해 성막하였다.

또, 사진평판법으로 게이트절연막(4), 보호성절연막(9)의 SiN에, 소스전극 (8) 및 공통배선(3)에 도달하는 콘택트홀(10)을, 드레인배선단자부, 게이트배선단자부, 드레인배선단자부의 콘택트홀을 형성하였다.

또, DC마그네트론스퍼터링법에 의해 기판온도 220℃에서 결정질 ITO막을 200nm의 두께로 성막하였다. 사진평판법에 의해 ITO막을 가공하여, 화소전극(11) 및 대향전극(12), 드레인배선단자부, 게이트배선단자부, 드레인배선단자부를 형성하였다.

이상의 프로세스에 의해 형성한 화소전극(11) 및 대향전극(12)은, 각각 소스전극(8), 공통배선(3)에 전기적으로 접속되어 있다.

제작한 액티브매트릭스기판위에 액정의 배향막(폴리이미드막)을 형성하고, 스페이서(스페이서비이드사용)를 개재해서 대향기판과 맞붙이고, 액정조성물을 밀봉하여 액정표시장치를 얻었다.

상기 액정표시장치의 액정구동전압은, 도 3 및 도 4에 표시한 종래 구조의 액티브매트릭스기판을 사용한 것과 비교해서, 20%이상 저감할 수 있었다.

또, 화소전극(11) 및 대향전극(12)은, 모두 ITO막으로 형성되어 있으므로, 액정조성물 등에 의한 열악화도 거의 없다고 하는 뛰어난 효과를 가지고 있다.

[실시예 2]

도 5에 본 발명의 액티브매트릭스기판의 화소부의 요부단면도, 도 6에 평면도를 표시한다. 본 실시예에서는 게이트배선, 공통배선, 드레인배선, 소스전극을 Cr-Mo합금으로 형성하였다.

투명기판(1)위에 스퍼터링법에 의해 성막한 Cr-Mo합금막(막두께 200nm)의 응력을 낮게 억제하기 위하여, Mo는 30~50중량%로 하였다. 또, Cr-Mo합금은 나중에 형성하는 ITO막과의 콘택트저항을 낮게 할 수 있다.

이어서, 사진평판법에 의해 게이트배선(2), 공통배선(3)을 형성하였다. 이 때, 개구부의 공통배선은 나중에 형성하는 대향전극에 의해서 중첩되는 형상으로 가공하였다. 또 실시예 1과 마찬가지의 방법으로, 게이트절연막(4)으로서 SiN막, 반도체막(5)으로서 a-Si막, 또 콘택트층(6)으로서 n(+)a-Si막을 형성하였다.

다음에, 스퍼터링법에 의해 Cr-Mo막을 200nm의 두께로 성막하고, 사진평판법에 의해, 드레인배선(7), 소스전극(8)을 형성하였다. 이때, 소스전극(8)을 나중에 형성하는 화소전극(11)과 중첩하는 형상으로 가공하였다. 그후, n(+)a-Si막을 드라이에칭에 의해 제거하고, 사진평판법으로 a-Si막을 섬형상으로 가공해서 TFT부를 형성하였다.

이 위에 보호성절연막(9)(SiN)을 플라즈마CVD법에 의해 성막하였다. 또, 사진평판법으로 게이트절연막(4), 보호성절연막(9)의 SiN에, 소스전극 및 공통배선에 도달하는 콘택트홀(10)과, 드레인배선단자부, 게이트배선단자부 및 드레인배선단자부의 콘택트홀을 형성하였다.

또, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 ITO막을 200nm의 두께로 성막하고, 사진평판법에 의해 가공해서, 화소전극(11), 대향전극(12), 드레인배선단자부, 게이트배선단자부 및 드레인배선단자부의 피복막을 형성하였다.

이상의 프로세스에 의해 형성한 화소전극(11), 대향전극(12)은, 각각 소스전극(8), 공통배선(3)에 전기적으로 접속된다.

상기의 액티브매트릭스기판위에 배향막을 형성하고, 스페이서를 개재해서 대향기판과 맞붙이고, 액정조성물을 밀봉해서 액정표시장치를 얻었다.

상기 액정표시장치의 액정구동전압은, 도 3 및 도 4에 표시한 종래 구조의 액티브매트릭스기판을 사용한 것과 비교해서 20%이상 저감할 수 있었다.

[실시예 3]

도 7에 본 발명의 액티브매트릭스기판의 화소부 요부단면도, 도 8에 평면도를 표시한다.

