JP4023522B2 - 電気光学装置及びプロジェクタ - Google Patents

Description

本発明は、マトリクス状に配列された複数の画素電極及びこれらを夫々スイッチング駆動するための複数の薄膜トランジスタ（以下適宜、ＴＦＴと称す）を備えたＴＦＴアクティブマトリクス駆動形式の電気光学装置の技術分野に属する。

ＴＦＴアクティブマトリクス駆動形式の電気光学装置では、各画素に設けられた画素スイッチング用ＴＦＴのチャネル領域に入射光が照射されると光による励起で電流が発生してＴＦＴの特性が変化する。特に、プロジェクタのライトバルブ用の電気光学装置の場合には、入射光の強度が高いため、ＴＦＴのチャネル領域やその周辺領域に対する入射光の遮光を行うことは重要となる。従来は、対向基板に設けられた各画素の開口領域を規定する遮光膜やＴＦＴアレイ基板上のデータ線により、係るチャネル領域やその周辺領域を遮光するように構成されている。更に、ＴＦＴアレイ基板上において画素スイッチング用ＴＦＴに対向する位置（即ち、ＴＦＴの下側）にも、例えば高融点金属からなる遮光膜を設けてもよい。このようにＴＦＴの下側にも遮光膜を設ければ、ＴＦＴアレイ基板１０の側からの裏面反射や、複数の電気光学装置をプリズム等を介して組み合わせて一つの光学系を構成する場合に他の電気光学装置からプリズム等を突き抜けてくる投射光が、当該電気光学装置のＴＦＴに入射するのを未然に防ぐことができる。

他方、一般にこの種の電気光学装置では、直流電圧印加による電気光学物質の劣化防止、表示画像におけるクロストークやフリッカの防止などのために、各画素電極に印加される電位極性を所定規則で反転させる反転駆動方式が採用されている。同一行の画素電極を同一極性の電位により駆動しつつ、係る電位極性を行毎にフレーム又はフィールド周期で反転させる１Ｈ反転駆動方式が、制御が比較的容易であり高品位の画像表示を可能ならしめる反転駆動方式として用いられている。

しかしながら、上述した各種遮光技術によれば、以下の問題点がある。即ち、通常データ線は平面的に見て走査線に交差してストライプ状に延設配置される。このため、前述したプロジェクタ用途のように入射光強度が非常に高い場合には、対向基板側から入射光を、ある程度の幅を持つチャネル領域に対向するゲート電極を含む走査線に対して交差して伸びるデータ線で十分に遮光することは、基本的に困難である。更に、対向基板側に設けられる遮光膜とチャネル領域或いは半導体層との間は、３次元的に見て例えば液晶層、電極、層間絶縁膜等を介してかなり離間しており、両者間へ斜めに入射する光に対して係る対向基板側の遮光膜による遮光では、十分ではない。そして何より、対向基板側からの入射光を遮光するための遮光膜やデータ線、裏面からの戻り光を遮光するための遮光膜は、ＴＦＴの高温プロセスとの関係等から一般に金属膜で形成されており、ある程度の反射率を有する。従って、ＴＦＴのチャネル領域やその周辺領域に対する入射光の遮光を行うように遮光膜を形成しても、実際には、遮光膜のない領域から電気光学装置内に侵入した光が、逆側の遮光膜の内面で反射された後に、係る反射光或いはこれが更に逆側の遮光膜の内面で反射された多重反射光が最終的にＴＦＴのチャネル領域やその周辺領域に到達して、光による電流を発生させてしまう。このように従来の遮光技術によれば、ＴＦＴのトランジスタ特性の変化により、フリッカ等が生じて、表示画像の品位が低下してしまうという第１問題点がある。

他方、上述した１Ｈ反転駆動技術によれば、以下の問題点がある。即ち、１Ｈ反転駆動方式のように、ＴＦＴアレイ基板上において相隣接する画素電極に印加される画像信号の電位が逆極性にある場合には、相隣接する画素電極間に生じる横電界が生じる。従って、本来、基板に垂直な方向の縦電界で駆動されることが想定されている液晶等の電気光学物質は、横電界の影響でリバースチルトが生じ光抜けを引き起こす。この結果、コントラスト比の低下を招いてしまう。これに対し、横電界が生じる領域を遮光膜により覆い隠すことは可能であるが、これでは横電界が生じる領域の広さに応じて画素の開口領域が狭くなってしまう。特に、画素ピッチの微細化により相隣接する画素電極間の距離が縮まるのに伴って、このような横電界は大きくなるため、これらの問題は電気光学装置の高精細化が進む程深刻化してしまう。このように従来の１Ｈ反転駆動技術によれば、横電界の発生により、表示画像の品位が低下してしまうという第２問題点がある。

本発明は上記第１問題点に鑑みなされたものであり、比較的簡単な構成を用いて、入射光や戻り光の光強度が高い環境下で使用しても画素スイッチング用ＴＦＴの特性変化が殆ど起ることが無く、高品位の画像表示が可能であるＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の電気光学装置を提供することを第１課題とする。

更に本発明は上記第２問題点に鑑みなされたものであり、比較的簡単な構成を用いて、横電界による電気光学物質の動作不良を低減することにより、画素の開口率が高く且つ高コントラストで明るい高品位の画像表示が可能となるＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置等の電気光学装置を提供することを第２課題とする。

本発明の参考例に係る電気光学装置は上記第１課題を解決するために、一対の第１及び第２基板間に電気光学物質が挟持されてなり、該第１基板上に、マトリクス状に配置された画素電極と、該画素電極を駆動する薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続されており相交差するデータ線及び走査線とを備えており、前記薄膜トランジスタを構成する半導体層の少なくともチャネル領域は、前記データ線と前記走査線とが交差する平面領域内に配置され、前記データ線は、遮光性の材料からなり、前記少なくともチャネル領域を前記第２基板の側から見て覆うと共に前記走査線に交わる方向に伸びる主配線部と、前記チャネル領域毎に前記走査線に沿って突出する突出部とを有する。

