JP4400239B2 - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、薄膜トランジスタ（以下適宜、ＴＦＴ(Thin Film Transistor)と称す）駆動によるアクティブマトリクス駆動方式の電気光学装置及びその製造方法の技術分野に属し、特に、プロジェクタ等に用いられる、ＴＦＴの下側に遮光膜を設けた形式の電気光学装置及びその製造方法の技術分野に属する。

従来、この種の電気光学装置がプロジェクタ等にライトバルブとして用いられる場合には一般に、電気光学物質層を挟んでＴＦＴアレイ基板に対向配置される対向基板の側から投射光が入射される。ここで、投射光が画素部のＴＦＴのａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）膜やｐ−Ｓｉ（ポリシリコン）膜等からなる半導体層のチャネル領域に入射すると、このチャネル領域において光電変換効果により光電流が発生してしまい、ＴＦＴのトランジスタ特性が劣化する。このため、対向基板には、各ＴＦＴに夫々対向する位置に、Ｃｒ（クロム）などの金属材料や樹脂ブラックなどからブラックマトリクス或いはブラックマスクと呼ばれる遮光膜が形成されるのが一般的である。この遮光膜は、各画素の開口領域（即ち、画像表示領域内において投射光が透過する領域）を規定することにより、ＴＦＴの半導体層に対する遮光の他に、コントラストの向上、色材の混色防止などの機能を果たしている。

この種の電気光学装置においては、特にトップゲート構造（即ち、ＴＦＴアレイ基板上においてゲート電極がチャネルの上側に設けられた構造）を採る正スタガ型又はコプラナー型のａ−Ｓｉ又はｐ−ＳｉＴＦＴを用いる場合には、投射光の一部が電気光学物質プロジェクタ内の投射光学系により戻り光として、ＴＦＴアレイ基板の側からＴＦＴのチャネル領域に入射するのを防ぐ必要がある。同様に、投射光が通過する際のＴＦＴアレイ基板の表面からの反射光や、更にカラー用に複数の電気光学装置を組み合わせて使用する場合の他の電気光学装置から出射した後に投射光学系を突き抜けてくる投射光の一部が、戻り光としてＴＦＴアレイ基板の側からＴＦＴのチャネル領域に入射するのを防ぐ必要もある。このために、特開平９−１２７４９７号公報、特公平３−５２６１１号公報、特開平３−１２５１２３号公報、特開平８−１７１１０１号公報等では、石英基板等からなるＴＦＴアレイ基板上においてＴＦＴに対向する位置（即ち、ＴＦＴの下側）にも、例えば不透明な高融点金属から遮光膜（以下適宜、“第１遮光膜”と称す）を形成した電気光学装置を提案している。

更に、この種の電気光学装置においては、前述した対向基板上の遮光膜（以下適宜、“第２遮光膜”と称す）に加えて、通常Ａｌ（アルミニウム）膜等の遮光性の金属薄膜からなるデータ線を層間絶縁膜を介してＴＦＴのチャネル領域の上側に配線するように構成し、特に対向基板側から入射される光強度の高い投射光に対するＴＦＴのチャネル領域の遮光をより確実に行うようにしている。

以上のように、従来の電気光学装置によれば、対向基板側からの投射光に対しては、対向基板上に形成された第２遮光膜及び遮光性のデータ線によりＴＦＴのチャネル領域の遮光がなされており、ＴＦＴアレイ基板側からの戻り光に対しては、ＴＦＴの下側に形成された第１遮光膜により、ＴＦＴのチャネル領域の遮光がなされているので、光電流の発生によるＴＦＴのトランジスタ特性の劣化が低減されている。

しかしながら、上述のようにＴＦＴのチャネル領域の上下に第１及び第２遮光膜や遮光性のデータ線を設ける従来の電気光学装置によれば、入射光が基板に対して垂直に入射する場合には問題が無いが、入射光が基板に対して斜めに入射すると、電気光学物質層を一度通過してＴＦＴアレイ基板側の第１遮光膜の上面（ＴＦＴ側に向いた表面）において反射されて、ＴＦＴのチャネル領域に入射する場合がある。また、このように第１遮光膜の上面で一旦反射された光が通常Ａｌ等の反射率の高い材料からなるデータ線の下面（ＴＦＴ側に向いた表面）や対向基板上の第２遮光膜の下面で再度反射されてＴＦＴのチャネル領域に入射する場合もある。更には、第１遮光膜の上面で一旦反射された光がデータ線や第２遮光膜の下面と第１遮光膜の上面との間で多重反射を起こして最終的にＴＦＴのチャネル領域に入射する場合もある。これらいずれの場合にも（プロジェクタ用途の電気光学装置のように入射光の光強度が非常に高い際には特に）、ＴＦＴのチャネル領域を上方から覆うデータ線の側方から斜めに入射した後に第１遮光膜の上面で反射された投射光等によって、ＴＦＴにおける光リークが発生してＴＦＴの特性が劣化してしまうという問題点がある。特に、ＴＦＴにおける遮光を効率よく行うために、チャネル領域は、一般にはＴＦＴの下側の第１遮光膜により遮光される範囲の中央付近にあったり、対向基板の第２遮光膜により遮光される範囲の中央付近に配置されるが、このような配置との関係からチャネル領域に隣接する領域における半導体層（以下適宜、“チャネル隣接領域”と称す）は、遮光膜により遮光される範囲の縁付近に位置する。従って、斜めに入射した投射光や戻り光は、このチャネル隣接領域に入射して半導体層に光リークを発生させ易いのである。加えて、ＬＤＤ構造を採るＴＦＴの場合には、このチャネル隣接領域は、当該ＬＤＤ領域を含むことになり、従って、チャネル領域ではなくても光電変換効果が比較的大きいＬＤＤ領域に光が入射することにより、ＴＦＴの特性劣化が顕著に現れてしまうという問題点もある。

他方、裏面からの戻り光についても、入射光よりは光強度は低いが、やはりデータ線や第２遮光膜の下面により戻り光が反射されてＴＦＴのチャネル領域に入射したり、この反射光が更に第１遮光膜の上面で反射されて、更には多重反射によりＴＦＴのチャネル領域に入射する場合もある。従って、これらの場合にも、ＴＦＴのチャネル領域を下方から覆う第1遮光膜の側方から斜めに入射した後にデータ線や第２遮光膜の下面で反射された戻り光等によっても、ＴＦＴにおける光リークが発生してＴＦＴの特性が劣化してしまうという問題点がある。

そして、これらの問題に対して、例えば、対向基板上の第２遮光膜の大きさを大きくして入射光が多少斜めに入射しても、第１遮光膜やデータ線の形成された領域には届かないように設計することは技術的に可能であるが、これでは画素開口率が顕著に低下してしまうため、画素開口率を高めて明るく高品位の画像表示を実現するという一般的要請に根本的に反する。

本発明は上述した問題点に鑑みなされたものであり、ＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の電気光学装置において、比較的簡単な構成を用いて、ＴＦＴのチャネル領域やチャネル隣接領域における入射光や戻り光に対する遮光性能を高めることができ、高品位の画像表示が可能な電気光学装置及びその製造方法を提供することを課題とする。

