JP3481510B2 - アクティブマトリクス型液晶表示装置 - Google Patents
アクティブマトリクス型液晶表示装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ
の設けられた基板にカラーフィルターを備えた構造の液
晶表示装置に関し、特にオーバーコート膜による色バラ
ンスのくずれ等を防止した液晶表示装置に関する。
の設けられた基板にカラーフィルターを備えた構造の液
晶表示装置に関し、特にオーバーコート膜による色バラ
ンスのくずれ等を防止した液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴ）
を用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置の開発が
活発に行われている。図５に、従来のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置の図を示す。図５（ａ）は、その概
略図であり、（ｂ）はその画素部の断面図である。
を用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置の開発が
活発に行われている。図５に、従来のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置の図を示す。図５（ａ）は、その概
略図であり、（ｂ）はその画素部の断面図である。
【０００３】従来の液晶表示装置５００は、図５に示す
ように、画素駆動用のＴＦＴを有するＴＦＴ基板５０１
と、カラーフィルター（以下ＣＦ）を有するＣＦ基板５
０２と、それらに挟まれた液晶５０３から構成されてい
る。
ように、画素駆動用のＴＦＴを有するＴＦＴ基板５０１
と、カラーフィルター（以下ＣＦ）を有するＣＦ基板５
０２と、それらに挟まれた液晶５０３から構成されてい
る。
【０００４】ＴＦＴ基板５０１は、ＴＦＴガラス基板５
０４上に、信号を書き込む画素を選択する走査線５０５
と、書き込む信号をもつ信号線５０６と、それらの交点
に画素を駆動するＴＦＴ５０７と、ＴＦＴ５０７に接続
された画素電極５０８を有している。また、ＣＦ基板５
０２は、ＣＦ基板５０２上に各画素に対応するＲＧＢを
３原色とするカラーフィルター５０９と、ＴＦＴ５０７
および光漏れ領域を遮光するブラックマトリクス（Ｂ
Ｍ）５１０と、それらを保護するオーバーコート５１１
と対向電極５１２からなる。ＴＦＴ基板５０１とＣＦ基
板５０２で挟まれた液晶５０３は、画素電極５０８と対
向電極５１２間の電界方向に並ぶ特性を有し、その特性
を利用して画素電極５０８と対向電極５１２間の電圧に
より階調表示を行う。
０４上に、信号を書き込む画素を選択する走査線５０５
と、書き込む信号をもつ信号線５０６と、それらの交点
に画素を駆動するＴＦＴ５０７と、ＴＦＴ５０７に接続
された画素電極５０８を有している。また、ＣＦ基板５
０２は、ＣＦ基板５０２上に各画素に対応するＲＧＢを
３原色とするカラーフィルター５０９と、ＴＦＴ５０７
および光漏れ領域を遮光するブラックマトリクス（Ｂ
Ｍ）５１０と、それらを保護するオーバーコート５１１
と対向電極５１２からなる。ＴＦＴ基板５０１とＣＦ基
板５０２で挟まれた液晶５０３は、画素電極５０８と対
向電極５１２間の電界方向に並ぶ特性を有し、その特性
を利用して画素電極５０８と対向電極５１２間の電圧に
より階調表示を行う。
【０００５】これらの従来の液晶表示装置５００に対し
て、ＴＦＴ基板側にカラーフィルターを設けるオンチッ
プカラーフィルター構造が、特開平８−１２２８２４号
公報（以下従来例１とする）、また特開平９−２９２６
３３号公報に開示されている。
て、ＴＦＴ基板側にカラーフィルターを設けるオンチッ
プカラーフィルター構造が、特開平８−１２２８２４号
公報（以下従来例１とする）、また特開平９−２９２６
３３号公報に開示されている。
【０００６】図６に、特開平８−１２２８２４に開示さ
れたオンチップカラーフィルター構造の単位画素部の断
面図を示す。ＴＦＴ基板６０１は、ＴＦＴガラス基板１
０４上に、信号を書き込む画素を選択する走査線と、書
き込む信号をもつ信号線と、それらの交点に画素を駆動
するＴＦＴ１０７を有する。このうち、ＴＦＴ１０７は
ＴＦＴガラス基板１０４上に設けられたゲート電極１２
０と、ゲート電極１２０を覆うようにして設けられたゲ
ート絶縁膜１２１と、ゲート絶縁膜１２１上に形成され
た半導体層１２２とドレイン電極１２３およびソース電
極１２４と、それらのすべてを覆うようにして設けられ
たパッシベーション膜６２５を備えている。
れたオンチップカラーフィルター構造の単位画素部の断
面図を示す。ＴＦＴ基板６０１は、ＴＦＴガラス基板１
０４上に、信号を書き込む画素を選択する走査線と、書
き込む信号をもつ信号線と、それらの交点に画素を駆動
するＴＦＴ１０７を有する。このうち、ＴＦＴ１０７は
ＴＦＴガラス基板１０４上に設けられたゲート電極１２
０と、ゲート電極１２０を覆うようにして設けられたゲ
ート絶縁膜１２１と、ゲート絶縁膜１２１上に形成され
た半導体層１２２とドレイン電極１２３およびソース電
極１２４と、それらのすべてを覆うようにして設けられ
たパッシベーション膜６２５を備えている。
【０００７】また走査線はゲート電極１２０に対して、
信号線はドレイン電極１２３に対して接続されている。
パッシベーション膜６２５上にはカラーフィルター６０
９、ブラックマトリクス１１０が設けられ、さらにそれ
らを保護するオーバーコート膜６４０が形成されてい
る。オーバコート膜６４０上に画素電極１０８が設けら
れ、コンタクトホール１２６を介してＴＦＴのソース電
極１２４と接続されている。画素電極１０８は信号線お
よび走査線とオーバーラップすることにより、画素電極
１０８まわりの光漏れを防いでいる。
信号線はドレイン電極１２３に対して接続されている。
パッシベーション膜６２５上にはカラーフィルター６０
９、ブラックマトリクス１１０が設けられ、さらにそれ
らを保護するオーバーコート膜６４０が形成されてい
る。オーバコート膜６４０上に画素電極１０８が設けら
れ、コンタクトホール１２６を介してＴＦＴのソース電
極１２４と接続されている。画素電極１０８は信号線お
よび走査線とオーバーラップすることにより、画素電極
１０８まわりの光漏れを防いでいる。
【０００８】また、オーバーコート膜６４０および画素
電極１０８上には、液晶分子を液晶の動作モードに適し
