JP2000091581A - 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電気光学装置において、比較的簡単な構成を
用いて、画素部のＴＦＴのチャネル領域やチャネル隣接
領域における入射光や戻り光に対する遮光性能を高め
る。 【解決手段】 電気光学装置は、一対の基板間に挟持さ
れた電気光学物質層（５０）と、ＴＦＴアレイ基板（１
０）にマトリクス状に設けられた画素電極（９ａ）とを
備える。ＴＦＴ（３０）の下側には、第１遮光膜（１１
ａ）が設けられている。データ線（６ａ）は、遮光性の
材料からなり、ＴＦＴのチャネル領域（１ａ’）及びチ
ャネル隣接領域（１ａ”）を対向基板（２０）の側から
見て夫々覆う主配線部と、この主配線部の縁から層間絶
縁膜に形成された溝に向けて伸びておりチャネル隣接領
域を側方から囲む側方遮光部（６ｂ）とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ
（以下適宜、ＴＦＴ(Thin Film Transistor)と称す）駆
動によるアクティブマトリクス駆動方式の電気光学装置
及びその製造方法の技術分野に属し、特に、プロジェク
タ等に用いられる、ＴＦＴの下側に遮光膜を設けた形式
の電気光学装置及びその製造方法の技術分野に属する。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種の電気光学装置がプロジェ
クタ等にライトバルブとして用いられる場合には一般
に、電気光学物質層を挟んでＴＦＴアレイ基板に対向配
置される対向基板の側から投射光が入射される。ここ
で、投射光が画素部のＴＦＴのａ−Ｓｉ（アモルファス
シリコン）膜やｐ−Ｓｉ（ポリシリコン）膜等からなる
半導体層のチャネル領域に入射すると、このチャネル領
域において光電変換効果により光電流が発生してしま
い、ＴＦＴのトランジスタ特性が劣化する。このため、
対向基板には、各ＴＦＴに夫々対向する位置に、Ｃｒ
（クロム）などの金属材料や樹脂ブラックなどからブラ
ックマトリクス或いはブラックマスクと呼ばれる遮光膜
が形成されるのが一般的である。この遮光膜は、各画素
の開口領域（即ち、画像表示領域内において投射光が透
過する領域）を規定することにより、ＴＦＴの半導体層
に対する遮光の他に、コントラストの向上、色材の混色
防止などの機能を果たしている。

【０００３】この種の電気光学装置においては、特にト
ップゲート構造（即ち、ＴＦＴアレイ基板上においてゲ
ート電極がチャネルの上側に設けられた構造）を採る正
スタガ型又はコプラナー型のａ−Ｓｉ又はｐ−ＳｉＴＦ
Ｔを用いる場合には、投射光の一部が電気光学物質プロ
ジェクタ内の投射光学系により戻り光として、ＴＦＴア
レイ基板の側からＴＦＴのチャネル領域に入射するのを
防ぐ必要がある。同様に、投射光が通過する際のＴＦＴ
アレイ基板の表面からの反射光や、更にカラー用に複数
の電気光学装置を組み合わせて使用する場合の他の電気
光学装置から出射した後に投射光学系を突き抜けてくる
投射光の一部が、戻り光としてＴＦＴアレイ基板の側か
らＴＦＴのチャネル領域に入射するのを防ぐ必要もあ
る。このために、特開平９−１２７４９７号公報、特公
平３−５２６１１号公報、特開平３−１２５１２３号公
報、特開平８−１７１１０１号公報等では、石英基板等
からなるＴＦＴアレイ基板上においてＴＦＴに対向する
位置（即ち、ＴＦＴの下側）にも、例えば不透明な高融
点金属から遮光膜（以下適宜、“第１遮光膜”と称す）
を形成した電気光学装置を提案している。

【０００４】更に、この種の電気光学装置においては、
前述した対向基板上の遮光膜（以下適宜、“第２遮光
膜”と称す）に加えて、通常Ａｌ（アルミニウム）膜等
の遮光性の金属薄膜からなるデータ線を層間絶縁膜を介
してＴＦＴのチャネル領域の上側に配線するように構成
し、特に対向基板側から入射される光強度の高い投射光
に対するＴＦＴのチャネル領域の遮光をより確実に行う
ようにしている。

【０００５】以上のように、従来の電気光学装置によれ
ば、対向基板側からの投射光に対しては、対向基板上に
形成された第２遮光膜及び遮光性のデータ線によりＴＦ
Ｔのチャネル領域の遮光がなされており、ＴＦＴアレイ
基板側からの戻り光に対しては、ＴＦＴの下側に形成さ
れた第１遮光膜により、ＴＦＴのチャネル領域の遮光が
なされているので、光電流の発生によるＴＦＴのトラン
ジスタ特性の劣化が低減されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ようにＴＦＴのチャネル領域の上下に第１及び第２遮光
膜や遮光性のデータ線を設ける従来の電気光学装置によ
れば、入射光が基板に対して垂直に入射する場合には問
題が無いが、入射光が基板に対して斜めに入射すると、
電気光学物質層を一度通過してＴＦＴアレイ基板側の第
１遮光膜の上面（ＴＦＴ側に向いた表面）において反射
されて、ＴＦＴのチャネル領域に入射する場合がある。
また、このように第１遮光膜の上面で一旦反射された光
が通常Ａｌ等の反射率の高い材料からなるデータ線の下
面（ＴＦＴ側に向いた表面）や対向基板上の第２遮光膜
の下面で再度反射されてＴＦＴのチャネル領域に入射す
る場合もある。更には、第１遮光膜の上面で一旦反射さ
れた光がデータ線や第２遮光膜の下面と第１遮光膜の上
面との間で多重反射を起こして最終的にＴＦＴのチャネ
ル領域に入射する場合もある。これらいずれの場合にも
（プロジェクタ用途の電気光学装置のように入射光の光
強度が非常に高い際には特に）、ＴＦＴのチャネル領域
を上方から覆うデータ線の側方から斜めに入射した後に
第１遮光膜の上面で反射された投射光等によって、ＴＦ
Ｔにおける光リークが発生してＴＦＴの特性が劣化して
しまうという問題点がある。特に、ＴＦＴにおける遮光
を効率よく行うために、チャネル領域は、一般にはＴＦ
Ｔの下側の第１遮光膜により遮光される範囲の中央付近
にあったり、対向基板の第２遮光膜により遮光される範
囲の中央付近に配置されるが、このような配置との関係
からチャネル領域に隣接する領域における半導体層（以
下適宜、“チャネル隣接領域”と称す）は、遮光膜によ
り遮光される範囲の縁付近に位置する。従って、斜めに
入射した投射光や戻り光は、このチャネル隣接領域に入
射して半導体層に光リークを発生させ易いのである。加
えて、ＬＤＤ構造を採るＴＦＴの場合には、このチャネ
ル隣接領域は、当該ＬＤＤ領域を含むことになり、従っ
て、チャネル領域ではなくても光電変換効果が比較的大
きいＬＤＤ領域に光が入射することにより、ＴＦＴの特
性劣化が顕著に現れてしまうという問題点もある。

【０００７】他方、裏面からの戻り光についても、入射
光よりは光強度は低いが、やはりデータ線や第２遮光膜
の下面により戻り光が反射されてＴＦＴのチャネル領域
に入射したり、この反射光が更に第１遮光膜の上面で反
射されて、更には多重反射によりＴＦＴのチャネル領域
に入射する場合もある。従って、これらの場合にも、Ｔ
ＦＴのチャネル領域を下方から覆う第1遮光膜の側方か
ら斜めに入射した後にデータ線や第２遮光膜の下面で反
射された戻り光等によっても、ＴＦＴにおける光リーク
が発生してＴＦＴの特性が劣化してしまうという問題点
がある。

【０００８】そして、これらの問題に対して、例えば、
対向基板上の第２遮光膜の大きさを大きくして入射光が
多少斜めに入射しても、第１遮光膜やデータ線の形成さ
れた領域には届かないように設計することは技術的に可
能であるが、これでは画素開口率が顕著に低下してしま
うため、画素開口率を高めて明るく高品位の画像表示を
実現するという一般的要請に根本的に反する。

【０００９】本発明は上述した問題点に鑑みなされたも
のであり、ＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の電気
光学装置において、比較的簡単な構成を用いて、ＴＦＴ
のチャネル領域やチャネル隣接領域における入射光や戻
り光に対する遮光性能を高めることができ、高品位の画
像表示が可能な電気光学装置及びその製造方法を提供す
ることを課題とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の電気光学装置は
上記課題を解決するために、一対の第１及び第２基板間
に電気光学物質が挟持されてなり、該第１基板上に、マ
トリクス状に配置された複数の画素電極と、該複数の画
素電極を夫々駆動する複数の薄膜トランジスタと、該複
数の薄膜トランジスタに夫々接続されており相交差する
複数のデータ線及び複数の走査線と、前記複数の薄膜ト
ランジスタを構成する半導体層の少なくともチャネル領
域を前記第１基板の側から見て夫々覆う位置に設けられ
た遮光膜と、該遮光膜、前記半導体層、前記走査線及び
前記データ線を構成する各層間に夫々介在する層間絶縁
膜とを備える。前記データ線は、遮光性の材料からな
り、前記薄膜トランジスタ毎に少なくとも前記チャネル
領域及び前記チャネル領域に隣接する前記半導体層のチ
ャネル隣接領域を前記第２基板の側から見て夫々覆うと
共に長手方向に伸びる主配線部を有する。前記層間絶縁
膜の前記データ線よりも前記第１基板に近い側にある部
分には、前記薄膜トランジスタ毎に少なくとも前記チャ
ネル隣接領域に対向する箇所における前記主配線部の縁
に対向する位置に溝が形成されている。前記データ線
は、前記薄膜トランジスタ毎に前記主配線部の縁から前
記溝に向けて伸びており少なくとも前記チャネル隣接領
域を前記溝側から部分的に囲む側方遮光部を更に有す
る。

