JP2003177427A - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents
電気光学装置及び電子機器Info
- Publication number
- JP2003177427A JP2003177427A JP2002264521A JP2002264521A JP2003177427A JP 2003177427 A JP2003177427 A JP 2003177427A JP 2002264521 A JP2002264521 A JP 2002264521A JP 2002264521 A JP2002264521 A JP 2002264521A JP 2003177427 A JP2003177427 A JP 2003177427A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- shielding film
- electro
- optical device
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A44—HABERDASHERY; JEWELLERY
- A44C—PERSONAL ADORNMENTS, e.g. JEWELLERY; COINS
- A44C25/00—Miscellaneous fancy ware for personal wear, e.g. pendants, crosses, crucifixes, charms
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13454—Drivers integrated on the active matrix substrate
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R31/00—Coupling parts supported only by co-operation with counterpart
- H01R31/06—Intermediate parts for linking two coupling parts, e.g. adapter
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R1/00—Details of transducers, loudspeakers or microphones
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133388—Constructional arrangements; Manufacturing methods with constructional differences between the display region and the peripheral region
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/13606—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit having means for reducing parasitic capacitance
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/13624—Active matrix addressed cells having more than one switching element per pixel
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 液晶装置等の電気光学装置において、額縁領
域に設けられた配線や回路素子からなるパターン部に起
因した明暗パターンが表示画像の縁付近に映し出される
ことを防止する。 【解決手段】 電気光学装置は、ＴＦＴアレイ基板（１
０）上に、画像表示領域（１０ａ）に配置された表示用
電極（９ａ）と、これに画素スイッチング用素子（３
０）を介して又は直接接続されると共に画像表示領域の
周囲を規定する額縁領域内に設けられた配線及び回路素
子の少なくとも一方からなるパターン部とを備える。更
に、額縁領域の一部において、このようなパターン部を
少なくとも部分的にＴＦＴアレイ基板側から覆う下側遮
光膜（５０１）を備える。
域に設けられた配線や回路素子からなるパターン部に起
因した明暗パターンが表示画像の縁付近に映し出される
ことを防止する。 【解決手段】 電気光学装置は、ＴＦＴアレイ基板（１
０）上に、画像表示領域（１０ａ）に配置された表示用
電極（９ａ）と、これに画素スイッチング用素子（３
０）を介して又は直接接続されると共に画像表示領域の
周囲を規定する額縁領域内に設けられた配線及び回路素
子の少なくとも一方からなるパターン部とを備える。更
に、額縁領域の一部において、このようなパターン部を
少なくとも部分的にＴＦＴアレイ基板側から覆う下側遮
光膜（５０１）を備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶装置等の電気
光学装置の技術分野に属し、特に画像表示領域を規定す
る額縁遮光膜を備えた電気光学装置及びそのような電気
光学装置を備えた電子機器の技術分野に属する。
光学装置の技術分野に属し、特に画像表示領域を規定す
る額縁遮光膜を備えた電気光学装置及びそのような電気
光学装置を備えた電子機器の技術分野に属する。
【０００２】
【背景技術】この種の電気光学装置は、画素電極やスト
ライプ状電極などの表示用電極、データ線や走査線など
の各種配線、画素スイッチング用の薄膜トランジスタ
（以下適宜、ＴＦＴと称する）や薄膜ダイオード（以下
適宜、ＴＦＤと称する）などのスイッチング素子等が形
成された素子アレイ基板と、ストライプ状や全面的に形
成された対向電極、遮光膜等が形成された対向基板とが
対向配置されている。これら一対の基板間で、液晶等の
電気光学物質がシール材により包囲されており、このよ
うにシール材が存在するシール領域よりも中央寄り（即
ち、液晶等に面する基板上領域）に、表示用電極が配置
された画像表示領域が位置している。ここで特に、平面
的に見て（即ち、画像表示領域に対して対向する方向か
ら見て）シール領域の内側輪郭に沿って額縁形に、画像
表示領域の額縁領域が、例えば前述の如く対向基板に設
けられた遮光膜と同一膜により規定されている。
ライプ状電極などの表示用電極、データ線や走査線など
の各種配線、画素スイッチング用の薄膜トランジスタ
（以下適宜、ＴＦＴと称する）や薄膜ダイオード（以下
適宜、ＴＦＤと称する）などのスイッチング素子等が形
成された素子アレイ基板と、ストライプ状や全面的に形
成された対向電極、遮光膜等が形成された対向基板とが
対向配置されている。これら一対の基板間で、液晶等の
電気光学物質がシール材により包囲されており、このよ
うにシール材が存在するシール領域よりも中央寄り（即
ち、液晶等に面する基板上領域）に、表示用電極が配置
された画像表示領域が位置している。ここで特に、平面
的に見て（即ち、画像表示領域に対して対向する方向か
ら見て）シール領域の内側輪郭に沿って額縁形に、画像
表示領域の額縁領域が、例えば前述の如く対向基板に設
けられた遮光膜と同一膜により規定されている。
【０００３】また、額縁領域及びその周辺に位置する周
辺領域における素子アレイ基板上に、走査線駆動回路、
データ線駆動回路、サンプリング回路、検査回路等の周
辺回路が作り込まれている、所謂周辺回路内蔵型の電気
光学装置も一般化している。例えば、特許文献１参照。
辺領域における素子アレイ基板上に、走査線駆動回路、
データ線駆動回路、サンプリング回路、検査回路等の周
辺回路が作り込まれている、所謂周辺回路内蔵型の電気
光学装置も一般化している。例えば、特許文献１参照。
【０００４】従って、額縁領域内には、画像表示領域か
ら周辺領域に引き出される配線が存在する。更にこのよ
うな配線に接続されたサンプリング回路等の周辺回路の
一部を額縁領域内に作り込む場合には、額縁領域内に
は、当該周辺回路の一部を構成する回路素子が存在す
る。即ち、額縁領域内には、配線や回路素子からなるパ
ターン部が存在する。
ら周辺領域に引き出される配線が存在する。更にこのよ
うな配線に接続されたサンプリング回路等の周辺回路の
一部を額縁領域内に作り込む場合には、額縁領域内に
は、当該周辺回路の一部を構成する回路素子が存在す
る。即ち、額縁領域内には、配線や回路素子からなるパ
ターン部が存在する。
【０００５】このように構成された電気光学装置は、画
像表示領域に対応する表示窓が設けられた遮光性の実装
ケース内に、額縁領域の中心線付近に表示窓の縁が位置
するように収容される。
像表示領域に対応する表示窓が設けられた遮光性の実装
ケース内に、額縁領域の中心線付近に表示窓の縁が位置
するように収容される。
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−４０４８６号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た電気光学装置によれば、素子アレイ基板上における額
縁領域に存在する配線や回路素子からなるパターン部
は、Ａｌ膜等の導電膜がパターニングされてなる。この
ため、特にプロジェクタ用途などのように入射光が強力
であり且つ斜め成分を大量に含む場合には、入射光がパ
ターン部の反射率に応じてその表面で反射すると共に入
射光がパターン部の隙間を通過する。そして、このよう
にパターン部で反射した光が、対向基板上のＣｒ（クロ
ム）等からなる額縁遮光膜により、反射されたりする。
更に、(i)このように額縁遮光膜で反射された内面反射
光やパターン部を透過した光が、素子アレイ基板の裏面
で反射してなる反射光、(ii)同じくこのように額縁遮光
膜で反射された内面反射光やパターン部を透過した光
が、電気光学装置の出射側に取り付けられた偏光板、位
相差板、防塵ガラスなどの光学要素で反射してなる反射
光、(iii)複数の電気光学装置をライトバルブとして組
み合わせて複板式プロジェクタとした場合における他の
電気光学装置から出射されて合成光学系を突き抜けて来
る戻り光が、パターン部や額縁遮光膜等で反射する事に
より生じる内面反射光などが、最終的に出射光に混じっ
て当該電気光学装置から出射する。
た電気光学装置によれば、素子アレイ基板上における額
縁領域に存在する配線や回路素子からなるパターン部
は、Ａｌ膜等の導電膜がパターニングされてなる。この
ため、特にプロジェクタ用途などのように入射光が強力
であり且つ斜め成分を大量に含む場合には、入射光がパ
ターン部の反射率に応じてその表面で反射すると共に入
射光がパターン部の隙間を通過する。そして、このよう
にパターン部で反射した光が、対向基板上のＣｒ（クロ
ム）等からなる額縁遮光膜により、反射されたりする。
更に、(i)このように額縁遮光膜で反射された内面反射
光やパターン部を透過した光が、素子アレイ基板の裏面
で反射してなる反射光、(ii)同じくこのように額縁遮光
膜で反射された内面反射光やパターン部を透過した光
が、電気光学装置の出射側に取り付けられた偏光板、位
相差板、防塵ガラスなどの光学要素で反射してなる反射
光、(iii)複数の電気光学装置をライトバルブとして組
み合わせて複板式プロジェクタとした場合における他の
電気光学装置から出射されて合成光学系を突き抜けて来
る戻り光が、パターン部や額縁遮光膜等で反射する事に
より生じる内面反射光などが、最終的に出射光に混じっ
て当該電気光学装置から出射する。
【０００８】これらの結果、パターン部における反射や
透過に応じた明暗パターン（例えば、配線が複数配列さ
れている場合には、縞模様等の明暗パターン）が表示画
像の縁付近に映し出されてしまうという問題点がある。
加えて、配線や回路素子からなるパターン部の表面は、
その下地面の凹凸に応じて且つそのパターン形状自体に
応じて、凹凸が存在するため、係る凹凸表面で反射する
内面反射光は、光の干渉作用によっても明暗パターンを
持つので、最終的に出射光に混じる明暗パターンは、パ
ターン部の構造によっては一層顕著となる。
透過に応じた明暗パターン（例えば、配線が複数配列さ
れている場合には、縞模様等の明暗パターン）が表示画
像の縁付近に映し出されてしまうという問題点がある。
加えて、配線や回路素子からなるパターン部の表面は、
その下地面の凹凸に応じて且つそのパターン形状自体に
応じて、凹凸が存在するため、係る凹凸表面で反射する
内面反射光は、光の干渉作用によっても明暗パターンを
持つので、最終的に出射光に混じる明暗パターンは、パ
ターン部の構造によっては一層顕著となる。
【０００９】逆に、このような配線の内面反射により映
し出される明暗パターンを隠すためには、隠すべきパタ
ーン部が占める基板上領域よりもかなり広く額縁領域を
規定するように幅広の額縁遮光膜を形成する必要が生じ
てしまう。この結果、限られた基板上領域においてなる
べく広い画像表示領域を確保するという当該電気光学装
置における基本的要請に応えることが困難となる。しか
も、戻り光や内面反射光が、額縁遮光膜の素子アレイ基
板に向いた側の面で反射して最終的に明暗パターンを有
する光として出射光に混ざることを鑑みれば、このよう
に額縁遮光膜を単純に大きくすることで明暗パターンを
完全に隠すことは理論上も困難である。
し出される明暗パターンを隠すためには、隠すべきパタ
ーン部が占める基板上領域よりもかなり広く額縁領域を
規定するように幅広の額縁遮光膜を形成する必要が生じ
てしまう。この結果、限られた基板上領域においてなる
べく広い画像表示領域を確保するという当該電気光学装
置における基本的要請に応えることが困難となる。しか
も、戻り光や内面反射光が、額縁遮光膜の素子アレイ基
板に向いた側の面で反射して最終的に明暗パターンを有
する光として出射光に混ざることを鑑みれば、このよう
に額縁遮光膜を単純に大きくすることで明暗パターンを
完全に隠すことは理論上も困難である。
【００１０】本発明は上述した問題点に鑑みなされたも
のであり、額縁領域に設けられた配線や回路素子からな
るパターン部に起因した明暗パターンが表示画像の外側
に映し出されることを防止可能な電気光学装置及びその
ような電気光学装置を具備してなる各種電子機器を提供
することを課題とする。
のであり、額縁領域に設けられた配線や回路素子からな
るパターン部に起因した明暗パターンが表示画像の外側
に映し出されることを防止可能な電気光学装置及びその
ような電気光学装置を具備してなる各種電子機器を提供
することを課題とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の第１電気光学装
置は上記課題を解決するために、基板上の画像表示領域
に配置された表示用電極と、該表示用電極に画素スイッ
チング用素子を介して又は直接接続されると共に前記画
像表示領域の周囲を規定する額縁領域内に設けられた配
線及び回路素子の少なくとも一方からなるパターン部
と、前記額縁領域の一部において、前記パターン部を少
なくとも部分的に前記基板側から覆う下側遮光膜とを備
える。
置は上記課題を解決するために、基板上の画像表示領域
に配置された表示用電極と、該表示用電極に画素スイッ
チング用素子を介して又は直接接続されると共に前記画
像表示領域の周囲を規定する額縁領域内に設けられた配
線及び回路素子の少なくとも一方からなるパターン部
と、前記額縁領域の一部において、前記パターン部を少
なくとも部分的に前記基板側から覆う下側遮光膜とを備
える。
【００１２】本発明の第１電気光学装置によれば、例え
ばデータ線、走査線等の配線が画像表示領域から引き出
されて額縁領域内に配置される。或いは、これに代えて
又は加えて、引き出された配線に接続された周辺回路の
少なくとも一部を構成するトランジスタ或いはＴＦＴ、
ＴＦＤ等の回路素子が額縁領域内に配置される。そして
このように額縁領域内に設けられた配線や回路素子を介
して画像信号等を、画素電極等の表示用電極にＴＦＴ等
の画素スイッチング用素子を介して或いは直接供給する
ことにより、アクティブマトリクス駆動やパッシブマト
リクス駆動などが可能となる。
ばデータ線、走査線等の配線が画像表示領域から引き出
されて額縁領域内に配置される。或いは、これに代えて
又は加えて、引き出された配線に接続された周辺回路の
少なくとも一部を構成するトランジスタ或いはＴＦＴ、
ＴＦＤ等の回路素子が額縁領域内に配置される。そして
このように額縁領域内に設けられた配線や回路素子を介
して画像信号等を、画素電極等の表示用電極にＴＦＴ等
の画素スイッチング用素子を介して或いは直接供給する
ことにより、アクティブマトリクス駆動やパッシブマト
リクス駆動などが可能となる。
【００１３】この際、特にプロジェクタ用途などのよう
に入射光が強力であり且つ斜め成分を大量に含む場合
に、例えばＡｌ膜等の導電膜がパターニングされてなる
パターン部の反射率に応じて、その表面で入射光が反射
したり、入射光がパターン部の隙間を通過する。しかる
に本発明では、額縁領域の一部において、下側遮光膜に
より、配線や回路素子からなるパターン部は、少なくと
も部分的に基板側から覆われている。従って、このよう
にパターン部で反射したりパターン部の隙間を透過した
入射光のうち内面反射を経た後或いは直接に表示用の出
射光に最終的に混ざる光量は、当該下側遮光膜で吸収又
は反射される分だけ減少する。より具体的には、パター
ン部で反射した光が、対向基板上の額縁遮光膜により反
射されることにより、額縁領域の付近で基板側に向けて
進行しても、下側遮光膜で吸収又は反射される分だけ、
表示用の出射光に混ざる光量が減少する。額縁遮光膜で
反射された内面反射光やパターン部を透過した光が、素
子アレイ基板の裏面や偏光板、位相差板、防塵ガラスな
どの光学要素で反射してなる反射光についても、下側遮
光膜で吸収又は反射される分だけ、表示用の出射光に混
ざる光量が減少する。更に、複板式プロジェクタの場合
における戻り光が、パターン部や額縁遮光膜等で更に反
射してなる内面反射光についても、下側遮光膜で吸収又
は反射される分だけ、これが最終的に表示用の出射光に
混ざる量が減少する。
に入射光が強力であり且つ斜め成分を大量に含む場合
に、例えばＡｌ膜等の導電膜がパターニングされてなる
パターン部の反射率に応じて、その表面で入射光が反射
したり、入射光がパターン部の隙間を通過する。しかる
に本発明では、額縁領域の一部において、下側遮光膜に
より、配線や回路素子からなるパターン部は、少なくと
も部分的に基板側から覆われている。従って、このよう
にパターン部で反射したりパターン部の隙間を透過した
入射光のうち内面反射を経た後或いは直接に表示用の出
射光に最終的に混ざる光量は、当該下側遮光膜で吸収又
は反射される分だけ減少する。より具体的には、パター
ン部で反射した光が、対向基板上の額縁遮光膜により反
射されることにより、額縁領域の付近で基板側に向けて
進行しても、下側遮光膜で吸収又は反射される分だけ、
表示用の出射光に混ざる光量が減少する。額縁遮光膜で
反射された内面反射光やパターン部を透過した光が、素
子アレイ基板の裏面や偏光板、位相差板、防塵ガラスな
どの光学要素で反射してなる反射光についても、下側遮
光膜で吸収又は反射される分だけ、表示用の出射光に混
ざる光量が減少する。更に、複板式プロジェクタの場合
における戻り光が、パターン部や額縁遮光膜等で更に反
射してなる内面反射光についても、下側遮光膜で吸収又
は反射される分だけ、これが最終的に表示用の出射光に
混ざる量が減少する。
【００１４】特に、配線や回路素子からなるパターン部
の表面は、その下地面の凹凸に応じて或いはそのパター
ン形状自体に応じて凹凸が存在するため、係る凹凸表面
で反射する内面反射光は光の干渉作用によっても明暗パ
ターンを持つものの、下側遮光膜による吸収又は反射に
よって、このような明暗パターンを低減できる。
の表面は、その下地面の凹凸に応じて或いはそのパター
ン形状自体に応じて凹凸が存在するため、係る凹凸表面
で反射する内面反射光は光の干渉作用によっても明暗パ
ターンを持つものの、下側遮光膜による吸収又は反射に
よって、このような明暗パターンを低減できる。
【００１５】以上のように本発明の電気光学装置によれ
ば、額縁領域に設けられた配線や回路素子からなるパタ
ーン部に起因して、表示画像の外側に映し出される明暗
パターンを低減できる。従って、表示画像の縁付近に映
し出される、明暗パターンを隠すために額縁遮光膜を幅
広にする必要も無くなり、限られた基板上領域において
広い画像表示領域を確保することも可能となる。
ば、額縁領域に設けられた配線や回路素子からなるパタ
ーン部に起因して、表示画像の外側に映し出される明暗
パターンを低減できる。従って、表示画像の縁付近に映
し出される、明暗パターンを隠すために額縁遮光膜を幅
広にする必要も無くなり、限られた基板上領域において
広い画像表示領域を確保することも可能となる。
【００１６】加えて本発明の電気光学装置によれば、下
側遮光膜は、額縁領域全体ではなく、パターン部に対向
する一部に設けられるので、額縁領域全体に形成する場
合と比較して、応力の発生を低減できる。
側遮光膜は、額縁領域全体ではなく、パターン部に対向
する一部に設けられるので、額縁領域全体に形成する場
合と比較して、応力の発生を低減できる。
【００１７】本発明の第１電気光学装置の一態様では、
前記額縁領域において、前記パターン部の上側に配置さ
れた額縁遮光膜を更に備える。
前記額縁領域において、前記パターン部の上側に配置さ
れた額縁遮光膜を更に備える。
【００１８】この態様によれば、例えば基板上に形成さ
れた内蔵遮光膜や、液晶等の電気光学物質を介して基板
に対向配置された対向基板上に形成された遮光膜からな
り、パターン部の上側に配置された額縁遮光膜によっ
て、額縁領域を規定できる。特に、このような額縁遮光
膜の内面で反射する内面反射光がパターン部に応じて発
生させる表示画像の外側に映し出される明暗パターン
を、パターン部の下側に配置された下側遮光膜により低
減できる。
れた内蔵遮光膜や、液晶等の電気光学物質を介して基板
に対向配置された対向基板上に形成された遮光膜からな
り、パターン部の上側に配置された額縁遮光膜によっ
て、額縁領域を規定できる。特に、このような額縁遮光
膜の内面で反射する内面反射光がパターン部に応じて発
生させる表示画像の外側に映し出される明暗パターン
を、パターン部の下側に配置された下側遮光膜により低
減できる。
【００１９】本発明の第１電気光学装置の他の態様で
は、前記下側遮光膜は、前記基板の平坦な表面上に、直
に又は平坦な下地絶縁膜を介して形成されている。
は、前記下側遮光膜は、前記基板の平坦な表面上に、直
に又は平坦な下地絶縁膜を介して形成されている。
【００２０】この態様によれば、下側遮光膜は、基板の
平坦な表面上に、直に又は平坦な下地絶縁膜を介して形
成されているので、下側遮光膜の表面には殆ど凹凸が生
じていない。このため、基板の裏面側からの戻り光や内
面反射光の一部が、仮に下側遮光膜で反射された後に、
最終的に表示用の出射光に混ざったとしても、当該平坦
な下側遮光膜で反射された光は、干渉を殆ど伴わないの
で、干渉作用に起因した明暗パターンを低減可能とな
る。
平坦な表面上に、直に又は平坦な下地絶縁膜を介して形
成されているので、下側遮光膜の表面には殆ど凹凸が生
じていない。このため、基板の裏面側からの戻り光や内
面反射光の一部が、仮に下側遮光膜で反射された後に、
最終的に表示用の出射光に混ざったとしても、当該平坦
な下側遮光膜で反射された光は、干渉を殆ど伴わないの
で、干渉作用に起因した明暗パターンを低減可能とな
る。
【００２１】本発明の第１電気光学装置の他の態様で
は、前記回路素子は、第１トランジスタを含み、前記表
示用電極は、画素電極からなり、当該電気光学装置は、
前記画素スイッチング用素子として前記画素電極に接続
された第２トランジスタを更に備えており、前記配線
は、前記第２トランジスタに接続されている。
は、前記回路素子は、第１トランジスタを含み、前記表
示用電極は、画素電極からなり、当該電気光学装置は、
前記画素スイッチング用素子として前記画素電極に接続
された第２トランジスタを更に備えており、前記配線
は、前記第２トランジスタに接続されている。
【００２２】この態様によれば、例えばサンプリング回
路、走査線駆動回路、データ線駆動回路、検査回路、プ
リチャージ回路等の如き、第１トランジスタを含んでな
ると共に額縁領域内に配置された周辺回路の少なくとも
一部を介して、第２トランジスタに画像信号を供給す
る。そして、第２トランジスタにより画素電極をスイッ
チング制御することにより、アクティブマトリクス駆動
が可能となる。
路、走査線駆動回路、データ線駆動回路、検査回路、プ
リチャージ回路等の如き、第１トランジスタを含んでな
ると共に額縁領域内に配置された周辺回路の少なくとも
一部を介して、第２トランジスタに画像信号を供給す
る。そして、第２トランジスタにより画素電極をスイッ
チング制御することにより、アクティブマトリクス駆動
が可能となる。
【００２３】本発明の第１電気光学装置の他の態様で
は、前記第２トランジスタの少なくともチャネル領域の
下側に前記下側遮光膜と同一膜が設けられている。
は、前記第２トランジスタの少なくともチャネル領域の
下側に前記下側遮光膜と同一膜が設けられている。
【００２４】この態様によれば、画素電極に接続された
画素スイッチング素子としての第２トランジスタのチャ
ネル領域は、下側遮光膜により下側から覆われているの
で、戻り光が、当該チャネル領域に入射することにより
光リーク電流が発生して、第２トランジスタの特性が変
化してしまう事態を効果的に防止できる。尚、第２トラ
ンジスタのチャネル領域に上側から入射しようとする入
射光については、基板上に別途作り込まれた内蔵遮光
膜、Ａｌ膜等の遮光膜からなる配線、対向基板に設けら
れた遮光膜などにより、遮光すれば特に問題は生じな
い。そして特に、このように画素部における第２トラン
ジスタを遮光するための下側遮光膜と、額縁領域におけ
る明暗パターンの発生防止用の下側遮光膜とは、同一膜
からなり、同一製造工程により同時に形成できるので、
基板上における積層構造及び製造プロセスの簡略化を図
れる。
画素スイッチング素子としての第２トランジスタのチャ
ネル領域は、下側遮光膜により下側から覆われているの
で、戻り光が、当該チャネル領域に入射することにより
光リーク電流が発生して、第２トランジスタの特性が変
化してしまう事態を効果的に防止できる。尚、第２トラ
ンジスタのチャネル領域に上側から入射しようとする入
射光については、基板上に別途作り込まれた内蔵遮光
膜、Ａｌ膜等の遮光膜からなる配線、対向基板に設けら
れた遮光膜などにより、遮光すれば特に問題は生じな
い。そして特に、このように画素部における第２トラン
ジスタを遮光するための下側遮光膜と、額縁領域におけ
る明暗パターンの発生防止用の下側遮光膜とは、同一膜
からなり、同一製造工程により同時に形成できるので、
基板上における積層構造及び製造プロセスの簡略化を図
れる。
【００２５】本発明の第１電気光学装置の他の態様で
は、前記下側遮光膜は、光吸収膜からなる。
は、前記下側遮光膜は、光吸収膜からなる。
【００２６】この態様によれば、戻り光が、下側遮光膜
の基板側の表面に入射すると、光吸収作用によりその反
射光は減衰する。従って、この反射光が最終的に表示用
の出射光に混ざったとしても、当該反射光に基づく明暗
パターンを減衰することが可能となる。
の基板側の表面に入射すると、光吸収作用によりその反
射光は減衰する。従って、この反射光が最終的に表示用
の出射光に混ざったとしても、当該反射光に基づく明暗
パターンを減衰することが可能となる。
【００２７】この態様では、前記光吸収膜は、ポリシリ
コン膜及び高融点金属膜のうち少なくとも一方を含んで
もよい。
コン膜及び高融点金属膜のうち少なくとも一方を含んで
もよい。
【００２８】このように構成すれば、比較的簡単に光吸
収作用に優れた光吸収膜をパターン部の下側に作り込む
ことが可能となる。
収作用に優れた光吸収膜をパターン部の下側に作り込む
ことが可能となる。
【００２９】本発明の第１電気光学装置の他の態様で
は、前記下側遮光膜は、島状に形成されている。
は、前記下側遮光膜は、島状に形成されている。
【００３０】この態様によれば、島状に分断して形成す
ることで、特に額縁領域の全域に下側遮光膜を形成する
場合と比べて、当該下側遮光膜の存在による応力の発生
を緩和することが可能となり、製造歩留まりや装置信頼
性の向上を図ることができる。
ることで、特に額縁領域の全域に下側遮光膜を形成する
場合と比べて、当該下側遮光膜の存在による応力の発生
を緩和することが可能となり、製造歩留まりや装置信頼
性の向上を図ることができる。
【００３１】本発明の第１電気光学装置の他の態様で
は、前記下側遮光膜は、導電膜からなる。
は、前記下側遮光膜は、導電膜からなる。
【００３２】この態様によれば、下側遮光膜は、導電膜
からなるので、遮光膜としてのみならず、配線等として
も利用可能となる。
からなるので、遮光膜としてのみならず、配線等として
も利用可能となる。
【００３３】この下側遮光膜が導電膜からなる態様で
