JP3729071B2 - 電気光学装置及びプロジェクタ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、アクティブマトリクス駆動方式の電気光学装置の技術分野に属し、特に画素スイッチング用の薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor:以下適宜、TFTと称す)を、基板上の積層構造中に備えた形式の電気光学装置の技術分野に属する。
【0002】
【背景技術】
TFTアクティブマトリクス駆動形式の電気光学装置では、各画素に設けられた画素スイッチング用TFTのチャネル領域に入射光が照射されると光による励起で光リーク電流が発生してTFTの特性が変化する。特に、プロジェクタのライトバルブ用の電気光学装置の場合には、入射光の強度が高いため、TFTのチャネル領域やその周辺領域に対する入射光の遮光を行うことは重要となる。そこで従来は、対向基板に設けられた各画素の開口領域を規定する遮光膜により、或いはTFTアレイ基板上においてTFTの上を通過すると共にAl(アルミニウム)等の金属膜からなるデータ線により、係るチャネル領域やその周辺領域を遮光するように構成されている。更に、TFTアレイ基板上のTFTの下側に対向する位置にも、例えば高融点金属からなる遮光膜を設けることがある。このようにTFTの下側にも遮光膜を設ければ、TFTアレイ基板側からの裏面反射光や、複数の電気光学装置をプリズム等を介して組み合わせて一つの光学系を構成する場合に他の電気光学装置からプリズム等を突き抜けてくる投射光などの戻り光が、当該電気光学装置のTFTに入射するのを未然に防ぐことができる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した各種遮光技術によれば、以下の問題点がある。
【0004】
即ち、先ず対向基板上やTFTアレイ基板上に遮光膜を形成する技術によれば、遮光膜とチャネル領域との間は、3次元的に見て例えば液晶層、電極、層間絶縁膜等を介してかなり離間しており、両者間へ斜めに入射する光に対する遮光が十分ではない。特にプロジェクタのライトバルブとして用いられる小型の電気光学装置においては、入射光は光源からの光をレンズで絞った光束であり、斜めに入射する成分を無視し得ない程に(例えば、基板に垂直な方向から10度から15度程度傾いた成分を10%程度)含んでいるので、このような斜めの入射光に対する遮光が十分でないことは実践上問題となる。
【0005】
加えて、遮光膜のない領域から電気光学装置内に侵入した光が、基板の上面或いは基板の上面に形成された遮光膜の上面やデータ線の下面(即ち、チャネル領域に面する側の内面)で反射された後に、係る反射光或いはこれが更に基板の上面或いは遮光膜やデータ線の内面で反射された多重反射光が最終的にTFTのチャネル領域に到達してしまう場合もある。
【0006】
特に近年の表示画像の高品位化という一般的要請に沿うべく電気光学装置の高精細化或いは画素ピッチの微細化を図るに連れて、更に明るい画像を表示すべく入射光の光強度を高めるに連れて、上述した従来の各種遮光技術によれば、十分な遮光を施すのがより困難となり、TFTのトランジスタ特性の変化により、フリッカ等が生じて、表示画像の品位が低下してしまうという問題点がある。
【0007】
尚、このような耐光性を高めるためには、遮光膜の形成領域を広げればよいようにも考えられるが、遮光膜の形成領域を広げてしまったのでは、表示画像の明るさを向上させるべく各画素の開口率を高めることが根本的に困難になるという問題点が生じる。更に上述の如く遮光膜(即ち、TFTの下側の遮光膜やデータ線等からなるTFTの上側の遮光膜等)の存在により、斜め光に起因した内面反射や多重反射光が発生することに鑑みればむやみに遮光膜の形成領域を広げたのでは、このような内面反射光や多重反射光の増大を招くという解決困難な問題点もある。
【0008】
本発明は上述の問題点に鑑みなされたものであり、耐光性に優れており、明るく高品位の画像表示が可能な電気光学装置を提供することを課題とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明の第1電気光学装置は上記課題を解決するために、一対の第1及び第2基板間に電気光学物質が挟持されてなり、前記第1基板上に、画素電極と、該画素電極に接続された薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続されており前記薄膜トランジスタの上側に配置されると共に前記薄膜トランジスタのチャネル隣接領域、ソース領域及びドレイン領域のうち少なくとも一つに対向する領域に一の窓が開けられた配線と、前記薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を下側から覆う下側遮光膜とを備えており、前記第2基板上に、前記一の窓を上側から覆う第1遮光膜を備えており、前記第1遮光膜及び前記配線のうち少なくとも一方は、前記薄膜トランジスタの少なくとも前記チャネル領域を上側から覆う。
【0010】
本発明の第1電気光学装置によれば、画素電極をこれに接続された薄膜トランジスタによりスイッチング制御することにより、アクティブマトリクス駆動方式による駆動を行なえる。そして、第2基板を介して入射される第1基板の上方からの入射光に対し、薄膜トランジスタのチャネル領域については、第1遮光膜や、例えばAl等の金属からなる配線により遮光を行なう。同じく第1基板の上方からの入射光に対し、チャネル隣接領域、ソース領域及びドレイン領域のうち窓に対向するものについては、窓を覆う第1遮光膜により遮光を行ない、窓に対向しないものについては、配線若しくは配線及び第1遮光膜により遮光を行なう。これらの結果、配線に窓が開けられていても、上方から入射光が薄膜トランジスタのチャネル領域に入射し、光電効果により薄膜トランジスタで光リーク電流が生じて、そのトランジスタ特性が変化してしまう事態を基本的に防止できる。他方、第1基板の裏面反射光等の戻り光に対し、薄膜トランジスタのチャネル領域については、下側遮光膜により遮光を行なう。ここで一般には、基板面に対して斜めに進行する入射光及び戻り光、並びにこれらに基づく内面反射光及び多重反射光などの斜めの光の一部は、チャネル領域に面する側の配線の表面(即ち、第1基板上における配線の下側表面)で反射して最終的にチャネル領域に到達しようとする。しかるに本発明では特に、配線には窓が開口されているので、係る光は、少なくとも部分的にこの窓を介してチャネル領域側から第2基板側に抜けて行く分だけ減衰される。通常は遮光膜として利用される配線の形成面積を広げて遮光性能を向上させるのではなく、該配線に窓を開口することで、斜めの戻り光、内面反射光、多重反射光等に対する遮光性能を高める点で本発明は画期的である。このように、遮光膜を広げることによる有害な内面反射光の増加を回避でき、更に遮光膜を広げることによる各画素の開口領域の減少を回避できるので、本発明は大変有利である。
【0011】
