JP2015011090A - 電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】高い生産性を実現可能な電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置用基板、該電気光学装置用基板を適用した電気光学装置、電子機器を提供すること。【解決手段】電気光学装置用基板の製造方法としてのマイクロレンズアレイ基板の製造方法は、透光性の基板の第１面をエッチングして複数の画素のそれぞれに対応した凹部を形成する工程（ステップＳ１）と、基板の屈折率よりも大きい屈折率を有するレンズ材料を用い、少なくとも凹部を埋めてなるマイクロレンズを含むレンズ層を形成する工程（ステップＳ２）と、レンズ層のマイクロレンズが形成された面に対して反対側の第２面を平坦化する工程（ステップＳ３）と、平坦化された第２面に、複数の画素のそれぞれが配置される表示領域を囲む遮光膜を形成する工程（ステップＳ４）と、遮光膜が形成された第２面を覆う透光性のパス層を形成する工程（ステップＳ５）と、を備える。【選択図】図６

Description

本発明は、電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器に関する。

電気光学装置として、画素ごとにスイッチング素子が設けられたアクティブ駆動型の液晶装置が知られている。また、このようなアクティブ駆動型の液晶装置をライトバルブとして用いた液晶プロジェクターが知られている。
上記ライトバルブは、例えば赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色光のそれぞれに対して設けられ、画像情報に基づいて該色光を変調する光変調手段である。したがって、液晶プロジェクターとして明るく鮮明な画像を投射するには、ライトバルブに入射した該色光を効率よく利用できることが求められる。

例えば、入射した光を画素に向けて集光させる集光素子と、液晶層に対して集光素子と反対側に設けられ、液晶層を透過した光の一部を射出側に反射させる光反射部とを備えた電気光学装置が開示されている（特許文献１）。
上記特許文献１によれば、集光素子としてマイクロレンズが設けられている。マイクロレンズは、液晶層を挟む一対の基板のうちのいずれかに設けられる。例えば、スイッチング素子としてのトランジスターが設けられた素子基板に対して液晶層を挟んで対向配置される対向基板にマイクロレンズを設けてもよい。その場合、該色光は、対向基板側から入射してマイクロレンズにより画素ごとに集光される。

上記特許文献１には、このようなマイクロレンズを備えた対向基板の製造方法についても記載されている。具体的には、対向基板の基板本体の表面を選択的にエッチングしてレンズ面に対応した凹部を形成する。該凹部を基板本体よりも高い屈折率を有するレンズ材料で埋めてマイクロレンズを形成する。その後、液晶層に面する側のマイクロレンズの表面（マイクロレンズの底面）を例えばＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理などの方法で平坦化する。そして、基板本体とほぼ同じ屈折率を有する無機材料を用いて平坦化された表面を覆う透明なパス層を形成する。また、パス層の液晶層側の表面に画素の開口領域を規定する遮光膜を形成する。さらに、遮光膜を覆う層間膜層を形成すると共に、層間膜層を覆って透明導電膜が成膜され、該透明導電膜をパターニングして対向電極を形成している。層間膜層は、対向電極の液晶層に面する表面が平坦となるように、遮光膜を覆うとしている。

また、上記特許文献１によれば、マイクロレンズの光学条件として、次の数式（１）を満たすことが好ましいとされている。
ｆ₀≦（Ｐ１×Ｌ）／Ｗ・・・・・（１）
ｆ₀はマイクロレンズの焦点距離、Ｐ１は画素の配置ピッチ、Ｌはマイクロレンズから遮光膜までの距離（具体的には、マイクロレンズの高さとパス層の厚みとの和）、Ｗは遮光膜の幅である。この数式（１）を満たす条件とすることで、画素の開口領域に効率よく入射光を集光させることができるとしている。

特開２０１２−２２６０６９号公報

上記特許文献１に示された数式（１）によれば、マイクロレンズに入射した入射光を画素ごとに効率よく開口領域に集光させるには、形状が安定したマイクロレンズを形成するだけでなく、パス層の厚みばらつきも抑える必要がある。パス層の厚みばらつきを抑える方法としては、例えばＣＭＰ処理などの平坦化処理をパス層に施すことが好ましい。加えて、対向電極の液晶層に面する表面が平坦となるように、遮光膜を覆う層間膜層についても平坦化処理を施すことが好ましい。しかしながら、平坦化処理の工程が増えて生産性が低下する、あるいは製造工程が複雑になるという課題があった。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例］本適用例に係わる電気光学装置用基板の製造方法は、透光性の基板の第１面をエッチングして複数の画素のそれぞれに対応した凹部を形成する工程と、前記基板の屈折率よりも大きい屈折率を有するレンズ材料を用い、少なくとも前記凹部を埋めてなるマイクロレンズを含むレンズ層を形成する工程と、前記レンズ層の前記マイクロレンズが形成された面に対して反対側の第２面を平坦化する工程と、平坦化された前記第２面に、前記複数の画素のそれぞれが配置される表示領域を囲む遮光膜を形成する工程と、前記遮光膜が形成された前記第２面を覆う透光性のパス層を形成する工程と、を備えることを特徴とする。

本適用例によれば、平坦化されたレンズ層の第２面に表示領域を囲む遮光膜を形成し、その後にパス層を形成するので、上記特許文献１に記載の遮光膜を覆う層間膜層を形成する必要がない。つまり、製造工程を簡略化し、高い生産性を実現して、複数の画素のそれぞれに対応したマイクロレンズを備えた電気光学装置用基板を製造可能な電気光学装置用基板の製造方法を提供できる。

上記適用例に係わる電気光学装置用基板の製造方法において、前記パス層の前記レンズ層に接する側に対して反対側の第３面に透明導電膜を成膜する工程を、さらに備えることを特徴とする。
この方法によれば、マイクロレンズに加えて、透明導電膜を有する電気光学装置用基板を高い生産性で製造することができる。

