JP2008016802A - Tftアレイ基板及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板上にゲート電極及びゲート配線を形成する段階と、前記ゲート電極と絶縁され、前記ゲート電極の一部とオーバーラップする半導体層を形成する段階と、前記半導体層の両側にソース/ドレイン電極をそれぞれ形成し、これと同時に前記ゲート配線に直交するデータ配線を形成する段階と、前記ソース/ドレイン電極を含む全面に、感光性基Xを含むシリコンアルコキシドと感光性基Yを含む金属アルコキシドのゾル化合物で保護膜を形成する段階と、前記保護膜を露光及び現像し、前記ドレイン電極が露出されるコンタクトボールを形成する段階と、前記コンタクトボールを介して前記ドレイン電極とコンタクトする画素電極を形成する段階と、を含む構成とした。
【選択図】図2A
Description
そして、前記保護膜用物質は、プリンティング方法、コーティング法または塗布法のいずれかの方法で形成すると良い。
112a ゲート電極
113 ゲート絶縁膜
114 半導体層
115 データ配線
115a ソース電極
115b ドレイン電極
116 保護膜
117 画素電極
120 露光マスク
200 高分子気質
201 ナノ粒子
Claims (33)
- 基板上に形成されたゲート電極及びゲート配線と、
前記ゲート電極と絶縁され、前記ゲート電極の一部とオーバーラップする半導体層と、
前記半導体層の両側に形成されるソース/ドレイン電極、及び前記ゲート配線に直交するデータ配線と、
前記ソース/ドレイン電極を含めた全面に形成され、感光性基を含むゾル−ゲル化合物を材料とする保護膜と、
前記ドレイン電極とコンタクトする画素電極と、
を備えることを特徴とする、TFTアレイ基板。 - 前記ゾル−ゲル化合物は、感光性基を含むシリコンアルコキシドと感光性基を含む金属アルコキシドの化合物であることを特徴とする、請求項1に記載のTFTアレイ基板。
- 前記金属アルコキシドの金属は、チタン(Ti)、ジルコニウム(Zr)、イットリウム(Y)、アルミニウム(Al)、ハフニウム(Hf)、カルシウム(Ca)またはマグネシウム(Mg)のうち少なくともいずれか一つであることを特徴とする、請求項2に記載のTFTアレイ基板。
- 前記ゾル−ゲル化合物は、感光性基Xを含むシリコンアルコキシドと感光性基Yを含む金属アルコキシドの化合物であることを特徴とする、請求項1に記載のTFTアレイ基板であって、
ここで、前記XまたはYは、二重結合又は三重結合を有する官能基、アクリレート基、エポキシ基、オキセタン基からなる群より選ばれた少なくともいずれか一つである。 - 前記ゾル−ゲル化合物は、露光によって前記感光性基X、Yが光架橋結合することを特徴とする、請求項4に記載のTFTアレイ基板。
- 前記ゾル−ゲル化合物は、光架橋結合した部分が除去されることを特徴とする、請求項5に記載のTFTアレイ基板。
- 前記シリコンアルコキシドと金属アルコキシドの含量比によって、前記ゾル−ゲル化合物の遺伝率、透過度または熱的安全性が異なってくることを特徴とする、請求項2に記載のTFTアレイ基板。
- 前記ゾル−ゲル化合物にベンゾフェノン系、アセトフェノン系のラジカル光開始剤またはアリールジアゾニウム、ジアリールヨードニウム、トリアーリスルホニウムのカチオン光開始剤がさらに添加されることを特徴とする、請求項1に記載のTFTアレイ基板。
- 基板上に形成されたゲート電極及びゲート配線と、
前記ゲート電極と絶縁され、前記ゲート電極の一部とオーバーラップする半導体層と、
前記半導体層の両側に形成されるソース/ドレイン電極、及び前記ゲート配線に直交するデータ配線と、
前記ソース/ドレイン電極を含めた全面に形成され、感光性基を有する高分子基質にナノ粒子が分散された構造を有する物質を材料とする保護膜と、
前記ドレイン電極とコンタクトする画素電極と、
を備えることを特徴とする、TFTアレイ基板。 - 前記高分子基質は、感光性基X、Yを含むことを特徴とする、請求項9に記載のTFTアレイ基板であって、
ここで、前記XまたはYは、二重結合又は三重結合を有する官能基、アクリレート基、エポキシ基及びオキセタン基からなる群より選ばれた少なくともいずれか一つである。 - 前記ナノ粒子は、O2、AlO3、MgOのうちいずれか一つを用いることを特徴とする、請求項9に記載のTFTアレイ基板。
- 前記高分子基質は、ポリシロキサン系、ポリシラン系の無機高分子、ポリアクリレート系、ポリイミド系、ポリビニル系の有機高分子及び有/無機ハイブリッド高分子からなる群より選ばれた少なくともいずれか一つを用いることを特徴とする、請求項9に記載のTFTアレイ基板。
- 前記保護膜は、露光によって前記感光性基X,Yが光架橋結合することを特徴とする、請求項9に記載のTFTアレイ基板。
