JP2003337347A - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 液晶装置等の電気光学装置において、耐光性
を高め、高品位の画像を表示する。 【解決手段】 電気光学装置は、ＴＦＴアレイ基板（１
０）上に、画素電極（９ａ）と、これに接続されたＴＦ
Ｔ（３０）と、このＴＦＴの少なくともチャネル領域を
上側から覆う上側遮光層（３００、６ａ）と、このＴＦ
Ｔの少なくともチャネル領域を下側から覆う下側遮光層
（１１ａ）とを備える。上側遮光膜及び下側遮光膜は夫
々、データ線及び走査線が相交差する交差領域におい
て、各画素の開口領域に隅切りを規定する張り出し部
（４０１、４１１）を有する。両張り出し部は、コンタ
クトホール（６０１）を介して相互接続されている。Ｔ
ＦＴのチャネル領域（１ａ’）は、交差領域内に配置さ
れている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、アクティブマトリ
クス駆動方式の電気光学装置及び電子機器の技術分野に
属し、特に画素スイッチング用の薄膜トランジスタ（以
下適宜、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）と称す）を、
基板上の積層構造中に備えた形式の電気光学装置及びそ
のような電気光学装置を具備してなるプロジェクタ等の
電子機器の技術分野に属する。

【０００２】

【背景技術】ＴＦＴアクティブマトリクス駆動形式の液
晶装置、ＥＬ（Electro-Luminescence）表示装置等の電
気光学装置では、各画素に設けられた画素スイッチング
用ＴＦＴのチャネル領域に入射光が照射されると光によ
る励起で光リーク電流が発生してＴＦＴの特性が変化す
る。特に、プロジェクタのライトバルブ用電気光学装置
の場合には、入射光の強度が高いため、ＴＦＴのチャネ
ル領域やその隣接領域に対する入射光の遮光を行うこと
は重要となる。

【０００３】そこで従来は、対向基板に設けられた各画
素において、表示に寄与する光が透過或いは反射する開
口領域を規定する遮光膜により、或いはＴＦＴの上を通
過すると共にＡｌ（アルミニウム）等の金属膜からなる
データ線により、係るチャネル領域やその隣接領域を遮
光するように構成されている。更に、ＴＦＴアレイ基板
上において画素スイッチング用ＴＦＴの下側にも、例え
ば高融点金属からなる遮光膜を設けることがある。この
ようにＴＦＴの下側にも遮光膜を設ければ、ＴＦＴアレ
イ基板側からの裏面反射光や、複数の電気光学装置をプ
リズム等を介して組み合わせて一つの光学系を構成する
場合に他の電気光学装置からプリズム等を突き抜けてく
る投射光などの戻り光が、当該電気光学装置のＴＦＴに
入射するのを未然に防ぐことができる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た各種遮光技術によれば、以下の問題点がある。

【０００５】即ち、先ず対向基板上やＴＦＴアレイ基板
上に遮光膜を形成する技術によれば、遮光膜とチャネル
領域との間は、３次元的に見て例えば液晶層、電極、層
間絶縁膜等を介してかなり離間しており、両者間へ斜め
に入射する光に対する遮光が十分ではない。特にプロジ
ェクタのライトバルブとして用いられる小型の電気光学
装置においては、入射光は光源からの光をレンズで絞っ
た光束であり、斜めに入射する成分を無視し得ない程に
含んでいる。例えば、基板に垂直な方向から１０度から
１５度程度傾いた成分を１０％程度含むこともあるの
で、このような斜めの入射光に対する遮光が十分でない
ことは実践上問題となる。

【０００６】加えて、遮光膜のない領域から電気光学装
置内に侵入した光が、基板或いは基板上に形成された遮
光膜の上面やデータ線で反射された後に、係る反射光或
いはこれが更に基板或いは遮光膜やデータ線で反射され
た多重反射光が最終的にＴＦＴのチャネル領域に到達し
てしまう場合もある。

【０００７】特に近年の表示画像の高品位化という一般
的要請に沿うべく電気光学装置の高精細化或いは画素ピ
ッチの微細化を図るに連れて、更に明るい画像を表示す
べく入射光の光強度を高めるに連れて、上述した従来の
各種遮光技術によれば、十分な遮光を施すのがより困難
となり、ＴＦＴのトランジスタ特性の変化により、フリ
ッカ等が生じて、表示画像の品位が低下してしまうとい
う問題点がある。

【０００８】尚、このような耐光性を高めるためには、
単純に遮光膜の形成領域を広げれば良いようにも考えら
れるが、これでは、各画素の開口率を高めることが根本
的に困難になり、表示画像が暗くなってしまうという問
題点が生じる。

【０００９】本発明は上述の問題点に鑑みなされたもの
であり、耐光性に優れており、明るく高品位の画像表示
が可能な電気光学装置及びそのような電気光学装置を具
備してなる電子機器を提供することを課題とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の第１電気光学装
置は上記課題を解決するために、基板上に、画素電極
と、該画素電極をスイッチング制御する薄膜トランジス
タと、該薄膜トランジスタに画像信号を供給するデータ
線と、前記薄膜トランジスタに走査信号を供給すると共
に前記データ線と交差する走査線と、前記薄膜トランジ
スタを構成する半導体層の少なくともチャネル領域及び
その隣接領域を上側から覆う上側遮光膜と、前記少なく
ともチャネル領域及びその隣接領域を下側から覆う下側
遮光膜とを備えており、前記上側遮光膜及び前記下側遮
光膜は夫々、前記データ線及び前記走査線が相交差する
交差領域において、前記画素電極に対応する各画素の開
口領域に隅切りを規定するように張り出した張り出し部
を有し、前記チャネル領域は、前記交差領域内に配置さ
れており、前記上側遮光膜と前記下側遮光膜とは相互
に、前記張り出し部において遮光性の導電材料を介して
又は直接に接続されている。

【００１１】本発明の第１電気光学装置によれば、その
動作時には、例えば薄膜トランジスタのソースに、デー
タ線を介して画像信号が供給され、薄膜トランジスタの
ゲートに、走査線を介して走査信号が供給される。する
と、例えば薄膜トランジスタのドレインに接続された画
素電極を、薄膜トランジスタによりスイッチング制御す
ることによって、アクティブマトリクス駆動方式による
駆動を行なえる。そして、薄膜トランジスタを構成する
半導体層の少なくともチャネル領域及びその隣接領域
は、上側遮光膜によって、その上側から覆われているの
で、基板面に対して上方からの入射光が、薄膜トランジ
スタのチャネル領域及びその隣接領域に入射するのを、
基本的に阻止できる。更に、下側遮光膜によって、その
下側から覆われているので、基板面に対して下方からの
戻り光が、薄膜トランジスタのチャネル領域及びその隣
接領域に入射するのを、基本的に阻止できる。尚、「戻
り光」とは例えば、基板の裏面反射や、当該第１電気光
学装置をライトバルブとして複数用いた複板式プロジェ
クタにおける他のライトバルブから出射され合成光学系
を突き抜けてくる光などの、入射光と反対方向に戻って
くる、表示に寄与しない光をいう。

【００１２】ここで特に、上側遮光膜及び下側遮光膜は
夫々、データ線及び走査線が相交差する交差領域におい
て、各画素の開口領域に隅切りを規定するように張り出
した張り出し部を有する。例えば、四角形の開口領域を
基準に考えれば、一から四つの隅切りがなされて、五角
形から八角形の開口領域が、規定される。そして、チャ
ネル領域は、このような隅切りを有する交差領域内に配
置されている。従って、このような張り出し部が存在し
ない場合と比べて、基板面に対して上方から垂直に或い
は斜めに進行する強力な入射光及びこれに基づく内面反
射光及び多重反射光や、基板面に対して下方から垂直に
或いは斜めに進行する戻り光及びこれに基づく内面反射
光及び多重反射光が、薄膜トランジスタのチャネル領域
及びその隣接領域に入射するのを、張り出し部を夫々有
する上側遮光膜及び下側遮光膜によって有効に阻止でき
る。

【００１３】更に本発明によれば、上側遮光膜と下側遮
光膜とは相互に、張り出し部において遮光性の導電材料
を介して又は直接に接続されている。このため、交差領
域内に配置されたチャネル領域及びその隣接領域は、そ
れらの側方から、上側遮光膜及び下側遮光膜の相互接続
された部分によって部分的に囲まれることになる。即
ち、側方から比較的傾きが大きく斜めに入射しようとす
る入射光或いは戻り光に対する遮光性能が、このように
側方から囲む、相互接続された部分によって顕著に向上
される。