は、前記下側遮光膜は、少なくとも部分的に固定電位が
供給されているように構成してもよい。
は、前記下側遮光膜は、少なくとも部分的に固定電位が
供給されているように構成してもよい。
【００３４】このように構成すれば、額縁領域内におい
て配線や回路素子に対して、下側遮光膜の電位変動が悪
影響を及ぼす事態を未然防止できる。
て配線や回路素子に対して、下側遮光膜の電位変動が悪
影響を及ぼす事態を未然防止できる。
【００３５】或いはこの下側遮光膜が導電膜からなる態
様では、前記下側遮光膜のうち少なくとも前記第１トラ
ンジスタの下側に積層された部分は、フローティング電
位とされてもよい。
様では、前記下側遮光膜のうち少なくとも前記第１トラ
ンジスタの下側に積層された部分は、フローティング電
位とされてもよい。
【００３６】このように構成すれば、第１トランジスタ
の下側に積層された下側遮光膜部分は、フローティング
電位とされているので、当該下側遮光膜の電位変動が、
第１トランジスタの特性に悪影響を及ぼすことを効果的
に防止できる。
の下側に積層された下側遮光膜部分は、フローティング
電位とされているので、当該下側遮光膜の電位変動が、
第１トランジスタの特性に悪影響を及ぼすことを効果的
に防止できる。
【００３７】この場合には更に、前記下側遮光膜のうち
少なくとも前記第１トランジスタの下側に積層された部
分は、前記下側遮光膜のうち前記第１トランジスタのソ
ース電極に対向する部分と前記下側遮光膜のうち前記第
１トランジスタのドレイン電極に対向する部分とを相互
分離するように島状に設けられた部分を含むように構成
してもよい。
少なくとも前記第１トランジスタの下側に積層された部
分は、前記下側遮光膜のうち前記第１トランジスタのソ
ース電極に対向する部分と前記下側遮光膜のうち前記第
１トランジスタのドレイン電極に対向する部分とを相互
分離するように島状に設けられた部分を含むように構成
してもよい。
【００３８】このように構成すれば、下側遮光膜の島状
部分により、下側遮光膜のうちソース電極に対向する部
分と、ドレイン電極に対向する部分とが、相互分離され
るので、下側遮光膜及びソース電極間における寄生容量
並びに下側遮光膜及びドレイン電極間における寄生容量
による、ソース電極及びドレイン電極間の容量カップリ
ングを低減できる。従って、当該第１トランジスタでは
高いトランジスタ特性が得られる。
部分により、下側遮光膜のうちソース電極に対向する部
分と、ドレイン電極に対向する部分とが、相互分離され
るので、下側遮光膜及びソース電極間における寄生容量
並びに下側遮光膜及びドレイン電極間における寄生容量
による、ソース電極及びドレイン電極間の容量カップリ
ングを低減できる。従って、当該第１トランジスタでは
高いトランジスタ特性が得られる。
【００３９】上述した下側遮光膜が導電膜からなる態様
では、前記下側遮光膜のうち少なくとも前記第１トラン
ジスタの下側に積層された部分には、前記下側遮光膜の
うち前記第１トランジスタのソース電極に対向する部分
と、前記下側遮光膜のうち前記第１トランジスタのドレ
イン電極に対向する部分とを分離するようにスリットが
設けられているように構成してもよい。
では、前記下側遮光膜のうち少なくとも前記第１トラン
ジスタの下側に積層された部分には、前記下側遮光膜の
うち前記第１トランジスタのソース電極に対向する部分
と、前記下側遮光膜のうち前記第１トランジスタのドレ
イン電極に対向する部分とを分離するようにスリットが
設けられているように構成してもよい。
【００４０】このように構成すれば、下側遮光膜のうち
ソース電極に対向する部分と、下側遮光膜のうちドレイ
ン電極に対向する部分とが、スリットにより相互分離さ
れるので、下側遮光膜及びソース電極間における寄生容
量並びに下側遮光膜及びドレイン電極間における寄生容
量による、ソース電極及びドレイン電極間の容量カップ
リングを低減できる。従って、当該第１トランジスタで
は高いトランジスタ特性が得られる。
ソース電極に対向する部分と、下側遮光膜のうちドレイ
ン電極に対向する部分とが、スリットにより相互分離さ
れるので、下側遮光膜及びソース電極間における寄生容
量並びに下側遮光膜及びドレイン電極間における寄生容
量による、ソース電極及びドレイン電極間の容量カップ
リングを低減できる。従って、当該第１トランジスタで
は高いトランジスタ特性が得られる。
【００４１】上述した下側遮光膜が導電膜からなる態様
では、前記下側遮光膜は、前記第１トランジスタのチャ
ネル領域下側に積層されていないように構成してもよ
い。
では、前記下側遮光膜は、前記第１トランジスタのチャ
ネル領域下側に積層されていないように構成してもよ
い。
【００４２】このように構成すれば、下側遮光膜は、第
１トランジスタのチャネル領域下側には配置されていな
いので、当該下側遮光膜の電位変動が、第１トランジス
タの特性に悪影響を及ぼすことを効果的に防止できる。
１トランジスタのチャネル領域下側には配置されていな
いので、当該下側遮光膜の電位変動が、第１トランジス
タの特性に悪影響を及ぼすことを効果的に防止できる。
【００４３】上述した下側遮光膜が導電膜からなる態様
では、前記下側遮光膜のうち少なくとも前記第１トラン
ジスタのチャネル領域下側に積層された部分は、前記第
１トランジスタのゲート電位とされているように構成し
てもよい。
では、前記下側遮光膜のうち少なくとも前記第１トラン
ジスタのチャネル領域下側に積層された部分は、前記第
１トランジスタのゲート電位とされているように構成し
てもよい。
【００４４】このように構成すれば、第１トランジスタ
のチャネル領域下側に積層された下側遮光膜部分は、第
１トランジスタのゲート電位とされるので、第１トラン
ジスタのゲート電極を上側に配置することにより、当該
下側遮光膜部分によりバックチャネルを形成することが
できる。このため、第１トランジスタの特性向上を図れ
る。
のチャネル領域下側に積層された下側遮光膜部分は、第
１トランジスタのゲート電位とされるので、第１トラン
ジスタのゲート電極を上側に配置することにより、当該
下側遮光膜部分によりバックチャネルを形成することが
できる。このため、第１トランジスタの特性向上を図れ
る。
【００４５】本発明の第１電気光学装置の他の態様で
は、前記下側遮光膜は、前記額縁領域に照射される入射
光の入射角度に応じて予め設定される所定幅だけ前記画
像表示領域の外周から周辺側に至る領域内に形成されて
いる。
は、前記下側遮光膜は、前記額縁領域に照射される入射
光の入射角度に応じて予め設定される所定幅だけ前記画
像表示領域の外周から周辺側に至る領域内に形成されて
いる。
【００４６】この態様によれば、例えば拡大投影するプ
ロジェクタ用途では額縁領域に照射される入射光部分の
入射角度は大きくなるが、このような入射角度に応じて
予め設定される所定幅の下側遮光膜を画像表示領域の外
周から周辺側に至る領域内に形成するようにする。即
ち、額縁領域内において、入射角度に応じて明暗パター
ンを防止するのに必要な領域にだけ、下側遮光膜を形成
することも可能となるので有利である。
ロジェクタ用途では額縁領域に照射される入射光部分の
入射角度は大きくなるが、このような入射角度に応じて
予め設定される所定幅の下側遮光膜を画像表示領域の外
周から周辺側に至る領域内に形成するようにする。即
ち、額縁領域内において、入射角度に応じて明暗パター
ンを防止するのに必要な領域にだけ、下側遮光膜を形成
することも可能となるので有利である。
【００４７】ところで、上述したようなパターン部を覆
う下側遮光膜のみでは、本発明が目的とする表示画像外
側に、本来表示されるべきでない何らかの像を映し出さ
ないという効果を十分には得られない場合がある。すな
わち、パターン部の形成領域以外の領域、換言すると、
配線及び回路素子等が何ら形成されていない領域におい
ては、光を遮るものが何もないことにより、入射光がそ
のまま通過するという事象が生じ得る。そして、この
「そのまま通過」した光が、表示画像の外側に至ること
によって、当該画像の周囲にぼんやりした光の像が映し
出され、画像の見栄えを損なうおそれがあったのであ
る。
う下側遮光膜のみでは、本発明が目的とする表示画像外
側に、本来表示されるべきでない何らかの像を映し出さ
ないという効果を十分には得られない場合がある。すな
わち、パターン部の形成領域以外の領域、換言すると、
配線及び回路素子等が何ら形成されていない領域におい
ては、光を遮るものが何もないことにより、入射光がそ
のまま通過するという事象が生じ得る。そして、この
「そのまま通過」した光が、表示画像の外側に至ること
によって、当該画像の周囲にぼんやりした光の像が映し
出され、画像の見栄えを損なうおそれがあったのであ
る。
【００４８】そこで、本発明の第２電気光学装置は、上
記課題を解決するために、基板上の画像表示領域に配置
された表示用電極と、該表示用電極に画素スイッチング
用素子を介して又は直接接続されるとともに前記画像表
示領域の周囲を規定する額縁領域内に設けられた配線及
び回路素子の少なくとも一方からなるパターン部と、前
記額縁領域の一部において、前記パターン部を少なくと
も部分的に前記基板側から覆う下側遮光膜と、前記額縁
領域内における前記パターン部の形成領域以外の領域に
形成され前記下側遮光膜と同一膜として形成された第２
下側遮光膜と、を備えている。
記課題を解決するために、基板上の画像表示領域に配置
された表示用電極と、該表示用電極に画素スイッチング
用素子を介して又は直接接続されるとともに前記画像表
示領域の周囲を規定する額縁領域内に設けられた配線及
び回路素子の少なくとも一方からなるパターン部と、前
記額縁領域の一部において、前記パターン部を少なくと
も部分的に前記基板側から覆う下側遮光膜と、前記額縁
領域内における前記パターン部の形成領域以外の領域に
形成され前記下側遮光膜と同一膜として形成された第２
下側遮光膜と、を備えている。
【００４９】本発明の第２電気光学装置によれば、例え
ばデータ線、走査線等の配線が画像表示領域から引き出
されて額縁領域内に配置される。或いは、これに代えて
又は加えて、引き出された配線に接続された周辺回路の
少なくとも一部を構成するトランジスタ或いはＴＦＴ、
ＴＦＤ等の回路素子が額縁領域内に配置される。そして
このように額縁領域内に設けられた配線や回路素子を介
して画像信号等を、画素電極等の表示用電極にＴＦＴ等
の画素スイッチング用素子を介して或いは直接供給する
ことにより、アクティブマトリクス駆動やパッシブマト
リクス駆動などが可能となる。
ばデータ線、走査線等の配線が画像表示領域から引き出
されて額縁領域内に配置される。或いは、これに代えて
又は加えて、引き出された配線に接続された周辺回路の
少なくとも一部を構成するトランジスタ或いはＴＦＴ、
ＴＦＤ等の回路素子が額縁領域内に配置される。そして
このように額縁領域内に設けられた配線や回路素子を介
して画像信号等を、画素電極等の表示用電極にＴＦＴ等
の画素スイッチング用素子を介して或いは直接供給する
ことにより、アクティブマトリクス駆動やパッシブマト
リクス駆動などが可能となる。
【００５０】この際、特にプロジェクタ用途などのよう
に入射光が強力であり且つ斜め成分を大量に含む場合に
は、前述のように、パターン部における光の反射やパタ
ーン部の隙間を通過する光が生じ、これが画像上に反映
されることによって、その見栄えを損なわせることがあ
り得ることの他、額縁領域内におけるパターン部の形成
領域以外の領域、即ち配線及び回路素子等が何ら形成さ
れていない領域においては、光を遮るものが何もないこ
とにより、入射光がそのまま通過するという事象が生じ
得る。
に入射光が強力であり且つ斜め成分を大量に含む場合に
は、前述のように、パターン部における光の反射やパタ
ーン部の隙間を通過する光が生じ、これが画像上に反映
されることによって、その見栄えを損なわせることがあ
り得ることの他、額縁領域内におけるパターン部の形成
領域以外の領域、即ち配線及び回路素子等が何ら形成さ
れていない領域においては、光を遮るものが何もないこ
とにより、入射光がそのまま通過するという事象が生じ
得る。
【００５１】しかるに、本発明ではまず、前者のパター
ン部における光の反射、或いは光の通過を経て、これら
が画像を構成する光に混入するおそれは、下側遮光膜に
おける光吸収又は光反射により低減することができる。
これは、前述の第１電気光学装置に関して述べたとおり
である。そして、本発明では特に、パターン部の形成領
域以外の領域に、第２下側遮光膜が形成されていること
により、前記の「そのまま通過」しようとする光を遮る
こと、すなわち、そのような光を、第２下側遮光膜によ
り吸収又は反射することが可能となるのである。したが
って、本発明によれば、画像周囲にぼんやりした光の像
が現れるといった事態を未然に回避することが可能とな
り、見栄えのよい、また品質の高い画像を表示すること
が可能となる。
ン部における光の反射、或いは光の通過を経て、これら
が画像を構成する光に混入するおそれは、下側遮光膜に
おける光吸収又は光反射により低減することができる。
これは、前述の第１電気光学装置に関して述べたとおり
である。そして、本発明では特に、パターン部の形成領
域以外の領域に、第２下側遮光膜が形成されていること
により、前記の「そのまま通過」しようとする光を遮る
こと、すなわち、そのような光を、第２下側遮光膜によ
り吸収又は反射することが可能となるのである。したが
って、本発明によれば、画像周囲にぼんやりした光の像
が現れるといった事態を未然に回避することが可能とな
り、見栄えのよい、また品質の高い画像を表示すること
が可能となる。
【００５２】加えて、下側遮光膜及び第２下側遮光膜は
同一膜として形成されていることから、その分、製造工
程の簡略化、或いは製造コストの低廉化等を図ることが
できる。
同一膜として形成されていることから、その分、製造工
程の簡略化、或いは製造コストの低廉化等を図ることが
できる。
【００５３】本発明の第３電気光学装置は、上記課題を
解決するために、基板上の画像表示領域に配置された表
示用電極と、該表示用電極に画素スイッチング用素子を
介して接続されると共に前記画像表示領域の周囲を規定
する額縁領域内に設けられた配線及び回路素子の少なく
とも一方からなるパターン部と、前記額縁領域の一部に
おいて、前記パターン部を少なくとも部分的に前記基板
側から覆う下側遮光膜と、前記画素スイッチング用素子
としての第２トランジスタの少なくともチャネル領域を
前記基板側から覆い、前記下側遮光膜と同一膜として形
成された領内遮光膜と、前記額縁領域を含み前記画像表
示領域の周辺に位置する周辺領域の少なくとも一部に、
前記下側遮光膜及び前記領内遮光膜と同一膜として形成
された領外遮光膜とを備えている。
解決するために、基板上の画像表示領域に配置された表
示用電極と、該表示用電極に画素スイッチング用素子を
介して接続されると共に前記画像表示領域の周囲を規定
する額縁領域内に設けられた配線及び回路素子の少なく
とも一方からなるパターン部と、前記額縁領域の一部に
おいて、前記パターン部を少なくとも部分的に前記基板
側から覆う下側遮光膜と、前記画素スイッチング用素子
としての第２トランジスタの少なくともチャネル領域を
前記基板側から覆い、前記下側遮光膜と同一膜として形
成された領内遮光膜と、前記額縁領域を含み前記画像表
示領域の周辺に位置する周辺領域の少なくとも一部に、
前記下側遮光膜及び前記領内遮光膜と同一膜として形成
された領外遮光膜とを備えている。
【００５４】本発明の第３電気光学装置によれば、例え
ばデータ線、走査線等の配線が画像表示領域から引き出
されて額縁領域内に配置される。或いは、これに代えて
又は加えて、引き出された配線に接続された周辺回路の
少なくとも一部を構成するトランジスタ或いはＴＦＴ、
ＴＦＤ等の回路素子が額縁領域内に配置される。そして
このように額縁領域内に設けられた配線や回路素子を介
して画像信号等を、画素電極等の表示用電極にＴＦＴ等
の画素スイッチング用素子を介して供給することによ
り、アクティブマトリクス駆動やパッシブマトリクス駆
動などが可能となる。
ばデータ線、走査線等の配線が画像表示領域から引き出
されて額縁領域内に配置される。或いは、これに代えて
又は加えて、引き出された配線に接続された周辺回路の
少なくとも一部を構成するトランジスタ或いはＴＦＴ、
ＴＦＤ等の回路素子が額縁領域内に配置される。そして
このように額縁領域内に設けられた配線や回路素子を介
して画像信号等を、画素電極等の表示用電極にＴＦＴ等
の画素スイッチング用素子を介して供給することによ
り、アクティブマトリクス駆動やパッシブマトリクス駆
動などが可能となる。
【００５５】そして、本発明では特に、基板上に、その
すべてが同一膜として形成された三種の遮光膜、すなわ
ち下側遮光膜、領内遮光膜及び領外遮光膜が形成されて
いることになる。このうち下側遮光膜は、上述した第１
電気光学装置及びその各種態様に関して既に述べたよう
に、パターン部における反射を経験した光、或いはパタ
ーン部を通過する光等が画像に混入することを回避す
る。これにより、表示画像の縁近傍に映し出される明暗
パターンを低減できる。
すべてが同一膜として形成された三種の遮光膜、すなわ
ち下側遮光膜、領内遮光膜及び領外遮光膜が形成されて
いることになる。このうち下側遮光膜は、上述した第１
電気光学装置及びその各種態様に関して既に述べたよう
に、パターン部における反射を経験した光、或いはパタ
ーン部を通過する光等が画像に混入することを回避す
る。これにより、表示画像の縁近傍に映し出される明暗
パターンを低減できる。
【００５６】他方、領内遮光膜によれば、画像表示領域
内に形成された画素スイッチング用素子としての第２ト
ランジスタの耐光性を高める。すなわち、領内遮光膜
は、第２トランジスタの少なくともチャネル領域を基板
側から覆うように形成されていることから、該チャネル
領域に対する光入射を防止し、そこにおける光リーク電
流の発生を抑制する。これにより、第２トランジスタの
特性変化、あるいは動作不整等を原因とする画像上のフ
リッカの発生等を未然に回避することができる。これに
より、表示画像をより高品質化することができる。
内に形成された画素スイッチング用素子としての第２ト
ランジスタの耐光性を高める。すなわち、領内遮光膜
は、第２トランジスタの少なくともチャネル領域を基板
側から覆うように形成されていることから、該チャネル
領域に対する光入射を防止し、そこにおける光リーク電
流の発生を抑制する。これにより、第２トランジスタの
特性変化、あるいは動作不整等を原因とする画像上のフ
リッカの発生等を未然に回避することができる。これに
より、表示画像をより高品質化することができる。
【００５７】加えて、本発明においては、画像表示領域
の周辺に位置する周辺領域に、領外遮光膜が形成されて
いる。この領外遮光膜は、前記の下側遮光膜を含み得る
概念で、相異なるのは、当該領外遮光膜の形成領域が額
縁領域内に限られないということにある。この領外遮光
膜が存在することにより、画像表示領域の周辺一般（す
なわち、周辺領域）を通過しようとする光の進行を遮る
ことが可能となる。これにより、本発明によれば、主と
して、画像周囲にぼんやりした光の像を生じさせるとい
う事象の発生を未然に防止することが、より効果的に可
能となり、見栄えのよい、また品質の高い画像を表示す
ることが可能となる。
の周辺に位置する周辺領域に、領外遮光膜が形成されて
いる。この領外遮光膜は、前記の下側遮光膜を含み得る
概念で、相異なるのは、当該領外遮光膜の形成領域が額
縁領域内に限られないということにある。この領外遮光
膜が存在することにより、画像表示領域の周辺一般（す
なわち、周辺領域）を通過しようとする光の進行を遮る
ことが可能となる。これにより、本発明によれば、主と
して、画像周囲にぼんやりした光の像を生じさせるとい
う事象の発生を未然に防止することが、より効果的に可
能となり、見栄えのよい、また品質の高い画像を表示す
ることが可能となる。
【００５８】また、本発明によれば、下側遮光膜、領内
遮光膜及び領外遮光膜のすべてが同一膜として、すなわ
ち製造工程段階において同時に形成されていることによ
り、これらの遮光膜を別々に形成する等という場合に比
べて、製造工程の簡略化、或いは製造コストの低廉化等
を実現することができる。
遮光膜及び領外遮光膜のすべてが同一膜として、すなわ
ち製造工程段階において同時に形成されていることによ
り、これらの遮光膜を別々に形成する等という場合に比
べて、製造工程の簡略化、或いは製造コストの低廉化等
を実現することができる。
【００５９】本発明の第３電気光学装置の一態様では、
前記領外遮光膜は、前記額縁領域内における前記パター
ン部の形成領域以外の領域に、前記下側遮光膜と同一膜
として形成された第２下側遮光膜を含む。
前記領外遮光膜は、前記額縁領域内における前記パター
ン部の形成領域以外の領域に、前記下側遮光膜と同一膜
として形成された第２下側遮光膜を含む。
【００６０】この態様によれば、額縁領域内であってパ
ターン部の形成領域以外の領域に形成された第２下側遮
光膜により、前述の下側遮光膜のみによっては防止しき
れない光の通過を防止することが可能となる。つまり、
配線及び回路素子からなるパターン部が形成されていな
い領域における、入射光の無条件的な通過を防止するこ
とが可能となる。したがって、本発明によれば、画像周
囲にぼんやりした光の像が現れるといった事態の未然回
避を更に効果的に実現することが可能となり、見栄えの
よい、また品質の高い画像を表示することが可能とな
る。
ターン部の形成領域以外の領域に形成された第２下側遮
光膜により、前述の下側遮光膜のみによっては防止しき
れない光の通過を防止することが可能となる。つまり、
配線及び回路素子からなるパターン部が形成されていな
い領域における、入射光の無条件的な通過を防止するこ
とが可能となる。したがって、本発明によれば、画像周
囲にぼんやりした光の像が現れるといった事態の未然回
避を更に効果的に実現することが可能となり、見栄えの
よい、また品質の高い画像を表示することが可能とな
る。
【００６１】本発明の第３電気光学装置の他の態様で
は、前記周辺領域には、前記パターン部と接続されると
ともに前記表示用電極を駆動するための周辺回路が更に
備えられてなり、前記領外遮光膜は、前記周辺回路を構
成する各配線間及び各回路素子間並びに配線及び回路素
子間の少なくとも一組を接続する第２パターン部の形成
領域以外の領域に形成されている。
は、前記周辺領域には、前記パターン部と接続されると
ともに前記表示用電極を駆動するための周辺回路が更に
備えられてなり、前記領外遮光膜は、前記周辺回路を構
成する各配線間及び各回路素子間並びに配線及び回路素
子間の少なくとも一組を接続する第２パターン部の形成
領域以外の領域に形成されている。
【００６２】この態様によれば、周辺回路を構成する各
配線間及び各回路素子間並びに配線及び回路素子期間の
少なくとも一組を接続する第２パターン部の形成領域以
外の領域に、前記領外遮光膜が形成されている。要する
に、本態様における領外遮光膜は、周辺領域において、
本来であれば、何らの要素も形成されていない部分を
「埋める」かのように形成されている部分を含むという
ことになる。このような領外遮光膜の存在により、「そ
のまま」の光通過が生じるおそれは更に低減されること
になる。
配線間及び各回路素子間並びに配線及び回路素子期間の
少なくとも一組を接続する第２パターン部の形成領域以
外の領域に、前記領外遮光膜が形成されている。要する
に、本態様における領外遮光膜は、周辺領域において、
本来であれば、何らの要素も形成されていない部分を
「埋める」かのように形成されている部分を含むという
ことになる。このような領外遮光膜の存在により、「そ
のまま」の光通過が生じるおそれは更に低減されること
になる。
【００６３】また、本態様では、周辺回路を構成する各
配線及び各回路素子が形成されている部分では、当該各
配線及び当該各回路素子により、そもそも、「そのま
ま」の光が通過するという事態は生じ得ない（すなわ
ち、光は、これら配線及び回路素子によってその進行が
ある程度遮られる）から、本態様に係る領外遮光膜は、
適切且つ必要な箇所に形成されているということができ
る。これにより、領外遮光膜の面積の相対的狭小化を実
現することができ、当該遮光膜の内部応力の作用を低減
することができる。
配線及び各回路素子が形成されている部分では、当該各
配線及び当該各回路素子により、そもそも、「そのま
ま」の光が通過するという事態は生じ得ない（すなわ
ち、光は、これら配線及び回路素子によってその進行が
ある程度遮られる）から、本態様に係る領外遮光膜は、
適切且つ必要な箇所に形成されているということができ
る。これにより、領外遮光膜の面積の相対的狭小化を実
現することができ、当該遮光膜の内部応力の作用を低減
することができる。
【００６４】なお、本態様においては、「第２パターン
部の形成領域以外の領域」に領外遮光膜が形成されてい
る場合について特に言及しているが、場合によっては、
そのような領域を含み、「第２パターン部の形成領域」
においても、領外遮光膜を形成する態様としてよい。こ
のような形態によると、領外遮光膜は、いわば全面的に
形成されるような形となり、内部応力の問題がより顕在
化しやすいという欠点があるものの、前記第２パターン
部においても前記パターン部に関して前述したような光
の反射或いは通過等は生じ得るから、相応の意義がある
といえる。すなわち、第２パターン部において反射或い
は透過した光が、画像を構成する光に混じるのを未然に
回避するという意味において、該第２パターン部の形成
領域に領外遮光膜を形成することは。なお意義があると
いえることになる。そして、このような場合を、より端
的にいえば、「領外遮光膜は、周辺領域の全域を覆うよ
うに形成されている」という表現が妥当する。
部の形成領域以外の領域」に領外遮光膜が形成されてい
る場合について特に言及しているが、場合によっては、
そのような領域を含み、「第２パターン部の形成領域」
においても、領外遮光膜を形成する態様としてよい。こ
のような形態によると、領外遮光膜は、いわば全面的に
形成されるような形となり、内部応力の問題がより顕在
化しやすいという欠点があるものの、前記第２パターン
部においても前記パターン部に関して前述したような光
の反射或いは通過等は生じ得るから、相応の意義がある
といえる。すなわち、第２パターン部において反射或い
は透過した光が、画像を構成する光に混じるのを未然に
回避するという意味において、該第２パターン部の形成
領域に領外遮光膜を形成することは。なお意義があると
いえることになる。そして、このような場合を、より端
的にいえば、「領外遮光膜は、周辺領域の全域を覆うよ
うに形成されている」という表現が妥当する。
【００６５】本発明の第２又は第３電気光学装置の他の
態様では、前記領外遮光膜は、島状に形成されている。
態様では、前記領外遮光膜は、島状に形成されている。
【００６６】この態様によれば、前記領外遮光膜が島状
に形成されていることにより、全面ベタ状に形成された
遮光膜との対比から明らかなように、その内部応力を低
減することができる。これにより、領外遮光膜が、自身
の内部応力で破壊するなどといった事態や、該領外遮光
膜周囲に存在する他の構成要素（例えば、層間絶縁膜）
等に当該応力が作用することにより、クラックを生じさ
せるなどいった事態を未然に回避することができる。
に形成されていることにより、全面ベタ状に形成された
遮光膜との対比から明らかなように、その内部応力を低
減することができる。これにより、領外遮光膜が、自身
の内部応力で破壊するなどといった事態や、該領外遮光
膜周囲に存在する他の構成要素（例えば、層間絶縁膜）
等に当該応力が作用することにより、クラックを生じさ
せるなどいった事態を未然に回避することができる。
【００６７】この態様では特に、相隣接する島間の距離
は、４μｍ以下である。
は、４μｍ以下である。
【００６８】このような構成によれば、島状に形成され
た領外遮光膜間の距離が好適に設定されることを意味す
る。以下順にこの事情を説明する。まず、領外遮光膜が
島状に形成されている場合においては、その島間の隙間
を光が通過する可能性を生じさせることになる。例え
ば、基板裏側から入射した戻り光が当該隙間を通過する
場合が考えられる。そして、この場合においては、その
通過後の光が背後に控えている額縁遮光膜等によって反
射し再び当該隙間を通過することで、画像を構成する光
に混じるおそれが生じることになる。しかるに、本態様
においては、島間の距離が４μｍ以下とされていること
により、いま述べたような事象は殆ど生じ得ない。つま
り、当該隙間を通過した光が、その背後に控える要素に
よって反射した後、再び当該隙間を通過するということ
は、当該隙間の大きさが４μｍ以下と比較的狭小にされ
ていることから、殆ど生じ得ないのである。また、戻り
光ではない入射光が、直接的に当該隙間を通過する場合
も当然考えられるが、このような場合においても、当該
隙間が比較的小さな間隔しか有していないことから、画
像に与える影響を最小限に抑制することができる。
た領外遮光膜間の距離が好適に設定されることを意味す
る。以下順にこの事情を説明する。まず、領外遮光膜が
