JPH05249492A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH05249492A JPH05249492A JP5132092A JP5132092A JPH05249492A JP H05249492 A JPH05249492 A JP H05249492A JP 5132092 A JP5132092 A JP 5132092A JP 5132092 A JP5132092 A JP 5132092A JP H05249492 A JPH05249492 A JP H05249492A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 液晶パネル全面に均一に高分子液晶を形成で
き、しかも遮光層と画素電極の位置合わせが高精度にで
きるので液晶パネルの開口率を大きくでき、これによ
り、高輝度、高精細の液晶表示装置を提供することを目
的とする。 【構成】 複数本のゲート線とこれと交差する複数本の
データ線を有すると共に、ゲート線とデータ線の各交点
に画素電極９及び画素電極に接続される半導体素子１５
を有する第１の基板１と、対向電極１３を有する第２の
基板１４とを対向配置しその間に液晶１２を挟持してな
る液晶表示装置において、第１の基板１上に画素電極９
の周辺を覆う遮光層２を形成したものである。
き、しかも遮光層と画素電極の位置合わせが高精度にで
きるので液晶パネルの開口率を大きくでき、これによ
り、高輝度、高精細の液晶表示装置を提供することを目
的とする。 【構成】 複数本のゲート線とこれと交差する複数本の
データ線を有すると共に、ゲート線とデータ線の各交点
に画素電極９及び画素電極に接続される半導体素子１５
を有する第１の基板１と、対向電極１３を有する第２の
基板１４とを対向配置しその間に液晶１２を挟持してな
る液晶表示装置において、第１の基板１上に画素電極９
の周辺を覆う遮光層２を形成したものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば薄膜トランジス
タ（ＴＦＴ）等の半導体素子をスイッチング素子とする
液晶表示装置（ＬＣＤ）に係わるもので、特に高画質で
高輝度の液晶表示装置を得ることを目的とする。
タ（ＴＦＴ）等の半導体素子をスイッチング素子とする
液晶表示装置（ＬＣＤ）に係わるもので、特に高画質で
高輝度の液晶表示装置を得ることを目的とする。
【０００２】
【従来の技術】図５は特開平２−１４４５２５号公報に
示された、薄膜トランジスタをスイッチング素子とする
液晶表示装置において、第２の基板上に遮光層を有する
従来の１画素の断面図である。同図において、第１の基
板１上に、ゲート電極８、ゲート絶縁膜６、非結晶質珪
素（アモルファスシリコン）からなる半導体膜４、不純
物をドープした半導体膜５、ソース・ドレイン電極１０
から構成される薄膜トランジスタ１５と、この薄膜トラ
ンジスタ１５のドレイン電極１０に接続された画素電極
９が形成され、さらに、薄膜トランジスタ１５と画素電
極９を覆うように保護膜１１が形成されている。また、
第２の基板１４上には、画素電極９の周辺から数μｍ程
度小さく光が透過する窓を開けた遮光層２が形成されて
いる。さらに、この遮光層２および第２の基板１４上全
面に対向電極１３が形成されている。そして、第１の基
板１と第２の基板１４の間には、液晶層１２が挟持され
て、さらに第１の基板１及び第２の基板１４の外側に偏
光板２０を取り付けて、液晶表示素子２１が構成されて
いる。また、第１の基板１の後方にバックライト２２を
設置し、表示は第２の基板１４側から観察するものとす
る。なお、第２の基板１４の後方にバックライト２２を
設置し、表示は第１の基板１側から観察することもでき
る。
示された、薄膜トランジスタをスイッチング素子とする
液晶表示装置において、第２の基板上に遮光層を有する
従来の１画素の断面図である。同図において、第１の基
板１上に、ゲート電極８、ゲート絶縁膜６、非結晶質珪
素（アモルファスシリコン）からなる半導体膜４、不純
物をドープした半導体膜５、ソース・ドレイン電極１０
から構成される薄膜トランジスタ１５と、この薄膜トラ
ンジスタ１５のドレイン電極１０に接続された画素電極
９が形成され、さらに、薄膜トランジスタ１５と画素電
極９を覆うように保護膜１１が形成されている。また、
第２の基板１４上には、画素電極９の周辺から数μｍ程
度小さく光が透過する窓を開けた遮光層２が形成されて
いる。さらに、この遮光層２および第２の基板１４上全
面に対向電極１３が形成されている。そして、第１の基
板１と第２の基板１４の間には、液晶層１２が挟持され
て、さらに第１の基板１及び第２の基板１４の外側に偏