【００１４】加えて、上側遮光膜と下側遮光膜とは、相
互接続されているため、両者を同電位にすることがで
き、例えば両者のうち一方からなる配線に対して、他方
をその冗長配線として利用することも可能となる。

【００１５】これらの結果、各画素の開口率を高めつ
つ、相互接続された上側遮光膜及び下側遮光膜で上下左
右から囲むという立体的な遮光によって、薄膜トランジ
スタにおける光リーク電流の発生やばらつきに起因した
表示ムラ或いはフリッカなどを、効率的に低減でき、最
終的に明るく高品位の画像を表示できる。同時に、相互
接続された上側遮光膜及び下側遮光膜による冗長配線を
実現でき、例えば容量線等の低抵抗化を図ることによっ
ても、フリッカ等をより一層低減可能となる。

【００１６】本発明の第１電気光学装置の一態様では、
前記上側遮光膜と前記下側遮光膜とは相互に、コンタク
トホールを介して接続されており、該コンタクトホール
内には、前記上側遮光膜が形成されているか又は前記導
電材料からプラグが形成されている。

【００１７】この態様によれば、上側遮光膜と下側遮光
膜とをコンタクトホールを介して良好に電気的に相互接
続できる。しかも、張り出し部に設けられたコンタクト
ホール内に配置された上側遮光膜或いはプラグを構成す
る遮光性の導電材料によって、チャネル領域及びその隣
接領域を、それらの側方から部分的に囲むことができ
る。

【００１８】或いは本発明の第１電気光学装置の他の態
様では、前記上側遮光膜と前記下側遮光膜とは相互に、
前記張り出し部の輪郭に応じた断面形状の貫通溝を介し
て接続されており、該貫通溝内には、前記チャネル領域
に側方から対向する壁が前記上側遮光膜又は前記導電材
料から形成されている。

【００１９】この態様によれば、上側遮光膜と下側遮光
膜とを貫通溝を介して良好に電気的に相互接続できる。
しかも、張り出し部の輪郭に応じた断面形状の貫通溝内
において上側遮光膜或いは遮光性の導電材料から形成さ
れた壁によって、チャネル領域及びその隣接領域を、そ
れらの側方から部分的に、より広範に囲むことができ
る。このような貫通溝の断面形状は、例えば、張り出し
部の輪郭とほぼ同じか僅かに一回り小さいものでよく、
或いは、僅かに一回り大きいものでもよい。ここでは、
貫通溝を大きく形成する程、概ねその遮光性能は向上す
る。

【００２０】本発明の第１電気光学装置の他の態様で
は、前記交差領域の各々について、その四つのコーナー
全てに前記張り出し部が設けられており、該四つのコー
ナーの各々で、前記上側遮光膜と前記下側遮光膜とが相
互に接続されている。

【００２１】この態様によれば、張り出し部に設けられ
たコンタクトホールや貫通溝などの内に配置された上側
遮光膜或いは遮光性の導電材料によって、チャネル領域
及びその隣接領域を、それらの四方から囲むことがで
き、遮光性能を確実に高められる。

【００２２】本発明の第２電気光学装置は上記課題を解
決するために、基板上に、画素電極と、該画素電極をス
イッチング制御する薄膜トランジスタと、該薄膜トラン
ジスタに画像信号を供給するデータ線と、前記薄膜トラ
ンジスタに走査信号を供給すると共に前記データ線と交
差する走査線と、前記薄膜トランジスタを構成する半導
体層の少なくともチャネル領域及びその隣接領域を上側
から覆う上側遮光膜と、前記少なくともチャネル領域及
びその隣接領域を下側から覆う下側遮光膜とを備えてお
り、前記上側遮光膜及び前記下側遮光膜は夫々、前記デ
ータ線及び前記走査線が相交差する交差領域において、
前記画素電極に対応する各画素の開口領域に隅切りを規
定するように張り出した張り出し部を有し、前記チャネ
ル領域は、前記交差領域内に配置されており、前記走査
線は、前記下側遮光膜から構成されており、前記下側遮
光膜は、前記張り出し部において遮光性の導電材料を介
して前記薄膜トランジスタのゲート電極膜に接続されて
いるか又は直接に前記薄膜トランジスタのゲート電極膜
に接続されている。

【００２３】本発明の第２電気光学装置によれば、上述
した第１電気光学装置の場合と同様にアクティブマトリ
クス駆動方式による駆動を行なえる。そして、薄膜トラ
ンジスタを構成する半導体層の少なくともチャネル領域
及びその隣接領域は、上側遮光膜によって、その上側か
ら覆われているので、基板面に対して上方からの入射光
が、薄膜トランジスタのチャネル領域及びその隣接領域
に入射するのを、基本的に阻止できる。更に、下側遮光
膜によって、その下側から覆われているので、基板面に
対して下方からの戻り光が、薄膜トランジスタのチャネ
ル領域及びその隣接領域に入射するのを、基本的に阻止
できる。

【００２４】ここで特に、上側遮光膜及び下側遮光膜は
夫々、データ線及び走査線が相交差する交差領域におい
て、各画素の開口領域に隅切りを規定するように張り出
した張り出し部を有する。そして、チャネル領域は、こ
のような隅切りを有する交差領域内に配置されている。
従って、入射光及び戻り光並びにこれらに基づく内面反
射光及び多重反射光が、薄膜トランジスタのチャネル領
域及びその隣接領域に入射するのを、張り出し部を夫々
有する上側遮光膜及び下側遮光膜によって有効に阻止で
きる。

【００２５】更に本発明によれば、走査線は下側遮光膜
から構成されており、しかも、この下側遮光膜は、張り
出し部において遮光性の導電材料を介してゲート電極膜
に接続されているか又は直接にゲート電極膜に接続され
ている。このため、交差領域内に配置されたチャネル領
域及びその隣接領域は、それらの側方から、下側遮光膜
及びゲート電極膜の相互接続された部分によって部分的
に囲まれることになる。即ち、側方から比較的傾きが大
きく斜めに入射しようとする入射光或いは戻り光に対す
る遮光性能が、このように側方から囲む、相互接続され
た部分によって顕著に向上される。

【００２６】加えて、下側遮光膜を走査線に利用するこ
とによって、基板上における積層構造及び製造工程の単
純化を図れる。

【００２７】これらの結果、各画素の開口率を高めつ
つ、チャネル領域及びその隣接領域を、上側遮光膜及び
下側遮光膜で上下から囲むと共に、下側遮光膜及びゲー
ト電極膜が相互接続された部分によって左右から囲むと
いう立体的な遮光によって、薄膜トランジスタにおける
光リーク電流の発生やばらつきに起因した表示ムラ或い
はフリッカなどを、効率的に低減でき、最終的に明るく
高品位の画像を表示できる。

【００２８】本発明の第２電気光学装置の一態様では、
前記下側遮光膜と前記ゲート電極膜とは相互に、コンタ
クトホールを介して接続されており、該コンタクトホー
ル内には、前記ゲート電極膜が形成されているか又は前
記遮光性の導電材料からプラグが形成されている。

【００２９】この態様によれば、下側遮光膜とゲート電
極膜とをコンタクトホールを介して良好に電気的に相互
接続できる。しかも、張り出し部に設けられたコンタク
トホール内に配置されたゲート電極膜或いはプラグを構
成する遮光性の導電材料によって、チャネル領域及びそ
の隣接領域を、それらの側方から部分的に囲むことがで
きる。

【００３０】本発明の第２電気光学装置の他の態様で
は、前記下側遮光膜と前記ゲート電極膜とは相互に、前
記張り出し部の輪郭に応じた断面形状の貫通溝を介して
接続されており、該貫通溝内には、前記チャネル領域に
側方から対向する壁が前記ゲート電極膜又は前記遮光性
の導電材料から形成されている。

【００３１】この態様によれば、下側遮光膜とゲート電
極膜とを貫通溝を介して良好に電気的に相互接続でき
る。しかも、張り出し部の輪郭に応じた断面形状の貫通
溝内においてゲート電極膜或いは遮光性の導電材料から
形成された壁によって、チャネル領域及びその隣接領域
を、それらの側方から部分的に、より広範に囲むことが
できる。