島状に形成されている場合においては、その島間の隙間
を光が通過する可能性を生じさせることになる。例え
ば、基板裏側から入射した戻り光が当該隙間を通過する
場合が考えられる。そして、この場合においては、その
通過後の光が背後に控えている額縁遮光膜等によって反
射し再び当該隙間を通過することで、画像を構成する光
に混じるおそれが生じることになる。しかるに、本態様
においては、島間の距離が４μｍ以下とされていること
により、いま述べたような事象は殆ど生じ得ない。つま
り、当該隙間を通過した光が、その背後に控える要素に
よって反射した後、再び当該隙間を通過するということ
は、当該隙間の大きさが４μｍ以下と比較的狭小にされ
ていることから、殆ど生じ得ないのである。また、戻り
光ではない入射光が、直接的に当該隙間を通過する場合
も当然考えられるが、このような場合においても、当該
隙間が比較的小さな間隔しか有していないことから、画
像に与える影響を最小限に抑制することができる。
【００６９】このように、本態様においては、上述した
島状形成による作用効果、即ち内部応力の低減という作
用効果を得ながらも、遮光膜それ本来の作用効果、即ち
画像周囲における光の像の発生防止という作用効果をも
殆ど遜色なく享受することができる。
島状形成による作用効果、即ち内部応力の低減という作
用効果を得ながらも、遮光膜それ本来の作用効果、即ち
画像周囲における光の像の発生防止という作用効果をも
殆ど遜色なく享受することができる。
【００７０】なお、上に述べたような事情から、本発明
に係る遮光膜の島間の距離は、より好ましくは２μｍ以
下とすると好ましい。
に係る遮光膜の島間の距離は、より好ましくは２μｍ以
下とすると好ましい。
【００７１】本発明の第２又は第３電気光学装置の他の
態様では、当該電気光学装置を実装するとともに前記画
像表示領域に対応する表示窓が形成された実装ケースが
更に備えられてなり、前記第２下側遮光膜及び前記領外
遮光膜の少なくとも一方は、前記表示窓の縁と前記画像
表示領域の縁との間の領域に少なくとも部分的に形成さ
れている。
態様では、当該電気光学装置を実装するとともに前記画
像表示領域に対応する表示窓が形成された実装ケースが
更に備えられてなり、前記第２下側遮光膜及び前記領外
遮光膜の少なくとも一方は、前記表示窓の縁と前記画像
表示領域の縁との間の領域に少なくとも部分的に形成さ
れている。
【００７２】この態様によれば、画像表示領域を、電気
光学装置の外部から臨めるような表示窓を備える実装ケ
ースが備えられている。つまり、実質的に光が透過する
可能性がある領域は画像表示領域を含む表示窓部分であ
り、それ以外の部分については、当該実装ケースを構成
する材料（例えば好ましくは、マグネシウム又はその合
金等の金属材料等）によって光の進行は遮られることに
なる。このことは、その表示窓以外の部分についてみる
限り、上に述べたようなパターン部で反射した光、或い
はパターン部を通過する光の存在、更には、パターン部
形成領域以外の領域をそのまま通過する光の存在等につ
いて特に配慮する必要がないことを意味する。ただ、表
示窓部分であって画像表示領域外の部分については、上
述のような配慮が依然必要である。
光学装置の外部から臨めるような表示窓を備える実装ケ
ースが備えられている。つまり、実質的に光が透過する
可能性がある領域は画像表示領域を含む表示窓部分であ
り、それ以外の部分については、当該実装ケースを構成
する材料（例えば好ましくは、マグネシウム又はその合
金等の金属材料等）によって光の進行は遮られることに
なる。このことは、その表示窓以外の部分についてみる
限り、上に述べたようなパターン部で反射した光、或い
はパターン部を通過する光の存在、更には、パターン部
形成領域以外の領域をそのまま通過する光の存在等につ
いて特に配慮する必要がないことを意味する。ただ、表
示窓部分であって画像表示領域外の部分については、上
述のような配慮が依然必要である。
【００７３】そして、本態様では、第２下側遮光膜及び
領外遮光膜の少なくとも一方（以下、単に「本発明に係
る遮光膜」ということがある。）が表示窓の縁と画像表
示領域の縁との間の領域に少なくとも部分的に形成され
ていることにより、上述のような趣旨が反映された、効
果的な遮光を行うことができる。また、このことは同時
に、本発明に係る遮光膜を、適切且つ必要な面積だけ形
成すればよいことを意味し、その面積の相対的な狭小化
を実現することができる。したがって、当該遮光膜内部
における内部応力を更に低減することができ、装置の信
頼性を向上させることができる。
領外遮光膜の少なくとも一方（以下、単に「本発明に係
る遮光膜」ということがある。）が表示窓の縁と画像表
示領域の縁との間の領域に少なくとも部分的に形成され
ていることにより、上述のような趣旨が反映された、効
果的な遮光を行うことができる。また、このことは同時
に、本発明に係る遮光膜を、適切且つ必要な面積だけ形
成すればよいことを意味し、その面積の相対的な狭小化
を実現することができる。したがって、当該遮光膜内部
における内部応力を更に低減することができ、装置の信
頼性を向上させることができる。
【００７４】なお、以上述べた本発明の第２又は第３電
気光学装置における下側遮光膜、第２下側遮光膜、領内
遮光膜又は領外遮光膜については、上述の第１電気光学
装置における下側遮光膜が具備しえる各種の特徴と同様
の特徴を具備することができる。すなわち、これらの遮
光膜を平坦な基板又は下地絶縁膜上に形成すること、又
は、これらの遮光膜が光吸収膜からなること、とりわけ
ポリシリコン膜又は高融点金属膜のうち少なくとも一方
を含むこと、或いはこれらの遮光膜が導電膜からなるこ
と、或いは固定電位若しくはフローティング電位とされ
ていること等々である。これによっても、上述したと同
様な作用効果が、本発明の第２又は第３電気光学装置に
おいても享受しえることは明白である。
気光学装置における下側遮光膜、第２下側遮光膜、領内
遮光膜又は領外遮光膜については、上述の第１電気光学
装置における下側遮光膜が具備しえる各種の特徴と同様
の特徴を具備することができる。すなわち、これらの遮
光膜を平坦な基板又は下地絶縁膜上に形成すること、又
は、これらの遮光膜が光吸収膜からなること、とりわけ
ポリシリコン膜又は高融点金属膜のうち少なくとも一方
を含むこと、或いはこれらの遮光膜が導電膜からなるこ
と、或いは固定電位若しくはフローティング電位とされ
ていること等々である。これによっても、上述したと同
様な作用効果が、本発明の第２又は第３電気光学装置に
おいても享受しえることは明白である。
【００７５】本発明の第２又は第３電気光学装置の他の
態様では、前記額縁領域において、前記パターン部の上
側に配置された額縁遮光膜を更に備えるとともに、該額
縁遮光膜は少なくともアルミニウムを含む。
態様では、前記額縁領域において、前記パターン部の上
側に配置された額縁遮光膜を更に備えるとともに、該額
縁遮光膜は少なくともアルミニウムを含む。
【００７６】この態様によれば、例えば基板上に形成さ
れた内蔵遮光膜や、液晶等の電気光学物質を介して基板
に対向配置された対向基板上に形成された遮光膜からな
り、パターン部の上側に配置された額縁遮光膜によっ
て、額縁領域を規定できる。
れた内蔵遮光膜や、液晶等の電気光学物質を介して基板
に対向配置された対向基板上に形成された遮光膜からな
り、パターン部の上側に配置された額縁遮光膜によっ
て、額縁領域を規定できる。
【００７７】加えて、本発明では特に、前記のような額
縁遮光膜はアルミニウムからなるから、光の反射を生じ
させやすく、電気光学装置内部に熱の蓄積を生じさせる
ようなことがない。これにより、例えば画素スイッチン
グ用素子としての薄膜トランジスタ等の安定的な動作等
を確保することができ、比較的長期にわたる安定した電
気光学装置の運用が可能となる。
縁遮光膜はアルミニウムからなるから、光の反射を生じ
させやすく、電気光学装置内部に熱の蓄積を生じさせる
ようなことがない。これにより、例えば画素スイッチン
グ用素子としての薄膜トランジスタ等の安定的な動作等
を確保することができ、比較的長期にわたる安定した電
気光学装置の運用が可能となる。
【００７８】ただ、このように光反射能の高い材料で額
縁遮光膜を構成することによると、上述したような画像
周囲に映し出される明暗パターンの発生や、或いは画像
の縁近傍に現れるぼんやりした光の像の発生は、より顕
著になるということがいえる。
縁遮光膜を構成することによると、上述したような画像
周囲に映し出される明暗パターンの発生や、或いは画像
の縁近傍に現れるぼんやりした光の像の発生は、より顕
著になるということがいえる。
【００７９】しかるに、本発明においては、このような
額縁遮光膜の内面で反射する内面反射光がパターン部に
応じて発生させる表示画像の外側に映し出される明暗パ
ターンを、パターン部の下側に配置された下側遮光膜に
より低減できる。さらには、額縁遮光膜の内面で反射す
る内面反射光が、基板をそのまま通過するような場合に
おいても、本発明によれば、第２下側遮光膜、ないしは
領外遮光膜が備えられていることにより、画像の縁近傍
に現れるぼんやりした光の像の発生を抑制することがで
きる。
額縁遮光膜の内面で反射する内面反射光がパターン部に
応じて発生させる表示画像の外側に映し出される明暗パ
ターンを、パターン部の下側に配置された下側遮光膜に
より低減できる。さらには、額縁遮光膜の内面で反射す
る内面反射光が、基板をそのまま通過するような場合に
おいても、本発明によれば、第２下側遮光膜、ないしは
領外遮光膜が備えられていることにより、画像の縁近傍
に現れるぼんやりした光の像の発生を抑制することがで
きる。
【００８０】本発明の電子機器は上記課題を解決するた
めに、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種
態様も含む）を具備してなる。
めに、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種
態様も含む）を具備してなる。
【００８１】本発明の電子機器は、上述した本発明の電
気光学装置を具備してなるので、額縁領域に設けられた
配線や回路素子からなるパターン部に起因した明暗パタ
ーンが表示画像内に映し出されることがなく、高品位の
画像表示を行なうことが可能な、投射型表示装置、液晶
テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビュ
ーファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコー
ダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タ
ッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。
気光学装置を具備してなるので、額縁領域に設けられた
配線や回路素子からなるパターン部に起因した明暗パタ
ーンが表示画像内に映し出されることがなく、高品位の
画像表示を行なうことが可能な、投射型表示装置、液晶
テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビュ
ーファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコー
ダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タ
ッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。
【００８２】本発明のこのような作用及び他の利得は次
に説明する実施の形態から明らかにされる。
に説明する実施の形態から明らかにされる。
【００８３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光
学装置を液晶装置に適用したものである。
基づいて説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光
学装置を液晶装置に適用したものである。
【００８４】（第１実施形態）先ず、本発明の第１実施
形態における電気光学装置の全体構成について、図１及
び図２を参照して説明する。ここでは、電気光学装置の
一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリク
ス駆動方式の液晶装置を例にとる。
形態における電気光学装置の全体構成について、図１及
び図２を参照して説明する。ここでは、電気光学装置の
一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリク
ス駆動方式の液晶装置を例にとる。
【００８５】図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成
された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図で
あり、図２は、図１のＨ−Ｈ’断面図である。
された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図で
あり、図２は、図１のＨ−Ｈ’断面図である。
【００８６】図１及び図２において、本実施形態に係る
電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２
０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対
向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦ
Ｔアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１
０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材
５２により相互に接着されている。
電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２
０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対
向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦ
Ｔアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１
０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材
５２により相互に接着されている。
【００８７】シール材５２は、ＴＦＴアレイ基板１０と
対向基板２０とを貼り合わせるための、例えば紫外線硬
化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいて
ＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、
加熱等により硬化させられたものである。また、シール
材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０と
の間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラス
ファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布され
ている。即ち、本実施形態の電気光学装置は、プロジェ
クタのライトバルブ用として小型で拡大表示を行うのに
適している。但し、当該電気光学装置が液晶ディスプレ
イや液晶テレビのように大型で等倍表示を行う液晶装置
であれば、このようなギャップ材は、液晶層５０中に含
まれてもよい。
対向基板２０とを貼り合わせるための、例えば紫外線硬
化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいて
ＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、
加熱等により硬化させられたものである。また、シール
材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０と
の間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラス
ファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布され
ている。即ち、本実施形態の電気光学装置は、プロジェ
クタのライトバルブ用として小型で拡大表示を行うのに
適している。但し、当該電気光学装置が液晶ディスプレ
イや液晶テレビのように大型で等倍表示を行う液晶装置
であれば、このようなギャップ材は、液晶層５０中に含
まれてもよい。
【００８８】シール材５２が配置されたシール領域の内
側に並行して、画像表示領域１０ａを規定する遮光性の
額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。
但し、このような額縁遮光膜の一部又は全部は、ＴＦＴ
アレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよ
い。
側に並行して、画像表示領域１０ａを規定する遮光性の
額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。
但し、このような額縁遮光膜の一部又は全部は、ＴＦＴ
アレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよ
い。
【００８９】本実施形態では特に、額縁遮光膜５３の下
側に、下側遮光膜５０１が部分的に形成されている。下
側遮光膜５０１は、画像表示領域１０ａの外周から周辺
側に至る額縁遮光膜５３下に部分的に形成されている。
下側遮光膜５０１の構成及び遮光作用については後に詳
述する。
側に、下側遮光膜５０１が部分的に形成されている。下
側遮光膜５０１は、画像表示領域１０ａの外周から周辺
側に至る額縁遮光膜５３下に部分的に形成されている。
下側遮光膜５０１の構成及び遮光作用については後に詳
述する。
【００９０】画像表示領域１０ａの周辺に広がる領域の
うち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位
置する周辺領域には、データ線駆動回路１０１及び外部
回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿
って設けられており、走査線駆動回路１０４が、この一
辺に隣接する２辺に沿って設けられている。更にＴＦＴ
アレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０ａの
両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐため
の複数の配線１０５が設けられている。また図１に示す
ように、対向基板２０の４つのコーナー部には、両基板
間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配
置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれら
のコーナーに対向する領域において上下導通端子が設け
られている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対
向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
うち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位
置する周辺領域には、データ線駆動回路１０１及び外部
回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿
って設けられており、走査線駆動回路１０４が、この一
辺に隣接する２辺に沿って設けられている。更にＴＦＴ
アレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０ａの
両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐため
の複数の配線１０５が設けられている。また図１に示す
ように、対向基板２０の４つのコーナー部には、両基板
間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配
置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれら
のコーナーに対向する領域において上下導通端子が設け
られている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対
向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００９１】本実施形態では特に、データ線駆動回路１
０１から供給される画像信号をサンプリングするサンプ
リング回路３０１が、額縁遮光膜５３からなる額縁領域
内に配置されている。即ち、サンプリング回路３０１を
構成する後述のＴＦＴ等の回路素子が額縁領域内に配置
されている。更に、画像表示領域１０ａ内に配線された
データ線からサンプリング回路３０１に至る配線部分、
データ線駆動回路１０１からサンプリング回路３０１に
至る配線部分、画像表示領域１０ａ内に配線された走査
線から走査線駆動回路１０４に至る配線部分等の各種配
線部分も、額縁領域内に配置されている。
０１から供給される画像信号をサンプリングするサンプ
リング回路３０１が、額縁遮光膜５３からなる額縁領域
内に配置されている。即ち、サンプリング回路３０１を
構成する後述のＴＦＴ等の回路素子が額縁領域内に配置
されている。更に、画像表示領域１０ａ内に配線された
データ線からサンプリング回路３０１に至る配線部分、
データ線駆動回路１０１からサンプリング回路３０１に
至る配線部分、画像表示領域１０ａ内に配線された走査
線から走査線駆動回路１０４に至る配線部分等の各種配
線部分も、額縁領域内に配置されている。
【００９２】図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上に
は、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等
の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形
成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２
１の他、最上層部分に配向膜が形成されている。また、
液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液
晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、
所定の配向状態をとる。
は、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等
の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形
成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２
１の他、最上層部分に配向膜が形成されている。また、
液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液
晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、
所定の配向状態をとる。
【００９３】尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基
板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査
線駆動回路１０４、サンプリング回路３０１等に加え
て、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信
号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回
路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥
等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査
線駆動回路１０４、サンプリング回路３０１等に加え
て、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信
号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回
路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥
等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００９４】次に以上の如く構成された電気光学装置に
おける回路構成及び動作について図３を参照して説明す
る。図３は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマ
トリクス状に形成された複数の画素における各種素子、
配線等の等価回路と周辺回路とを示すブロック図であ
る。
おける回路構成及び動作について図３を参照して説明す
る。図３は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマ
トリクス状に形成された複数の画素における各種素子、
配線等の等価回路と周辺回路とを示すブロック図であ
る。
【００９５】図３において、本実施形態における電気光
学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成さ
れた複数の画素には夫々、画素電極９ａと当該画素電極
９aをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成
されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該
ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。
学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成さ
れた複数の画素には夫々、画素電極９ａと当該画素電極
９aをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成
されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該
ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。
【００９６】画像表示領域１０ａの外側に設けられる周
辺領域には、データ線６ａの一端（図３中で下端）が、
サンプリング回路３０１を構成するＴＦＴ２０２のドレ
インに接続されている。他方、画像信号線１１５は、引
き出し配線１１６を介してサンプリング回路３０１を構
成するＴＦＴ２０２のソースに接続されている。データ
線駆動回路１０１に接続されたサンプリング回路駆動信
号線１１４は、サンプリング回路３０１を構成するＴＦ
Ｔ２０２のゲートに接続されている。そして、画像信号
線１１５を介して供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、
Ｓｎは、データ線駆動回路１０１からサンプリング回路
駆動信号線１１４を介してサンプリング回路駆動信号が
供給されるのに応じて、サンプリング回路３０１により
サンプリングされて各データ線６ａに供給されるように
構成されている。
辺領域には、データ線６ａの一端（図３中で下端）が、
サンプリング回路３０１を構成するＴＦＴ２０２のドレ
インに接続されている。他方、画像信号線１１５は、引
き出し配線１１６を介してサンプリング回路３０１を構
成するＴＦＴ２０２のソースに接続されている。データ
線駆動回路１０１に接続されたサンプリング回路駆動信
号線１１４は、サンプリング回路３０１を構成するＴＦ
Ｔ２０２のゲートに接続されている。そして、画像信号
線１１５を介して供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、
Ｓｎは、データ線駆動回路１０１からサンプリング回路
駆動信号線１１４を介してサンプリング回路駆動信号が
供給されるのに応じて、サンプリング回路３０１により
サンプリングされて各データ線６ａに供給されるように
構成されている。
【００９７】このようにデータ線６ａに書き込む画像信
号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給して
も構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対