本発明の参考例に係る電気光学装置によれば、データ線と走査線とが交差する平面領域内に、各画素電極に接続された薄膜トランジスタを構成する半導体層の少なくともチャネル領域が配置される。ここで、データ線は遮光性の材料からなり、データ線の主配線部は、少なくともチャネル領域を第２基板の側から見て覆うと共に走査線に交わる方向に伸びている。そして、データ線の突出部は、この主配線部におけるチャネル領域に対向する個所から走査線に沿って突出している。従って、薄膜トランジスタのチャネル領域は、第２基板の側から見て、走査線に沿った方向及びデータ線に沿った方向の両方向について幅広く、主配線部及び突出部により覆われることになる。この結果、第１基板に対して垂直に入射される投射光のみならず斜めに入射される投射光から、チャネル領域を遮光することが可能となり、遮光が不完全であることによる薄膜トランジスタにおける特性変化を防止できる。

特に、このようなデータ線により、第１基板上における薄膜トランジスタの上側で各画素の開口領域を少なくとも部分的に規定すれば、第２基板上に、画素の開口領域を規定するための格子状や帯状の遮光膜を設けないように構成することも可能である。このように第２基板上に遮光膜を設けない構成とすれば、２枚の基板を貼り合せる際のずれを考慮して、第２基板上の遮光膜の幅を広くする必要が無いため、各画素の開口率を高める上で有利である。

本発明の参考例に係る電気光学装置の一の態様では、前記走査線は、平面的に見て前記走査線に交わる方向に相隣接する画素電極間の間隙に設けられており、前記突出部は、平面的に見て前記間隙内に突出している。

この態様によれば、突出部は、画素電極間の間隙内に突出しているので、画素電極と突出部を有するデータ線との間に生じる寄生容量を低められる。

尚、走査線の縁は、平面的に見て画素電極の縁に僅かに重ねられてもよいし、突出部の縁は、画素電極の縁に僅かに重ねられてもよい。特に、相隣接する画素電極間における光抜けを防止する観点からは、突出部の縁を画素電極の縁に僅かに重ねておくとよい。

本発明の参考例に係る電気光学装置の他の態様では、走査線は、ポリシリコン膜からなり、前記データ線は、金属を含有した遮光性の導電膜からなる。

この態様によれば、走査線は、光透過性のポリシリコン膜からなるが、不透明なアルミニウム膜等の金属を含有した遮光性の導電膜からなるデータ線の主配線部及び突出部の存在により、係る走査線を介して入射光が斜めに入射して走査線とデータ線とが交差する平面領域内にあるチャネル領域に至る事態を確実に未然防止できる。

本発明の参考例に係る電気光学装置の他の態様では、前記データ線は、前記チャネル領域に加えて当該チャネル領域に隣接する前記半導体層のチャネル隣接領域を覆う。

従って、薄膜トランジスタのチャネル領域のみならずチャネル隣接領域は、第２基板の側から見て、走査線に沿った方向及びデータ線に沿った方向の両方向について幅広く、主配線部及び突出部により覆われることになる。この結果、遮光が不完全であることによる薄膜トランジスタにおける特性変化を防止できる。

この態様では、前記薄膜トランジスタはＬＤＤ構造あるいはオフセット構造を備えた薄膜トランジスタからなり、前記チャネル隣接領域は、ＬＤＤ領域あるいはオフセット領域を含んでもよい。

このように構成すれば、薄膜トランジスタはＬＤＤ構造あるいはオフセット構造を持つので、オフ電流を低減できると共に安定したスイッチング特性を得ることが出来る。この際、ＬＤＤ領域あるいはオフセット領域は、データ線の主配線部及び突出部により遮光されるので、光による励起で電流が当該ＬＤＤ領域あるいはオフセット領域で発生するのを抑制することが出来る。

本発明の電気光学装置は上記第２課題を解決するために、一対の第１及び第２基板間に電気光学物質が挟持されてなり、マトリクス状に配置された複数の画素を有し、前記第１基板上に、前記画素に対応して設けられる画素電極と、該画素電極に電気的に接続される薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに電気的に接続されており相交差するデータ線及び走査線と、前記第１基板並びに前記薄膜トランジスタの半導体層、前記走査線及び前記データ線をなす各層の間に夫々介在する層間絶縁膜とを備え、前記画素は、前記走査線に沿って配列された画素電極群毎に反転駆動される電気光学装置であって、前記データ線は、前記走査線に交わる方向に伸びる主配線部と、該主配線部から前記走査線と重なるように突出する突出部とを有し、前記画素電極は、前記主配線部の縁部及び前記突出部の縁部とそれぞれ重なるように設けられており、前記層間絶縁膜又は前記第１基板には、前記主配線部に対向する位置に溝が形成され、該溝内に前記主配線部が埋め込まれており、前記突出部に対向する位置には前記溝が形成されておらず、前記画素電極の下地面は、前記主配線部上で平坦化されており且つ前記主配線部上と比べて前記突出部上で盛り上がっている。
また、前記画素電極と前記薄膜トランジスタとは、コンタクトホールを介して電気的に接続されており、前記突出部は、前記主配線部の両側から突出するように形成されており、隣り合う前記データ線の突出部は、前記コンタクトホールが形成された領域を除く相隣り合う前記画素電極間に配置されている。

