JP2936873B2 - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置およびその製造方法Info
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- JP2936873B2 JP2936873B2 JP5132092A JP5132092A JP2936873B2 JP 2936873 B2 JP2936873 B2 JP 2936873B2 JP 5132092 A JP5132092 A JP 5132092A JP 5132092 A JP5132092 A JP 5132092A JP 2936873 B2 JP2936873 B2 JP 2936873B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば薄膜トランジス
タ（ＴＦＴ）等の半導体素子をスイッチング素子とする
液晶表示装置（ＬＣＤ）に係わるもので、特に高画質で
高輝度の液晶表示装置を得ることを目的とする。
タ（ＴＦＴ）等の半導体素子をスイッチング素子とする
液晶表示装置（ＬＣＤ）に係わるもので、特に高画質で
高輝度の液晶表示装置を得ることを目的とする。
【０００２】
【従来の技術】図４は特開平２−１４４５２５号公報に
示された、薄膜トランジスタをスイッチング素子とする
液晶表示装置において、第２の基板上に遮光層を有する
従来の１画素の断面図である。同図において、第１の基
板１上に、ゲート電極８、ゲート絶縁膜６、非結晶質珪
素（アモルファスシリコン）からなる半導体膜４、不純
物をドープした半導体膜５、ソース・ドレイン電極１０
から構成される薄膜トランジスタ１５と、この薄膜トラ
ンジスタ１５のドレイン電極１０に接続された画素電極
９が形成され、さらに、薄膜トランジスタ１５と画素電
極９を覆うように保護膜１１が形成されている。また、
第２の基板１４上には、画素電極９の周辺から数μｍ程
度小さく光が透過する窓を開けた遮光層２が形成されて
いる。さらに、この遮光層２および第２の基板１４上全
面に対向電極１３が形成されている。そして、第１の基
板１と第２の基板１４の間には、液晶層１２が挟持され
て、さらに第１の基板１及び第２の基板１４の外側に偏
光板２０を取り付けて、液晶表示素子２１が構成されて
いる。また、第１の基板１の後方にバックライト２２を
設置し、表示は第２の基板１４側から観察するものとす
る。なお、第２の基板１４の後方にバックライト２２を
設置し、表示は第１の基板１側から観察することもでき
る。
示された、薄膜トランジスタをスイッチング素子とする
液晶表示装置において、第２の基板上に遮光層を有する
従来の１画素の断面図である。同図において、第１の基
板１上に、ゲート電極８、ゲート絶縁膜６、非結晶質珪
素（アモルファスシリコン）からなる半導体膜４、不純
物をドープした半導体膜５、ソース・ドレイン電極１０
から構成される薄膜トランジスタ１５と、この薄膜トラ
ンジスタ１５のドレイン電極１０に接続された画素電極
９が形成され、さらに、薄膜トランジスタ１５と画素電
極９を覆うように保護膜１１が形成されている。また、
第２の基板１４上には、画素電極９の周辺から数μｍ程
度小さく光が透過する窓を開けた遮光層２が形成されて
いる。さらに、この遮光層２および第２の基板１４上全
面に対向電極１３が形成されている。そして、第１の基
板１と第２の基板１４の間には、液晶層１２が挟持され
て、さらに第１の基板１及び第２の基板１４の外側に偏
光板２０を取り付けて、液晶表示素子２１が構成されて
いる。また、第１の基板１の後方にバックライト２２を
設置し、表示は第２の基板１４側から観察するものとす
る。なお、第２の基板１４の後方にバックライト２２を
設置し、表示は第１の基板１側から観察することもでき
る。
【０００３】遮光層２は、画素電極９周辺での液晶配列
の乱れに起因する漏れ光を防ぐ役目と、バックライト２
２からの光あるいは周囲の外光により薄膜トランジスタ
１５の特性が変わるのを防ぐ役目を有している。
