JP3637016B2 - アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法に関し、特に、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）などのスイッチング素子とＣＦ（カラーフィルタ）を同一基板上に形成したＣＦオンＴＦＴ構造のアクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、薄膜トランジスタ等をスイッチング素子として用いるアクティブマトリクス型液晶表示装置の開発が進められている。この液晶表示装置は、薄膜トランジスタ等のスイッチング素子が形成されるＴＦＴ基板と対向電極が形成される対向基板と両基板間に狭持される液晶とからなり、ＴＦＴ基板は、ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層、ソース／ドレイン電極からなる薄膜トランジスタ、画素毎に形成される画素電極、これらを覆うパッシベーション膜、配向膜、外部回路と接続するための端子等を有し、対向基板は、薄膜トランジスタ領域及び配線層に入射する光を遮断するブラックマトリクス、カラー表示を行うＲＧＢの各色のカラーフィルタ、ＩＴＯなどの透明電極、配向膜等を有し、両基板間にはギャップを所定の距離に保つスペーサが挟み込まれている。
【０００３】
このようなアクティブマトリクス型液晶表示装置では、表示品位を向上させるために高精細化が求められており、そのためには画素の高密度化を達成する必要があるが、上述したようなカラーフィルタ及びブラックマトリクスが対向基板側に配置された構造の液晶表示装置では、組立工程における両基板間の位置合わせに誤差が生じることから、カラーフィルタ及びブラックマトリクスをあらかじめマージンを見込んで形成する必要があり、画素開口部の面積（開口率）を最大限に確保することが困難であり、高密度化の妨げになっていた。
【０００４】
そこで、カラーフィルタ及びブラックマトリクスのマージンを減らし開口率を向上させるために、薄膜トランジスタなどのスイッチング素子が形成されるＴＦＴ基板側にカラーフィルタ及びブラックマトリクスを形成する方法、いわゆるＣＦオンＴＦＴが提案されており、特開平２−５４２１７号公報、特開平３−２３７４３２号公報等にその構造が記載されている。
【０００５】
ＣＦオンＴＦＴ構造では、ＴＦＴ基板側にカラーフィルタ及びブラックマトリクスが形成されるために、ＴＦＴ基板と対向基板の位置合わせマージンを考慮する必要がなく、製造工程が簡略化できると同時に、画素開口率の拡大を達成することができるが、一方、カラーフィルタ上に画素電極を形成するために、カラーフィルタ等の凹凸を反映して画素電極に段差が生じ、この段差によって液晶の配向に乱れが生じ、ディスクリネーションやリバースチルトドメイン等を引き起こすという問題が生じる。
【０００６】
この問題に対し、特開平８−１２２８２４号公報では、カラーフィルタ及びブラックマトリクスの凹凸を埋めるために、カラーフィルタ及びブラックマトリクスをパターニングした後に平坦化膜を形成する方法が開示されている。上記公報に記載された平坦化膜を有する液晶表示装置について、図１７を参照して説明する。なお、特開平８−１２２８２４号公報では多結晶シリコンＴＦＴ（ｐ−ＳｉＴＦＴ）をスイッチング素子として用いる技術を開示しているが、ここでは説明の都合上、スイッチング素子としてチャネルエッチ型アモルファスシリコンＴＦＴ（ａ−ＳｉＴＦＴ）を用いたものとして説明を行う。
【０００７】
図１７に示すように、上記公報記載の液晶表示装置は、透明絶縁性基板４上に、ゲート電極５ｂが形成され、ゲート電極５ｂを覆うようにゲート絶縁膜６が形成されている。その上には、ゲート電極５ｂと重畳するように半導体層１５が形成され、その中央部上で隔てられたソース電極８ｂ、ドレイン電極８ａがオーミックコンタクト層（図示せず）を介して半導体層１５に接続され、薄膜トランジスタが形成されている。そして、この薄膜トランジスタを覆うようにパッシベーション膜９が形成されている。
【０００８】
ここで、ＣＦオンＴＦＴ構造の液晶表示装置では、このパッシベーション膜９の上に、カラーフィルタ１０およびブラックマトリクス１１が形成され、その上にオーバーコート層を介して画素電極１４が形成されるが、上記公報では、カラーフィルタ１０およびブラックマトリクス１１の段差を平坦化するために厚膜の平坦化膜２４を設け、カラーフィルタ１０およびブラックマトリクス１１を完全に埋め込むことを特徴としている。そして、平坦化膜２４およびパッシベーション膜９を貫くコンタクトホール１９を形成した後に画素電極１４となる透明導電膜を形成し、ソース電極８ｂと接続している。
【０００９】
なお、ＣＦオンＴＦＴ基板の形成工程においては、薄膜トランジスタの遮光膜としてＯｐｔｉｃａｌ Ｄｅｎｓｉｔｙ（ＯＤ）＝３程度（ＢＭに入射する光量をＴ０、出射する光量をＴ１としたとき、ＯＤ＝−ｌｏｇ１０（Ｔ１／Ｔ０）と定義）の感光性樹脂ブラックマトリクス層の微細パターンを形成することが必要となるが、特願２０００−０１３５７１号公報には、感光性樹脂ブラックマトリクスを下地カラーフィルタ１０上に設けて露光することにより微細なパターンを形成する技術が開示されている。この方法によれば、高ＯＤのブラックマトリクス１１が表面のみしか露光されなくても、下地カラーフィルタ１０とブラックマトリクス１１の密着性が良いため、下地カラーフィルタ１０から剥れることなく微細なパターンを形成することができる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
上記平坦化技術では、ＴＦＴ基板に形成される段差を覆うように平坦化膜２４が塗布されるが、一般に、ブラックマトリクス１１及びカラーフィルタ１０の膜厚は１〜２μｍ程度であり、それらを重ねあわせた場合には２〜３μｍ程度の段差が生じる。従って、この段差を平坦化膜２４で被覆しようとする場合、段差の１．５倍程度の膜厚が必要となり、平坦化膜２４として３〜４．５μｍ程度の膜厚が必要とされ、カラーフィルタ１０上の平坦化膜２４の膜厚は厚くなってしまう。
【００１１】
ここで、平坦化膜２４として感光性のアクリル樹脂、特に、ポジ型の感光性のアクリル樹脂を用いる場合には、波長４００〜５００ｎｍ付近の光の透過率は膜厚１μｍ当り９５％程度であり、３μｍ厚の平坦化膜２４全体では透過光量は８５％程度となってしまい、液晶表示装置の透過率が悪くなったり、ホワイトバランスが崩れる等の問題が生じてしまう。このように厚膜の平坦化膜２４により実効的な透過率が低くなるために、カラーフィルタ１０やブラックマトリクス１１の段差を完全に平坦化することなく、段差によって生じるディスクリネーションをブラックマトリクスで遮光した方が、却って実効的に透過率が高くなる場合も生じる。
【００１２】
一方、平坦化膜２４を全く設けない場合には、カラーフィルタ１０やブラックマトリクス１１はその後のパターニング工程で使用する剥離液などにより膨潤し、その端部から剥れが生じることがわかった。また、カラーフィルタ１０やブラックマトリクス１１上に平坦化膜２４と同じアクリルなどの材料を薄膜状に形成し、オーバーコート層としてのみ使う場合、一般にオーバーコート層はスピンコートによって塗布されるが、カラーフィルタ１０やブラックマトリクス１１の段差が大きすぎるために、カラーフィルタ１０やブラックマトリクス１１の段差の大きな部分の表面にはほとんど塗布できず、オーバーコート層形成後の工程の、例えば画素電極形成工程中のレジスト剥離工程でブラックマトリクスが膨潤して膜はがれが生じるなどの不具合が生じることがわかった。
【００１３】
このように、ＣＦオンＴＦＴ構造を用いれば、ＴＦＴ基板と対向基板の位置合わせのマージンを減らして開口率を向上させることはできるが、カラーフィルタ１０やブラックマトリクス１１により大きな段差が生じてしまい、この段差を埋めるために厚膜の平坦化膜２４を形成すると、今度は平坦化膜２４による光吸収により透過率が低下してしまい、開口率向上の効果が相殺されてしまうという問題がある。
【００１４】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、その主たる目的は、透過率を低減させることなく、カラーフィルタやブラックマトリクスを確実に保護することができるＣＦオンＴＦＴ構造のアクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【００１５】
また、本発明の他の目的は、スペーサを別途設けることなく、ＴＦＴ基板と対向基板のギャップを高精度かつ簡便に規定することができるアクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の構成は、対向配置された一対の基板間に液晶が狭持され、一側の基板に、互いに交差する複数のゲート線及びデータ線と、前記ゲート線及び前記データ線の交差領域近傍に設けられる薄膜トランジスタと、前記ゲート線と前記データ線とで囲まれる各画素領域に配設されるカラーフィルタと、前記薄膜トランジスタを遮光するように前記薄膜トランジスタ上に設けたブラックマトリクスと、前記薄膜トランジスタ及び前記カラーフィルタ及び前記ブラックマトリクスを含む前記一側の基板表面を覆うオーバーコート層とを有するアクティブマトリクス型液晶表示装置であって、前記オーバーコート層が、第１のオーバーコート層とこの第１のオーバーコート層の層厚より薄い層厚をもつ第２のオーバーコート層とからなり、前記第１のオーバーコート層は前記ブラックマトリクスを覆っており、前記カラーフィルタ及び前記第１のオーバーコート層を含む前記一側の基板表面上を前記第２のオーバーコート層が覆っていることを特徴とする。