光板２０を取り付けて、液晶表示素子２１が構成されて
いる。また、第１の基板１の後方にバックライト２２を
設置し、表示は第２の基板１４側から観察するものとす
る。なお、第２の基板１４の後方にバックライト２２を
設置し、表示は第１の基板１側から観察することもでき
る。
【０００３】遮光層２は、画素電極９周辺での液晶配列
の乱れに起因する漏れ光を防ぐ役目と、バックライト２
２からの光あるいは周囲の外光により薄膜トランジスタ
１５の特性が変わるのを防ぐ役目を有している。
の乱れに起因する漏れ光を防ぐ役目と、バックライト２
２からの光あるいは周囲の外光により薄膜トランジスタ
１５の特性が変わるのを防ぐ役目を有している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】第１の基板１と第２の
基板１４に挟持される液晶層１２として高分子分散型液
晶を用いると、光透過率の低い偏光板２０が不要なため
高輝度の表示画面を実現できる。この高分子分散型液晶
は、第１の基板１と第２の基板１４の間に液晶と光硬化
性樹脂の混合物を挟持したのち、外部より紫外線を照射
して形成するため、紫外線を全面に均一に照射しなけれ
ばならない。しかしながら、従来の構成では、遮光層２
が第２の基板１４側にあるため、第２の基板１４側から
照射を行っても遮光層２の下では高分子分散型液晶が形
成しない。また第１の基板１側からの照射もＴＦＴ１５
ならびにゲート線１６、データ線１７が第１の基板１側
にあるので、これらの部分に紫外線が当たらず高分子分
散型液晶を形成できないという問題があった。
基板１４に挟持される液晶層１２として高分子分散型液
晶を用いると、光透過率の低い偏光板２０が不要なため
高輝度の表示画面を実現できる。この高分子分散型液晶
は、第１の基板１と第２の基板１４の間に液晶と光硬化
性樹脂の混合物を挟持したのち、外部より紫外線を照射
して形成するため、紫外線を全面に均一に照射しなけれ
ばならない。しかしながら、従来の構成では、遮光層２
が第２の基板１４側にあるため、第２の基板１４側から
照射を行っても遮光層２の下では高分子分散型液晶が形
成しない。また第１の基板１側からの照射もＴＦＴ１５
ならびにゲート線１６、データ線１７が第１の基板１側
にあるので、これらの部分に紫外線が当たらず高分子分
散型液晶を形成できないという問題があった。
【０００５】図６は従来技術による遮光層と画素電極の
位置合わせ精度を説明する構成図である。第１の基板１
上にＴＦＴ１５およびゲート線１６、データ線１７、Ｔ
ＦＴ１５に接続されている画素電極９を有している。ま
た、第２の基板１４上に開口部１８を有する遮光層２を
形成している。ここで、第１の基板１と第２の基板１４
を張り合わせて液晶表示装置を形成する。第１の基板１
と第２の基板１４を張り合わせる際にズレが生じること
や第１の基板１、第２の基板１４それぞれに形成してあ
るパターンにズレがあるため、遮光層２が所定の部分を
覆うためには遮光層２を大きめに作り、開口部１８を小
さくする必要があった。このため、開口部分１８の面積
が画素面積より小さくなる。つまり、重ね合わせ誤差か
ら生じる表示損失１９が大きくなる。一般に１画素の面
積に対する開口部１８の面積を開口率といい、この場
合、開口率が低下するため、ＴＦＴ−ＬＣＤの透過率が
低下し、その結果、表示輝度が低下するという問題があ
った。
位置合わせ精度を説明する構成図である。第１の基板１
上にＴＦＴ１５およびゲート線１６、データ線１７、Ｔ
ＦＴ１５に接続されている画素電極９を有している。ま
た、第２の基板１４上に開口部１８を有する遮光層２を
形成している。ここで、第１の基板１と第２の基板１４
を張り合わせて液晶表示装置を形成する。第１の基板１
と第２の基板１４を張り合わせる際にズレが生じること
や第１の基板１、第２の基板１４それぞれに形成してあ
るパターンにズレがあるため、遮光層２が所定の部分を
覆うためには遮光層２を大きめに作り、開口部１８を小
さくする必要があった。このため、開口部分１８の面積
が画素面積より小さくなる。つまり、重ね合わせ誤差か
ら生じる表示損失１９が大きくなる。一般に１画素の面
積に対する開口部１８の面積を開口率といい、この場
合、開口率が低下するため、ＴＦＴ−ＬＣＤの透過率が
低下し、その結果、表示輝度が低下するという問題があ
った。
【０００６】この発明は上記のような問題を解決するた
めになされたもので、液晶パネル全面に均一に高分子液
晶を形成でき、しかも遮光層と画素電極の位置合わせが
高精度にできるので液晶パネルの開口率を大きくでき、
これにより、高輝度、高精細の液晶表示装置を提供する
ことを目的とする。
めになされたもので、液晶パネル全面に均一に高分子液
晶を形成でき、しかも遮光層と画素電極の位置合わせが
