JP2006323143A - マイクロレンズの製造方法及び電気光学装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 例えば、製造プロセスにおける不具合の発生を低減しつつ、所望の光学特性を有するマイクロレンズを製造する
【解決手段】 支持基板２１０に接着されたカバー基板２００ａの厚みを研磨等の手法を用いて薄くする。ここで、カバー基板２００ａは、最終的に形成されるマイクロレンズ基板２０が所望の光学特性を得るために、例えば０．１ｍｍ以下の厚みになるように研磨される。尚、カバー基板２００ａは支持基板８００に接着された状態で研磨されるため、カバー基板２００ａを０．１ｍｍ以下の厚みまで薄くしても支持基板８００に支持されている分、カバー基板２００ａに割れ等の不具合が生じることを低減できる。
【選択図】 図１０

Description

本発明は、例えば、液晶装置等の電気光学装置に用いられるマイクロレンズ基板を形成できるマイクロレンズの製造方法及びマイクロレンズを用いた電気光学装置の製造方法の技術分野に関する。

液晶装置等の電気光学装置において、例えば対向基板には、各画素に対応するマイクロ
レンズが作り込まれたマイクロレンズアレイ板が貼り付けられたりする。マイクロレンズは、バックライトの如き光源から出射された光を無駄なく各画素の開口領域に集光することによって、光源から出射された光の利用効率を高めることから、電気光学装置では明るい表示が実現される。

このようなマイクロレンズアレイ板は、レンズ曲面が形成されたガラス基板とカバーガラスとを接着層を介して接着する工程を経て形成される。このような工程を経て製造されるマイクロレンズ板の製造方法では、製造プロセスにおけるハンドリングを支障なく行い、且つマイクロレンズ板の所望の光学特性を得るために、カバーガラスはガラス基板に接着された後に研磨され、その表面の平坦性が高められる。特許文献１は、このマイクロレンズ基板の製造方法の一例を開示している。特許文献１によれば、マイクロレンズ板の所望の光学特性を得るために、カバーガラスの厚みは１０〜１０００μｍが好ましく、より好ましく２０〜１５０μｍ程度が良いとされている。

特開２００１−１７９７６０号公報

しかしながら特許文献１に開示された技術では、ガラス基板にカバーガラスを接着した後に、研磨或いは研削等の物理的な手法を用いてカバーガラスを薄くし、且つその表面を平坦化することから、カバーガラスが受けるダメージが大きく、カバーガラスの割れ或いは変質等の不具合が発生する問題点がある。加えて、カバーガラスの平坦化が十分でない場合には、例えばカバーガラスの表面に形成される遮光膜又は導電膜の膜質を低下させ、マイクロレンズ板の歩留まりを低下させてしまう問題点もある。

このような問題点を解消するために、ガラス基板に接着される前にカバーガラスを薄くした場合、例えば、カバーガラスの厚みを１０〜１０００μｍ程度に薄くしておいた場合には、カバーガラスの機械的強度が十分でなく製造プロセスにおけるハンドリングによってカバーガラスに割れ等の不具合が生じてしまう製造プロセス上の問題点もある。また、マイクロレンズ板を効率良く製造することを望む製造プロセス上の要請も多い。

よって、本発明は上記問題点及び要請等に鑑みてなされたものであり、例えば、製造プロセスにおける不具合の発生を低減しつつ、所望の光学特性を有するマイクロレンズを製造することができるマイクロレンズの製造方法を提供することを課題とする。

本発明の第１の発明に係るマイクロレンズの製造方法は上記課題を解決するために、所定の厚みを有する透明基板を接着層を介して支持基板に貼り合わせる第１工程と、該支持基板に貼り合わせられた透明基板の厚みを前記所定の厚みより薄くする第２工程と、該所定の厚みより薄くされた透明基板を、マイクロレンズのレンズ曲面が形成された第１基板に高屈折率樹脂層を介して接着する第３工程と、前記支持基板を前記所定の厚みより薄くされた透明基板から剥離する第４工程とを備える。

本発明の第１の発明に係るマイクロレンズの製造方法では、第１工程において、製造プロセスにおけるハンドリングで加わる応力によってダメージを受けないように透明基板を厚めにしておくことができる。例えば、カバーガラス等の透明基板の厚みを０．５ｍｍ〜０．８ｍｍ程度にしておくことができ、このような厚みのカバーガラスであれば、ハンドリング時に割れ等の不具合が生じることは殆どない。接着層は、例えばワックス等の接着力を有する樹脂であり、第１工程で支持基板に透明基板を支持可能なように接着する。

第２工程では、透明基板は支持基板に貼り付けられているため機械的強度が高められており、透明基板を薄くする際に透明基板に割れ等の不具合が発生することを低減できる。ここで、「所定の厚み」とは、ハンドリング時に割れ等の不具合が生じない程度の機械的強度を有する透明基板の厚みを意味し、透明基板の材質、物理的な形状、加工条件等の各種条件によって異なる。したがって、本発明のマイクロレンズの製造方法によれば、これら各種条件に応じて透明基板の厚みを設定しておくことができ、マイクロレンズの品質を維持しながら加工条件等を変更可能である利点を有する。加えて、透明基板を薄くすることによって最終的に形成されるマイクロレンズについて所望の光学特性を得ることが可能である。

第３工程では、第１基板には予めレンズ曲面が形成されており、所定の厚みより薄くされた透明基板を高屈折率樹脂を介して第１基板に接着することによって、マイクロレンズの主要部が形成される。透明基板は、例えば所定の厚みより薄くされるため、最終的に形成されるマイクロレンズの光学特を所望の特性にすることができる。