【００２０】
次に、本発明の他の構成は、対向配置された一対の基板間に液晶が狭持され、一側の基板に、互いに交差する複数のゲート線及びデータ線と、前記ゲート線及び前記データ線の交差領域近傍に設けられる薄膜トランジスタと、前記ゲート線と前記データ線とで囲まれる各画素領域に配設されるカラーフィルタと、前記薄膜トランジスタを遮光するように前記薄膜トランジスタ上に設けた樹脂膜からなるブラックマトリクスと、前記薄膜トランジスタ及び前記カラーフィルタ及び前記ブラックマトリクスを含む前記一側の基板表面を覆うオーバーコート層とを有するアクティブマトリクス型液晶表示装置であって、前記オーバーコート層が、第１のオーバーコート層とこの第１のオーバーコート層の層厚より薄い層厚をもつ第２のオーバーコート層とを有し、前記第１のオーバーコート層は前記ブラックマトリクスを覆っており、前記カラーフィルタは、前記第１のオーバーコート層の間に形成され、前記第２のオーバーコート層は、前記カラーフィルタ及び前記第１のオーバーコート層を含む前記一側の基板表面を覆う形に形成されていることを特徴とする。
さらに、本発明の他の構成は、対向配置された一対の基板間に液晶が狭持され、一側の基板に、互いに交差する複数のゲート線及びデータ線と、前記ゲート線及び前記データ線の交差領域近傍に設けられる薄膜トランジスタと、前記ゲート線と前記データ線とで囲まれる各画素領域に配設されるカラーフィルタと、前記薄膜トランジスタを遮光するように前記薄膜トランジスタ上に設けた樹脂膜からなるブラックマトリクスと、前記薄膜トランジスタ及び前記カラーフィルタ及び前記ブラックマトリクスを含む前記一側の基板表面を覆うオーバーコート層とを有するアクティブマトリクス型液晶表示装置であって、
前記オーバーコート層が、第１のオーバーコート層とこの第１のオーバーコート層の層厚より薄い層厚をもつ第２のオーバーコート層とを有し、前記第１のオーバーコート層は前記薄膜トランジスタ上で前記ブラックマトリクスの下に形成され、前記カラーフィルタは、前記第１のオーバーコート層の間に形成され、前記第２のオーバーコート層は、前記カラーフィルタ及び前記ブラックマトリクスを含む前記一側の基板表面を覆う形に形成されていることを特徴とする。
本発明において、データ線上に樹脂膜からなるブラックマトリクスが形成されることができ、また、データ線上のブラックマトリクスは、第１のオーバーコート層および第２のオーバーコート層で覆われたり、データ線上のブラックマトリクスは、カラーフィルタの間に埋込んで形成され、この埋込んだブラックマトリクス上は第２のオーバーコート層のみで覆われたりする構成にでき、また、データ線上に第１のオーバーコート層が形成され、この第１のオーバーコート層上にブラックマトリクスが形成されることもできる。
【００２１】
次に、本発明において、前記薄膜トランジスタと前記オーバーコート層とを含んで形成される凸部上にスペーサが形成され、前記凸部と前記スペーサとにより対向する基板間のギャップが規定されることが出来る。
さらに、本発明の他の構成は、対向配置された一対の基板間に液晶が狭持され、一側の基板に、互いに交差する複数のゲート線及びデータ線と、前記ゲート線及び前記データ線の交差領域近傍に設けられる薄膜トランジスタと、前記ゲート線と前記データ線とで囲まれる各画素領域に配設されるカラーフィルタと、前記薄膜トランジスタおよび前記データ線を遮光するように前記薄膜トランジスタ上および前記データ線上にそれぞれ設けた樹脂膜からなるブラックマトリクスと、前記薄膜トランジスタ及び前記ブラックマトリクスを含む前記一側の基板表面を覆うオーバーコート層とを有するアクティブマトリクス型液晶表示装置であって、前記オーバーコート層は、前記カラーフィルタのエッジ部分を覆うと共に、前記ブラックマトリクスを、このブラックマトリクスのエッジ部分を含んで覆っており、前記ブラックマトリクスを覆った前記オーバーコート層のある領域を除いた前記カラーフィルタ（但し、前記カラーフィルタのエッジ部分を除く）上には前記オーバーコート層が除去されていることを特徴とする。
【００２６】
次に、本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法の構成は、第１の基板に互いに交差する複数のゲート線及びデータ線と共に、前記ゲート線と前記データ線とで囲まれる各画素領域に薄膜トランジスタを形成する工程と、パッシベーション膜を介して、前記ゲート線と前記データ線とで囲まれる各画素領域にそれぞれ樹脂膜からなるカラーフィルタを配設する工程と、前記薄膜トランジスタ上に樹脂膜からなるブラックマトリクスを配設する工程と、前記カラーフィルタ及びブラックマトリクスを含む前記第１の基板表面を覆うようにオーバーコート層を形成する工程と、前記オーバーコート層上に画素電極を形成する工程と、前記第１の基板に第２の基板を対向配置し、前記第１及び第２の基板間に液晶を狭持する工程と、を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法であって、前記オーバーコート層を形成する工程が、第１のオーバーコート層及びこの第１のオーバーコート層の層厚より薄い層厚をもつ第２のオーバーコート層を順次形成することにより行われ、前記第１のオーバーコート層は前記ブラックマトリクスを覆うがカラーフィルターは覆わないように形成され、前記第２のオーバーコート層は、前記カラーフィルタ及び前記第１のオーバーコート層を含む前記一側の基板表面上を覆って形成することを特徴とする。
【００２７】
次に、本発明の他の構成は、第１の基板に互いに交差する複数のゲート線及びデータ線と共に、前記ゲート線と前記データ線とで囲まれる各画素領域に薄膜トランジスタを形成する工程と、パッシベーション膜を介して、前記ゲート線と前記データ線とで囲まれる各画素領域にそれぞれカラーフィルタを配設する工程と、前記薄膜トランジスタ上に樹脂膜からなるブラックマトリクスを配設する工程と、前記カラーフィルタ及びブラックマトリクスを含む前記第１の基板表面を覆うようにオーバーコート層を形成する工程と、前記第１の基板に第２の基板を対向配置し、前記第１及び第２の基板間に液晶を狭持する工程とを有するアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法であって、前記オーバーコート層を形成する工程が、第１のオーバーコート層を形成する工程とこの第１のオーバーコート層の層厚より薄い層厚をもつ第２のオーバーコート層を形成する工程とを含み、前記第１のオーバーコート層を形成する工程は、前記薄膜トランジスタを形成する工程と、前記カラーフィルタを形成する工程との間にあって、前記カラーフィルタの形成領域を除く前記第１の基板表面に前記ブラックマトリクスを覆って第１のオーバーコート層を形成することにより行われ、前記カラーフィルタを形成する工程は、前記第１のオーバーコート層の間に前記カラーフィルタを形成することにより行われ、前記第２のオーバーコート層を形成する工程は、前記カラーフィルタを形成する工程の後に、前記カラーフィルタ及び前記第１のオーバーコート層を含む前記第１の基板表面を第２のオーバーコート層で覆うことにより行うことを特徴とする。
【００２８】
次に、本発明のさらに他の構成は、第１の基板に互いに交差する複数のゲート線及びデータ線と共に、前記ゲート線と前記データ線とで囲まれる各画素領域に薄膜トランジスタを形成する工程と、パッシベーション膜を介して、前記ゲート線と前記データ線とで囲まれる各画素領域にカラーフィルタを配設する工程と、前記薄膜トランジスタ上に樹脂膜からなるブラックマトリクスを配設する工程と、前記カラーフィルタ及びブラックマトリクスを含む前記第１の基板表面を覆うようにオーバーコート層を形成する工程と、前記第１の基板に第２の基板を対向配置し、前記第１及び第２の基板間に液晶を狭持する工程とを有するアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法であって、前記オーバーコート層を形成する工程が、第１のオーバーコート層を形成する工程とこの第１のオーバーコート層の層厚より薄い層厚をもつ第２のオーバーコート層を形成する工程とを含み、前記第１のオーバーコート層を形成する工程は、前記薄膜トランジスタを形成する工程と、前記カラーフィルタを形成する工程との間にあって、前記カラーフィルタの形成領域を除く前記第１の基板表面に前記第１のオーバーコート層を覆って前記ブラックマトリクスを形成することにより行われ、前記カラーフィルタを形成する工程は、前記第１のオーバーコート層の間に前記カラーフィルタを形成することにより行われ、前記第２のオーバーコート層を形成する工程は、前記カラーフィルタを形成する工程の後に、前記カラーフィルタ及び前記ブラックマトリクスを含む前記第１の基板表面を第２のオーバーコート層で覆うことにより行うことを特徴とする。
また、本発明において、データ線上に樹脂膜からなるブラックマトリクスを形成することができ、また、データ線上のブラックマトリクスは、第１のオーバーコート層および第２のオーバーコート層で覆うように形成したり、データ線上のブラックマトリクスは、カラーフィルタの間に埋込んで形成され、この埋込んだブラックマトリクス上は第１のオーバーコート層が除去され第２のオーバーコート層で覆われて形成されたりでき、さらに、データ線上に第１のオーバーコート層が形成され、この第１のオーバーコート層上にブラックマトリクスが形成されることができる。