た配列や傾き（プレチルト）を制御するための配向膜が
設けられており、ＴＦＴガラス基板１０４から配向膜ま
での構成要素にてＴＦＴ基板６０１を形成している。
電極１０８上には、液晶分子を液晶の動作モードに適し
た配列や傾き（プレチルト）を制御するための配向膜が
設けられており、ＴＦＴガラス基板１０４から配向膜ま
での構成要素にてＴＦＴ基板６０１を形成している。
【０００９】対向基板６０２は、対向ガラス基板１１３
上に、対向電極１１２と、配向膜が設けられており、対
向ガラス基板１１３から配向膜までの構成要素にて対向
基板６０２を形成している。さらに、このＴＦＴ基板６
０１と、対向基板６０２とそれらに挟まれた液晶層６０
３により１つの液晶素子を形成している。
上に、対向電極１１２と、配向膜が設けられており、対
向ガラス基板１１３から配向膜までの構成要素にて対向
基板６０２を形成している。さらに、このＴＦＴ基板６
０１と、対向基板６０２とそれらに挟まれた液晶層６０
３により１つの液晶素子を形成している。
【００１０】ここで、上記従来例１では、カラーフィル
ター６３０およびブラックマトリクス１１０がＴＦＴ基
板１０４上に形成されるため、ＴＦＴ基板１０４と対向
基板６０２の重ねあわせずれによる、カラーフィルター
６３０およびブラックマトリクス１１０の画素に対する
アライメント誤差が小さく、画素の微細化および高開口
率化が可能である。
ター６３０およびブラックマトリクス１１０がＴＦＴ基
板１０４上に形成されるため、ＴＦＴ基板１０４と対向
基板６０２の重ねあわせずれによる、カラーフィルター
６３０およびブラックマトリクス１１０の画素に対する
アライメント誤差が小さく、画素の微細化および高開口
率化が可能である。
【００１１】また上記従来例１のオーバーコート膜６４
０は、オーバーラップした画素電極１０８と走査線や信
号線等の配線の層間膜として用いているため、配線―画
素電極１０８間のオーバーラップ容量を低減する必要か
ら、比誘電率２〜３程度の有機膜を膜厚２〜４μｍ程度
成膜するのが一般的である。
０は、オーバーラップした画素電極１０８と走査線や信
号線等の配線の層間膜として用いているため、配線―画
素電極１０８間のオーバーラップ容量を低減する必要か
ら、比誘電率２〜３程度の有機膜を膜厚２〜４μｍ程度
成膜するのが一般的である。
【００１２】この膜厚２〜４μｍ程度のオーバーコート
膜６４０に、ＴＦＴ１０７と画素電極１０８とを接続す
るための微細なコンタクトホール１２６を開口する方法
として、非感光性のオーバーコート膜を塗布し、硬化し
た後、ドライエッチングによって開口する方法と、感光
性のオーバーコート膜をフォトリソグラフィー法により
塗布、露光、現像することによりコンタクトホールを開
口する方法が知られている。
膜６４０に、ＴＦＴ１０７と画素電極１０８とを接続す
るための微細なコンタクトホール１２６を開口する方法
として、非感光性のオーバーコート膜を塗布し、硬化し
た後、ドライエッチングによって開口する方法と、感光
性のオーバーコート膜をフォトリソグラフィー法により
塗布、露光、現像することによりコンタクトホールを開
口する方法が知られている。
【００１３】ところがドライエッチングの場合、レジス
トとオーバーコート膜のエッチング選択比が十分にとれ
ない点と、オーバーコート膜のエッチング速度が十分に
とれない問題があり、ポジ型の感光性オーバーコート膜
を用いることが好ましい。
トとオーバーコート膜のエッチング選択比が十分にとれ
ない点と、オーバーコート膜のエッチング速度が十分に
とれない問題があり、ポジ型の感光性オーバーコート膜
を用いることが好ましい。
【００１４】一方、感光性のオーバーコート膜を用いた
場合は、コンタクトホールの直径が１０μｍ径程度であ
るため、ネガ型レジストでは形状およびパターニング精
度の点から１０μｍ程度の径のコンタクトホールを十分
に開口できず、ｇｈｉ線（λ＝３５０〜４５０ｎｍ）付
近に感度のあるポジ型の感光性オーバーコート膜を用い
る必要がある。
場合は、コンタクトホールの直径が１０μｍ径程度であ
るため、ネガ型レジストでは形状およびパターニング精
度の点から１０μｍ程度の径のコンタクトホールを十分
に開口できず、ｇｈｉ線（λ＝３５０〜４５０ｎｍ）付
近に感度のあるポジ型の感光性オーバーコート膜を用い
る必要がある。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、カラーフィル
ターを保護するオーバーコート膜として、ポジ型の感光
性オーバーコート膜を用いた場合、ポジ型オーバーコー
ト膜の感光基がλ＝４００ｎｍ付近に吸収帯をもってい
るため、その波長付近の透過率が低く、１μｍではλ＝
４００ｎｍ付近の透過率が８０％程度と低い。このた
め、ポジ型オーバーコート膜を用いたオンチップカラー
フィルター構造を有する液晶パネルは、黄色付きがおこ
り、表示品質が劣化する問題を有していた。
ターを保護するオーバーコート膜として、ポジ型の感光
性オーバーコート膜を用いた場合、ポジ型オーバーコー
ト膜の感光基がλ＝４００ｎｍ付近に吸収帯をもってい
るため、その波長付近の透過率が低く、１μｍではλ＝
４００ｎｍ付近の透過率が８０％程度と低い。このた
め、ポジ型オーバーコート膜を用いたオンチップカラー
フィルター構造を有する液晶パネルは、黄色付きがおこ
り、表示品質が劣化する問題を有していた。
【００１６】また、黄色付きを避けるために感光基の量
を減らした場合、露光量を増加させる必要があり、プロ
セス負荷が増大する問題がある。
を減らした場合、露光量を増加させる必要があり、プロ
セス負荷が増大する問題がある。
【００１７】すなわち、カラーフィルターやブラックマ
トリクスを保護するオーバーコート膜としては、所定の
径のコンタクトホールを形成する必要からポジ型感光性
有機膜を用いるのが一般的であるが、このポジ型感光性
有機膜はＵＶ光のｇｈｉ線に感度があるために、λ＝４
００ｎｍ付近の光を吸収し、透過率が悪く、表示品質が
低くなっていた。
トリクスを保護するオーバーコート膜としては、所定の
径のコンタクトホールを形成する必要からポジ型感光性
有機膜を用いるのが一般的であるが、このポジ型感光性
有機膜はＵＶ光のｇｈｉ線に感度があるために、λ＝４
００ｎｍ付近の光を吸収し、透過率が悪く、表示品質が
低くなっていた。
【００１８】図７に、ポジ型感光性有機膜（膜厚１μ
ｍ）であるＪＳＲ製ＨＲＣシリーズの透過率特性を示
す。図７に示すように、この感光性有機膜は膜厚１μｍ