第１基板は、例えば石英基板或いはガラス基板等の光透過性を有する基板である。レンズ曲面は、例えばマイクロレンズが設けられる液晶装置等の電気光学装置の複数の画素に合わせてアレイ状に形成されている。より具体的には、第１基板は、マイクロレンズのレンズ曲面を有する、例えば複数の凹部を有している。このような凹部の形成は、例えば、次のような手順によって行われる。即ち、第１基板上にマスクを形成し、該マスクにおいて、第１基板の凹部の形成位置に対応する箇所に、例えばフォトリソグラフィ法を用いたパターニングにより、開口部を形成する。続いて、複数の開口部が形成されたマスクを介して、第１基板に対して等方性エッチングを施すことにより、複数の凹部を形成する。尚、透明基板及び第１基板は、直接高屈折率樹脂を介して接着されていてもよい、透明基板の表面に形成された電極膜等の他の膜を介して接着されていてもよい。

第１基板及び透明基板を貼り合わせる際には、第１基板においてレンズ曲面が形成された側の面と透明基板とを対向させて、アライメントし、接着層により第１及び第２基板を貼り合わせる。この際、第１基板及び透明基板のいずれか一方において、他方の基板と対向することになる側の面上に、例えば接着力を有する高屈折率樹脂を塗布し、第１基板及び透明基板を貼り合わせる。

尚、「高屈折率樹脂」とは、第１基板より高い屈折率を有する樹脂を意味する。高屈折率樹脂を介して透明基板及び第１基板を接着することによって、例えば液晶装置等のバックライトの如き光源で発生した光を画素領域に集光し、液晶装置による明るい画像表示が可能になる。

第４工程では、支持基板を透明基板から剥離するだけなので透明基板に余分なダメージが加わることがない。

このように本発明の第１の発明に係るマイクロレンズの製造方法によれば、カバーガラス等の透明基板が製造プロセスにおけるハンドリングによってダメージを受けることを低減でき、所望の光学特性が得られるように透明基板を薄くできる。加えて、製造プロセスにおける加工条件の選択の幅が広がると共に、透明基板がダメージを受けない分、マイクロレンズの歩留まりを高めることも可能である。

本発明の第１の発明に係るマイクロレンズの製造方法の一の態様では、前記第２工程において、前記透明基板における前記支持基板に接する面の裏面側から前記透明基板を研磨又はエッチングすることによって、前記透明基板の厚みを前記所定の厚みより薄くしてもよい。

この態様では、透明基板を支持基板に接着した状態で裏面側から、例えば物理的に透明基板の厚みを薄くする研磨、或いはフッ酸等の薬液を用いたウェットエッチング法等の手法によって透明基板を薄くできる。特に、フッ酸等の薬液を用いたウェットエッチング法によれば、エッチングされた透明基板の裏面の表面粗さを小さくでき、裏面をより平坦化することが可能である。より具体的は、このような裏面によれば、加工時において発生する透明基板の変質層、又は傷を低減できる。加えて、裏面に所望の膜質を有する遮光膜、又は導電膜を成膜することも可能であり、マイクレンズの品質を高めることができる。

本発明の第１の発明に係るマイクロレンズの製造方法の他の態様では、前記第４工程において、
前記接着層の温度を所定の温度以上に上げることによって前記支持基板を前記所定の厚みより薄くされた透明基板から剥離してもよい。

この態様では、接着層の温度を上げるによって支持基板及び透明基板間の接着力を弱め、マイクロレンズの構成要素とされない支持基板を透明基板から剥離する。これにより、所定の厚みより薄くされた透明基板、高屈折率樹脂、及び第１基板を主要な構成要素とするマイクロレンズを製造することができる。接着層は、温度を上げることによって接着力が低下する材料で構成されていればよい。このような材料として、例えば１００℃以上で溶融することによって接着力が低下するワックス等の樹脂を用いることができる。より具体的には、例えばワックスを介して１００℃以下の温度で接着された透明基板及支持基板と共にワックスの温度を１００℃以上に上げることによって、支持基板を透明基板から剥離可能な状態にし、支持基板のみを別途用意された装置を用いて物理的に剥離する。

この態様によれば、製造プロセスにおいて透明基板を支持基板に支持できると共に最終的に支持基板を透明基板から剥離する際にはこれら基板間の接着力を弱めることができるため、支持基板を透明基板から剥離する際に透明基板に過剰な応力が加わることがなく、透明基板に割れ等の不具合が生じることを低減できる。

本発明の第２の発明に係るマイクロレンズの製造方法は上記課題を解決するために、所定の厚みを有する透明基板を、マイクロレンズのレンズ曲面が形成された第１基板に高屈折率樹脂層を介して接着する第１工程と、該第１基板に接着された透明基板の表面に対して交わる方向に沿った該表面内における回転軸を中心として前記透明基板を回転させながら、前記所定の厚みより薄くなるように前記透明基板の表面をエッチングする第２工程とを備える。

本発明の第２の発明に係るマイクロレンズの製造方法では、第１工程において、第１基板には予めレンズ曲面が形成されており、所定の厚みより薄くされた透明基板を高屈折率樹脂を介して第１基板に接着することによって、マイクロレンズの主要部が形成される。レンズ曲面は、例えばマイクロレンズを構成要素とする液晶装置等の電気光学装置に設けられた複数の画素に合わせてアレイ状に形成されている。第１基板は、例えば石英基板等の光透過性を有する基板である。「高屈折率樹脂」とは、第１の発明に係るマイクロレンズの製造方法と同様に第１基板より高い屈折率を有する樹脂を意味する。

第２工程において、第１基板に接着された透明基板は、例えば第１基板に接着された状態のままで第１基板と共に回転され、その表面がエッチングされる。透明基板は、透明基板の表面に対して交わる方向に沿った該表面内における回転軸を中心として透明基板を回転される。ここで、「回転軸」とは、透明基板の表面内の中心を通る軸であり、透明基板はこの回転軸を中心として回転される。したがって、フッ酸等の薬液を用いたウェットエッチング法により透明基板の表面をエッチングする際には、透明基板の表面に供給された薬液には透明基板の周縁に向かって遠心力が作用し、透明基板の表面内の中心から周縁に向かって均一に薬液が流れ、透明基板の表面を均一にエッチングしながら透明基板の厚みを薄くできる。

