KR100504293B1 - 전기광학 장치 및 전자기기 - Google Patents

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Abstract

전기광학 장치는 TFT 어레이 기판 상에 화상 표시 영역에 배치된 표시용 전극과, 이것에 화소 스위칭용 소자를 거쳐서 또는 직접 접속되는 동시에 화상 표시 영역의 주위를 규정하는 프레임 영역 내에 마련된 배선 및 회로 소자 중 적어도 한쪽으로 이루어지는 패턴부를 구비한다. 또한, 프레임 영역의 일부에서, 이러한 패턴부를 적어도 부분적으로 TFT 어레이 기판측으로부터 피복하는 하측 차광막을 구비한다.
이것에 의해, 액정 장치 등의 전기광학 장치에 있어서, 프레임 영역에 마련된 배선이나 회로 소자로 이루어지는 패턴부에 기인한 명암 패턴이 표시 화상의 둘레 부근에 비추어지는 것을 방지한다.

Description

전기광학 장치 및 전자기기{ELECTRO-OPTIC DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS}
본 발명은 액정 장치 등의 전기광학 장치의 기술분야에 속하며, 특히 화상 표시 영역을 규정하는 프레임 차광막을 갖춘 전기광학 장치 및 그와 같은 전기광학 장치를 갖춘 전자기기의 기술분야에 속한다.
이러한 종류의 전기광학 장치는 화소 전극이나 스트라이프 형상 전극 등의 표시용 전극, 데이터선이나 주사선 등의 각종 배선, 화소 스위칭용의 박막 트랜지스터(이하 적절히, TFT라 칭함)나 박막 다이오드(이하 적절히, TFD라 칭함) 등의 스위칭 소자 등이 형성된 소자 어레이 기판과, 스트라이프 형상이나 전면적으로 형성된 대향 전극, 차광막 등이 형성된 대향 기판이 대향 배치되어 있다. 이들 한 쌍의 기판 사이에서 액정 등의 전기광학 물질이 밀봉재에 의해 포위되어 있고, 이와 같이 밀봉재가 존재하는 밀봉 영역보다도 중앙 근처(즉, 액정 등에 면하는 기판상의 영역)에, 표시용 전극이 배치된 화상 표시 영역이 위치하고 있다. 여기서 특히, 평면적으로 봐서(즉, 화상 표시 영역에 대하여 대향하는 방향에서 봐서) 밀봉 영역의 내측 윤곽에 따라 프레임 형태로 화상 표시 영역의 프레임 영역이, 예컨대 전술한 바와 같이 대향 기판에 마련된 차광막과 동일막에 의해 규정되어 있다.
또한, 프레임 영역 및 그 주변에 위치하는 주변 영역에서의 소자 어레이 기판 상에 주사선 구동 회로, 데이터선 구동 회로, 샘플링 회로, 검사 회로 등의 주변 회로가 만들어져 있는, 소위 주변 회로 내장형의 전기광학 장치도 일반화되고 있다.
따라서, 프레임 영역 내에는 화상 표시 영역에서 주변 영역으로 인출되는 배선이 존재한다. 또한 이러한 배선에 접속된 샘플링 회로 등의 주변 회로의 일부를 프레임 영역 내에 만들어 넣은 경우에는, 프레임 영역 내에는 해당 주변 회로의 일부를 구성하는 회로 소자가 존재한다. 즉, 프레임 영역 내에는 배선이나 회로 소자로 이루어지는 패턴부가 존재한다.
이와 같이 구성된 전기광학 장치는 화상 표시 영역에 대응하는 표시창이 마련된 차광성의 실장 케이스 내에 프레임 영역의 중심선 부근에 표시창의 둘레가 위치하도록 수용된다.
그러나, 상술한 전기광학 장치에 의하면, 소자 어레이 기판 상에 있어서의 프레임 영역에 존재하는 배선이나 회로 소자로 이루어지는 패턴부는 Al 막 등의 도전막이 패터닝되어 이루어진다. 이 때문에, 특히 프로젝터 용도 등과 같이 입사광이 강하고 또한 경사 성분을 대량으로 포함하는 경우에는, 입사광이 패턴부의 반사율에 따라 그 표면에서 반사되며, 또한 입사광이 패턴부의 극간을 통과한다. 그리고, 이와 같이 패턴부에서 반사된 광이 대향 기판상의 Cr(Chrome) 등으로 이루어지는 프레임 차광막에 의해 반사되거나 한다. 또한, (i) 이와 같이 프레임 차광막에서 반사된 내면 반사광이나 패턴부를 투과한 광이 소자 어레이 기판의 이면에서 반사되어 이루어지는 반사광, (ⅱ) 마찬가지로 이와 같이 프레임 차광막에서 반사된 내면 반사광이나 패턴부를 투과한 광이 전기광학 장치의 출사측에 설치된 편광판, 위상차판, 방진 유리 등의 광학요소에서 반사되어 이루어지는 반사광, (ⅲ) 복수의 전기광학 장치를 광 밸브로서 조합하여 복판식(複板式) 프로젝터로 한 경우에 있어서의 다른 전기광학 장치로부터 출사되어 합성 광학계를 관통하여 오는 복귀 광이 패턴부나 프레임 차광막 등에서 반사되는 것에 의해 발생하는 내면 반사광 등이, 최종적으로 출사광에 혼합되어 해당 전기광학 장치로부터 출사된다.
이들의 결과, 패턴부에서의 반사나 투과에 따른 명암 패턴(예컨대, 배선이 복수 배열되어 있는 경우에는, 줄무늬 모양 등의 명암 패턴)이 표시 화상의 둘레 부근에 비추어져 버린다고 하는 문제점이 있다. 또한, 배선이나 회로 소자로 이루어지는 패턴부의 표면은 그 하지면(下地面)의 요철에 따라, 또한 그 패턴 형상 자체에 따라서 요철이 존재하기 때문에, 이와 같은 요철 표면에서 반사되는 내면 반사광은 광의 간섭 작용에 의해서도 명암 패턴을 가지기 때문에, 최종적으로 출사광에 혼합되는 명암 패턴은 패턴부의 구조에 따라서는 더 한층 현저하여진다.
반대로, 이러한 배선의 내면 반사에 의해 비추어지는 명암 패턴을 숨기기 위해서는 숨겨야 할 패턴부가 차지하는 기판 상의 영역보다도 상당히 넓게 프레임 영역을 규정하도록 넓은 폭의 프레임 차광막을 형성할 필요가 있다. 이 결과, 한정된 기판 상의 영역에서 되도록이면 넓은 화상 표시 영역을 확보한다고 하는 해당 전기광학 장치에 있어서의 기본적 요청에 응하기 어려워진다. 더구나, 복귀 광이나 내면 반사광이 프레임 차광막의 소자 어레이 기판을 향한 측의 면에서 반사하여 최종적으로 명암 패턴을 갖는 광으로서 출사광에 혼합되는 것을 감안하면, 이와 같이 프레임 차광막을 단순히 크게 하는 것으로 명암 패턴을 완전히 숨기는 것은 이론상으로도 곤란하다.
본 발명은 상술한 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 프레임 영역에 마련된 배선이나 회로 소자로 이루어지는 패턴부에 기인한 명암 패턴이 표시 화상의 외측에 비추어지는 것을 방지할 수 있는 전기광학 장치 및 그와 같은 전기광학 장치를 구비하여 이루어지는 각종 전자기기를 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명의 제 1 전기광학 장치는 상기 과제를 해결하기 위해서, 기판 상의 화상 표시 영역에 배치된 표시용 전극과, 해당 표시용 전극에 화소 스위칭용 소자를 거쳐서 또는 직접 접속되는 동시에 상기 화상 표시 영역의 주위를 규정하는 프레임 영역 내에 마련된 배선 및 회로 소자 중 적어도 한쪽으로 이루어지는 패턴부와, 상기 프레임 영역의 일부에서, 상기 패턴부를 적어도 부분적으로 상기 기판측으로부터 피복하는 하측 차광막을 구비한다.
본 발명의 제 1 전기광학 장치에 의하면, 예컨대 데이터선, 주사선 등의 배선이 화상 표시 영역으로부터 인출되어 프레임 영역 내에 배치된다. 혹은, 이것 대신에 또는 이것에 더하여, 인출된 배선에 접속된 주변 회로의 적어도 일부를 구성하는 트랜지스터 혹은 TFT, TFD 등의 회로 소자가 프레임 영역 내에 배치된다. 그리고 이와 같이 프레임 영역 내에 마련된 배선이나 회로 소자를 거쳐서 화상 신호 등을, 화소 전극 등의 표시용 전극에 TFT 등의 화소 스위칭용 소자를 거쳐서 혹은 직접 공급하는 것에 의해, 액티브 매트릭스 구동이나 수동 매트릭스 구동 등이 가능해진다.
이 때, 특히 프로젝터 용도 등과 같이 입사광이 강하고 또한 경사 성분을 대량으로 포함하는 경우에, 예컨대 Al 막 등의 도전막이 패터닝되어 이루어지는 패턴부의 반사율에 따라서, 그 표면에서 입사광이 반사되거나, 입사광이 패턴부의 극간을 통과한다. 그런데 본 발명에서는, 프레임 영역의 일부에서 하측 차광막에 의해, 배선이나 회로 소자로 이루어지는 패턴부는 적어도 부분적으로 기판측으로부터 피복되어 있다. 따라서, 이와 같이 패턴부에서 반사하거나 패턴부의 극간을 투과한 입사광 중 내면 반사를 거친 후 혹은 직접으로 표시용의 출사광에 최종적으로 혼합되는 광량은 해당 하측 차광막에서 흡수 또는 반사되는 분만큼 감소한다. 보다 구체적으로는, 패턴부에서 반사한 광이 대향 기판상의 프레임 차광막에 의해 반사되는 것에 의해 프레임 영역 부근에서 기판측으로 향해서 진행하더라도, 하측 차광막에서 흡수 또는 반사되는 분만큼 표시용의 출사광에 혼합되는 광량이 감소한다. 프레임 차광막에서 반사된 내면 반사광이나 패턴부를 투과한 광이 소자 어레이 기판의 이면이나 편광판, 위상차판, 방진 유리 등의 광학요소에서 반사되어 이루어지는 반사광에 관해서도, 하측 차광막에서 흡수 또는 반사되는 분만큼 표시용의 출사광에 혼합되는 광량이 감소한다. 또한, 복판식 프로젝터의 경우에 있어서의 복귀 광이 패턴부나 프레임 차광막 등에서 또한 반사되어 이루어지는 내면 반사광에 관해서도, 하측 차광막에서 흡수 또는 반사되는 분만큼, 이것이 최종적으로 표시용의 출사광에 혼합되는 양이 감소한다.
특히, 배선이나 회로 소자로 이루어지는 패턴부의 표면은, 그 하지면의 요철에 따라 혹은 그 패턴 형상 자체에 따라 요철이 존재하기 때문에, 이와 같은 요철 표면에서 반사되는 내면 반사광은 광의 간섭 작용에 의해서도 명암 패턴을 갖지만, 하측 차광막에 의한 흡수 또는 반사에 의해서 이러한 명암 패턴을 저감할 수 있다.
이상과 같이 본 발명의 전기광학 장치에 의하면, 프레임 영역에 마련된 배선이나 회로 소자로 이루어지는 패턴부에 기인하여, 표시 화상의 외측에 비추어지는 명암 패턴을 저감할 수 있다. 따라서, 표시 화상의 둘레 부근에 비추어지는 명암 패턴을 숨기기 위해서 프레임 차광막을 폭이 넓게 할 필요도 없어져, 한정된 기판 상의 영역에서 넓은 화상 표시 영역을 확보하는 것도 가능해진다.
이와 같이 본 발명의 전기광학 장치에 의하면, 하측 차광막은 프레임 영역 전체가 아니라 패턴부에 대향하는 일부에 마련되기 때문에, 프레임 영역 전체에 형성하는 경우와 비교하여 응력의 발생을 저감할 수 있다.
본 발명의 제 1 전기광학 장치의 일례에서는, 상기 프레임 영역에서, 상기 패턴부의 상측에 배치된 프레임 차광막을 더 구비한다.
이 예에 의하면, 예컨대 기판 상에 형성된 내장 차광막이나, 액정 등의 전기광학 물질을 사이에 두고 기판에 대향 배치된 대향 기판 상에 형성된 차광막으로 이루어져, 패턴부의 상측에 배치된 프레임 차광막에 의해서, 프레임 영역을 규정할 수 있다. 특히, 이러한 프레임 차광막의 내면에서 반사되는 내면 반사광이 패턴부에 따라 발생하는 표시 화상의 외측에 비추어지는 명암 패턴을, 패턴부의 하측에 배치된 하측 차광막에 의해 저감할 수 있다.
본 발명의 제 1 전기광학 장치의 다른 예에서는, 상기 하측 차광막은 상기 기판의 평탄한 표면 상에 바로 또는 평탄한 하지 절연막을 거쳐서 형성되어 있다.
이 예에 의하면, 하측 차광막은 기판의 평탄한 표면 상에 바로 또는 평탄한 하지 절연막을 거쳐서 형성되어 있기 때문에, 하측 차광막의 표면에는 거의 요철이 형성되어 있지 않다. 이 때문에, 기판의 이면측으로부터의 복귀 광이나 내면 반사광의 일부가 가령 하측 차광막에서 반사된 후에 최종적으로 표시용의 출사광에 혼합되었다고 해도, 해당 평탄한 하측 차광막에서 반사된 광은 간섭을 거의 수반하지 않기 때문에, 간섭 작용에 기인한 명암 패턴을 저감할 수 있게 된다.
본 발명의 제 1 전기광학 장치의 다른 예에서는, 상기 회로 소자는 제 1 트랜지스터를 포함하며, 상기 표시용 전극은 화소 전극으로 이루어지고, 해당 전기광학 장치는 상기 화소 스위칭용 소자로서 상기 화소 전극에 접속된 제 2 트랜지스터를 더 구비하고 있고, 상기 배선은 상기 제 2 트랜지스터에 접속되어 있다.