して、グループ毎に供給するようにしても良い。
号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給して
も構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対
して、グループ毎に供給するようにしても良い。
【００９８】また、画素スイッチング用のＴＦＴ３０の
ゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、所定の
タイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、
Ｇ２、…、Ｇｍを、走査線駆動回路１０４により、この
順に線順次で印加するように構成されている。画素電極
９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されてお
り、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけ
そのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供
給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミ
ングで書き込む。画素電極９ａを介して電気光学物質の
一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号
Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板２０に形成された対
向電極２１との間で一定期間保持される。液晶は、印加
される電位レベルにより分子集合の配向や秩序が変化す
ることにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ノ
ーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加
された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノ
ーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加
された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、
全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコント
ラストを持つ光が出射する。ここで、保持された画像信
号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電
極２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７
０を付加する。走査線３ａに並行して、蓄積容量７０の
固定電位側容量電極を含むと共に定電位に固定された容
量線３００が設けられている。
ゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、所定の
タイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、
Ｇ２、…、Ｇｍを、走査線駆動回路１０４により、この
順に線順次で印加するように構成されている。画素電極
９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されてお
り、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけ
そのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供
給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミ
ングで書き込む。画素電極９ａを介して電気光学物質の
一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号
Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板２０に形成された対
向電極２１との間で一定期間保持される。液晶は、印加
される電位レベルにより分子集合の配向や秩序が変化す
ることにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ノ
ーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加
された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノ
ーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加
された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、
全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコント
ラストを持つ光が出射する。ここで、保持された画像信
号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電
極２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７
０を付加する。走査線３ａに並行して、蓄積容量７０の
固定電位側容量電極を含むと共に定電位に固定された容
量線３００が設けられている。
【００９９】次に、図１及び図２に示した額縁遮光膜５
３の設けられた額縁領域及び周辺領域における電気光学
装置の詳細構成について、額縁領域に設けられた下側遮
光膜５０１の構成及び遮光作用を中心として、図４から
図７を参照して説明する。ここに図４は、図２における
ＣＲ部分付近を拡大して示す部分断面図であり、図３
は、比較例におけるＣＲ部分付近に対応する個所を拡大
して示す部分断面図である。図５は、図４に示した部位
のうち額縁遮光膜５３、データ線６ａの引き出し配線２
０６及び下側遮光膜５０１を抜粋して部分的に示す図式
的な部分斜視図であり、図６は、比較例における額縁遮
光膜５３及びデータ線６ａの引き出し配線２０６を抜粋
して部分的に示す図式的な部分斜視図である。
３の設けられた額縁領域及び周辺領域における電気光学
装置の詳細構成について、額縁領域に設けられた下側遮
光膜５０１の構成及び遮光作用を中心として、図４から
図７を参照して説明する。ここに図４は、図２における
ＣＲ部分付近を拡大して示す部分断面図であり、図３
は、比較例におけるＣＲ部分付近に対応する個所を拡大
して示す部分断面図である。図５は、図４に示した部位
のうち額縁遮光膜５３、データ線６ａの引き出し配線２
０６及び下側遮光膜５０１を抜粋して部分的に示す図式
的な部分斜視図であり、図６は、比較例における額縁遮
光膜５３及びデータ線６ａの引き出し配線２０６を抜粋
して部分的に示す図式的な部分斜視図である。
【０１００】図４に示すように、本実施形態では、額縁
遮光膜５３下にある額縁領域には、パターン部の一例と
して、データ線６ａの引き出し配線２０６等の各種配線
やサンプリング回路を構成するＴＦＴ等の各種回路素子
が、配置されている。そして、このように額縁領域内に
設けられた引き出し配線２０６等の下側には、下側遮光
膜５０１が設けられている。
遮光膜５３下にある額縁領域には、パターン部の一例と
して、データ線６ａの引き出し配線２０６等の各種配線
やサンプリング回路を構成するＴＦＴ等の各種回路素子
が、配置されている。そして、このように額縁領域内に
設けられた引き出し配線２０６等の下側には、下側遮光
膜５０１が設けられている。
【０１０１】図５に示すように比較例では、このような
下側遮光膜５０１が設けられていない。
下側遮光膜５０１が設けられていない。
【０１０２】従って、図６に示すように、本実施形態で
は、特にプロジェクタ用途などのように図中上側から入
射される入射光Ｌ１が強力であり且つ斜め成分を大量に
含む場合に、例えばＡｌ膜等の導電膜がパターニングさ
れてなる、引き出し配線２０６等の反射率に応じて、そ
の表面で入射光Ｌ１が反射したり、入射光Ｌ１が引き出
し配線２０６等の隙間を通過する。ここで、引き出し配
線２０６等は、下側遮光膜５０１によりＴＦＴアレイ基
板１０側（図中、下側）から覆われている。従って、額
縁領域付近即ち画像表示領域１０ａの外周付近におい
て、引き出し配線２０６等で反射したり引き出し配線２
０６等の隙間を透過した入射光Ｌ１のうち内面反射を経
た後或いは直接に、表示用の出射光Ｌｏｕｔに最終的に
混ざる光Ｌ３の光量は、下側遮光膜５０１で吸収又は反
射される分だけ顕著に減少する。
は、特にプロジェクタ用途などのように図中上側から入
射される入射光Ｌ１が強力であり且つ斜め成分を大量に
含む場合に、例えばＡｌ膜等の導電膜がパターニングさ
れてなる、引き出し配線２０６等の反射率に応じて、そ
の表面で入射光Ｌ１が反射したり、入射光Ｌ１が引き出
し配線２０６等の隙間を通過する。ここで、引き出し配
線２０６等は、下側遮光膜５０１によりＴＦＴアレイ基
板１０側（図中、下側）から覆われている。従って、額
縁領域付近即ち画像表示領域１０ａの外周付近におい
て、引き出し配線２０６等で反射したり引き出し配線２
０６等の隙間を透過した入射光Ｌ１のうち内面反射を経
た後或いは直接に、表示用の出射光Ｌｏｕｔに最終的に
混ざる光Ｌ３の光量は、下側遮光膜５０１で吸収又は反
射される分だけ顕著に減少する。
【０１０３】より具体的には、図４及び図６に示すよう
に、引き出し配線２０６等で反射した光が、額縁遮光膜
５３の内面により反射されることにより、額縁領域５３
の付近でＴＦＴアレイ基板１０側に向けて進行しても、
下側遮光膜５０１で吸収又は反射される分だけ、表示用
の出射光Ｌｏｕｔに混ざる光量が減少する。額縁遮光膜
５３で反射された内面反射光や引き出し配線２０６等を
透過した光が、ＴＦＴアレイ基板１０の裏面や、これに
外付けされた偏光板、位相差板、防塵ガラスなどで反射
してなる戻り光Ｌ２についても、下側遮光膜５０１で吸
収又は反射される分だけ、表示用の出射光Ｌｏｕｔに混
ざる光量が減少する。更に、複板式プロジェクタの場合
における戻り光Ｌ２が、引き出し配線２０６や額縁遮光
膜５３等で更に反射してなる内面反射光についても、下
側遮光膜５０１で吸収又は反射される分だけ、これが最
終的に表示用の出射光Ｌｏｕｔに混ざる量が減少する。
に、引き出し配線２０６等で反射した光が、額縁遮光膜
５３の内面により反射されることにより、額縁領域５３
の付近でＴＦＴアレイ基板１０側に向けて進行しても、
下側遮光膜５０１で吸収又は反射される分だけ、表示用
の出射光Ｌｏｕｔに混ざる光量が減少する。額縁遮光膜
５３で反射された内面反射光や引き出し配線２０６等を
透過した光が、ＴＦＴアレイ基板１０の裏面や、これに
外付けされた偏光板、位相差板、防塵ガラスなどで反射
してなる戻り光Ｌ２についても、下側遮光膜５０１で吸
収又は反射される分だけ、表示用の出射光Ｌｏｕｔに混
ざる光量が減少する。更に、複板式プロジェクタの場合
における戻り光Ｌ２が、引き出し配線２０６や額縁遮光
膜５３等で更に反射してなる内面反射光についても、下
側遮光膜５０１で吸収又は反射される分だけ、これが最
終的に表示用の出射光Ｌｏｕｔに混ざる量が減少する。
【０１０４】尚、電気光学装置は、樹脂等からなる遮光
性の実装ケース８００に収容されており、実装ケース８
００内に漏れる光については、その内面により吸収され
るので特に問題とはならない。
性の実装ケース８００に収容されており、実装ケース８
００内に漏れる光については、その内面により吸収され
るので特に問題とはならない。
【０１０５】これに対して、図５及び図７に示すよう
に、下側遮光膜５０１が設けられていない比較例の場合
には、額縁領域付近即ち画像表示領域１０ａの外周付近
において、引き出し配線２０６等で反射したり引き出し
配線２０６等の隙間を透過した入射光Ｌ１のうち内面反
射を経た後或いは直接に、表示用の出射光Ｌｏｕｔに最
終的に混ざる光量は、下側遮光膜５０１がある本実施形
態の場合と比較して、顕著に増加する。加えて、この比
較例の場合には、額縁領域付近即ち画像表示領域１０ａ
の外周付近において、戻り光Ｌ２についても、引き出し
配線２０６等で反射したり引き出し配線２０６等の隙間
を透過して、更に額縁遮光膜等による内面反射を経て最
終的に表示用の出射光Ｌｏｕｔに混ざる光量は、下側遮
光膜５０１がある本実施形態の場合と比較して、顕著に
増加する。
に、下側遮光膜５０１が設けられていない比較例の場合
には、額縁領域付近即ち画像表示領域１０ａの外周付近
において、引き出し配線２０６等で反射したり引き出し
配線２０６等の隙間を透過した入射光Ｌ１のうち内面反
射を経た後或いは直接に、表示用の出射光Ｌｏｕｔに最
終的に混ざる光量は、下側遮光膜５０１がある本実施形
態の場合と比較して、顕著に増加する。加えて、この比
較例の場合には、額縁領域付近即ち画像表示領域１０ａ
の外周付近において、戻り光Ｌ２についても、引き出し
配線２０６等で反射したり引き出し配線２０６等の隙間
を透過して、更に額縁遮光膜等による内面反射を経て最
終的に表示用の出射光Ｌｏｕｔに混ざる光量は、下側遮
光膜５０１がある本実施形態の場合と比較して、顕著に
増加する。
【０１０６】このように本実施形態によれば、引き出し
配線２０６等からなるパターン部の下側に下側遮光膜５
０１を備えているので、画像表示領域１０ａの外周付近
における表示用の出射光Ｌｏｕｔにパターン部の明暗や
光の干渉に起因して発生する明暗パターンを有する光の
発生を低減できる。このため、表示画像の外側付近にお
ける、パターン部に起因した明暗パターンの発生を効果
的に防止できる。
配線２０６等からなるパターン部の下側に下側遮光膜５
０１を備えているので、画像表示領域１０ａの外周付近
における表示用の出射光Ｌｏｕｔにパターン部の明暗や
光の干渉に起因して発生する明暗パターンを有する光の
発生を低減できる。このため、表示画像の外側付近にお
ける、パターン部に起因した明暗パターンの発生を効果
的に防止できる。
【０１０７】本実施形態では好ましくは、下側遮光膜５
０１は、ＴＦＴアレイ基板１０の平坦な表面上に直に、
又は平坦なＴＦＴアレイ基板１０上に成膜された平坦な
下地絶縁膜の上に形成される。このようにすれば、下側
遮光膜５０１の表面には殆ど凹凸が生じないの。従っ
て、図５及び図７に示した入射光Ｌ１や戻り光Ｌ２の一
部が、仮に下側遮光膜５０１で反射された後に、最終的
に表示用の出射光Ｌｏｕｔに混ざったとしても、平坦な
下側遮光膜５０１で反射された光は、干渉を殆ど伴わな
いので、干渉作用に起因した明暗パターンを顕著に低減
できる。
０１は、ＴＦＴアレイ基板１０の平坦な表面上に直に、
又は平坦なＴＦＴアレイ基板１０上に成膜された平坦な
下地絶縁膜の上に形成される。このようにすれば、下側
遮光膜５０１の表面には殆ど凹凸が生じないの。従っ
て、図５及び図７に示した入射光Ｌ１や戻り光Ｌ２の一
部が、仮に下側遮光膜５０１で反射された後に、最終的
に表示用の出射光Ｌｏｕｔに混ざったとしても、平坦な
下側遮光膜５０１で反射された光は、干渉を殆ど伴わな
いので、干渉作用に起因した明暗パターンを顕著に低減
できる。
【０１０８】尚、下側遮光膜５０１は例えば、Ｔｉ（チ
タン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ
（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のう
ち少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサ
イド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からな
る。そして、このような下側遮光膜５０１は好ましく
は、上述の如き画像表示領域１０ａにおける画素スイッ
チング用のＴＦＴ３０のチャネル領域を下側から覆う下
側遮光膜と同一膜から形成される。これにより、画素ス
イッチング用のＴＦＴ３０に対する遮光用の下側遮光膜
と、額縁領域における明暗パターンの発生防止用の下側
遮光膜５０１とを、同一製造工程により同時に形成で
き、ＴＦＴアレイ基板１０上における積層構造及び製造
プロセスの簡略化を図れる。
タン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ
（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のう
ち少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサ
イド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からな
る。そして、このような下側遮光膜５０１は好ましく
は、上述の如き画像表示領域１０ａにおける画素スイッ
チング用のＴＦＴ３０のチャネル領域を下側から覆う下
側遮光膜と同一膜から形成される。これにより、画素ス
イッチング用のＴＦＴ３０に対する遮光用の下側遮光膜
と、額縁領域における明暗パターンの発生防止用の下側
遮光膜５０１とを、同一製造工程により同時に形成で
き、ＴＦＴアレイ基板１０上における積層構造及び製造
プロセスの簡略化を図れる。
【０１０９】下側遮光膜５０１は、主に光反射により遮
光を行なってもよいし、主に光吸収により遮光を行なっ
てもよく、これらの両者により遮光を行なってもよい。
主に光吸収により遮光を行なうように構成すれば、額縁
領域付近で入射光Ｌ１や戻り光Ｌ２が下側遮光膜５０１
をなす光吸収膜に入射する都度に、この光を減衰でき
る。特に戻り光Ｌ２が問題となる場合には、下側遮光膜
５０１を、ＴＦＴアレイ基板１０上において、光吸収層
をＴＦＴアレイ基板１０側（下側）に有すると共に反射
膜をその反対側（上側）に有するように二層或いは多層
に構成してもよい。或いは、入射光Ｌ１が問題となる場
合には、下側遮光膜５０１を、ＴＦＴアレイ基板１０上
において、光吸収層を対向基板２０側（上側）に有する
と共に反射膜をその反対側（下側）に有するように二層
或いは多層に構成してもよい。このような光吸収層は、
例えばポリシリコン膜及び高融点金属膜のうち少なくと
も一方を含んでなる。
光を行なってもよいし、主に光吸収により遮光を行なっ
てもよく、これらの両者により遮光を行なってもよい。
主に光吸収により遮光を行なうように構成すれば、額縁
領域付近で入射光Ｌ１や戻り光Ｌ２が下側遮光膜５０１
をなす光吸収膜に入射する都度に、この光を減衰でき
る。特に戻り光Ｌ２が問題となる場合には、下側遮光膜
５０１を、ＴＦＴアレイ基板１０上において、光吸収層
をＴＦＴアレイ基板１０側（下側）に有すると共に反射
膜をその反対側（上側）に有するように二層或いは多層
に構成してもよい。或いは、入射光Ｌ１が問題となる場
合には、下側遮光膜５０１を、ＴＦＴアレイ基板１０上
において、光吸収層を対向基板２０側（上側）に有する
と共に反射膜をその反対側（下側）に有するように二層
或いは多層に構成してもよい。このような光吸収層は、
例えばポリシリコン膜及び高融点金属膜のうち少なくと
も一方を含んでなる。
【０１１０】更に下側遮光膜５０１は好ましくは、適当
な大きさ単位に、島状に分断形成される。このように島
状に分断形成することで、特に額縁領域の全域に下側遮
光膜を形成する場合と比べて、下側遮光膜５０１の存在
による応力の発生を緩和できる。
な大きさ単位に、島状に分断形成される。このように島
状に分断形成することで、特に額縁領域の全域に下側遮
光膜を形成する場合と比べて、下側遮光膜５０１の存在
による応力の発生を緩和できる。
【０１１１】尚、本実施形態では、図４に示したよう
に、下側遮光膜５０１を、画像表示領域１０ａの外周か
ら周辺側に至る領域に重なり幅ΔＷで形成する。この重
なり幅ΔＷは、額縁領域に照射される入射光Ｌ２の入射
角度に応じて適切な値に予め設定可能である。拡大投影
するプロジェクタ用途ではこのような入射角度は一般に
大きくなり、それに応じて、上述の明暗パターンを発生
させないために重なり幅ΔＷを増加させる必要がある。
このような所定幅は、実際の装置仕様に鑑み、実験的、
経験的、シミュレーション等により個別具体的に設定す
ればよい。
に、下側遮光膜５０１を、画像表示領域１０ａの外周か
ら周辺側に至る領域に重なり幅ΔＷで形成する。この重
なり幅ΔＷは、額縁領域に照射される入射光Ｌ２の入射
角度に応じて適切な値に予め設定可能である。拡大投影
するプロジェクタ用途ではこのような入射角度は一般に
大きくなり、それに応じて、上述の明暗パターンを発生
させないために重なり幅ΔＷを増加させる必要がある。
このような所定幅は、実際の装置仕様に鑑み、実験的、
経験的、シミュレーション等により個別具体的に設定す
ればよい。
【０１１２】次に、本発明の実施形態の電気光学装置の
画像表示領域における構成について、図８及び図９を参
照して説明する。図８は、データ線、走査線、画素電極
等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画
素群の平面図である。図９は、図８のＥ−Ｅ’断面図で
ある。尚、図９においては、各層や各部材を図面上で認
識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮
尺を異ならしめてある。
画像表示領域における構成について、図８及び図９を参
照して説明する。図８は、データ線、走査線、画素電極
等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画
素群の平面図である。図９は、図８のＥ−Ｅ’断面図で
ある。尚、図９においては、各層や各部材を図面上で認
識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮
尺を異ならしめてある。
【０１１３】図８において、電気光学装置のＴＦＴアレ
イ基板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９
ａ（点線部９ａ’により輪郭が示されている）が設けら
れており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデー
タ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。
イ基板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９
ａ（点線部９ａ’により輪郭が示されている）が設けら
れており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデー
タ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。
【０１１４】また、半導体層１ａのうち図中右上がりの
斜線領域で示したチャネル領域１ａ’に対向するように
走査線３ａが配置されており、走査線３ａはゲート電極
として機能する。このように、走査線３ａとデータ線６
ａとの交差する個所には夫々、チャネル領域１ａ’に走
査線３ａがゲート電極として対向配置された画素スイッ
チング用のＴＦＴ３０が設けられている。
斜線領域で示したチャネル領域１ａ’に対向するように
走査線３ａが配置されており、走査線３ａはゲート電極
として機能する。このように、走査線３ａとデータ線６
ａとの交差する個所には夫々、チャネル領域１ａ’に走
査線３ａがゲート電極として対向配置された画素スイッ
チング用のＴＦＴ３０が設けられている。
【０１１５】図８及び図９に示すように、蓄積容量７０
は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極
９ａに接続された画素電位側容量電極としての中継層７
１と、固定電位側容量電極としての容量線３００の一部
とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより
形成されている。
は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極
９ａに接続された画素電位側容量電極としての中継層７
１と、固定電位側容量電極としての容量線３００の一部
とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより
形成されている。
【０１１６】容量線３００は平面的に見て、走査線３ａ
に沿ってストライプ状に伸びており、ＴＦＴ３０に重な
る個所が図８中上下に突出している。このような容量線
３００は好ましくは、膜厚５０ｎｍ程度の導電性のポリ
シリコン膜等からなる第１膜と、膜厚１５０ｎｍ程度の
高融点金属を含む金属シリサイド膜等からなる第２膜と
が積層された多層構造を持つように構成される。このよ
うに構成すれば、第２膜は、容量線３００或いは蓄積容
量７０の固定電位側容量電極としての機能の他、ＴＦＴ
３０の上側において入射光からＴＦＴ３０を遮光する遮
光層としての機能を持つ。
に沿ってストライプ状に伸びており、ＴＦＴ３０に重な
る個所が図８中上下に突出している。このような容量線
３００は好ましくは、膜厚５０ｎｍ程度の導電性のポリ
シリコン膜等からなる第１膜と、膜厚１５０ｎｍ程度の
高融点金属を含む金属シリサイド膜等からなる第２膜と
が積層された多層構造を持つように構成される。このよ
うに構成すれば、第２膜は、容量線３００或いは蓄積容
量７０の固定電位側容量電極としての機能の他、ＴＦＴ
３０の上側において入射光からＴＦＴ３０を遮光する遮
光層としての機能を持つ。
【０１１７】本実施形態では特に、容量線３００は、走
査線３ａ及びデータ線６ａ間に積層されているので、平
面的に見て走査線３ａやデータ線６ａと重なる領域に容
量を作り込むことにより、蓄積容量７０の増大が図られ
ている。
査線３ａ及びデータ線６ａ間に積層されているので、平
面的に見て走査線３ａやデータ線６ａと重なる領域に容
量を作り込むことにより、蓄積容量７０の増大が図られ
ている。
【０１１８】他方、ＴＦＴアレイ基板１０上におけるＴ
ＦＴ３０の下側には、下側遮光膜１１ａが格子状に設け
られている。下側遮光膜１１ａは、例えば、Ｔｉ、Ｃ
ｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも
一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシ
リサイド、これらを積層したもの等からなる。
ＦＴ３０の下側には、下側遮光膜１１ａが格子状に設け
られている。下側遮光膜１１ａは、例えば、Ｔｉ、Ｃ
ｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも
一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシ
リサイド、これらを積層したもの等からなる。
【０１１９】そして、図８中縦方向に夫々伸びるデータ
線６ａと図８中横方向に夫々伸びる容量線３００とが相
交差して形成されること及び格子状に形成された下側遮
光膜１１ａにより、各画素の開口領域を規定している。
線６ａと図８中横方向に夫々伸びる容量線３００とが相
交差して形成されること及び格子状に形成された下側遮
光膜１１ａにより、各画素の開口領域を規定している。
【０１２０】図８及び図９に示すように、データ線６ａ
は、コンタクトホール８１を介して、例えばポリシリコ
ン膜からなる半導体層１ａのうち高濃度ソース領域１ｄ
に電気的に接続されている。尚、上述した中継層７１と
同一膜からなる中継層を形成して、当該中継層及び２つ
のコンタクトホールを介してデータ線６ａと高濃度ソー
ス領域１ｄとを電気的に接続してもよい。
は、コンタクトホール８１を介して、例えばポリシリコ
ン膜からなる半導体層１ａのうち高濃度ソース領域１ｄ
に電気的に接続されている。尚、上述した中継層７１と
同一膜からなる中継層を形成して、当該中継層及び２つ
のコンタクトホールを介してデータ線６ａと高濃度ソー
ス領域１ｄとを電気的に接続してもよい。
【０１２１】また容量線３００は好ましくは、画素電極
９ａが配置された画像表示領域１０ａ（図１参照）から
その周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されて、
固定電位とされる。このような定電位源としては、デー
タ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０４に供給され
る正電源や負電源の定電位源でもよいし、対向基板２０
の対向電極２１に供給される定電位でも構わない。更
に、ＴＦＴ３０の下側に設けられる下側遮光膜１１ａに
ついても、その電位変動がＴＦＴ３０に対して悪影響を
及ぼすことを避けるために、容量線３００と同様に、画
像表示領域１０ａからその周囲に延設して定電位源に接
続するとよい。
９ａが配置された画像表示領域１０ａ（図１参照）から
その周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されて、