の乱れに起因する漏れ光を防ぐ役目と、バックライト２
２からの光あるいは周囲の外光により薄膜トランジスタ
１５の特性が変わるのを防ぐ役目を有している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】第１の基板１と第２の
基板１４に挟持される液晶層１２として高分子分散型液
晶を用いると、光透過率の低い偏光板２０が不要なため
高輝度の表示画面を実現できる。この高分子分散型液晶
は、第１の基板１と第２の基板１４の間に液晶と光硬化
性樹脂の混合物を挟持したのち、外部より紫外線を照射
して形成するため、紫外線を全面に均一に照射しなけれ
ばならない。しかしながら、従来の構成では、遮光層２
が第２の基板１４側にあるため、第２の基板１４側から
照射を行っても遮光層２の下では高分子分散型液晶が形
成しない。また第１の基板１側からの照射もＴＦＴ１５
ならびにゲート線１６、データ線１７が第１の基板１側
にあるので、これらの部分に紫外線が当たらず高分子分
散型液晶を形成できないという問題があった。
基板１４に挟持される液晶層１２として高分子分散型液
晶を用いると、光透過率の低い偏光板２０が不要なため
高輝度の表示画面を実現できる。この高分子分散型液晶
は、第１の基板１と第２の基板１４の間に液晶と光硬化
性樹脂の混合物を挟持したのち、外部より紫外線を照射
して形成するため、紫外線を全面に均一に照射しなけれ
ばならない。しかしながら、従来の構成では、遮光層２
が第２の基板１４側にあるため、第２の基板１４側から
照射を行っても遮光層２の下では高分子分散型液晶が形
成しない。また第１の基板１側からの照射もＴＦＴ１５
ならびにゲート線１６、データ線１７が第１の基板１側
にあるので、これらの部分に紫外線が当たらず高分子分
散型液晶を形成できないという問題があった。
【０００５】図５は従来技術による遮光層と画素電極の
位置合わせ精度を説明する構成図である。第１の基板１
上にＴＦＴ１５およびゲート線１６、データ線１７、Ｔ
ＦＴ１５に接続されている画素電極９を有している。ま
た、第２の基板１４上に開口部１８を有する遮光層２を
形成している。ここで、第１の基板１と第２の基板１４
を張り合わせて液晶表示装置を形成する。第１の基板１
と第２の基板１４を張り合わせる際にズレが生じること
や第１の基板１、第２の基板１４それぞれに形成してあ
るパターンにズレがあるため、遮光層２が所定の部分を
覆うためには遮光層２を大きめに作り、開口部１８を小
さくする必要があった。このため、開口部分１８の面積
が画素面積より小さくなる。つまり、重ね合わせ誤差か
ら生じる表示損失１９が大きくなる。一般に１画素の面
積に対する開口部１８の面積を開口率といい、この場
合、開口率が低下するため、ＴＦＴ−ＬＣＤの透過率が
低下し、その結果、表示輝度が低下するという問題があ
った。
位置合わせ精度を説明する構成図である。第１の基板１
上にＴＦＴ１５およびゲート線１６、データ線１７、Ｔ
ＦＴ１５に接続されている画素電極９を有している。ま
た、第２の基板１４上に開口部１８を有する遮光層２を
形成している。ここで、第１の基板１と第２の基板１４
を張り合わせて液晶表示装置を形成する。第１の基板１
と第２の基板１４を張り合わせる際にズレが生じること
や第１の基板１、第２の基板１４それぞれに形成してあ
るパターンにズレがあるため、遮光層２が所定の部分を
覆うためには遮光層２を大きめに作り、開口部１８を小
さくする必要があった。このため、開口部分１８の面積
が画素面積より小さくなる。つまり、重ね合わせ誤差か
ら生じる表示損失１９が大きくなる。一般に１画素の面
積に対する開口部１８の面積を開口率といい、この場
合、開口率が低下するため、ＴＦＴ−ＬＣＤの透過率が
低下し、その結果、表示輝度が低下するという問題があ
った。
【０００６】この発明は上記のような問題を解決するた
めになされたもので、液晶パネル全面に均一に高分子分
散型液晶を形成でき、しかも遮光層と画素電極の位置合
わせが高精度にできるので液晶パネルの開口率を大きく
でき、これにより、高輝度、高精細の液晶表示装置を提
