KR20130030649A - 액정표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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KR20130030649A
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오재영
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Abstract

본 발명은 액정표시장치 및 그 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 액정표시장치는, 기판; 상기 기판 상에 교차배열되어 복수개의 화소 영역을 정의하는 복수개의 게이트 라인과 데이터 라인; 상기 게이트 라인과 데이터 라인의 교차 영역에 배치된 박막 트랜지스터; 상기 복수개의 화소 영역에 각각 배치되어 있는 화소 전극; 및 상기 화소 영역의 사이의 데이터 라인 영역에 빛샘 방지를 위해 형성된 쉴드 패턴을 포함하고, 상기 쉴드패턴은 제1 차단패턴과 제2 차단패턴이 적층된 구조로 형성된 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 데이터 라인과 대응되는 화소 영역들 사이에 쉴드패턴을 형성하여 데이터 라인 영역에서 발생되는 빛샘 불량을 제거한 효과가 있다.

Description

액정표시장치 및 그 제조방법{Liquid Crystal Display Device and Method for fabricating the same}
본 발명은 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 현대사회가 정보 사회화로 변해 감에 따라 정보표시장치의 하나인 액정표시장치 모듈의 중요성이 점차로 증가 되고 있다. 지금까지 가장 널리 사용되고 있는 CRT(cathode ray tube)는 성능이나 가격적인 측면에서 많은 장점이 있지만, 소형화 또는 휴대성 측면에서 많은 단점이 있다.
이와 같이 CRT의 단점을 보완하기 위해서 경박단소, 고휘도, 대화면, 저소비전력 및 저가격화를 실현할 수 있는 액정표시장치가 개발되었다.
상기 액정표시장치(LCD: Liquid Crystal Display)는 표시 해상도가 다른 평판 표시장치보다 뛰어날 뿐만 아니라, 동화상을 구현할 때에도 그 품질이 브라운관에 비할 만큼 빠른 응답 특성이 있다.
상기와 같은 액정표시장치는 상부기판에 형성된 공통전극과, 하부기판에 형성된 화소 전극 사이에 전계를 형성하여, 기판 사이에 개재되어 있는 액정을 트위스트 시킴으로써, 화상을 디스플레이한다.
도 1은 종래 기술에 따른 액정표시장치의 화소 구조를 도시한 도면이다.
도 1을 참조하면, 게이트 라인(1)과 데이터 라인(3)이 교차되어 화소 영역을 정의하고, 그 교차 영역에는 스위칭 소자인 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor: 이하'TFT'라 함)가 배치되어 있다.
상기 화소 영역에는 데이터 라인(3)과 평행한 방향으로 제1 화소전극(9a)이 형성되어 있고, 제 1 화소전극(9a)은 인접한 게이트 라인(미도시)과 소정부분 오버랩되어 스토리지 커패시터를 형성한다. 따라서, 스토리지 커패시터 형성을 위하여 게이트 라인(1)과 제 1 화소전극(9a)은 스토리지 전극 역할을 한다.
상기 TFT는 게이트 전극(11)이 기판 상에 형성되고, 상기 게이트 전극(11) 상부에 액티브층(미도시)과 소스 전극(6) 및 드레인 전극(7)을 포함한다. 상기와 같은 구조를 갖는 액정표시장치의 TFT는 게이트 라인(1)을 통해 공급되는 구동신호에 의해 TFT가 턴온(Turn On) 되고, 이때 상기 데이터 라인(3)을 따라 인가된 데이터 신호가 소스전극(6)과 액티브층 및 드레인 전극(7)을 통해 제 1 화소전극(9a)으로 공급된다. 도면에 도시하였지만, 설명하지 않은 9b는 제 2 화소 전극으로 데이터 라인(3)을 사이에 두고 인접한 화소 영역에 형성된다.
상기 제 1 화소전극(9a)에 공급된 데이터 신호는 상부 기판 상에 형성되어 있는 공통전극과 전계를 발생시켜, 액정 분자들의 투과율을 조절함으로써 화상을 디스플레이한다.
