JPH08292450A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH08292450A JPH08292450A JP12320495A JP12320495A JPH08292450A JP H08292450 A JPH08292450 A JP H08292450A JP 12320495 A JP12320495 A JP 12320495A JP 12320495 A JP12320495 A JP 12320495A JP H08292450 A JPH08292450 A JP H08292450A
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- light
- shielding layer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 液晶表示装置において、可視光領域全域に亘
って効果的にＴＦＴへの光をしゃ光すること。 【構成】 画素電極基板１上にゲート電極Ｇを形成し、
その上に絶縁層３を形成して動作半導体層Ａを形成す
る。さらに、動作半導体層Ａ上にドレイン電極Ｄ及びソ
ース電極Ｓを形成する。また、その上に絶縁層３を形成
し、その上に無機しゃ光層４を形成し、さらにその上
に、有機しゃ光層５を形成する。そして、有機しゃ光層
５を絶縁層６で覆う。
って効果的にＴＦＴへの光をしゃ光すること。 【構成】 画素電極基板１上にゲート電極Ｇを形成し、
その上に絶縁層３を形成して動作半導体層Ａを形成す
る。さらに、動作半導体層Ａ上にドレイン電極Ｄ及びソ
ース電極Ｓを形成する。また、その上に絶縁層３を形成
し、その上に無機しゃ光層４を形成し、さらにその上
に、有機しゃ光層５を形成する。そして、有機しゃ光層
５を絶縁層６で覆う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置、特に、ア
クティブマトリクス型液晶表示装置の薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）への光のしゃ光の改良に関する。
クティブマトリクス型液晶表示装置の薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）への光のしゃ光の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、アクティブマトリクス型液晶表
示装置は、図４に示すごとく、ゲートバスライン駆動回
路ＤＲ１によって駆動されるゲートバスラインＧＬ1、
ＧＬ2、…、ＧＬ6、データバスライン駆動回路ＤＲ２に
よって駆動されるデータバスラインＤＬ1、ＤＬ2、…、
ＤＬ6、及びこれらの間に接続されたＴＦＴＱ11、
Ｑ12、…、Ｑ66よりなる。
示装置は、図４に示すごとく、ゲートバスライン駆動回
路ＤＲ１によって駆動されるゲートバスラインＧＬ1、
ＧＬ2、…、ＧＬ6、データバスライン駆動回路ＤＲ２に
よって駆動されるデータバスラインＤＬ1、ＤＬ2、…、
ＤＬ6、及びこれらの間に接続されたＴＦＴＱ11、
Ｑ12、…、Ｑ66よりなる。
【０００３】図４の１つの画素の拡大図である図５を参
照すると、ＴＦＴＱij（ｉ、ｊ＝１、２、…、６）は、
ゲートバスラインＧＬiに接続されたゲート電極Ｇ、ゲ
ート電極Ｇに対向して設けられたアモルファスシリコン
よりなる動作半導体層Ａ、ドレインバスラインＤＬjに
接続されたドレイン電極Ｄ、及び画素電極Ｅijに接続さ
れたソース電極Ｓよりなる。
照すると、ＴＦＴＱij（ｉ、ｊ＝１、２、…、６）は、
ゲートバスラインＧＬiに接続されたゲート電極Ｇ、ゲ
ート電極Ｇに対向して設けられたアモルファスシリコン
よりなる動作半導体層Ａ、ドレインバスラインＤＬjに
接続されたドレイン電極Ｄ、及び画素電極Ｅijに接続さ
れたソース電極Ｓよりなる。
【０００４】図４のアクティブマトリクス型液晶表示装
置においては、ゲートバスライン駆動回路ＤＲ１によっ
てゲートバスラインＧＬ1、ＧＬ2、…、ＧＬ6は順次ハ
イレベルに駆動される。つまり、あるゲートバスライン
たとえばＧＬ1がハイレベルになると、そのラインに接
続されたＴＦＴＱij（ｊ＝１、２、…、６）は一斉にオ
ン状態となる。この結果、ＴＦＴＱijに接続された画素
電極Ｅ1jは、そのときドレインバスラインＤＬjに印加
されている信号電圧に従って充電される。次いで、ゲー
トバスラインＧＬ1がローレベルに駆動されると、オン
状態にあったＴＦＴＱ1jはオフとされるが、画素電極Ｅ
