JP2003075814A

JP2003075814A - 液晶装置および投射型表示装置

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Publication number: JP2003075814A
Application number: JP2001264989A
Authority: JP
Inventors: Seiki Koide; 清貴小出
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2001-08-31
Filing date: 2001-08-31
Publication date: 2003-03-12

Abstract

(57)【要約】【課題】高い開口率で優れた耐久性を有し、薄膜トラ
ンジスタのスイッチング特性の低下を防止することがで
きる液晶装置並びに投射型表示装置を提供する。【解決手段】画素電極９が、構造複屈折体として機能
し、液晶層に入射する光の波長よりも小さいピッチでス
トライプ状に配列された複数の光反射体と、複数の光反
射体を電気的に導通する導通電極９ｃとを具備して構成
され、導通電極９ｃの少なくとも一部は、遮光領域３６
０と平面的に重なる領域に形成されている液晶装置とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶装置および投
射型表示装置に係り、特に、高い開口率で優れた耐久性
を有し、薄膜トランジスタのスイッチング特性の低下を
防止することができる液晶装置およびその液晶装置を備
えた投射型表示装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】液晶プロジェクタ等の投射型表示装置に
搭載される光変調手段や、携帯電話等に搭載される直視
型表示装置として用いられる液晶装置は、液晶層を挟持
して対向配置され、液晶層に電圧を印加するための電極
を具備する一対の基板を主体として構成されている。液
晶装置としては、一方の基板側から入射した光が、液晶
層を透過し、他方の基板側から出射された光を視認する
透過型液晶装置が知られている。このような透過型液晶
装置では、一対の基板の外側に、各々特定の偏光のみを
透過する偏光子を設けることにより、電圧無印加時、電
圧印加時における液晶層内の液晶分子の配列を光学的に
識別して表示を行う構成になっている。また、従来の透
過型液晶装置では、偏光子として、特定の偏光のみを透
過し、それ以外の偏光を吸収する光吸収型の偏光子や、
特定の偏光のみを透過し、それ以外の偏光を反射する光
反射型の偏光子が広く用いられている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、光吸収
型の偏光子を用いた透過型液晶装置では、光源として高
輝度の光源を用いた場合、偏光子に吸収される光によっ
て、偏光子の温度が高くなり、偏光子が劣化して液晶装
置の耐久性が低下するという問題が生じる恐れがあっ
た。偏光子の劣化の問題は、特に、強い光源が使用され
る投射型表示装置に透過型液晶装置を搭載する場合に顕
著であった。

【０００４】また、偏光子の劣化の問題は、黒（暗）表
示時において、液晶層を透過した光のほとんどすべてを
吸収する必要があり、検光子として機能する視認側（光
出射側）の偏光子において顕著な問題であった。この問
題を回避できる透過型液晶装置として、視認側の偏光子
を光反射型の偏光子により構成したものがある。この場
合には、偏光子での光吸収が起こらないため、上述の問
題を回避することができる。しかしながら、薄膜トラン
ジスタを用いたアクティブマトリクス型液晶装置におい
ては、視認側の偏光子により反射された光が薄膜トラン
ジスタの半導体層に入射し、光リーク電流を生じさせて
薄膜トランジスタのスイッチング特性を低下させる恐れ
があった。

【０００５】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
であり、高い開口率で優れた耐久性を有し、薄膜トラン
ジスタのスイッチング特性の低下を防止することができ
る液晶装置、並びに、これらの液晶装置を備えた投射型
表示装置を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記課題を
解決するべく検討を行った結果、以下の液晶装置および
投射型表示装置を発明するに到った。本発明の液晶装置
は、第１の基板と、前記第１の基板に対向配置された第
２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に
挟持された液晶層とを有する液晶装置であり、前記第１
の基板には、マトリクス状に配置されて前記液晶層に電
圧を印加する画素電極と、前記画素電極に電気的に接続
された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタより
も前記液晶層側に配置された遮光膜と、前記薄膜トラン
ジスタよりも前記液晶層側に配置されて前記薄膜トラン
ジスタと電気的に接続され、遮光性を有し、前記遮光膜
と交差するデータ線とが備えられ、前記薄膜トランジス
タを構成するチャネル領域の接合部は、前記遮光膜と前
記データ線とが交差する交差領域と平面的に重なる領域
に形成され、前記画素電極は、構造複屈折体として機能
し、前記液晶層に入射する光の波長よりも小さいピッチ
でストライプ状に配列された複数の光反射体と、前記複
数の光反射体を電気的に導通する導通電極とを具備して
構成され、前記導通電極の少なくとも一部は、遮光領域
と平面的に重なる領域に形成されていることを特徴とす
る。

【０００７】本発明の液晶装置において「構造複屈折
体」とは、「入射する光の偏光方向により、有効屈折率
が異なる構造体」のことを言う。そして、構造複屈折体
に入射する光の偏光方向により有効屈折率が異なること
を利用して、特定の偏光のみを透過させ、特定の偏光の
みを反射させることができる。本発明の液晶装置におい
ては、画素電極が構造複屈折体として機能するものであ
るので、本発明の液晶装置を透過型液晶装置に適用した
場合、画素電極を偏光子として機能させることができ
る。上述したように、構造複屈折体は、有効屈折率の差
異により、特定の偏光のみを透過させ、特定の偏光のみ
を反射する機能を有するため、光吸収型の偏光子と比較
して吸収される光量が少なく、耐久性に優れる。

【０００８】なお、本発明の液晶装置を透過型液晶装置
に適用する場合、第２の基板側については、第１の基板
側と同様に構造複屈折体により偏光子を構成しても良い
し、従来用いられていた光吸収型若しくは光反射型の偏
光子を用いても良いが、本発明によれば、少なくとも第
１の基板側に、構造複屈折体からなる偏光子を設ける構
成としているので、耐久性に優れた透過型液晶装置を提
供することができる。

【０００９】また、光吸収型の偏光子を用いた従来の透
過型液晶装置においては、偏光子の光吸収に起因する劣
化が光入射側と比較して視認側で顕著であったことか
ら、本発明は、第２の基板側から光が入射し、第１の基
板側から出射された光を視認する構造の透過型液晶装置
に適用する場合に特に好適である。この場合、視認側の
偏光子を耐久性に優れた構造複屈折体により構成するこ
とができるので、より耐久性に優れた透過型液晶装置を
提供することができる。

【００１０】さらに、第２の基板側から液晶層に光が入
射する構造とすることにより、構造複屈折体により反射
された光が薄膜トランジスタの半導体層に入射すること
を防止することができるので、光リーク電流に起因する
素子のスイッチング特性の低下を防止することができ
る。

【００１１】また、本発明の液晶装置は、光入射側と視
認側とが同一の反射型液晶装置にも適用することができ
る。すなわち、第２の基板側を光入射側（視認側）とす
ることにより、構造複屈折体が液晶装置に入射した光の
うち特定の波長のみを反射する選択反射層として機能
し、これによって反射型による表示を行うことができ
る。また、第１の基板側を光入射側（視認側）とし、第
２の基板側に反射層を設けても良く、この場合には、構
造複屈折体は偏光子として機能し、透過型液晶装置に適
用する場合と同様に、耐久性に優れた反射型液晶装置を
提供することができる。

【００１２】また、本発明の液晶装置において「遮光領
域」とは、「液晶装置に入射した光が遮光される領域」
のことを言う。具体的には例えば、本発明の液晶装置に
おける遮光層およびデータ線や、対向基板に設けられる
一般的な遮光膜であるブラックストライプ（ＢＳ）と呼
ばれる遮光膜やブラックマトリクス（ＢＭ）と呼ばれる
遮光膜などの遮光性を有する部材が設けられている領域
のことをいう。

【００１３】本発明の液晶装置において、導通電極は、
光反射体を電気的に導通するものであるので、画素電極
の大部分を光反射体により形成することにより、画素電
極全体における面積の割合を非常に小さいものとするこ
とができる。しかも、本発明の液晶装置においては、導
通電極の少なくとも一部が遮光領域と平面的に重なる領
域に形成されている。その結果、たとえ、導通電極が遮
光性を有するものであり、導通電極に遮光されて開口領
域が狭められたとしても、導通電極に遮光されて狭めら
れる開口領域の面積の割合は、開口領域全体に対して小
さく、導通電極による遮光に起因する開口率の低下の問
題が生じる恐れが極めて小さいものとなる。また、導通
電極が遮光性を有するものである場合には、画素電極と
薄膜トランジスタとを電気的に接続するためのコンタク
トホールが形成されている領域が遮光領域となるので、
コンタクトホールが形成されている領域から薄膜トラン
ジスタの半導体層に入射する光を防ぐことができる。

【００１４】また、本発明の液晶装置においては、画素
電極を、液晶層に入射する光の波長よりも小さいピッチ
でストライプ状に配列された複数の光反射体と、複数の
光反射体を電気的に導通する導通電極とを具備する構造
とすることにより、構造複屈折体として機能するものと
したので、画素電極と構造複屈折体とを同時に形成する
ことができ、画素電極と構造複屈折体とを別々に形成す
る場合と比較して、製造工程の簡略化を図ることができ
る。なお、画素電極を構造複屈折体として機能させる場
合には、個々の光反射体が１個の電極として機能するの
ではなく、複数の光反射体により１個の電極が構成され
るため、複数の光反射体を電気的に導通する導通電極が
必要になる。

【００１５】また、画素電極を構造複屈折体により構成
することで、以下に示すような効果も得られる。従来の
液晶装置においては、画素電極を構成する材料として、
透明導電性材料であるインジウム錫酸化物（以下、「Ｉ
ＴＯ」と略記する。）が広く用いられているが、T.J.Di
shoungh et al., ASME Journal of Electronic Packagi
ng, Vol.121, pp.126(1999)に記載されているように、
画素電極を構成するＩＴＯが次第に分解されて、インジ
ウムが配向膜を通過して液晶層側に拡散すると共に、酸
素が離脱されて液晶層内に気泡が発生し、画質劣化が生
じる恐れがある。この問題は特に、すべての電極を透明
導電性材料により構成する必要のある透過型液晶装置に
おいて顕著な問題である。

【００１６】しかしながら、本発明の液晶装置では、透
過型液晶装置においても、画素電極を構造複屈折体によ
り構成することにより、画素電極の大部分をアルミニウ
ム、銀、銀合金等からなる光反射体により構成すること
ができ、ＩＴＯの分解に起因した画質劣化の問題を大幅
に低減することができ、高寿命化を図ることができる。
また、複数の光反射体と導通電極とを一体形成しても良
く、かかる構成とした場合には、製造プロセスの簡略化
を図ることができると共に、画素電極全体がＩＴＯ以外
の材料により構成されることになり、ＩＴＯの分解に起
因した画質劣化の問題を一層低減することができる。

【００１７】ここで、構造複屈折体の構造について具体
的に説明する。本発明の液晶装置に備えられる構造複屈
折体は、液晶層に入射する光の波長よりも小さいピッチ
でストライプ状に配列された複数の光反射体と、前記複
数の光反射体を電気的に導通する導通電極とを具備して
構成されたものである。このような構造を有する構造複
屈折体が、特定の偏光のみを透過し、特定の偏光のみを
反射することができる理由について、図２１を用いて説
明する。

【００１８】図２１に示すように、入射する光の波長よ
りも小さいピッチで、ストライプ状に配列された複数の
媒質Ａ１０１を具備した構造の構造複屈折体１００にお
いて、隣接する媒質Ａ１０１の間隙には、媒質Ａ１０１
と異なる屈折率を有する媒質Ｂ１０２が充填されている
ことが必要である。なお、媒質Ｂ１０２としては、固
体、液体、気体を問わない。

【００１９】このような構造の構造複屈折体１００にお
いては、媒質Ａ１０１の屈折率ｎ１と媒質Ｂ１０２の屈
折率ｎ２が異なるため、構造複屈折体１００に入射した
光の偏光方向により有効屈折率が異なる。例えば、媒質
Ａ１０１の屈折率ｎ１が媒質Ｂ１０２の屈折率ｎ２より
も大きい場合には、各媒質Ａ１０１の延在方向に対して
略平行方向に振動する偏光Ａについての有効屈折率が、
各媒質Ａ１０１の延在方向に対して略垂直方向に振動す
る偏光Ｂについての有効屈折率よりも大きくなる。

【００２０】例えば、媒質Ａおよび媒質Ｂが誘電体から
なるものである場合、媒質Ａ１０１の厚みをａ、媒質Ｂ
１０２の厚みをｂとすると、構造複屈折体１００に入射
する光のうち、偏光Ａについての有効屈折率Ｎａ、偏光
Ｂについての有効屈折率Ｎｂはそれぞれ下記式（１）、
（２）により表されることが知られている（例えば、M.
Born and E.Wolf : Principles of Optics, 1st ed. (P
ergamon Press, New York, 1959) p.705-708）。

【数１】下記式（１）、（２）から分かるように、媒質Ａ１０１
の厚みａと媒質Ｂ１０２の厚みｂとの比により、有効屈
折率をｎ１〜ｎ２の範囲で変化させることができる。

【００２１】以上、構造複屈折体が光の偏光状態によっ
て異なる光学的性質を示すことを述べた。ここで、媒質
Ａとして金属や半導体のような光反射体からなるものを
用いる場合、誘電率を複素数として扱うことで、誘電体
に対する有効屈折率を求める場合と同様に扱うことがで
きる。但し、有効屈折率は複素数となる。Effective Me
dium Theory（例えば、Dominique Lemercier−lalanne:
Journal of Modern Optics,1996,vol43,no.10,2063-208
5）、より厳密には、Rigorous Coupled-Wave Analysis
(M.G.Moharam:J.Opt.Soc.Am.A,12(1995)1077 )を用いた
数値計算により、媒質Ａとして金属を用いた場合、偏光
Ａに対する構造複屈折体の有効屈折率の虚数部が大きな
値となり、その結果、入射した偏光Ａが構造複屈折体に
より反射されることが知られている。一方、偏光Ｂに対
する有効屈折率の虚数部は小さい値となり、偏光Ｂは構
造複屈折体を透過することが知られている。このよう
に、２種類の媒質で、波長よりも小さい周期構造を形成
することにより、光反射型偏光子と同じ作用、すなわち
構造複屈折体の光軸（透過軸）と平行な偏光に対しては
透過させ、垂直な偏光に対しては反射させる作用を持た
せることができる。

【００２２】また、媒質Ａ（光反射体）の屈折率と媒質
Ｂの屈折率の差は大きい程、媒質Ａのピッチは小さい程
好ましく、このような構造とすることにより、偏光Ａと
偏光Ｂについての有効屈折率の差を大きくすることがで
きる。その結果、偏光Ａの反射率を高く、偏光Ｂの透過
率を高くすることができ、反射光、透過光における偏光
Ａ、偏光Ｂ以外の偏光を低減し、消光比を大きくするこ
とができるので、コントラストに優れた液晶装置を提供
することができる。なお、消光比は、「光軸（透過軸）
に平行な偏光の透過率／光軸（透過軸）に垂直な偏光の
透過率」により定義されるものである。