供することを目的とする。
めになされたもので、液晶パネル全面に均一に高分子分
散型液晶を形成でき、しかも遮光層と画素電極の位置合
わせが高精度にできるので液晶パネルの開口率を大きく
でき、これにより、高輝度、高精細の液晶表示装置を提
供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る液晶表示装
置は、複数本のゲート線、該ゲート線と交差する複数本
のデータ線、上記ゲート線と上記データ線の各交点に形
成された半導体素子、および上記半導体素子に接続され
る画素電極を有する第１の基板と、対向電極を有する第
２の基板とを対向配置し、上記第１と第２の基板間に光
硬化性の高分子分散型液晶を挟持してなる液晶表示装置
において、上記ゲート線、データ線、半導体素子および
画素電極と上記第１の基板との間に、上記画素電極の周
辺を覆う遮光層を形成したものである。また、本発明に
係る液晶表示装置の製造方法は、第１の基板上に画素電
極に対応した所定形状の開口部を有する遮光層を形成す
る工程と、上記遮光層が形成された第１の基板上に複数
本のゲート線、該ゲート線と交差する複数本のデータ
線、上記ゲート線と上記データ線の各交点に配置される
半導体素子、および上記開口部に配置され上記半導体素
子に接続される画素電極をそれぞれ形成する工程と、第
２の基板上に対向電極を形成する工程と、上記第１と第
２の基板を光硬化性樹脂と液晶との混合物を挟んで対向
配置し、上記第２の基板側から光を照射して上記光硬化
性樹脂を硬化させ高分子分散型液晶を形成する工程とを
それぞれ施すものである。
置は、複数本のゲート線、該ゲート線と交差する複数本
のデータ線、上記ゲート線と上記データ線の各交点に形
成された半導体素子、および上記半導体素子に接続され
る画素電極を有する第１の基板と、対向電極を有する第
２の基板とを対向配置し、上記第１と第２の基板間に光
硬化性の高分子分散型液晶を挟持してなる液晶表示装置
において、上記ゲート線、データ線、半導体素子および
画素電極と上記第１の基板との間に、上記画素電極の周
辺を覆う遮光層を形成したものである。また、本発明に
係る液晶表示装置の製造方法は、第１の基板上に画素電
極に対応した所定形状の開口部を有する遮光層を形成す
る工程と、上記遮光層が形成された第１の基板上に複数
本のゲート線、該ゲート線と交差する複数本のデータ
線、上記ゲート線と上記データ線の各交点に配置される
半導体素子、および上記開口部に配置され上記半導体素
子に接続される画素電極をそれぞれ形成する工程と、第
２の基板上に対向電極を形成する工程と、上記第１と第
２の基板を光硬化性樹脂と液晶との混合物を挟んで対向
配置し、上記第２の基板側から光を照射して上記光硬化
性樹脂を硬化させ高分子分散型液晶を形成する工程とを
それぞれ施すものである。
【０００８】
【作用】この発明においては、遮光層を、ゲート線、デ
ータ線、半導体素子および画素電極と共に第１の基板上
に形成しているので、光を遮る遮光層や半導体素子等が
無い第２の基板側からの光照射により高分子分散型液晶
の形成を全面に均一に行うことができる。しかも、遮光
層を、画素電極が形成される第１の基板上にパターニン
グするので、精度よく画素電極周辺の部分を覆うことが
でき、液晶パネルの開口率を大きくできる。
ータ線、半導体素子および画素電極と共に第１の基板上
に形成しているので、光を遮る遮光層や半導体素子等が
無い第２の基板側からの光照射により高分子分散型液晶
の形成を全面に均一に行うことができる。しかも、遮光
層を、画素電極が形成される第１の基板上にパターニン
グするので、精度よく画素電極周辺の部分を覆うことが
でき、液晶パネルの開口率を大きくできる。
【０００９】
【実施例】実施例１． 以下この発明の一実施例を図について説明する。図１は
この発明の実施例１の１画素を示す断面図である。以
下、実施例１の製造方法について説明する。はじめに、
第１の基板１を洗浄後、遮光層２、例えばクロミウムを
スパッタ法により形成する。その上に絶縁膜３を形成す
る。次に上記絶縁膜３の上に半導体膜４、例えば多結晶