以上の結果、本発明の第1電気光学装置によれば、耐光性を高めることが可能となり、強力な入射光や戻り光が入射するような過酷な条件下にあっても光リーク電流の低減された薄膜トランジスタにより画素電極を良好にスイッチング制御でき、最終的には本発明により、明るく高コントラストの画像を表示可能となる。
【0012】
尚、本発明の第1電気光学装置においては、上述の如く窓が開口されているため、配線は、例えばAl等の金属膜から形成され高反射率であってもよい。
【0013】
本発明の第2電気光学装置は上記課題を解決するために、一対の第1及び第2基板間に電気光学物質が挟持されてなり、前記第1基板上に、画素電極と、該画素電極に接続された薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続された配線と、前記薄膜トランジスタの上側に配置されており各画素の非開口領域を少なくとも部分的に規定すると共に前記薄膜トランジスタのチャネル隣接領域、ソース領域及びドレイン領域のうち少なくとも一つに対向する領域に一の窓が開けられた内蔵遮光膜と、前記薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を下側から覆う下側遮光膜とを備えており、前記第2基板上に、前記一の窓を上側から覆う第1遮光膜を備えており、前記第1遮光膜及び前記内蔵遮光膜のうち少なくとも一方は、前記薄膜トランジスタの少なくとも前記チャネル領域を上側から覆う。
【0014】
本発明の第2電気光学装置によれば、画素電極をこれに接続された薄膜トランジスタによりスイッチング制御することにより、アクティブマトリクス駆動方式による駆動を行なえる。そして、第2基板を介して入射される第1基板の上方からの入射光に対し、薄膜トランジスタのチャネル領域については、第1遮光膜や内蔵遮光膜により遮光を行なう。同じく第1基板の上方からの入射光に対し、チャネル隣接領域、ソース領域及びドレイン領域のうち窓に対向するものについては、窓を覆う第1遮光膜により遮光を行ない、窓に対向しないものについては、内蔵遮光膜若しくは内蔵遮光膜及び第1遮光膜により遮光を行なう。これらの結果、内蔵遮光膜に窓が開けられていても、上方から入射光が薄膜トランジスタのチャネル領域に入射し、光電効果により薄膜トランジスタで光リーク電流が生じて、そのトランジスタ特性が変化してしまう事態を基本的に防止できる。他方、戻り光に対し、薄膜トランジスタのチャネル領域については、下側遮光膜により遮光を行なう。ここで一般には、基板面に対して斜めに進行する入射光及び戻り光、並びにこれらに基づく内面反射光及び多重反射光などの斜めの光の一部は、チャネル領域に面する側の内蔵遮光膜の表面(即ち、第1基板上における内蔵遮光膜の下側表面)で反射して最終的にチャネル領域に到達しようとする。しかるに本発明では特に、内蔵遮光膜には窓が開口されているので、係る光は、少なくとも部分的にこの窓を介してチャネル領域側から第2基板側に抜けて行く分だけ減衰される。内蔵遮光膜の形成面積を広げて遮光性能を向上させるのではなく、内蔵遮光膜に窓を開口することで、斜めの戻り光、内面反射光、多重反射光等に対する遮光性能を高める点で本発明は画期的である。このように、内蔵遮光膜を広げることによる有害な内面反射光の増加を回避でき、更に内蔵遮光膜を広げることによる各画素の開口領域の減少を回避できるので、本発明は大変有利である。
【0015】
以上の結果、本発明の第2電気光学装置によれば、耐光性を高めることが可能となり、強力な入射光や戻り光が入射するような過酷な条件下にあっても光リーク電流の低減された薄膜トランジスタにより画素電極を良好にスイッチング制御でき、最終的には本発明により、明るく高コントラストの画像を表示可能となる。
【0016】
本発明の第2電気光学装置の一態様では、前記配線は、前記薄膜トランジスタの上側に配置されており、前記配線には、平面的に見て前記窓に重なる領域に他の窓が開けられている。
【0017】
この態様によれば、基板面に対して斜めに進行する入射光及び戻り光、並びにこれらに基づく内面反射光及び多重反射光などの斜めの光の一部は、内蔵遮光膜の窓及び配線の窓を介してチャネル領域側から第2基板側に抜けて行く。従って、その分だけ、最終的にチャネル領域に到達する内面反射光等の光を低減できる。
【0018】
この態様では、前記一及び他の窓のうち上側に位置する方が下側に位置する方より大きいように構成してもよい。
【0019】
このように構成すれば、下側の窓を介してチャネル領域側から第2基板側に抜けた光の殆ど全部は、更に上側の窓を介してチャネル領域側から第2基板側に抜けて行く。従って、その分だけ、最終的にチャネル領域に到達する内面反射光等の光を低減できる。
【0020】
本発明の第2電気光学装置の他の態様では、前記内蔵遮光膜及び前記第1遮光膜は夫々、複数の帯状部分を含んでなり、前記第1遮光膜を構成する帯状部分の幅は、前記内蔵遮光膜を構成する帯状部分の幅よりも狭い。
【0021】
この態様によれば、第2基板上に設けられた第1遮光膜の帯状部分は、第1基板上に設けられた内蔵遮光膜の帯状部分より幅狭であるので、各画素の開口領域は、薄膜トランジスタと同じく第1基板上に設けられた内蔵遮光膜により規定される。従って、第1基板と第2基板との貼り合わせ精度が低くても幅狭の第1遮光膜により各画素の開口領域を狭めないで済む構成が容易に得られる。即ち、第1遮光膜は、最低限で窓を覆える大きさだけ形成すれば足りる。逆に、薄膜トランジスタや配線等に対する内蔵遮光膜の配置精度は、同一基板上なので容易に高めることができる。これらの結果、最終的には各画素の開口率を高めることが可能となる。
【0022】
尚、内蔵遮光膜及び第1遮光膜は夫々、複数の帯状部分が交差してなる格子状に形成されてもよいし、連続して伸びる帯状に形成されてもよい。或いは、島状に分断されて伸びる帯状に形成されてもよい。
【0023】
本発明の第2電気光学装置の他の態様では、前記内蔵遮光膜は、前記画素電極に付加される蓄積容量を構成する容量電極又は容量線としても機能する。
【0024】
この態様によれば、第1基板上に、内蔵遮光膜からなる容量電極又は容量線を備えた蓄積容量を構築できる。従って、このような容量電極又は容量線を、専用の導電膜から形成する場合と比較して、第1基板上の積層構造及び製造プロセスの単純化を図れると共に、限られた基板上領域に、より大きな蓄積容量を構築可能となる。
【0025】
本発明の第2電気光学装置の他の態様では、前記内蔵遮光膜は、前記第1基板上で前記窓から遠ざかるに連れて低くなるように傾斜する部分を含む。
【0026】
この態様によれば、内蔵遮光膜における窓から遠ざかるに連れて低くなるように傾斜する部分によって、上方から入射した光は、窓を中央として拡散される傾向で反射される。他方、下方から入射した光は、窓内に導かれる傾向で反射される。従って、斜めの戻り光、内面反射光、多重反射光等が、内蔵遮光膜の上面や下面での反射を経て最終的にチャネル領域に到達する割合を低減できる。即ち、遮光性能を一層高めることが可能となる。
【0027】
本発明の第1又は第2電気光学装置の他の態様では、前記第1遮光膜は、前記配線に沿って伸びる複数の帯状部分を含んでなり、前記帯状部分の幅は、前記配線の幅よりも狭い。