【００１１】本発明の電気光学装置によれば、遮光膜
（第１遮光膜）は、複数の薄膜トランジスタの少なくと
もチャネル領域を第１基板の側から見て夫々覆う位置に
設けられる。従って、薄膜トランジスタのチャネル領域
は、第１基板の側から入射される戻り光等については、
遮光膜により遮光されており、薄膜トランジスタの戻り
光等による特性劣化を防止できる。また、データ線は遮
光性の材料からなり、データ線の主配線部は、少なくと
もチャネル領域及びチャネル隣接領域を第２基板の側か
ら見て夫々覆うと共に長手方向に伸びる。ここで特に、
データ線よりも第１基板に近い側にある層間絶縁膜に
は、少なくともチャネル隣接領域に対向する箇所におけ
る主配線部の縁に対向する位置に溝が形成されており、
データ線の側方遮光部は、主配線部の縁から溝に向けて
伸びており、少なくともチャネル隣接領域を溝側から部
分的に囲む。従って、薄膜トランジスタのチャネル領域
及びチャネル隣接領域は、第２基板の側から第１基板に
対して垂直に入射される投射光等については、主配線部
により遮光されており、第１基板に対して斜めに入射さ
れる投射光等については、溝に向けて伸びる側方遮光部
により遮光されている。このため、薄膜トランジスタの
第１基板に対して垂直に入射される投射光のみならず斜
めに入射される投射光等による特性劣化を防止できる。
尚、このように主配線部及び側方遮光部を有するデータ
線は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）等の遮光性、伸延
性及び導電性に優れた既存の金属薄膜から構成されてい
る。

【００１２】このように、薄膜トランジスタのチャネル
領域に対する遮光は、対向基板に対向する方向（上方）
については遮光性のデータ線の主配線部によりなされ、
第１基板に対向する方向（下方）については遮光膜によ
りなされ、対向基板や第１基板に斜めに面する方向（側
方）については、データ線の側方遮光部によりなされて
おり、言わば、薄膜トランジスタのチャネル領域及びチ
ャネル隣接領域を立体的に囲むことにより遮光が行われ
る。この結果、当該薄膜トランジスタでは、投射光や戻
り光の入射角度や電気光学装置内における反射角度等に
殆ど又は全くよらずに、投射光や戻り光等による光電流
の発生に起因したトランジスタ特性の劣化が低減され
る。

【００１３】尚、対向基板に対向する方向（上方）の遮
光については、データ線の主配線部による遮光に加え
て、前述した従来技術のようにブラックマスク或いはブ
ラックマトリクスと称される遮光膜（第２遮光膜）を対
向基板に形成することにより冗長的に行ってもよい。

【００１４】本発明の電気光学装置の一の態様では、前
記溝は、前記薄膜トランジスタ毎に前記チャネル隣接領
域に対向する箇所における前記主配線部の両縁に対向す
る位置に二つ形成されており、前記側方遮光部は、前記
薄膜トランジスタ毎に前記二つ形成された溝に対応して
二つ設けられており、前記チャネル隣接領域は前記第1
基板に平行な平面内で二方向から囲まれている。

【００１５】この態様によれば、二つ形成された溝に対
応して二つ設けられた側方遮光部により、チャネル隣接
領域は第1基板に平行な平面内で二方向から（即ち、デ
ータ線の主配線部の両縁で）囲まれているので、これら
二方向のうちいずれの方向から斜めに投射光や戻り光或
いはそれらの反射光が入射しようとしても、当該側方遮
光部により遮光することが可能となる。

【００１６】この態様では更に、前記薄膜トランジスタ
毎に、前記チャネル隣接領域の前記チャネル領域と反対
側には、前記データ線から前記第１基板の側に伸びるコ
ンタクトホールが開孔されており、当該コンタクトホー
ル内を前記第１基板に向けて伸びる前記データ線の部分
と、前記二つ設けられた側方遮光部とにより、前記チャ
ネル隣接領域は前記第1基板に平行な平面内で三方向か
ら囲まれてもよい。

【００１７】このように構成すれば、二つの側方遮光部
及びコンタクトホール内を伸びるデータ線の部分によ
り、チャネル隣接領域は第1基板に平行な平面内で三方
向から囲まれているので、これら三方向のうちいずれの
方向から斜めに投射光や戻り光或いはそれらの反射光が
入射しようとしても、当該側方遮光部により遮光するこ
とが可能となる。

【００１８】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記溝は、前記第２基板の側から見て前記薄膜トランジス
タ毎に前記チャネル領域及び前記チャネル隣接領域を包
囲するように形成されており、前記側方遮光部は、前記
包囲するように形成された溝に対応して前記第１基板に
平行な面内で前記チャネル領域及び前記チャネル隣接領
域を包囲する。

【００１９】この態様によれば、チャネル領域及びチャ
ネル隣接領域は、側方遮光部により包囲されているの
で、いずれの方向から斜めに投射光や戻り光或いはそれ
らの反射光が入射しようとしても、当該側方遮光部によ
り遮光することが可能となる。

【００２０】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記遮光膜は、前記薄膜トランジスタ毎に島状に形成され
ていることを特徴とする。

【００２１】この態様によれば、島状の遮光膜により、
第１基板の側からの戻り光等に対する薄膜トランジスタ
における遮光が行われる。特に、遮光膜は島状に形成さ
れているため、遮光膜と層間絶縁膜、半導体層等のその
他の膜との間における熱特性の相違に起因した遮光膜に
よるストレスの発生を抑えることができ、遮光膜やその
他の膜にクラックが生じたり破損したりする可能性を低
減できる。

【００２２】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記遮光膜は、前記走査線に沿って縞状に形成されてい
る。

【００２３】この態様によれば、縞状の配線により第１
基板の側からの戻り光等に対する薄膜トランジスタにお
ける遮光が行われる。この場合、走査線に沿って縞状に
形成された遮光膜を配線として利用することも可能とな
り、更に、例えば遮光膜を画像表示領域の外まで引き出
すことにより定電位配線や定電位源に接続することがで
き、これにより遮光膜を比較的容易に定電位とすること
ができる。このように薄膜トランジスタのチャネル領域
に対向する遮光膜を定電位とすれば、遮光膜の電位変動
が薄膜トランジスタの特性に悪影響を及ぼす事態を未然
に防げる。尚、前述の態様における島状の遮光膜の場合
にも、例えば、容量線などの他の定電位配線或いは大容
量配線に接続することにより定電位或いはほぼ定電位と
することは可能である。また、遮光膜は、データ線及び
走査線に沿って格子状に形成されてもよい。

【００２４】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記薄膜トランジスタはＬＤＤ（Lightly Doped Drain）
構造あるいはオフセット構造を持つ型の薄膜トランジス
タからなり、前記チャネル隣接領域は、ＬＤＤ領域ある
いはオフセット領域を含む。

【００２５】この態様によれば、薄膜トランジスタはＬ
ＤＤ構造あるいはオフセット構造を持つので、オフ電流
を低減できると共に安定したスイッチング特性を得るこ
とが出来、ＬＤＤ領域あるいはオフセット構造は、デー
タ線の主配線部及び遮光膜により上方及び下方が遮光さ
れ、側方遮光部により側方が遮光されるので、光電変換
による光電流が当該ＬＤＤ領域あるいはオフセット領域
で発生するのを抑制することが出来る。

【００２６】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記第２基板に、前記側方遮光部を含む前記データ線、前
記走査線及び前記薄膜トランジスタを前記第２基板の側
から見て覆う位置に配置されており各画素の開口領域を
規定する他の遮光膜を更に備える。

【００２７】この態様によれば、側方遮光部を含むデー
タ線、走査線及び薄膜トランジスタは、第２基板に配置
されており各画素の開口領域を規定する他の遮光膜、即
ち、一般にブラックマスク或いはブラックマトリクスと
称される遮光膜（第２遮光膜）により遮光されている。
従って、チャネル領域及びチャネル隣接領域は、この遮
光膜及びデータ線の主配線部により上方が遮光される。

【００２８】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記層間絶縁膜は、前記遮光膜と前記半導体層との間に介
在する第１層間絶縁膜並びに前記薄膜トランジスタ及び
前記走査線と前記データ線との間に介在する第２層間絶
縁膜を含んでおり、前記溝は、前記第１層間絶縁膜及び
前記第２層間絶縁膜のうち少なくとも一方が開孔される
ことにより形成されている。

【００２９】この態様によれば、チャネル隣接領域に対
向する箇所における主配線部の縁に対向する位置におい
て、第１及び第２層間絶縁膜のうち少なくとも一方が開
孔されており、この開孔に対応して層間絶縁膜には溝が
形成されている。例えば、第１及び第２層間絶縁膜のい
ずれか一方のみ開孔すれば、その一方の層間絶縁膜の厚
みに対応した深さの溝が形成される。或いは、第１及び
第２層間絶縁膜を開孔すれば、該第１及び第２層間絶縁
膜の厚みの合計に対応した深さの溝が形成される。尚、
ここに“開孔”とは、貫通孔と非貫通孔との両者を含む
意である。

【００３０】本発明の第１の電気光学装置の製造方法は
上記課題を解決するために、前記第１及び第２層間絶縁
膜を備えた態様の電気光学装置を製造する製造方法であ
って、前記第１基板上の所定領域に前記遮光膜を形成す
る工程と、前記第１基板及び前記遮光膜上に第１層間絶
縁膜を堆積する工程と、前記第１層間絶縁膜上に前記薄
膜トランジスタ及び前記走査線を形成する工程と、前記
薄膜トランジスタ及び前記走査線上に第２層間絶縁膜を
形成する工程と、前記第２層間絶縁膜上に前記溝に対応
するレジストパターンをフォトリソグラフィで形成する
工程と、該レジストパターンを介して所定持間のエッチ
ングを行い前記第１層間絶縁膜及び前記第２層間絶縁膜
のうち少なくとも前記第２層間絶縁膜を開孔することに
より前記溝を形成する工程と、前記第２層間絶縁膜上に
前記データ線を形成すると共に前記溝に前記側方遮光部
を形成する工程とを含む。

【００３１】本発明の第１の電気光学装置の製造方法に
よれば、先ず、第１基板上の所定領域に遮光膜が形成さ
れる。次に、第１基板及び遮光膜上に、第１層間絶縁膜
が堆積され、更に第１層間絶縁膜上に、薄膜トランジス
タ及び走査線が形成される。次に、薄膜トランジスタ及
び走査線上に、第２層間絶縁膜が形成される。次に、第
２層間絶縁膜上に、溝に対応するレジストパターンがフ
ォトリソグラフィで形成され、該レジストパターンを介
して所定持間のエッチングを行うことにより第１及び第
２層間絶縁膜のうち少なくとも第２層間絶縁膜が開孔さ
れて、少なくともチャネル隣接領域に対向する箇所にお
ける主配線部の縁に対向する位置に溝が形成される。こ
の際、第２層間絶縁膜だけでなく第１層間絶縁膜をも開
孔すれば、その分だけ深い溝が形成される。このエッチ
ング工程において、例えばドライエッチングを用いる場
合には、ほぼ露光寸法通りに開孔できる。そして、第２
層間絶縁膜上に、例えば、Ａｌ等の金属薄膜からデータ
線が形成されると共に、この溝に側方遮光部が形成され
る。この結果、前述した本発明の第１及び第２層間絶縁
膜を備えた態様の電気光学装置を比較的容易に製造でき
る。