1jはその充電電圧を保持し続ける。この保持電圧は、該
当するＴＦＴが再びオンとなったときに次の信号電圧に
よって書き換えられる。
置においては、ゲートバスライン駆動回路ＤＲ１によっ
てゲートバスラインＧＬ1、ＧＬ2、…、ＧＬ6は順次ハ
イレベルに駆動される。つまり、あるゲートバスライン
たとえばＧＬ1がハイレベルになると、そのラインに接
続されたＴＦＴＱij（ｊ＝１、２、…、６）は一斉にオ
ン状態となる。この結果、ＴＦＴＱijに接続された画素
電極Ｅ1jは、そのときドレインバスラインＤＬjに印加
されている信号電圧に従って充電される。次いで、ゲー
トバスラインＧＬ1がローレベルに駆動されると、オン
状態にあったＴＦＴＱ1jはオフとされるが、画素電極Ｅ
1jはその充電電圧を保持し続ける。この保持電圧は、該
当するＴＦＴが再びオンとなったときに次の信号電圧に
よって書き換えられる。
【０００５】上述のアクティブマトリクス型液晶表示装
置の表示品質を向上させるためには、画素電極Ｅijの保
持電圧を高く維持する必要があり、そのためには、ＴＦ
ＴＱijのオン電流／オフ電流（リーク電流）比を大き
く、特に、オフ電流を小さくすることが重要である。
置の表示品質を向上させるためには、画素電極Ｅijの保
持電圧を高く維持する必要があり、そのためには、ＴＦ
ＴＱijのオン電流／オフ電流（リーク電流）比を大き
く、特に、オフ電流を小さくすることが重要である。
【０００６】しかしながら、上述のＴＦＴＱijの動作半
導体層Ａにバックライト光が入射すると、たとえＴＦＴ
Ｑijがオフしていたとしても、光励起によるキャリアが
動作半導体層Ａ内に発生してリーク電流となってオフ電
流を増大させる。この結果、表示むら等が発生してアク
ティブマトリクス型液晶表示装置の表示性能を低下させ
る。このため、ＴＦＴへの光をしゃ光するアクティブマ
トリクス型液晶表示装置が知られている。
導体層Ａにバックライト光が入射すると、たとえＴＦＴ
Ｑijがオフしていたとしても、光励起によるキャリアが
動作半導体層Ａ内に発生してリーク電流となってオフ電
流を増大させる。この結果、表示むら等が発生してアク
ティブマトリクス型液晶表示装置の表示性能を低下させ
る。このため、ＴＦＴへの光をしゃ光するアクティブマ
トリクス型液晶表示装置が知られている。
【０００７】ＴＦＴへの光をしゃ光する無機しゃ光層を
用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置を図６を参
照して説明する（参照：特開昭６２−８１０６１号公
報）。すなわち、画素電極（ガラス）基板１０１上にゲ
ート電極Ｇを形成する。その上に絶縁層１０２を形成し
てアモルファスシリコンよりなる動作半導体層Ａを形成
する。さらに、動作半導体層Ａにドレイン電極Ｄ及びソ
ース電極Ｓを形成する。そして、絶縁層１０３及びアモ
ルファスシリコンよりなる無機しゃ光層１０４を形成
し、さらに、絶縁層１０５及びアモルファスシリコンよ
りなる無機しゃ光層１０６を形成する。
用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置を図６を参
照して説明する（参照：特開昭６２−８１０６１号公
報）。すなわち、画素電極（ガラス）基板１０１上にゲ
ート電極Ｇを形成する。その上に絶縁層１０２を形成し
てアモルファスシリコンよりなる動作半導体層Ａを形成
する。さらに、動作半導体層Ａにドレイン電極Ｄ及びソ
ース電極Ｓを形成する。そして、絶縁層１０３及びアモ
ルファスシリコンよりなる無機しゃ光層１０４を形成
し、さらに、絶縁層１０５及びアモルファスシリコンよ
りなる無機しゃ光層１０６を形成する。
【０００８】また、ＴＦＴへの光をしゃ光する無機しゃ
光層を用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置を図
７を参照して説明する（参照：特開平４−８６８０９号
公報）。すなわち、画素電極（ガラス）基板２０１上に
ゲート電極Ｇを形成する。その上に絶縁層２０２を形成
してアモルファスシリコンよりなる動作半導体層Ａ及び
画素電極Ｅijを形成する。さらに、動作半導体層Ａ及び
画素電極Ｅij上にドレイン電極Ｄ及びソース電極Ｓを形
成する。そして、絶縁層２０３及び有機材料よりなる無
機しゃ光層２０４を形成する。
光層を用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置を図
７を参照して説明する（参照：特開平４−８６８０９号
公報）。すなわち、画素電極（ガラス）基板２０１上に
ゲート電極Ｇを形成する。その上に絶縁層２０２を形成