本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、一対の第１及び第２基板間に電気光学物質が狭持されてなり、該第１基板上に、マトリクス状に配置された複数の画素電極と、前記画素電極に対応して設けられた薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの上方に設けられ、該薄膜トランジスタと電気的に接続されたデータ線と、を備えた電気光学装置において、前記データ線は、遮光性の材料からなり、前記薄膜トランジスタを構成する半導体層の少なくともチャネル領域又はチャネル隣接領域を上方から側方にむけて部分的に囲む遮光部を有することを特徴とする。
また、前記半導体層より下層に層間絶縁膜を介して設けられた遮光膜を有することを特徴とする。
また、前記遮光膜は、前記半導体層の少なくともチャネル領域を前記第１基板から見て覆う構成を有することを特徴とする。
また、前記データ線は、金属膜又は合金膜からなることを特徴とする。

本発明の電気光学装置によれば、遮光膜は、複数の薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を覆う位置に設けられる。従って、薄膜トランジスタのチャネル領域は、第１基板の側から入射される戻り光等については、遮光膜により遮光されており、薄膜トランジスタの戻り光等による特性劣化を防止できる。また、第１基板に対して斜めに入射される投射光等については、データ線により遮光されている。
このため、薄膜トランジスタの第１基板に対して垂直に入射される投射光のみならず斜めに入射される投射光等による特性劣化を防止できる。

このように、薄膜トランジスタのチャネル領域及びチャネル隣接領域を立体的に囲むことにより遮光が行われる。この結果、当該薄膜トランジスタでは、投射光や戻り光の入射角度や電気光学装置内における反射角度等に殆ど又は全くよらずに、投射光や戻り光等による光電流の発生に起因したトランジスタ特性の劣化が低減される。
また、本発明の電気光学装置は、前記データ線は、前記チャネル領域又は前記チャネル隣接領域の両側方を囲むとよい。

また、本発明の電気光学装置は、前記半導体層より下層の前記層間絶縁膜に開孔が設けられ、前記データ線は前記層間絶縁膜の開孔に設けられているとよい。

また、本発明の電気光学装置は、前記データ線の上方は、前記半導体層の延在方向に延びているとよい。

本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施形態から明らかにする。

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
（電気光学装置の第１実施形態）
本発明による電気光学装置の第１実施形態について、特に画像表示領域における構成を中心としてその動作と共に、図１から図７を参照して説明する。図１は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。図２は、データ線、走査線、画素電極、遮光膜等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であり、図３は、図２のＤ−Ｄ’断面図であり、図４は、図２のＡ−Ａ’断面図である。図５は、図２から図４に示した電気光学装置のデータ線及び半導体層を部分的に抜き出して示す拡大斜視図である。図６は、比較例における斜めからの入射光が反射してＴＦＴのチャネル領域に入射する様子を示す図式的断面図である。また、図７は、変形形態における図２のＡ−Ａ’断面に対応する断面図である。尚、図３、図４、図６及び図７においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。

図１において、本実施形態による電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素は、画素電極９ａを制御するためのＴＦＴ３０がマトリクス状に複数形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしても良い。また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。画素電極９ａを介して電気光学物質に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板（後述する）に形成された対向電極（後述する）との間で一定期間保持される。電気光学物質は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイトモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこの電気光学物質部分を通過不可能とされ、ノーマリーブラックモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこの電気光学物質部分を通過可能とされ、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストを持つ光が出射する。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される電気光学物質容量と並列に蓄積容量７０を付加する。例えば、画素電極９ａの電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量７０により保持される。これにより、保持特性は更に改善され、コントラスト比の高い電気光学装置が実現できる。

図２において、電気光学装置のＴＦＴアレイ基板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９ａ（点線部９ａ’により輪郭が示されている）が設けられており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ、走査線３ａ及び容量線３ｂが設けられている。データ線６ａは、コンタクトホール５を介してポリシリコン膜等からなる半導体層１ａのうち後述のソース領域に電気的接続されており、画素電極９ａは、コンタクトホール８を介して半導体層１ａのうち後述のドレイン領域に電気的接続されている。また、半導体層１ａのうちチャネル領域１ａ’（図中右下りの斜線の領域）に対向するように走査線３ａが配置されており、走査線３ａはゲート電極として機能する。このように、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する個所には夫々、チャネル領域１ａ’に走査線３ａがゲート電極として対向配置されたＴＦＴ（即ち、図１に示したＴＦＴ３０）が設けられている。

容量線３ｂは、走査線３ａに沿ってほぼ直線状に伸びる本線部と、データ線６ａと交差する箇所からデータ線６ａに沿って前段側（図中、上向き）に突出した突出部とを有する。

また、図中右上がりの斜線で示した領域には夫々、走査線３ａ及びＴＦＴの下側を通るように、第１遮光膜１１ａが設けられている。より具体的には図２において、第1遮光膜１１ａは夫々、走査線３ａに沿って縞状に形成されていると共に、データ線６ａと交差する箇所が上下に幅広に形成されており、この幅広の部分により各ＴＦＴのチャネル領域１ａ'及び該チャネル領域に隣接するチャネル隣接領域１ａ”をＴＦＴアレイ基板側から見て夫々覆う位置に設けられている。

本実施形態では特に、図２中、コンタクトホール５に近い側のチャネル隣接領域１ａ”の両側に位置する黒塗りした矩形領域における後述の層間絶縁膜に溝が形成されており、その溝内にデータ線６ａの主配線部の縁から図２中紙面に向かって伸びる側方遮光部６ｂが設けられている。即ち、図２中、コンタクトホール５に近い側のチャネル隣接領域１ａ”は、その側方遮光部６ｂにより左右から囲まれており、該左右からの光に対する遮光が施されている。この側方遮光部６ｂに係る構成については図４から図６を用いて後に詳述する。

次に図３の断面図に示すように、電気光学装置は、透明な一方の基板の一例を構成するＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される透明な他方の基板の一例を構成する対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば石英基板からなり、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板からなる。ＴＦＴアレイ基板１０には、画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。画素電極９ａは例えば、ＩＴＯ膜（Indium Tin Oxide膜）などの透明導電性薄膜からなる。
また配向膜１６は例えば、ポリイミド薄膜などの有機薄膜からなる。

他方、対向基板２０には、その全面に渡って対向電極（共通電極）２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。対向電極２１は例えば、ＩＴＯ膜などの透明導電性薄膜からなる。また配向膜２２は、ポリイミド薄膜などの有機薄膜からなる。