【００２３】ただし、光反射体のピッチを小さくする
程、製造が困難になるため、透過型液晶装置において
は、光反射体のピッチを、入射光の波長よりも小さく、
かつ、安定して形成できる範囲に設定するとともに、第
１の基板側であって、構造複屈折体の視認側にさらに光
吸収型若しくは光反射型の偏光子を設ける構成としても
良い。このように、視認側については、構造複屈折体
と、光吸収型若しくは光反射型の偏光子の２種類の偏光
子を設ける場合には、構造複屈折体における消光比がそ
れ程大きくなくても、２種類の偏光子を合わせた時の消
光比を大きくすることができ、コントラストに優れた透
過型液晶装置を提供することができる。また、この場合
には、構造複屈折体を安定して形成することができるの
で好適である。

【００２４】なお、構造複屈折体の視認側に光吸収型偏
光子を設けた場合においても、構造複屈折体を透過した
偏光のみが、光吸収型偏光子に入射するため、光吸収型
偏光子に吸収される光量は少なく、光吸収型偏光子が劣
化する恐れは少ない。また、構造複屈折体の視認側に光
反射型偏光子を設けた場合においても、構造複屈折体を
透過した偏光のみが、光反射型偏光子に入射するため、
光反射型偏光子により反射される光量は少なく、薄膜ト
ランジスタを用いたアクティブマトリクス型液晶装置に
適用する場合においても、薄膜トランジスタのスイッチ
ング特性の低下の恐れは少ない。

【００２５】また、本発明の液晶装置においては、デー
タ線が遮光性を有するものであり、薄膜トランジスタよ
りも液晶層側で、データ線と遮光膜とが交差しているの
で、薄膜トランジスタを構成するチャネル領域の接合部
は、データ線と遮光膜とによって二重に遮光されること
になる。すなわち、本発明の液晶装置によれば、データ
線および遮光膜が配置された側を、入射光（例えば、プ
ロジェクタ用途の場合の投射光など）が入射する側に向
けて配置することにより、薄膜トランジスタのチャネル
領域を二重に入射光から遮光することができる。このと
き、データ線および遮光膜によって得られる遮光性は、
例えば、膜厚との関係で光を若干透過してしまう（例え
ば０．１％程度の透過率を持つ）データ線と、同じく膜
厚との関係で光を若干透過してしまう（例えば０．１％
程度の透過率を持つ）遮光膜とを用いたとしても、両者
によって二重に遮光されることによって、極めて高い遮
光性（例えば、０．０１〜０．００１％程度の透過率）
が得られる。

【００２６】また、一般には、基板上に遮光膜を余り厚
く積むと、基板上の積層構造内において極度のストレス
が発生し、基板の反りを招くなどの問題が発生する。さ
らに、この種の液晶装置では、例えば、画素電極の下地
となる最上層に凹凸や段差が大きいと、液晶の配向不良
に起因する動作不良を起こしやすくなる問題が発生す
る。また、基板上の積層構造が余り厚いと、画素電極等
とのコンタクトをとるのが困難になるという問題も発生
する。このため、基板上に作りこむ遮光膜の膜厚や積層
体全体の膜厚を厚くすることは、基本的には望ましくな
い。したがって、単独では十分な遮光性能が得られない
程度に薄い膜を二重に重ねて必要な遮光性能を得ること
ができ、さらに遮光膜以外の膜を遮光膜としても機能さ
せる本発明の液晶装置の構成は極めて有利である。

【００２７】しかも、本発明の液晶装置においては、デ
ータ線が遮光性を有するものであるため、基板面に垂直
な光だけではなく、データ線に沿った方向に傾斜した斜
めの光も、薄膜トランジスタのチャネル領域に侵入する
ことは困難となる。さらに、本発明の液晶装置において
は、遮光膜の本線部分に沿った方向（即ちデータ線に交
差する方向）に傾斜した斜めの光も、遮光膜の存在によ
り、薄膜トランジスタのチャネル領域に侵入することは
困難である。強い光源からの強力な入射光は、基板面に
垂直な光が主であり、このような斜めの光は例えば液晶
装置内の内面反射や多重反射を伴う比較的低強度の光で
あるので、基板面に対して斜めの光を遮光するために
は、基板面に垂直な光を遮光する程の遮光性能は必要と
されない。よって、基板面に対して斜めに進入する光
は、データ線および遮光膜によって（一重であっても）
極めて有効に遮光される。その結果、強い光源を用いた
場合にも、薄膜トランジスタのチャネル領域に入射光が
入射することに起因する光リークによって、トランジス
タ特性の劣化が発生することを効果的に防ぐことができ
る。

【００２８】また、本発明の液晶装置においては、遮光
層およびデータ線によって、画像表示領域で光抜けが生
じ、コントラスト比が低下するのを防止することもでき
る。したがって、遮光層およびデータ線によって、各画
素の開口領域を規定することも可能となり、例えば、ブ
ラックストライプ（ＢＳ）と呼ばれる遮光膜やブラック
マトリクス（ＢＭ）と呼ばれる遮光膜などの対向基板に
設けられる一般的な遮光膜を省略することも可能とな
る。加えて、本発明の液晶装置における遮光層およびデ
ータ線は、上記の対向基板に設けられる一般的な遮光膜
と比較して、薄膜トランジスタに比較的近接して設けら
れるので、不必要に遮光領域を広げることを避けること
ができ、各画素の開口領域を不必要に狭めることはな
い。

【００２９】このように、本発明の液晶装置によれば、
遮光膜の膜厚増加を抑えつつ、高い耐光性により薄膜ト
ランジスタの光リークによる特性劣化が低減され、しか
もコントラスト比が高く高品位の画像表示が可能であ
り、さらに開口率の低減を抑えつつ、耐久性に優れた液
晶装置を実現することができる。とくに、本発明の液晶
装置によれば、画素電極が構造複屈折体として機能する
ことにより、優れた耐久性が得られるとともに、薄膜ト
ランジスタを構成するチャネル領域の接合部を、データ
線と遮光膜とによって二重に遮光することにより、極め
て高い遮光性が得られるので、投射型表示装置に搭載さ
れる場合など、強い光源からの強力な入射光を利用する
場合に極めて有効である。

【００３０】また、上記の液晶装置においては、前記遮
光領域は、前記遮光膜と前記データ線のうちのいずれか
一方または両方と平面的に重なる領域であることが望ま
しい。このような液晶装置では、遮光領域が、遮光膜と
データ線のうちのいずれか一方または両方と平面的に重
なる領域であるので、導通電極が遮光性を有する場合に
導通電極を設けることによって拡大する遮光領域を、画
素電極と薄膜トランジスタとを電気的に接続するために
必要な領域のみとすることができ、導通電極に遮光され
て狭められる開口領域の面積を非常に少なくすることが
できる。

【００３１】また、上記の液晶装置においては、前記遮
光膜は、光吸収層と遮光層とを有し、前記薄膜トランジ
スタに面する側に光吸収層が積層されていることが望ま
しい。このような液晶装置では、前記遮光膜は、光吸収
層と遮光層とを有し、薄膜トランジスタに面する側に光
吸収層が積層されているので、第２の基板側から薄膜ト
ランジスタの脇を抜けて遮光層に至る光（すなわち、液
晶装置の裏面反射光や、複数の液晶装置をライトバルブ
として構成した複板式のプロジェクタにおいて他の液晶
装置から出射され合成光学系を突き抜けてくる光などの
戻り光）を、光吸収層によって吸収することができる。
したがって、遮光膜の外面側（薄膜トランジスタに面す
る側と反対側）から入射する入射光を遮光するととも
に、遮光膜の内面側（薄膜トランジスタに面する側）で
発生する内面反射光を低減することができる。これらの
結果、薄膜トランジスタのチャネル領域に到達する光を
より一層低減することができる。

【００３２】また、上記の液晶装置においては、前記薄
膜トランジスタと前記遮光膜との間には、光吸収性を有
し、前記画素電極と前記薄膜トランジスタとを電気的に
接続する中継導電膜が備えられ、前記遮光膜は、前記中
継導電膜の一部を露呈する領域を有し、該領域に前記画
素電極と前記中継導電膜とを電気的に接続するコンタク
トホールを形成することが望ましい。このような液晶装
置では、中継導電膜が光吸収層としても機能するもので
あるため、薄膜トランジスタと遮光膜との間に光が入射
したとしても、薄膜トランジスタと遮光膜との間で光が
乱反射することを防止することができる。さらに、コン
タクトホールが、光吸収層としても機能する中継導電膜
と平面的に重なる位置に形成されることになるので、コ
ンタクトホールが形成されている領域から入射しようと
する光が、中継導電膜によって吸収されることになる。
その結果、薄膜トランジスタのチャネル領域に到達する
光をより一層低減することができる。

【００３３】また、上記の液晶装置においては、前記コ
ンタクトホールは、隣接するデータ線間のほぼ中央に位
置することが望ましい。このような液晶装置では、コン
タクトホールが、隣接するデータ線間のほぼ中央に位置
するので、コンタクトホールが形成されている領域から
光が入射したとしても、表示ムラが発生しにくく、均一
な表示が得られる。このため、コンタクトホールから入
射した光による影響を受けにくいものとなる。また、コ
ンタクトホールが、隣接するデータ線間のほぼ中央に位
置しているので、配向不良が発生しにくいものとなる。

【００３４】また、上記の液晶装置においては、前記遮
光膜の前記薄膜トランジスタに面する側には、前記画素
電極と前記薄膜トランジスタとを電気的に接続する中継
導電膜が誘電体層を介して形成され、前記遮光膜および
前記中継導電膜は、容量電極として機能して保持容量を
構成することが望ましい。このような液晶装置では、遮
光膜は、遮光機能のみならず、保持容量の容量電極とし
ても機能するので、全体として遮光膜の膜厚増加を抑え
つつ、さらに遮光膜および蓄積容量を別々に作り込む場
合と比較して、基板上の積層構造および製造工程が複雑
化するのを効果的に防ぐことができる。

【００３５】また、上記の課題を解決するために、本発
明の液晶装置は、第１の基板と、前記第１の基板に対向
配置された第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の
基板との間に挟持された液晶層とを有する液晶装置であ
り、前記第１の基板には、マトリクス状に配置されて前
記液晶層に電圧を印加する画素電極と、前記画素電極に
電気的に接続された薄膜トランジスタと、前記薄膜トラ
ンジスタと電気的に接続されたデータ線と、前記データ
線と平面的に重なる領域に開孔された第１コンタクトホ
ールを介して前記薄膜トランジスタを構成するドレイン
領域と電気的に接続されるとともに、第２コンタクトホ
ールを介して前記画素電極と電気的に接続された中継導
電膜とが備えられ、前記画素電極は、構造複屈折体とし
て機能し、前記液晶層に入射する光の波長よりも小さい
ピッチでストライプ状に配列された複数の光反射体と、
前記複数の光反射体を電気的に導通する導通電極とを具
備して構成され、前記導通電極の少なくとも一部は、遮
光領域と平面的に重なる領域に形成されていることを特
徴とする。

【００３６】このような液晶装置においても、画素電極
が構造複屈折体として機能するものであるので、本発明
の液晶装置を透過型液晶装置に適用した場合、画素電極
を偏光子として機能させることができる。上述したよう
に、構造複屈折体は、有効屈折率の差異により、特定の
偏光のみを透過させ、特定の偏光のみを反射する機能を
有するため、光吸収型の偏光子と比較して吸収される光
量が少なく、耐久性に優れる。さらに、上記の液晶装置
においても、導通電極の少なくとも一部が遮光領域と平
面的に重なる領域に形成されているので、たとえ、導通
電極が遮光性を有するものであったとしても、導通電極
に遮光されて狭められる開口領域の面積を少なくするこ
とができる。

【００３７】また、上記の液晶装置においては、薄膜ト
ランジスタを構成するドレイン領域と電気的に接続され
るとともに、画素電極と電気的に接続された中継導電膜
が備えられているので、ドレイン領域と画素電極との間
の合計膜厚が大きくても、両者間を比較的小径の第１コ
ンタクトホールおよび第２コンタクトホールを介して良
好に接続することが可能となる。また、中継導電膜は、
第２コンタクトホール開孔するエッチング工程におい
て、エッチングの突き抜け防止にも役立つ。

【００３８】さらに、第１コンタクトホールは、データ
線と平面的に重なる領域に開孔されているので、第１コ
ンタクトホールを介して電気的に接続されたドレイン領
域と中継導電膜との間の位置に走査線を配置する場合で
あっても、データ線に沿って広がる遮光領域を利用し
て、第１コンタクトホールを避けて容易に走査線を配線
することができる。このため、データ線とは平面的に重
なっていない走査線方向の領域に、第１コンタクトホー
ルを無理に開孔する必要がなくなる。したがって、デー
タ線と平面的に重なっていない領域に括れ部分を形成し
ない分だけ、走査線方向に沿った遮光領域の合計幅を狭
めることが可能となり、結果として各画素の開口領域を
拡大させることが可能となる。

【００３９】また、データ線に沿った遮光領域を利用し
て第１コンタクトホールを開孔することができるので、
第１コンタクトホールの存在により各画素の開口領域に
不規則な凹凸が発生することがない。これにより、画素
電極付近におけるラビング処理を均一に行うことが可能
になるとともに、液晶層の層厚を均一化することも可能
となる。その結果、液晶の配向不良などによる動作不良
を低減することができる。また、蓄積容量を作り込む面
積を増加させることができるので、各画素の開口領域を
拡大させるとともに、蓄積容量を増大させることが可能
となる。このように、上記の液晶装置によれば、画素開
口率が高く、耐久性に優れ、大きな蓄積容量を有し、画
素電極付近における配向膜の表面に不規則な凹凸が生じ
ることによる表示画像の品位低下を低減できる液晶装置
を実現することができる。

【００４０】また、上記の液晶装置においては、前記第
２コンタクトホールは、隣接するデータ線間のほぼ中央
に位置することが望ましい。このような液晶装置では、
第２コンタクトホールが、隣接するデータ線間のほぼ中
央に位置するので、第２コンタクトホールが形成されて
いる領域から光が入射したとしても、表示ムラが発生し
にくく、均一な表示が得られる。このため、第２コンタ
クトホールから入射した光による影響を受けにくいもの
となる。また、第２コンタクトホールが、隣接するデー
タ線間のほぼ中央に位置しているので、配向不良が発生
しにくいものとなる。

【００４１】また、上記の液晶装置においては、前記中
継導電膜は、遮光性を有し、前記導通電極は、前記中継
導電膜と平面的に重なる領域に形成されていることが好
ましい。導通電極は、中継導電膜と平面的に重なる領域
に形成することが可能であるので、中継導電膜が遮光性
を有する場合は、導通電極を設けることによって拡大す
る遮光領域をなくすことができ、導通電極に遮光されて
狭められる開口領域の面積をなくすことができる。

【００４２】また、上記の液晶装置においては、中継導
電膜が、走査線と同一層で形成された層からなる容量電
極と誘電体層を介して少なくとも部分的に対向配置さ
れ、容量電極として機能して保持容量を構成することが
好ましい。このような液晶装置では、中継導電膜は、走
査線と同一層で形成された層からなる容量電極と誘電体
層を介して少なくとも部分的に対向配置され、容量電極
として機能して保持容量を構成しているので、画素電極
に接続された蓄積容量を構築することができる。したが
って、蓄積容量を、容量電極の上側と下側の両側に立体
的に構築できるので、限られた遮光領域を有効に効率よ
く利用して蓄積容量を増大させることができる。