【００３２】本発明の第２電気光学装置の他の態様で
は、前記交差領域の各々について、その四つのコーナー
全てに前記張り出し部が設けられており、該四つのコー
ナーの各々で、前記下側遮光膜と前記ゲート電極膜とが
相互に接続されている。

【００３３】この態様によれば、張り出し部に設けられ
たコンタクトホールや貫通溝などの内に配置されたゲー
ト電極膜或いは遮光性の導電材料によって、チャネル領
域及びその隣接領域を、それらの四方から囲むことがで
き、遮光性能を確実に高められる。

【００３４】本発明の第２電気光学装置の他の態様で
は、前記ゲート電極膜は、前記走査線に沿って延びると
共に前記走査線の冗長配線をなす他の走査線の一部から
なる。

【００３５】この態様によれば、遮光膜からなる走査線
とゲート電極膜を含んでなる他の走査線とからなる冗長
構造によって、走査線の低抵抗化を図ることができる。
更に、走査線が部分的に断線した場合等にも、これが欠
陥として表面化することを効果的に阻止できる。

【００３６】本発明の第１又は第２電気光学装置の他の
態様では、前記チャネル領域は、前記交差領域の中央に
配置されている。

【００３７】この態様では、チャネル領域は、交差領域
の中央に配置されており、特に隅切りが存在する分だ
け、光が通過する各画素の開口領域から離間している。
このため、チャネル領域に対する遮光性能を効率良く向
上させられる。尚、「交差領域の中央に配置されてい
る」とは、交差領域における重心等の中心点にチャネル
領域の中心点が一致する場合の他、チャネル領域が交差
領域内でその縁から多少なりともその中心点の側に寄っ
て位置する場合も含む意味である。

【００３８】本発明の第１又は第２電気光学装置の他の
態様では、前記画素電極に接続された蓄積容量を更に備
えており、前記上側遮光膜は、前記蓄積容量を構成する
固定電位側容量電極又は該固定電位側容量電極を含む容
量線を兼ねる。

【００３９】この態様によれば、蓄積容量によって、薄
膜トランジスタを介して画素電極に書き込んだ電位を、
その書き込み時間に比べて長期に亘って維持できる。そ
して特に、上側遮光膜は、蓄積容量を構成する固定電位
側容量電極或いは容量線を兼ねるので、両者を別々に作
り込む場合と比較して、基板上における積層構造及び製
造方法の単純化を図れる。このような上側遮光膜は、金
属膜、合金膜、金属シリサイド膜など導電性の遮光膜か
ら構成すればよい。

【００４０】但し、本発明において蓄積容量を作り込む
場合、上側遮光膜は、蓄積容量の画素電位側容量電極を
兼ねてもよい。或いは、固定電位側容量電極及び画素電
位側容量電極の両者を導電性の遮光膜から構成すること
も可能である。また、基板上における、これら両容量電
極の上下配置は、どちらが上でも下でも構わない。

【００４１】本発明の第１又は第２電気光学装置の他の
態様では、前記張り出し部は、前記データ線から外れた
平面領域に形成されており、前記蓄積容量は、前記デー
タ線に重なる平面領域にも形成されている。

【００４２】この態様によれば、上側遮光膜と下側遮光
膜との相互接続がなされる張り出し部を避けて、データ
線の下を有効利用して蓄積容量を作り込むので、限られ
た遮光領域内にて蓄積容量の増大を図れる。

【００４３】本発明の第１又は第２電気光学装置の他の
態様では、前記上側遮光膜の張り出し部は、前記下側遮
光膜の張り出し部よりも一回り大きい。

【００４４】この態様によれば、通常戻り光よりも強力
な入射光が、上側遮光膜の脇を抜けて下側遮光膜の表面
で反射して、内面反射光が発生する事態を効果的に防止
できる。

【００４５】本発明の第１又は第２電気光学装置の他の
態様では、前記基板に電気光学物質層を介して対向配置
された対向基板を更に備えており、前記開口領域の四隅
のうち、少なくとも前記電気光学物質層における動作不
良が相対的に大きい一又は複数の隅に、前記張り出し部
が設けられている。

【００４６】この態様によれば、例えば液晶層の配向不
良の如き、電気光学物質層の動作不良が大きい隅に対し
て、隅切りを規定する。従って、例えば液晶層の配向不
良がラビング方向との関係で四隅に均等に発生しない場
合の如き、動作不良が四隅に均等に発生しない場合に、
当該動作不良となる領域を積極的に隠すことになる。よ
って、各開口領域の隅における光抜けの防止等により、
コントラスト比を効率的に高めることができる。同時
に、動作不良が小さい隅については、正常動作或いは正
常に近い動作が行われるので、この部分を隠さないこと
で開口領域の一部として利用し、張り出し部の存在によ
る各画素の開口率の低下を抑制することも可能となる。

【００４７】尚、このような張り出し部は、一つの開口
領域に対して、動作不良の発生個所や程度に応じて、一
箇所設けてもよいし、二箇所或いは三箇所設けてもよ
い。

【００４８】本発明の第１又は第２電気光学装置の他の
態様では、前記画素電極は、第１の周期で反転駆動され
るための第１の画素電極群及び該第１の周期と相補の第
２の周期で反転駆動されるための第２の画素電極群を含
むと共に前記第１基板上に平面配列されており、前記張
り出し部は、前記交差領域の中央を基準に前記第１の画
素電極群の側に位置する二隅、又は前記第２の画素電極
群の側に位置する二隅に設けられている。

【００４９】この態様によれば、その動作時に、(i)反
転駆動時に各時刻において相互に逆極性の駆動電圧で駆
動される相隣接する画素電極と(ii)反転駆動時に各時刻
において相互に同一極性の駆動電圧で駆動される相隣接
する画素電極との両者が存在している。このような両者
は、例えば行毎に駆動電圧の極性をフィールド単位で反
転させる１Ｈ反転駆動方式や、列毎に駆動電圧の極性を
フィールド単位で反転させる１Ｓ反転駆動方式などの反
転駆動方式を採るマトリクス駆動型の液晶装置等の第１
又は第２電気光学装置であれば存在する。従って、異な
る画素電極群に属する相隣接する画素電極の間には、横
電界が生じる。しかるに本態様では、交差領域の中央を
基準に第１の画素電極群の側に位置する二隅、又は第２
の画素電極群の側に位置する二隅に隅切りが設けられて
いる。このため、交差領域の付近における横電界が発生
する領域を、張り出し部で遮光することができ、横電界
による悪影響が表面化或いは顕在化するのを効果的に防
止できる。これらの結果、高コントラストで明るい高品
位の画像表示を行える。

【００５０】本発明の第１又は第２電気光学装置の他の
態様では、前記開口領域の四隅に夫々、左右上下対称な
張り出し部が設けられている。

【００５１】この態様によれば、開口領域の四隅に夫
々、左右上下対称な張り出し部が設けられており、各画
素の開口領域の平面形状は、張り出し部が存在しない場
合と比較して、円形或いは多角形に近付く。この結果、
円形或いは多角形に近い平面形状の開口領域を用いて、
各開口領域内に光抜け領域や動作不良領域が低減された
良好な画像表示を行うことも可能となる。特に、円形或
いは円形に近いマイクロレンズを用いる場合に、このよ
うな構成を採ると、適切に集光される入射光を開口領域
を介して通すと同時に適切に集光されない入射光を遮光
できるので、大変有効である。

【００５２】本発明の第１又は第２電気光学装置の他の
態様では、前記上側遮光膜は、前記データ線及び前記走
査線に沿った格子状の遮光領域を少なくとも部分的に規
定する。

【００５３】この態様によれば、上側遮光膜によって、
各画素の非開口領域を精度よく規定できる。特に、対向
基板側の遮光膜により非開口領域を規定する場合と比べ
て、両基板の貼り合わせ時の組みずれの影響で開口率が
低下することを阻止し、更に、薄膜トランジスタに近接
してこれを遮光できるので、非常に有利である。

【００５４】尚、下側遮光膜によって、データ線及び走
査線に沿った格子状の遮光領域を少なくとも部分的に規
定するように構成してもよい。

【００５５】本発明の第１又は第２電気光学装置の他の
態様では、前記基板又は前記基板に対向配置された対向
基板に、前記画素電極に対向配置されたマイクロレンズ
を更に備える。

