TW479368B - Transmission liquid crystal panel to block ray of light toward thin film transistors with a light blocking film - Google Patents

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Description

479368 五、發明說明（1) 發明領域： 曰曰
BS 本發明係有關於一種光線由上而下傳送的傳導气液 面板，且特別有關於一種傳導式液晶面板，其中麥封液 係以薄膜電晶體驅動於一主動矩陣模式。 ’ 習知技術說明： 傳統上’周以在液晶螢幕顯示影像的影像顯示蒸已經 實用於液晶投影機以及投影電視。這樣的影像顯示器通常 包括一死源、一傳導式液晶面板以及一答幕，豆中由光、, 發射的光線係穿過傳導式液晶面板且顯示於罄篡。“ \ 第1圖顯示習知技術的傳導式液晶面板之一液晶♦明 100。液晶光閥100包括做為其主要元件的透明基板 多數下部遮光膜1 〇 2、多數薄膜電晶體（Th彳n F i工m Transistor，TFT ) 103、複數閘極（未圖示）、複數 (未=)、複數資料電極104、複數上部金屬膜105、平 :化層m、多數個別電極107、封入液晶108、共通電極 1 0 9、以及對向基板11 〇。 …v -才：Γ:說明’Λ下列敘述中的「下側，上側」將分別表 了 f液曰曰光閥1〇〇中層的各種型式在層疊方向的電路铡， 液晶側，如第1圖所示。 ^ ★，明基板101、係由一無色透明的絕緣玻璃基板製成， 1 Z : 疊有稷數下部遮光膜102。下部遮光膜102係由 石‘ s 1 )紮成，具有高熱阻抗與低光傳導枵，g_往 厚度；；；樣’以掩蓋各多數薄膜電晶麵 '又伙广方的恣光土向上傾斜的方向。 ^/9368 五、發明說明（2) ' -- 薄膜電晶體1 0 3係經由層間絕緣膜丨〗i位於下部遮光膜 1 0 2上方，且包括一源區域以及一汲區域在其上彤成（未 圖不）。源區域係連接於資料電極丨〇4，而汲區域係連接 於汲極（未圖示）。薄膜電晶體1〇3的閘極（未圖示）包 括一金屬層，具有一圖樣延伸於圖中的侧方向，且一 ^秦 位於薄膜電晶體1 0 3的上表面。 …、 貝料電極104包括一鋁層，具有一圖樣延伸於與圖垂 的方=，且經由層間絕緣膜1丨2層疊於薄膜電晶體1 〇 3上 換。之’閘極與資料電極1 〇 4構成一矩陣電極， 又點分別配置有薄膜電晶體1〇3。 ;%私金屬膜1 G 5係由—高反射1呂層經由層間絕緣膜11 3 二ΐ料電極104上方，且係構成於該層厚度與圖樣以 令=貝科電極104。+坦化層1〇6係甴絕緣有機樹 =^製成，且層疊於上部金屬膜⑽上方，纟上表面係 構成平坦狀。 於正f個別電極1 〇 7係由錮錫氧化物（I TO )層製成，構成 、'丁 =層106的上表面，且連接於薄膜電晶體1〇3的汲極。 陳雷=具體地說，如前所述5閘極和資料電極1 04構成矩 F A ’破分成排列在縱橫方向的複數锢方形區域，备一 二應於一點矩陣中的每一顯示像素。各個別電極107 於久」做為各顯不像素，且經由一接觸孔（未圖示）連接 ;谷溥膜電晶體1 0 3。 且爲ΐ向基板11 〇也係由無色透明之絕緣玻璃基板製成5 ^ $於平坦化層1 0 6上方，具有一既定間隙於其間經甴 479368
、間隙壁構件（未圖示）。共通電極丨〇 9也係由一 i 了〇層製 成’且係均勻分布於對向基板的下表面。封入液晶108
係由封入丁坦化層丨〇 6與對向基板丨丨〇之間的間隙之液晶製I
成，且一電場以個別電極1〇8與共通電極·ί〇θ施加於封入液! 晶 108。 I 、、曰:周邊電路（未圖示）係構成於具有前述層疊結構之| ，晶，閥100的周面。周邊電路係以閘極與資料電極1〇4在i 矩卩式連接於薄膜電晶體1Q3。又，下部遮光〗| 接地，且上部金屬膜105也係用於周邊電路的配線。、_—小| 前述配置的液晶光閥100係同於一影像顯示器（未圖 不的，分與一光源以及螢幕。在此一影像顯示器中，螢 幕係層疊於一光徑中從光源經由液晶光閥1 〇〇，且由光源 發射的光線係從上方照射於液晶先閥1 〇 〇。 i ^ ^ _衫像顯不态輸入景彡像資料至液晶光閥1 0 0的 i 周l。=周邊龟路輸岀對應於顯像資料的驅動訊號經由| 閘，與貧料電極丨04至薄膜電晶體1〇3。然後配置於一矩陣 的薄膜電晶體1 03係分別以只施加於連接至開啟的薄膜電· 晶體103之個別電極1〇7的一驅動電壓開關。 此:封入液晶108的光傳導之有無係依一點矩陣影I 象二d。光線經由液晶光閥1 08由上至向傳輸，且照射於 丨 螢幕上，使得點矩陣影像顯示於螢幕上。 ………、 | 在液晶光閥100中，由於封入液晶1〇8係以薄膜體 1=3在^主動矩陣模式驅動，使用液晶光閥1〇〇的影像顯示器 可以咼解析度顯示一點矩陣影像而不產生干擾。
2138-3461-PF.ptd 第7頁 晶光閥1 0 0的開口率。 又，由於位於薄膜電晶體1 0 3上方的資料電極i 〇 4也係 479368
五、發明說明（4) " —------ 105上前：液晶光閥1〇0巾，資料電極104係由上部金屬膜 保護電磁干擾不進入資料電極1〇4，而造成也可防止薄 =€晶體的功能失常…上部金屬膜1〇5也係同於周 邊電路的配線，且不需重新構成。 當光線入射於薄膜電晶體103，包括以聚矽化物權成 f :輕微摻雜没極（LDD)區域（未圖示），然後漏電流 生以阻止動作特性。由於光線係經由液晶光閥1〇〇從上 *° ·’傳導，上部金屬膜1 〇 5也用於阻隔從上方入射於薄膜 電晶體1 0 3的光線。 、、 在各種型式的層被層疊的液晶光間丨〇〇中，從上向下 傳導的光線可在内部反射，而變成迷光。然而，構成於薄 膜電晶體103下方的下部遮光膜102可防止透明基板1〇1的 下表面所反射且導向一傾斜向上方向的迷光直接進入於薄 膜電晶體103。 然而’甴於做為周邊電路之配線以及資料電極丨〇 4之 保濩罩的上部金屬膜1 〇 5係甴一鋁薄膜製成，且微細的間 隙存在於分子之間的邊界，雖然實際上上部金屬膜丨〇 5有 效地反射入射光線，但仍然復難有效阻隔光線的傳導。 因此，如第1圖所示，光線在通過上部金屬膜1〇5後可 進八薄膜電晶體1 0 3，而損害薄膜電晶體丨〇 3的動作特性。 為防止這點，上部金屬膜105的厚度可增加。然而，增加 厚度使得平坦化層1 0 6的上表面之平滑性惡化，且減少液