【００４３】また、上記の液晶装置においては、電圧無
印加時における前記液晶層のツイスト角が９０°のＴＮ
（Twisted Nematic）モードの透過型若しくは反射型液
晶装置に好適に適用することができ、第２の基板が、一
方の表面に光吸収型若しくは光反射型の偏光子を具備
し、前記光反射体の延在方向が、前記偏光子の偏光軸に
対して略平行若しくは略垂直であるものとすることによ
り、表示を行うことができる。なお、本発明の液晶装置
をＴＮモードに適用した時の表示機構については「発明
の実施の形態」の項において詳述する。

【００４４】また、本発明を透過型液晶装置に適用する
場合には、第２の基板には、共通電極が備えられ、前記
共通電極が、構造複屈折体として機能し、前記液晶層に
入射する光の波長よりも小さいピッチでストライプ状に
配列された複数の光反射体と、複数の光反射体を電気的
に導通する導通電極とを具備して構成されていることが
好ましい。このような液晶装置とすることにより、透過
型液晶装置を構成する第１の基板および第２の基板上に
形成された電極の少なくとも大部分をＩＴＯ以外の材料
によって構成することができるので、ＩＴＯの分解に起
因する画質劣化の問題を一層低減することができる。

【００４５】上記の本発明の液晶装置を用いることによ
り、以下の本発明の投射型表示装置を提供することがで
きる。本発明の投射型表示装置は、光源と、前記光源か
らの光を変調する上記本発明の液晶装置からなる光変調
手段と、前記光変調手段により変調された光を投射する
投射手段とを備えたことを特徴とする。本発明の投射型
液晶装置は、本発明の液晶装置を光変調手段として備え
たものであるので耐久性に優れたものとなる。

【００４６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。「第１実施形態」まず、本発明の第１実施形態における
液晶装置の構成について、図面を参照して説明する。本
実施形態では、本発明の液晶装置の一例として、表示モ
ードとしてＴＮモードを採用した透過型液晶装置を説明
する。本発明の液晶装置では、構造複屈折体として機能
する画素電極の構成が特に特徴的なものとなっている。

【００４７】図１は、液晶装置の画像表示領域を構成す
るマトリクス状に形成された複数の画素における各種素
子、配線等の等価回路である。図２は、データ線、走査
線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接
する複数の画素群の平面図である。図３は、図２のＡ−
Ａ’断面図である。なお、図３においては、図示上側が
光入射側、図示下側が視認側（観察者側）である場合に
ついて図示している。また、図４は、本実施形態の透過
型液晶装置に備えられた画素電極とデータ線と容量線と
を取り出して示した平面図であり、画素電極と遮光領域
との重なり合いを説明するための図である。なお、図４
においては、図面を見やすくするために、画素電極を構
成する光反射体を省略して図示している。また、図５
は、本実施形態の透過型液晶装置に備えられた画素電極
を１個のみを取り出して示した平面図である。なお、各
図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度
の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならし
めてある。

【００４８】図１において、本実施形態における液晶装
置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された
複数の画素には夫々、画素電極９と当該画素電極９をス
イッチング制御するためのＴＦＴ（Thin-Film Transist
or）素子３０（特許請求の範囲における「薄膜トランジ
スタ」に相当する。）とが形成されており、画像信号が
供給されるデータ線６ａがＴＦＴ素子３０のソース領域
に電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画
像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給
しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士
に対して、グループ毎に供給するようにしても良い。

【００４９】また、ＴＦＴ素子３０のゲートには、走査
線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミング
で、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、
Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されてい
る。画素電極９は、ＴＦＴ素子３０のドレインに電気的
に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ素子
３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、
データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、
Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。画素電極９を介し
て液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ
２、…、Ｓｎは、対向基板（後述する）に形成された共
通電極（後述する）との間で一定期間保持される。

【００５０】ここで、保持された画像信号がリークする
のを防ぐために、画素電極９と共通電極との間に形成さ
れる液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。

【００５１】図２に示すように、ＴＦＴアレイ基板上
に、矩形状の画素電極９（点線部９Ａにより輪郭が示さ
れている）が複数、マトリクス状に設けられており、画
素電極９の縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａおよび
走査線３ａが設けられている。なお、上述したように、
本実施形態では、画素電極９により構造複屈折体が構成
されており、画素電極９の平面構造も特殊なものである
が、画素電極９の詳細な構造については後述する。

【００５２】また、半導体層１ａのうち、図２中右上が
りの斜線領域で示したチャネル領域１ａ’に対向するよ
うに走査線３ａが配置されており、走査線３ａはゲート
電極として機能する。なお、走査線３ａとしては、ポリ
シリコンやアモルファスシリコン、単結晶シリコン膜等
のシリコン膜や、ポリサイドやシリサイドを用いてもよ
い。

【００５３】図２および図３に示すように、本実施形態
では、蓄積容量７０は、ＴＦＴ素子３０の高濃度ドレイ
ン領域１ｅと画素電極９とに電気的に接続された画素電
位側容量電極としての中継導電膜７１ａと、固定電位側
容量電極としての容量線３００（特許請求の範囲におけ
る「遮光膜」に相当する。）の一部とが、誘電体膜７５
を介して対向配置されることにより形成されている。ま
た、蓄積容量７０は、遮光膜としての機能も有してい
る。

【００５４】中継導電膜７１ａは、導電性のポリシリコ
ン膜などからなり、容量線３００を構成する第２膜７３
と比較して光吸収性が高く、第２膜７３とＴＦＴ素子３
０との間に配置された光吸収層としての機能を持つ。さ
らに、中継導電膜７１ａは、画素電極９とＴＦＴ素子３
０との導通を中継する機能を果たす。

【００５５】また、容量線３００は、第１膜７２と第２
膜７３とが積層形成された多層膜からなり、それ自体が
遮光膜として機能するものである。第１膜７２は、第２
膜７３とＴＦＴ素子３０との間に配置された光吸収層と
しての機能を持ち、例えば、膜厚５０ｎｍ〜１５０ｎｍ
程度の導電性のポリシリコン膜や非晶質、単結晶からな
るシリコン膜等からなる。

【００５６】また、第２膜７３は、ＴＦＴ素子３０の上
側において入射光からＴＦＴ素子３０を遮光する遮光層
としての機能を持ち、例えば、膜厚１５０ｎｍ程度のＴ
ｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｂ等の高融点金属のうち
の少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサ
イド、ポリシリサイドや、これらを積層したもの、ある
いは、Ａｌ等の高融点金属でない金属などからなる。な
お、第２膜７３は、導電性を有する必要はないが、導電
性を有する材料によって形成すれば、容量線３００をよ
り低抵抗化できる。

【００５７】また、中継導電膜７１ａと容量線３００と
の間には、図３に示すように、誘電体膜７５が配置され
ている。誘電体膜７５は、例えば、膜厚５〜２００ｎｍ
程度の比較的薄い酸化シリコン膜や、窒化シリコン膜、
窒化酸化膜、あるいは、それらの積層膜から構成され
る。なお、誘電体膜７５は、蓄積容量７０を増大させる
観点から、膜の信頼性が十分に得られる限りにおいて薄
い程良い。

【００５８】また、容量線３００は、平面的に見て、走
査線３ａに沿ってストライプ状に伸びる本線部分を含
み、この本線部分からＴＦＴ素子３０に重なる個所が、
図２中上下に突出している。そして、図２中縦方向に夫
々伸びるデータ線６ａと図２中横方向に夫々伸びる容量
線３００とが交差する領域に、ＴＦＴアレイ基板１０上
におけるＴＦＴ素子３０が配置されている。即ち、ＴＦ
Ｔ素子３０は、対向基板側から見て、データ線６ａと容
量線３００とにより二重に覆われている。そして、相交
差するデータ線６ａと容量線３００とにより、平面的に
見て格子状の遮光層が構成されており、各画素の開口領
域を規定している。

【００５９】また、ＴＦＴアレイ基板１０上におけるＴ
ＦＴ素子３０の下側には、上述した第２膜７３と同様の
材質などからなる下側遮光膜１１ａが格子状に設けられ
ている。下側遮光膜１１ａは、容量線３００およびデー
タ線６ａの幅よりも狭く形成され、容量線３００および
データ線６ａよりも一回り小さく形成されている。そし
て、ＴＦＴ素子３０のチャネル領域１ａは、低濃度ソー
ス領域１ｂおよび低濃度ドレイン領域１ｃとの接合部を
含めて、下側遮光膜１１ａの交差領域内に位置する。な
お、下側遮光膜１１ａの内面には、光吸収層を設けても
よい。このように構成すれば、下側遮光膜１１ａの内面
に到達する斜めの入射光や、これに起因する内面反射光
或いは多重反射光を、下側遮光膜１１ａで吸収除去する
ことが可能となる。

【００６０】また、容量線３００は、画素電極９が配置
された画像表示領域からその周囲に延設され、定電位源
と電気的に接続されて、固定電位とされる。定電位源と
しては、ＴＦＴ素子３０を駆動するための走査信号を走
査線３ａに供給するための走査線駆動回路（後述する）
や、画像信号をデータ線６ａに供給するサンプリング回
路を制御するデータ線駆動回路（後述する）に供給され
る正電源や負電源の定電位源でもよいし、対向基板２０
の共通電極２１に供給される定電位でも構わない。さら
に、下側遮光膜１１ａについても、その電位変動がＴＦ
Ｔ素子３０に対して悪影響を及ぼすことを避けるため
に、容量線３００と同様に、画像表示領域からその周囲
に延設して定電位源に接続するとよい。

【００６１】図２および図３に示すように、データ線６
ａは、コンタクトホール８１を介して中継接続用の中継
導電膜７１ｂに接続されており、中継導電膜７１ｂは、
コンタクトホール８２を介して、例えばポリシリコン膜
からなる半導体層１ａのうち高濃度ソース領域１ｄに電
気的に接続されている。なお、中継導電膜７１ｂは、中
継導電膜７１ａと同一膜から同時形成される。また、画
素電極９は、中継導電膜７１ａを中継することにより、
コンタクトホール８３およびコンタクトホール８を介し
て、半導体層１ａのうち高濃度ドレイン領域１ｅと電気
的に接続されている。

【００６２】このように中継導電膜７１ａ、７１ｂを中
継層として利用すれば、層間距離が例えば１０００ｎｍ
〜２０００ｎｍ程度に長くても、両者間を一つのコンタ
クトホールで接続する技術的困難性を回避しつつ、比較
的小径の二つ以上の直列なコンタクトホールで両者間を
良好に接続でき、画素開口率を高めることが可能とな
る。また、コンタクトホール開孔時におけるエッチング
の突き抜け防止にも役立つ。

【００６３】図２および図３に示すように、本実施形態
の液晶装置は、透明なＴＦＴアレイ基板１０と、これに
対向配置される透明な対向基板２０とを備えている。Ｔ
ＦＴアレイ基板１０において、基板本体１０Ａは、例え
ば石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなる、ま
た、対向基板２０において、基板本体２０Ａは、例えば
ガラス基板や石英基板からなる。

【００６４】ＴＦＴアレイ基板１０の基板本体１０Ａに
は、平面的に見て格子状の溝１０ｃｖが掘られている
（図２中右下がりの斜線領域で示されている）。走査線
３ａ、データ線６ａ、ＴＦＴ素子３０等の配線や素子等
は、この溝１０ｃｖ内に埋め込まれている。これによ
り、配線、素子等が存在する領域と存在しない領域との
間における段差が緩和されており、最終的には段差に起
因した液晶の配向不良等の画像不良を低減できる。

【００６５】図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０
には、画素電極９が設けられており、その上側には、ラ
ビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が
設けられている。配向膜１６は、例えば、ポリイミド膜
などの有機膜からなる。また、ＴＦＴアレイ基板１０の
基板本体１０Ａの液晶層５０と反対側には、偏光子１７
が設けられている。

【００６６】他方、対向基板２０には、基板本体２０Ａ
上の全面に渡って共通電極２１が設けられ、共通電極２
１の下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施さ
れた配向膜２２が設けられている。共通電極２１は、例
えば、ＩＴＯ膜などの透明導電性膜からなる。また配向
膜２２は、ポリイミド膜などの有機膜からなる。また、
対向基板２０の基板本体２０Ａの液晶層５０と反対側に
は、偏光子２４が形成されている。

【００６７】また、対向基板２０には、ブラックストラ
イプ（ＢＳ）と呼ばれるストライプ状の遮光膜やブラッ
クマトリクス（ＢＭ）と呼ばれる格子状の遮光膜を設け
るようにしてもよい。このような構成を採ることで、対
向基板２０上の遮光膜によって、上述した遮光層を構成
する容量線３００およびデータ線６ａと共に、対向基板
２０側からの入射光がチャネル領域１ａ’や低濃度ソー
ス領域１ｂおよび低濃度ドレイン領域１ｃに侵入するの
を、より確実に阻止することができる。さらに、対向基
板２０上に設けられる遮光膜は、少なくとも入射光が照
射される面を高反射な膜で形成することにより、液晶装
置の温度上昇を防ぐ働きをする。なお、対向基板２０上
に遮光膜を設ける場合、平面的に見て容量線３００とデ
ータ線６ａとからなる遮光層の内側に位置するように形
成することが好ましい。これにより、対向基板２０上に
設けられた遮光膜によって、各画素の開口率が低められ
ることなく、上述したように遮光および温度上昇防止の
効果が得られる。

【００６８】このように構成され、画素電極９と共通電
極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ基板
１０と対向基板２０との間には、後述のシール材により
囲まれた空間に液晶が封入され、液晶層５０が形成され
る。液晶層５０は、画素電極９からの電界が印加されて
いない状態で、配向膜１６および２２により所定の配向
状態をとる。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種
類のネマティック液晶を混合した液晶からなる。シール
材は、ＴＦＴアレイ基板１０および対向基板２０をそれ
らの周辺で貼り合わせるためのものであり、例えば光硬
化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤からなり、両基
板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或い
はガラスビーズ等のギャップ材が混入されている。

【００６９】さらに、画素スイッチング用ＴＦＴ素子３
０の下には、下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶
縁膜１２は、下側遮光膜１１ａからＴＦＴ素子３０を層
間絶縁する機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形
成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研
磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッ
チング用ＴＦＴ素子３０の特性の変化を防止する機能を
有する。

【００７０】また、図３において、画素スイッチング用
ＴＦＴ素子３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構
造を有しており、走査線３ａ、当該走査線３ａからの電
界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル
領域１ａ’、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲ
ート絶縁膜を含む絶縁薄膜２、半導体層１ａの低濃度ソ
ース領域１ｂおよび低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層
１ａの高濃度ソース領域１ｄ並びに高濃度ドレイン領域
１ｅを備えている。走査線３ａ上には、高濃度ソース領
域１ｄへ通じるコンタクトホール８２および高濃度ドレ
イン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８３が各々開孔
された第１層間絶縁膜４１が形成されている。第１層間
絶縁膜４１上には中継導電膜７１ａおよび７１ｂ並びに
容量線３００が形成されており、これらの上には、中継
導電膜７１ａおよび７１ｂへ夫々通じるコンタクトホー
ル８１およびコンタクトホール８が各々開孔された第２
層間絶縁膜４２が形成されている。