이 예에 의하면, 예컨대 샘플링 회로, 주사선 구동 회로, 데이터선 구동 회로, 검사 회로, 프리차지 회로 등과 같이, 제 1 트랜지스터를 포함하여 이루어지는 동시에 프레임 영역 내에 배치된 주변 회로의 적어도 일부를 거쳐서 제 2 트랜지스터에 화상 신호를 공급한다. 그리고, 제 2 트랜지스터에 의해 화소 전극을 스위칭 제어하는 것에 의해 액티브 매트릭스 구동이 가능해진다.
본 발명의 제 1 전기광학 장치의 다른 예에서는, 상기 제 2 트랜지스터의 적어도 채널 영역의 하측에 상기 하측 차광막과 동일막이 마련되어 있다.
이 예에 의하면, 화소 전극에 접속된 화소 스위칭 소자로서의 제 2 트랜지스터의 채널 영역은 하측 차광막에 의해 하측으로부터 피복되어 있기 때문에, 복귀 광이 해당 채널 영역에 입사하는 것에 의해 광 리크 전류가 발생하여 제 2 트랜지스터의 특성이 변화해 버리는 사태를 효과적으로 방지할 수 있다. 또한, 제 2 트랜지스터의 채널 영역에 상측으로부터 입사되는 입사광에 관해서는, 기판 상에 별도로 만들어 넣은 내장 차광막, Al 막 등의 차광막으로 이루어지는 배선, 대향 기판에 마련된 차광막 등에 의해 차광하면 특히 문제는 발생하지 않는다. 그리고 특히, 이와 같이 화소부에서의 제 2 트랜지스터를 차광하기 위한 하측 차광막과, 프레임 영역에서의 명암 패턴의 발생 방지용의 하측 차광막은 동일막으로 이루어지며, 동일 제조 공정에 의해 동시에 형성할 수 있기 때문에, 기판 상에 있어서의 적층 구조 및 제조 프로세스의 간략화를 도모할 수 있다.
본 발명의 제 1 전기광학 장치의 다른 예에서는 상기 하측 차광막은 광 흡수막으로 이루어진다.
이 예에 의하면, 복귀 광이 하측 차광막의 기판측의 표면에 입사하면, 광 흡수 작용에 의해 그 반사광은 감쇠한다. 따라서, 이 반사광이 최종적으로 표시용의 출사광에 혼합되었다고 해도, 해당 반사광에 근거하여 명암 패턴을 감쇠하는 것이 가능해진다.
이 예에서는, 상기 광흡수막은 폴리실리콘막 및 고융점 금속막 중 적어도 한쪽을 포함해도 된다.
이와 같이 구성하면, 비교적 간단하게 광 흡수 작용에 우수한 광흡수막을 패턴부의 하측에 만들어 넣는 것이 가능해진다.
본 발명의 제 1 전기광학 장치의 다른 예에서는, 상기 하측 차광막은 섬 형상으로 형성되어 있다.
이 예에 의하면, 섬 형상으로 분단하여 형성하는 것으로, 특히 프레임 영역의 전역에 하측 차광막을 형성하는 경우와 비교하여 해당 하측 차광막의 존재에 의한 응력의 발생을 완화하는 것이 가능해져, 제조 수율이나 장치 신뢰성의 향상을 도모할 수 있다.
본 발명의 제 1 전기광학 장치의 다른 예에서는, 상기 하측 차광막은 도전막으로 이루어진다.
이 예에 의하면, 하측 차광막은 도전막으로 이루어지기 때문에, 차광막으로서 뿐만 아니라 배선 등으로서도 이용 가능해진다.
이 하측 차광막이 도전막으로 이루어지는 예에서는, 상기 하측 차광막은 적어도 부분적으로 고정 전위가 공급되고 있도록 구성해도 된다.
이와 같이 구성하면, 프레임 영역 내에서 배선이나 회로 소자에 대하여 하측 차광막의 전위 변동이 악영향을 미치게 하는 사태를 미연에 방지할 수 있다.
혹은 이 하측 차광막이 도전막으로 이루어지는 예에서는, 상기 하측 차광막 중 적어도 상기 제 1 트랜지스터의 하측에 적층된 부분은 플로팅 전위로 이루어져도 된다.
이와 같이 구성하면, 제 1 트랜지스터의 하측에 적층된 하측 차광막 부분은 플로팅 전위로 되어 있기 때문에, 해당 하측 차광막의 전위 변동이 제 1 트랜지스터의 특성에 악영향을 미치게 하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
이 경우에는 또한, 상기 하측 차광막 중 적어도 상기 제 1 트랜지스터의 하측에 적층된 부분은 상기 하측 차광막 중 상기 제 1 트랜지스터의 소스 전극에 대향하는 부분과 상기 하측 차광막 중 상기 제 1 트랜지스터의 드레인 전극에 대향하는 부분을 상호 분리하도록 섬 형상으로 마련된 부분을 포함하도록 구성하여도 된다.
이와 같이 구성하면, 하측 차광막의 섬 형상 부분에 의해 하측 차광막 중 소스 전극에 대향하는 부분과 드레인 전극에 대향하는 부분이 상호 분리되기 때문에, 하측 차광막 및 소스 전극 사이에서의 기생 용량 및 하측 차광막 및 드레인 전극 사이에서의 기생 용량에 의한, 소스 전극 및 드레인 전극 사이의 용량 결합을 저감할 수 있다. 따라서, 해당 제 1 트랜지스터에서는 높은 트랜지스터 특성이 얻어진다.
상술한 하측 차광막이 도전막으로 이루어지는 예에서는, 상기 하측 차광막 중 적어도 상기 제 1 트랜지스터의 하측에 적층된 부분에는, 상기 하측 차광막 중 상기 제 1 트랜지스터의 소스 전극에 대향하는 부분과 상기 하측 차광막 중 상기 제 1 트랜지스터의 드레인 전극에 대향하는 부분을 분리하도록 슬릿이 마련되어 있도록 구성하여도 된다.
이와 같이 구성하면, 하측 차광막 중 소스 전극에 대향하는 부분과, 하측 차광막 중 드레인 전극에 대향하는 부분이 슬릿에 의해 상호 분리되기 때문에, 하측 차광막 및 소스 전극 사이에서의 기생 용량 및 하측 차광막 및 드레인 전극 사이에서의 기생 용량에 의한 소스 전극 및 드레인 전극 사이의 용량 결합을 저감할 수 있다. 따라서, 해당 제 1 트랜지스터에서는 높은 트랜지스터 특성이 얻어진다.
상술한 하측 차광막이 도전막으로 이루어지는 예에서는, 상기 하측 차광막은 상기 제 1 트랜지스터의 채널 영역 하측에 적층되어 있지 않도록 구성하여도 된다.
이와 같이 구성하면, 하측 차광막은 제 1 트랜지스터의 채널 영역 하측에는 배치되어 있지 않기 때문에, 해당 하측 차광막의 전위 변동이 제 1 트랜지스터의 특성에 악영향을 미치게 하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
상술한 하측 차광막이 도전막으로 이루어지는 예에서는, 상기 하측 차광막 중 적어도 상기 제 1 트랜지스터의 채널 영역 하측에 적층된 부분은 상기 제 1 트랜지스터의 게이트 전위로 되어 있도록 구성해도 된다.
이와 같이 구성하면, 제 1 트랜지스터의 채널 영역 하측에 적층된 하측 차광막 부분은 제 1 트랜지스터의 게이트 전위로 되기 때문에, 제 1 트랜지스터의 게이트 전극을 상측에 배치하는 것에 의해 해당 하측 차광막 부분에 의해 백 채널을 형성할 수 있다. 이 때문에, 제 1 트랜지스터의 특성 향상을 도모할 수 있다.
본 발명의 제 1 전기광학 장치의 다른 예에서는, 상기 하측 차광막은 상기 프레임 영역에 조사되는 입사광의 입사 각도에 따라 미리 설정되는 소정 폭만큼 상기 화상 표시 영역의 외주로부터 주변측에 이르는 영역 내에 형성되어 있다.
이 예에 의하면, 예컨대 확대 투영하는 프로젝터 용도로서는 프레임 영역에 조사되는 입사광 부분의 입사 각도는 커지지만, 이러한 입사 각도에 따라 미리 설정되는 소정폭의 하측 차광막을 화상 표시 영역의 외주로부터 주변측에 이르는 영역 내에 형성하도록 한다. 즉, 프레임 영역 내에서, 입사 각도에 따라 명암 패턴을 방지하는 데 필요한 영역에만 하측 차광막을 형성하는 것도 가능해지기 때문에 유리하다.
그런데, 상술한 바와 같은 패턴부를 피복하는 하측 차광막만으로는 본 발명이 목적으로 하는 표시 화상 외측에 본래 표시되어서는 안 되는 어떤 상을 비추지 않는다고 하는 효과가 충분하게는 얻어지지 않는 경우가 있다. 즉, 패턴부의 형성 영역 이외의 영역, 환언하면, 배선 및 회로 소자 등이 전혀 형성되어 있지 않은 영역에서는 광을 차단하는 것이 전혀 없기 때문에, 입사광이 그대로 통과한다고 하는 사상이 생길 수 있다. 그리고, 이「그대로 통과」한 광이 표시 화상의 외측에 이르는 것에 의해, 해당 화상의 주위에 흐릿한 광의 상이 비추어져, 화상의 돋보임을 손상할 우려가 있었던 것이다.
그래서, 본 발명의 제 2 전기광학 장치는, 상기 과제를 해결하기 위해서, 기판 상의 화상 표시 영역에 배치된 표시용 전극과, 해당 표시용 전극에 화소 스위칭용 소자를 거쳐서 또는 직접 접속됨과 동시에 상기 화상 표시 영역의 주위를 규정하는 프레임 영역 내에 마련된 배선 및 회로 소자 중 적어도 한쪽으로 이루어지는 패턴부와, 상기 프레임 영역의 일부에서, 상기 패턴부를 적어도 부분적으로 상기 기판측으로부터 피복하는 하측 차광막과, 상기 프레임 영역 내에서의 상기 패턴부의 형성 영역 이외의 영역에 형성되어 상기 하측 차광막과 동일막으로서 형성된 제 2 하측 차광막을 구비하고 있다.
본 발명의 제 2 전기광학 장치에 의하면, 예컨대 데이터선, 주사선 등의 배선이 화상 표시 영역으로부터 인출되고 프레임 영역 내에 배치된다. 혹은 이것 대신에 또는 이것에 더하여, 인출된 배선에 접속된 주변 회로의 적어도 일부를 구성하는 트랜지스터 혹은 TFT, TFD 등의 회로 소자가 프레임 영역 내에 배치된다. 그리고 이와 같이 프레임 영역 내에 마련된 배선이나 회로 소자를 거쳐서 화상 신호 등을, 화소 전극 등의 표시용 전극에 TFT 등의 화소 스위칭용 소자를 거쳐서 혹은 직접 공급하는 것에 의해 액티브 매트릭스 구동이나 수동 매트릭스 구동 등이 가능해진다.
이 때, 특히 프로젝터 용도 등과 같이 입사광이 강하고 또한 경사 성분을 대량으로 포함하는 경우에는, 전술한 바와 같이, 패턴부에서의 광의 반사나 패턴부의 극간을 통과하는 광이 발생하며, 이것이 화상 상에 반영되는 것에 의해 그 돋보임을 손상하게 할 수 있는 것 외에, 프레임 영역 내에서의 패턴부의 형성 영역 이외의 영역, 즉 배선 및 회로 소자 등이 전혀 형성되어 있지 않은 영역에서는, 광을 차단하는 것이 아무것도 없는 것에 의해 입사광이 그대로 통과한다고 하는 사상이 생길 수 있다.
그런데, 본 발명에서는 우선, 전자의 패턴부에서의 광의 반사, 혹은 광의 통과를 통하여 이들이 화상을 구성하는 광에 혼입할 염려는 하측 차광막에 있어서의 광 흡수 또는 광 반사에 의해 저감될 수 있다. 이것은, 전술한 제 1 전기광학 장치에 관해서 상술한 것과 같다. 그리고, 본 발명에서는 특히, 패턴부의 형성 영역 이외의 영역에, 제 2 하측 차광막이 형성되어 있는 것에 의해 상기한「그대로 통과」하고자 하는 광을 가리는 것, 즉, 그와 같은 광을 제 2 하측 차광막에 의해 흡수 또는 반사하는 것이 가능해지는 것이다. 따라서, 본 발명에 의하면, 화상 주위에 흐릿한 광의 상이 나타난다고 한 사태를 미연에 회피하는 것이 가능해져, 돋보임이 좋고 또한 품질이 높은 화상을 표시하는 것이 가능해진다.
또한, 하측 차광막 및 제 2 하측 차광막은 동일막으로서 형성되어 있기 때문에, 그 만큼 제조 공정의 간략화, 혹은 제조 비용의 저렴화 등을 도모할 수 있다.
본 발명의 제 3 전기광학 장치는 상기 과제를 해결하기 위해서, 기판 상의 화상 표시 영역에 배치된 표시용 전극과, 해당 표시용 전극에 화소 스위칭용 소자를 거쳐서 접속되는 동시에 상기 화상 표시 영역의 주위를 규정하는 프레임 영역 내에 마련된 배선 및 회로 소자 중 적어도 한쪽으로 이루어지는 패턴부와, 상기 프레임 영역의 일부에서, 상기 패턴부를 적어도 부분적으로 상기 기판측으로부터 피복하는 하측 차광막과, 상기 화소 스위칭용 소자로서의 제 2 트랜지스터의 적어도 채널 영역을 상기 기판측으로부터 피복하여 상기 하측 차광막과 동일막으로서 형성된 영내 차광막과, 상기 프레임 영역을 포함하여 상기 화상 표시 영역의 주변에 위치하는 주변 영역의 적어도 일부에 상기 하측 차광막 및 상기 영내 차광막과 동일막으로서 형성된 영외 차광막을 구비하고 있다.
본 발명의 제 3 전기광학 장치에 의하면, 예컨대 데이터선, 주사선 등의 배선이 화상 표시 영역으로부터 인출되고 프레임 영역 내에 배치된다. 혹은, 이것 대신에 또는 이것에 더하여, 인출된 배선에 접속된 주변 회로의 적어도 일부를 구성하는 트랜지스터 혹은 TFT, TFD 등의 회로 소자가 프레임 영역 내에 배치된다. 그리고 이와 같이 프레임 영역 내에 마련된 배선이나 회로 소자를 거쳐서 화상 신호 등을 화소 전극 등의 표시용 전극에 TFT 등의 화소 스위칭용 소자를 거쳐서 공급하는 것에 의해 액티브 매트릭스 구동이나 수동 매트릭스 구동 등이 가능해진다.