【００２９】
次に、本発明において、前記薄膜トランジスタと前記オーバーコート層とを含む凸部を形成後、前記凸部上に、前記第１及び第２の基板間のギャップを規定するスペーサを形成することが出来る。
さらに、本発明の構成は、第１の基板に互いに交差する複数のゲート線及びデータ線と共に、前記ゲート線と前記データ線との交差領域近傍に薄膜トランジスタを形成する工程と、パッシベーション膜を介して、前記ゲート線と前記データ線とで囲まれる各画素領域にそれぞれ樹脂膜からなるカラーフィルタを配設する工程と、前記薄膜トランジスタおよび前記データ線を遮光するように前記薄膜トランジスタ上および前記データ線上に樹脂膜からなるブラックマトリクスをそれぞれ配設する工程と、前記ブラックマトリクスを含む前記第１の基板表面を覆うようにオーバーコート層を形成する工程と、前記オーバーコート層上に画素電極を形成する工程と、前記第１の基板に第２の基板を対向配置し、前記第１及び第２の基板間に液晶を狭持する工程と、を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法であって、前記オーバーコート層を形成する工程は、前記オーバーコート層が、前記カラーフィルタのエッジ部分を覆うと共に、前記ブラックマトリクスを、そのブラックマトリクスのエッジ部分を含んで覆うように形成され、前記ブラックマトリクスを覆った前記オーバーコート層のある領域を除いた前記カラーフィルタ上（但し、前記カラーフィルタのエッジ部分を除く）には前記オーバーコート層が除去されて形成されることを特徴とする。
【００３０】
次に、第６に、前記薄膜トランジスタ領域の上にはブラックマトリクスが形成され、前記薄膜トランジスタ領域の上には前記カラーフィルタが形成される。
【００３１】
次に、第７に、前記データ線の上にはブラックマトリクスが形成される。
【００３２】
【発明の実施の形態】
本発明に係るアクティブマトリクス型液晶表示装置は、その好ましい一実施の形態において、ゲート線とデータ線とＴＦＴとが形成されるＴＦＴ基板に、カラーフィルタと、ＴＦＴ上層及びデータ線上層に形成されるブラックマトリクスと、画素電極とが設けられたＣＦオンＴＦＴ構造の液晶表示装置であって、ブラックマトリクス上には厚膜の第１のオーバーコート層と薄膜の第２のオーバーコート層とが配設され、表示領域のカラーフィルタ上には薄膜の第２のオーバーコート層のみが配設され、厚膜の第１のオーバーコート層によりブラックマトリクスが確実に保護されると共に、薄膜の第２のオーバーコート層により入射光の減衰が抑制され、実効的な開口率の向上を図ることができる。
【００３３】
【実施例】
上記した本発明の実施の形態についてさらに詳細に説明すべく、本発明の実施例について図面を参照して説明する。
【００３４】
［実施例１］ まず、本発明の第１の実施例に係るアクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法について、図１乃至図５を参照して説明する。図１は、液晶表示装置の構成を示す回路図であり、図２及び図３は、カラーフィルタとブラックマトリクスと本実施例の特徴部分であるオーバーコート層との位置関係を模式的に示す平面図である。また、図４は、本実施例の液晶表示装置の構造を示す断面図であり、図５は、その製法方法を示す工程断面図である。
【００３５】
図１に示すように、アクティブマトリクス型液晶表示装置は、透明絶縁性基板の上にゲート線５、データ線７が互いに直交するように配置され、これらの配線の交差部分に対応するようにＴＦＴ１７が形成される。ゲート線５はＴＦＴ１７のゲート電極に接続され、ゲート線５からゲート電極に入力される走査信号によって画素に対応するＴＦＴ１７が駆動される。また、データ線７はＴＦＴ１７のドレイン電極に接続され、ドレイン電極にデータ信号を入力する。ＴＦＴ１７のソース電極には画素電極が接続され、画素電極と対向基板上に形成された対向電極との間の液晶層３により画素容量１８が形成される。
【００３６】
次に、図２及び図３を参照して、本実施例の液晶表示装置におけるカラーフィルタ１０とブラックマトリクス１１と第１及び第２のオーバーコート層１２、１３との位置関係について説明する。なお、図２及び図３は画素部分の構成を示したものであり、各層を同一図面に表すと重なり関係が不明瞭になるため、図２には、ゲート線５、データ線７とブラックマトリクス１１、第１及び第２のオーバーコート層１２、１３の位置関係を記載し、図３には、ゲート線５、データ線７とカラーフィルタ１０とブラックマトリクス１１の位置関係を記載する。
【００３７】
図２及び図３に示すように、ＴＦＴ１７、データ線７上にはブラックマトリクス１１が形成され、ＴＦＴ１７の遮光および配線まわりの光漏れの遮光を行っている。そして、これらブラックマトリクス１１を覆うようにして第１のオーバーコート層１２が設けられ、ブラックマトリクス１１を保護している。さらにブラックマトリクス１１、カラーフィルタ１０、第１のオーバーコート層１２を覆うようにして第２のオーバーコート層１３が設けられている。なお、画素電極は、第２のオーバーコート層１３のコンタクトホール１９を介してソース電極８ｂに接続されている。
【００３８】
ここで、本実施例で設ける第１及び第２のオーバーコート層１２、１３は平坦化を目的とするものではなく、むしろ、ＴＦＴ基板の凸部となるブラックマトリクス１１上で厚く、カラーフィルタ１０上で薄く形成され、ブラックマトリクス１１やカラーフィルタ１０の段差は、該オーバーコート層１２、１３によって平坦化されていないため、液晶の配向乱れによって生じるディスクリネーションを隠す必要があり、ブラックマトリクス１１と画素電極とのオーバーラップ幅は２〜５μｍ程度確保することが好ましい。
【００３９】
次に、図４を参照して、本実施例のアクティブマトリクス型液晶表示装置の構造について説明する。図４に示すように、本実施例のＴＦＴ基板１は、透明絶縁性基板４上にゲート電極５ｂが設けられ、それらを覆うようにゲート絶縁膜６が形成される。その上にゲート電極５ｂと重畳するように半導体層１５が設けられ、その半導体層１５の中央部上で隔てられたソース電極８ｂ、ドレイン電極８ａがオーミックコンタクト層（図示せず）を介して半導体層１５に接続されている。また、ソース電極８ｂとドレイン電極８ａとの間のオーミックコンタクト層はエッチング除去されてチャネル部が設けられ、ＴＦＴ１７が形成されている。そして、このＴＦＴ１７を覆うようにパッシベーション膜９が形成され、各画素の表示領域及びＴＦＴ領域にはＲＧＢ各色のカラーフィルタ１０が配設され、更に、ＴＦＴ領域の半導体層１５上層及びデータ線７の上層には遮光のためのブラックマトリクス１１が形成されている。
【００４０】
そして、ブラックマトリクス１１上には、それを被覆するための厚膜の第１のオーバーコート層１２がブラックマトリクス１１の外形に沿って設けられている。この第１のオーバーコート層１２は、第２のオーバーコート層１３によって覆いきれない部分に形成するものであり、その膜厚は、ブラックマトリクス１１を覆うことができる厚さ、例えば１μｍから３μｍ程度であればよいが、第２の実施例で示すように、第１のオーバーコート層１２によって基板間のギャップを調整する場合には更に厚く形成しても良い。
【００４１】
そして、カラーフィルタ１０およびブラックマトリクス１１上に設けられた第１のオーバーコート層１２を覆うように薄膜の第２のオーバーコート層１３が設けられ、カラーフィルタ１０が保護される。この第２のオーバーコート層１３の膜厚は、カラーフィルタ１０の透過率の低下を抑制するために薄い方がよく、０．５μｍであることが好ましい。
【００４２】
なお、ＴＦＴ１７をスイッチング素子として用いる場合は、ソース電極８ｂが画素電極１４との接続のための引出し電極として働き、第２のオーバーコート層１３とパッシベーション膜９を貫通して設けられたコンタクトホール１９を通してソース電極８ｂと画素電極１４とが接続されている。また、パッシベーション膜９上にはＲ、Ｇ、Ｂの各色層のカラーフィルタ１０が画素表示領域に対応した部分に設けられているが、このコンタクトホール１９の周囲にはカラーフィルタ１０が形成されていない。
【００４３】
また、図４では、ＴＦＴ形成領域にもカラーフィルタ１０を形成しているが、これはブラックマトリクスの密着性を高めるためのものであり、ＨＭＤＳ処理などのその他の手段によりパッシベーション膜との密着性を高めた場合にはブラックマトリクス下のカラーフィルタ１０はあってもなくても良い。また、図４では、データ線７上にもブラックマトリクス１１を形成しているが、このブラックマトリクス１１によって、データ線７の電位の影響で配向方向が乱れた領域への光の入射を防止し、表示品位を向上させることができるが、このデータ線７上のブラックマトリクス１１は必ずしも設ける必要はない。
【００４４】
次に、図５を参照して、上記ＴＦＴ基板１の製造方法について説明する。まず、図５（ａ）に示すように、透明絶縁性基板４上にチャネルエッチ型ＴＦＴを形成する。具体的には、ガラス等からなる透明絶縁性基板４上に、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）等の金属からなる材料をスパッタ法等により１００〜４００ｎｍ程度の膜厚で成膜し、公知のフォトリソグラフィ法により所望のゲート電極５ｂ及びゲート線５をパターニングする。
【００４５】