도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선을 절단한 단면도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 제1 기판(10) 상에는 게이트 절연막(12)이 형성되어 있고, 상기 게이트 절연막(12) 상에는 데이터 라인(3)이 형성되어 있다. 상기 데이터 라인(3)을 사이에 두고 양측 화소 영역에는 각각 제1 및 제 2 화소 전극(9a, 9b)이 보호막(17) 상에 형성되어 있다.
상기 데이터 라인(3)과 대응되는 액정표시장치의 컬러필터기판은 제2 기판(20) 상에 적(R), 녹(G) 및 청(B) 색 컬러필터들이 형성된 컬러필터층(미도시)과 블랙매트릭스(25)를 포함한다.
도면에 도시된 바와 같이, 백라이트 광 중에서 화소 영역을 수직으로 투과하는 광은 디스플레이 광원으로 사용되지만, 상기 데이터 라인(3)과 제1 및 제2 화소 전극(9a, 9b) 사이의 비투과 영역에서는 백라이트 광은 차단되어야 한다. 하지만, 도면에서와 같이, 비투과 영역에 수직으로 진행하는 백라이트 광은 차단되지만, 소정의 경사 각도를 가지고 진행하는 광은 화소 영역의 가장자리를 따라 빛샘을 유발한다.
이와 같이, 상기 데이터 라인(3)과 화소 영역의 경계 사이에 빛샘 불량이 발생되면, 화면 품위가 떨어진다. 이를 방지하기 위해 비투과 영역과 대응되는 제2 기판(20)의 블랙매트릭스(25) 폭(W1)을 확장 형성한다.
하지만, 상기와 같이 데이터 라인(3) 영역과 대응되는 블랙매트릭스(25)의 폭을 확장 형성하면, 화소 개구율이 낮아지는 문제가 발생된다.
본 발명은, 데이터 라인과 대응되는 화소 영역들 사이에 쉴드패턴을 형성하여 데이터 라인 영역에서 발생되는 빛샘 불량을 제거한 액정표시장치 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은, 데이터 라인 영역에 제1 차단패턴과 제2 차단패턴이 적층된 쉴드패턴을 형성하여, 빛샘 방지 및 데이터 라인과의 쇼트 불량을 방지한 액정표시장치 및 그 제조방법을 제공하는데 다른 목적이 있다.
상기와 같은 종래 기술의 과제를 해결하기 위한 본 발명의 액정표시장치는, 기판; 상기 기판 상에 교차배열되어 복수개의 화소 영역을 정의하는 복수개의 게이트 라인과 데이터 라인; 상기 게이트 라인과 데이터 라인의 교차 영역에 배치된 박막 트랜지스터; 상기 복수개의 화소 영역에 각각 배치되어 있는 화소 전극; 및 상기 화소 영역의 사이의 데이터 라인 영역에 빛샘 방지를 위해 형성된 쉴드 패턴을 포함하고, 상기 쉴드패턴은 제1 차단패턴과 제2 차단패턴이 적층된 구조로 형성된 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 액정표시장치 제조방법은, 복수개의 화소 영역이 구획되는 기판을 제공하는 단계; 상기 기판 상에 제1 및 제2 금속막을 형성한 다음, 하프톤 마스크 또는 회절 마스크를 이용한 마스크 공정에 따라 게이트 전극, 게이트 라인, 데이터 라인이 형성될 영역과 대응되는 영역에 쉴드패턴을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극 등이 형성된 기판 상에 게이트 절연막, 채널층 및 소스ㆍ드레인 전극 및 데이터 라인을 형성하는 단계; 상기 소스ㆍ드레인 전극 등이 형성된 기판 상에 보호막을 형성한 다음, 상기 드레인 전극을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계; 및 상기 보호막이 형성된 기판 상에 투명금속막을 형성한 다음, 복수개의 화소 영역의 각각에 화소 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명은, 데이터 라인과 대응되는 화소 영역들 사이에 쉴드패턴을 형성하여 데이터 라인 영역에서 발생되는 빛샘 불량을 제거한 효과가 있다.