ＴＦＴアレイ基板１０には、各画素電極９ａに隣接する位置に、各画素電極９ａをスイッチング制御する画素スイッチング用ＴＦＴ３０が設けられている。

対向基板２０には、更に図３に示すように、各画素の開口領域以外の領域に、ブラックマスク或いはブラックマトリクスと称される第２遮光膜２３が設けられている。このため、対向基板２０の側から入射光が画素スイッチング用ＴＦＴ３０の半導体層１ａのチャネル領域１ａ’やＬＤＤ領域１ｂ及び１ｃに侵入することはない。更に、第２遮光膜２３は、コントラストの向上、色材の混色防止などの機能を有する。尚、ＬＤＤ領域１ｂ及び１ｃは、図２に示したチャネル隣接領域１ａ”に含まれる。

このように構成され、画素電極９ａと対向電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、後述のシール材（図１４及び図１５参照）により囲まれた空間に電気光学物質が封入され、電気光学物質層５０が形成される。電気光学物質層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６及び２２により所定の配向状態をとる。電気光学物質層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック電気光学物質を混合した電気光学物質からなる。シール材は、二つの基板１０及び２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペーサが混入されている。

更に図３に示すように、画素スイッチング用ＴＦＴ３０に各々対向する位置においてＴＦＴアレイ基板１０と各画素スイッチング用ＴＦＴ３０との間には、第１遮光膜１１ａが設けられている。第１遮光膜１１ａは、好ましくは不透明な高融点金属であるＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｄのうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド等から構成される。このような材料から構成すれば、ＴＦＴアレイ基板１０上の第１遮光膜１１ａの形成工程の後に行われる画素スイッチング用ＴＦＴ３０の形成工程における高温処理により、第１遮光膜１１ａが破壊されたり溶融しないようにできる。第１遮光膜１１ａが形成されているので、ＴＦＴアレイ基板１０の側からの戻り光等が画素スイッチング用ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’やＬＤＤ領域１ｂ、１ｃに入射する事態を未然に防ぐことができ、これに起因した光電流の発生により画素スイッチング用ＴＦＴ３０の特性が劣化することはない。

更に、第１遮光膜１１ａと複数の画素スイッチング用ＴＦＴ３０との間には、第１層間絶縁膜１２が設けられている。第１層間絶縁膜１２は、画素スイッチング用ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａを第１遮光膜１１ａから電気的絶縁するために設けられるものである。更に、第１層間絶縁膜１２は、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のための下地膜としての機能をも有する。即ち、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用ＴＦＴ３０の特性の劣化を防止する機能を有する。第１層間絶縁膜１２は、例えば、ＮＳＧ（ノンドープトシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）などの高絶縁性ガラス又は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等からなる。第１層間絶縁膜１２により、第１遮光膜１１ａが画素スイッチング用ＴＦＴ３０等を汚染する事態を未然に防ぐこともできる。

本実施形態では、ゲート絶縁膜２を走査線３ａに対向する位置から延設して誘電体膜として用い、半導体膜１ａを延設して第１蓄積容量電極１ｆとし、更にこれらに対向する容量線３ｂの一部を第２蓄積容量電極とすることにより、蓄積容量７０が構成されている。より詳細には、半導体層１ａの高濃度ドレイン領域１ｅが、データ線６ａ及び走査線３ａの下に延設されて、同じくデータ線６ａ及び走査線３ａに沿って伸びる容量線３ｂ部分に絶縁膜２を介して対向配置されて、第１蓄積容量電極（半導体層）１ｆとされている。特に蓄積容量７０の誘電体としての絶縁膜２は、高温酸化によりポリシリコン膜上に形成されるＴＦＴ３０のゲート絶縁膜２に他ならないので、薄く且つ高耐圧の絶縁膜とすることができ、蓄積容量７０は比較的小面積で大容量の蓄積容量として構成できる。

この結果、データ線６ａ下の領域及び走査線３ａに沿って電気光学物質のディスクリネーションが発生する領域（即ち、容量線３ｂが形成された領域）という開口領域を外れたスペースを有効に利用して、画素電極９ａの蓄積容量を増やすことが出来る。

図３において、画素スイッチング用ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有しており、走査線３ａ、当該走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜２、データ線６ａ、半導体層１ａの低濃度ソース領域（ソース側ＬＤＤ領域）１ｂ及び低濃度ドレイン領域（ドレイン側ＬＤＤ領域）１ｃ、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄ並びに高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。高濃度ドレイン領域１ｅには、複数の画素電極９ａのうちの対応する一つが接続されている。ソース領域１ｂ及び１ｄ並びにドレイン領域１ｃ及び１ｅは後述のように、半導体層１ａに対し、ｎ型又はｐ型のチャネルを形成するかに応じて所定濃度のｎ型用又はｐ型用のドーパントをドープすることにより形成されている。ｎ型チャネルのＴＦＴは、動作速度が速いという利点があり、画素のスイッチング素子である画素スイッチング用ＴＦＴ３０として用いられることが多い。本実施形態では特にデータ線６ａは、Ａｌ等の低抵抗な金属膜や金属シリサイド等の合金膜などの遮光性の薄膜から構成されている。また、走査線３ａ、ゲート絶縁膜２及び第１層間絶縁膜１２の上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール５及び高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８が各々形成された第２層間絶縁膜４が形成されている。このソース領域１ｂへのコンタクトホール５を介して、データ線６ａは高濃度ソース領域１ｄに電気的接続されている。更に、データ線６ａ及び第２層間絶縁膜４の上には、高濃度ドレイン領域１ｅへのコンタクトホール８が形成された第３層間絶縁膜７が形成されている。この高濃度ドレイン領域１ｅへのコンタクトホール８を介して、画素電極９ａは高濃度ドレイン領域１ｅに電気的接続されている。前述の画素電極９ａは、このように構成された第３層間絶縁膜７の上面に設けられている。尚、画素電極９ａと高濃度ドレイン領域１ｅとは、データ線６ａと同一のＡｌ膜や走査線３ｂと同一のポリシリコン膜を中継しての電気的接続するようにしてもよい。

画素スイッチング用ＴＦＴ３０は、好ましくは上述のようにＬＤＤ構造を持つが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物イオンの打ち込みを行わないオフセット構造を持ってよいし、ゲート電極３ａをマスクとして高濃度で不純物イオンを打ち込み、自己整合的に高濃度ソース及びドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。

また本実施形態では、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲート電極３ａを高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅ間に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。この際、各々のゲート電極には同一の信号が印加されるようにする。このようにデュアルゲート或いはトリプルゲート以上でＴＦＴを構成すれば、チャネルとソース−ドレイン領域接合部のリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することができる。これらのゲート電極の少なくとも１個をＬＤＤ構造或いはオフセット構造にすれば、更にオフ電流を低減でき、安定したスイッチング素子を得ることができる。

次に、図４に示すように本実施形態では、図２においてチャネル領域１ａ’の上下に位置する二つのチャネル隣接領域１ａ”のうちコンタクトホール５に近い側のチャネル隣接領域１ａ”（上述の図３におけるソース側のＬＤＤ領域１ｂを含む方のチャネル隣接領域１ａ”）は、下方が遮光膜１１ａにより遮光されており、図４及び図５に示すように、上方がデータ線６ａの主配線部により遮光されている。そして特に図４に示すように第１層間絶縁膜１２及び第２層間絶縁膜４には、チャネル隣接領域１１ａ”に対向する箇所におけるデータ線６ａの主配線部の縁に対向する位置に溝が形成されており、データ線６ａの側方遮光部６ｂが、主配線部の縁からこの溝に向けて伸びており、チャネル隣接領域１１ａ”を溝側から部分的に囲むように構成されている。