- 前記保護膜は、光架橋結合した部分が除去されることを特徴とする、請求項13に記載のTFTアレイ基板。
- 前記ナノ粒子の含量または種類によって、保護膜の誘電率、透過度、熱的安全性が異なってくることを特徴とする、請求項9に記載のTFTアレイ基板。
- 前記高分子基質にベンゾフェノン系、アセトフェノン系のラジカル光開始剤、またはアリールジアゾニウム、ジアリールヨードニウム、トリアーリスルホニウムのカチオン光開始剤がさらに添加されることを特徴とする、請求項9に記載のTFTアレイ基板。
- 基板上にゲート電極及びゲート配線を形成する段階と、
前記ゲート電極と絶縁され、前記ゲート電極の一部とオーバーラップする半導体層を形成する段階と、
前記半導体層の両側にソース/ドレイン電極をそれぞれ形成し、これと同時に前記ゲート配線に直交するデータ配線を形成する段階と、
前記ソース/ドレイン電極を含めた全面に、感光性基を含むゾル化合物で保護膜を形成する段階と、
前記保護膜を露光及び現像し、前記ドレイン電極が露出されるコンタクトボールを形成する段階と、
前記コンタクトボールを介して前記ドレイン電極とコンタクトする画素電極を形成する段階と、
を含むことを特徴とする、TFTアレイ基板の製造方法。 - 前記ゾル化合物は、感光性基Xを含むシリコンアルコキシドと感光性基Yを含む金属アルコキシドの化合物であることを特徴とする、請求項17に記載のTFTアレイ基板の製造方法。
(ここで、前記XまたはYは、下記に表す二重結合又は三重結合を有する官能基、アクリレート基、エポキシ基及びオキセタン基からなる群より選ばれた少なくともいずれか一つである。) - 前記金属アルコキシドの金属は、チタン(Ti)、ジルコニウム(Zr)、イットリウム(Y)、アルミニウム(Al)、ハフニウム(Hf)、カルシウム(Ca)またはマグネシウム(Mg)のうち少なくともいずれか一つであることを特徴とする、請求項18に記載のTFTアレイ基板の製造方法。
- 前記ゾル―ゲル化合物は、露光によって前記感光性基X,Yが光架橋結合し、現像によって光架橋結合した部分が除去されることを特徴とする、請求項18に記載のTFTアレイ基板の製造方法。
- 前記保護膜の現像時に、塩基性現像液を用いることを特徴とする、請求項17に記載のTFTアレイ基板の製造方法。
- 前記シリコンアルコキシドと金属アルコキシドの含量比によって、前記複合材料の誘電率、透過度または熱的安全性が異なってくることを特徴とする、請求項18に記載のTFTアレイ基板の製造方法。
- 前記ゾル−ゲル化合物をプリンティング方法、コーティング法または塗布法のいずれかの方法で形成することを特徴とする、請求項17に記載のTFTアレイ基板の製造方法。
- 前記ゾール−ゲル化合物にベンゾフェノン系、アセトフェノン系のラジカル光開始剤、またはアリールジアゾニウム、ジアリールヨードニウム、トリアーリスルホニウムのカチオン光開始剤をさらに添加することを特徴とする、請求項17に記載のTFTアレイ基板の製造方法。
- 基板上にゲート電極及びゲート配線を形成する段階と、
前記ゲート電極と絶縁され、前記ゲート電極の一部とオーバーラップする半導体層を形成する段階と、
前記半導体層の両側にソース/ドレイン電極をそれぞれ形成し、これと同時に前記ゲート配線に直交するデータ配線を形成する段階と、
前記ソース/ドレイン電極を含めた全面に、感光性基を有する高分子基質にナノ粒子が分散された構造の保護膜を形成する段階と、
前記保護膜を露光及び現像し、前記ドレイン電極が露出されるコンタクトボールを形成する段階と、
前記コンタクトボールを介して前記ドレイン電極とコンタクトする画素電極を形成する段階と、
を含むことを特徴とする、TFTアレイ基板の製造方法。 - 前記高分子基質は、感光性基XまたはYを含むことを特徴とする、請求項25に記載のTFTアレイ基板の製造方法であって、
ここで、前記XまたはYは、二重結合又は三重結合を有する官能基、アクリレート基、エポキシ基及びオキセタン基からなる群より選ばれた少なくともいずれか一つである。 - 前記ナノ粒子は、O2、AlO3、MgOのうちいずれか一つを用いることを特徴とする、請求項25に記載のTFTアレイ基板の製造方法。
- 前記高分子基質は、ポリシロキサン系、ポリシラン系の無機高分子、ポリアクリレート系、ポリイミド系、ポリビニル系の有機高分子及び有/無機ハイブリッド高分子からなる群より選ばれた少なくともいずれか一つを用いることを特徴とする、請求項25に記載のTFTアレイ基板の製造方法。
- 前記保護膜は、露光によって前記感光性基が光架橋結合し、現像によって光架橋結合した部分が除去されることを特徴とする、請求項25に記載のTFTアレイ基板の製造方法。
- 前記保護膜の現像時に、塩基性現像液を用いることを特徴とする、請求項25に記載のTFTアレイ基板の製造方法。