2138-3461-PF.ptd 4/9368 五、發明說明（5) ，鋁製成，故有效地反射入射光線，但很難有效地 線傳導。下部遮光膜102係甴具有高熱阻抗與低光傳導祕 1石夕化鎢製成，有效反射人射光，因為在位於下部遮光一 1〇2上方的薄膜電晶體1〇3之製程中以高溫加埶。遮 ' 因此5以透明基板101的下表面反射旦導向―傾梦向 |方向的迷光也可在以上部金屬膜〗〇 5的下表面、攻赳命 | ^ 104,的下表面以及下部遮光膜i〇2的上表面之多/反射^ j =入溥膜電晶體1 〇 3，損害薄膜電晶體〗〇 3的動作胜： 發明概述： …' •一 本發明之一目的在於提供一種傳導式液晶面板，可有 效卩々止光線入射在薄膜電晶體上。 / 明之另一目的在於提供一種影像顯示器，羯以使 用根據本發明之傳導式液晶面板有效顯示影像。 & ^發明之又一目的在於提供一種傳導式液晶面板的製 仏方法，可有效防止光線入射在薄膜電晶體上。 !· =據本，明之一形態，傳導式液晶面板包括下部遮光 '、二連接於資料電極、閘極與汲極的薄獏電晶體、上部金 屬膜二一平坦化層、個別電極、封入液晶、一共通電極、 以及二對向基板，連續地位於一透明基板上方，光線經由 ，傳V式液a3面板由上向下傳導。相較於上部金屬膜具有 較，的光傳導性與較低的反射性之一遮光膜係構成於薄膜 電日日體上方以及上部金屬膜下方。 增在根據本發明的傳導式液晶面板中，封入液晶的光傳 導之有無係甴薄膜電晶體控制，以甴光傳導性於一主動矩
479368 五、發明說明（6) 陣模式中產生 像而調節。位 上方入射於薄 然而，部 屬膜下方以及 且阻隔經由上 又5甴於遮光 導的光線因甴 多重反射而變 具有高熱 一下部遮光膜 入射於薄膜電 線 > 由透明基 Γ表面反射且 電晶體的迷光 然而，具 方以及薄膜電 之下表面反射 可能防止光線 上表面之多重 射性5可防止 上表面之多重 因此，可 上，且薄膜電 — 一影像 &薄膜 膜電晶 分光線 薄祺電 部金屬 膜具有 遮光膜 成逑光 阻抗與 可防止 曰* 曰曰體上 板等之 入射於 〇 有低光 曰 ♦ » 曰日m上 且導向 因由上 反射而 光線因 反射而 防止具 晶體可
2138-3461-PF •Ptd ，使得由上向下傳導的光線係根據影 電晶體上方的上部金屬膜限制光線從 體上。 係經甴上部金屬膜傳導。位於上部金 晶體上方的遮光膜具有低光傳導性5 膜傳導且被導向薄膜電晶體的光線。 低反射性，可防止經由上部金屬膜傳 的上表面以及上部金屬膜的下表面之 0 低光傳導性且位於薄膜電晶體下方的 透明基板等之下表面反射的光線直接 。然而，由於下部遮光膜有效反射光 下表面反射的光線可被上部金屬膜之 下部遮光膜的上表面而變成到達薄膜 傳導性的遮光膜係位於上部金屬膜下 方。因而，遮光膜阻隔由透明基板等 上部金屬膜之下表面的光線。因此， 部金屬膜的下表面以及下部遮光膜的 變成迷光。又，由於遮光膜具有低反 由遮光膜的下表面以及下部遮光膜的 變成迷光。 有面強度的迷光入射於薄膜電晶體 有效地動作以令人滿意地在主動矩陣 Ί
第10頁 479368 五、發明說明（7) 板式產生影像。 根據本發明的另一形態，傳導式液晶面板包括具有鈐 上。卩金屬膜低的反射性之遮光膜，構成於薄膜電晶,上大 =及上部金屬膜下方、以及相較於下部遮光膜具有=低的 太射性與較高的熱阻抗之光吸收膜，構成於薄膜雪具赠τ 方以及下部遮光膜上方。 一-^ Μ =地，在本發明的傳導式液晶面板中，㈣薄膜電 曰[一方的上部金屬膜限制光線從上方入射於薄膜雪晶體 Z !· 方的iϋ高熱^抗與低光傳導性且位於薄膜電晶體下 捧人#二t二ΐ可ρ々止透明基板等之下表面反射的光線直 接入射於溥膜電晶體上。 =而，由於下部遮光膜有效反射光線，由透明基板等 面反射的光線可被上部金屬膜之下表面反射且人射 ^:遮光膜的上表面而變成到達薄膜電晶體的迷光。然 而5遮光膜係位於上卹人Η + _ η — j ^ 上"卩金屬娱下方以及潯膜電晶體上方， 凡u二立於卜部遮光膜上方以及薄膜電晶體下方。因 沾也7使富由遮光膜之下表面與下部遮光膜之上表面反射 兵: '、、入射於光吸收膜與遮光膜上時，具有低反射性的光 ，收膜與遮光膜減弱入射的光線，因而可能防止因多重反 射而產生的迷光。 因此’可防止具有高強度的迷光入射於薄膜電晶鱧 士1且薄膜電晶體可有效地動作以令人滿意地在主動矩陣 模式產生影像。 根據本發明的又一形態，傳導式液晶面板包括相較於