このように、チャネル隣接領域１ａ”の側方が側方遮光部６ｂにより囲まれているので、このチャネル隣接領域１ａ”は、その側方が遮光されている。また図５に示すように、コンタクトホール５の内部に伸びるデータ線部分６ｃは、チャネル隣接領域１ａ”をチャネル領域１ａ’と反対側から遮光する機能をも有する。即ち、本実施形態では、コンタクトホール５に近い側のチャネル隣接領域１ａ”は、これら二つの側方遮光部６ｂ及び一つのデータ線部分６ｃにより、３つの方向から側方が遮光されている。更に、チャネル隣接領域１ａ”のチャネル領域１ａ’と同じ側の側方については、側方遮光部やコンタクトホール内のデータ線部分などはないが、こちらの側方（図２で上方）は、図３に示した第２遮光膜２３により大きく覆われており、斜めに入射する入射光が元来少ないため、これを遮光するための部分をデータ線６ａに敢えて形成しなくても実用上の問題は殆ど又は全くない。

以上のように本実施形態の電気光学装置によれば、走査線３ａを上側から覆うように形成されたデータ線６ａの主配線部及び側方遮光部６ｂが、チャネル領域１ａ’並びにＬＤＤ領域１ｂ及び１ｃを含むチャネル隣接領域１ａ”を、入射光から遮光する。また、画素スイッチング用ＴＦＴ３０の下側に設けられた第１遮光膜１１ａが、チャネル領域１ａ’並びにＬＤＤ領域１ｂ及び１ｃを含むチャネル隣接領域１ａ”を、戻り光から遮光する。即ち、データ線６ａの主配線部及び側方遮光部６ｂ並びに第１遮光膜１１ａが、チャネル領域１ａ’及びチャネル隣接領域１ａ”を立体的に囲むことにより遮光が行われる。この結果、ＴＦＴ３０では、投射光や戻り光の入射角度や電気光学装置内における反射角度等に殆ど又は全くよらずに、投射光や戻り光等による光電流の発生に起因したトランジスタ特性の劣化が低減される。

これに対して図６に示した比較例では、データ線６ａには、側方遮光部６ｂが形成されていない。従って、図６から明らかなように、ＴＦＴアレイ基板１０に対して斜めから入射する入射光が、ＴＦＴの下側の第1遮光１１ａの上面に反射されて、ＬＤＤ領域を含むチャネル隣接領域１ａ”に入射したり、第1遮光膜１１ａの上面で反射された後にデータ線６ａの下面で反射されてチャネル隣接領域１ａ”に入射したり、更に第1遮光膜１１ａの上面及びデータ線６ａの下面間で多重反射されて最終的にチャネル隣接領域１ａ”に入射したりする。これらの結果、ＴＦＴアレイ基板１０に対して垂直な入射光であれば、データ線６ａの主配線部により有効に遮光できるものの、ＴＦＴアレイ基板１０に対して斜めな入射光を有効に遮光できないのである。このような斜めの入射光が第1遮光膜１１ａの上面に届かないようにするために、対向基板２０上の第２遮光膜２３（図４参照）の幅を広げることは可能であるが、このように構成したのでは、開口領域を狭める必要が生じ、結果として表示画像が暗くなってしまう。

この比較例に対して上述のように本実施形態では、側方遮光部６ｂがチャネル隣接領域１ａ”を側方から囲むため、 ＴＦＴアレイ基板１０に対して斜めな入射光を有効に遮光できるのである。

尚、本実施形態では、第１及び第２層間絶縁膜１２及び４の両方が開孔されて、二つの層に応じた深さの溝が形成され、その溝内に側方遮光部６ｂが設けられているが、例えば、図７に示すように、第２層間絶縁膜４のみ開孔すれば、その厚みに対応した深さの溝が形成される。尚、ここに“開孔”とは、貫通孔と非貫通孔との両者を含む意であり、図４において、第１層間絶縁膜１２が完全に開孔されていなくても、或いは、図７において、第２層間絶縁膜４が完全に開孔されていなくても、開孔に見合った深さの溝を形成でき、その溝の深さに応じた側方遮光部６ｂを形成可能である。

他方、本実施形態において、第１遮光膜１１ａは、定電位源又は大容量部分に電気的接続されてもよい。このように構成すれば、第１遮光膜１１ａに対向配置される画素スイッチング用ＴＦＴ３０に対し第１遮光膜１１ａの電位変動が悪影響を及ぼすことはない。また、容量線３ｂを定電位とすることで、蓄積容量７０の第２蓄積容量電極として良好に機能し得る。この場合、定電位源としては、当該電気光学装置を駆動するための周辺回路（例えば、走査線駆動回路、データ線駆動回路等）に供給される負電源、正電源等の定電位源、接地電源、対向電極２１に供給される定電位源等が挙げられる。

また、容量線３ｂと走査線３ａとは、同一のポリシリコン膜からなり、蓄積容量７０の誘電体膜と画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲート絶縁膜２とは、同一の高温酸化膜からなり、第１蓄積容量電極１ｆと、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のチャネル形成領域１ａ’、ソース領域１ｄ、ドレイン領域１ｅ等とは、同一の半導体層１ａからなる。このため、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成される積層構造を単純化でき、更に、後述の電気光学装置の製造方法において、同一の薄膜形成工程で容量線３ｂ及び走査線３ａを同時に形成でき、蓄積容量７０の誘電体膜及びゲート絶縁膜２を同時に形成できる。

以上詳細に説明したように本実施形態の電気光学装置によれば、画素部におけるＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’及びチャネル隣接領域１ａ”における遮光機能が高いため良好なＴＦＴ特性により高品位の画像表示が可能であり、しかも遮光膜により画素開口率を殆ど低下させることがないため画素開口率が高く明るい画像表示が可能である。
（電気光学装置の第１実施形態における製造プロセス）
次に、以上のような構成を持つ電気光学装置の製造プロセスについて、図８から図１０を参照して説明する。尚、図８から図１０は各工程におけるＴＦＴアレイ基板側の各層を、図４と同様に図２のＡ−Ａ’断面に対応させて示す工程図である。

先ず、図８の工程（１）に示すように、石英基板、ハードガラス等のＴＦＴアレイ基板１０を用意する。ここで、好ましくはＮ_２（窒素）等の不活性ガス雰囲気且つ約９００〜１３００℃の高温でアニール処理し、後に実施される高温プロセスにおけるＴＦＴアレイ基板１０に生じる歪みが少なくなるように前処理しておく。即ち、製造プロセスにおける最高温で高温処理される温度に合わせて、事前にＴＦＴアレイ基板１０を同じ温度かそれ以上の温度で熱処理しておく。そして、このように処理されたＴＦＴアレイ基板１０の全面に、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｄ等の金属や金属シリサイド等の金属合金膜を、スパッタにより、１０００〜５０００オングストローム程度の層厚、好ましくは約２０００オングストロームの層厚の遮光膜１１を形成する。尚、遮光膜１１上には、表面反射を緩和するためにポリシリコン膜等の反射防止膜を形成しても良い。