本発明の電気光学装置によれば、主配線部から走査線に沿って突出する突出部が存在するため、画素電極の下地面は、主配線部上と比べて突出部上で盛り上がっている。このため、この盛り上がった部分では、画素電極と対向電極との間に生じると共にこれら両電極間の距離にほぼ反比例する縦電界が、盛り上がっていない部分と比べて相対的に強められる。他方、画素電極及び対向電極は、走査線に沿って配列された画素電極群毎に反転駆動される。即ち、前述の１Ｈ反転駆動が行われる。従って、平面的に見て走査線に交わる方向に相隣接する画素電極間の間隙領域で横電界が生じることになる。しかしながら、本発明では係る横電界の生じる間隙領域が、上述の如く画素電極の下地面が盛り上がった領域に他ならない。よって、この横電界が発生する領域では縦電界が強められているため、本来縦電界で駆動されることが想定されている電気光学装置において、横電界による悪影響を、強力な縦電界により弱めることが可能となる。この結果、横電界の悪影響による電気光学物質の動作不良が低減される。

しかも、画素電極の下地面は、データ線の主配線部上で平坦化されているので、データ線に交わる方向に相隣接する画素電極の間隙領域では特に縦電界が強められることはないが、この領域では、上述の１Ｈ反転駆動において横電界が生じない。従って、この領域では、横電界による悪影響を防止する必要は無い。逆に、この領域では、一般に画素電極の下地面の段差によって生じる電気光学物質の動作不良が、平坦化により低減されている。
また、層間絶縁膜及び前記第１基板のうち少なくとも一方に形成された溝内に直接或いは層間絶縁膜を介して主配線部が埋め込まれる形で、当該主配線部上における画素電極の下地面が平坦化される。これと比較して、突出部が溝内に埋め込まれることはないので、当該突出部上における画素電極の下地面は、相対的に盛り上げられる。

以上の結果、横電界や段差による電気光学物質の動作不良に起因するコントラスト比の低下を防ぐことが出来、最終的に高品位の画像表示が可能となる。

本発明の電気光学装置の一の態様では、前記突出部は、平面的に見て相隣り合う画素電極間において、その半分以上を占めるように配置されていてもよい。

この態様によれば、画素電極間が占める領域の大半を占めるように突出部が配置されているので、上述のように横電界が発生する領域の大半において、突出部の存在により縦電界を強めることが可能となる。但し、相隣接するデータ線間がショートしては動作不可となるため、同一の画素電極間隙内にある２つの突出部同士は、少なくとも若干離間させる必要が有る。また、例えば画素電極と薄膜トランジスタとを電気的に接続するコンタクトホールと突出部とが交差するのでは動作不可となるため、このようなコンタクトホールが開孔されている場合には、これを避けるように突出部が平面配置される。

また、前記データ線に電気的に接続される薄膜トランジスタに対応して設けられる第１の画素電極と、前記第１の画素電極と前記走査線を挟んで隣り合う第２の画素電極と、前記第１の画素電極と前記データ線を挟んで隣り合う第３の画素電極と、前記第１の画素電極と前記薄膜トランジスタを挟んで対角をなす第４の画素電極とを有し、前記突出部は、第１乃至第４の画素電極の縁部と夫々重なるように設けられていてもよい。

本発明の第１又は第２電気光学装置の他の態様では、前記第１基板上に、少なくとも前記半導体層のチャネル領域を前記第１基板の側から見て覆う位置に遮光膜を設ける。

この態様によれば、遮光膜は、薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を第１基板の側（即ち、第１基板上における薄膜トランジスタの下側）から見て覆う位置に設けられる。従って、薄膜トランジスタのチャネル領域は、第１基板の側から照射される戻り光に対しては、遮光膜により遮光されており、薄膜トランジスタへの光照射による特性変化を防止できる。

この態様では、前記遮光膜は、前記走査線に沿って縞状に形成されていてもよい。

このように構成すれば、縞状の遮光膜により第１基板の側からの戻り光等に対して薄膜トランジスタにおける遮光が行われる。この場合、走査線に沿って縞状に形成された遮光膜を配線として利用することも可能となり、更に、例えば遮光膜を画像表示領域の外まで引き出すことにより定電位配線や定電位源に接続することができ、これにより遮光膜を比較的容易に定電位とすることができる。このように薄膜トランジスタのチャネル領域に対向する遮光膜を定電位とすれば、遮光膜の電位変動が薄膜トランジスタの特性に悪影響を及ぼす事態を未然に防げる。或いは、遮光膜を他の配線の冗長配線として機能させることも可能である。

この場合更に、前記遮光膜は、前記少なくともチャネル領域を覆うと共に前記走査線に沿って伸びる帯状遮光部と、前記走査線及び前記データ線に沿って格子状に形成するように構成してもよい。

このように構成すれば、走査線に沿って延設された遮光領域とデータ線に沿って延設された遮光領域により、第１基板側からの戻り光等に対する遮光をより確実に行える。

また、前記第２基板上に、前記データ線及び前記走査線の少なくとも一部を前記第２基板の側から見て重なる位置に配置されており各画素の開口領域を少なくとも部分的に規定する他の遮光膜を更に備える。

この態様によれば、データ線及び走査線に少なくとも部分的に重なる位置には、第２基板に配置されており各画素の開口領域を規定する他の遮光膜が設けられている。従ってチャネル領域は入射光に対して、この第２基板側の遮光膜及び第１基板側のデータ線により遮光される。また、データ線及び第２基板側の遮光膜により各画素の開口領域が規定される。