で、λ＝４００ｎｍの透過率が８０％と低く、例えば、
１．５μｍ程度の均一な膜厚のＲ、Ｇ、Ｂの各カラーフ
ィルターに、オーバーコート膜を１μｍつけた場合、青
色が吸収されやすく、Ｂのカラーフィルターの透過率が
８０％に下がり、液晶表示装置のホワイトバランスのく
ずれが生じてしまうことがあった。
ｍ）であるＪＳＲ製ＨＲＣシリーズの透過率特性を示
す。図７に示すように、この感光性有機膜は膜厚１μｍ
で、λ＝４００ｎｍの透過率が８０％と低く、例えば、
１．５μｍ程度の均一な膜厚のＲ、Ｇ、Ｂの各カラーフ
ィルターに、オーバーコート膜を１μｍつけた場合、青
色が吸収されやすく、Ｂのカラーフィルターの透過率が
８０％に下がり、液晶表示装置のホワイトバランスのく
ずれが生じてしまうことがあった。
【００１９】本発明は、上記課題を解決し、黄色付きの
発生しないポジ型オーバーコートを用いたオンチップカ
ラーフィルター構造のアクティブマトリクス型液晶表示
装置を提供することを目的とする。
発生しないポジ型オーバーコートを用いたオンチップカ
ラーフィルター構造のアクティブマトリクス型液晶表示
装置を提供することを目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明による第１の液晶表示装置は、第１の基板、
第２の基板およびこれらに挟持された液晶層を有し、前
記第１の基板上には複数の走査信号電極と、それらにマ
トリクス状に交差する複数の映像信号電極と、これらの
電極のそれぞれの交点に対応して形成された複数の薄膜
トランジスタと、前記薄膜トランジスタを覆うカラーフ
ィルター層と、それを保護するオーバーコート膜を有
し、前記オーバーコート膜上にはコンタクトホールを介
して前記薄膜トランジスタと接続した画素電極を形成
し、かつ前記第２の基板上には対向電極を設けた液晶表
示装置において、Ｒ、Ｇのカラーフィルター上のオーバ
ーコート膜に対してＢのカラーフィルター上のオーバー
コート膜の膜厚を薄くした。これにより、Ｂのカラーフ
ィルターの透過率の低下を防止し、色バランスを保持す
ることができる。
め、本発明による第１の液晶表示装置は、第１の基板、
第２の基板およびこれらに挟持された液晶層を有し、前
記第１の基板上には複数の走査信号電極と、それらにマ
トリクス状に交差する複数の映像信号電極と、これらの
電極のそれぞれの交点に対応して形成された複数の薄膜
トランジスタと、前記薄膜トランジスタを覆うカラーフ
ィルター層と、それを保護するオーバーコート膜を有
し、前記オーバーコート膜上にはコンタクトホールを介
して前記薄膜トランジスタと接続した画素電極を形成
し、かつ前記第２の基板上には対向電極を設けた液晶表
示装置において、Ｒ、Ｇのカラーフィルター上のオーバ
ーコート膜に対してＢのカラーフィルター上のオーバー
コート膜の膜厚を薄くした。これにより、Ｂのカラーフ
ィルターの透過率の低下を防止し、色バランスを保持す
ることができる。
【００２１】また、Ｒ、Ｇのカラーフィルター上のオー
バーコート膜に対してＢのカラーフィルター上のオーバ
ーコート膜の膜厚を薄くするため、Ｒ、Ｇのカラーフィ
ルターに対してＢのカラーフィルターの膜厚を厚くし、
全体のオーバーコート膜を平滑に形成した。
バーコート膜に対してＢのカラーフィルター上のオーバ
ーコート膜の膜厚を薄くするため、Ｒ、Ｇのカラーフィ
ルターに対してＢのカラーフィルターの膜厚を厚くし、
全体のオーバーコート膜を平滑に形成した。
【００２２】また液晶表示装置は、第１の基板、第２の
基板およびこれらに挟持された液晶層を有し、前記第１
の基板上には複数の走査信号電極と、それらにマトリク
ス状に交差する複数の映像信号電極と、 これらの電極
のそれぞれの交点に対応して形成された複数の薄膜トラ
ンジスタとを有し、前記薄膜トランジスタはパッシベー
ション膜により保護されており、前記走査信号電極と前
記映像信号電極はゲート絶縁膜により層間分離されてお
り、前記薄膜トランジスタを覆うカラーフィルター層
と、それを保護するオーバーコート膜とを有し、前記オ
ーバーコート膜上にはコンタクトホールを介して前記薄
膜トランジスタと接続した画素電極を形成し、前記第２
の基板上には対向電極を設けた液晶表示装置において、
前記Ｒ、Ｇのカラーフィルター下の前記パッシベーショ
ン膜およびゲート絶縁膜を薄く、あるいは除去し、Ｂの
カラーフィルター下の前記パッシベーション膜とゲート
絶縁膜を、Ｒ、Ｇのカラーフィルター下の前記パッシベ
ーション膜およびゲート絶縁膜より厚く形成した。これ
により、Ｒ、Ｇのカラーフィルター上のオーバーコート
膜に対してＢのカラーフィルター上のオーバーコート膜
の膜厚を薄くした。
基板およびこれらに挟持された液晶層を有し、前記第１
の基板上には複数の走査信号電極と、それらにマトリク
ス状に交差する複数の映像信号電極と、 これらの電極
のそれぞれの交点に対応して形成された複数の薄膜トラ
ンジスタとを有し、前記薄膜トランジスタはパッシベー
ション膜により保護されており、前記走査信号電極と前
記映像信号電極はゲート絶縁膜により層間分離されてお
り、前記薄膜トランジスタを覆うカラーフィルター層
と、それを保護するオーバーコート膜とを有し、前記オ
ーバーコート膜上にはコンタクトホールを介して前記薄
膜トランジスタと接続した画素電極を形成し、前記第２
の基板上には対向電極を設けた液晶表示装置において、
前記Ｒ、Ｇのカラーフィルター下の前記パッシベーショ
ン膜およびゲート絶縁膜を薄く、あるいは除去し、Ｂの
カラーフィルター下の前記パッシベーション膜とゲート
絶縁膜を、Ｒ、Ｇのカラーフィルター下の前記パッシベ
ーション膜およびゲート絶縁膜より厚く形成した。これ
により、Ｒ、Ｇのカラーフィルター上のオーバーコート
膜に対してＢのカラーフィルター上のオーバーコート膜
の膜厚を薄くした。
【００２３】また、前記オーバーコート膜はポジ型感光
性有機膜であることとした。
性有機膜であることとした。
【００２４】
【作用】例えば、ＲＧの膜厚を１．５μｍとし、Ｂの膜
厚を（Ｂの透過率特性を従来の１．５μｍと同じに保っ
たまま）２．０μｍとする。すると、オーバーコート膜
は完全に平坦にされるため、ＲおよびＧのカラーフィル
ター上にはオーバーコート膜が１．０μｍ形成され、一
方Ｂのカラーフィルター上には０．５μｍしか形成され
ない。このため、Ｂのカラーフィルター上のオーバーコ
ート膜のλ＝４００ｎｍでの透過率は９０％（膜厚０．
５μｍ）となり、透過率の低下を防止し、ホワイトバラ