高精度にできるので液晶パネルの開口率を大きくでき、
これにより、高輝度、高精細の液晶表示装置を提供する
ことを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】複数本のゲート線とこれ
と交差する複数本のデータ線を有すると共に、上記ゲー
ト線と上記データ線の各交点に画素電極及び上記画素電
極に接続される半導体素子を有する第１の基板上に、上
記画素電極の周辺を覆う遮光層を形成したものである。
と交差する複数本のデータ線を有すると共に、上記ゲー
ト線と上記データ線の各交点に画素電極及び上記画素電
極に接続される半導体素子を有する第１の基板上に、上
記画素電極の周辺を覆う遮光層を形成したものである。
【０００８】
【作用】この発明においては、遮光層を第１の基板上に
形成しているので、第２の基板側から紫外線照射により
高分子分散型液晶の形成を全面に均一に行うことができ
る。また、遮光層を直接、半導体素子及び画素外部にパ
ターニングするので、精度よく画素電極周辺の部分を覆
うことができ、液晶パネルの開口率を大きくできる。
形成しているので、第２の基板側から紫外線照射により
高分子分散型液晶の形成を全面に均一に行うことができ
る。また、遮光層を直接、半導体素子及び画素外部にパ
ターニングするので、精度よく画素電極周辺の部分を覆
うことができ、液晶パネルの開口率を大きくできる。
【０００９】
実施例１．以下この発明の一実施例を図について説明す
る。図１はこの発明の実施例１の１画素を示す断面図で
ある。以下、実施例１の製造方法について説明する。は
じめに、第１の基板１を洗浄後、遮光層２、例えばクロ
ミウムをスパッタ法により形成する。その上に絶縁膜３
を形成する。次に上記絶縁膜３の上に半導体膜４、例え
ば多結晶Ｓｉを、例えば、ＬＰＣＶＤ法により形成す
る。次にゲート絶縁膜６、例えば二酸化珪素（ＳｉＯ
2 ）を、例えば熱酸化法により形成する。次にゲート電
極８、例えば不純物をドープした多結晶Ｓｉ膜を、例え
ばＬＰＣＶＤ法により形成する。ゲート電極８をマスク
として、例えばイオン注入法により半導体膜４に不純物
を拡散させ、不純物をドープした半導体膜５を形成す
る。半導体膜４、５上以外のゲート絶縁膜６を除去した
後、端面保護膜７、例えば窒化珪素（Ｓｉ3Ｎ4）を形成
する。画素電極９、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉ
ｎ Ｏｘｉｄｅ）を形成した後、ソース・ドレイン電極
１０とコンタクトする部分のゲート絶縁膜８を除去し、
ソース・ドレイン電極１０、例えばＡｌを形成する。そ
の後、保護膜１１を全面に形成する。一方、第２の基板
１４上に対向電極１３、例えばＡｌを蒸着する。そし
て、第１の基板１と第２の基板１４との間に紫外線硬化
樹脂、例えばスリーボンド社製紫外線硬化樹脂ＴＢ３０
２１と液晶を適当な割合で混合したものを挟み、紫外線
を第２の基板側から照射して高分子分散型液晶１２を形
成し、この発明の実施例１の構造が完成する。
る。図１はこの発明の実施例１の１画素を示す断面図で
ある。以下、実施例１の製造方法について説明する。は
じめに、第１の基板１を洗浄後、遮光層２、例えばクロ
ミウムをスパッタ法により形成する。その上に絶縁膜３
を形成する。次に上記絶縁膜３の上に半導体膜４、例え
ば多結晶Ｓｉを、例えば、ＬＰＣＶＤ法により形成す
る。次にゲート絶縁膜６、例えば二酸化珪素（ＳｉＯ
2 ）を、例えば熱酸化法により形成する。次にゲート電
極８、例えば不純物をドープした多結晶Ｓｉ膜を、例え
ばＬＰＣＶＤ法により形成する。ゲート電極８をマスク
として、例えばイオン注入法により半導体膜４に不純物
を拡散させ、不純物をドープした半導体膜５を形成す
る。半導体膜４、５上以外のゲート絶縁膜６を除去した
後、端面保護膜７、例えば窒化珪素（Ｓｉ3Ｎ4）を形成
する。画素電極９、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉ
ｎ Ｏｘｉｄｅ）を形成した後、ソース・ドレイン電極
１０とコンタクトする部分のゲート絶縁膜８を除去し、
ソース・ドレイン電極１０、例えばＡｌを形成する。そ
の後、保護膜１１を全面に形成する。一方、第２の基板
１４上に対向電極１３、例えばＡｌを蒸着する。そし
て、第１の基板１と第２の基板１４との間に紫外線硬化
樹脂、例えばスリーボンド社製紫外線硬化樹脂ＴＢ３０
２１と液晶を適当な割合で混合したものを挟み、紫外線
を第２の基板側から照射して高分子分散型液晶１２を形
成し、この発明の実施例１の構造が完成する。
【００１０】図２は図１に示す液晶表示装置における遮
光層と画素電極の位置合わせ精度を説明する構成図であ
