JP3938099B2 - マイクロレンズの製造方法、マイクロレンズ、マイクロレンズアレイ板、電気光学装置及び電子機器 - Google Patents
マイクロレンズの製造方法、マイクロレンズ、マイクロレンズアレイ板、電気光学装置及び電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3938099B2 JP3938099B2 JP2003129252A JP2003129252A JP3938099B2 JP 3938099 B2 JP3938099 B2 JP 3938099B2 JP 2003129252 A JP2003129252 A JP 2003129252A JP 2003129252 A JP2003129252 A JP 2003129252A JP 3938099 B2 JP3938099 B2 JP 3938099B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- microlens
- film
- substrate
- manufacturing
- electro
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 100
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 153
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 32
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 28
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 19
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 10
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 9
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 8
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 6
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 239000004983 Polymer Dispersed Liquid Crystal Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000000382 optic material Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B3/00—Simple or compound lenses
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B3/00—Simple or compound lenses
- G02B3/0006—Arrays
- G02B3/0037—Arrays characterized by the distribution or form of lenses
- G02B3/0056—Arrays characterized by the distribution or form of lenses arranged along two different directions in a plane, e.g. honeycomb arrangement of lenses
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B3/00—Simple or compound lenses
- G02B3/0006—Arrays
- G02B3/0012—Arrays characterised by the manufacturing method
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B3/00—Simple or compound lenses
- G02B3/0006—Arrays
- G02B3/0012—Arrays characterised by the manufacturing method
- G02B3/0031—Replication or moulding, e.g. hot embossing, UV-casting, injection moulding
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133526—Lenses, e.g. microlenses or Fresnel lenses
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶装置等の電気光学装置に好適に用いられるマイクロレンズアレイ板等を構成するマイクロレンズの製造方法の技術分野に属する。本発明は更に、該製造方法により製造されるマイクロレンズ、マイクロレンズアレイ板、該マイクロレンズを備えた電気光学装置、及び該電気光学装置を具備してなる電子機器の技術分野にも属する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶装置等の電気光学装置などでは、その画像表示領域内に、データ線、走査線、容量線等の各種配線や、薄膜トランジスタ（以下適宜、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）と称す）、薄膜ダイオード（以下適宜、ＴＦＤ（Thin Film Diode）と称す）等の各種電子素子が作り込まれる。このため、各画素において、実際に表示に寄与し得る光が透過したり反射したりする領域は、各種配線や電子素子等の存在によって本質的に限られている。より具体的には、各画素について、全領域に対する、実際に表示に寄与する光が透過或いは反射する領域（即ち、各画素の開口領域）の比率である、各画素の開口率は、例えば７０％程度である。ここで電気光学装置に入射される光源光や外光は、少なくとも当該電気光学装置内における、液晶層等の電気光学物質層を通過する際には、概ね平行光である。しかるに、電気光学装置に平行光を入射した場合、そのままでは、全光量のうち各画素の開口率に応じた光量しか利用できない。
【０００３】
そこで従来は、各画素に対応するマイクロレンズを含んでなるマイクロレンズアレイを対向基板に作り込んだり、マイクロレンズアレイ板を対向基板に貼り付けたりしている。係るマイクロレンズによって、そのままでは各画素における開口領域を除いた非開口領域に向かって進行する筈の光を、画素単位で集光して、電気光学物質層を透過する際には、各画素の開口領域内に導かれるようにしている。この結果、電気光学装置においては、マイクロレンズアレイを利用することで、明るい表示が可能となるとされている。
【０００４】
そして、この種のマイクロレンズの製造は、次のように行われる。即ち、先ず、例えば透明基板上に形成すべきマイクロレンズの中心に対応する個所に穴を開けたマスクを形成する。次に、このマスクを介して透明基板をウエットエッチングすることにより、マイクロレンズの曲面を規定する球面の凹部を掘る。その後、マスクを除去してから、凹部内に高屈折の透明媒質を充填する。これにより、当初マスクに開けられた穴を中心とする半球面の凹部をレンズ球面として備えたマイクロレンズが形成される。このようなマイクロレンズをアレイ状に多数形成することにより、マイクロレンズアレイを製造できる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
この種のマイクロレンズの場合、基本的な要請として、レンズ効率を向上させることが重要であり、更に球面収差を小さくすることも重要である。
【０００６】
しかしながら、上述した従来のマイクロレンズの製造方法によれば、比較的容易にして球面レンズを製造することはできるものの、非球面レンズを製造することはできない。
【０００７】
これに対して、非球面レンズを製造するためには、非球面の凹部を基板上に別材料から形成した後にこれを基板側に転写したり、基板に対して複数の相異なるエッチング工程を段階的に施すなど、複雑高度な製造方法が考えられる。しかしながら、このような製造方法は、基本的に困難であり且つ製造コストの上昇や歩留まりの低下をもたらし、更に製造工程の複雑高度化に伴って、非球面レンズにおける非球面の度合いを制御することが技術的に非常に困難になるという問題点が生じる。
【０００８】
本発明は上記問題点に鑑みなされたものであり、比較的容易にして非球面のマイクロレンズを製造可能なマイクロレンズの製造方法、該製造方法により製造されるマイクロレンズ、該マイクロレンズを備えた電気光学装置、及び該電気光学装置を具備してなる電子機器を提供することを課題とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明のマイクロレンズの製造方法は上記課題を解決するために、基板上に所定種類のエッチャントに対するエッチングレートが前記基板と異なる第１膜を形成する工程と、形成すべきマイクロレンズの中心に対応する個所に穴が開けられたマスクを前記第１膜上に形成する工程と、前記マスクを介してウエットエッチングすることで、前記マイクロレンズの曲面を規定する非球面の凹部を前記基板に掘る工程とを含む。
【００１０】
本発明のマイクロレンズの製造方法によれば、先ず、例えば石英基板、ガラス基板等の基板上に、例えばフッ酸系などの所定種類のエッチャントに対するエッチングレートが基板と異なる第１膜を形成する。このような第１膜は、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）、スパッタリング等により形成する。続いて、形成すべきマイクロレンズの中心に対応する個所に穴が開けられたマスクを第１膜上に形成する。このようなマスクは、例えば、第１膜上の一面に、ＣＶＤ、スパッタリング等により第２膜を成膜後に、フォトリソグラフィ及びエッチングにより穴を開けるようにパターニングして形成してもよい。或いは、第１膜上における穴を除く領域にマスクを直接形成してもよい。その後、このようなマスクを介して、第１膜及び基板をウエットエッチングする。ここで用いられるエッチャントに対するエッチングレートは、第１膜と基板とでは相異なる。このため、第１膜をエッチングが貫通するまでの間は、穴の周囲における第１膜に、指向性のないウエットエッチングによって球面の凹部が掘られるが、その貫通後には、第１膜がエッチングされる度合いと基板がエッチングされる度合いとは相互に異なるため、非球面の凹部が掘られることになる。
【００１１】
その後は、このように掘られた非球面の凹部が規定する曲面を利用して、比較的容易に非球面のマイクロレンズを製造できる。例えば、基板を透明基板として、凹部内に透明媒質を充填することにより、非球面のマイクロレンズを製造可能となる。或いは、凹部を型として利用して非球面のマクロレンズを製造可能となる。更に、このようなマイクロレンズが形成された基板を２枚用意して、相互に貼り合わせることにより、両凸レンズのマイクロレンズを製造可能となる。
【００１２】
本発明のマイクロレンズの製造方法の一態様では、前記第１膜は、前記基板と比べて前記エッチングレートが高い。
【００１３】
この態様によれば、基板と比べてエッチングレートが高い第１膜に対して、エッチングすることで、基板には、半球に比べて底が浅いナベ形状の凹部が掘られる。
【００１４】
本発明のマイクロレンズの製造方法の他の態様では、前記基板は、透明基板からなり、前記凹部内に前記透明基板よりも屈折率が大きい透明媒質を入れる工程を更に備える。
【００１５】
この態様によれば、透明基板からなる基板に掘られた凹部内に、これより屈折率が大きい透明媒質を入れるので、透明基板上に、非球面の凸レンズとしてマイクロレンズを製造可能となる。この際、透明媒質は、透明樹脂等からなり、接着剤を兼ねてもよい。例えば、カバーガラスを透明基板に貼り合わせる際の接着剤を兼ねてもよい。
【００１６】
また、透明基板としては、例えば石英がある。この場合、第１膜を形成する際に、高温に曝されても破壊されることはないので有利である。但し、第１膜を低温で形成する場合には、透明基板に耐熱性は要求されない。例えば、ガラス板、プラスチック或いは樹脂板等でもよい。いずれにせよ、透明基板は、第１膜と共に所定種類のエッチャントによってエッチング可能な材質からなれば問題は生じない。
【００１７】
尚、基板に掘られた凹部をマイクロレンズの型として用いる場合には、基板は透明である必要はない。
【００１８】
本発明のマイクロレンズの製造方法の他の態様では、前記第１膜は、透明膜又は不透明膜からなる。
【００１９】
この態様によれば、エッチングにより凹部を掘った後に、第１膜を凹部の周囲にそのまま残しておいても、第１膜を透明膜から構成すれば、マイクロレンズに係る光学性能に悪影響を及ぼすことは殆ど又は全くない。更に、第１膜からなる凹部の縁付近を、非球面レンズの縁付近として用いることも可能である。
【００２０】
但し、凹部の周囲に残された第１膜部分は、当該マイクロレンズで集光する光の光路の縁に位置しているため、第１膜を半透明膜或いは不透明膜から形成してもマイクロレンズに係る光学性能に及ぼす悪影響は限定的である。
【００２１】
本発明のマイクロレンズの製造方法の他の態様では、前記第１膜は、酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜からなる。
【００２２】
この態様によれば、比較的簡単に、基板とエッチングレートが異なる第１膜を形成できる。例えば、石英基板上に、ＣＶＤ或いはスパッタリングにより、膜厚及び膜質の安定した酸化シリコン膜を比較的容易に形成できる。加えて、酸化シリコン膜から、上述の態様の如き透明な第１膜を形成できる。
【００２３】
本発明のマイクロレンズの製造方法の他の態様では、前記エッチングレートの制御を、前記第１膜の種類、前記第１膜の形成方法、前記第１膜の形成条件及び前記第１膜の形成後における熱処理の温度のうち少なくとも一つに係る条件設定により行う。
【００２４】
この態様によれば、例えば材質、密度、孔隙率等の第１膜の種類、例えばＣＶＤ、スパッタリング等の第１膜の形成方法、例えば４００℃以下程度或いは４００〜１０００℃程度等の第１膜の形成温度、及び第１膜の形成後における熱処理における温度のうち、少なくとも一つに係る条件設定により、エッチングレートの制御を行う。そして、係るエッチングレートの制御によって、最終的に得られる凹部が規定する非球面における曲率或いは曲率分布を比較的容易に制御できる。尚、第１膜の膜厚によっても、最終的に得られる凹部が規定する非球面における曲率或いは曲率分布を制御できる。
【００２５】
本発明のマイクロレンズの製造方法の他の態様では、前記マスクは、ポリシリコン膜、アモルファスシリコン膜又は耐フッ酸膜からなる。
【００２６】
この態様によれば、比較的簡単に、所定個所に穴が開いたマスクを、例えば酸化シリコン膜からなる第１膜上に、例えばＣＶＤ、スパッタリング等により形成できる。
【００２７】
本発明のマイクロレンズの製造方法の他の態様では、前記基板上に前記マイクロレンズがアレイ状に複数形成される。
【００２８】
この態様によれば、上述の如き非球面のマイクロレンズがアレイ状に複数形成されてなる、マイクロレンズアレイが製造される。よって、例えばアレイ状或いはマトリクス状に画素が配列された電気光学装置に好適に用いられるマイクロレンズアレイを比較的簡単に製造できる。