ンスのくずれがなくなる。
厚を（Ｂの透過率特性を従来の１．５μｍと同じに保っ
たまま）２．０μｍとする。すると、オーバーコート膜
は完全に平坦にされるため、ＲおよびＧのカラーフィル
ター上にはオーバーコート膜が１．０μｍ形成され、一
方Ｂのカラーフィルター上には０．５μｍしか形成され
ない。このため、Ｂのカラーフィルター上のオーバーコ
ート膜のλ＝４００ｎｍでの透過率は９０％（膜厚０．
５μｍ）となり、透過率の低下を防止し、ホワイトバラ
ンスのくずれがなくなる。
【００２５】
【発明の実施形態】本発明にかかる液晶表示装置の一実
施形態について説明する。
施形態について説明する。
【００２６】図１に、オンチップカラーフィルター構造
を持つ液晶表示装置の単位素子部の断面図を示す。
を持つ液晶表示装置の単位素子部の断面図を示す。
【００２７】液晶表示装置の単位素子は、ＴＦＴ基板１
０１と、対向基板１０２と、それらＴＦＴ基板１０１と
対向基板１０２に挟まれた液晶層１０３により形成され
ている。
０１と、対向基板１０２と、それらＴＦＴ基板１０１と
対向基板１０２に挟まれた液晶層１０３により形成され
ている。
【００２８】ＴＦＴ基板１０１は、ＴＦＴガラス基板１
０４上に、信号を書き込む画素を選択する走査線と、書
き込む信号をもつ信号線と、それらの交点に画素を駆動
するＴＦＴ１０７を有する。このうち、ＴＦＴ１０７は
ＴＦＴガラス基板１０４上に設けられたゲート電極１２
０と、ゲート電極１２０を覆うようにして設けられたゲ
ート絶縁膜１２１と、ゲート絶縁膜１２１上に形成され
た半導体層１２２とドレイン電極１２３およびソース電
極１２４と、それらのすべてを覆うようにして設けられ
たパッシベーション膜１２５を備えている。また走査線
はゲート電極１２０に対して、信号線はドレイン電極１
２３に対して接続されている。
０４上に、信号を書き込む画素を選択する走査線と、書
き込む信号をもつ信号線と、それらの交点に画素を駆動
するＴＦＴ１０７を有する。このうち、ＴＦＴ１０７は
ＴＦＴガラス基板１０４上に設けられたゲート電極１２
０と、ゲート電極１２０を覆うようにして設けられたゲ
ート絶縁膜１２１と、ゲート絶縁膜１２１上に形成され
た半導体層１２２とドレイン電極１２３およびソース電
極１２４と、それらのすべてを覆うようにして設けられ
たパッシベーション膜１２５を備えている。また走査線
はゲート電極１２０に対して、信号線はドレイン電極１
２３に対して接続されている。
【００２９】パッシベーション膜１２５上には、Ｒ（レ
ッド）、Ｇ（グリーン）、Ｂ（ブルー）のカラーフィル
ター１３０、１３１、１３２、ブラックマトリクス１１
０が設けられており、それらを覆うようにオーバーコー
ト膜１４０、１４１、１４２が形成されている。オーバ
ーコート膜１４０等の上にはコンタクトホール１２６を
介してＴＦＴ１０７と接続された画素電極１０８が配置
されている。
ッド）、Ｇ（グリーン）、Ｂ（ブルー）のカラーフィル
ター１３０、１３１、１３２、ブラックマトリクス１１
０が設けられており、それらを覆うようにオーバーコー
ト膜１４０、１４１、１４２が形成されている。オーバ
ーコート膜１４０等の上にはコンタクトホール１２６を
介してＴＦＴ１０７と接続された画素電極１０８が配置
されている。
【００３０】また画素電極１０８上には、液晶分子を液
晶の動作モードに適した配列や傾き（プレチルト）を制
御するための配向膜が設けられており、ＴＦＴガラス基
板１０４から配向膜までの構成要素にてＴＦＴ基板１０
１を形成している。なお、ゲート電極１２０の膜厚を
０．２μｍ、ゲート絶縁膜１２１の膜厚を０．５μｍ、
半導体層１２２の膜厚を０．３μｍ、ドレイン電極１２
３の膜厚を０．２μｍ、パッシベーション膜１２５の膜
厚を０．３μｍとした。
晶の動作モードに適した配列や傾き（プレチルト）を制
御するための配向膜が設けられており、ＴＦＴガラス基
板１０４から配向膜までの構成要素にてＴＦＴ基板１０
１を形成している。なお、ゲート電極１２０の膜厚を
０．２μｍ、ゲート絶縁膜１２１の膜厚を０．５μｍ、
半導体層１２２の膜厚を０．３μｍ、ドレイン電極１２
３の膜厚を０．２μｍ、パッシベーション膜１２５の膜
厚を０．３μｍとした。
【００３１】対向基板１０２は、ガラス基板１１３上
に、対向電極１１２と、配向膜が設けられており、ガラ
ス基板１１３から配向膜までの構成要素にて対向基板１
０２を形成している。さらに、カラーフィルターとして
は、高感度の顔料分散型ネガ型レジスト（富士フィルム
オーリン製ＣＭ‐７０００）を用いて、Ｒカラーフィル
ター１３０およびＧカラーフィルター１３１を１．５μ
ｍとし、Ｂカラーフィルター１３２を２．０μｍの厚さ
に形成した。
に、対向電極１１２と、配向膜が設けられており、ガラ
ス基板１１３から配向膜までの構成要素にて対向基板１
０２を形成している。さらに、カラーフィルターとして
は、高感度の顔料分散型ネガ型レジスト（富士フィルム
オーリン製ＣＭ‐７０００）を用いて、Ｒカラーフィル
ター１３０およびＧカラーフィルター１３１を１．５μ
ｍとし、Ｂカラーフィルター１３２を２．０μｍの厚さ
に形成した。
【００３２】オーバーコート膜１４０等は、平坦性に優
れたアクリルを主成分とするポジ型感光性有機膜（ＪＳ
Ｒ製ＨＲＣシリーズ）を用いた。このポジ型感光性有機
膜を塗布して表面を完全に平坦に形成した結果、Ｒ、Ｇ
のカラーフィルター１３０、１３１上のオーバーコート
膜１４０、１４１の膜厚は１．０μｍとなり、Ｂカラー
フィルター１３２上のオーバーコート膜１４２は０．５
μｍとなった。このポジ型感光性有機膜は、ＵＶ光のｇ
ｈｉ線に感度をもつので、膜厚１μｍではλ＝４００ｎ
ｍ付近の透過率が８０％と低いが、Ｂカラーフィルター
１３２上のオーバーコート膜１４２は膜厚が０．５μｍ
であるため、λ＝４００nmの透過率を９０％にすること
ができた。
れたアクリルを主成分とするポジ型感光性有機膜（ＪＳ
Ｒ製ＨＲＣシリーズ）を用いた。このポジ型感光性有機
膜を塗布して表面を完全に平坦に形成した結果、Ｒ、Ｇ
のカラーフィルター１３０、１３１上のオーバーコート
膜１４０、１４１の膜厚は１．０μｍとなり、Ｂカラー
フィルター１３２上のオーバーコート膜１４２は０．５
μｍとなった。このポジ型感光性有機膜は、ＵＶ光のｇ
ｈｉ線に感度をもつので、膜厚１μｍではλ＝４００ｎ
ｍ付近の透過率が８０％と低いが、Ｂカラーフィルター
１３２上のオーバーコート膜１４２は膜厚が０．５μｍ