固定電位とされる。このような定電位源としては、デー
タ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０４に供給され
る正電源や負電源の定電位源でもよいし、対向基板２０
の対向電極２１に供給される定電位でも構わない。更
に、ＴＦＴ３０の下側に設けられる下側遮光膜１１ａに
ついても、その電位変動がＴＦＴ３０に対して悪影響を
及ぼすことを避けるために、容量線３００と同様に、画
像表示領域１０ａからその周囲に延設して定電位源に接
続するとよい。
【０１２２】画素電極９ａは、中継層７１を中継するこ
とにより、コンタクトホール８３及び８５を介して半導
体層１ａのうち高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続
されている。
とにより、コンタクトホール８３及び８５を介して半導
体層１ａのうち高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続
されている。
【０１２３】図８及び図９において、電気光学装置は、
透明なＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される
透明な対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板
１０は、例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板か
らなり、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板
からなる。
透明なＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される
透明な対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板
１０は、例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板か
らなり、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板
からなる。
【０１２４】図９に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０
には、画素電極９ａが設けられており、その上側には、
ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６
が設けられている。画素電極９ａは例えば、ＩＴＯ膜な
どの透明導電性膜からなる。また配向膜１６は例えば、
ポリイミド膜などの透明な有機膜からなる。
には、画素電極９ａが設けられており、その上側には、
ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６
が設けられている。画素電極９ａは例えば、ＩＴＯ膜な
どの透明導電性膜からなる。また配向膜１６は例えば、
ポリイミド膜などの透明な有機膜からなる。
【０１２５】他方、対向基板２０には、その全面に渡っ
て対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビ
ング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設
けられている。対向電極２１は例えば、ＩＴＯ膜などの
透明導電性膜からなる。また配向膜２２は、ポリイミド
膜などの透明な有機膜からなる。
て対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビ
ング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設
けられている。対向電極２１は例えば、ＩＴＯ膜などの
透明導電性膜からなる。また配向膜２２は、ポリイミド
膜などの透明な有機膜からなる。
【０１２６】対向基板２０には、各画素の非開口領域に
対応して格子状又はストライプ状の遮光膜を設けるよう
にしてもよい。このような構成を採ることで、前述の如
く非開口領域を規定する容量線３００やデータ線６ａと
共に当該対向基板２０上の遮光膜により、対向基板２０
側からの入射光がチャネル領域１ａ’や低濃度ソース領
域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに侵入するのを、よ
り確実に阻止できる。更に、このような対向基板２０上
の遮光膜は、少なくとも入射光が照射される面を高反射
な膜で形成することにより、電気光学装置の温度上昇を
防ぐ働きをする。尚、このような対向基板２０上の遮光
膜は、両基板の貼り合わせずれによって各画素の開口領
域を狭めないように、非開口領域の内側に細めに形成す
るのが好ましい。このように細めに形成しても、冗長的
な遮光を行うと共に入射光による電気光学装置内部の温
度上昇を防ぐ効果は発揮される。
対応して格子状又はストライプ状の遮光膜を設けるよう
にしてもよい。このような構成を採ることで、前述の如
く非開口領域を規定する容量線３００やデータ線６ａと
共に当該対向基板２０上の遮光膜により、対向基板２０
側からの入射光がチャネル領域１ａ’や低濃度ソース領
域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに侵入するのを、よ
り確実に阻止できる。更に、このような対向基板２０上
の遮光膜は、少なくとも入射光が照射される面を高反射
な膜で形成することにより、電気光学装置の温度上昇を
防ぐ働きをする。尚、このような対向基板２０上の遮光
膜は、両基板の貼り合わせずれによって各画素の開口領
域を狭めないように、非開口領域の内側に細めに形成す
るのが好ましい。このように細めに形成しても、冗長的
な遮光を行うと共に入射光による電気光学装置内部の温
度上昇を防ぐ効果は発揮される。
【０１２７】このように構成された、画素電極９ａと対
向電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ
基板１０と対向基板２０との間には、シール材５２（図
１及び図２参照）により囲まれた空間に電気光学物質の
一例である液晶が封入され、液晶層５０が形成される。
向電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ
基板１０と対向基板２０との間には、シール材５２（図
１及び図２参照）により囲まれた空間に電気光学物質の
一例である液晶が封入され、液晶層５０が形成される。
【０１２８】更に、画素スイッチング用のＴＦＴ３０下
には、下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１
２は、下側遮光膜１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する
機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されるこ
とにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時におけ
る荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用の
ＴＦＴ３０の特性変化を防止する機能を有する。
には、下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１
２は、下側遮光膜１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する
機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されるこ
とにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時におけ
る荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用の
ＴＦＴ３０の特性変化を防止する機能を有する。
【０１２９】図９において、画素スイッチング用のＴＦ
Ｔ３０は、ＬＤＤ（Lightly DopedDrain）構造を有して
おり、走査線３ａ、当該走査線３ａからの電界によりチ
ャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１
ａ’、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶
縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａの低濃度ソース領域
１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層１ａの高濃
度ソース領域１ｄ並びに高濃度ドレイン領域１ｅを備え
ている。
Ｔ３０は、ＬＤＤ（Lightly DopedDrain）構造を有して
おり、走査線３ａ、当該走査線３ａからの電界によりチ
ャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１
ａ’、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶
縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａの低濃度ソース領域
１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層１ａの高濃
度ソース領域１ｄ並びに高濃度ドレイン領域１ｅを備え
ている。
【０１３０】走査線３ａ上には、高濃度ソース領域１ｄ
へ通じるコンタクトホール８１及び高濃度ドレイン領域
１ｅへ通じるコンタクトホール８３が各々開孔された第
１層間絶縁膜４１が形成されている。
へ通じるコンタクトホール８１及び高濃度ドレイン領域
１ｅへ通じるコンタクトホール８３が各々開孔された第
１層間絶縁膜４１が形成されている。
【０１３１】第１層間絶縁膜４１上には中継層７１及び
容量線３００が形成されており、これらの上には、高濃
度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１及び中
継層７１へ通じるコンタクトホール８５が各々開孔され
た第２層間絶縁膜４２が形成されている。
容量線３００が形成されており、これらの上には、高濃
度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１及び中
継層７１へ通じるコンタクトホール８５が各々開孔され
た第２層間絶縁膜４２が形成されている。
【０１３２】第２層間絶縁膜４２上にはデータ線６ａが
形成されており、これらの上には、中継層７１へ通じる
コンタクトホール８５が形成された平坦化した第３層間
絶縁膜４３が形成されている。画素電極９ａは、このよ
うに構成された第３層間絶縁膜４３の上面に設けられて
いる。
形成されており、これらの上には、中継層７１へ通じる
コンタクトホール８５が形成された平坦化した第３層間
絶縁膜４３が形成されている。画素電極９ａは、このよ
うに構成された第３層間絶縁膜４３の上面に設けられて
いる。
【０１３３】本実施形態では、第３層間絶縁膜４３の表
面は、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing：化学
的機械研磨）処理等により平坦化されており、その下方
に存在する各種配線や素子による段差に起因する液晶層
５０における液晶の配向不良を低減する。
面は、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing：化学
的機械研磨）処理等により平坦化されており、その下方
に存在する各種配線や素子による段差に起因する液晶層
５０における液晶の配向不良を低減する。
【０１３４】以上説明したように第１実施形態によれ
ば、下側遮光膜５０１を設けているので、額縁領域に設
けられたデータ線の引き出し配線２０６等の各種配線や
ＴＦＴ２０２等の各種回路素子からなるパターン部に起
因して、表示画像の外側付近に映し出される明暗パター
ンを低減できる。従って、このような明暗パターンを隠
すために額縁遮光膜５３を幅広にする必要も無くなり、
画像表示領域１０ａを大きく構成することが可能とな
る。
ば、下側遮光膜５０１を設けているので、額縁領域に設
けられたデータ線の引き出し配線２０６等の各種配線や
ＴＦＴ２０２等の各種回路素子からなるパターン部に起
因して、表示画像の外側付近に映し出される明暗パター
ンを低減できる。従って、このような明暗パターンを隠
すために額縁遮光膜５３を幅広にする必要も無くなり、
画像表示領域１０ａを大きく構成することが可能とな
る。
【０１３５】加えて第１実施形態によれば、下側遮光膜
５０１は、額縁領域全体ではなく、額縁領域に設けられ
たデータ線の引き出し配線２０６等の各種配線やＴＦＴ
２０２等の各種回路素子からなるパターン部に対向する
一部に設けられるので、額縁領域全体に形成する場合と
比較して、応力の発生を低減できる。
５０１は、額縁領域全体ではなく、額縁領域に設けられ
たデータ線の引き出し配線２０６等の各種配線やＴＦＴ
２０２等の各種回路素子からなるパターン部に対向する
一部に設けられるので、額縁領域全体に形成する場合と
比較して、応力の発生を低減できる。
【０１３６】なお以上説明した実施形態では、図９に示
したように多数の導電層を積層することにより、画素電
極９ａの下地面（即ち、第３層間絶縁膜４３の表面）に
おけるデータ線６ａや走査線３ａに沿った領域に段差が
生じるのを、第３層間絶縁膜４３の表面を平坦化するこ
とで緩和しているが、これに代えて或いは加えて、ＴＦ
Ｔアレイ基板１０、下地絶縁膜１２、第１層間絶縁膜４
１、第２層間絶縁膜４２或いは第３層間絶縁膜４３に溝
を掘って、データ線６ａ等の配線やＴＦＴ３０等を埋め
込むことにより平坦化処理を行ってもよいし、第２層間
絶縁膜４２の上面の段差をＣＭＰ処理等で研磨すること
により、或いは有機又は無機ＳＯＧを用いて平らに形成
することにより、当該平坦化処理を行ってもよい。
したように多数の導電層を積層することにより、画素電
極９ａの下地面（即ち、第３層間絶縁膜４３の表面）に
おけるデータ線６ａや走査線３ａに沿った領域に段差が
生じるのを、第３層間絶縁膜４３の表面を平坦化するこ
とで緩和しているが、これに代えて或いは加えて、ＴＦ
Ｔアレイ基板１０、下地絶縁膜１２、第１層間絶縁膜４
１、第２層間絶縁膜４２或いは第３層間絶縁膜４３に溝
を掘って、データ線６ａ等の配線やＴＦＴ３０等を埋め
込むことにより平坦化処理を行ってもよいし、第２層間
絶縁膜４２の上面の段差をＣＭＰ処理等で研磨すること
により、或いは有機又は無機ＳＯＧを用いて平らに形成
することにより、当該平坦化処理を行ってもよい。
【０１３７】次に、以上のように構成される下側遮光膜
５０１の平面形状の各種具体例に係る第２から第４実施
形態及びその変形形態について説明する。これらの実施
形態においては夫々、下側遮光膜５０１は、高融点金属
膜等の導電性の遮光膜からなる。従って、これらの実施
形態は夫々、額縁領域内に配置される下側遮光膜５０１
における電気的な状態或いは電位変動が、同じく額縁領
域内に配置されるＴＦＴ２０２等の回路素子の動作に対
して及ぼす悪影響を低減するのに適している下側遮光膜
５０１の具体的な形状に係るものである。
５０１の平面形状の各種具体例に係る第２から第４実施
形態及びその変形形態について説明する。これらの実施
形態においては夫々、下側遮光膜５０１は、高融点金属
膜等の導電性の遮光膜からなる。従って、これらの実施
形態は夫々、額縁領域内に配置される下側遮光膜５０１
における電気的な状態或いは電位変動が、同じく額縁領
域内に配置されるＴＦＴ２０２等の回路素子の動作に対
して及ぼす悪影響を低減するのに適している下側遮光膜
５０１の具体的な形状に係るものである。
【０１３８】（第２実施形態）本発明の第２実施形態に
おける電気光学装置について、図１０及び図１１を参照
して説明する。ここに図１０は、第２実施形態における
額縁領域に形成される回路素子の一例たる相補型ＴＦＴ
の拡大平面図であり、図１１は、そのＡ−Ａ’断面図で
ある。尚、図１０及び図１１において、図１から図９に
示した第１実施形態と同様の構成要素には同様の参照符
号を付しそれらの説明は省略する。
おける電気光学装置について、図１０及び図１１を参照
して説明する。ここに図１０は、第２実施形態における
額縁領域に形成される回路素子の一例たる相補型ＴＦＴ
の拡大平面図であり、図１１は、そのＡ−Ａ’断面図で
ある。尚、図１０及び図１１において、図１から図９に
示した第１実施形態と同様の構成要素には同様の参照符
号を付しそれらの説明は省略する。
【０１３９】図１０及び図１１に示すように、相補型Ｔ
ＦＴ２０２ａは、Ｐチャネル領域３２０ｐ及びＮチャネ
ル領域３２０ｎを含む半導体層３２０を備えており、配
線３１６の先端部をゲート電極（入力側）とし、低電位
配線３２１及び高電位配線３２２の先端部を夫々ソース
電極とし、配線３０６の先端部をドレイン電極（出力
側）とする、Ｐチャネル型ＴＦＴ２０２ｐ及びＮチャネ
ル型ＴＦＴ２０２ｎが組み合わされて構成されている。
尚、このようなＰチャネル型ＴＦＴ２０２ｐ及びＮチャ
ネル型ＴＦＴ２０２ｎは、画素スイッチング用ＴＦＴ３
０と同様にＬＤＤ構造を有してもよい。第２実施形態で
は特に、高融点金属膜等の導電膜からなる下側遮光膜５
０１ａは、分断形成されており、少なくとも相補型ＴＦ
Ｔ２０２ａを下側から覆う島状部分は、フローティング
電位とされている。その他の構成については、図１から
図９を参照して説明した第１実施形態の場合と同様であ
る。
ＦＴ２０２ａは、Ｐチャネル領域３２０ｐ及びＮチャネ
ル領域３２０ｎを含む半導体層３２０を備えており、配
線３１６の先端部をゲート電極（入力側）とし、低電位
配線３２１及び高電位配線３２２の先端部を夫々ソース
電極とし、配線３０６の先端部をドレイン電極（出力
側）とする、Ｐチャネル型ＴＦＴ２０２ｐ及びＮチャネ
ル型ＴＦＴ２０２ｎが組み合わされて構成されている。
尚、このようなＰチャネル型ＴＦＴ２０２ｐ及びＮチャ
ネル型ＴＦＴ２０２ｎは、画素スイッチング用ＴＦＴ３
０と同様にＬＤＤ構造を有してもよい。第２実施形態で
は特に、高融点金属膜等の導電膜からなる下側遮光膜５
０１ａは、分断形成されており、少なくとも相補型ＴＦ
Ｔ２０２ａを下側から覆う島状部分は、フローティング
電位とされている。その他の構成については、図１から
図９を参照して説明した第１実施形態の場合と同様であ
る。
【０１４０】従って、第２実施形態によれば、下側遮光
膜５０１ａの電位変動はフローティング電位とされてい
るので、その電位変動が相補型ＴＦＴ２０２ａの特性に
悪影響を及ぼすことを効果的に防止できる。
膜５０１ａの電位変動はフローティング電位とされてい
るので、その電位変動が相補型ＴＦＴ２０２ａの特性に
悪影響を及ぼすことを効果的に防止できる。
【０１４１】尚、第２実施形態では、下側遮光膜５０１
ａにおける相補型ＴＦＴ２０２ａに対向配置される島状
部分を除く部分については、画像表示領域１０ａ内にあ
る下側遮光膜１１ａの場合と同様に固定電位が供給され
るように構成してもよい。
ａにおける相補型ＴＦＴ２０２ａに対向配置される島状
部分を除く部分については、画像表示領域１０ａ内にあ
る下側遮光膜１１ａの場合と同様に固定電位が供給され
るように構成してもよい。
【０１４２】（第３実施形態）本発明の第３実施形態に
おける電気光学装置について、図１２及び図１３を参照
して説明する。ここに図１２は、第３実施形態における
額縁領域に形成される回路素子の一例たる相補型ＴＦＴ
の拡大平面図であり、図１３は、そのB−B’断面図であ
る。尚、図１２及び図１３において、図１から図９に示
した第１実施形態並びに図１０及び図１１に示した第２
実施形態と同様の構成要素には同様の参照符号を付しそ
れらの説明は省略する。
おける電気光学装置について、図１２及び図１３を参照
して説明する。ここに図１２は、第３実施形態における
額縁領域に形成される回路素子の一例たる相補型ＴＦＴ
の拡大平面図であり、図１３は、そのB−B’断面図であ
る。尚、図１２及び図１３において、図１から図９に示
した第１実施形態並びに図１０及び図１１に示した第２
実施形態と同様の構成要素には同様の参照符号を付しそ
れらの説明は省略する。
【０１４３】図１２及び図１３に示すように、第３実施
形態では特に、高融点金属膜等の導電膜からなる下側遮
光膜５０１ｂは、第２実施形態のように分断形成されて
おらず、相補型ＴＦＴ２０２ｂの二つのゲート電位極に
夫々沿って、二つのスリットが設けられている。その他
の構成については、図１０及び図１１を参照して説明し
た第２実施形態の場合と同様である。
形態では特に、高融点金属膜等の導電膜からなる下側遮
光膜５０１ｂは、第２実施形態のように分断形成されて
おらず、相補型ＴＦＴ２０２ｂの二つのゲート電位極に
夫々沿って、二つのスリットが設けられている。その他
の構成については、図１０及び図１１を参照して説明し
た第２実施形態の場合と同様である。
【０１４４】従って、第３実施形態によれば、下側遮光
膜５０１ｂ及びソース電極間における寄生容量並びに下
側遮光膜５０１ｂ及びドレイン電極間における寄生容量
による、相補型ＴＦＴ２０２ｂにおけるソース電極及び
ドレイン電極間の容量カップリングを低減できるので、
下側遮光膜５０１ｂの電位変動が、相補型ＴＦＴ２０２
ｂの特性に悪影響を及ぼすことを効果的に防止できる。
膜５０１ｂ及びソース電極間における寄生容量並びに下
側遮光膜５０１ｂ及びドレイン電極間における寄生容量
による、相補型ＴＦＴ２０２ｂにおけるソース電極及び
ドレイン電極間の容量カップリングを低減できるので、
下側遮光膜５０１ｂの電位変動が、相補型ＴＦＴ２０２
ｂの特性に悪影響を及ぼすことを効果的に防止できる。
【０１４５】このような下側遮光膜５０１ｂのスリット
としては、例えば、１μｍ程度の幅を有すればよい。ま
た、このようにスリットを形成しても、例えば導電性の
ポリシリコン膜等からなるゲート電極自体が、ある程度
の光吸収性を示すので、スリットの存在により生じ得る
明暗パターンは比較的小さくて済む。
としては、例えば、１μｍ程度の幅を有すればよい。ま
た、このようにスリットを形成しても、例えば導電性の
ポリシリコン膜等からなるゲート電極自体が、ある程度
の光吸収性を示すので、スリットの存在により生じ得る
明暗パターンは比較的小さくて済む。
【０１４６】尚、第３実施形態では、このようにスリッ
トを有する下側遮光膜５０１ｂがその延設部５０２を介
して、画像表示領域１０ａ内にある下側遮光膜１１ａの
場合と同様に固定電位が供給されるように構成してもよ
い。
トを有する下側遮光膜５０１ｂがその延設部５０２を介
して、画像表示領域１０ａ内にある下側遮光膜１１ａの
場合と同様に固定電位が供給されるように構成してもよ
い。
【０１４７】（第４実施形態）本発明の第４施形態にお
ける電気光学装置について、図１４及び図１５参照して
説明する。ここに図１４は、第４施形態における額縁領
域に形成される回路素子の一例たる相補型ＴＦＴの拡大
平面図であり、図１５は、そのＣ−Ｃ’断面図である。
尚、図１４及び図１５において、図１から図９に示した
第１実施形態並びに図１０及び図１１に示した第２実施
形態と同様の構成要素には同様の参照符号を付しそれら
の説明は省略する。
ける電気光学装置について、図１４及び図１５参照して
説明する。ここに図１４は、第４施形態における額縁領
域に形成される回路素子の一例たる相補型ＴＦＴの拡大
平面図であり、図１５は、そのＣ−Ｃ’断面図である。
尚、図１４及び図１５において、図１から図９に示した
第１実施形態並びに図１０及び図１１に示した第２実施
形態と同様の構成要素には同様の参照符号を付しそれら
の説明は省略する。
【０１４８】図１４及び図１５に示すように、第４実施
形態では特に、高融点金属膜等の導電膜からなる下側遮
光膜５０１ｃは、第１実施形態のように相補型ＴＦＴの
半導体層３２０を一つの単位として大きな島状に分断形
成されておらず、相補型ＴＦＴ２０２ｃの半導体層３２
０におけるソース領域と、ドレイン領域とを夫々一つの
単位として、より小さな島状に分断形成されている。そ
の他の構成については、図１０及び図１１を参照して説
明した第２実施形態の場合と同様である。
形態では特に、高融点金属膜等の導電膜からなる下側遮
光膜５０１ｃは、第１実施形態のように相補型ＴＦＴの
半導体層３２０を一つの単位として大きな島状に分断形
成されておらず、相補型ＴＦＴ２０２ｃの半導体層３２
０におけるソース領域と、ドレイン領域とを夫々一つの
単位として、より小さな島状に分断形成されている。そ
の他の構成については、図１０及び図１１を参照して説
明した第２実施形態の場合と同様である。
【０１４９】従って、第４実施形態によれば、下側遮光
膜５０１ｃ及びソース電極間における寄生容量並びに下
側遮光膜５０１ｃ及びドレイン電極間における寄生容量
による、相補型ＴＦＴ２０２ｃにおけるソース電極及び
ドレイン電極間の容量カップリングを低減できるので、
下側遮光膜５０１ｃの電位変動が、相補型ＴＦＴ２０２
ｃの特性に悪影響を及ぼすことを効果的に防止できる。
膜５０１ｃ及びソース電極間における寄生容量並びに下
側遮光膜５０１ｃ及びドレイン電極間における寄生容量
による、相補型ＴＦＴ２０２ｃにおけるソース電極及び
ドレイン電極間の容量カップリングを低減できるので、
下側遮光膜５０１ｃの電位変動が、相補型ＴＦＴ２０２
ｃの特性に悪影響を及ぼすことを効果的に防止できる。
【０１５０】このような下側遮光膜５０１ｃの間隙とし
ては、例えば、１μｍ程度であればよい。また、このよ
うに間隙が存在しても、例えば導電性のポリシリコン膜
等からなるゲート電極自体が、ある程度の光吸収性を示
すので、間隙の存在により生じ得る明暗パターンは比較
的小さくて済む。
ては、例えば、１μｍ程度であればよい。また、このよ
うに間隙が存在しても、例えば導電性のポリシリコン膜
等からなるゲート電極自体が、ある程度の光吸収性を示
すので、間隙の存在により生じ得る明暗パターンは比較
的小さくて済む。
【０１５１】尚、第４実施形態では、下側遮光膜５０１
ｃにおける相補型ＴＦＴ２０２ｃに対向配置される島状
部分を除く部分については、画像表示領域１０ａ内にあ
る下側遮光膜１１ａの場合と同様に固定電位が供給され
るように構成してもよい。
ｃにおける相補型ＴＦＴ２０２ｃに対向配置される島状
部分を除く部分については、画像表示領域１０ａ内にあ
る下側遮光膜１１ａの場合と同様に固定電位が供給され
るように構成してもよい。
【０１５２】（第５実施形態）本発明の第５実施形態に
おける電気光学装置について、図１６及び図１７を参照
して説明する。ここに図１６は、第５実施形態における
額縁領域に形成される回路素子の一例たる相補型ＴＦＴ
の拡大平面図であり、図１７は、そのＤ−Ｄ’断面図で
ある。尚、図１６及び図１７において、図１から図９に
示した第１実施形態並びに図１０及び図１１に示した第
２実施形態と同様の構成要素には同様の参照符号を付し
それらの説明は省略する。
おける電気光学装置について、図１６及び図１７を参照
して説明する。ここに図１６は、第５実施形態における
額縁領域に形成される回路素子の一例たる相補型ＴＦＴ
の拡大平面図であり、図１７は、そのＤ−Ｄ’断面図で
ある。尚、図１６及び図１７において、図１から図９に
示した第１実施形態並びに図１０及び図１１に示した第
２実施形態と同様の構成要素には同様の参照符号を付し
それらの説明は省略する。
【０１５３】図１６及び図１７に示すように、第５実施
形態では特に、高融点金属膜等の導電膜からなる下側遮
光膜５０１ｄは、第２実施形態のように相補型ＴＦＴの
半導体層３２０を一つの単位として分断された大きな島
状部分がフローティング電位とされておらず、コンタク
トホール５０３を介して配線３１６の先端部にあるゲー
ト電極（入力側）に接続されて、ゲート電極と同電位と
されている。その他の構成については、図１０及び図１
１を参照して説明した第２実施形態の場合と同様であ
る。
形態では特に、高融点金属膜等の導電膜からなる下側遮
光膜５０１ｄは、第２実施形態のように相補型ＴＦＴの
半導体層３２０を一つの単位として分断された大きな島
状部分がフローティング電位とされておらず、コンタク
トホール５０３を介して配線３１６の先端部にあるゲー
ト電極（入力側）に接続されて、ゲート電極と同電位と
されている。その他の構成については、図１０及び図１
１を参照して説明した第２実施形態の場合と同様であ
る。
【０１５４】従って、第５実施形態によれば、下側遮光
膜５０１ｄの島状部分によりバックチャネルを形成する
ことができるので、相補型ＴＦＴ２０２ｄにおけるトラ
ンジスタの特性向上を図れる。
膜５０１ｄの島状部分によりバックチャネルを形成する
ことができるので、相補型ＴＦＴ２０２ｄにおけるトラ
ンジスタの特性向上を図れる。
【０１５５】尚、第５実施形態では、下側遮光膜５０１
ｄにおける相補型ＴＦＴ２０２ｄに対向配置される島状
部分を除く部分については、画像表示領域１０ａ内にあ
る下側遮光悪１１ａの場合と同様に固定電位に落とされ