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7 JUO 五、發明說明--- 上部合凰沪‘ 膜，棬屬膜具有較低的光傳導性以及較低 較於下：：：膜電晶體上方以及上部金屬 收膜 “、、光膜具有較低的反射性與較高 、&構成於薄膜電晶體下方以及下部遮 晶體^樣地’在本發明的傳導式液晶面板 IT = f的上部金屬膜限制光線從上方人 加i當部分光線經由上部金屬膜傳導時， σ 、’屬膜下方以及薄膜電晶體上方。 由於遮光膜具有低光傳導性，故阻隔 且導向薄膜電晶體的光線。又，遮光 ，止由上部金屬膜傳導的光線因甴遮光犋 部金屬膜的下表面之多重反射而變成逑光 具有高熱阻抗與低光傳導性且位於薄 不部遮光膜可防止透明基板等之下表面反 射於/專膜電晶體上。然而，由於下部遮走 線’由透明基板等之下表面反射的光線可 下表面反射且入射於下部遮光膜的上表聲 電晶體的迷光。 然而，遮光膜係位於上部金屬膜下方 上方，且光吸收膜位於下部遮光膜上方^ 方。因而，即使當由遮光膜之下表面與在 表面反射的光線入射於光吸收膜與遮光_ 射性的光吸收膜與遮光膜減弱入射的光綠 因多重反射而產生的迷光。 的反射性之遮光 膜下方、以及相 的熱阻抗之光吸 . 光膜上方。 i 中，位於薄膜電 | 射於薄膜電晶體j 遮光膜係位於上 經由上部金屬膜 膜的低反射性可 k 的上表面以及上 严 - 1 膜電晶體下方的 射的光線直接入 膜有效反射光 | 被上部金屬膜之 I 而變成到達薄膜| | 以及薄膜電晶體 及薄膜電晶體下 _ 下部遮光膜之上I ϊ α. ί 一 ’具有低反 I ’因而可能防止 ί
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J
7 JUO 五、發明說明（9) 因〖’口』防止具有高強度 上，且薄膜電晶體可有 〜九入t於潯心私53技 模式產生影像。百政也動作以令人滿意地在主動矩陣 在^ μ知例中，鱼下立R、诗、ι 膜係直接層疊於下邱避夯^二疋膜具有相同圖樣之光吸收 收膜可破實地防止由表面。在此：情況，光吸 ^ , ^ rj7r ύίΓ m - I <光膜之上表面的光線反射。 I 1 ;r Y〜下部遮光膜可在製程申同時地圖樣化5以 使傳導式液晶面板的生產簡化。 #言ί屏:^例中，與上部金屬膜具有相同圖樣之遮光膜 金屬膜的下表面。在此-情況，遮光膜 可確貫地防止由上部金屬膜 卹A ®睹也A , 蜀腰之下表面的光線反射。又，上 邓金屬膜與遮光膜可在製程中 17 „ /# ^ . 液晶面板的生產簡化。 ？4地圖豫化，以災傳導式 胺傲f丄貝广1列中’遮光膜具有導電性。b此5上部金屬 膜與遮光膜可掩蓋資料雷炻LV秘丄， & &丄+貝竹冤極以增加資料電極的掩蓋。 根據本發明的-形態，—影像顯示器包括一光源、本 各明，一傳导式液晶面板、以及一螢幕。在本發明之影像 顯不器中，光源發射光線，經由傳導式液晶面板傳導且照 射於螢幕上，因而顯示由傳導式液晶面板在主動矩陣模式 產生的一點矩陣影像於螢幕上。由於本發明的傳導式液晶 面板具有薄膜電晶體的良好動作而可在主動矩陣模式有效 產生影像，本發明的影像顯示器產生良好品質的影像顯系 在螢幕上。 根據本發明的一形態，一種製造面板的方法包栝"T列
2138-3461-PF.ptd 第13頁· 479368 五、發明說明（10) 步驟：於透明基板的上表面構成具有高熱阻抗與低光傳導 性的一第一功能層；於第一功能層的上表面構成具有較下 部遮光膜低的反射性之一第二功能層；以及同時地圖樣化 第二功能層與第一功能層以構成遮光膜與光吸收膜。 I 在根據本發明的製造面板方法中，光吸收膜係直接層 i疊於下部遮光膜的上表面，且下部遮光膜與光吸收膜係由 i相同圖樣構成。因而，本方法可生產傳導式液晶面板，其 中光吸收膜可確實地防止由下部遮光膜之上表面的光線反 射，從而可容易生產本發明的傳導式液晶面板。 根據本發明的一形態，一種製造面板的方法包括下列 步興：以一層間絕緣膜封入前述資料電極；於層間絕緣膜 的上表面構成相較於上部金屬膜具有較低的光傳導性與較 低的反射性之一第三功能層；於第三功能層的上表面構成 具有高反射性之一第四功能層；以及同時地圖樣化第四功 能層與第三功能層以構成遮光膜與上鄯金屬膜。 在根據本發明的製造面板方法中，遮光膜係直接層疊 於上部金屬膜的下表面，且上鄯金屬膜與光吸收膜係由相 同圖樣構成。因而，本方法可生產傳導式液晶面板，其中 遮光膜I確貫地防止由上部金屬膜之下表面的光線反射， 從而可谷易生產本發明的傳導式液晶面板。 本發明中’在傳導式液晶面板中層的各種型式之層疊 方向，電路側係以「下側」表示，且液晶側係以「上侧7 表’5、 這'^方向係周以便於簡化敘述，且並非對膏
2138-3461-PF.ptd 第14頁 際製造或使用裝置中的方向加以限制。
479368 五、發明說明（11) | 為使本發明之上述及其他目的、特徵和優點能更明顯 易懂，下文特舉一較佳實施例，並配合所附圖式做詳細說 明。 圖式簡單說明： 第1圖係顯示習知技術的傳導式液晶面板之一液晶光 閥主要元件的垂直剖面正視圖； | 第2圖係顯示本發明傳導式液晶面板一實施例的一液 ! |晶光閥電路部之層疊結構的平面圖與剖面圖； 第3圖係顯示液晶光閥之像素部分的平面圖； 第4圖係顯示影像顯示器之整體結構的示意圖； 第5圖係顯示之由三液晶光閥產生的影像與一顯示影 像之間關係的示意圖； j 第6圖係顯示面板製造方法第一步驟的剖面圖； ί； 第7圖係顯示面板製造方法第二步驟的剖面圖； 第8圖係顯示面板製造方法第三步驟的剖面圖； 第9圖係顯示面板製造方法最終步驟的剖面圖； 第1 0圖係顯示習知技術與本發明的光照射強度與漏電 流之間關係的特性圖。 符號說明： 100 - -液 晶 光 閥 101〜 透 明 基 板 1 0 2〜下 部 遮 光膜 103〜 薄 膜 電 晶 體 104 - ◊資 料 電 極 105〜 上 部 金 屬 膜 106〜平 坦 化 層 107〜 個 別 電 極 108 - 一封 入 液 晶 109〜 共 通 電 極
2138-3461-PF.ptd 第15頁 479368 五、發明說明（12) II 0〜對向基板 III 、 112 、 113 205 200R 、 200G 、 200Β )〜 液晶光閥 透明基板 20 2 - ^下部遮光與 薄膜電晶體 204 - 一資料電極 閘極 206 - 〜汲極 上部金屬膜 2 0 8〜平坦化層 個別電極 2 1 0〜封入液晶 共通電極 212 - …對向基板 光吸收膜 216 - 一遮光膜 基礎絕緣膜 223 - 一閘絕緣膜 層間絕緣膜 225 ' 2 2 6〜接觸巧 輕微換雜沒極 (L D D )區域 層間絕緣膜 229 - 〜接觸孔 液晶投影系統 301卜 -光源 分離光學儀 303 - 一合成光學系絲. 成像光學儀 3 0 5〜反射螢暮 矽化鎢層 402， '^非晶發層 活性層 4 0 4 ’ ι鈇層 雀呂層 410 - -電路面板 …^ ί見第2圖，_示根據本發明傳導式液晶面板之 貫施例的一液晶光閥2 0 0。 211 215 221 224 227 228 300 302 304 401 403 405 •r入，一，、〜η %:々湖說明： 下部 做為主要元件，液晶光閥2〇〇包括透钥基板20卜 479368
五、發明說明（13) ) 3 遮光膜202、多數薄膜電晶體（TFT ) 203、複數資料電極 | 204、複數閘極205、複數汲極206、上部金屬膜207、平坦 | 化層208、多數個別電極20 9、封入液晶210、共通電極
2 11、以及對向基板2 1 2，與前述的習知技術中之液晶光閥 1 0 G相似。 I 然而，不像習知技術的液晶光閥1 0 0 5根據本實施例 j 的液aa光閥200包括層璺於下部遮光膜2G2的上表面之光吸！ 收膜215，以及層疊於上部金屬膜207的下表面之遮光膜 216。 ' 更明轉的說，如第9圖所示，透明基板2 1 〇係由一絕緣 玻璃基板製成，且基礎絕緣膜2 2 1係均勻地層疊於其上表 面。下部遮光膜2 0 2係由具有高熱阻抗與低光傳導性的矽 化鎢製成，且層疊於基礎絕緣膜2 2 1的上表面。 下部遮光膜20 2係由1 5 0nm的厚度構成，且圖樣化以分 別掩蓋薄膜電晶體不受直接導向向上傾斜方向的迷光。光 吸收膜2 1 5係由具有低反射性與高熱阻抗之非晶矽製成。 光吸收膜係由5 0nm的厚度構成，且與下部遮光膜2 〇 2以相 同的圖樣構成。 薄膜電晶體203係藉層間絕緣膜222位於光吸收膜2 15 上方’且連接於電極204〜206。具體而言，如第3圖所 示，複數資料電極與複數閘極構成一矩陣電極，在其交叉 點分別配置有多數薄膜電晶體203。 更明確地說，閘極2 0 5係由一金屬層製成，具有一圖 樣延伸於圖中的側方向，且經南閘絕緣膜2 2 3面對薄膜電
I \ S
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五、發明說明（14) 晶體203的中央上表面。資料電極2〇4係由一鋁層製成，具 有一圖樣延伸於圖中的縱方向，且係經由層間絕緣膜224 層疊於薄膜電晶體203上方。 >及極2 0 6係構成於閘絕緣膜2 2 3的上表面。資料電極 204與汲極206係經由接觸孔225、2 26分別連接於一源區域 與一.及區域在薄膜電晶體的兩端。Lj)j)區域227係構成於薄
膜電晶體2 0 3的各端與中央部之間D 遮光膜2 1 6係經由層間絕緣膜2 2 8位於資料電極2 〇 4上 方丄且上部金屬膜207係直接層疊於遮光膜216的上表面。 遮光膜2 1 6係由相較於上部金屬膜2 〇 7具有較低的光傳導性 與較低的反射性之導電鈦製成，且由5〇nm的厚度構成。上 部金屬膜207係由具有高反射性的鋁製成5厚度5〇〇nm。在 此一情況，遮光膜21 6舆上部金屬膜係由相同圖樣構成以 掩盖貢料電極2 0 4。 平坦化層2 0 8係由絕緣有機樹脂，如聚亞醯胺製成， 且層疊於上部金屬膜20 7上，其上表面構成平坦狀。每一 個別電極209包括IT0層，分別構成一顯示像素於平面層 2 0 8的上衣面，且經由接觸孔2 2 9連接於薄膜電晶體2 〇 3。 對向基板2 1 2也係由一無色透明的絕緣玻璃基板製 成，且係層疊於平坦化層208上方，具有一既定間隙於其 間經由一間隙壁構件（未圖示）。共通電極2丨丄也係由一 ϊτο層製成，且均勻地構成於對向基板212的下表面。封入 液晶210係封入平坦化層208與對向基板212之間的間隙， 且以個別電極2 0 9與共通電極2 1 1施加一電場
479368 五、發明說明（15) 一周邊電路（未圖示）係構成於液晶光閥2〇〇的周面 |旦运接於資料電極204、閘極2〇5以及薄膜電晶體203在一 | 矩陣。又5下部遮光膜202係接地5且上部金屬膜207與遮I 光膜2 1 6也係用於周邊電路的配線。 根據本實施例的液晶光閥係闬於液晶投影系統3 〇 〇， 即一影像顯示器。液晶投影系統3 〇 〇包括光源3 〇1、如第4 圖所示’在其上安裝有平行光系統（未圖示）。 j ®於安裝一平行光系統，光源301發射光線如一平行 i 光束。經由平行光系統在一光徑上從光源3 〇 1依序配置的 I 疋为離光學儀3 0 2 ’分別由一半鏡或一反射鏡組成，以將 光检分成三條。 在由分離光學儀302分成的三條光徑上，三液晶光閥 200R、20 0G與2 0 0B分別層疊，且分別具有分別對紅、綠' |藍（MB )色的一傳導濾光器（未圖示）。由於這三個傳 導濾光器只讓光線中分別對應於紅、綠、藍色的部分通 過，三液晶光閥200R、200G與200B只分別產生如第5圖所 示的一完整彩色影像中對應於紅、綠、藍色的影像部分。 在通過三液晶光閥20 0R、20 0G與200B之後配置於三光 徑的是由一棱鏡組成的合成光學系統3 0 3，用以將三光徑 合而為一。 _ ί’ 反射螢幕3 0 5係配置於從合成光學系統3 0 3的一光徑 ! 上’經由成像光學儀3 0 4 ’將由合成光學系統3 0 3發射的一 j 平行光束擴大至螢幕305以成像。 | 在前述配置中，根據本實施例的液晶光閥200可由光