실시예 1과 마찬가지의 방법으로 게이트배선(2), 공통배선(3), 게이트절연막 (4), TFT부, 드레인배선(7), 소스전극(8)을 형성하였다.

이 위에 보호성절연막(9)(SiN)을 플라즈마CVD법에 의해 성막하였다. 또, 사진평판법으로 게이트절연막(4), 보호성절연막(9)의 SiN막에, 소스전극(8) 및 공통배선(3)에 도달하는 콘택트홀(10), 드레인배선단자부, 게이트배선단자부 및 드레인배선단자부의 콘택트홀을 형성하였다. 또, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 ITO막을 200nm의 두께로 성막하였다. 사진평판법에 의해 가공해서, 화소전극(11), 대향전극(12), 드레인배선단자부, 게이트배선단자부 및 드레인배선단자부의 피복막을 형성하였다.

이때, 기판(1)의 뒷면으로부터 노광함으로써, 개구부에서 화소전극(11)과 대향전극(12)을 각각 소스전극(8), 공통배선(3)과 동일한 형상으로 가공하였다. 이에 의해 소스전극(8), 공통배선(3)과, 화소전극(11), 대향전극(12)의 마스크맞춤정밀도를 고려할 필요가 없기 때문에, 개구부의 소스전극(8) 및 공통배선(3)의 폭을 작게 할 수 있어, 개구율을 증대할 수 있다.

상기의 액티브매트릭스기판위에 배향막을 형성하고, 스페이스를 개재해서 대향기판에 맞붙여서, 액정조성물을 밀봉해서 액정표시장치를 얻었다.

상기 액정표시장치는 액정구동전압이 작고, 밝은 화상을 얻을 수 있었다.

[실시예 4]

도 9에 본 발명의 액티브매트릭스기판의 화소부의 요부단면도, 도 10에 평면도를 표시한다.

실시예 1과 마찬가지의 방법으로 투명기판(1)위에 게이트배선(2), 공통배선 (3), 게이트절연막(4), 반도체층(5), 콘택트층(6), 드레인배선(7), 소스전극(8)을 형성 가공하였다.

또, 보호성절연막(9), 콘택트홀(10), 대향전극(12)을 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 형성하였다. 이상의 프로세스에 의해, 대향전극(12)과 공통배선(3)은 전기적으로 접속되어 있다.

상기의 액티브매트릭스기판위에 배향막을 형성하고, 스페이서를 개재해서 대향기판과 맞붙이고, 액정조성물을 밀봉해서 액정표시장치를 얻었다.

상기 액정장치의 액정전압은, 도 3 및 도 4에 표시한 종래 구조의 액티브매트릭스기판을 사용한 것과 비교해서 10%이상 저감할 수 있었다.

본 실시예에서는, 대향전극만을 액정층과 직접 접하도록 하고, 소스전극은 금속으로 형성하고, 화소전극도 겸한다. 이 구성에 의해 관통구멍의 수가 적어서 된다.

[실시예 5]

도 11에 본 발명의 액티브매트릭스기판의 화소부의 요부단면도, 도 12에 평면도를 표시한다.

실시예 1과 마찬가지의 방법으로 투명기판(1)위에 게이트선(2), 공통배선 (3), 게이트절연막(4), 반도체층(5), 콘택트층(6), 드레인배선(7), 소스전극(8)을 형성 가공하였다.

또, 보호성절연막(9), 콘택트홀(10), 화소전극(11)을 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 형성하였다. 이상의 프로세스에 의해, 대향전극(12)과 공통배선(3)은 전기적으로 접속되어 있다.

상기의 액티브매트릭스기판위에 배향막을 형성하고, 스페이서를 개재해서 대향기판과 맞붙이고, 액정조성물을 밀봉해서 액정표시장치를 얻었다.

상기 액정장치의 액정전압은, 도 3 및 도 4에 표시한 종래구조의 액티브매트릭스기판을 사용한 것과 비교해서 10%이상 저감할 수 있었다.

본 실시예에서는, 대향전극을 공통배선과 동일한 프로세스에 의해 형성한다. 이 구성에 의해 광통구멍의 수가 적어서 된다.

[실시예 6]

도 13에 본 발명의 액티브매트릭스기판의 화소부의 요부단면도, 도 14에 평면도를 표시한다.