【００３２】本発明の第２の電気光学装置の製造方法は
上記課題を解決するために、前記第１及び第２層間絶縁
膜を備えた態様の電気光学装置を製造する製造方法であ
って、前記第１基板上の所定領域に前記遮光膜を形成す
る工程と、前記第１基板及び前記遮光膜上に第１層間絶
縁膜を堆積する工程と、前記第１層間絶縁膜上に前記溝
に対応するレジストパターンをフォトリソグラフィで形
成する工程と、該レジストパターンを介して所定持間の
エッチングを行い前記第１層間絶縁膜を開孔する工程
と、前記第１層間絶縁膜上に前記薄膜トランジスタ及び
前記走査線を形成する工程と、前記薄膜トランジスタ及
び前記走査線上に前記第２層間絶縁膜を形成すると共に
前記第１層間絶縁膜が開孔された箇所に前記第２層間絶
縁膜を形成して前記溝を形成する工程と、前記第２層間
絶縁膜上に前記データ線を形成すると共に前記溝に前記
側方遮光部を形成する工程とを含む。

【００３３】本発明の第２の電気光学装置の製造方法に
よれば、先ず、第１基板上の所定領域に遮光膜が形成さ
れる。次に、第１基板及び遮光膜上に、第１層間絶縁膜
が堆積される。次に、第１層間絶縁膜上に、溝に対応す
るレジストパターンがフォトリソグラフィで形成され、
該レジストパターンを介して所定持間のエッチングを行
うことにより第１層間絶縁膜が開孔される。このエッチ
ング工程において、例えばドライエッチングを用いる場
合には、ほぼ露光寸法通りに開孔できる。次に、第１層
間絶縁膜上に、薄膜トランジスタ及び走査線が形成され
る。次に、薄膜トランジスタ及び走査線上に、第２層間
絶縁膜が形成される。この際、第１層間絶縁膜の開孔に
対応して第２層間絶縁膜には、少なくともチャネル隣接
領域に対向する箇所における主配線部の縁に対向する位
置に溝が形成される。このように溝が形成された第２層
間絶縁膜上に、例えば、Ａｌ等の金属薄膜からデータ線
が形成されると共に、この溝に側方遮光部が形成され
る。この結果、前述した本発明の第１及び第２層間絶縁
膜を備えた態様の電気光学装置を比較的容易に製造でき
る。

【００３４】本発明の第１及び第２の電気光学装置の製
造方法の一態様では夫々、前記エッチング工程は、前記
溝の側壁をテーパ状に形成するウエットエッチング工程
を含む。

【００３５】この態様によれば、ウエットエッチング工
程により、第１層間絶縁膜や第２層間絶縁膜に開孔され
る溝の側壁は、テーパ状に形成される。このように溝の
側壁をテーパ状に形成しておけば、開孔内に後工程で形
成される、例えば、ポリシリコン膜、レジスト等が残る
ことがない。このため、この側方遮光部を主配線部から
溝に向けて確実に延ばすことにより、データ線による信
頼性の高い遮光が可能となる。また、データ線の側方遮
光部の裏面側に戻り光が照射したとしても、テーパー角
度を制御することにより、乱反射させ、チャネル領域や
チャネル隣接領域に光が照射されるのを防ぐことができ
る。

【００３６】本発明のこのような作用及び他の利得は次
に説明する実施形態から明らかにする。

【００３７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。

【００３８】（電気光学装置の第１実施形態）本発明に
よる電気光学装置の第１実施形態について、特に画像表
示領域における構成を中心としてその動作と共に、図１
から図７を参照して説明する。図１は、電気光学装置の
画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数
の画素における各種素子、配線等の等価回路である。図
２は、データ線、走査線、画素電極、遮光膜等が形成さ
れたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面
図であり、図３は、図２のＤ−Ｄ’断面図であり、図４
は、図２のＡ−Ａ’断面図である。図５は、図２から図
４に示した電気光学装置のデータ線及び半導体層を部分
的に抜き出して示す拡大斜視図である。図６は、比較例
における斜めからの入射光が反射してＴＦＴのチャネル
領域に入射する様子を示す図式的断面図である。また、
図７は、変形形態における図２のＡ−Ａ’断面に対応す
る断面図である。尚、図３、図４、図６及び図７におい
ては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさ
とするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてあ
る。

【００３９】図１において、本実施形態による電気光学
装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成され
た複数の画素は、画素電極９ａを制御するためのＴＦＴ
３０がマトリクス状に複数形成されており、画像信号が
供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電
気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信
号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給して
も構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対
して、グループ毎に供給するようにしても良い。また、
ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されて
おり、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走
査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加
するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３
０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング
素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉
じることにより、データ線６ａから供給される画像信号
Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
画素電極９ａを介して電気光学物質に書き込まれた所定
レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板
（後述する）に形成された対向電極（後述する）との間
で一定期間保持される。電気光学物質は、印加される電
圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することに
より、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリー
ホワイトモードであれば、印加された電圧に応じて入射
光がこの電気光学物質部分を通過不可能とされ、ノーマ
リーブラックモードであれば、印加された電圧に応じて
入射光がこの電気光学物質部分を通過可能とされ、全体
として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラス
トを持つ光が出射する。ここで、保持された画像信号が
リークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極と
の間に形成される電気光学物質容量と並列に蓄積容量７
０を付加する。例えば、画素電極９ａの電圧は、ソース
電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容
量７０により保持される。これにより、保持特性は更に
改善され、コントラスト比の高い電気光学装置が実現で
きる。

【００４０】図２において、電気光学装置のＴＦＴアレ
イ基板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９
ａ（点線部９ａ’により輪郭が示されている）が設けら
れており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデー
タ線６ａ、走査線３ａ及び容量線３ｂが設けられてい
る。データ線６ａは、コンタクトホール５を介してポリ
シリコン膜等からなる半導体層１ａのうち後述のソース
領域に電気的接続されており、画素電極９ａは、コンタ
クトホール８を介して半導体層１ａのうち後述のドレイ
ン領域に電気的接続されている。また、半導体層１ａの
うちチャネル領域１ａ’（図中右下りの斜線の領域）に
対向するように走査線３ａが配置されており、走査線３
ａはゲート電極として機能する。このように、走査線３
ａとデータ線６ａとの交差する個所には夫々、チャネル
領域１ａ’に走査線３ａがゲート電極として対向配置さ
れたＴＦＴ（即ち、図１に示したＴＦＴ３０）が設けら
れている。

【００４１】容量線３ｂは、走査線３ａに沿ってほぼ直
線状に伸びる本線部と、データ線６ａと交差する箇所か
らデータ線６ａに沿って前段側（図中、上向き）に突出
した突出部とを有する。

【００４２】また、図中右上がりの斜線で示した領域に
は夫々、走査線３ａ及びＴＦＴの下側を通るように、第
１遮光膜１１ａが設けられている。より具体的には図２
において、第1遮光膜１１ａは夫々、走査線３ａに沿っ
て縞状に形成されていると共に、データ線６ａと交差す
る箇所が上下に幅広に形成されており、この幅広の部分
により各ＴＦＴのチャネル領域１ａ’及び該チャネル領
域に隣接するチャネル隣接領域１ａ”をＴＦＴアレイ基
板側から見て夫々覆う位置に設けられている。

【００４３】本実施形態では特に、図２中、コンタクト
ホール５に近い側のチャネル隣接領域１ａ”の両側に位
置する黒塗りした矩形領域における後述の層間絶縁膜に
溝が形成されており、その溝内にデータ線６ａの主配線
部の縁から図２中紙面に向かって伸びる側方遮光部６ｂ
が設けられている。即ち、図２中、コンタクトホール５
に近い側のチャネル隣接領域１ａ”は、その側方遮光部
６ｂにより左右から囲まれており、該左右からの光に対
する遮光が施されている。この側方遮光部６ｂに係る構
成については図４から図６を用いて後に詳述する。

【００４４】次に図３の断面図に示すように、電気光学
装置は、透明な一方の基板の一例を構成するＴＦＴアレ
イ基板１０と、これに対向配置される透明な他方の基板
の一例を構成する対向基板２０とを備えている。ＴＦＴ
アレイ基板１０は、例えば石英基板からなり、対向基板
２０は、例えばガラス基板や石英基板からなる。ＴＦＴ
アレイ基板１０には、画素電極９ａが設けられており、
その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施さ
れた配向膜１６が設けられている。画素電極９ａは例え
ば、ＩＴＯ膜（Indium Tin Oxide膜）などの透明導電性
薄膜からなる。また配向膜１６は例えば、ポリイミド薄
膜などの有機薄膜からなる。

【００４５】他方、対向基板２０には、その全面に渡っ
て対向電極（共通電極）２１が設けられており、その下
側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配
向膜２２が設けられている。対向電極２１は例えば、Ｉ
ＴＯ膜などの透明導電性薄膜からなる。また配向膜２２
は、ポリイミド薄膜などの有機薄膜からなる。

【００４６】ＴＦＴアレイ基板１０には、各画素電極９
ａに隣接する位置に、各画素電極９ａをスイッチング制
御する画素スイッチング用ＴＦＴ３０が設けられてい
る。

【００４７】対向基板２０には、更に図３に示すよう
に、各画素の開口領域以外の領域に、ブラックマスク或
いはブラックマトリクスと称される第２遮光膜２３が設
けられている。このため、対向基板２０の側から入射光
が画素スイッチング用ＴＦＴ３０の半導体層１ａのチャ
ネル領域１ａ’やＬＤＤ領域１ｂ及び１ｃに侵入するこ
とはない。更に、第２遮光膜２３は、コントラストの向
上、色材の混色防止などの機能を有する。尚、ＬＤＤ領
域１ｂ及び１ｃは、図２に示したチャネル隣接領域１
ａ”に含まれる。

【００４８】このように構成され、画素電極９ａと対向
電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ基
板１０と対向基板２０との間には、後述のシール材（図
１４及び図１５参照）により囲まれた空間に電気光学物
質が封入され、電気光学物質層５０が形成される。電気
光学物質層５０は、画素電極９ａからの電界が印加され
ていない状態で配向膜１６及び２２により所定の配向状
態をとる。電気光学物質層５０は、例えば一種又は数種
類のネマティック電気光学物質を混合した電気光学物質
からなる。シール材は、二つの基板１０及び２０をそれ
らの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や
熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を
所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビー
ズ等のスペーサが混入されている。