上記適用例に係わる電気光学装置用基板の製造方法において、前記透明導電膜を成膜する工程の前に、前記パス層の前記第３面を平坦化する工程を有することが好ましい。
この方法によれば、表面が平坦化された透明導電膜を有する電気光学装置用基板を高い生産性で製造することができる。

［適用例］本適用例に係わる電気光学装置用基板は、透光性の基板と、前記基板において、複数の画素のそれぞれに対応するように形成された凹部を、前記基板の屈折率よりも大きい屈折率のレンズ材料で埋めることで得られたレンズ面を有するマイクロレンズを含むレンズ層と、前記レンズ層の前記マイクロレンズが設けられた側に対して反対側の第２面に、少なくとも前記複数の画素が配置される表示領域を囲むように設けられた遮光膜と、前記第２面において前記遮光膜を覆うように設けられた透光性のパス層と、を備えたことを特徴とする。

本適用例に係わる電気光学装置用基板によれば、パス層の第２面に対して反対側の面に遮光膜を設ける場合に比べて、上記特許文献１に記載の遮光膜を覆う層間膜層を設ける必要がない。つまり、パス層を上記層間膜層として機能させることができる。つまり、複数の画素のそれぞれに対応する位置にマイクロレンズを備え、簡素な構成の電気光学装置用基板を提供できる。

上記適用例に係わる電気光学装置用基板において、前記パス層の前記遮光膜の側に対して反対側の第３面を覆う透明導電膜をさらに備えることが好ましい。
この構成によれば、マイクロレンズに加えて、電極として利用できる透明導電膜を備えた電気光学装置用基板を提供できる。

上記適用例に係わる電気光学装置用基板において、前記パス層の前記第３面に平坦化処理が施されていることが好ましい。
この構成によれば、表面が平坦な透明導電膜を備えた電気光学装置用基板を提供できる。

上記適用例に係わる電気光学装置用基板において、前記レンズ層の前記第２面に平坦化処理が施されていることが好ましい。
この構成によれば、第２面に平坦化処理が施されていない場合に比べて、安定した集光性能を有するマイクロレンズを備えた電気光学装置用基板を提供できる。

上記適用例に係わる電気光学装置用基板において、前記凹部は、前記基板の第１面をエッチングすることにより形成されたことを特徴とする。
この構成によれば、例えば第１面を切削して凹部を形成する方法に比べて、滑らかなレンズ面としての凹部を実現できる。つまり、より安定した集光性能を有するマイクロレンズを備えた電気光学装置用基板を提供できる。

上記適用例に係わる電気光学装置用基板において、前記遮光膜は、前記第２面における前記複数の画素のそれぞれの対角方向において、前記マイクロレンズが設けられていない前記レンズ層の部分と重なるように配置された部分を含むことが好ましい。
この構成によれば、例えば、平面視で略円形のマイクロレンズを画素に対応して配置すると、対角方向に隣り合う画素間には、レンズ層においてマイクロレンズが設けられていない部分が生ずるので、当該部分と重なるように遮光膜を配置することで、画素間での光漏れが低減された電気光学装置用基板を提供できる。

上記適用例に係わる電気光学装置用基板において、前記遮光膜は、前記第２面において、前記複数の画素のそれぞれの開口領域を規定するように設けられた部分を含むとしてもよい。
この構成によれば、画素の開口領域の周辺から入射する光を遮光膜によって遮光することができる。したがって、本適用例の電気光学装置用基板を用いれば、明るい表示が可能であると共に、高いコントラストを有する電気光学装置を実現できる。

［適用例］本適用例に係わる電気光学装置は、一対の基板と、前記一対の基板により挟持された液晶層とを備えた電気光学装置であって、前記一対の基板のうちの一方の基板として、上記適用例に記載の電気光学装置用基板の製造方法を用いて製造された電気光学装置用基板が用いられていることを特徴とする。

［適用例］本適用例に係わる電気光学装置は、一対の基板と、前記一対の基板により挟持された液晶層とを備えた電気光学装置であって、前記一対の基板のうちの一方の基板として、上記適用例に記載の電気光学装置用基板が用いられていることを特徴とする。
これらの適用例によれば、明るい表示が可能であると共に、高い生産性で製造可能となることから、優れたコストパフォーマンスを有する電気光学装置を提供できる。

［適用例］本適用例に係わる電子機器は、上記適用例に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
本適用例によれば、明るい表示が可能であると共に、高い生産性で製造可能となることから、優れたコストパフォーマンスを有する電子機器を提供することができる。

第１実施形態に係わる液晶装置の構成を示す概略平面図。 第１実施形態に係わる液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。 図１のＡ−Ａ’線に沿った液晶装置の構造を示す概略断面図。 （ａ）はマイクロレンズアレイ基板におけるマイクロレンズの配置を示す概略平面図、（ｂ）はマイクロレンズに対する遮光膜の配置を示す概略平面図。 （ａ）は図４（ｂ）のＢ−Ｂ’線で切ったマイクロレンズアレイ基板の要部断面図、（ｂ）は図４（ｂ）のＣ−Ｃ’線で切ったマイクロレンズアレイ基板の要部断面図。 マイクロレンズアレイ基板の製造方法を示すフローチャート。 （ａ）〜（ｄ）はマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す概略断面図。 （ｅ）〜（ｈ）はマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す概略断面図。 投射型表示装置の構成を示す概略図。 変形例のマイクロレンズに対する遮光膜の配置を示す概略平面図。

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。

なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。

（第１実施形態）
＜電気光学装置＞
本実施形態の電気光学装置として、薄膜トランジスター（Thin Film Transistor；ＴＦＴ）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。