【００５６】この態様によれば、入射光は、マイクロレ
ンズを介して、各画素の開口領域の中央寄りに導かれ
る。ここで特に、マイクロレンズにより適切に集光され
表示に寄与する入射光は、交差領域にて隅切りを規定す
る上側遮光膜の張り出し部には、殆ど到達しない筈であ
る。従って、張り出し部によって、マイクロレンズによ
って適切に集光されない光成分を遮光できるので、明る
さを維持しつつ画質向上を図れる。

【００５７】尚、上述した本発明の第１又は第２電気光
学装置は、例えば、液晶装置として構築されてもよい
し、ＥＬ表示装置として構築されてもよい。

【００５８】本発明の電子機器は上記課題を解決するた
めに、上述した本発明の第１又は第２電気光学装置（但
し、その各種態様も含む）を具備してなる。

【００５９】本発明の電子機器は、上述した本発明の第
１又は第２電気光学装置を具備してなるので、明るく高
品位の画像表示が可能な、投射型表示装置、液晶テレ
ビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューフ
ァインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、
ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチ
パネルなどの各種電子機器を実現できる。

【００６０】本発明のこのような作用及び他の利得は次
に説明する実施の形態から明らかにされる。

【００６１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光
学装置を液晶装置に適用したものである。

【００６２】（第１実施形態）先ず本発明の第１実施形
態に係る電気光学装置の画素部における構成について、
図１から図４を参照して説明する。図１は、電気光学装
置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された
複数の画素における各種素子、配線等の等価回路であ
る。図２は、データ線、走査線、画素電極等が形成され
たＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図
である。図３は、図２のＡ−Ａ’断面図であり、図４
は、図２のＢ−Ｂ’断面図である。尚、図３及び図４に
おいては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大
きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめて
ある。

【００６３】図１において、本実施形態における電気光
学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成さ
れた複数の画素には夫々、画素電極９ａと当該画素電極
９aをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成
されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該
ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ
線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、こ
の順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数
のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するよ
うにしても良い。また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３
ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走
査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍ
を、この順に線順次で印加するように構成されている。
画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続
されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定
期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６
ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定
のタイミングで書き込む。画素電極９ａを介して電気光
学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの
画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板（後述す
る）に形成された対向電極（後述する）との間で一定期
間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分
子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調
し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイトモード
であれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射
光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモード
であれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射
光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置
からは画像信号に応じたコントラストを持つ光が出射す
る。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐ
ために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液
晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。蓄積容量７０
はＴＦＴ３０のドレイン領域と容量線３００の間で形成
される。

【００６４】図２において、電気光学装置のＴＦＴアレ
イ基板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９
ａ（点線部９ａ’により輪郭が示されている）が設けら
れており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデー
タ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。

【００６５】また、半導体層１ａのうち図中右上がりの
細かい斜線領域で示したチャネル領域１ａ’に対向する
ように走査線３ａが配置されており、走査線３ａはゲー
ト電極として機能する。特に本実施形態では、走査線３
ａは、当該ゲート電極となる部分において幅広に形成さ
れている。このように、走査線３ａとデータ線６ａとの
交差する個所には夫々、チャネル領域１ａ’に走査線３
ａがゲート電極として対向配置された画素スイッチング
用のＴＦＴ３０が設けられている。

【００６６】図２及び図３に示すように、容量線３００
は、走査線３ａ上に形成されている。容量線３００は、
平面的に見て走査線３ａに沿ってストライプ状に伸びる
本線部と、走査線３ａ及びデータ線６ａの交点における
該本線部からデータ線６ａに沿って図２中上下に突出し
た突出部とを含んでなる。

【００６７】容量線３００は、例えば金属又は合金を含
む導電性の遮光膜からなり上側遮光膜の一例を構成する
と共に固定電位側容量電極としても機能する。容量線３
００は、例えばＴｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ
（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデ
ン）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金
属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これ
らを積層したもの等からなる。容量線３００は、Ａｌ
（アルミニウム）、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ
（銅）等の他の金属を含んでもよい。或いは、容量線３
００は、例えば導電性のポリシリコン膜等からなる第１
膜と高融点金属を含む金属シリサイド膜等からなる第２
膜とが積層された多層構造を持ってもよい。

【００６８】他方、容量線３００に対して、誘電体膜７
５を介して対向配置される中継層７１は、蓄積容量７０
の画素電位側容量電極としての機能を持ち、更に、画素
電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとを中
継接続する中間導電層としての機能を持つ。

【００６９】このように本実施形態では、蓄積容量７０
は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極
９ａに接続された画素電位側容量電極としての中継層７
１と、固定電位側容量電極としての容量線３００の一部
とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより
構築されている。

【００７０】そして、図２中縦方向に夫々伸びるデータ
線６ａと図２中横方向に夫々伸びる容量線３００とが相
交差して形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０
上におけるＴＦＴ３０の上側に、平面的に見て格子状の
上側遮光膜が構成されており、各画素の開口領域を規定
している。

【００７１】他方、ＴＦＴアレイ基板１０上におけるＴ
ＦＴ３０の下側には、下側遮光膜１１ａが格子状に設け
られている。下側遮光膜１１ａについても、容量線３０
０と同様に各種金属膜等から形成される。

【００７２】本実施形態では特に、容量線３００は、こ
のような格子状の遮光領域のうち走査線３ａ及びデータ
線６ａが交差する交差領域において、各画素の開口領域
に隅切りを規定する張り出し部４０１を有する。そし
て、このような隅切りを規定する張り出し部４０１に対
応して、下側遮光膜１１ａも、この交差領域において、
各画素の開口領域に隅切りを規定する張り出し部４１１
を有する。このような張り出し部４０１及び４１１に係
る構成及び作用効果については図４を参照して後に詳述
する。

【００７３】また図３において、容量電極としての中継
層７１と容量線３００との間に配置される誘電体膜７５
は、例えば膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＨＴＯ
膜、ＬＴＯ膜等の酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコ
ン膜等から構成される。蓄積容量７０を増大させる観点
からは、膜の信頼性が十分に得られる限りにおいて、誘
電体膜７５は薄い程良い。

【００７４】図２及び図３に示すように、画素電極９ａ
は、中継層７１を中継することにより、コンタクトホー
ル８３及び８５を介して半導体層１ａのうち高濃度ドレ
イン領域１ｅに電気的に接続されている。このように中
継層７１を中継層として利用すれば、層間距離が例えば
２０００ｎｍ程度に長くても、両者間を一つのコンタク
トホールで接続する技術的困難性を回避しつつ比較的小
径の二つ以上の直列なコンタクトホールで両者間を良好
に接続でき、画素開口率を高めることが可能となり、コ
ンタクトホール開孔時におけるエッチングの突き抜け防
止にも役立つ。

【００７５】他方、データ線６ａは、コンタクトホール
８１を介して、例えばポリシリコン膜からなる半導体層
１ａのうち高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続されて
いる。尚、データ線６ａと高濃度ソース領域１ａとを中
継層により中継接続することも可能である。

【００７６】容量線３００は、画素電極９ａが配置され
た画像表示領域からその周囲に延設され、定電位源と電
気的に接続することにより、固定電位とされる。係る定
電位源としては、ＴＦＴ３０を駆動するための走査信号
を走査線３ａに供給するための走査線駆動回路（後述す
る）や画像信号をデータ線６ａに供給するサンプリング
回路を制御するデータ線駆動回路（後述する）に供給さ
れる正電源や負電源の定電位源でもよいし、対向基板２
０の対向電極２１に供給される定電位でも構わない。

【００７７】本実施形態では特に、このように構成され
た容量線３００と下側遮光膜１１ａとは、コンタクトホ
ール６０１を介して相互接続されており、下側遮光膜１
１ａは、容量線３００の冗長配線として機能する。これ
により、容量線３００の低抵抗化を図ることができ、更
に容量線３００の部分的な断線や不良による装置全体の
不良化を阻止することも可能となる。このようなコンタ
クトホール６０１に係る構成及び作用効果については図
４を参照して後に詳述する。

【００７８】加えて、容量線３００と接続することによ
って、下側遮光膜１１ａを固定電位に落とせる。このた
め、下側遮光膜１１ａの電位変動がＴＦＴ３０に対して
悪影響を及ぼすことを避けることも可能となる。