그리고, 본 발명에서는 특히, 기판 상에 그 전부가 동일막으로서 형성된 3 종류의 차광막, 즉 하측 차광막, 영내 차광막 및 영외 차광막이 형성되어 있게 된다. 이 중 하측 차광막은, 상술한 제 1 전기광학 장치 및 그 각종 예에 관해서 이미 말했듯이, 패턴부에서의 반사를 경험한 광, 혹은 패턴부를 통과하는 광 등이 화상에 혼입되는 것을 회피한다. 이것에 의해, 표시 화상의 둘레 근방에 비춰지는 명암 패턴을 저감할 수 있다.
한편, 영내 차광막에 의하면, 화상 표시 영역 내에 형성된 화소 스위칭용 소자로서의 제 2 트랜지스터의 내광성을 높인다. 즉, 영내 차광막은 제 2 트랜지스터의 적어도 채널 영역을 기판측으로부터 피복하도록 형성되어 있기 때문에, 해당 채널 영역에 대한 광 입사를 방지하며, 거기에서의 광 리크 전류의 발생을 억제한다. 이것에 의해, 제 2 트랜지스터의 특성변화, 혹은 동작 부정 등을 원인으로 하는 화상 상의 깜박임의 발생 등을 미연에 회피할 수 있다. 이것에 의해, 표시 화상을 보다 고품질화할 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서는, 화상 표시 영역의 주변에 위치하는 주변 영역에, 영외 차광막이 형성되어 있다. 이 영외 차광막은 상기한 하측 차광막을 포함할 수 있는 개념으로, 상이한 것은, 당해 영외 차광막의 형성 영역이 프레임 영역 내에 한정되지 않는다는 것에 있다. 이 영외 차광막이 존재하는 것에 의해, 화상 표시 영역의 주변 일반(즉, 주변 영역)을 통과하고자 하는 광의 진행을 가로막는 것이 가능해진다. 이것에 의해, 본 발명에 의하면, 주로 화상 주위에 흐릿한 광의 상을 생기게 한다고 하는 사상의 발생을 미연에 방지하는 것이 보다 효과적으로 가능해지고, 돋보임이 좋고 또한 품질이 높은 화상을 표시하는 것이 가능해진다.
또한, 본 발명에 의하면, 하측 차광막, 영내 차광막 및 영외 차광막의 전부가 동일막으로서, 즉 제조 공정 단계에서 동시에 형성되어 있는 것에 의해, 이들 차광막을 각각 형성하는 경우 등에 비교하여 제조 공정의 간략화, 혹은 제조 비용의 저렴화 등을 실현할 수 있다.
본 발명의 제 3 전기광학 장치의 일례에서는, 상기 영외 차광막은 상기 프레임 영역 내에서의 상기 패턴부의 형성 영역 이외의 영역에 상기 하측 차광막과 동일막으로서 형성된 제 2 하측 차광막을 포함한다.
이 예에 의하면, 프레임 영역 내에서 패턴부의 형성 영역 이외의 영역에 형성된 제 2 하측 차광막에 의해, 전술한 하측 차광막 만으로는 방지할 수 없는 광의 통과를 방지하는 것이 가능해진다. 즉, 배선 및 회로 소자로 이루어지는 패턴부가 형성되어 있지 않은 영역에 있어서의 입사광의 무조건적인 통과를 방지하는 것이 가능해진다. 따라서, 본 발명에 의하면 화상 주위에 흐릿한 광의 상이 나타난다고 한 사태의 미연 회피를 또한 효과적으로 실현하는 것이 가능해져, 돋보임이 좋고 또한 품질이 높은 화상을 표시하는 것이 가능해진다.
본 발명의 제 3 전기광학 장치의 다른 예에서는, 상기 주변 영역에는 상기 패턴부와 접속됨과 동시에 상기 표시용 전극을 구동하기 위한 주변 회로가 더 구비되어 이루어지며, 상기 영외 차광막은 상기 주변 회로를 구성하는 각 배선 사이 및 각 회로 소자 사이 및 배선 및 회로 소자 사이 중 적어도 1조를 접속하는 제 2 패턴부의 형성 영역 이외의 영역에 형성되어 있다.
이 예에 의하면, 주변 회로를 구성하는 각 배선 사이 및 각 회로 소자 사이 및 배선 및 회로 소자 사이 중 적어도 1조를 접속하는 제 2 패턴부의 형성 영역 이외의 영역에 상기 영외 차광막이 형성되어 있다. 요컨대, 본 예에 있어서의 영외 차광막은 주변 영역에서, 본래대로라면 어떠한 요소도 형성되어 있지 않은 부분을「메운다」거나 하도록 형성되어 있는 부분을 포함한다는 것이 된다. 이 같은 영외 차광막의 존재에 의해, 「그대로」의 광 통과가 발생할 염려는 또한 저감되게 된다.
또한, 본 예에서는 주변 회로를 구성하는 각 배선 및 각 회로 소자가 형성되어 있는 부분에서는, 해당 각 배선 및 해당 각 회로 소자에 의해, 원래 「그대로」의 광이 통과한다고 하는 사태는 발생할 수 없기 때문에(즉, 광은, 이들 배선 및 회로 소자에 의해서 그 진행이 어느 정도 차단되기 때문에), 본 예에 따른 영외 차광막은 적절하고 필요한 개소에 형성되어 있다고 할 수 있다. 이것에 의해, 영외 차광막의 면적의 상대적 협소화를 실현할 수 있으며, 해당 차광막의 내부 응력의 작용을 저감할 수 있다.
또, 본 예에 있어서는, 「제 2 패턴부의 형성 영역 이외의 영역」에 영외 차광막이 형성되어 있는 경우에 대하여 특히 언급하고 있지만, 경우에 따라서는 그와 같은 영역을 포함하여 「제 2 패턴부의 형성 영역」에 있어서도 영외 차광막을 형성하는 형태로 하여도 된다. 이러한 형태에 의하면, 영외 차광막은 말하자면 전면적으로 형성되는 것 같은 형태가 되어, 내부 응력의 문제가 보다 현재화(顯在化)하기 쉽다고 하는 결점이 있지만, 상기 제 2 패턴부에서도 상기 패턴부에 관해서 전술했던 바와 같은 광의 반사 혹은 통과 등은 발생할 수 있기 때문에, 상응하는 의의가 있다고 할 수 있다. 즉, 제 2 패턴부에서 반사 혹은 투과한 광이 화상을 구성하는 광에 혼합되는 것을 미연에 회피한다고 하는 의미에 있어서, 해당 제 2 패턴부의 형성 영역에 영외 차광막을 형성하는 것은 또한 의의가 있다고 할 수 있다. 그리고, 이러한 경우를 보다 단적으로 말하면, 「영외 차광막은 주변 영역의 전역을 덮도록 형성되어 있다」라고 하는 표현이 타당하다.
본 발명의 제 2 또는 제 3 전기광학 장치의 다른 예에서는, 상기 영외 차광막은 섬 형상으로 형성되어 있다.
이 예에 의하면, 상기 영외 차광막이 섬 형상으로 형성되어 있는 것에 의해, 전면 베타 형상으로 형성된 차광막과의 대비로부터 분명하듯이 그 내부 응력을 저감할 수 있다. 이것에 의해, 영외 차광막이 자신의 내부 응력으로 파괴된다는 등의 사태나, 해당 영외 차광막 주위에 존재하는 다른 구성 요소(예컨대, 층간 절연막) 등에 해당 응력이 작용하는 것에 의해, 크랙을 생기게 하는 등의 사태를 미연에 회피할 수 있다.
이 예에서는 특히, 서로 인접하는 섬 사이의 거리는, 4㎛ 이하이다.
이러한 구성에 의하면, 섬 형상으로 형성된 영외 차광막 사이의 거리가 바람직하게 설정되는 것을 의미한다. 이하 순서대로 이 사정을 설명한다. 우선, 영외 차광막이 섬 형상으로 형성되어 있는 경우에 있어서는, 그 섬 사이의 극간을 광이 통과할 가능성을 생기게 하게 된다. 예컨대, 기판 뒷편에서 입사한 복귀 광이 해당 극간을 통과하는 경우를 고려한다. 그리고, 이 경우에 있어서는, 그 통과 후의 광이 배후에 있는 프레임 차광막 등에 의해서 반사되어 다시 해당 극간을 통과하는 것으로, 화상을 구성하는 광에 혼합될 우려가 발생하게 된다. 그런데, 본 예에 있어서는 섬 사이의 거리가 4㎛ 이하로 되어 있는 것에 의해, 지금 언급한 바와 같은 사상(事象)은 거의 발생할 수 없다. 즉, 해당 극간을 통과한 광이 그 배후에 있는 요소에 의해서 반사된 후 다시 해당 극간을 통과한다는 것은, 해당 극간의 크기가 4㎛ 이하로 비교적 협소하게 되어 있기 때문에 거의 발생할 수 없는 것이다. 또한, 복귀 광이 아닌 입사광이 직접적으로 해당 극간을 통과하는 경우도 당연 생각되지만, 이러한 경우에 있어서도 해당 극간이 비교적 작은 간격 밖에 갖고 있지 않기 때문에 화상에 부여하는 영향을 최소한으로 억제할 수 있다.
이와 같이, 본 예에 있어서는, 상술한 섬 형상 형성에 의한 작용 효과, 즉 내부 응력의 저감이라는 작용 효과를 얻으면서도, 차광막 그 본래의 작용 효과, 즉 화상 주위에서의 광의 상의 발생 방지라는 작용 효과도 거의 손색없이 누릴 수 있다.
또, 전술한 바와 같은 사정으로부터, 본 발명에 따른 차광막의 섬 사이의 거리는 보다 바람직하게는 2㎛ 이하로 하면 바람직하다.
본 발명의 제 2 또는 제 3 전기광학 장치의 다른 예에서는, 해당 전기광학 장치를 실장함과 동시에 상기 화상 표시 영역에 대응하는 표시창이 형성된 실장 케이스가 더 구비되어 이루어지며, 상기 제 2 하측 차광막 및 상기 영외 차광막 중 적어도 한쪽은 상기 표시창의 둘레와 상기 화상 표시 영역의 둘레 사이의 영역에 적어도 부분적으로 형성되어 있다.
이 예에 의하면, 화상 표시 영역을 전기광학 장치의 외부로부터 임하도록 한 표시창을 갖추는 실장 케이스가 구비되어 있다. 즉, 실질적으로 광이 투과할 가능성이 있는 영역은 화상 표시 영역을 포함하는 표시창 부분이며, 그 이외의 부분에 관해서는, 해당 실장 케이스를 구성하는 재료(예컨대 바람직하게는, 마그네슘 또는 그 합금 등의 금속 재료 등)에 의해서 광의 진행은 차단되게 된다. 이것은 그 표시창 이외의 부분에 있어서 보는 한, 위에서 말한 바와 같은 패턴부에서 반사된 광, 혹은 패턴부를 통과하는 광의 존재, 또한 패턴부 형성 영역 이외의 영역을 그대로 통과하는 광의 존재 등에 대하여 특히 배려할 필요가 없는 것을 의미한다. 단지, 표시창 부분으로 화상 표시 영역 밖의 부분에 관해서는, 상술한 바와 같은 배려가 여전히 필요하다.
그리고, 본 예에서는, 제 2 하측 차광막 및 영외 차광막 중 적어도 한쪽(이하, 단지「본 발명에 따른 차광막」이라고 하기도 한다)이 표시창의 둘레와 화상 표시 영역의 둘레 사이의 영역에 적어도 부분적으로 형성되어 있는 것에 의해, 상술한 바와 같은 취지가 반영된 효과적인 차광을 할 수 있다. 또한, 이것은 동시에 본 발명에 따른 차광막을 적절하게 또한 필요한 면적만 형성하면 좋다는 것을 의미하며, 그 면적의 상대적인 협소화를 실현할 수 있다. 따라서, 해당 차광막 내부에서의 내부 응력을 또한 저감할 수 있어, 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또, 이상 말한 본 발명의 제 2 또는 제 3 전기광학 장치에 있어서의 하측 차광막, 제 2 하측 차광막, 영내 차광막 또는 영외 차광막에 관해서는, 상술한 제 1 전기광학 장치에 있어서의 하측 차광막이 구비할 수 있는 각종의 특징과 같은 특징을 구비할 수 있다. 즉, 이들의 차광막을 평탄한 기판 또는 하지 절연막 상에 형성하는 것, 또는, 이들의 차광막이 광흡수막으로 이루어지는 것, 특히 폴리실리콘막 또는 고융점 금속막중 적어도 한쪽을 포함하는 것, 혹은 이들의 차광막이 도전막으로 이루어지는 것, 혹은 고정 전위 또는 플로팅 전위라고 되어 있는 것 등이다. 이것에 의해서도, 상술한 바와 마찬가지의 작용 효과가 본 발명의 제 2 또는 제 3 전기광학 장치에 있어서도 누릴 수 있는 것은 명백하다.
본 발명의 제 2 또는 제 3 전기광학 장치의 다른 예에서는, 상기 프레임 영역에서, 상기 패턴부의 상측에 배치된 프레임 차광막을 더 구비함과 동시에, 해당 프레임 차광막은 알루미늄으로 이루어진다.
이 예에 의하면, 예컨대 기판 상에 형성된 내장 차광막이나, 액정 등의 전기광학물질을 거쳐서 기판에 대향 배치된 대향 기판 상에 형성된 차광막으로 이루어져 패턴부의 상측에 배치된 프레임 차광막에 의해서 프레임 영역을 규정할 수 있다.
또한, 본 발명에서는 특히, 상기한 바와 같은 프레임 차광막은 적어도 알루미늄을 포함하고 있기 때문에, 광의 반사를 생기게 하기 쉽고, 전기광학 장치 내부에 열의 축적을 생기도록 하지 않는다. 이것에 의해, 예컨대 화소 스위칭용 소자로서의 박막 트랜지스터 등이 안정적인 동작 등을 확보할 수 있어, 비교적 장기에 걸치는 안정한 전기광학 장치의 운용이 가능해진다.