してアモルファスシリコンよりなる動作半導体層Ａ及び
画素電極Ｅijを形成する。さらに、動作半導体層Ａ及び
画素電極Ｅij上にドレイン電極Ｄ及びソース電極Ｓを形
成する。そして、絶縁層２０３及び有機材料よりなる無
機しゃ光層２０４を形成する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
無機しゃ光層を用いた液晶表示装置においては、アモル
ファスシリコンの光吸収特性は可視光領域（４００〜８
００ｎｍ）の長波長側で不充分であるという課題があ
る。逆に、有機しゃ光層を用いた液晶表示装置において
は、有機材料の光吸収特性は可視光領域の短波長側で不
充分であり、また、しゃ光効果を上げるためにはしゃ光
層を厚くする必要があり、この結果、液晶の配向不良に
つながるという課題がある。従って、本発明の目的は、
可視光領域全域に亘って効果的にＴＦＴへの光をしゃ光
できる液晶表示装置を提供することにある。
無機しゃ光層を用いた液晶表示装置においては、アモル
ファスシリコンの光吸収特性は可視光領域（４００〜８
００ｎｍ）の長波長側で不充分であるという課題があ
る。逆に、有機しゃ光層を用いた液晶表示装置において
は、有機材料の光吸収特性は可視光領域の短波長側で不
充分であり、また、しゃ光効果を上げるためにはしゃ光
層を厚くする必要があり、この結果、液晶の配向不良に
つながるという課題がある。従って、本発明の目的は、
可視光領域全域に亘って効果的にＴＦＴへの光をしゃ光
できる液晶表示装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに本発明は、ＴＦＴへの光をしゃ光する無機しゃ光層
及び有機しゃ光層を設けたものである。
めに本発明は、ＴＦＴへの光をしゃ光する無機しゃ光層
及び有機しゃ光層を設けたものである。
【００１１】
【作用】上述の手段によれば、無機しゃ光層による可視
領域の短波長側の光吸収特性及び有機しゃ光層による可
視領域の長波長側の光吸収特性により可視領域全域の光
吸収が可能となる。
領域の短波長側の光吸収特性及び有機しゃ光層による可
視領域の長波長側の光吸収特性により可視領域全域の光
吸収が可能となる。
【００１２】
【実施例】図１は本発明に係る液晶表示装置の第１の実
施例を示す断面図である。図１においては、画素電極
（ガラス）基板１上にゲート電極Ｇを形成する。その上
に絶縁層３を形成してアモルファスシリコンよりなる動
作半導体層Ａを形成する。さらに、動作半導体層Ａ上に
ドレイン電極Ｄ及びソース電極Ｓを形成する。また、ソ
ース電極Ｓに接続するように画素電極Ｅijを形成する。
また、絶縁層３を動作半導体層Ａ、ドレイン電極Ｄ及び
ソース電極Ｓ上に形成し、その上に約０．４μｍ厚さの
アモルファスシリコンよりなる無機しゃ光層４を形成
し、さらにその上に、青もしくは緑のカラーフィルタ材
料よりなる有機しゃ光層５を形成する。そして、有機し
ゃ光層５を絶縁層６で覆う。
施例を示す断面図である。図１においては、画素電極
（ガラス）基板１上にゲート電極Ｇを形成する。その上
に絶縁層３を形成してアモルファスシリコンよりなる動
作半導体層Ａを形成する。さらに、動作半導体層Ａ上に
ドレイン電極Ｄ及びソース電極Ｓを形成する。また、ソ
ース電極Ｓに接続するように画素電極Ｅijを形成する。
また、絶縁層３を動作半導体層Ａ、ドレイン電極Ｄ及び
ソース電極Ｓ上に形成し、その上に約０．４μｍ厚さの
アモルファスシリコンよりなる無機しゃ光層４を形成
し、さらにその上に、青もしくは緑のカラーフィルタ材
料よりなる有機しゃ光層５を形成する。そして、有機し
ゃ光層５を絶縁層６で覆う。
【００１３】他方、対向電極（ガラス）基板７には対向
電極８が形成される。
電極８が形成される。
【００１４】ＴＦＴ及び画素電極Ｅij等が形成された画
素電極基板１と対向電極８が形成された対向電極基板７
とは液晶９を狭んで対向して配置されている。そして、
対向電極基板７には偏光子１０が設けられ、画素電極基
板１には検光子１１が設けられている。
素電極基板１と対向電極８が形成された対向電極基板７
とは液晶９を狭んで対向して配置されている。そして、
対向電極基板７には偏光子１０が設けられ、画素電極基
板１には検光子１１が設けられている。
【００１５】図２は図１の液晶表示装置のＴＦＴへの光
のしゃ光特性を示すグラフである。すなわち、無機しゃ
光層４の透過特性Ｘは厚さ０．４μｍのアモルファスシ
リコンの場合を示し、可視光領域（４００〜８００ｎ
ｍ）の長波長側でしゃ光が不充分である。他方、有機し
ゃ光層５の透過特性Ｙ１、Ｙ２は青カラーフィルタ材料