る。第１の基板１上にＴＦＴ１５およびゲート線１６、
データ線１７、ＴＦＴ１５に接続されている画素電極９
ならびに開口部１８を有する遮光層２を形成している。
ここで、第１の基板１と第２の基板１４を張り合わせて
液晶表示装置を形成する。この液晶表示装置は前記のよ
うに遮光層２が第１の基板側１にあるので、高分子分散
型液晶を用いたＴＦＴーＬＣＤを作製する場合、第２の
基板側１４から紫外線を照射すれば、液晶パネル全面に
均一に高分子分散型液晶を形成できる。また、遮光層２
を直接、薄膜トランジスタ１５及び画素電極９外部にパ
ターニングするので、画素電極９と開口部１８との位置
合わせが高精度にでき、重ね合わせ誤差による表示損失
１９を小さくできる。
光層と画素電極の位置合わせ精度を説明する構成図であ
る。第１の基板１上にＴＦＴ１５およびゲート線１６、
データ線１７、ＴＦＴ１５に接続されている画素電極９
ならびに開口部１８を有する遮光層２を形成している。
ここで、第１の基板１と第２の基板１４を張り合わせて
液晶表示装置を形成する。この液晶表示装置は前記のよ
うに遮光層２が第１の基板側１にあるので、高分子分散
型液晶を用いたＴＦＴーＬＣＤを作製する場合、第２の
基板側１４から紫外線を照射すれば、液晶パネル全面に
均一に高分子分散型液晶を形成できる。また、遮光層２
を直接、薄膜トランジスタ１５及び画素電極９外部にパ
ターニングするので、画素電極９と開口部１８との位置
合わせが高精度にでき、重ね合わせ誤差による表示損失
１９を小さくできる。
【００１１】実施例２．図３はこの発明の実施例２の１
画素を示す断面図である。以下、実施例２の製造方法に
ついて説明する。はじめに、第１の基板１を洗浄後、遮
光層２、例えばクロミウムをスパッタ法により形成す
る。その上に絶縁膜３を形成する。次にゲート電極８、
例えばクロミウム（Ｃｒ）をスッパタ法により形成す
る。ゲート絶縁膜６、例えば窒化珪素（Ｓｉ3Ｏ4）、半
導体膜４、例えばアモルファスＳｉをＰＣＶＤ法により
連続成膜した後、トランジスタとなる部分を残して半導
体膜４を除去する。次に、画素電極９、例えばＩＴＯを
形成する。ソース・ドレイン電極１０とオーミック・コ
ンタクトするために、半導体膜４の上に不純物をドープ
した半導体膜５、例えばリンをドープしたアモルファス
Ｓｉを形成する。さらにソース・ドレイン電極１０、例
えばＡｌを形成する。その後、保護膜１１を全面に形成
する。一方、第２基板１４上に対向電極１３、例えばＡ
ｌを蒸着する。そして、透明基板１と対向基板１４との
間に紫外線硬化樹脂、例えばスリーボンド社製紫外線硬
化樹脂ＴＢ３０２１と液晶を適当な割合で混合したもの
を挟み、紫外線を第２の基板１４側から照射して高分子
分散型液晶１２を形成し、この発明の実施例２の構造が
完成する。このような構成でも効果は実施例１と同等で
ある。
画素を示す断面図である。以下、実施例２の製造方法に
ついて説明する。はじめに、第１の基板１を洗浄後、遮
光層２、例えばクロミウムをスパッタ法により形成す
る。その上に絶縁膜３を形成する。次にゲート電極８、
例えばクロミウム（Ｃｒ）をスッパタ法により形成す
る。ゲート絶縁膜６、例えば窒化珪素（Ｓｉ3Ｏ4）、半
導体膜４、例えばアモルファスＳｉをＰＣＶＤ法により
連続成膜した後、トランジスタとなる部分を残して半導
体膜４を除去する。次に、画素電極９、例えばＩＴＯを
形成する。ソース・ドレイン電極１０とオーミック・コ
ンタクトするために、半導体膜４の上に不純物をドープ
した半導体膜５、例えばリンをドープしたアモルファス
Ｓｉを形成する。さらにソース・ドレイン電極１０、例
えばＡｌを形成する。その後、保護膜１１を全面に形成
する。一方、第２基板１４上に対向電極１３、例えばＡ
ｌを蒸着する。そして、透明基板１と対向基板１４との
間に紫外線硬化樹脂、例えばスリーボンド社製紫外線硬
化樹脂ＴＢ３０２１と液晶を適当な割合で混合したもの
を挟み、紫外線を第２の基板１４側から照射して高分子
分散型液晶１２を形成し、この発明の実施例２の構造が
完成する。このような構成でも効果は実施例１と同等で
ある。
【００１２】実施例３．図４はこの発明の実施例３の１
画素を示す断面図である。以下、実施例３の製造方法に
ついて説明する。はじめに、第１の基板１を洗浄後、半
導体膜４、例えば多結晶Ｓｉを、例えばＬＰＣＶＤ法に
より形成する。次にゲート絶縁膜６、例えば二酸化珪素
（ＳｉＯ2 ）を、例えば熱酸化法により形成する。次に
ゲート電極８、例えば不純物をドープした多結晶Ｓｉ膜
を、例えばＬＰＣＶＤ法により形成する。ゲート電極８
をマスクとして、例えばイオン注入法により半導体膜４
に不純物を拡散させ、不純物をドープした半導体膜５を
形成する。半導体膜４、５上以外のゲート絶縁膜６を除
去した後、端面保護膜７、例えば窒化珪素（Ｓｉ3Ｎ4）
を形成する。画素電極９、例えばＩＴＯを形成した後、
ソース・ドレイン電極１０とコンタクトする部分のゲー
ト絶縁膜８を除去し、ソース・ドレイン電極１０、例え
ばＡｌを形成する。そして、絶縁膜３を全面に形成し
て、その上に遮光層２、たとえばクロミウムをスパッタ
法により形成する。その後、保護膜１１を形成する。一
方、第２の基板１４上に対向電極１３、例えばＡｌを蒸
着する。そして、第１の基板１と第２の基板１４との間
に紫外線硬化樹脂、例えばスリーボンド社製紫外線硬化
樹脂ＴＢ３０２１と液晶を適当な割合で混合したものを
挟み、紫外線を第２の基板１４側から照射して高分子分
散型液晶１２を形成し、この発明の実施例３の構造が完
成する。このような構成でも効果は実施例１と同等であ
る。
画素を示す断面図である。以下、実施例３の製造方法に
ついて説明する。はじめに、第１の基板１を洗浄後、半
導体膜４、例えば多結晶Ｓｉを、例えばＬＰＣＶＤ法に
より形成する。次にゲート絶縁膜６、例えば二酸化珪素
（ＳｉＯ2 ）を、例えば熱酸化法により形成する。次に
ゲート電極８、例えば不純物をドープした多結晶Ｓｉ膜
を、例えばＬＰＣＶＤ法により形成する。ゲート電極８
をマスクとして、例えばイオン注入法により半導体膜４
に不純物を拡散させ、不純物をドープした半導体膜５を
形成する。半導体膜４、５上以外のゲート絶縁膜６を除
去した後、端面保護膜７、例えば窒化珪素（Ｓｉ3Ｎ4）
を形成する。画素電極９、例えばＩＴＯを形成した後、
ソース・ドレイン電極１０とコンタクトする部分のゲー
ト絶縁膜８を除去し、ソース・ドレイン電極１０、例え
ばＡｌを形成する。そして、絶縁膜３を全面に形成し
て、その上に遮光層２、たとえばクロミウムをスパッタ
法により形成する。その後、保護膜１１を形成する。一
方、第２の基板１４上に対向電極１３、例えばＡｌを蒸
着する。そして、第１の基板１と第２の基板１４との間
に紫外線硬化樹脂、例えばスリーボンド社製紫外線硬化
樹脂ＴＢ３０２１と液晶を適当な割合で混合したものを
挟み、紫外線を第２の基板１４側から照射して高分子分
散型液晶１２を形成し、この発明の実施例３の構造が完
成する。このような構成でも効果は実施例１と同等であ
る。
【００１３】なお、上記実施例では遮光層２として金属
層を用いたが、絶縁物例えば、黒染色ゼラチン等を用い
ても同様の効果を奏する。
層を用いたが、絶縁物例えば、黒染色ゼラチン等を用い
ても同様の効果を奏する。
【００１４】また、従来からあるチャネル部遮光層をか
ねても良いことは言うまでもない。
ねても良いことは言うまでもない。
【００１５】また、上記実施例では半導体素子が薄膜ト
ランジスタである場合について説明したが、これに限る
ものではなく、例えば薄膜ダイオードであってもよい。
ランジスタである場合について説明したが、これに限る
ものではなく、例えば薄膜ダイオードであってもよい。
【００１６】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、複数
本のゲート線とこれと交差する複数本のデータ線を有す
ると共に、上記ゲート線と上記データ線の各交点に画素
電極及び上記画素電極に接続される半導体素子を有する
第１の基板上に、上記画素電極の周辺を覆う遮光層を形
成したので、高分子分散型液晶を用いた液晶表示装置を
作製する場合、第２の基板側から紫外線を照射すること
により、液晶パネル全面に均一に高分子液晶を形成でき
る。さらに、遮光層と画素電極の位置合わせが高精度に
できるので、液晶パネルの開口率を大きくできる。これ
により、高輝度、高精細の液晶表示装置を得ることがで
きる。
本のゲート線とこれと交差する複数本のデータ線を有す
ると共に、上記ゲート線と上記データ線の各交点に画素
電極及び上記画素電極に接続される半導体素子を有する
第１の基板上に、上記画素電極の周辺を覆う遮光層を形
成したので、高分子分散型液晶を用いた液晶表示装置を
作製する場合、第２の基板側から紫外線を照射すること
により、液晶パネル全面に均一に高分子液晶を形成でき
る。さらに、遮光層と画素電極の位置合わせが高精度に
できるので、液晶パネルの開口率を大きくできる。これ
により、高輝度、高精細の液晶表示装置を得ることがで
きる。
【図１】この発明の実施例１の１画素を示す断面図であ
る。
る。
【図２】図１の液晶表示装置における遮光層と画素電極
の位置合わせ精度を説明する構成図である。
の位置合わせ精度を説明する構成図である。
【図３】この発明の実施例２の１画素を示す断面図であ
る。
る。
【図４】この発明の実施例３の１画素を示す断面図であ
る。
る。
【図５】従来の液晶表示装置の１画素を示す断面図であ
る。
る。
【図６】従来の液晶表示装置における遮光層と画素電極
の位置合わせ精度を説明する構成図である。
の位置合わせ精度を説明する構成図である。
１ 第１の基板 ２ 遮光層 ４ 半導体膜 ５ 不純物をドープした半導体膜 ６ ゲート絶縁膜 ７ 絶縁膜 ８ ゲート電極 ９ 画素電極 １０ ソース・ドレイン電極 １２ 液晶 １３ 対向電極 １４ 第２の基板 １５ 薄膜トランジスタ １６ ゲート線 １７ データ線 １８ 開口部
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年１０月８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００９】
【実施例】 実施例１．以下この発明の一実施例を図について説明す
る。図１はこの発明の実施例１の１画素を示す断面図で
ある。以下、実施例１の製造方法について説明する。は
じめに、第１の基板１を洗浄後、遮光層２、例えばクロ
ミウムをスパッタ法により形成する。その上に絶縁膜３
を形成する。次に上記絶縁膜３の上に半導体膜４、例え
ば多結晶Ｓｉを、例えば、ＬＰＣＶＤ法により形成す
る。次にゲート絶縁膜６、例えば二酸化珪素（ＳｉＯ
2 ）を、例えば熱酸化法により形成する。次にゲート電
極８、例えば不純物をドープした多結晶Ｓｉ膜を、例え
ばＬＰＣＶＤ法により形成する。ゲート電極８をマスク
として、例えばイオン注入法により半導体膜４に不純物
を拡散させ、不純物をドープした半導体膜５を形成す
る。半導体膜４、５上以外のゲート絶縁膜６を除去した
後、保護膜７、例えば窒化珪素（Ｓｉ3Ｎ4）を形成す
る。画素電極９、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ
Ｏｘｉｄｅ）を形成した後、ソース・ドレイン電極１
０とコンタクトする部分のゲート絶縁膜６および保護膜
７を除去し、ソース・ドレイン電極１０、例えばＡｌを
形成する。その後、保護膜１１を全面に形成する。一
方、第２の基板１４上に対向電極１３、例えばＡｌを蒸
着する。そして、第１の基板１と第２の基板１４との間
に紫外線硬化樹脂、例えばスリーボンド社製紫外線硬化
樹脂ＴＢ３０２１と液晶を適当な割合で混合したものを
挟み、紫外線を第２の基板側から照射して高分子分散型
液晶１２を形成し、この発明の実施例１の構造が完成す
る。
る。図１はこの発明の実施例１の１画素を示す断面図で
ある。以下、実施例１の製造方法について説明する。は
じめに、第１の基板１を洗浄後、遮光層２、例えばクロ
ミウムをスパッタ法により形成する。その上に絶縁膜３
を形成する。次に上記絶縁膜３の上に半導体膜４、例え
ば多結晶Ｓｉを、例えば、ＬＰＣＶＤ法により形成す
る。次にゲート絶縁膜６、例えば二酸化珪素（ＳｉＯ
2 ）を、例えば熱酸化法により形成する。次にゲート電
極８、例えば不純物をドープした多結晶Ｓｉ膜を、例え
ばＬＰＣＶＤ法により形成する。ゲート電極８をマスク
として、例えばイオン注入法により半導体膜４に不純物
を拡散させ、不純物をドープした半導体膜５を形成す
る。半導体膜４、５上以外のゲート絶縁膜６を除去した
後、保護膜７、例えば窒化珪素（Ｓｉ3Ｎ4）を形成す
る。画素電極９、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ
Ｏｘｉｄｅ）を形成した後、ソース・ドレイン電極１
０とコンタクトする部分のゲート絶縁膜６および保護膜
７を除去し、ソース・ドレイン電極１０、例えばＡｌを
形成する。その後、保護膜１１を全面に形成する。一
方、第２の基板１４上に対向電極１３、例えばＡｌを蒸
着する。そして、第１の基板１と第２の基板１４との間
に紫外線硬化樹脂、例えばスリーボンド社製紫外線硬化
樹脂ＴＢ３０２１と液晶を適当な割合で混合したものを
挟み、紫外線を第２の基板側から照射して高分子分散型
液晶１２を形成し、この発明の実施例１の構造が完成す
る。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】実施例２．図３はこの発明の実施例２の１
画素を示す断面図である。以下、実施例２の製造方法に
ついて説明する。はじめに、第１の基板１を洗浄後、遮
光層２、例えばクロミウムをスパッタ法により形成す
る。その上に絶縁膜３を形成する。次にゲート電極８、
例えばクロミウム（Ｃｒ）をスッパタ法により形成す
る。ゲート絶縁膜６、例えば窒化珪素（Ｓｉ3 Ｎ 4）、半
導体膜４、例えばアモルファスＳｉをＰＣＶＤ法により
連続成膜した後、トランジスタとなる部分を残して半導
体膜４を除去する。次に、画素電極９、例えばＩＴＯを
形成する。ソース・ドレイン電極１０とオーミック・コ
ンタクトするために、半導体膜４の上に不純物をドープ
した半導体膜５、例えばリンをドープしたアモルファス
Ｓｉを形成する。さらにソース・ドレイン電極１０、例
えばＡｌを形成する。その後、保護膜１１を全面に形成
する。一方、第２基板１４上に対向電極１３、例えばＡ
ｌを蒸着する。そして、透明基板１と対向基板１４との
間に紫外線硬化樹脂、例えばスリーボンド社製紫外線硬
化樹脂ＴＢ３０２１と液晶を適当な割合で混合したもの
を挟み、紫外線を第２の基板１４側から照射して高分子
分散型液晶１２を形成し、この発明の実施例２の構造が
完成する。このような構成でも効果は実施例１と同等で
ある。
画素を示す断面図である。以下、実施例２の製造方法に
ついて説明する。はじめに、第１の基板１を洗浄後、遮
光層２、例えばクロミウムをスパッタ法により形成す
る。その上に絶縁膜３を形成する。次にゲート電極８、
例えばクロミウム（Ｃｒ）をスッパタ法により形成す
る。ゲート絶縁膜６、例えば窒化珪素（Ｓｉ3 Ｎ 4）、半
導体膜４、例えばアモルファスＳｉをＰＣＶＤ法により
連続成膜した後、トランジスタとなる部分を残して半導
体膜４を除去する。次に、画素電極９、例えばＩＴＯを
形成する。ソース・ドレイン電極１０とオーミック・コ
ンタクトするために、半導体膜４の上に不純物をドープ
した半導体膜５、例えばリンをドープしたアモルファス
Ｓｉを形成する。さらにソース・ドレイン電極１０、例
えばＡｌを形成する。その後、保護膜１１を全面に形成
する。一方、第２基板１４上に対向電極１３、例えばＡ
ｌを蒸着する。そして、透明基板１と対向基板１４との
間に紫外線硬化樹脂、例えばスリーボンド社製紫外線硬
化樹脂ＴＢ３０２１と液晶を適当な割合で混合したもの
を挟み、紫外線を第２の基板１４側から照射して高分子
分散型液晶１２を形成し、この発明の実施例２の構造が
完成する。このような構成でも効果は実施例１と同等で
ある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】実施例３．図４はこの発明の実施例３の１
画素を示す断面図である。以下、実施例３の製造方法に
ついて説明する。はじめに、第１の基板１を洗浄後、半
導体膜４、例えば多結晶Ｓｉを、例えばＬＰＣＶＤ法に
より形成する。次にゲート絶縁膜６、例えば二酸化珪素
（ＳｉＯ2 ）を、例えば熱酸化法により形成する。次に
ゲート電極８、例えば不純物をドープした多結晶Ｓｉ膜
を、例えばＬＰＣＶＤ法により形成する。ゲート電極８
をマスクとして、例えばイオン注入法により半導体膜４
に不純物を拡散させ、不純物をドープした半導体膜５を
形成する。半導体膜４、５上以外のゲート絶縁膜６を除
去した後、保護膜７、例えば窒化珪素（Ｓｉ3Ｎ4）を形
成する。画素電極９、例えばＩＴＯを形成した後、ソー
ス・ドレイン電極１０とコンタクトする部分のゲート絶
縁膜６および保護膜７を除去し、ソース・ドレイン電極
１０、例えばＡｌを形成する。そして、絶縁膜３を全面
に形成して、その上に遮光層２、たとえばクロミウムを
スパッタ法により形成する。その後、保護膜１１を形成
する。一方、第２の基板１４上に対向電極１３、例えば
Ａｌを蒸着する。そして、第１の基板１と第２の基板１
４との間に紫外線硬化樹脂、例えばスリーボンド社製紫
外線硬化樹脂ＴＢ３０２１と液晶を適当な割合で混合し
たものを挟み、紫外線を第２の基板１４側から照射して
高分子分散型液晶１２を形成し、この発明の実施例３の
構造が完成する。このような構成でも効果は実施例１と
同等である。
画素を示す断面図である。以下、実施例３の製造方法に
ついて説明する。はじめに、第１の基板１を洗浄後、半
導体膜４、例えば多結晶Ｓｉを、例えばＬＰＣＶＤ法に
より形成する。次にゲート絶縁膜６、例えば二酸化珪素
（ＳｉＯ2 ）を、例えば熱酸化法により形成する。次に
ゲート電極８、例えば不純物をドープした多結晶Ｓｉ膜
を、例えばＬＰＣＶＤ法により形成する。ゲート電極８
をマスクとして、例えばイオン注入法により半導体膜４
に不純物を拡散させ、不純物をドープした半導体膜５を
形成する。半導体膜４、５上以外のゲート絶縁膜６を除
去した後、保護膜７、例えば窒化珪素（Ｓｉ3Ｎ4）を形
成する。画素電極９、例えばＩＴＯを形成した後、ソー
ス・ドレイン電極１０とコンタクトする部分のゲート絶
縁膜６および保護膜７を除去し、ソース・ドレイン電極
１０、例えばＡｌを形成する。そして、絶縁膜３を全面
に形成して、その上に遮光層２、たとえばクロミウムを
スパッタ法により形成する。その後、保護膜１１を形成
する。一方、第２の基板１４上に対向電極１３、例えば
Ａｌを蒸着する。そして、第１の基板１と第２の基板１
４との間に紫外線硬化樹脂、例えばスリーボンド社製紫
外線硬化樹脂ＴＢ３０２１と液晶を適当な割合で混合し
たものを挟み、紫外線を第２の基板１４側から照射して
高分子分散型液晶１２を形成し、この発明の実施例３の
構造が完成する。このような構成でも効果は実施例１と
同等である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 29/784
Claims (1)
- 【請求項１】 複数本のゲート線とこれと交差する複数
本のデータ線を有すると共に、上記ゲート線と上記デー
タ線の各交点に画素電極および上記画素電極に接続され
る半導体素子を有する第１の基板と、対向電極を有する
第２の基板とを対向配置しその間に液晶を挟持してなる
液晶表示装置において、上記第１の基板上に上記画素電
極の周辺を覆う遮光層を形成したことを特徴とする液晶
表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5132092A JP2936873B2 (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5132092A JP2936873B2 (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05249492A true JPH05249492A (ja) | 1993-09-28 |
| JP2936873B2 JP2936873B2 (ja) | 1999-08-23 |
Family
ID=12883626
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5132092A Expired - Lifetime JP2936873B2 (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2936873B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19648083A1 (de) * | 1995-11-20 | 1997-05-22 | Hyundai Electronics Ind | Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung und Verfahren zu deren Herstellung |
| JP2005167265A (ja) * | 2004-12-20 | 2005-06-23 | Toshiba Corp | アレイ基板の製造方法、アレイ基板、および液晶表示装置 |
| WO2012050006A1 (ja) * | 2010-10-12 | 2012-04-19 | シャープ株式会社 | アレイ基板、及び、その製造方法 |
-
1992
- 1992-03-10 JP JP5132092A patent/JP2936873B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19648083A1 (de) * | 1995-11-20 | 1997-05-22 | Hyundai Electronics Ind | Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung und Verfahren zu deren Herstellung |
| US5929501A (en) * | 1995-11-20 | 1999-07-27 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Liquid crystal display device with storage capacitor and method of fabricating |
| DE19648083B4 (de) * | 1995-11-20 | 2004-07-15 | Boe-Hydis Technology Co., Ltd. | Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung und Verfahren zu deren Herstellung |
| JP2005167265A (ja) * | 2004-12-20 | 2005-06-23 | Toshiba Corp | アレイ基板の製造方法、アレイ基板、および液晶表示装置 |
| WO2012050006A1 (ja) * | 2010-10-12 | 2012-04-19 | シャープ株式会社 | アレイ基板、及び、その製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2936873B2 (ja) | 1999-08-23 |
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