次に、工程（２）に示すように、該形成された遮光膜１１上にフォトリソグラフィにより第１遮光膜１１ａのパターン（図２参照）に対応するレジストマスクを形成し、該レジストマスクを介して遮光膜１１に対しエッチングを行うことにより、第１遮光膜１１ａを形成する。

次に工程（３）に示すように、第１遮光膜１１ａの上に、例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ法等によりＴＥＯＳ（テトラ・エチル・オルソ・シリケート）ガス、ＴＥＢ（テトラ・エチル・ボートレート）ガス、ＴＭＯＰ（テトラ・メチル・オキシ・フォスレート）ガス等を用いて、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第１層間絶縁膜１２を形成する。この第１層間絶縁膜１２の層厚は、例えば、約５０００〜２００００オングストロームとする。

次に工程（４）に示すように、第１層間絶縁膜１２の上に、約４５０〜５５０℃、好ましくは約５００℃の比較的低温環境中で、流量約４００〜６００ｃｃ／ｍｉｎのモノシランガス、ジシランガス等を用いた減圧ＣＶＤ（例えば、圧力約２０〜４０ＰａのＣＶＤ）により、アモルファスシリコン膜を形成する。その後、窒素雰囲気中で、約６００〜７００℃にて約１〜１０時間、好ましくは、４〜６時間のアニール処理を施することにより、ポリシリコン膜１を約５００〜２０００オングストロームの厚さ、好ましくは約１０００オングストロームの厚さとなるまで固相成長させる。固相成長させる方法としては、ＲＴＡ(Rapid Thermal Anneal)を使ったアニール処理でも良いし、エキシマレーザー等を用いたレーザーアニールでも良い。

この際、図３に示した画素スイッチング用ＴＦＴ３０として、ｎチャネル型の画素スイッチング用ＴＦＴ３０を作成する場合には、当該チャネル領域にＳｂ（アンチモン）、Ａｓ（砒素）、Ｐ（リン）などのＶ族元素のドーパントを僅かにイオン注入等によりドープしても良い。また、画素スイッチング用ＴＦＴ３０をｐチャネル型とする場合には、Ｂ（ボロン）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）などのIII族元素のドーパントを僅かにイオン注入等によりドープしても良い。尚、アモルファスシリコン膜を経ないで、減圧ＣＶＤ法等によりポリシリコン膜１を直接形成しても良い。或いは、減圧ＣＶＤ法等により堆積したポリシリコン膜にシリコンイオンを打ち込んで一旦非晶質化（アモルファス化）し、その後アニール処理等により再結晶化させてポリシリコン膜１を形成しても良い。

次に工程（５）に示すように、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程等により、図２に示した如き所定パターンを有し、チャネル領域１ａ’やチャネル隣接領域１ａ”を含む半導体層１ａを形成する。

次に工程（６）に示すように、画素スイッチング用ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａと共に第１蓄積容量電極１ｆ（図３参照）を約９００〜１３００℃の温度、好ましくは約１０００℃の温度により熱酸化することにより、約３００オングストロームの比較的薄い厚さの熱酸化シリコン膜を形成し、更に減圧ＣＶＤ法等により高温酸化シリコン膜（ＨＴＯ膜）や窒化シリコン膜を約５００オングストロームの比較的薄い厚さに堆積し、多層構造を持つ画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲート絶縁膜２と共に容量形成用のゲート絶縁膜２を形成する。この結果、第１蓄積容量電極１ｆの厚さは、約３００〜１５００オングストロームの厚さ、好ましくは約３５０〜５００オングストロームの厚さとなり、ゲート絶縁膜２の厚さは、約２００〜１５００オングストロームの厚さ、好ましくは約３００〜１０００オングストロームの厚さとなる。このように高温熱酸化時間を短くすることにより、特に８インチ程度の大型基板を使用する場合に熱によるそりを防止することができる。但し、ポリシリコン層１を熱酸化することのみにより、単一層構造を持つゲート絶縁膜２を形成してもよい。

尚、工程（６）において特に限定されないが、第１蓄積容量電極１ｆとなる半導体層部分に、例えば、Ｐイオンをドーズ量約３×１０^１２／ｃｍ^２でドープして、低抵抗化させてもよい。

次に工程（７）に示すように、減圧ＣＶＤ法等によりポリシリコン層３を堆積した後、リン（Ｐ）を熱拡散し、ポリシリコン膜３を導電化する。又は、Ｐイオンをポリシリコン膜３の成膜と同時に導入したドープトシリコン膜を用いてもよい。

次に、図９の工程（８）に示すように、レジストマスクを用いたフォトリソグラフィ工程、エッチング工程等により、図２に示した如き所定パターンの走査線３ａと共に容量線３ｂを形成する。これらの容量線３ｂ（走査線３ａ）の層厚は、例えば、約３５００オングストロームとされる。尚、図９の工程（８）に示したＡ−Ａ’断面では、ポリシリコン膜３が残る箇所はない。

次に、図３に示した画素スイッチング用ＴＦＴ３０をＬＤＤ構造を持つｎチャネル型のＴＦＴとする場合、半導体層１ａに、先ず低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃを形成するために、走査線３ａ（ゲート電極）を拡散マスクとして、ＰなどのＶ族元素のドーパントを低濃度で（例えば、Ｐイオンを１〜３×１０^１３／ｃｍ^２のドーズ量にて）ドープする。これにより走査線３ａ下の半導体層１ａはチャネル領域１ａ’となる。この不純物のドープにより容量線３ｂ及び走査線３ａも低抵抗化される。更に、画素スイッチング用ＴＦＴ３０を構成する高濃度ソース領域１ｂ及び高濃度ドレイン領域１ｃを形成するために、走査線３ａよりも幅の広いマスクでレジスト層を走査線３ａ上に形成した後、同じくＰなどのＶ族元素のドーパントを高濃度で（例えば、Ｐイオンを１〜３×１０^１５／ｃｍ^２のドーズ量にて）ドープする。また、画素スイッチング用ＴＦＴ３０をｐチャネル型とする場合、半導体層１ａに、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを形成するために、ＢなどのIII族元素のドーパントを用いてドープする。尚、例えば、低濃度のドープを行わずに、オフセット構造のＴＦＴとしてもよく、走査線３ａをマスクとして、Ｐイオン、Ｂイオン等を用いたイオン注入技術によりセルフアライン型のＴＦＴとしてもよい。この不純物のドープにより容量線３ｂ及び走査線３ａも更に低抵抗化される。

尚、これらのＴＦＴ３０の素子形成工程と並行して、ｎチャネル型ＴＦＴ及びｐチャネル型ＴＦＴから構成される相補型構造を持つデータ線駆動回路、走査線駆動回路等の周辺回路をＴＦＴアレイ基板１０上の周辺部に形成してもよい。このように、本実施形態において画素スイッチング用ＴＦＴ３０は半導体層をポリシリコンで形成するので、画素スイッチング用ＴＦＴ３０の形成時にほぼ同一工程で、周辺回路を形成することができ、製造上有利である。

次に工程（９）に示すように、ゲート絶縁膜２ａ並びに不図示の画素スイッチング用ＴＦＴ３０における走査線３ａと共に容量線３ｂ及び走査線３ａを覆うように、例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ法やＴＥＯＳガス等を用いて、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第２層間絶縁膜４を形成する。第２層間絶縁膜４の層厚は、約５０００〜１５０００オングストロームが好ましい。

次に工程（１０）の段階で、図３に示した高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを活性化するために約１０００℃のアニール処理を２０分程度行った後、図２で黒塗りで示した矩形領域に、側方遮光部６ｂが配置される溝を形成するために、第２層間絶縁膜４及び第１層間絶縁膜１２を反応性エッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチングにより或いはウエットエッチングにより、当該領域を開孔する。これと並行して、データ線３１に対するコンタクトホール５を（図２及び図３参照）開孔する。また、走査線３ａや容量線３ｂを図示しない配線と接続するためのコンタクトホールも、コンタクトホール５と同一の工程により第２層間絶縁膜４に開孔する。

次に、工程（１１）に示すように、第２層間絶縁膜４の上に、スパッタ処理等により、遮光性のＡｌ等の低抵抗金属や金属シリサイド等を金属膜６として、約１０００〜５０００オングストロームの厚さ、好ましくは約３０００オングストロームに堆積する。

次に、工程（１２）に示すように、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程等により、データ線６ａを形成する。この際特に、第２層間絶縁膜４及び第１層間絶縁膜１２に開孔された溝の内部には、データ線６ａの縁から溝の内部に向けて延設された側方遮光部６ｂ（図５参照）が形成される。

次に工程（１３）に示すように、データ線６ａ上を覆うように、例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ法やＴＥＯＳガス等を用いて、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第３層間絶縁膜７を形成する。第３層間絶縁膜７の層厚は、約５０００〜１５０００オングストロームが好ましい。尚、本実施の形態の製造プロセスでは特に、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理を施したり、スピンコート等によりＳＯＧ（Spin On Glass）を形成して、第３層間絶縁膜７の上面を平坦化する。
あるいは、有機ＳＯＧ膜や無機ＳＯＧ膜等により平坦化しても良い。このため、第３層間絶縁膜７の表面の凹凸により引き起こされる電気光学物質のディスクリネーション（配向不良）を低減できる。

その後、画素スイッチング用ＴＦＴ３０においては、画素電極９ａと高濃度ドレイン領域１ｅとを電気的接続するためのコンタクトホール８を、反応性エッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチングにより形成する。

次に図１０の工程（１４）に示すように、第３層間絶縁膜７の上に、スパッタ処理等により、ＩＴＯ膜等の透明導電性薄膜９を、約５００〜２０００オングストロームの厚さに堆積し、更に工程（１５）に示すように、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程等により、画素電極９ａを形成する。尚、当該電気光学装置を反射型の電気光学装置に用いる場合には、Ａｌ等の反射率の高い不透明な材料から画素電極９ａを形成してもよい。

続いて、画素電極９ａの上にポリイミド系の配向膜の塗布液を塗布した後、所定のプレティルト角を持つように且つ所定方向でラビング処理を施すこと等により、配向膜１６（図３及び図４参照）が形成される。

他方、図３及び図４に示した対向基板２０については、ガラス基板等が先ず用意され、第２遮光膜２３及び周辺見切りとしての第３遮光膜（図１４及び図１５参照）が、例えば金属クロムをスパッタした後、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程を経て形成される。尚、これらの第２及び第３遮光膜は、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌなどの金属材料の他、カーボンやＴｉをフォトレジストに分散した樹脂ブラックなどの材料から形成してもよい。

その後、対向基板２０の全面にスパッタ処理等により、ＩＴＯ等の透明導電性薄膜を、約５００〜２０００オングストロームの厚さに堆積することにより、対向電極２１を形成する。更に、対向電極２１の全面にポリイミド系の配向膜の塗布液を塗布した後、所定のプレティルト角を持つように且つ所定方向でラビング処理を施すこと等により、配向膜２２（図３及び図４参照）が形成される。

最後に、上述のように各層が形成されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、配向膜１６及び２２が対面するようにシール材５２により貼り合わされ、真空吸引等により、両基板間の空間に、例えば複数種類のネマティック電気光学物質を混合してなる電気光学物質が吸引されて、所定層厚の電気光学物質層５０が形成される。
（電気光学装置の第２実施形態）
本発明による電気光学装置の第２実施形態について、特に画像表示領域における構成を中心としてその動作と共に、図１１から図１３を参照して説明する。図１１は、データ線、走査線、画素電極、遮光膜等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であり、図１２は、図１１のＢ−Ｂ’断面図であり、図１３は、図１１のＣ−Ｃ’断面図である。尚、図１１から図１３に示した第２実施形態において図２から図６に示した第1実施形態と同様の構成要素については、同様の参照符号を付し、その説明は省略する。また、図１２及び図１３においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。

図１１において第1に、第２実施形態では第１実施形態とは異なり、図中黒塗りで示した枠状の領域において層間絶縁膜に形成される溝は、対向基板２０の側から見てＴＦＴ毎にチャネル領域１ａ'及びチャネル隣接領域１ａ”を包囲するように形成されており、側方遮光部６ｂ'は、上述のように形成された溝に対応してＴＦＴアレイ基板１０に平行な面内でチャネル領域１ａ'及びチャネル隣接領域１ａ”を包囲する。従って、第２実施形態によれば、チャネル領域１ａ'及びチャネル隣接領域１ａ”は、側方遮光部６ｂ'により、基板に平行な平面内において隙間無く包囲されているので、いずれの方向から斜めに投射光や戻り光或いはそれらの反射光が入射しようとしても、当該側方遮光部６ｂ'により遮光することが可能となる。

また、図１２及び図１３に示すように、本実施の形態では、第１層間絶縁膜１２に開孔が形成され、第２層間絶縁膜４には開孔が形成されないが、第１層間絶縁膜１２の厚みに応じて第２層間絶縁膜４には、溝が形成されており、この溝内にデータ線６ａの側方配線部６ｂ’が伸びている。従って、この側方遮光部６ｂ’により、側方の遮光がなされている。

再び図１１において第２に、第２実施形態では第１実施形態とは異なり、第1遮光膜１１ａは、複数の島状部分に分断されている。従って、例えば、縞状（図２参照）や格子状に設けられた遮光膜の場合と比較して、一体として形成される部分の面積が遥かに小さいため、遮光膜とその隣接膜との間の物性の相違により遮光膜に発生するストレスを大幅に緩和できる。このため、第1遮光膜１１ａにおける膜剥がれや膜変形或いはクラックの発生防止が図られる。同時に、第１遮光膜１１ａ自身のストレスにより画素スイッチング用ＴＦＴ３０の特性が劣化する事態を未然に防ぐことが出来る。更に、このように第1遮光膜１１ａの各島状部分は、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ'に対する遮光を行うのに必要な領域に最低限設けられているので、限られた画素部の非開口領域において、データ線６ａや走査線３ａと各島状部分（遮光膜）が重なる領域も最低限に抑えられており、製造プロセス中に、第1遮光膜１１ａに意図しない突起等が形成された場合などに第1遮光膜１１ａとデータ線６ａや走査線３ａとがショートして、当該電気光学装置が不良品化する可能性を低く出来るので有利である。

以上の各実施形態では、側方遮光部６ｂ、６ｂ’が形成される溝の側壁部分を、テーパ状に形成してもよい。このように構成すれば、データ線６ａの側方遮光部６ｂ、６ｂ’の裏面側に戻り光が照射したとしても、テーパー角度を制御することにより、乱反射させ、チャネル領域１ａ’やチャネル隣接領域１ａ’’に光が照射されるのを防ぐことができる。また、溝内に後工程で形成される、側方遮光部６ｂ、６ｂ’（即ち、Ａｌ薄膜）の他、例えば、ポリシリコン膜、レジスト等が残ることがない。また、テーパのない或いは逆テーパの形成された側壁を横切って側方遮光部６ｂ、６ｂ’を形成したり配線を引き回すのは容易ではなく、配線不良の原因となる。尚、このように溝の側壁部分にテーパを付けるためには、例えば、図９に示した工程（１０）のエッチング工程において、ドライエッチング後にウエットエッチングを行えばよい。
（電気光学装置の全体構成）
以上のように構成された電気光学装置の各実施形態の全体構成を図１４及び図１５を参照して説明する。尚、図１４は、ＴＦＴアレイ基板１０をその上に形成された各構成要素と共に対向基板２０の側から見た平面図であり、図１５は、対向基板２０を含めて示す図１４のＨ−Ｈ’断面図である。

図１４において、ＴＦＴアレイ基板１０の上には、シール材５２がその縁に沿って設けられており、その内側に並行して、例えば第２遮光膜２３と同じ或いは異なる材料から成る周辺見切りとしての第３遮光膜５３が設けられている。シール材５２の外側の領域には、データ線６ａに画像信号を所定タイミングで供給することによりデータ線６ａを駆動するデータ線駆動回路１０１及び実装端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられており、走査線３ａに走査信号を所定タイミングで供給することにより走査線３ａを駆動する走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する２辺に沿って設けられている。走査線３ａに供給される走査信号遅延が問題にならないのならば、走査線駆動回路１０４は片側だけでも良いことは言うまでもない。また、データ線駆動回路１０１を画像表示領域の辺に沿って両側に配列してもよい。例えば奇数列のデータ線６ａは画像表示領域の一方の辺に沿って配設されたデータ線駆動回路から画像信号を供給し、偶数列のデータ線は前記画像表示領域の反対側の辺に沿って配設されたデータ線駆動回路から画像信号を供給するようにしてもよい。この様にデータ線６ａを櫛歯状に駆動するようにすれば、データ線駆動回路の占有面積を拡張することができるため、複雑な回路を構成することが可能となる。更にＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための上下導通材１０６が設けられている。そして、図１５に示すように、図１４に示したシール材５２とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板２０が当該シール材５２によりＴＦＴアレイ基板１０に固着されている。尚、ＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、複数のデータ線６ａに画像信号を所定のタイミングで印加するサンプリング回路１０３、複数のデータ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。

以上図１から図１５を参照して説明した各実施形態では、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に設ける代わりに、例えばＴＡＢ（テープオートメイテッドボンディング基板）上に実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。また、対向基板２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の出射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮ（ツイステッドネマティック）モード、ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モード、Ｄ−ＳＴＮ（ダブル−ＳＴＮ）モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。

以上説明した各実施形態における電気光学装置は、カラー電気光学物質プロジェクタに適用されるため、３枚の電気光学装置がＲＧＢ用のライトバルブとして各々用いられ、各パネルには各々ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになる。従って、各実施形態では、対向基板２０に、カラーフィルタは設けられていない。しかしながら、第２遮光膜２３の形成されていない画素電極９ａに対向する所定領域にＲＧＢのカラーフィルタをその保護膜と共に、対向基板２０上に形成してもよい。このようにすれば、電気光学物質プロジェクタ以外の直視型や反射型のカラー電気光学物質テレビなどのカラー電気光学装置に各実施形態における電気光学装置を適用できる。更に、対向基板２０上に１画素1個対応するようにマイクロレンズを形成してもよい。このようにすれば、入射光の集光効率を向上することで、明るい電気光学装置が実現できる。更にまた、対向基板２０上に、何層もの屈折率の相違する干渉層を堆積することで、光の干渉を利用して、ＲＧＢ色を作り出すダイクロイックフィルタを形成してもよい。このダイクロイックフィルタ付き対向基板によれば、より明るいカラー電気光学装置が実現できる。

以上説明した各実施形態における電気光学装置では、従来と同様に入射光を対向基板２０の側から入射することとしたが、第１遮光膜１１ａを設けているので、ＴＦＴアレイ基板１０の側から入射光を入射し、対向基板２０の側から出射するようにしても良い。即ち、このように電気光学装置を電気光学物質プロジェクタに取り付けても、半導体層１ａのチャネル領域１ａ’及びＬＤＤ領域１ｂ、１ｃに光が入射することを防ぐことが出来、高画質の画像を表示することが可能である。ここで、従来は、ＴＦＴアレイ基板１０の裏面側での反射を防止するために、反射防止用のＡＲ被膜された偏光板を別途配置したり、ＡＲフィルムを貼り付ける必要があった。しかし、各実施形態では、ＴＦＴアレイ基板１０の表面と半導体層１ａの少なくともチャネル領域１ａ’及びＬＤＤ領域１ｂ、１ｃとの間に第１遮光膜１１ａが形成されているため、このようなＡＲ被膜された偏光板やＡＲフィルムを用いたり、ＴＦＴアレイ基板１０そのものをＡＲ処理した基板を使用する必要が無くなる。従って、各実施形態によれば、材料コストを削減でき、また偏光板貼り付け時に、ごみ、傷等により、歩留まりを落とすことがなく大変有利である。また、耐光性が優れているため、明るい光源を使用したり、偏光ビームスプリッタにより偏光変換して、光利用効率を向上させても、光によるクロストーク等の画質劣化を生じない。

また、各画素に設けられるスイッチング素子としては、正スタガ型又はコプラナー型のポリシリコンＴＦＴであるとして説明したが、逆スタガ型のＴＦＴやアモルファスシリコンＴＦＴ等の他の形式のＴＦＴに対しても、各実施形態は有効である。
（電子機器）
次に、以上詳細に説明した液晶装置１００を備えた電子機器の実施の形態について図１６から図１８を参照して説明する。