【0028】
この態様によれば、第2基板上に設けられた第1遮光膜の帯状部分は、第1基板上に設けられた配線より幅狭であるので、各画素の開口領域は、薄膜トランジスタと同じく第1基板上に設けられており、例えばAl等の金属からなる配線により規定可能となる。従って、第1基板と第2基板との貼り合わせ精度が低くても幅狭の第1遮光膜により各画素の開口領域を狭めないで済む構成が容易に得られる。即ち、第1遮光膜は、最低限で窓を覆える大きさだけ形成すれば足りる。逆に、薄膜トランジスタ等に対する配線の配置精度は、同一基板上なので容易に高めることができる。これらの結果、最終的には各画素の開口率を高めることが可能となる。
【0029】
本発明の第1又は第2電気光学装置の他の態様では、前記配線は、前記第1基板上で前記窓から遠ざかるに連れて低くなるように傾斜する部分を含む。
【0030】
この態様によれば、例えばAl等の金属からなる配線における窓から遠ざかるに連れて低くなるように傾斜する部分によって、上方から入射した光は、窓を中央として拡散される傾向で反射される。他方、下方から入射した光は、窓内に導かれる傾向で反射される。従って、斜めの戻り光、内面反射光、多重反射光等が、配線の上面や下面での反射を経て最終的にチャネル領域に到達する割合を低減できる。即ち、遮光性能を一層高めることが可能となる。
【0031】
本発明の第1又は第2電気光学装置の他の態様では、前記チャネル隣接領域は、LDD領域又はオフセット領域である。
【0032】
この態様によれば、LDD型やオフセット型の薄膜トランジスタに対して、そのチャネル隣接領域等に対向する領域における配線や内蔵遮光膜に窓を開けることにより、遮光性能を高めることができる。
【0033】
本発明の第1又は第2電気光学装置の他の態様では、前記ソース領域の一部及び前記ドレイン領域の一部は夫々、コンタクトホール開孔領域とされており、前記窓は、該コンタクトホール開孔領域にも開けられている。
【0034】
この態様によれば、一般にコンタクトホールの存在により遮光性能が低下しやすいにも拘わらず、コンタクトホール開孔領域に対向する領域における配線や内蔵遮光膜に窓を開けることにより、即ち、光がコンタクトホール開孔領域付近で窓を介してチャネル領域側から第2基板側に抜けて行く構成を採ることにより、薄膜トランジスタに対する遮光性能を高めることができる。
【0035】
本発明の第1又は第2電気光学装置の他の態様では、前記窓は、前記チャネル領域に対向する領域にも開けられている。
【0036】
この態様によれば、チャネル領域に対向する領域における配線や内蔵遮光膜に窓を開けることにより、即ち、光がチャネル領域付近で窓を介してチャネル領域側から第2基板側に抜けて行く構成を採ることにより、薄膜トランジスタに対する遮光性能を高めることができる。
【0037】
或いは本発明の第1又は第2電気光学装置の他の態様では、前記窓は、前記チャネル領域に対向する領域には開けられておらず、前記チャネル領域の上側にゲート絶縁膜を介してゲート電極が配置されている。
【0038】
この態様によれば、チャネル領域に対向する領域における配線や内蔵遮光膜に窓を開けることなく、チャネル隣接領域、ソース領域及びドレイン領域のうち少なくとも一つに対向する領域における配線や内蔵遮光膜に窓を開けることにより、薄膜トランジスタに対する遮光性能を高めることができる。そして、チャネル領域の上側にはゲート電極が配置されているので、最終的に上方からチャネル領域に入射しようとする光をゲート電極により低減できるので、或いはチャネル領域の上方を斜めに通過する光を低減できるので、遮光性能を一層高めることができる。
【0039】
本発明の第1又は第2電気光学装置の他の態様では、前記第1遮光膜は、前記第1基板に対面する側に配置された光吸収層を含む多層膜からなる。
【0040】
この態様によれば、窓を介してチャネル領域側から第2基板側に抜けて行く光の少なくとも一部は、第1遮光膜に至るが、係る光は、光吸収層により吸収される。従って、この光が第1遮光膜で反射して再びチャネル領域に到達したとしても、その光量を顕著に減衰できる。この結果、薄膜トランジスタにおける遮光性能を一層高めることができる。
【0041】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【0042】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。
【0043】
(第1実施形態)
先ず本発明の第1実施形態における電気光学装置の画素部における構成について、図1から図3を参照して説明する。図1は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。図2は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたTFTアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。図3は、図2のA−A’断面図である。尚、図3においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【0044】
図1において、本実施形態における電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素には夫々、画素電極9aと当該画素電極9aをスイッチング制御するためのTFT30とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線6aが当該TFT30のソースに電気的に接続されている。データ線6aに書き込む画像信号S1、S2、…、Snは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線6a同士に対して、グループ毎に供給するようにしても良い。また、TFT30のゲートに走査線3aが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線3aにパルス的に走査信号G1、G2、…、Gmを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極9aは、TFT30のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるTFT30を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線6aから供給される画像信号S1、S2、…、Snを所定のタイミングで書き込む。画素電極9aを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号S1、S2、…、Snは、後述する対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストを持つ光が出射する。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極9aと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量70を付加する。