【００２９】
本発明のマイクロレンズは上記課題を解決するために、上述した本発明のマイクロレンズの製造方法（但し、その各種態様を含む）により製造される。
【００３０】
本発明のマイクロレンズによれば、上述した本発明のマイクロレンズの製造方法により製造されるので、光源光、外光等を小さい球面収差で且つ効率良く集光でき、しかも製造が容易であり比較的安価で品質の安定したマイクロレンズ、更にはマイクロレンズアレイ或いはマイクロレンズアレイ板を実現できる。
【００３１】
尚、本発明のマイクロレンズは、基板上に直接形成される場合には、非球面のレンズ曲面の縁付近に第１膜と基板との境目が存在し且つこの境目でレンズ曲面の曲率が顕著に変化するという本発明独自の構造上の特徴を有する。或いは、本発明のマイクロレンズは、２Ｐ法等により型を介して形成される場合には、非球面のレンズ曲面の縁付近における第１膜と基板との境目に対応する個所でレンズ曲面の曲率が顕著に変化するという本発明独自の構造上の特徴を有する。
また、本発明のマイクロレンズアレイ板は、多数のマイクロレンズと、前記マイクロレンズの底部を規定する凹状の窪みを有する透明部材と、前記透明部材上に形成され、前記凹状の窪みに対応して形成され前記マイクロレンズの縁部を規定する開口を有する膜と、前記膜上に形成されたカバー部材とを備える。そして、前記マイクロレンズの断面形状は半楕円形状であることを特徴とする。
また、本発明のマイクロレンズアレイ板は、前記透明部材で規定されるレンズ面の縁における接線に対して、前記膜におけるレンズ面の接線は、５０〜６０度であることを特徴とする付近の断面形状は半楕円形状であると良い。
また、本発明のマイクロレンズアレイ板は、前記膜におけるレンズ面の断面形状は直線状であると良い。
【００３２】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、上述した本発明のマイクロレンズと、該マイクロレンズに対向する表示用電極と、該表示用電極に接続された配線又は電子素子とを備える。
【００３３】
本発明の電気光学装置によれば、上述した本発明のマイクロレンズを備えるので、非球面のマイクロレンズにより光源光、外光等を小さい球面収差で且つ効率良く集光でき、明るく鮮明な画像表示が可能な電気光学装置を実現できる。尚、このような電気光学装置は、島状の画素電極或いはストライプ状電極等の表示用電極に、走査線、データ線等の配線やＴＦＴ、ＴＦＤ等の電子素子が接続されてなるアクティブマトリクス駆動型液晶装置等の電気光学装置として構築される。
【００３４】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置を具備する。
【００３５】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を具備して構成されているので、明るく表示品質に優れた、プロジェクタ、液晶テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。
【００３６】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【００３７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００３８】
（マイクロレンズアレイ板）
先ず、本発明のマイクロレンズの製造方法によって製造可能なマイクロレンズアレイ板について、図１から図５を参照して説明する。ここに、図１は、マイクロレンズアレイ板の概略斜視図であり、図２は、本実施形態のマイクロレンズアレイ板のうち４つのマイクロレンズに係る部分を拡大して示す部分拡大平面図であり、図３は、本実施形態のマイクロレンズアレイ板の部分拡大断面図であり、図４は、更に１つのマイクロレンズにかかる部分を拡大して示す部分拡大断面図である。図５は、その変形形態におけるマイクロレンズアレイ板の部分拡大断面図である。
【００３９】
図１に示すように、本実施形態のマイクロレンズアレイ板２０は、カバーガラス２００で覆われた、例えば石英板等からなる透明板部材２１０を備える。透明板部材２１０には、マトリクス状に多数の凹状の窪みが掘られている。そして、この凹状の窪みの中に、カバーガラス２００と透明板部材２１０とを相互に接着する、例えば感光性樹脂材料からなる接着剤が硬化してなる、透明板部材２１０よりも高屈折率の透明な接着層２３０が充填されている。これらにより、マトリクス状に平面配列された多数のマイクロレンズ５００が構築されている。
【００４０】
このように本実施形態では、透明板部材２１０から、本発明に係る「基板」の一例が構成されており、接着層２３０から、本発明に係る「透明媒質」の一例が構成されている。
【００４１】
図２及び図３に示すように、各マイクロレンズ５００の曲面は、相互に屈折率が異なる透明板部材２１０と接着層２３０とにより概ね規定されている。そして、各マイクロレンズ５００は、図３中で下側に凸状に突出した凸レンズとして構築されている。
【００４２】
本実施形態では特に、後述の如く本発明独自の製造方法により製造されるため、第１膜２２０が、各マイクロレンズ５００の縁付近及びマイクロレンズ５００が形成されていない領域における透明板部材２１０の上面に残されている。第１膜２２０は、例えば透明な酸化シリコン膜からなり、接着剤層２３０を介してカバーガラス２００に密着している。
【００４３】
マイクロレンズアレイ板２０は、その使用時には、各マイクロレンズ５００が、例えば後述する液晶装置等の電気光学装置の各画素に対応するように、配置される。従って、各マイクロレンズ５００における中央部に、入射する入射光は、各マイクロレンズ５００の屈折作用により、電気光学装置における各画素の中央に向けて集光される。
【００４４】
図３及び図４に示すように、各マイクロレンズ５００の縁部では、その曲面がカバーガラス２００の面或いは透明板部材２１０の面に対して相対的に急峻に切り立っている。ここで特に、各マイクロレンズ５００の縁部は、透明板部材２１０とエッチングレートが異なる第１膜２２０から形成されている。
【００４５】
図４に示すように、マイクロレンズ５００は全体として断面が半楕円状に形成されている。具体的には、透明板部材２１０におけるレンズ曲面は、球面と比べて底が浅いナベ形状の非球面、すなわち断面が半楕円状とされている。しかも、第１膜２２０におけるレンズ曲面は、係るナベ形状の非球面と比べて急峻に切り立っている。すなわち、断面が直線状となっている。従って各マイクロレンズ５００では、球面レンズの場合と比較して、中央付近における曲率半径が大きくなる。そして、係る非球面の度合いに応じてレンズ効率が向上されている。更に、球面収差も小さくなり、球面レンズの場合と比較して、焦点が一定になる。
【００４６】
加えて、図４に示したように、透明板部材２１０における最も傾斜した部分、即ち透明板部材２１０からなるレンズ曲面部分の上縁における接線Ｌｔ１に対して、第１膜２２０における最も傾斜した部分、即ち、第１膜２２０からなるレンズ曲面部分の上縁における接線Ｌｔ２は、例えば５０〜６０度となるようにレンズ曲面は規定されている。従って、レンズ効率は、この角度を例えば３０〜４０度程度となるようにレンズ曲面を緩やかに規定した場合や、この角度を例えば７０〜８０度程度となるようにレンズ曲面を急峻に規定した場合と比較して、非常に良好なレンズ効率が得られると共に乱反射光等の発生を効果的に防止できる。尚、この接線Ｌｔ１と接線Ｌｔ２とがなす角度を、電気光学装置の仕様に応じて適宜設定することによって、各マイクロレンズ５００の中央付近のみならず縁付近を通して集光される入射光が、この電気光学装置内部の液晶層等を透過するときに、対応する画素の開口領域を通過するようにできる。
【００４７】
以上の結果、図３及び図４において、その上側から入射される投射光等の入射光を、非球面レンズである各マイクロレンズ５００による集光作用によって効率的に表示に寄与する光として利用できる。同時に、非球面レンズである各マイクロレンズ５００により、その出射光における球面収差を低減できる。これらの結果、最終的には、明るく鮮明な画像表示が可能となる。
【００４８】
しかも、このように優れたレンズ特性を有する本発明のマイクロレンズアレイ板５００は、後述する本発明の製造方法により製造されるので、製造が容易であり、しかも比較的安価で且つ安定した品質が得られる。
【００４９】
図５に示すように、本実施形態の一変形形態として、マイクロレンズアレイ板２０に、マイクロレンズアレイ板２０が取り付けられる電気光学装置における非開口領域を少なくとも部分的に規定する遮光膜２４０を設けてもよい。より具体的には、格子状の非開口領域を単独で規定するように、格子状の平面パターンを有する遮光膜２４０を構成してもよい。或いは、格子状の非開口領域を、他の遮光膜と協働で規定するように、ストライプ状の平面パターンを有する遮光膜２４０を構成してもよい。
【００５０】
図５のように構成すれば、より確実に各画素の非開口領域を規定でき、各画素間における光り抜け等を防止できる。更に、電気光学装置の非開口領域に作り込まれる、光が入射すると光電効果による光リーク電流が発生して特性が変化してしまうＴＦＴ、ＴＦＤ等の電子素子に、光が入射するのを確実に防ぐことも可能となる。
【００５１】
尚、図５において遮光膜２４０上には、保護膜２４１が形成されており、更に、この保護膜２４１に代えて又は加えて、後述の如き対向電極や配向膜が形成されてもよい。
【００５２】
加えて、図５に示した如きマイクロレンズアレイ板に対して、遮光膜２４０により区切られた各画素の開口領域にＲ（赤）、Ｇ（緑）又はＢ（青）のカラーフィルタを作り込むことも可能である。
【００５３】
（電気光学装置）
次に、本発明の電気光学装置に係る実施形態の全体構成について、図６及び図７を参照して説明する。ここでは、電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
【００５４】
図６は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に、対向基板として用いられる上述のマイクロレンズアレイ板側から見た平面図であり、図７は、図６のＨ−Ｈ’断面図である。
【００５５】
図６及び図７において、本実施形態に係る電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と、対向基板として用いられるマイクロレンズアレイ板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０とマイクロレンズアレイ板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０とマイクロレンズアレイ板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００５６】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０とマイクロレンズアレイ板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。即ち、本実施形態の電気光学装置は、プロジェクタのライトバルブ用として小型で拡大表示を行うのに適している。但し、当該電気光学装置が液晶ディスプレイや液晶テレビのように大型で等倍表示を行う液晶装置であれば、このようなギャップ材は、液晶層５０中に含まれてもよい。
【００５７】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、マイクロレンズアレイ板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００５８】
画像表示領域の周辺に広がる領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する周辺領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられており、走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する２辺に沿って設けられている。更にＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられている。また図６に示すように、マイクロレンズアレイ板２０の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナーに対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０とマイクロレンズアレイ板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００５９】
図７において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形成されている。他方、マイクロレンズアレイ板２０上には、前述したカバーガラス２００、透明板部材２１０及びマイクロレンズ５００の他、対向電極２１が形成され、更に最上層部分（図７で、マイクロレンズアレイ板２０の下側表面）に配向膜が形成されている。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００６０】
尚、図６及び図７に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００６１】
次に以上の如く構成された電気光学装置における回路構成及び動作について図１０を参照して説明する。図１０は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路を示すブロック図である。
【００６２】
図１０において、本実施形態における電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素には夫々、画素電極９ａと当該画素電極９aをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。そして、画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが、各データ線６ａに供給されるように構成されている。このようにデータ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしても良い。
【００６３】
また、画素スイッチング用のＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電位レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストを持つ光が出射する。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。走査線３ａと並行して、蓄積容量７０の固定電位側容量電極を含むと共に定電位に固定された容量線３００が設けられている。
【００６４】
次に、本発明の実施形態の電気光学装置の画像表示領域における構成について、図９及び図１０を参照して説明する。図９は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。図１０は、図９のＡ−Ａ’断面図である。尚、図１０においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００６５】
図９において、電気光学装置のＴＦＴアレイ基板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９ａ（点線部９ａ’により輪郭が示されている）が設けられており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。