2138-3461-PF.ptd 第19頁 ^/9368 五、發明說明（16) - ΐ:在主動矩障模式產生-影像’且根據影像調節從上向 =傳，的光線，由於封入液晶210的光傳導之有無係由薄 、電晶體203控制，相似於習知技術中的液晶光閥1 〇〇。 因此’根據本實施例的液晶投影系統3〇〇 ·三液曰 閥2 0 0R、2 0 0 G與2 ο ο Β產生紅 '綠、藍部分的影像，如第5 圖所示，可顯示一完整彩色影像於螢幕3 0 5上。 、 當光線經由根據本實施例的液晶光閥2 0 0從上向下傳 ‘時’入射於LDD區域227的光線造成薄膜電晶體203動作 特性的惡化。甴於層疊於薄膜電晶體2 〇 3上方的上部金屬 膜2 0 7係由鋁製成s部分光線也經由上部金屬膜傳導。 然而，在根據本實施例的液晶光閥2 0 0中，具有較上 部金屬膜207低的光傳導性之遮光膜216係位於上部金屬模 207的下表面。因此，如第2圖所示，遮光膜216阻隔經由 上部金屬膜207傳導且導向薄膜電晶體203的光線，且經由 j上部金屬膜20 7傳導的光線不進入薄膜電晶體203的LDD區 | 域227。 1 當光線經由液晶光閥2 0 0從上向下傳導時，光線可由 透明基板2 0 1的下表面在内部反射且導向上部金屬膜2 0 7輿 資料電極204的下表面。 然而，在根據本實施例的液晶光閥2 0 0中’由於遮光 膜216係位於上部金屬膜2 07的下表面，且如前所述具有較 j上部金屬膜207低的反射性5故入射於遮光膜216的下表面 之光線會減少。 另一方面，入射於資料電極204的下表面之光線被有
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五、發明說明（π) I 效地反射且導向下部遮光膜202的上表面，光吸收膜215位 | 於下部遮光膜202上，因為光吸收膜215的反射性較下部遮 | 光膜202低，入射於光吸收膜215的上表面之光線會減少。| 根據由透明基板2 01的下表面在内部反射光線會由遮 | I光膜216與光吸收膜215在各部份的多重反射時減少，使得 I 高強度的迷光不會進入薄膜電晶體203的LDD區域2 27。 i 如前所述5根據本實施例的液晶光閥2 0 0可有效地防 止光線入射於薄膜電晶體203的LDD區域227，而容許薄膜 電晶體203的穩定動作。因此，根據本實施例的液晶投影 系統3 0 0可顯示具有良好品質的彩色影像。 特別是在本實施例的液晶光閥2 0 0中，光吸收膜2 1 5直 接層疊在相同圖樣之下部遮光膜202的上表面可使光吸收 膜215確實地防止甴下部遮光膜202的上表面之光線反射， 且光吸收膜215與下部遮光膜202的同時圖樣化也可在製程 中達成。 又，遮光膜216直接層疊在相同圖樣之上部金屬膜207 的下表面可確實地防土由上部金屬膜207的下表面之光線 | I反射，且上部金屬膜207與遮光膜216的同時圖樣化也可在 I I製程中達成。 上部金屬膜係用以掩蓋一資料電極，且做為周邊電路 的配線，且直接層疊於上部金屬膜的遮光膜216也具有導 電性。因而，上部金屬膜2〇7與遮光膜216可有效地掩蓋資 料電極204且做為周邊電路之具有低阻抗的配線。 |
根據本實施例的一種製造液晶光閥2 0 0的方法將在此 I
2138-3461-PF.ptd 第21頁 479368 五、發明說明（18) ----------- 說明。首先，準備透明基板2〇1，且如第“圖所示，二 化石夕的基礎絕緣膜221 m壓化學氣相沈積（jLPe、 構成於透明基板2〇1的上表面，具有5〇〇nm之厚度。基礎^ 緣膜221用以防止不純物從透明基板2〇1進入各種型式的 層’且具有適用於該功能的厚度。 在基礎絕緣膜221的上表面，具有15〇nm厚度的矽化鎢 層401係以濺鍍法構成做為具有高熱阻抗與低光僂邕性的I 一第一功能層。在矽化鎢層4〇1的上表面，厚度5〇nm的非丨 晶矽層402係以電漿化學氣相沈積（CVD)法構成做為具 低反射性的一第二功能層。 、 在具有既定圖樣的一光罩以一光阻材料構成於非晶矽 層402的上表面之後，進行乾式蝕刻。如第6b圖所示，非| 晶矽層402與矽化鎢層401係同時圖樣化以構成下部遮光膜j 202與光吸收膜215於相同圖樣。下部遮光膜2〇2可具有可、| 阻隔光線至薄膜電晶體2 〇 3的厚度，以一材料承受薄膜雷 晶體2 0 3的回火溫度構成，如後所述。 當如前所述由矽化鎢構成上部遮光膜2〇2時，所需的 最小光傳導可甴100nm或更大的厚度達到，ι6〇ηβ1或以上較 佳，且5 0Onm或以下就足夠。下部遮光膜2〇2與光吸收膜 21 5係以一形狀圖樣化’以涵蓋在通道長度的方向從薄膜 電晶203的LDD區域227中央延伸大約2· 5 // m的範圍，為有 效地阻隔LDD區域227不受光線。 其次’如第6 c圖所示，二氧化石夕的層間絕緣膜2 2 2後 以常壓化學氣相沈積法構成，具有1 〇 〇 〇nm的厚度，使用 |
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479368 五、發明說明（20) 206 〇 同樣地’在層間絕緣膜224構成後5到達活性層403另 一端的接觸孔225係以光刻法構成，且一会屬層（未圖示 ^ )係由鈦或銘以濃鐘法構成，具有5 0 0 nm之厚度。金屬層 | 以乾式餘刻圖樣化以構成資料電極204，從而完成薄膜電 | |晶體203。 | ! 之後，如第8a圖所示，層間絕緣膜228係構成於資料 I電極204上。在層間絕緣膜228的上表面上，厚度50nm的鈦 層4 0 4係以濺鍍法構成，做為低光傳導性與低反射性的一 | 第三功能層。 · 又，厚度300nm的鋁層405係以濺鍍法構成於鈦層4G4 \ 的上表面，做為高反射性的一第四功能層。如第8b圖所 示，這些金屬層404、405係同時地以光刻法圖樣化而構成 遮光膜216與上部金屬膜於相同圖樣。 !
