JP3374911B2 - 透過液晶パネル、画像表示装置、パネル製造方法 - Google Patents
透過液晶パネル、画像表示装置、パネル製造方法Info
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、上方から下方に光
線が透過される透過液晶パネル、この透過液晶パネルを
利用してスクリーンに画像を表示する画像表示装置、透
過液晶パネルを製造するパネル製造方法、に関する。
線が透過される透過液晶パネル、この透過液晶パネルを
利用してスクリーンに画像を表示する画像表示装置、透
過液晶パネルを製造するパネル製造方法、に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、液晶を利用してスクリーンに画像
を表示する画像表示装置が、液晶プロジェクタやプロジ
ェクションテレビとして実用化されている。このような
画像表示装置は、一般的に光源と透過液晶パネルとスク
リーンとを具備しており、光源が出射する光線を透過液
晶パネルに透過させてスクリーンに照射する。
を表示する画像表示装置が、液晶プロジェクタやプロジ
ェクションテレビとして実用化されている。このような
画像表示装置は、一般的に光源と透過液晶パネルとスク
リーンとを具備しており、光源が出射する光線を透過液
晶パネルに透過させてスクリーンに照射する。
【０００３】ここで、このような透過液晶パネルの一従
来例を図１０を参照して以下に説明する。なお、同図は
透過液晶パネルである液晶ライトバルブの要部を示す縦
断正面図である。また、ここでは説明を簡略化するた
め、液晶ライトバルブの各種層膜の積層方向において、
同図に示すように、便宜的に回路側を下方と呼称すると
ともに液晶側を上方と呼称する。
来例を図１０を参照して以下に説明する。なお、同図は
透過液晶パネルである液晶ライトバルブの要部を示す縦
断正面図である。また、ここでは説明を簡略化するた
め、液晶ライトバルブの各種層膜の積層方向において、
同図に示すように、便宜的に回路側を下方と呼称すると
ともに液晶側を上方と呼称する。
【０００４】ここで透過液晶パネルの一従来例として例
示する液晶ライトバルブ１００は、透明基板１０１、多
数の下部遮光膜１０２、多数の薄膜トランジスタである
ＴＦＴ(Thin Film Transistor)１０３、複数のゲート電
極(図示せず)、複数のドレイン電極(図示せず)、複数の
データ電極１０４、複数の上部金属膜１０５、平坦化層
１０６、多数の個別電極１０７、封入液晶１０８、共通
電極１０９、対向基板１１０、等を主要部分として具備
している。
示する液晶ライトバルブ１００は、透明基板１０１、多
数の下部遮光膜１０２、多数の薄膜トランジスタである
ＴＦＴ(Thin Film Transistor)１０３、複数のゲート電
極(図示せず)、複数のドレイン電極(図示せず)、複数の
データ電極１０４、複数の上部金属膜１０５、平坦化層
１０６、多数の個別電極１０７、封入液晶１０８、共通
電極１０９、対向基板１１０、等を主要部分として具備
している。
【０００５】透明基板１０１は、無色透明な絶縁性のガ
ラス基板からなり、その上面に複数の下部遮光膜１０２
が積層されている。この下部遮光膜１０２は、高耐熱性
かつ低透光性のＷＳi(タングステンシリサイド)からな
り、下側から斜め上方への迷光から多数のＴＦＴ１０３
を個々に遮光する層厚およびパターンに形成されてい
る。
ラス基板からなり、その上面に複数の下部遮光膜１０２
が積層されている。この下部遮光膜１０２は、高耐熱性
かつ低透光性のＷＳi(タングステンシリサイド)からな
り、下側から斜め上方への迷光から多数のＴＦＴ１０３
を個々に遮光する層厚およびパターンに形成されてい
る。
【０００６】このＴＦＴ１０３は、層間絶縁膜１１１を
介して下部遮光膜１０２の上方に位置しており、ソース
領域とドレイン領域とが形成されている(図示せず)。そ
のソース領域にはデータ電極１０４が接続されており、
ドレイン領域にはドレイン電極(図示せず)が接続されて
いる。ＴＦＴ１０３のゲート電極(図示せず)は、図面を
左右方向に通過するパターンの金属層からなり、ＴＦＴ
１０３の略上面に位置している。
介して下部遮光膜１０２の上方に位置しており、ソース
領域とドレイン領域とが形成されている(図示せず)。そ
のソース領域にはデータ電極１０４が接続されており、
ドレイン領域にはドレイン電極(図示せず)が接続されて
いる。ＴＦＴ１０３のゲート電極(図示せず)は、図面を
左右方向に通過するパターンの金属層からなり、ＴＦＴ
１０３の略上面に位置している。
【０００７】データ電極１０４は、図面を前後方向に貫
通するパターンのアルミニウム層からなり、層間絶縁膜
１１２を介してＴＦＴ１０３より上方に配置されてい
る。つまり、ゲート電極およびデータ電極１０４で行列
電極が形成されており、その交点の位置に多数のＴＦＴ
１０３が個々に配列されている。
通するパターンのアルミニウム層からなり、層間絶縁膜
１１２を介してＴＦＴ１０３より上方に配置されてい
る。つまり、ゲート電極およびデータ電極１０４で行列
電極が形成されており、その交点の位置に多数のＴＦＴ
１０３が個々に配列されている。
【０００８】上部金属膜１０５は、層間絶縁膜１１３を
介してデータ電極１０４の上方に位置する高反射性のア
ルミニウム層からなり、データ電極１０４をシールドす
る層厚およびパターンに形成されている。平坦化層１０
６は、ポリイミド等の絶縁性の有機樹脂で上部金属膜１
０５上に積層されており、その表面が平坦に形成されて
いる。
介してデータ電極１０４の上方に位置する高反射性のア
ルミニウム層からなり、データ電極１０４をシールドす
る層厚およびパターンに形成されている。平坦化層１０
６は、ポリイミド等の絶縁性の有機樹脂で上部金属膜１
０５上に積層されており、その表面が平坦に形成されて
いる。
【０００９】多数の個別電極１０７は、平坦化層１０６
の上面に形成された多数のＩＴＯ(Indium Tin Oxide)層
からなり、多数のＴＦＴ１０３のドレイン電極に個々に
接続されている。より詳細には、前述のようにゲート電
極およびデータ電極１０４で行列電極が形成されている
ので、この行列電極で区分されて前後左右に配列された
多数の矩形区間がドットマトリクスの多数の表示画素に
対応している。そして、この多数の表示画素ごとに多数
の個別電極１０７が個々に形成されており、この個別電
極１０７がコンタクトホール(図示せず)を介して多数の
ＴＦＴ１０３に個々に接続されている。
の上面に形成された多数のＩＴＯ(Indium Tin Oxide)層
からなり、多数のＴＦＴ１０３のドレイン電極に個々に
接続されている。より詳細には、前述のようにゲート電
極およびデータ電極１０４で行列電極が形成されている
ので、この行列電極で区分されて前後左右に配列された
多数の矩形区間がドットマトリクスの多数の表示画素に
対応している。そして、この多数の表示画素ごとに多数
の個別電極１０７が個々に形成されており、この個別電
極１０７がコンタクトホール(図示せず)を介して多数の
ＴＦＴ１０３に個々に接続されている。
【００１０】対向基板１１０も、無色透明な絶縁性のガ
ラス基板からなり、スペーサ部材(図示せず)などにより
平坦化層１０６の上方に所定の間隙を介して配置されて
いる。共通電極１０９もＩＴＯ層からなり、対向基板１
１０の下面に一様に形成されている。封入液晶１０８
は、平坦化層１０６と対向基板１１０との間隙に封入さ
れた液晶からなり、個別電極１０７と共通電極１０９に
より電界が印加される。
ラス基板からなり、スペーサ部材(図示せず)などにより
平坦化層１０６の上方に所定の間隙を介して配置されて
いる。共通電極１０９もＩＴＯ層からなり、対向基板１
１０の下面に一様に形成されている。封入液晶１０８
は、平坦化層１０６と対向基板１１０との間隙に封入さ
れた液晶からなり、個別電極１０７と共通電極１０９に
より電界が印加される。
【００１１】なお、上述のような積層構造からなる液晶
ライトバルブ１００は、その外周部分に周辺回路(図示
せず)が形成されており、この周辺回路がゲート電極と
データ電極１０４とでＴＦＴ１０３にマトリクス接続さ
れている。さらに、下部遮光膜１０２は接地されてお
り、上部金属膜１０５は周辺回路の配線にも流用されて
いる。
ライトバルブ１００は、その外周部分に周辺回路(図示
せず)が形成されており、この周辺回路がゲート電極と
データ電極１０４とでＴＦＴ１０３にマトリクス接続さ
れている。さらに、下部遮光膜１０２は接地されてお
り、上部金属膜１０５は周辺回路の配線にも流用されて
いる。
【００１２】上述のような構造の液晶ライトバルブ１０
０は、光源やスクリーンとともに画像表示装置(図示せ
ず)の一部として利用される。このような画像表示装置
では、光源の光路上に液晶ライトバルブ１００を介して
スクリーンが配置されており、光源が出射する光線が液
晶ライトバルブ１００に上方から照射される。
０は、光源やスクリーンとともに画像表示装置(図示せ
ず)の一部として利用される。このような画像表示装置
では、光源の光路上に液晶ライトバルブ１００を介して
スクリーンが配置されており、光源が出射する光線が液
晶ライトバルブ１００に上方から照射される。
【００１３】このとき、画像表示装置は液晶ライトバル
ブ１００の周辺回路に画像データをデータ入力するの
で、この周辺回路は画像データに対応した駆動信号をゲ
ート電極とデータ電極１０４とからＴＦＴ１０３まで出
力する。これでマトリクス配列されている多数のＴＦＴ
１０３が個々にオン／オフされるので、オン状態のＴＦ
Ｔ１０３に接続されている個別電極１０７のみ駆動電圧