【００７１】さらに、第２層間絶縁膜４２上には、デー
タ線６ａが形成されており、これらの上には、中継導電
膜７１ａへ通じるコンタクトホール８が形成された第３
層間絶縁膜４３が形成されている。画素電極９は、この
ように構成された第３層間絶縁膜４３の上面に設けられ
ている。

【００７２】以上のように構成された本実施形態によれ
ば、対向基板２０Ａ側からＴＦＴ素子３０のチャネル領
域１ａ’およびその付近に入射しようとする入射光は、
データ線６ａおよび容量線３００を構成する第２膜７３
で遮光される。他方、ＴＦＴアレイ基板１０側から、Ｔ
ＦＴ素子３０のチャネル領域１ａ’およびその付近に入
射しようとする戻り光は、下側遮光膜１１ａで遮光され
る。また、第２膜７３とＴＦＴ素子３０との間に入った
光は、中継導電膜７１ａと第１膜７２で吸収される。

【００７３】例えば、ＴＦＴ素子３０に面する側の表面
に斜めの戻り光が入射することにより発生する内面反射
光や多重反射光などを、対向基板２０Ａ上に設けられる
遮光膜のように、ＴＦＴ素子３０から層間距離を隔てて
遮光するのでは、遮光効果は低い。これに比べて第１実
施形態では、半導体層１ａとの層間距離が比較的小さく
なるように配置できる容量線３００およびデータ線６ａ
並びに下側遮光膜１１ａによってＴＦＴ素子３０を遮光
することができる。また、内面反射光、多重反射光など
は、光吸収層としての第１膜７２および中継層７１ａに
より吸収除去される。これらの結果、ＴＦＴ素子３０の
特性が光リークにより劣化することは殆ど無くなり、非
常に高い耐光性が得られる。

【００７４】さらに、第１膜７２および中継層７１ａを
チャネル領域１ａ’と同一の主材料で形成することで、
第１膜７２および中継層７１ａの光吸収特性とチャネル
領域１ａ’の光吸収特性とが類似或いは同一になり、第
１膜７２および中継層７１ａによりチャネル領域１ａ’
で吸収されて光リークの原因となる周波数成分を中心と
して光を吸収除去することができ、光吸収性効果を高め
ることができる。

【００７５】（画素電極）ここで、図３〜図５に基づい
て、画素電極９の構造について詳述する。図５に示すよ
うに、各画素電極９は、ストライプ状に配列された複数
の光反射体９ａと、コンタクトホール８を通り、光反射
体９ａと交差して、光反射体９ａを電気的に導通する導
通電極９ｃとを具備する構造になっている。これによっ
て、各画素電極９には、多数のスリット状の開孔部９ｂ
が形成されている。また、各画素電極９は、コンタクト
ホール８を介して中継導電膜７１ａと電気的に接続され
ている。

【００７６】なお、図５においては、光反射体９ａの幅
およびピッチを大きく図示しているが、光反射体９ａ
は、液晶層５０に入射する光の波長よりも小さいピッチ
で多数配列されている。具体的には、例えば、光反射体
９ａの幅は５０〜９０ｎｍ、ピッチは１００〜１５０ｎ
ｍに設定される。また、上述したように、光反射体９ａ
は、微細なピッチで配列され、開孔部９ｂは非常に微細
であるため、全体として見れば、画素電極９の電極とし
ての機能は、開孔部のない画素電極とほとんど変わらな
い。

【００７７】図４および図５に示すように、画素電極９
を構成する導通電極９ｃは、画素電極９全体における面
積の割合が小さいものである。また、導通電極９ｃは、
図４に示すように、画素電極９ｃと中継導電膜７１ａと
を電気的に接続するコンタクトホール８を形成するため
に必要な領域を除いて、図４中右上がりの斜線領域で示
した遮光領域３６０と平面的に重なる領域に形成され、
導通電極９ｃの大部分が遮光領域３６０と平面的に重な
る領域に形成されている。遮光領域３６０は、液晶装置
に入射した光が遮光される領域のことであり、本実施形
態においては、コンタクトホール８を形成するための領
域を避けて設けられた容量線３００と、コンタクトホー
ル８１、８２を形成するために容量線３００が途切れて
いる個所におけるデータ線６ａとにより、格子状に規定
されている。

【００７８】光反射体９ａは、光反射性を有する導電性
材料、例えば、アルミニウム、銀、銀合金等により構成
されている。導通電極９ｃは、光反射体９ａと同一材料
で構成しても良いが、光反射体９ａを電気的に導通する
ために設けられるものであるので、光反射性を有しない
導電性材料により構成することもできる。光反射性を有
しない導電性材料としては、ＩＴＯ等の透明導電性材料
や、クロム等の光吸収性材料を例示することができる。

【００７９】導通電極９ｃをＩＴＯ等の透明導電性材料
により構成する場合には、画素の開口率を向上すること
ができ、表示の明るさを向上することができるので、好
適である。なお、画素電極９の大部分は光反射体９ａに
より構成されており、画素電極９全体における導通電極
９ｃの割合は小さいため、導通電極９ｃをＩＴＯにより
構成しても、ＩＴＯの分解に起因した画質劣化の問題が
生じる恐れは極めて小さい。

【００８０】また、本実施形態において、光反射体９ａ
は、データ線６ａの延在方向に対して略平行方向に延在
している。しかしながら、光反射体９ａの延在方向はこ
れに限定されるものではなく、偏光子２４の偏光軸や電
圧無印加時における液晶層５０の配向状態によって適宜
設定される。

【００８１】また、図５に示すように、隣接する光反射
体９ａ間、すなわち開孔部９ｂには配向膜１６の一部が
充填されている。そして、各光反射体９ａは光反射性材
料からなるのに対し、配向膜１６はポリイミド等の高分
子材料や酸化シリコン等の無機材料からなり、光反射体
９ａよりも屈折率の低い、透光性を有する材料により構
成されている。

【００８２】このように、画素電極９を液晶層５０に入
射する光の波長よりも小さいピッチでストライプ状に配
列された多数の光反射体９ａにより構成するとともに、
隣接する光反射体９ａ間には、光反射体９ａよりも屈折
率の低い材料からなる配向膜１６の一部を充填する構成
とすることにより、画素電極９を構造複屈折体とするこ
とができる。そして、画素電極９に入射した光のうち、
光反射体９ａの延在方向に対して略平行方向に振動する
偏光については反射させ、光反射体９ａの延在方向に対
して略垂直方向に振動する偏光については透過させるこ
とができ、画素電極９を偏光子として機能させることが
できる。

【００８３】また、光反射体９ａの屈折率と配向膜１６
の屈折率の差は大きい程、光反射体９ａのピッチは小さ
い程好ましく、このような構造とすることにより、画素
電極９における消光比を大きくすることができるので、
コントラストに優れた透過型液晶装置を提供することが
できる。

【００８４】しかしながら、光反射体９ａのピッチを小
さくする程、製造が困難になるため、本実施形態では、
光反射体９ａのピッチを、液晶層５０に入射する光の波
長よりも小さく、かつ、安定して形成できる範囲に設定
するとともに、ＴＦＴアレイ基板１０の液晶層５０と反
対側に、さらに偏光子１７を設け、視認側に２種類の偏
光子を設ける構成としている。ただし、光反射体９ａの
ピッチを微小にしても安定して形成することができ、画
素電極９における消光比を大きくすることができる場合
には、偏光子１７を設けなくても良い。

【００８５】なお、上記構造とすることにより、画素電
極９を構造複屈折体とすることができ、偏光子として機
能させることができる理由、および光反射体９ａの屈折
率と配向膜１６の屈折率の差は大きい程、光反射体９ａ
のピッチは小さい程好ましい理由については、先の「課
題を解決するための手段」の項で述べたので、説明を省
略する。

【００８６】また、本実施形態では、各画素電極９にお
いて、隣接する光反射体９ａ間、すなわち開孔部９ｂに
配向膜１６の一部を充填する構成としたが、本発明は、
これに限定されるものではなく、光反射体９ａよりも屈
折率の低い材料であれば、開孔部９ｂにいかなる材料を
充填しても良い。なお、開孔部９ｂに充填する材料とし
ては、固体、液体、気体を問わない。

【００８７】また、画素電極９は、構造複屈折体として
機能し、液晶層５０に入射する光の波長よりも小さいピ
ッチでストライプ状に配列された複数の光反射体９ａ
と、複数の光反射体９ａを電気的に導通する導通電極と
を備えたものであれば、いかなる構造を有するものであ
ってもよく、例えば、図８および図９に示すように、導
通電極９ｃにおけるコンタクトホール８の近傍に位置す
る部分を、部分的に拡幅させて形成したものであっても
よい。

【００８８】図８および図９は、画素電極の他の例を説
明するための図であり、図５と同様に、１個の画素電極
のみを取り出して示した平面図である。なお、図８およ
び図９においては、図５の光反射体３ａよりも光反射体
９ａを細く直線状に図示している。

【００８９】画素電極９を構成する導通電極９ｃとして
は、コンタクトホール８の近傍に位置する部分を、部分
的に拡幅させて形成することが好ましく、例えば、図８
に示すように、図５に示した画素電極９を構成する導通
電極９ｃを、コンタクトホール８の近傍に位置する部分
のみ、幅方向に均等に拡幅させてもよいし、図９に示す
ように、導通電極９ｃを、光反射体９ａの一方の端部に
おいて光反射体９ａと交差し、画素電極９の輪郭に沿っ
て帯状に形成されたものとし、コンタクトホール８の近
傍に位置する部分のみを、画素電極９の内側方向に向か
って拡幅させたものとしてもよい。

【００９０】図３に示すように、導通電極９ｃのコンタ
クトホール８が形成されている部分は、凹部となってい
るため、コンタクトホール８の内壁等には、導通電極９
ｃを形成することが難しく、光反射体９ａと導通電極９
ｃとが部分的に断線してしまう恐れがあるが、図８およ
び図９に示すように、コンタクトホール８の近傍に位置
する導通電極９ｃを部分的に拡幅させることにより、光
反射体９ａと導通電極９ｃとが断線することを防止する
ことができる。

【００９１】また、図９に示すように、導通電極９ｃ
を、画素電極９の輪郭に沿って帯状に形成されたものと
し、コンタクトホール８の近傍に位置する部分のみを、
画素電極９の内側方向に向かって拡幅させた場合には、
遮光領域３６０は、コンタクトホール８を形成するため
の領域を避けて形成する必要はない。

【００９２】なお、各画素電極９は、液晶層５０に入射
する光の波長よりも小さいピッチでストライプ状に配列
された多数の光反射体９ａと、すべての光反射体９ａを
電気的に導通する導通電極９ｃを具備するものであれ
ば、いかなる構造を有するものであってもよい。具体的
には、例えば、導通電極９ｃが、光反射体９ａの両端部
において光反射体９ａと交差し、画素電極９の輪郭に沿
ってロ字状やコの字状に形成されたものとしてもよい。

【００９３】（製造方法）次に、上述した構造の画素電
極９を形成する場合を例として、図１０〜図１２に基づ
いて、画素電極９を３段階のフォトリソグラフィー法に
より形成する方法について説明する。なお、図１０〜図
１２は、形成途中の１個の画素電極およびその近傍を取
り出して示す平面図であり、図５に相当する図である。
また、図１０〜図１２においては、最終的に形成する画
素電極９の輪郭を符号９Ａで示している。

【００９４】図１０は、画素電極を３段階のフォトリソ
グラフィー法により形成する第１の方法を説明するため
の平面図である。まず、図１０（ａ）に示すように、第
３層間絶縁膜４３が形成されたＴＦＴアレイ基板１０上
の全面に、スパッタリング法等により導通電極材料を堆
積し、導通電極形成用導電性薄膜を成膜した後、フォト
リソグラフィー法を用いてパターニングすることによ
り、各画素に導通電極９ｃを形成する。

【００９５】次に、図１０（ｂ）に示すように、ＴＦＴ
アレイ基板１０の全面に、スパッタリング法等により光
反射体材料を堆積し、光反射体形成用導電性薄膜を成膜
した後、フォトリソグラフィー法を用いてパターニング
することにより、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に、スト
ライプ状に配列された光反射体９ａを形成する。最後
に、図１０（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィー
法を用いて光反射体９ａをパターニングし、隣接する画
素電極９間に形成された光反射体９ａを除去することに
より、光反射体９ａと導通電極９ｃとを具備する画素電
極９を形成することができる。

【００９６】また、図１１は、画素電極を３段階のフォ
トリソグラフィー法により形成する第２の方法を説明す
るための平面図である。はじめに、図１１（ａ）に示す
ように、第１の方法と同様に、第３層間絶縁膜４３が形
成されたＴＦＴアレイ基板１０上の各画素に導通電極９
ｃを形成する。次に、図１１（ｂ）に示すように、ＴＦ
Ｔアレイ基板１０の全面に、スパッタリング法等により
光反射体材料を堆積し、光反射体形成用薄膜９１を成膜
した後、フォトリソグラフィー法を用い、光反射体形成
用薄膜９１を各画素の形状にパターニングする。最後
に、図１１（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィー
法を用いて光反射体形成用導電性薄膜９１をパターニン
グし、各画素に、ストライプ状に配列された光反射体９
ａを形成することにより、光反射体９ａと導通電極９ｃ
とを具備する画素電極９を形成することができる。

【００９７】なお、上記の第１の方法および第２の方法
では、図１０（ｂ）または図１１（ｂ）に示した工程に
おいて、光反射体形成用薄膜をエッチングする際に、除
去したい部分の光反射体形成用薄膜のエッチングを完全
に行うため、多少オーバーエッチングする必要がある。
このとき、光反射体９ａと導通電極９ｃとが同一材料か
らなる場合には、光反射体形成用薄膜のみならず、導通
電極９ｃまで大きくエッチングされる可能性がある。し
かしながら、第３層間絶縁膜４３の表面が露出した時点
をエッチングの終点とすれば、光反射体形成用薄膜の膜
厚に略等しい膜厚分だけエッチングすることになるの
で、導通電極９ｃが大きくエッチングされることを防止
することができる。また、光反射体９ａと導通電極９ｃ
とが異なる材料からなる場合には、導通電極９ｃは、光
反射体形成用薄膜をエッチングするエッチングガスやエ
ッチング液でエッチングされないので、エッチングスト
ッパとして機能する。したがって、導通電極９ｃの表面
が露出した時点で、光反射体形成用薄膜のエッチングは
自然終結し、導通電極９ｃが大きくエッチングされる恐
れはない。

【００９８】また、導通電極９ｃがアルミニウムからな
る場合には、導通電極９ｃを形成した後、光反射体材料
をスパッタリングするまでの間に、ＴＦＴアレイ基板１
０を窒素等の不活性雰囲気下に置いておくことが好まし
い。アルミニウムからなる導通電極９ｃを空気雰囲気下
等に置くと、アルミニウムが自然酸化されて酸化アルミ
ニウムとなり、導通電極９ｃと光反射体９ａとの導通性
が低下する恐れがあるため、好ましくない。