Ｓｉを、例えば、ＬＰＣＶＤ法により形成する。次にゲ
ート絶縁膜６、例えば二酸化珪素（ＳｉＯ2 ）を、例え
ば熱酸化法により形成する。次にゲート電極８、例えば
不純物をドープした多結晶Ｓｉ膜を、例えばＬＰＣＶＤ
法により形成する。ゲート電極８をマスクとして、例え
ばイオン注入法により半導体膜４に不純物を拡散させ、
不純物をドープした半導体膜５を形成する。半導体膜
４、５上以外のゲート絶縁膜６を除去した後、保護膜
７、例えば窒化珪素（Ｓｉ3Ｎ4）を形成する。画素電極
９、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄ
ｅ）を形成した後、ソース・ドレイン電極１０とコンタ
クトする部分のゲート絶縁膜６および保護膜７を除去
し、ソース・ドレイン電極１０、例えばＡｌを形成す
る。その後、保護膜１１を全面に形成する。一方、第２
の基板１４上に対向電極１３、例えばＡｌを蒸着する。
そして、第１の基板１と第２の基板１４との間に紫外線
硬化樹脂、例えばスリーボンド社製紫外線硬化樹脂ＴＢ
３０２１と液晶を適当な割合で混合したものを挟み、紫
外線を第２の基板側から照射して高分子分散型液晶１２
を形成し、この発明の実施例１の構造が完成する。
この発明の実施例１の１画素を示す断面図である。以
下、実施例１の製造方法について説明する。はじめに、
第１の基板１を洗浄後、遮光層２、例えばクロミウムを
スパッタ法により形成する。その上に絶縁膜３を形成す
る。次に上記絶縁膜３の上に半導体膜４、例えば多結晶
Ｓｉを、例えば、ＬＰＣＶＤ法により形成する。次にゲ
ート絶縁膜６、例えば二酸化珪素（ＳｉＯ2 ）を、例え
ば熱酸化法により形成する。次にゲート電極８、例えば
不純物をドープした多結晶Ｓｉ膜を、例えばＬＰＣＶＤ
法により形成する。ゲート電極８をマスクとして、例え
ばイオン注入法により半導体膜４に不純物を拡散させ、
不純物をドープした半導体膜５を形成する。半導体膜
４、５上以外のゲート絶縁膜６を除去した後、保護膜
７、例えば窒化珪素（Ｓｉ3Ｎ4）を形成する。画素電極
９、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄ
ｅ）を形成した後、ソース・ドレイン電極１０とコンタ
クトする部分のゲート絶縁膜６および保護膜７を除去
し、ソース・ドレイン電極１０、例えばＡｌを形成す
る。その後、保護膜１１を全面に形成する。一方、第２
の基板１４上に対向電極１３、例えばＡｌを蒸着する。
そして、第１の基板１と第２の基板１４との間に紫外線
硬化樹脂、例えばスリーボンド社製紫外線硬化樹脂ＴＢ
３０２１と液晶を適当な割合で混合したものを挟み、紫
外線を第２の基板側から照射して高分子分散型液晶１２
を形成し、この発明の実施例１の構造が完成する。
【００１０】図２は図１に示す液晶表示装置における遮
光層と画素電極の位置合わせ精度を説明する構成図であ
る。第１の基板１上にＴＦＴ１５およびゲート線１６、
データ線１７、ＴＦＴ１５に接続されている画素電極９
ならびに開口部１８を有する遮光層２を形成している。
ここで、第１の基板１と第２の基板１４を張り合わせて
液晶表示装置を形成する。この液晶表示装置は前記のよ
うに遮光層２が第１の基板側１にあるので、高分子分散
型液晶を用いたＴＦＴーＬＣＤを作製するのに、第２の
基板側１４から光を照射すれば、液晶パネル全面に均一
に高分子分散型液晶を形成できる。また、遮光層２を直
接、薄膜トランジスタ１５及び画素電極９外部にパター
ニングするので、画素電極９と開口部１８との位置合わ
せが高精度にでき、重ね合わせ誤差による表示損失１９
を小さくできる。
光層と画素電極の位置合わせ精度を説明する構成図であ
る。第１の基板１上にＴＦＴ１５およびゲート線１６、
データ線１７、ＴＦＴ１５に接続されている画素電極９
ならびに開口部１８を有する遮光層２を形成している。
ここで、第１の基板１と第２の基板１４を張り合わせて
液晶表示装置を形成する。この液晶表示装置は前記のよ
うに遮光層２が第１の基板側１にあるので、高分子分散