が印加される。
ブ１００の周辺回路に画像データをデータ入力するの
で、この周辺回路は画像データに対応した駆動信号をゲ
ート電極とデータ電極１０４とからＴＦＴ１０３まで出
力する。これでマトリクス配列されている多数のＴＦＴ
１０３が個々にオン／オフされるので、オン状態のＴＦ
Ｔ１０３に接続されている個別電極１０７のみ駆動電圧
が印加される。
【００１４】これで封入液晶１０８の透光性の有無がド
ットマトリクスの画像に対応して制御されるので、液晶
ライトバルブ１００を上方から下方に透過する光線がス
クリーンに照射されることにより、このスクリーンにド
ットマトリクスの画像が表示されることになる。
ットマトリクスの画像に対応して制御されるので、液晶
ライトバルブ１００を上方から下方に透過する光線がス
クリーンに照射されることにより、このスクリーンにド
ットマトリクスの画像が表示されることになる。
【００１５】上述のような液晶ライトバルブ１００は、
ＴＦＴ１０３により封入液晶１０８をアクティブマトリ
クス方式で駆動するので、この液晶ライトバルブ１００
を利用した画像表示装置は、クロストークが発生しない
ドットマトリクスの画像を高精細に表示することができ
る。
ＴＦＴ１０３により封入液晶１０８をアクティブマトリ
クス方式で駆動するので、この液晶ライトバルブ１００
を利用した画像表示装置は、クロストークが発生しない
ドットマトリクスの画像を高精細に表示することができ
る。
【００１６】なお、上述の液晶ライトバルブ１００で
は、データ電極１０４を上部金属膜１０５でシールドし
ているので、データ電極１０４に電磁ノイズが侵入して
ＴＦＴ１０３に誤動作が発生することも防止されてい
る。しかも、この上部金属膜１０５は周辺回路の配線に
も利用されているので、この配線を新規に形成する必要
がない。
は、データ電極１０４を上部金属膜１０５でシールドし
ているので、データ電極１０４に電磁ノイズが侵入して
ＴＦＴ１０３に誤動作が発生することも防止されてい
る。しかも、この上部金属膜１０５は周辺回路の配線に
も利用されているので、この配線を新規に形成する必要
がない。
【００１７】なお、ＴＦＴ１０３はＬＤＤ(Lightly Dop
ed Drain-Source)領域(図示せず)がポリシリコンからな
るので、そこに光線が入射するとリーク電流が発生して
動作特性が阻害されることになる。液晶ライトバルブ１
００は、上方から下方に光線が透過されるので、前述の
上部金属膜１０５には、ＴＦＴ１０３に上方から入射す
る光線を遮光する機能も受け持たされている。
ed Drain-Source)領域(図示せず)がポリシリコンからな
るので、そこに光線が入射するとリーク電流が発生して
動作特性が阻害されることになる。液晶ライトバルブ１
００は、上方から下方に光線が透過されるので、前述の
上部金属膜１０５には、ＴＦＴ１０３に上方から入射す
る光線を遮光する機能も受け持たされている。
【００１８】また、各種の層膜を積層した液晶ライトバ
ルブ１００では、上方から下方に透過される光線が内部
反射されて迷光となることがある。しかし、上述の液晶
ライトバルブ１００では、ＴＦＴ１０３より下方に下部
遮光膜１０２が形成されているので、下方の透明基板１
０１の下面で反射されて斜め上方に向かう迷光がＴＦＴ
１０３に直接に入射することが防止されている。
ルブ１００では、上方から下方に透過される光線が内部
反射されて迷光となることがある。しかし、上述の液晶
ライトバルブ１００では、ＴＦＴ１０３より下方に下部
遮光膜１０２が形成されているので、下方の透明基板１
０１の下面で反射されて斜め上方に向かう迷光がＴＦＴ
１０３に直接に入射することが防止されている。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】上述の液晶ライトバル
ブ１００では、封入液晶１０８をＴＦＴ１０３によりア
クティブマトリクス方式で駆動することができ、そのＴ
ＦＴ１０３に光線が入射することが上部金属膜１０５と
下部遮光膜１０２とで防止されている。
ブ１００では、封入液晶１０８をＴＦＴ１０３によりア
クティブマトリクス方式で駆動することができ、そのＴ
ＦＴ１０３に光線が入射することが上部金属膜１０５と
下部遮光膜１０２とで防止されている。
【００２０】しかし、周辺回路の配線およびデータ電極
１０４のシールドとして機能する上部金属膜１０５は、
アルミニウムの層膜からなるため、その粒子の境界に微
細な間隙が存在する。このため、上部金属膜１０５は、
実際には入射する光線を良好に反射するが、光線の透過
を良好に遮断することは困難である。
１０４のシールドとして機能する上部金属膜１０５は、
アルミニウムの層膜からなるため、その粒子の境界に微
細な間隙が存在する。このため、上部金属膜１０５は、
実際には入射する光線を良好に反射するが、光線の透過
を良好に遮断することは困難である。
【００２１】このため、図示するように、上部金属膜１
０５を透過した光線がＴＦＴ１０３に入射することが発
生しており、ＴＦＴ１０３の動作特性が阻害されてい
る。これを防止するためには、上部金属膜１０５の膜厚
を増大させれば良いが、これでは平坦化層１０６の表面
の平滑性が悪化して開口率が低下することになる。
０５を透過した光線がＴＦＴ１０３に入射することが発
生しており、ＴＦＴ１０３の動作特性が阻害されてい
る。これを防止するためには、上部金属膜１０５の膜厚
を増大させれば良いが、これでは平坦化層１０６の表面
の平滑性が悪化して開口率が低下することになる。
【００２２】また、ＴＦＴ１０３の上方に位置するデー
タ電極１０４もアルミニウムからなるため、入射する光
線を良好に反射するが透過を良好に遮断することは困難
である。下部遮光膜１０２は、その上部に位置するＴＦ
Ｔ１０３の製造過程で高温に加熱されるため、高耐熱性
で低透光性のＷＳiで形成されているが、このＷＳiは入
射する光線を良好に反射する。
タ電極１０４もアルミニウムからなるため、入射する光
線を良好に反射するが透過を良好に遮断することは困難
である。下部遮光膜１０２は、その上部に位置するＴＦ
Ｔ１０３の製造過程で高温に加熱されるため、高耐熱性
で低透光性のＷＳiで形成されているが、このＷＳiは入
射する光線を良好に反射する。
【００２３】このため、下方の透明基板１０１の下面で
反射されて斜め上方に向かう迷光が、上部金属膜１０５
やデータ電極１０４の下面と下部遮光膜１０２の上面と
で多重反射されてＴＦＴ１０３に入射することも発生し
ており、これもＴＦＴ１０３の動作特性を阻害してい
る。
反射されて斜め上方に向かう迷光が、上部金属膜１０５
やデータ電極１０４の下面と下部遮光膜１０２の上面と
で多重反射されてＴＦＴ１０３に入射することも発生し
ており、これもＴＦＴ１０３の動作特性を阻害してい
る。
【００２４】本発明は上述のような課題に鑑みてなされ
たものであり、薄膜トランジスタに光線が入射すること
が良好に防止されている透過液晶パネル、この透過液晶
パネルを利用して画像を良好に表示する画像表示装置、
薄膜トランジスタに光線が入射することが良好に防止さ
れている透過液晶パネルを製造するパネル製造方法、の
少なくとも一つを提供することを目的とする。
たものであり、薄膜トランジスタに光線が入射すること
が良好に防止されている透過液晶パネル、この透過液晶
パネルを利用して画像を良好に表示する画像表示装置、
薄膜トランジスタに光線が入射することが良好に防止さ
れている透過液晶パネルを製造するパネル製造方法、の
少なくとも一つを提供することを目的とする。
【００２５】
【課題を解決するための手段】本発明の第一の透過液晶
パネルは、絶縁性の透明基板より上方に、高耐熱性かつ
低透光性の下部遮光膜と、データ電極とゲート電極とド
レイン電極とが接続されている薄膜トランジスタと、前
記データ電極をシールドする高反射性の上部金属膜と、
上面が平坦化されている平坦化層と、前記薄膜トランジ
スタのドレイン電極に接続されている個別電極と、この
個別電極を介して前記薄膜トランジスタにより駆動され
る封入液晶と、この封入液晶を介して前記個別電極と対
向している共通電極と、この共通電極が下面に形成され
ていて前記封入液晶を封入している透明な対向基板と、
が少なくとも順番に位置しており、上方から下方に光線
が透過される透過液晶パネルであって、前記上部金属膜
より低透光性かつ低反射性の光遮断膜が前記上部金属膜
の下面に同一パターンで直接に積層されており、前記下
部遮光膜より低反射性かつ高耐熱性の光吸収膜が前記下
部遮光膜の上面に同一パターンで直接に積層されてお
り、前記上部金属膜および前記光遮断膜が前記下部遮光
膜および前記光吸収膜より幅広に形成されている。
パネルは、絶縁性の透明基板より上方に、高耐熱性かつ
低透光性の下部遮光膜と、データ電極とゲート電極とド
レイン電極とが接続されている薄膜トランジスタと、前
記データ電極をシールドする高反射性の上部金属膜と、
上面が平坦化されている平坦化層と、前記薄膜トランジ
スタのドレイン電極に接続されている個別電極と、この
個別電極を介して前記薄膜トランジスタにより駆動され
る封入液晶と、この封入液晶を介して前記個別電極と対
向している共通電極と、この共通電極が下面に形成され
ていて前記封入液晶を封入している透明な対向基板と、
が少なくとも順番に位置しており、上方から下方に光線
が透過される透過液晶パネルであって、前記上部金属膜
より低透光性かつ低反射性の光遮断膜が前記上部金属膜
の下面に同一パターンで直接に積層されており、前記下
部遮光膜より低反射性かつ高耐熱性の光吸収膜が前記下
部遮光膜の上面に同一パターンで直接に積層されてお
り、前記上部金属膜および前記光遮断膜が前記下部遮光