第１基板に対して透明基板の表面が延在するように透明基板を薄くできることから、光の第１基板側から、或いは透明基板の表面側から入射する光の透過率を高めることができる。加えて、エッチングは研磨等の物理的に透明基板を削る手法に比べて透明基板に与えるダメージも小さく、透明基板の表面の表面粗さを低減できる。これにより、例えば透明基板の表面に形成される遮光膜又は導電膜の膜質を高めることもできる。更に、エッチングによって透明基板を薄くする加工速度は、研磨に比べて速く、透明基板を所定の厚みより薄くするために要する加工時間を短縮でき、マイクロレンズを効率良く製造できる利点もある。

本発明の第２の発明に係るマイクロレンズの製造方法の一の態様では、前記第２工程において、前記表面側からエッチング液を供給し、該エッチング液が前記透明基板の端面側に回り込まないように前記透明基板の回転数を調整してもよい。

この態様によれば、例えば透明基板、高屈折率樹脂及び第１基板の夫々の接合界面が透明基板の端面側に露出する領域にエッチング液が付着することを低減でき、透明基板及び第１基板の接着力が低下することを低減できる。より具体的には、透明基板の回転数を調整することによって、回転時に透明基板の表面に供給されたエッチング液に作用する遠心力を調整し、エッチング液が透明基板の端面側に回り込むことを低減できる。特に、透明基板に対するエッチングレートが高いエッチング液は、高屈折率樹脂の接着力及び特性を低下させる作用も大きい傾向にあるため、透明基板の端面側にエッチング液が回り込まないようにすることは、マイクロレンズの品質を維持するうえで重要である。

本発明の第２の発明に係るマイクロレンズの製造方法の他の態様では、前記透明基板の形状は円盤形状であり、前記第２工程において、所定の幅を有し且つ前記透明基板の径方向に沿って伸びる前記表面における所定の領域に前記エッチング液を噴霧してもよい。

この態様によれば、透明基板を回転させることによって透明基板の表面を流れるエッチング液が表面に接触している時間を表面全体均一にでき、これに伴い表面を均一にエッチングできる。より具体的は、例えば、透明基板の表面におけるエッチング液が供給される領域の位置及び範囲、加えて供給されるエッチング液が供給量によっては、透明基板を回転させるだけでは透明基板の表面を十分均一に平坦化できない場合もあるため、エッチング液が表面全体に均一に広がるように、所定の幅を有し且つ透明基板の径方向に沿って伸びる前記表面における所定の領域にエッチング液を噴霧する。これにより、透明基板の周方向に沿ってエッチング液が均一に流れ、これに伴い表面が均一にエッチングされる。加えて、エッチング液を噴霧することによって、透明基板の表面における特定の領域が他の領域より余分にエッチングされることを低減できる。

本発明の第１及び第２の発明に係るマイクロレンズの製造方法の他の態様では、前記所定の厚みは０．１ｍｍ以上であってもよい。

この態様によれば、透明基板のハンドリング時に透明基板に割れ等の不具合が生じることを相応に低減できる。加えて、透明基板を０．１ｍｍ未満の厚みに薄くすることによってマイクロレンズは所望の光学特性を得ることが可能である。

本発明に係る電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、画素を備えた基板とマイクロレンズ基板とを備えた電気光学装置の製造方法であって、上述の本発明のマイクロレンズの製造方法の工程を含む。

本発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、上述の本発明に係るマイクロレンズの製造方法を含んでいるため、結果的に高性能の電気光学装置を効率良く製造できる。

本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施形態から明らかにされる。

以下、図面を参照しながら本発明の第１及び第２の発明に係るマイクロレンズの製造方法の各実施形態、及びそのようなマイクロレンズの製造方法を用いて製造されたマイクロレンズ基板を備えた液晶装置等の電気光学装置、並びに電子機器を説明する。

＜１：マイクロレンズ基板＞
先ず、本発明のマイクロレンズの製造方法を用いて製造されるマイクロレンズ基板について、図１及び図２を参照して説明する。

図１（ａ）は、マイクロレンズ基板２０の概略斜視図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ´断面部分の構成について示す概略斜視図である。また、図２（ａ）は、マイクロレンズ基板２０のうち４つのマイクロレンズに係る部分を拡大して示す部分拡大平面図であり、図２（ｂ）は、マイクロレンズ基板２０の部分拡大断面図である。

図１（ａ）に示すように、マイクロレンズ基板２０は、例えば石英基板やガラス板等の透明部材からなる第１基板２１０と、本発明の「高屈折率樹脂」の一例である接着層２３０によって第１基板２１０に接着された透明なカバー基板２００を備えている。尚、後述するようにマイクロレンズ基板２０は、カバー基板２００における第１基板２１０に臨む側の面に形成された電極を含んでいてもよい。このような電極は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide；酸化インジウムと酸化錫の混合物）等の透明導電性膜により形成されている。

カバー基板２００における接着層２３０と対向する側に、図２（ｂ）に示すように遮光膜２３が形成されている。尚、図１（ａ）及び図１（ｂ）においては、このような、第１基板２１０上において、接着層２３０より上層側であって、カバー基板２００より下層側の詳細な構成、例えば遮光膜２３については図示を省略してある。

マイクロレンズ基板２０のレンズ形成領域２０ａには、以下のようにアレイ状に平面配列された多数のマイクロレンズ５００が形成されている。図１（ｂ）において、第１基板２１０には、アレイ状に多数の凹状の窪み、即ち凹部が掘られている。各凹部には、例えば感光性樹脂材料からなる接着剤が硬化してなる、第１基板２１０よりも高屈折率の透明な接着層２３０が充填されている。各凹部に充填された接着層２３０によって、マイクロレンズ５００が形成されている。