또한, 본 발명은, 데이터 라인 영역에 제1 차단패턴과 제2 차단패턴이 적층된 쉴드패턴을 형성하여, 빛샘 방지 및 데이터 라인과의 쇼트 불량을 방지한 효과가 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 액정표시장치의 화소 구조를 도시한 도면이다.
도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선을 절단한 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 액정표시장치의 화소 구조를 도시한 도면이다.
도 4는 상기 도 3의 Ⅱ-Ⅱ'선과 Ⅲ-Ⅲ'선을 절단한 단면도이다.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 쉴드패턴을 제조하는 공정을 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 데이터 라인 영역의 단면 구조를 도시한 도면이다.
이하, 본 발명의 실시예들은 도면을 참고하여 상세하게 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되어지는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고 도면들에 있어서, 장치의 크기 및 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 3은 본 발명에 따른 액정표시장치의 화소 구조를 도시한 도면이고, 도 4는 상기 도 3의 Ⅱ-Ⅱ'선과 Ⅲ-Ⅲ'선을 절단한 단면도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 게이트 라인(101)과 데이터 라인(103)이 교차되어 화소 영역을 정의하고, 그 교차 영역에는 스위칭 소자인 TFT가 배치되어 있다.
상기 화소 영역에는 데이터 라인(103)과 평행한 방향으로 제1 화소전극(109a)이 형성되어 있고, 제 1 화소전극(109a)은 인접한 화소 영역의 게이트 라인(미도시)과 소정부분 오버랩되어 스토리지 커패시터를 형성한다. 따라서, 스토리지 커패시터 형성을 위하여 게이트 라인(101)과 제 1 화소전극(109a)은 스토리지 전극 역할을 한다.
상기 TFT는 제1 기판(100) 상에 형성된 게이트 전극(111)과, 상기 게이트 전극(111) 상에는 게이트 절연막(112)을 사이에 두고 형성된 채널층(104)과, 상기 채널층(104) 상에는 형성된 소스/드레인 전극(117a, 117b)을 포함한다.
상기 제1 기판(100) 상에 형성되는 게이트 전극(111) 및 게이트 라인(101)은 이중층 금속패턴으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 쉴드패턴(200)의 제1 차단패턴(200a)과 제2 차단패턴(200b)의 물질과 동일한 물질로 형성될 수 있다.
또한, 상기 게이트 절연막(112)이 제1 기판(100) 상에 형성되면, 회절 마스크 또는 하프톤 마스크를 이용한 마스크 공정에 따라 채널층(104)과 소스/드레인 전극(117a, 117b) 및 데이터 라인(103)을 동시에 형성한다. 따라서, 상기 데이터 라인(103)의 하측에는 채널층패턴(103a)이 남는다.
상기 소스/드레인 전극(117a, 117b) 및 데이터 라인(103)은 알루미늄, 알루미늄 합금, 텅스텐, 구리,니켈, 크롬, 몰리브덴, 티타늄, 백금, 탄탈 등과 같은 저저항 불투명 도전물질을 사용할 수 있다. 또한, 인듐-틴-옥사이드, 인듐-징크-옥사이드와 같은 투명한 도전물질과 불투명 도전물질이 적층된 다층 구조로 형성할 수 있다.
상기 TFT가 제1 기판(100) 상에 형성되면, 보호막(118)을 제1 기판(100) 전면에 형성하고, 이후, 콘택홀 공정을 진행하여 상기 드레인 전극(117b)의 일부를 노출시킨다. 그런 다음, 투명 금속층을 제1 기판(100)의 전면에 형성한 후, 마스크 공정을 진행하여 상기 보호막(117) 상에 제 1 화소 전극(109a)을 형성한다.