まず、本実施形態の電気光学装置としての液晶装置について、図１、図２及び図３を参照して説明する。図１は第１実施形態に係わる液晶装置の構成を示す概略平面図、図２は第１実施形態に係わる液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図、図３は図１のＡ−Ａ’線に沿った液晶装置の構造を示す概略断面図である。

図１および図３に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された素子基板２０および対向基板３０と、素子基板２０と対向基板３０との間に配置された液晶層４０とを有する。図１に示すように、素子基板２０は対向基板３０よりも一回り大きく、両基板は、対向基板３０の外縁に沿って額縁状に配置されたシール材４２を介して貼り合わされている。

液晶層４０は、素子基板２０と対向基板３０とシール材４２とによって囲まれた空間に封入された、正または負の誘電異方性を有する液晶で構成されている。シール材４２は、例えば熱硬化性または紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤からなる。シール材４２には、素子基板２０と対向基板３０との間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。

額縁状に配置されたシール材４２の内側には、マトリックス状に配列した複数の画素Ｐを含む表示領域Ｅが設けられている。また、シール材４２と表示領域Ｅとの間に表示領域Ｅを取り囲んで見切り部１４が設けられている。見切り部１４は、例えば遮光性の金属あるいは金属化合物などからなる。なお、表示領域Ｅは、表示に寄与する複数の画素Ｐに加えて、複数の画素Ｐを囲むように配置されたダミー画素を含むとしてもよい。また、詳しくは後述するが、表示領域Ｅにおいて複数の画素Ｐのそれぞれに対応して配置された集光手段としてのマイクロレンズと遮光膜とが対向基板３０に設けられている。

素子基板２０には、複数の外部接続端子５４が配列した端子部が設けられている。素子基板２０の該端子部に沿った第１の辺部とシール材４２との間にデータ線駆動回路５１が設けられている。また、第１の辺部に対向する第２の辺部に沿ったシール材４２と表示領域Ｅとの間に検査回路５３が設けられている。さらに、第１の辺部と直交し互いに対向する第３及び第４の辺部に沿ったシール材４２と表示領域Ｅとの間に走査線駆動回路５２が設けられている。第２の辺部のシール材４２と検査回路５３との間に、２つの走査線駆動回路５２を繋ぐ複数の配線５５が設けられている。なお、検査回路５３の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路５１と表示領域Ｅとの間のシール材４２の内側に沿った位置に設けてもよい。

これらデータ線駆動回路５１、走査線駆動回路５２に繋がる配線は、第１の辺部に沿って配列した複数の外部接続端子５４に接続されている。以降、第１の辺部に沿った方向をＸ方向とし、第３の辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。Ｘ方向は、図１のＡ− Ａ’線に沿った方向である。また、Ｘ方向およびＹ方向と直交し、図１における上方に向かう方向をＺ方向とする。本明細書では、液晶装置１００の対向基板３０の表面１１ｂ（図３参照）の法線方向（Ｚ方向）から見ることを「平面視」という。

次に図２を参照して、液晶装置１００の電気的な構成について説明する。液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する信号配線としての複数の走査線２及び複数のデータ線３と、走査線２に沿って平行に配置された容量線４とを有する。走査線２が延在する方向がＸ方向であり、データ線３が延在する方向がＹ方向である。

走査線２、データ線３及び容量線４と、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極２８と、ＴＦＴ２４と、蓄積容量５とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。

走査線２はＴＦＴ２４のゲートに電気的に接続され、データ線３はＴＦＴ２４のソースに電気的に接続されている。画素電極２８はＴＦＴ２４のドレインに電気的に接続されている。

データ線３はデータ線駆動回路５１（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路５１から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線２は走査線駆動回路５２（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路５２から供給される走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍを画素Ｐに供給する。

データ線駆動回路５１からデータ線３に供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線３同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路５２は、走査線２に対して、走査信号Ｇ１〜Ｇｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。

液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ２４が走査信号Ｇ１〜Ｇｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線３から供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極２８に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極２８を介して液晶層４０に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極２８と液晶層４０を介して対向配置された共通電極３４（図３参照）との間で一定期間保持される。画像信号Ｄ１〜Ｄｎの周波数は例えば６０Ｈｚである。

保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極２８と共通電極３４との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量５が接続されている。蓄積容量５は、ＴＦＴ２４のドレインと容量線４との間に設けられている。

なお、図１に示した検査回路５３には、データ線３が接続されており、液晶装置１００の製造過程において、上記画像信号を検出することで液晶装置１００の動作欠陥などを確認できる構成となっているが、図２の等価回路では図示を省略している。

本実施形態における画素回路を駆動制御する周辺回路は、データ線駆動回路５１、走査線駆動回路５２、検査回路５３を含んでいる。また、周辺回路は、上記画像信号をサンプリングしてデータ線３に供給するサンプリング回路、データ線３に所定電圧レベルのプリチャージ信号を上記画像信号に先行して供給するプリチャージ回路を含むものとしてもよい。

次に、図３を参照して、液晶装置１００の構造について説明する。図３に示すように、素子基板２０は、透光性の基板本体２１と、基板本体２１上に設けられた、第１遮光層２２と、絶縁膜２３と、ＴＦＴ２４と、第１層間絶縁膜２５と、第２遮光層２６と、第２層間絶縁膜２７と、画素電極２８と、配向膜２９とを備えている。基板本体２１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料が用いられている。

第１遮光層２２及び第２遮光層２６は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）などの金属のうちの少なくとも１つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、ナイトライド、あるいはこれらが積層されたものを用いることができ、遮光性と導電性とを兼ね備えている。
第１遮光層２２は、上層の第２遮光層２６に平面視で重なるように格子状に形成されており、素子基板２０の厚さ方向（Ｚ方向）において、ＴＦＴ２４を間に挟むように配置されている。第１遮光層２２および第２遮光層２６により、ＴＦＴ２４への光の入射が抑制される。第１遮光層２２及び第２遮光層２６に囲まれた領域（開口部２２ａ，２６ａ内）は、光が素子基板２０を透過する開口領域となる。