【００４９】更に図３に示すように、画素スイッチング
用ＴＦＴ３０に各々対向する位置においてＴＦＴアレイ
基板１０と各画素スイッチング用ＴＦＴ３０との間に
は、第１遮光膜１１ａが設けられている。第１遮光膜１
１ａは、好ましくは不透明な高融点金属であるＴｉ、Ｃ
ｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｄのうちの少なくとも一つを
含む、金属単体、合金、金属シリサイド等から構成され
る。このような材料から構成すれば、ＴＦＴアレイ基板
１０上の第１遮光膜１１ａの形成工程の後に行われる画
素スイッチング用ＴＦＴ３０の形成工程における高温処
理により、第１遮光膜１１ａが破壊されたり溶融しない
ようにできる。第１遮光膜１１ａが形成されているの
で、ＴＦＴアレイ基板１０の側からの戻り光等が画素ス
イッチング用ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’やＬＤＤ
領域１ｂ、１ｃに入射する事態を未然に防ぐことがで
き、これに起因した光電流の発生により画素スイッチン
グ用ＴＦＴ３０の特性が劣化することはない。

【００５０】更に、第１遮光膜１１ａと複数の画素スイ
ッチング用ＴＦＴ３０との間には、第１層間絶縁膜１２
が設けられている。第１層間絶縁膜１２は、画素スイッ
チング用ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａを第１遮光
膜１１ａから電気的絶縁するために設けられるものであ
る。更に、第１層間絶縁膜１２は、ＴＦＴアレイ基板１
０の全面に形成されることにより、画素スイッチング用
ＴＦＴ３０のための下地膜としての機能をも有する。即
ち、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における荒れ
や、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用ＴＦＴ３
０の特性の劣化を防止する機能を有する。第１層間絶縁
膜１２は、例えば、ＮＳＧ（ノンドープトシリケートガ
ラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボ
ロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケ
ートガラス）などの高絶縁性ガラス又は、酸化シリコン
膜、窒化シリコン膜等からなる。第１層間絶縁膜１２に
より、第１遮光膜１１ａが画素スイッチング用ＴＦＴ３
０等を汚染する事態を未然に防ぐこともできる。

【００５１】本実施形態では、ゲート絶縁膜２を走査線
３ａに対向する位置から延設して誘電体膜として用い、
半導体膜１ａを延設して第１蓄積容量電極１ｆとし、更
にこれらに対向する容量線３ｂの一部を第２蓄積容量電
極とすることにより、蓄積容量７０が構成されている。
より詳細には、半導体層１ａの高濃度ドレイン領域１ｅ
が、データ線６ａ及び走査線３ａの下に延設されて、同
じくデータ線６ａ及び走査線３ａに沿って伸びる容量線
３ｂ部分に絶縁膜２を介して対向配置されて、第１蓄積
容量電極（半導体層）１ｆとされている。特に蓄積容量
７０の誘電体としての絶縁膜２は、高温酸化によりポリ
シリコン膜上に形成されるＴＦＴ３０のゲート絶縁膜２
に他ならないので、薄く且つ高耐圧の絶縁膜とすること
ができ、蓄積容量７０は比較的小面積で大容量の蓄積容
量として構成できる。

【００５２】この結果、データ線６ａ下の領域及び走査
線３ａに沿って電気光学物質のディスクリネーションが
発生する領域（即ち、容量線３ｂが形成された領域）と
いう開口領域を外れたスペースを有効に利用して、画素
電極９ａの蓄積容量を増やすことが出来る。

【００５３】図３において、画素スイッチング用ＴＦＴ
３０は、ＬＤＤ構造を有しており、走査線３ａ、当該走
査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体
層１ａのチャネル領域１ａ’、走査線３ａと半導体層１
ａとを絶縁するゲート絶縁膜２、データ線６ａ、半導体
層１ａの低濃度ソース領域（ソース側ＬＤＤ領域）１ｂ
及び低濃度ドレイン領域（ドレイン側ＬＤＤ領域）１
ｃ、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄ並びに高濃度
ドレイン領域１ｅを備えている。高濃度ドレイン領域１
ｅには、複数の画素電極９ａのうちの対応する一つが接
続されている。ソース領域１ｂ及び１ｄ並びにドレイン
領域１ｃ及び１ｅは後述のように、半導体層１ａに対
し、ｎ型又はｐ型のチャネルを形成するかに応じて所定
濃度のｎ型用又はｐ型用のドーパントをドープすること
により形成されている。ｎ型チャネルのＴＦＴは、動作
速度が速いという利点があり、画素のスイッチング素子
である画素スイッチング用ＴＦＴ３０として用いられる
ことが多い。本実施形態では特にデータ線６ａは、Ａｌ
等の低抵抗な金属膜や金属シリサイド等の合金膜などの
遮光性の薄膜から構成されている。また、走査線３ａ、
ゲート絶縁膜２及び第１層間絶縁膜１２の上には、高濃
度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール５及び高濃
度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８が各々
形成された第２層間絶縁膜４が形成されている。このソ
ース領域１ｂへのコンタクトホール５を介して、データ
線６ａは高濃度ソース領域１ｄに電気的接続されてい
る。更に、データ線６ａ及び第２層間絶縁膜４の上に
は、高濃度ドレイン領域１ｅへのコンタクトホール８が
形成された第３層間絶縁膜７が形成されている。この高
濃度ドレイン領域１ｅへのコンタクトホール８を介し
て、画素電極９ａは高濃度ドレイン領域１ｅに電気的接
続されている。前述の画素電極９ａは、このように構成
された第３層間絶縁膜７の上面に設けられている。尚、
画素電極９ａと高濃度ドレイン領域１ｅとは、データ線
６ａと同一のＡｌ膜や走査線３ｂと同一のポリシリコン
膜を中継しての電気的接続するようにしてもよい。

【００５４】画素スイッチング用ＴＦＴ３０は、好まし
くは上述のようにＬＤＤ構造を持つが、低濃度ソース領
域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物イオンの打
ち込みを行わないオフセット構造を持ってよいし、ゲー
ト電極３ａをマスクとして高濃度で不純物イオンを打ち
込み、自己整合的に高濃度ソース及びドレイン領域を形
成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。

【００５５】また本実施形態では、画素スイッチング用
ＴＦＴ３０のゲート電極３ａを高濃度ソース領域１ｄ及
び高濃度ドレイン領域１ｅ間に１個のみ配置したシング
ルゲート構造としたが、これらの間に２個以上のゲート
電極を配置してもよい。この際、各々のゲート電極には
同一の信号が印加されるようにする。このようにデュア
ルゲート或いはトリプルゲート以上でＴＦＴを構成すれ
ば、チャネルとソース−ドレイン領域接合部のリーク電
流を防止でき、オフ時の電流を低減することができる。
これらのゲート電極の少なくとも１個をＬＤＤ構造或い
はオフセット構造にすれば、更にオフ電流を低減でき、
安定したスイッチング素子を得ることができる。

【００５６】次に、図４に示すように本実施形態では、
図２においてチャネル領域１ａ’の上下に位置する二つ
のチャネル隣接領域１ａ”のうちコンタクトホール５に
近い側のチャネル隣接領域１ａ”（上述の図３における
ソース側のＬＤＤ領域１ｂを含む方のチャネル隣接領域
１ａ”）は、下方が遮光膜１１ａにより遮光されてお
り、図４及び図５に示すように、上方がデータ線６ａの
主配線部により遮光されている。そして特に図４に示す
ように第１層間絶縁膜１２及び第２層間絶縁膜４には、
チャネル隣接領域１１ａ”に対向する箇所におけるデー
タ線６ａの主配線部の縁に対向する位置に溝が形成され
ており、データ線６ａの側方遮光部６ｂが、主配線部の
縁からこの溝に向けて伸びており、チャネル隣接領域１
１ａ”を溝側から部分的に囲むように構成されている。

【００５７】このように、チャネル隣接領域１ａ”の側
方が側方遮光部６ｂにより囲まれているので、このチャ
ネル隣接領域１ａ”は、その側方が遮光されている。ま
た図５に示すように、コンタクトホール５の内部に伸び
るデータ線部分６ｃは、チャネル隣接領域１ａ”をチャ
ネル領域１ａ’と反対側から遮光する機能をも有する。
即ち、本実施形態では、コンタクトホール５に近い側の
チャネル隣接領域１ａ”は、これら二つの側方遮光部６
ｂ及び一つのデータ線部分６ｃにより、３つの方向から
側方が遮光されている。更に、チャネル隣接領域１ａ”
のチャネル領域１ａ’と同じ側の側方については、側方
遮光部やコンタクトホール内のデータ線部分などはない
が、こちらの側方（図２で上方）は、図３に示した第２
遮光膜２３により大きく覆われており、斜めに入射する
入射光が元来少ないため、これを遮光するための部分を
データ線６ａに敢えて形成しなくても実用上の問題は殆
ど又は全くない。

【００５８】以上のように本実施形態の電気光学装置に
よれば、走査線３ａを上側から覆うように形成されたデ
ータ線６ａの主配線部及び側方遮光部６ｂが、チャネル
領域１ａ’並びにＬＤＤ領域１ｂ及び１ｃを含むチャネ
ル隣接領域１ａ”を、入射光から遮光する。また、画素
スイッチング用ＴＦＴ３０の下側に設けられた第１遮光
膜１１ａが、チャネル領域１ａ’並びにＬＤＤ領域１ｂ
及び１ｃを含むチャネル隣接領域１ａ”を、戻り光から
遮光する。即ち、データ線６ａの主配線部及び側方遮光
部６ｂ並びに第１遮光膜１１ａが、チャネル領域１ａ’
及びチャネル隣接領域１ａ”を立体的に囲むことにより
遮光が行われる。この結果、ＴＦＴ３０では、投射光や
戻り光の入射角度や電気光学装置内における反射角度等
に殆ど又は全くよらずに、投射光や戻り光等による光電
流の発生に起因したトランジスタ特性の劣化が低減され
る。

【００５９】これに対して図６に示した比較例では、デ
ータ線６ａには、側方遮光部６ｂが形成されていない。
従って、図６から明らかなように、ＴＦＴアレイ基板１
０に対して斜めから入射する入射光が、ＴＦＴの下側の
第1遮光１１ａの上面に反射されて、ＬＤＤ領域を含む
チャネル隣接領域１ａ”に入射したり、第1遮光膜１１
ａの上面で反射された後にデータ線６ａの下面で反射さ
れてチャネル隣接領域１ａ”に入射したり、更に第1遮
光膜１１ａの上面及びデータ線６ａの下面間で多重反射
されて最終的にチャネル隣接領域１ａ”に入射したりす
る。これらの結果、ＴＦＴアレイ基板１０に対して垂直
な入射光であれば、データ線６ａの主配線部により有効
に遮光できるものの、ＴＦＴアレイ基板１０に対して斜
めな入射光を有効に遮光できないのである。このような
斜めの入射光が第1遮光膜１１ａの上面に届かないよう
にするために、対向基板２０上の第２遮光膜２３（図４
参照）の幅を広げることは可能であるが、このように構
成したのでは、開口領域を狭める必要が生じ、結果とし
て表示画像が暗くなってしまう。