膜および前記光吸収膜より幅広に形成されている。
【００２６】従って、本発明の透過液晶パネルでは、封
入液晶の透光性の有無が薄膜トランジスタにより制御さ
れるので、透光性の画像をアクティブマトリクス方式で
生成することができ、上方から下方に透過される光線を
画像に対応した状態に規制することができる。薄膜トラ
ンジスタの上方には上部金属膜が位置しているので、薄
膜トランジスタに上方から入射する光線が上部金属膜に
より制限されている。ただし、この上部金属膜を透過す
る光線も発生するが、この上部金属膜の下面には光遮断
膜が位置している。この光遮断膜は低透光性なので、上
部金属膜を透過して薄膜トランジスタに向かう光線が遮
光される。さらに、光遮断膜は低反射性なので、上部金
属膜を透過した光線が光遮断膜の上面と上部金属膜の下
面とで多重反射されて迷光となることも防止されてい
る。また、薄膜トランジスタの下方には高耐熱性かつ低
透光性の下部遮光膜が位置しているので、透明基板の下
面などで反射された光線が薄膜トランジスタに直接に入
射することが下部遮光膜により防止されている。ただ
し、下部遮光膜は光線を良好に反射するため、透明基板
の下面などで反射された光線が上部金属膜の下面で反射
されて下部遮光膜の上面に入射すると、これが薄膜トラ
ンジスタまで到達する迷光となることがある。しかし、
上部金属膜の下面には光遮断膜が位置しており、下部遮
光膜の上面には光吸収膜が位置している。このため、光
遮断膜の下面や下部遮光膜の上面で反射された光線は光
吸収膜や光遮断膜に入射するが、この光吸収膜と光遮断
膜とは低反射性で入射する光線を減衰するので、多重反
射により迷光が発生することが防止されている。しか
も、光線が下部遮光膜の上面で反射されることが光吸収
膜により確実に防止され、製造過程では光吸収膜と下部
遮光膜とが同時にパターニングされる。さらに、光線が
上部金属膜の下面で反射されることが光遮断膜により確
実に防止され、製造過程では上部金属膜と光遮断膜とが
同時にパターニングされる。
入液晶の透光性の有無が薄膜トランジスタにより制御さ
れるので、透光性の画像をアクティブマトリクス方式で
生成することができ、上方から下方に透過される光線を
画像に対応した状態に規制することができる。薄膜トラ
ンジスタの上方には上部金属膜が位置しているので、薄
膜トランジスタに上方から入射する光線が上部金属膜に
より制限されている。ただし、この上部金属膜を透過す
る光線も発生するが、この上部金属膜の下面には光遮断
膜が位置している。この光遮断膜は低透光性なので、上
部金属膜を透過して薄膜トランジスタに向かう光線が遮
光される。さらに、光遮断膜は低反射性なので、上部金
属膜を透過した光線が光遮断膜の上面と上部金属膜の下
面とで多重反射されて迷光となることも防止されてい
る。また、薄膜トランジスタの下方には高耐熱性かつ低
透光性の下部遮光膜が位置しているので、透明基板の下
面などで反射された光線が薄膜トランジスタに直接に入
射することが下部遮光膜により防止されている。ただ
し、下部遮光膜は光線を良好に反射するため、透明基板
の下面などで反射された光線が上部金属膜の下面で反射
されて下部遮光膜の上面に入射すると、これが薄膜トラ
ンジスタまで到達する迷光となることがある。しかし、
上部金属膜の下面には光遮断膜が位置しており、下部遮
光膜の上面には光吸収膜が位置している。このため、光
遮断膜の下面や下部遮光膜の上面で反射された光線は光
吸収膜や光遮断膜に入射するが、この光吸収膜と光遮断
膜とは低反射性で入射する光線を減衰するので、多重反
射により迷光が発生することが防止されている。しか
も、光線が下部遮光膜の上面で反射されることが光吸収
膜により確実に防止され、製造過程では光吸収膜と下部
遮光膜とが同時にパターニングされる。さらに、光線が
上部金属膜の下面で反射されることが光遮断膜により確
実に防止され、製造過程では上部金属膜と光遮断膜とが
同時にパターニングされる。
【００２７】
【００２８】
【００２９】
【００３０】
【００３１】
【００３２】
【００３３】上述のような透過液晶パネルにおいて、前
記光遮断膜が導電性を有していることも可能である。こ
の場合、光遮断膜も上部金属膜と同様に導電性を発生す
るので、上部金属膜と光遮断膜とがデータ電極をシール
ドする。
記光遮断膜が導電性を有していることも可能である。こ
の場合、光遮断膜も上部金属膜と同様に導電性を発生す
るので、上部金属膜と光遮断膜とがデータ電極をシール
ドする。
【００３４】本発明の画像表示装置は、光線を出射する
光源と、この光源が出射する光線が透過する位置に配置
された本発明の透過液晶パネルと、この透過液晶パネル
を透過した光線が照射されるスクリーンと、を具備して
いる。従って、本発明の画像表示装置では、光源が出射
する光線が透過液晶パネルを透過してスクリーンに照射
されるので、透過液晶パネルがアクティブマトリクス方
式で生成するドットマトリクスの画像がスクリーンに表
示される。
光源と、この光源が出射する光線が透過する位置に配置
された本発明の透過液晶パネルと、この透過液晶パネル
を透過した光線が照射されるスクリーンと、を具備して
いる。従って、本発明の画像表示装置では、光源が出射
する光線が透過液晶パネルを透過してスクリーンに照射
されるので、透過液晶パネルがアクティブマトリクス方
式で生成するドットマトリクスの画像がスクリーンに表
示される。
【００３５】本発明のパネル製造方法は、本発明の透過
液晶パネルを製造するパネル製造方法であって、透明基
板の表面に下地絶縁膜を形成し、この下地絶縁膜の上面
に第一機能層を成膜し、この第一機能層の上面に第二機
能層を成膜し、この第二機能層と第一機能層とを同時に
パターニングして下部遮光膜と光吸収膜とを同一パター
ンに形成し、層間絶縁膜を形成し、この層間絶縁膜の表
面にポリシリコン層を形成し、このポリシリコン層の上
面にデータ電極とゲート電極とドレイン電極とが接続さ
れている薄膜トランジスタを形成し、データ電極の上方
に層間絶縁膜を成膜し、この層間絶縁膜の上面に第三機
能層を成膜し、この第三機能層の上面に第四機能層を成
膜し、この第四機能層と第三機能層とを同時にパターニ
ングして光遮断膜と上部金属膜とを同一パターンに形成
する。従って、本発明のパネル製造方法では、下部遮光
膜の上面に光吸収膜が直接に積層され、下部遮光膜と光
吸収膜とが同一のパターンに形成される。また、上部金
属膜の下面に光遮断膜が直接に積層され、上部金属膜と
光吸収膜とが同一のパターンに形成される。
液晶パネルを製造するパネル製造方法であって、透明基
板の表面に下地絶縁膜を形成し、この下地絶縁膜の上面
に第一機能層を成膜し、この第一機能層の上面に第二機
能層を成膜し、この第二機能層と第一機能層とを同時に
パターニングして下部遮光膜と光吸収膜とを同一パター
ンに形成し、層間絶縁膜を形成し、この層間絶縁膜の表
面にポリシリコン層を形成し、このポリシリコン層の上
面にデータ電極とゲート電極とドレイン電極とが接続さ
れている薄膜トランジスタを形成し、データ電極の上方
に層間絶縁膜を成膜し、この層間絶縁膜の上面に第三機
能層を成膜し、この第三機能層の上面に第四機能層を成
膜し、この第四機能層と第三機能層とを同時にパターニ
ングして光遮断膜と上部金属膜とを同一パターンに形成
する。従って、本発明のパネル製造方法では、下部遮光
膜の上面に光吸収膜が直接に積層され、下部遮光膜と光
吸収膜とが同一のパターンに形成される。また、上部金
属膜の下面に光遮断膜が直接に積層され、上部金属膜と
光吸収膜とが同一のパターンに形成される。
【００３６】
【００３７】なお、本発明では、透過液晶パネルの各種
層膜の積層方向において回路側を下方と呼称するととも
に液晶側を上方と呼称しているが、これは説明を簡略化
するために便宜的に使用しているものであり、実際の装
置の製造時や使用時の方向を限定するものではない。
層膜の積層方向において回路側を下方と呼称するととも
に液晶側を上方と呼称しているが、これは説明を簡略化
するために便宜的に使用しているものであり、実際の装
置の製造時や使用時の方向を限定するものではない。
【００３８】
【発明の実施の形態】本発明の実施の一形態を図１ない
し図９を参照して以下に説明する。ただし、本実施の形
態に関して前述した一従来例と同一の部分は、同一の名
称を使用して詳細な説明は省略する。また、本実施の形
態では、透過液晶パネルの各種層膜の積層方向において
回路側を下方と呼称するとともに液晶側を上方と呼称す
るが、これは説明を簡略化するために便宜的に使用する
ものであり、実際の装置の製造時や使用時の方向を限定
するものではない。
し図９を参照して以下に説明する。ただし、本実施の形
態に関して前述した一従来例と同一の部分は、同一の名
称を使用して詳細な説明は省略する。また、本実施の形
態では、透過液晶パネルの各種層膜の積層方向において
回路側を下方と呼称するとともに液晶側を上方と呼称す
るが、これは説明を簡略化するために便宜的に使用する
ものであり、実際の装置の製造時や使用時の方向を限定
するものではない。
【００３９】なお、図１は本発明の透過液晶パネルの実
施の一形態である液晶ライトバルブの回路部分の積層構
造を示し、(ａ)は平面図、(ｂ)は(ａ)のＡＡ′断面を示
す断面図、図２は画素部分を示す平面図、図３は画像表
示装置の全体構造を示す模式図、図４は三個の液晶ライ
トバルブの生成画像と一つの表示画像との関係を示す模
式図、図５はパネル製造方法の第一段階を示し、(ａ)は
図１(ａ)のＡＡ′断面を示す断面図、(ｂ)はＢＢ′断面
を示す断面図、図６は同様に第二段階を示す断面図、図
７は同様に第三段階を示す断面図、図８は同様に最終段
