JP2005227626A - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板上に、表示用電極、配線及び電子素子を備えている。電子素子は、該配線の少なくとも一部に電気的に接続されており、上面が遮光性絶縁膜により覆われている。
【選択図】 図8
Description
まず、本発明の電気光学装置に係る第1実施形態について、図1から図8を参照して説明する。
最初に、本実施形態に係る液晶装置の全体構成を、図1及び図2を参照して説明する。図1は、TFTアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た液晶装置の平面図であり、図2は、図1のH−H'断面図である。ここでは、一例として、液晶装置を駆動回路内蔵型のTFTアクティブマトリクス駆動方式としている。
次に、本実施形態に係る電気光学装置の主要部の構成について、図3から図6を参照して説明する。
図3に示したように、画像表示領域10aにおいては、複数の走査線11a及び複数のデータ線6aが相交差して配列しており、その線間に、走査線11a,データ線6aの各一により選択される画素部が設けられている。各画素部は、TFT30、画素電極9a及び蓄積容量70を含んで構成されている。TFT30は、データ線6aから供給される画像信号S1、S2、…、Snを選択画素に印加するために設けられ、ゲートが走査線11aに接続され、ソースがデータ線6aに接続され、ドレインが画素電極9aに接続されている。画素電極9aは、後述の対向電極21との間で液晶容量を形成し、入力される画像信号S1、S2、…、Snを一定期間保持するようになっている。即ち、画素電極9aにより開口領域がほぼ画定される。蓄積容量70の一方の電極は、画素電極9aと並列してTFT30のドレインに接続され、他方の電極は、定電位となるように、電位固定の容量配線400に接続されている。
次に、上述の動作を実現する画素部の具体的構成について、図4から図6を参照して説明する。
第1層は、走査線11aで構成される。走査線11aは、図4のX方向に沿って延びる本線部と、データ線6a或いは容量配線400が延在する図4のY方向に延びる突出部とからなる形状にパターニングされている。このような走査線11aは、例えば導電性ポリシリコンからなり、その他にもチタン(Ti)、クロム(Cr)、タングステン(W)、タンタル(Ta)、モリブデン(Mo)等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド又はこれらの積層体等により形成することができる。
第2層は、TFT30及び中継電極719で構成されている。本発明の「電子素子」の一例たるTFT30は、例えばLDD(Lightly Doped Drain)構造とされ、ゲート電極3a、半導体層1a、ゲート電極3aと半導体層1aを絶縁するゲート絶縁膜2を備えている。ゲート絶縁膜2は、例えば、HTO(High Temperature Oxide)等の熱酸化されたシリコン酸化膜からなる。ゲート電極3aは、例えば導電性ポリシリコンで形成される。半導体層1aは、例えばポリシリコンからなり、チャネル領域1a’、低濃度ソース領域1b及び低濃度ドレイン領域1c、並びに高濃度ソース領域1d及び高濃度ドレイン領域1eからなる。
第3層は、蓄積容量70で構成されている。蓄積容量70は、容量電極300と下部電極71とが誘電体膜75を介して対向配置された構成となっている。このうち、容量電極300は、容量配線400に電気的に接続されている。下部電極71は、TFT30の高濃度ドレイン領域1e及び画素電極9aの夫々に電気的に接続されている。
第4層は、データ線6aで構成されている。データ線6aは、下から順にアルミニウム層41A、窒化チタン層41TN、及び窒化シリコン層401の3層膜として形成されている。窒化シリコン層401は、下層のアルミニウム層41Aと窒化チタン層41TNを覆うように少し大きなサイズにパターニングされている。また、第4層には、データ線6aと同一膜として、容量配線用中継層6a1及び第2中継電極6a2が形成されている。これらは、図5に示したように、夫々が分断されるように形成されている。
第5層は、容量配線400及び第3中継電極402により構成されている。容量配線400は、画像表示領域10aの周囲にまで延設され、定電位源と電気的に接続されることで、固定電位とされている。また、容量配線400は、第3層間絶縁膜43に開孔されたコンタクトホール803を介して、容量配線用中継層6a1と電気的に接続されている。このような容量配線400は、例えばアルミニウム、窒化チタンを積層した二層構造となっている。
第5層の全面には第4層間絶縁膜44が形成され、更にその上に、第6層として画素電極9aが形成されている。第4層間絶縁膜44には、画素電極9a−第3中継電極402間を電気的に接続するためのコンタクトホール89が開孔されている。このような第4層間絶縁膜44は、例えばNSG、PSG、BSG、BPSG等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等によって形成することができる。
次に、TFT30の構成について、図7及び図8を参照してより詳細に説明する。
次に、第1実施形態に係る変形例について説明する。尚、変形例に係る断面図は、いずれも第1実施形態における図7(B)に対応している。
図9は、第1変形例に係る液晶装置の構成を表す断面図である。本変形例では、コンタクトホール81に代わってプラグ31が高濃度ソース領域1dとデータ線6aとを接続する構成となっている。同様に、コンタクトホール83の代わりにプラグ33が設けられている。
図10は、第2変形例に係る液晶装置の構成を表す断面図である。この変形例では、遮光性絶縁膜35が、絶縁膜39を介して半導体層1aを覆っている。但し、TFT30は、相変わらず遮光性絶縁膜35及び36によって全面を3次元的に遮蔽されている。
図11は、第3変形例に係る液晶装置の構成を表す断面図である。この変形例では、TFT30は、遮光性絶縁膜35及び36に代えて、反射性絶縁膜45及び46に上下面を覆われている。ここで、反射性絶縁膜45及び46は、屈折率が相異なる層が積層されて構成されている。例えば、反射性絶縁膜45は、下層がSiN又はSiON等の高屈折率層45Aからなり、TFT30側にあたる上層がSiO2等の低屈折率層45Bからなる積層膜として構成されている。一方、反射性絶縁膜46は、TFT30側にあたる下層がSiO2等の低屈折率層46Bからなり、上層がSiN又はSiON等の高屈折率層46Aからなる積層膜として構成されている。
次に、本発明の電気光学装置に係る第2実施形態について、図12及び図13を参照して説明する。
以上に説明した液晶装置は、例えばプロジェクタに適用される。ここでは、上記実施形態の液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。図15は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。この図に示されるように、プロジェクタ1100内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット1102が設けられている。このランプユニット1102から射出された投射光は、ライトガイド内に配置された4枚のミラー1106及び2枚のダイクロイックミラー1108によってRGBの3原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶装置100R、100B及び100Gに入射される。液晶装置100R、100B及び100Gの構成は上述した液晶装置と同等であり、それぞれにおいて画像信号処理回路から供給されるR、G、Bの原色信号が変調される。これらの液晶装置によって変調された光は、ダイクロイックプリズム1112に3方向から入射される。ダイクロイックプリズム1112では、R及びBの光が90度に屈折する一方、Gの光が直進する。これにより各色の画像が合成され、投射レンズ1114を介して、スクリーン1120等にカラー画像が投写される。
Claims (13)
- 基板上に、
画像表示領域に設けられた表示用電極と、
該表示用電極を駆動するために設けられた導電層と、
該導電層の少なくとも一部に電気的に接続されており、上面が遮光性絶縁膜により覆われた電子素子と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。 - 前記電子素子の下面は、前記遮光性絶縁膜と同一又は異なる遮光性絶縁膜により覆われていることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
- 前記電子素子の下面は、前記同一又は異なる遮光性絶縁膜よりも絶縁性の高い絶縁膜を介して前記同一又は異なる遮光性絶縁膜に覆われていることを特徴とする請求項2に記載の電気光学装置。
- 基板上に、
画像表示領域に設けられた表示用電極と、
該表示用電極を駆動するために設けられた導電層と、
該導電層の少なくとも一部に電気的に接続されており、遮光性絶縁膜を下地として形成された電子素子と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。 - 前記電子素子及び前記遮光性絶縁膜は、前記画像表示領域内のうち、各画素の開口領域の周囲に位置する非開口領域内に配置されていることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 前記電子素子は、前記遮光性絶縁膜を貫通するコンタクトホール内に設けられた遮光性導電膜によって前記配線と電気的に接続されていることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 前記遮光性導電膜は、プラグとして形成されていることを特徴とする請求項6に記載の電気光学装置。
- 前記遮光性絶縁膜は、多層膜として構成されていることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 基板上に、
画像表示領域に設けられた表示用電極と、
該表示用電極を駆動するために設けられた導電層と、
該導電層の少なくとも一部に電気的に接続されており、上面が反射性絶縁膜により覆われた電子素子と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。 - 前記反射性絶縁膜は、屈折率が相異なる複数の層が、前記電子素子側ほど屈折率が低くなるように積層されてなる積層膜であることを特徴とする請求項9に記載の電気光学装置。
- 前記電子素子の上側又は下側の少なくとも一方に、前記電子素子に接するように前記反射性絶縁膜が設けられていることを特徴とする請求項9又は10に記載の電気光学装置。
- 前記電子素子の上側又は下側の少なくとも一方に、層間絶縁膜を介して前記反射性絶縁膜が設けられていることを特徴とする請求項9又は10に記載の電気光学装置。
- 請求項1から請求項12のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007192975A (ja) * | 2006-01-18 | 2007-08-02 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法 |
JP2008096966A (ja) * | 2006-09-12 | 2008-04-24 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電子機器 |
JP2009063958A (ja) * | 2007-09-10 | 2009-03-26 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
JP2009211084A (ja) * | 2006-09-12 | 2009-09-17 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電子機器 |
US7652293B2 (en) | 2006-09-15 | 2010-01-26 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and electronic apparatus |
JP2018523855A (ja) * | 2015-08-17 | 2018-08-23 | 武漢華星光電技術有限公司 | 液晶表示パネル |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0933918A (ja) * | 1995-07-25 | 1997-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 反射型液晶パネル |
JPH11121755A (ja) * | 1997-10-16 | 1999-04-30 | Toshiba Corp | 薄膜半導体装置 |
JPH11145478A (ja) * | 1997-11-05 | 1999-05-28 | Nec Corp | 半導体デバイスおよびその製造方法 |
JP2000091581A (ja) * | 1998-09-07 | 2000-03-31 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
JP2000180899A (ja) * | 1998-12-14 | 2000-06-30 | Nec Corp | 液晶表示装置 |
JP2001066587A (ja) * | 1999-08-30 | 2001-03-16 | Nec Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JP2001296551A (ja) * | 2000-04-12 | 2001-10-26 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
JP2002108250A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-10 | Sharp Corp | アクティブマトリックス駆動型自発光表示装置及びその製造方法 |
JP2002122889A (ja) * | 2000-08-11 | 2002-04-26 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び投射型表示装置 |
JP2002156652A (ja) * | 2000-11-17 | 2002-05-31 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法 |
JP2003270663A (ja) * | 2002-03-14 | 2003-09-25 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
JP2003295168A (ja) * | 2002-04-01 | 2003-10-15 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
JP2003337347A (ja) * | 2002-05-21 | 2003-11-28 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
JP2004046091A (ja) * | 2002-05-21 | 2004-02-12 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
-
2004
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Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0933918A (ja) * | 1995-07-25 | 1997-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 反射型液晶パネル |
JPH11121755A (ja) * | 1997-10-16 | 1999-04-30 | Toshiba Corp | 薄膜半導体装置 |
JPH11145478A (ja) * | 1997-11-05 | 1999-05-28 | Nec Corp | 半導体デバイスおよびその製造方法 |
JP2000091581A (ja) * | 1998-09-07 | 2000-03-31 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
JP2000180899A (ja) * | 1998-12-14 | 2000-06-30 | Nec Corp | 液晶表示装置 |
JP2001066587A (ja) * | 1999-08-30 | 2001-03-16 | Nec Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JP2001296551A (ja) * | 2000-04-12 | 2001-10-26 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
JP2002122889A (ja) * | 2000-08-11 | 2002-04-26 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び投射型表示装置 |
JP2002108250A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-10 | Sharp Corp | アクティブマトリックス駆動型自発光表示装置及びその製造方法 |
JP2002156652A (ja) * | 2000-11-17 | 2002-05-31 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法 |
JP2003270663A (ja) * | 2002-03-14 | 2003-09-25 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
JP2003295168A (ja) * | 2002-04-01 | 2003-10-15 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
JP2003337347A (ja) * | 2002-05-21 | 2003-11-28 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
JP2004046091A (ja) * | 2002-05-21 | 2004-02-12 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007192975A (ja) * | 2006-01-18 | 2007-08-02 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法 |
JP2008096966A (ja) * | 2006-09-12 | 2008-04-24 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電子機器 |
JP2009211084A (ja) * | 2006-09-12 | 2009-09-17 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電子機器 |
US7652293B2 (en) | 2006-09-15 | 2010-01-26 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and electronic apparatus |
JP2009063958A (ja) * | 2007-09-10 | 2009-03-26 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
JP2018523855A (ja) * | 2015-08-17 | 2018-08-23 | 武漢華星光電技術有限公司 | 液晶表示パネル |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4442245B2 (ja) | 2010-03-31 |
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