次に、ゲート電極５ｂ及び透明絶縁性基板４上にゲート絶縁膜６となるシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、これらの積層膜等の絶縁膜をＣＶＤ法等により１００〜２００ｎｍ程度の膜厚で成膜する。次に、アモルファスシリコンをＣＶＤ法等により膜厚４００ｎｍ程度成膜し、所望の形状にパターニングして半導体層１５を形成する。そして、ソース電極８ｂ、ドレイン電極８ａとなるＡｌ、Ｍｏ、Ｃｒ等の金属からなる材料をスパッタ法等により１００〜４００ｎｍ程度の膜厚で成膜し、フォトリソグラフィ法により所望の電極形状にパターニングするとともに、ソース電極８ｂ、ドレイン電極８ａの間の不要なオーミックコンタクト層を除去してＴＦＴ１７のチャネル部を形成する。
【００４６】
更に、これらを覆うようにシリコン窒化膜等のパッシベーション膜９を１００〜２００ｎｍ程度の膜厚で堆積し、パターニングを行って画素電極１４とソース電極８ｂとを接続するためのコンタクトホール１９を形成する。なお、パッシベーション膜９としてはシリコン窒化膜などの無機材料の他、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂などの透明な樹脂材料を使用することもできる。
【００４７】
次に、図５（ｂ）に示すように、ＴＦＴ基板１にカラーフィルタ１０及びブラックマトリクス１１を形成する。まず、赤色顔料をアクリル系樹脂に分散させたネガ型光硬化性カラーレジストを、スピンコート法で基板上に塗布する。その際、膜厚が約１．６μｍ程度となるようにスピン回転数を調整する。次に、ホットプレートで８０℃／２分間プリベークを行い、露光した後、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド）０．０４％溶液で現像し、２３０℃／１時間焼成して、対応する部分に赤色カラーフィルタ１０を形成する。同様に、緑色、青色カラーフィルタ１０、ブラックマトリクス１１を形成する。
【００４８】
次に、図５（ｃ）に示すように、各色カラーフィルタ１０上に設けられたブラックマトリクス１１の表面を保護するための厚膜の第１のオーバーコート層１２を形成する。第１のオーバーコート層１２の形成は、例えば、粘度１５ｃｐ程度のアクリル系のポジ型感光性樹脂を回転数８００ｒｐｍ／１０ｓでスピンコート塗布する。その後、ＴＭＡＨ０．４％溶液で現像したのち、２２０℃／１時間焼成する。これにより、ブラックマトリクス１１上に１μｍ程度の厚さの第１のオーバーコート層１２が形成される。
【００４９】
続いて、図５（ｄ）に示すように、カラーフィルタ１０を保護するための薄膜の第２のオーバーコート層１３を形成する。第２のオーバーコート層１３の形成は、例えば、粘度５ｃｐ程度のアクリル系のポジ型感光性樹脂を回転数１０００ｒｐｍ／１０ｓ程度の条件でスピンコート塗布し、その後、ＴＭＡＨ０．４％溶液で現像することにより行う。その際、画素電極１４とソース電極８ｂとを接続するためのコンタクトホール１９を形成する。その後、更にポジ型感光性樹脂を透明にするために、ｇｈｉ線混合のＵＶ光を４〜８Ｊ程度の照度で全面露光することにより光架橋を行い、第２のオーバーコート層１３を透明化する。その後、２２０℃／１時間程度焼成する。これにより、カラーフィルタ１０上の第２のオーバーコート層１３の膜厚は０．５μｍ〜１．５μｍ程度となる。
【００５０】
なお、本実施例では、第１及び第２のオーバーコート層１２、１３を形成するに際し、粘度の異なるポジ型感光性樹脂を用い、更にスピン塗布の回転数を変えてその膜厚を変化させているが、粘度が等しい感光性樹脂を用い、スピン塗布の回転数のみを変えて膜厚を変化させることもできる。また、厚膜の第１のオーバーコート層１２を形成した後、薄膜の第２のオーバーコート層１３を形成しているが、その順序を逆にして、先に薄膜のオーバーコート層を形成した後、厚膜のオーバーコート層を形成しても良い。更に、パッシベーション膜９のコンタクトホールを形成した後、第２のオーバーコート層１３のコンタクトホールを形成したが、その順序を逆にして、第２のオーバーコート層１３のコンタクトホールを形成した後にパッシベーション膜９のコンタクトホールをパターニングすることも可能である。
【００５１】
そして、図５（ｅ）に示すように、スパッタ法等によりＩＴＯ等の透明導電膜を成膜してパターニングすることにより、画素電極１４を形成する。このとき、画素電極１４の膜厚は厚い程良好なカバレッジが得られるが、ＩＴＯの透明性を保つためには膜厚は４０〜１００ｎｍ程度が適当である。その後、通常の方法に従って、ＴＦＴ基板１とＩＴＯ等の対向電極１６を配置した対向基板２に配向膜を形成した後、両基板を重ね合わせ、液晶を注入してＣＦオンＴＦＴ構造の液晶表示装置が形成される。
【００５２】
このように、ＴＦＴ基板１にカラーフィルタ１０とブラックマトリクス１１とを形成するＣＦオンＴＦＴ構造の液晶表示装置では、カラーフィルタ１０及びブラックマトリクス１１による基板の段差は大きくなるが、本実施例では、ブラックマトリクス１１上には粘度の大きい厚膜の第１のオーバーコート層１２を設け、カラーフィルタ１０上には粘度の小さい薄膜の第２のオーバーコート層１３を形成することにより、ブラックマトリクス１１の表面を十分に被覆・保護すると共に、カラーフィルタ１０に入射する光の透過率の低下を抑制することができる。
【００５３】
具体的には、本実施例の方法で形成した液晶表示装置では、基板の透過率は４００〜４５０ｎｍの波長領域で９７％程度となり、従来のような平坦化膜２４を設ける構造に比べて、透過率の低下を大幅に改善することができた。なお、本実施例では、平坦性を犠牲にして、ブラックマトリクス１１上の第１のオーバーコート層１２を厚く形成しており、その上に形成される画素電極１４の凹凸に起因するディスクリネーションを防止するために、ブラックマトリクス１１と画素電極１４のオーバーラップ幅を、完全平坦化した場合（Ｗ＝１．５μｍ程度）に比べて２〜５μｍと大きくとっているために開口率は小さくなるが、透過率がそれ以上に向上しているため、実効的なパネルの透過率は平坦化構造の液晶表示装置よりも大きくなっている。
【００５４】
又、本実施例の構造では、データ線７上にも厚膜の第１のオーバーコート層１２が形成されているため、データ線７と画素電極１４との距離を大きくすることができ、これによりデータ線７と画素電極１４とのカップリング容量を低減することができ、表示品位の向上が可能となる。
【００５５】
なお、上記した実施例では、第１及び第２のオーバーコート層１２、１３は、アクリル系のポジ型感光性樹脂を用いてスピンコートにより形成する例について説明したが、第１及び第２のオーバーコート層１２、１３は上記材料に限定されるものではなく、第１のオーバーコート層１２としては粘度の調整が容易でパターン形成が可能な材料、第２のオーバーコート層１３としては、更に透過率が高い材料であれば良く、両者を異なる材料を用いて形成しても良い。また、形成する方法は塗布法に限られず、例えば、絶縁膜等をスパッタ法やＣＶＤ法等で形成しても良い。
【００５６】
また、本発明は、画素電極とスイッチング素子との接続が、カラーフィルタ１０またはブラックマトリクス１１を貫通して行われるような液晶表示装置であれば適用することが可能であり、スイッチング素子としては特に制限はなく、ＴＦＴに限らずＭＩＭ、ダイオードなどであってもよく、また、ＴＦＴも逆スタガー・順スタガー型のａ−ＳｉＴＦＴ１７であっても、プレーナー型のｐ−ＳｉＴＦＴ１７であってもよい。
【００５７】
また、本発明の液晶表示装置では、上記以外の構成については特に制限はなく、例えば、液晶材料、配向膜、対向基板、対向電極などはアクティブマトリックス型液晶表示装置に一般に用いられるように構成すればよい。また、各色カラーフィルタはフルカラー表示のために一般的には赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色で構成するが、適宜変更することも可能である。
【００５８】
［実施例２］ 次に、本発明の第２の実施例に係るアクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法について、図６を参照して説明する。図６は、本実施例の液晶表示装置の構造を示す断面図である。なお、本実施例は、データ線上のブラックマトリクスをカラーフィルタに埋め込むことによりデータ線上の段差を減らし、データ線上の第１のオーバーコート層を省略することを特徴とするものであり、他の部分の構造、製造方法に関しては前記した第１の実施例と同様である。
【００５９】
図６に示すように、本実施例のＴＦＴ基板１は、透明絶縁性基板４上にゲート電極５ｂ、ゲート絶縁膜６が形成され、その上にゲート電極５ｂと重畳するように半導体層１５が設けられ、その半導体層１５にソース電極８ｂ、ドレイン電極８ａがオーミックコンタクト層を介して接続されてＴＦＴ１７が形成されている。そして、このＴＦＴ１７を覆うようにパッシベーション膜９が設けられている。
【００６０】
そして、パッシベーション膜９上にはＲ、Ｇ、Ｂの各色層のカラーフィルタ１０が画素表示領域に対応した部分に設けられ、その上に、遮光のためのブラックマトリクス１１が設けられている。ここで前記した第１の実施例では、密着性を向上させるためにブラックマトリクス１１はカラーフィルタ１０上に設けたが、本実施例では、隣り合うカラーフィルタ１０の間に隙間を設け、その隙間にブラックマトリクス１１を埋設している。
【００６１】