ているように構成してもよい。
ｄにおける相補型ＴＦＴ２０２ｄに対向配置される島状
部分を除く部分については、画像表示領域１０ａ内にあ
る下側遮光悪１１ａの場合と同様に固定電位に落とされ
ているように構成してもよい。
【０１５６】以上図１から図１７を参照して説明した各
実施形態では、データ線駆動回路１０１や走査線駆動回
路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に設ける代わり
に、例えばＴＡＢ（Tape Automated bonding）基板上に
実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周
辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及
び機械的に接続するようにしてもよい。また、対向基板
２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の
出射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮ（Twisted
Nematic）モード、ＶＡ（Vertically Aligned）モー
ド、ＰＤＬＣ(Polymer Dispersed Liquid Crystal)モー
ド等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノー
マリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位
相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。
実施形態では、データ線駆動回路１０１や走査線駆動回
路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に設ける代わり
に、例えばＴＡＢ（Tape Automated bonding）基板上に
実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周
辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及
び機械的に接続するようにしてもよい。また、対向基板
２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の
出射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮ（Twisted
Nematic）モード、ＶＡ（Vertically Aligned）モー
ド、ＰＤＬＣ(Polymer Dispersed Liquid Crystal)モー
ド等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノー
マリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位
相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。
【０１５７】（第６実施形態）本発明の第６実施形態に
おける電気光学装置について、図１８乃至図２０を参照
して説明する。ここに図１８は、第６実施形態に係る、
図１の符号Ａを付した部分付近を拡大して示す平面図で
あり、図１９は、比較例に係る図１の符号Ａを付した部
分付近を拡大して示す平面図である。また、図２０は、
第６実施形態に係る、図２の符号ＣＲを付した部分付近
を拡大して示す部分断面図である。尚、図１８乃至図２
０において、図１から図９に示した第１実施形態並びに
図１０及び図１１に示した第２実施形態と同様の構成要
素には同様の参照符号を付しそれらの説明は省略する。
おける電気光学装置について、図１８乃至図２０を参照
して説明する。ここに図１８は、第６実施形態に係る、
図１の符号Ａを付した部分付近を拡大して示す平面図で
あり、図１９は、比較例に係る図１の符号Ａを付した部
分付近を拡大して示す平面図である。また、図２０は、
第６実施形態に係る、図２の符号ＣＲを付した部分付近
を拡大して示す部分断面図である。尚、図１８乃至図２
０において、図１から図９に示した第１実施形態並びに
図１０及び図１１に示した第２実施形態と同様の構成要
素には同様の参照符号を付しそれらの説明は省略する。
【０１５８】まず、図１８において、ＴＦＴアレイ基板
１０上には、上述の第１実施形態で説明したように、デ
ータ線６ａの引き出し配線２０６が形成されており、こ
の引き出し配線２０６の一端には図３に説明したサンプ
リング回路３０１を構成するＴＦＴ２０２ａが接続され
ている。さらに、この図においては、走査線３ａの引き
出し配線２０８（本発明にいう「パターン部」の一例に
該当する。）が形成されている。この引き出し配線２０
８の図示しない延長端には、走査線駆動回路（図１参
照）が接続されている。また、この図においては、対向
基板２０上の対向電極を所定の電位を供給するため等の
目的で設置された各種の配線２１０及び２１２が形成さ
れている（図１における上下導通材１０６参照）。さら
に、前記の引き出し配線２０６、或いはＴＦＴ２０２ａ
に対しては、上記の各種実施形態と同様に、これらを少
なくとも部分的にＴＦＴアレイ基板１０側から覆う下側
遮光膜５０１及び５０１ａが形成されている（図４若し
くは図６又は図１０若しくは図１１等参照）。なお、前
記の配線２１０及び２１２は、第６実施形態において、
「第２パターン部」の一例に該当する。
１０上には、上述の第１実施形態で説明したように、デ
ータ線６ａの引き出し配線２０６が形成されており、こ
の引き出し配線２０６の一端には図３に説明したサンプ
リング回路３０１を構成するＴＦＴ２０２ａが接続され
ている。さらに、この図においては、走査線３ａの引き
出し配線２０８（本発明にいう「パターン部」の一例に
該当する。）が形成されている。この引き出し配線２０
８の図示しない延長端には、走査線駆動回路（図１参
照）が接続されている。また、この図においては、対向
基板２０上の対向電極を所定の電位を供給するため等の
目的で設置された各種の配線２１０及び２１２が形成さ
れている（図１における上下導通材１０６参照）。さら
に、前記の引き出し配線２０６、或いはＴＦＴ２０２ａ
に対しては、上記の各種実施形態と同様に、これらを少
なくとも部分的にＴＦＴアレイ基板１０側から覆う下側
遮光膜５０１及び５０１ａが形成されている（図４若し
くは図６又は図１０若しくは図１１等参照）。なお、前
記の配線２１０及び２１２は、第６実施形態において、
「第２パターン部」の一例に該当する。
【０１５９】そして、第６実施形態では特に、前述の下
側遮光膜５０１及び５０１ａのほかに、画像表示領域１
０ａ内に形成された画素スイッチング用素子としてのＴ
ＦＴ３０を、やはりＴＦＴアレイ基板１０側から覆う下
側遮光膜１１ａ（図９等参照）と、更には、画像表示領
域１０ａの周辺に位置する周辺領域のすべてを覆うかの
ように形成された領外遮光膜５０１Ａが形成されてい
る。以上の三種の遮光膜は、すべて同一膜として、すな
わち製造工程段階において同時に形成されている。
側遮光膜５０１及び５０１ａのほかに、画像表示領域１
０ａ内に形成された画素スイッチング用素子としてのＴ
ＦＴ３０を、やはりＴＦＴアレイ基板１０側から覆う下
側遮光膜１１ａ（図９等参照）と、更には、画像表示領
域１０ａの周辺に位置する周辺領域のすべてを覆うかの
ように形成された領外遮光膜５０１Ａが形成されてい
る。以上の三種の遮光膜は、すべて同一膜として、すな
わち製造工程段階において同時に形成されている。
【０１６０】このうち領外遮光膜５０１Ａ等の構成を、
図１８に即してより詳しく見ると次のようになってい
る。
図１８に即してより詳しく見ると次のようになってい
る。
【０１６１】まず、当該図の左上部分においては、引き
出し配線２０６を覆うように下側遮光膜５０１が形成さ
れている（図４又は図６参照）。また、図１８中下方に
おいては、サンプリング回路３０１を構成するＴＦＴ２
０２ａを覆うように下側遮光膜５０１ａが形成されてい
る（図１０又は図１１参照）。加えて、この図において
は、走査線３ａから引き出された引き出し配線２０８を
覆うように下側遮光膜５０１ｚが設けられている。これ
らは、上記各種実施形態における各種の下側遮光膜と同
種の目的を有し、また同様な作用を発揮する。
出し配線２０６を覆うように下側遮光膜５０１が形成さ
れている（図４又は図６参照）。また、図１８中下方に
おいては、サンプリング回路３０１を構成するＴＦＴ２
０２ａを覆うように下側遮光膜５０１ａが形成されてい
る（図１０又は図１１参照）。加えて、この図において
は、走査線３ａから引き出された引き出し配線２０８を
覆うように下側遮光膜５０１ｚが設けられている。これ
らは、上記各種実施形態における各種の下側遮光膜と同
種の目的を有し、また同様な作用を発揮する。
【０１６２】そして、第６実施形態に係る領外遮光膜５
０１Ａは、前述の下側遮光膜５０１、５０１ａ及び５０
１ｚの形成領域以外の領域Ｒ１に、これらと一体的に形
成された第２下側遮光膜５０１Ａａを含む。すなわち、
この第２下側遮光膜５０１Ａａは、額縁領域（図１８中
太線参照）内における前記の引き出し配線２０６、或い
はＴＦＴ２０２ａ等の形成領域以外の領域Ｒ１にも形成
されていることになる。加えて、領外遮光膜５０１Ａ
は、額縁領域外の領域Ｒ２に設けられた配線２１０及び
２１２間の間隙に形成された真正領外遮光膜５０１Ａｂ
を含む。なお、配線２１０下、及び、配線２１２下に、
真正領外遮光膜５０１Ａｂは形成しなくてもよい。すな
わち、真正領外遮光膜５０１Ａｂは分断形成されるよう
になっている。
０１Ａは、前述の下側遮光膜５０１、５０１ａ及び５０
１ｚの形成領域以外の領域Ｒ１に、これらと一体的に形
成された第２下側遮光膜５０１Ａａを含む。すなわち、
この第２下側遮光膜５０１Ａａは、額縁領域（図１８中
太線参照）内における前記の引き出し配線２０６、或い
はＴＦＴ２０２ａ等の形成領域以外の領域Ｒ１にも形成
されていることになる。加えて、領外遮光膜５０１Ａ
は、額縁領域外の領域Ｒ２に設けられた配線２１０及び
２１２間の間隙に形成された真正領外遮光膜５０１Ａｂ
を含む。なお、配線２１０下、及び、配線２１２下に、
真正領外遮光膜５０１Ａｂは形成しなくてもよい。すな
わち、真正領外遮光膜５０１Ａｂは分断形成されるよう
になっている。
【０１６３】以上要するに、第６実施形態においては、
配線２１０又は２１２等に関するように、各種の配線或
いは回路素子が形成されている領域で形成されていない
場合があるにしても、領外遮光膜５０１Ａは、ＴＦＴア
レイ基板１０のほぼ全面を覆うようかのように形成され
ていることになる。
配線２１０又は２１２等に関するように、各種の配線或
いは回路素子が形成されている領域で形成されていない
場合があるにしても、領外遮光膜５０１Ａは、ＴＦＴア
レイ基板１０のほぼ全面を覆うようかのように形成され
ていることになる。
【０１６４】このような領外遮光膜５０１Ａには、図１
８に示すように、その適所において切れ目が設けられて
いる、即ち、該領外遮光膜５０１Ａは島状に分断形成さ
れていることがわかる。そして、第６実施形態におい
て、島状に形成された領外遮光膜５０１Ａの島間の距離
は、２μｍ以下となるようにされている、このような形
状は、当該領外遮光膜５０１Ａを形成する際において適
当なパターニング処理を行うようにしておけば、簡単に
形成することができる。
８に示すように、その適所において切れ目が設けられて
いる、即ち、該領外遮光膜５０１Ａは島状に分断形成さ
れていることがわかる。そして、第６実施形態におい
て、島状に形成された領外遮光膜５０１Ａの島間の距離
は、２μｍ以下となるようにされている、このような形
状は、当該領外遮光膜５０１Ａを形成する際において適
当なパターニング処理を行うようにしておけば、簡単に
形成することができる。
【０１６５】このような領外遮光膜５０１Ａの存在によ
り、次のような作用効果が奏される。すなわち、比較例
たる図１９に示すように、第６実施形態に係る領外遮光
膜５０１Ａが形成されていない場合においては、その部
分はＴＦＴアレイ基板１０の面がいわば裸のまま曝され
た状態にある（もっとも、各種の層間絶縁膜１２、４
１、４２及び４３等は当然に形成されている。）。した
がって、当該部分については、入射光が「そのまま」通
過する可能性があり、この光が、画像を構成する光Ｌｏ
ｕｔ（図４又は図６参照）に混入することによって、画
像表示に影響を及ぼす可能性がある。例えば、前述した
ような戻り光が、領域Ｒ１を通過して額縁遮光膜５３で
反射し、再び領域Ｒ１を通過するなどという場合、この
光は、画像を構成する光Ｌｏｕｔに混入する蓋然性が高
いから、画像の縁近傍にぼんやりした光の像を表させる
可能性があるのである。
り、次のような作用効果が奏される。すなわち、比較例
たる図１９に示すように、第６実施形態に係る領外遮光
膜５０１Ａが形成されていない場合においては、その部
分はＴＦＴアレイ基板１０の面がいわば裸のまま曝され
た状態にある（もっとも、各種の層間絶縁膜１２、４
１、４２及び４３等は当然に形成されている。）。した
がって、当該部分については、入射光が「そのまま」通
過する可能性があり、この光が、画像を構成する光Ｌｏ
ｕｔ（図４又は図６参照）に混入することによって、画
像表示に影響を及ぼす可能性がある。例えば、前述した
ような戻り光が、領域Ｒ１を通過して額縁遮光膜５３で
反射し、再び領域Ｒ１を通過するなどという場合、この
光は、画像を構成する光Ｌｏｕｔに混入する蓋然性が高
いから、画像の縁近傍にぼんやりした光の像を表させる
可能性があるのである。
【０１６６】しかるに、第６実施形態においては、上述
のように、領域Ｒ１及びＲ２を含め、第２下側遮光膜５
０１Ａａ及び真正領外遮光膜５０１Ａｂを含む領外遮光
膜５０１Ａが形成されていることから、上述のような事
象は殆ど発生し得ない。したがって、第６実施形態によ
れば、画像の縁近傍にぼんやりした光の像が発生するな
どという事態を未然に回避することができ、見栄えのよ
い、またより高品質な画像を表示することが可能とな
る。
のように、領域Ｒ１及びＲ２を含め、第２下側遮光膜５
０１Ａａ及び真正領外遮光膜５０１Ａｂを含む領外遮光
膜５０１Ａが形成されていることから、上述のような事
象は殆ど発生し得ない。したがって、第６実施形態によ
れば、画像の縁近傍にぼんやりした光の像が発生するな
どという事態を未然に回避することができ、見栄えのよ
い、またより高品質な画像を表示することが可能とな
る。
【０１６７】また、第６実施形態における領外遮光膜５
０１Ａは、上述のように分断形成されており、或いは配
線２１０及び配線２１２間の間隙に形成された真正領外
遮光膜５０１Ａｂのように、場所に応じて大きく分断形
成されていることにより、このような遮光膜をベタ状に
形成する場合と比較して、相対的にその内部応力を低減
することができる。これにより、当該領外遮光膜５０１
Ａが自身の内部応力によって破壊するに至ったり、或い
はその周囲の構成（例えば、下地絶縁膜１２等）にクラ
ックを生じさせたりというような事態は殆ど生じなくな
り、信頼性の高い電気光学装置を提供することができ
る。
０１Ａは、上述のように分断形成されており、或いは配
線２１０及び配線２１２間の間隙に形成された真正領外
遮光膜５０１Ａｂのように、場所に応じて大きく分断形
成されていることにより、このような遮光膜をベタ状に
形成する場合と比較して、相対的にその内部応力を低減
することができる。これにより、当該領外遮光膜５０１
Ａが自身の内部応力によって破壊するに至ったり、或い
はその周囲の構成（例えば、下地絶縁膜１２等）にクラ
ックを生じさせたりというような事態は殆ど生じなくな
り、信頼性の高い電気光学装置を提供することができ
る。
【０１６８】ちなみに、領域Ｒ１等における領外遮光膜
５０１Ａが分断形成されているという場合における、各
島間の間隔は２μｍ以下とされていることから、当該隙
間を通過した光が、その背後に控える額縁遮光膜５３等
によって反射した後、再び当該隙間を通過するという事
象は殆ど生じ得ない。したがって、このような光が画像
を構成する光Ｌｏｕｔに混入するおそれはきわめて小さ
く、当該隙間が、画像表示に与える影響はきわめて小さ
い。このように、第６実施形態においては、上述した島
状形成による作用効果、即ち内部応力の低減という作用
効果を得ながらも、領外遮光膜５０１Ａそれ本来の作用
効果、即ち画像周囲における光の像の発生防止という作
用効果をも遜色なく享受することができる。
５０１Ａが分断形成されているという場合における、各
島間の間隔は２μｍ以下とされていることから、当該隙
間を通過した光が、その背後に控える額縁遮光膜５３等
によって反射した後、再び当該隙間を通過するという事
象は殆ど生じ得ない。したがって、このような光が画像
を構成する光Ｌｏｕｔに混入するおそれはきわめて小さ
く、当該隙間が、画像表示に与える影響はきわめて小さ
い。このように、第６実施形態においては、上述した島
状形成による作用効果、即ち内部応力の低減という作用
効果を得ながらも、領外遮光膜５０１Ａそれ本来の作用
効果、即ち画像周囲における光の像の発生防止という作
用効果をも遜色なく享受することができる。
【０１６９】なお、このような第６実施形態にかかる領
外遮光膜５０１Ａに関し、上述では、「ＴＦＴアレイ基
板１０のほぼ全面を覆うかのように」形成されると述べ
たが、本発明の観点からは、該領外遮光膜５０１Ａが、
字義どおり、ＴＦＴアレイ基板１０の「全面」に形成さ
れる必要は勿論ない。事実、図１８及び図１９において
も既に、領外遮光膜５０１Ａは適所適所で分断形成され
ており、このことからしても、該領外遮光膜５０１Ａが
「全面」に形成される必要がないことは明らかである。
外遮光膜５０１Ａに関し、上述では、「ＴＦＴアレイ基
板１０のほぼ全面を覆うかのように」形成されると述べ
たが、本発明の観点からは、該領外遮光膜５０１Ａが、
字義どおり、ＴＦＴアレイ基板１０の「全面」に形成さ
れる必要は勿論ない。事実、図１８及び図１９において
も既に、領外遮光膜５０１Ａは適所適所で分断形成され
ており、このことからしても、該領外遮光膜５０１Ａが
「全面」に形成される必要がないことは明らかである。
【０１７０】さらに積極的にいえば、本発明に係る領外
遮光膜は、例えば図２０において示す部分ＷＷの領域に
関してのみ形成するようにすればよい。この図におい
て、当該部分ＷＷは、即ち実装ケース８００に形成され
た表示窓の縁部分８０１ａと、下側遮光膜５０１の縁部
分との間の部分である。なぜなら、このような部分ＷＷ
以外の部分においては、実装ケース８００の存在により
光の進行が遮られることから、上述した、「そのまま」
の光通過という事象は、実質的に、該部分ＷＷにおいて
のみ発生すると考えることができるからである。したが
って、領外遮光膜は、図２０に示すように当該部分ＷＷ
においてのみ形成されていれば十分である（符号５０１
Ｂ参照、また、光ＬＡの進行参照。）。
遮光膜は、例えば図２０において示す部分ＷＷの領域に
関してのみ形成するようにすればよい。この図におい
て、当該部分ＷＷは、即ち実装ケース８００に形成され
た表示窓の縁部分８０１ａと、下側遮光膜５０１の縁部
分との間の部分である。なぜなら、このような部分ＷＷ
以外の部分においては、実装ケース８００の存在により
光の進行が遮られることから、上述した、「そのまま」
の光通過という事象は、実質的に、該部分ＷＷにおいて
のみ発生すると考えることができるからである。したが
って、領外遮光膜は、図２０に示すように当該部分ＷＷ
においてのみ形成されていれば十分である（符号５０１
Ｂ参照、また、光ＬＡの進行参照。）。
【０１７１】そして、このような形成態様によれば、効
果的に遮光を実現することができ、また、この場合にお
ける領外遮光膜５０１Ｂは、適切且つ必要な面積だけ形
成すればよくなるから、当該遮光膜内部における内部応
力に起因した前記のような不具合の発生をより抑制的に
することができることになる。
果的に遮光を実現することができ、また、この場合にお
ける領外遮光膜５０１Ｂは、適切且つ必要な面積だけ形
成すればよくなるから、当該遮光膜内部における内部応
力に起因した前記のような不具合の発生をより抑制的に
することができることになる。
【０１７２】以上説明した実施形態における電気光学装
置は、プロジェクタに適用されるため、３枚の電気光学
装置がＲＧＢ用のライトバルブとして各々用いられ、各
ライトバルブには各々ＲＧＢ色分解用のダイクロイック
ミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々
入射されることになる。従って、各実施形態では、対向
基板２０に、カラーフィルタは設けられていない。しか
しながら、画素電極９ａに対向する所定領域にＲＧＢの
カラーフィルタをその保護膜と共に、対向基板２０上に
形成してもよい。このようにすれば、プロジェクタ以外
の直視型や反射型のカラー電気光学装置について、各実
施形態における電気光学装置を適用できる。また、対向
基板２０上に１画素１個対応するようにマイクロレンズ
を形成してもよい。或いは、ＴＦＴアレイ基板１０上の
ＲＧＢに対向する画素電極９ａ下にカラーレジスト等で
カラーフィルタ層を形成することも可能である。このよ
うにすれば、入射光の集光効率を向上することで、明る
い電気光学装置が実現できる。更にまた、対向基板２０
上に、何層もの屈折率の相違する干渉層を堆積すること
で、光の干渉を利用して、ＲＧＢ色を作り出すダイクロ
イックフィルタを形成してもよい。このダイクロイック
フィルタ付き対向基板によれば、より明るいカラー電気
光学装置が実現できる。
置は、プロジェクタに適用されるため、３枚の電気光学
装置がＲＧＢ用のライトバルブとして各々用いられ、各
ライトバルブには各々ＲＧＢ色分解用のダイクロイック
ミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々
入射されることになる。従って、各実施形態では、対向
基板２０に、カラーフィルタは設けられていない。しか
しながら、画素電極９ａに対向する所定領域にＲＧＢの
カラーフィルタをその保護膜と共に、対向基板２０上に
形成してもよい。このようにすれば、プロジェクタ以外
の直視型や反射型のカラー電気光学装置について、各実
施形態における電気光学装置を適用できる。また、対向
基板２０上に１画素１個対応するようにマイクロレンズ
を形成してもよい。或いは、ＴＦＴアレイ基板１０上の
ＲＧＢに対向する画素電極９ａ下にカラーレジスト等で
カラーフィルタ層を形成することも可能である。このよ
うにすれば、入射光の集光効率を向上することで、明る
い電気光学装置が実現できる。更にまた、対向基板２０
上に、何層もの屈折率の相違する干渉層を堆積すること
で、光の干渉を利用して、ＲＧＢ色を作り出すダイクロ
イックフィルタを形成してもよい。このダイクロイック
フィルタ付き対向基板によれば、より明るいカラー電気
光学装置が実現できる。
【０１７３】（電子機器の実施形態）次に、以上詳細に
説明した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子
機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態につい
て、その全体構成、特に光学的な構成について説明す
る。ここに図２１は、投射型カラー表示装置の図式的断
面図である。
説明した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子
機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態につい
て、その全体構成、特に光学的な構成について説明す
る。ここに図２１は、投射型カラー表示装置の図式的断
面図である。
【０１７４】図２１において、本実施形態における投射
型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェクタ１１００
は、駆動回路がＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装
置を含む液晶モジュールを３個用意し、夫々ＲＧＢ用の
ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用
いたプロジェクタとして構成されている。液晶プロジェ
クタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源
のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、
３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー
１１０８によって、ＲＧＢの３原色に対応する光成分
Ｒ、Ｇ、Ｂに分けられ、各色に対応するライトバルブ１
００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂに夫々導かれる。この際
特にＢ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射
レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ
１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導か
れる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１
００Ｂにより夫々変調された３原色に対応する光成分
は、ダイクロイックプリズム１１１２により再度合成さ
れた後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２
０にカラー画像として投射される。
型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェクタ１１００
は、駆動回路がＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装
置を含む液晶モジュールを３個用意し、夫々ＲＧＢ用の
ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用
いたプロジェクタとして構成されている。液晶プロジェ
クタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源
のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、
３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー
１１０８によって、ＲＧＢの３原色に対応する光成分
Ｒ、Ｇ、Ｂに分けられ、各色に対応するライトバルブ１
００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂに夫々導かれる。この際
特にＢ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射
レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ
１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導か
れる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１
００Ｂにより夫々変調された３原色に対応する光成分
は、ダイクロイックプリズム１１１２により再度合成さ
れた後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２
０にカラー画像として投射される。
【０１７５】本発明は、上述した実施形態に限られるも
のではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる
発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能で
あり、そのような変更を伴なう電気光学装置及び電子機
器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
のではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる
発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能で
あり、そのような変更を伴なう電気光学装置及び電子機
器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【０１７６】また、本発明の電気光学装置は、電気泳動
装置やＥＬ装置等にも適用できる。
装置やＥＬ装置等にも適用できる。
【図１】 本発明の第１実施形態の電気光学装置におけ
るＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と
共に対向基板の側から見た平面図である。
るＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と
共に対向基板の側から見た平面図である。
【図２】 図１のＨ−Ｈ’断面図である。
【図３】 本発明の第１実施形態の電気光学装置におけ
る画像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に
設けられた各種素子、配線等の等価回路を、周辺回路を
共に示すブロック図である。
る画像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に
設けられた各種素子、配線等の等価回路を、周辺回路を
共に示すブロック図である。
【図４】 図２におけるＣＲ部分付近を拡大して示す部
分断面図である。
分断面図である。
【図５】 比較例におけるＣＲ部分付近に対応する個所
を拡大して示す部分断面図である。
を拡大して示す部分断面図である。
【図６】 図４に示した部位のうち額縁遮光膜、データ
線の引き出し配線及び下側遮光膜を抜粋して部分的に示
す図式的な部分斜視図である。
線の引き出し配線及び下側遮光膜を抜粋して部分的に示
す図式的な部分斜視図である。
【図７】 比較例における額縁遮光膜及びデータ線の引
き出し配線を抜粋して部分的に示す図式的な部分斜視図
である。
き出し配線を抜粋して部分的に示す図式的な部分斜視図
である。
【図８】 実施形態の電気光学装置におけるデータ線、
走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相
隣接する複数の画素群の平面図である。
走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相
隣接する複数の画素群の平面図である。
【図９】 図８のＥ−E’断面図である。
【図１０】 本発明の第２実施形態における周辺回路を
構成する相補型トランジスタの拡大平面図である。
構成する相補型トランジスタの拡大平面図である。
【図１１】 図１０のＡ−Ａ’断面図である。
【図１２】 本発明の第３実施形態における周辺回路を
構成する相補型トランジスタの拡大平面図である。
構成する相補型トランジスタの拡大平面図である。
【図１３】 図１２のB−Ｂ’断面図である。
【図１４】 本発明の第４実施形態における周辺回路を
構成する相補型トランジスタの拡大平面図である。
構成する相補型トランジスタの拡大平面図である。
【図１５】 図１４のＣ−Ｃ’断面図である。
【図１６】 本発明の第５実施形態における周辺回路を
構成する相補型トランジスタの拡大平面図である。
構成する相補型トランジスタの拡大平面図である。
【図１７】 図１６のＤ−Ｄ’断面図である。
【図１８】 本発明の第６実施形態における図２の符号
Ａを付した部分付近を拡大して示す平面図である。
Ａを付した部分付近を拡大して示す平面図である。
【図１９】 比較例における図２の符号Ａを付した部分
付近を拡大して示す平面図である。
付近を拡大して示す平面図である。
【図２０】 本発明の第６実施形態における図２の符号
ＣＲを付した部分付近を拡大して示す部分断面図であ
る。
ＣＲを付した部分付近を拡大して示す部分断面図であ
る。
【図２１】 本発明の電子機器の実施形態である投射型
カラー表示装置の一例たるカラー液晶プロジェクタを示
す図式的断面図である。
カラー表示装置の一例たるカラー液晶プロジェクタを示
す図式的断面図である。
１ａ…半導体層、１ａ’…チャネル領域、１ｂ…低濃度
ソース領域、１ｃ…低濃度ドレイン領域、１ｄ…高濃度
ソース領域、１ｅ…高濃度ドレイン領域、２…絶縁膜、
３ａ…走査線、６ａ…データ線、９ａ…画素電極、１０
…ＴＦＴアレイ基板、１１ａ…下側遮光膜、１２…下地
絶縁膜、１６…配向膜、２０…対向基板、２１…対向電
極、２２…配向膜、３０…ＴＦＴ、５０…液晶層、５３
…額縁遮光膜、７０…蓄積容量、７１…中継層、８１、
８３、８５…コンタクトホール、１０１…データ線駆動
回路、１０４…走査線駆動回路、１１４…サンプリング
回路駆動信号線、１１５…画像信号線、１１６…引き出
し配線、２０２…ＴＦＴ、２０２ａ〜２０２ｄ…相補型
ＴＦＴ、２０６…引き出し配線、３００…容量線、３０
１…サンプリング回路、３０２…ＴＦＴ、５０１…下側
遮光膜
ソース領域、１ｃ…低濃度ドレイン領域、１ｄ…高濃度
ソース領域、１ｅ…高濃度ドレイン領域、２…絶縁膜、
３ａ…走査線、６ａ…データ線、９ａ…画素電極、１０
…ＴＦＴアレイ基板、１１ａ…下側遮光膜、１２…下地
絶縁膜、１６…配向膜、２０…対向基板、２１…対向電
極、２２…配向膜、３０…ＴＦＴ、５０…液晶層、５３
…額縁遮光膜、７０…蓄積容量、７１…中継層、８１、
８３、８５…コンタクトホール、１０１…データ線駆動
回路、１０４…走査線駆動回路、１１４…サンプリング
回路駆動信号線、１１５…画像信号線、１１６…引き出
し配線、２０２…ＴＦＴ、２０２ａ〜２０２ｄ…相補型
ＴＦＴ、２０６…引き出し配線、３００…容量線、３０
１…サンプリング回路、３０２…ＴＦＴ、５０１…下側
遮光膜
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ０９Ｆ 9/30 ３４９ Ｇ０９Ｆ 9/30 ３４９Ｂ
Ｆターム(参考） 2H089 HA04 HA40 JA10 QA05 QA12
RA04 RA05 TA01 TA02 TA07
TA09 TA13 TA17 UA05 UA09
2H091 FA14Y FA31Y FA34Y FA37Y
FA41Z FB08 FB09 FC15
FC24 GA01 GA02 GA11 GA13
HA06 HA07 LA02 LA03 LA12
LA16 LA30 MA07 MA10
2H092 GA29 GA32 GA51 GA59 JA02
JA05 JA25 JA46 JB62 JB64
JB69 KA04 NA02 NA03 NA23
NA27 NA29 PA01 PA06 PA09
PA12 QA06 QA07 QA09 QA15
RA05 RA10
5C094 AA03 BA03 BA43 DA13 EB02
ED15 FA01 HA08 JA08
Claims (25)
- 【請求項１】 基板上の画像表示領域に配置された表示
用電極と、 該表示用電極に画素スイッチング用素子を介して又は直
接接続されると共に前記画像表示領域の周囲を規定する
額縁領域内に設けられた配線及び回路素子の少なくとも
一方からなるパターン部と、 前記額縁領域の一部において、前記パターン部を少なく
とも部分的に前記基板側から覆う下側遮光膜とを備えた
ことを特徴とする電気光学装置。 - 【請求項２】 前記額縁領域において、前記パターン部
の上側に配置された額縁遮光膜を更に備えたことを特徴
とする請求項１に記載の電気光学装置。 - 【請求項３】 前記下側遮光膜は、前記基板の平坦な表
面上に、直に又は平坦な下地絶縁膜を介して形成されて
いることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学
装置。 - 【請求項４】 前記回路素子は、第１トランジスタを含
み、 前記表示用電極は、画素電極からなり、 当該電気光学装置は、前記画素スイッチング用素子とし
て前記画素電極に接続された第２トランジスタを更に備
えており、 前記配線は、前記第２トランジスタに接続されているこ
とを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の
電気光学装置。 - 【請求項５】 前記第２トランジスタの少なくともチャ
ネル領域の下側に前記下側遮光膜と同一膜が設けられて
いることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。 - 【請求項６】 前記下側遮光膜は、光吸収膜からなるこ
とを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の
電気光学装置。 - 【請求項７】 前記光吸収膜は、ポリシリコン膜及び高
融点金属膜のうち少なくとも一方を含むことを特徴とす
る請求項６に記載の電気光学装置。 - 【請求項８】 前記下側遮光膜は、島状に形成されてい
ることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記
載の電気光学装置。 - 【請求項９】 前記下側遮光膜は、導電膜からなること
を特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の電
気光学装置。 - 【請求項１０】 前記下側遮光膜は、少なくとも部分的
に固定電位が供給されていることを特徴とする請求項９
に記載の電気光学装置。 - 【請求項１１】 前記下側遮光膜のうち少なくとも前記
第１トランジスタの下側に積層された部分は、フローテ
ィング電位とされていることを特徴とする請求項９に記
載の電気光学装置。 - 【請求項１２】 前記下側遮光膜のうち少なくとも前記
第１トランジスタの下側に積層された部分は、前記下側
遮光膜のうち前記第１トランジスタのソース電極に対向
する部分と前記下側遮光膜のうち前記第１トランジスタ
のドレイン電極に対向する部分とを相互分離するように
島状に設けられた部分を含むことを特徴とする請求項１
１に記載の電気光学装置。 - 【請求項１３】 前記下側遮光膜のうち少なくとも前記
第１トランジスタの下側に積層された部分には、前記下
側遮光膜のうち前記第１トランジスタのソース電極に対
向する部分と、前記下側遮光膜のうち前記第１トランジ
スタのドレイン電極に対向する部分とを分離するように
スリットが設けられていることを特徴とする請求項９か
ら１１のいずれか一項に記載の電気光学装置。 - 【請求項１４】 前記下側遮光膜は、前記第１トランジ
スタのチャネル領域下側に積層されていないことを特徴
とする請求項９に記載の電気光学装置。 - 【請求項１５】 前記下側遮光膜のうち少なくとも前記
第１トランジスタのチャネル領域下側に積層された部分
は、前記第１トランジスタのゲート電位とされているこ
とを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置。 - 【請求項１６】 前記下側遮光膜は、前記額縁領域に照
射される入射光部分の入射角度に応じて予め設定される
所定幅だけ前記画像表示領域の外周から周辺側に至る額
縁領域内に形成されていることを特徴とする請求項１か
ら１５のいずれか一項に記載の電気光学装置。 - 【請求項１７】 基板上の画像表示領域に配置された表
示用電極と、 該表示用電極に画素スイッチング用素子を介して又は直
接接続されるとともに前記画像表示領域の周囲を規定す
る額縁領域内に設けられた配線及び回路素子の少なくと
も一方からなるパターン部と、 前記額縁領域の一部において、前記パターン部を少なく
とも部分的に前記基板側から覆う下側遮光膜と、 前記額縁領域内における前記パターン部の形成領域以外
の領域に形成され前記下側遮光膜と同一膜として形成さ
れた第２下側遮光膜と、を備えたことを特徴とする電気
光学装置。 - 【請求項１８】 基板上の画像表示領域に配置された表
示用電極と、 該表示用電極に画素スイッチング用素子を介して接続さ
れると共に前記画像表示領域の周囲を規定する額縁領域
内に設けられた配線及び回路素子の少なくとも一方から
なるパターン部と、 前記額縁領域の一部において、前記パターン部を少なく
とも部分的に前記基板側から覆う下側遮光膜と、 前記画素スイッチング用素子としての第２トランジスタ
の少なくともチャネル領域を前記基板側から覆い、前記
下側遮光膜と同一膜として形成された領内遮光膜と、 前記額縁領域を含み前記画像表示領域の周辺に位置する
周辺領域の少なくとも一部に、前記下側遮光膜及び前記
領内遮光膜と同一膜として形成された領外遮光膜と、 を備えたことを特徴とする電気光学装置。 - 【請求項１９】 前記領外遮光膜は、前記額縁領域内に
おける前記パターン部の形成領域以外の領域に、前記下
側遮光膜と同一膜として形成された第２下側遮光膜を含
むことを特徴とする請求項１８に記載の電気光学装置。 - 【請求項２０】 前記周辺領域には、前記パターン部と
接続されるとともに前記表示用電極を駆動するための周
辺回路が更に備えられてなり、 前記領外遮光膜は、前記周辺回路を構成する各配線間及
び各回路素子間並びに配線及び回路素子間の少なくとも
一組を接続する第２パターン部の形成領域以外の領域に
形成されていることを特徴とする請求項１８又は１９に
記載の電気光学装置。 - 【請求項２１】 前記領外遮光膜は、島状に形成されて
いることを特徴とする請求項１７乃至２０のいずれか一
項に記載の電気光学装置。 - 【請求項２２】 相隣接する島間の距離は、４μｍ以下
であることを特徴とする請求項２１に記載の電気光学装
置。 - 【請求項２３】 当該電気光学装置を実装するとともに
前記画像表示領域に対応する表示窓が形成された実装ケ
ースが更に備えられてなり、 前記第２下側遮光膜及び前記領外遮光膜の少なくとも一
方は、前記表示窓の縁と前記画像表示領域の縁との間の
領域に少なくとも部分的に形成されていることを特徴と
する請求項１７乃至２２のいずれか一項に記載の電気光
学装置。 - 【請求項２４】 前記額縁領域において、前記パターン
部の上側に配置された額縁遮光膜を更に備えるととも
に、 該額縁遮光膜は少なくともアルミニウムを含むことを特
徴とする請求項１７乃至２３のいずれか一項に記載の電
気光学装置。 - 【請求項２５】 請求項１から２４のいずれか一項に記
載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子
機器。
Priority Applications (12)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002264521A JP3669351B2 (ja) | 2001-10-04 | 2002-09-10 | 電気光学装置及び電子機器 |
| TW091121659A TWI266135B (en) | 2001-10-04 | 2002-09-20 | Electro-optical device and electronic apparatus |
| US10/259,390 US7061567B2 (en) | 2001-10-04 | 2002-09-30 | Electro-optical device with a plurality of first and second sets of frame shielding films that defines the image display region |
| CNB02144496XA CN1207613C (zh) | 2001-10-04 | 2002-09-30 | 电光学装置及电子设备 |
| EP02256969A EP1306716B1 (en) | 2001-10-04 | 2002-10-04 | Electro-optical device and electronic apparatus |
| KR10-2002-0060553A KR100504293B1 (ko) | 2001-10-04 | 2002-10-04 | 전기광학 장치 및 전자기기 |
| DE60237342T DE60237342D1 (de) | 2001-10-04 | 2002-10-04 | Elektrooptische Vorrichtung und elektronisches Gerät |
| KR20050033540A KR100538600B1 (ko) | 2001-10-04 | 2005-04-22 | 전기광학 장치 및 전자기기 |
| KR1020050082613A KR100662966B1 (ko) | 2001-10-04 | 2005-09-06 | 전기광학 장치 및 전자기기 |
| US11/373,285 US7233372B2 (en) | 2001-10-04 | 2006-03-13 | Electro-optical device with a gap of the light shielding layer being in a non-overlapping condition with the drain and the source in plan view |
| US11/797,838 US7362397B2 (en) | 2001-10-04 | 2007-05-08 | Electro-optical device with a gap of the light shielding layer being in a non-overlapping condition with the drain and the source in plan view |
| US12/073,344 US20080198314A1 (en) | 2001-10-04 | 2008-03-04 | Electro-optical device and electronic apparatus |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001-309103 | 2001-10-04 | ||
| JP2001309103 | 2001-10-04 | ||
| JP2002264521A JP3669351B2 (ja) | 2001-10-04 | 2002-09-10 | 電気光学装置及び電子機器 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005032660A Division JP4182488B2 (ja) | 2001-10-04 | 2005-02-09 | 電気光学装置及び電子機器 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003177427A true JP2003177427A (ja) | 2003-06-27 |
| JP2003177427A5 JP2003177427A5 (ja) | 2005-04-28 |
| JP3669351B2 JP3669351B2 (ja) | 2005-07-06 |
Family
ID=26623723
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002264521A Expired - Fee Related JP3669351B2 (ja) | 2001-10-04 | 2002-09-10 | 電気光学装置及び電子機器 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (4) | US7061567B2 (ja) |
| EP (1) | EP1306716B1 (ja) |
| JP (1) | JP3669351B2 (ja) |
| KR (3) | KR100504293B1 (ja) |
| CN (1) | CN1207613C (ja) |
| DE (1) | DE60237342D1 (ja) |
| TW (1) | TWI266135B (ja) |
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005031631A (ja) * | 2003-07-07 | 2005-02-03 | Au Optronics Corp | 非マトリックスの遮蔽構造を備えたフラットパネルディスプレイ |
| JP2007072438A (ja) * | 2005-08-11 | 2007-03-22 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、配線基板及び電子機器 |
| US7196353B2 (en) | 2003-08-29 | 2007-03-27 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and electronic apparatus |
| JP2008003382A (ja) * | 2006-06-23 | 2008-01-10 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
| KR100821544B1 (ko) | 2005-08-11 | 2008-04-11 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 전기 광학 장치, 배선 기판, 및 전자기기 |
| JP2009053660A (ja) * | 2007-08-02 | 2009-03-12 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
| US7859615B2 (en) | 2006-03-15 | 2010-12-28 | Citizen Holdings Co., Ltd. | Display device having ultraviolet ray transmitting small holes included in a wiring electrode disposed in the peripheral region of the display but not where a seal member is disposed |
| WO2011102030A1 (ja) * | 2010-02-18 | 2011-08-25 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板、ガラス基板、液晶パネル、および液晶表示装置 |
| JP2012118267A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Toshiba Mobile Display Co Ltd | 液晶表示装置 |
| TWI386717B (zh) * | 2007-09-05 | 2013-02-21 | Sony Corp | 液晶顯示裝置及液晶面板 |
| JP2013537639A (ja) * | 2010-06-10 | 2013-10-03 | アップル インコーポレイテッド | カーテンムラを最小にしたディスプレイ |
| JP2015191105A (ja) * | 2014-03-28 | 2015-11-02 | Ｎｌｔテクノロジー株式会社 | 液晶表示装置 |
| US9529218B2 (en) | 2013-04-25 | 2016-12-27 | Japan Display Inc. | Projection type liquid crystal display device |
| JPWO2016190187A1 (ja) * | 2015-05-25 | 2018-03-01 | シャープ株式会社 | 表示装置の駆動回路 |
| JP2019028206A (ja) * | 2017-07-28 | 2019-02-21 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
| JP2019148683A (ja) * | 2018-02-27 | 2019-09-05 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
| US10495935B2 (en) | 2017-06-26 | 2019-12-03 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and electronic apparatus with sampling and monitoring transistors |
| JP2020042304A (ja) * | 2019-12-05 | 2020-03-19 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
| US10706803B2 (en) | 2015-05-25 | 2020-07-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Shift register circuit |
| JP2021532433A (ja) * | 2018-08-02 | 2021-11-25 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Boe Technology Group Co., Ltd. | 表示装置 |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7463407B2 (en) | 2002-06-13 | 2008-12-09 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Electro-optically active device |
| JP3772888B2 (ja) * | 2003-05-02 | 2006-05-10 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
| TWI265348B (en) * | 2003-09-24 | 2006-11-01 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | Liquid crystal display device and the fabricating method thereof |
| TWI257516B (en) * | 2004-07-01 | 2006-07-01 | Hannstar Display Corp | ODF cell structure |
| JP4187015B2 (ja) * | 2006-06-15 | 2008-11-26 | エプソンイメージングデバイス株式会社 | 液晶表示パネル |
| KR101242030B1 (ko) * | 2006-06-22 | 2013-03-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 소자 |
| JP4274232B2 (ja) * | 2006-11-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、及びこれを備えた電子機器 |
| US7800718B2 (en) * | 2007-08-02 | 2010-09-21 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and electronic apparatus having a light-shielding film at least partially overlapping with a transistor in plan view and having a plurality of openings overlapping with the transistor |
| JP5157602B2 (ja) * | 2008-04-03 | 2013-03-06 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
| DE102009004130A1 (de) * | 2009-01-05 | 2010-07-08 | Leonhard Kurz Stiftung & Co. Kg | Mehrschichtiges Folienelement |
| RU2011134665A (ru) * | 2009-03-13 | 2013-04-20 | Шарп Кабусики Кайся | Жидкокристаллическое устройство отображения и способ его изготовления |
| CN102792219B (zh) * | 2010-04-16 | 2014-12-03 | 夏普株式会社 | 显示装置 |
| US10159146B2 (en) * | 2012-01-18 | 2018-12-18 | Kyocera Corporation | Input apparatus, display apparatus, and electronic apparatus |
| JP6244802B2 (ja) | 2013-10-11 | 2017-12-13 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
| US9391200B2 (en) * | 2014-06-18 | 2016-07-12 | Stmicroelectronics, Inc. | FinFETs having strained channels, and methods of fabricating finFETs having strained channels |
| KR102554251B1 (ko) * | 2015-12-07 | 2023-07-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