及び緑カラーフィルタ材料の場合を示し、いずれの場合
も可視光領域の短波長側でしゃ光が不充分である。しか
し、無機しゃ光層４及び有機しゃ光層５を積層した第１
の実施例においては、可視光領域全域に亘って良好なし
ゃ光特性が得られることになる。
のしゃ光特性を示すグラフである。すなわち、無機しゃ
光層４の透過特性Ｘは厚さ０．４μｍのアモルファスシ
リコンの場合を示し、可視光領域（４００〜８００ｎ
ｍ）の長波長側でしゃ光が不充分である。他方、有機し
ゃ光層５の透過特性Ｙ１、Ｙ２は青カラーフィルタ材料
及び緑カラーフィルタ材料の場合を示し、いずれの場合
も可視光領域の短波長側でしゃ光が不充分である。しか
し、無機しゃ光層４及び有機しゃ光層５を積層した第１
の実施例においては、可視光領域全域に亘って良好なし
ゃ光特性が得られることになる。
【００１６】図３は本発明に係る液晶表示装置の第２の
実施例を示す断面図である。図３においては、有機しゃ
光層５を対向電極基板７側に設けてある。有機しゃ光層
５は効果的にしゃ光するためには２μｍ以上の厚さを必
要とする。従って、第１の実施例に示すごとく、有機し
ゃ光層５を画素電極基板１側に設けると、しゃ光層４、
５の端部の段差が大きくなり、この結果、液晶の配向不
良を招くことになる。これに対し、第２の実施例におい
ては、有機しゃ光層５を対向電極基板７側に設けること
により画素電極基板１側の段差が小さくなり、従って、
液晶の配向不良を抑えることができる。なお、第２の実
施例においても、第１の実施例と同様に、無機しゃ光層
４及び有機しゃ光層５により可視光領域全域に亘って良
好なしゃ光特性が得られる。
実施例を示す断面図である。図３においては、有機しゃ
光層５を対向電極基板７側に設けてある。有機しゃ光層
５は効果的にしゃ光するためには２μｍ以上の厚さを必
要とする。従って、第１の実施例に示すごとく、有機し
ゃ光層５を画素電極基板１側に設けると、しゃ光層４、
５の端部の段差が大きくなり、この結果、液晶の配向不
良を招くことになる。これに対し、第２の実施例におい
ては、有機しゃ光層５を対向電極基板７側に設けること
により画素電極基板１側の段差が小さくなり、従って、
液晶の配向不良を抑えることができる。なお、第２の実
施例においても、第１の実施例と同様に、無機しゃ光層
４及び有機しゃ光層５により可視光領域全域に亘って良
好なしゃ光特性が得られる。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、Ｔ
ＦＴへの光のしゃ光を可視光領域全域に亘って効果的に
行うことができる。
ＦＴへの光のしゃ光を可視光領域全域に亘って効果的に
行うことができる。
【図１】本発明に係る液晶表示装置の第１の実施例を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】図１の液晶表示装置のしゃ光特性を示すグラフ
である。
である。
【図３】本発明に係る液晶表示装置の第２の実施例を示
す断面図である。
す断面図である。
【図４】一般的なアクティブマトリクス型液晶表示装置
を示す回路図である。
を示す回路図である。
【図５】図４の部分拡大平面図である。
【図６】従来の液晶表示装置を示す断面図である。
【図７】従来の液晶表示装置を示す断面図である。
１…画素電極（ガラス）基板 ２、３、６…絶縁層 ４…無機しゃ光層 ５…有機しゃ光層 ７…対向電極（ガラス）基板 ８…対向電極 ９…液晶 １０…偏光子 １１…検光子 １０１…画素電極（ガラス）基板 １０２、１０３、１０５…絶縁層 １０４、１０６…無機しゃ光層 ２０１…画素電極（ガラス）基板 ２０２、２０３…絶縁層 ２０４…有機しゃ光層 ＧＬi…ゲートバスライン ＤＬj…データバスライン Ｅij…画素電極 Ｇ…ゲート電極 Ａ…動作半導体層 Ｄ…ドレイン電極 Ｓ…ソース電極
Claims (3)
- 【請求項１】 薄膜トランジスタ（Ｑij）及び画素電極
（Ｅij）が形成された画素電極基板（１）と、対向電極
（８）が形成された対向電極基板（７）と、前記画素電
極基板と前記対向電極基板との間に充填された液晶
（９）とを具備する液晶表示装置において、 前記薄膜トランジスタへの光をしゃ光する無機しゃ光層
（４）及び有機しゃ光層（５）を設けたことを特徴とす
る液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記無機しゃ光層及び及び前記有機しゃ
光層は前記画素電極基板上の前記薄膜トランジスタの近
傍に設けられた請求項１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記無機しゃ光層は前記画素電極基板上