絶縁膜２３は、基板本体２１と第１遮光層２２とを覆うように設けられている。絶縁膜２３は、例えば、ＳｉＯ₂などの無機材料からなる。ＴＦＴ２４は、絶縁膜２３上に設けられている。図示を省略するが、ＴＦＴ２４は、半導体層、ゲート電極、ソース電極、およびドレイン電極を有している。

ゲート電極は、素子基板２０において平面視で半導体層のチャネル領域と重なる領域に第１層間絶縁膜２５の一部（ゲート絶縁膜）を介して対向配置されている。
第１遮光層２２は、その一部が走査線２（図２参照）として機能するようにパターニングされている。ゲート電極は、ゲート絶縁膜と絶縁膜２３を貫通するコンタクトホールを介して下層側に配置された走査線２に電気的に接続されている。

第１層間絶縁膜２５は、絶縁膜２３とＴＦＴ２４とを覆うように設けられている。第１層間絶縁膜２５は、例えば、ＳｉＯ₂などの無機材料からなる。第１層間絶縁膜２５は、ＴＦＴ２４の半導体層とゲート電極との間を絶縁するゲート絶縁膜を含む。第１層間絶縁膜２５により、ＴＦＴ２４に起因する表面の凹凸が緩和される。
第１層間絶縁膜２５上には、第２遮光層２６が設けられている。第２遮光層２６は、ＴＦＴ２４に電気的に接続される、例えば、データ線３や容量線４、あるいは蓄積容量５の電極のいずれかとして機能するようにパターニングされている。そして、第１層間絶縁膜２５と第２遮光層２６とを覆うように、無機材料からなる第２層間絶縁膜２７が設けられている。

画素電極２８は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などの透明導電膜からなり、第２層間絶縁膜２７上に、画素Ｐに対応して設けられている。画素電極２８は、第１遮光層２２の開口部２２ａおよび第２遮光層２６の開口部２６ａに平面視で重なる領域に配置されている。また、画素電極２８の外縁は、平面視で第２遮光層２６と重なるように配置されている。

画素電極２８を覆う配向膜２９は、正の誘電異方性を有する液晶（液晶分子）を略水平配向させることが可能な例えばポリイミドなどの有機樹脂材料や、負の誘電異方性を有する液晶（液晶分子）を略垂直配向させることが可能な例えば酸化シリコンなどの無機材料を用いることができる。

液晶層４０を構成する液晶は、画素電極２８と共通電極３４との間に印加される電圧レベルにより液晶分子の配向状態が変化することにより、液晶層４０に入射する光を変調し、階調表示を可能とする。例えば、ノーマリーホワイトモードの場合、各画素Ｐの単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少する。ノーマリーブラックモードの場合、各画素Ｐの単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加し、全体として液晶装置１００からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が射出される。本実施形態では、対向基板３０側から光が入射して液晶層４０を透過し、素子基板２０側から射出されることを前提に、液晶装置１００が構成されている。

対向基板３０は、マイクロレンズアレイ基板１０と、共通電極３４と、配向膜３５とを備えている。マイクロレンズアレイ基板１０は、本発明の電気光学装置用基板の一例であって、透光性の基板本体１１と、複数の画素Ｐのそれぞれに対応して設けられたマイクロレンズＭＬを含むレンズ層１３と、遮光膜としての見切り部１４と、光路長調整層であるパス層３１とを含んでいる。なお、電気光学装置用基板としてのマイクロレンズアレイ基板１０は、共通電極３４を含む構成としてもよいし、共通電極３４及び配向膜３５を含む構成としてもよい。

基板本体１１は、表面１１ｂとは反対側の液晶層４０側の表面１１ａに形成された複数の凹部１２を有している。各凹部１２は、各画素Ｐに対応して設けられている。凹部１２は、その底部に向かって先細りとなる曲面状に形成され、マイクロレンズＭＬにおける凸状のレンズ面を構成するものである。したがって、以降、レンズ面１２と呼ぶこともある。基板本体１１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料が用いられている。また、基板本体１１の表面１１ａは、本発明における基板の第１面に相当するものである。

レンズ層１３は、基板本体１１の一方の表面１１ａ側に、複数の画素Ｐのそれぞれに対応して形成された複数の凹部１２を埋めてなる複数のマイクロレンズＭＬを含んでいる。レンズ層１３は、光透過性を有し、基板本体１１よりも屈折率ｎが高い無機のレンズ材料からなる。例えば、基板本体１１の屈折率ｎがおよそ１．４６の石英基板であるとすると、レンズ層１３を構成するレンズ材料としては、ＳｉＯＮ（屈折率ｎ＝１．５５〜１．６４）、Ａｌ₂Ｏ₃（屈折率ｎ＝１．７６）などが挙げられる。なお、屈折率ｎは、基板本体１１やレンズ層１３を透過する光の波長に依存する。

レンズ層１３の詳しい形成方法については後述するが、基板本体１１の一方の表面１１ａを選択的にエッチングして凹部１２を形成し、上述したレンズ材料で凹部１２を埋めることにより、凸状のマイクロレンズＭＬが形成される。また、複数のマイクロレンズＭＬによりマイクロレンズアレイＭＬＡが構成される。

レンズ層１３のマイクロレンズＭＬと反対側の平坦な表面１３ａに見切り部１４が設けられている。見切り部１４は、複数のマイクロレンズＭＬが設けられた表示領域Ｅを囲む周辺領域に設けられている。また、図３には図示されていないが、表示領域Ｅには、見切り部１４と同層において、マイクロレンズＭＬの配置に対応した遮光膜が設けられている。したがって、見切り部１４を説明の都合上、単に遮光膜１４と呼ぶこともある。また、レンズ層１３の表面１３ａが本発明の第２面に相当するものである。