【0045】
図2において、電気光学装置のTFTアレイ基板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極9a(点線部9a’により輪郭が示されている)が設けられており、画素電極9aの縦横の境界に各々沿ってデータ線6a及び走査線3aが設けられている。
【0046】
また、半導体層1aのうち図中右上がりの細かい斜線領域で示したチャネル領域1a’に対向するように走査線3aが配置されており、走査線3aはゲート電極として機能する。本実施形態では、走査線3aは、当該ゲート電極となる部分において幅広に形成されている。このように、走査線3aとデータ線6aとの交差する個所には夫々、チャネル領域1a’に走査線3aがゲート電極として対向配置された画素スイッチング用のTFT30が設けられている。
【0047】
図2及び図3に示すように、蓄積容量70は、TFT30の高濃度ドレイン領域1e及び画素電極9aに接続された画素電位側容量電極としての中継層71と、固定電位側容量電極としての容量線300の一部とが、誘電体膜75を介して対向配置されることにより形成されている。
【0048】
本実施形態では特に、中継層71、誘電体膜75及び容量線300からなる蓄積容量70には、チャネル領域1a’及びその隣接領域に対向する位置に、図2中粗い右下りの斜線領域で示した窓401aがTFT30毎に開けられている。そして、データ線6aには、この窓401aよりも一回り大きい窓401bが開けられている。これらの窓401a及び401bによる遮光機能については、後に詳述する。
【0049】
容量線300は、例えば金属又は合金を含む導電性の遮光膜からなり内蔵遮光膜の一例を構成すると共に固定電位側容量電極としても機能する。容量線300は、例えば、Ti(チタン)、Cr(クロム)、W(タングステン)、Ta(タンタル)、Mo(モリブデン)、Pb(鉛)等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。但し、容量線300は、例えば導電性のポリシリコン膜等からなる第1膜と高融点金属を含む金属シリサイド膜等からなる第2膜とが積層された多層構造を持ってもよい。
【0050】
中継層71は、例えば導電性のポリシリコン膜からなり画素電位側容量電極として機能する。中継層71は、画素電位側容量電極としての機能の他、内蔵遮光膜としての容量線300とTFT30との間に配置される光吸収層としての機能を持ち、更に、画素電極9aとTFT30の高濃度ドレイン領域1eとを中継接続する機能を持つ。但し、中継層71も、容量線300と同様に、金属又は合金を含む単一層膜若しくは多層膜から構成してもよい。
【0051】
容量線300は平面的に見て、走査線3aに沿ってストライプ状に伸びており、TFT30に重なる個所が図2中上下に突出している。そして、図2中縦方向に夫々伸びるデータ線6aと図2中横方向に夫々伸びる容量線300とが相交差して形成されることにより、TFTアレイ基板10上におけるTFT30の上側に、平面的に見て格子状の内蔵遮光膜が構成されており、各画素の開口領域を規定している。
【0052】
図2及び図3に示すように、TFTアレイ基板10上におけるTFT30の下側には、下側遮光膜11aが格子状に設けられている。
【0053】
下側遮光膜11aは、前述の如く内蔵遮光膜の一例を構成する容量線300と同様に、例えば、Ti、Cr、W、Ta、Mo、Pb等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。
【0054】
また図3において、容量電極としての中継層71と容量線300との間に配置される誘電体膜75は、例えば膜厚5〜200nm程度の比較的薄いHTO(High Temperature Oxide)膜、LTO(Low Temperature Oxide)膜等の酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコン膜等から構成される。蓄積容量70を増大させる観点からは、膜の信頼性が十分に得られる限りにおいて、誘電体膜75は薄い程良い。
【0055】
また容量線300は、画素電極9aが配置された画像表示領域からその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されて、固定電位とされる。係る定電位源としては、TFT30を駆動するための走査信号を走査線3aに供給するための後述の走査線駆動回路や画像信号をデータ線6aに供給するサンプリング回路を制御する後述のデータ線駆動回路に供給される正電源や負電源の定電位源でもよいし、対向基板20の対向電極21に供給される定電位でも構わない。更に、下側遮光膜11aについても、その電位変動がTFT30に対して悪影響を及ぼすことを避けるために、容量線300と同様に、画像表示領域からその周囲に延設して定電位源に接続するとよい。
【0056】
画素電極9aは、中継層71を中継することにより、コンタクトホール83及び85を介して半導体層1aのうち高濃度ドレイン領域1eに電気的に接続されている。即ち、本実施形態では、中継層71は、蓄積容量70の画素電位側容量電極としての機能及び光吸収層としての機能に加えて、画素電極9aをTFT30へ中継接続する機能を果たす。このように中継層71を利用すれば、層間距離が例えば2000nm程度に長くても、両者間を一つのコンタクトホールで接続する技術的困難性を回避しつつ比較的小径の二つ以上の直列なコンタクトホールで両者間を良好に接続でき、画素開口率を高めること可能となり、コンタクトホール開孔時におけるエッチングの突き抜け防止にも役立つ。
【0057】
図2及び図3において、電気光学装置は、透明なTFTアレイ基板10と、これに対向配置される透明な対向基板20とを備えている。TFTアレイ基板10は、例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなり、対向基板20は、例えばガラス基板や石英基板からなる。
【0058】
図3に示すように、TFTアレイ基板10には、画素電極9aが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜16が設けられている。画素電極9aは例えば、ITO(Indium Tin Oxide)膜などの透明導電性膜からなる。また配向膜16は例えば、ポリイミド膜などの有機膜からなる。
【0059】
他方、対向基板20には、その全面に渡って対向電極21が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜22が設けられている。対向電極21は例えば、ITO膜などの透明導電性膜からなる。また配向膜22は、ポリイミド膜などの有機膜からなる。
【0060】
本実施形態では特に、図2では省略しているが、対向基板20上には、第1遮光膜23がデータ線6a及び走査線3aに沿って格子状に形成されている。但し、窓401a及び401bを覆う限りにおいて、第1遮光膜23は、ストライプ状や島状でもよい。