실시예 1과 마찬가지의 방법으로 투명기판(1)위에 게이트배선(2)을 형성하였다. 이때, 동시에 차광층(13)을, 나중에 형성하는 드레인배선(7)과 대향전극(12)과 중첩되도록 형성하였다. 이어서 실시예 1과 마찬가지의 방법으로, 공통배선(3), 게이트절연막(4), 반도체층(5), 콘택트층(6), 드레인배선(7), 소스전극(8)을 형성 가공하였다.

또, 보호성절연막(9), 콘택트홀(10), 대향전극(12)을 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 형성하였다. 이상의 프로세스에 의해, 대향전극(12)과 공통배선(3)은 전기적으로 접속되어 있다.

상기의 액티브매트릭스기판위에 배향막을 형성하고, 스페이서를 개재해서 대향기판과 맞붙이고, 액정조성물을 밀봉해서 액정표시장치를 얻었다.

상기 액정장치의 액정전압은, 도 3 및 도 4에 표시한 종래 구조의 액티브매트릭스기판을 사용한 것과 비교해서 10%이상 저감할 수 있었다. 또, 차광층(13)에 의해, 이 부분의 대향기판의 블랙매트릭스가 불필요하게 되어, 개구율을 향상할 수 있었다.

[실시예 7]

도 15에 본 발명의 액티브매트릭스기판의 화소부의 요부단면도, 도 16에 평면도를 표시한다.

실시예 1과 마찬가지의 방법으로 게이트선(2), 공통배선(3), 게이트절연막 (4), TFT부, 드레인배선(7), 소스전극(8)을 형성하였다.

이 위에 보호성절연막(9)(SiN)을 플라즈마 CVD법에 이해 성막하였다. 또, 사진평판법으로 게이트절연막(4), 보호성절연막(9)에, 소스전극(8) 및 공통배선(3)에 도달하는 콘택트홀(10), 드레인배선단자부, 게이트배선단자부 및 드레인배선단자부의 콘택트홀을 형성하였다.

또, 스퍼터링법에 의해 그래파이트막을 200nm의 두께로 성막하였다. 사진평판법에 의해 그래파이트막을 가공하고, 화소전극(11), 대향전극(12), 드레인배선단자부, 게이트배선단자부, 드레인배선단자부의 피복막을 형성하였다.

상기 액티브매트릭스기판위에 배향막을 형성하고, 스페이서를 개재해서 대향기판에 맞붙이고, 액정조성물을 밀봉해서 액정표시장치를 얻었다.

상기의 액정표시장치는 액정구동전압이 작고, 밝은 화상을 얻을 수 있었다.

[실시예 8]

실시예 3과 마찬가지의 방법으로, 도 17에 표시한 평면구조의 액티브매트릭스기판을 제작하였다.

실시예 3(도 8)에서는, 1화소내의 화소전극(11)이 3개, 대향전극(12)이 3개에 대해서, 본 실시예에서는, 화소전극(11)이 1개, 대향전극(12)이 2개이다. 본 실시예에서는, 실시예 3과 비교해서, 보다 높은 개구율을 얻을 수 있다.

상기의 액티브매트릭스기판위에 배향막을 형성하고, 스페이서를 개재해서 대향기판에 맞붙이고, 액정조성물을 밀봉하였다. 얻어진 액정표시장치는, 액정의 구동전압이 낮고, 휘도가 높은 화상을 얻을 수 있었다.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 가로전계방식의 액정표시장치의 구동전압을 저감할 수 있다. 또, 임계치전압이 높은 액정의 사용이 가능하게 되어, 응답성이 양호한 액정표시장치를 제공할 수 있다.

Claims (21)

1쌍의 기판과, 이 1쌍의 기판사이에 끼워 유지된 액정층을 가진 액정표시장치에 있어서, 상기 1쌍의 기판에는, 복수의 게이트배선과, 이들에게 매트릭스형상으로 교차하는 복수의 드레인배선과, 이들 배선의 각각의 교차점에 대응해서 형성된 복수의 박막트랜지스터와, 상기 복수의 게이트배선과 동일방향으로 뻗은 복수의 공통배선을 가지고, 상기 복수의 게이트배선 및 드레인배선에 의해 둘러싸이는 각각의 영역에 의해 적어도 1개의 화소가 구성되고, 각각의 화소에는 대응하는 공통배선에 접속되고 상기 드레인배선과 동일 방향으로 뻗은 대향전극과, 대응하는 박막트랜지스터에 접속되고 상기 대향전극과 동일방향으로 뻗은 화소전극을 가지고, 상기 대향전극은 산화물도전막 또는 그래파이트에 의해 구성되고, 상기 대향전극과 화소전극사이에 인가되는 전압에 의해, 상기 액정층에 전계를 발생시키고, 상기 대향전극은 상기 액정층에 직접 접해있던가, 또는 상기 대향전극을 배향막을 개재해서 상기 액정층에 접해있는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
제1항에 있어서, 상기 공통배선위에는 절연층이 형성되고, 상기 대향전극은 이 절연층에 형성되는 콘택트홀을 개재해서 상기 공통배선에 접속되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
제2항에 있어서, 상기 절연층은 제 1 및 제 2의 절연층으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
제3항에 있어서, 상기 제 1의 절연층은 상기 복수의 게이트배선 및 상기 복수의 공통배선위에 형성되고, 상기 제 2의 절연층은 상기 복수의 드레인배선 및 상기 복수의 박막트랜지스터위에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
제4항에 있어서, 상기 각각의 박막트랜지스터의 소스전극은 상기 제 1의 절연층위에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
제5항에 있어서, 상기 소스전극은 상기 화소전극을 겸하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치
제5항에 있어서, 상기 소스전극은, 상기 제2의 절연층에 형성된 콘택트홀에 개재해서 상기 화소전극에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
제7항에 있어서, 상기 화소전극은, 상기 액정층에 직접 접해있는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
제8항에 있어서, 상기 대향전극 및 상기 화소전극은 산화물도전막 또는 그래파이트로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
제1항에 있어서, 상기 대향전극은 산화물도전막 또는 그래파이트로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
제1항에 있어서, 상기 복수의 드레인배선 및 상기 복수의 게이트배선이 구동회로와 접속되는 드레인배선단자부 및 게이트배선단자부는 산화물 도전막 또는 그래파이트로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
1쌍의 기판과, 이 1쌍의 기판사이에 끼워 유지된 액정층을 가진 액정표시장치에 있어서, 상기 1쌍의 기판에는, 복수의 게이트배선과, 이들에게 매트릭스형상으로 교차하는 복수의 드레인배선과, 이들 배선의 각각의 교차점에 대응해서 형성된 복수의 박막트랜지스터와, 상기 복수의 게이트배선과 동일방향으로 뻗은 복수의 공통배선을 가지고, 상기 복수의 게이트배선 및 드레인배선에 의해 둘러싸이는 각각의 영역에 의해 적어도 1개의 화소가 구성되고, 각각의 화소에는 대응하는 공통배선에 접속되고 상기 드레인배선과 동일방향으로 뻗어 대응하는 드레인배선을 사이에 끼우도록 배치된 복수의 대향전극과, 대응하는 박막트랜지스터에 접속되고 상기 복수의 대향전극사이에 배치되어 상기 드레인배선과 동일방향으로 뻗은 화소전극을 가지고, 상기 복수의 게이트배선과 상기 복수의 공통배선은 동일 층에 형성되고, 이들 게이트배선 및 공통배선위에는 제 1의 절연층이 형성되고, 상기 제 1의 절연층 위에 상기 복수의 드레인배선이 형성되고, 상기 드레인배선위에 제 2의 절연층이 형성되고, 상기 대향전극은 상기 제 2의 절연층위에 형성되고, 상기 대향전극은 산화물도전막 또는 그래파이트에 의해 구성되고, 상기 대향전극은 상기 제 1 및 제 2의 절연층에 형성된 콘택트홀을 개재해서 상기 대응하는 공통배선에 접속되고, 상기 대향전극은 상기 액정층에 직접 접해있던가, 또는 상기 대향전극은 배향막을 개재해서 상기 액정층에 접해있는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
제12항에 있어서, 상기 각각의 박막트랜지스터의 소스전극은 상기 제 1의 절연층위에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
제13항에 있어서, 상기 소스전극은 상기 화소전극을 겸하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
제13항에 있어서, 상기 소스전극은, 상기 제 2의 절연층에 형성된 콘택트홀을 개재해서 상기 화소전극에 접속되고, 상기 화소전극은 상기 액정층에 직접 접해있는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
제12항에 있어서, 상기 드레인배선을 사이에 끼우도록 배치된 복수의 대향전극과 이 드레인배선 사이에는 차광층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
제12항에 있어서, 상기 공통배선은 상기 대향전극을 차광하는 차광층을 가진 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
제17항에 있어서, 상기 차광층의 형상은 상기 대향전극과 실질적으로 동일한 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
1쌍의 기판과, 이 1쌍으 기판사이에 끼워 유지된 액정층을 가진 액정표시장치에 있어서, 상기 1쌍의 기판에는, 복수의 게이트배선과, 이들에게 매트릭스형상으로 교차하는 복수의 드레인배선과, 이들 배선의 각각의 교차점에 대응해서 형성된 복수의 박막트랜지스터와, 상기 복수의 게이트배선과 동일방향으로 뻗은 복수의 공통배선을 가지고, 상기 복수의 게이트배선 및 드레인배선에 의해 둘러싸이는 각각의 영역에 의해 적어도 1개의 화소가 구성되고, 각각의 화소에는 대응하는 공통배선에 접속된 대향전극과, 대응하는 박막트랜지스터에 접속되고, 상기 드레인배선과 동일방향으로 뻗은 화소전극을 가지고, 이 화소전극은 산화물도전막 또는 그래파이트에 의해 구성되고, 상기 대향전극과 상기 화소전극 사이에 인가되는 전압에 의해 상기 액정층에 전계를 발생시키고, 상기 화소전극은 상기 액정층에 직접 접해 있던가, 또는 상기 화소전극은 배향막을 개재해서 상기 액정층에 접해 있는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
제19항에 있어서, 상기 공통배선상에는 절연막이 형성되고, 상기 화소전극은 상기 절연막의 콘택트홀을 개재해서 상기 박막트랜지스터와 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
제20항에 있어서, 상기 대향전극은 산화물도전막 또는 그래파이트에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
KR1019970037770A 1996-08-07 1997-08-07 액정표시장치 KR100270127B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP96-208438 1996-08-07
JP20843896A JP3148129B2 (ja) 1996-08-07 1996-08-07 アクティブマトリクス基板とその製法および液晶表示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19980018480A KR19980018480A (ko) 1998-06-05
KR100270127B1 true KR100270127B1 (ko) 2000-10-16

Family

ID=16556220

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970037770A KR100270127B1 (ko) 1996-08-07 1997-08-07 액정표시장치

Country Status (3)

Country Link
US (2) US5995187A (ko)
JP (1) JP3148129B2 (ko)
KR (1) KR100270127B1 (ko)

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6258308B1 (en) 1996-07-31 2001-07-10 Exxon Chemical Patents Inc. Process for adjusting WVTR and other properties of a polyolefin film
KR100257369B1 (ko) * 1997-05-19 2000-05-15 구본준 횡전계방식액정표시장치
US6972818B1 (en) * 1997-05-19 2005-12-06 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. In-plane switching mode liquid crystal display device
KR100477130B1 (ko) * 1997-09-25 2005-03-08 삼성전자주식회사 평면구동방식액정표시장치의박막트랜지스터기판및제조방법
US6337726B1 (en) 1998-02-24 2002-01-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Array substrate for liquid crystal display element
US6509939B1 (en) * 1998-07-07 2003-01-21 Lg. Philips Lcd Co., Ltd Hybrid switching mode liquid crystal display device and method of manufacturing thereof
US6281953B1 (en) * 1998-08-24 2001-08-28 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Liquid crystal display having high aperture ratio and high transmittance and method of manufacturing the same
DE69911446T2 (de) 1998-10-16 2004-07-01 Exxonmobil Chemical Patents Inc., Baytown Verfahren zur herstellung von mikroporösen, atmungsfähigen polyethylenfolien
US6287899B1 (en) * 1998-12-31 2001-09-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panels for a liquid crystal display and a method for manufacturing the same
KR100493869B1 (ko) * 1999-12-16 2005-06-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100322969B1 (ko) * 1999-12-22 2002-02-01 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 인-플레인 스위칭 모드 액정표시장치 및 그의 제조방법
JP2001194675A (ja) * 2000-01-12 2001-07-19 Hitachi Ltd 液晶表示装置
KR100709704B1 (ko) * 2000-05-12 2007-04-19 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR100620322B1 (ko) * 2000-07-10 2006-09-13 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계 방식의 액정 표시장치 및 그 제조방법
JP3695307B2 (ja) * 2000-10-25 2005-09-14 セイコーエプソン株式会社 配線基板、表示装置、半導体チップ及び電子機器
KR20020052562A (ko) * 2000-12-26 2002-07-04 구본준, 론 위라하디락사 횡전계방식 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100587217B1 (ko) * 2000-12-29 2006-06-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계 방식의 액정표시장치용 어레이기판 및 그제조방법
JP4831716B2 (ja) * 2001-03-15 2011-12-07 Nltテクノロジー株式会社 アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP2002296609A (ja) 2001-03-29 2002-10-09 Nec Corp 液晶表示装置及びその製造方法
JP2002311428A (ja) * 2001-04-11 2002-10-23 Hitachi Device Eng Co Ltd 液晶表示装置
KR20030016051A (ko) * 2001-08-20 2003-02-26 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
JP2003228081A (ja) 2002-01-31 2003-08-15 Nec Corp 液晶表示装置及びその製造方法
TW554539B (en) * 2002-09-09 2003-09-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd Thin film transistor source/drain structure and manufacturing method thereof
TWI283786B (en) * 2003-06-18 2007-07-11 Innolux Display Corp An active matrix liquid crystal display
JP2005352067A (ja) * 2004-06-09 2005-12-22 International Display Technology Kk 液晶ディスプレイ
GB2421833B (en) * 2004-12-31 2007-04-04 Lg Philips Lcd Co Ltd Liquid crystal display device and method for fabricating the same
JP5306765B2 (ja) * 2008-10-16 2013-10-02 株式会社ジャパンディスプレイウェスト 液晶表示装置及び電子機器
CN102544000A (zh) * 2012-03-13 2012-07-04 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及相应的显示面板
JP5941756B2 (ja) * 2012-06-06 2016-06-29 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
KR101967292B1 (ko) * 2017-05-23 2019-04-09 박홍주 스틱파우치용 정렬장치