【００６６】
また、半導体層１ａのうち図中右上がりの斜線領域で示したチャネル領域１ａ’に対向するように走査線３ａが配置されており、走査線３ａはゲート電極として機能する。このように、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する個所には夫々、チャネル領域１ａ’に走査線３ａがゲート電極として対向配置された画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。
【００６７】
図９及び図１０に示すように、蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに接続された画素電位側容量電極としての中継層７１と、固定電位側容量電極としての容量線３００の一部とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。
【００６８】
容量線３００は平面的に見て、走査線３ａに沿ってストライプ状に伸びており、ＴＦＴ３０に重なる個所が図９中上下に突出している。このような容量線３００は好ましくは、例えば金属を含む遮光性の導電膜からなる。このように構成すれば、容量線３００は、蓄積容量７０の固定電位側容量電極としての機能の他、ＴＦＴ３０の上側において入射光からＴＦＴ３０を遮光する遮光層としての機能を持つ。
【００６９】
他方、ＴＦＴアレイ基板１０上におけるＴＦＴ３０の下側には、下側遮光膜１１ａが格子状に設けられている。下側遮光膜１１ａは、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうち少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。
【００７０】
そして、図９中縦方向に夫々伸びるデータ線６ａと図９中横方向に夫々伸びる容量線３００とが相交差して形成されること及び格子状に形成された下側遮光膜１１ａにより、各画素の非開口領域を規定している。
【００７１】
図９及び図１０に示すように、データ線６ａは、コンタクトホール８１を介して、例えばポリシリコン膜からなる半導体層１ａのうち高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続されている。尚、上述した中継層７１と同一膜からなる中継層を形成して、当該中継層及び２つのコンタクトホールを介してデータ線６ａと高濃度ソース領域１ｄとを電気的に接続してもよい。
【００７２】
また容量線３００は好ましくは、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａ（図６参照）からその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されて、固定電位とされる。このような定電位源としては、データ線駆動回路や走査線駆動回路に供給される正電源や負電源の定電位源でもよいし、マイクロレンズアレイ板２０の対向電極２１に供給される定電位でも構わない。更に、ＴＦＴ３０の下側に設けられる下側遮光膜１１ａについても、その電位変動がＴＦＴ３０に対して悪影響を及ぼすことを避けるために、容量線３００と同様に、画像表示領域１０ａからその周囲に延設して定電位源に接続するとよい。
【００７３】
画素電極９ａは、中継層７１を中継することにより、コンタクトホール８３及び８５を介して半導体層１ａのうち高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続されている。
【００７４】
図９及び図１０において、電気光学装置は、透明なＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置されるマイクロレンズアレイ板２０（図１から図４参照）とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなる。
【００７５】
図１０に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０には、画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。画素電極９ａは例えば、ＩＴＯ膜などの透明導電性膜からなる。また配向膜１６は例えば、ポリイミド膜などの透明な有機膜からなる。
【００７６】
他方、マイクロレンズアレイ板２０には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。対向電極２１は例えば、ＩＴＯ膜などの透明導電性膜からなる。また配向膜２２は、ポリイミド膜などの透明な有機膜からなる。
【００７７】
マイクロレンズアレイ板２０には、図５に示した如く、各画素の非開口領域に対応して格子状又はストライプ状の遮光膜２４０を設けるようにしてもよい。このような構成を採ることで、前述の如く非開口領域を規定する容量線３００やデータ線６ａと共に当該マイクロレンズアレイ板２０上の遮光膜２４０により、マイクロレンズアレイ板２０側からの入射光がチャネル領域１ａ’や低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに侵入するのを、より確実に阻止できる。
【００７８】
このように構成された、画素電極９ａと対向電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ基板１０とマイクロレンズアレイ板２０との間には、シール材５２（図６及び図７参照）により囲まれた空間に電気光学物質の一例である液晶が封入され、液晶層５０が形成される。
【００７９】
更に、画素スイッチング用のＴＦＴ３０下には、下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１２は、下側遮光膜１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性変化を防止する機能を有する。
【００８０】
図１０において、画素スイッチング用のＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、走査線３ａ、当該走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ'、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａの低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄ並びに高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。
【００８１】
走査線３ａ上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１及び高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８３が各々開孔された第１層間絶縁膜４１が形成されている。
【００８２】
第１層間絶縁膜４１上には中継層７１及び容量線３００が形成されており、これらの上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１及び中継層７１へ通じるコンタクトホール８５が各々開孔された第２層間絶縁膜４２が形成されている。
【００８３】
第２層間絶縁膜４２上にはデータ線６ａが形成されており、これらの上には、中継層７１へ通じるコンタクトホール８５が形成された平坦化した第３層間絶縁膜４３が形成されている。画素電極９ａは、このように構成された第３層間絶縁膜４３の上面に設けられている。
【００８４】
本実施形態では、第３層間絶縁膜４３の表面は、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing：化学的機械研磨）処理等により平坦化されており、その下方に存在する各種配線や素子による段差に起因する液晶層５０における液晶の配向不良を低減する。
【００８５】
ここで図１１を参照して、電気光学装置におけるマイクロレンズアレイ板２０の集光機能について説明する。図１１は、対向基板として用いられるマイクロレンズアレイ板２０の各マイクロレンズ５００により入射光が集光される様子を概略的に示す断面図である。尚、図１１では、各マイクロレンズ５００は、そのレンズ中心が、各画素中心に一致するように配置されている。
【００８６】
図１１に示すように、マイクロレンズアレイ板２０は、図中上方から入射される入射光を複数の画素電極９ａに夫々集光する、マトリクス状に配置された複数のマイクロレンズ５００と、そのレンズ縁部に形成された反射膜２２０とを備える。そして、透明板部材２１０の上に（図中下側に）、対向電極２１及び配向膜２２が形成されている。
【００８７】
以上のように構成されているため、本実施形態の電気光学装置によれば、複数のマイクロレンズ５００により、マイクロレンズアレイ板２０側からの入射光は、複数の画素電極９ａ上に夫々集光される。従って、マイクロレンズ５００が無い場合やマイクロレンズ５００の縁部に反射膜２２０が無い場合と比較して、各画素における実効開口率が高められている。
【００８８】
本実施形態では特に、マイクロレンズ５００は非球面であり、レンズ効率に優れ且つ球面収差も小さい。このため、入射光の利用効率が非常に高い。
【００８９】
以上図１から図１１を参照して説明した各実施形態では、データ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に設ける代わりに、例えばＴＡＢ（Tape Automated bonding）基板上に実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。また、マイクロレンズアレイ板２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の出射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＶＡ（Vertically Aligned）モード、ＰＤＬＣ(Polymer Dispersed Liquid Crystal)モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。
【００９０】
尚、図６から図１１に示した実施形態では、対向基板として図１から図４に示した如きマイクロレンズアレイ板２０を用いているが、このようなマイクロレンズアレイ板２０を、ＴＦＴアレイ基板１０として利用することも可能である。或いは対向基板として（マイクロレンズアレイ板２０ではなく）単純にガラス基板等に対向電極や配向膜が形成されたものを使用して、ＴＦＴアレイ基板１０側にマイクロレンズアレイ基板２０を取り付けることも可能である。即ち、本発明のマイクロレンズ及びそのレンズ縁部における反射膜や遮光膜を含む構造（図１から図４参照）は、ＴＦＴアレイ基板１０側に作り込むこと或いは取り付けることが可能である。
また、他の電気光学装置としては、エレクトロルミネッセンス装置、電気泳動装置等にも適用できる。
【００９１】
（マイクロレンズアレイ板の製造方法）
次に、本実施形態に係るマイクロレンズアレイ板２０の製造方法について、図１２を参照して説明する。
【００９２】
先ず図１２（ａ）に示すように、石英等からなる透明板部材２１０ａ上に、例えばフッ酸系などの所定種類のエッチャントに対するエッチングレートが透明板部材２１０ａより高い第１膜２２０’を形成する。このような第１膜２２０’は、例えば、ＣＶＤ、スパッタリング等により、透明な酸化シリコン膜から形成する。その後、この第１膜２２０’に対して、例えば８００〜９００℃程度である所定温度による熱処理或いはアニール処理を施して、第１膜２２０’を焼き固めることにより、そのエッチングレートの制御を行う。この際、透明板部材２１０は、例えば石英からなるので、このような比較的高温の熱処理を施しても、透明板部材２１０ａが破壊する等の問題は特に生じない。
【００９３】
続いて、第１膜２２０’の上に、例えばＣＶＤ、スパッタリング等によりポリシリコン膜からマスク層６１２を形成する。
【００９４】
次に図１２（ｂ）に示すように、マスク６１２に対するフォトリソグラフィ及びエッチングを用いたパターニングにより、形成すべきマイクロレンズの中心に対応する個所に穴６１２ａを開ける。この際、穴６１２ａの径は、形成すべきマイクロレンズ５００の径と比べると小さくなるように開けておく。
【００９５】
次に図１２（ｃ）に示すように、このような穴６１２ａが開けられたマスク６１２を介して、第１膜２２０’及び透明板部材２１０ａを、フッ酸系などのエッチャントにおり、ウエットエッチングする。すると、第１膜２２０’のエッチャントに対するエッチングレートは、透明板部材２１０ａより高いので、第１膜２２０’は、より早くエッチングされる。即ち、第１膜２２０’をエッチングが貫通するまでの間は、穴６１２ａの周囲における第１膜２２０’に、指向性のないウエットエッチングによって球面の凹部が掘られるが、その貫通後には、第１膜２２０’が、より早くエッチングされる。このため、エッチングは、穴６１２ａの深さ方向よりも周囲に早く広がるので、即ちサイドエッチが相対的に大きく入るので、周囲に底の浅いナベ形状の凹部２２０ａが掘られることになる。
【００９６】
その後図１２（ｄ）に示すように、時間管理等により、マイクロレンズ５００に対応する大きさの凹部が掘られた段階で、エッチングを終了する。即ち、マイクロレンズ毎に、底の浅いナベ形状の凹部が掘られた透明板部材２１０が完成する。そして、第１膜２２０が、この凹部の縁付近及び透明板部材２１０の上面に残された本発明独自の構造が得られる。
【００９７】
本実施形態では特に、例えば材質、密度、孔隙率等の第１膜２２０’の種類、例えばＣＶＤ、スパッタリング等の第１膜２２０’の形成方法、例えば４００℃以下程度或いは４００〜１０００℃程度等の第１膜２２０’の形成温度、及び第１膜２２０’の形成後における熱処理或いはアニール処理における温度のうち、少なくとも一つに係る条件設定により、エッチングレートの制御を行う。例えば、ＣＶＤとスパッタリングとでは、後者の方が、第１膜２２０’がより緻密となり、そのエッチングレートを高くできる。また、例えば、第１膜２２０’形成後の熱処理については、温度を高くすると第１膜２２０’がより緻密となり、そのエッチングレートを低くでき、逆に温度を低くするとそのエッチングレートを高くできる。そして、係るエッチングレートの制御によって、最終的に得られる凹部が規定する非球面における曲率或いは曲率分布を比較的容易に制御できる。
【００９８】
尚、第１膜２２０’の膜厚によっても、最終的に得られる凹部が規定する非球面における曲率或いは曲率分布を制御できる。
【００９９】
このようなエッチングレート制御用の各種条件設定や第１膜２２０’の膜厚設定は、実験的、経験的、理論的等により、或いはシミュレーションによって、実際に用いられるマイクロレンズ５００のサイズ及びマイクロレンズ５００として要求される性能や装置仕様等に応じて、個別具体的に設定すればよい。
【０１００】
次に、図１２（ｅ）に示すようにマスク層６１２をエッチング処理によって除去する。尚、図１２（ｄ）の工程におけるエッチングによって、マスク層６１２が完全に除去されるように、マスク６１２の膜厚を設定すれば、図１２（ｅ）の工程は、省略可能である。
【０１０１】