상기 투명 금속층은 인듐-틴-옥사이드(Indium Tin Oxide; ITO), 인듐-징크-옥사이드(Indium Zinc Oxide; IZO) 중 어느 하나일 수 있다.
상기 제 1 화소 전극(109a)은 보호막(117) 상에 형성된 콘택홀을 통해 드레인 전극(117b)과 전기적으로 연결된다.
또한, 상기 게이트 전극(111)과 게이트 라인(101) 형성시에는 하프톤 마스크 또는 회절마스크를 이용한 마스크 공정에 의해 상기 데이터 라인(103)이 형성될 영역의 제 1 기판(100) 상에 쉴드패턴(200)을 형성한다. 상기 쉴드패턴(200) 형성 공정은 도 5a 내지 도 5d에서 상세히 설명한다.
도 4에 도시된 바와 같이, 상기 쉴드패턴(200) 상에는 게이트 절연막(112)과, 상기 쉴드패턴(200)과 대응되는 게이트 절연막(112) 상에는 데이터 라인(103)이 형성되어 있다. 상기 데이터 라인(103)의 양측에는 보호막(118) 상에 형성된 제 1 및 제 2 화소 전극(109a, 109b)이 각각 형성되어 있다.
상기 쉴드패턴(200)은 도 3에 도시된 바와 같이, 화소 영역들 사이의 데이터 라인(103)과 오버랩되도록 형성되며, 상기 제 1 및 제 2 화소 전극(109a, 109b)과도 일부가 오버랩되어 있다.
본 발명의 쉴드패턴(200)은 상기 데이터 라인(103), 제1 및 제 2 화소 전극(109a, 109b)과 각각 오버랩되고, 제1 차단패턴(200a)과 상기 제1 차단패턴(200a) 상에 형성된 제 2 차단패턴(200b)으로 구성된다.
상기 제1 차단패턴(200a)은 MoTi의 금속으로 형성되고, 제 2 차단패턴(200b)은 구리(Cu)로 형성될 수 있다.
또한, 본 발명의 쉴드패턴(200)은 제1 차단패턴(200a)의 양측 가장자리에 각각 제 2 차단패턴(200b)이 적층 형성된다. 즉, 상기 데이터 라인(103)과 중첩되는 영역에는 제1 차단패턴(200a) 만이 존재하고, 상기 제1 및 제2 화소 전극(109a, 109b)의 양측 가장자리와 오버랩되는 영역에는 제1 차단패턴(200a) 상에 제2 차단패턴(200b)이 적층되도록 패터닝한다.
이는 쉴드패턴(200)이 공정 중에 데이터 라인(103)과 전기적 쇼트되는 것을 방지하기 위함이다.
특히, 제2 차단패턴(200a)은 유기물이 잘 흡착되는 구리로 형성되기 때문에 데이터 라인(103)과의 사이에 정전기로 인한 쇼트불량이 발생되기 쉽다.
따라서, 본 발명의 쉴드패턴(200)에 형성되는 제2 차단패턴(200b)은 제 1 및 제 2 화소 전극(109a, 109b)의 양측 가장자리와 오버랩되고, 제 1 차단패턴(200a)은 데이터 라인(103)과 오버랩되는 영역에만 노출되어 있다.
즉, 상기 쉴드패턴(200)의 제1 차단패턴(200a) 상에는 게이트 절연막(112)과 데이터 라인(103)이 형성되어 이물질 또는 정전기에 의해 데이터 라인(103)과 쉴드패턴(200)이 쇼트 되지 않도록 하였다.
이와 같이, 본 발명에서는 쉴드패턴(200)의 구조를 제1 차단패턴(200a) 노출영역과, 제1 및 제2 차단패턴(200a, 200b) 적층 영역으로 구분하여 데이터 라인 영역에서의 빛샘 불량을 방지하면서, 데이터 라인과 쉴드패턴의 쇼트 되지 않도록 하였다.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 쉴드패턴을 제조하는 공정을 도시한 도면이다.