【0061】
このような構成を採ることで、前述の如く内蔵遮光膜を構成する容量線300及びデータ線6aと共に当該対向基板20上の第1遮光膜23により、対向基板20側からの入射光がチャネル領域1a’や低濃度ソース領域1b及び低濃度ドレイン領域1cに侵入するのを、阻止できる。
【0062】
このように構成された、画素電極9aと対向電極21とが対面するように配置されたTFTアレイ基板10と対向基板20との間には、後述のシール材により囲まれた空間に電気光学物質の一例である液晶が封入され、液晶層50が形成される。液晶層50は、画素電極9aからの電界が印加されていない状態で配向膜16及び22により所定の配向状態をとる。液晶層50は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなる。シール材は、TFTアレイ基板10及び対向基板20をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のギャップ材が混入されている。
【0063】
更に、画素スイッチング用TFT30の下には、下地絶縁膜12が設けられている。下地絶縁膜12は、下側遮光膜11aからTFT30を層間絶縁する機能の他、TFTアレイ基板10の全面に形成されることにより、TFTアレイ基板10の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用TFT30の特性の劣化を防止する機能を有する。
【0064】
図3において、画素スイッチング用TFT30は、LDD(Lightly Doped Drain)構造を有しており、走査線3a、当該走査線3aからの電界によりチャネルが形成される半導体層1aのチャネル領域1a’、走査線3aと半導体層1aとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜2、半導体層1aの低濃度ソース領域1b及び低濃度ドレイン領域1c、半導体層1aの高濃度ソース領域1d並びに高濃度ドレイン領域1eを備えている。
【0065】
走査線3a上には、高濃度ソース領域1dへ通じるコンタクトホール81及び高濃度ドレイン領域1eへ通じるコンタクトホール83が各々開孔された第1層間絶縁膜41が形成されている。
【0066】
第1層間絶縁膜41上には中継層71及び容量線300が形成されており、これらの上には、高濃度ソース領域1d及び中継層71へ夫々通じるコンタクトホール81及びコンタクトホール85が各々開孔された第2層間絶縁膜42が形成されている。
【0067】
尚、本実施形態では、第1層間絶縁膜41に対しては、1000℃の焼成を行うことにより、半導体層1aや走査線3aを構成するポリシリコン膜に注入したイオンの活性化を図ってもよい。他方、第2層間絶縁膜42に対しては、このような焼成を行わないことにより、容量線300の界面付近に生じるストレスの緩和を図るようにしてもよい。
【0068】
第2層間絶縁膜42上にはデータ線6aが形成されており、これらの上には、中継層71へ通じるコンタクトホール85が形成された第3層間絶縁膜43が形成されている。画素電極9aは、このように構成された第3層間絶縁膜43の上面に設けられている。
【0069】
尚、図3に示したように多数の所定パターンの導電層を積層することにより、画素電極9aの下地面、即ち第3層間絶縁膜43の表面におけるデータ線6aや走査線3aに沿った領域に段差が生じるのを、第3層間絶縁膜43の表面を平坦化処理することで緩和してもよい。例えば、CMP(Chemical Mechanical Polishing)処理等で研磨することにより、或いは有機SOG(Spin On Glass)を用いて平らに形成してもよい。このように配線、素子等が存在する領域と存在しない領域との間における段差を緩和することにより、最終的には段差に起因した液晶の配向不良等の画像不良を低減できる。但し、このように第3層間絶縁膜43に平坦化処理を施すのに代えて又は加えて、TFTアレイ基板10、下地絶縁膜12、第1層間絶縁膜41及び第2層間絶縁膜42のうち少なくとも一つに溝を掘って、データ線6a等の配線やTFT30等を埋め込むことにより平坦化処理を行ってもよい。
【0070】
次に、図4から図6を参照して、上述した電気光学装置の実施形態における、蓄積容量70に開けられた窓401a及びデータ線6aに開けられた窓401bの構成及び作用効果について詳述する。ここに図4は、図2のうち窓401a及び401b付近における走査線3a、データ線6a、容量線300及び中継層71を抜粋して示す平面図である。図5は、図4のC−C’断面図であり、図6は、図4のD−D’断面図である。尚、図5及び図6においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【0071】
図4から図6に示すように、第1実施形態では、内蔵遮光膜の一例たる容量線300を含めて蓄積容量70には、TFT30のチャネル隣接領域たる低濃度ソース領域1b、低濃度ドレイン領域1c、高濃度ソース領域1d及び高濃度ドレイン領域1eに対向する領域に窓401aが開けられており、データ線6aには、この窓401aより一回り大きい窓401bが開けられている。更に、TFT30のチャネル領域1a’を下側から覆う下側遮光膜11aを備えており、対向基板20上に、窓401a及び401b並びにTFT30を上側から覆う第1遮光膜23を備えている。
【0072】
従って、本実施形態によれば、図5及び図6に示すように、対向基板20を介して上方から垂直入射されるの入射光L0に対しては、第1遮光膜23によりTFT30のチャネル領域1a’及びその隣接領域の遮光を行なう。他方、下方から垂直入射されるの戻り光Lrに対しては、下側遮光膜11aによりTFT30のチャネル領域1a’及びその隣接領域の遮光を行なう。そして特に、対向基板20を介して、斜め上方からの入射光、若しくは入射光又は戻り光が内面反射してなる内面反射光或いは多重反射光等の斜めの光L1及びL2に対しては、第1遮光膜23、データ線6a及び容量線300により遮光を行なう。
【0073】
これらの結果、窓401a及び401bが開けられていても、第1遮光膜23により、上方から入射光L0でTFT30のトランジスタ特性が変化してしまう事態を防止できる。そして特に、窓401a及び401bが開けられているので、斜めの光L1及びL2は、少なくとも部分的に窓401a及び401bを介して、光L3として対向基板20側に抜けて行く分だけ、容量線300の下面やデータ線6aの下面で反射された後に、チャネル領域1a’及びその隣接領域に至る分の光量を低減できる。
【0074】