次に、図１２（ｆ）に示すように、マイクロレンズ５００の表面に熱硬化性の透明な接着剤を塗布してネオセラム・石英等からなるカバーガラス２００を押し付けて硬化させる。これにより、透明板部材２１０に掘られた各凹部内に、接着層２３０が充填されてなるマイクロレンズ５００が完成する。この際、透明板部材２１０よりも高屈折率の接着層２３０を形成することで、各々が凸レンズからなる非球面のマイクロレンズ５００を比較的簡単に作成できる。
【０１０２】
尚、この図１２（ｆ）に示した工程では、カバーガラス２００を研磨して、所望の厚みを有するカバーガラス２００としてもよい。
【０１０３】
以上説明したように本実施形態の製造方法によれば、図１から図４に示した如き非球面のマイクロレンズ５００がアレイ状に形成されたマイクロレンズアレイ板２０を比較的効率良く製造できる。
【０１０４】
また、図１２（ｅ）に示した凹部が完成した段階にある透明板部材２１０を２枚用意して、これらを相互に貼り合わせることにより両凸レンズのマイクロレンズを製造することも可能である。或いは、図１２（ｅ）に示した凹部を、２Ｐ法等における型として利用することにより、非球面のマイクロレンズを製造することも可能である。
【０１０５】
加えて、図５に示した変形形態におけるマイクロレンズアレイ板を製造する場合には、上述した図１２（ｆ）で示した工程に続いて、遮光膜２４０及び保護膜２４１などを、スパッタリング、コーティング等によりこの順に成膜すればよい。
【０１０６】
（電子機器の実施形態）
次に、以上詳細に説明した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子機器の具体例として、複板式カラープロジェクタの実施形態について、その全体構成、特に光学的な構成について説明する。ここに図１３は、複板式カラープロジェクタの図式的断面図である。
【０１０７】
図１３において、本実施形態における複板式カラープロジェクタの一例たる、液晶プロジェクタ１１００は、駆動回路がＴＦＴアレイ基板上に搭載された電気光学装置を含む液晶モジュールを３個用意し、夫々ＲＧＢ用のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロジェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によって、ＲＧＢの３原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ、Ｂに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂに夫々導かれる。この際特にＢ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにより夫々変調された３原色に対応する光成分は、ダイクロイックプリズム１１１２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投射される。
【０１０８】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴なうマイクロレンズの製造方法、マイクロレンズ、電気光学装置及び電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明のマイクロレンズアレイ板に係る実施形態の概略斜視図である。
【図２】 マイクロレンズアレイ板に係る実施形態のうち、４つのマイクロレンズに係る部分を拡大して示す部分拡大平面図である。
【図３】 マイクロレンズアレイ板に係る実施形態の部分拡大断面図である。
【図４】 マイクロレンズアレイ板に係る実施形態の更に１つのマイクロレンズにかかる部分を拡大して示す部分拡大断面図である。
【図５】 本発明のマイクロレンズアレイ板の変形形態における部分拡大断面図である。
【図６】 本発明の電気光学装置に係る実施形態おけるＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。
【図７】 図６のＨ−Ｈ’断面図である。
【図８】 電気光学装置に係る実施形態における画像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設けられた各種素子、配線等の等価回路を示すブロック図である。
【図９】 電気光学装置に係る実施形態におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。
【図１０】 図９のＡ−Ａ’断面図である。
【図１１】 電気光学装置に係る実施形態において、対向基板として用いられるマイクロレンズアレイ板の各マイクロレンズにより入射光が集光される様子を概略的に示す断面図である。
【図１２】 マイクロレンズアレイ板の製造方法を示す工程図である。
【図１３】 本発明の電子機器の実施形態である複板式カラープロジェクタの一例たるカラー液晶プロジェクタを示す図式的断面図である。
【符号の説明】
１０…ＴＦＴアレイ基板
２０…マイクロレンズアレイ板
５０…液晶層
２００…カバーガラス
２１０…透明板部材
２２０…第１膜
２３０…接着層
２４０…遮光膜
５００…マイクロレンズ
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶装置等の電気光学装置に好適に用いられるマイクロレンズアレイ板等を構成するマイクロレンズの製造方法の技術分野に属する。本発明は更に、該製造方法により製造されるマイクロレンズ、マイクロレンズアレイ板、該マイクロレンズを備えた電気光学装置、及び該電気光学装置を具備してなる電子機器の技術分野にも属する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶装置等の電気光学装置などでは、その画像表示領域内に、データ線、走査線、容量線等の各種配線や、薄膜トランジスタ（以下適宜、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）と称す）、薄膜ダイオード（以下適宜、ＴＦＤ（Thin Film Diode）と称す）等の各種電子素子が作り込まれる。このため、各画素において、実際に表示に寄与し得る光が透過したり反射したりする領域は、各種配線や電子素子等の存在によって本質的に限られている。より具体的には、各画素について、全領域に対する、実際に表示に寄与する光が透過或いは反射する領域（即ち、各画素の開口領域）の比率である、各画素の開口率は、例えば７０％程度である。ここで電気光学装置に入射される光源光や外光は、少なくとも当該電気光学装置内における、液晶層等の電気光学物質層を通過する際には、概ね平行光である。しかるに、電気光学装置に平行光を入射した場合、そのままでは、全光量のうち各画素の開口率に応じた光量しか利用できない。
【０００３】
そこで従来は、各画素に対応するマイクロレンズを含んでなるマイクロレンズアレイを対向基板に作り込んだり、マイクロレンズアレイ板を対向基板に貼り付けたりしている。係るマイクロレンズによって、そのままでは各画素における開口領域を除いた非開口領域に向かって進行する筈の光を、画素単位で集光して、電気光学物質層を透過する際には、各画素の開口領域内に導かれるようにしている。この結果、電気光学装置においては、マイクロレンズアレイを利用することで、明るい表示が可能となるとされている。
【０００４】
そして、この種のマイクロレンズの製造は、次のように行われる。即ち、先ず、例えば透明基板上に形成すべきマイクロレンズの中心に対応する個所に穴を開けたマスクを形成する。次に、このマスクを介して透明基板をウエットエッチングすることにより、マイクロレンズの曲面を規定する球面の凹部を掘る。その後、マスクを除去してから、凹部内に高屈折の透明媒質を充填する。これにより、当初マスクに開けられた穴を中心とする半球面の凹部をレンズ球面として備えたマイクロレンズが形成される。このようなマイクロレンズをアレイ状に多数形成することにより、マイクロレンズアレイを製造できる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
この種のマイクロレンズの場合、基本的な要請として、レンズ効率を向上させることが重要であり、更に球面収差を小さくすることも重要である。
【０００６】
しかしながら、上述した従来のマイクロレンズの製造方法によれば、比較的容易にして球面レンズを製造することはできるものの、非球面レンズを製造することはできない。
【０００７】
これに対して、非球面レンズを製造するためには、非球面の凹部を基板上に別材料から形成した後にこれを基板側に転写したり、基板に対して複数の相異なるエッチング工程を段階的に施すなど、複雑高度な製造方法が考えられる。しかしながら、このような製造方法は、基本的に困難であり且つ製造コストの上昇や歩留まりの低下をもたらし、更に製造工程の複雑高度化に伴って、非球面レンズにおける非球面の度合いを制御することが技術的に非常に困難になるという問題点が生じる。
【０００８】
本発明は上記問題点に鑑みなされたものであり、比較的容易にして非球面のマイクロレンズを製造可能なマイクロレンズの製造方法、該製造方法により製造されるマイクロレンズ、該マイクロレンズを備えた電気光学装置、及び該電気光学装置を具備してなる電子機器を提供することを課題とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明のマイクロレンズの製造方法は上記課題を解決するために、基板上に所定種類のエッチャントに対するエッチングレートが前記基板と異なる第１膜を形成する工程と、形成すべきマイクロレンズの中心に対応する個所に穴が開けられたマスクを前記第１膜上に形成する工程と、前記マスクを介してウエットエッチングすることで、前記マイクロレンズの曲面を規定する非球面の凹部を前記基板に掘る工程とを含む。
【００１０】
本発明のマイクロレンズの製造方法によれば、先ず、例えば石英基板、ガラス基板等の基板上に、例えばフッ酸系などの所定種類のエッチャントに対するエッチングレートが基板と異なる第１膜を形成する。このような第１膜は、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）、スパッタリング等により形成する。続いて、形成すべきマイクロレンズの中心に対応する個所に穴が開けられたマスクを第１膜上に形成する。このようなマスクは、例えば、第１膜上の一面に、ＣＶＤ、スパッタリング等により第２膜を成膜後に、フォトリソグラフィ及びエッチングにより穴を開けるようにパターニングして形成してもよい。或いは、第１膜上における穴を除く領域にマスクを直接形成してもよい。その後、このようなマスクを介して、第１膜及び基板をウエットエッチングする。ここで用いられるエッチャントに対するエッチングレートは、第１膜と基板とでは相異なる。このため、第１膜をエッチングが貫通するまでの間は、穴の周囲における第１膜に、指向性のないウエットエッチングによって球面の凹部が掘られるが、その貫通後には、第１膜がエッチングされる度合いと基板がエッチングされる度合いとは相互に異なるため、非球面の凹部が掘られることになる。
【００１１】
その後は、このように掘られた非球面の凹部が規定する曲面を利用して、比較的容易に非球面のマイクロレンズを製造できる。例えば、基板を透明基板として、凹部内に透明媒質を充填することにより、非球面のマイクロレンズを製造可能となる。或いは、凹部を型として利用して非球面のマクロレンズを製造可能となる。更に、このようなマイクロレンズが形成された基板を２枚用意して、相互に貼り合わせることにより、両凸レンズのマイクロレンズを製造可能となる。
【００１２】
本発明のマイクロレンズの製造方法の一態様では、前記第１膜は、前記基板と比べて前記エッチングレートが高い。
【００１３】
この態様によれば、基板と比べてエッチングレートが高い第１膜に対して、エッチングすることで、基板には、半球に比べて底が浅いナベ形状の凹部が掘られる。
【００１４】
本発明のマイクロレンズの製造方法の他の態様では、前記基板は、透明基板からなり、前記凹部内に前記透明基板よりも屈折率が大きい透明媒質を入れる工程を更に備える。
【００１５】
この態様によれば、透明基板からなる基板に掘られた凹部内に、これより屈折率が大きい透明媒質を入れるので、透明基板上に、非球面の凸レンズとしてマイクロレンズを製造可能となる。この際、透明媒質は、透明樹脂等からなり、接着剤を兼ねてもよい。例えば、カバーガラスを透明基板に貼り合わせる際の接着剤を兼ねてもよい。
【００１６】
また、透明基板としては、例えば石英がある。この場合、第１膜を形成する際に、高温に曝されても破壊されることはないので有利である。但し、第１膜を低温で形成する場合には、透明基板に耐熱性は要求されない。例えば、ガラス板、プラスチック或いは樹脂板等でもよい。いずれにせよ、透明基板は、第１膜と共に所定種類のエッチャントによってエッチング可能な材質からなれば問題は生じない。
【００１７】
尚、基板に掘られた凹部をマイクロレンズの型として用いる場合には、基板は透明である必要はない。
【００１８】
本発明のマイクロレンズの製造方法の他の態様では、前記第１膜は、透明膜又は不透明膜からなる。
【００１９】
この態様によれば、エッチングにより凹部を掘った後に、第１膜を凹部の周囲にそのまま残しておいても、第１膜を透明膜から構成すれば、マイクロレンズに係る光学性能に悪影響を及ぼすことは殆ど又は全くない。更に、第１膜からなる凹部の縁付近を、非球面レンズの縁付近として用いることも可能である。
【００２０】
但し、凹部の周囲に残された第１膜部分は、当該マイクロレンズで集光する光の光路の縁に位置しているため、第１膜を半透明膜或いは不透明膜から形成してもマイクロレンズに係る光学性能に及ぼす悪影響は限定的である。
【００２１】
本発明のマイクロレンズの製造方法の他の態様では、前記第１膜は、酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜からなる。
【００２２】
この態様によれば、比較的簡単に、基板とエッチングレートが異なる第１膜を形成できる。例えば、石英基板上に、ＣＶＤ或いはスパッタリングにより、膜厚及び膜質の安定した酸化シリコン膜を比較的容易に形成できる。加えて、酸化シリコン膜から、上述の態様の如き透明な第１膜を形成できる。
【００２３】
本発明のマイクロレンズの製造方法の他の態様では、前記エッチングレートの制御を、前記第１膜の種類、前記第１膜の形成方法、前記第１膜の形成条件及び前記第１膜の形成後における熱処理の温度のうち少なくとも一つに係る条件設定により行う。
【００２４】
この態様によれば、例えば材質、密度、孔隙率等の第１膜の種類、例えばＣＶＤ、スパッタリング等の第１膜の形成方法、例えば４００℃以下程度或いは４００〜１０００℃程度等の第１膜の形成温度、及び第１膜の形成後における熱処理における温度のうち、少なくとも一つに係る条件設定により、エッチングレートの制御を行う。そして、係るエッチングレートの制御によって、最終的に得られる凹部が規定する非球面における曲率或いは曲率分布を比較的容易に制御できる。尚、第１膜の膜厚によっても、最終的に得られる凹部が規定する非球面における曲率或いは曲率分布を制御できる。
【００２５】
本発明のマイクロレンズの製造方法の他の態様では、前記マスクは、ポリシリコン膜、アモルファスシリコン膜又は耐フッ酸膜からなる。
【００２６】
この態様によれば、比較的簡単に、所定個所に穴が開いたマスクを、例えば酸化シリコン膜からなる第１膜上に、例えばＣＶＤ、スパッタリング等により形成できる。
【００２７】
本発明のマイクロレンズの製造方法の他の態様では、前記基板上に前記マイクロレンズがアレイ状に複数形成される。
【００２８】