단지 이와 같이 광 반사능이 높은 재료로 프레임 차광막을 구성하는 것에 의하면, 상술한 바와 같은 화상 주위에 비추어지는 명암 패턴의 발생이나, 혹은 화상의 둘레 근방에 나타나는 흐릿한 광의 상의 발생은 보다 현저하게 된다고 할 수 있다.
그런데, 본 발명에 있어서는, 이러한 프레임 차광막의 내면에서 반사되는 내면 반사광이 패턴부에 따라 발생시키는 표시 화상의 외측에 비추어지는 명암 패턴을 패턴부의 하측에 배치된 하측 차광막에 의해 저감할 수 있다. 또한, 프레임 차광막의 내면에서 반사되는 내면 반사광이 기판을 그대로 통과하는 경우에 있어서도, 본 발명에 의하면, 제 2 하측 차광막 또는 영외 차광막이 구비되어 있는 것에 의해 화상의 둘레 근방에 나타나는 흐릿한 광의 상의 발생을 억제할 수 있다.
본 발명의 전자기기는 상기 과제를 해결하기 위해서, 상술한 본 발명의 전기광학 장치(단지, 그 각종 형태도 포함한다)를 구비하여 이루어진다.
본 발명의 전자기기는 상술한 본 발명의 전기광학 장치를 구비하여 이루어지기 때문에, 프레임 영역에 마련된 배선이나 회로 소자로 이루어지는 패턴부에 기인한 명암 패턴이 표시 화상 내에 비추어지는 일이 없고, 고품위의 화상 표시를 실행하는 것이 가능하다, 투사형 표시 장치, 액정 텔레비전, 휴대전화, 전자수첩, 워드 프로세서, 뷰파인더형 또는 모니터 직시형의 비디오 테이프 레코더, 워크 스테이션, 텔레비전 전화, POS단말, 터치 패널 등의 각종 전자기기를 실현할 수 있다.
본 발명의 이러한 작용 및 다른 이득은 다음에 설명하는 실시예로부터 분명해질 것이다.
이하, 본 발명의 실시예를 도면에 근거하여 설명한다. 이하의 실시예는 본 발명의 전기광학 장치를 액정 장치에 적용한 것이다.
(제 1 실시예)
우선, 본 발명의 제 1 실시예에 있어서의 전기광학 장치의 전체 구성에 대하여 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한다. 여기서는, 전기광학 장치의 일례인 구동 회로 내장형의 TFT 액티브 매트릭스 구동 방식의 액정 장치를 예로 든다.
도 1은 TFT 어레이 기판을 그 위에 형성된 각 구성요소와 같이 대향 기판의 측에서 본 평면도이며, 도 2는 도 1의 H-H’ 단면도이다.
도 1 및 도 2에 있어서, 본 실시예에 따른 전기광학 장치에서는, TFT 어레이 기판(10)과 대향 기판(20)이 대향 배치되어 있다. TFT 어레이 기판(10)과 대향 기판(20) 사이에 액정층(50)이 봉입되어 있고, TFT 어레이 기판(10)과 대향 기판(20)은 화상 표시 영역(10a)의 주위에 위치하는 밀봉 영역에 마련된 밀봉재(52)에 의해 서로 접착되어 있다.
밀봉재(52)는, TFT 어레이 기판(10)과 대향 기판(20)을 접합하기 위한, 예컨대 자외선 경화 수지, 열경화 수지 등으로 이루어지며, 제조 프로세스에 있어서 TFT 어레이 기판(10)상에 도포된 후, 자외선 조사, 가열 등에 의해 경화시켜진 것이다. 또한, 밀봉재(52) 중에는 TFT 어레이 기판(10)과 대향 기판(20)의 간격(기판 사이 갭)을 소정값으로 하기 위한 유리 파이버 혹은 유리 비즈 등의 갭 재료가 살포되어 있다. 즉, 본 실시예의 전기광학 장치는 프로젝터의 광 밸브용으로서 소형으로 확대 표시를 하는 데 적합하다. 단, 해당 전기광학 장치가 액정 모니터나 액정 텔레비전과 같이 대형으로 등배(等倍) 표시를 하는 액정 장치이면, 이러한 갭 재료는 액정층(50) 중에 포함되어도 된다.
밀봉재(52)가 배치된 밀봉 영역의 내측에 병행하여 화상 표시 영역(10a)을 규정하는 차광성의 프레임 차광막(53)이 대향 기판(20)측에 마련되어 있다. 단, 이러한 프레임 차광막의 일부 또는 전부는 TFT 어레이 기판(10) 측에 내장 차광막으로서 마련되어도 된다.
본 실시예에서는 특히, 프레임 차광막(53)의 하측에 하측 차광막(501)이 부분적으로 형성되어 있다. 하측 차광막(501)은 화상 표시 영역(10a)의 외주로부터 주변측에 이르는 프레임 차광막(53) 아래에 부분적으로 형성되어 있다. 하측 차광막(501)의 구성 및 차광 작용에 관해서는 뒤에 상술한다.
화상 표시 영역(10a)의 주변으로 확장되는 영역 중, 밀봉재(52)가 배치된 밀봉 영역의 외측에 위치하는 주변 영역에는, 데이터선 구동 회로(101) 및 외부 회로 접속 단자(102)가 TFT 어레이 기판(10)의 한 변을 따라 마련되어 있고, 주사선 구동 회로(104)가 이 한 변에 인접하는 두 변을 따라 마련되어 있다. 또한 TFT 어레이 기판(10)의 나머지 한 변에는 화상 표시 영역(10a)의 양측에 마련된 주사선 구동 회로(104) 사이를 잇기 위한 복수의 배선(105)이 마련되어 있다. 또한 도 1에 도시하는 바와 같이 대향 기판(20)의 4개의 코너부에는, 양 기판 사이의 상하 도통 단자로서 기능하는 상하 도통재(106)가 배치되어 있다. 한편, TFT 어레이 기판(10)에는 이들의 코너에 대향하는 영역에서 상하 도통 단자가 마련되어 있다. 이들에 의해, TFT 어레이 기판(10)과 대향 기판(20) 사이에서 전기적인 도통을 얻을 수 있다.
본 실시예에서는 특히, 데이터선 구동 회로(101)로부터 공급되는 화상 신호를 샘플링하는 샘플링 회로(301)가 프레임 차광막(53)으로 이루어지는 프레임 영역 내에 배치되어 있다. 즉, 샘플링 회로(301)를 구성하는 후술하는 TFT 등의 회로 소자가 프레임 영역 내에 배치되어 있다. 또한, 화상 표시 영역(10a) 내에 배선된 데이터선으로부터 샘플링 회로(301)에 이르는 배선 부분, 데이터선 구동 회로(101)로부터 샘플링 회로(301)에 이르는 배선 부분, 화상 표시 영역(10a) 내에 배선된 주사선으로부터 주사선 구동 회로(104)에 이르는 배선 부분 등의 각종 배선 부분도 프레임 영역 내에 배치되어 있다.
도 2에 있어서, TFT 어레이 기판(10) 상에는 화소 스위칭용의 TFT나 주사선, 데이터선 등의 배선이 형성된 후의 화소 전극(9a) 상에 배향막이 형성되어 있다. 한편, 대향 기판(20)상에는 대향 전극(21)의 기타 최상층 부분에 배향막이 형성되어 있다. 또한, 액정층(50)은 예컨대 한 종류 또는 수 종류의 네마틱 액정을 혼합한 액정으로 이루어지며, 이들 한 쌍의 배향막 사이에서 소정의 배향 상태를 취한다.
또한, 도 1 및 도 2에 나타낸 TFT 어레이 기판(10) 상에는, 이들 데이터선 구동 회로(101), 주사선 구동 회로(104), 샘플링 회로(301) 등에 더하여, 복수의 데이터선에 소정 전압 레벨의 프리차지 신호를 화상 신호에 선행하여 각각 공급하는 프리차지 회로, 제조 도중이나 출하시의 해당 전기광학 장치의 품질, 결함 등을 검사하기 위한 검사 회로 등을 형성하여도 된다.
다음에 이상과 같이 구성된 전기광학 장치에 있어서의 회로 구성 및 동작에 대하여 도 3을 참조하여 설명한다. 도 3은 전기광학 장치의 화상 표시 영역을 구성하는 매트릭스 형상으로 형성된 복수의 화소에 있어서의 각종 소자, 배선 등의 등가 회로와 주변 회로를 나타내는 블럭도이다.
도 3에 있어서, 본 실시예에 있어서의 전기광학 장치의 화상 표시 영역을 구성하는 매트릭스 형상으로 형성된 복수의 화소에는 각기, 화소 전극(9a)과 해당 화소 전극(9a)을 스위칭 제어하기 위한 TFT(30)가 형성되어 있고, 화상 신호가 공급되는 데이터선(6a)이 해당 TFT(30)의 소스에 전기적으로 접속되어 있다.
화상 표시 영역(10a)의 외측에 마련되는 주변 영역에는 데이터선(6a)의 한쪽 단부(도 3속에서 하단)가 샘플링 회로(301)를 구성하는 TFT(202)의 드레인에 접속되어 있다. 화상 신호선(115)은 인출 배선(116)을 거쳐서 샘플링 회로(301)를 구성하는 TFT(202)의 소스에 접속되어 있다. 데이터선 구동 회로(101)에 접속된 샘플링 회로 구동 신호선(114)은 샘플링 회로(301)를 구성하는 TFT(202)의 게이트에 접속되어 있다. 그리고, 화상 신호선(115)을 거쳐서 공급되는 화상 신호 S1, S2, ..., Sn은 데이터선 구동 회로(101)로부터 샘플링 회로 구동 신호선(114)을 거쳐서 샘플링 회로 구동 신호가 공급되는 것에 따라서 샘플링 회로(301)에 의해 샘플링되어 각 데이터선(6a)에 공급되도록 구성되어 있다.
이와 같이 데이터선(6a)에 기입되는 화상 신호 S1, S2, ..., Sn은 이 순서대로 선순차적으로 공급하여도 되고, 서로 인접하는 복수의 데이터선(6a)끼리에 대하여 그룹마다 공급하여도 된다.
또한, 화소 스위칭용의 TFT(30)의 게이트에 주사선(3a)이 전기적으로 접속되어 있고, 소정의 타이밍으로 주사선(3a)에 펄스적으로 주사 신호 G1, G2, ..., Gm을 주사선 구동 회로(104)에 의해, 이 순서대로 선순차적으로 인가하도록 구성되어 있다. 화소 전극(9a)은 TFT(30)의 드레인에 전기적으로 접속되어 있고, 스위칭 소자인 TFT(30)를 일정 기간만 그 스위치를 닫는 것에 의해 데이터선(6a)에서 공급되는 화상 신호 S1, S2, ..., Sn을 소정의 타이밍으로 기입한다. 화소 전극(9a)을 거쳐서 전기광학 물질의 일례로서의 액정에 기입된 소정 레벨의 화상 신호 S1, S2, ..., Sn은, 대향 기판(20)에 형성된 대향 전극(21) 사이에서 일정 기간 유지된다. 액정은 인가되는 전위 레벨에 의해 분자 집합의 배향이나 질서가 변화되는 것에 의해, 광을 변조하여 계조 표시를 가능하게 한다. 노멀리 화이트 모드이면, 각 화소의 단위로 인가된 전압에 따라 입사광에 대한 투과율이 감소하며, 노멀리 블랙 모드이면, 각 화소의 단위로 인가된 전압에 따라 입사광에 대한 투과율이 증가되어, 전체로서 전기광학 장치로부터는 화상 신호에 따른 콘트라스트를 가지는 광이 출사된다. 여기서, 유지된 화상 신호가 누설되는 것을 막기 위해서, 화소 전극(9a)과 대향 전극(21) 사이에 형성되는 액정 용량과 병렬로 축적 용량(70)을 부가한다. 주사선(3a)에 병행하여, 축적 용량(70)의 고정 전위측 용량 전극을 포함하는 동시에 정전위로 고정된 용량선(300)이 마련되어 있다.
다음에, 도 1 및 도 2에 나타낸 프레임 차광막(53)이 마련된 프레임 영역 및 주변 영역에서의 전기광학 장치의 상세 구성에 대하여, 프레임 영역에 마련된 하측 차광막(501)의 구성 및 차광 작용을 중심으로 하여 도 4로부터 도 7을 참조하여 설명한다. 여기에 도 4는 도 2에 있어서의 CR 부분 부근을 확대하여 나타내는 부분단면도이며, 도 5는 비교예에 있어서의 CR 부분 부근에 대응하는 개소를 확대하여 나타내는 부분단면도이다. 도 6은 도 4에 나타낸 부위 중 프레임 차광막(53), 데이터선(6a)의 인출 배선(206) 및 하측 차광막(501)을 발췌하여 부분적으로 나타내는 도식적인 부분 사시도이며, 도 7은 비교예에 있어서의 프레임 차광막(53) 및 데이터선(6a)의 인출 배선(206)을 발췌하여 부분적으로 나타내는 도식적인 부분 사시도이다.
도 4에 도시하는 바와 같이 본 실시예에서는 프레임 차광막(53) 밑에 있는 프레임 영역에는 패턴부의 일례로서 데이터선(6a)의 인출 배선(206) 등의 각종 배선이나 샘플링 회로를 구성하는 TFT 등의 각종 회로 소자가 배치되어 있다. 그리고, 이와 같이 프레임 영역 내에 마련된 인출 배선(206) 등의 하측에는 하측 차광막(501)이 마련되어 있다.
도 5에 도시하는 바와 같이 비교예에서는 이러한 하측 차광막(501)이 마련되어 있지 않다.