実際には、入射光L0は、基板10に対して斜め方向から入射する斜め光を含んでいる。例えば入射角が垂直から10度〜15度位までずれる成分を10%程度含んでいる。更に、戻り光Lrは、一般に、より角度の付いた斜め光を含んでいる。このため、このような斜め光が、基板10の上面や下側遮光膜11aの上面等で反射されて、或いは内蔵遮光膜の下面等で反射されて、更にこれらが当該電気光学装置内の他の界面で反射されて、内面反射光・多重反射光たる斜めの光L1及びL2が生成される。従って、TFT30の上下に各種遮光膜を備えていても、両者間の隙間を介して進入する斜めの光L1及びL2(図5及び図6参照)は存在し得る。このため、本実施形態の如く、窓401a及び401bにより、半導体層1aに至る前に、このような斜めの光L1及びL2を対向基板20側に開放することによる効果は大きいといえる。
【0075】
仮に図5及び図6に示した構成において、窓401a及び401bが存在しなかったとすれば、斜めの光L2は、蓄積容量70の内面やデータ線6aの内面で反射されて半導体層1aに到達するので、光リーク電流の発生が顕著になってしまうのである。
【0076】
以上図4から図6を参照して説明したように、本実施形態の電気光学装置によれば、耐光性を高めることが可能となり、強力な入射光や戻り光が入射するような過酷な条件下にあっても光リーク電流の低減された薄膜トランジスタにより画素電極を良好にスイッチング制御でき、最終的には、明るく高コントラストの画像を表示できる。
【0077】
本実施形態では特に、上側に位置する窓401bが下側に位置する窓401aより一回り大きいので、下側の窓401aを介してチャネル領域1a’側から対向基板20側に抜けた光の殆ど全部は、更に上側の窓401bを介して対向基板20側に抜けて行く。即ち、下側の窓401aを通過した光が上側の窓401bの縁で反射してチャネル領域に戻ることは殆ど無いので有利である。
【0078】
本実施形態では、内蔵遮光膜の一例たる容量線300は、TFTアレイ基板10上で窓401aから遠ざかるに連れて低くなるように傾斜する部分を含む。他方、データ線6aは、TFTアレイ基板10上で窓401bから遠ざかるに連れて低くなるように傾斜する部分を含む。従って、上方から入射した光は、窓401bを中央として拡散される傾向で反射される。他方、下方から入射した光は、窓401a内に導かれる傾向で反射される。従って、斜めの光L1及びL2が、容量線300やデータ線6aの上面や下面での反射を経て最終的にチャネル領域1a’に到達する割合を低減できる。
【0079】
更に以上説明した本実施形態では、窓401a及び401bは、各チャネル領域1a’に対しソース側及びドレイン側の両方に形成しているが、片方のみに形成しても、ある程度の類似効果が得られる。例えば、半導体層1aの周囲における配線や素子等の配置に鑑み、ソース側及びドレイン側の両方に窓401a及び401bを開けることが困難である場合などには、レイアウトに無理を加えることなく、片方にのみ窓401a及び401bを開ければよい。
【0080】
加えて以上説明した実施形態では、画素スイッチング用TFT30は、好ましくは図3に示したようにLDD構造を持つが、低濃度ソース領域1b及び低濃度ドレイン領域1cに不純物の打ち込みを行わないオフセット構造を持ってよいし、走査線3aの一部からなるゲート電極をマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、自己整合的に高濃度ソース及びドレイン領域を形成するセルフアライン型のTFTであってもよい。本実施形態によれば、LDD領域、オフセット領域等に対向する領域におけるデータ線6aや容量線300に窓を開けることにより、遮光性能を高めることができる。
【0081】
また本実施形態では、画素スイッチング用TFT30のゲート電極を高濃度ソース領域1d及び高濃度ドレイン領域1e間に1個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に2個以上のゲート電極を配置してもよい。このようにデュアルゲート或いはトリプルゲート以上でTFTを構成すれば、チャネルとソース及びドレイン領域との接合部のリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することができる。
【0082】
(第2実施形態)
次に、本発明の第2実施形態の電気光学装置について図7を参照して説明する。ここに、図7は、窓付近における走査線3a、データ線6a、容量線300及び中継層71を抜粋して示す平面図である。
【0083】
上述の第1実施形態では、窓401a及び401bは、チャネル領域1a’に対向する領域にも開けられているが、第2実施形態では、図7に示すように、窓401a’及び401b’は、チャネル領域1a’に対向する領域には一部開けられていない。その他の構成については上述した第1実施形態の場合と同様である。
【0084】
従って第2実施形態によれば、チャネル領域1a’に対向する領域における容量線300やデータ線6aに一部窓を開けることなく、チャネル隣接領域、ソース領域及びドレイン領域に対向する領域における容量線300やデータ線6aに窓401a’及び401b’を開けることにより、TFT30に対する遮光性能を高めることができる。そして、チャネル領域1a’の上側にはゲート電極たる走査線3aが配置されているので、最終的に上方からチャネル領域1a’に入射しようとする光を走査線3aにより、ある程度低減できる。或いは、チャネル領域1a’の上方を斜めに通過する光を走査線3aにより、ある程度低減できる。(変形形態)
本発明の電気光学装置の一変形形態として、高濃度ソース領域1dの一部をなすコンタクトホール81が開孔されたコンタクトホール開孔領域にまで至る比較的大きな窓をデータ線及び容量線に開けてもよい。これに代えて又は加えて、高濃度ドレイン領域1eの一部をなすコンタクトホール83が開孔されたコンタクトホール開孔領域にまで至る比較的大きな窓をデータ線及び容量線に開けてもよい。このように構成すれば、一般に光が漏れやすいコンタクトホール81及び83付近における遮光性能を向上させ得る。
【0085】
本発明の電気光学装置の他の変形形態として、第1遮光膜23は、TFTアレイ基板10に対面する側に配置された光吸収層を含む多層膜からなってもよい。このように構成すれば、窓401a又は401a’並びに401b又は401b’を介して対向基板20側に抜けて行く光の一部が、第1遮光膜23に至っても、係る光を、第1遮光膜23の光吸収層により吸収除去できる。即ち、このような光が第1遮光膜23で反射して再びチャネル領域に向かう斜めの光となることを防止できる。
【0086】
更に、このような対向基板20上の遮光膜23は、少なくとも入射光L0が照射される面を高反射な膜で形成することにより、電気光学装置の温度上昇を防ぐ働きをする。尚、第1遮光膜23は好ましくは、平面的に見て容量線300とデータ線6aとからなる遮光層の内側に位置するように形成する。これにより、対向基板20上の遮光膜により、各画素の開口率を低めることなく、このような遮光及び温度上昇防止の効果が得られる。
【0087】
(電気光学装置の全体構成)
以上のように構成された各実施形態における電気光学装置の全体構成を図8及び図9を参照して説明する。尚、図8は、TFTアレイ基板10をその上に形成された各構成要素と共に対向基板20の側から見た平面図であり、図9は、図8のH−H’断面図である。
【0088】