この態様によれば、上述の如き非球面のマイクロレンズがアレイ状に複数形成されてなる、マイクロレンズアレイが製造される。よって、例えばアレイ状或いはマトリクス状に画素が配列された電気光学装置に好適に用いられるマイクロレンズアレイを比較的簡単に製造できる。
【００２９】
本発明のマイクロレンズは上記課題を解決するために、上述した本発明のマイクロレンズの製造方法（但し、その各種態様を含む）により製造される。
【００３０】
本発明のマイクロレンズによれば、上述した本発明のマイクロレンズの製造方法により製造されるので、光源光、外光等を小さい球面収差で且つ効率良く集光でき、しかも製造が容易であり比較的安価で品質の安定したマイクロレンズ、更にはマイクロレンズアレイ或いはマイクロレンズアレイ板を実現できる。
【００３１】
尚、本発明のマイクロレンズは、基板上に直接形成される場合には、非球面のレンズ曲面の縁付近に第１膜と基板との境目が存在し且つこの境目でレンズ曲面の曲率が顕著に変化するという本発明独自の構造上の特徴を有する。或いは、本発明のマイクロレンズは、２Ｐ法等により型を介して形成される場合には、非球面のレンズ曲面の縁付近における第１膜と基板との境目に対応する個所でレンズ曲面の曲率が顕著に変化するという本発明独自の構造上の特徴を有する。
また、本発明のマイクロレンズアレイ板は、多数のマイクロレンズと、前記マイクロレンズの底部を規定する凹状の窪みを有する透明部材と、前記透明部材上に形成され、前記凹状の窪みに対応して形成され前記マイクロレンズの縁部を規定する開口を有する膜と、前記膜上に形成されたカバー部材とを備える。そして、前記マイクロレンズの断面形状は半楕円形状であることを特徴とする。
また、本発明のマイクロレンズアレイ板は、前記透明部材で規定されるレンズ面の縁における接線に対して、前記膜におけるレンズ面の接線は、５０〜６０度であることを特徴とする付近の断面形状は半楕円形状であると良い。
また、本発明のマイクロレンズアレイ板は、前記膜におけるレンズ面の断面形状は直線状であると良い。
【００３２】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、上述した本発明のマイクロレンズと、該マイクロレンズに対向する表示用電極と、該表示用電極に接続された配線又は電子素子とを備える。
【００３３】
本発明の電気光学装置によれば、上述した本発明のマイクロレンズを備えるので、非球面のマイクロレンズにより光源光、外光等を小さい球面収差で且つ効率良く集光でき、明るく鮮明な画像表示が可能な電気光学装置を実現できる。尚、このような電気光学装置は、島状の画素電極或いはストライプ状電極等の表示用電極に、走査線、データ線等の配線やＴＦＴ、ＴＦＤ等の電子素子が接続されてなるアクティブマトリクス駆動型液晶装置等の電気光学装置として構築される。
【００３４】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置を具備する。
【００３５】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を具備して構成されているので、明るく表示品質に優れた、プロジェクタ、液晶テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。
【００３６】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【００３７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００３８】
（マイクロレンズアレイ板）
先ず、本発明のマイクロレンズの製造方法によって製造可能なマイクロレンズアレイ板について、図１から図５を参照して説明する。ここに、図１は、マイクロレンズアレイ板の概略斜視図であり、図２は、本実施形態のマイクロレンズアレイ板のうち４つのマイクロレンズに係る部分を拡大して示す部分拡大平面図であり、図３は、本実施形態のマイクロレンズアレイ板の部分拡大断面図であり、図４は、更に１つのマイクロレンズにかかる部分を拡大して示す部分拡大断面図である。図５は、その変形形態におけるマイクロレンズアレイ板の部分拡大断面図である。
【００３９】
図１に示すように、本実施形態のマイクロレンズアレイ板２０は、カバーガラス２００で覆われた、例えば石英板等からなる透明板部材２１０を備える。透明板部材２１０には、マトリクス状に多数の凹状の窪みが掘られている。そして、この凹状の窪みの中に、カバーガラス２００と透明板部材２１０とを相互に接着する、例えば感光性樹脂材料からなる接着剤が硬化してなる、透明板部材２１０よりも高屈折率の透明な接着層２３０が充填されている。これらにより、マトリクス状に平面配列された多数のマイクロレンズ５００が構築されている。
【００４０】
このように本実施形態では、透明板部材２１０から、本発明に係る「基板」の一例が構成されており、接着層２３０から、本発明に係る「透明媒質」の一例が構成されている。
【００４１】
図２及び図３に示すように、各マイクロレンズ５００の曲面は、相互に屈折率が異なる透明板部材２１０と接着層２３０とにより概ね規定されている。そして、各マイクロレンズ５００は、図３中で下側に凸状に突出した凸レンズとして構築されている。
【００４２】
本実施形態では特に、後述の如く本発明独自の製造方法により製造されるため、第１膜２２０が、各マイクロレンズ５００の縁付近及びマイクロレンズ５００が形成されていない領域における透明板部材２１０の上面に残されている。第１膜２２０は、例えば透明な酸化シリコン膜からなり、接着剤層２３０を介してカバーガラス２００に密着している。
【００４３】
マイクロレンズアレイ板２０は、その使用時には、各マイクロレンズ５００が、例えば後述する液晶装置等の電気光学装置の各画素に対応するように、配置される。従って、各マイクロレンズ５００における中央部に、入射する入射光は、各マイクロレンズ５００の屈折作用により、電気光学装置における各画素の中央に向けて集光される。
【００４４】
図３及び図４に示すように、各マイクロレンズ５００の縁部では、その曲面がカバーガラス２００の面或いは透明板部材２１０の面に対して相対的に急峻に切り立っている。ここで特に、各マイクロレンズ５００の縁部は、透明板部材２１０とエッチングレートが異なる第１膜２２０から形成されている。
【００４５】
図４に示すように、マイクロレンズ５００は全体として断面が半楕円状に形成されている。具体的には、透明板部材２１０におけるレンズ曲面は、球面と比べて底が浅いナベ形状の非球面、すなわち断面が半楕円状とされている。しかも、第１膜２２０におけるレンズ曲面は、係るナベ形状の非球面と比べて急峻に切り立っている。すなわち、断面が直線状となっている。従って各マイクロレンズ５００では、球面レンズの場合と比較して、中央付近における曲率半径が大きくなる。そして、係る非球面の度合いに応じてレンズ効率が向上されている。更に、球面収差も小さくなり、球面レンズの場合と比較して、焦点が一定になる。
【００４６】
加えて、図４に示したように、透明板部材２１０における最も傾斜した部分、即ち透明板部材２１０からなるレンズ曲面部分の上縁における接線Ｌｔ１に対して、第１膜２２０における最も傾斜した部分、即ち、第１膜２２０からなるレンズ曲面部分の上縁における接線Ｌｔ２は、例えば５０〜６０度となるようにレンズ曲面は規定されている。従って、レンズ効率は、この角度を例えば３０〜４０度程度となるようにレンズ曲面を緩やかに規定した場合や、この角度を例えば７０〜８０度程度となるようにレンズ曲面を急峻に規定した場合と比較して、非常に良好なレンズ効率が得られると共に乱反射光等の発生を効果的に防止できる。尚、この接線Ｌｔ１と接線Ｌｔ２とがなす角度を、電気光学装置の仕様に応じて適宜設定することによって、各マイクロレンズ５００の中央付近のみならず縁付近を通して集光される入射光が、この電気光学装置内部の液晶層等を透過するときに、対応する画素の開口領域を通過するようにできる。
【００４７】
以上の結果、図３及び図４において、その上側から入射される投射光等の入射光を、非球面レンズである各マイクロレンズ５００による集光作用によって効率的に表示に寄与する光として利用できる。同時に、非球面レンズである各マイクロレンズ５００により、その出射光における球面収差を低減できる。これらの結果、最終的には、明るく鮮明な画像表示が可能となる。
【００４８】
しかも、このように優れたレンズ特性を有する本発明のマイクロレンズアレイ板５００は、後述する本発明の製造方法により製造されるので、製造が容易であり、しかも比較的安価で且つ安定した品質が得られる。
【００４９】
図５に示すように、本実施形態の一変形形態として、マイクロレンズアレイ板２０に、マイクロレンズアレイ板２０が取り付けられる電気光学装置における非開口領域を少なくとも部分的に規定する遮光膜２４０を設けてもよい。より具体的には、格子状の非開口領域を単独で規定するように、格子状の平面パターンを有する遮光膜２４０を構成してもよい。或いは、格子状の非開口領域を、他の遮光膜と協働で規定するように、ストライプ状の平面パターンを有する遮光膜２４０を構成してもよい。
【００５０】
図５のように構成すれば、より確実に各画素の非開口領域を規定でき、各画素間における光り抜け等を防止できる。更に、電気光学装置の非開口領域に作り込まれる、光が入射すると光電効果による光リーク電流が発生して特性が変化してしまうＴＦＴ、ＴＦＤ等の電子素子に、光が入射するのを確実に防ぐことも可能となる。
【００５１】
尚、図５において遮光膜２４０上には、保護膜２４１が形成されており、更に、この保護膜２４１に代えて又は加えて、後述の如き対向電極や配向膜が形成されてもよい。
【００５２】
加えて、図５に示した如きマイクロレンズアレイ板に対して、遮光膜２４０により区切られた各画素の開口領域にＲ（赤）、Ｇ（緑）又はＢ（青）のカラーフィルタを作り込むことも可能である。
【００５３】
（電気光学装置）
次に、本発明の電気光学装置に係る実施形態の全体構成について、図６及び図７を参照して説明する。ここでは、電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
【００５４】
図６は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に、対向基板として用いられる上述のマイクロレンズアレイ板側から見た平面図であり、図７は、図６のＨ−Ｈ’断面図である。
【００５５】
図６及び図７において、本実施形態に係る電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と、対向基板として用いられるマイクロレンズアレイ板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０とマイクロレンズアレイ板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０とマイクロレンズアレイ板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００５６】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０とマイクロレンズアレイ板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。即ち、本実施形態の電気光学装置は、プロジェクタのライトバルブ用として小型で拡大表示を行うのに適している。但し、当該電気光学装置が液晶ディスプレイや液晶テレビのように大型で等倍表示を行う液晶装置であれば、このようなギャップ材は、液晶層５０中に含まれてもよい。
【００５７】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、マイクロレンズアレイ板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００５８】
画像表示領域の周辺に広がる領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する周辺領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられており、走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する２辺に沿って設けられている。更にＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられている。また図６に示すように、マイクロレンズアレイ板２０の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナーに対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０とマイクロレンズアレイ板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００５９】
図７において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形成されている。他方、マイクロレンズアレイ板２０上には、前述したカバーガラス２００、透明板部材２１０及びマイクロレンズ５００の他、対向電極２１が形成され、更に最上層部分（図７で、マイクロレンズアレイ板２０の下側表面）に配向膜が形成されている。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００６０】
尚、図６及び図７に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００６１】
次に以上の如く構成された電気光学装置における回路構成及び動作について図１０を参照して説明する。図１０は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路を示すブロック図である。
【００６２】
図１０において、本実施形態における電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素には夫々、画素電極９ａと当該画素電極９aをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。そして、画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが、各データ線６ａに供給されるように構成されている。このようにデータ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしても良い。
【００６３】
また、画素スイッチング用のＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電位レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストを持つ光が出射する。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。走査線３ａと並行して、蓄積容量７０の固定電位側容量電極を含むと共に定電位に固定された容量線３００が設けられている。
【００６４】
次に、本発明の実施形態の電気光学装置の画像表示領域における構成について、図９及び図１０を参照して説明する。図９は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。図１０は、図９のＡ−Ａ’断面図である。尚、図１０においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００６５】