【００７９】図２及び図３において、電気光学装置は、
透明なＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される
透明な対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板
１０は、例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板か
らなり、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板
からなる。

【００８０】図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０
には、画素電極９ａが設けられており、その上側には、
ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６
が設けられている。画素電極９ａは例えば、ＩＴＯ（In
dium Tin Oxide）膜などの透明導電性膜からなる。また
配向膜１６は例えば、ポリイミド膜などの有機膜からな
る。

【００８１】他方、対向基板２０には、その全面に渡っ
て対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビ
ング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設
けられている。対向電極２１は例えば、ＩＴＯ膜などの
透明導電性膜からなる。また配向膜２２は、ポリイミド
膜などの有機膜からなる。

【００８２】このように構成された、画素電極９ａと対
向電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ
基板１０と対向基板２０との間には、後述のシール材に
より囲まれた空間に電気光学物質の一例である液晶が封
入され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素
電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１
６及び２２により所定の配向状態をとる。液晶層５０
は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合し
た液晶からなる。シール材は、ＴＦＴアレイ基板１０及
び対向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、
例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であ
り、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイ
バー或いはガラスビーズ等のギャップ材が混入されてい
る。

【００８３】更に、画素スイッチング用ＴＦＴ３０の下
には、下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１
２は、下側遮光膜１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する
機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されるこ
とにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時におけ
る荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用Ｔ
ＦＴ３０の特性の変化を防止する機能を有する。

【００８４】図３において、画素スイッチング用ＴＦＴ
３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有して
おり、走査線３ａ、当該走査線３ａからの電界によりチ
ャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１
ａ’、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶
縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａの低濃度ソース領域
１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層１ａの高濃
度ソース領域１ｄ並びに高濃度ドレイン領域１ｅを備え
ている。

【００８５】走査線３ａ上には、高濃度ソース領域１ｄ
へ通じるコンタクトホール８１及び高濃度ドレイン領域
１ｅへ通じるコンタクトホール８３が各々開孔された第
１層間絶縁膜４１が形成されている。

【００８６】第１層間絶縁膜４１上には中継層７１及び
容量線３００が形成されており、これらの上には、コン
タクトホール８１及びコンタクトホール８５が各々開孔
された第２層間絶縁膜４２が形成されている。

【００８７】第２層間絶縁膜４２上にはデータ線６ａが
形成されており、これらの上には、中継層７１へ通じる
コンタクトホール８５が形成された第３層間絶縁膜４３
が形成されている。画素電極９ａは、このように構成さ
れた第３層間絶縁膜４３の上面に設けられている。

【００８８】ここで図４を参照して、容量線３００の張
り出し部４０１及び下側遮光膜１１ａの４１１並びにコ
ンタクトホール６０１に係る構成について説明する。

【００８９】図４において、張り出し部４０１と張り出
し部４１１とは、コンタクトホール６０１を介して相互
に接続されている。そして、コンタクトホール６０１内
には、張り出し部４０１と同じく容量線３００を構成す
る前述した遮光性の各種金属材料等で充填されている。
このため、図２及び図４に示すように、チャネル領域１
ａ’及びその隣接領域は、遮光性の材料で充填されたコ
ンタクトホール６０１によって、側方の四方から囲まれ
る構造が構築されている。同時に、チャネル領域１ａ’
及びその隣接領域は、張り出し部４０１を含む容量線３
００及び張り出し部４１１を含む遮光膜１１ａによっ
て、上下から囲まれる構造が構築されている。

【００９０】以上図１から図４を参照して説明したよう
に本実施形態によれば、チャネル領域１ａ’及びその隣
接領域（即ち、図２及び図３に示した低濃度ソース領域
１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ）は、上側から上側遮
光膜たる容量線３００及びデータ線６ａにより覆われて
いる。従って、ＴＦＴアレイ基板１０に垂直な方向から
の入射光に対する遮光は、上側遮光膜たる容量線３００
及びデータ線６ａにより高めることができる。他方、チ
ャネル領域１ａ’及びその隣接領域は、下側から下側遮
光膜１１ａにより覆われている。従って、ＴＦＴアレイ
基板１０の裏面反射光や、複数の電気光学装置をライト
バルブとして用いた複板式のプロジェクタにおける他の
電気光学装置から出射され合成光学系を突き抜けてくる
光等の、戻り光に対する遮光は、下側遮光膜１１ａによ
り高めることができる。

【００９１】ここで、入射光は、ＴＦＴアレイ基板１０
に対して斜め方向から入射する斜め光を含んでいる。例
えば、入射角が垂直から１０度〜１５度位までずれる成
分を１０％程度含んでいる場合がある。更に、このよう
な斜め光が、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成された下側
遮光膜１１ａの上面で反射されて、当該電気光学装置内
に、斜めの内面反射光が生成される。更にまた、このよ
うな斜めの内面反射光が当該電気光学装置内の他の界面
で反射されて斜めの多重反射光が生成される。特に入射
光は、戻り光に比べて遥かに強力であり、このような入
射光に基づく斜めの内面反射光や多重反射光も強力であ
る。加えて、戻り光についても、斜め方向から入射する
光を含んでおり、これに基づく内面反射光や多重反射光
も発生する。

【００９２】しかるに、本実施形態では特に、容量線３
００は、交差領域において、各画素の開口領域に隅切り
を規定する張り出し部４０１を有する（図２参照）。同
様に、下側遮光膜１１ａは、交差領域において、各画素
の開口領域に隅切りを規定する張り出し部４１１を有す
る（図２参照）。そして、チャネル領域１ａ’は、交差
領域内の中央に配置されており、隅切りが存在する分だ
け入射光が通過する或いは戻り光が入射する各画素の開
口領域から離間している。このため、チャネル領域１
ａ’及びその隣接領域に対する遮光性能は、張り出し部
４０１及び４１１の存在によって、飛躍的に高められて
いる。即ち、張り出し部４０１及び４１１が存在しない
場合と比べて、斜めに進行する強力な入射光や戻り光、
更にこれらに基づく内面反射光及び多重反射光などが、
チャネル領域１ａ’及びその隣接領域に入射するのを有
効に阻止できる。

【００９３】更に本実施形態では特に、図２及び図４に
示したように、チャネル領域１ａ’及びその隣接領域
は、遮光性の材料で充填されたコンタクトホール６０１
によって、側方から囲まれている。このため、側方から
比較的傾きが大きく斜めに入射しようとする入射光或い
は戻り光に対する遮光性能は、遮光性の導電性材料で充
填されたコンタクトホール６０１によって顕著に向上さ
れる。

【００９４】この際好ましくは、上側の張り出し部４０
１は、下側の張り出し部４１１よりも一回り大きい。こ
れにより通常戻り光よりも強力な入射光が、上側の張り
出し部４０１の脇を抜けて下側の張り出し部４１１の内
面で反射して、内面反射光が発生する事態を効果的に防
止できる。

【００９５】加えて本実施形態では特に、下側遮光膜１
１ａを容量線３００の冗長配線として利用することによ
って、容量線３００の低抵抗化が図られている。

【００９６】以上図１から図４を参照して説明したよう
に本実施形態によれば、トランジスタ特性に優れた画素
スイッチング用ＴＦＴ３０により、表示ムラやフリッカ
等が低減されており、明るく高精細或いは高品位の画像
表示を行える電気光学装置が実現される。

【００９７】尚、図４に示したように本実施形態では、
コンタクトホール６０１は、上側遮光膜たる容量線３０
０と同一材料で充填されているが、他の遮光性の導電材
料で、コンタクトホール６０１内にプラグを形成しても
よい。

【００９８】加えて、本実施形態では、図２に示したよ
うに開口領域の四隅に夫々、左右上下対称な張り出し部
４０１及び４１１が設けられている。従って、各画素の
開口領域の平面形状は、張り出し部４０１及び４１１が
存在しない場合と比較して、円形或いは多角形に近付
く。よって、ＴＦＴ３０に対して四方についてバランス
のとれた遮光を行うことができ、各開口領域内に光抜け
領域や動作不良領域が低減された良好な画像表示を行え
る。