そして、ブラックマトリクス１１を被覆するための厚膜の第１のオーバーコート層１２が設けられるが、本実施例では、データ線７上のブラックマトリクス１１はカラーフィルタ１０に埋め込まれているために段差は小さくなり、この部分に第１のオーバーコート層１２を設ける必要がなくなる。そして、カラーフィルタ１０およびブラックマトリクス１１上に設けられた第１のオーバーコート層１２を覆うように薄膜の第２のオーバーコート層１３が設けられている。
【００６２】
このように、本実施例の液晶表示装置では、ＴＦＴ１７上には大きな段差（０．５〜１μｍ）が形成されているために、カラーフィルタ１０上に形成されたブラックマトリクス１１を保護するための第１のオーバーコート層１２が必要であるが、データ線７上は段差が０．１〜０．２μｍと小さいので、第１のオーバーコート層１２を省略することができる。
【００６３】
そして、データ線７上の第１のオーバーコート層１２をなくすことにより、データ線７近傍における段差が小さくなり、画素電極１４の競り上がりを防ぎ、ディスクリネーション等を抑制することができる。これにより、ブラックマトリクス１１と画素電極１４とのオーバーラップ幅を小さくすることができ、前記した第１の実施例よりも開口率を大きくすることができる。また、カラーフィルタ１０端部のブラックマトリクス１１による段差が小さくなるために、第２のオーバーコート層１３を形成する際に液溜まりが生じにくく、カラーフィルタ１０上の第２のオーバーコート層１３を薄く、かつ均一に形成することができる。
【００６４】
［実施例３］ 次に、本発明の第３の実施例に係るアクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法について、図７を参照して説明する。図７は、本実施例の液晶表示装置の構造を示す断面図である。なお、本実施例では、データ線上のブラックマトリクスをカラーフィルタの間に配置するところは第２の実施例と同じであるが、カラーフィルタを第１のオーバーコート層の後に形成し、かつ、第１のオーバーコート層の開口部で形状が規定され、その上に第２のオーバーコート層を形成することを特徴とするものである。従って、ブラックマトリクス、カラーフィルタ、第１のオーバーコート層、第２のオーバーコート層以外の構造、製造方法に関しては前記した第１の実施例と同様である。
【００６５】
図７に示すように、本実施例のＴＦＴ基板１は、透明絶縁性基板４上にゲート電極５ｂ、ゲート絶縁膜６が形成され、その上にゲート電極５ｂと重畳するように半導体層１５が設けられ、その半導体層１５にソース電極８ｂ、ドレイン電極８ａがオーミックコンタクト層を介して接続されてＴＦＴ１７が形成されている。そして、このＴＦＴ１７を覆うようにパッシベーション膜９が設けられている。この半導体層１５上には、ブラックマトリクス１１が設けられ、さらにその上には第１のオーバーコート層１２が形成されている。またコンタクトホール１９を介して画素電極１４の下には、第２のオーバーコート層１３、カラーフィルタ１０が形成されている。そして、本実施例に従って、カラーフィルタ１０は先に形成されている第１のオーバーコート層１２の内側に形成されている。この実施例で第１及び第２のオーバーコート層には、感光性アクリル系樹脂を用いている。
【００６６】
かかる構成おいてドレイン電極８ａ（信号電極を兼ねる）上のオーバーコート層の膜厚合計は第１のオーバーコート層１２と第２のオーバーコート層１３の和となり、ドレイン電極８ａと画素電極１４が互いに影響を起こさない距離を保つことが出来ると同時に、コンタクトホール１９部分のオーバーコート層は第２のオーバーコート層だけで構成されることになり、動作時のバックライトの光を減衰することなく充分な透過率を保つことが出来る。
【００６７】
本実施例のＣＦｏｎＴＦＴ基板は、以下に示す方法によって形成される。ＴＦＴ基板１側の透明絶縁性基板４上に、ゲート電極５ｂ、ゲート絶縁膜６、半導体層１５、ドレイン電極８ａ、パッシベーション膜９、ブラックマトリクス１１をフォトレジスト法などを用いて順次成膜パターンニングする。その後、第１のオーバーコート層１２をフォトレジスト法を用いて形成する。この時用いられるオーバーコート材料は、アクリル系樹脂などで構成される光感光型のレジストを用いる。この光感光型のレジストをスピンコート法あるいは印刷法など均一な膜厚が得られる塗布方法で塗布し露光、現像、焼成を行い第１のオーバーコート層１２を形成する。このとき、第１のオーバーコート層１２には、次の工程で形成されるカラーフィルタを収容する開口２９が形成される。また、第１のオーバーコート層１２はドレイン電極８ａ上或いはドレイン電極８ａ上及びゲート電極５ｂ上に用いられる膜の誘電率に応じて数μｍの厚さに形成される。
【００６８】
次に、光感光性のアクリル系樹脂レジストであるカラーフィルタ１０を印刷法を用いて基板表面に塗布し、露光、現像、焼成を続けて行って前の工程で形成した第１のオーバーコート層１２の開口２９にカラーフィルタ１０を埋め込む。このとき、コンタクトホール１９の形成される領域にはカラーフィルタが形成されないようにカラーフィルタを開口しておく。
【００６９】
この後、第１のオーバーコート層１２と同様にアクリル系樹脂などで構成される光感光型のレジストで平坦化膜としての第２のオーバーコート層１３をスピンコート法、印刷法など均一な膜厚が得られる塗布方法で塗布し露光、現像、焼成を行い形成する。その後、コンタクトホール１９を形成するために、開口２９に露出するパッシベーション膜９をフォトレジスト法を用いて除去してパッシベーション膜９にコンタクトホール１９を形成する。
【００７０】
次に、第２のオーバーコート層１３上にコンタクトホール１９を通してソース電極８ｂと接続される画素電極１４を形成する。
【００７１】
以上のようにして、ドレイン電極８ａ（信号電極）、データ線７等の配線上とカラーフィルタ１０上でオーバーコート層の膜厚を異ならせたＣＦｏｎＴＦＴ基板を得ることが出来る。
【００７２】
［実施例４］ 次に、本発明の第４の実施例に係るアクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法について、図８を参照して説明する。図８は、本実施例の液晶表示装置の構造を示す断面図である。なお、本実施例は、第２の実施例とはブラックマトリクスと第１のオーバーコート層の上下関係のみが異なる。従って、ブラックマトリクス、第１のオーバーコート層以外の構造、製造方法に関しては第３の実施例と同様である。
【００７３】
ＴＦＴ基板１側の透明絶縁性基板４上に、ゲート電極５ｂ、ゲート絶縁膜６、半導体層１５、ドレイン電極８ａ、パッシベーション膜９が形成されている。この半導体層１５上には、第１のオーバーコート層１２が設けられ、さらにその上にブラックマトリクス１１が形成されている。またコンタクトホール１９を介して画素電極１４の下には、第２のオーバーコート層１３、カラーフィルタ１０が形成されている。そして、本実施例においても第３の実施例と同様に、カラーフィルタ１０は先に形成されている第１のオーバーコート層１２の内側に形成されている。この実施例では、第１及び第２のオーバーコート層は、感光性アクリル系樹脂を用いている。
【００７４】
本実施例においても、第３の実施例と同様に、ドレイン電極８ａと画素電極１４が互いに影響を起こさない距離を保つことが出来ると同時に、コンタクトホール１９部分のオーバーコート層は第２のオーバーコート層だけで構成されることになり、動作時のバックライトの光を減衰することなく充分な透過率を保つことが出来る。
【００７５】
本実施例のＣＦｏｎＴＦＴ基板は、以下に示す方法によって形成される。ＴＦＴ基板１側の透明絶縁性基板４上に、ゲート電極５ｂ、ゲート絶縁膜６、半導体層１５、ドレイン電極８ａ、パッシベーション膜９、第１のオーバーコート層１２をフをフォトレジスト法などを用いて順次成膜パターンニングする。この時用いられるオーバーコート層は、アクリル系樹脂などで構成される光感光型のレジストで、スピンコート法あるいは印刷法など均一な膜厚が得られる塗布方法で塗布し露光、現像、焼成を行い形成する。
【００７６】
その後、ブラックマトリクス１１をフォトレジスト法で形成する。ここで、第１のオーバーコート層１２及びブラックマトリクス１１は、概略同一平面パターンを有するように形成され、カラーフィルタ１０を収容するための開口２９が形成されている。
【００７７】
次に、光感光性のアクリル系樹脂レジストであるカラーフィルタ１０を第１のオーバーコート層１２と同様に印刷法を用いて塗布し、露光、現像、焼成を行って、第１のオーバーコート層１２及びブラックマトリクス１１の開口２９に埋め込む。このとき、カラーフィルタ１０は、コンタクトホール１９部分には形成されず、開口２９が形成されている。
【００７８】
続いて、第１のオーバーコート層１２と同様にアクリル系樹脂などで構成される光感光型のレジストで平坦化膜としての第２のオーバーコート層１３をやはりスピンコート法あるいは印刷法など均一な膜厚が得られる塗布方法で塗布し、露光、現像、焼成を行い形成する。このとき、カラーフィルタ１０と同様に、第２のオーバーコート層１３はコンタクトホール１９部分には形成されず、開口２９が形成されている。
【００７９】
その後、開口２９に露出するパッシベーション膜９をフォトレジスト法を用いて除去してパッシベーション膜９にコンタクトホール１９を形成する。その上にＴＦＴ側透明画素電極３０１を形成して配線上と開口部上でオーバーコートの膜厚を異ならせたＣＦｏｎＴＦＴ基板を得ることが出来る。
【００８０】