따라서, 도 6에 도시하는 바와 같이 본 실시예에서는, 특히 프로젝터 용도 등과 같이 도면에서 상측으로부터 입사되는 입사광(L1)이 강하고 또한 경사 성분을 대량으로 포함하는 경우에, 예컨대 Al 막 등의 도전막이 패터닝되어 이루어지는 인출 배선(206) 등의 반사율에 따라서 그 표면에서 입사광(L1)이 반사되거나 입사광(L1)이 인출 배선(206) 등의 극간을 통과한다. 여기서, 인출 배선(206) 등은 하측 차광막(501)에 의해 TFT 어레이 기판(10)측(도면에서 하측)으로부터 피복되어 있다. 따라서, 프레임 영역 부근, 즉 화상 표시 영역(10a)의 외주 부근에서, 인출 배선(206) 등에서 반사하거나 인출 배선(206) 등의 극간을 투과한 입사광(L1) 중 내면 반사를 거친 후 혹은 직접으로 표시용의 출사광(Lout)에 최종적으로 혼합되는 광(L3)의 광량은 하측 차광막(501)에서 흡수 또는 반사되는 분만큼 현저하게 감소한다.
보다 구체적으로는, 도 4 및 도 6에 도시하는 바와 같이 인출 배선(206) 등에서 반사된 광이, 프레임 차광막(53)의 내면에 의해 반사되는 것에 의해, 프레임 영역(53)의 부근에서 TFT 어레이 기판(10) 측을 향해서 진행하더라도, 하측 차광막(501)에서 흡수 또는 반사되는 분만큼 표시용의 출사광(Lout)에 혼합되는 광량이 감소한다. 프레임 차광막(53)에서 반사된 내면 반사광이나 인출 배선(206) 등을 투과한 광이 TFT 어레이 기판(10)의 이면이나, 이것에 외부 부착된 편광판, 위상차판, 방진 유리등에서 반사되어 이루어지는 복귀 광(L2)에 관해서도, 하측 차광막(501)에서 흡수 또는 반사되는 분만큼, 표시용의 출사광(Lout)에 혼합되는 광량이 감소한다. 또한, 복판식 프로젝터의 경우에 있어서의 복귀 광(L2)이 인출 배선(206)이나 프레임 차광막(53) 등에서 또한 반사되어 이루어지는 내면 반사광에 관해서도, 하측 차광막(501)에서 흡수 또는 반사되는 분만큼 이것이 최종적으로 표시용의 출사광(Lout)에 혼합되는 량이 감소한다.
또한, 전기광학 장치는 수지 등으로 이루어지는 차광성의 실장 케이스(800)에 수용되어 있고, 실장 케이스(800) 내에 누설되는 광에 관해서는 그 내면에 의해 흡수되기 때문에 특히 문제는 되지 않는다.
이에 대하여, 도 5 및 도 7에 도시하는 바와 같이 하측 차광막(501)이 마련되어 있지 않은 비교예의 경우에는, 프레임 영역 부근, 즉 화상 표시 영역(10a)의 외주 부근에서, 인출 배선(206) 등에서 반사하거나 인출 배선(206) 등의 극간을 투과한 입사광(L1) 중 내면 반사를 거친 후 혹은 직접으로 표시용의 출사광(Lout)에 최종적으로 혼합되는 광량은 하측 차광막(501)이 있는 본 실시예의 경우와 비교하여 현저히 증가한다. 또한, 이 비교예의 경우에는, 프레임 영역 부근, 즉 화상 표시 영역(10a)의 외주 부근에서, 복귀 광(L2)에 관해서도, 인출 배선(206) 등에서 반사하거나 인출 배선(206) 등의 극간을 투과하여 또한 프레임 차광막 등에 의한 내면 반사를 지나서 최종적으로 표시용의 출사광(Lout)에 혼합되는 광량은 하측 차광막(501)이 있는 본 실시예의 경우와 비교하여 현저히 증가한다.
이와 같이 본 실시예에 의하면, 인출 배선(206) 등으로 이루어지는 패턴부의 하측에 하측 차광막(501)을 구비하고 있기 때문에, 화상 표시 영역(10a)의 외주 부근에서의 표시용의 출사광(Lout)에 패턴부의 명암이나 광의 간섭에 기인하여 발생하는 명암 패턴을 갖는 광의 발생을 저감할 수 있다. 이 때문에, 표시 화상의 외측 부근에 있어서의 패턴부에 기인한 명암 패턴의 발생을 효과적으로 방지할 수 있다.
본 실시예에서는 바람직하게는 하측 차광막(501)은 TFT 어레이 기판(10)이 평탄한 표면 상에 바로 또는 평탄한 TFT 어레이 기판(10)상에 성막된 평탄한 하지 절연막 위에 형성된다. 이와 같이 하면, 하측 차광막(501)의 표면에는 거의 요철이 발생하지 않는다. 따라서, 도 5 및 도 7에 나타낸 입사광(L1)이나 복귀 광(L2)의 일부가, 가령 하측 차광막(501)에서 반사된 후에 최종적으로 표시용의 출사광(Lout)에 혼합되었다고 해도, 평탄한 하측 차광막(501)에서 반사된 광은 간섭을 거의 수반하지 않기 때문에 간섭 작용에 기인한 명암 패턴을 현저히 저감할 수 있다.
또한, 하측 차광막(501)은 예컨대, Ti(Titanium), Cr(Chrome), W(Tungsten), Ta(tantalum), Mo(Molydenum) 등의 고융점 금속 중 적어도 하나를 포함하며, 금속단체, 합금, 금속 실리사이드, 폴리실리사이드, 이들을 적층한 것 등으로 이루어진다. 그리고, 이러한 하측 차광막(501)은 바람직하게는, 상술한 바와 같이 화상 표시 영역(10a)에서의 화소 스위칭용의 TFT(30)의 채널 영역을 하측으로부터 피복하는 하측 차광막과 동일막으로 형성된다. 이것에 의해, 화소 스위칭용의 TFT(30)에 대한 차광용의 하측 차광막과, 프레임 영역에서의 명암 패턴의 발생 방지용의 하측 차광막(501)을 동일 제조 공정에 의해 동시에 형성할 수 있고, TFT 어레이 기판(10) 상에 있어서의 적층 구조 및 제조 프로세스의 간략화를 도모할 수 있다.
하측 차광막(501)은 주로 광 반사에 의해 차광을 실행하여도 되고, 주로 광흡수에 의해 차광을 실행하여도 되며, 이들 양자에 의해 차광을 실행하여도 된다. 주로 광 흡수에 의해 차광을 실행하도록 구성하면, 프레임 영역 부근에서 입사광(L1)이나 복귀 광(L2)이 하측 차광막(501)을 형성하는 광흡수막에 입사할 때마다 이 광을 감쇠할 수 있다. 특히 복귀 광(L2)이 문제가 되는 경우에는 하측 차광막(501)을 TFT 어레이 기판(10) 상에 있어서, 광흡수층을 TFT 어레이 기판(10)측(하측)에 갖는 동시에 반사막을 그 반대측(상측)에 갖도록 2층 혹은 다층으로 구성하여도 된다. 혹은, 입사광(L1)이 문제가 되는 경우에는, 하측 차광막(501)을 TFT 어레이 기판(10) 상에 있어서, 광흡수층을 대향 기판(20)측(상측)에 갖는 동시에 반사막을 그 반대측(하측)에 갖도록 2층 혹은 다층으로 구성하여도 된다. 이러한 광흡수층은, 예컨대 폴리실리콘막 및 고융점 금속막 중 적어도 한쪽을 포함하여 이루어진다.
또한 하측 차광막(501)은 바람직하게는 적당한 크기 단위로, 섬 형상으로 분단 형성된다. 이와 같이 섬 형상으로 분단 형성하는 것으로, 특히 프레임 영역의 전역에 하측 차광막을 형성하는 경우와 비교하여 하측 차광막(501)의 존재에 의한 응력의 발생을 완화할 수 있다.
또한, 본 실시예에서는, 도 4에 나타낸 바와 같이 하측 차광막(501)을 화상 표시 영역(10a)의 외주로부터 주변측에 이르는 영역에 중첩 폭 ΔW로 형성한다. 이 중첩 폭 ΔW는 프레임 영역에 조사되는 입사광(L2)의 입사 각도에 따라 적절한 값으로 미리 설정 가능하다. 확대 투영하는 프로젝터 용도에서는 이러한 입사 각도는 일반적으로 크게 되며, 그에 따라서 상술한 명암 패턴을 발생시키지 않기 때문에 중첩 폭 ΔW를 증가시킬 필요가 있다. 이러한 소정 폭은 실제 장치 사양을 감안하여 실험적, 경험적, 시뮬레이션 등에 의해 개별 구체적으로 설정하면 된다.
다음에, 본 발명의 실시예의 전기광학 장치의 화상 표시 영역에서의 구성에 대하여, 도 8 및 도 9를 참조하여 설명한다. 도 8은 데이터선, 주사선, 화소 전극 등이 형성된 TFT 어레이 기판의 서로 인접하는 복수의 화소군의 평면도이다. 도 9는 도 8의 E-E’ 단면도이다. 또한, 도 9에 있어서는 각 층이나 각부재를 도면 상에서 인식 가능한 정도의 크기로 하기 위해서 각 층이나 각 부재마다 축척을 다르게 하고 있다.
도 8에 있어서, 전기광학 장치의 TFT 어레이 기판 상에는 매트릭스 형상으로 복수의 투명한 화소 전극(9a)(점선부(9a')에 의해 윤곽이 표시되어 있다)이 마련되어 있고, 화소 전극(9a)의 종횡의 경계에 각각 따라 데이터선(6a) 및 주사선(3a)이 마련되어 있다.
또한, 반도체층(1a) 중 도면에서 우상향 사선 영역으로 나타낸 채널 영역(1a')에 대향하도록 주사선(3a)이 배치되어 있고, 주사선(3a)은 게이트 전극으로서 기능한다. 이와 같이, 주사선(3a)과 데이터선(6a)이 교차하는 개소에는 각기 채널 영역(1a')에 주사선(3a)이 게이트 전극으로서 대향 배치된 화소 스위칭용의 TFT(30)가 마련되어 있다.
도 8 및 도 9에 도시하는 바와 같이 축적 용량(70)은 TFT(30)의 고농도 드레인 영역(1e) 및 화소 전극(9a)에 접속된 화소 전위측 용량 전극으로서의 중계층(71)과, 고정 전위측 용량 전극으로서의 용량선(300)의 일부가 유전체막(75)을 거쳐서 대향 배치되는 것에 의해 형성되어 있다.
용량선(300)은 평면적으로 봐서, 주사선(3a)에 따라 스트라이프 형상으로 신장되고 있고, TFT(30)에 겹치는 개소가 도 8 중 상하로 돌출되어 있다. 이러한 용량선(300)은 바람직하게는 막 두께 50nm 정도의 도전성의 폴리실리콘막 등으로 이루어지는 제 1막과, 막 두께 150nm 정도의 고융점 금속을 포함하는 금속 실리사이드막 등으로 이루어지는 제 2막이 적층된 다층 구조를 가지도록 구성된다. 이와 같이 구성하면, 제 2막은 용량선(300) 혹은 축적 용량(70)의 고정 전위측 용량 전극으로서의 기능 외에, TFT(30)의 상측에 있어서 입사광으로부터 TFT(30)를 차광하는 차광층으로서의 기능을 갖는다.
본 실시예에서는 특히, 용량선(300)은, 주사선(3a) 및 데이터선(6a) 사이에 적층되어 있기 때문에, 평면적으로 봐서 주사선(3a)이나 데이터선(6a)과 겹치는 영역에 용량을 만들어 넣은 것에 의해, 축적 용량(70)의 증대가 기도되고 있다.
한편, TFT 어레이 기판(10)상에 있어서의 TFT(30)의 하측에는, 하측 차광막(11a)이 격자 형상으로 마련되어 있다. 하측 차광막(11a)은 예컨대, Ti, Cr, W, Ta, Mo 등의 고융점 금속 중의 적어도 하나를 포함한다, 금속 단체, 합금, 금속 실리사이드, 폴리실리사이드, 이들을 적층한 것 등으로 이루어진다.
그리고, 도 8중 세로 방향으로 각기 신장하는 데이터선(6a)과 도 8중 가로 방향으로 각기 신장하는 용량선(300)이 서로 교차하여 형성되는 것 및 격자 형상으로 형성된 하측 차광막(11a)에 의해 각 화소의 개구 영역을 규정하고 있다.
도 8 및 도 9에 도시하는 바와 같이 데이터선(6a)은 콘택트 홀(81)을 거쳐서, 예컨대 폴리실리콘막으로 이루어지는 반도체층(1a) 중 고농도 소스 영역(1d)에 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 상술한 중계층(71)과 동일막으로 이루어지는 중계층을 형성하여, 해당 중계층 및 2개의 콘택트 홀을 거쳐서 데이터선(6a)과 고농도 소스 영역(1d)을 전기적으로 접속하여도 된다.
또한 용량선(300)은 바람직하게는, 화소 전극(9a)이 배치된 화상 표시 영역(10a)(도 1참조)으로부터 그 주위로 연장하여 마련되며, 정전위원(定電位源)과 전기적으로 접속되어 고정 전위로 된다. 이와 같은 정전위원으로서는 데이터선 구동 회로(101)나 주사선 구동 회로(104)에 공급되는 정전원(正電源)이나 부전원(負電源)의 정전위원(定電位源)이어도 되고, 대향 기판(20)의 대향 전극(21)에 공급되는 정전위라도 상관없다. 또한, TFT(30)의 하측에 마련되는 하측 차광막(11a)에 관해서도, 그 전위 변동이 TFT(30)에 대하여 악영향을 미치게 하는 것을 피하기 위해서, 용량선(300)과 같이, 화상 표시 영역(10a)에서 그 주위로 연장하여 마련하여 정전위원에 접속하면 된다.
화소 전극(9a)은 중계층(71)을 중계하는 것에 의해, 콘택트 홀(83, 85)을 거쳐서 반도체층(1a) 중 고농도 드레인 영역(1e)에 전기적으로 접속되어 있다.
도 8 및 도 9에 있어서, 전기광학 장치는 투명한 TFT 어레이 기판(10)과, 이것에 대향 배치되는 투명한 대향 기판(20)을 구비하고 있다. TFT 어레이 기판(10)은, 예컨대 석영 기판, 유리 기판, 실리콘 기판으로 이루어지며, 대향 기판(20)은 예컨대 유리 기판이나 석영 기판으로 이루어진다.