であるため、λ＝４００nmの透過率を９０％にすること
ができた。
【００３３】図２は、上記液晶表示装置の製造方法を説
明する図である。
明する図である。
【００３４】まずＴＦＴガラス基板１０４上に通常と同
様の工程にて薄膜トランジスタ１０７を形成する（図２
（ａ））。
様の工程にて薄膜トランジスタ１０７を形成する（図２
（ａ））。
【００３５】次に顔料や酸化チタンなどを分散した感光
性のブラックレジスト（富士フィルムオーリン製ＣＫ−
Ｓ−１７１）を塗布、パターニングすることによりＴＦ
Ｔ遮光部および光漏れ領域にブラックマトリクス１１０
を１μm形成する。次にＲ、Ｇ、Ｂの顔料分散型レジス
ト（富士フィルムオーリン製ＣＭ−７０００）をスピン
塗布、露光、現像、焼成することによりパターニングす
る。そしてＲカラーフィルター１３０とＧカラーフィル
ター１３１が１．５μｍの厚さに、またＢカラーフィル
ター１３２が２．０μｍの厚さになるよう形成した（図
２（ｂ））。
性のブラックレジスト（富士フィルムオーリン製ＣＫ−
Ｓ−１７１）を塗布、パターニングすることによりＴＦ
Ｔ遮光部および光漏れ領域にブラックマトリクス１１０
を１μm形成する。次にＲ、Ｇ、Ｂの顔料分散型レジス
ト（富士フィルムオーリン製ＣＭ−７０００）をスピン
塗布、露光、現像、焼成することによりパターニングす
る。そしてＲカラーフィルター１３０とＧカラーフィル
ター１３１が１．５μｍの厚さに、またＢカラーフィル
ター１３２が２．０μｍの厚さになるよう形成した（図
２（ｂ））。
【００３６】次に、オーバーコート膜としてポジ型レジ
スト（ＪＳＲ製ＨＲＣシリーズ）を塗布し、露光、現
像、焼成することによりオーバーコート膜１４０、１４
１、１４２およびコンタクトホール１２６を形成した。
塗布はスピン塗布により行っているので、オーバーコー
ト膜１４０等はカラーフィルター１３０等の上面に平坦
に被覆される（図２（ｃ））。そのため前述の通り、Ｒ
カラーフィルター１３０、Ｇカラーフィルター１３１上
のオーバーコート膜１４０、１４１は１．０μｍとな
り、Ｂカラーフィルター１３２上のオーバーコート膜１
４２は０．５μｍとなる。最後に透明電極であるインジ
ウムスズオキサイド（ＩＴＯ）を０．０５μｍ成膜し、
パターニングすることにより画素電極１０８を形成した
（図２（ｄ））。
スト（ＪＳＲ製ＨＲＣシリーズ）を塗布し、露光、現
像、焼成することによりオーバーコート膜１４０、１４
１、１４２およびコンタクトホール１２６を形成した。
塗布はスピン塗布により行っているので、オーバーコー
ト膜１４０等はカラーフィルター１３０等の上面に平坦
に被覆される（図２（ｃ））。そのため前述の通り、Ｒ
カラーフィルター１３０、Ｇカラーフィルター１３１上
のオーバーコート膜１４０、１４１は１．０μｍとな
り、Ｂカラーフィルター１３２上のオーバーコート膜１
４２は０．５μｍとなる。最後に透明電極であるインジ
ウムスズオキサイド（ＩＴＯ）を０．０５μｍ成膜し、
パターニングすることにより画素電極１０８を形成した
（図２（ｄ））。
【００３７】この後、配向膜を塗布し、ラビング処理
後、所定の間隙を介して対向基板と接合する。この間隙
に液晶を注入して、アクティブマトリクス型液晶表示装
置が完成する。
後、所定の間隙を介して対向基板と接合する。この間隙
に液晶を注入して、アクティブマトリクス型液晶表示装
置が完成する。
【００３８】上記実施形態の液晶表示装置は、Ｒ、Ｇの
カラーフィルター１３０、１３１の膜厚に対してＢのカ
ラーフィルター１３２の膜厚を厚くして、さらに平坦性
に優れたポジ型感光性有機膜をオーバーコート膜１４０
等として用いたことにより、Ｂカラーフィルター１３２
上のオーバーコート膜１４２の膜厚をＲおよびＧ上のそ
れに対して薄くできる。これにより、λ＝４００ｎｍ付
近のオーバーコート膜１４２の色付きによる光の吸収を
防ぐことができ、表示性能の良い液晶表示装置の作成が
可能となった。
カラーフィルター１３０、１３１の膜厚に対してＢのカ
ラーフィルター１３２の膜厚を厚くして、さらに平坦性
に優れたポジ型感光性有機膜をオーバーコート膜１４０
等として用いたことにより、Ｂカラーフィルター１３２
上のオーバーコート膜１４２の膜厚をＲおよびＧ上のそ
れに対して薄くできる。これにより、λ＝４００ｎｍ付
近のオーバーコート膜１４２の色付きによる光の吸収を
防ぐことができ、表示性能の良い液晶表示装置の作成が
可能となった。
【００３９】更に、Ｂカラーフィルター１３２の膜厚を
厚くしたことによる透過率の変化に対して、Ｂカラーフ
ィルター１３２の色濃度等を変更して、膜厚の変更前と
同等になるように調整してもよい。また、色濃度の変更
は、Ｂカラーフィルター１３２に限らず、Ｒカラーフィ
ルター１３０、Ｇカラーフィルター１３１等他の色に対
して行い、色バランスを補正するようにしてもよい。
厚くしたことによる透過率の変化に対して、Ｂカラーフ
ィルター１３２の色濃度等を変更して、膜厚の変更前と
同等になるように調整してもよい。また、色濃度の変更
は、Ｂカラーフィルター１３２に限らず、Ｒカラーフィ
ルター１３０、Ｇカラーフィルター１３１等他の色に対
して行い、色バランスを補正するようにしてもよい。
【００４０】次に、他の例について説明する。
【００４１】図３は、オンチップカラーフィルター構造
を持つ液晶表示装置の単位素子部を表す断面図である。
を持つ液晶表示装置の単位素子部を表す断面図である。
【００４２】ＴＦＴ基板３０１は、ＴＦＴガラス基板１
０４上に、信号を書き込む画素を選択する走査線と、書
き込む信号をもつ信号線と、それらの交点に画素を駆動
するＴＦＴ１０７を有する。このうち、ＴＦＴ１０７は
ＴＦＴガラス基板１０４上に設けられたゲート電極１２
０と、ゲート電極１２０を覆うようにして設けられたゲ
ート絶縁膜１２１と、ゲート絶縁膜１２１上に形成され
た半導体層１２２とドレイン電極１２３およびソース電
極１２４と、それらのすべてを覆うようにして設けられ
たパッシベーション膜１２５を備えている。
０４上に、信号を書き込む画素を選択する走査線と、書
き込む信号をもつ信号線と、それらの交点に画素を駆動
するＴＦＴ１０７を有する。このうち、ＴＦＴ１０７は
ＴＦＴガラス基板１０４上に設けられたゲート電極１２
０と、ゲート電極１２０を覆うようにして設けられたゲ
ート絶縁膜１２１と、ゲート絶縁膜１２１上に形成され
た半導体層１２２とドレイン電極１２３およびソース電
極１２４と、それらのすべてを覆うようにして設けられ
たパッシベーション膜１２５を備えている。