見切り部１４は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タングステン）、Ｔｉ（チタン）、ＴｉＮ（窒化チタン）、Ｃｒ（クロム）などの遮光性を有する材料、あるいはこれらの材料の中から選ばれた少なくとも２つの材料の積層体で構成することができる。図３では、詳細な図示を省略しているが、本実施形態では、見切り部１４は、レンズ層１３の表面１３ａ側から順に積層されたＡｌ（アルミニウム）とＴｉＮ（窒化チタン）の二層構造となっている。

見切り部１４及びレンズ層１３の表面１３ａを覆ってパス層３１が設けられている。パス層３１は、光透過性を有し、例えば、基板本体１１とほぼ同じ屈折率ｎを有する無機材料からなる。パス層３１は、マイクロレンズアレイ基板１０の液晶層４０に面する側の表面を平坦化すると共に、マイクロレンズＭＬの焦点距離を所望の値に合わせるために設けられている。したがって、パス層３１の層厚は、光の波長に応じたマイクロレンズＭＬの焦点距離などの光学条件に基づいて適宜設定される。

パス層３１を覆って共通電極３４が設けられている。共通電極３４は、複数の画素Ｐに跨って形成され、液晶層４０を挟んで画素電極２８と対向する対向電極である。共通電極３４は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などの透明導電膜が用いられる。共通電極３４は、液晶層４０を挟んで複数の画素電極２８と対向して配置されるので、画素Ｐごとに所望の光学特性を実現するためには、共通電極３４の表面が平坦であることが好ましい。

共通電極３４を覆って配向膜３５が設けられている。配向膜３５は、素子基板２０側の配向膜２９と同様に、例えばポリイミドなどの有機樹脂材料や、酸化シリコンなどの無機材料を用いて形成される。前述したように、配向膜２９，３５の材料選択や配向処理の方法は、液晶装置１００の光学設計に基づく液晶の選定や表示モードによる。

液晶装置１００では、光は、マイクロレンズＭＬを備える対向基板３０（基板本体１１の表面１１ｂ）側から入射し、マイクロレンズＭＬによって画素Ｐごとに集光される。例えば、基板本体１１の表面１１ｂ側から凸状のマイクロレンズＭＬに入射する光のうち、画素Ｐの平面的な中心を通過する光軸に沿って入射した入射光Ｌ１は、マイクロレンズＭＬをそのまま直進し、液晶層４０を通過して素子基板２０側に射出される。

入射光Ｌ１よりも外側でマイクロレンズＭＬの周縁部に入射した入射光Ｌ２は、基板本体１１とレンズ層１３との屈折率ｎの差により、画素Ｐの平面的な中心側へ屈折する。入射光Ｌ２が仮にそのまま直進すると、液晶層４０や素子基板２０を通過することで、わずかに屈折し、第２遮光層２６（あるいは第１遮光層２２）に入射して遮光されてしまうおそれがある。

液晶装置１００では、このように第２遮光層２６（あるいは第１遮光層２２）で遮光されてしまうおそれがある入射光Ｌ２も、マイクロレンズＭＬの集光作用により液晶層４０を通過させて第２遮光層２６の開口部２６ａ（あるいは第１遮光層２２の開口部２２ａ）内に入射させることができる。この結果、素子基板２０側から射出される光の量を多くできるので、光の利用効率を高めることができる。

＜電気光学装置用基板＞
次に、電気光学装置用基板としてのマイクロレンズアレイ基板１０について、図４及び図５を参照して、詳しく説明する。図４（ａ）はマイクロレンズアレイ基板におけるマイクロレンズの配置を示す概略平面図、図４（ｂ）はマイクロレンズに対する遮光膜の配置を示す概略平面図、図５（ａ）は図４（ｂ）のＢ−Ｂ’線で切ったマイクロレンズアレイ基板の要部断面図、図５（ｂ）は図４（ｂ）のＣ−Ｃ’線で切ったマイクロレンズアレイ基板の要部断面図である。なお、図４は液晶層４０側からマイクロレンズアレイ基板を見たときの概略平面図であり、図５は図３に対してＺ方向における上下を反転させた要部概略断面図である。

図４（ａ）に示すように、マイクロレンズＭＬは、画素Ｐの配列に対応して、Ｘ方向とＹ方向とにマトリックス状に配置されている。前述したように、マイクロレンズＭＬは、基板本体１１の凹部１２（図３参照）をレンズ材料で埋めて構成されており、凹部１２は、その底部に向かって先細りとなる半球面状に形成されている。したがって、凹部１２の底部の位置すなわちマイクロレンズＭＬの中心は、画素Ｐの平面的な中心とほぼ一致する。
本実施形態では、画素Ｐにおいてより多くの光を取り込めるように、平面視で円形のマイクロレンズＭＬがＸ方向とＹ方向とにおいて一部が重なり合うように配置されている。このため、Ｘ方向とＹ方向とに隣り合うマイクロレンズＭＬの境界において直線となる陵を有している。その一方で、マイクロレンズアレイ基板１０は、Ｘ方向及びＹ方向に対して交差する対角方向において、マイクロレンズＭＬが存在しない部分１１ｃを有している。
本実施形態におけるマイクロレンズＭＬの直径は、画素Ｐの対角線の長さに対して例えば９５％の長さとなるように設定されている。なお、マイクロレンズＭＬの直径を画素Ｐの対角線の長さに対して１００％の長さとなるように設定してもよい。