次に、第２のオーバーコート層１３上にコンタクトホール１９を通してソース電極８ｂと接続される画素電極１４を形成する。
【００８１】
以上のようにして、ドレイン電極８ａ（信号電極）、データ線７等の配線上とカラーフィルタ１０上でオーバーコート層の膜厚を異ならせたＣＦｏｎＴＦＴ基板を得ることが出来る。
【００８２】
［実施例５］ 次に、本発明の第５の実施例に係るアクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法について、図９及び図１０を参照して説明する。図９は、本実施例の液晶表示装置の構造を示す断面図であり、図１０は基板間のギャップ形成のためのスペーサの位置を示す平面図である。なお、本実施例は、第１のオーバーコート層形成による生じる段差を積極的に利用して、ギャップ調整のためのスペーサの形成を容易にすることを特徴とするものである。
【００８３】
一般に、液晶表示装置では、ＴＦＴ基板１と対向基板２との間隔を保持するために、通常は球状のスペーサボールを散布して、３〜４．５μｍ程度のギャップを形成している。しかし、スペーサボールを用いてギャップを形成すると、スペーサボールが配置される部分の基板の凹凸により、ギャップの均一性が損なわれてしまう。従って、ギャップの制御を正確に行うためには、基板の所定の場所にパターニングにより柱状スペーサ２０を形成する必要がある。
【００８４】
この場合、ネガ型の感光性アクリル樹脂等を３〜５μｍ程度の厚さで塗布し、露光、現像、焼成することにより柱状スペーサ２０を形成するが、塗布する樹脂の膜厚が厚く、特にｇｈｉ混合線やｇｈ混合線で露光した場合に、各ｇ線やｉ線の波長で焦点深度が異なるために正確にパターン形成ができず、柱状スペーサ２０の形状が不均一になり、場合によっては柱状スペーサ２０が崩れてしまい、ギャップが不均一になるという不良が生じる場合がある。
【００８５】
しかしながら、本実施例の液晶表示装置では、前記した第１及び第２の実施例に示したように、ＴＦＴ部分には厚膜の第１のオーバーコート層１２が形成されているために、従来に比べてＴＦＴ部分は高くなっており、この第１のオーバーコート層１２によってＴＦＴ上に生じる段差を積極的に利用して、その上に形成する柱状スペーサ２０の高さを低くすることができる。
【００８６】
具体的には、第１のオーバーコート層１２によってＴＦＴ上に１〜２μｍの段差が形成されているため、柱状スペーサ２０形成のための樹脂の膜厚は１〜２μｍ程度に抑えることができる。従って、ｇｈｉ混合線やｇｈ混合線で露光した場合であっても正確な形状にパターニングすることができ、柱状スペーサ２０が崩れてしまうという不具合を防止することができる。なお、本実施例の構造の場合、第１のオーバーコート層１２の段差を利用するため、柱状スペーサ２０は図１０に示す位置に形成されることになる。
【００８７】
［実施例６］ 次に、本発明の第６の実施例に係るアクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法について、図１１及び図１２を参照して説明する。図１１及び図１２は、本実施例の液晶表示装置の構造を示す断面図である。なお、本実施例は、ＴＦＴ上の第１のオーバーコート層を更に高く形成して、ギャップ形成のためのスペーサとして用いることにより柱状スペーサ形成工程をなくし、工程の簡略化を図るものである。
【００８８】
本実施例の液晶表示装置は、前記した第２の実施例と同様に、透明絶縁性基板４上にＴＦＴ１７等のスイッチング素子を形成し、その上にパッシベーション膜９を介してカラーフィルタ１０とブラックマトリクス１１を形成する。そして、ＴＦＴ１７部のブラックマトリクス１１を覆うように第１のオーバーコート層１２を形成するが、その際、第１のオーバーコート層１２として用いるアクリル系のポジ型感光性樹脂等の粘度を高くする。
【００８９】
そして、その上に第２のオーバーコート層１３を形成し、図１１に示すように、第１及び第２のオーバーコート層１２、１３を足し合わせた厚さが、所望のギャップと略等しくなるように第１のオーバーコート層１２の厚さを調整し、対向基板２を貼り合わせる際に、第２のオーバーコート層１３を対向基板２に当接させることにより、柱状スペーサ２０を別途形成しなくても、ギャップを正確に制御することができる。
【００９０】
また、第１のオーバーコート層１２のパターン形成をより確実に行うためには、第１のオーバーコート層１２の膜厚があまり厚くならないようにする必要がある。そこで、図１２に示すように、ブラックマトリクス１１の下層にカラーフィルタ１０を２〜３層重ねて膜厚をかせぐことにより、第１のオーバーコート層１２の膜厚を小さくすることも可能である。なお、この場合には第１のオーバーコート層１２がカラーフィルタ１０の側面を覆うように形成し、カラーフィルタ１０を保護することが好ましい。
【００９１】
［参考例］ 次に、本発明に関連する参考例に係るアクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法について、図１３乃至図１５を参照して説明する。図１３は、本参考例の液晶表示装置の構造を示す断面図であり、図１４及び図１５は、その製造方法を示す工程断面図である。なお、本参考例は、前記した第１の実施例の構造を少ない工程で実現するための製造方法を提供するものである。 すなわち、前記した実施例では、第１のオーバーコート層１２と第２のオーバーコート層１３とを別個に形成するため、樹脂の塗布、露光、現像等の処理が各々２回必要であるが、工程の削減を図るために、以下のような製法により第１及び第２のオーバーコート層１２、１３を一体形成することも可能である。以下にその方法について説明する。
【００９２】
まず、前記した第１の実施例と同様に、透明絶縁性基板４上にＴＦＴ１７等のスイッチング素子を形成し、その上にパッシベーション膜９を介してカラーフィルタ１０とブラックマトリクス１１を形成する（図１４（ａ）、（ｂ）参照）。次に、オーバーコート層２５を形成するが、本参考例では、１種類のオーバーコート層で厚膜の部分と薄膜の部分を形成するため、例えば、粘度１５ｃｐ程度のアクリル系のポジ型感光性樹脂を回転数８００ｒｐｍ／１０ｓ程度で塗布し、膜厚を１μｍ程度としている。
【００９３】
そして、本参考例では、工程簡略化のために、図１４（ｃ）に示すような方法を用いて露光を行う。すなわち、ブラックマトリクス１１上の厚膜のオーバーコート層２５ａを残す部分には完全に光を遮光する遮光膜２２を有し、カラーフィルタ１０上などの薄膜のオーバーコート層２５ｂを残す部分には半透過膜２３を有し、コンタクトホール１９上等のオーバーコート層２５を完全に除去する部分は透明に形成されたグレートーンマスク２１を用いることにより、各部に照射されるＵＶ光の程度を制御し、現像液に対する各部のエッチングレートを変えることで、各部の所定の膜厚を得ることが可能となる。
【００９４】
具体的には、半透過膜２３として５０％透過させることで、ＵＶ光を１Ｊ照射した後、ＴＭＡＨ０．４％溶液で現像し、２２０℃／１時間焼成すると、ブラックマトリクス１１上でオーバーコート層２５ａが１μｍ程度、カラーフィルタ１０上でオーバーコート層２５ｂが０．５μｍ程度となる（図１５（ｄ）参照）。その後、図１５（ｅ）に示すように、ＩＴＯ等からなる画素電極を形成し、ＴＦＴ基板１が形成される。
【００９５】
このように、グレートーンマスク２１を用いて露光量を場所によって変えることによって、１回の露光、現像で、ＴＦＴ１７部分で厚く、画素領域のカラーフィルタ１０上で薄くオーバーコート層を形成することができるため、前記各実施例に比べて工程の削減を図ることができる。なお、本参考例では、グレートーンマスク２１を用いて露光量を調整したが、露光を２回にして、それぞれの露光量を変えることにより、膜厚の異なるオーバーコート層を１回のオーバーコート樹脂の塗布・現像により形成することも可能である。
【００９６】
［実施例７］ 次に、本発明の第７の実施例に係るアクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法について、図１６を参照して説明する。図１６は、本実施例の液晶表示装置の構造を示す断面図である。なお、本実施例は、第２のオーバーコート層１３を省略し、第１のオーバーコート層１２のみを用いることを特徴とするものである。
【００９７】
すなわち、前記した第１の実施例と同様に、透明絶縁性基板４上にＴＦＴ１７を形成し、その上にパッシベーション膜９を介してカラーフィルタ１０及びブラックマトリクス１１を形成する。そして、第１のオーバーコート層１２を塗布し、露光・現像によってＴＦＴ１７部とデータ線７部のブラックマトリクス１１上に第１のオーバーコート層１２を形成するが、その際、露光量及び現像時間を調整することにより、カラーフィルタ１０の平坦部の第１のオーバーコート層１２を除去し、段差部（ＴＦＴ１７部、データ線７部、カラーフィルタ１０のエッジ部）に第１のオーバーコート層１２が残るようにする。
【００９８】
このような方法により、ブラックマトリクス１１を保護すると共に、カラーフィルタ１０のエッジ部にも第１のオーバーコート層１２を残すことができるため、第２のオーバーコート層１３が無くても画素電極１４の断線を防止することができる。なお、この場合は、カラーフィルタ１０がＩＴＯを介して液晶層３にさらされ、カラーフィルタ１０の不純物が液晶に混入しやすくなるため、配向膜の厚膜化等により不純物が液晶層３にでなくなるような工夫が必要となる。
【００９９】