図8において、TFTアレイ基板10の上には、シール材52がその縁に沿って設けられており、その内側に並行して、画像表示領域10aの周辺を規定する額縁としての遮光膜53が設けられている。シール材52の外側の領域には、データ線6aに画像信号を所定タイミングで供給することによりデータ線6aを駆動するデータ線駆動回路101及び外部回路接続端子102がTFTアレイ基板10の一辺に沿って設けられており、走査線3aに走査信号を所定タイミングで供給することにより走査線3aを駆動する走査線駆動回路104が、この一辺に隣接する2辺に沿って設けられている。走査線3aに供給される走査信号遅延が問題にならないのならば、走査線駆動回路104は片側だけでも良いことは言うまでもない。また、データ線駆動回路101を画像表示領域10aの辺に沿って両側に配列してもよい。更にTFTアレイ基板10の残る一辺には、画像表示領域10aの両側に設けられた走査線駆動回路104間をつなぐための複数の配線105が設けられている。また、対向基板20のコーナー部の少なくとも1箇所においては、TFTアレイ基板10と対向基板20との間で電気的に導通をとるための導通材106が設けられている。そして、図9に示すように、図8に示したシール材52とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板20が当該シール材52によりTFTアレイ基板10に固着されている。
【0089】
尚、TFTアレイ基板10上には、これらのデータ線駆動回路101、走査線駆動回路104等に加えて、複数のデータ線6aに画像信号を所定のタイミングで印加するサンプリング回路、複数のデータ線6aに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【0090】
以上図1から図9を参照して説明した実施形態では、データ線駆動回路101及び走査線駆動回路104をTFTアレイ基板10の上に設ける代わりに、例えばTAB(Tape Automated bonding)基板上に実装された駆動用LSIに、TFTアレイ基板10の周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。また、対向基板20の投射光が入射する側及びTFTアレイ基板10の出射光が出射する側には各々、例えば、TN(Twisted Nematic)モード、VA(Vertically Aligned)モード、PDLC(Polymer Dispersed Liquid Crystal)モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード/ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。
【0091】
以上説明した実施形態における電気光学装置は、プロジェクタに適用されるため、3枚の電気光学装置がRGB用のライトバルブとして各々用いられ、各ライトバルブには各々RGB色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになる。従って、各実施形態では、対向基板20に、カラーフィルタは設けられていない。しかしながら、画素電極9aに対向する所定領域にRGBのカラーフィルタをその保護膜と共に、対向基板20上に形成してもよい。このようにすれば、プロジェクタ以外の直視型や反射型のカラー電気光学装置について、各実施形態における電気光学装置を適用できる。また、対向基板20上に1画素1個対応するようにマイクロレンズを形成してもよい。あるいは、TFTアレイ基板10上のRGBに対向する画素電極9a下にカラーレジスト等でカラーフィルタ層を形成することも可能である。このようにすれば、入射光の集光効率を向上することで、明るい電気光学装置が実現できる。更にまた、対向基板20上に、何層もの屈折率の相違する干渉層を堆積することで、光の干渉を利用して、RGB色を作り出すダイクロイックフィルタを形成してもよい。このダイクロイックフィルタ付き対向基板によれば、より明るいカラー電気光学装置が実現できる。
【0092】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴なう電気光学装置もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態の電気光学装置における画像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設けられた各種素子、配線等の等価回路である。
【図2】第1実施形態の電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたTFTアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。
【図3】図2のA−A’断面図である。
【図4】図2のうち窓付近を抜粋して示す平面図である。
【図5】図4のC−C’断面図である。
【図6】図4のD−D’断面図である。
【図7】本発明の第2実施形態の電気光学装置における窓付近を抜粋して示す平面図である。
【図8】実施形態の電気光学装置におけるTFTアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。
【図9】図8のH−H’断面図である。
【符号の説明】
1a…半導体層
1a’…チャネル領域
1b…低濃度ソース領域
1c…低濃度ドレイン領域
1d…高濃度ソース領域
1e…高濃度ドレイン領域
2…絶縁膜
3a…走査線
6a…データ線
9a…画素電極
10…TFTアレイ基板
11a…下側遮光膜
12…下地絶縁膜
16…配向膜
20…対向基板
21…対向電極
22…配向膜
23…第1遮光膜
30…TFT
50…液晶層
70…蓄積容量
71…中継層
75…誘電体膜
81、83、85…コンタクトホール
300…容量線
401a、401b…窓
Claims (16)
- 一対の第1及び第2基板間に電気光学物質が挟持されてなり、
前記第1基板上に、画素電極と、該画素電極に接続された薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続されており前記薄膜トランジスタの上側に配置されると共に前記薄膜トランジスタのチャネル隣接領域、ソース領域及びドレイン領域のうち少なくとも一つに対向する領域に一の窓が開けられた配線と、前記薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を下側から覆う下側遮光膜とを備えており、
前記第2基板上に、前記一の窓を上側から覆う第1遮光膜を備えており、
前記第1遮光膜及び前記配線のうち少なくとも一方は、前記薄膜トランジスタの少なくとも前記チャネル領域を上側から覆うことを特徴とする電気光学装置。 - 一対の第1及び第2基板間に電気光学物質が挟持されてなり、
前記第1基板上に、画素電極と、該画素電極に接続された薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続された配線と、