図４（ｂ）に示すように、遮光膜１４は、マイクロレンズＭＬが存在しない部分１１ｃとに重なるように設けられている。遮光膜１４の形状は略正方形である。
なお、図４（ｂ）では、マイクロレンズＭＬの形状を示すために同心円を用いたが、この同心円はマイクロレンズＭＬのＺ方向における高さの等高線を示すものである。

図５（ａ）に示すように、マイクロレンズアレイ基板１０のＸ方向において隣り合うマイクロレンズＭＬは、半球面状のレンズ面（基板本体１１の凹部）１２が互いに接している。

これに対して、図５（ｂ）に示すように、対角方向において隣り合うマイクロレンズＭＬの間には、マイクロレンズＭＬが形成されていないレンズ層１３が存在している。その部分に対応する基板本体１１の表面に符号１１ｃを付して表している。前述したように、マイクロレンズＭＬが形成されていない部分１１ｃに対応したレンズ層１３の表面１３ａに遮光膜１４が配置されている。マイクロレンズＭＬが形成されていない部分１１ｃに対応して配置された遮光膜１４の対角方向の幅Ｗ１、つまり遮光膜１４の１辺の長さは、例えば、マイクロレンズＭＬの直径が画素Ｐの対角線の長さの９５％の長さであるとき、以下の数式を満たしている。

対向基板３０側から入射する光を有効に利用する観点から、遮光膜１４の上記幅Ｗ１は、できるだけ小さいことが好ましい。その一方で、マイクロレンズＭＬが形成されていない部分１１ｃに入射した光が液晶層４０を透過して素子基板２０側に入射すると、迷光となってＴＦＴ２４に入射し、ＴＦＴ２４の光誤動作を招くおそれがあるので、マイクロレンズＭＬが形成されていない部分１１ｃを確実に遮光しておくことが望ましい（図３参照）。

なお、マイクロレンズＭＬの形状は、半球状であることに限定されず、例えば、レンズ層１３の表面１３ａ側におけるマイクロレンズＭＬのレンズ面１２の立ち上がり部分が、断面において直線となる部分を含む非球面状であってもよい。

＜電気光学装置用基板の製造方法＞
次に、本実施形態の電気光学装置用基板の製造方法の一例としてのマイクロレンズアレイ基板１０の製造方法について、図６〜図８を参照して説明する。図６はマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示すフローチャート、図７（ａ）〜（ｄ）及び図８（ｅ）〜（ｈ）はマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す概略断面図である。なお、図７及び図８は図５（ｂ）に対応した対角方向における概略断面図である。

図６に示すように、本実施形態のマイクロレンズレイ基板１０の製造方法は、凹部形成工程（ステップＳ１）と、レンズ層形成工程（ステップＳ２）と、レンズ層平坦化処理工程（ステップＳ３）と、遮光膜形成工程（ステップＳ４）と、パス層形成工程（ステップＳ５）と、パス層平坦化処理工程（ステップＳ６）と、共通電極形成工程（ステップＳ７）とを有している。

図６のステップＳ１では、例えば、石英からなる光透過性を有する基板本体１１の表面１１ａに、例えば、多結晶シリコンなどでマスク層を形成する。そして、フォトリソグラフィ技術を用いてマスク層をパターニングし、開口部７１ａを有するマスク７１を形成する。開口部７１ａは、上述した画素Ｐの平面的な中心に対応する位置に形成する。開口部７１ａの平面視における形状は円形であって、その大きさは、上述した凹部１２の大きさによる。本実施形態では、平面視で対角方向の長さがおよそ１０μｍの凹部１２を形成するので、開口部７１ａの大きさをおよそφ１．０μｍとしている。なお、開口部７１ａの大きさはこれに限定されるものでなく、エッチング条件との関係でさらに大きくしてもよい。図７（ａ）は、マスク７１がパターニングされた後の状態を示している。

次に、図７（ｂ）に示すように、マスク７１の開口部７１ａを介して基板本体１１に、等方性エッチング処理を施すことにより、基板本体１１に凹部１２を形成する。等方性エッチング処理として、例えば、フッ酸溶液などのエッチング液を用いたウェットエッチングが用いられる。このエッチング処理により、基板本体１１の表面１１ａ側から開口部７１ａを中心として等方的にエッチングされる。

図７（ｂ）に示すように、ここでのエッチング処理は、凹部１２がおよそ半球面状となったところで停止する。これにより、断面視で略半円の領域が除去されて、凹部１２が形成される。凹部１２は、平面視で、開口部７１ａを中心とする略円状に形成される（図４参照）。続いて、基板本体１１からマスク７１を除去する。そして、ステップＳ２へ進む。

次に、図６のステップＳ２では、図７（ｃ）に示すように、基板の表面１１ａ側にレンズ層１３を形成する。レンズ層１３は、光透過性を有し、基板本体１１よりも屈折率ｎが大きい無機のレンズ材料を用いて、凹部１２を埋め込むように形成する。本実施形態では、石英からなる基板本体１１に対して、レンズ材料としてＳｉＯＮ（酸化窒化シリコン）を用い、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いて層厚がおよそ１０μｍのレンズ層１３を形成した。レンズ層１３の上面には、複数の凹部１２に対応した凹凸が生ずる。そして、ステップＳ３へ進む。

図６のステップＳ３では、レンズ層１３に対して平坦化処理を施す。この工程では、例えば、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理などを用いて、レンズ層１３の上面を研磨することにより、レンズ層１３を平坦化する。なお、平坦化処理の方法としては、ＣＭＰ処理に限定されるものではなく、エッチバック法を用いてもよい。
ここでは、凹部１２以外の表面１１ａを覆うレンズ層１３の所定の層厚がおよそ３μｍとなるように、図７（ｃ）に２点鎖線で示す範囲までレンズ層１３を研磨する。図７（ｄ）は平坦化処理後のレンズ層１３の状態を示すものである。これにより、凹部１２にレンズ材料が充填されてなるマイクロレンズＭＬが形成されると共に、マイクロレンズＭＬに対して反対側のレンズ層１３の表面１３ａが平坦化される。なお、レンズ層１３の上記所定の層厚は、パス層３１の層厚と合わせて、光の波長に応じたマイクロレンズＭＬの焦点距離などの光学条件に基づいて適宜設定される。そして、ステップＳ４へ進む。