도 9에 도시하는 바와 같이 TFT 어레이 기판(10)에는 화소 전극(9a)이 마련되어 있고, 그 위 측에는 연마 처리 등의 소정의 배향 처리가 실시된 배향막(16)이 마련되어 있다. 화소 전극(9a)은 예컨대, ITO 막 등의 투명 도전성막으로 이루어진다. 또한 배향막(16)은 예컨대, 폴리이미드막 등의 투명한 유기막으로 이루어진다.
한편, 대향 기판(20)에는 그 전면에 걸쳐 대향 전극(21)이 마련되어 있고, 그 하측에는 연마 처리 등의 소정의 배향 처리가 실시된 배향막(22)이 마련되어 있다. 대향 전극(21)은 예컨대, ITO 막 등의 투명 도전성막으로 이루어진다. 또한 배향막(22)은 폴리이미드막 등의 투명한 유기막으로 이루어진다.
대향 기판(20)에는 각 화소의 비개구 영역에 대응하여 격자 형상 또는 스트라이프 형상의 차광막을 마련하도록 하여도 된다. 이러한 구성을 채용함으로써 전술한 바와 같이 비개구 영역을 규정하는 용량선(300)이나 데이터선(6a)과 함께 해당 대향 기판(20) 상의 차광막에 의해 대향 기판(20) 측에서의 입사광이 채널 영역(1a')이나 저농도 소스 영역(1b) 및 저농도 드레인 영역(1c)에 침입하는 것을 보다 확실하게 저지할 수 있다. 또한, 이러한 대향 기판(20) 상의 차광막은 적어도 입사광이 조사되는 면을 고 반사인 막으로 형성하는 것에 의해 전기광학 장치의 온도상승을 막는 기능을 한다. 또한, 이러한 대향 기판(20) 상의 차광막은 양 기판의 접합 어긋남에 의해서 각 화소의 개구 영역을 좁히지 않도록, 비개구 영역의 내측에 가늘게 형성하는 것이 바람직하다. 이와 같이 가늘게 형성하더라도, 용장적인 차광을 하는 동시에 입사광에 의한 전기광학 장치 내부의 온도 상승을 막는 효과는 발휘된다.
이와 같이 구성된 화소 전극(9a)과 대향 전극(21)이 대면하도록 배치된 TFT 어레이 기판(10)과 대향 기판(20) 사이에는, 밀봉재(52)(도 1 및 도 2참조)에 의해 둘러싸인 공간에 전기광학 물질의 일례인 액정이 봉입되어 액정층(50)이 형성된다.
또한, 화소 스위칭용의 TFT(30) 하에는 하지 절연막(12)이 마련되어 있다. 하지 절연막(12)은 하측 차광막(11a)에서 TFT(30)를 층간 절연하는 기능 외에, TFT 어레이 기판(10)의 전면에 형성되는 것에 의해, TFT 어레이 기판(10)의 표면의 연마시에 있어서의 거칠기나, 세정 후에 남는 오염 등으로 화소 스위칭용의 TFT(30)의 특성 변화를 방지하는 기능을 갖는다.
도 9에 있어서, 화소 스위칭용의 TFT(30)는 LDD(Lightly Doped Drain) 구조를 갖고 있고, 주사선(3a), 해당 주사선(3a)에서의 전계에 의해 채널이 형성되는 반도체층(1a)의 채널 영역(1a'), 주사선(3a)과 반도체층(1a)을 절연하는 게이트 절연막을 포함하는 절연막(2), 반도체층(1a)의 저농도 소스 영역(1b) 및 저농도 드레인 영역(1c), 반도체층(1a)의 고농도 소스 영역(1d) 및 고농도 드레인 영역(1e)을 구비하고 있다.
주사선(3a) 상에는 고농도 소스 영역(1d)으로 통하는 콘택트 홀(81) 및 고농도 드레인 영역(1e)으로 통하는 콘택트 홀(83)이 각각 개공된 제 1층간 절연막(41)이 형성되어 있다.
제 1 층간 절연막(41) 상에는 중계층(71) 및 용량선(300)이 형성되어 있고, 이들 상에는, 고농도 소스 영역(1d)으로 통하는 콘택트 홀(81) 및 중계층(71)으로 통하는 콘택트 홀(85)이 각각 개공된 제 2 층간 절연막(42)이 형성되어 있다.
제 2 층간 절연막(42) 상에는 데이터선(6a)이 형성되어 있고, 이들 상에는 중계층(71)으로 통하는 콘택트 홀(85)이 형성된 평탄화된 제 3 층간 절연막(43)이 형성되어 있다. 화소 전극(9a)은 이와 같이 구성된 제 3 층간 절연막(43)의 상면에 마련되어 있다.
본 실시예에서는, 제 3 층간 절연막(43)의 표면은 CMP(Chemical Mechanical Polishing:화학적 기계 연마) 처리 등에 의해 평탄화되어 있고, 그 아래쪽에 존재하는 각종 배선이나 소자에 의한 단차에 기인하는 액정층(50)에 있어서의 액정의 배향 불량을 저감한다.
이상 설명한 바와 같이 제 1 실시예에 의하면, 하측 차광막(501)을 마련하고 있기 때문에, 프레임 영역에 마련된 데이터선의 인출 배선(206) 등의 각종 배선이나 TFT(202) 등의 각종 회로 소자로 이루어지는 패턴부에 기인하여, 표시 화상의 외측 부근에 비추어지는 명암 패턴을 저감할 수 있다. 따라서, 이러한 명암 패턴을 숨기기 위해서 프레임 차광막(53)을 광폭으로 할 필요도 없어져, 화상 표시 영역(10a)을 크게 구성하는 것이 가능해진다.
또한 제 1 실시예에 의하면, 하측 차광막(501)은 프레임 영역 전체가 아니라 프레임 영역에 마련된 데이터선의 인출 배선(206) 등의 각종 배선이나 TFT(202) 등의 각종 회로 소자로 이루어지는 패턴부에 대향하는 일부에 마련되기 때문에, 프레임 영역 전체에 형성하는 경우와 비교하여 응력의 발생을 저감할 수 있다.
또 이상 설명한 실시예에서는, 도 9에 나타낸 바와 같이 다수의 도전층을 적층하는 것에 의해, 화소 전극(9a)의 하지면(즉, 제 3 층간 절연막(43)의 표면)에 있어서의 데이터선(6a)이나 주사선(3a)에 따른 영역에 단차가 발생하는 것을 제 3 층간 절연막(43)의 표면을 평탄화하는 것으로 완화하고 있지만, 이 대신에 또는 이것에 더하여, TFT 어레이 기판(10), 하지 절연막(12), 제 1 층간 절연막(41), 제 2 층간 절연막(42) 혹은 제 3 층간 절연막(43)에 홈을 파서 데이터선(6a) 등의 배선이나 TFT(30) 등을 설치하는 것에 의해 평탄화 처리를 하여도 되고, 제 2 층간 절연막(42)의 상면의 단차를 CMP 처리 등으로 연마하는 것에 의해, 혹은 유기 또는 무기 SOG를 이용하여 평평하게 형성하는 것에 의해 해당 평탄화 처리를 하여도 된다.
다음에, 이상과 같이 구성되는 하측 차광막(501)의 평면 형상의 각종 구체예에 따른 제 2 내지 제 4 실시예 및 그 변형 형태에 대하여 설명한다. 이들 실시예에 있어서는 각기, 하측 차광막(501)은 고융점 금속막 등의 도전성의 차광막으로 이루어진다. 따라서, 이들 실시예는 각기, 프레임 영역내에 배치되는 하측 차광막(501)에 있어서의 전기적인 상태 혹은 전위 변동이, 마찬가지로 프레임 영역 내에 배치되는 TFT(202) 등의 회로 소자의 동작에 대하여 미치는 악영향을 저감하는 데 적합한 하측 차광막(501)의 구체적인 형상에 관한 것이다.
(제 2 실시예)
본 발명의 제 2 실시예에 있어서의 전기광학 장치에 대하여, 도 10 및 도 11을 참조하여 설명한다. 여기에 도 10은 제 2 실시예에 있어서의 프레임 영역에 형성되는 회로 소자의 일례인 상보형 TFT의 확대 평면도이며, 도 11은 그 A-A’ 단면도이다. 또한, 도 10 및 도 11에 있어서, 도 1로부터 도 9에 나타낸 제 1 실시예와 같은 구성요소에는 동일 참조 부호를 부여하며 그들의 설명은 생략한다.
도 10 및 도 11에 도시하는 바와 같이 상보형 TFT(202a)는, P 채널 영역(320p) 및 N 채널 영역(320n)을 포함하는 반도체층(320)을 구비하고 있고, 배선(316)의 선단부를 게이트 전극(입력측)으로 하고, 저 전위 배선(321) 및 고 전위 배선(322)의 선단부를 각기 소스 전극으로 하며, 배선(306)의 선단부를 드레인 전극(출력측)으로 하는, P 채널형 TFT(202p) 및 N 채널형 TFT(202n)가 조합되어 구성되어 있다. 또한, 이러한 P 채널형 TFT(202p) 및 N 채널형 TFT(202n)는 화소 스위칭용 TFT(30)와 같이 LDD 구조를 가져도 된다. 제 2 실시예에서는 특히, 고융점 금속막 등의 도전막으로 이루어지는 하측 차광막(501a)은 분단 형성되어 있고, 적어도 상보형 TFT(202a)를 하측으로부터 피복하는 섬 형상 부분은 플로팅 전위로 되어 있다. 그 밖의 구성에 관해서는, 도 1로부터 도 9를 참조하여 설명한 제 1 실시예의 경우와 마찬가지다.
따라서, 제 2 실시예에 의하면, 하측 차광막(501a)의 전위 변동은 플로팅 전위로 되어 있기 때문에, 그 전위 변동이 상보형 TFT(202a)의 특성에 악영향을 미치게 하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
또한, 제 2 실시예에서는 하측 차광막(501a)에서의 상보형 TFT(202a)에 대향 배치되는 섬 형상 부분을 제외하는 부분에 관해서는 화상 표시 영역(10a) 내에 있는 하측 차광막(11a)의 경우와 같이 고정 전위가 공급되도록 구성하여도 된다.
(제 3 실시예)
본 발명의 제 3 실시예에 있어서의 전기광학 장치에 대하여, 도 12 및 도 13을 참조하여 설명한다. 여기에 도 12는 제 3 실시예에 있어서의 프레임 영역에 형성되는 회로 소자의 일례인 상보형 TFT의 확대평면도이며, 도 13은 그 B-B’ 단면도이다. 또한, 도 12 및 도 13에 있어서, 도 1로부터 도 9에 나타낸 제 1 실시예 및 도 10 및 도 11에 나타낸 제 2 실시예와 같은 구성요소에는 동일 참조 부호를 부여하며 그들의 설명은 생략한다.
도 12 및 도 13에 도시하는 바와 같이 제 3 실시예에서는 특히, 고융점 금속막 등의 도전막으로 이루어지는 하측 차광막(501b)은 제 2 실시예와 같이 분단 형성되어 있지 않고, 상보형 TFT(202b)의 두 개의 게이트 전위극에 각기 따라, 두 개의 슬릿이 마련되어 있다. 그 밖의 구성에 관해서는, 도 10 및 도 11을 참조하여 설명한 제 2 실시예의 경우와 마찬가지다.
따라서, 제 3 실시예에 의하면 하측 차광막(501b) 및 소스 전극 사이에서의 기생 용량 및 하측 차광막(501b) 및 드레인 전극 사이에서의 기생 용량에 의한 상보형 TFT(202b)에서의 소스 전극 및 드레인 전극 사이의 용량 결합을 저감할 수 있기 때문에, 하측 차광막(501b)의 전위 변동이 상보형 TFT(202b)의 특성에 악영향을 미치게 하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
이러한 하측 차광막(501b)의 슬릿으로서는 예컨대, 1㎛ 정도의 폭을 가지면 된다. 또한, 이와 같이 슬릿을 형성하더라도, 예컨대 도전성의 폴리실리콘막 등으로 이루어지는 게이트 전극 자체가 어느 정도의 광흡수성을 나타내기 때문에, 슬릿의 존재에 의해 발생할 수 있는 명암 패턴은 비교적 작게 된다.
또한, 제 3 실시예에서는 이와 같이 슬릿을 갖는 하측 차광막(501b)이 그 연장된 부분(502)을 거쳐서 화상 표시 영역(10a) 내에 있는 하측 차광막(11a)의 경우와 같이 고정 전위가 공급되도록 구성하여도 된다.
(제 4 실시예)
본 발명의 제 4 실시예에 있어서의 전기광학 장치에 대하여, 도 14 및 도 15를 참조하여 설명한다. 여기에 도 14는 제 4 실시예에 있어서의 프레임 영역에 형성되는 회로 소자의 일례인 상보형 TFT의 확대 평면도이며, 도 15는 그 C-C’ 단면도이다. 또한 도 14 및 도 15에 있어서, 도 1로부터 도 9에 나타낸 제 1 실시예 및 도 10 및 도 11에 나타낸 제 2 실시예와 같은 구성요소에는 동일 참조 부호를 부여하며 그들의 설명은 생략한다.
도 14 및 도 15에 도시하는 바와 같이 제 4 실시예에서는 특히, 고융점 금속막 등의 도전막으로 이루어지는 하측 차광막(501c)은 제 1 실시예와 같이 상보형 TFT의 반도체층(320)을 하나의 단위로 하여 큰 섬 형상으로 분단 형성되어 있지 않고, 상보형 TFT(202c)의 반도체층(320)에 있어서의 소스 영역과, 드레인 영역을 각기 하나의 단위로서 보다 작은 섬 형상으로 분단 형성되어 있다. 그 밖의 구성에 관해서는, 도 10 및 도 11을 참조하여 설명한 제 2 실시예의 경우와 마찬가지다.
따라서, 제 4 실시예에 의하면, 하측 차광막(501c) 및 소스 전극 사이에서의 기생 용량 및 하측 차광막(501c) 및 드레인 전극 사이에서의 기생 용량에 의한 상보형 TFT(202c)에서의 소스 전극 및 드레인 전극 사이의 용량 결합을 저감할 수 있기 때문에, 하측 차광막(501c)의 전위 변동이 상보형 TFT(202c)의 특성에 악영향을 미치게 하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
이러한 하측 차광막(501c)의 간격으로서는, 예컨대, 1㎛ 정도이면 된다. 또한, 이와 같이 간격이 존재하더라도, 예컨대 도전성의 폴리실리콘막 등으로 이루어지는 게이트 전극 자체가 어느 정도의 광흡수성을 나타내기 때문에, 간격의 존재에 의해 발생할 수 있는 명암 패턴은 비교적 작게 된다.