【００９９】特に、各開口領域の入射光を概ね円形に集
光するマイクロレンズを当該電気光学装置の対向基板２
０側或いはＴＦＴアレイ基板１０側に設ける場合には、
集光された光の形状との関係で、このように四隅を隅切
りして各画素の開口領域を円形に近付けることは有利で
ある。より具体的には、マイクロレンズが設けられる
と、入射光は、マイクロレンズを介して、各画素の開口
領域の中央寄りに導かれる。ここで、マイクロレンズに
より適切に集光され表示に寄与する入射光は、集光され
るが故に、張り出し部４０１及び４１１には、殆ど到達
しない。従って、張り出し部４０１及び４１１によっ
て、マイクロレンズによって適切に集光されない光成分
を遮光できることになる。特に、アレイ状に相隣接する
マイクロレンズの境界のうち交差領域に対向する部分は
レンズの性質上、集光特性が悪い。よって、交差領域付
近で局所的に遮光領域を増加させる張り出し部４０１及
び４１１の存在は、集光特性が悪いマイクロレンズ部分
を通過した光を遮光する、言い換えれば、集光特性が悪
いマイクロレンズ部分を隠す意味からも大変有意義であ
る。

【０１００】但し、本実施形態では、各画素の開口領域
の四隅のうち、一つ、二つ或いは三つに対して、張り出
し部を設けてもよい。更に本実施形態では、四隅のう
ち、一つ、二つ或いは三つに対して、コンタクトホール
を設けてもよい。いずれの場合であっても、何ら張り出
し部が設けられていない或いは何らコンタクトホールが
設けられていない場合と比較して、相応の遮光性能の向
上が期待できる。

【０１０１】特に、このように四隅全てに張り出し部４
０１及び４１１を設けるのではなく、四隅のうち、液晶
層５０における配向不良が相対的に大きい一又は複数の
隅に、張り出し部４０１や張り出し部４１１を設けるよ
うに構成してもよい。例えば液晶層５０の配向不良が、
配向膜１６及び２２に対するラビング方向との関係で最
も顕著となる隅についてのみ、このような張り出し部４
０１や張り出し部４１１を設けるようにしてもよい。こ
れにより、非開口領域が過度に広がるのを抑えつつ液晶
層５０の配向不良を隠すことで、コントラスト比を効率
的に高めることができる。

【０１０２】尚、例えば行毎に駆動電圧の極性をフィー
ルド単位で反転させる１Ｈ反転駆動方式や、列毎に駆動
電圧の極性をフィールド単位で反転させる１Ｓ反転駆動
方式などの反転駆動方式を採る場合には、異なる画素電
極群に属する相隣接する画素電極（即ち、逆極性の電位
が印加される相隣接する画素電極）の間には、横電界が
生じる。このような場合、各画素の四隅全てに張り出し
部４０１及び４１１を設けるのではなく、交差領域の付
近における横電界が発生する領域に張り出し部を設ける
ようにし、これらで遮光することによって、横電界によ
る悪影響が表面化或いは顕在化するのを防止してもよ
い。

【０１０３】以上説明した実施形態において、図３及び
図４に示すように対向基板２０側にも、各画素の開口領
域以外の領域に遮光膜２３を、格子状又はストライプ状
に形成してもよい。このような構成を採ることで、上述
の如く上側遮光膜を構成する容量線３００及びデータ線
６ａと共に当該対向基板２０側の遮光膜２３により、対
向基板２０側からの入射光がチャネル領域１ａ’及びそ
の隣接領域に侵入するのを、より確実に阻止できる。更
に、対向基板側の遮光膜２３は、少なくとも入射光が照
射される面を高反射な膜で形成することにより、電気光
学装置の温度上昇を防ぐ働きをする。尚、このような対
向基板２０側の遮光膜は好ましくは、平面的に見て容量
線３００とデータ線６ａとからなる遮光層の内側に位置
するように形成する。これにより、対向基板２０側の遮
光膜により、各画素の開口率を低めることなく、このよ
うな遮光及び温度上昇防止の効果が得られる。

【０１０４】以上説明した実施形態では、張り出し部４
０１及び４１１は、データ線６ａから外れた平面領域に
形成されており、蓄積容量７０は、データ線６ａに重な
る平面領域にも形成されている。このため、データ線６
ａの下を有効利用して蓄積容量７０の増大を図れる。

【０１０５】以上説明した実施形態では、画素電極９ａ
の下地面におけるデータ線６ａや走査線３ａに沿った領
域に段差が生じるのを、ＴＦＴアレイ基板１０に溝を掘
って、又は下地絶縁膜１２、第１層間絶縁膜４１、第２
層間絶縁膜４２、第３層間絶縁膜４３に溝を掘って、デ
ータ線６ａ等の配線やＴＦＴ３０等を埋め込むことによ
り平坦化処理を行ってもよい。或いは、第３層間絶縁膜
４３や第２層間絶縁膜４２の上面の段差をＣＭＰ（Chem
ical Mechanical Polishing）処理等で研磨することに
より、或いは有機ＳＯＧ(Spin On Glass)を用いて平ら
に形成することにより、当該平坦化処理を行ってもよ
い。

【０１０６】尚、コンタクトホール６０１は、例えば直
径１μｍ程度に開孔すればよいので、その上側の第２層
間絶縁膜４２及び第３層間絶縁膜４３の存在によって、
コンタクトホール６０１に起因した段差は、画素電極９
ａの下地面では殆ど無くなる。

【０１０７】（第２実施形態）次に図５及び図６を参照
して、本発明の第２実施形態について説明する。ここに
図５は、第２実施形態における、データ線、走査線、画
素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複
数の画素群の平面図であり、図６は、図５のＢ−Ｂ’断
面図である。尚、図６においては、各層や各部材を図面
上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材
毎に縮尺を異ならしめてある。

【０１０８】第２実施形態は、上述した第１実施形態と
比べて、コンタクトホール６０１に代えて、貫通溝６０
２を設けている。その他の構成については第１実施形態
の場合と同様である。このため、第２実施形態に係る図
５及び図６では、図１から図４に示した第１実施形態の
場合と同様の構成要素に対しては同様の参照符号を付
し、それらの説明は適宜省略する。

【０１０９】図５及び図６において、第２実施形態の電
気光学装置は、張り出し部４０１及び４１１の輪郭に応
じた三角形の断面形状を有する貫通溝６０２が、第１層
間絶縁膜４１及び下地絶縁膜１２に掘られている。この
内部に上側遮光膜たる容量線３００と同一材料が充填さ
れて、容量線３００と下側遮光膜１１ａとが相互に接続
されている。特に、この貫通溝６０２内に充填された遮
光性の導電材料からなると共にコンタクトホール６０１
と比べて幅広の壁によって、チャネル領域１ａ’及びそ
の隣接領域を側方の四方から囲む構造が構築されてい
る。

【０１１０】従って、第２実施形態によれば、容量線３
００と下側遮光膜１１ａとを貫通溝６０２を介して良好
に電気的に相互接続できる。しかも、張り出し部４０１
及び４１１の輪郭に応じた三角形の断面形状を有する壁
によって、チャネル領域１ａ’及びその隣接領域を、そ
れらの側方から広範に囲むことができる。このため、第
１実施形態の場合と比べて、更に遮光性能を向上させる
ことも可能である。

【０１１１】尚、このような貫通溝６０２の断面形状
は、例えば、張り出し部４０１及び４１１の輪郭とほぼ
同じか僅かに一回り小さいものでよく、或いは、僅かに
一回り大きいものでもよい。

【０１１２】尚、貫通溝６０２の場合には、コンタクト
ホール６０１よりも径が大きく、例えば数μｍ程度の幅
に掘るので、貫通溝６０２に起因した段差が、画素電極
９ａの下地面に現れる懸念がある。しかるに、貫通溝６
０２の下地となる下側遮光膜１１ａ、下地絶縁膜１２或
いは基板１０における、貫通溝６０２に対向する領域を
凸部に盛り上げることにより、当該貫通溝６０２の存在
に起因する段差を緩和できる。

【０１１３】（第３実施形態）次に図７を参照して、本
発明の第３実施形態について説明する。ここに図７は、
第３実施形態における図２のＢ−Ｂ’断面に対応する部
位における断面図である。尚、図７においては、各層や
各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、
各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。