【００６０】この比較例に対して上述のように本実施形
態では、側方遮光部６ｂがチャネル隣接領域１ａ”を側
方から囲むため、 ＴＦＴアレイ基板１０に対して斜め
な入射光を有効に遮光できるのである。

【００６１】尚、本実施形態では、第１及び第２層間絶
縁膜１２及び４の両方が開孔されて、二つの層に応じた
深さの溝が形成され、その溝内に側方遮光部６ｂが設け
られているが、例えば、図７に示すように、第２層間絶
縁膜４のみ開孔すれば、その厚みに対応した深さの溝が
形成される。尚、ここに“開孔”とは、貫通孔と非貫通
孔との両者を含む意であり、図４において、第１層間絶
縁膜１２が完全に開孔されていなくても、或いは、図７
において、第２層間絶縁膜４が完全に開孔されていなく
ても、開孔に見合った深さの溝を形成でき、その溝の深
さに応じた側方遮光部６ｂを形成可能である。

【００６２】他方、本実施形態において、第１遮光膜１
１ａは、定電位源又は大容量部分に電気的接続されても
よい。このように構成すれば、第１遮光膜１１ａに対向
配置される画素スイッチング用ＴＦＴ３０に対し第１遮
光膜１１ａの電位変動が悪影響を及ぼすことはない。ま
た、容量線３ｂを定電位とすることで、蓄積容量７０の
第２蓄積容量電極として良好に機能し得る。この場合、
定電位源としては、当該電気光学装置を駆動するための
周辺回路（例えば、走査線駆動回路、データ線駆動回路
等）に供給される負電源、正電源等の定電位源、接地電
源、対向電極２１に供給される定電位源等が挙げられ
る。

【００６３】また、容量線３ｂと走査線３ａとは、同一
のポリシリコン膜からなり、蓄積容量７０の誘電体膜と
画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲート絶縁膜２とは、
同一の高温酸化膜からなり、第１蓄積容量電極１ｆと、
画素スイッチング用ＴＦＴ３０のチャネル形成領域１
ａ’、ソース領域１ｄ、ドレイン領域１ｅ等とは、同一
の半導体層１ａからなる。このため、ＴＦＴアレイ基板
１０上に形成される積層構造を単純化でき、更に、後述
の電気光学装置の製造方法において、同一の薄膜形成工
程で容量線３ｂ及び走査線３ａを同時に形成でき、蓄積
容量７０の誘電体膜及びゲート絶縁膜２を同時に形成で
きる。

【００６４】以上詳細に説明したように本実施形態の電
気光学装置によれば、画素部におけるＴＦＴ３０のチャ
ネル領域１ａ’及びチャネル隣接領域１ａ”における遮
光機能が高いため良好なＴＦＴ特性により高品位の画像
表示が可能であり、しかも遮光膜により画素開口率を殆
ど低下させることがないため画素開口率が高く明るい画
像表示が可能である。

【００６５】（電気光学装置の第１実施形態における製
造プロセス）次に、以上のような構成を持つ電気光学装
置の製造プロセスについて、図８から図１０を参照して
説明する。尚、図８から図１０は各工程におけるＴＦＴ
アレイ基板側の各層を、図４と同様に図２のＡ−Ａ’断
面に対応させて示す工程図である。

【００６６】先ず、図８の工程（１）に示すように、石
英基板、ハードガラス等のＴＦＴアレイ基板１０を用意
する。ここで、好ましくはＮ_２（窒素）等の不活性ガス
雰囲気且つ約９００〜１３００℃の高温でアニール処理
し、後に実施される高温プロセスにおけるＴＦＴアレイ
基板１０に生じる歪みが少なくなるように前処理してお
く。即ち、製造プロセスにおける最高温で高温処理され
る温度に合わせて、事前にＴＦＴアレイ基板１０を同じ
温度かそれ以上の温度で熱処理しておく。そして、この
ように処理されたＴＦＴアレイ基板１０の全面に、Ｔ
ｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｄ等の金属や金属シリ
サイド等の金属合金膜を、スパッタにより、１０００〜
５０００オングストローム程度の層厚、好ましくは約２
０００オングストロームの層厚の遮光膜１１を形成す
る。尚、遮光膜１１上には、表面反射を緩和するために
ポリシリコン膜等の反射防止膜を形成しても良い。

【００６７】次に、工程（２）に示すように、該形成さ
れた遮光膜１１上にフォトリソグラフィにより第１遮光
膜１１ａのパターン（図２参照）に対応するレジストマ
スクを形成し、該レジストマスクを介して遮光膜１１に
対しエッチングを行うことにより、第１遮光膜１１ａを
形成する。

【００６８】次に工程（３）に示すように、第１遮光膜
１１ａの上に、例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ法等により
ＴＥＯＳ（テトラ・エチル・オルソ・シリケート）ガ
ス、ＴＥＢ（テトラ・エチル・ボートレート）ガス、Ｔ
ＭＯＰ（テトラ・メチル・オキシ・フォスレート）ガス
等を用いて、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどの
シリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜
等からなる第１層間絶縁膜１２を形成する。この第１層
間絶縁膜１２の層厚は、例えば、約５０００〜２０００
０オングストロームとする。

【００６９】次に工程（４）に示すように、第１層間絶
縁膜１２の上に、約４５０〜５５０℃、好ましくは約５
００℃の比較的低温環境中で、流量約４００〜６００ｃ
ｃ／ｍｉｎのモノシランガス、ジシランガス等を用いた
減圧ＣＶＤ（例えば、圧力約２０〜４０ＰａのＣＶＤ）
により、アモルファスシリコン膜を形成する。その後、
窒素雰囲気中で、約６００〜７００℃にて約１〜１０時
間、好ましくは、４〜６時間のアニール処理を施するこ
とにより、ポリシリコン膜１を約５００〜２０００オン
グストロームの厚さ、好ましくは約１０００オングスト
ロームの厚さとなるまで固相成長させる。固相成長させ
る方法としては、ＲＴＡ(Rapid ThermalAnneal)を使っ
たアニール処理でも良いし、エキシマレーザー等を用い
たレーザーアニールでも良い。

【００７０】この際、図３に示した画素スイッチング用
ＴＦＴ３０として、ｎチャネル型の画素スイッチング用
ＴＦＴ３０を作成する場合には、当該チャネル領域にＳ
ｂ（アンチモン）、Ａｓ（砒素）、Ｐ（リン）などのＶ
族元素のドーパントを僅かにイオン注入等によりドープ
しても良い。また、画素スイッチング用ＴＦＴ３０をｐ
チャネル型とする場合には、Ｂ（ボロン）、Ｇａ（ガリ
ウム）、Ｉｎ（インジウム）などのIII族元素のドーパ
ントを僅かにイオン注入等によりドープしても良い。
尚、アモルファスシリコン膜を経ないで、減圧ＣＶＤ法
等によりポリシリコン膜１を直接形成しても良い。或い
は、減圧ＣＶＤ法等により堆積したポリシリコン膜にシ
リコンイオンを打ち込んで一旦非晶質化（アモルファス
化）し、その後アニール処理等により再結晶化させてポ
リシリコン膜１を形成しても良い。

【００７１】次に工程（５）に示すように、フォトリソ
グラフィ工程、エッチング工程等により、図２に示した
如き所定パターンを有し、チャネル領域１ａ’やチャネ
ル隣接領域１ａ”を含む半導体層１ａを形成する。

【００７２】次に工程（６）に示すように、画素スイッ
チング用ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａと共に第１
蓄積容量電極１ｆ（図３参照）を約９００〜１３００℃
の温度、好ましくは約１０００℃の温度により熱酸化す
ることにより、約３００オングストロームの比較的薄い
厚さの熱酸化シリコン膜を形成し、更に減圧ＣＶＤ法等
により高温酸化シリコン膜（ＨＴＯ膜）や窒化シリコン
膜を約５００オングストロームの比較的薄い厚さに堆積
し、多層構造を持つ画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲ
ート絶縁膜２と共に容量形成用のゲート絶縁膜２を形成
する。この結果、第１蓄積容量電極１ｆの厚さは、約３
００〜１５００オングストロームの厚さ、好ましくは約
３５０〜５００オングストロームの厚さとなり、ゲート
絶縁膜２の厚さは、約２００〜１５００オングストロー
ムの厚さ、好ましくは約３００〜１０００オングストロ
ームの厚さとなる。このように高温熱酸化時間を短くす
ることにより、特に８インチ程度の大型基板を使用する
場合に熱によるそりを防止することができる。但し、ポ
リシリコン層１を熱酸化することのみにより、単一層構
造を持つゲート絶縁膜２を形成してもよい。

【００７３】尚、工程（６）において特に限定されない
が、第１蓄積容量電極１ｆとなる半導体層部分に、例え
ば、Ｐイオンをドーズ量約３×１０^１２／ｃｍ^２でドー
プして、低抵抗化させてもよい。

【００７４】次に工程（７）に示すように、減圧ＣＶＤ
法等によりポリシリコン層３を堆積した後、リン（Ｐ）
を熱拡散し、ポリシリコン膜３を導電化する。又は、Ｐ
イオンをポリシリコン膜３の成膜と同時に導入したドー
プトシリコン膜を用いてもよい。

【００７５】次に、図９の工程（８）に示すように、レ
ジストマスクを用いたフォトリソグラフィ工程、エッチ
ング工程等により、図２に示した如き所定パターンの走
査線３ａと共に容量線３ｂを形成する。これらの容量線
３ｂ（走査線３ａ）の層厚は、例えば、約３５００オン
グストロームとされる。尚、図９の工程（８）に示した
Ａ−Ａ’断面では、ポリシリコン膜３が残る箇所はな
い。