또한, 제 4 실시예에서는 하측 차광막(501c)에서의 상보형 TFT(202c)에 대향 배치되는 섬 형상 부분을 제외하는 부분에 관해서는, 화상 표시 영역(10a) 내에 있는 하측 차광막(11a)의 경우와 같이 고정 전위가 공급되도록 구성하여도 된다.
(제 5 실시예)
본 발명의 제 5 실시예에 있어서의 전기광학 장치에 대하여 도 16 및 도 17을 참조하여 설명한다. 여기에 도 16은 제 5 실시예에 있어서의 프레임 영역에 형성되는 회로 소자의 일례인 상보형 TFT의 확대 평면도이며, 도 17은 그 D-D’ 단면도이다. 또한, 도 16 및 도 17에 있어서, 도 1로부터 도 9에 나타낸 제 1 실시예 및 도 10 및 도 11에 나타낸 제 2 실시예와 같은 구성요소에는 동일 참조 부호를 부여하며 그들의 설명은 생략한다.
도 16 및 도 17에 도시하는 바와 같이 제 5 실시예에서는 특히, 고융점 금속막 등의 도전막으로 이루어지는 하측 차광막(501d)은, 제 2 실시예와 같이 상보형 TFT의 반도체층(320)을 하나의 단위로서 분단된 큰 섬 형상 부분이 플로팅 전위로 되어 있지 않고, 콘택트 홀(503)을 거쳐서 배선(316)의 선단부에 있는 게이트 전극(입력측)에 접속되어 게이트 전극과 동 전위로 되어 있다. 그 밖의 구성에 관해서는 도 10 및 도 11을 참조하여 설명한 제 2 실시예의 경우와 마찬가지다.
따라서, 제 5 실시예에 의하면, 하측 차광막(501d)의 섬 형상 부분에 의해 백 채널을 형성할 수 있기 때문에, 상보형 TFT(202d)에서의 트랜지스터의 특성 향상을 도모할 수 있다.
또한, 제 5 실시예에서는 하측 차광막(501d)에서의 상보형 TFT(202d)에 대향 배치되는 섬 형상 부분을 제외하는 부분에 관해서는, 화상 표시 영역(10a) 내에 있는 하측 차광막(11a)의 경우와 같이 고정 전위로 떨어지도록 구성하여도 된다.
이상 도 1로부터 도 17을 참조하여 설명한 각 실시예에서는 데이터선 구동 회로(101)나 주사선 구동 회로(104)를 TFT 어레이 기판(10) 위에 마련하는 대신에, 예컨대 TAB(Tape Automated bonding) 기판 상에 실장된 구동용 LSI에, TFT 어레이 기판(10)의 주변부에 마련된 이방성 도전 필름을 거쳐서 전기적 및 기계적으로 접속하도록 하여도 된다. 또한, 대향 기판(20)의 투사광이 입사되는 측 및 TFT 어레이 기판(10)의 출사광이 출사되는 측에는 각각 예컨대, TN(Twisted Nematic) 모드, VA(Vertically Aligned) 모드, PDLC(Polymer Dispersed Liquid Crystal) 모드 등의 동작 모드나, 노멀리 화이트 모드/노멀리 블랙 모드의 각각에 따라서, 편광 필름, 위상차 필름, 편광판 등이 소정의 방향으로 배치된다.
(제 6 실시예)
본 발명의 제 6 실시예에 있어서의 전기광학 장치에 대하여, 도 18 내지 도 20을 참조하여 설명한다. 여기에 도 18은 제 6 실시예에 따른 도 1의 부호 A를 부여한 부분 부근을 확대하여 나타내는 평면도이며, 도 19는 비교예에 따른 도 1의 부호 A를 부여한 부분 부근을 확대하여 나타내는 평면도이다. 또한, 도 20은 제 6 실시예에 따른 도 2의 부호 CR를 부여한 부분 부근을 확대하여 나타내는 부분 단면도이다. 또한, 도 18내지 도 20에 있어서, 도 1로부터 도 9에 나타낸 제 1 실시예 및 도 10 및 도 11에 나타낸 제 2 실시예와 같은 구성요소에는 동일 참조 부호를 부여하며 그들의 설명은 생략한다.
우선, 도 18에 있어서, TFT 어레이 기판(10) 상에는 상술한 제 1 실시예에서 설명한 바와 같이 데이터선(6a)의 인출 배선(206)이 형성되어 있고, 이 인출 배선(206)의 한쪽 단부에는 도 3에 설명한 샘플링 회로(301)를 구성하는 TFT(202a)가 접속되어 있다. 또한, 이 도면에 있어서는, 주사선(3a)의 인출 배선(208)(본 발명에서 언급하는 「패턴부」의 일례에 해당한다)이 형성되어 있다. 이 인출 배선(208)의 도시하지 않는 연장단에는 주사선 구동 회로(도 1참조)가 접속되어 있다. 또한, 이 도면에 있어서는 대향 기판(20)상의 대향 전극을 소정의 전위를 공급하기 위한 등의 목적으로 설치된 각종의 배선(210, 212)이 형성되어 있다(도 1에 있어서의 상하 도통재(106)참조). 또한, 상기 인출 배선(206) 혹은 TFT(202a)에 대하여는, 상기한 각종 실시예와 마찬가지로, 이들을 적어도 부분적으로 TFT 어레이 기판(10) 측으로부터 피복하는 하측 차광막(501, 501a)이 형성되어 있다(도 4 또는 도 6 또는 도 10 또는 도 11 등 참조). 또, 상기한 배선(210, 212)은 제 6 실시예에 있어서 「제 2 패턴부」의 일례에 해당한다.
그리고, 제 6 실시예에서는 특히, 전술한 하측 차광막(501, 501a) 이외에, 화상 표시 영역(10a) 내에 형성된 화소 스위칭용 소자로서의 TFT(30)를 본래대로 TFT 어레이 기판(10)측으로부터 피복하는 하측 차광막(11a)(도 9 등 참조)과, 또한 화상 표시 영역(10a)의 주변에 위치하는 주변 영역의 전부를 피복하던지 하도록 형성된 영외 차광막(501A)이 형성되어 있다. 이상 세 종류의 차광막은 전부 동일막으로서, 즉 제조 공정 단계에서 동시에 형성되어 있다.
이 중 영외 차광막(501A) 등의 구성을 도 18에 의거하여 보다 자세히 보면 다음과 같이 되어 있다.
우선, 해당 도면의 좌상 부분에 있어서는, 인출 배선(206)을 피복하도록 하측 차광막(501)이 형성되어 있다(도 4 또는 도 6 참조). 또한, 도 18 중 아래쪽에 있어 서는, 샘플링 회로(301)를 구성하는 TFT(202a)를 피복하도록 하측 차광막(501a)이 형성되어 있다(도 10 또는 도 11 참조). 또한, 이 도면에 있어서는, 주사선(3a)으로부터 인출된 인출 배선(208)을 피복하도록 하측 차광막(501z)이 마련되어 있다. 이들은, 상기 각종 실시예에 있어서의 각종 하측 차광막과 동종의 목적을 가지며, 또한 마찬가지의 작용을 발휘한다.
그리고, 제 6 실시예에 따른 영외 차광막(501A)은 전술한 하측 차광막(501, 501a, 501z)의 형성 영역 이외의 영역(R1)에 이들과 일체적으로 형성된 제 2 하측 차광막(501Aa)을 포함한다. 즉, 이 제 2 하측 차광막(501Aa)은 프레임 영역(도 18 중 굵은 선 참조) 내에서의 상기한 인출 배선(206), 혹은 TFT(202a) 등의 형성 영역 이외의 영역(R1)에도 형성되어 있게 된다. 또한, 영외 차광막(501A)은 프레임 영역 밖의 영역(R2)에 마련된 배선(210, 212) 사이의 간격에 형성된 진정(眞正) 영외 차광막(501Ab)을 포함한다. 또, 배선(210) 아래 및 배선(212) 아래에 진정 영외 차광막(501Ab)은 형성하지 않아도 된다. 즉, 진정 영외 차광막(501Ab)은 분단 형성되도록 되어 있다.
이상 요컨대, 제 6 실시예에 있어서는, 배선(210 또는 212) 등에 관한 바와 같이 각종 배선 혹은 회로 소자가 형성되어 있는 영역에서 형성되어 있지 않은 경우가 있다손 치더라도, 영외 차광막(501A)은 TFT 어레이 기판(10)의 거의 전면을 피복하던지 하도록 형성되어 있게 된다.
이와 같은 영외 차광막(501A)에는 도 18에 도시하는 바와 같이 그 적소에 있어서 틈이 마련되어 있다. 즉, 해당 영외 차광막(501A)은 섬 형상으로 분단 형성되어 있음을 알 수 있다. 그리고, 제 6 실시예에 있어서, 섬 형상으로 형성된 영외 차광막(501A)의 섬 사이의 거리는 4㎛, 바람직하게는 2㎛ 이하가 되도록 되어 있다. 이러한 형상은 당해 영외 차광막(501A)을 형성할 때에 있어서 적당한 패터닝 처리를 하도록 해 두면 간단히 형성할 수 있다.
이와 같은 영외 차광막(501A)의 존재에 의해, 다음과 같은 작용 효과가 있다. 즉, 비교예인 도 19에 도시하는 바와 같이 제 6 실시예에 따른 영외 차광막(501A)이 형성되어 있지 않은 경우에 있어서는, 그 부분은 TFT 어레이 기판(10)의 면이, 말하자면 노출된 대로 쬔 상태이다(다만, 각종의 층간 절연막(12, 41, 42, 43) 등은 당연히 형성되어 있다). 따라서, 해당 부분에 관해서는, 입사광이「그대로」 통과할 가능성이 있고, 이 광이 화상을 구성하는 광(Lout)(도 4또는 도 6참조)에 혼입함으로써 화상 표시에 영향을 미치게 할 가능성이 있다. 예컨대, 전술한 바와 같은 복귀 광이, 영역(R1)을 통과하여 프레임 차광막(53)에서 반사되어 다시 영역(R1)을 통과하는 경우, 이 광은 화상을 구성하는 광(Lout)에 혼입될 개연성이 높기 때문에 화상의 둘레 근방에 흐릿한 광의 상을 표시할 가능성이 있는 것이다.
그런데, 제 6 실시예에 있어서는, 상술 한 바와 같이 영역(R1, R2)을 포함하여, 제 2 하측 차광막(501Aa) 및 진정 영외 차광막(501Ab)을 포함하는 영외 차광막(501A)이 형성되어 있기 때문에, 상술한 바와 같이 사상은 거의 발생할 수 있지 않는다. 따라서, 제 6 실시예에 의하면, 화상의 둘레 근방에 흐릿한 광의 상이 발생하는 등의 사태를 미연에 회피할 수 있어, 돋보임이 좋고 또한 보다 고품질인 화상을 표시하는 것이 가능해진다.
또한, 제 6 실시예에 있어서의 영외 차광막(501A)은 상술한 바와 같이 분단 형성되어 있고, 혹은 배선(210) 및 배선(212) 사이의 간격에 형성된 진정 영외 차광막(501Ab)과 같이 장소에 따라 크게 분단 형성되어 있는 것에 의해, 이러한 차광막을 고체 형상으로 형성하는 경우와 비교하여 상대적으로 그 내부 응력을 저감할 수 있다. 이것에 의해, 당해 영외 차광막(501A)이 자신의 내부 응력에 의해서 파괴하는 것에 이르거나, 혹은 그 주위의 구성(예컨대, 하지 절연막(12)등)에 크랙을 생기게 하거나 하는 사태는 거의 발생하지 않게 되어 신뢰성이 높은 전기광학 장치를 제공할 수 있다.
덧붙여서 말하면, 영역(R1) 등에 있어서의 영외 차광막(501A)이 분단 형성되어 있는 경우에 있어서의, 각 섬 사이의 간격은 4㎛, 바람직하게는 2㎛ 이하로 되어 있는 것으로부터 해당 극간을 통과한 광이 그 배후에 있는 프레임 차광막(53) 등에 의해서 반사된 후, 다시 해당 극간을 통과한다고 하는 사상은 거의 발생할 수 없다. 따라서, 이러한 광이 화상을 구성하는 광(Lout)에 혼입할 염려는 대단히 작고, 해당 극간이 화상 표시에 부여하는 영향은 대단히 작다. 이와 같이, 제 6 실시예에 있어서는 상술한 섬 형상 형성에 의한 작용 효과, 즉 내부 응력의 저감이라는 작용 효과를 얻으면서도, 영외 차광막(501A) 그 본래의 작용 효과, 즉 화상 주위에서의 광의 상의 발생 방지라는 작용 효과도 손색없게 누릴 수 있다.
또, 이러한 제 6 실시예에 따른 영외 차광막(501A)에 관하여, 상술에서는 「TFT 어레이 기판(10)의 거의 전면을 피복하도록」 형성된다고 하였지만, 본 발명의 관점에서는 해당 영외 차광막(501A)이 자의대로 TFT 어레이 기판(10)의「전면」에 형성될 필요는 물론 없다. 사실, 도 18 및 도 19에 있어서도 이미 영외 차광막(501A)은 적소에서 분단 형성되어 있고, 이것으로부터 하더라도, 해당 영외 차광막(501A)이 「전면」에 형성될 필요가 없는 것은 분명하다.
또한 적극적으로 말하면, 본 발명에 따른 영외 차광막은, 예컨대 도 20에 있어서 나타내는 부분 WW의 영역에 관해서만 형성하도록 하면 된다. 이 도면에 있어서, 해당 부분 WW는, 즉 실장 케이스(800)에 형성된 표시창의 가장자리 부분(801a)과, 하측 차광막(501)의 가장자리 부분 사이의 부분이다. 왜냐하면, 이러한 부분 WW 이외의 부분에 있어서는, 실장 케이스(800)의 존재에 의해 광의 진행이 차단되는 것으로부터, 상술한 「그대로」의 광 통과라는 사상은 실질적으로 해당 부분 WW에서만 발생한다고 생각할 수 있기 때문이다. 따라서, 영외 차광막은 도 20에 도시하는 바와 같이 해당 부분 WW에서만 형성되어 있으면 충분하다(부호 501B 참조, 또한, 광 LA의 진행 참조).