【０１１４】第３実施形態は、上述した第１実施形態と
比べて、容量線３００を下側遮光膜１１ａに接続するコ
ンタクトホール６０１に代えて、走査線３ａ’を下側遮
光膜１１ａ’に接続するコンタクトホール６０３を設け
ている。そして、下側遮光膜１１ａ’は、その平面パタ
ーンが、格子状ではなく、走査線３’に沿ったストライ
プ状に構成されている。その他の構成については第１実
施形態の場合と同様である。このため、第３実施形態に
係る図７では、図１から図４に示した第１実施形態の場
合と同様の構成要素に対しては同様の参照符号を付し、
それらの説明は適宜省略する。

【０１１５】図７において、第３実施形態の電気光学装
置は、チャネル領域１ａ’及びその隣接領域をその四方
からコンタクトホール６０３が囲む構造を有する。そし
て、コンタクトホール６０３は、遮光性の導電材料でプ
ラグされている。このため、コンタクトホール６０３内
に充填された遮光性の導電材料によって、チャネル領域
１ａ’及びその隣接領域に対する遮光性能を高められ
る。

【０１１６】更に、走査線３ａ’に沿って延びるストラ
イプ状の下側遮光膜１１ａ’は、コンタクトホール６０
３を介して接続されることによって、走査線３ａ’の冗
長配線としても機能する。このため、走査線３ａ’の低
抵抗化を図ることが可能である。

【０１１７】尚、走査線３ａ’は好ましくは、第１実施
形態における走査線３ａと比較して、その平面パターン
におけるゲート電極として機能する幅広部分が一回り大
きく形成される。これにより、コンタクトホール６０３
を設ける領域が確保され、四つのコーナー部にコンタク
トホール６０３を問題なく配置できる。

【０１１８】第３実施形態では、このような走査線３
ａ’は、画素スイッチング用ＴＦＴ３０におけるゲート
電極膜として機能する部分を除いては、除去することも
可能である。即ち、この場合には、冗長構造は失うもの
の、下側遮光膜１１ａ’からなる走査線により、コンタ
クトホール６０３を介してゲート電極膜に走査信号が供
給される構造が得られる。

【０１１９】また、走査線３ａ’或いはゲート電極膜
は、遮光性の導電材料から構成してもよい。このように
構成すれば、コンタクトホール６０３を遮光性の導電材
料によりプラグせずとも、単にコンタクトホール６０３
内に遮光性の走査線３ａ’或いはゲート電極膜を形成す
ることによって、上述の如き側方からの光に対する遮光
性能を高める構造が得られる。

【０１２０】加えて、第３実施形態では、上述した第２
実施形態の如き幅広の貫通溝をコンタクトホール６０３
に代えて採用することも可能である。

【０１２１】（電気光学装置の全体構成）以上のように
構成された各実施形態における電気光学装置の全体構成
を図８及び図９を参照して説明する。尚、図８は、ＴＦ
Ｔアレイ基板１０をその上に形成された各構成要素と共
に対向基板２０の側から見た平面図であり、図９は、図
８のＨ−Ｈ’断面図である。

【０１２２】図８において、ＴＦＴアレイ基板１０の上
には、シール材５２がその縁に沿って設けられており、
その内側に並行して、画像表示領域１０ａの周辺を規定
する額縁としての遮光膜５３が設けられている。シール
材５２の外側の領域には、データ線６ａに画像信号を所
定タイミングで供給することによりデータ線６ａを駆動
するデータ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０
２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられてお
り、走査線３ａに走査信号を所定タイミングで供給する
ことにより走査線３ａを駆動する走査線駆動回路１０４
が、この一辺に隣接する２辺に沿って設けられている。
走査線３ａに供給される走査信号遅延が問題にならない
のならば、走査線駆動回路１０４は片側だけでも良いこ
とは言うまでもない。また、データ線駆動回路１０１を
画像表示領域１０ａの辺に沿って両側に配列してもよ
い。更にＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表
示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０４
間をつなぐための複数の配線１０５が設けられている。
また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所に
おいては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間
で電気的に導通をとるための導通材１０６が設けられて
いる。そして、図９に示すように、図８に示したシール
材５２とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板２０が当該シール
材５２によりＴＦＴアレイ基板１０に固着されている。

【０１２３】尚、ＴＦＴアレイ基板１０上には、これら
のデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に
加えて、複数のデータ線６ａに画像信号を所定のタイミ
ングで印加するサンプリング回路、複数のデータ線６ａ
に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行
して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時
の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検
査回路等を形成してもよい。

【０１２４】以上図１から図９を参照して説明した実施
形態では、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路
１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に設ける代わりに、
例えばＴＡＢ（Tape Automated bonding）基板上に実装
された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周辺部
に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及び機
械的に接続するようにしてもよい。また、対向基板２０
の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の出射
光が出射する側には各々、例えば、ＴＮ（Twisted Nema
tic）モード、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モー
ド、ＶＡ（Vertically Aligned）モード、ＰＤＬＣ(Pol
ymer Dispersed Liquid Crystal)モード等の動作モード
や、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモ
ードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏
光板などが所定の方向で配置される。

【０１２５】以上説明した実施形態における電気光学装
置は、プロジェクタに適用されるため、３枚の電気光学
装置がＲＧＢ用のライトバルブとして各々用いられ、各
ライトバルブには各々ＲＧＢ色分解用のダイクロイック
ミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々
入射されることになる。従って、各実施形態では、対向
基板２０に、カラーフィルタは設けられていない。しか
しながら、画素電極９ａに対向する所定領域にＲＧＢの
カラーフィルタをその保護膜と共に、対向基板２０上に
形成してもよい。このようにすれば、プロジェクタ以外
の直視型や反射型のカラー電気光学装置について、各実
施形態における電気光学装置を適用できる。あるいは、
ＴＦＴアレイ基板１０上のＲＧＢに対向する画素電極９
ａ下にカラーレジスト等でカラーフィルタ層を形成する
ことも可能である。このようにすれば、入射光の集光効
率を向上することで、明るい電気光学装置が実現でき
る。更にまた、対向基板２０上に、何層もの屈折率の相
違する干渉層を堆積することで、光の干渉を利用して、
ＲＧＢ色を作り出すダイクロイックフィルタを形成して
もよい。このダイクロイックフィルタ付き対向基板によ
れば、より明るいカラー電気光学装置が実現できる。

【０１２６】（電子機器の実施形態）次に、以上詳細に
説明した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子
機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態につい
て、その全体構成、特に光学的な構成について説明す
る。ここに図１０は、投射型カラー表示装置の図式的断
面図である。

【０１２７】図１０において、本実施形態における投射
型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェクタ１１００
は、駆動回路がＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装
置１００を含む液晶モジュールを３個用意し、夫々ＲＧ
Ｂ用のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂと
して用いたプロジェクタとして構成されている。液晶プ
ロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白
色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられ
ると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイック
ミラー１１０８によって、ＲＧＢの３原色に対応する光
成分Ｒ、Ｇ、Ｂに分けられ、各色に対応するライトバル
ブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂに夫々導かれる。こ
の際特にＢ光は、長い光路による光損失を防ぐために、
入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レ
ンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して
導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及
び１００Ｂにより夫々変調された３原色に対応する光成
分は、ダイクロイックプリズム１１１２により再度合成
された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１
２０にカラー画像として投射される。

【０１２８】本発明は、上述した実施形態に限られるも
のではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる
発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能で
あり、そのような変更を伴なう電気光学装置及び電子機
器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施形態の電気光学装置における画
像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設け
られた各種素子、配線等の等価回路である。

【図２】 第１実施形態の電気光学装置におけるデータ
線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板
の相隣接する複数の画素群の平面図である。

【図３】 図２のＡ−Ａ’断面図である。

【図４】 図２のＢ−Ｂ’断面図である。

【図５】 第２実施形態の電気光学装置におけるデータ
線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板
の相隣接する複数の画素群の平面図である。

【図６】 図５のＢ−Ｂ’断面図である。

【図７】 第３実施形態の電気光学装置における図２の
Ｂ−Ｂ’断面に対応する部位における断面図である。

【図８】 実施形態の電気光学装置におけるＴＦＴアレ
イ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板
の側から見た平面図である。