また、前記突出部は、平面的に見て走査線の半分以上を覆うように配置されている。

この態様によれば、画素電極間にある走査線部分が占める領域の大半を占めるように突出部が配置されているので、上述のように横電界が発生する領域の大半において、走査線の段差及び突出部の存在により縦電界を強めることが可能となる。但し、相隣接するデータ線間がショートしては動作不可となるため、同一の間隙内にある走査線部分に重ねられる２つの突出部同士は、少なくとも若干離間させる必要が有る。また、例えば画素電極と薄膜トランジスタとを電気的に接続するコンタクトホールと突出部とが交差するのでは動作不可となるため、このようなコンタクトホールが開孔されている場合には、これを避けるように突出部が平面配置される。

また、前記データ線は、下層が低反射導電膜、上層が遮光性導電膜からなる。

この態様によれば、データ線を、入射光が照射される上層は遮光性導電膜で構成し、下層を低反射導電膜等で多層に構成する事により、斜めに入射する入射光に対して、データ線の突出部で光を吸収することができるため、遮光膜等に当たって反射された光がチャネル領域１ａ'及びその隣接領域に到達するのを極力抑える事ができる。

また本発明のプロジェクタは、上記の電気光学装置をライトバルブとして用いる。
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施形態から明らかにする。

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。尚、以下に説明する各実施形態は、本発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。

（電気光学装置の第１実施形態）
本発明による電気光学装置の第１実施形態について、特に画像表示領域における構成を中心として図１から図４を参照して説明する。ここに、図１は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。図２は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であり、図３は、図２のＡ−Ａ'断面図であり、図４は、図２のＢ−Ｂ'断面図である。尚、図３及び図４においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。

図１において、本実施形態による電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素は、画素電極９ａを制御するためのＴＦＴ３０が形成されており、画像信号が供給されるデータ線６が当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６に書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６同士に対して、グループ毎に供給するようにしても良い。また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板（後述する）に形成された対向電極（後述する）との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイトモードであれば、印加された電圧に応じて入射光が通過不可能とされ、ノーマリーブラックモードであれば、印加された電圧に応じて入射光が通過可能とされ、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストを持つ光が出射する。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。

図２において、電気光学装置のＴＦＴアレイ基板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９ａ（点線部９ａ'により輪郭が示されている）が設けられており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６、走査線３ａ及び容量線３ｂが設けられている。データ線６は、コンタクトホール５を介してポリシリコン膜等からなる半導体層１ａのうち後述のソース領域に電気的に接続されており、画素電極９ａは、コンタクトホール８を介して半導体層１ａのうち後述のドレイン領域に電気的に接続されている。また、半導体層１ａのうちチャネル領域１ａ'（図中右下りの斜線の領域）に対向するように走査線３ａが配置されており、走査線３ａはゲート電極として機能する。このように、走査線３ａとデータ線６との交差する個所には夫々、チャネル領域１ａ'に走査線３ａがゲート電極として対向配置されたＴＦＴ３０が設けられている。

容量線３ｂは、走査線３ａに沿ってほぼ直線状に伸びる本線部と、データ線６と交差する箇所からデータ線６に沿って前段側（図中、上向き）に突出した突出部とを有する。

また、図中太線で示した走査線３ａ及び容量線３ｂにほぼ重なる領域には夫々、走査線３ａ及びＴＦＴ３０の下側を通るように、第１遮光膜１１ａが設けられている。より具体的には図２において、第１遮光膜１１ａは夫々、走査線３ａ及び容量線３ｂに沿って縞状に形成されていると共に、データ線６と交差する箇所が下方に突出して形成されており、この突出部を含む幅広の部分により各ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ'及びその隣接領域をＴＦＴアレイ基板側から見て夫々覆う位置に設けられている。尚、第１遮光膜１１ａは、走査線３ａ及びデータ線６に沿って延設して格子状に形成してもよい。このような構成を採れば、更に電気光学装置の遮光性が高まり有利である。

本実施形態では特に、図２中、左下がりの斜線で示すデータ線６は、走査線３ａと直交する方向に伸びる主配線部６ａと、主配線部６ａから走査線３ａに沿って突出する突出部６ｂとを備えている。即ち、図２中、チャネル領域１ａ'及びその隣接領域は、突出部６ｂを有しており幅広に形成されたデータ線６の部分により、基板面に対して垂直入射される入射光のみならず、図２で上下左右から斜めに入射する入射光に対して遮光されている。このように主配線部６ａ及び突出部６ｂを有するデータ線６は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）等の遮光性、伸延性及び導電性に優れた既存の金属薄膜から構成されている。この場合、データ線６を、入射光が照射される上層は遮光性のＡｌ膜で構成し、下層を低反射膜のＴｉＮ（チタンナイトライド）膜等で多層に構成する事により、斜めに入射する入射光に対して、データ線６の突出部６ｂで光を吸収することができるため、第１遮光膜１１ａ等に当たって反射された光がチャネル領域１ａ'及びその隣接領域に到達するのを極力抑える事ができる。尚、入射光の角度、液晶層の厚み等の装置仕様や、要求されるコントラスト比、明るさ等の装置性能に応じて、突出部６ｂの突出度合い（即ち、主配線部６ａから突出する距離）は、実験、経験、シミュレーション、理論計算などにより個別具体的に設定すればよい。

次に図３及び図４に夫々、図２のＡ−Ａ'断面図及びＢ−Ｂ'断面図として示すように、電気光学装置は、第１基板の一例を構成するＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される第２基板の一例を構成する対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば石英基板，ガラス基板，シリコン基板からなり、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板からなる。ＴＦＴアレイ基板１０には、画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。画素電極９ａは例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜などの透明導電性膜からなる。また配向膜１６は例えば、ポリイミド膜などの有機膜からなる。

他方、対向基板２０には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。対向電極２１は例えば、ＩＴＯ膜などの透明導電性膜からなる。また配向膜２２は、ポリイミド膜などの有機膜からなる。