| 其次，平坦化層2 0 8係以一有機樹脂，如聚亞醯胺構 I ί成，具有1· 0 //m的厚度，然後到達汲極206的接觸孔229係 | 以乾式蝕刻構成。一 ITO層（未圖示）係對應於一顯示像 | 素的形狀而構成與圖樣化，以構成個別電極2 〇 9。 在隨後的流程中’類似於習知技術，將電路面板41 〇 以進行掩蓋層等的組成而完成，且一間隙壁（未圖示）與 t |對向基板2 12係依序接合。然後在封入液晶210注入對向基I |板212的下表面與電路面板410的上表面之間的間隙’以完！ |成液晶光閥2 0 0。 j 1 以前述方法5下部遮光膜202與光吸收膜215可同時地 ·
2138-3461-PF.ptd 第24頁 479368 -----—--" j 五、發明說明（21) 圖樣化於相同形狀，且上部金屬膜207與遮光膜2丨6可同時 地圖樣化於相同形狀，使根據本實施例的液晶光閥2 0 0易 | 於製造。 本發明人建立了習知結構的一液晶光閭，以及一液晶
I |光閥（未圖示），具有一額外遮光膜以做為上部金屬膜的i 一下層於前述尺寸，照射光線於兩液晶光闕，且測量因照 | 射光線而造成的漏電流。 1 故採用藍光，且考慮實際使 然後5如第1 〇圖所示，證實 相較於習知結構，漏電流碹 藍光為漏電流主要因素 用情況，設定從上向下照射 在具有額外遮光膜的結構中 實地減少。 前述實施例說明光吸收膜2 1 5以非晶矽製成，但可得 到所需的高熱阻抗與低反射性之任何枋料，如矽或氮化 鈦，都可闵於光吸收膜2 1 5。 此外，光吸收膜215的厚度並非限定於前述的5〇nm， 且可考慮各種實用狀況來較佳地決定。光吸收膜21 5的厚 度最好為厚的5以有效地吸收入射光線，但太厚一層會造 成表面平滑度的問通 > 而1⑽n m或以下在貫同性方面击交 佳。 同樣地，前述實施例說明遮光膜216以鈦構成，但可 得到所需的低光傳導性與低反射性之任何材料，都可用於 遮光膜2 1 6，如鉬或鎢。其厚度最好為厚的，以有效地掩 蓋入射光線，但太厚一層會造成表面平滑度的問題7，而大 約5 0至1 0 0nm在實用性方面較佳。
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五、發明說明（22) 此外，前述實施例說明光吸收膜2 1 5直接層疊於不部 遮光膜202的上表面’但光吸收膜215可位於下部遮光膜 202上以及薄膜電晶體203下方的任何位置。 同樣地，前述實施例說明遮光膜2 1 6直接層疊於上部 金屬膜2 07的下表面，但遮光膜216可位於上部金屬膜207 下方以及薄膜電晶體203上方的任何位置。 前述實施例說明LDD區域227構成於薄膜電晶體203， 但LDD區域227也可不構成於薄膜電晶體2(53。然而，甴於 根據本實施例的液晶光閥2 〇 〇可有效地防止光線照射於薄 膜電晶體203的LDD區域227，故具有構成於薄膜電晶體2〇: 的LDD區域227之結構係最適當的。 ^此外，前述實施例說明，做為影像顯示器，液晶投f …、、克3 0 0以_液晶光閥2 〇 q來顯示完整彩色影像，但以一洛 ，光閥2GG來顯示單色影像的影像顯示器^未圖示）也可 貫行。 雖然本發明已以數個較佳 周以限定本發明，任何熟習此 之精神和範圍内，仍可作些許 之保護範圍當視後附之申請專 貫施例揭露如上，然其並非 項技藝者，在不脫離本發明 的更動與潤飾，因此本發明 利範圍所界定者為準。 Φ

Claims (1)

  1. 479368 六、申請專利範圍 1. 一種傳導式液 一絕緣透明基板 下傳導； 複數下部遮光膜 空間地位於前逑透明 複數薄膜電晶體 晶面板’包括· ，其中光線經由前述透明基板從上向 ，具有高熱阻抗與低光傳導性，二度 基板上方； ，二度空間地位於前述下部遮光膜上 方 複數資料 複數閘極 複數汲極 電極， ，分別 ，分別 上部金屬膜， 分別連接於前述薄膜 連接於前述薄膜電晶 連接於前达薄膜電晶 具有高反射性，位於 貨料電極； 電晶體； 體； 體； 前述薄膜電晶體 上方，用以掩蓋前述 層，具有一平坦上表面，位於前述上部金屬 一平坦化 膜上方； 複數個別 方，且分別連 封入液晶 晶體經由前述 一共通電 極； 一透明對 電極構成於前 電極5 接於前 ，位於 個別電 極，經 前述平坦化層上 汲極； 且以前述薄膜電 分別二度空間地位於 述薄膜電晶體的前逑 前述個別電極上方， 極驅動； 由前述封入液晶相對於前述個別電 Ψ 向基板 述透明 至少一遮光膜， 傳導性與較低的反射 5周以封入前述封入液晶，前述共通 基板之下表面；以及 相較於前述上部金屬 性，位於前述薄膜電 膜具有較低的光 晶體上方以及前
    2138-3461-PF.ptd 第27頁 479368 六、申請專利範圍 述上部金屬膜 2. —種傳 一絕緣透 下傳導； 複數下部 空間地位於前 複數薄膜 方； 複數資料 複數閘極 複數汲極 一上部金 上方，周以掩 述薄膜電晶體； 膜電晶體； 膜電晶體； ，位於前述薄膜電晶體 膜上方； 複數個別 方，且分別連 封入液蟲 晶體經由前述 地位於前述平坦化層上 的前述汲極； 上方，且以前述薄膜電 下方。 導式液晶面板’包括· 明基板，其中光線經由前述透明基板從上向 遮光膜5具有高熱阻抗與低光傳導性，二度 述透明基板上方； 電晶體，二度空間地位於前述下部遮光膜上 電極，分別連接於前 ，分別連接於前述薄 5分別連接於前述薄 屬膜，具有高反射性 蓋前述資料電極； 平坦化層，具有一平坦上表面，位於前述上部金屬 電極，分別二度空間 接於前述薄膜電晶體 5位於前述個別電極 個別電極驅動； 共通電極，經由前述封入液晶相對於前述個別電 極； 一透明對向基板，用以封入前述封入液晶，前述共通 電極構成於前述透明基板之下表面； 至少一遮光膜5相較於前述上鄯金屬膜具有較低的反
    2138-3461-PF.ptd 第28頁 479368 六、申請專利範圍 射性，位於前述薄膜電晶體上方以及前述上部金屬膜下 I 方；以及 I 至少一光吸收膜，相較於前述下部遮光膜具有較低的I 反射性與較高的熱阻抗，位於前述薄膜電晶體下方以及前i 述下部遮光膜上方。 | 3. —種傳導式液晶面板5包括： i 一絕緣透明基板，其中光線經由前述透明基板從上向 j 下傳導； I 複數下部遮光膜，具有高熱阻抗與低光傳導性，二度I 空間地位於前述透明基板上方； || 複數薄膜電晶體，二度空間地位於前述下部遮光膜上 方； 複數資料電極，分別連接於前述薄膜電晶體； 複數閘極，分別連接於前述薄膜電晶體； 複數汲極，分別連接於前述薄膜電晶體；
    一上部金屬膜，具有高反射性，位於前述薄膜電晶體 上方，用以掩蓋前述資料電極； 一平坦化層，具有一平坦上表面，位於前述上部金屬 膜上方； 複數個別電極，分別二度空間地位於前述平坦化層上 方5且分別連接於前述薄膜電晶體的前述汲極； 封入液晶，位於前述個別電極上方5且以前述薄膜電 晶體經由前述個別電極驅動； 一共通電極，經由前述封入液晶相對於前述個別電