図２（ｂ）に示すように、各マイクロレンズ５００の曲面は、相互に屈折率が異なる第１基板２１０と接着層２３０とにより概ね規定されている。より具体的には、各凹部は、マイクロレンズ５００のレンズ曲面を規定している。そして、各マイクロレンズ５００は、例えば凹部によって規定されるレンズ曲面を有する平凸状のレンズとして構築されている。

尚、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示す凹部は、それが規定する球面又は非球面であるレンズ曲面が、隣接する凹部が規定するレンズ曲面と、接するように形成されてもよいし、交わるように形成されてもよい。後者の如くレンズ曲面が交わるように形成すれば、各マイクロレンズ５００においてレンズとして有効な領域を広くとることが可能となる。理想的には、各マイクロレンズ５００のコーナー部５０１（図２（ａ）参照）において、４つのレンズ曲面が交わるようにすれば、各マイクロレンズ５００の隅々にまで、集光機能を与えることが可能となり、光の利用効率を最大限に高めることが可能となる。

マイクロレンズ基板２０は、後述するように、液晶装置等の電気光学装置において対向基板として用いられ、各画素に対応させて、マイクロレンズ５００が配置される。ここで、カバー基板２００における接着層２３０と接する側に形成された不図示の電極は、画素電極と対向させて、対向電極として配置される。遮光膜２３は、第１基板２１０上において、例えば、平面的に見て、格子状或いはストライプ状のパターンとして形成される。尚、第１基板２１０上であって、カバー基板２００において接着層２３０と対向する側に、遮光膜２３の他、カラーフィルタが形成されてもよい。或いは、このようなカラーフィルタ等は、第１基板２１０上において、配向膜と共に、カバー基板２００より上層側に配置されて、形成されてもよい。

＜２：電気光学装置＞
次に、本実施形態の電気光学装置について、その全体構成を図３及び図４を参照して説明する。図３は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板として用いられる上述のマイクロレンズ基板側から見た平面図であり、図４は、図３のＨ−Ｈ´断面図である。ここでは、電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例に挙げる。

図３及び図４において、本実施形態に係る電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板として用いられるマイクロレンズ基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０とマイクロレンズ基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０とマイクロレンズ基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。

シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０とマイクロレンズ基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材５６が散布されている。即ち、本実施形態の電気光学装置は、プロジェクタのライトバルブ用として小型で拡大表示を行うのに適している。

シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、マイクロレンズ基板２０側に設けられている。この額縁遮光膜５３は、例えば、図２（ｂ）を参照して説明した遮光膜２３と同様に、マイクロレンズ基板２０において、第１基板２１０上であって、カバー基板２００に形成された電極より下層側に配置されて、形成される。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、マイクロレンズ基板２０の第１基板２１０上において、電極より上層側に配置されて形成されてもよいし、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として形成されてもよい。尚、図３及び図４において、マイクロレンズ基板２０を構成する、第１基板２１０や接着層２３０、マイクロレンズ５００等の詳細な構成については図示を省略してある。

画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。また、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺のいずれかに沿い、且つ、前記額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。尚、走査線駆動回路１０４を、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２が設けられたＴＦＴアレイ基板１０の一辺に隣接する２辺に沿って設けるようにしてもよい。この場合、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿って設けられた複数の配線によって、二つの走査線駆動回路１０４は互いに接続されるようにする。

マイクロレンズ基板２０の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナー部に対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０とマイクロレンズ基板２０との間で電気的な導通をとることができる。

図４において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴ（Thin Film Transistor；以下適宜、“ＴＦＴ”と称する）や走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜１６が形成されている。他方、詳細な構成については後述するが、マイクロレンズ基板２０は、電気光学装置において、カバー基板２００に形成された電極が、画素電極９ａと対向するように配置されており、この電極上には、配向膜２２が形成されている。

尚、ＴＦＴアレイ基板１０には、石英やプラスチックなどの透明基板を用いてもよいし、単結晶シリコンあるいは単結晶シリコン化合物などからなる半導体基板を用いてもよい。

因みに、ＴＦＴアレイ基板１０に、単結晶シリコンなどの半導体を用いた場合には、画素スイッチング用の素子としては、ＴＦＴではなく、トランジスタを用いることができる。

ＴＦＴアレイ基板１０又はマイクロレンズ基板２０上において、配向膜１６又は２２は、例えばポリイミド等の有機材料により形成される。本実施形態では、ＴＦＴアレイ基板１０及びマイクロレンズ基板２０のいずれか一方上にのみ配向膜を形成するか、或いはこれらのいずれか一方上に形成される配向膜を無機材料により形成するようにしてもよい。

液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。

尚、図３及び図４に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。

次に、以上の如く構成された電気光学装置における回路構成及び動作について、図５を参照して説明する。図５には、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路を示してある。

図５において、本実施形態における電気光学装置の画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。

また、ＴＦＴ３０のゲートにゲート電極３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線１１ａ及びゲート電極３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。

画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、マイクロレンズ基板２０に形成された対向電極２１との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。

ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。この蓄積容量７０は、走査線１１ａに並んで設けられ、固定電位側容量電極を含むとともに定電位に固定された容量電極３００を含んでいる。

上述した電気光学装置に設けられたマイクロレンズ基板２０の詳細な構成と、その機能について図６及び図７を参照して説明する。図６は、マイクロレンズ基板２０における、遮光膜２３及びマイクロレンズ５００が配置される開口領域７００の配置関係を模式的に示す平面図であって、図７は、複数の画素について、図４に示す断面の構成をより詳細に示す図であって、各マイクロレンズ５００の機能について説明するための断面図である。

図７において、マイクロレンズ基板２０において、第１基板２１０上（図中では、第１基板２１０の下側）であって、カバー基板より下層側（図中では、カバー基板２００より上側）には、例えば図６に示すように格子状の平面パターンを有する遮光膜２３が形成される。マイクロレンズ基板２０において、遮光膜２３によって非開口領域が規定され、遮光膜２３によって区切られた領域が開口領域７００となる。尚、遮光膜２３をストライプ状に形成し、該遮光膜２３と、ＴＦＴアレイ基板１０側に設けられる容量電極３００やデータ線６ａ等の各種構成要素とによって、非開口領域を規定するようにしてもよい。