| CN105374882A (zh) * | 2015-12-21 | 2016-03-02 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法 |
| CN107146857B (zh) * | 2017-05-22 | 2019-02-12 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 显示面板、显示面板的制作方法和显示装置 |
| JP6805081B2 (ja) * | 2017-05-26 | 2020-12-23 | 新光電気工業株式会社 | 発光装置用蓋体 |
| JP6562056B2 (ja) * | 2017-10-30 | 2019-08-21 | セイコーエプソン株式会社 | 透過型電気光学装置および電子機器 |
| JP6690671B2 (ja) * | 2018-06-20 | 2020-04-28 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
| KR102694613B1 (ko) * | 2019-06-17 | 2024-08-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
Family Cites Families (43)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3674330B2 (ja) * | 1997-09-11 | 2005-07-20 | セイコーエプソン株式会社 | 光変調装置、およびこれを用いた投写型表示装置 |
| JP2905498B2 (ja) * | 1989-06-09 | 1999-06-14 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| US5247375A (en) * | 1990-03-09 | 1993-09-21 | Hitachi, Ltd. | Display device, manufacturing method thereof and display panel |
| JPH04361229A (ja) | 1991-06-07 | 1992-12-14 | Nec Corp | Ｌｃｄパネル |
| TW214603B (en) * | 1992-05-13 | 1993-10-11 | Seiko Electron Co Ltd | Semiconductor device |
| US5459596A (en) * | 1992-09-14 | 1995-10-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Active matrix liquid crystal display with supplemental capacitor line which overlaps signal line |
| JP3352778B2 (ja) * | 1993-08-23 | 2002-12-03 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | アクティブマトリクス液晶表示素子 |
| JPH0798459A (ja) | 1993-09-29 | 1995-04-11 | Nippondenso Co Ltd | 液晶表示装置 |
| TW321731B (ja) * | 1994-07-27 | 1997-12-01 | Hitachi Ltd | |
| TW347477B (en) * | 1994-09-30 | 1998-12-11 | Sanyo Electric Co | Liquid crystal display with storage capacitors for holding electric charges |
| KR0169385B1 (ko) * | 1995-03-10 | 1999-03-20 | 김광호 | 블랙 매트릭스 구조가 가능한 액정용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조방법 |
| US6081305A (en) * | 1995-05-30 | 2000-06-27 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal light valve and projection type liquid crystal display using such valve |
| JPH0926601A (ja) * | 1995-07-13 | 1997-01-28 | Sony Corp | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| JPH0950044A (ja) * | 1995-08-08 | 1997-02-18 | Sony Corp | アクティブマトリクス表示装置 |
| JP3205767B2 (ja) * | 1995-09-13 | 2001-09-04 | キヤノン株式会社 | 透過型液晶表示装置 |
| JPH0980480A (ja) | 1995-09-13 | 1997-03-28 | Sony Corp | 液晶表示装置 |
| JPH09105953A (ja) * | 1995-10-12 | 1997-04-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
| US5739880A (en) * | 1995-12-01 | 1998-04-14 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display device having a shielding film for shielding light from a light source |
| JP3219685B2 (ja) * | 1996-06-04 | 2001-10-15 | キヤノン株式会社 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| JP3640224B2 (ja) * | 1996-06-25 | 2005-04-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示パネル |
| JP2839085B2 (ja) * | 1996-07-25 | 1998-12-16 | 日本電気株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP3475421B2 (ja) * | 1996-09-18 | 2003-12-08 | ソニー株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP3249077B2 (ja) * | 1996-10-18 | 2002-01-21 | キヤノン株式会社 | マトリクス基板と液晶装置 |
| US5774957A (en) | 1996-11-06 | 1998-07-07 | Kohl; Thomas D. | Jewelry clasp |
| JP3281848B2 (ja) * | 1996-11-29 | 2002-05-13 | 三洋電機株式会社 | 表示装置 |
| JP3716580B2 (ja) | 1997-02-27 | 2005-11-16 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置及びその製造方法、並びに投写型表示装置 |
| US6184962B1 (en) * | 1997-03-05 | 2001-02-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device with visible peripheral non-display region having masking sub-electrodes |
| KR100264887B1 (ko) * | 1997-08-11 | 2000-09-01 | 구본준 | 액정표시장치 |
| JP3799829B2 (ja) * | 1997-09-11 | 2006-07-19 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置およびその製造方法並びに投射型表示装置 |
| JPH11101986A (ja) * | 1997-09-26 | 1999-04-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置及び表示装置用大基板 |
| JP4050377B2 (ja) * | 1997-10-31 | 2008-02-20 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置及び電子機器並びに投射型表示装置 |
| JPH11183934A (ja) * | 1997-12-19 | 1999-07-09 | Seiko Epson Corp | 液晶パネル及びその製造方法並びに電子機器 |
| TWI224221B (en) * | 1998-01-30 | 2004-11-21 | Seiko Epson Corp | Electro-optic apparatus, electronic apparatus using the same, and its manufacturing method |
| JP4057127B2 (ja) * | 1998-02-19 | 2008-03-05 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリックス基板及びアクティブマトリックス基板の製造方法並びに液晶装置 |
| JP2000019979A (ja) * | 1998-07-06 | 2000-01-21 | Seiko Epson Corp | 変調装置、およびこれを用いた投写型表示装置 |
| JP3376376B2 (ja) | 1999-03-19 | 2003-02-10 | 富士通ディスプレイテクノロジーズ株式会社 | 液晶表示装置及びそれを用いた電子機器 |
| TWI245950B (en) * | 1999-03-19 | 2005-12-21 | Sharp Kk | Liquid crystal display apparatus |
| JP3374911B2 (ja) * | 1999-09-30 | 2003-02-10 | 日本電気株式会社 | 透過液晶パネル、画像表示装置、パネル製造方法 |
| JP3987248B2 (ja) | 1999-09-30 | 2007-10-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
| US6542205B2 (en) * | 2000-08-04 | 2003-04-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US6545731B2 (en) * | 2001-04-13 | 2003-04-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Liquid crystal display device having light isolation structure |
| KR20010106366A (ko) | 2001-10-29 | 2001-11-29 | 김진태 | 진공흡착기를 이용한 받침대 |
| JP4551049B2 (ja) * | 2002-03-19 | 2010-09-22 | 三菱電機株式会社 | 表示装置 |
-
2002
- 2002-09-10 JP JP2002264521A patent/JP3669351B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-09-20 TW TW091121659A patent/TWI266135B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-09-30 US US10/259,390 patent/US7061567B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-09-30 CN CNB02144496XA patent/CN1207613C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-10-04 DE DE60237342T patent/DE60237342D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-10-04 EP EP02256969A patent/EP1306716B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-10-04 KR KR10-2002-0060553A patent/KR100504293B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-04-22 KR KR20050033540A patent/KR100538600B1/ko active IP Right Grant
- 2005-09-06 KR KR1020050082613A patent/KR100662966B1/ko active IP Right Grant
-
2006
- 2006-03-13 US US11/373,285 patent/US7233372B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2007
- 2007-05-08 US US11/797,838 patent/US7362397B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2008
- 2008-03-04 US US12/073,344 patent/US20080198314A1/en not_active Abandoned
Cited By (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005031631A (ja) * | 2003-07-07 | 2005-02-03 | Au Optronics Corp | 非マトリックスの遮蔽構造を備えたフラットパネルディスプレイ |
| US7196353B2 (en) | 2003-08-29 | 2007-03-27 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and electronic apparatus |
| JP2007072438A (ja) * | 2005-08-11 | 2007-03-22 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、配線基板及び電子機器 |
| KR100821544B1 (ko) | 2005-08-11 | 2008-04-11 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 전기 광학 장치, 배선 기판, 및 전자기기 |
| US7561230B2 (en) | 2005-08-11 | 2009-07-14 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device, wiring board, and electronic apparatus |
| US7859615B2 (en) | 2006-03-15 | 2010-12-28 | Citizen Holdings Co., Ltd. | Display device having ultraviolet ray transmitting small holes included in a wiring electrode disposed in the peripheral region of the display but not where a seal member is disposed |
| JP2008003382A (ja) * | 2006-06-23 | 2008-01-10 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
| JP2009053660A (ja) * | 2007-08-02 | 2009-03-12 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
| TWI386717B (zh) * | 2007-09-05 | 2013-02-21 | Sony Corp | 液晶顯示裝置及液晶面板 |
| WO2011102030A1 (ja) * | 2010-02-18 | 2011-08-25 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板、ガラス基板、液晶パネル、および液晶表示装置 |
| US8836879B2 (en) | 2010-06-10 | 2014-09-16 | Apple Inc. | Displays with minimized curtain mura |
| JP2013537639A (ja) * | 2010-06-10 | 2013-10-03 | アップル インコーポレイテッド | カーテンムラを最小にしたディスプレイ |
| JP2012118267A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Toshiba Mobile Display Co Ltd | 液晶表示装置 |
| US9223179B2 (en) | 2010-11-30 | 2015-12-29 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display apparatus |
| US9529218B2 (en) | 2013-04-25 | 2016-12-27 | Japan Display Inc. | Projection type liquid crystal display device |
| US10209591B2 (en) | 2013-04-25 | 2019-02-19 | Japan Display Inc. | Projection type liquid crystal display device |
| JP2015191105A (ja) * | 2014-03-28 | 2015-11-02 | Ｎｌｔテクノロジー株式会社 | 液晶表示装置 |
| JPWO2016190187A1 (ja) * | 2015-05-25 | 2018-03-01 | シャープ株式会社 | 表示装置の駆動回路 |
| US10706803B2 (en) | 2015-05-25 | 2020-07-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Shift register circuit |
| US10495935B2 (en) | 2017-06-26 | 2019-12-03 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and electronic apparatus with sampling and monitoring transistors |
| US10871681B2 (en) | 2017-07-28 | 2020-12-22 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and electronic apparatus |
| JP2019028206A (ja) * | 2017-07-28 | 2019-02-21 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
| JP2019148683A (ja) * | 2018-02-27 | 2019-09-05 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
| JP2021532433A (ja) * | 2018-08-02 | 2021-11-25 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Boe Technology Group Co., Ltd. | 表示装置 |
| JP7420736B2 (ja) | 2018-08-02 | 2024-01-23 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 | 表示装置 |
| JP2020042304A (ja) * | 2019-12-05 | 2020-03-19 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
| JP7028236B2 (ja) | 2019-12-05 | 2022-03-02 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7061567B2 (en) | 2006-06-13 |
| EP1306716B1 (en) | 2010-08-18 |
| US20070206147A1 (en) | 2007-09-06 |
| CN1410805A (zh) | 2003-04-16 |
| US20030076459A1 (en) | 2003-04-24 |
| US7362397B2 (en) | 2008-04-22 |
| KR100538600B1 (ko) | 2005-12-22 |
| US7233372B2 (en) | 2007-06-19 |
| CN1207613C (zh) | 2005-06-22 |
| JP3669351B2 (ja) | 2005-07-06 |
| KR20050094387A (ko) | 2005-09-27 |
| KR100504293B1 (ko) | 2005-07-28 |
| EP1306716A2 (en) | 2003-05-02 |
| KR100662966B1 (ko) | 2006-12-28 |
| US20080198314A1 (en) | 2008-08-21 |
| TWI266135B (en) | 2006-11-11 |
| KR20030029037A (ko) | 2003-04-11 |
| EP1306716A3 (en) | 2004-01-21 |
| US20060152665A1 (en) | 2006-07-13 |
| KR20050048562A (ko) | 2005-05-24 |
| DE60237342D1 (de) | 2010-09-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3669351B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
| KR100626910B1 (ko) | 전기 광학 장치 및 전자기기 | |
| JP4088190B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
| JP2002108248A (ja) | 電気光学装置、電気光学装置用基板及び投射型表示装置 | |
| JP3821067B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
| JP4182488B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
| JP2002215064A (ja) | 電気光学装置 | |
| JP4438312B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
| JP3849434B2 (ja) | 電気光学装置及び投射型表示装置 | |
| JP3873814B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
| JP3700679B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
| JP5141536B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
| JP3965935B2 (ja) | 電気光学装置及び投射型表示装置 | |
| JP4509463B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
| JP3731460B2 (ja) | 電気光学装置およびプロジェクタ | |
| JP4000827B2 (ja) | 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 | |
| JP4063260B2 (ja) | 電気光学装置及び投射型表示装置 | |
| JP2004126557A (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
| JP4154965B2 (ja) | 電気光学基板、並びにこれを具備する電気光学装置及び電子機器 | |
| JP3966305B2 (ja) | 電気光学装置及び投射型表示装置 | |
| JP3966304B2 (ja) | 電気光学装置及び投射型表示装置 | |
| JP5135667B2 (ja) | 電気光学装置及びプロジェクタ | |
| JP2002372926A (ja) | 電気光学装置及び投射型表示装置 | |
| JP2004062196A (ja) | 電気光学装置及び電子機器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040602 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040621 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040706 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040826 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041214 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050209 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20050222 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050322 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050404 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080422 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090422 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090422 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100422 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110422 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110422 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120422 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130422 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130422 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140422 Year of fee payment: 9 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |