JP2809130B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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Description
クティブマトリクス型液晶表示装置の薄膜トランジスタ
(TFT)への光のしゃ光の改良に関する。
示装置は、図4に示すごとく、ゲートバスライン駆動回
路DR1によって駆動されるゲートバスラインGL1、
GL2、…、GL6、データバスライン駆動回路DR2に
よって駆動されるデータバスラインDL1、DL2、…、
DL6、及びこれらの間に接続されたTFTQ11、
Q12、…、Q66よりなる。
照すると、TFTQij(i、j=1、2、…、6)は、
ゲートバスラインGLiに接続されたゲート電極G、ゲ
ート電極Gに対向して設けられたアモルファスシリコン
よりなる動作半導体層A、ドレインバスラインDLjに
接続されたドレイン電極D、及び画素電極Eijに接続さ
れたソース電極Sよりなる。
置においては、ゲートバスライン駆動回路DR1によっ
てゲートバスラインGL1、GL2、…、GL6は順次ハ
イレベルに駆動される。つまり、あるゲートバスライン
たとえばGL1がハイレベルになると、そのラインに接
続されたTFTQ 1j (j=1、2、…、6)は一斉にオ
ン状態となる。この結果、TFTQ 1j に接続された画素
電極E1jは、そのときドレインバスラインDLjに印加
されている信号電圧に従って充電される。次いで、ゲー
トバスラインGL1がローレベルに駆動されると、オン
状態にあったTFTQ1jはオフとされるが、画素電極E
1jはその充電電圧を保持し続ける。この保持電圧は、該
当するTFTが再びオンとなったときに次の信号電圧に
よって書き換えられる。
置の表示品質を向上させるためには、画素電極Eijの保
持電圧を高く維持する必要があり、そのためには、TF
TQijのオン電流/オフ電流(リーク電流)比を大き
く、特に、オフ電流を小さくすることが重要である。
導体層Aにバックライト光が入射すると、たとえTFT
Qijがオフしていたとしても、光励起によるキャリアが
動作半導体層A内に発生してリーク電流となってオフ電
流を増大させる。この結果、表示むら等が発生してアク
ティブマトリクス型液晶表示装置の表示性能を低下させ
る。このため、TFTへの光をしゃ光するアクティブマ
トリクス型液晶表示装置が知られている。
用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置を図6を参
照して説明する(参照:特開昭62−81061号公
報)。すなわち、画素電極(ガラス)基板101上にゲ
ート電極Gを形成する。その上に絶縁層102を形成し
てアモルファスシリコンよりなる動作半導体層Aを形成
する。さらに、動作半導体層Aにドレイン電極D及びソ
ース電極Sを形成する。そして、絶縁層103及びアモ
ルファスシリコンよりなる無機しゃ光層104を形成
し、さらに、絶縁層105及びアモルファスシリコンよ
りなる無機しゃ光層106を形成する。
光層を用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置を図
7を参照して説明する(参照:特開平4−86809号
公報)。すなわち、画素電極(ガラス)基板201上に
ゲート電極Gを形成する。その上に絶縁層202を形成
してアモルファスシリコンよりなる動作半導体層A及び
画素電極Eijを形成する。さらに、動作半導体層A及び
画素電極Eij上にドレイン電極D及びソース電極Sを形
成する。そして、絶縁層203及び有機材料よりなるし
ゃ光層204を形成する。
無機しゃ光層を用いた液晶表示装置においては、アモル
ファスシリコンの光吸収特性は可視光領域(400〜8
00nm)の長波長側で不充分であるという課題があ
る。逆に、有機しゃ光層を用いた液晶表示装置において
は、有機材料の光吸収特性は可視光領域の短波長側で不
充分であり、また、しゃ光効果を上げるためにはしゃ光
層を厚くする必要があり、この結果、液晶の配向不良に
つながるという課題がある。従って、本発明の目的は、
可視光領域全域に亘って効果的にTFTへの光をしゃ光
できる液晶表示装置を提供することにある。
めに本発明は、TFTへの光をしゃ光する無機しゃ光層
及び有機しゃ光層を設けたものである。
領域の短波長側の光吸収特性及び有機しゃ光層による可
視領域の長波長側の光吸収特性により可視領域全域の光
吸収が可能となる。
施例を示す断面図である。図1においては、画素電極
(ガラス)基板1上にゲート電極Gを形成する。その上
に絶縁層3を形成してアモルファスシリコンよりなる動
作半導体層Aを形成する。さらに、動作半導体層A上に
ドレイン電極D及びソース電極Sを形成する。また、ソ
ース電極Sに接続するように画素電極Eijを形成する。
また、絶縁層3を動作半導体層A、ドレイン電極D及び
ソース電極S上に形成し、その上に約0.4μm厚さの
アモルファスシリコンよりなる無機しゃ光層4を形成
し、さらにその上に、青もしくは緑のカラーフィルタ材
料よりなる有機しゃ光層5を形成する。そして、有機し
ゃ光層5を絶縁層6で覆う。
電極8が形成される。
素電極基板1と対向電極8が形成された対向電極基板7
とは液晶9を狭んで対向して配置されている。そして、
対向電極基板7には偏光子10が設けられ、画素電極基
板1には検光子11が設けられている。
のしゃ光特性を示すグラフである。すなわち、無機しゃ
光層4の透過特性Xは厚さ0.4μmのアモルファスシ
リコンの場合を示し、可視光領域(400〜800n
m)の長波長側でしゃ光が不充分である。他方、有機し
ゃ光層5の透過特性Y1、Y2は青カラーフィルタ材料
及び緑カラーフィルタ材料の場合を示し、いずれの場合
も可視光領域の短波長側でしゃ光が不充分である。しか
し、無機しゃ光層4及び有機しゃ光層5を積層した第1
の実施例においては、可視光領域全域に亘って良好なし
ゃ光特性が得られることになる。
実施例を示す断面図である。図3においては、有機しゃ
光層5を対向電極基板7側に設けてある。有機しゃ光層
5は効果的にしゃ光するためには2μm以上の厚さを必
要とする。従って、第1の実施例に示すごとく、有機し
ゃ光層5を画素電極基板1側に設けると、しゃ光層4、
5の端部の段差が大きくなり、この結果、液晶の配向不
良を招くことになる。これに対し、第2の実施例におい
ては、有機しゃ光層5を対向電極基板7側に設けること
により画素電極基板1側の段差が小さくなり、従って、
液晶の配向不良を抑えることができる。なお、第2の実
施例においても、第1の実施例と同様に、無機しゃ光層
4及び有機しゃ光層5により可視光領域全域に亘って良
好なしゃ光特性が得られる。
FTへの光のしゃ光を可視光領域全域に亘って効果的に
行うことができる。
す断面図である。
である。
す断面図である。
を示す回路図である。
Claims (1)
- 【請求項1】 薄膜トランジスタ(Qij)及び画素電極
(Eij)が形成された画素電極基板(1)と、対向電極
(8)が形成された対向電極基板(7)と、前記画素電
極基板と前記対向電極基板との間に充填された液晶
(9)とを具備する液晶表示装置において、 前記画素電極基板の前記薄膜トランジスタ上に、アモル
ファシリコンよりなる第1のしゃ光層(4)と、青のカ
ラーフィルタ材料及び緑のカラーフィルタ材料の1つよ
りなる第2のしゃ光層(5)とを互いに直接接触するよ
うに積層したことを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12320495A JP2809130B2 (ja) | 1995-04-24 | 1995-04-24 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12320495A JP2809130B2 (ja) | 1995-04-24 | 1995-04-24 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08292450A JPH08292450A (ja) | 1996-11-05 |
JP2809130B2 true JP2809130B2 (ja) | 1998-10-08 |
Family
ID=14854780
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12320495A Expired - Fee Related JP2809130B2 (ja) | 1995-04-24 | 1995-04-24 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2809130B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
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JP3374911B2 (ja) * | 1999-09-30 | 2003-02-10 | 日本電気株式会社 | 透過液晶パネル、画像表示装置、パネル製造方法 |
Family Cites Families (7)
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-
1995
- 1995-04-24 JP JP12320495A patent/JP2809130B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JPH08292450A (ja) | 1996-11-05 |
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