図６のステップＳ４では、図８（ｅ）に示すように、基板本体１１の表面１１ａ側に、遮光膜１４を形成する。遮光膜１４は、例えば、スパッタリング法により成膜された、Ａｌと、ＴｉＮとの積層体である。該積層体の膜厚はおよそ２μｍである。そして、平面視でマイクロレンズＭＬが形成されていない部分１１ｃと重なる部分を残すように例えばフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングする。なお、図１あるいは図３に示したように表示領域Ｅを囲む見切り部１４も同時にパターニング形成する。遮光膜１４を部分的に除去する方法としては、ドライエッチングなどの異方性エッチング処理が挙げられる。そして、ステップＳ５へ進む。

図６のステップＳ５では、図８（ｆ）に示すように、遮光膜１４を覆うパス層３１を形成する。パス層３１は、例えば、ＣＶＤ法によりＳｉＯ₂（酸化シリコン）を厚膜形成する。この時点でのパス層３１の層厚は、およそ１２μｍ〜１３μｍである。パス層３１の表面には、遮光膜１４の配置に起因して凹凸が生ずる。そして、ステップＳ６へ進む。

図６のステップＳ６では、パス層３１に対して平坦化処理を施す。この工程では、例えば、ＣＭＰ処理などを用いて、パス層３１の上面を研磨することにより、パス層３１を平坦化する。なお、平坦化処理の方法としては、ＣＭＰ処理に限定されるものではなく、エッチバック法を用いてもよい。
ここでは、パス層３１の所定の層厚がおよそ１０．５μｍとなるように、図８（ｆ）に２点鎖線で示す範囲までパス層３１を研磨する。図８（ｇ）は平坦化処理後のパス層３１の状態を示すものである。これにより、遮光膜１４に対して反対側のパス層３１の表面３１ａが平坦化される。なお、パス層３１の表面３１ａが、本発明の第３面に相当するものである。また、パス層３１の上記所定の層厚は、前述したように、レンズ層１３の層厚と合わせて、光の波長に応じたマイクロレンズＭＬの焦点距離などの光学条件に基づいて適宜設定される。そして、ステップＳ７へ進む。

図６のステップＳ７では、図８（ｈ）に示すように、平坦化されたパス層３１の表面３１ａを覆って、例えば、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明導電膜を成膜し、この透明導電膜をパターニングして、共通電極３４を形成する。これによって、表面が平坦な共通電極３４が形成される。共通電極３４の膜厚はおよそ５００ｎｍである。
なお、この後、図３にしめしたように、共通電極３４を覆う配向膜３５が形成される。

本実施形態のマイクロレンズアレイ基板１０の製造方法は、ステップＳ６のパス層平坦化工程と、ステップＳ７の共通電極形成工程とを含んで説明したが、これに限定されるものではない。例えば、ステップＳ５のパス層形成工程において、遮光膜１４を覆ったパス層３１の表面が十分に平坦な状態ならば、ステップＳ６のパス層平坦化工程を省略してもよい。また、液晶装置１００の光学的な設計によっては、画素電極２８に対向する対向電極を対向基板３０側に設けずに、素子基板２０側に設ける場合が考えられる。具体的には、ＩＰＳ（In Plane Switching）やＦＦＳ（Fringe Field Switching）といった方式が挙げられる。

上記第１実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１）電気光学装置用基板としてのマイクロレンズアレイ基板１０とその製造方法によれば、見切りの機能を有する遮光膜１４は、平坦化されたレンズ層１３の表面１３ａ上に形成される。したがって、遮光膜１４をパス層３１の平坦化された表面３１ａ上に形成する場合に比べて、パス層３１と共通電極３４との間に平坦化を目的とした層間膜層を形成する必要がないので、製造工程を簡略化できる。つまり、上記層間膜層を形成する場合に比べて、高い生産性が実現されたマイクロレンズアレイ基板１０とその製造方法を提供できる。
（２）遮光膜１４は、Ｘ方向とＹ方向とに交差する対角方向においてレンズ層１３のマイクロレンズＭＬが形成されていない部分１１ｃと重なるように配置されている。さらに、遮光膜１４は、レンズ層１３の平坦化された表面１３ａに形成されている。したがって、マイクロレンズＭＬが形成されていない部分１１ｃに対応して遮光膜１４が形成されていない場合に比べて、素子基板２０に入射する不要な光を低減できる。
（３）パス層３１の表面３１ａは平坦化処理が施されているので、表面３１ａを覆う共通電極３４の表面も平坦化される。つまり、共通電極３４の表面の凹凸に起因する表示ムラが生じ難くなる。
（４）マイクロレンズアレイ基板１０を用いた液晶装置１００は、明るい表示が可能であると共に、優れたコストパフォーマンスを有する。

（第２実施形態）
＜電子機器＞
次に、第２実施形態である電子機器としての投射型表示装置について、図９を参照して説明する。図９は投射型表示装置の構成を示す概略図である。

図９に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。

偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。

ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。

ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。

液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。

液晶ライトバルブ１２１０は、上述した第１実施形態の液晶装置１００が適用されたものである。液晶装置１００の色光の入射側と射出側とにクロスニコルに配置された一対の偏光素子が隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。

このような投射型表示装置１０００によれば、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として、上記液晶装置１００が用いられているので、光の利用効率が改善され明るい表示が可能であると共に、優れたコストパフォーマンスを有する投射型表示装置１０００を提供することができる。