    2138-3461-PF.ptd 第29頁 479368 六、申請專利範圍 i 極； 一透明對向基板，兩以封入前述封入液晶，前述共通| j電極構成於前述透明基板之下表面； r I S | 至少一遮光膜，相較於前述上部金屬膜具有較低的光 I f傳導性與較低的反射性，位於前述薄膜電晶體上方以及前 丨 I ί 述上部金屬膜下方；以及 | 至少一光吸收膜，相較於前述下部遮光膜具有較低的I 反射性與較高的熱阻抗，位於前述薄膜電晶體下方以及前I ^ I I述下部遮光膜上方。 j I 4.如申請專利範圍第2項所述的傳導式液晶面板，其 # !中與前述下部遮光膜具有相同圖樣之前述光吸收膜係層疊| I i 於前述下部遮光膜的上表面。 5. 如申請專利範圍第3項所述的傳導式液晶面板，其 中與前述下部遮光膜具有相同圖樣之前述光吸收膜係層疊 I 於前述下部遮光膜的上表面。 i 6. 如申請專利範圍第1項所述的傳導式液晶面板5其 j 中與前述上部金屬膜具有相同圖樣之前述遮光膜係層疊於 1 前述上部金屬膜的下表面。 7. 如申請專利範圍第2項所述的傳導式液晶面板，其 L 中與前述上部金屬膜具有相同圖樣之前述遮光膜係層疊於 f I前述上部金屬膜的下表面。， | 8. 如申請專利範圍第3項所述的傳導式液晶面板，其 | 中與前述上部金屬膜具有相同圖樣之前述遮光膜係層疊於i ί 前述上部金屬膜的下表面。 i^
    2138-3461-PF.ptd 第30頁 9.如申請專利範圍第6 中前述遮光膜係可導電的。 ]得、式液阳面板，其 七光申^專利範圍第7項所述的傳導式液晶面板，其 中則述遮光膜係可導電的。 8項所述的傳導式液晶 11 ·如申請專利範圍第 中前逆遮光膜係可導電的 i 2 ·種景》像顯示器5包括： 一，源，用以發射光線。/ f 4如申請專利範圍第1項的傳導式液晶面板，層 燊於2 i Ϊ光源發射的前述光線被傳導的位置；以及 二’餐由前述傳導式液晶面板傳導後的前述光線 係鸹射於如述螢幕上。 一 13· —、種影像顯示器，包括： 二，源，周以發射光線； 二^、、如申請專利範圍第2項的傳導式液晶面板，層 參於從刚述光源發射的前述光線被傳導的位置；以及 ,與莫 _ ^ 由前述傳導式液晶面板僂導後的前述光線 係照射於前述螢幕上。 14·—一種影像顯示器，包括： 二，源，用以發射光線； ί i ^如申請專利範圍第3項的傳導式液晶面板，層 參於k别述光綠發射的前述光線被傳導的位置；以及 ,— 蔡-贫 一 5 '缓甴前述傳導式液晶面板僂導後的前述光線 係照射於前述骜幕上。 479368 六、申請專利範圍 ί 5 · —種製造如申請專利蔚圊 驟： 面板之前述遮光膜與前述光吸收的方^ \，傳導弍液晶 又腰的万法，包括下列步 於前述透明基板的上表 導性的一第一功能層； 翼成具另咼熱阻抗與低光傳 於前述第一功能層的上表面構 膜低的反射性之一第二功能層；有較則逑下部遮光 同時地圖樣化前述第二功能層鱼 成前述遮光膜與前述光吸收膜。 、弟一功能層以構 1 6· —種製造如申請專利範圍第3項 面板之前述遮光膜與前述光吸收膜的方、处的彳寸導式液晶 驟： 、 法，包括下列步 導性的一第一功能層； ^巧熱阻抗舆低光傳 於刖述第一功能層的上表面構成戽有 於前述透明基板的上表面構成具古古 Μ的一铉一砧此昆· ^ ^ 較前逑下部遮光 %迷第一功能. 以構 膜低的反射性之一第二功能層；以及 同時地圖樣化前述第二功能層與 成前述遮光膜與前述光吸收膜。 i7· —種製造如申請專利範圍第丨碩 面板之前述上部金屬膜與前述遮光膜士迷的傳導式液晶 驟： 〜 '方法，包括下列步 以一層間絕緣獏封入前述資料電柘·
    2138-3461-PF.ptd 於前述層間絕緣獏的上表面構成相私 膜具有較低的光傳導性與鲛低的反射忮二 '、則述上部金屬 '^一第三功能層； 第32頁 479368 u 六、申請專利範圍 於前述第三功能層的上表面構成具有高反射性之一第 四功能層；以及 同時地圖樣化前述第四功能層與前述第三功能層以構 成前述上部金屬膜與前述遮光膜。 1 8. —種製造如申請專利範圍第2項所述的傳導式液晶 面板之前述上部金屬膜與前述遮光膜的方法，包括下列步 以 於 膜具有 於 四功能 同 成前述 19 面板之 驟： 以 於 膜具有 於 四功能 同 成前述 一層間絕緣膜封入前述資料電 前述層間絕緣膜的上表面構成 較低的光傳導性與較低的反射性之一第 前述第三功能層的上表面構成具有高反 層；以及 時地圖樣化前述第四功能層與前述第三功能層以構 上部金屬膜與前述遮光膜。 > 一種製造如申請專利範圍第3 前述上部金屬膜與前述遮光膜 極； 相較於前 項所述的 的方法5 述上部金屬 三功能層； 射性之一第 傳導式液晶 包括下列步 一層間絕緣膜封入前述資料電 前述層間絕緣膜的上表面構成 較低的光傳導性與較低的反射性之一第 前述第三功能層的上表面構成具有高反 層；以及 時地圖樣化前述第四功能層與前述第三功能層以構 上部金屬膜與前述遮光膜。 極；y 相較於前述上部金屬 三功能層； 射性之一第
    2138-3461-PF.ptd 第33頁
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103838044A (zh) * 2014-02-26 2014-06-04 京东方科技集团股份有限公司 基板及其制造方法、显示装置
CN107765935B (zh) * 2016-08-19 2021-06-22 株式会社日本显示器 输入检测装置以及电子装置

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3743273B2 (ja) * 2000-09-27 2006-02-08 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の製造方法
JP2003075814A (ja) * 2001-08-31 2003-03-12 Seiko Epson Corp 液晶装置および投射型表示装置
JP3669351B2 (ja) * 2001-10-04 2005-07-06 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP5141536B2 (ja) * 2002-05-21 2013-02-13 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP4088190B2 (ja) 2002-05-21 2008-05-21 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP4069906B2 (ja) * 2003-08-04 2008-04-02 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
JP4529170B2 (ja) * 2004-02-03 2010-08-25 日本電気株式会社 薄膜トランジスタ、ｔｆｔ基板、及び、液晶表示装置