の前記薄膜トランジスタの近傍に設けられ、前記有機し
ゃ光層は前記対向電極基板上の前記薄膜トランジスタの
近傍に設けられた請求項１に記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12320495A JP2809130B2 (ja) | 1995-04-24 | 1995-04-24 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12320495A JP2809130B2 (ja) | 1995-04-24 | 1995-04-24 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08292450A true JPH08292450A (ja) | 1996-11-05 |
| JP2809130B2 JP2809130B2 (ja) | 1998-10-08 |
Family
ID=14854780
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12320495A Expired - Fee Related JP2809130B2 (ja) | 1995-04-24 | 1995-04-24 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2809130B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000003321A (ko) * | 1998-06-27 | 2000-01-15 | 김영환 | 액정 표시 장치 |
| US6630972B1 (en) | 1999-09-30 | 2003-10-07 | Nec Corporation | Transmission liquid crystal panel to block ray of light toward thin film transistors with a light blocking film |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62250416A (ja) * | 1986-04-23 | 1987-10-31 | Stanley Electric Co Ltd | Ｔｆｔ組込型カラ−液晶表示素子 |
| JPH0323429A (ja) * | 1989-06-20 | 1991-01-31 | Sanyo Electric Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
| JPH03269415A (ja) * | 1990-03-20 | 1991-12-02 | Asahi Glass Co Ltd | アクティブマトリックス光変調素子 |
| JPH05100250A (ja) * | 1991-10-08 | 1993-04-23 | Sony Corp | 液晶表示装置 |
| JPH05109769A (ja) * | 1991-10-18 | 1993-04-30 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
| JPH06208135A (ja) * | 1993-01-12 | 1994-07-26 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
| JPH06301052A (ja) * | 1993-04-12 | 1994-10-28 | Canon Inc | 液晶表示装置及びその製造方法 |
-
1995
- 1995-04-24 JP JP12320495A patent/JP2809130B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| KR100429369B1 (ko) * | 1999-09-30 | 2004-04-28 | 닛본 덴끼 가부시끼가이샤 | 박막트랜지스터로 향하는 광선을 차광막으로 차단하는 투과액정패널, 이 투과액정패널을 구비한 화상표시장치, 및 이 투과액정패널의 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2809130B2 (ja) | 1998-10-08 |
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