【図９】 図８のＨ−Ｈ’断面図である。

【図１０】 本発明の電子機器の実施形態の一例たるカ
ラー液晶プロジェクタを示す図式的断面図である。

【符号の説明】

１ａ…半導体層 １ａ’…チャネル領域 １ｄ…高濃度ソース領域 １ｅ…高濃度ドレイン領域 ３ａ…走査線 ６ａ…データ線 ９ａ…画素電極 １０…ＴＦＴアレイ基板 １１ａ…下側遮光膜 ２０…対向基板 ２１…対向電極 ３０…ＴＦＴ ５０…液晶層 ７０…蓄積容量 ７１…中継層 ３００…容量線 ４０１、４１１…張り出し部 ６０１、６０３…コンタクトホール ６０２…貫通溝

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 29/786 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１２Ｄ Ｆターム(参考） 2H091 FA34Y FB08 FC02 FC10 FC26 FC29 FD04 FD06 FD14 FD22 GA13 LA03 LA11 LA12 MA07 2H092 JA25 JA29 JA35 JA38 JA42 JA46 JB13 JB23 JB32 JB38 JB54 JB58 JB63 JB69 KA05 KA12 KA18 MA07 MA14 MA15 MA16 MA18 MA19 MA20 MA35 MA37 NA18 NA25 RA05 5C094 AA10 AA25 AA48 AA53 BA03 BA16 BA43 CA19 DA13 DB01 DB04 EA04 EB02 ED15 FA01 FA02 FB12 FB14 FB15 5F110 AA21 BB01 CC02 DD02 DD03 DD05 DD11 HM15 NN03 NN05 NN23 NN24 NN42 NN44 NN46 NN47 NN48 NN72 NN73 QQ19

Claims (19)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に、 画素電極と、 該画素電極をスイッチング制御する薄膜トランジスタ
   と、 該薄膜トランジスタに画像信号を供給するデータ線と、 前記薄膜トランジスタに走査信号を供給すると共に前記
   データ線と交差する走査線と、 前記薄膜トランジスタを構成する半導体層の少なくとも
   チャネル領域及びその隣接領域を上側から覆う上側遮光
   膜と、 前記少なくともチャネル領域及びその隣接領域を下側か
   ら覆う下側遮光膜とを備えており、 前記上側遮光膜及び前記下側遮光膜は夫々、前記データ
   線及び前記走査線が相交差する交差領域において、前記
   画素電極に対応する各画素の開口領域に隅切りを規定す
   るように張り出した張り出し部を有し、 前記チャネル領域は、前記交差領域内に配置されてお
   り、 前記上側遮光膜と前記下側遮光膜とは相互に、前記張り
   出し部において遮光性の導電材料を介して又は直接に接
   続されていることを特徴とする電気光学装置。
2. 【請求項２】 前記上側遮光膜と前記下側遮光膜とは相
   互に、コンタクトホールを介して接続されており、 該コンタクトホール内には、前記上側遮光膜が形成され
   ているか又は前記導電材料からプラグが形成されている
   ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 【請求項３】 前記上側遮光膜と前記下側遮光膜とは相
   互に、前記張り出し部の輪郭に応じた断面形状の貫通溝
   を介して接続されており、該貫通溝内には、前記チャネ
   ル領域に側方から対向する壁が前記上側遮光膜又は前記
   導電材料から形成されていることを特徴とする請求項１
   に記載の電気光学装置。
4. 【請求項４】 前記交差領域の各々について、その四つ
   のコーナー全てに前記張り出し部が設けられており、 該四つのコーナーの各々で、前記上側遮光膜と前記下側
   遮光膜とが相互に接続されていることを特徴とする請求
   項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
5. 【請求項５】 基板上に、 画素電極と、 該画素電極をスイッチング制御する薄膜トランジスタ
   と、 該薄膜トランジスタに画像信号を供給するデータ線と、 前記薄膜トランジスタに走査信号を供給すると共に前記
   データ線と交差する走査線と、 前記薄膜トランジスタを構成する半導体層の少なくとも
   チャネル領域及びその隣接領域を上側から覆う上側遮光
   膜と、 前記少なくともチャネル領域及びその隣接領域を下側か
   ら覆う下側遮光膜とを備えており、 前記上側遮光膜及び前記下側遮光膜は夫々、前記データ
   線及び前記走査線が相交差する交差領域において、前記
   画素電極に対応する各画素の開口領域に隅切りを規定す
   るように張り出した張り出し部を有し、 前記チャネル領域は、前記交差領域内に配置されてお
   り、 前記走査線は、前記下側遮光膜から構成されており、 前記下側遮光膜は、前記張り出し部において遮光性の導
   電材料を介して前記薄膜トランジスタのゲート電極膜に
   接続されているか又は直接に前記薄膜トランジスタのゲ
   ート電極膜に接続されていることを特徴とする電気光学
   装置。
6. 【請求項６】 前記下側遮光膜と前記ゲート電極膜とは
   相互に、コンタクトホールを介して接続されており、 該コンタクトホール内には、前記ゲート電極膜が形成さ
   れているか又は前記遮光性の導電材料からプラグが形成
   されていることを特徴とする請求項５に記載の電気光学
   装置。
7. 【請求項７】 前記下側遮光膜と前記ゲート電極膜とは
   相互に、前記張り出し部の輪郭に応じた断面形状の貫通
   溝を介して接続されており、該貫通溝内には、前記チャ
   ネル領域に側方から対向する壁が前記ゲート電極膜又は
   前記遮光性の導電材料から形成されていることを特徴と
   する請求項５に記載の電気光学装置。
8. 【請求項８】 前記交差領域の各々について、その四つ
   のコーナー全てに前記張り出し部が設けられており、該
   四つのコーナーの各々で、前記下側遮光膜と前記ゲート
   電極膜とが相互に接続されていることを特徴とする請求
   項５から７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
9. 【請求項９】 前記ゲート電極膜は、前記走査線に沿っ
   て延びると共に前記走査線の冗長配線をなす他の走査線
   の一部からなることを特徴とする請求項５から８のいず
   れか一項に記載の電気光学装置。
10. 【請求項１０】 前記チャネル領域は、前記交差領域の
    中央に配置されていることを特徴とする請求項１から９
    のいずれか一項に記載の電気光学装置。
11. 【請求項１１】 前記画素電極に接続された蓄積容量を
    更に備えており、前記上側遮光膜は、前記蓄積容量を構
    成する固定電位側容量電極又は該固定電位側容量電極を
    含む容量線を兼ねることを特徴とする請求項１から１０
    のいずれか一項に記載の電気光学装置。
12. 【請求項１２】 前記張り出し部は、前記データ線から
    外れた平面領域に形成されており、 前記蓄積容量は、前記データ線に重なる平面領域にも形
    成されていることを特徴とする請求項１１に記載の電気
    光学装置。
13. 【請求項１３】 前記上側遮光膜の張り出し部は、前記
    下側遮光膜の張り出し部よりも一回り大きいことを特徴
    とする請求項１から１２のいずれか一項に記載の電気光
    学装置。
14. 【請求項１４】 前記基板に電気光学物質層を介して対
    向配置された対向基板を更に備えており、 前記開口領域の四隅のうち、少なくとも前記電気光学物
    質層における動作不良が相対的に大きい一又は複数の隅
    に、前記張り出し部が設けられていることを特徴とする
    請求項１から１３のいずれか一項に記載の電気光学装
    置。
15. 【請求項１５】 前記画素電極は、第１の周期で反転駆
    動されるための第１の画素電極群及び該第１の周期と相
    補の第２の周期で反転駆動されるための第２の画素電極
    群を含むと共に前記第１基板上に平面配列されており、 前記張り出し部は、前記交差領域の中央を基準に前記第
    １の画素電極群の側に位置する二隅、又は前記第２の画
    素電極群の側に位置する二隅に設けられていることを特
    徴とする請求項１から１４のいずれか一項に記載の電気
    光学装置。
16. 【請求項１６】 前記開口領域の四隅に夫々、左右上下
    対称な張り出し部が設けられていることを特徴とする請
    求項１から１５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
17. 【請求項１７】 前記上側遮光膜は、前記データ線及び
    前記走査線に沿った格子状の遮光領域を少なくとも部分
    的に規定することを特徴とする請求項１から１６のいず
    れか一項に記載の電気光学装置。
18. 【請求項１８】 前記基板又は前記基板に対向配置され
    た対向基板に、前記画素電極に対向配置されたマイクロ
    レンズを更に備えたことを特徴とする請求項１から１７
    のいずれか一項に記載の電気光学装置。
19. 【請求項１９】 請求項１から１８のいずれか一項に記
    載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子
    機器。