【００９９】また、図１２は、画素電極を３段階のフォ
トリソグラフィー法により形成する第３の方法を説明す
るための平面図である。はじめに、図１２（ａ）に示す
ように、第３層間絶縁膜７が形成されたＴＦＴアレイ基
板１０上の全面に、スパッタリング法等により光反射体
材料を堆積し、光反射体形成用導電性薄膜を成膜した
後、フォトリソグラフィー法を用いてパターニングする
ことにより、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に、ストライ
プ状に配列された光反射体９ａを形成する。

【０１００】次に、図１２（ｂ）に示すように、ＴＦＴ
アレイ基板１０の全面に、スパッタリング法等により導
通電極材料を堆積し、導通電極形成用導電性薄膜を成膜
した後、フォトリソグラフィー法を用いてパターニング
することにより、各画素に導通電極９ｃを形成する。最
後に、図１２（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィ
ー法を用いて光反射体９ａをパターニングし、隣接する
画素電極９間に形成された光反射体９ａを除去すること
により、光反射体９ａと導通電極９ｃとを具備する画素
電極９を形成することができる。このように、ＴＦＴア
レイ基板１０の全面に光反射体９ａを形成した後、導通
電極９ｃを形成しても、光反射体９ａと導通電極９ｃと
を具備する画素電極９を形成することができる。

【０１０１】なお、上記の第３の方法においては、光反
射体９ａと導通電極９ｃとが同一材料からなる場合に
は、図１２（ｂ）に示した工程において、導通電極形成
用薄膜をエッチングする際に、光反射体９ａまで大きく
エッチングされてしまう可能性があるが、第１の方法お
よび第２の方法と同様に、導通電極形成用薄膜をエッチ
ングする際に、第３層間絶縁膜４３の表面が露出した時
点をエッチングの終点とすれば、光反射体９ａが大きく
エッチングされることを防止することができる。ただ
し、このような制御が難しく、光反射体９ａが大きくエ
ッチングされる恐れがある場合には、光反射体９ａの反
射率が低下して構造複屈折体としての性能が低下する問
題や、画素電極９の抵抗が増大する問題などが発生する
ため、このような恐れのない第１の方法や第２の方法を
採用することが好ましい。

【０１０２】また、本実施形態においては、構造複屈折
体である画素電極９を形成する方法として、３段階のフ
ォトリソグラフィー法により形成する場合について説明
したが、上記の構成を有する画素電極９を得ることがで
きればどのような方法で形成してもよく、例えば１段階
のフォトリソグラフィー法で形成してもよく、上記の方
法に限定されるものではない。

【０１０３】また、本実施形態においては、各画素電極
９を構成する光反射体９ａと導通電極９ｃとを別々に形
成する方法について説明したが、光反射体９ａと導通電
極９ｃとを一体形成しても良い。この場合、製造プロセ
スの簡略化を図ることができると共に、画素電極９全体
がＩＴＯ以外の材料により構成されることになり、ＩＴ
Ｏの分解に起因した画質劣化の問題を一層低減すること
ができる。

【０１０４】（表示機構）次に、図６に基づいて、上記
構造を有する本実施形態の透過型液晶装置の表示機構に
ついて説明する。図６は、本実施形態の液晶装置の概略
断面図であって、ＴＦＴアレイ基板１０を構成する基板
本体１０Ａと偏光子１７と画素電極９、対向基板２０を
構成する基板本体２０Ａと偏光子２４、および液晶層５
０のみを取り出して示す断面図であり、図示左半分が電
圧無印加時、図示右半分が電圧印加時の状態を示してい
る。なお、本明細書において、「電圧無印加時」、「電
圧印加時」とは、それぞれ「液晶層への印加電圧が液晶
のしきい値電圧未満である時」、「液晶層への印加電圧
が液晶のしきい値電圧以上である時」を意味しているも
のとする。

【０１０５】本実施形態において、対向基板２０側、す
なわち、光入射側に設けられた偏光子２４を、Ｓ偏光
（紙面に対して垂直方向に振動する偏光）のみを透過
し、それ以外の偏光を吸収する光吸収型偏光子により構
成する。また、各画素電極９において、光反射体９ａ
を、その延在方向が偏光子２４の偏光軸に対して略平行
になるように配列させる。各画素電極９において光反射
体９ａをこのように配列させることにより、画素電極９
を、光反射体９ａの延在方向に対して略平行方向に振動
するＳ偏光を反射し、光反射体９ａの延在方向に対して
略垂直方向に振動するＰ偏光（図示左右方向に振動する
偏光）を透過する構造とすることができる。また、ＴＦ
Ｔアレイ基板１０側の偏光子１７を、Ｐ偏光（図示左右
方向に振動する偏光）のみを透過し、それ以外の偏光を
吸収する光吸収型偏光子により構成する。

【０１０６】さらに、本実施形態では、ＴＮモードを採
用しているため、電圧無印加時の液晶層５０のツイスト
角が９０°に設定されるが、電圧無印加時の対向基板２
０側の液晶分子の配向方向を偏光子２４の偏光軸に対し
て略平行方向、すなわち、紙面に対して垂直方向に設定
し、ＴＦＴアレイ基板１０側の液晶分子の配向方向をそ
れよりも９０°ずれた、図示左右方向に設定する。

【０１０７】以上のような構成を採用した場合に、入射
側の偏光子２４を透過する偏光、液晶層５０入射時およ
び出射時の偏光、液晶層５０から出射された光が構造複
屈折体である画素電極９を透過するかどうかおよび表示
の色（明るさ）について、電圧無印加時と電圧印加時と
についてそれぞれまとめて表１に記載する。

【０１０８】

【表１】

【０１０９】上記構成を採用した場合、図６および表１
に示すように、電圧無印加時においては、対向基板２０
側から入射した光のうち、紙面に対して垂直方向に振動
するＳ偏光のみが偏光子２４を透過し、液晶層５０に入
射する。液晶層５０に入射したＳ偏光は、９０°ツイス
トされて配列された液晶分子の長軸方向に沿って、偏光
方向が変化し、液晶層５０を出射する際には、Ｓ偏光に
対して９０°ずれたＰ偏光に変換される。そして、液晶
層５０から出射されたＰ偏光は、構造複屈折体である画
素電極９、偏光子１７を透過して、観察者側に出射さ
れ、視認される。したがって、電圧無印加時には白
（明）表示になる。

【０１１０】これに対して、電圧印加時においては、液
晶層５０内の液晶分子が画素電極９と共通電極２１との
間に形成される縦電界に沿って配列を変更するため、液
晶層５０に入射したＳ偏光は偏光方向を変換することな
く、Ｓ偏光のまま出射される。液晶層５０から出射され
たＳ偏光は、構造複屈折体である画素電極９により反射
されるので、観察者側には出射されず、視認されない。
したがって、黒（暗）表示になる。

【０１１１】このように、各画素電極９（構造複屈折
体）において、光反射体９ａの延在方向を光入射側の偏
光子２４の偏光軸に対して略平行とし、視認側の偏光子
１７の偏光軸を偏光子２４の偏光軸に対して略垂直とす
ることにより、表示を行うことができる。

【０１１２】なお、本実施形態の透過型液晶装置は、同
じ構成のまま、光入射側と視認側が同一（対向基板側が
視認側）の反射型液晶装置としても利用することができ
る。本実施形態の透過型液晶装置を反射型液晶装置に適
用する場合には、表１に合わせて記載するように、電圧
無印加時においては、対向基板２０側に光が出射されな
いため、黒（暗）表示となり、電圧印加時においては、
画素電極９により反射されたＳ偏光が観察者側に出射さ
れて視認されるため、白（明）表示となり、表示を行う
ことができる。なお、反射型液晶装置に適用する場合に
は、構造複屈折体である画素電極９は偏光子として機能
せず、液晶層５０に入射した光のうち特定の偏光のみを
反射する選択反射層として機能する。また、ＴＦＴアレ
イ基板１０側の偏光子１７は、不要である。

【０１１３】以上、画素電極９の光反射体９ａの延在方
向が、光入射側の偏光子２４の偏光軸に対して略平行な
場合について説明したが、本発明はこれに限定されるも
のではなく、画素電極９の光反射体９ａの延在方向を、
光入射側の偏光子２４の偏光軸に対して略垂直としても
良い。この場合の表示機構について、図６と同様の図７
を参照して説明する。なお、図７において、図６と同じ
構成要素には同じ参照符号を付し、説明は省略する。

【０１１４】この場合には、例えば、画素電極９の構造
を図６に示した構造とし、光入射側の偏光子２４を、光
反射体９ａの延在方向に対して略垂直な方向に振動する
Ｐ偏光のみを透過する光吸収型偏光子により構成すれば
よい。また、電圧無印加時の対向基板２０側の液晶分子
の配向方向を偏光子２４の偏光軸に対して略平行方向に
設定し、ＴＦＴアレイ基板１０側の液晶分子の配向方向
をそれよりも９０°ずれた方向に設定すればよい。ま
た、ＴＦＴアレイ基板１０側の偏光子１７の偏光軸を偏
光子２４の偏光軸に対して略垂直とすればよい。

【０１１５】以上のような構成を採用した場合に、入射
側の偏光子２４を透過する偏光、液晶層５０入射時およ
び出射時の偏光、液晶層５０から出射された光が構造複
屈折体である画素電極９を透過するかどうかおよび表示
の色（明るさ）について、電圧無印加時と電圧印加時と
についてそれぞれまとめて表２に記載する。

【０１１６】

【表２】

【０１１７】上記構成を採用した場合には、図７および
表２に示すように、電圧無印加時においては、対向基板
２０側から入射した光のうち、Ｐ偏光のみが偏光子２４
を透過し、液晶層５０に入射する。液晶層５０に入射し
たＰ偏光は、９０°ツイストされて配列された液晶分子
の長軸方向に沿って、偏光方向が変化し、液晶層５０を
出射する際には、Ｐ偏光に対して９０°ずれたＳ偏光に
変換される。そして、液晶層５０から出射されたＳ偏光
は、構造複屈折体である画素電極９により反射されて対
向基板２０側に出射される。したがって、透過型で表示
を行う場合には、観察者側に出射されず、黒（暗）表示
となり、反射型で表示を行う場合には、観察者側に出射
され、白（明）表示となる。

【０１１８】これに対して、電圧印加時においては、液
晶層５０内の液晶分子が画素電極９と共通電極２１との
間に形成される縦電界に沿って配列を変更するため、液
晶層５０に入射したＰ偏光は、偏光方向を変換すること
なくＰ偏光のまま出射される。また、液晶層５０から出
射されたＰ偏光は、構造複屈折体である画素電極９およ
び偏光子１７を透過し、ＴＦＴアレイ基板１０側から出
射される。したがって、透過型で表示を行う場合には、
観察者側に出射され、白（明）表示となり、反射型で表
示を行う場合には、観察者側に出射されず、黒（暗）表
示となる。このように、画素電極９の光反射体９ａの延
在方向を光入射側の偏光子２４の偏光軸に対して略垂直
としても、略平行とした場合と白表示、黒表示が反転す
るだけで、全く同様に表示を行うことができる。

【０１１９】なお、本実施形態では、各画素電極９にお
いて、光反射体９ａの延在方向を紙面に対して垂直方向
に設定し、各画素電極９がＳ偏光を反射し、Ｐ偏光を透
過する場合についてのみ説明したが、本発明はこれに限
定されるものではなく、光反射体９ａの延在方向を図示
左右方向に設定しても良い。この場合には、画素電極９
はＳ偏光を透過し、Ｐ偏光を反射する構造となり、同様
に、表示を行うことができる。

【０１２０】以上説明した本実施形態の透過型液晶装置
によれば、以下の効果を得ることできる。光吸収型偏光
子を用いた従来の透過型液晶装置においては、光入射側
に比較して視認側の偏光子の光吸収に起因する劣化が顕
著であった。これに対して、本実施形態では、視認側の
偏光子を構造複屈折体である画素電極９と光吸収型の偏
光子１７の２種類により構成し、さらに、光吸収型の偏
光子１７を構造複屈折体である画素電極９の視認側に設
ける構成とした。

【０１２１】構造複屈折体である画素電極９は、有効屈
折率の差異により、特定の偏光のみを透過し、特定の偏
光のみを反射する機能を有するため、光吸収型偏光子に
比較して吸収される光量は少なく、耐久性に優れる。ま
た、光吸収型の偏光子１７を構造複屈折体である画素電
極９よりも視認側に設ける構成としているため、構造複
屈折体である画素電極９を透過した偏光のみが、光吸収
型の偏光子１７に入射するため、光吸収型の偏光子１７
に吸収される光量は少なく、光吸収型の偏光子１７が劣
化する恐れは少ない。したがって、本実施形態によれ
ば、耐久性に優れた透過型液晶装置を提供することがで
きる。

【０１２２】画素電極９を構成する導通電極９ｃは、画
素電極９全体における面積の割合が小さいものであり、
画素電極９ｃと中継導電膜７１ａとを電気的に接続する
コンタクトホール８を形成するために必要な領域を除い
て、遮光領域３６０と平面的に重なる領域に形成され、
導通電極９ｃの大部分が遮光領域３６０と平面的に重な
る領域に形成されている。その結果、たとえ、導通電極
９ｃが遮光性を有するものであり、導通電極９ｃに遮光
されて開口領域が狭められたとしても、導通電極に遮光
されて狭められる開口領域の面積の割合は、開口領域全
体に対して小さく、導通電極９ｃによって遮光されるこ
とに起因する開口率の低下の問題が生じる恐れは極めて
小さい。また、導通電極９ｃが遮光性を有する場合に
は、コンタクトホール８が形成されている領域が遮光領
域となるので、コンタクトホールが形成されている領域
からのＴＦＴ素子３０の半導体層１ａに入射する光を防
ぐことができる。

【０１２３】また、視認側の偏光子を構造複屈折体であ
る画素電極９と光吸収型の偏光子１７の２種類により構
成することにより、構造複屈折体である画素電極９にお
ける消光比がそれ程大きくなくても、２種類の偏光子を
合わせた消光比を大きくすることができ、コントラスト
に優れた透過型液晶装置を提供することができる。

【０１２４】また、本実施形態では、光入射側、視認側
の偏光子２４、１７をいずれも光吸収型偏光子により構
成したが、本発明はこれに限定されるものではなく、特
定の偏光のみを透過し、それ以外の偏光を反射する光反
射型偏光子により構成しても、本実施形態と同様の効果
を得ることができる。なお、このような構成とした場合
においても、本実施形態では、構造複屈折体である画素
電極９を透過した光のみが視認側の偏光子１７に入射す
るため、偏光子１７により反射される光量は少なく、光
リーク電流に起因するＴＦＴ素子３０のスイッチング特
性の低下の恐れは少ない。

【０１２５】さらに、また、本実施形態では、対向基板
２０上に、ＴＦＴ素子３０への光入射を防止するための
遮光膜が設けられていないので、液晶装置を製造する際
に、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０のアライメン
トが容易になるという効果も得られる。

【０１２６】また、本実施形態では、画素電極９により
構造複屈折体を構成し、構造複屈折体をＴＦＴ素子３０
の半導体層１ａよりも液晶層５０側に配置する構成を採
用しているため、構造複屈折体である画素電極９により
反射された光がＴＦＴ素子３０の半導体層１ａに入射す
ることを防止することができ、光リーク電流に起因する
ＴＦＴ素子３０のスイッチング特性の低下を防止するこ
とができる。

【０１２７】また、本実施形態態の液晶装置によれば、
ＴＦＴ素子３０の上方で、データ線６ａと内蔵遮光膜の
一例たる容量線３００とが交差しているので、これらに
よりＴＦＴ素子３０は二重に遮光される。したがって、
極めて高い透過率が得られる。しかも、ＴＦＴアレイ基
板１０上の積層構造を厚くせず、且つその構造を単純化
することができ、大変有利である。さらに、データ線６
ａに沿った方向（図２で縦方向）に傾斜して斜めにＴＦ
Ｔ素子３０のチャネル領域１ａ’に向かう光は、データ
線６ａによって遮光でき、容量線３００の本線部分に沿
った方向（図２で横方向）に傾斜して斜めにＴＦＴ素子
３０のチャネル領域１ａ’に向かう光は、容量線３００
の本線部分によって遮光できる。

【０１２８】また、本実施形態では、内蔵遮光膜である
容量線３００が、データ線６ａよりも下側に積層され、
データ線６ａとチャネル領域１ａ’との間には、定電位
とされる容量線３００が介在するので、データ線６ａと
チャネル領域１ａ’との間における容量カップリングの
悪影響を低減することができる。

【０１２９】また、上述のように、本実施形態の透過型
液晶装置は、同じ構造のまま反射型液晶装置としても利
用することができ、好適である。

【０１３０】なお、反射型液晶装置については、構造複
屈折体を選択反射層として機能させる場合についてのみ
説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、
光入射側に構造複屈折体を設ける場合には偏光子として
機能させることができ、光入射側の基板と対向する基板
に別途反射層を設ければ、耐久性に優れた反射型液晶装
置を提供することができる。

【０１３１】また、本実施形態では、対向基板側には偏
光子として光吸収型若しくは光反射型の偏光子のみを設
ける構成としたが、図１３に示すように、対向基板につ
いても、共通電極を構造複屈折体により構成し、偏光子
として機能させてもよい。すなわち、図１３に示す液晶
装置においては、共通電極３１が、ストライプ状に配列
された光反射体３１ａと、導通電極（図示略）とを具備
する構造になっている。

【０１３２】上述したように、構造複屈折体は、有効屈
折率の差異により、特定の偏光のみを透過し、特定の偏
光のみを反射する機能を有するため、光吸収型偏光子に
比較して吸収される光量は少なく、耐久性に優れる。し
たがって、図１３に示す液晶装置においては、光入射側
と視認側の双方に構造複屈折体を設け、偏光子として機
能させているので、上記の透過型液晶装置と比較して一
層耐久性に優れた透過型液晶装置となる。

【０１３３】なお、図１３に示す液晶装置においては、
光対向基板２０側に光吸収型や光反射型の偏光子を設け
ない構成としているが、共通電極３１を構成する光反射
体３１ａのピッチを小さくする程、製造が困難になるた
め、光反射体３１ａのピッチを、液晶層５０に入射する
光の波長よりも小さく、かつ、安定して形成できる範囲
に設定するとともに、共通電極３１の液晶層５０側に、
さらに光吸収型若しくは光反射型の偏光子を設け、光入
射側にも２種類の偏光子を設ける構成としても良い。共
通電極３１の液晶層５０側に光吸収型偏光子を設けた場
合においても、構造複屈折体である共通電極３１を透過
した光のみが光吸収型偏光子に入射するため、光吸収型
偏光子に吸収される光量は極めて微少である。また、共
通電極３１の液晶層５０側に光反射型偏光子を設けた場
合においても、光反射型偏光子はＴＦＴ素子３０よりも
光入射側に位置するため、光反射型偏光子により反射さ
れた光がＴＦＴ素子３０のスイッチング特性に影響を及
ぼす恐れもない。

【０１３４】さらに、本発明の液晶装置は、上記の構成
に限定されるものではなく、例えば、対向基板上に遮光
膜を形成する構成としても良い。例えば、図１３に示す
液晶装置において、対向基板上に遮光膜を形成する構成
を適用する場合には、図１４に示すように、対向基板２
０の基板本体２０Ａと共通電極２１との間に遮光膜を形
成すれば良い。

【０１３５】また、対向基板２０に、共通電極とは独立
して、構造複屈折体を設ける構成としても良い。なお、
対向基板２０に、共通電極とは独立して構造複屈折体を
設ける場合には、構造複屈折体を、共通電極よりも液晶
層５０側に設けても良いし、共通電極よりも光入射側に
設けても良い。

【０１３６】また、本実施形態の液晶装置では、蓄積容
量７０の固定電位側電極を含む容量線３００を、内蔵遮
光膜とする構成を採用しているが、蓄積容量７０の画素
電位側電極を内蔵遮光膜として構成することや、画素電
極９とＴＦＴ素子３０とを中継接続する中継層を内蔵遮
光膜として構成することも可能である。いずれの場合に
も、高融点金属膜等の導電性の遮光膜から画素電位側容
量電極或いは中継層を形成すればよい。

【０１３７】さらに、本実施形態の液晶装置では、図３
に示したように多数の導電層を積層することにより、画
素電極９の下地面（即ち、第３層間絶縁膜４３の表面）
におけるデータ線６ａや走査線３ａに沿った領域に段差
が生じるのを、ＴＦＴアレイ基板１０に溝１０ｃｖを掘
ることで緩和しているが、これに変えて又は加えて、下
地絶縁膜１２、第１層間絶縁膜４１、第２層間絶縁膜４
２、第３層間絶縁膜４３に溝を掘って、データ線６ａ等
の配線やＴＦＴ素子３０等を埋め込むことにより平坦化
処理を行ってもよいし、第３層間絶縁膜４３や第２層間
絶縁膜４２の上面の段差をＣＭＰ（Chemical Mechanica
l Polishing）処理等で研磨することにより、或いは有
機ＳＯＧを用いて平らに形成することにより、当該平坦
化処理を行ってもよい。

【０１３８】「第２実施形態」以下、本発明の第２実施
形態における液晶装置の構成について、図面を参照して
説明する。本実施形態においても、構造複屈折体として
機能する画素電極の構成が特に特徴的なものとなってい
る。

【０１３９】図１５は、本実施形態における液晶装置の
データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレ
イ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。図１
６は、図１５のＡ−Ａ’断面図である。なお、図１６に
おいては、図示上側が光入射側、図示下側が視認側（観
察者側）である場合について図示している。また、図１
７は、本実施形態の液晶装置に備えられた画素電極とデ
ータ線と容量電極とを取り出して示した平面図であり、
画素電極と遮光領域との重なり合いを説明するための図
である。なお、図１７においては、図面を見やすくする
ために、画素電極を構成する光反射体を省略して図示し
ている。また、各図においては、各層や各部材を図面上
で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎
に縮尺を異ならしめてある。また、本実施形態において
は、第１実施形態と同様の構成要素については同様の参
照符号を付し、それらの説明については省略する。

【０１４０】また、本実施形態の液晶装置において、画
像表示領域を構成する画素における各種素子、配線等の
等価回路は、第１実施形態と同じであり、第１実施形態
において図１を参照して説明したので、本実施形態にお
いては説明を省略する。なお、図１において、本実施形
態と第１実施形態とで参照符号が異なるものは、本実施
形態での参照符号を括弧内に記載している。

【０１４１】図１５において、液晶装置のＴＦＴアレイ
基板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９
（点線部９Ａにより輪郭が示されている）が設けられて
おり、画素電極９の縦横の境界に各々沿ってデータ線６
ａ、走査線３ａおよび容量線３ｂが設けられている。各
画素電極９は、上述した第１実施形態と同様に、ストラ
イプ状に配列された複数の光反射体９ａと、コンタクト
ホール８を通り、光反射体９ａと交差して、光反射体９
ａを電気的に導通する導通電極９ｃとを具備する構造に
なっている。これによって、各画素電極９には、多数の
スリット状の開孔部９ｂが形成されている。また、各画
素電極９は、中継導電膜の一例を構成する第１バリア層
８０（容量電極）を中継して、第１コンタクトホール８
ａおよび第２コンタクトホール８ｂを介して半導体層１
ａのうち後述のドレイン領域に電気的に接続されてい
る。

【０１４２】また、図１７に示すように、画素電極９を
構成する導通電極９ｃは、図１７中右上がりの斜線領域
で示した遮光領域３８０と平面的に重なる領域に形成さ
れている。遮光領域３８０は、液晶装置に入射した光が
遮光される領域のことであり、本実施形態においては、
データ線６ａと第１バリア層８０と後述する第２バリア
層１８０と、遮光層２３（図１７においては図示略）に
より規定されている。

【０１４３】光反射体９ａは、光反射性を有する導電性
材料、例えば、アルミニウム、銀、銀合金等により構成
されている。導通電極９ｃは、光反射体９ａと同一材料
で構成しても良いが、光反射体９ａを電気的に導通する
ために設けられるものであり、遮光領域３８０と平面的
に重なる領域に形成されているので、光反射性を有しな
い導電性材料により構成することもできる。光反射性を
有しない導電性材料としては、ＩＴＯ等の透明導電性材
料や、クロム等の光吸収性材料を例示することができ
る。

【０１４４】また、図１６に示すように、隣接する光反
射体９ａ間、すなわち開孔部９ｂには、配向膜１６の一
部が充填されている。そして、上述した第１実施形態と
同様に、各光反射体９ａは、光反射性材料からなるのに
対し、配向膜１６は、ポリイミド等の高分子材料や酸化
シリコン等の無機材料からなり、光反射体９ａよりも屈
折率の低い、透光性を有する材料により構成されてい
る。

【０１４５】このように、画素電極９を液晶層５０に入
射する光の波長よりも小さいピッチでストライプ状に配
列された多数の光反射体９ａにより構成するとともに、
隣接する光反射体９ａ間には、光反射体９ａよりも屈折
率の低い材料からなる配向膜１６の一部を充填する構成
とすることにより、画素電極９を構造複屈折体とするこ
とができる。そして、画素電極９に入射した光のうち、
光反射体９ａの延在方向に対して略平行方向に振動する
偏光については反射させ、光反射体９ａの延在方向に対
して略垂直方向に振動する偏光については透過させるこ
とができ、画素電極９を偏光子として機能させることが
できる。

【０１４６】データ線６ａは、コンタクトホール５を介
してポリシリコン膜等からなる半導体層１ａのうちソー
ス領域に電気的に接続されている。

【０１４７】また、半導体層１ａのうちチャネル領域１
ａ’（図中右下りの斜線の領域）に対向するように走査
線３ａが配置されており、走査線３ａはゲート電極とし
て機能する。このように、走査線３ａとデータ線６ａと
の交差する個所には夫々、チャネル領域１ａ’に走査線
３ａがゲート電極として対向配置されたＴＦＴ素子３０
が設けられている。容量線３ｂは、走査線３ａに沿って
ほぼ直線状に伸びる部分と、データ線６ａと交差する箇
所からデータ線６ａに沿って伸びる部分とを有する。

【０１４８】また、図１５において、図中太線で示した
領域には、少なくともＴＦＴ素子３０の下側を通るよう
に、下側遮光膜１１ａが設けられている。

【０１４９】また、本実施形態では、図１５および図１
６に示すように、第１コンタクトホール８ａは、データ
線６ａの下に設けられ、第２コンタクトホール８ｂは、
相隣接するデータ線６ａ間の中央付近における容量線３
ｂ上に設けられている。そして、データ線６ａに沿っ
て、第１バリア層８０と同一膜からなる第２バリア層１
８０（容量電極）が形成されている。第２バリア層１８
０は、容量線３ｂにおけるデータ線６ａに沿って伸びる
部分に重ねられており、第２バリア層１８０と容量線３
ｂとは、データ線６ａの下に設けられたコンタクトホー
ル１８ａにより電気的に接続されている。また、容量線
３ｂは、データ線６ａと交差する領域であり、第１コン
タクトホール８ａが形成されたデータ線６ａの下の領域
で、第１コンタクトホール８ａを避けるように括れて形
成され、第１コンタクトホール８ａと電気的な接触を持
たないように構成されている。

【０１５０】図１５および図１６に示すように、チャネ
ル領域１ａ’は、走査線３ａとデータ線６ａの交差領域
に対応して配置されている。また、半導体層１ａからな
る高濃度ソース領域１ｄ、低濃度ソース領域１ｂ、チャ
ネル領域１ａ’、低濃度ドレイン領域１ｃおよび高濃度
ドレイン領域１ｅは、データ線６ａに重なるように、し
かもデータ線に覆われるように配置されている。さら
に、走査線３ａを挟んで一方側に伸びるデータ線６ａの
下方に高濃度ソース領域１ｄと低濃度ソース領域１ｂが
配置され、他方側に伸びるデータ線６ａの下方に低濃度
ドレイン領域１ｃと高濃度ドレイン領域１ｅが配置され
ている。さらに、高濃度ドレイン領域１ｅは、第１コン
タクトホール８ａを介して第１バリア層８０に電気的に
接続され、第１バリア層８０は、第２コンタクトホール
８ｂを介して画素電極９に接続されている。また、高濃
度ソース領域１ｄは、第３コンタクトホール５を介して
データ線６ａに電気的に接続されている。

【０１５１】このように非表示領域となるデータ線６ａ
に重なるように第１コンタクトホール８ａと第３コンタ
クトホール５を形成するため、コンタクトホールによる
開口率の低下を防ぐことができる。また、コンタクトホ
ールの存在により各画素の開口領域に不規則な凹凸の発
生を防ぐことができる。さらに、半導体層１ａは、デー
タ線６ａに重なるように配置されているため、データ線
６ａが遮光膜として機能して半導体層１ａへの光の侵入
を防ぐことができる。

【０１５２】図１６に示すように、本実施形態の液晶装
置は、画素電極９とＴＦＴ素子３０と、配向膜１６とが
設けられたＴＦＴアレイ基板１０Ｂと、共通電極２１と
配向膜２２と遮光膜２３とが設けられた対向基板２０Ｂ
とを備えている。そして、ＴＦＴアレイ基板１０Ｂと対
向基板２０Ｂとが、画素電極９と共通電極２１とが対向
するように配置され、ＴＦＴアレイ基板１０Ｂと対向基
板２０Ｂとシール材とにより囲まれた空間に液晶層５０
が形成されている。また、本実施形態の液晶装置におい
ても、ＴＦＴアレイ基板１０Ｂの基板本体１０Ａの液晶
層５０と反対側には、偏光子１７が設けられ、対向基板
２０Ｂの基板本体２０Ａの液晶層５０と反対側には、偏
光子２４が設けられている。

【０１５３】さらに図１６に示すように、画素スイッチ
ング用ＴＦＴ素子３０に各々対向する位置においてＴＦ
Ｔアレイ基板１０Ｂと各画素スイッチング用ＴＦＴ素子
３０との間には、下側遮光膜１１ａが設けられ、下側遮
光膜１１ａと複数の画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０
との間には、下地絶縁膜１２が設けられている。

【０１５４】また、図１５および図１６に示すように、
走査線３ａと同一の導電性ポリシリコン膜からなる容量
線３ｂはその下側において、半導体層１ａのドレイン領
域１ｅから延設されてなる第１容量電極１ｆに対して、
絶縁薄膜２を介して対向配置され、第２容量電極として
機能している部分を有する。これにより、ＴＦＴ素子３
０を構成するゲート絶縁膜を含む絶縁薄膜２を用いて、
大きな蓄積容量７０Ｂを形成することができる。さら
に、容量線３ｂの一部はその上側において、第１バリア
層８０の一部に対して、第１層間絶縁膜８１を介して対
向配置されている。この第１層間絶縁膜８１を薄膜化す
ることにより、さらに大きな蓄積容量７０Ｂを形成する
ことができる。このように、容量線３ｂの下側のみなら
ず、容量線３ｂの上側にも、蓄積容量７０Ｂを立体的に
構築できるので、限られた遮光領域を有効利用して蓄積
容量７０Ｂを増大できる。

【０１５５】また、図１５および図１６に示すように、
第１コンタクトホール８ａは、平面的に見てデータ線６
ａに重なる位置に開孔されている。したがって、走査線
３ａや容量線３ｂを構成する導電性のポリシリコン膜の
下側と上側に夫々位置する半導体層１ａと第１バリア層
８０とを接続する第１コンタクトホール８ａが存在して
も、データ線６ａに沿って広がる遮光領域を利用して、
走査線３ａや容量線３ｂを第１コンタクトホール８ａを
避けて配線することが容易となる。

【０１５６】したがって、本実施形態では、第１コンタ
クトホール８ａを開孔する場合に、容量線３ｂや走査線
３ａを第１コンタクトホール８ａの周りで括れさせるこ
とにより増大する配線抵抗を少なくすることができ、容
量線３ｂや走査線３ａの幅が狭くて済むので、走査線３
ａ方向の遮光領域の幅が狭くて済み、各画素の開口領域
を広げることができる。

【０１５７】また、データ線６ａ方向の遮光領域と走査
線３ａ方向の遮光領域の交差部で第１コンタクトホール
８ａを設けることで、当該第１コンタクトホール８ａの
存在およびこれを避けて配線される容量線３ｂの存在に
起因してそれらの上方（配向膜１６の表面）に生じる不
規則な凹凸を低減することが可能となる。また、画素の
開口領域から離間しているため、第１コンタクトホール
８ａを開孔することにより生じる不規則な凹凸の影響を
効率的に低減できる。このように画素電極９付近におけ
る配向膜１６表面の凹凸が低減されていれば、画素電極
９付近におけるラビング処理を均一に行うことが可能と
なり且つ液晶層５０の層厚を均一化できる。この結果、
液晶層５０の配向不良を低減できる。

【０１５８】さらに、容量線３ｂの走査線３ａに沿って
伸びる部分には、第１コンタクトホール８ａを避けるた
めの括れが無い分だけ第１容量電極１ｆに対向配置され
る第２容量電極の面積を増加させることができ、この第
２容量電極と第１容量電極１ｆとにより構築可能な蓄積
容量７０Ｂを増大できる。

【０１５９】また、本実施形態では、図１５に示したよ
うに、第２コンタクトホール８ｂは、平面的に見て走査
線３ａに沿った各画素の遮光領域のうち相隣接する２本
のデータ線６ａ間のほぼ中央に開孔されている。このた
め、第２コンタクトホール８ｂ上における配向膜１６の
凹凸を、各画素の開口領域の一辺に沿った遮光領域のほ
ぼ中央付近に配置させることができる。これにより、第
２コンタクトホール８ｂ上における配向膜１６表面の凹
凸による悪影響を各画素毎に左右対称にでき、全画素を
巨視的に見た場合における各画素の表示不良を平均化で
きる。

【０１６０】このように本実施形態では、第２コンタク
トホール８ｂの開孔位置についての自由度は高く、第１
バリア層８０上で、データ線６ａと重なっていない領域
であれば、任意の位置に第２コンタクトホール８ｂを開
孔可能である。本実施形態では、第２コンタクトホール
８ｂを容量線３ｂに重なる位置に開孔することにより、
第２コンタクトホール８ｂが開孔された平面領域にも蓄
積容量７０Ｂを構築することができ、有利である。

【０１６１】以上のように、本実施形態の液晶装置によ
れば、画素開口率を高めると同時に蓄積容量７０Ｂを増
大させることができ、しかも画素電極９付近における配
向膜１６の表面に不規則な凹凸が生じることによる表示
画像の品位低下を低減できる。その結果、明るくてコン
トラスト比が高く、フリッカー、ゴースト、クロストー
ク等の表示不良の低減された高品位の画像表示が可能と
なる。

【０１６２】また、図１６に示すように、画素スイッチ
ング用ＴＦＴ素子３０の高濃度ドレイン領域１ｅには、
画素電極９が第１バリア層８０を中継して接続されてい
る。走査線３ａおよび容量線３ｂ上に設けられた第１層
間絶縁膜８１には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコン
タクトホール５および高濃度ドレイン領域１ｅへ通じる
第１コンタクトホール８ａが各々形成されている。ま
た、第１層間絶縁膜８１上には、第１コンタクトホール
８ａを介して高濃度ドレイン領域１ｅに接続された第１
バリア層８０と、コンタクトホール１８ａを介して容量
線３ｂと接続された第２バリア層１８０とが形成されて
いる。

【０１６３】第１バリア層８０上には、第２層間絶縁膜
４が形成されている。第２層間絶縁膜４上には、Ａｌ等
の低抵抗な金属膜や金属シリサイド等の合金膜などの遮
光性と導電性とを有する薄膜から構成されたデータ線６
ａが形成され、データ線６ａは、第２層間絶縁膜４に開
孔されたコンタクトホール５を介して高濃度ドレイン領
域１ｄに電気的に接続されている。

【０１６４】さらに、データ線６ａおよび第２層間絶縁
膜４上には、第１バリア層８０への第２コンタクトホー
ル８ｂが形成された第３層間絶縁膜７が形成されてい
る。第３層間絶縁膜７の上面には、画素電極９が設けら
れ、画素電極９は、第２コンタクトホール８ｂを介し
て、第１バリア層８０に電気的に接続されている。

【０１６５】図１５および図１６に示すように、第１バ
リア層８０は、半導体層１ａと画素電極９との間に介在
しており、高濃度ドレイン領域１ｅと画素電極９とを第
１コンタクトホール８ａおよび第２コンタクトホール８
ｂを経由して電気的に接続する。このため、画素電極９
から半導体層１ａまで一つのコンタクトホールを開孔す
る場合と比較して、第１コンタクトホール８ａおよび第
２コンタクトホール８ｂの径を夫々小さくできる。即
ち、一つのコンタクトホールを開孔する場合には、エッ
チング時の選択比が低いとコンタクトホールを深く開孔
する程エッチング精度は落ちるため、例えば５０ｎｍ程
度の非常に薄い半導体層１ａにおける突き抜けを防止す
るためには、コンタクトホールの径を小さくできるドラ
イエッチングを途中で停止して、最終的にウエットエッ
チングで半導体層１ａまで開孔するように工程を組まね
ばならない。或いは、ドライエッチングによる突き抜け
防止用の膜を別途設けたりする必要が生じてしまうので
ある。

【０１６６】これに対して本実施形態では、画素電極９
および高濃度ドレイン領域１ｅを２つの直列な第１コン
タクトホール８ａおよび第２コンタクトホール８ｂによ
り接続すればよいので、これら第１コンタクトホール８
ａおよび第２コンタクトホール８ｂを夫々、ドライエッ
チングにより開孔することが可能となるのである。或い
は、少なくともウエットエッチングにより開孔する距離
を短くすることが可能となるのである。

【０１６７】このように本実施形態によれば、第１コン
タクトホール８ａおよび第２コンタクトホール８ｂの径
を夫々小さくでき、第１コンタクトホール８ａにおける
第１バリア層８０の表面に形成される窪みや凹凸も小さ
くて済むので、その上方に位置する画素電極９の部分に
おける平坦化が促進される。さらに、第２コンタクトホ
ール８ｂにおける画素電極９の表面に形成される窪みや
凹凸も小さくて済むので、画素電極９の部分における平
坦化が促進される。さらに、第１層間絶縁膜８１を薄く
形成すれば、第２コンタクトホール８ｂの径をさらに小
さくすることができる。

【０１６８】第１バリア層８０を構成する材料として
は、例えば、不透明な高融点金属であるＴｉ、Ｃｒ、
Ｗ、Ｔａ、ＭｏおよびＰｂ等を少なくとも一つ含む、金
属単体、合金、金属シリサイドなどが挙げられる。この
ような材料からなる場合、ＩＴＯ膜で画素電極９を構成
したとしても、画素電極９と第１バリア層８０とが接触
することによって第１バリア層８０が腐食されることは
ない。このため、第２コンタクトホール８ｂを介して第
１バリア層８０および画素電極９間で良好に電気的な接
続がとれる。また、第１バリア層８０は、導電性のポリ
シリコン膜から構成してもよい。この場合でも、蓄積容
量７０Ｂを増加させる機能および中継機能は十分に発揮
し得る。この場合には特に、第１層間絶縁膜８１との間
で熱等によるストレスが発生しにくくなるので、クラッ
ク防止に役立つ。

【０１６９】また、第１バリア層８０の膜厚は、例えば
５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下程度とするのが好ましい。
第１バリア層８０の膜厚が５０ｎｍ程度であれば、製造
プロセスにおける第２コンタクトホール８ｂの開孔時に
突き抜ける可能性は低くなり、また５００ｎｍ程度であ
れば画素電極９の表面の凹凸は問題とならないか或いは
比較的容易に平坦化することが可能であるからである。
但し、第１バリア層８０は高融点金属膜やその合金膜か
ら構成すれば、金属膜と層間絶縁膜とのエッチングにお
ける選択比が大きく異なるため、前述の如きドライエッ
チングによる突き抜けの可能性は殆ど無い。

【０１７０】また、第１バリア層８０および第２バリア
層１８０は、遮光性の導電膜であるので、対向基板２０
Ｂ上にある遮光膜２３およびＴＦＴアレイ基板１０Ｂ上
にあるデータ線６ａとともに、ＴＦＴ素子３０のチャネ
ル領域１ａ’やその隣接領域を遮光できる。これによ
り、対向基板２０Ｂ側から強力な入射光が入射しても、
トランジスタ特性の変化を防止することができる。

【０１７１】さらに、本実施形態では、第１バリア層８
０および第２バリア層１８０は、各画素の開口領域の一
部を規定するように幅広に構成されているので、これら
が存在する領域には、対向基板２０Ｂ上に遮光膜２３を
形成したり、開口領域を規定するためにデータ線６ｂの
幅を広めて形成したりしなくてもよい。

【０１７２】本実施形態では、図１５に示すように、デ
ータ線６ａに沿った各画素の遮光領域では、データ線６
ａの幅Ｗｄと、容量線３ｂの突出部分の幅Ｗｃと、第２
バリア層１８０の幅Ｗｍとの間に、Ｗｄ＜Ｗｃ＜Ｗｍな
る関係が成立するように、平面レイアウトされている。
したがって、対向基板２０Ｂ側からの入射光に対して
は、ＴＦＴアレイ基板１０Ｂ上においてデータ線６ａお
よび第２バリア層１８０という二重の遮光が可能とな
る。

【０１７３】仮に、高反射率のＡｌ膜からなるデータ線
６ａのみによりＴＦＴ素子３０の遮光を行った場合に
は、基板面に対して傾斜した投射光や戻り光がデータ線
６ａの内面で反射されて多重反射光として最終的にチャ
ネル領域１ａ’やその隣接領域に至ってしまう。しかし
ながら、本実施形態では、第１バリア層８０および第２
バリア層１８０を、低反射率の高融点金属膜やポリシリ
コン膜から形成するとともに、第２バリア層１８０をデ
ータ線６ａよりも幅広（Ｗｄ＜Ｗｍ）に形成することに
より、内面反射による多重反射光を減衰できる。したが
って、プロジェクタのライトバルブ用途のように強力な
入射光や反射光が存在する用途において、本実施形態の
構成は大変有益である。

【０１７４】さらにまた本実施形態では、平面的に見
て、画素電極９におけるデータ線６ａに沿った縁部分
は、第２バリア層１８０の縁部分に重ね、画素電極９に
おけるデータ線６ａに沿った縁部分は、データ線６ａの
縁部分にほとんど重ねない。このように、第２バリア層
１８０で遮光領域を規定し、データ線６ａと画素電極９
を極力重ねないようにすることで、ソースおよびドレイ
ン間の寄生容量を大幅に低減することができる。これに
より、コントラスト比の低下や、クロストーク、ゴース
ト等の表示不良の発生を抑制し、高品位な液晶装置を実
現できる。

【０１７５】また、本実施形態の液晶装置においては、
構造複屈折体である画素電極９は、有効屈折率の差異に
より、特定の偏光のみを透過し、特定の偏光のみを反射
する機能を有するため、光吸収型偏光子に比較して吸収
される光量が少なく、耐久性に優れる。また、光吸収型
の偏光子１７を構造複屈折体である画素電極９よりも視
認側に設ける構成としているため、構造複屈折体である
画素電極９を透過した偏光のみが、光吸収型の偏光子１
７に入射するため、光吸収型の偏光子１７に吸収される
光量は少なく、光吸収型の偏光子１７が劣化する恐れは
少ない。したがって、本実施形態によれば、耐久性に優
れた透過型液晶装置を提供することができる。

【０１７６】また、画素電極９を構成する導通電極９ｃ
は、遮光領域３８０と平面的に重なる領域に形成されて
いる。その結果、たとえ、導通電極９ｃが遮光性を有す
るものであったとしても、導通電極９ｃによって遮光さ
れることに起因する開口率の低下の問題が生じることは
ない。

【０１７７】また、第１実施形態および第２実施形態の
液晶装置においては、画素スイッチング用ＴＦＴ素子３
０は、好ましくは上述したようにＬＤＤ構造を持つが、
低濃度ソース領域１ｂおよび低濃度ドレイン領域１ｃに
不純物の打ち込みを行わないオフセット構造を持ってい
てもよいし、走査線３ａの一部からなるゲート電極をマ
スクとして高濃度で不純物を打ち込み、自己整合的に高
濃度ソースおよびドレイン領域を形成するセルフアライ
ン型のＴＦＴであってもよい。

【０１７８】また、第１実施形態および第２実施形態の
液晶装置においては、画素スイッチング用ＴＦＴ素子３
０のゲート電極を、高濃度ソース領域１ｄおよび高濃度
ドレイン領域１ｅ間に１個のみ配置したシングルゲート
構造としたが、これらの間に２個以上のゲート電極を配
置してもよい。このようにデュアルゲート或いはトリプ
ルゲート以上でＴＦＴを構成すれば、チャネルとソース
およびドレイン領域との接合部の光リーク電流を防止で
き、オフ時の電流を低減することができる。さらに、こ
れらのゲート電極の少なくとも１個をＬＤＤ構造或いは
オフセット構造にすれば、より一層オフ電流を低減で
き、安定したスイッチング素子を得ることができる。