【００７６】次に、図３に示した画素スイッチング用Ｔ
ＦＴ３０をＬＤＤ構造を持つｎチャネル型のＴＦＴとす
る場合、半導体層１ａに、先ず低濃度ソース領域１ｂ及
び低濃度ドレイン領域１ｃを形成するために、走査線３
ａ（ゲート電極）を拡散マスクとして、ＰなどのＶ族元
素のドーパントを低濃度で（例えば、Ｐイオンを１〜３
×１０^１３／ｃｍ^２のドーズ量にて）ドープする。これ
により走査線３ａ下の半導体層１ａはチャネル領域１
ａ’となる。この不純物のドープにより容量線３ｂ及び
走査線３ａも低抵抗化される。更に、画素スイッチング
用ＴＦＴ３０を構成する高濃度ソース領域１ｂ及び高濃
度ドレイン領域１ｃを形成するために、走査線３ａより
も幅の広いマスクでレジスト層を走査線３ａ上に形成し
た後、同じくＰなどのＶ族元素のドーパントを高濃度で
（例えば、Ｐイオンを１〜３×１０^１５／ｃｍ^２のドー
ズ量にて）ドープする。また、画素スイッチング用ＴＦ
Ｔ３０をｐチャネル型とする場合、半導体層１ａに、低
濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ並びに
高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを形
成するために、ＢなどのIII族元素のドーパントを用い
てドープする。尚、例えば、低濃度のドープを行わず
に、オフセット構造のＴＦＴとしてもよく、走査線３ａ
をマスクとして、Ｐイオン、Ｂイオン等を用いたイオン
注入技術によりセルフアライン型のＴＦＴとしてもよ
い。この不純物のドープにより容量線３ｂ及び走査線３
ａも更に低抵抗化される。

【００７７】尚、これらのＴＦＴ３０の素子形成工程と
並行して、ｎチャネル型ＴＦＴ及びｐチャネル型ＴＦＴ
から構成される相補型構造を持つデータ線駆動回路、走
査線駆動回路等の周辺回路をＴＦＴアレイ基板１０上の
周辺部に形成してもよい。このように、本実施形態にお
いて画素スイッチング用ＴＦＴ３０は半導体層をポリシ
リコンで形成するので、画素スイッチング用ＴＦＴ３０
の形成時にほぼ同一工程で、周辺回路を形成することが
でき、製造上有利である。

【００７８】次に工程（９）に示すように、ゲート絶縁
膜２ａ並びに不図示の画素スイッチング用ＴＦＴ３０に
おける走査線３ａと共に容量線３ｂ及び走査線３ａを覆
うように、例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ法やＴＥＯＳガ
ス等を用いて、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなど
のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン
膜等からなる第２層間絶縁膜４を形成する。第２層間絶
縁膜４の層厚は、約５０００〜１５０００オングストロ
ームが好ましい。

【００７９】次に工程（１０）の段階で、図３に示した
高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを活
性化するために約１０００℃のアニール処理を２０分程
度行った後、図２で黒塗りで示した矩形領域に、側方遮
光部６ｂが配置される溝を形成するために、第２層間絶
縁膜４及び第１層間絶縁膜１２を反応性エッチング、反
応性イオンビームエッチング等のドライエッチングによ
り或いはウエットエッチングにより、当該領域を開孔す
る。これと並行して、データ線３１に対するコンタクト
ホール５を（図２及び図３参照）開孔する。また、走査
線３ａや容量線３ｂを図示しない配線と接続するための
コンタクトホールも、コンタクトホール５と同一の工程
により第２層間絶縁膜４に開孔する。

【００８０】次に、工程（１１）に示すように、第２層
間絶縁膜４の上に、スパッタ処理等により、遮光性のＡ
ｌ等の低抵抗金属や金属シリサイド等を金属膜６とし
て、約１０００〜５０００オングストロームの厚さ、好
ましくは約３０００オングストロームに堆積する。

【００８１】次に、工程（１２）に示すように、フォト
リソグラフィ工程、エッチング工程等により、データ線
６ａを形成する。この際特に、第２層間絶縁膜４及び第
１層間絶縁膜１２に開孔された溝の内部には、データ線
６ａの縁から溝の内部に向けて延設された側方遮光部６
ｂ（図５参照）が形成される。

【００８２】次に工程（１３）に示すように、データ線
６ａ上を覆うように、例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ法や
ＴＥＯＳガス等を用いて、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、Ｂ
ＰＳＧなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸
化シリコン膜等からなる第３層間絶縁膜７を形成する。
第３層間絶縁膜７の層厚は、約５０００〜１５０００オ
ングストロームが好ましい。尚、本実施の形態の製造プ
ロセスでは特に、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polish
ing）処理を施したり、スピンコート等によりＳＯＧ（S
pin On Glass）を形成して、第３層間絶縁膜７の上面を
平坦化する。あるいは、有機ＳＯＧ膜や無機ＳＯＧ膜等
により平坦化しても良い。このため、第３層間絶縁膜７
の表面の凹凸により引き起こされる電気光学物質のディ
スクリネーション（配向不良）を低減できる。

【００８３】その後、画素スイッチング用ＴＦＴ３０に
おいては、画素電極９ａと高濃度ドレイン領域１ｅとを
電気的接続するためのコンタクトホール８を、反応性エ
ッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエ
ッチングにより形成する。

【００８４】次に図１０の工程（１４）に示すように、
第３層間絶縁膜７の上に、スパッタ処理等により、ＩＴ
Ｏ膜等の透明導電性薄膜９を、約５００〜２０００オン
グストロームの厚さに堆積し、更に工程（１５）に示す
ように、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程等に
より、画素電極９ａを形成する。尚、当該電気光学装置
を反射型の電気光学装置に用いる場合には、Ａｌ等の反
射率の高い不透明な材料から画素電極９ａを形成しても
よい。

【００８５】続いて、画素電極９ａの上にポリイミド系
の配向膜の塗布液を塗布した後、所定のプレティルト角
を持つように且つ所定方向でラビング処理を施すこと等
により、配向膜１６（図３及び図４参照）が形成され
る。

【００８６】他方、図３及び図４に示した対向基板２０
については、ガラス基板等が先ず用意され、第２遮光膜
２３及び周辺見切りとしての第３遮光膜（図１４及び図
１５参照）が、例えば金属クロムをスパッタした後、フ
ォトリソグラフィ工程、エッチング工程を経て形成され
る。尚、これらの第２及び第３遮光膜は、Ｃｒ、Ｎｉ、
Ａｌなどの金属材料の他、カーボンやＴｉをフォトレジ
ストに分散した樹脂ブラックなどの材料から形成しても
よい。

【００８７】その後、対向基板２０の全面にスパッタ処
理等により、ＩＴＯ等の透明導電性薄膜を、約５００〜
２０００オングストロームの厚さに堆積することによ
り、対向電極２１を形成する。更に、対向電極２１の全
面にポリイミド系の配向膜の塗布液を塗布した後、所定
のプレティルト角を持つように且つ所定方向でラビング
処理を施すこと等により、配向膜２２（図３及び図４参
照）が形成される。

【００８８】最後に、上述のように各層が形成されたＴ
ＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、配向膜１６及
び２２が対面するようにシール材５２により貼り合わさ
れ、真空吸引等により、両基板間の空間に、例えば複数
種類のネマティック電気光学物質を混合してなる電気光
学物質が吸引されて、所定層厚の電気光学物質層５０が
形成される。

【００８９】（電気光学装置の第２実施形態）本発明に
よる電気光学装置の第２実施形態について、特に画像表
示領域における構成を中心としてその動作と共に、図１
１から図１３を参照して説明する。図１１は、データ
線、走査線、画素電極、遮光膜等が形成されたＴＦＴア
レイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であり、図
１２は、図１１のＢ−Ｂ’断面図であり、図１３は、図
１１のＣ−Ｃ’断面図である。尚、図１１から図１３に
示した第２実施形態において図２から図６に示した第1
実施形態と同様の構成要素については、同様の参照符号
を付し、その説明は省略する。また、図１２及び図１３
においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の
大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめ
てある。

【００９０】図１１において第1に、第２実施形態では
第１実施形態とは異なり、図中黒塗りで示した枠状の領
域において層間絶縁膜に形成される溝は、対向基板２０
の側から見てＴＦＴ毎にチャネル領域１ａ’及びチャネ
ル隣接領域１ａ”を包囲するように形成されており、側
方遮光部６ｂ’は、上述のように形成された溝に対応し
てＴＦＴアレイ基板１０に平行な面内でチャネル領域１
ａ’及びチャネル隣接領域１ａ”を包囲する。従って、
第２実施形態によれば、チャネル領域１ａ’及びチャネ
ル隣接領域１ａ”は、側方遮光部６ｂ’により、基板に
平行な平面内において隙間無く包囲されているので、い
ずれの方向から斜めに投射光や戻り光或いはそれらの反
射光が入射しようとしても、当該側方遮光部６ｂ’によ
り遮光することが可能となる。

【００９１】また、図１２及び図１３に示すように、本
実施の形態では、第１層間絶縁膜１２に開孔が形成さ
れ、第２層間絶縁膜４には開孔が形成されないが、第１
層間絶縁膜１２の厚みに応じて第２層間絶縁膜４には、
溝が形成されており、この溝内にデータ線６ａの側方配
線部６ｂ’が伸びている。従って、この側方遮光部６
ｂ’により、側方の遮光がなされている。

【００９２】再び図１１において第２に、第２実施形態
では第１実施形態とは異なり、第1遮光膜１１ａは、複
数の島状部分に分断されている。従って、例えば、縞状
（図２参照）や格子状に設けられた遮光膜の場合と比較
して、一体として形成される部分の面積が遥かに小さい
ため、遮光膜とその隣接膜との間の物性の相違により遮
光膜に発生するストレスを大幅に緩和できる。このた
め、第1遮光膜１１ａにおける膜剥がれや膜変形或いは
クラックの発生防止が図られる。同時に、第１遮光膜１
１ａ自身のストレスにより画素スイッチング用ＴＦＴ３
０の特性が劣化する事態を未然に防ぐことが出来る。更
に、このように第1遮光膜１１ａの各島状部分は、ＴＦ
Ｔ３０のチャネル領域１ａ’に対する遮光を行うのに必
要な領域に最低限設けられているので、限られた画素部
の非開口領域において、データ線６ａや走査線３ａと各
島状部分（遮光膜）が重なる領域も最低限に抑えられて
おり、製造プロセス中に、第1遮光膜１１ａに意図しな
い突起等が形成された場合などに第1遮光膜１１ａとデ
ータ線６ａや走査線３ａとがショートして、当該電気光
学装置が不良品化する可能性を低く出来るので有利であ
る。

【００９３】以上の各実施形態では、側方遮光部６ｂ、
６ｂ’が形成される溝の側壁部分を、テーパ状に形成し
てもよい。このように構成すれば、データ線６ａの側方
遮光部６ｂ、６ｂ’の裏面側に戻り光が照射したとして
も、テーパー角度を制御することにより、乱反射させ、
チャネル領域１ａ’やチャネル隣接領域１ａ’’に光が
照射されるのを防ぐことができる。また、溝内に後工程
で形成される、側方遮光部６ｂ、６ｂ’（即ち、Ａｌ薄
膜）の他、例えば、ポリシリコン膜、レジスト等が残る
ことがない。また、テーパのない或いは逆テーパの形成
された側壁を横切って側方遮光部６ｂ、６ｂ’を形成し
たり配線を引き回すのは容易ではなく、配線不良の原因
となる。尚、このように溝の側壁部分にテーパを付ける
ためには、例えば、図９に示した工程（１０）のエッチ
ング工程において、ドライエッチング後にウエットエッ
チングを行えばよい。