図９において、電気光学装置のＴＦＴアレイ基板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９ａ（点線部９ａ’により輪郭が示されている）が設けられており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。
【００６６】
また、半導体層１ａのうち図中右上がりの斜線領域で示したチャネル領域１ａ’に対向するように走査線３ａが配置されており、走査線３ａはゲート電極として機能する。このように、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する個所には夫々、チャネル領域１ａ’に走査線３ａがゲート電極として対向配置された画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。
【００６７】
図９及び図１０に示すように、蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに接続された画素電位側容量電極としての中継層７１と、固定電位側容量電極としての容量線３００の一部とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。
【００６８】
容量線３００は平面的に見て、走査線３ａに沿ってストライプ状に伸びており、ＴＦＴ３０に重なる個所が図９中上下に突出している。このような容量線３００は好ましくは、例えば金属を含む遮光性の導電膜からなる。このように構成すれば、容量線３００は、蓄積容量７０の固定電位側容量電極としての機能の他、ＴＦＴ３０の上側において入射光からＴＦＴ３０を遮光する遮光層としての機能を持つ。
【００６９】
他方、ＴＦＴアレイ基板１０上におけるＴＦＴ３０の下側には、下側遮光膜１１ａが格子状に設けられている。下側遮光膜１１ａは、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうち少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。
【００７０】
そして、図９中縦方向に夫々伸びるデータ線６ａと図９中横方向に夫々伸びる容量線３００とが相交差して形成されること及び格子状に形成された下側遮光膜１１ａにより、各画素の非開口領域を規定している。
【００７１】
図９及び図１０に示すように、データ線６ａは、コンタクトホール８１を介して、例えばポリシリコン膜からなる半導体層１ａのうち高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続されている。尚、上述した中継層７１と同一膜からなる中継層を形成して、当該中継層及び２つのコンタクトホールを介してデータ線６ａと高濃度ソース領域１ｄとを電気的に接続してもよい。
【００７２】
また容量線３００は好ましくは、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａ（図６参照）からその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されて、固定電位とされる。このような定電位源としては、データ線駆動回路や走査線駆動回路に供給される正電源や負電源の定電位源でもよいし、マイクロレンズアレイ板２０の対向電極２１に供給される定電位でも構わない。更に、ＴＦＴ３０の下側に設けられる下側遮光膜１１ａについても、その電位変動がＴＦＴ３０に対して悪影響を及ぼすことを避けるために、容量線３００と同様に、画像表示領域１０ａからその周囲に延設して定電位源に接続するとよい。
【００７３】
画素電極９ａは、中継層７１を中継することにより、コンタクトホール８３及び８５を介して半導体層１ａのうち高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続されている。
【００７４】
図９及び図１０において、電気光学装置は、透明なＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置されるマイクロレンズアレイ板２０（図１から図４参照）とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなる。
【００７５】
図１０に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０には、画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。画素電極９ａは例えば、ＩＴＯ膜などの透明導電性膜からなる。また配向膜１６は例えば、ポリイミド膜などの透明な有機膜からなる。
【００７６】
他方、マイクロレンズアレイ板２０には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。対向電極２１は例えば、ＩＴＯ膜などの透明導電性膜からなる。また配向膜２２は、ポリイミド膜などの透明な有機膜からなる。
【００７７】
マイクロレンズアレイ板２０には、図５に示した如く、各画素の非開口領域に対応して格子状又はストライプ状の遮光膜２４０を設けるようにしてもよい。このような構成を採ることで、前述の如く非開口領域を規定する容量線３００やデータ線６ａと共に当該マイクロレンズアレイ板２０上の遮光膜２４０により、マイクロレンズアレイ板２０側からの入射光がチャネル領域１ａ’や低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに侵入するのを、より確実に阻止できる。
【００７８】
このように構成された、画素電極９ａと対向電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ基板１０とマイクロレンズアレイ板２０との間には、シール材５２（図６及び図７参照）により囲まれた空間に電気光学物質の一例である液晶が封入され、液晶層５０が形成される。
【００７９】
更に、画素スイッチング用のＴＦＴ３０下には、下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１２は、下側遮光膜１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性変化を防止する機能を有する。
【００８０】
図１０において、画素スイッチング用のＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、走査線３ａ、当該走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ'、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａの低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄ並びに高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。
【００８１】
走査線３ａ上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１及び高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８３が各々開孔された第１層間絶縁膜４１が形成されている。
【００８２】
第１層間絶縁膜４１上には中継層７１及び容量線３００が形成されており、これらの上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１及び中継層７１へ通じるコンタクトホール８５が各々開孔された第２層間絶縁膜４２が形成されている。
【００８３】
第２層間絶縁膜４２上にはデータ線６ａが形成されており、これらの上には、中継層７１へ通じるコンタクトホール８５が形成された平坦化した第３層間絶縁膜４３が形成されている。画素電極９ａは、このように構成された第３層間絶縁膜４３の上面に設けられている。
【００８４】
本実施形態では、第３層間絶縁膜４３の表面は、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing：化学的機械研磨）処理等により平坦化されており、その下方に存在する各種配線や素子による段差に起因する液晶層５０における液晶の配向不良を低減する。
【００８５】
ここで図１１を参照して、電気光学装置におけるマイクロレンズアレイ板２０の集光機能について説明する。図１１は、対向基板として用いられるマイクロレンズアレイ板２０の各マイクロレンズ５００により入射光が集光される様子を概略的に示す断面図である。尚、図１１では、各マイクロレンズ５００は、そのレンズ中心が、各画素中心に一致するように配置されている。
【００８６】
図１１に示すように、マイクロレンズアレイ板２０は、図中上方から入射される入射光を複数の画素電極９ａに夫々集光する、マトリクス状に配置された複数のマイクロレンズ５００と、そのレンズ縁部に形成された反射膜２２０とを備える。そして、透明板部材２１０の上に（図中下側に）、対向電極２１及び配向膜２２が形成されている。
【００８７】
以上のように構成されているため、本実施形態の電気光学装置によれば、複数のマイクロレンズ５００により、マイクロレンズアレイ板２０側からの入射光は、複数の画素電極９ａ上に夫々集光される。従って、マイクロレンズ５００が無い場合やマイクロレンズ５００の縁部に反射膜２２０が無い場合と比較して、各画素における実効開口率が高められている。
【００８８】
本実施形態では特に、マイクロレンズ５００は非球面であり、レンズ効率に優れ且つ球面収差も小さい。このため、入射光の利用効率が非常に高い。
【００８９】
以上図１から図１１を参照して説明した各実施形態では、データ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に設ける代わりに、例えばＴＡＢ（Tape Automated bonding）基板上に実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。また、マイクロレンズアレイ板２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の出射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＶＡ（Vertically Aligned）モード、ＰＤＬＣ(Polymer Dispersed Liquid Crystal)モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。
【００９０】
尚、図６から図１１に示した実施形態では、対向基板として図１から図４に示した如きマイクロレンズアレイ板２０を用いているが、このようなマイクロレンズアレイ板２０を、ＴＦＴアレイ基板１０として利用することも可能である。或いは対向基板として（マイクロレンズアレイ板２０ではなく）単純にガラス基板等に対向電極や配向膜が形成されたものを使用して、ＴＦＴアレイ基板１０側にマイクロレンズアレイ基板２０を取り付けることも可能である。即ち、本発明のマイクロレンズ及びそのレンズ縁部における反射膜や遮光膜を含む構造（図１から図４参照）は、ＴＦＴアレイ基板１０側に作り込むこと或いは取り付けることが可能である。
また、他の電気光学装置としては、エレクトロルミネッセンス装置、電気泳動装置等にも適用できる。
【００９１】
（マイクロレンズアレイ板の製造方法）
次に、本実施形態に係るマイクロレンズアレイ板２０の製造方法について、図１２を参照して説明する。
【００９２】
先ず図１２（ａ）に示すように、石英等からなる透明板部材２１０ａ上に、例えばフッ酸系などの所定種類のエッチャントに対するエッチングレートが透明板部材２１０ａより高い第１膜２２０’を形成する。このような第１膜２２０’は、例えば、ＣＶＤ、スパッタリング等により、透明な酸化シリコン膜から形成する。その後、この第１膜２２０’に対して、例えば８００〜９００℃程度である所定温度による熱処理或いはアニール処理を施して、第１膜２２０’を焼き固めることにより、そのエッチングレートの制御を行う。この際、透明板部材２１０は、例えば石英からなるので、このような比較的高温の熱処理を施しても、透明板部材２１０ａが破壊する等の問題は特に生じない。
【００９３】
続いて、第１膜２２０’の上に、例えばＣＶＤ、スパッタリング等によりポリシリコン膜からマスク層６１２を形成する。
【００９４】
次に図１２（ｂ）に示すように、マスク６１２に対するフォトリソグラフィ及びエッチングを用いたパターニングにより、形成すべきマイクロレンズの中心に対応する個所に穴６１２ａを開ける。この際、穴６１２ａの径は、形成すべきマイクロレンズ５００の径と比べると小さくなるように開けておく。
【００９５】
次に図１２（ｃ）に示すように、このような穴６１２ａが開けられたマスク６１２を介して、第１膜２２０’及び透明板部材２１０ａを、フッ酸系などのエッチャントにおり、ウエットエッチングする。すると、第１膜２２０’のエッチャントに対するエッチングレートは、透明板部材２１０ａより高いので、第１膜２２０’は、より早くエッチングされる。即ち、第１膜２２０’をエッチングが貫通するまでの間は、穴６１２ａの周囲における第１膜２２０’に、指向性のないウエットエッチングによって球面の凹部が掘られるが、その貫通後には、第１膜２２０’が、より早くエッチングされる。このため、エッチングは、穴６１２ａの深さ方向よりも周囲に早く広がるので、即ちサイドエッチが相対的に大きく入るので、周囲に底の浅いナベ形状の凹部２２０ａが掘られることになる。
【００９６】
その後図１２（ｄ）に示すように、時間管理等により、マイクロレンズ５００に対応する大きさの凹部が掘られた段階で、エッチングを終了する。即ち、マイクロレンズ毎に、底の浅いナベ形状の凹部が掘られた透明板部材２１０が完成する。そして、第１膜２２０が、この凹部の縁付近及び透明板部材２１０の上面に残された本発明独自の構造が得られる。
【００９７】
本実施形態では特に、例えば材質、密度、孔隙率等の第１膜２２０’の種類、例えばＣＶＤ、スパッタリング等の第１膜２２０’の形成方法、例えば４００℃以下程度或いは４００〜１０００℃程度等の第１膜２２０’の形成温度、及び第１膜２２０’の形成後における熱処理或いはアニール処理における温度のうち、少なくとも一つに係る条件設定により、エッチングレートの制御を行う。例えば、ＣＶＤとスパッタリングとでは、後者の方が、第１膜２２０’がより緻密となり、そのエッチングレートを高くできる。また、例えば、第１膜２２０’形成後の熱処理については、温度を高くすると第１膜２２０’がより緻密となり、そのエッチングレートを低くでき、逆に温度を低くするとそのエッチングレートを高くできる。そして、係るエッチングレートの制御によって、最終的に得られる凹部が規定する非球面における曲率或いは曲率分布を比較的容易に制御できる。
【００９８】
尚、第１膜２２０’の膜厚によっても、最終的に得られる凹部が規定する非球面における曲率或いは曲率分布を制御できる。
【００９９】
このようなエッチングレート制御用の各種条件設定や第１膜２２０’の膜厚設定は、実験的、経験的、理論的等により、或いはシミュレーションによって、実際に用いられるマイクロレンズ５００のサイズ及びマイクロレンズ５００として要求される性能や装置仕様等に応じて、個別具体的に設定すればよい。
【０１００】
次に、図１２（ｅ）に示すようにマスク層６１２をエッチング処理によって除去する。尚、図１２（ｄ）の工程におけるエッチングによって、マスク層６１２が完全に除去されるように、マスク６１２の膜厚を設定すれば、図１２（ｅ）の工程は、省略可能である。
【０１０１】