本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置用基板、電気光学装置用基板の製造方法及び電気光学装置、ならびに該電気光学装置を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。

（変形例１）液晶装置１００において、前述したように表示領域Ｅには、ダミー画素を含んでいてもよいとした。したがって、マイクロレンズアレイ基板１０は、ダミー画素に対応したマイクロレンズＭＬを有していてもよい。その場合、ダミー画素に対応して形成されたマイクロレンズＭＬと重なるように遮光膜１４を形成することが好ましい。これにより、マイクロレンズアレイ基板１０の製造方法において、表示領域Ｅの最外周に位置するマイクロレンズＭＬの形状が安定していなくても、実際の表示には寄与しないので、マイクロレンズＭＬの製造ばらつきに起因する集光性能の画素間ばらつきを低減できる。

（変形例２）マイクロレンズアレイ基板１０において、表示領域Ｅにおける遮光膜１４の配置は、マイクロレンズＭＬが形成されていない部分１１ｃと重なるように配置されることに限定されない。図１０は変形例のマイクロレンズに対する遮光膜の配置を示す概略平面図である。例えば、図１０に示すように、遮光膜１４は、マイクロレンズＭＬが形成されていない部分と、Ｘ方向及びＹ方向において隣り合うマイクロレンズＭＬの境界である陵の部分とに重なるように配置されていてもよい。このように配置することで遮光膜１４は複数の画素Ｐのそれぞれにおいて開口領域を規定する開口部１４ａを有することになる。変形例の遮光膜１４の配置によれば、表示領域Ｅにおいて遮光膜１４はブラックマトリックス（ＢＭ）として機能するので、隣り合う画素間の集光ばらつきを低減し、表示品質において高いコントラストを有する液晶装置１００を実現できる。

（変形例３）マイクロレンズアレイ基板１０において、表示領域Ｅにおける遮光膜１４は配置せず、見切り部１４にのみ遮光膜を配置するようにしてもよい。この場合、明るい表示が可能な液晶装置１００を実現できる。

（変形例４）上記液晶装置１００が適用される電子機器は、投射型表示装置１０００に限定されない。例えば、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や、ＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、ＰＯＳなどの情報端末機器の表示部として好適に用いることができる。

１０…電気光学装置用基板としてのマイクロレンズアレイ基板、１１…透光性の基板としての基板本体、１１ａ…第１面としての基板本体の表面、１１ｃ…マイクロレンズが形成されていない部分、１２…凹部，１３…レンズ層、１３ａ…第２面としてのレンズ層の表面、１４…遮光膜（見切り部）、２０…素子基板、３０…対向基板、３１…パス層、３１ａ…第３面としてのパス層の表面、４０…液晶層、１００…電気光学装置としての液晶装置、１０００…電子機器としての投射型表示装置、Ｐ…画素、ＭＬ…マイクロレンズ。

Claims (13)

1. 透光性の基板の第１面をエッチングして複数の画素のそれぞれに対応した凹部を形成する工程と、
   前記基板の屈折率よりも大きい屈折率を有するレンズ材料を用い、少なくとも前記凹部を埋めてなるマイクロレンズを含むレンズ層を形成する工程と、
   前記レンズ層の前記マイクロレンズが形成された面に対して反対側の第２面を平坦化する工程と、
   平坦化された前記第２面に、前記複数の画素のそれぞれが配置される表示領域を囲む遮光膜を形成する工程と、
   前記遮光膜が形成された前記第２面を覆う透光性のパス層を形成する工程と、を備えることを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
2. 前記パス層の前記レンズ層に接する側に対して反対側の第３面に透明導電膜を成膜する工程を、さらに備えることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
3. 前記透明導電膜を成膜する工程の前に、
   前記パス層の前記第３面を平坦化する工程を有することを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
4. 透光性の基板と、
   前記基板において、複数の画素のそれぞれに対応するように形成された凹部を、前記基板の屈折率よりも大きい屈折率のレンズ材料で埋めることで得られたレンズ面を有するマイクロレンズを含むレンズ層と、
   前記レンズ層の前記マイクロレンズが設けられた側に対して反対側の第２面に、少なくとも前記複数の画素が配置される表示領域を囲むように設けられた遮光膜と、
   前記第２面において前記遮光膜を覆うように設けられた透光性のパス層と、
   を備えたことを特徴とする電気光学装置用基板。
5. 前記パス層の前記遮光膜の側に対して反対側の第３面を覆う透明導電膜をさらに備えたことを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置用基板。
6. 前記パス層の前記第３面に平坦化処理が施されていることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置用基板。
7. 前記レンズ層の前記第２面に平坦化処理が施されていることを特徴とする請求項４乃至６のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板。
8. 前記凹部は、前記基板の第１面をエッチングすることにより形成されたことを特徴とする請求項４乃至７のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板。
9. 前記遮光膜は、前記第２面における前記複数の画素のそれぞれの対角方向において、前記マイクロレンズが設けられていない前記レンズ層の部分と重なるように配置された部分を含むことを特徴とする請求項４乃至８のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板。
10. 前記遮光膜は、前記第２面において、前記複数の画素のそれぞれの開口領域を規定するように設けられた部分を含むことを特徴とする請求項４乃至８のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板。
11. 一対の基板と、前記一対の基板により挟持された液晶層とを備えた電気光学装置であって、
    前記一対の基板のうちの一方の基板として、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板の製造方法を用いて製造された電気光学装置用基板が用いられていることを特徴とする電気光学装置。
12. 一対の基板と、前記一対の基板により挟持された液晶層とを備えた電気光学装置であって、
    前記一対の基板のうちの一方の基板として、請求項４乃至１０のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板が用いられていることを特徴とする電気光学装置。
13. 請求項１１または１２に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。

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