【００９４】（電気光学装置の全体構成）以上のように
構成された電気光学装置の各実施形態の全体構成を図１
４及び図１５を参照して説明する。尚、図１４は、ＴＦ
Ｔアレイ基板１０をその上に形成された各構成要素と共
に対向基板２０の側から見た平面図であり、図１５は、
対向基板２０を含めて示す図１４のＨ−Ｈ’断面図であ
る。

【００９５】図１４において、ＴＦＴアレイ基板１０の
上には、シール材５２がその縁に沿って設けられてお
り、その内側に並行して、例えば第２遮光膜２３と同じ
或いは異なる材料から成る周辺見切りとしての第３遮光
膜５３が設けられている。シール材５２の外側の領域に
は、データ線６ａに画像信号を所定タイミングで供給す
ることによりデータ線６ａを駆動するデータ線駆動回路
１０１及び実装端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一
辺に沿って設けられており、走査線３ａに走査信号を所
定タイミングで供給することにより走査線３ａを駆動す
る走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する２辺に
沿って設けられている。走査線３ａに供給される走査信
号遅延が問題にならないのならば、走査線駆動回路１０
４は片側だけでも良いことは言うまでもない。また、デ
ータ線駆動回路１０１を画像表示領域の辺に沿って両側
に配列してもよい。例えば奇数列のデータ線６ａは画像
表示領域の一方の辺に沿って配設されたデータ線駆動回
路から画像信号を供給し、偶数列のデータ線は前記画像
表示領域の反対側の辺に沿って配設されたデータ線駆動
回路から画像信号を供給するようにしてもよい。この様
にデータ線６ａを櫛歯状に駆動するようにすれば、デー
タ線駆動回路の占有面積を拡張することができるため、
複雑な回路を構成することが可能となる。更にＴＦＴア
レイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設
けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の
配線１０５が設けられている。また、対向基板２０のコ
ーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ
基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるため
の上下導通材１０６が設けられている。そして、図１５
に示すように、図１４に示したシール材５２とほぼ同じ
輪郭を持つ対向基板２０が当該シール材５２によりＴＦ
Ｔアレイ基板１０に固着されている。尚、ＴＦＴアレイ
基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走
査線駆動回路１０４等に加えて、複数のデータ線６ａに
画像信号を所定のタイミングで印加するサンプリング回
路１０３、複数のデータ線６ａに所定電圧レベルのプリ
チャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチ
ャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品
質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよ
い。

【００９６】以上図１から図１５を参照して説明した各
実施形態では、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動
回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に設ける代わり
に、例えばＴＡＢ（テープオートメイテッドボンディン
グ基板）上に実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ
基板１０の周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介
して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。ま
た、対向基板２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレ
イ基板１０の出射光が出射する側には各々、例えば、Ｔ
Ｎ（ツイステッドネマティック）モード、ＳＴＮ（スー
パーＴＮ）モード、Ｄ−ＳＴＮ（ダブル−ＳＴＮ）モー
ド等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノー
マリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位
相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。

【００９７】以上説明した各実施形態における電気光学
装置は、カラー電気光学物質プロジェクタに適用される
ため、３枚の電気光学装置がＲＧＢ用のライトバルブと
して各々用いられ、各パネルには各々ＲＧＢ色分解用の
ダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投
射光として各々入射されることになる。従って、各実施
形態では、対向基板２０に、カラーフィルタは設けられ
ていない。しかしながら、第２遮光膜２３の形成されて
いない画素電極９ａに対向する所定領域にＲＧＢのカラ
ーフィルタをその保護膜と共に、対向基板２０上に形成
してもよい。このようにすれば、電気光学物質プロジェ
クタ以外の直視型や反射型のカラー電気光学物質テレビ
などのカラー電気光学装置に各実施形態における電気光
学装置を適用できる。更に、対向基板２０上に１画素1
個対応するようにマイクロレンズを形成してもよい。こ
のようにすれば、入射光の集光効率を向上することで、
明るい電気光学装置が実現できる。更にまた、対向基板
２０上に、何層もの屈折率の相違する干渉層を堆積する
ことで、光の干渉を利用して、ＲＧＢ色を作り出すダイ
クロイックフィルタを形成してもよい。このダイクロイ
ックフィルタ付き対向基板によれば、より明るいカラー
電気光学装置が実現できる。

【００９８】以上説明した各実施形態における電気光学
装置では、従来と同様に入射光を対向基板２０の側から
入射することとしたが、第１遮光膜１１ａを設けている
ので、ＴＦＴアレイ基板１０の側から入射光を入射し、
対向基板２０の側から出射するようにしても良い。即
ち、このように電気光学装置を電気光学物質プロジェク
タに取り付けても、半導体層１ａのチャネル領域１ａ’
及びＬＤＤ領域１ｂ、１ｃに光が入射することを防ぐこ
とが出来、高画質の画像を表示することが可能である。
ここで、従来は、ＴＦＴアレイ基板１０の裏面側での反
射を防止するために、反射防止用のＡＲ被膜された偏光
板を別途配置したり、ＡＲフィルムを貼り付ける必要が
あった。しかし、各実施形態では、ＴＦＴアレイ基板１
０の表面と半導体層１ａの少なくともチャネル領域１
ａ’及びＬＤＤ領域１ｂ、１ｃとの間に第１遮光膜１１
ａが形成されているため、このようなＡＲ被膜された偏
光板やＡＲフィルムを用いたり、ＴＦＴアレイ基板１０
そのものをＡＲ処理した基板を使用する必要が無くな
る。従って、各実施形態によれば、材料コストを削減で
き、また偏光板貼り付け時に、ごみ、傷等により、歩留
まりを落とすことがなく大変有利である。また、耐光性
が優れているため、明るい光源を使用したり、偏光ビー
ムスプリッタにより偏光変換して、光利用効率を向上さ
せても、光によるクロストーク等の画質劣化を生じな
い。

【００９９】また、各画素に設けられるスイッチング素
子としては、正スタガ型又はコプラナー型のポリシリコ
ンＴＦＴであるとして説明したが、逆スタガ型のＴＦＴ
やアモルファスシリコンＴＦＴ等の他の形式のＴＦＴに
対しても、各実施形態は有効である。

【０１００】（電子機器）次に、以上詳細に説明した液
晶装置１００を備えた電子機器の実施の形態について図
１６から図１８を参照して説明する。

【０１０１】先ず図１６に、このように液晶装置１００
を備えた電子機器の概略構成を示す。

【０１０２】図１６において、電子機器は、表示情報出
力源１０００、表示情報処理回路１００２、駆動回路１
００４、液晶装置１００、クロック発生回路１００８並
びに電源回路１０１０を備えて構成されている。表示情
報出力源１０００は、ＲＯＭ（Read Only Memory）、Ｒ
ＡＭ（Random Access Memory）、光ディスク装置などの
メモリ、画像信号を同調して出力する同調回路等を含
み、クロック発生回路１００８からのクロック信号に基
づいて、所定フォーマットの画像信号などの表示情報を
表示情報処理回路１００２に出力する。表示情報処理回
路１００２は、増幅・極性反転回路、シリアル−パラレ
ル変換回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、ク
ランプ回路等の周知の各種処理回路を含んで構成されて
おり、クロック信号に基づいて入力された表示情報から
デジタル信号を順次生成し、クロック信号CLKと共に駆
動回路１００４に出力する。駆動回路１００４は、液晶
装置１００を駆動する。電源回路１０１０は、上述の各
回路に所定電源を供給する。尚、液晶装置１００を構成
するＴＦＴアレイ基板の上に、駆動回路１００４を搭載
してもよく、これに加えて表示情報処理回路１００２を
搭載してもよい。

【０１０３】次に図１７から図１８に、このように構成
された電子機器の具体例を各々示す。

【０１０４】図１７において、電子機器の一例たる液晶
プロジェクタ１１００は、上述した駆動回路１００４が
ＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装置１００を含む
液晶表示モジュールを３個用意し、各々ＲＧＢ用のライ
トバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いた
プロジェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ
１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のラ
ンプユニット１１０２から投射光が発せられると、３枚
のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１
０８によって、ＲＧＢの３原色に対応する光成分Ｒ、
Ｇ、Ｂに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００
Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂに各々導かれる。この際特に
Ｂ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レン
ズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１
２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれ
る。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１０
０Ｂにより各々変調された３原色に対応する光成分は、
ダイクロイックプリズム１１１２により再度合成された
後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０に
カラー画像として投射される。

【０１０５】本実施の形態では特に、遮光膜がＴＦＴの
下側にも設けられているため、当該液晶装置１００から
の投射光に基づく液晶プロジェクタ内の投射光学系によ
る反射光、投射光が通過する際のＴＦＴアレイ基板の表
面からの反射光、他の液晶装置から出射した後にダイク
ロイックプリズム１１１２を突き抜けてくる投射光の一
部等が、戻り光としてＴＦＴアレイ基板の側から入射し
ても、画素電極のスイッチング用のＴＦＴ等のチャネル
領域に対する遮光を十分に行うことができる。このた
め、小型化に適したプリズムを投射光学系に用いても、
各液晶装置のＴＦＴアレイ基板とプリズムとの間におい
て、戻り光防止用のＡＲフィルムを貼り付けたり、偏光
板にＡＲ被膜処理を施したりすることが不要となるの
で、構成を小型且つ簡易化する上で大変有利である。

【０１０６】図１８において、電子機器の他の例たるマ
ルチメディア対応のラップトップ型のパーソナルコンピ
ュータ（ＰＣ）１２００は、上述した液晶装置１００が
トップカバーケース内に設けられており、更にＣＰＵ、
メモリ、モデム等を収容すると共にキーボード１２０２
が組み込まれた本体１２０４を備えている。

【０１０７】以上図１７から図１８を参照して説明した
電子機器の他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型又
はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲー
ション装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、エン
ジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、携帯電
話、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装
置等などが図１６に示した電子機器の例として挙げられ
る。

【０１０８】以上説明したように、本実施の形態によれ
ば、製造効率が高く高品位の画像表示が可能な液晶装置
を備えた各種の電子機器を実現できる。

【０１０９】

【発明の効果】本発明の電気光学装置によれば、比較的
簡単な構成を用いて、ＴＦＴのチャネル領域やチャネル
隣接領域における入射光や戻り光に対する遮光性能を高
めることができ、高品位の画像表示が可能な電気光学装
置を実現できる。