前記薄膜トランジスタの上側に配置されており各画素の非開口領域を少なくとも部分的に規定すると共に前記薄膜トランジスタのLDD(Lightly Doped Structure)領域又はオフセット領域であるチャネル隣接領域に対向する領域に一の窓が開けられた内蔵遮光膜と、
前記薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を下側から覆う下側遮光膜とを備えており、
前記第2基板上に、前記一の窓を上側から覆う第1遮光膜を備えており、
前記第1遮光膜及び前記内蔵遮光膜のうち少なくとも一方は、前記薄膜トランジスタの少なくとも前記チャネル領域を上側から覆うことを特徴とする電気光学装置。 - 一対の第1及び第2基板間に電気光学物質が挟持されてなり、
前記第1基板上に、画素電極と、該画素電極に接続された薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続された配線と、
前記薄膜トランジスタの上側に配置されており各画素の非開口領域を少なくとも部分的に規定すると共に前記薄膜トランジスタのチャネル隣接領域、ソース領域及びドレイン領域のうち少なくとも一つに対向する領域に一の窓が開けられた内蔵遮光膜と、
前記薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を下側から覆う下側遮光膜とを備えており、
前記第2基板上に、前記一の窓を上側から覆う第1遮光膜を備えており、
前記第1遮光膜及び前記内蔵遮光膜のうち少なくとも一方は、前記薄膜トランジスタの少なくとも前記チャネル領域を上側から覆い、
前記配線は、前記薄膜トランジスタの上側に配置されており、前記配線には、平面的に見て前記窓に重なる領域に他の窓が開けられていることを特徴とする電気光学装置。 - 前記一及び他の窓のうち上側に位置する方が下側に位置する方より大きいことを特徴とする請求項3に記載の電気光学装置。
- 前記内蔵遮光膜及び前記第1遮光膜は夫々、複数の帯状部分を含んでなり、
前記第1遮光膜を構成する帯状部分の幅は、前記内蔵遮光膜を構成する帯状部分の幅よりも狭いことを特徴とする請求項2から4のいずれか一項に記載の電気光学装置。 - 前記内蔵遮光膜は、前記画素電極に付加される蓄積容量を構成する容量電極又は容量線としても機能することを特徴とする請求項2から5のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 前記内蔵遮光膜は、前記第1基板上で前記窓から遠ざかるに連れて低くなるように傾斜する部分を含むことを特徴とする請求項2から6のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 前記第1遮光膜は、前記配線に沿って伸びる複数の帯状部分を含んでなり、
前記第1遮光膜における前記帯状部分の幅は、前記配線の幅よりも狭いことを特徴とする請求項1から7のいずれか一項に記載の電気光学装置。 - 前記配線は、前記第1基板上で前記窓から遠ざかるに連れて低くなるように傾斜する部分を含むことを特徴とする請求項1から8のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 前記チャネル隣接領域は、LDD(Lightly Doped Structure)領域又はオフセット領域であることを特徴とする請求項1から9のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 前記ドレイン領域の一部は、コンタクトホール開孔領域とされており、
前記窓は、該コンタクトホール開孔領域にも開けられていることを特徴とする請求項1から10のいずれか一項に記載の電気光学装置。 - 前記ソース領域の一部は、コンタクトホール開孔領域とされており、
前記窓は、該コンタクトホール開孔領域にも開けられていることを特徴とする請求項2から7のいずれか一項に記載の電気光学装置。 - 前記窓は、前記チャネル領域に対向する領域にも開けられていることを特徴とする請求項1から12のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 前記窓は、前記チャネル領域に対向する領域には開けられておらず、
前記チャネル領域の上側にゲート絶縁膜を介してゲート電極が配置されていることを特徴とする請求項1から12のいずれか一項に記載の電気光学装置。 - 前記第1遮光膜は、前記第1基板に対面する側に配置された光吸収層を含む多層膜からなることを特徴とする請求項1から14のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 請求項1から15のいずれか一項に記載の電気光学装置をライトバルブとして用いることを特徴とするプロジェクタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001010576A JP3729071B2 (ja) | 2001-01-18 | 2001-01-18 | 電気光学装置及びプロジェクタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001010576A JP3729071B2 (ja) | 2001-01-18 | 2001-01-18 | 電気光学装置及びプロジェクタ |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002215066A JP2002215066A (ja) | 2002-07-31 |
JP2002215066A5 JP2002215066A5 (ja) | 2004-12-24 |
JP3729071B2 true JP3729071B2 (ja) | 2005-12-21 |
Family
ID=18877862
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001010576A Expired - Fee Related JP3729071B2 (ja) | 2001-01-18 | 2001-01-18 | 電気光学装置及びプロジェクタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3729071B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4021392B2 (ja) * | 2002-10-31 | 2007-12-12 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
JP5258277B2 (ja) * | 2006-12-26 | 2013-08-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002215066A (ja) | 2002-07-31 |
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