JP5151337B2 (ja) * 2007-09-14 2013-02-27 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
CN103534643B (zh) * 2011-05-30 2016-03-23 京瓷株式会社 液晶显示装置以及其制造方法
KR102089468B1 (ko) * 2012-09-04 2020-03-16 엘지디스플레이 주식회사 금속 산화물 반도체 층을 차광하는 광 흡수층을 구비한 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
JP5360695B2 (ja) * 2012-11-28 2013-12-04 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
US9599869B2 (en) 2013-01-23 2017-03-21 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus
KR102183378B1 (ko) * 2013-06-21 2020-11-26 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터와 유기 발광 디스플레이 장치 및 그들의 제조방법
KR102278876B1 (ko) 2014-01-10 2021-07-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN106842683A (zh) * 2017-03-03 2017-06-13 京东方科技集团股份有限公司 反射式显示面板及其制造方法、显示装置

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3307150B2 (ja) * 1995-03-20 2002-07-24 ソニー株式会社 アクティブマトリクス型表示装置
JPH0545643A (ja) * 1991-08-09 1993-02-26 Sharp Corp アクテイブマトリクス表示素子
JPH05249478A (ja) * 1991-12-25 1993-09-28 Toshiba Corp 液晶表示装置
JPH06194687A (ja) * 1992-10-30 1994-07-15 Nec Corp 透過型アクティブマトリクス型液晶素子
US5461501A (en) * 1992-10-08 1995-10-24 Hitachi, Ltd. Liquid crystal substrate having 3 metal layers with slits offset to block light from reaching the substrate
US5691782A (en) * 1994-07-08 1997-11-25 Sanyo Electric Co., Ltd. Liquid-crystal display with inter-line short-circuit preventive function and process for producing same
JP2809130B2 (ja) 1995-04-24 1998-10-08 日本電気株式会社 液晶表示装置
JP2739844B2 (ja) * 1995-05-19 1998-04-15 日本電気株式会社 薄膜トランジスタアレイ
JPH09105952A (ja) * 1995-10-11 1997-04-22 Toshiba Electron Eng Corp アクティブマトリクス型液晶表示装置
KR0179135B1 (ko) 1995-11-15 1999-05-01 구자홍 액정표시장치의 제조방법
KR0175409B1 (ko) * 1995-11-20 1999-02-18 김광호 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
US5894136A (en) * 1996-01-15 1999-04-13 Lg Electronics Inc. Liquid crystal display having a bottom gate TFT switch having a wider active semiconductor layer than a conductive layer on same
KR970062775A (ko) * 1996-02-03 1997-09-12 구자홍 액정표시소자의 블랙매트릭스 및 그 제조방법
JPH09318935A (ja) * 1996-05-24 1997-12-12 Sharp Corp 液晶表示装置
JP3708637B2 (ja) * 1996-07-15 2005-10-19 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JPH10206889A (ja) 1997-01-22 1998-08-07 Sharp Corp アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法
JPH10239704A (ja) * 1997-02-27 1998-09-11 Sharp Corp 反射型液晶表示装置およびその製造方法
KR19990003712A (ko) * 1997-06-26 1999-01-15 김영환 초고개구율 액정 표시 소자 및 그의 제조방법
JP4021014B2 (ja) * 1997-09-11 2007-12-12 セイコーエプソン株式会社 液晶表示パネル及び薄膜トランジスタアレイ基板
JPH1195687A (ja) * 1997-09-20 1999-04-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103838044A (zh) * 2014-02-26 2014-06-04 京东方科技集团股份有限公司 基板及其制造方法、显示装置
CN107765935B (zh) * 2016-08-19 2021-06-22 株式会社日本显示器 输入检测装置以及电子装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2001100250A (ja) 2001-04-13
KR20010030551A (ko) 2001-04-16
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US6630972B1 (en) 2003-10-07

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