各マイクロレンズ５００は各画素に対応するように配置される。より具体的には、図７に示すように、マイクロレンズ基板２０において、画素毎に、開口領域７００及び該開口領域７００の周辺に位置する非開口領域を少なくとも部分的に含む領域に、マイクロレンズ５００が配置されて形成されている。

図７において、マイクロレンズ基板２０のカバー基板２００上（図中ではカバー基板２００の下側）に、配向膜２２が形成されている。加えて、マイクロレンズ基板２０において、第１基板２１０上であって、カバー基板２００より下層側に又はカバー基板２００より上層側に、各開口領域７００に配置されて、カラーフィルタが形成されてもよい。

他方、図７において、ＴＦＴアレイ基板１０上の各開口領域７００に対応する領域には画素電極９ａが形成されている。また、ＴＦＴアレイ基板１０上において、画素スイッチング用のＴＦＴ３０や、画素電極９ａを駆動するための走査線１１ａやデータ線６ａ等の各種配線並びに蓄積容量７０等の電子素子が、非開口領域に形成されている。このように構成すれば、当該電気光学装置における画素開口率を比較的大きく維持することが可能となる。更に、画素電極９ａ上には配向膜１６が設けられている。

図７において、マイクロレンズ基板２０に入射される投射光等の光は、各マイクロレンズ５００によって集光される。尚、図７中、一点鎖線によってマイクロレンズ５００によって集光された光のようすを概略的に示してある。そして、各マイクロレンズ５００によって集光された光は、液晶層５０を透過して画素電極９ａに照射され、該画素電極９ａを通過して表示光としてＴＦＴアレイ基板１０より出射される。よって、マイクロレンズ基板２０に入射された光のうち非開口領域に向かう光も、マイクロレンズ５００の集光作用により開口領域７００に入射させることができるため、各画素における実行開口率を高めることができる。

ここで、本実施形態のマイクロレンズ基板の他の例の構成を、図８を参照して説明する。図８は、本例のマイクロレンズ基板を有する電気光学装置の構成について、図７と同様に示す断面図である。

本例のマイクロレンズ基板２０は、第１基板２１０に接着層２３０を介して接着された透明なカバー基板２００を有する点で、本実施形態と共通している。また、カバー基板２００において、接着層２３０と対向する側と反対側の面上に、遮光膜２３が形成されており、この遮光膜２３より上層側（図８中、遮光膜２３の下側）に透明な電極２１が形成される。

このようなマイクロレンズ基板２０を有する電気光学装置においては、図８おいて、一点鎖線によって示すように、マイクロレンズ基板２０に入射され、マイクロレンズ５００によって集光された、投射光等の光は、更に、開口領域７００において、カバー基板２００を通過して、該カバー基板２００上に形成された電極２１、及び該電極２１より上層側に形成された配向膜２２を通過して、液晶層５０に入射される。

また、図７に示すマイクロレンズ基板２０の構成によれば、マイクロレンズ５００によって集光された、投射光等の光は、開口領域７００において、電極２１を通過し、更に配向膜２２を通過して、液晶層５０に入射される。

ここで、例えば、第１基板２１０を石英基板により形成する場合には、第１基板２１０の屈折率は１．４６程度の値であり、接着層２３０は、屈折率が１．６程度の透明樹脂により形成される。加えて、電極２１をＩＴＯにより形成する場合には、電極２１の屈折率は例えば１．９程度の値である。

他方、図２（ｂ）を参照して説明したように、マイクロレンズ基板２０において、第１基板２１０上で、遮光膜２３は電極２１より下層側に配置されて、形成されている。マイクロレンズ基板２０では、後述するようにカバー基板２００の表面が平坦に形成されているため、遮光膜２３及び電極２１を薄膜形成法で形成した場合でも膜質を高めることができる。加えて、電極２１の表面において、良好な平坦性を得ることができる。従って、平坦な電極の２１の表面上に配向膜２２を形成することができるため、該配向膜２２の表面においても良好な平坦性を確保することが可能となる。よって、配向膜２２の表面に対するラビング処理において、配向不良箇所が発生するのを防止することができる。

その結果、以上説明したような、本実施形態の電気光学装置では、高品質な画像表示を行うことが可能となる。

以上説明した本実施形態では、電気光学装置においてデータ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に設ける代わりに、例えばＴＡＢ（Tape Automated bonding）基板上に実装された駆動用ＬＳＩを、外部回路接続端子１０２に異方
導電フィルムを介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。また、マイクロレンズ基板２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の出射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＶＡ（Vertically Aligned）モード、ＰＤＬＣ(Polymer Dispersed Liquid Crystal)モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。

＜３：マイクロレンズ基板の製造方法＞
次に、本実施形態に係るマイクロレンズ基板２０の製造方法について、図９から図１４を参照して説明する。図９から図１１は、マイクロレンズ基板２０の製造工程の一例を概略的に示す工程断面図であり、図１２は、マイクロレンズ基板２０の製造工程の他の一例を示す断面図である。図１３は、図１２（ｂ）に示す工程断面図に対応する工程平面図である。図１４は、本願発明者がエッチングの均一性について実験した実験結果を示すグラフである。

図９（ａ）に示すように、第１基板２１０ａ上に、マスク９００として例えばＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等によりアモルファスシリコン膜を形成する。マスク９００は耐フッ酸性を有するＣｒ膜、ポリシリコン膜等でも良い。

続いて、図９（ｂ）に示すように、マスク９００において図１又は図２（ｂ）に示す凹部の形成位置に対応する個所に、例えばマスク９００に対するフォトリソグラフィ法を用いたパターニングにより、複数の開口部９０２を形成する。マスク９００において、複数の開口部９０２は夫々平面的に例えば円形状として形成され、且つ該開口部９０２に対応して、第１基板２１０ａに形成される凹部より小さいサイズとして形成される。