도 5a 내지 도 5d를 참조하면, 본 발명의 쉴드패턴의 형성 방법은, 기판(S) 상에 제1 금속막(201)과 제 2 금속막(202)을 순차적으로 적층 형성한다. 이때, 제 1 금속막(201)은 MoTi로 형성되고, 제 2 금속막(202)은 구리(Cu)로 형성된다.
상기와 같이, 기판(S) 상에 제1 및 제2 금속막(201, 202)이 형성되면, 기판(S) 상에 포토레지스트를 형성한 다음, 회절마스크 또는 하프톤마스크를 이용한 마스크 공정에 따라 서로 다른 두께의 제1 감광막 패턴(300)을 형성한다.
상기와 같이, 제1 감광막패턴(300)이 기판(S) 상에 형성되면, 이를 마스크로 하여 식각 공정을 진행하여, 제1 감광막패턴(300) 하측에 제1 및 제2 금속막패턴(201a, 202a)을 형성한다. 이때, 액정표시장치의 기판 상에는 게이트 전극과 게이트 라인이 형성된다.
그런 다음, 제 1 감광막패턴(300)에 대해 에싱(ashing) 공정을 진행하여, 상기 제 2 금속막패턴(202a) 상에 제2 감광막패턴(301)을 형성한다. 상기 제2 감광막패턴(301)은 상기 제2 금속막패턴(202a)의 양측 가장자리 영역에만 남아 있다.
상기와 같이, 제2 감광막패턴(301)이 형성되면, 이를 마스크로 하여 식각 공정을 진행하여 상기 제1 차단패턴(211)과 제2 차단패턴(212)으로 형성된 쉴드패턴(220)을 형성한다.
즉, 본 발명의 쉴드패턴(220)은 액정표시장치의 데이터 라인과 대응되는 영역에는 제1 차단패턴(211)이 기판(S)에 형성되고, 데이터 라인의 양측 화소 전극의 양측가장자리와 대응되는 영역에는 제1 차단패턴(211) 상에 제2 차단패턴(212)이 적층된 구조를 갖는다.
도 6은 본 발명의 데이터 라인 영역의 단면 구조를 도시한 도면이다.
도 6을 참조하면, 제1 기판(100) 상에는 제1 차단패턴(200a)과 제2 차단패턴(200b)으로 구성된 쉴드패턴(200)이 형성되어 있고, 상기 쉴드패턴(200) 상에는 게이트 절연막(112)을 사이에 두고 데이터 라인(103)이 형성되어 있다.
또한, 상기 데이터 라인(103)을 사이에 두고 양측 화소 영역에는 제1 및 제 2 화소 전극(109a, 109b)이 보호막(118) 상에 형성되어 있다.
본 발명에서는 데이터 라인(103)과 쉴드패턴(200)의 쇼트 불량을 방지하기 위해서, 데이터 라인(103)이 오버랩되는 영역에는 제1 차단패턴(200a) 상에 형성된 제2 차단패턴(200b)을 제거하였다. 즉, 상기 데이터 라인(103) 영역에서 쉴드패턴(200)의 제 1 차단패턴(200a)을 노출시켰다.
따라서, 쉴드패턴(200)의 제1 차단패턴(200a)과 데이터 라인(103)은 서로 오버랩되고, 상기 제2 차단패턴(200b)은 제 1 및 제 2 화소 전극(109a, 109b)의 양측 가장자리 영역과 오버랩된다.
상기와 같이, 데이터 라인(103)을 따라 빛샘 차단을 위해 쉴드패턴(200)을 형성하면, 제2 기판(120) 상에 형성되는 블랙매트릭스(BM)의 폭(W2)을 종전보다(W1)보다 줄 일수 있다. 이로 인하여, 화소 영역의 개구율을 향상시킬 수 있다.
본 발명은, 데이터 라인과 대응되는 화소 영역들 사이에 쉴드패턴을 형성하여 데이터 라인 영역에서 발생되는 빛샘 불량을 제거한 효과가 있다.