ＴＦＴアレイ基板１０には、各画素電極９ａに隣接する位置に、各画素電極９ａをスイッチング制御する画素スイッチング用ＴＦＴ３０が設けられている。

対向基板２０には、各画素の開口領域の少なくとも一部を規定するための、第２遮光膜２３が設けられている。このため、対向基板２０の側から入射光が画素スイッチング用ＴＦＴ３０の半導体層１ａのチャネル領域１ａ'及びその隣接領域に侵入することを、前述の如く遮光機能を有するデータ線６と共に未然防止し得る。更に、第２遮光膜２３は、コントラストの向上、カラーフィルタを用いる際の色材の混色防止などの機能を有する。但し、各画素の開口率を上げて明るさを向上させることを優先する場合には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０を貼り合せる際のマージンを考慮して、対向基板２０上の第２遮光膜２３は外した方が有利である。この場合、ＴＦＴアレイ基板１０上で遮光手段を備えるようにすることは言うまでもない。また、入射光による電気光学装置の温度上昇を避ける目的で、幅細の第２遮光膜２３を設けるようにしてもよい。

このように構成され、画素電極９ａと対向電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、後述のシール材により囲まれた空間に液晶が封入され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６及び２２により所定の配向状態をとる。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなる。シール材は、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のギャップ材が混入されている。

更に図３に示すように、画素スイッチング用ＴＦＴ３０に各々対向する位置においてＴＦＴアレイ基板１０と各画素スイッチング用ＴＦＴ３０との間には、第１遮光膜１１ａが設けられている。第１遮光膜１１ａは、好ましくは不透明な高融点金属であるＴｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）及びＰｂ（鉛）のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド等から構成される。このような材料から構成すれば、ＴＦＴアレイ基板１０上の第１遮光膜１１ａの形成工程の後に行われる画素スイッチング用ＴＦＴ３０の形成工程における高温処理により、第１遮光膜１１ａが破壊されたり溶融しないようにできる。第１遮光膜１１ａが形成されているので、ＴＦＴアレイ基板１０の側からの戻り光等が画素スイッチング用ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ'及びその隣接領域に入射する事態を未然に防ぐことができ、これに起因した光電流の発生により画素スイッチング用ＴＦＴ３０の特性が変化することはない。

更に図３及び図４に示すように、第１遮光膜１１ａと複数の画素スイッチング用ＴＦＴ３０との間には、第１層間絶縁膜１２が設けられている。第１層間絶縁膜１２は、画素スイッチング用ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａを第１遮光膜１１ａから電気的に絶縁するために設けられるものである。更に、第１層間絶縁膜１２は、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のための下地膜としての機能をも有する。即ち、ＴＦＴアレイ基板１０表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用ＴＦＴ３０の特性の変化を防止する機能を有する。第１層間絶縁膜１２は、例えば、ＮＳＧ（ノンドープトシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）などの高絶縁性ガラス又は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等からなる。第１層間絶縁膜１２により、第１遮光膜１１ａが画素スイッチング用ＴＦＴ３０等を汚染する事態を未然に防ぐこともできる。

本実施形態では、絶縁薄膜２を走査線３ａに対向する位置から延設して誘電体膜として用い、半導体膜１ａを延設して第１蓄積容量電極１ｆとし、更にこれらに対向する容量線３ｂの一部を第２蓄積容量電極とすることにより、蓄積容量７０が構成されている。より詳細には、半導体層１ａの高濃度ドレイン領域１ｅが、データ線６及び走査線３ａの下に延設されて、同じくデータ線６及び走査線３ａに沿って伸びる容量線３ｂ部分に絶縁薄膜２を介して対向配置されて、第１蓄積容量電極１ｆとされている。特に蓄積容量７０の誘電体としての絶縁薄膜２は、高温酸化によりポリシリコン膜上に形成されるＴＦＴ３０のゲート絶縁膜に他ならないので、薄く且つ高耐圧の絶縁膜とすることができ、蓄積容量７０は比較的小面積で大容量の蓄積容量として構成できる。

図３において、画素スイッチング用ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有しており、走査線３ａ、当該走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ'、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁する絶縁薄膜２、データ線６、半導体層１ａの低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄ並びに高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。高濃度ドレイン領域１ｅには、複数の画素電極９ａのうちの対応する一つが接続されている。低濃度ソース領域１ｂ及び高濃度ソース領域１ｄ並びに低濃度ドレイン領域１ｃ及び高濃度ドレイン領域１ｅは、半導体層１ａに対し、ｎ型又はｐ型のチャネルを形成するかに応じて所定濃度のｎ型用又はｐ型用の不純物をドープすることにより形成されている。走査線３ａ、絶縁薄膜２及び第１層間絶縁膜１２の上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール５及び高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８が各々形成された第２層間絶縁膜４が形成されている。コンタクトホール５を介して、データ線６は高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続されている。更に、データ線６及び第２層間絶縁膜４の上には、高濃度ドレイン領域１ｅへのコンタクトホール８が形成された第３層間絶縁膜７が形成されている。コンタクトホール８を介して、画素電極９ａは高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続されている。画素電極９ａは、このように構成された第３層間絶縁膜７の上面に設けられている。尚、画素電極９ａと高濃度ドレイン領域１ｅとは、データ線６と同一のＡｌ膜や走査線３ｂと同一のポリシリコン膜を中継して、或いは専ら中継用の導電膜を中継して電気的に接続するようにしてもよい。

画素スイッチング用ＴＦＴ３０は、好ましくは上述のようにＬＤＤ構造を持つが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオフセット構造を持ってもよいし、走査線３ａの一部であるゲート電極をマスクとして高濃度で不純物イオンを打ち込み、自己整合的に高濃度ソース及びドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。