続いて、図９（ｃ）において、複数の開口部９０２が形成されたマスク９００を介して、第１基板２１０ａに対して等方性エッチングを施すことにより、複数の凹部を形成する。より具体的には、この等方性エッチングは、好ましくは、フッ酸系などのエッチャントを用いたウェットエッチングにより行われる。

その後、図９（ｄ）において、マスク９００をエッチング処理によって除去する。

また、図１０において、図９を参照して説明した各工程と並行して、又は相前後して、支持基板８００上に、次のような各工程により、所定の厚みより薄くされたカバー基板２００上に電極２１及び遮光膜２３を形成する。

図１０（ａ）において、接着層２５を介してカバー基板２００ａを支持基板８００に接着する。ここで、カバー基板２５の厚みは、製造プロセスにおけるハンドリング等に支障が生じることなく、且つハンドリング時にカバー基板２００ａに加わる応力等によってカバー基板２００ａが破損しないように所定の厚みより厚い。より具体的には、例えば支持基板８００に接着されたカバー基板２００ａの厚みは、０．５〜０．８ｍｍである。また、接着層２５は、例えばワックス等の樹脂材料を含んでいる。このような樹脂材料としては、加熱されることによって液状となり接着力が低下する材料が選択される。

続いて、図１０（ｂ）において、支持基板２１０に接着されたカバー基板２００ａの厚みを研磨等の手法を用いて薄くする。ここで、カバー基板２００ａは、最終的に形成されるマイクロレンズ基板２０が所望の光学特性を得るために、例えば０．１ｍｍ以下の厚みになるように研磨される。尚、カバー基板２００ａは支持基板８００に接着された状態で研磨されるため、カバー基板２００ａを０．１ｍｍ以下の厚みまで薄くしても支持基板８００に支持されている分、カバー基板２００ａに割れ等の不具合が生じることを低減できる。

続いて、図１０（ｃ）において、研磨されることによって厚みが薄くされたカバー基板２００の表面に遮光膜２３を形成する。支持基板８００上に、例えば、クロム（Ｃｒ）又はアルミニウム（Ａｌ）を含む材料を用いて、スパッタ法により、金属膜を成膜する。この金属膜を、フォトリソグラフィ法及びエッチング法によりパターニングして、支持基板８００上に平面的に見て、格子状の遮光膜２３を形成する。尚、支持基板８００を形成する部材は、ガラス等のような透明なものに限られない。また、カバー基板２００を薄くする手法として、フッ酸等を用いたウェットエッチング法を用いることも可能である。このような手法を用いてカバー基板２００を薄くすれば、エッチングされたカバー基板２００の表面粗さを小さくでき、エッチングされた表面をより平坦化することが可能である。また、カバー基板２００を薄くする際に発生するカバー基板の変質層、又は傷を低減でき、最終的に形成されるマイクロレンズ基板２０の光学特性を高めることも可能である。

続いて、図１１（ａ）及び（ｂ）において、カバー基板２００を支持基板２００に接着した状態で、カバー基板２００を第１基板２１０に接着する。第１基板２１０及びカバー基板２００を接着する際には、第１基板２１０においてレンズ曲面が形成された側の面とカバー基板２００とを対向させて、アライメントし、接着層２３０を介して第１基板２１０及びカバー基板２００を貼り合わせる。第１基板２１０及びカバー基板２００を接着する際には、第１基板２１０上に、例えば熱硬化性の透明な接着剤を塗布する。そして、第１基板２１０において、凹部が形成された側の面と、カバー基板２００の表面とを対向させて、アライメントし、図１１（ｂ）において、接着剤２３０ａを硬化させて、接着層２３０を形成し、カバー基板２００及び第１基板２１０を貼り合わせる。これにより、支持基板８００上において、接着層２３０内に、いわば、遮光膜２３が埋め込まれるように、カバー基板２００及び第１基板２１０が接着される。この際、第１基板２１０及びカバー基板２００のいずれか一方において、他方の基板と対向することになる側の面上に、接着層２３０として高屈折率樹脂を塗布し、第１基板２１０及びカバー基板２００を貼り合わせることができる。尚、接着層２３０は、第１基板２１０より高い屈折率を有する樹脂である。このような接着層２３０を介してカバー基板２００及び第１基板２１０を接着することによって、例えば液晶装置等のバックライトの如き光源で発生した光を画素領域に集光し、液晶装置による明るい画像表示が可能になる。

続いて、図１１（ｃ）において、第１基板２１０に接着されたカバー基板２００から支持基板８００を剥離する。この際、例えば接着層２５を加熱することによって接着層２５の接着力を低下させ、カバー基板２００から支持基板８００を剥離する。接着層２５は、例えば１００℃以上の温度まで加熱されることによって支持基板８００をカバー基板２００から剥離可能とするように接着力が低下する。以上の工程を経てマイクロレンズ基板２０を形成できる。

本例のマイクロレンズの製造方法によれば、所定の厚みより厚いカバー基板２００ａを支持基板８００に貼り付けた状態でカバー基板２００ａをハンドリングでき、且つカバー基板２００ａを支持基板８００に接着した状態でカバー基板２００ａを薄くできるため、カバー基板２２０ａに割れ等の不具合が生じることを低減できる。加えて、研磨等の加工手段によって薄くされたカバー基板２００を第１基板２１０に接着した後に、支持基板８００を剥離することによって割れ等の不具合がなく、且つ表面が平坦化された薄いカバー基板２００を第１基板２１０に接着できる。これにより、所望の光学特性を得つつ、マイクロレンズ基板の歩留まりを高めることができる。また、カバー基板２００の平坦な面に電極又は遮光膜等の薄膜を、膜質を低下させることなく形成できる。