또한, 본 발명은, 데이터 라인 영역에 제1 차단패턴과 제2 차단패턴이 적층된 쉴드패턴을 형성하여, 빛샘 방지 및 데이터 라인과의 쇼트 불량을 방지한 효과가 있다.
100: 제1 기판 111: 게이트 전극
101: 게이트 라인 103: 데이터 라인
200: 쉴드패턴 200a: 제1 차단패턴
200b: 제2 차단패턴 109a: 제1 화소 전극
109b: 제2 화소 전극

Claims (11)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 교차배열되어 복수개의 화소 영역을 정의하는 복수개의 게이트 라인과 데이터 라인;
    상기 게이트 라인과 데이터 라인의 교차 영역에 배치된 박막 트랜지스터;
    상기 복수개의 화소 영역에 각각 배치되어 있는 화소 전극; 및
    상기 화소 영역의 사이의 데이터 라인 영역에 빛샘 방지를 위해 형성된 쉴드 패턴을 포함하고,
    상기 쉴드패턴은 제1 차단패턴과 제2 차단패턴이 적층된 구조로 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 데이터 라인과 대응되는 영역에는 상기 쉴드패턴의 제1 차단패턴이 노출되어 있는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 데이터 라인과 대응되는 영역은 상기 기판 상에 제1 차단패턴과, 상기 제1 차단패턴 상에 형성된 게이트 절연막과, 상기 게이트 절연막 상에 형성된 데이터 라인이 적층된 구조인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제2 차단패턴은 상기 제1 차단패턴의 양측 가장자리에 형성되어, 상기 데이터 라인을 중심으로 양측에 형성된 화소 전극들과 일부 오버랩되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1 차단패턴은 MoTi로 형성되고, 상기 제2 차단패턴은 Cu로 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  6. 복수개의 화소 영역이 구획되는 기판을 제공하는 단계;
    상기 기판 상에 제1 및 제2 금속막을 형성한 다음, 하프톤 마스크 또는 회절 마스크를 이용한 마스크 공정에 따라 게이트 전극, 게이트 라인, 데이터 라인이 형성될 영역과 대응되는 영역에 쉴드패턴을 형성하는 단계;
    상기 게이트 전극 등이 형성된 기판 상에 게이트 절연막, 채널층 및 소스ㆍ드레인 전극 및 데이터 라인을 형성하는 단계;
    상기 소스ㆍ드레인 전극 등이 형성된 기판 상에 보호막을 형성한 다음, 상기 드레인 전극을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계; 및
    상기 보호막이 형성된 기판 상에 투명금속막을 형성한 다음, 복수개의 화소 영역의 각각에 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치 제조방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 쉴드패턴을 형성하는 단계는,
    상기 제1 및 제2 금속막을 형성한 기판 상에 제 1 감광막패턴을 형성하고, 이를 마스크로 식각하여 제1 및 제2 금속패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 및 제2 금속패턴일 형성된 기판 상에 에싱 공정을 진행하여 제2 감광막패턴을 형성한 다음, 이를 마스크로 식각 공정을 하여 제1 차단패턴과 상기 제1 차단패턴의 양측 가장자리에 제2 차단패턴이 형성된 쉴드 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 데이터 라인과 대응되는 영역에는 상기 쉴드패턴의 제1 차단패턴이 노출되어 있는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 데이터 라인과 대응되는 영역은 상기 기판 상에 제1 차단패턴과, 상기 제1 차단패턴 상에 형성된 게이트 절연막과, 상기 게이트 절연막 상에 형성된 데이터 라인이 적층된 구조인 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.
  10. 제7항에 있어서, 상기 제2 차단패턴은 상기 데이터 라인을 중심으로 양측에 형성된 화소 전극들과 일부 오버랩되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.
  11. 제6항에 있어서, 상기 제1 금속막은 MoTi로 형성되고, 상기 제2 금속막은 Cu로 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.
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