また本実施形態では、画素スイッチング用ＴＦＴ３０の走査線３ａの一部であるゲート電極を高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅ間に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。この際、各々のゲート電極には同一の信号が印加されるようにする。このようにデュアルゲート或いはトリプルゲート以上でＴＦＴを構成すれば、チャネルとソース及びドレイン領域接合部のリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することができる。これらのゲート電極の少なくとも１個をＬＤＤ構造或いはオフセット構造にすれば、更にオフ電流を低減でき、安定したスイッチング素子を得ることができる。

図２から図４に示すように第１実施形態では特に、データ線６と走査線３ａとが交差する平面領域内に、ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａのチャネル領域１ａ'及びその隣接領域が配置される。ここで、仮にデータ線６の突出部６ｂが存在しないと仮定すれば、走査線３ａ及び容量線３ｂが遮光性の低いポリシリコン膜からなるため、斜めに入射した入射光は、その入射角度や液晶層５０の層厚等に応じて、走査線３ａ及び容量線３ｂを介してチャネル領域１ａ'及びその隣接領域に入射する場合がある。しかるに、本発明では、遮光性のＡｌ等の金属を含有した遮光性の導電膜からなるデータ線６から延設された突出部６ｂの存在により、このように斜めに入射する入射光を確実に遮光できる。更に、第１遮光膜１１ａは、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ'及びその隣接領域をＴＦＴ３０の下側から見て覆う位置に設けられるので、チャネル領域１ａ'及びその隣接領域は、ＴＦＴアレイ基板１０の側から入射される、例えば、裏面反射光や、複数の電気光学装置を組み合わせて用いる場合に合成光学系を突き抜けてくる他の電気光学装置からの投射光などの戻り光に対しては、第１遮光膜１１ａにより遮光されており、ＴＦＴ３０の戻り光等による特性変化を防止できる。従って、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ'及びその隣接領域に対する遮光は、図３中、上側については遮光性のデータ線６の主配線部６ａ及び突出部６ｂ並びに対向基板２０上の第２遮光膜２３によりなされており、図３中、下側については第１遮光膜１１ａによりなされており、言わば、チャネル領域１ａ'及びその隣接領域を上下から包み込むことにより遮光が確実に行われる。加えて、電気光学装置内で発生する多重反射光が、チャネル領域１ａ'及びその隣接領域に入射する事態をも、係る構成により効果的に未然防止できる。

更に本実施形態のように、データ線６により、ＴＦＴアレイ基板１０上におけるＴＦＴ３０の上側で各画素の開口領域を部分的に規定すれば、対向基板２０上に、画素の開口領域を規定するための格子状や帯状の第２遮光膜２３をより小さな領域に設ければ足りるので有利である。

加えて本実施形態では、走査線３ａは、平面的に見て走査線３ａに交わる方向に相隣接する画素電極９ａ間の間隙に設けられており、突出部６ｂは、平面的に見て、この間隙内に突出している。従って、画素電極９ａと突出部６ｂとの間に生じる寄生容量を低められる。尚、図２に示すように、走査線３ａの縁は、平面的に見て画素電極９ａの縁に僅かに重ねられており、突出部６ｂの縁は、画素電極９ａの縁に僅かに重ねられている。相隣接する画素電極９ａ間における光抜けを防止する観点からは、このように突出部６ｂの縁を画素電極９ａの縁に僅かに重ねておくとよい。このようにデータ線６から突出した突出部６ａと画素電極９ａとを重ねることは、データ線６と画素電極９ａとの間に寄生容量を発生させることにつながるため、製造マージンが許す限度で、僅かに重ねるようにするのが好ましい。

尚、以上説明した本実施形態においては、第１遮光膜１１ａは、定電位源に電気的に接続されてもよい。このように構成すれば、第１遮光膜１１ａに対向配置される画素スイッチング用ＴＦＴ３０に対し第１遮光膜１１ａの電位変動が悪影響を及ぼすことはない。また、容量線３ｂを定電位とすることで、蓄積容量７０の第２蓄積容量電極として良好に機能し得る。この場合、定電位源としては、当該電気光学装置を駆動するための周辺回路（例えば、走査線駆動回路、データ線駆動回路等）に供給される負電源、正電源等の定電位源、接地電源、対向電極２１に供給される定電位源等が挙げられる。

以上詳細に説明したように本実施形態の電気光学装置によれば、画素部におけるＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ'及びその隣接領域における遮光機能が高いため良好なＴＦＴ特性により高品位の画像表示が可能であり、しかも遮光膜により画素開口率を殆ど低下させることがないため、明るい画像表示が可能である。

（電気光学装置の第２実施形態）
本発明による電気光学装置の第２実施形態について、特に画像表示領域における構成を中心として図５から図７を参照して説明する。図５は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であり、図６は、図５のＡ−Ａ'断面図である。また図７は、１Ｈ反転駆動方式における各電極における電位極性と横電界が生じる領域とを示す画素電極の図式的平面図である。尚、第２実施形態における図５のＢ−Ｂ'断面図は、第１実施形態における図４に示したものと同様である。また図５及び図６に示した第２実施形態において図１から図４に示した第1実施形態と同様の構成要素については、同様の参照符号を付し、その説明は省略する。また、図５及び図６においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。

図５及び図６に示すように、第２実施形態では、データ線６'が有する突出部６ｂ'が、平面的に見て相隣接する画素電極９ａ間が占める領域及び走査線３ａと重なる領域が、夫々においてその半分以上を占めるように配置されている。更に、第２実施形態の電気光学装置は、同一の走査線３ａに沿った画素電極９ａ群毎に、液晶層５０に印加する電位極性を反転させる１Ｈ反転駆動方式により駆動される。その他の構成については、第１実施形態と同様である。