階を示す断面図、図９は光照射強度とリーク電流との関
係を示す特性図、である。
施の一形態である液晶ライトバルブの回路部分の積層構
造を示し、(ａ)は平面図、(ｂ)は(ａ)のＡＡ′断面を示
す断面図、図２は画素部分を示す平面図、図３は画像表
示装置の全体構造を示す模式図、図４は三個の液晶ライ
トバルブの生成画像と一つの表示画像との関係を示す模
式図、図５はパネル製造方法の第一段階を示し、(ａ)は
図１(ａ)のＡＡ′断面を示す断面図、(ｂ)はＢＢ′断面
を示す断面図、図６は同様に第二段階を示す断面図、図
７は同様に第三段階を示す断面図、図８は同様に最終段
階を示す断面図、図９は光照射強度とリーク電流との関
係を示す特性図、である。
【００４０】本発明の透過液晶パネルの実施の一形態で
ある液晶ライトバルブ２００は、一従来例として前述し
た液晶ライトバルブ１００と同様に、透明基板２０１、
多数の下部遮光膜２０２、多数の薄膜トランジスタであ
るＴＦＴ２０３、複数のデータ電極２０４、複数のゲー
ト電極２０５、複数のドレイン電極２０６、複数の上部
金属膜２０７、平坦化層２０８、多数の個別電極２０
９、封入液晶２１０、共通電極２１１、対向基板２１
２、等を主要部分として具備している。
ある液晶ライトバルブ２００は、一従来例として前述し
た液晶ライトバルブ１００と同様に、透明基板２０１、
多数の下部遮光膜２０２、多数の薄膜トランジスタであ
るＴＦＴ２０３、複数のデータ電極２０４、複数のゲー
ト電極２０５、複数のドレイン電極２０６、複数の上部
金属膜２０７、平坦化層２０８、多数の個別電極２０
９、封入液晶２１０、共通電極２１１、対向基板２１
２、等を主要部分として具備している。
【００４１】ただし、本実施の形態の液晶ライトバルブ
２００は、前述した液晶ライトバルブ１００とは相違し
て、図１に示すように、下部遮光膜２０２の上面には光
吸収膜２１５が位置しており、上部金属膜２０７の下面
には光遮断膜２１６が位置している。
２００は、前述した液晶ライトバルブ１００とは相違し
て、図１に示すように、下部遮光膜２０２の上面には光
吸収膜２１５が位置しており、上部金属膜２０７の下面
には光遮断膜２１６が位置している。
【００４２】より詳細には、図８に示すように、透明基
板２０１は絶縁性のガラス基板からなり、その上面には
下地絶縁膜２２１が一様に積層されている。下部遮光膜
２０２は、高耐熱性かつ低透光性のＷＳiからなり、下
地絶縁膜２２１の上面に積層されている。
板２０１は絶縁性のガラス基板からなり、その上面には
下地絶縁膜２２１が一様に積層されている。下部遮光膜
２０２は、高耐熱性かつ低透光性のＷＳiからなり、下
地絶縁膜２２１の上面に積層されている。
【００４３】下部遮光膜２０２は、150(nm)の膜厚に形
成されており、下側から斜め上方への迷光から多数のＴ
ＦＴ２０３を個々に遮光するパターンに形成されてい
る。光吸収膜２１５は、低反射性かつ高耐熱性のａ-Ｓi
からなり、下部遮光膜２０２の上面に直接に積層されて
いる。この光吸収膜２１５は、50(nm)の膜厚に形成され
ており、下部遮光膜２０２と同一パターンに形成されて
いる。
成されており、下側から斜め上方への迷光から多数のＴ
ＦＴ２０３を個々に遮光するパターンに形成されてい
る。光吸収膜２１５は、低反射性かつ高耐熱性のａ-Ｓi
からなり、下部遮光膜２０２の上面に直接に積層されて
いる。この光吸収膜２１５は、50(nm)の膜厚に形成され
ており、下部遮光膜２０２と同一パターンに形成されて
いる。
【００４４】ＴＦＴ２０３は、層間絶縁膜２２２を介し
て光吸収膜２１５の上方に位置しており、各種電極２０
４〜２０６が接続されている。つまり、図２に示すよう
に、複数のデータ電極２０４および複数のゲート電極２
０５で行列電極が形成されており、その交点の位置に多
数のＴＦＴ２０３が個々に配列されている。
て光吸収膜２１５の上方に位置しており、各種電極２０
４〜２０６が接続されている。つまり、図２に示すよう
に、複数のデータ電極２０４および複数のゲート電極２
０５で行列電極が形成されており、その交点の位置に多
数のＴＦＴ２０３が個々に配列されている。
【００４５】より詳細には、ゲート電極２０５は、左右
方向に連通するパターンの金属層からなり、ＴＦＴ２０
３の中央上面にゲート絶縁膜２２３を介して対向してい
る。データ電極２０４は、前後方向に連通するパターン
のアルミニウム層からなり、層間絶縁膜２２４を介して
ＴＦＴ２０３より上方に配置されている。
方向に連通するパターンの金属層からなり、ＴＦＴ２０
３の中央上面にゲート絶縁膜２２３を介して対向してい
る。データ電極２０４は、前後方向に連通するパターン
のアルミニウム層からなり、層間絶縁膜２２４を介して
ＴＦＴ２０３より上方に配置されている。
【００４６】ドレイン電極２０６は、ゲート絶縁膜２２
３の上面に形成されており、データ電極２０４とドレイ
ン電極２０６とはコンタクトホール２２５，２２６を介
してＴＦＴ２０３の両端のソース領域とドレイン領域と
に各々接続されているので、このＴＦＴ２０３の両端部
分と中央部分との境界にＬＤＤ領域２２７が形成されて
いる。
３の上面に形成されており、データ電極２０４とドレイ
ン電極２０６とはコンタクトホール２２５，２２６を介
してＴＦＴ２０３の両端のソース領域とドレイン領域と
に各々接続されているので、このＴＦＴ２０３の両端部
分と中央部分との境界にＬＤＤ領域２２７が形成されて
いる。
【００４７】データ電極２０４の上方には、層間絶縁膜
２２８を介して光遮断膜２１６が位置しており、この光
遮断膜２１６の上面には上部金属膜２０７が直接に積層
されている。光遮断膜２１６は、上部金属膜２０７より
低透光性かつ低反射性で導電性のＴｉからなり、50(nm)
の膜厚に形成されている。上部金属膜２０７は、高反射
性のアルミニウムで500(nm)の膜厚に形成されており、
ここでは光遮断膜２１６と上部金属膜２０７とが、デー
タ電極２０４をシールドする同一のパターンに形成され
ている。
２２８を介して光遮断膜２１６が位置しており、この光
遮断膜２１６の上面には上部金属膜２０７が直接に積層
されている。光遮断膜２１６は、上部金属膜２０７より
低透光性かつ低反射性で導電性のＴｉからなり、50(nm)
の膜厚に形成されている。上部金属膜２０７は、高反射
性のアルミニウムで500(nm)の膜厚に形成されており、
ここでは光遮断膜２１６と上部金属膜２０７とが、デー
タ電極２０４をシールドする同一のパターンに形成され
ている。
【００４８】平坦化層２０８は、ポリイミド等の絶縁性
の有機樹脂で上部金属膜２０７上に積層されており、そ
の表面が平坦に形成されている。多数の個別電極２０９
は、平坦化層２０８の上面に表示画素ごとに形成された
多数のＩＴＯ層からなり、コンタクトホール２２９を介
して多数のＴＦＴ２０３に個々に接続されている。
の有機樹脂で上部金属膜２０７上に積層されており、そ
の表面が平坦に形成されている。多数の個別電極２０９
は、平坦化層２０８の上面に表示画素ごとに形成された
多数のＩＴＯ層からなり、コンタクトホール２２９を介
して多数のＴＦＴ２０３に個々に接続されている。
【００４９】対向基板２１２も、無色透明な絶縁性のガ
ラス基板からなり、スペーサ部材(図示せず)などにより
平坦化層２０８の上方に所定の間隙を介して配置されて
いる。共通電極２１１もＩＴＯ層からなり、対向基板２
１２の下面に一様に形成されている。封入液晶２１０
は、平坦化層２０８と対向基板２１２との間隙に封入さ
れた液晶からなり、個別電極２０９と共通電極２１１に
より電界が印加される。
ラス基板からなり、スペーサ部材(図示せず)などにより
平坦化層２０８の上方に所定の間隙を介して配置されて
いる。共通電極２１１もＩＴＯ層からなり、対向基板２
１２の下面に一様に形成されている。封入液晶２１０
は、平坦化層２０８と対向基板２１２との間隙に封入さ
れた液晶からなり、個別電極２０９と共通電極２１１に
より電界が印加される。
【００５０】なお、本実施の形態の液晶ライトバルブ１
００も、その外周部分に周辺回路(図示せず)が形成され
ており、この周辺回路がデータ電極２０４とゲート電極
２０５とでＴＦＴ２０３にマトリクス接続されている。
さらに、下部遮光膜２０２は接地されており、上部金属
膜２０７と光遮断膜２１６とは周辺回路の配線にも流用
されている。
００も、その外周部分に周辺回路(図示せず)が形成され
ており、この周辺回路がデータ電極２０４とゲート電極
２０５とでＴＦＴ２０３にマトリクス接続されている。
さらに、下部遮光膜２０２は接地されており、上部金属
膜２０７と光遮断膜２１６とは周辺回路の配線にも流用
されている。
【００５１】本実施の形態の液晶ライトバルブ２００
は、画像表示装置である液晶プロジェクタシステム３０
０に利用されている。この液晶プロジェクタシステム３
００は、図３に示すように、一個の光源３０１を具備し
ており、この光源３０１にコリメート光学系(図示せず)
が装着されている。
は、画像表示装置である液晶プロジェクタシステム３０
０に利用されている。この液晶プロジェクタシステム３
００は、図３に示すように、一個の光源３０１を具備し
ており、この光源３０１にコリメート光学系(図示せず)
が装着されている。
【００５２】この光源３０１は、コリメート光学系が装
着されているので、光線を平行光束として出射する。こ
のコリメート光学系を介した光源３０１の光路には、ハ
ーフミラーや反射ミラーからなる分離光学系３０２が順
番に配置されており、この分離光学系３０２は、光路を
三つに分離する。
着されているので、光線を平行光束として出射する。こ
のコリメート光学系を介した光源３０１の光路には、ハ
ーフミラーや反射ミラーからなる分離光学系３０２が順
番に配置されており、この分離光学系３０２は、光路を
三つに分離する。
【００５３】この分離光学系３０２の三つの光路には、
三個の液晶ライトバルブ２００Ｒ，２００Ｇ，２００Ｂ
が一個ずつ配置されており、これらの各々にはＲＧＢ(R
ed,Green,Blue)の透過フィルタ(図示せず)が装着されて
いる。これら三個の透過フィルタは、光線のＲＧＢに対
応した成分のみ透過するので、図４に示すように、三個
の液晶ライトバルブ２００Ｒ，２００Ｇ，２００Ｂは、
フルカラー画像のＲＧＢに対応した画像成分のみ生成す
る。
三個の液晶ライトバルブ２００Ｒ，２００Ｇ，２００Ｂ
が一個ずつ配置されており、これらの各々にはＲＧＢ(R
ed,Green,Blue)の透過フィルタ(図示せず)が装着されて
いる。これら三個の透過フィルタは、光線のＲＧＢに対
応した成分のみ透過するので、図４に示すように、三個
の液晶ライトバルブ２００Ｒ，２００Ｇ，２００Ｂは、
フルカラー画像のＲＧＢに対応した画像成分のみ生成す
る。
【００５４】この三個の液晶ライトバルブ２００Ｒ，２
００Ｇ，２００Ｂを個々に透過した三つの光路には、一
個のプリズムからなる合成光学系３０３が配置されてお
り、この合成光学系３０３は、三面に個々に入射される
三つの光路を一つに合成して一面から出射する。
００Ｇ，２００Ｂを個々に透過した三つの光路には、一
個のプリズムからなる合成光学系３０３が配置されてお
り、この合成光学系３０３は、三面に個々に入射される
三つの光路を一つに合成して一面から出射する。
【００５５】この合成光学系３０３から出射される一つ
の光路には結像光学系３０４を介して反射式のスクリー
ン３０５が配置されているので、結像光学系３０４は合
成光学系３０３から出射される一つの平行光束をスクリ
ーン３０５の表面に拡大して結像させる。
の光路には結像光学系３０４を介して反射式のスクリー
ン３０５が配置されているので、結像光学系３０４は合
成光学系３０３から出射される一つの平行光束をスクリ
ーン３０５の表面に拡大して結像させる。
【００５６】上述のような構成において、本実施の形態
の液晶ライトバルブ２００も、一従来例の液晶ライトバ
ルブ１００と同様に、封入液晶２１０の透光性の有無が
ＴＦＴ２０３により制御されるので、透光性の画像をア
クティブマトリクス方式で生成することができ、上方か
ら下方に透過される光線を画像に対応した状態に規制す
ることができる。
の液晶ライトバルブ２００も、一従来例の液晶ライトバ
ルブ１００と同様に、封入液晶２１０の透光性の有無が
ＴＦＴ２０３により制御されるので、透光性の画像をア
クティブマトリクス方式で生成することができ、上方か
ら下方に透過される光線を画像に対応した状態に規制す
ることができる。
【００５７】このため、本実施の形態の液晶プロジェク
タシステム３００では、図４に示すように、三個の液晶
ライトバルブ２００Ｒ，２００Ｇ，２００ＢがＲＧＢ成
分の画像を個々に生成するので、スクリーン３０５にフ
ルカラーの画像を表示することができる。
タシステム３００では、図４に示すように、三個の液晶
ライトバルブ２００Ｒ，２００Ｇ，２００ＢがＲＧＢ成
分の画像を個々に生成するので、スクリーン３０５にフ
ルカラーの画像を表示することができる。
【００５８】本実施の形態の液晶ライトバルブ２００
も、上方から下方に光線が透過されるとき、この光線が
ＬＤＤ領域２２７に入射されるとＴＦＴ２０３の動作特
性が阻害される。ＴＦＴ２０３の上方に位置する上部金
属膜２０７はアルミニウムからなるので、この上部金属
膜２０７を透過する光線も発生する。
も、上方から下方に光線が透過されるとき、この光線が
ＬＤＤ領域２２７に入射されるとＴＦＴ２０３の動作特
性が阻害される。ＴＦＴ２０３の上方に位置する上部金
属膜２０７はアルミニウムからなるので、この上部金属
膜２０７を透過する光線も発生する。
【００５９】しかし、本実施の形態の液晶ライトバルブ
２００では、上部金属膜２０７の下面に光遮断膜２１６
が位置しており、この光遮断膜２１６が上部金属膜２０
７より低透光性である。このため、図１に示すように、
上部金属膜２０７を透過してＴＦＴ２０３に向かう光線
が光遮断膜２１６により遮光されることになり、上部金
属膜２０７を透過した光線がＴＦＴ２０３のＬＤＤ領域
２２７に入射されることがない。
２００では、上部金属膜２０７の下面に光遮断膜２１６
が位置しており、この光遮断膜２１６が上部金属膜２０
７より低透光性である。このため、図１に示すように、
上部金属膜２０７を透過してＴＦＴ２０３に向かう光線
が光遮断膜２１６により遮光されることになり、上部金
属膜２０７を透過した光線がＴＦＴ２０３のＬＤＤ領域
２２７に入射されることがない。
【００６０】また、上述のように光線が液晶ライトバル
ブ２００を上方から下方に透過されるとき、この光線が
透明基板２０１の下面で内部反射されて上部金属膜２０
７やデータ電極２０４の下面に向かうこともある。
ブ２００を上方から下方に透過されるとき、この光線が
透明基板２０１の下面で内部反射されて上部金属膜２０
７やデータ電極２０４の下面に向かうこともある。
【００６１】しかし、本実施の形態の液晶ライトバルブ
２００では、前述のように上部金属膜２０７の下面に光
遮断膜２１６が位置しており、この光遮断膜２１６が上
部金属膜２０７より低反射性なので、この光遮断膜２１
６の下面に入射する光線は減衰される。
２００では、前述のように上部金属膜２０７の下面に光
遮断膜２１６が位置しており、この光遮断膜２１６が上
部金属膜２０７より低反射性なので、この光遮断膜２１
６の下面に入射する光線は減衰される。
【００６２】一方、データ電極２０４の下面に入射する
光線は良好に反射されて下部遮光膜２０２の上面に向か
うことになるが、この下部遮光膜２０２の上面には光吸
収膜２１５が位置している。この光吸収膜２１５が下部
遮光膜２０２より低反射性なので、この光吸収膜２１５
の上面に入射する光線は減衰されることになる。
光線は良好に反射されて下部遮光膜２０２の上面に向か
うことになるが、この下部遮光膜２０２の上面には光吸
収膜２１５が位置している。この光吸収膜２１５が下部
遮光膜２０２より低反射性なので、この光吸収膜２１５
の上面に入射する光線は減衰されることになる。
【００６３】このため、本実施の形態の液晶ライトバル
ブ２００では、透明基板２０１の下面で内部反射された
光線は、各部で多重反射される過程で光遮断膜２１６と
光吸収膜２１５とにより減衰されることになり、ＴＦＴ
２０３のＬＤＤ領域２２７に高強度の迷光が入射するこ
とがない。
ブ２００では、透明基板２０１の下面で内部反射された
光線は、各部で多重反射される過程で光遮断膜２１６と
光吸収膜２１５とにより減衰されることになり、ＴＦＴ
２０３のＬＤＤ領域２２７に高強度の迷光が入射するこ
とがない。
【００６４】本実施の形態の液晶ライトバルブ２００
は、上述のようにＴＦＴ２０３のＬＤＤ領域２２７に光
線が入射することが良好に防止されているので、ＴＦＴ
２０３が安定に動作することができ、本実施の形態の液
晶プロジェクタシステム３００は、カラー画像を良好な
品質で表示することができる。
は、上述のようにＴＦＴ２０３のＬＤＤ領域２２７に光
線が入射することが良好に防止されているので、ＴＦＴ
２０３が安定に動作することができ、本実施の形態の液
晶プロジェクタシステム３００は、カラー画像を良好な
品質で表示することができる。
【００６５】特に、本実施の形態の液晶ライトバルブ２
００では、光吸収膜２１５が下部遮光膜２０２の上面に
同一パターンで直接に積層されているので、光線が下部
遮光膜２０２の上面で反射されることを光吸収膜２１５
により確実に防止することができ、その製造過程では光
吸収膜２１５と下部遮光膜２０２とを同時にパターニン
グすることができる。
００では、光吸収膜２１５が下部遮光膜２０２の上面に
同一パターンで直接に積層されているので、光線が下部
遮光膜２０２の上面で反射されることを光吸収膜２１５
により確実に防止することができ、その製造過程では光
吸収膜２１５と下部遮光膜２０２とを同時にパターニン
グすることができる。
【００６６】また、光遮断膜２１６が上部金属膜２０７
の下面に同一パターンで直接に積層されているので、光
線が上部金属膜２０７の下面で反射されることを光遮断
膜２１６により確実に防止することができ、その製造過
程では上部金属膜２０７と光遮断膜２１６とを同時にパ
ターニングすることができる。
の下面に同一パターンで直接に積層されているので、光
線が上部金属膜２０７の下面で反射されることを光遮断
膜２１６により確実に防止することができ、その製造過
程では上部金属膜２０７と光遮断膜２１６とを同時にパ
ターニングすることができる。
【００６７】また、上部金属膜２０７はデータ電極２０
４をシールドするとともに周辺回路の配線として利用さ
れているが、この上部金属膜２０７に直接に積層されて
いる光遮断膜２１６も導電性を有している。このため、
上部金属膜２０７と光遮断膜２１６とがデータ電極２０
４を良好にシールドすることができ、上部金属膜２０７
と光遮断膜２１６とが周辺回路の低抵抗の配線として機
能することができる。
４をシールドするとともに周辺回路の配線として利用さ
れているが、この上部金属膜２０７に直接に積層されて
いる光遮断膜２１６も導電性を有している。このため、
上部金属膜２０７と光遮断膜２１６とがデータ電極２０
４を良好にシールドすることができ、上部金属膜２０７
と光遮断膜２１６とが周辺回路の低抵抗の配線として機
能することができる。
【００６８】ここで、本実施の形態の液晶ライトバルブ
２００を製造する方法を以下に説明する。まず、透明基
板２０１を用意し、図５(ａ)に示すように、この透明基
板２０１の表面にＬＰＣＶＤ(Low Pressure Chemical V
apor Deposition)法によりＳiＯ2の下地絶縁膜２２１を
膜厚500(nm)に形成する。この下地絶縁膜２２１は、透
明基板２０１から各種層膜への不純物の混入を防止する
ものであり、この機能を実現する適当な膜厚に形成され
る。
２００を製造する方法を以下に説明する。まず、透明基
板２０１を用意し、図５(ａ)に示すように、この透明基
板２０１の表面にＬＰＣＶＤ(Low Pressure Chemical V
apor Deposition)法によりＳiＯ2の下地絶縁膜２２１を
膜厚500(nm)に形成する。この下地絶縁膜２２１は、透
明基板２０１から各種層膜への不純物の混入を防止する
ものであり、この機能を実現する適当な膜厚に形成され
る。
【００６９】さらに、この下地絶縁膜２２１の上面に、
スパッタリング法により膜厚150(nm)のＷＳi層４０１を
高耐熱性かつ低透光性の第一機能層として成膜し、この
ＷＳi層４０１の上面に、プラズマＣＶＤ法により膜厚5
0(nm)のａ-Ｓi層４０２を低反射性の第二機能層として
成膜する。
スパッタリング法により膜厚150(nm)のＷＳi層４０１を
高耐熱性かつ低透光性の第一機能層として成膜し、この
ＷＳi層４０１の上面に、プラズマＣＶＤ法により膜厚5
0(nm)のａ-Ｓi層４０２を低反射性の第二機能層として
成膜する。
【００７０】そして、ａ-Ｓi層４０２の上面にフォトレ
ジストで所定パターンのマスクを形成してからドライエ
ッチングを実行し、同図(ｂ)に示すように、ａ-Ｓi層４
０２とＷＳi層４０１とを同時にパターニングして下部
遮光膜２０２と光吸収膜２１５とを同一パターンに形成
する。なお、下部遮光膜２０２は、後述するＴＦＴ２０
３のアニールの温度に耐える材料により、ＴＦＴ２０３
を遮光できる膜厚に形成されれば良い。
ジストで所定パターンのマスクを形成してからドライエ
ッチングを実行し、同図(ｂ)に示すように、ａ-Ｓi層４
０２とＷＳi層４０１とを同時にパターニングして下部
遮光膜２０２と光吸収膜２１５とを同一パターンに形成
する。なお、下部遮光膜２０２は、後述するＴＦＴ２０
３のアニールの温度に耐える材料により、ＴＦＴ２０３
を遮光できる膜厚に形成されれば良い。
【００７１】上述のように下部遮光膜２０２をＷＳiで
形成する場合、その膜厚は100(nm)以上であれば必要最
低限の遮光性を実現できるが、160(nm)以上が好ましく5
00(nm)以下で充分である。また、下部遮光膜２０２と光
吸収膜２１５とは、ＴＦＴ２０３のＬＤＤ領域２２７を
良好に遮光するため、その中心からチャネル長の方向に
2.5(μm)ほどの範囲をカバーする形状にパターニングさ
れる。
形成する場合、その膜厚は100(nm)以上であれば必要最
低限の遮光性を実現できるが、160(nm)以上が好ましく5
00(nm)以下で充分である。また、下部遮光膜２０２と光
吸収膜２１５とは、ＴＦＴ２０３のＬＤＤ領域２２７を
良好に遮光するため、その中心からチャネル長の方向に
2.5(μm)ほどの範囲をカバーする形状にパターニングさ
れる。
【００７２】つぎに、同図(ｃ)に示すように、ＴＥＯＳ
を原料とした常圧ＣＶＤ法によりＳiＯ2の層間絶縁膜２
２２を膜厚1000(nm)に形成する。この層間絶縁膜２２２
の膜厚は、導電性の下部遮光膜２０２をＴＦＴ２０３の
バックゲートとして作用させないために500(nm)以上と
することが好適であり、2000(nm)以下で充分である。
を原料とした常圧ＣＶＤ法によりＳiＯ2の層間絶縁膜２
２２を膜厚1000(nm)に形成する。この層間絶縁膜２２２
の膜厚は、導電性の下部遮光膜２０２をＴＦＴ２０３の
バックゲートとして作用させないために500(nm)以上と
することが好適であり、2000(nm)以下で充分である。
【００７３】つぎに、層間絶縁膜２２２の表面にＬＰＣ
ＶＤ法により微量のボロンが含有されたａ-Ｓi層(図示
せず)を膜厚75(nm)に形成し、これを常温で強度400(mJ)
のエキシマレーザの照射により結晶化させてポリシリコ
ン層(図示せず)を形成する。なお、ボロンが含有された
ａ-Ｓi層を形成するには、ａ-Ｓiの成膜時にボロンを同
時に気相ドープし、ドーズ量を１Ｅ−１７〜５Ｅ−１７
／cm3程度とする。
ＶＤ法により微量のボロンが含有されたａ-Ｓi層(図示
せず)を膜厚75(nm)に形成し、これを常温で強度400(mJ)
のエキシマレーザの照射により結晶化させてポリシリコ
ン層(図示せず)を形成する。なお、ボロンが含有された
ａ-Ｓi層を形成するには、ａ-Ｓiの成膜時にボロンを同
時に気相ドープし、ドーズ量を１Ｅ−１７〜５Ｅ−１７
／cm3程度とする。
【００７４】さらに、このポリシリコン層の上面にＬＰ
ＣＶＤ法によりＳiＯ2のゲート絶縁膜２２３の第一層
(図示せず)を膜厚10(nm)に形成し、この第一層とポリシ
リコン層とをフォトリソグラフィとエッチングによりア
イランド状にパターニングしてＴＦＴ２０３の活性層４
０３を形成する。
ＣＶＤ法によりＳiＯ2のゲート絶縁膜２２３の第一層
(図示せず)を膜厚10(nm)に形成し、この第一層とポリシ
リコン層とをフォトリソグラフィとエッチングによりア
イランド状にパターニングしてＴＦＴ２０３の活性層４
０３を形成する。
【００７５】つぎに、ゲート絶縁膜２２３の第一層の上
面にフォトレジストで所定パターンのマスクを形成し、
ここにリンＰを加速電圧30(keV)でドーズ量３Ｅ＋１５a
toms／cm3まで導入し、ＴＦＴ２０３の活性層４０３に
ソース／ドレイン領域を形成する。
面にフォトレジストで所定パターンのマスクを形成し、
ここにリンＰを加速電圧30(keV)でドーズ量３Ｅ＋１５a
toms／cm3まで導入し、ＴＦＴ２０３の活性層４０３に
ソース／ドレイン領域を形成する。
【００７６】さらに、ＴＥＯＳを原料とした常圧ＣＶＤ
法によりＳiＯ2の第二層(図示せず)を膜厚90(nm)に形成
し、図６(ａ)に示すように、この第二層と前述の第一層
とでゲート絶縁膜２２３を形成する。その上面にｎ+単
結晶シリコン(uc-ｎ+Ｓi)を膜厚70(nm)に成膜してから
スパッタリング法によりＷＳiを膜厚100(nm)に成膜し、
これらを同一形状にパターニングしてゲート電極２０５
を形成する。そして、このゲート電極２０５をマスクと
してイオン注入を実行することにより、ＴＦＴ２０３の
活性層４０３にＬＤＤ領域２２７を形成する。
法によりＳiＯ2の第二層(図示せず)を膜厚90(nm)に形成
し、図６(ａ)に示すように、この第二層と前述の第一層
とでゲート絶縁膜２２３を形成する。その上面にｎ+単
結晶シリコン(uc-ｎ+Ｓi)を膜厚70(nm)に成膜してから
スパッタリング法によりＷＳiを膜厚100(nm)に成膜し、
これらを同一形状にパターニングしてゲート電極２０５
を形成する。そして、このゲート電極２０５をマスクと
してイオン注入を実行することにより、ＴＦＴ２０３の
活性層４０３にＬＤＤ領域２２７を形成する。
【００７７】つぎに、同図(ｂ)に示すように、ゲート絶
縁膜２２３に活性層４０３の一端まで到達するコンタク
トホール２２６をフォトリソグラフィ技術で形成してか
らチタンやアルミニウムなどで金属層(図示せず)を成膜
し、この金属層をドライエッチングでパターニングして
ドレイン電極２０６を形成する。
縁膜２２３に活性層４０３の一端まで到達するコンタク
トホール２２６をフォトリソグラフィ技術で形成してか
らチタンやアルミニウムなどで金属層(図示せず)を成膜
し、この金属層をドライエッチングでパターニングして
ドレイン電極２０６を形成する。
【００７８】同様に、層間絶縁膜２２４を成膜してから
活性層４０３の他端まで到達するコンタクトホール２２
５をフォトリソグラフィ技術で形成し、スパッタリング
法によりチタンやアルミニウムなどで金属層(図示せず)
を膜厚500(nm)に成膜し、この金属層をドライエッチン
グでパターニングしてデータ電極２０４を形成する。
活性層４０３の他端まで到達するコンタクトホール２２
５をフォトリソグラフィ技術で形成し、スパッタリング
法によりチタンやアルミニウムなどで金属層(図示せず)
を膜厚500(nm)に成膜し、この金属層をドライエッチン
グでパターニングしてデータ電極２０４を形成する。
【００７９】これでＴＦＴ２０３が完成するので、図７
(ａ)に示すように、データ電極２０４の上方に層間絶縁
膜２２８を成膜し、この層間絶縁膜２２８の上面にスパ
ッタリング法により膜厚50(nm)のチタン層４０４を低透
光性かつ低反射性の第三機能層として成膜する。
(ａ)に示すように、データ電極２０４の上方に層間絶縁
膜２２８を成膜し、この層間絶縁膜２２８の上面にスパ
ッタリング法により膜厚50(nm)のチタン層４０４を低透
光性かつ低反射性の第三機能層として成膜する。
【００８０】さらに、このチタン層４０４の上面にスパ
ッタリング法により膜厚300(nm)のアルミニウム層４０
５を高反射性の第四機能層として成膜し、同図(ｂ)に示
すように、これらの金属層４０４，４０５をフォトリソ
グラフィ技術により同時にパターニングして光遮断膜２
１６と上部金属膜２０７とを同一パターンに形成する。
ッタリング法により膜厚300(nm)のアルミニウム層４０
５を高反射性の第四機能層として成膜し、同図(ｂ)に示
すように、これらの金属層４０４，４０５をフォトリソ
グラフィ技術により同時にパターニングして光遮断膜２
１６と上部金属膜２０７とを同一パターンに形成する。
【００８１】つぎに、ポリイミド等の有機樹脂で膜厚1.