【００４３】また走査線はゲート電極１２０に対して、
信号線はドレイン電極１２３に対して接続されている。
パッシベーション膜１２５上にはカラーフィルター３３
０、３３１、３３２、ブラックマトリクス１１０が設け
られており、それらを覆うようにオーバーコート膜３４
０が形成されている。オーバーコート膜３４０上には、
コンタクトホール１２６を介してＴＦＴ１０７と接続さ
れた画素電極１０８が配置されている。
信号線はドレイン電極１２３に対して接続されている。
パッシベーション膜１２５上にはカラーフィルター３３
０、３３１、３３２、ブラックマトリクス１１０が設け
られており、それらを覆うようにオーバーコート膜３４
０が形成されている。オーバーコート膜３４０上には、
コンタクトホール１２６を介してＴＦＴ１０７と接続さ
れた画素電極１０８が配置されている。
【００４４】また、画素電極１０８上には、液晶分子を
液晶の動作モードに適した配列や傾き（プレチルト）を
制御するための配向膜が設けられており、ＴＦＴガラス
基板１０４から配向膜までの構成要素にてＴＦＴ基板３
０１を形成している。なお、ゲート電極１２０の膜厚を
０．２μｍ、ゲート絶縁膜１２１の膜厚を０．５μｍ、
半導体層１２２の膜厚を０．３μｍ、ドレイン電極１２
３の膜厚を０．２μｍ、パッシベーション膜１２５の膜
厚を０．３μｍとした。
液晶の動作モードに適した配列や傾き（プレチルト）を
制御するための配向膜が設けられており、ＴＦＴガラス
基板１０４から配向膜までの構成要素にてＴＦＴ基板３
０１を形成している。なお、ゲート電極１２０の膜厚を
０．２μｍ、ゲート絶縁膜１２１の膜厚を０．５μｍ、
半導体層１２２の膜厚を０．３μｍ、ドレイン電極１２
３の膜厚を０．２μｍ、パッシベーション膜１２５の膜
厚を０．３μｍとした。
【００４５】対向基板３０２は、ガラス基板１１３上
に、対向電極１１２と、配向膜が設けられており、ガラ
ス基板１１３から配向膜までの構成要素にて形成されて
いる。この対向基板３０２と、ＴＦＴ基板３０１と、そ
れらに挟まれた液晶層３０３により１つの液晶素子を形
成している。ここで、Ｒ、Ｇのカラーフィルター３３
０、３３１下のゲート絶縁膜１２１、パッシベーション
膜１２５は除去されており、Ｂのカラーフィルター３３
２下のゲート絶縁膜１２１、パッシベーション膜１２５
は除去されていない。
に、対向電極１１２と、配向膜が設けられており、ガラ
ス基板１１３から配向膜までの構成要素にて形成されて
いる。この対向基板３０２と、ＴＦＴ基板３０１と、そ
れらに挟まれた液晶層３０３により１つの液晶素子を形
成している。ここで、Ｒ、Ｇのカラーフィルター３３
０、３３１下のゲート絶縁膜１２１、パッシベーション
膜１２５は除去されており、Ｂのカラーフィルター３３
２下のゲート絶縁膜１２１、パッシベーション膜１２５
は除去されていない。
【００４６】カラーフィルターとしては、高感度の顔料
分散型ネガ型レジスト（富士フィルムオーリン製ＣＭ‐
７０００）を用いて、Ｒ、Ｇ、Ｂのカラーフィルター３
３０、３３１、３３２をそれぞれ１．５μｍ形成した。
このとき、Ｒ、Ｇのカラーフィルター３３０、３３１の
ゲート絶縁膜１２０、パッシベーション膜１２５が除去
されているため、Ｒカラーフィルター３３０およびＧカ
ラーフィルター３３１の高さは、Ｂカラーフィルター３
３２より０．８μｍ低くなる。ここでオーバーコート膜
として、アクリルを主成分とするポジ型感光性有機膜
（ＪＳＲ製ＨＲＣシリーズ）を塗布した。このポジ型感
光性有機膜は、平坦性に優れ、Ｒ、Ｇ、Ｂカラーフィル
ター３３０、３３１、３３２の凹凸を完全に平坦化する
ので、Ｒ、Ｇカラーフィルター３３０、３３１上のオー
バーコート膜３４０、３４１を１．０μｍ形成すると、
Ｂカラーフィルター３３２上のオーバーコート膜３４２
は０．２μｍとなる。このポジ型感光性有機膜はＵＶ光
のｇｈｉ線に感度をもつので、λ＝４００ｎｍ付近の透
過率が８０％と低いが、Ｂカラーフィルター３３２上の
オーバーコート膜３４２は０．２μｍと低いためＢカラ
ーフィルター３３２上のオーバーコート膜３４２による
λ=４００ｎｍの減衰率を４％（すなわち透過率９６
％）に抑えることができた。
分散型ネガ型レジスト（富士フィルムオーリン製ＣＭ‐
７０００）を用いて、Ｒ、Ｇ、Ｂのカラーフィルター３
３０、３３１、３３２をそれぞれ１．５μｍ形成した。
このとき、Ｒ、Ｇのカラーフィルター３３０、３３１の
ゲート絶縁膜１２０、パッシベーション膜１２５が除去
されているため、Ｒカラーフィルター３３０およびＧカ
ラーフィルター３３１の高さは、Ｂカラーフィルター３
３２より０．８μｍ低くなる。ここでオーバーコート膜
として、アクリルを主成分とするポジ型感光性有機膜
（ＪＳＲ製ＨＲＣシリーズ）を塗布した。このポジ型感
光性有機膜は、平坦性に優れ、Ｒ、Ｇ、Ｂカラーフィル
ター３３０、３３１、３３２の凹凸を完全に平坦化する
ので、Ｒ、Ｇカラーフィルター３３０、３３１上のオー
バーコート膜３４０、３４１を１．０μｍ形成すると、
Ｂカラーフィルター３３２上のオーバーコート膜３４２
は０．２μｍとなる。このポジ型感光性有機膜はＵＶ光
のｇｈｉ線に感度をもつので、λ＝４００ｎｍ付近の透
過率が８０％と低いが、Ｂカラーフィルター３３２上の
オーバーコート膜３４２は０．２μｍと低いためＢカラ
ーフィルター３３２上のオーバーコート膜３４２による
λ=４００ｎｍの減衰率を４％（すなわち透過率９６
％）に抑えることができた。
【００４７】更に、上記例では、Ｒ、Ｇのカラーフィル
ター３３０、３３１下のゲート絶縁膜１２１およびパッ
シベーション膜１２５を除去したが、双方の膜を完全に
除去するのではなく、いずれか一方の膜を除去したり、
膜厚を減少させる等して、少なくとも双方の膜の合計膜
厚がＢカラーフィルター３３２の下のゲート絶縁膜１２
１とパッシベーション膜１２５の膜厚より薄くなればよ
い。
ター３３０、３３１下のゲート絶縁膜１２１およびパッ
シベーション膜１２５を除去したが、双方の膜を完全に
除去するのではなく、いずれか一方の膜を除去したり、
膜厚を減少させる等して、少なくとも双方の膜の合計膜
厚がＢカラーフィルター３３２の下のゲート絶縁膜１２
１とパッシベーション膜１２５の膜厚より薄くなればよ
い。
【００４８】更に、図４に示すように、Ｒ、Ｇ、Ｂ各カ
ラーフィルタ１３０、１３１、１３２の厚みを変更せ
ず、各カラーフィルタ１３０、１３１、１３２上のオー
バーコート膜４４０、４４１、４４２の厚みをエッチン