型液晶を用いたＴＦＴーＬＣＤを作製するのに、第２の
基板側１４から光を照射すれば、液晶パネル全面に均一
に高分子分散型液晶を形成できる。また、遮光層２を直
接、薄膜トランジスタ１５及び画素電極９外部にパター
ニングするので、画素電極９と開口部１８との位置合わ
せが高精度にでき、重ね合わせ誤差による表示損失１９
を小さくできる。
【００１１】実施例２． 図３はこの発明の実施例２の１画素を示す断面図であ
る。以下、実施例２の製造方法について説明する。はじ
めに、第１の基板１を洗浄後、遮光層２、例えばクロミ
ウムをスパッタ法により形成する。その上に絶縁膜３を
形成する。次にゲート電極８、例えばクロミウム（Ｃ
ｒ）をスッパタ法により形成する。ゲート絶縁膜６、例
えば窒化珪素（Ｓｉ3 Ｎ 4）、半導体膜４、例えばアモル
ファスＳｉをＰＣＶＤ法により連続成膜した後、トラン
ジスタとなる部分を残して半導体膜４を除去する。次
に、画素電極９、例えばＩＴＯを形成する。ソース・ド
レイン電極１０とオーミック・コンタクトするために、
半導体膜４の上に不純物をドープした半導体膜５、例え
ばリンをドープしたアモルファスＳｉを形成する。さら
にソース・ドレイン電極１０、例えばＡｌを形成する。
その後、保護膜１１を全面に形成する。一方、第２基板
１４上に対向電極１３、例えばＡｌを蒸着する。そし
て、透明基板１と対向基板１４との間に紫外線硬化樹
脂、例えばスリーボンド社製紫外線硬化樹脂ＴＢ３０２
１と液晶を適当な割合で混合したものを挟み、紫外線を
第２の基板１４側から照射して高分子分散型液晶１２を
形成し、この発明の実施例２の構造が完成する。このよ
うな構成でも効果は実施例１と同等である。
る。以下、実施例２の製造方法について説明する。はじ
めに、第１の基板１を洗浄後、遮光層２、例えばクロミ
ウムをスパッタ法により形成する。その上に絶縁膜３を
形成する。次にゲート電極８、例えばクロミウム（Ｃ
ｒ）をスッパタ法により形成する。ゲート絶縁膜６、例
えば窒化珪素（Ｓｉ3 Ｎ 4）、半導体膜４、例えばアモル
ファスＳｉをＰＣＶＤ法により連続成膜した後、トラン
ジスタとなる部分を残して半導体膜４を除去する。次
に、画素電極９、例えばＩＴＯを形成する。ソース・ド
レイン電極１０とオーミック・コンタクトするために、
半導体膜４の上に不純物をドープした半導体膜５、例え
ばリンをドープしたアモルファスＳｉを形成する。さら
にソース・ドレイン電極１０、例えばＡｌを形成する。
その後、保護膜１１を全面に形成する。一方、第２基板
１４上に対向電極１３、例えばＡｌを蒸着する。そし
て、透明基板１と対向基板１４との間に紫外線硬化樹
脂、例えばスリーボンド社製紫外線硬化樹脂ＴＢ３０２
１と液晶を適当な割合で混合したものを挟み、紫外線を
第２の基板１４側から照射して高分子分散型液晶１２を
形成し、この発明の実施例２の構造が完成する。このよ
うな構成でも効果は実施例１と同等である。
【００１２】
【００１３】なお、上記実施例では遮光層２として金属
層を用いたが、絶縁物例えば、黒染色ゼラチン等を用い
ても同様の効果を奏する。
層を用いたが、絶縁物例えば、黒染色ゼラチン等を用い
ても同様の効果を奏する。
【００１４】また、プロジェクタとして用いる場合、直
視型の液晶表示装置に比べて、ＴＦＴのチャネル部に入
射する光が強いためリーク電流が発生する可能性があ
り、従来からチャネル部遮光層を設けてこれを防止して
いるが、上記各実施例の遮光層２でチャネル部遮光層を
兼ねることができ、ＴＦＴの光リーク電流を抑えて、ク
ロストークの発生を防止することができる。
視型の液晶表示装置に比べて、ＴＦＴのチャネル部に入
射する光が強いためリーク電流が発生する可能性があ
り、従来からチャネル部遮光層を設けてこれを防止して
いるが、上記各実施例の遮光層２でチャネル部遮光層を
兼ねることができ、ＴＦＴの光リーク電流を抑えて、ク
ロストークの発生を防止することができる。
【００１５】また、上記実施例では半導体素子が薄膜ト
ランジスタである場合について説明したが、これに限る
ものではなく、例えば薄膜ダイオードであってもよい。