次に、図１２（ｆ）に示すように、マイクロレンズ５００の表面に熱硬化性の透明な接着剤を塗布してネオセラム・石英等からなるカバーガラス２００を押し付けて硬化させる。これにより、透明板部材２１０に掘られた各凹部内に、接着層２３０が充填されてなるマイクロレンズ５００が完成する。この際、透明板部材２１０よりも高屈折率の接着層２３０を形成することで、各々が凸レンズからなる非球面のマイクロレンズ５００を比較的簡単に作成できる。
【０１０２】
尚、この図１２（ｆ）に示した工程では、カバーガラス２００を研磨して、所望の厚みを有するカバーガラス２００としてもよい。
【０１０３】
以上説明したように本実施形態の製造方法によれば、図１から図４に示した如き非球面のマイクロレンズ５００がアレイ状に形成されたマイクロレンズアレイ板２０を比較的効率良く製造できる。
【０１０４】
また、図１２（ｅ）に示した凹部が完成した段階にある透明板部材２１０を２枚用意して、これらを相互に貼り合わせることにより両凸レンズのマイクロレンズを製造することも可能である。或いは、図１２（ｅ）に示した凹部を、２Ｐ法等における型として利用することにより、非球面のマイクロレンズを製造することも可能である。
【０１０５】
加えて、図５に示した変形形態におけるマイクロレンズアレイ板を製造する場合には、上述した図１２（ｆ）で示した工程に続いて、遮光膜２４０及び保護膜２４１などを、スパッタリング、コーティング等によりこの順に成膜すればよい。
【０１０６】
（電子機器の実施形態）
次に、以上詳細に説明した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子機器の具体例として、複板式カラープロジェクタの実施形態について、その全体構成、特に光学的な構成について説明する。ここに図１３は、複板式カラープロジェクタの図式的断面図である。
【０１０７】
図１３において、本実施形態における複板式カラープロジェクタの一例たる、液晶プロジェクタ１１００は、駆動回路がＴＦＴアレイ基板上に搭載された電気光学装置を含む液晶モジュールを３個用意し、夫々ＲＧＢ用のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロジェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によって、ＲＧＢの３原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ、Ｂに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂに夫々導かれる。この際特にＢ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにより夫々変調された３原色に対応する光成分は、ダイクロイックプリズム１１１２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投射される。
【０１０８】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴なうマイクロレンズの製造方法、マイクロレンズ、電気光学装置及び電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明のマイクロレンズアレイ板に係る実施形態の概略斜視図である。
【図２】 マイクロレンズアレイ板に係る実施形態のうち、４つのマイクロレンズに係る部分を拡大して示す部分拡大平面図である。
【図３】 マイクロレンズアレイ板に係る実施形態の部分拡大断面図である。
【図４】 マイクロレンズアレイ板に係る実施形態の更に１つのマイクロレンズにかかる部分を拡大して示す部分拡大断面図である。
【図５】 本発明のマイクロレンズアレイ板の変形形態における部分拡大断面図である。
【図６】 本発明の電気光学装置に係る実施形態おけるＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。
【図７】 図６のＨ−Ｈ’断面図である。
【図８】 電気光学装置に係る実施形態における画像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設けられた各種素子、配線等の等価回路を示すブロック図である。
【図９】 電気光学装置に係る実施形態におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。
【図１０】 図９のＡ−Ａ’断面図である。
【図１１】 電気光学装置に係る実施形態において、対向基板として用いられるマイクロレンズアレイ板の各マイクロレンズにより入射光が集光される様子を概略的に示す断面図である。
【図１２】 マイクロレンズアレイ板の製造方法を示す工程図である。
【図１３】 本発明の電子機器の実施形態である複板式カラープロジェクタの一例たるカラー液晶プロジェクタを示す図式的断面図である。
【符号の説明】
１０…ＴＦＴアレイ基板
２０…マイクロレンズアレイ板
５０…液晶層
２００…カバーガラス
２１０…透明板部材
２２０…第１膜
２３０…接着層
２４０…遮光膜
５００…マイクロレンズ
Claims (16)
- 基板上に所定種類のエッチャントに対するエッチングレートが前記基板と異なる第１膜を形成する工程と、
形成すべきマイクロレンズの中心に対応する個所に穴が開けられたマスクを前記第１膜上に形成する工程と、
前記マスクを介してウエットエッチングすることで、前記マイクロレンズの曲面を規定する非球面の凹部を前記基板に掘る工程と
を含むことを特徴とするマイクロレンズの製造方法。 - 前記第１膜は、前記基板と比べて前記エッチングレートが高いことを特徴とする請求項１に記載のマイクロレンズの製造方法。
- 前記基板は、透明基板からなり、
前記凹部内に前記透明基板よりも屈折率が大きい透明媒質を入れる工程を更に備えたことを特徴とする請求項１又は２に記載のマイクロレンズの製造方法。 - 前記第１膜は、透明膜又は不透明膜からなることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のマイクロレンズの製造方法。
- 前記第１膜は、酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜からなることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載のマイクロレンズの製造方法。
- 前記エッチングレートの制御を、前記第１膜の種類、前記第１膜の形成方法、前記第１膜の形成条件及び前記第１膜の形成後における熱処理の温度のうち少なくとも一つに係る条件設定により行うことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載のマイクロレンズの製造方法。
- 前記マスクは、ポリシリコン膜、アモルファスシリコン膜又は耐フッ酸膜からなることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載のマイクロレンズの製造方法。
- 前記基板上に前記マイクロレンズがアレイ状に複数形成されることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載のマイクロレンズの製造方法。
- 請求項１から８のいずれか一項に記載のマイクロレンズの製造方法により製造されるマイクロレンズ。
- 請求項９に記載のマイクロレンズと、
該マイクロレンズに対向する表示用電極と、
該表示用電極に接続された配線又は電子素子と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。 - 請求項１０に記載の電気光学装置を具備することを特徴とする電子機器。
- マイクロレンズアレイ板であって、
多数のマイクロレンズと、
前記マイクロレンズの底部を規定する凹状の窪みを有する透明部材と、
前記透明部材上に形成され、前記凹状の窪みに対応して形成され前記マイクロレンズの縁部を規定する開口を有する膜と、
前記膜上に形成されたカバー部材とを備え、
前記マイクロレンズの断面形状は半楕円形状であることを特徴とするマイクロレンズアレイ板。 - 前記透明部材で規定されるレンズ面の縁における接線に対して、前記膜におけるレンズ面の接線は、５０〜６０度であることを特徴とする付近の断面形状は半楕円形状であることを特徴とする請求項１２に記載のマイクロレンズアレイ板。
- 前記膜におけるレンズ面の断面形状は直線状であることを特徴とする請求項１２又は１３に記載のマイクロレンズアレイ板。
- 請求項１２から１４のいずれか一項に記載のマイクロレンズアレイ基板と、
該マイクロレンズに対向する表示用電極と、
該表示用電極に接続された配線又は電子素子と、
を備えたことを特徴とする電気光学装置。 - 請求項１５に記載の電気光学装置を具備することを特徴とする電子機器。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003129252A JP3938099B2 (ja) | 2002-06-12 | 2003-05-07 | マイクロレンズの製造方法、マイクロレンズ、マイクロレンズアレイ板、電気光学装置及び電子機器 |
| US10/453,692 US6781762B2 (en) | 2002-06-12 | 2003-06-04 | Method of manufacturing microlens, microlens, microlens array plate, electrooptic device and electronic equipment |
| TW092115438A TWI225939B (en) | 2002-06-12 | 2003-06-06 | Method of manufacturing microlens, microlens, microlens array plate, electrooptic device and electronic equipment |
| KR10-2003-0037411A KR100525870B1 (ko) | 2002-06-12 | 2003-06-11 | 마이크로 렌즈의 제조 방법, 마이크로 렌즈, 마이크로렌즈 어레이판, 전기 광학 장치 및 전자 기기 |
| CNB031386873A CN1224849C (zh) | 2002-06-12 | 2003-06-11 | 微型透镜及制造方法、微型透镜阵列板、电光装置和电子仪器 |
| US10/889,048 US7064901B2 (en) | 2002-06-12 | 2004-07-13 | Method of manufacturing microlens, microlens, microlens array plate, electrooptic device and electronic equipment |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002171892 | 2002-06-12 | ||
| JP2003129252A JP3938099B2 (ja) | 2002-06-12 | 2003-05-07 | マイクロレンズの製造方法、マイクロレンズ、マイクロレンズアレイ板、電気光学装置及び電子機器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004070282A JP2004070282A (ja) | 2004-03-04 |
| JP3938099B2 true JP3938099B2 (ja) | 2007-06-27 |
Family
ID=30002224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003129252A Expired - Lifetime JP3938099B2 (ja) | 2002-06-12 | 2003-05-07 | マイクロレンズの製造方法、マイクロレンズ、マイクロレンズアレイ板、電気光学装置及び電子機器 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6781762B2 (ja) |
| JP (1) | JP3938099B2 (ja) |
| KR (1) | KR100525870B1 (ja) |
| CN (1) | CN1224849C (ja) |
| TW (1) | TWI225939B (ja) |
Families Citing this family (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4397819B2 (ja) * | 2002-09-17 | 2010-01-13 | アンテルヨン、ベスローテン、フェンノートシャップ | カメラ・デバイス、ならびに、カメラ・デバイスおよびウェハスケールパッケージの製造方法 |
| US20050002204A1 (en) * | 2003-07-04 | 2005-01-06 | Kun-Lung Lin | Module for uniforming light |
| US7333267B2 (en) * | 2003-11-26 | 2008-02-19 | Micron Technology, Inc. | Micro-lenses for CMOS imagers |
| KR20050062289A (ko) * | 2003-12-20 | 2005-06-23 | 삼성전기주식회사 | 마이크로 렌즈 제조방법 |
| US6940654B1 (en) * | 2004-03-09 | 2005-09-06 | Yin S. Tang | Lens array and method of making same |
| US7535649B2 (en) * | 2004-03-09 | 2009-05-19 | Tang Yin S | Motionless lens systems and methods |
| US20050211665A1 (en) * | 2004-03-26 | 2005-09-29 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Methods of forming a microlens array |
| JP4285373B2 (ja) * | 2004-09-01 | 2009-06-24 | セイコーエプソン株式会社 | マイクロレンズの製造方法、マイクロレンズ及びマイクロレンズアレイ、並びに電気光学装置及び電子機器 |
| JP4093240B2 (ja) | 2005-02-07 | 2008-06-04 | セイコーエプソン株式会社 | 空間光変調装置及び画像表示装置 |
| JP4508025B2 (ja) * | 2005-07-26 | 2010-07-21 | セイコーエプソン株式会社 | ラインヘッド、ラインヘッドモジュール、及び画像形成装置 |
| US7399421B2 (en) * | 2005-08-02 | 2008-07-15 | International Business Machines Corporation | Injection molded microoptics |
| KR100698071B1 (ko) * | 2005-10-24 | 2007-03-23 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| KR20070055764A (ko) * | 2005-11-28 | 2007-05-31 | 광주과학기술원 | 화합물 반도체의 선택적 식각을 이용한 마이크로렌즈 및마이크로 렌즈가 집적된 광전소자 제조 방법 |