なお、上記各実施例では、ＣＦオンＴＦＴ構造の液晶表示装置について記載したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、カラーフィルタ１０及びブラックマトリクス１１が対向基板側に形成される構造にも適用することはできる。
【０１００】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法によれば、ブラックマトリクス上には粘度の大きい厚膜の第１のオーバーコート層を設け、カラーフィルタ上には粘度の小さい薄膜の第２のオーバーコート層を形成することにより、ブラックマトリクスの表面を十分に被覆・保護すると共に、カラーフィルタ上の第２のオーバーコート層による透過率の減少を抑制することができる。
【０１０１】
又、データ線上にも厚膜の第１のオーバーコート層を形成することにより、データ線と画素電極との距離を大きくすることができ、これによりデータ線と画素電極とのカップリング容量を低減することができ、表示品位の向上を図ることができる。
【０１０２】
更に、ＴＦＴ部分に形成する厚膜の第１のオーバーコート層を積極的に利用することにより、その上に形成する柱状スペーサの高さを低くしたり、オーバーコート層自体をスペーサとして用いることができる。これにより、柱状スペーサが崩れてしまうという不具合を防止することができ、また、柱状スペーサを別途形成する工程を省略することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の液晶表示装置の構成を示す回路図である。
【図２】本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置の構成を示す平面図である。
【図３】本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置の構成を示す平面図である。
【図４】本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置の構造を示す断面図である。
【図５】本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板１の製造方法を示す工程断面図である。
【図６】本発明の第２の実施例に係る液晶表示装置の構造を示す断面図である。
【図７】本発明の第３の実施例に係る液晶表示装置の構造を示す断面図である。
【図８】本発明の第４の実施例に係る液晶表示装置の構造を示す断面図である。
【図９】本発明の第５の実施例に係る液晶表示装置の構造を示す断面図である。
【図１０】本発明の第５の実施例に係る液晶表示装置の構成を示す平面図である。
【図１１】本発明の第６の実施例に係る液晶表示装置の構造を示す断面図である。
【図１２】本発明の第６の実施例に係る液晶表示装置の構造を示す断面図である。
【図１３】 本発明に関連する参考例に係る液晶表示装置の構造を示す断面図である。
【図１４】 本発明に関連する参考例に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板１の製造方法を示す工程断面図である。
【図１５】 本発明に関連する参考例に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板１の製造方法を示す工程断面図である。
【図１６】 本発明の第７の実施例に係る液晶表示装置の構造を示す断面図である。
【図１７】従来の液晶表示装置の構造を示す断面図である。
【符号の説明】
１ ＴＦＴ基板
２ 対向基板
３ 液晶層
４ 透明絶縁性基板
５ ゲート線
５ａ ゲート端子
５ｂ ゲート電極
６ ゲート絶縁膜
７ データ線
７ａ データ端子
８ａ ドレイン電極
８ｂ ソース電極
９ パッシベーション膜
１０ カラーフィルタ
１１ ブラックマトリクス
１２ 第１のオーバーコート層
１３ 第２のオーバーコート層
１４ 画素電極
１５ 半導体層
１６ 対向電極
１７ ＴＦＴ
１８ 画素容量
１９ コンタクトホール
２０ 柱状スペーサ
２１ グレートーンマスク
２２ 遮光膜
２３ 半透過膜
２４ 平坦化膜
２５ オーバーコート層
２５ａ 厚膜のオーバーコート層
２５ｂ 薄膜のオーバーコート層
２９ 開口

Claims (19)

1. 対向配置された一対の基板間に液晶が狭持され、一側の基板に、互いに交差する複数のゲート線及びデータ線と、前記ゲート線及び前記データ線の交差領域近傍に設けられる薄膜トランジスタと、前記ゲート線と前記データ線とで囲まれる各画素領域に配設されるカラーフィルタと、前記薄膜トランジスタを遮光するように前記薄膜トランジスタ上に設けた樹脂膜からなるブラックマトリクスと、前記薄膜トランジスタ及び前記カラーフィルタ及び前記ブラックマトリクスを含む前記一側の基板表面を覆うオーバーコート層とを有するアクティブマトリクス型液晶表示装置であって、
   前記オーバーコート層が、第１のオーバーコート層とこの第１のオーバーコート層の層厚より薄い層厚をもつ第２のオーバーコート層とからなり、前記第１のオーバーコート層は前記ブラックマトリクスを覆っており、前記第２のオーバーコート層が、前記カラーフィルタ及び前記第１のオーバーコート層を含む前記一側の基板表面上を覆っていることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。
2. 対向配置された一対の基板間に液晶が狭持され、一側の基板に、互いに交差する複数のゲート線及びデータ線と、前記ゲート線及び前記データ線の交差領域近傍に設けられる薄膜トランジスタと、前記ゲート線と前記データ線とで囲まれる各画素領域に配設されるカラーフィルタと、前記薄膜トランジスタを遮光するように前記薄膜トランジスタ上に設けた樹脂膜からなるブラックマトリクスと、前記薄膜トランジスタ及び前記カラーフィルタ及び前記ブラックマトリクスを含む前記一側の基板表面を覆うオーバーコート層とを有するアクティブマトリクス型液晶表示装置であって、
   前記オーバーコート層が、第１のオーバーコート層とこの第１のオーバーコート層の層厚より薄い層厚をもつ第２のオーバーコート層とを有し、前記第１のオーバーコート層は前記ブラックマトリクスを覆っており、前記カラーフィルタは、前記第１のオーバーコート層の間に形成され、前記第２のオーバーコート層は、前記カラーフィルタ及び前記第１のオーバーコート層を含む前記一側の基板表面を覆う形に形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。
3. 対向配置された一対の基板間に液晶が狭持され、一側の基板に、互いに交差する複数のゲート線及びデータ線と、前記ゲート線及び前記データ線の交差領域近傍に設けられる薄膜トランジスタと、前記ゲート線と前記データ線とで囲まれる各画素領域に配設されるカラーフィルタと、前記薄膜トランジスタを遮光するように前記薄膜トランジスタ上に設けた樹脂膜からなるブラックマトリクスと、前記薄膜トランジスタ及び前記カラーフィルタ及び前記ブラックマトリクスを含む前記一側の基板表面を覆うオーバーコート層とを有するアクティブマトリクス型液晶表示装置であって、
   前記オーバーコート層が、第１のオーバーコート層とこの第１のオーバーコート層の層厚より薄い層厚をもつ第２のオーバーコート層とを有し、前記第１のオーバーコート層は前記薄膜トランジスタ上で前記ブラックマトリクスの下に形成され、前記カラーフィルタは、前記第１のオーバーコート層の間に形成され、前記第２のオーバーコート層は、前記カラーフィルタ及び前記ブラックマトリクスを含む前記一側の基板表面を覆う形に形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。
4. データ線上に樹脂膜からなるブラックマトリクスが形成された請求項１，２または３記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
5. データ線上に樹脂膜からなるブラックマトリクスが形成された請求項１または２記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記データ線上のブラックマトリクスは、第１のオーバーコート層および第２のオーバーコート層で覆われたアクティブマトリクス型液晶表示装置。
6. データ線上に樹脂膜からなるブラックマトリクスが形成された請求項１記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記データ線上のブラックマトリクスは、カラーフィルタの間に埋込んで形成され、この埋込んだブラックマトリクス上は第２のオーバーコート層のみで覆われたアクティブマトリクス型液晶表示装置。
7. データ線上に第１のオーバーコート層が形成され、この第１のオーバーコート層上にブラックマトリクスが形成された請求項３記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
8. 前記薄膜トランジスタと前記オーバーコート層とを含んで形成される凸部上にスペーサが形成され、前記凸部と前記スペーサとにより対向する基板間のギャップが規定される請求項１乃至７のうちの１項に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
9. 前記薄膜トランジスタと前記オーバーコート層とを含んで形成される凸部が対向する基板に当接するように、前記オーバーコート層の膜厚が設定され、前記凸部により対向する基板間のギャップが規定される請求項１乃至７のうちの１項に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