ここで図７を参照して、本実施形態で採用する１Ｈ反転駆動方式における、相隣接する画素電極９ａの電位極性と横電界の発生領域との関係について説明する。

即ち、図７（ａ）に示すように、ｎ（但し、ｎは自然数）番目のフィールド或いはフレームの画像信号を表示する期間中には、画素電極９ａ毎に＋又は−で示す液晶駆動電圧の極性は反転されず、行毎に同一極性で画素電極９ａが駆動される。その後図７（ｂ）に示すように、ｎ＋１番目のフィールド或いは１フレームの画像信号を表示するに際し、各画素電極９ａにおける液晶駆動電圧の電位極性は反転され、このｎ＋１番目のフィールド或いは１フレームの画像信号を表示する期間中には、画素電極９ａ毎に＋又は−で示す液晶駆動電圧の極性は反転されず、行毎に同一極性で画素電極９ａが駆動される。そして、図７（ａ）及び図７（ｂ）に示した状態が、１フィールド又は１フレームの周期で繰り返されて、本実施形態における１Ｈ反転駆動方式による駆動が行われる。この結果、本実施形態によれば、直流電圧印加による液晶の劣化を避けつつ、クロストークやフリッカの低減された画像表示を行える。尚、１Ｈ反転駆動方式によれば、列方向の画素電極９ａ毎に液晶層５０に印加する電位極性を反転させる１Ｓ反転駆動方式と比べて、列方向のクロストークが殆ど無い点で有利である。

図７（ａ）及び図７（ｂ）から分かるように、１Ｈ反転駆動方式では、横電界の発生領域Ｃ１は常時、列方向（Ｙ方向）に相隣接する画素電極９ａ間の間隙付近となる。

そこで図５及び図６に示すように本実施形態では、横電界が生じる領域に、データ線６の突出部６ｂを形成して画素電極９ａの下地面を盛り上げることにより、画素電極９ａと対向電極２１との間の距離を他の領域と比べて縮める構成を採用する。これにより、相対的に縦電界は強められ且つ横電界は弱められ、液晶層５０に対する横電界による悪影響が低減される。

特に第２実施形態によれば、上述のように横電界が発生する領域の半分以上において、突出部６ｂの存在により縦電界を強められる。但し、画素電極９ａとＴＦＴ３０とを電気的に接続するコンタクトホール８と突出部６ｂとが交差するのでは動作不可となるため、係るコンタクトホール８が開孔されている場合には、これを避けるように突出部６ｂが平面配置されている。しかも、画素電極９ａの下地面は、データ線６の主配線部６ａ上で平坦化されているので、一般に画素電極９ａの下地面の段差によって生じる液晶の配向不良が、平坦化により低減されている。

以上の結果、第２実施形態によれば、横電界や段差による液晶の配向不良に起因する光抜けで、コントラスト比が低下するのを防ぐことが出来、最終的に高品位の画像表示が可能となる。

尚、このようにデータ線６の主配線部６ａに沿った画素電極９ａを平坦化するためには、第１層間絶縁膜１２、第２層間絶縁膜４、第３層間絶縁膜７及びＴＦＴアレイ基板１０の少なくとも一つに、主配線部６ａに対向する位置に溝を形成し、且つ突出部６ｂに対向する位置には溝を形成しないで、主配線部６ａをこの溝内に埋め込むように構成すればよい。このように部分的に平坦化する事により、高いコントラスト比を実現する事が可能になる。

（電気光学装置の全体構成）
以上のように構成された電気光学装置の各実施形態の全体構成を図８及び図９を参照して説明する。尚、図８は、ＴＦＴアレイ基板１０をその上に形成された各構成要素と共に対向基板２０の側から見た平面図であり、図９は、対向基板２０を含めて示す図８のＨ−Ｈ'断面図である。

図８において、ＴＦＴアレイ基板１０の上には、シール材５２がその縁に沿って設けられており、その内側に並行して、例えば第２遮光膜２３と同じ或いは異なる材料から成る額縁としての第３遮光膜５３が設けられている。シール材５２の外側の領域には、データ線６に画像信号を所定タイミングで供給することによりデータ線６を駆動するデータ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられており、走査線３ａに走査信号を所定タイミングで供給することにより走査線３ａを駆動する走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する２辺に沿って設けられている。走査線３ａに供給される走査信号遅延が問題にならないのならば、走査線駆動回路１０４は片側だけでも良いことは言うまでもない。また、データ線駆動回路１０１を画像表示領域の辺に沿って両側に配列してもよい。更にＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的に導通をとるための上下導通材１０６が設けられている。そして、図９に示すように、図８に示したシール材５２とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板２０が当該シール材５２によりＴＦＴアレイ基板１０に固着されている。尚、ＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、複数のデータ線６に画像信号を所定のタイミングで印加するサンプリング回路１０３、複数のデータ線６に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。

以上説明した各実施形態における電気光学装置は、カラー表示のプロジェクタに適用されるため、３枚の電気光学装置がＲＧＢ用のライトバルブとして各々用いられ、各ライトバルブには各々ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになる。従って、各実施形態では、対向基板２０に、カラーフィルタは設けられていない。しかしながら、第２遮光膜２３の形成されていない画素電極９ａに対向する所定領域にＲＧＢのカラーフィルタをその保護膜と共に、対向基板２０上に形成してもよい。更に、入射光の集光効率を向上するように、対向基板２０上に１画素１個対応するようにマイクロレンズを形成してもよい。更にまた、明るさ向上のために、対向基板２０上に、何層もの屈折率の相違する干渉層を堆積することで、光の干渉を利用して、ＲＧＢ色を作り出すダイクロイックフィルタを形成してもよい。