グ等により変更し、Ｂカラーフィルター１３２上のオー
バーコート膜４４２の膜厚を他の個所より薄く形成して
もよい。
ラーフィルタ１３０、１３１、１３２の厚みを変更せ
ず、各カラーフィルタ１３０、１３１、１３２上のオー
バーコート膜４４０、４４１、４４２の厚みをエッチン
グ等により変更し、Ｂカラーフィルター１３２上のオー
バーコート膜４４２の膜厚を他の個所より薄く形成して
もよい。
【００４９】形成方法の一例を次に説明する。
【００５０】具体的には、例えばオーバーコート膜とし
てポジ型レジスト（ＪＳＲ製ＨＲＣシリーズ）を用い、
これを塗布・露光・現像・焼成することによりオーバー
コート膜４４０等およびコンタクトホールを形成する。
そして、オーバーコート膜４４０等に用いたポジ型感光
性有機膜が、光の照射量に応じて現像液に対する溶解度
が変化することを利用する。
てポジ型レジスト（ＪＳＲ製ＨＲＣシリーズ）を用い、
これを塗布・露光・現像・焼成することによりオーバー
コート膜４４０等およびコンタクトホールを形成する。
そして、オーバーコート膜４４０等に用いたポジ型感光
性有機膜が、光の照射量に応じて現像液に対する溶解度
が変化することを利用する。
【００５１】つまりオーバーコート膜４４０等を、Ｒ、
Ｇ、Ｂ各カラーフィルター１３０、１３１、１３２上に
膜厚が１μｍとなるように塗布する。オーバーコート膜
４４０等は平坦性が優れているため、コンタクトホール
部では、Ｒ、Ｇ、Ｂカラーフィルター１３０、１３１、
１３２の厚みとＲ、Ｇ、Ｂカラーフィルター１３０、１
３１、１３２上のオーバーコート膜４４０等の膜厚を加
えた厚さは２．５μｍとなる。露光は、ｇｈｉ線のＵＶ
光を照射するステッパー露光機を用い、オーバーコート
膜４４０上のコンタクトホール部分には第１のマスクを
用いて１００ｍＪの光を照射し、Ｂカラーフィルター１
３２上のオーバーコート膜には第２のマスクを用いて１
０ｍＪの光を照射する。
Ｇ、Ｂ各カラーフィルター１３０、１３１、１３２上に
膜厚が１μｍとなるように塗布する。オーバーコート膜
４４０等は平坦性が優れているため、コンタクトホール
部では、Ｒ、Ｇ、Ｂカラーフィルター１３０、１３１、
１３２の厚みとＲ、Ｇ、Ｂカラーフィルター１３０、１
３１、１３２上のオーバーコート膜４４０等の膜厚を加
えた厚さは２．５μｍとなる。露光は、ｇｈｉ線のＵＶ
光を照射するステッパー露光機を用い、オーバーコート
膜４４０上のコンタクトホール部分には第１のマスクを
用いて１００ｍＪの光を照射し、Ｂカラーフィルター１
３２上のオーバーコート膜には第２のマスクを用いて１
０ｍＪの光を照射する。
【００５２】オーバーコート膜はポジ型レジストなの
で、光を照射した部分の溶解速度が速くなるため、コン
タクトホール部のオーバーコート膜４４０等が完全に現
像（溶解）される間にＢカラーフィルター１３２上のオ
ーバーコート膜４４２が０．５μｍ溶解される。
で、光を照射した部分の溶解速度が速くなるため、コン
タクトホール部のオーバーコート膜４４０等が完全に現
像（溶解）される間にＢカラーフィルター１３２上のオ
ーバーコート膜４４２が０．５μｍ溶解される。
【００５３】これにより、Ｒ、Ｇカラーフィルター１３
０、１３１上のオーバーコート膜４４０、４４１は何ら
溶解されないので１．０μｍの膜厚のままであり、一方
Ｂカラーフィルター１３２上のオーバーコート膜４４２
は溶解され、膜厚が０．５μｍとなる。これにより、Ｂ
カラーフィルター１３２上のオーバーコート膜４４２の
膜厚をＲ・Ｇカラーフィルター１３０、１３１上のオー
バーコート膜４４０、４４１の膜厚より薄く形成し、色
バランスを保持することができる。
０、１３１上のオーバーコート膜４４０、４４１は何ら
溶解されないので１．０μｍの膜厚のままであり、一方
Ｂカラーフィルター１３２上のオーバーコート膜４４２
は溶解され、膜厚が０．５μｍとなる。これにより、Ｂ
カラーフィルター１３２上のオーバーコート膜４４２の
膜厚をＲ・Ｇカラーフィルター１３０、１３１上のオー
バーコート膜４４０、４４１の膜厚より薄く形成し、色
バランスを保持することができる。
【００５４】更に、カラーフィルターの膜厚やオーバー
コート膜の膜厚を変更したことによる、色調等の変化に
対しては、適宜色濃度、透過率等を調整してもよい、ま
た、カラーフィルターはＲ、Ｇ、Ｂに限るものではな
い。
コート膜の膜厚を変更したことによる、色調等の変化に
対しては、適宜色濃度、透過率等を調整してもよい、ま
た、カラーフィルターはＲ、Ｇ、Ｂに限るものではな
い。
【００５５】
【発明の効果】本発明は、ＴＦＴ基板上にカラーフィル
ターを設けるオンチップカラーフィルター構造の液晶表
示装置において、Ｂカラーフィルター上のオーバーコー
ト膜厚をＲおよびＧのカラーフィルター上の膜厚に対し
て薄くしたことにより、λ＝４００ｎｍ付近のオーバー
コート膜の色付きによる光の吸収を防ぎ、色バランスの
くずれを防止することができる。
ターを設けるオンチップカラーフィルター構造の液晶表
示装置において、Ｂカラーフィルター上のオーバーコー
ト膜厚をＲおよびＧのカラーフィルター上の膜厚に対し
て薄くしたことにより、λ＝４００ｎｍ付近のオーバー
コート膜の色付きによる光の吸収を防ぎ、色バランスの
くずれを防止することができる。
【００５６】またＲ、ＧカラーフィルターとＢカラーフ
ィルターとの間に段差を形成したことにより、平坦性に
優れたポジ型感光性有機膜をオーバーコート膜として用
い、オーバーコート膜の膜厚差を確実に形成することが
でき、Ｂカラーフィルター上のオーバーコート膜厚を
Ｒ、Ｇカラーフィルター上の膜厚に対して薄くし、色バ
ランスのくずれを防止することができる。
ィルターとの間に段差を形成したことにより、平坦性に
優れたポジ型感光性有機膜をオーバーコート膜として用
い、オーバーコート膜の膜厚差を確実に形成することが
でき、Ｂカラーフィルター上のオーバーコート膜厚を
Ｒ、Ｇカラーフィルター上の膜厚に対して薄くし、色バ
ランスのくずれを防止することができる。
【００５７】これにより、表示性能の良い液晶表示装置
を提供することが可能となった。
を提供することが可能となった。
【図１】本発明にかかる液晶表示装置を示す断面図であ
る。
る。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、本発明にかかる液晶表示装
置の製造方法を示す図である。
置の製造方法を示す図である。
【図３】本発明にかかる液晶表示装置の他の例を示す断