10. 対向配置された一対の基板間に液晶が狭持され、一側の基板に、互いに交差する複数のゲート線及びデータ線と、前記ゲート線及び前記データ線の交差領域近傍に設けられる薄膜トランジスタと、前記ゲート線と前記データ線とで囲まれる各画素領域に配設されるカラーフィルタと、前記薄膜トランジスタおよび前記データ線を遮光するように前記薄膜トランジスタ上および前記データ線上にそれぞれ設けた樹脂膜からなるブラックマトリクスと、前記薄膜トランジスタ及び前記ブラックマトリクスを含む前記一側の基板表面を覆うオーバーコート層とを有するアクティブマトリクス型液晶表示装置であって、
    前記オーバーコート層は、前記カラーフィルタのエッジ部分を覆うと共に、前記ブラックマトリクスを、そのブラックマトリクスのエッジ部分を含んで覆うように形成され、前記ブラックマトリクスを覆った前記オーバーコート層のある領域を除いた前記カラーフィルタ上（但し、前記カラーフィルタのエッジ部分を除く）には前記オーバーコート層が除去されていることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。
11. 第１の基板に互いに交差する複数のゲート線及びデータ線と共に、前記ゲート線と前記データ線とで囲まれる各画素領域に薄膜トランジスタを形成する工程と、パッシベーション膜を介して、前記ゲート線と前記データ線とで囲まれる各画素領域にカラーフィルタを配設する工程と、前記薄膜トランジスタ上に樹脂膜からなるブラックマトリクスを配設する工程と、前記カラーフィルタ及びブラックマトリクスを含む前記第１の基板表面を覆うようにオーバーコート層を形成する工程と、前記第１の基板に第２の基板を対向配置し、前記第１及び第２の基板間に液晶を狭持する工程とを有するアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法であって、
    前記オーバーコート層を形成する工程が、第１のオーバーコート層及びこの第１のオーバーコート層の層厚より薄い層厚をもつ第２のオーバーコート層を順次形成することにより行われ、前記第１のオーバーコート層は前記ブラックマトリクスを覆うように形成し、前記第２のオーバーコート層は、前記カラーフィルタ及び前記第１のオーバーコート層を含む前記一側の基板表面上を覆って形成することを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
12. 第１の基板に互いに交差する複数のゲート線及びデータ線と共に、前記ゲート線と前記データ線とで囲まれる各画素領域に薄膜トランジスタを形成する工程と、パッシベーション膜を介して、前記ゲート線と前記データ線とで囲まれる各画素領域にそれぞれカラーフィルタを配設する工程と、前記薄膜トランジスタ上に樹脂膜からなるブラックマトリクスを配設する工程と、前記カラーフィルタ及びブラックマトリクスを含む前記第１の基板表面を覆うようにオーバーコート層を形成する工程と、前記第１の基板に第２の基板を対向配置し、前記第１及び第２の基板間に液晶を狭持する工程とを有するアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法であって、
    前記オーバーコート層を形成する工程が、第１のオーバーコート層を形成する工程とこの第１のオーバーコート層の層厚より薄い層厚をもつ第２のオーバーコート層を形成する工程とを含み、前記第１のオーバーコート層を形成する工程は、前記薄膜トランジスタを形成する工程と、前記カラーフィルタを形成する工程との間にあって、前記カラーフィルタの形成領域を除く前記第１の基板表面に前記ブラックマトリクスを覆って第１のオーバーコート層を形成することにより行われ、前記カラーフィルタを形成する工程は、前記第１のオーバーコート層の間に前記カラーフィルタを形成することにより行われ、前記第２のオーバーコート層を形成する工程は、前記カラーフィルタを形成する工程の後に、前記カラーフィルタ及び前記第１のオーバーコート層を含む前記第１の基板表面を第２のオーバーコート層で覆うことにより行われることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
13. 第１の基板に互いに交差する複数のゲート線及びデータ線と共に、前記ゲート線と前記データ線とで囲まれる各画素領域に薄膜トランジスタを形成する工程と、パッシベーション膜を介して、前記ゲート線と前記データ線とで囲まれる各画素領域にそれぞれカラーフィルタを配設する工程と、前記薄膜トランジスタ上に樹脂膜からなるブラックマトリクスを配設する工程と、前記カラーフィルタ及びブラックマトリクスを含む前記第１の基板表面を覆うようにオーバーコート層を形成する工程と、前記第１の基板に第２の基板を対向配置し、前記第１及び第２の基板間に液晶を狭持する工程とを有するアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法であって、
    前記オーバーコート層を形成する工程が、第１のオーバーコート層を形成する工程とこの第１のオーバーコート層の層厚より薄い層厚をもつ第２のオーバーコート層を形成する工程とを含み、前記第１のオーバーコート層を形成する工程は、前記薄膜トランジスタを形成する工程と、前記カラーフィルタを形成する工程との間にあって、前記カラーフィルタの形成領域を除く前記第１の基板表面に前記第１のオーバーコート層を覆って前記ブラックマトリクスを形成することにより行われ、前記カラーフィルタを形成する工程は、前記第１のオーバーコート層の間に前記カラーフィルタを形成することにより行われ、前記第２のオーバーコート層を形成する工程は、前記カラーフィルタを形成する工程の後に、前記カラーフィルタ及び前記ブラックマトリクスを含む前記第１の基板表面を第２のオーバーコート層で覆うことにより行われることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
14. データ線上に樹脂膜からなるブラックマトリクスを形成する請求項１１，１２または１３記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
15. データ線上に樹脂膜からなるブラックマトリクスを形成する請求項１１または１２記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法において、前記データ線上のブラックマトリクスは、第１のオーバーコート層および第２のオーバーコート層で覆うように形成されるアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
16. データ線上に樹脂膜からなるブラックマトリクスを形成する請求項１１記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法において、前記データ線上のブラックマトリクスは、カラーフィルタの間に埋込んで形成され、この埋込んだブラックマトリクス上は第１のオーバーコート層が除去され第２のオーバーコート層で覆われて形成されるアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
17. データ線上に第１のオーバーコート層が形成され、この第１のオーバーコート層上にブラックマトリクスが形成される請求項１３記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
18. 薄膜トランジスタとオーバーコート層とを含む凸部を形成後、前記凸部上に、第１及び第２の基板間のギャップを規定するスペーサを形成する請求項１１乃至１７のうちの１項に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
19. 第１の基板に互いに交差する複数のゲート線及びデータ線と共に、前記ゲート線と前記データ線との交差領域近傍に薄膜トランジスタを形成する工程と、パッシベーション膜を介して、前記ゲート線と前記データ線とで囲まれる各画素領域にそれぞれ樹脂膜からなるカラーフィルタを配設する工程と、前記薄膜トランジスタおよび前記データ線を遮光するように前記薄膜トランジスタ上および前記データ線上に樹脂膜からなるブラックマトリクスをそれぞれ配設する工程と、前記ブラックマトリクスを含む前記第１の基板表面を覆うようにオーバーコート層を形成する工程と、前記オーバーコート層上に画素電極を形成する工程と、前記第１の基板に第２の基板を対向配置し、前記第１及び第２の基板間に液晶を狭持する工程と、を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法であって、
    前記オーバーコート層を形成する工程が、前記オーバーコート層が、前記カラーフィルタのエッジ部分を覆うと共に、前記ブラックマトリクスを、そのブラックマトリクスのエッジ部分を含んで覆うように形成され、前記ブラックマトリクスを覆った前記オーバーコート層のある領域を除いた前記カラーフィルタ上（但し、前記カラーフィルタのエッジ部分を除く）には前記オーバーコート層が除去されて形成されることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。

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