ランジスタである場合について説明したが、これに限る
ものではなく、例えば薄膜ダイオードであってもよい。
【００１６】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、複数
本のゲート線とこれと交差する複数本のデータ線を有す
ると共に、上記ゲート線と上記データ線の各交点に半導
体素子及び上記半導体素子に接続される画素電極を有す
る第１の基板上で、上記ゲート線、データ線、半導体素
子、および画素電極と上記第１の基板との間に、上記画
素電極の周辺を覆う遮光層を形成したので、高分子分散
型液晶を用いた液晶表示装置を作製するのに、第２の基
板側から光を照射することにより、液晶パネル全面に均
一に高分子分散型液晶を形成できる。しかも、遮光層と
画素電極の位置合わせが高精度にできるので、液晶パネ
ルの開口率を大きくできる。これにより、高輝度、高精
細の液晶表示装置を得ることができる。さらに、半導体
素子と第１の基板との間に遮光層を形成したのでチャネ
ル部遮光層を兼ねることができ、半導体素子の光リーク
電流を抑えてクロストークの発生を防止できる。
本のゲート線とこれと交差する複数本のデータ線を有す
ると共に、上記ゲート線と上記データ線の各交点に半導
体素子及び上記半導体素子に接続される画素電極を有す
る第１の基板上で、上記ゲート線、データ線、半導体素
子、および画素電極と上記第１の基板との間に、上記画
素電極の周辺を覆う遮光層を形成したので、高分子分散
型液晶を用いた液晶表示装置を作製するのに、第２の基
板側から光を照射することにより、液晶パネル全面に均
一に高分子分散型液晶を形成できる。しかも、遮光層と
画素電極の位置合わせが高精度にできるので、液晶パネ
ルの開口率を大きくできる。これにより、高輝度、高精
細の液晶表示装置を得ることができる。さらに、半導体
素子と第１の基板との間に遮光層を形成したのでチャネ
ル部遮光層を兼ねることができ、半導体素子の光リーク
電流を抑えてクロストークの発生を防止できる。
【図１】 この発明の実施例１の１画素を示す断面図で
ある。
ある。
【図２】 図１の液晶表示装置における遮光層と画素電
極の位置合わせ精度を説明する構成図である。
極の位置合わせ精度を説明する構成図である。
【図３】 この発明の実施例２の１画素を示す断面図で
ある。
ある。
【図４】 従来の液晶表示装置の１画素を示す断面図で
ある。
ある。
【図５】 従来の液晶表示装置における遮光層と画素電
極の位置合わせ精度を説明する構成図である。
極の位置合わせ精度を説明する構成図である。
【符号の説明】 １ 第１の基板、 ２ 遮光層、 ４ 半導体膜、 ５
不純物をドープした半導体膜、 ６ ゲート絶縁膜、
７ 絶縁膜、 ８ ゲート電極、 ９ 画素電極、
１０ ソース・ドレイン電極、 １２ 液晶、 １３
対向電極、 １４ 第２の基板 、 １５ 薄膜トラン
ジスタ、 １６ ゲート線、 １７ データ線、 １８
開口部。
不純物をドープした半導体膜、 ６ ゲート絶縁膜、
７ 絶縁膜、 ８ ゲート電極、 ９ 画素電極、
１０ ソース・ドレイン電極、 １２ 液晶、 １３
対向電極、 １４ 第２の基板 、 １５ 薄膜トラン
ジスタ、 １６ ゲート線、 １７ データ線、 １８
開口部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−166515（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−40415（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−278024（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−99920（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−122910（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−188106（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−208924（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−251220（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−328523（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−203931（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−203988（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G02F 1/136 G02F 1/1333 610
Claims (2)
- 【請求項１】 複数本のゲート線、該ゲート線と交差す
る複数本のデータ線、上記ゲート線と上記データ線の各
交点に形成された半導体素子、および上記半導体素子に
接続される画素電極を有する第１の基板と、対向電極を
有する第２の基板とを対向配置し、上記第１と第２の基
板間に光硬化性の高分子分散型液晶を挟持してなる液晶
表示装置において、上記ゲート線、データ線、半導体素
子および画素電極と上記第１の基板との間に、上記画素
電極の周辺を覆う遮光層を形成したことを特徴とする液
晶表示装置。 - 【請求項２】 第１の基板上に画素電極に対応した所定
形状の開口部を有する遮光層を形成する工程と、上記遮
光層が形成された第１の基板上に複数本のゲート線、該
ゲート線と交差する複数本のデータ線、上記ゲート線と
上記データ線の各交点に配置される半導体素子、および
上記開口部に配置され上記半導体素子に接続される画素
電極をそれぞれ形成する工程と、第２の基板上に対向電
極を形成する工程と、上記第１と第２の基板を光硬化性
樹脂と液晶との混合物を挟んで対向配置し、上記第２の
基板側から光を照射して上記光硬化性樹脂を硬化させ高
分子分散型液晶を形成する工程とをそれぞれ施す液晶表
示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5132092A JP2936873B2 (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5132092A JP2936873B2 (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05249492A JPH05249492A (ja) | 1993-09-28 |
| JP2936873B2 true JP2936873B2 (ja) | 1999-08-23 |
Family
ID=12883626
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5132092A Expired - Lifetime JP2936873B2 (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2936873B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP4234672B2 (ja) * | 2004-12-20 | 2009-03-04 | 株式会社東芝 | アレイ基板の製造方法、アレイ基板、および液晶表示装置 |
| WO2012050006A1 (ja) * | 2010-10-12 | 2012-04-19 | シャープ株式会社 | アレイ基板、及び、その製造方法 |
-
1992
- 1992-03-10 JP JP5132092A patent/JP2936873B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05249492A (ja) | 1993-09-28 |
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