次に、図１２及び図１３を参照しながら本発明の第２の発明に係るマイクロレンズの製造方法の実施形態を説明する。尚、図１２を参照しながら説明する工程に先立ち、或いは相前後して図９で説明した工程を経てレンズ曲面が形成された第１基板２１０が形成される。

図１２（ａ）において、所定の厚みを有するカバー基板２００ｂを接着層２３０を介して第１基板２１０に接着する。ここで、所定の厚みとは、例えば、ハンドリングする際に割れ等がカバー基板２００ｂに発生しないように、０、５〜０．８ｍｍ程度である。接着層２３０は、第１基板２１０より高い屈折率を有する樹脂である。

続いて、回転軸Ａを中心として第１基板２１０及び第１基板２１０に接着されたカバー基板２２０ｂを回転させながら、フッ酸等の薬液を用いたウェットエッチング法を用いてカバー基板２００ｂをエッチングする。

回転軸Ａは、カバー基板２００ｂの表面に対して交わる方向に沿った回転軸であり、カバー基板２００ｂの表面内の中心を通る。この回転軸Ａを中心にカバー基板２００ｂを回転させることによってカバー基板２００ｂの表面に供給された薬液にはカバー基板２００ｂの周縁に向かって遠心力が作用する。したがって、フッ酸等の薬液は、カバー基板２００ｂの表面内の中心から周縁に向かって均一に流れ、カバー基板２００ｂの表面を均一にエッチングされる。これにより、図１２（ｃ）に示すように、カバー基板２００ｂが均一にエッチングされた状態で厚みが薄くされたカバー基板２００を得ることができる。このようなカバー基板２００によれば、カバー基板２００全体で厚みが均一であるため、第１基板２１０側から、或いはカバー基板２００の表面側から入射する光の透過率を高めることができる。加えて、エッチングは研磨等の物理的にカバー基板を削る手法に比べてカバー基板２００に与えるダメージも小さく、カバー基板２００の表面の表面粗さを低減できる。これにより、カバー基板２００の表面に形成される遮光膜又は導電膜の膜質も高めることができる。更に、エッチングによってカバー基板２００を薄くする加工速度は研磨に比べて速く、カバー基板２００ｂを所定の厚みより薄くするために要する加工時間を短縮でき、マイクロレンズを効率良く製造できる。

図１２（ｂ）において、フッ酸等のエッチング液を供給する際には、供給されたエッチング液がカバー基板２００ｂの端面側に回り込まないようにカバー基板２００ｂの回転数を調整することが好ましい。より具体的には、カバー基板２００ｂ、接着層２３０及び第１基板２１０の夫々の接合界面がカバー基板２００ｂの端面側に露出する領域にエッチング液が付着した場合には、エッチング液によって第１基板２１０が変質したり、接着層２３０が変質したりすることがある。接着層２３０が変質した場合には、カバー基板２００ｂ及び第１基板２１０の接着力が低下する。特に、カバー基板２００ｂに対するエッチングレートが高いエッチング液は、接着層２３０の接着力を低下させる作用も大きい傾向にあるため、カバー基板２００ｂの端面側にエッチング液が回り込まないようにカバー基板２００ｂの回転数を調整することによって、供給されたエッチング液に作用する遠心力を調節し、カバー基板２００及び第１基板２１０の接着力の低下を抑制できる。

図１３において、カバー基板２００ｂは、エッチング液をカバー基板２００ｂの表面における領域Ｓに噴霧されながらエッチングされる。エッチング液を噴霧することによって、カバー基板の周方向に沿ってエッチング液が均一に流れ、これに伴い表面が均一にエッチングされる。加えて、カバー基板２００ｂの表面における特定の領域が他の領域より余分にエッチングされることを低減できる。尚、カバー基板２００ｂは、図示するように円盤形状を有しており、カバー基板２００ｂの中心Ａ´から周縁までの距離が各面内方向で一定であり、エッチング液によってカバー基板２００ｂの表面全体が均一にエッチングされる。また、領域Ｓの幅はカバー基板２００をエッチングする際に各条件に応じて最適な値が個別に設定される。

ここで、図１４を参照しながらカバー基板２００の回転数及びエッチングされた表面の均一性の関係を表す実験結果を示す。図１４は、本願発明者が行った実験の結果を示すグラフであり、カバー基板の回転数と、エッチングされた表面の表面粗さの均一性の関係を調査した結果である。エッチング液は、フッ酸系薬液を用い、エッチングレートは、０．５〜1１．０μｍ／ｍｉｎ．に設定した。より具体的には、エッチング液の流量を０．６Ｌ／ｍｉｎ．に設定し、カバー基板の回転数を１５０、２００、２５０、及び５００ｒｐｍの４条件設定し、各条件で均一性を測定した。尚、表面粗さの測定は、カバー基板の中心から外側に向かって５ｍｍ間隔で行い、各測定点における表面粗さを各回転数で比較した。

図１４に示すように、すべての回転数で均一性は１．５％以下であった。このように金一にエッチングされたカバー基板によれば、マイクロレンズ基板の所望の光学特性を得られることに加え、カバー基板の表面に形成される遮光膜及び電極の膜質を損なうこともない。

続いて、図１２（ｄ）に示すように、エッチングされたカバー基板２００の表面に遮光膜２３を形成する。そして、その上に電極等を形成することによって、マイクロレンズ基板２０が形成される。このようなマイクロレンズ基板２０によれば、例えば図８に示した液晶装置等の電気光学装置を形成できる。

このように、本例のマイクロレンズ基板の製造方法によれば、研磨等を用いてカバー基板を薄くする場合に比べて、より早く且つ平坦な面を露出させながらカバー基板を薄くすることが可能である。特に、ウェットエッチング法を用いることによって、研磨に比べてエッチングレートの制御も容易となり、簡便且つ高品質のマイクロレンズを形成できる。また、支持基板を用いないため、マイクロレンズ基板の製造コストを低減することも可能である。尚、以上説明したマイクロレンズ基板の製造方法では、カバー基板２００を薄くする際に、例えば、エッチングに加えて若しくは代えてＣＭＰ（化学的機械研磨）処理を行ってもよい。
＜５：電気光学装置の製造方法＞
上述したマイクロレンズ基板２０の製造工程を含む電気光学装置の製造方法について説明する。