【０１７９】（液晶装置の全体構成）以上のように構成
された各実施形態における液晶装置の全体構成を図１８
および図１９を参照して説明する。なお、図１８は、Ｔ
ＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に
対向基板の側から見た平面図であり、図１９は、図１８
のＨ−Ｈ’断面図である。

【０１８０】図１９において、ＴＦＴアレイ基板１０Ｃ
は、上述した第１実施形態または第２実施形態において
説明したＴＦＴアレイ基板である。ＴＦＴアレイ基板１
０Ｃの上には、シール材５２がその縁に沿って設けられ
ており、その内側に並行して、画像表示領域１０ａの周
辺を規定する額縁としての遮光膜５３が設けられてい
る。シール材５２の外側の領域には、データ線６ａに画
像信号を所定タイミングで供給することによりデータ線
６ａを駆動するデータ線駆動回路２０１および外部回路
接続端子２０２がＴＦＴアレイ基板１０Ｃの一辺に沿っ
て設けられており、走査線３ａに走査信号を所定タイミ
ングで供給することにより走査線３ａを駆動する走査線
駆動回路１０４が、この一辺に隣接する２辺に沿って設
けられている。走査線３ａに供給される走査信号遅延が
問題にならないのならば、走査線駆動回路１０４は片側
だけでも良いことは言うまでもない。また、データ線駆
動回路２０１を画像表示領域１０ａの辺に沿って両側に
配列してもよい。さらにＴＦＴアレイ基板１０Ｃの残る
一辺には、画像表示領域１０ａの両側に設けられた走査
線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が
設けられている。

【０１８１】また、対向基板２０Ｃは、上述した第１実
施形態または第２実施形態において説明した対向基板で
あり、対向基板２０Ｃのコーナー部の少なくとも１箇所
においては、ＴＦＴアレイ基板１０Ｃと対向基板２０Ｃ
との間で電気的に導通をとるための導通材１０６が設け
られている。そして、図１９に示すように、図１８に示
したシール材５２とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板２０Ｃ
が当該シール材５２によりＴＦＴアレイ基板１０Ｃに固
着されている。

【０１８２】なお、ＴＦＴアレイ基板１０Ｃ上には、こ
れらのデータ線駆動回路２０１、走査線駆動回路１０４
等に加えて、複数のデータ線６ａに画像信号を所定のタ
イミングで印加するサンプリング回路、複数のデータ線
６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に
先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出
荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検
査回路等を形成してもよい。

【０１８３】以上説明した実施形態では、データ線駆動
回路２０１および走査線駆動回路１０４をＴＦＴアレイ
基板１０Ｃの上に設ける代わりに、例えばＴＡＢ（Tape
Automated bonding）基板上に実装された駆動用ＬＳＩ
に、ＴＦＴアレイ基板１０Ｃの周辺部に設けられた異方
性導電フィルムを介して電気的および機械的に接続する
ようにしてもよい。

【０１８４】（液晶装置の応用例）以上説明した各実施
形態における液晶装置は、プロジェクタに適用できる。
以下に、上述した液晶装置をライトバルブとして用いた
プロジェクタについて説明する。図２０は、このプロジ
ェクタの構成を示す平面図である。この図に示されるよ
うに、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ
等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けら
れている。このランプユニット１１０２から射出された
投射光は、内部に配置された３枚のミラー１１０６およ
び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢ
の３原色に分離されて、各原色に対応するライトバルブ
１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂにそれぞれ導かれ
る。

【０１８５】ここで、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ
および１００Ｂの構成は、上述した実施形態に係る液晶
装置と同様であり、画像信号を入力する処理回路（図示
省略）から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ
駆動されるものである。また、Ｂ色の光は、他のＲ色や
Ｇ色と比較すると、光路が長いので、その損失を防ぐた
めに、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３およ
び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１
を介して導かれる。

【０１８６】ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００
Ｂによってそれぞれ変調された光は、ダイクロイックプ
リズム１１１２に３方向から入射する。そして、このダ
イクロイックプリズム１１１２において、Ｒ色およびＢ
色の光は９０度に屈折する一方、Ｇ色の光は直進する。
したがって、各色の画像が合成された後、スクリーン１
１２０には、投射レンズ１１１４によってカラー画像が
投射されることとなる。

【０１８７】なお、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇお
よび１００Ｂには、ダイクロイックミラー１１０８によ
って、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するの
で、上述したようにカラーフィルタを設ける必要はな
い。また、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｂの透過像は
ダイクロイックミラー１１１２により反射した後に投射
されるのに対し、ライトバルブ１００Ｇの透過像はその
まま投射されるので、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｂ
による表示像を、ライトバルブ１００Ｇによる表示像に
対して左右反転させる構成となっている。

【０１８８】なお、各実施形態では、対向基板にカラー
フィルタは設けられていない。しかしながら、画素電極
９に対向する所定領域に、ＲＧＢのカラーフィルタをそ
の保護膜と共に対向基板上に形成してもよい。このよう
にすれば、プロジェクタ以外の直視型や反射型のカラー
液晶装置について、各実施形態における液晶装置を適用
できる。また、対向基板上に１画素に対して１個のマイ
クロレンズを形成してもよい。あるいは、ＴＦＴアレイ
基板上のＲＧＢに対向する画素電極９の下にカラーレジ
スト等でカラーフィルタ層を形成することも可能であ
る。このようにすれば、入射光の集光効率を向上するこ
とで、明るい液晶装置が実現できる。さらにまた、対向
基板上に、何層もの屈折率の相違する干渉層を堆積する
ことで、光の干渉を利用して、ＲＧＢ色を作り出すダイ
クロイックフィルタを形成してもよい。このダイクロイ
ックフィルタ付き対向基板によれば、より明るいカラー
液晶装置が実現できる。

【０１８９】本発明は、上述した実施形態に限られるも
のではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れ
る発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能
であり、そのような変更を伴なう液晶装置もまた本発明
の技術的範囲に含まれるものである。

【０１９０】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、画素電極が構造複屈折体として機能するものであ
るので、耐久性に優れた液晶装置およびこれを備えた投
射型表示装置を提供することができる。また、画素電極
を構成する導通電極は、光反射体を電気的に導通するも
のであるので、画素電極の大部分を光反射体により形成
することで、画素電極全体における面積の割合を非常に
小さいものとすることができ、しかも、導通電極の少な
くとも一部が遮光領域と平面的に重なる領域に形成され
ている。このため、たとえ、導通電極が遮光性を有する
ものであり、導通電極に遮光されて開口領域が狭められ
たとしても、導通電極に遮光されて狭められる開口領域
の面積の割合は、開口領域全体に対して小さく、導通電
極による遮光に起因する開口率の低下の問題が生じる恐
れが極めて小さいものとなる。

【０１９１】また、第２の基板側から液晶層に光を入射
する構成とすることにより、構造複屈折体により反射さ
れた光が薄膜トランジスタの半導体層に入射することを
防止することができるので、光リーク電流に起因する素
子のスイッチング特性の低下を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、液晶装置の画像表示領域を構成する
マトリクス状に形成された複数の画素における各種素
子、配線等の等価回路である。

【図２】図２は、データ線、走査線、画素電極等が形
成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の
平面図である。

【図３】図３は、図２のＡ−Ａ’断面図である。

【図４】図４は、本実施形態の透過型液晶装置に備え
られた画素電極とデータ線と容量線とを取り出して示し
た平面図であり、画素電極と遮光領域との重なり合いを
説明するための図である。

【図５】図５は、本実施形態の透過型液晶装置に備え
られた画素電極を１個のみを取り出して示した平面図で
ある。

【図６】図６は、本発明に係る第１実施形態の透過型
液晶装置における表示機構を説明するための図である。

【図７】図７は、本発明に係る第１実施形態の透過型
液晶装置における表示機構を説明するための図である。

【図８】図８は、本発明に係る第１実施形態の透過型
液晶装置において、画素電極のその他の構造を示す平面
図である。

【図９】図９は、本発明に係る第１実施形態の透過型
液晶装置において、画素電極のその他の構造を示す平面
図である。

【図１０】図１０（ａ）〜（ｃ）は、構造複屈折体で
ある画素電極を３段階のフォトリソグラフィー法により
形成する方法を示す工程図である。

【図１１】図１１（ａ）〜（ｃ）は、構造複屈折体で
ある画素電極を３段階のフォトリソグラフィー法により
形成するその他の方法を示す工程図である。

【図１２】図１２（ａ）〜（ｃ）は、構造複屈折体で
ある画素電極を３段階のフォトリソグラフィー法により
形成するその他の方法を示す工程図である。

【図１３】図１３は、本発明に係る第１実施形態の透
過型液晶装置のその他の構造を示す断面図である。

【図１４】図１４は、本発明に係る第１実施形態の透
過型液晶装置のその他の構造を示す断面図である。

【図１５】図１５は、データ線、走査線、画素電極等
が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素
群の平面図である。

【図１６】図１６は、図１５のＡ−Ａ’断面図であ
る。

【図１７】図１７は、本実施形態の液晶装置に備えら
れた画素電極とデータ線と容量電極とを取り出して示し
た平面図であり、画素電極と遮光領域との重なり合いを
説明するための図である。

【図１８】図１８は、各実施形態における液晶装置の
全体構成を説明するための図であり、ＴＦＴアレイ基板
をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側か
ら見た平面図である。。

【図１９】図１９は、図１８のＨ−Ｈ’断面図であ
る。

【図２０】図２０は、本発明の液晶装置を備えたプロ
ジェクタの構成図である。

【図２１】図２１は、構造複屈折体が、特定の偏光の
みを透過し、特定の偏光のみを反射することができる理
由を説明するための図である。

【符号の説明】

１０Ａ、２０Ａ…基板本体１ａ…半導体層３０…ＴＦＴ素子（薄膜トランジスタ）９…画素電極（構造複屈折体）２１…共通電極３１…共通電極（構造複屈折体）９ａ、３１ａ…光反射体９ｃ…導通電極６ａ…データ線３ａ…走査線５０…液晶層１７、２４…偏光子

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１の基板と、前記第１の基板に対向配
置された第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基
板との間に挟持された液晶層とを有する液晶装置であ
り、前記第１の基板には、マトリクス状に配置されて前記液
晶層に電圧を印加する画素電極と、前記画素電極に電気的に接続された薄膜トランジスタ
と、前記薄膜トランジスタよりも前記液晶層側に配置された
遮光膜と、前記薄膜トランジスタよりも前記液晶層側に配置されて
前記薄膜トランジスタと電気的に接続され、遮光性を有
し、前記遮光膜と交差するデータ線とが備えられ、前記薄膜トランジスタを構成するチャネル領域の接合部
は、前記遮光膜と前記データ線とが交差する交差領域と
平面的に重なる領域に形成され、前記画素電極は、構造複屈折体として機能し、前記液晶
層に入射する光の波長よりも小さいピッチでストライプ
状に配列された複数の光反射体と、前記複数の光反射体
を電気的に導通する導通電極とを具備して構成され、前記導通電極の少なくとも一部は、遮光領域と平面的に
重なる領域に形成されていることを特徴とする液晶装
置。
【請求項２】前記遮光領域は、前記遮光膜と前記デー
タ線のうちのいずれか一方または両方と平面的に重なる
領域であることを特徴とする請求項１に記載の液晶装
置。
【請求項３】前記遮光膜は、光吸収層と遮光層とを有
し、前記薄膜トランジスタに面する側に光吸収層が積層
されていることを特徴とする請求項１または請求項２に
記載の液晶装置。
【請求項４】前記薄膜トランジスタと前記遮光膜との
間には、光吸収性を有し、前記画素電極と前記薄膜トラ
ンジスタとを電気的に接続する中継導電膜が備えられ、前記遮光膜は、前記中継導電膜の一部を露呈する領域を
有し、該領域に前記画素電極と前記中継導電膜とを電気
的に接続するコンタクトホールを形成することを特徴と
する請求項３に記載の液晶装置。
【請求項５】前記コンタクトホールは、隣接するデー
タ線間のほぼ中央に位置することを特徴とする請求項４
に記載の液晶装置。
【請求項６】前記遮光膜の前記薄膜トランジスタに面
する側には、前記画素電極と前記薄膜トランジスタとを
電気的に接続する中継導電膜が誘電体層を介して形成さ
れ、前記遮光膜および前記中継導電膜は、容量電極とし
て機能して保持容量を構成することを特徴とする請求項
１ないし請求項５のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項７】第１の基板と、前記第１の基板に対向配
置された第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基
板との間に挟持された液晶層とを有する液晶装置であ
り、前記第１の基板には、マトリクス状に配置されて前記液
晶層に電圧を印加する画素電極と、前記画素電極に電気的に接続された薄膜トランジスタ
と、前記薄膜トランジスタと電気的に接続されたデータ線
と、前記データ線と平面的に重なる領域に開孔された第１コ
ンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタを構成す
るドレイン領域と電気的に接続されるとともに、第２コ
ンタクトホールを介して前記画素電極と電気的に接続さ
れた中継導電膜とが備えられ、前記画素電極は、構造複屈折体として機能し、前記液晶
層に入射する光の波長よりも小さいピッチでストライプ
状に配列された複数の光反射体と、前記複数の光反射体
を電気的に導通する導通電極とを具備して構成され、前記導通電極の少なくとも一部は、遮光領域と平面的に
重なる領域に形成されていることを特徴とする液晶装
置。
【請求項８】前記第２コンタクトホールは、隣接する
データ線間のほぼ中央に位置することを特徴とする請求
項７に記載の液晶装置。
【請求項９】前記中継導電膜は、遮光性を有し、前記
導通電極は、前記中継導電膜と平面的に重なる領域に形
成されていることを特徴とする請求項７または請求項８
に記載の液晶装置。
【請求項１０】前記中継導電膜は、前記走査線と同一
層で形成された層からなる容量電極と誘電体層を介して
少なくとも部分的に対向配置され、容量電極として機能
して保持容量を構成することを特徴とする請求項９に記
載の液晶装置。
【請求項１１】電圧無印加時における前記液晶層のツ
イスト角が９０°であり、前記第２の基板が、一方の表面に光吸収型若しくは光反
射型の偏光子を具備し、前記光反射体の延在方向が、前記偏光子の偏光軸に対し
て略平行若しくは略垂直とされたことを特徴とする請求
項１ないし請求項１０のいずれか一項に記載の液晶装
置。
【請求項１２】前記第１の基板、前記第２の基板のう
ちの一方の基板側から光が入射し、他方の基板側から出
射された光を視認する構造とされ、前記画素電極の視認
側に、さらに光吸収型若しくは光反射型の偏光子が具備
されていることを特徴とする請求項１ないし請求項１１
のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項１３】前記第２の基板には、共通電極が備え
られ、前記共通電極は、構造複屈折体として機能し、前
記液晶層に入射する光の波長よりも小さいピッチでスト
ライプ状に配列された複数の光反射体と、前記複数の光
反射体を電気的に導通する導通電極とを具備して構成さ
れていることを特徴とする請求項１２に記載の液晶装
置。
【請求項１４】光源と、前記光源からの光を変調する
請求項１ないし請求項１３のいずれか１項に記載の液晶
装置からなる光変調手段と、前記光変調手段により変調
された光を投射する投射手段とを備えたことを特徴とす
る投射型表示装置。