以上説明した各実施形態における電気光学装置では、従来と同様に入射光を対向基板２０の側から入射することとしたが、第１遮光膜１１ａを設けているので、ＴＦＴアレイ基板１０の側から入射光を入射し、対向基板２０の側から出射するようにしても良い。即ち、このように電気光学装置をプロジェクタに取り付けても、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のチャネル領域及びその隣接領域に光が入射することを防ぐことが出来、高画質の画像を表示することが可能である。また、ＴＦＴアレイ基板１０に第１遮光膜１１ａを形成することにより、ＴＦＴアレイ基板１０の裏面側での反射を防止するためにＡＲ被膜された偏光板やＡＲフィルムを用いたりＴＦＴアレイ基板１０そのものをＡＲ処理した基板を使用する必要が無くなる。従って、各実施形態によれば、材料コストを削減でき、また偏光板貼り付け時に、ごみ、傷等により、歩留まりを落とすことがなく大変有利である。また、耐光性が優れているため、明るい光源を使用したり、偏光ビームスプリッタにより偏光変換して、光利用効率を向上させても、光によるクロストーク等の画質劣化を生じない。

また、各画素に設けられるスイッチング素子としては、正スタガ型又はコプラナー型のポリシリコンＴＦＴであるとして説明したが、逆スタガ型のＴＦＴやアモルファスシリコンＴＦＴ等の他の形式のＴＦＴに対しても、各実施形態は有効である。

本発明は、上述した各実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴なう電気光学装置もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。

電気光学装置の実施形態における画像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設けられた各種素子、配線等の等価回路である。 電気光学装置の第１実施形態におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。 図２のＡ−Ａ'断面図である。 図２のＢ−Ｂ'断面図である。 電気光学装置の第２実施形態におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。 図５のＡ−Ａ'断面図である。 第２実施形態で用いられる１Ｈ反転駆動方式における各電極における電位極性と横電界が生じる領域とを示す画素電極の図式的平面図である。 電気光学装置の実施形態におけるＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。 図８のＨ−Ｈ'断面図である。

符号の説明

１ａ…半導体層、１ａ'…チャネル領域、１ｂ…低濃度ソース領域、１ｃ…低濃度ドレイン領域、１ｄ…高濃度ソース領域、１ｅ…高濃度ドレイン領域、１ｆ…第１蓄積容量電極、２…絶縁薄膜、３ａ…走査線、３ｂ…容量線、４…第２層間絶縁膜、５…コンタクトホール、６…データ線、６ａ…主配線部、６ｂ…突出部、７…第３層間絶縁膜、８…コンタクトホール、９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１１ａ…第１遮光膜、１２…第１層間絶縁膜、１６…配向膜、２０…対向基板、２１…対向電極、２２…配向膜、２３…第２遮光膜、３０…ＴＦＴ、５０…液晶層、５２…シール材、５３…第３遮光膜、７０…蓄積容量、１０１…データ線駆動回路、１０４…走査線駆動回。

Claims (10)

1. 一対の第１及び第２基板間に電気光学物質が挟持されてなり、マトリクス状に配置された複数の画素を有し、前記第１基板上に、前記画素に対応して設けられる画素電極と、該画素電極に電気的に接続される薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに電気的に接続されており相交差するデータ線及び走査線と、前記第１基板並びに前記薄膜トランジスタの半導体層、前記走査線及び前記データ線をなす各層の間に夫々介在する層間絶縁膜とを備え、前記画素は、前記走査線に沿って配列された画素電極群毎に反転駆動される電気光学装置であって、
   前記データ線は、前記走査線に交わる方向に伸びる主配線部と、該主配線部から前記走査線と重なるように突出する突出部とを有し、
   前記画素電極は、前記主配線部の縁部及び前記突出部の縁部とそれぞれ重なるように設けられており、
   前記層間絶縁膜又は前記第１基板には、前記主配線部に対向する位置に溝が形成され、該溝内に前記主配線部が埋め込まれており、前記突出部に対向する位置には前記溝が形成されておらず、
   前記画素電極の下地面は、前記主配線部上で平坦化されており且つ前記主配線部上と比べて前記突出部上で盛り上がっていることを特徴とする電気光学装置。
2. 前記画素電極と前記薄膜トランジスタとは、コンタクトホールを介して電気的に接続されており、
   前記突出部は、前記主配線部の両側から突出するように形成されており、
   隣り合う前記データ線の突出部は、前記コンタクトホールが形成された領域を除く相隣り合う前記画素電極間に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記データ線に電気的に接続される薄膜トランジスタに対応して設けられる第１の画素電極と、前記第１の画素電極と前記走査線を挟んで隣り合う第２の画素電極と、前記第１の画素電極と前記データ線を挟んで隣り合う第３の画素電極と、前記第１の画素電極と前記薄膜トランジスタを挟んで対角をなす第４の画素電極とを有し、
   前記突出部は、第１乃至第４の画素電極の縁部と夫々重なるように設けられることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
4. 前記第１基板上に、少なくとも前記半導体層のチャネル領域を前記第１基板の側から見て覆う位置に遮光膜を設けたことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
5. 前記遮光膜は、前記走査線に沿って縞状に形成されていることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
6. 前記遮光膜は、前記走査線及び前記データ線に沿って格子状に形成されていることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
7. 前記第２基板上に、前記データ線及び前記走査線の少なくとも一部を前記第２基板の側から見て覆う位置に配置されており各画素の開口領域を少なくとも部分的に規定する他の遮光膜を更に備えたことを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
8. 前記突出部は、平面的に見て走査線の半分以上を覆うように配置されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
9. 前記データ線は、下層が低反射導電膜、上層が遮光性導電膜からなることを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の電気光学装置。
10. 請求項１から９のいずれか一項に記載の電気光学装置をライトバルブとして用いることを特徴とするプロジェクタ。

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