上述のマイクロレンズ基板は、電気光学装置においてＴＦＴアレイ基板１０に対向する対向基板として用いられる。

従って、電気光学装置の製造方法としては、上述のマイクロレンズの製造方法によりマイクロレンズ基板２０を形成した後、マイクロレンズ基板２０とＴＦＴアレイ基板１０とを貼り合わせる工程を含む。

尚、マイクロレンズ基板２０とＴＦＴアレイ基板１０との間に液晶層５０などの電気光学物質を封入する場合に、その封入工程は、マイクロレンズ基板２０とＴＦＴアレイ基板１０との貼り合わせ前であってもよいし、貼り合わせ後であってもよい。

＜６：電子機器＞
次に、本発明のマイクロレンズの製造方法を用いて形成されたマイクロレンズ基板を備えた電子機器の一例を説明する。本例の電子機器は、電気光学装置をライトバルブとして用いた投射型カラー表示装置であり、以下でその全体構成、特に光学的な構成について説明する。図１５は、投射型カラー表示装置の図式的断面図である。

図１５において、投射型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェクタ１１００は、駆動回路がＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装置を含む液晶モジュールを３個用意し、それぞれＲＧＢ用のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロジェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロックミラー１１０８によって、ＲＧＢの三原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ及びＢに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにそれぞれ導かれる。この際特に、Ｂ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂによりそれぞれ変調された三原色に対応する光成分は、ダイクロックプリズム１１１２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーンにカラー画像として投射される。

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨、あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴うマイクロレンズの製造方法もまた、本発明の技術的範囲に含まれるものである。

図１（ａ）は、マイクロレンズ基板の概略斜視図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ´断面部分の構成について示す概略斜視図である。 図２（ａ）は、本実施形態のマイクロレンズ基板のうち４つのマイクロレンズに係る部分を拡大して示す部分拡大平面図であり、図２（ｂ）は、本実施形態のマイクロレンズ基板の部分拡大断面図である。 電気光学装置の全体構成を示す平面図である。 図３のＨ−Ｈ´断面図である。 電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素部における各種素子、配線等の等価回路である。 マイクロレンズ基板における、遮光膜及びマイクロレンズが配置される開口領域の配置関係を模式的に示す平面図である。 複数の画素について、各マイクロレンズの機能について説明するための断面図である。 マイクロレンズ基板を他の例を示す断面図である。 製造プロセスの各工程におけるマイクロレンズ基板の断面の構成を順を追って概略的に示す工程図（その１）である。 製造プロセスの各工程におけるマイクロレンズ基板の断面の構成を順を追って概略的に示す工程図（その２）である。 製造プロセスの各工程におけるマイクロレンズ基板の断面の構成を順を追って概略的に示す工程図（その３）である。 製造プロセスの各工程におけるマイクロレンズ基板の断面の構成を順を追って概略的に示す工程図（その４）である。 図１２（ｂ）に対応する工程平面図である。 本願発明者が行った実験結果を示すグラフである。 本発明の電子機器の実施形態である投射型カラー表示装置の一例たるカラー液晶プロジェクタを示す図式的断面図である。

符号の説明

２１０・・・第１基板、２００、２００ａ、２００ｂ・・・カバー基板、８００・・・支持基板、２５、２３０・・・接着層

Claims (8)

1. 所定の厚みを有する透明基板を接着層を介して支持基板に貼り合わせる第１工程と、
   該支持基板に貼り合わせられた透明基板の厚みを前記所定の厚みより薄くする第２工程と、
   該所定の厚みより薄くされた透明基板を、マイクロレンズのレンズ曲面が形成された第１基板に高屈折率樹脂層を介して接着する第３工程と、
   前記支持基板を前記所定の厚みより薄くされた透明基板から剥離する第４工程と
   を備えたことを特徴とするマイクロレンズの製造方法。
2. 前記第２工程において、前記透明基板における前記支持基板に接する面の裏面側から前記透明基板を研磨又はエッチングすることによって、前記透明基板の厚みを前記所定の厚みより薄くすること
   を特徴とする請求項１に記載のマイクロレンズの製造方法。
3. 前記第４工程において、前記接着層の温度を所定の温度以上に上げることによって前記支持基板を前記所定の厚みより薄くされた透明基板から剥離すること
   を特徴とする請求項１又は２に記載のマイクロレンズの製造方法。
4. 所定の厚みを有する透明基板を、マイクロレンズのレンズ曲面が形成された第１基板に高屈折率樹脂層を介して接着する第１工程と、
   該第１基板に接着された透明基板の表面に対して交わる方向に沿った該表面内における回転軸を中心として前記透明基板を回転させながら、前記所定の厚みより薄くなるように前記透明基板の表面をエッチングする第２工程と
   を備えたことを特徴とするマイクロレンズの製造方法。
5. 前記第２工程において、前記表面側からエッチング液を供給し、該エッチング液が前記透明基板の端面側に回り込まないように前記透明基板の回転数を調整すること
   を特徴とする請求項４に記載のマイクロレンズの製造方法。
6. 前記透明基板の形状は円盤形状であり、
   前記第２工程において、所定の幅を有し且つ前記透明基板の径方向に沿って伸びる前記表面における所定の領域に前記エッチング液を噴霧すること
   を特徴とする請求項４又は５に記載のマイクロレンズの製造方法。
7. 前記所定の厚みは０．１ｍｍ以上であること
   を特徴とする請求項１から６の何れか一項に記載のマイクロレンズの製造方法。
8. 画素を備えた基板とマイクロレンズ基板とを備えた電気光学装置の製造方法であって、
   請求項１乃至７のいずれかに記載のマイクロレンズの製造方法の工程を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。

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