- 前記ナノ粒子の含量または種類によって、保護膜の誘電率、透過度、熱的安全性が異なってくることを特徴とする、請求項25に記載のTFTアレイ基板の製造方法。
- 前記保護膜は、プリンティング方法、コーティング法または塗布法のいずれかの方法で形成することを特徴とする、請求項25に記載のTFTアレイ基板の製造方法。
- 前記高分子基質にベンゾフェノン系、アセトフェノン系のラジカル光開始剤、またはアリールジアゾニウム、ジアリールヨードニウム、トリアーリスルホニウムのカチオン光開始剤をさらに添加することを特徴とする、請求項25に記載のTFTアレイ基板の製造方法。
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Cited By (4)
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---|---|---|---|---|
WO2015064426A1 (ja) * | 2013-10-31 | 2015-05-07 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | アクティブマトリクス基板、表示装置、及びアクティブマトリクス基板の製造方法 |
JP2017017339A (ja) * | 2016-09-29 | 2017-01-19 | 株式会社リコー | 絶縁膜形成用塗布液 |
JP2018186308A (ja) * | 2013-10-30 | 2018-11-22 | 株式会社リコー | 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム |
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Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20100028367A (ko) * | 2008-09-04 | 2010-03-12 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
CN102456573A (zh) * | 2010-10-22 | 2012-05-16 | 元太科技工业股份有限公司 | 薄膜晶体管的制造方法 |
CN102117767A (zh) * | 2010-12-29 | 2011-07-06 | 上海大学 | 基于溶胶式全透明tft有源矩阵制造方法 |
JP2013021165A (ja) * | 2011-07-12 | 2013-01-31 | Sony Corp | 蒸着用マスク、蒸着用マスクの製造方法、電子素子および電子素子の製造方法 |
US9023683B2 (en) * | 2013-05-13 | 2015-05-05 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Organic semiconductor transistor with epoxy-based organic resin planarization layer |
JP6238844B2 (ja) * | 2014-06-17 | 2017-11-29 | オリンパス株式会社 | 手術用マニピュレータ操作装置および手術用マニピュレータシステム |
KR102377173B1 (ko) * | 2015-08-25 | 2022-03-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드 표시장치 |
TWI600168B (zh) | 2016-11-02 | 2017-09-21 | 律勝科技股份有限公司 | 薄膜電晶體的積層體結構 |
KR20220065135A (ko) | 2020-11-12 | 2022-05-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002189232A (ja) * | 1995-08-11 | 2002-07-05 | Sharp Corp | 液晶表示装置、およびアクティブマトリクス基板 |
JP2002202593A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-07-19 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物、ポジ型感光性樹脂組成物の製造方法及び半導体装置 |
JP2002311591A (ja) * | 2001-04-18 | 2002-10-23 | Clariant (Japan) Kk | 層間絶縁膜の形成に用いられる感光性組成物 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3640093A (en) * | 1969-03-10 | 1972-02-08 | Owens Illinois Inc | Process of converting metalorganic compounds and high purity products obtained therefrom |
JP2000241831A (ja) * | 1999-02-18 | 2000-09-08 | Advanced Display Inc | 反射型液晶表示装置およびその製造方法 |
JP3488681B2 (ja) * | 1999-10-26 | 2004-01-19 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
US20050247472A1 (en) * | 2002-01-22 | 2005-11-10 | Helfer Jeffrey L | Magnetically shielded conductor |
JP2003218361A (ja) | 2002-01-28 | 2003-07-31 | Konica Corp | 有機トランジスタ素子、アクティブ駆動素子及びそれを用いる表示媒体 |
EP1485525A2 (en) * | 2002-02-25 | 2004-12-15 | Gentex Corporation | Cross-reference to related applications |
JP4479381B2 (ja) * | 2003-09-24 | 2010-06-09 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 |
US7170093B2 (en) | 2004-11-05 | 2007-01-30 | Xerox Corporation | Dielectric materials for electronic devices |
KR101209049B1 (ko) * | 2004-12-24 | 2012-12-07 | 스미또모 가가꾸 가부시끼가이샤 | 감광성 수지 및 상기 감광성 수지로 이루어진 패턴을 포함하는 박막 표시판 및 그 제조 방법 |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002189232A (ja) * | 1995-08-11 | 2002-07-05 | Sharp Corp | 液晶表示装置、およびアクティブマトリクス基板 |
JP2002202593A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-07-19 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物、ポジ型感光性樹脂組成物の製造方法及び半導体装置 |
JP2002311591A (ja) * | 2001-04-18 | 2002-10-23 | Clariant (Japan) Kk | 層間絶縁膜の形成に用いられる感光性組成物 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11876137B2 (en) | 2012-11-30 | 2024-01-16 | Ricoh Company, Ltd. | Field-effect transistor including a metal oxide composite protective layer, and display element, image display device, and system including the field-effect transistor |
JP2018186308A (ja) * | 2013-10-30 | 2018-11-22 | 株式会社リコー | 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム |
WO2015064426A1 (ja) * | 2013-10-31 | 2015-05-07 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | アクティブマトリクス基板、表示装置、及びアクティブマトリクス基板の製造方法 |
JP2017017339A (ja) * | 2016-09-29 | 2017-01-19 | 株式会社リコー | 絶縁膜形成用塗布液 |
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Publication number | Publication date |
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