| US7768707B2 (en) | 2006-02-06 | 2010-08-03 | Seiko Epson Corporation | Converging substrate, electro-optic device, substrate for electro-optic device, projector, and electronic apparatus |
| JP4631769B2 (ja) * | 2006-03-23 | 2011-02-16 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及びプロジェクタ |
| US7352511B2 (en) * | 2006-04-24 | 2008-04-01 | Micron Technology, Inc. | Micro-lenses for imagers |
| US7190526B1 (en) * | 2006-05-02 | 2007-03-13 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Step-over lithography to produce parabolic photoresist profiles for microlens formation |
| KR100784512B1 (ko) * | 2006-05-25 | 2007-12-11 | 엘지전자 주식회사 | 표시장치 |
| TWI480594B (zh) * | 2006-11-28 | 2015-04-11 | Jsr Corp | The manufacturing method of microlenses |
| KR100854243B1 (ko) * | 2006-12-27 | 2008-08-25 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지 센서 제조방법 |
| KR20080060484A (ko) * | 2006-12-27 | 2008-07-02 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| KR100891075B1 (ko) * | 2006-12-29 | 2009-03-31 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지 센서의 제조방법 |
| KR20080062825A (ko) * | 2006-12-29 | 2008-07-03 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지 센서 제조방법 |
| KR100871553B1 (ko) * | 2007-03-14 | 2008-12-01 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| KR20090098244A (ko) * | 2008-03-13 | 2009-09-17 | 삼성전자주식회사 | 광전소자의 제조 방법 |
| CN102473751B (zh) * | 2009-07-14 | 2014-12-24 | 三菱电机株式会社 | 基板的面粗化方法、光电动势装置的制造方法、光电动势装置 |
| US8587881B2 (en) * | 2011-07-05 | 2013-11-19 | Indian Institute Of Technology Kanpur | Miniature lenses, systems and methods of making the same |
| JP6003214B2 (ja) * | 2012-05-18 | 2016-10-05 | セイコーエプソン株式会社 | マイクロレンズアレイ基板、電気光学装置、及び電子機器 |
| JP6145990B2 (ja) * | 2012-10-29 | 2017-06-14 | セイコーエプソン株式会社 | マイクロレンズアレイ基板の製造方法 |
| CN103151369B (zh) * | 2013-02-06 | 2016-01-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种像素结构及其制作方法 |
| JP2015138165A (ja) | 2014-01-23 | 2015-07-30 | セイコーエプソン株式会社 | マイクロレンズアレイ、マイクロレンズアレイの製造方法、電気光学装置、及び電子機器 |
| WO2015137755A1 (ko) * | 2014-03-12 | 2015-09-17 | 박철 | 전자기기용 필름부재 |
| CN104701350B (zh) * | 2015-03-03 | 2017-03-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电极及其制作方法、阵列基板及其制作方法 |
| CN105572940B (zh) * | 2016-02-03 | 2019-05-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 液晶面板及其制备方法、显示装置 |
| EP3620829B1 (de) * | 2018-09-07 | 2022-01-19 | Sick Ag | Lichtgitter |
| CN112817072B (zh) * | 2020-12-31 | 2022-03-25 | 深圳市麓邦技术有限公司 | 透镜矩阵制造系统及方法 |
| CN113189821A (zh) * | 2021-04-27 | 2021-07-30 | Tcl华星光电技术有限公司 | 盖板及其制作方法、显示面板 |
| CN115407570B (zh) * | 2022-08-23 | 2023-12-15 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3081284B2 (ja) * | 1991-07-24 | 2000-08-28 | 株式会社リコー | マイクロレンズの製造方法 |
| JPH07106537A (ja) | 1993-09-30 | 1995-04-21 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置の製造方法 |
| JP3586326B2 (ja) | 1995-10-31 | 2004-11-10 | ソニー株式会社 | 透過型表示装置 |
| JP3965541B2 (ja) | 1998-08-27 | 2007-08-29 | セイコーエプソン株式会社 | マイクロレンズアレイの製造方法 |
| US6297911B1 (en) * | 1998-08-27 | 2001-10-02 | Seiko Epson Corporation | Micro lens array, method of fabricating the same, and display device |
| JP2001147515A (ja) * | 1999-09-07 | 2001-05-29 | Ricoh Co Ltd | フォトマスク設計方法、フォトマスク設計装置、コンピュータ読取可能な記憶媒体、フォトマスク、フォトレジスト、感光性樹脂、基板、マイクロレンズ及び光学素子 |
| JP2001188107A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Seiko Epson Corp | マイクロレンズ基板の製造方法、マイクロレンズ基板、液晶パネル用対向基板、液晶パネルおよび投射型表示装置 |
| JP2002006113A (ja) | 2000-06-27 | 2002-01-09 | Seiko Epson Corp | マイクロレンズ用基板の製造方法、マイクロレンズ用基板、マイクロレンズ基板、電気光学装置、液晶パネル用対向基板、液晶パネル、および投射型表示装置 |
-
2003
- 2003-05-07 JP JP2003129252A patent/JP3938099B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2003-06-04 US US10/453,692 patent/US6781762B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-06-06 TW TW092115438A patent/TWI225939B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-06-11 CN CNB031386873A patent/CN1224849C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-06-11 KR KR10-2003-0037411A patent/KR100525870B1/ko active IP Right Grant
-
2004
- 2004-07-13 US US10/889,048 patent/US7064901B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI225939B (en) | 2005-01-01 |
| CN1469135A (zh) | 2004-01-21 |
| US20040027680A1 (en) | 2004-02-12 |
| KR100525870B1 (ko) | 2005-11-02 |
| US7064901B2 (en) | 2006-06-20 |
| TW200405035A (en) | 2004-04-01 |
| KR20030096018A (ko) | 2003-12-24 |
| US6781762B2 (en) | 2004-08-24 |
| US20040246587A1 (en) | 2004-12-09 |
| CN1224849C (zh) | 2005-10-26 |
| JP2004070282A (ja) | 2004-03-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3938099B2 (ja) | マイクロレンズの製造方法、マイクロレンズ、マイクロレンズアレイ板、電気光学装置及び電子機器 | |
| JP2004046091A (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
| JP2016151735A (ja) | レンズアレイ基板、電気光学装置、および電子機器、並びにレンズアレイ基板の製造方法 | |
| KR100525880B1 (ko) | 전기 광학 장치 및 프로젝터 | |
| JP2007248494A (ja) | マイクロレンズ基板及びその製造方法、電気光学装置並びに電子機器 | |
| JP3697937B2 (ja) | 電気光学装置及び投射型表示装置 | |
| JP4161582B2 (ja) | マイクロレンズアレイ板、電気光学装置、及び電子機器 | |
| JP4270061B2 (ja) | マイクロレンズ及びその製造方法、並びに電気光学装置及び電子機器 | |
| JP4956903B2 (ja) | マイクロレンズ基板及びその製造方法、電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 | |
| JP2004070283A (ja) | マイクロレンズの製造方法、マイクロレンズ、マイクロレンズアレイ板、電気光学装置及び電子機器 | |
| JP4385899B2 (ja) | マイクロレンズアレイ板及びその製造方法、並びに、電気光学装置及び電子機器 | |
| JP2007248493A (ja) | 電気光学装置、及びこれを備えた電子機器 | |
| JP2003140127A (ja) | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 | |
| JP4333373B2 (ja) | マイクロレンズの製造方法及びマイクロレンズ、並びにこれを備えた電気光学装置及び電子機器 | |
| JP3937773B2 (ja) | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 | |
| JP2002182238A (ja) | 電気光学装置及びその製造方法並びに基板装置及びその製造方法 | |
| JP2004069826A (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
| JP2006039263A (ja) | マイクロレンズアレイ板、並びに電気光学装置及び電子機器 | |
| JP3975758B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JP4258179B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
| JP4670468B2 (ja) | マイクロレンズアレイ板及びその製造方法、基板のエッチング方法、電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 | |
| JP2002214627A (ja) | 電気光学装置及びその製造方法、並びに投射型表示装置 | |
| JP4710935B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
| JP2004037873A (ja) | マイクロレンズアレイ、マイクロレンズ基板及びその製造方法、電気光学装置並びに電子機器 | |
| JP2006330142A (ja) | マイクロレンズ基板の製造方法、電気光学装置の製造方法、及びマイクロレンズ基板、並びに電気光学装置及び電子機器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070306 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070319 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3938099 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110406 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110406 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120406 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130406 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130406 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140406 Year of fee payment: 7 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |