JP2005167265A - アレイ基板の製造方法、アレイ基板、および液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 高耐熱性遮光部材からなる遮光膜が設けられた透明基板上に、CVD法により、絶縁膜、半導体層及び電極を成膜してTFTを形成する工程及び画素電極を形成する工程を具備するアレイ基板の製造方法である。前記遮光膜は、透明基板上に、下記一般式(1)で表される加水分解性基を有するシラン化合物又はオリゴマーと、平均粒子径0.5μm以下で4〜11族かつ第4周期の金属群から選択された金属を含有する金属酸化物とを含有する塗膜を形成する工程、前記塗膜をパターニングする工程、及び前記塗膜パターンを加熱乾燥する工程により作製される。
R1R2R3R4Si (1)
(上記一般式(1)中、R1,R2は加水分解性基、R3,R4は夫々水素原子、置換又は非置換のアルキル基、アリール基、アリル基、加水分解性基であるが、R3,R4の少なくとも1個は水素原子又は加水分解性基である。)
【選択図】 図4
Description
前記遮光膜上にプラズマCVD法により保護膜を形成する工程、
前記保護膜上に、ソース電極とドレイン電極とを離間して形成する工程、
前記ソース電極とドレイン電極とに接触させて、これらの間の前記保護膜上に、300℃以上のプラズマCVD法により真性アモルファスシリコン層からなる半導体層を形成する工程、
前記半導体層上に、プラズマCVD法によりゲート絶縁膜を形成する工程、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程、
前記ゲート電極が形成された前記透明基板の全面に、プラズマCVD法によりパッシベーション膜を形成する工程、および
前記ソース電極またはドレイン電極に接続して、前記パッシベーション膜上に画素電極を形成する工程を具備するアレイ基板の製造方法であって、
前記遮光膜は、透明基板上に、下記一般式(1)で表される加水分解性基を有するシラン群から選ばれる1種以上のシラン化合物、あるいはこのシラン化合物から誘導される重合度10以下の直鎖状もしくは環状のシランオリゴマーまたはシロキサンオリゴマーと、平均粒子径0.5μm以下であり、少なくとも4〜11族かつ第4周期の金属群から選択された1種以上の金属を含有する着色成分としての金属酸化物とを含有する塗膜を形成する工程、
前記塗膜の上にホトレジスト膜を形成する工程、
前記ホトレジスト膜にパターン露光を施した後、現像してレジストパターンを得る工程、
前記レジストパターンをマスクとして前記塗膜をパターニングし、塗膜パターンを形成する工程、および
前記パターニングされた塗膜を加熱乾燥する工程により作製されることを特徴とする。
(上記一般式(1)中、R1,R2は加水分解性基、R3,R4はそれぞれ水素原子、置換または非置換のアルキル基、アリール基、アリル基、加水分解性基であるが、R3,R4の少なくとも1個は、水素原子または加水分解性基である。)
本発明の他の態様にかかるアレイ基板の製造方法は、透明基板上に高耐熱性遮光部材からなる遮光膜を形成する工程、
前記遮光膜上にプラズマCVD法により保護膜を形成する工程、
前記保護膜上に、プラズマCVD法により真性アモルファスシリコン層を堆積し、600℃以上でアニールして真性多結晶シリコン層からなる半導体層を形成する工程、
前記半導体層上に、プラズマCVD法によりゲート絶縁膜を形成する工程、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程、
前記ゲート電極が形成された前記透明基板の全面に、プラズマCVD法によりパッシベーション膜を形成する工程、
前記絶縁膜上に、前記半導体層と接続して、ソース電極およびドレイン電極を形成する工程、
前記ソース電極またはドレイン電極に接続して、前記絶縁膜上に画素電極を形成する工程、および
前記ソース電極およびドレイン電極上にパッシベーション膜を形成する工程を具備するアレイ基板の製造方法であって、
前記遮光膜は、透明基板上に、下記一般式(1)で表される加水分解性基を有するシラン群から選ばれる1種以上のシラン化合物、あるいはこのシラン化合物から誘導される重合度10以下の直鎖状もしくは環状のシランオリゴマーまたはシロキサンオリゴマーと、平均粒子径0.5μm以下であり、少なくとも4〜11族かつ第4周期の金属群から選択された1種以上の金属を含有する着色成分としての金属酸化物とを含有する塗膜を形成する工程、
前記塗膜の上にホトレジスト膜を形成する工程、
前記ホトレジスト膜にパターン露光を施した後、現像してレジストパターンを得る工程、
前記レジストパターンをマスクとして前記塗膜をパターニングし、塗膜パターンを形成する工程、および
前記パターニングされた塗膜を加熱乾燥する工程により作製されることを特徴とする。
(上記一般式(1)中、R1,R2は加水分解性基、R3,R4はそれぞれ水素原子、置換または非置換のアルキル基、アリール基、アリル基、加水分解性基であるが、R3,R4の少なくとも1個は、水素原子または加水分解性基である。)
本発明の他の態様にかかるアレイ基板の製造方法は、透明基板上に高耐熱性遮光部材からなる遮光膜を形成する工程、
前記遮光膜上にプラズマCVD法により保護膜を形成する工程、
前記保護膜上に、ソース電極とドレイン電極とを離間して形成する工程、
前記ソース電極とドレイン電極とに接触させて、これらの間の前記保護膜上に、300℃以上のプラズマCVD法により真性アモルファスシリコン層からなる半導体層を形成する工程、
前記半導体層上に、プラズマCVD法によりゲート絶縁膜を形成する工程、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程、
前記ゲート電極が形成された前記透明基板の全面に、プラズマCVD法によりパッシベーション膜を形成する工程、および
前記ソース電極またはドレイン電極に接続して、前記パッシベーション膜上に画素電極を形成する工程を具備するアレイ基板の製造方法であって、
前記遮光膜は、透明基板上にホトレジスト膜を形成する工程、
前記ホトレジスト膜にパターン露光を施した後、現像処理してレジストパターンを得る工程、
前記透明基板およびレジストパターン上に、下記一般式(1)で表される加水分解性基を有するシラン群から選ばれる1種以上のシラン化合物、あるいはこのシラン化合物から誘導される重合度10以下の直鎖状もしくは環状のシランオリゴマーまたはシロキサンオリゴマーと、平均粒子径0.5μm以下であり、少なくとも4〜11族かつ第4周期の金属群から選択された1種以上の金属を含有する着色成分としての金属酸化物とを含有する塗膜を形成する工程、
前記レジストパターンを除去することにより、この上に位置する前記塗膜を選択的に除去して塗膜パターンを形成する工程、および
前記塗膜パターンを加熱乾燥する工程により作製されることを特徴とする
R1R2R3R4Si (1)
(上記一般式(1)中、R1,R2は加水分解性基、R3,R4はそれぞれ水素原子、置換または非置換のアルキル基、アリール基、アリル基、加水分解性基であるが、R3,R4の少なくとも1個は、水素原子または加水分解性基である。)
本発明の他の態様にかかるアレイ基板の製造方法は、透明基板上に高耐熱性遮光部材からなる遮光膜を形成する工程、
前記遮光膜上にプラズマCVD法により保護膜を形成する工程、
前記保護膜上に、プラズマCVD法により真性アモルファスシリコン層を堆積し、600℃以上でアニールして真性多結晶シリコン層からなる半導体層を形成する工程、
前記半導体層上に、プラズマCVD法によりゲート絶縁膜を形成する工程、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程、
前記ゲート電極が形成された前記透明基板の全面に、プラズマCVD法によりパッシベーション膜を形成する工程、
前記絶縁膜上に、前記半導体層と接続して、ソース電極およびドレイン電極を形成する工程、
前記ソース電極またはドレイン電極に接続して、前記絶縁膜上に画素電極を形成する工程、および
前記ソース電極およびドレイン電極上にパッシベーション膜を形成する工程を具備するアレイ基板の製造方法であって、
前記遮光膜は、透明基板上にホトレジスト膜を形成する工程、
前記ホトレジスト膜にパターン露光を施した後、現像処理してレジストパターンを得る工程、
前記透明基板およびレジストパターン上に、下記一般式(1)で表される加水分解性基を有するシラン群から選ばれる1種以上のシラン化合物、あるいはこのシラン化合物から誘導される重合度10以下の直鎖状もしくは環状のシランオリゴマーまたはシロキサンオリゴマーと、平均粒子径0.5μm以下であり、少なくとも4〜11族かつ第4周期の金属群から選択された1種以上の金属を含有する着色成分としての金属酸化物とを含有する塗膜を形成する工程、
前記レジストパターンを除去することにより、この上に位置する前記塗膜を選択的に除去して塗膜パターンを形成する工程、および
前記塗膜パターンを加熱乾燥する工程により作製されることを特徴とする。
(上記一般式(1)中、R1,R2は加水分解性基、R3,R4はそれぞれ水素原子、置換または非置換のアルキル基、アリール基、アリル基、加水分解性基であるが、R3,R4の少なくとも1個は、水素原子または加水分解性基である。)
本発明の態様にかかるアレイ基板は、透明基板と、半導体層と、この半導体層の上に絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記半導体層の前記ゲート電極が形成されている側、またはこれに対向する側に形成され、互いに離間して設けられたソース電極およびドレイン電極と、前記ソース電極またはドレイン電極に接続された画素電極とを具備し、前記半導体層の下方に遮光膜を有するアレイ基板であって、前記遮光膜は、下記一般式(1)で表される加水分解性基を有するシラン群から選ばれる1種以上のシラン化合物、あるいはこのシラン化合物から誘導される重合度10以下の直鎖状もしくは環状のシランオリゴマーまたはシロキサンオリゴマーを、加水分解および部分縮重合させることによって得られたSi−O−Si結合の三次元構造を有するケイ素系マトリックス中に、平均粒子径0.5μm以下で少なくとも4〜11族かつ第4周期の金属群から選択された1種以上の金属を含有する高耐熱性遮光部材からなり、請求項1ないし6のいずれか1項に記載の方法により製造されたことを特徴とする。
(上記一般式(1)中、R1,R2は加水分解性基、R3,R4はそれぞれ水素原子、置換または非置換のアルキル基、アリール基、アリル基、加水分解性基であるが、R3,R4の少なくとも1個は、水素原子または加水分解性基である。)
本発明の態様にかかる液晶表示装置は、前述のアレイ基板、このアレイ基板と離間・対向して配置され、主面に対向電極が形成された対向基板、および、これらのアレイ基板と対向基板間に挟持された液晶層を具備することを特徴とする。
(上記一般式(1)中、R1,R2は加水分解性基、R3,R3はそれぞれ水素原子、置換または非置換のアルキル基、アリール基、アリル基、加水分解性基であるが、R3,R4の少なくとも1個は、水素原子または加水分解性基である。)
ここで、R1,R2 の具体例としては、アルコキシ基などの加水分解性基が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、R3,R4の具体例としては、例えば、水素原子;メチル基、エチル基、プロピル基などのアルキル基;ビニル基などのアリル基;フェニル基、ナフチル基などのアリール基;トリフルオロメチル基、トリフルオロプロピル基などのフルオロアルキル基;アルコキシ基などの加水分解性基などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。なお、特に高耐熱また高抵抗の遮光部材を得るうえでは、R1,R2としてはメトキシ基およびエトキシ基が好ましく、R3,R4としては、水素原子、メチル基、メトキシ基およびエトキシ基が好ましい。
(上記一般式(2)中、R3は水素原子、置換または非置換のアルキル基、R4は置換または非置換のアルキル基であり、nは2または4、x=0または1、MはAlまたはSiである。)
ここでのR3 のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。このような金属アルコキシドは、単独でまたは2種以上を組み合わせて使用することができる。また、上述の一般式(2)におけるMがAl,Siでなく、B,ZrおよびTiである金属アルコキシドを併用してもよいが、アルミニウムおよびケイ素以外のアルコキシドの配合量は、金属アルコキシド全量中50wt%以下とすることが好ましい。これは、50wt%を越えると、十分に高抵抗の遮光部材が得られないおそれがあるためである。
加水分解性基を有するシラン化合物から誘導されるシロキサンオリゴマーとしてのMシリケート51(多摩化学製)15.0gをエチルセロソルブ15.0gとn−ブタノール5.0gとの混合溶媒に溶解し、水5.0gを加えてよく攪拌した。次いで、濃硝酸0.06gを加え60℃で1時間加熱した後、急冷して室温に戻し、さらにエチルセロソルブ5.0gおよびn−ブタノール15.0gを加えてケイ素系高分子溶液を得た。
透明ガラス基板(#7913、日本コーニング社製、厚さ1.1mm)を使用し、電気炉で600℃1時間加熱する以外は、実験例1と同様にして遮光性基板を作製した。得られた遮光性基板において黒色遮光膜は、膜厚0.50μm、光学濃度が1.3であり、体積抵抗値は109Ω・cmであった。また、黒色遮光膜16の断面をTEM観察した結果、着色成分である金属酸化物は、着色分散液を調製した際の平均粒子径を保持していることが確認された。
図2を参照して、遮光性基板の製造方法の他の例を説明する。
図3を参照して、遮光性基板の製造方法の他の例を説明する。
透明ガラス基板(#7913、日本コーニング社製、厚さ1.1mm)を使用し、電気炉で600℃1時間加熱する以外は、実験例3と同様にして遮光性基板を作製した。得られた遮光性基板において黒色遮光膜は、膜厚0.50μm、光学濃度が1.3であり、体積抵抗値は109Ω・cmであった。また、黒色遮光膜23の断面をTEM観察した結果、着色成分である金属酸化物は、着色分散液を調製した際の平均粒子径を保持していることが確認された。
透明ガラス基板(#7913、日本コーニング社製、厚さ1.1mm)を使用し、電気炉で600℃1時間加熱する以外は、実験例4と同様にして遮光性基板を作製した。得られた遮光性基板において黒色遮光膜は、膜厚0.50μm、光学濃度が1.3であり、体積抵抗値は109Ω・cmであった。また、黒色遮光膜30の断面をTEM観察した結果、着色成分である金属酸化物は、着色分散液を調製した際の平均粒子径を保持していることが確認された。
図4に、本発明の一実施形態にかかるアレイ基板の例の断面図を示す。
図5は、本発明の他の実施形態にかかるアレイ基板の例を示す断面図である。
図6は、本発明の他の実施形態にかかるアレイ基板の例を示す断面図である。
図7は、本発明の他の実施形態にかかるアレイ基板の例を示す断面図である。
実施例7で作製されたアレイ基板上に、溶媒可溶性のポリイミドのワニスを塗布した後、熱処理、ラビング処理を順次施し液晶配向膜を形成した。
実施例8〜10で作製されたアレイ基板を用いる以外は、実施例11と同様にして、実施例12〜14の液晶表示装置を作製し、得られた液晶表示装置の室温での電圧保持率を測定したところ、いずれも98%と良好な値を示した。
加水分解性基を有するシラン化合物から誘導されるシロキサンオリゴマーとしてのMシリケート51(多摩化学製)10.0g、および加水分解性基を有するシラン化合物であるメチルトリエトキシシラン5.0gを、エチルセロソルブ15gとn−ブタノール5.0gとの混合溶媒に溶解し、水5.0gを加えてよく攪拌した。次いで、濃硝酸0.06gを加え60℃で1時間加熱した後、急冷して室温に戻し、さらにエチルセロソルブ5.0gおよびn−ブタノール15.0gを加えてケイ素系高分子溶液を得た。
金属アルコキシドとしてのトリイソプロポキシアルミニウム2.5gを、2,4−ペンタジオン5.0gとエチルセロソルブ10.0gとn−ブタノール5.0gの混合溶媒に溶解し、Mシリケート51(多摩化学製)12.5gと水5.0gを加えてよく攪拌した。次いで、濃硝酸0.06gを加え60℃で1時間加熱した後、急冷して室温に戻し、さらにエチルセロソルブ5.0gおよびn−ブタノール15.0gを加えて金属酸化物ゾル溶液を得た。
金属アルコキシドとしてのトリイソプロポキシアルミニウム5.0gを、2,4−ペンタジオン15.0gとn−ブタノール5.0gとの混合溶媒に溶解し、水5.0gを加えてよく攪拌した。次いで、濃硝酸0.06gを加え60℃で1時間加熱した後、急冷して室温に戻し、さらにエチルセロソルブ15.0gおよびn−ブタノール5.0gを加えて金属酸化物のゾル溶液を得た。
透明ガラス基板(#7913、日本コーニング社製、厚さ1.1mm)を使用し、電気炉で600℃で1時間加熱する以外は、実験例16と同様にして遮光性基板を作製した。得られた遮光性基板において黒色遮光膜は、膜厚0.50μm、光学濃度が1.3であり、体積抵抗値は109Ω・cmであった。また、黒色遮光膜の断面をTEM観察した結果、着色成分である金属酸化物は、着色分散液を調製した際の平均粒子径を保持していることが確認された。
透明ガラス基板(#7913、日本コーニング社製、厚さ1.1mm)を使用し、電気炉で600℃で1時間加熱する以外は、実験例17と同様にして遮光性基板を作製した。得られた遮光性基板において黒色遮光膜は、膜厚0.50μm、光学濃度が1.1であり、体積抵抗値は109Ω・cmであった。また、黒色遮光膜の断面をTEM観察した結果、着色成分である金属酸化物は、着色分散液を調製した際の平均粒子径を保持していることが確認された。
加水分解性基を有するシラン化合物から誘導されるシロキサンオリゴマーとしてのMシリケート51(多摩化学製)15.0gを、エチルセロソルブ15.0gとn−ブタノール5.0gとの混合溶媒に溶解し、水5.0gを加えてよく攪拌した。次いで、濃硝酸0.06gを加え60℃で1時間加熱した後、急冷して室温に戻し、さらにエチルセロソルブ5.0gおよびn−ブタノール15.0gを加えてケイ素系高分子溶液を得た。
透明ガラス基板(#7913、日本コーニング社製、厚さ1.1mm)を使用し、電気炉で600℃で1時間加熱する以外は、実験例20と同様にして遮光性基板を作製した。得られた遮光性基板において黒色遮光膜は、膜厚0.50μm、光学濃度が1.1であり、体積抵抗値は109Ω・cmであった。また、黒色遮光膜の断面をTEM観察した結果、着色成分である金属酸化物は、着色分散液を調製した際の平均粒子径を保持していることが確認された。
ブラックマトリックス用顔料分散レジスト(富士ハント社製CK2000)をガラス基板上にスピナーで塗布し、120℃で10分間プリベークして厚さ0.6μmの遮光膜を形成した。この遮光膜は、1013Ω・cmという高い体積抵抗値を有していたが、600℃で30分加熱すると分解してしまい、ブラックマトリックスオンアレイ基板には適用できないことがわかった。
加水分解性基を有するシラン化合物から誘導されたシロキサンオリゴマーとしてのMシリケート51(多摩化学製)10.0g、および加水分解性基を有するシラン化合物であるメチルトリエトキシシラン5.0gを、イソプロピルアルコール15.0gとn−ブタノール5.0gとの混合溶媒に溶解し、水5.0gを加えてよく攪拌した。次いで、濃硝酸0.06gを加え60℃で1時間加熱した後、急冷して室温に戻し、さらにIPA5.0gおよびn−ブタノール15.0gを加えてケイ素系高分子溶液を得た。
14,20,27…マスク; 15,21,28…レジストパターン
16,23,30…黒色遮光膜; 17,24,31…遮光性基板; 33…保護膜
34,51,76a,87…ソース電極
35a,52a,76b,88…ドレイン電極; 35b,52b…ドレインライン
37,74、89…アモルファスシリコン層; 38,50,75…n+ 型半導体層
39a,48a,91a…ゲート電極
39b,48b,72,91b…ゲートライン; 40,73…ゲート絶縁膜
41,53,77…パッシベーション膜; 42,54,78a…透明画素電極
43,55…透明絶縁膜; 46,93…多結晶シリコン層; 47,49…絶縁膜
57,61…液晶配向膜; 58,80…透明基板; 59,82…カラーフィルタ
60,83…対向電極; 62,84…液晶層; 63,70…液晶表示装置
79…容量線; 81…ブラックマトリックス; 86…ガラス基板。
Claims (9)
- 透明基板上に高耐熱性遮光部材からなる遮光膜を形成する工程、
前記遮光膜上にプラズマCVD法により保護膜を形成する工程、
前記保護膜上に、ソース電極とドレイン電極とを離間して形成する工程、
前記ソース電極とドレイン電極とに接触させて、これらの間の前記保護膜上に、300℃以上のプラズマCVD法により真性アモルファスシリコン層からなる半導体層を形成する工程、
前記半導体層上に、プラズマCVD法によりゲート絶縁膜を形成する工程、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程、
前記ゲート電極が形成された前記透明基板の全面に、プラズマCVD法によりパッシベーション膜を形成する工程、および
前記ソース電極またはドレイン電極に接続して、前記パッシベーション膜上に画素電極を形成する工程を具備するアレイ基板の製造方法であって、
前記遮光膜は、透明基板上に、下記一般式(1)で表される加水分解性基を有するシラン群から選ばれる1種以上のシラン化合物、あるいはこのシラン化合物から誘導される重合度10以下の直鎖状もしくは環状のシランオリゴマーまたはシロキサンオリゴマーと、平均粒子径0.5μm以下であり、少なくとも4〜11族かつ第4周期の金属群から選択された1種以上の金属を含有する着色成分としての金属酸化物とを含有する塗膜を形成する工程、
前記塗膜の上にホトレジスト膜を形成する工程、
前記ホトレジスト膜にパターン露光を施した後、現像してレジストパターンを得る工程、
前記レジストパターンをマスクとして前記塗膜をパターニングし、塗膜パターンを形成する工程、および
前記パターニングされた塗膜を加熱乾燥する工程により作製されることを特徴とするアレイ基板の製造方法。
R1R2R3R4Si (1)
(上記一般式(1)中、R1,R2は加水分解性基、R3,R4はそれぞれ水素原子、置換または非置換のアルキル基、アリール基、アリル基、加水分解性基であるが、R3,R4の少なくとも1個は、水素原子または加水分解性基である。) - 透明基板上に高耐熱性遮光部材からなる遮光膜を形成する工程、
前記遮光膜上にプラズマCVD法により保護膜を形成する工程、
前記保護膜上に、プラズマCVD法により真性アモルファスシリコン層を堆積し、600℃以上でアニールして真性多結晶シリコン層からなる半導体層を形成する工程、
前記半導体層上に、プラズマCVD法によりゲート絶縁膜を形成する工程、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程、
前記ゲート電極が形成された前記透明基板の全面に、プラズマCVD法によりパッシベーション膜を形成する工程、
前記絶縁膜上に、前記半導体層と接続して、ソース電極およびドレイン電極を形成する工程、
前記ソース電極またはドレイン電極に接続して、前記絶縁膜上に画素電極を形成する工程、および
前記ソース電極およびドレイン電極上にパッシベーション膜を形成する工程を具備するアレイ基板の製造方法であって、
前記遮光膜は、透明基板上に、下記一般式(1)で表される加水分解性基を有するシラン群から選ばれる1種以上のシラン化合物、あるいはこのシラン化合物から誘導される重合度10以下の直鎖状もしくは環状のシランオリゴマーまたはシロキサンオリゴマーと、平均粒子径0.5μm以下であり、少なくとも4〜11族かつ第4周期の金属群から選択された1種以上の金属を含有する着色成分としての金属酸化物とを含有する塗膜を形成する工程、
前記塗膜の上にホトレジスト膜を形成する工程、
前記ホトレジスト膜にパターン露光を施した後、現像してレジストパターンを得る工程、
前記レジストパターンをマスクとして前記塗膜をパターニングし、塗膜パターンを形成する工程、および
前記パターニングされた塗膜を加熱乾燥する工程により作製されることを特徴とするアレイ基板の製造方法。
R1R2R3R4Si (1)
(上記一般式(1)中、R1,R2は加水分解性基、R3,R4はそれぞれ水素原子、置換または非置換のアルキル基、アリール基、アリル基、加水分解性基であるが、R3,R4の少なくとも1個は、水素原子または加水分解性基である。) - 前記画素電極を形成する前に、透明絶縁膜を形成する工程をさらに具備することを特徴とする請求項1または2に記載のアレイ基板の製造方法。
- 透明基板上に高耐熱性遮光部材からなる遮光膜を形成する工程、
前記遮光膜上にプラズマCVD法により保護膜を形成する工程、
前記保護膜上に、ソース電極とドレイン電極とを離間して形成する工程、
前記ソース電極とドレイン電極とに接触させて、これらの間の前記保護膜上に、300℃以上のプラズマCVD法により真性アモルファスシリコン層からなる半導体層を形成する工程、
前記半導体層上に、プラズマCVD法によりゲート絶縁膜を形成する工程、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程、
前記ゲート電極が形成された前記透明基板の全面に、プラズマCVD法によりパッシベーション膜を形成する工程、および
前記ソース電極またはドレイン電極に接続して、前記パッシベーション膜上に画素電極を形成する工程を具備するアレイ基板の製造方法であって、
前記遮光膜は、透明基板上にホトレジスト膜を形成する工程、
前記ホトレジスト膜にパターン露光を施した後、現像処理してレジストパターンを得る工程、
前記透明基板およびレジストパターン上に、下記一般式(1)で表される加水分解性基を有するシラン群から選ばれる1種以上のシラン化合物、あるいはこのシラン化合物から誘導される重合度10以下の直鎖状もしくは環状のシランオリゴマーまたはシロキサンオリゴマーと、平均粒子径0.5μm以下であり、少なくとも4〜11族かつ第4周期の金属群から選択された1種以上の金属を含有する着色成分としての金属酸化物とを含有する塗膜を形成する工程、
前記レジストパターンを除去することにより、この上に位置する前記塗膜を選択的に除去して塗膜パターンを形成する工程、および
前記塗膜パターンを加熱乾燥する工程により作製されることを特徴とするアレイ基板の製造方法。
R1R2R3R4Si (1)
(上記一般式(1)中、R1,R2は加水分解性基、R3,R4はそれぞれ水素原子、置換または非置換のアルキル基、アリール基、アリル基、加水分解性基であるが、R3,R4の少なくとも1個は、水素原子または加水分解性基である。) - 透明基板上に高耐熱性遮光部材からなる遮光膜を形成する工程、
前記遮光膜上にプラズマCVD法により保護膜を形成する工程、
前記保護膜上に、プラズマCVD法により真性アモルファスシリコン層を堆積し、600℃以上でアニールして真性多結晶シリコン層からなる半導体層を形成する工程、
前記半導体層上に、プラズマCVD法によりゲート絶縁膜を形成する工程、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程、
前記ゲート電極が形成された前記透明基板の全面に、プラズマCVD法によりパッシベーション膜を形成する工程、
前記絶縁膜上に、前記半導体層と接続して、ソース電極およびドレイン電極を形成する工程、
前記ソース電極またはドレイン電極に接続して、前記絶縁膜上に画素電極を形成する工程、および
前記ソース電極およびドレイン電極上にパッシベーション膜を形成する工程を具備するアレイ基板の製造方法であって、
前記遮光膜は、透明基板上にホトレジスト膜を形成する工程、
前記ホトレジスト膜にパターン露光を施した後、現像処理してレジストパターンを得る工程、
前記透明基板およびレジストパターン上に、下記一般式(1)で表される加水分解性基を有するシラン群から選ばれる1種以上のシラン化合物、あるいはこのシラン化合物から誘導される重合度10以下の直鎖状もしくは環状のシランオリゴマーまたはシロキサンオリゴマーと、平均粒子径0.5μm以下であり、少なくとも4〜11族かつ第4周期の金属群から選択された1種以上の金属を含有する着色成分としての金属酸化物とを含有する塗膜を形成する工程、
前記レジストパターンを除去することにより、この上に位置する前記塗膜を選択的に除去して塗膜パターンを形成する工程、および
前記塗膜パターンを加熱乾燥する工程により作製されることを特徴とするアレイ基板の製造方法。
R1R2R3R4Si (1)
(上記一般式(1)中、R1,R2は加水分解性基、R3,R4はそれぞれ水素原子、置換または非置換のアルキル基、アリール基、アリル基、加水分解性基であるが、R3,R4の少なくとも1個は、水素原子または加水分解性基である。) - 前記画素電極を形成する前に、透明絶縁膜を形成する工程をさらに具備することを特徴とする請求項4または5に記載のアレイ基板の製造方法。
- 透明基板と、半導体層と、この半導体層の上に絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記半導体層の前記ゲート電極が形成されている側、またはこれに対向する側に形成され、互いに離間して設けられたソース電極およびドレイン電極と、前記ソース電極またはドレイン電極に接続された画素電極とを具備し、前記半導体層の下方に遮光膜を有するアレイ基板であって、前記遮光膜は、下記一般式(1)で表される加水分解性基を有するシラン群から選ばれる1種以上のシラン化合物、あるいはこのシラン化合物から誘導される重合度10以下の直鎖状もしくは環状のシランオリゴマーまたはシロキサンオリゴマーを、加水分解および部分縮重合させることによって得られたSi−O−Si結合の三次元構造を有するケイ素系マトリックス中に、平均粒子径0.5μm以下で少なくとも4〜11族かつ第4周期の金属群から選択された1種以上の金属を含有する高耐熱性遮光部材からなり、請求項1ないし6のいずれか1項に記載の方法により製造されたことを特徴とするアレイ基板。
R1R2R3R4Si (1)
(上記一般式(1)中、R1,R2は加水分解性基、R3,R4はそれぞれ水素原子、置換または非置換のアルキル基、アリール基、アリル基、加水分解性基であるが、R3,R4の少なくとも1個は、水素原子または加水分解性基である。) - 前記遮光膜は、耐熱温度が300℃以上であり、109Ω・cm以上の高抵抗値を有し、光学濃度が1.0以上であることを特徴とする請求項7に記載のアレイ基板。
- 請求項7または8に記載のアレイ基板、
このアレイ基板と離間・対向して配置され、主面に対向電極が形成された対向基板、および
これらのアレイ基板と対向基板間に挟持された液晶層を具備することを特徴とする液晶表示装置。
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