先ず図１６に、このように液晶装置１００を備えた電子機器の概略構成を示す。

図１６において、電子機器は、表示情報出力源１０００、表示情報処理回路１００２、駆動回路１００４、液晶装置１００、クロック発生回路１００８並びに電源回路１０１０を備えて構成されている。表示情報出力源１０００は、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、光ディスク装置などのメモリ、画像信号を同調して出力する同調回路等を含み、クロック発生回路１００８からのクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号などの表示情報を表示情報処理回路１００２に出力する。表示情報処理回路１００２は、増幅・極性反転回路、シリアル−パラレル変換回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種処理回路を含んで構成されており、クロック信号に基づいて入力された表示情報からデジタル信号を順次生成し、クロック信号CLKと共に駆動回路１００４に出力する。駆動回路１００４は、液晶装置１００を駆動する。電源回路１０１０は、上述の各回路に所定電源を供給する。
尚、液晶装置１００を構成するＴＦＴアレイ基板の上に、駆動回路１００４を搭載してもよく、これに加えて表示情報処理回路１００２を搭載してもよい。

次に図１７から図１８に、このように構成された電子機器の具体例を各々示す。

図１７において、電子機器の一例たる液晶プロジェクタ１１００は、上述した駆動回路１００４がＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装置１００を含む液晶表示モジュールを３個用意し、各々ＲＧＢ用のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロジェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によって、ＲＧＢの３原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ、Ｂに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂに各々導かれる。この際特にＢ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにより各々変調された３原色に対応する光成分は、ダイクロイックプリズム１１１２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投射される。

本実施の形態では特に、遮光膜がＴＦＴの下側にも設けられているため、当該液晶装置１００からの投射光に基づく液晶プロジェクタ内の投射光学系による反射光、投射光が通過する際のＴＦＴアレイ基板の表面からの反射光、他の液晶装置から出射した後にダイクロイックプリズム１１１２を突き抜けてくる投射光の一部等が、戻り光としてＴＦＴアレイ基板の側から入射しても、画素電極のスイッチング用のＴＦＴ等のチャネル領域に対する遮光を十分に行うことができる。
このため、小型化に適したプリズムを投射光学系に用いても、各液晶装置のＴＦＴアレイ基板とプリズムとの間において、戻り光防止用のＡＲフィルムを貼り付けたり、偏光板にＡＲ被膜処理を施したりすることが不要となるので、構成を小型且つ簡易化する上で大変有利である。

図１８において、電子機器の他の例たるマルチメディア対応のラップトップ型のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）１２００は、上述した液晶装置１００がトップカバーケース内に設けられており、更にＣＰＵ、メモリ、モデム等を収容すると共にキーボード１２０２が組み込まれた本体１２０４を備えている。

以上図１７から図１８を参照して説明した電子機器の他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、エンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、携帯電話、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等などが図１６に示した電子機器の例として挙げられる。

以上説明したように、本実施の形態によれば、製造効率が高く高品位の画像表示が可能な液晶装置を備えた各種の電子機器を実現できる。

電気光学装置の実施形態における画像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設けられた各種素子、配線等の等価回路である。 電気光学装置の第１実施形態におけるデータ線、走査線、画素電極、遮光膜等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。 図２のＤ−Ｄ’断面図である。 図２のＡ−Ａ’断面図である。 第１実施形態におけるデータ線の主配線部、側方遮光部及びコンタクトホール内部に伸びる部分により、チャネル領域及びチャネル隣接領域を遮光する様子を示すデータ線の部分拡大斜視図である。 比較例における図２のＡ−Ａ’断面に対応する断面図である。 第１実施形態の変形形態における図２のＡ−Ａ’断面に対応する断面図である。 電気光学装置の製造プロセスを順を追って示す工程図（その１）である。 電気光学装置の製造プロセスを順を追って示す工程図（その２）である。 電気光学装置の製造プロセスを順を追って示す工程図（その３）である。 電気光学装置の第２実施形態におけるデータ線、走査線、画素電極、遮光膜等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。 図１１のＢ−Ｂ’断面図である。 図１１のＣ−Ｃ’断面図である。 電気光学装置の実施形態におけるＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。 図１４のＨ−Ｈ’断面図である。 本発明による電子機器の実施の形態の概略構成を示すブロック図である。 電子機器の一例として液晶プロジェクタを示す断面図である。 電子機器の他の例としてパーソナルコンピュータを示す正面図である。

符号の説明

１ａ…半導体層
１ａ’…チャネル領域
１ａ”…チャネル隣接領域
１ｂ…低濃度ソース領域（ソース側ＬＤＤ領域）
１ｃ…低濃度ドレイン領域（ドレイン側ＬＤＤ領域）
１ｄ…高濃度ソース領域
１ｅ…高濃度ドレイン領域
１ｆ…第１蓄積容量電極
２…ゲート絶縁膜
３ａ…走査線
３ｂ…容量線（第２蓄積容量電極）
４…第２層間絶縁膜
５…コンタクトホール
６ａ…データ線
６ｂ…側方遮光部
７…第３層間絶縁膜
８…コンタクトホール
９ａ…画素電極
１０…ＴＦＴアレイ基板
１１ａ…第１遮光膜
１２…第１層間絶縁膜
１６…配向膜
２０…対向基板
２１…対向電極
２２…配向膜
２３…第２遮光膜
３０…画素スイッチング用ＴＦＴ
５０…電気光学物質層
５２…シール材
５３…第３遮光膜
７０…蓄積容量
１０１…データ線駆動回路
１０４…走査線駆動回路

Claims (8)

1. 一対の第１及び第２基板間に電気光学物質が狭持されてなり、該第１基板上に、
   マトリクス状に配置された複数の画素電極と、
   前記画素電極に対応して設けられた薄膜トランジスタと、
   前記薄膜トランジスタの上方に設けられ、該薄膜トランジスタと電気的に接続されたデータ線と、
   を備えた電気光学装置において、
   前記データ線は、遮光性の材料からなり、前記薄膜トランジスタを構成する半導体層の少なくともチャネル領域又はチャネル隣接領域を上方から側方にむけて部分的に囲む遮光部を有する電気光学装置。
2. 前記半導体層より下層に層間絶縁膜を介して設けられた遮光膜を有する請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記遮光膜は、前記半導体層の少なくともチャネル領域を前記第１基板から見て覆う構成を有する請求項２に記載の電気光学装置。
4. 前記データ線は、金属膜又は合金膜からなる請求項１乃至３のいずれかに記載の電気光学装置。
5. 前記データ線は、前記チャネル領域又はチャネル隣接領域の両側方を囲むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の電気光学装置。
6. 前記半導体層より下層の前記層間絶縁膜に開孔が設けられ、前記データ線は前記層間絶縁膜の開孔に設けられていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の電気光学装置。
7. 前記データ線は、前記半導体層の延在方向に延びていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の電気光学装置。
8. 請求項１乃至７のいずれかに記載の電気光学装置を備えた電子機器。

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