【０１１０】また、本発明の電気光学装置の製造方法に
よれば、比較的簡単な工程制御により或いは信頼性の高
い工程により、本発明の電気光学装置を製造することが
可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】電気光学装置の実施形態における画像表示領域
を構成するマトリクス状の複数の画素に設けられた各種
素子、配線等の等価回路である。

【図２】電気光学装置の第１実施形態におけるデータ
線、走査線、画素電極、遮光膜等が形成されたＴＦＴア
レイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。

【図３】図２のＤ−Ｄ’断面図である。

【図４】図２のＡ−Ａ’断面図である。

【図５】第１実施形態におけるデータ線の主配線部、側
方遮光部及びコンタクトホール内部に伸びる部分によ
り、チャネル領域及びチャネル隣接領域を遮光する様子
を示すデータ線の部分拡大斜視図である。

【図６】比較例における図２のＡ−Ａ’断面に対応する
断面図である。

【図７】第１実施形態の変形形態における図２のＡ−
Ａ’断面に対応する断面図である。

【図８】電気光学装置の製造プロセスを順を追って示す
工程図（その１）である。

【図９】電気光学装置の製造プロセスを順を追って示す
工程図（その２）である。

【図１０】電気光学装置の製造プロセスを順を追って示
す工程図（その３）である。

【図１１】電気光学装置の第２実施形態におけるデータ
線、走査線、画素電極、遮光膜等が形成されたＴＦＴア
レイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。

【図１２】図１１のＢ−Ｂ’断面図である。

【図１３】図１１のＣ−Ｃ’断面図である。

【図１４】電気光学装置の実施形態におけるＴＦＴアレ
イ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板
の側から見た平面図である。

【図１５】図１４のＨ−Ｈ’断面図である。

【図１６】本発明による電子機器の実施の形態の概略構
成を示すブロック図である。

【図１７】電子機器の一例として液晶プロジェクタを示
す断面図である。

【図１８】電子機器の他の例としてパーソナルコンピュ
ータを示す正面図である。

【符号の説明】

１ａ…半導体層 １ａ’…チャネル領域 １ａ”…チャネル隣接領域 １ｂ…低濃度ソース領域（ソース側ＬＤＤ領域） １ｃ…低濃度ドレイン領域（ドレイン側ＬＤＤ領域） １ｄ…高濃度ソース領域 １ｅ…高濃度ドレイン領域 １ｆ…第１蓄積容量電極 ２…ゲート絶縁膜 ３ａ…走査線 ３ｂ…容量線（第２蓄積容量電極） ４…第２層間絶縁膜 ５…コンタクトホール ６ａ…データ線 ６ｂ…側方遮光部 ７…第３層間絶縁膜 ８…コンタクトホール ９ａ…画素電極 １０…ＴＦＴアレイ基板 １１ａ…第１遮光膜 １２…第１層間絶縁膜 １６…配向膜 ２０…対向基板 ２１…対向電極 ２２…配向膜 ２３…第２遮光膜 ３０…画素スイッチング用ＴＦＴ ５０…電気光学物質層 ５２…シール材 ５３…第３遮光膜 ７０…蓄積容量 １０１…データ線駆動回路 １０４…走査線駆動回路

フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H092 JA24 JA25 JB23 JB32 JB52 JB56 MA15 MA17 NA25 PA01 RA05 5C094 AA02 AA16 AA25 AA43 BA03 BA16 CA19 CA20 CA24 DA13 DB04 EA04 EA07 EA10 ED15 FA01 FA02 FB02 FB12 FB15 GB10 5F110 AA06 BB04 CC02 CC06 CC07 DD03 FF02 FF03 FF09 FF23 FF32 GG13 GG15 GG32 GG47 GG52 HM14 HM15 NN03 NN22 NN23 NN24 NN25 NN26 NN27 NN35 NN42 NN45 NN46 NN47 NN54 PP02 PP03 PP10 PP33 QQ04 QQ05 QQ11 QQ19

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一対の第１及び第２基板間に電気光学物
   質が挟持されてなり、該第１基板上に、 マトリクス状に配置された複数の画素電極と、 該複数の画素電極を夫々駆動する複数の薄膜トランジス
   タと、 該複数の薄膜トランジスタに夫々接続されており相交差
   する複数のデータ線及び複数の走査線と、 前記複数の薄膜トランジスタを構成する半導体層の少な
   くともチャネル領域を前記第１基板の側から見て夫々覆
   う位置に設けられた遮光膜と、 該遮光膜、前記半導体層、前記走査線及び前記データ線
   を構成する各層間に夫々介在する層間絶縁膜とを備えて
   おり、 前記データ線は、遮光性の材料からなり、前記薄膜トラ
   ンジスタ毎に少なくとも前記チャネル領域及び前記チャ
   ネル領域に隣接する前記半導体層のチャネル隣接領域を
   前記第２基板の側から見て夫々覆うと共に長手方向に伸
   びる主配線部を有しており、 前記層間絶縁膜の前記データ線よりも前記第１基板に近
   い側にある部分には、前記薄膜トランジスタ毎に少なく
   とも前記チャネル隣接領域に対向する箇所における前記
   主配線部の縁に対向する位置に溝が形成されており、 前記データ線は、前記薄膜トランジスタ毎に前記主配線
   部の縁から前記溝に向けて伸びており少なくとも前記チ
   ャネル隣接領域を前記溝側から部分的に囲む側方遮光部
   を更に有することを特徴とする電気光学装置。
2. 【請求項２】 前記溝は、前記薄膜トランジスタ毎に前
   記チャネル隣接領域に対向する箇所における前記主配線
   部の両縁に対向する位置に二つ形成されており、 前記側方遮光部は、前記薄膜トランジスタ毎に前記二つ
   形成された溝に対応して二つ設けられており、前記チャ
   ネル隣接領域は前記第1基板に平行な平面内で二方向か
   ら囲まれていることを特徴とする請求項１に記載の電気
   光学装置。
3. 【請求項３】 前記薄膜トランジスタ毎に、前記チャネ
   ル隣接領域の前記チャネル領域と反対側には、前記デー
   タ線から前記第１基板の側に伸びるコンタクトホールが
   開孔されており、当該コンタクトホール内を前記第１基
   板に向けて伸びる前記データ線の部分と、前記二つ設け
   られた側方遮光部とにより、前記チャネル隣接領域は前
   記第1基板に平行な平面内で三方向から囲まれているこ
   とを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
4. 【請求項４】 前記溝は、前記第２基板の側から見て前
   記薄膜トランジスタ毎に前記チャネル領域及び前記チャ
   ネル隣接領域を包囲するように形成されており、 前記側方遮光部は、前記包囲するように形成された溝に
   対応して前記第１基板に平行な面内で前記チャネル領域
   及び前記チャネル隣接領域を包囲することを特徴とする
   請求項１に記載の電気光学装置。
5. 【請求項５】 前記遮光膜は、前記薄膜トランジスタ毎
   に島状に形成されていることを特徴とする請求項１から
   ４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
6. 【請求項６】 前記遮光膜は、前記走査線に沿って縞状
   に形成されていることを特徴とする請求項１から４のい
   ずれか一項に記載の電気光学装置。
7. 【請求項７】 前記薄膜トランジスタはＬＤＤ（Lightl
   y Doped Drain）構造あるいはオフセット構造を持つ型
   の薄膜トランジスタからなり、前記チャネル隣接領域
   は、ＬＤＤ領域あるいはオフセット領域を含むことを特
   徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光
   学装置。
8. 【請求項８】 前記第２基板に、前記側方遮光部を含む
   前記データ線、前記走査線及び前記薄膜トランジスタを
   前記第２基板の側から見て覆う位置に配置されており各
   画素の開口領域を規定する他の遮光膜を更に備えたこと
   を特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の電
   気光学装置。
9. 【請求項９】 前記層間絶縁膜は、前記遮光膜と前記半
   導体層との間に介在する第１層間絶縁膜並びに前記薄膜
   トランジスタ及び前記走査線と前記データ線との間に介
   在する第２層間絶縁膜を含んでおり、 前記溝は、前記第１層間絶縁膜及び前記第２層間絶縁膜
   のうち少なくとも一方が開孔されることにより形成され
   ていることを特徴とする請求項１から８のいずれか一項
   に記載の電気光学装置。
10. 【請求項１０】 請求項９に記載の電気光学装置の製造
    方法であって、 前記第１基板上の所定領域に前記遮光膜を形成する工程
    と、 前記第１基板及び前記遮光膜上に第１層間絶縁膜を堆積
    する工程と、 前記第１層間絶縁膜上に前記薄膜トランジスタ及び前記
    走査線を形成する工程と、 前記薄膜トランジスタ及び前記走査線上に第２層間絶縁
    膜を形成する工程と、 前記第２層間絶縁膜上に前記溝に対応するレジストパタ
    ーンをフォトリソグラフィで形成する工程と、 該レジストパターンを介して所定持間のエッチングを行
    い前記第１層間絶縁膜及び前記第２層間絶縁膜のうち少
    なくとも前記第２層間絶縁膜を開孔することにより前記
    溝を形成する工程と、 前記第２層間絶縁膜上に前記データ線を形成すると共に
    前記溝に前記側方遮光部を形成する工程とを含むことを
    特徴とする電気光学装置の製造方法。
11. 【請求項１１】 請求項９に記載の電気光学装置の製造
    方法であって、 前記第１基板上の所定領域に前記遮光膜を形成する工程
    と、 前記第１基板及び前記遮光膜上に第１層間絶縁膜を堆積
    する工程と、 前記第１層間絶縁膜上に前記溝に対応するレジストパタ
    ーンをフォトリソグラフィで形成する工程と、 該レジストパターンを介して所定持間のエッチングを行
    い前記第１層間絶縁膜を開孔する工程と、 前記第１層間絶縁膜上に前記薄膜トランジスタ及び前記
    走査線を形成する工程と、 前記薄膜トランジスタ及び前記走査線上に前記第２層間
    絶縁膜を形成すると共に前記第１層間絶縁膜が開孔され
    た箇所に前記第２層間絶縁膜を形成して前記溝を形成す
    る工程と、 前記第２層間絶縁膜上に前記データ線を形成すると共に
    前記溝に前記側方遮光部を形成する工程とを含むことを
    特徴とする電気光学装置の製造方法。
12. 【請求項１２】 前記エッチング工程は、前記溝の側壁
    をテーパ状に形成するウエットエッチング工程を含むこ
    とを特徴とする請求項１０又は１１に記載の電気光学装
    置の製造方法。
13. 【請求項１３】 請求項１から９のいずれか一項に記載
    の電気光学装置を備えた電子機器。