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6321907B2 (ko) * 1979-12-25 1988-05-10 Citizen Watch Co Ltd
US5576867A (en) * 1990-01-09 1996-11-19 Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung Liquid crystal switching elements having a parallel electric field and βo which is not 0° or 90°
DE69333323D1 (de) * 1992-09-18 2004-01-08 Hitachi Ltd Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung
JP3963974B2 (ja) * 1995-12-20 2007-08-22 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶電気光学装置
KR100250796B1 (ko) * 1996-11-29 2000-04-01 김영환 액정 표시 소자 및 그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR19980018480A (ko) 1998-06-05
US6300995B1 (en) 2001-10-09
US5995187A (en) 1999-11-30
JPH1048670A (ja) 1998-02-20
JP3148129B2 (ja) 2001-03-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7929069B2 (en) Thin film transistor substrate for a liquid crystal display
US5781261A (en) Active matrix type LCD having light shield layers and counter electrodes made of the same material
KR100539336B1 (ko) 액정 표시 장치
US6091466A (en) Liquid crystal display with dummy drain electrode and method of manufacturing same
US6747712B2 (en) Fringe field switching liquid crystal display device and method for manufacturing the same
EP1398658B1 (en) Color active matrix type vertically aligned mode liquid cristal display and driving method thereof
US6028653A (en) Active matrix liquid crystal display panel having an improved numerical aperture and display reliability and wiring designing method therefor
US6704085B2 (en) Liquid crystal display apparatus having superimposed portion of common signal electrode, data signal wiring and scanning wiring via insulator
US7304708B2 (en) Liquid crystal display device and image display device
US6087678A (en) Thin-film transistor display devices having composite electrodes
JP4130490B2 (ja) 液晶表示装置
US5646705A (en) Electrode structure of liquid crystal display device and method of manufacturing the liquid crystal display device
US6078366A (en) Array substrate comprising semiconductor contact layers having same outline as signal lines
US7453541B2 (en) Liquid crystal display having particular electrodes and a spacer
JP2859093B2 (ja) 液晶表示装置
US20020067455A1 (en) In-plane switching mode liquid crystal display device
KR100713188B1 (ko) 액티브매트릭스 액정표시장치
JP2701698B2 (ja) 液晶表示装置
US7545463B2 (en) Liquid crystal display device and fabricating method thereof
JP4316381B2 (ja) 高開口率の液晶表示装置
US6873382B2 (en) Liquid crystal display device having array substrate of color filter on thin film transistor structure and manufacturing method thereof
US6088072A (en) Liquid crystal display having a bus line formed of two metal layers and method of manufacturing the same
US6449027B2 (en) In plane switching mode liquid crystal display device and method for manufacturing the same
US6614500B2 (en) Liquid crystal display having a dummy source pad and method for manufacturing the same
US6172733B1 (en) Liquid crystal display including conductive layer passing through multiple layers and method of manufacturing same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120629

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130705

Year of fee payment: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150626

Year of fee payment: 16

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160630

Year of fee payment: 17

LAPS Lapse due to unpaid annual fee