0(μm)の平坦化層２０８を成膜してから、ドライエッチ
ングでドレイン電極２０６まで到達するコンタクトホー
ル２０８を形成し、ＩＴＯ層(図示せず)を成膜してから
表示画素の形状にパターニングして個別電極２０９を形
成する。
0(μm)の平坦化層２０８を成膜してから、ドライエッチ
ングでドレイン電極２０６まで到達するコンタクトホー
ル２０８を形成し、ＩＴＯ層(図示せず)を成膜してから
表示画素の形状にパターニングして個別電極２０９を形
成する。
【００８２】以後は従来と同様に、パッシベーションの
形成などを実行することで回路パネル４１０が完成する
ので、これにスペーサ(図示せず)と対向基板２１２とを
順番に接合し、対向基板２１２の下面と回路パネル４１
０の上面との間隙に封入液晶２１０を注入することで液
晶ライトバルブ２００が完成する。
形成などを実行することで回路パネル４１０が完成する
ので、これにスペーサ(図示せず)と対向基板２１２とを
順番に接合し、対向基板２１２の下面と回路パネル４１
０の上面との間隙に封入液晶２１０を注入することで液
晶ライトバルブ２００が完成する。
【００８３】上述の方法では、下部遮光膜２０２と光吸
収膜２１５とを一度に同一形状にパターニングすること
ができ、上部金属膜２０７と光遮断膜２１６とを一度に
同一形状にパターニングすることができるので、本実施
の形態の液晶ライトバルブ２００の構造を簡単に製造す
ることができる。
収膜２１５とを一度に同一形状にパターニングすること
ができ、上部金属膜２０７と光遮断膜２１６とを一度に
同一形状にパターニングすることができるので、本実施
の形態の液晶ライトバルブ２００の構造を簡単に製造す
ることができる。
【００８４】なお、本発明者は実際に、従来の構造の液
晶ライトバルブと、その上部金属膜の下層として光遮断
膜を追加した液晶ライトバルブ(図示せず)とを上述のよ
うな寸法で試作し、光線を照射して発生するリーク電流
を測定した。光線はリーク電流の最大要因となる青色と
し、実際の使用状況を鑑みて上方から下方に照射した。
すると、図９に示すように、光遮断膜を追加した構造
は、従来の構造より確実にリーク電流が低減されている
ことが確認された。
晶ライトバルブと、その上部金属膜の下層として光遮断
膜を追加した液晶ライトバルブ(図示せず)とを上述のよ
うな寸法で試作し、光線を照射して発生するリーク電流
を測定した。光線はリーク電流の最大要因となる青色と
し、実際の使用状況を鑑みて上方から下方に照射した。
すると、図９に示すように、光遮断膜を追加した構造
は、従来の構造より確実にリーク電流が低減されている
ことが確認された。
【００８５】なお、本発明は上記形態に限定されるもの
ではなく、その要旨を逸脱しない範囲で各種の変形を許
容する。例えば、上記形態では光吸収膜２１５をａ-Ｓi
で形成することを例示したが、これは必要な高耐熱性と
低反射性とを実現できれば良く、例えば、シリコンや窒
化チタンで形成することも可能である。
ではなく、その要旨を逸脱しない範囲で各種の変形を許
容する。例えば、上記形態では光吸収膜２１５をａ-Ｓi
で形成することを例示したが、これは必要な高耐熱性と
低反射性とを実現できれば良く、例えば、シリコンや窒
化チタンで形成することも可能である。
【００８６】また、光吸収膜２１５の膜厚も前述の50(n
m)に限定されるものではなく、実際には各種条件を考慮
して最適に決定することが可能である。光吸収膜２１５
の膜厚は、入射する光線を良好に吸収するためには厚い
方が良いが、あまり厚いと表面の平滑性に問題が出るの
で、実用的には100(nm)以下が好適である。
m)に限定されるものではなく、実際には各種条件を考慮
して最適に決定することが可能である。光吸収膜２１５
の膜厚は、入射する光線を良好に吸収するためには厚い
方が良いが、あまり厚いと表面の平滑性に問題が出るの
で、実用的には100(nm)以下が好適である。
【００８７】同様に、上記形態では光遮断膜２１６をチ
タンで形成することを例示したが、これは必要な低透光
性と低反射性とを実現できれば良く、例えば、モリブデ
ンやタングステンで形成することも可能である。その膜
厚は入射する光線を良好に遮断するためには厚い方が良
いが、あまり厚いと表面の平滑性に問題が出るので、実
用的には50〜100(nm)程度が好適である。
タンで形成することを例示したが、これは必要な低透光
性と低反射性とを実現できれば良く、例えば、モリブデ
ンやタングステンで形成することも可能である。その膜
厚は入射する光線を良好に遮断するためには厚い方が良
いが、あまり厚いと表面の平滑性に問題が出るので、実
用的には50〜100(nm)程度が好適である。
【００８８】
【００８９】また、上記形態ではＴＦＴ２０３にＬＤＤ
領域２２７を形成することを例示したが、このＬＤＤ領
域２２７をＴＦＴ２０３に形成しないことも可能であ
る。ただし、本発明の液晶ライトバルブ２００では、Ｔ
ＦＴ２０３のＬＤＤ領域２２７に光線が照射されること
を良好に防止できるので、ＴＦＴ２０３にＬＤＤ領域２
２７が存在する構造に好適である。
領域２２７を形成することを例示したが、このＬＤＤ領
域２２７をＴＦＴ２０３に形成しないことも可能であ
る。ただし、本発明の液晶ライトバルブ２００では、Ｔ
ＦＴ２０３のＬＤＤ領域２２７に光線が照射されること
を良好に防止できるので、ＴＦＴ２０３にＬＤＤ領域２
２７が存在する構造に好適である。
【００９０】さらに、上記形態では三個の液晶ライトバ
ルブ２００によりフルカラーで画像を表示する液晶プロ
ジェクタシステム３００を画像表示装置として例示した
が、例えば、一個の液晶ライトバルブ２００により白黒
画像を表示する画像表示装置(図示せず)なども実施可能
である。
ルブ２００によりフルカラーで画像を表示する液晶プロ
ジェクタシステム３００を画像表示装置として例示した
が、例えば、一個の液晶ライトバルブ２００により白黒
画像を表示する画像表示装置(図示せず)なども実施可能
である。
【００９１】
【発明の効果】本発明は以上説明したように構成されて
いるので、以下に記載するような効果を奏する。
いるので、以下に記載するような効果を奏する。
【００９２】本発明の第一の透過液晶パネルでは、上部
金属膜の下面に低透光性かつ低反射性の光遮断膜が位置
しており、下部遮光膜の上面に低反射性かつ高耐熱性の
光吸収膜が位置していることにより、上部金属膜を透過
して薄膜トランジスタに向かう光線を光遮断膜で遮光す
ることができ、各部で多重反射される光線も光遮断膜と
光吸収膜とで減衰させることができるので、高強度の迷
光が薄膜トランジスタに入射することを防止でき、薄膜
トランジスタを良好に動作させてアクティブマトリクス
の画像を良好に生成することができ、特に、光線が下部
遮光膜の上面で反射されることを光吸収膜により確実に
防止することができ、光線が上部金属膜の下面で反射さ
れることを光遮断膜により確実に防止することができ、
製造過程では光吸収膜と下部遮光膜とを同時にパターニ
ングでき、上部金属膜と光遮断膜とを同時にパターニン
グできるので、透過液晶パネルを簡単に製造することが
できる。
金属膜の下面に低透光性かつ低反射性の光遮断膜が位置
しており、下部遮光膜の上面に低反射性かつ高耐熱性の
光吸収膜が位置していることにより、上部金属膜を透過
して薄膜トランジスタに向かう光線を光遮断膜で遮光す
ることができ、各部で多重反射される光線も光遮断膜と
光吸収膜とで減衰させることができるので、高強度の迷
光が薄膜トランジスタに入射することを防止でき、薄膜
トランジスタを良好に動作させてアクティブマトリクス
の画像を良好に生成することができ、特に、光線が下部
遮光膜の上面で反射されることを光吸収膜により確実に
防止することができ、光線が上部金属膜の下面で反射さ
れることを光遮断膜により確実に防止することができ、
製造過程では光吸収膜と下部遮光膜とを同時にパターニ
ングでき、上部金属膜と光遮断膜とを同時にパターニン
グできるので、透過液晶パネルを簡単に製造することが
できる。
【００９３】
【００９４】
【００９５】
【００９６】
【００９７】また、光遮断膜も上部金属膜と同様に導電
性を発生することにより、上部金属膜と光遮断膜とでデ
ータ電極をシールドすることができ、データ電極をシー
ルドする性能を向上させることができる。
性を発生することにより、上部金属膜と光遮断膜とでデ
ータ電極をシールドすることができ、データ電極をシー
ルドする性能を向上させることができる。
【００９８】本発明の画像表示装置では、光源が出射す
る光線が透過液晶パネルを透過してスクリーンに照射
し、透過液晶パネルがアクティブマトリクス方式で生成
するドットマトリクスの画像がスクリーンに表示される
ことにより、本発明の透過液晶パネルは薄膜トランジス
タを良好に動作させてアクティブマトリクスの画像を良
好に生成することができるので、良好な品質の画像をス
クリーンに表示することができる。
る光線が透過液晶パネルを透過してスクリーンに照射
し、透過液晶パネルがアクティブマトリクス方式で生成
するドットマトリクスの画像がスクリーンに表示される
ことにより、本発明の透過液晶パネルは薄膜トランジス
タを良好に動作させてアクティブマトリクスの画像を良
好に生成することができるので、良好な品質の画像をス
クリーンに表示することができる。
【００９９】本発明のパネル製造方法では、下部遮光膜
の上面に光吸収膜を直接に積層し、下部遮光膜と光吸収
膜とを同一のパターンに形成し、上部金属膜の下面に光
遮断膜を直接に積層し、上部金属膜と光遮断膜とを同一
のパターンに形成することにより、光線が下部遮光膜の
上面で反射されることが光吸収膜により確実に防止され
ており、光線が上部金属層の下面で反射されることが光
遮断膜により確実に防止されている、透過液晶パネルを
簡単に製造することができる。
の上面に光吸収膜を直接に積層し、下部遮光膜と光吸収
膜とを同一のパターンに形成し、上部金属膜の下面に光
遮断膜を直接に積層し、上部金属膜と光遮断膜とを同一
のパターンに形成することにより、光線が下部遮光膜の
上面で反射されることが光吸収膜により確実に防止され
ており、光線が上部金属層の下面で反射されることが光
遮断膜により確実に防止されている、透過液晶パネルを
簡単に製造することができる。
【０１００】
【図１】本発明の透過液晶パネルの実施の一形態である
液晶ライトバルブの回路部分の積層構造を示し、(ａ)は
平面図、(ｂ)は(ａ)のＡＡ′断面を示す断面図である。
液晶ライトバルブの回路部分の積層構造を示し、(ａ)は
平面図、(ｂ)は(ａ)のＡＡ′断面を示す断面図である。
【図２】画素部分を示す平面図である。
【図３】画像表示装置の全体構造を示す模式図である。
【図４】三個の液晶ライトバルブの生成画像と一つの表
示画像との関係を示す模式図である。
示画像との関係を示す模式図である。
【図５】パネル製造方法の第一段階を示し、(ａ)は図１
(ａ)のＡＡ′断面を示す断面図、(ｂ)はＢＢ′断面を示
す断面図である。
(ａ)のＡＡ′断面を示す断面図、(ｂ)はＢＢ′断面を示
す断面図である。
【図６】同様に第二段階を示す断面図である。
【図７】同様に第三段階を示す断面図である。
【図８】同様に最終段階を示す断面図である。
【図９】光照射強度とリーク電流との関係を示す特性図
である。
である。
【図１０】透過液晶パネルである液晶ライトバルブの要
部を示す縦断正面図である。
部を示す縦断正面図である。
２００ 透過液晶パネルである液晶ライトバルブ
２０１ 透明基板
２０２ 下部遮光膜
２０３ 薄膜トランジスタであるＴＦＴ
２０４ データ電極
２０５ ゲート電極
２０６ ドレイン電極
２０７ 上部金属膜
２０８ 平坦化層
２０９ 個別電極
２１０ 封入液晶
２１１ 共通電極
２１２ 対向基板
２１５ 光吸収膜
２１６ 光遮断膜
３００ 画像表示装置である液晶プロジェクタシステ
ム ３０１ 光源 ３０５ スクリーン ４０１ 第一機能層であるＷＳi層 ４０２ 第二機能層であるａ-Ｓi層 ４０４ 第三機能層であるチタン層 ４０５ 第四機能層であるアルミニウム層
ム ３０１ 光源 ３０５ スクリーン ４０１ 第一機能層であるＷＳi層 ４０２ 第二機能層であるａ-Ｓi層 ４０４ 第三機能層であるチタン層 ４０５ 第四機能層であるアルミニウム層
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(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G02F 1/1362
G02F 1/1335
G02F 1/1343
Claims (6)
- 【請求項１】 絶縁性の透明基板より上方に、高耐熱性
かつ低透光性の下部遮光膜と、データ電極とゲート電極
とドレイン電極とが接続されている薄膜トランジスタ
と、前記データ電極をシールドする高反射性の上部金属
膜と、上面が平坦化されている平坦化層と、前記薄膜ト
ランジスタのドレイン電極に接続されている個別電極
と、この個別電極を介して前記薄膜トランジスタにより
駆動される封入液晶と、この封入液晶を介して前記個別
電極と対向している共通電極と、この共通電極が下面に
形成されていて前記封入液晶を封入している透明な対向
基板と、が少なくとも順番に位置しており、上方から下
方に光線が透過される透過液晶パネルであって、 前記上部金属膜より低透光性かつ低反射性の光遮断膜が
前記上部金属膜の下面に同一パターンで直接に積層され
ており、 前記下部遮光膜より低反射性かつ高耐熱性の光吸収膜が
前記下部遮光膜の上面に同一パターンで直接に積層され
ており、 前記上部金属膜および前記光遮断膜が前記下部遮光膜お
よび前記光吸収膜より幅広に形成されている ことを特徴
とする透過液晶パネル。 - 【請求項２】 前記光遮断膜が導電性を有していること
を特徴とする請求項１に記載の透過液晶パネル。 - 【請求項３】 前記上部金属膜がアルミニウムで形成さ
れており、 前記光遮断膜がチタンで形成されており、 前記下部遮光膜がＷＳiで形成されており、 前記光吸収膜がａ-Ｓiで形成されている請求項１または
２に記載の透過液晶パネル。 - 【請求項４】 光線を出射する光源と、 この光源が出射する光線が透過する位置に配置された請
求項１ないし３の何れか一項に記載の透過液晶パネル
と、 この透過液晶パネルを透過した光線が照射されるスクリ
ーンと、 を具備していることを特徴とする画像表示装置。 - 【請求項５】 請求項１記載の透過液晶パネルを製造す
るパネル製造方法であって、前記透明基板の表面に下地絶縁膜を形成し、 この下地絶縁膜の上面に第一機能層を成膜し、 この第一機能層の上面に第二機能層を成膜し、 この第二機能層と前記第一機能層とを同時にパターニン
グして前記下部遮光膜と光吸収膜とを同一パターンに形
成し、 層間絶縁膜を形成し、 この層間絶縁膜の表面にポリシリコン層を形成し、 このポリシリコン層の上面に前記データ電極と前記ゲー
ト電極と前記ドレイン電極とが接続されている薄膜トラ
ンジスタを形成し、 前記データ電極の上方に層間絶縁膜を成膜し、 この層間絶縁膜の上面に第三機能層を成膜し、 この第三機能層の上面に第四機能層を成膜し、 この第四機能層と第三機能層とを同時にパターニングし
て光遮断膜と上部金属膜とを同一パターンに形成する こ
とを特徴とするパネル製造方法。 - 【請求項６】 請求項３記載の透過液晶パネルを製造す
るパネル製造方法であって、前記透明基板の表面に下地絶縁膜を形成し、 この下地絶縁膜の上面にＷＳi層を成膜し、 このＷＳi層の上面にａ-Ｓi層を成膜し、 このａ-Ｓi層と前記ＷＳi層とを同時にパターニングし
て前記下部遮光膜と光吸収膜とを同一パターンに形成
し、 層間絶縁膜を形成し、 この層間絶縁膜の表面にポリシリコン層を形成し、 このポリシリコン層の上面に前記データ電極と前記ゲー
ト電極と前記ドレイン電極とが接続されている薄膜トラ
ンジスタを形成し、 前記データ電極の上方に層間絶縁膜を成膜し、 この層間絶縁膜の上面にチタン層を成膜し、 このチタン層の上面にアルミニウム層を成膜し、 このアルミニウム層とチタン層とを同時にパターニング
して光遮断膜と上部金属膜とを同一パターンに形成する
ことを特徴とするパネル製造方法。
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