面図である。
面図である。
【図４】本発明にかかる液晶表示装置の他の例を示す断
面図である。
面図である。
【図５】従来の液晶表示装置の一例を示す図であり、
（ａ）は外観図、（Ｂ）は断面図である。
（ａ）は外観図、（Ｂ）は断面図である。
【図６】従来の液晶表示装置を示す断面図である。
【図７】オーバーコート膜の透過率を表す図である。
１０１…ＴＦＴ基板
１０２…対向基板
１０３…液晶表示装置
１０４…ＴＦＴガラス基板
４０５…走査線
４０６…信号線
１０７…ＴＦＴ
１０８…画素電極
１１０…ブラックマトリクス
１１２…対向電極
１１３…対向ガラス基板
１２０…ゲート電極
１２１…ゲート絶縁膜
１２２…半導体層
１２３…ドレイン電極
１２４…ソース電極
１２５…パッシベーション膜
１３０…カラーフィルター
１４０…オーバーコート膜
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 山本 勇司
東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気
株式会社内
(72)発明者 渡邊 貴彦
東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気
株式会社内
(72)発明者 井原 浩史
東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気
株式会社内
(72)発明者 吉川 周憲
東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気
株式会社内
(56)参考文献 特開 平11−84369（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−122824（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−50045（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G02F 1/1335 505
G02F 1/1368
Claims (7)
- 【請求項１】 第１の基板と、第２の基板と、これら第
１の基板と第２の基板に挟持された液晶層とからなり、 前記第１の基板上には、複数の走査線と、それら走査線
とマトリクス状に交差する複数の信号線と、これらの配
線のそれぞれの交点に対応して形成された複数の薄膜ト
ランジスタとを有し、 前記薄膜トランジスタには、該薄膜トランジスタを覆う
Ｒ、Ｇ、Ｂを３原色とするカラーフィルター層と、それ
を保護するオーバーコート膜とを備え、 前記オーバーコート膜上には、コンタクトホールを介し
て前記薄膜トランジスタと接続した画素電極を有し、 かつ前記第２の基板上には、対向電極を形成した液晶表
示装置において、 前記Ｂのカラーフィルター上の前記オーバーコート膜の
表面を、前記ＲおよびＧのカラーフィルター上の前記オ
ーバーコート膜に対し低く形成し、前記Ｂのカラーフィ
ルター上に形成されたオーバーコート膜を、前記Ｒおよ
びＧのカラーフィルター上に形成されたオーバーコート
膜より膜厚を薄くしたことを特徴とするアクティブマト
リクス型液晶表示装置。 - 【請求項２】 第１の基板と、第２の基板と、これら第
１の基板と第２の基板に挟持された液晶層とからなり、 前記第１の基板上には、複数の走査線と、それら走査線
とマトリクス状に交差する複数の信号線と、これらの配
線のそれぞれの交点に対応して形成された複数の薄膜ト
ランジスタとを有し、 前記薄膜トランジスタには、該薄膜トランジスタを覆う
Ｒ、Ｇ、Ｂを３原色とするカラーフィルター層と、それ
を保護するオーバーコート膜とを備え、 前記オーバーコート膜上には、コンタクトホールを介し
て前記薄膜トランジスタと接続した画素電極を有し、 かつ前記第２の基板上には、対向電極を形成した液晶表
示装置において、 前記ＲおよびＧのカラーフィルター下に形成された前記
薄膜トランジスタのゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、
前記薄膜トランジスタ全体を覆うパッシベーション膜の
少なくとも一方の膜厚を、前記Ｂのカラーフィルター下
に形成された前記パッシベーション膜およびゲート絶縁
膜の膜厚に対して減少させ、前記Ｂのカラーフィルター
上のオーバーコート膜の膜厚を前記ＲおよびＧのカラー
フィルター上に形成されたオーバーコート膜より薄くし
たことを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装
置。 - 【請求項３】 前記ＲおよびＧのカラーフィルター下に
形成された前記パッシベーション膜とゲート絶縁膜とを
除去したことを特徴とする請求項２に記載のアクティブ
マトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記オーバーコート膜はポジ型感光性有
機膜であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１
項に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項５】 前記Ｂの透過率を前記オーバーコート膜
の膜厚に応じて変更したことを特徴とする請求項１〜４
のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス型液晶表
示装置。 - 【請求項６】 前記カラーフィルターの色調を前記オー
バーコート膜の膜厚に応じて変更したことを特徴とする
請求項１〜５のいずれか１項に記載のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置。 - 【請求項７】 前記カラーフィルターの色調を該カラー
フィルターの厚みに応じて変更したことを特徴とする請
求項１〜５のいずれか１項に記載のアクティブマトリク
ス型液晶表示装置。
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| JP17064499A JP3481510B2 (ja) | 1999-06-17 | 1999-06-17 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
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