그리고, 이러한 형성 형태에 의하면 효과적으로 차광을 실현할 수 있고, 또한, 이 경우에 있어서의 영외 차광막(501B)은 적절하고 필요한 면적만 형성하면 되므로, 해당 차광막 내부에서의 내부 응력에 기인한 상기한 바와 같은 불량의 발생을 보다 억제할 수 있게 된다.
이상 설명한 실시예에 있어서의 전기광학 장치는, 프로젝터에 적용되기 때문에, 3장의 전기광학 장치가 RGB 용의 광 밸브로서 각각 이용되고, 각 광 밸브에는 각각 RGB 색 분해용의 다이클로익 미러를 거쳐서 분해된 각 색의 광이 투사광으로서 각각 입사하게 된다. 따라서, 각 실시예에서는, 대향 기판(20)에 컬러 필터는 마련되어 있지 않다. 그러나, 화소 전극(9a)에 대향하는 소정 영역에 RGB의 컬러 필터를 그 보호막과 함께 대향 기판(20) 상에 형성하여도 된다. 이와 같이 하면, 프로젝터 이외의 직시형이나 반사형의 컬러 전기광학 장치에 있어서, 각 실시예에 있어서의 전기광학 장치를 적용할 수 있다. 또한, 대향 기판(20) 상에 1 화소 1개대응하도록 마이크로 렌즈를 형성하여도 된다. 혹은, TFT 어레이 기판(10) 상의 RGB에 대향하는 화소 전극(9a) 밑에 컬러 레지스터 등으로 컬러 필터층을 형성하는 것도 가능하다. 이와 같이 하면, 입사광의 집광 효율을 향상하는 것으로 밝은 전기광학 장치가 실현될 수 있다. 또한, 대향 기판(20) 상에 몇 층쯤의 굴절율의 상위하는 간섭층을 퇴적하는 것으로, 광의 간섭을 이용하여, RGB 색을 만들어내는 다이클로익 필터를 형성하여도 된다. 이 다이클로익 필터 첨부 대향 기판에 의하면,보다 밝은 컬러 전기광학 장치가 실현할 수 있다.
(전자기기의 실시예)
다음에, 이상 상세히 설명한 전기광학 장치를 광 밸브로서 이용한 전자기기의 일례인 투사형 컬러 표시 장치의 실시예에 대하여, 그 전체 구성, 특히 광학적인 구성에 대하여 설명한다. 여기에 도 21은 투사형 컬러 표시 장치의 도식적 단면도이다.
도 21에 있어서, 본 실시예에 있어서의 투사형 컬러 표시 장치의 일례인 액정 프로젝터(1100)는 구동 회로가 TFT 어레이 기판 상에 탑재된 액정 장치를 포함하는 액정 모듈을 3개 준비하여, 각기 RGB 용의 광 밸브(100R, 100G, 100B)로서 이용한 프로젝터로서 구성되어 있다. 액정 프로젝터(1100)에서는, 메탈 할라이드(metal halide) 램프 등의 백색 광원의 램프 유닛(1102)으로부터 투사광이 발생하면, 3장의 미러(1106) 및 2장의 다이클로익 미러(1108)에 의해서 RGB의 3원색에 대응하는 광 성분 R, G, B로 나누어지고, 각 색에 대응하는 광 밸브(100R, 100G, 100B)로 전달된다. 이 때 특히 B 광은 긴 광로에 의한 광손실을 막기 위해서, 입사 렌즈(1122), 릴레이 렌즈(1123) 및 출사 렌즈(1124)로 이루어지는 릴레이 렌즈계(1121)를 거쳐서 전달된다. 그리고, 광 밸브(100R, 100G 및 100B)에 의해 각기 변조된 3원색에 대응하는 광성분은 다이클로익 프리즘(1112)에 의해 두 번째 합성된 후, 투사 렌즈(1114)를 거쳐서 스크린(1120)에 컬러 화상으로서 투사된다.
또한, 본 발명의 전기광학 장치는, 전기영동 장치나 EL 장치 등에도 적용할 수 있다.
본 발명은, 상술한 실시예에 한정되는 것이 아니라, 청구의 범위 및 명세서 전체로부터 판독할 수 있는 발명의 요지 혹은 사상에 반하지 않는 범위로 적절히 변경 가능하고, 그와 같은 변경을 따르는 전기광학 장치 및 전자기기도 또 본 발명의 기술적 범위에 포함되는 것이다.
이상과 같이 본 발명의 전기광학 장치에 의하면, 프레임 영역에 마련된 배선이나 회로 소자로 이루어지는 패턴부에 기인하여, 표시 화상의 외측에 비추어지는 명암 패턴을 저감할 수 있다. 따라서, 표시 화상의 둘레 부근에 비추어지는 명암 패턴을 숨기기 위해서 프레임 차광막을 폭이 넓게 할 필요도 없어져, 한정된 기판 상의 영역에서 넓은 화상 표시 영역을 확보하는 것도 가능해진다.
또한 본 발명의 전기광학 장치에 의하면, 하측 차광막은 프레임 영역 전체가 아니라 패턴부에 대향하는 일부에 마련되기 때문에, 프레임 영역 전체에 형성하는 경우와 비교하여 응력의 발생을 저감할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예의 전기광학 장치에 있어서의 TFT 어레이 기판을 그 위에 형성된 각 구성요소와 같이 대향 기판의 측에서 본 평면도,
도 2는 도 1의 H-H’ 단면도,
도 3은 본 발명의 제 1 실시예의 전기광학 장치에 있어서의 화상 표시 영역을 구성하는 매트릭스 형상의 복수의 화소에 마련된 각종 소자, 배선 등의 등가 회로를 주변 회로와 함께 나타내는 블럭도,
도 4는 도 2에 있어서의 CR 부분 부근을 확대하여 나타내는 부분단면도,
도 5는 비교예에 있어서의 CR 부분 부근에 대응하는 개소를 확대하여 나타내는 부분단면도,
도 6은 도 4에 나타낸 부위 중 프레임 차광막, 데이터선의 인출 배선 및 하측 차광막을 발췌하여 부분적으로 나타내는 도식적인 부분사시도,
도 7은 비교예에 있어서의 프레임 차광막 및 데이터선의 인출 배선을 발췌하여 부분적으로 나타내는 도식적인 부분사시도,
도 8은 실시예의 전기광학 장치에 있어서의 데이터선, 주사선, 화소 전극 등이 형성된 TFT 어레이 기판의 서로 인접하는 복수의 화소군의 평면도,
도 9는 도 8의 E-E’ 단면도,
도 10은 본 발명의 제 2 실시예에 있어서의 주변 회로를 구성하는 상보형 트랜지스터의 확대 평면도,
도 11은 도 10의 A-A’ 단면도,
도 12는 본 발명의 제 3 실시예에 있어서의 주변 회로를 구성하는 상보형 트랜지스터의 확대 평면도,
도 13은 도 12의 B-B’ 단면도,
도 14는 본 발명의 제 4 실시예에 있어서의 주변 회로를 구성하는 상보형 트랜지스터의 확대 평면도,
도 15는 도 14의 C-C’ 단면도,
도 16은 본 발명의 제 5 실시예에 있어서의 주변 회로를 구성하는 상보형 트랜지스터의 확대 평면도,
도 17은 도 16의 D-D’ 단면도,
도 18은 본 발명의 제 6 실시예에 있어서의 도 2의 부호 A를 부여한 부분 부근을 확대하여 나타내는 평면도,
도 19는 비교예에 있어서의 도 2의 부호 A를 부여한 부분 부근을 확대하여 나타내는 평면도,
도 20은 본 발명의 제 6 실시예에 있어서의 도 2의 부호 CR를 부여한 부분 부근을 확대하여 나타내는 부분단면도,
도 21은 본 발명의 전자기기의 실시예인 투사형 컬러 표시 장치의 일례인 컬러 액정 프로젝터를 나타내는 도식적 단면도.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1a : 반도체층 1a’: 채널 영역
1b : 저농도 소스 영역 1c : 저농도 드레인 영역
1d : 고농도 소스 영역 1e : 고농도 드레인 영역
2 : 절연막 3a : 주사선
6a : 데이터선 9a : 화소 전극
10 : TFT 어레이 기판 11a : 하측 차광막
12 : 하지 절연막 16 : 배향막
20 : 대향 기판 21 : 대향 전극
22 : 배향막 30 : TFT
50 : 액정층 53 : 프레임 차광막
70 : 축적 용량 71 : 중계층
81, 83, 85 : 콘택트 홀 101 : 데이터선 구동 회로
104 : 주사선 구동 회로 114 : 샘플링 회로 구동 신호선
115 : 화상 신호선 116 : 인출 배선
202 : TFT 202a∼202d : 상보형 TFT
206 : 인출 배선 300 : 용량선
301 : 샘플링 회로 302 : TFT
501 : 하측 차광막

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  12. 전기 광학 장치로서,
    기판상의 화상 표시 영역에 배치된 표시용 전극과,
    상기 화상 표시 영역의 주위를 규정하는 프레임 차광막과,
    상기 프레임 차광막으로부터 상기 기판측으로 마련되고, 또한 상기 프레임 차광막의 영역내에 위치하고, 상기 표시용 전극에 화소 스위칭용 소자를 사이에 두고 또는 직접 접속되는 배선 및 제 1 트랜지스터를 포함하는 회로 소자중 적어도 한쪽으로 이루어지는 패턴부와,
    상기 프레임 차광막의 영역에 있어 상기 패턴부에 겹치도록 상기 기판측으로부터 덮는 도전성 하측 차광막
    을 구비하고,
    상기 하측 차광막 중 적어도 상기 제 1 트랜지스터의 하측에 적층된 부분은 상기 하측 차광막 중 상기 제 1 트랜지스터의 소스 전극에 대향하는 부분과 상기 하측 차광막 중 상기 제 1 트랜지스터의 드레인 전극에 대향하는 부분을 상호 분리하도록 섬 형상으로 마련된 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기광학 장치.
  13. 전기 광학 장치로서,
    기판상의 화상 표시 영역에 배치된 표시용 전극과,
    상기 화상 표시 영역의 주위를 규정하는 프레임 차광막과,
    상기 프레임 차광막으로부터 상기 기판측으로 마련되고, 또한 상기 프레임 차광막의 영역내에 위치하고, 상기 표시용 전극에 화소 스위칭용 소자를 사이에 두고 또는 직접 접속되는 배선 및 제 1 트랜지스터를 포함하는 회로 소자중 적어도 한쪽으로 이루어지는 패턴부와,
    상기 프레임 차광막의 영역에 있어 상기 패턴부에 겹치도록 상기 기판측으로부터 덮는 도전성 하측 차광막
    을 구비하고,
    상기 하측 차광막 중 적어도 상기 제 1 트랜지스터의 하측에 적층된 부분에는, 상기 하측 차광막 중 상기 제 1 트랜지스터의 소스 전극에 대향하는 부분과, 상기 하측 차광막 중 상기 제 1 트랜지스터의 드레인 전극에 대향하는 부분을 분리하도록 슬릿이 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 전기광학 장치.
  14. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,
    상기 하측 차광막은 상기 기판의 평탄한 표면상에 바로 또는 평탄한 하지 절연막을 사이에 두고 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전기광학 장치.
  15. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,
    상기 하측 차광막은 광 흡수막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전기광학 장치.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 광 흡수막은 폴리실리콘막 및 고융점 금속막 중 적어도 한쪽을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기광학 장치.
  17. 제 12 항에 있어서,
    상기 하측 차광막은 적어도 부분적으로 고정 전위가 공급되고 있는 것을 특징으로 하는 전기광학 장치.
  18. 제 12 항에 있어서,
    상기 하측 차광막 중 적어도 상기 제 1 트랜지스터의 하측에 적층된 부분은 플로팅 전위로 되어 있는 것을 특징으로 하는 전기광학 장치.
  19. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,
    상기 제 1 트랜지스터는 상보형 트랜지스터를 구성하는 것을 특징으로 하는 전기광학 장치.
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  29. 전자 기기로서, 청구항 12 또는 13에 기재된 전기 광학 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 기기.
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Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005529375A (ja) 2002-06-13 2005-09-29 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ 改良された電気光学的にアクティブな装置
JP3772888B2 (ja) 2003-05-02 2006-05-10 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
US6885416B2 (en) * 2003-07-07 2005-04-26 Au Optronics Corp. Flat panel display with a non-matrix light shielding structure
JP4285158B2 (ja) 2003-08-29 2009-06-24 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
TWI265348B (en) * 2003-09-24 2006-11-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd Liquid crystal display device and the fabricating method thereof
TWI257516B (en) * 2004-07-01 2006-07-01 Hannstar Display Corp ODF cell structure
KR100821544B1 (ko) 2005-08-11 2008-04-11 세이코 엡슨 가부시키가이샤 전기 광학 장치, 배선 기판, 및 전자기기
JP5066836B2 (ja) * 2005-08-11 2012-11-07 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP4851817B2 (ja) 2006-03-15 2012-01-11 シチズンホールディングス株式会社 表示装置及びその製造方法
JP4187015B2 (ja) * 2006-06-15 2008-11-26 エプソンイメージングデバイス株式会社 液晶表示パネル
KR101242030B1 (ko) * 2006-06-22 2013-03-11 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 소자
JP5125002B2 (ja) * 2006-06-23 2013-01-23 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP4274232B2 (ja) * 2006-11-27 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、及びこれを備えた電子機器
US7800718B2 (en) * 2007-08-02 2010-09-21 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and electronic apparatus having a light-shielding film at least partially overlapping with a transistor in plan view and having a plurality of openings overlapping with the transistor
JP5120066B2 (ja) * 2007-08-02 2013-01-16 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP4379507B2 (ja) * 2007-09-05 2009-12-09 ソニー株式会社 液晶表示装置および液晶パネル
JP5157602B2 (ja) * 2008-04-03 2013-03-06 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
DE102009004130A1 (de) * 2009-01-05 2010-07-08 Leonhard Kurz Stiftung & Co. Kg Mehrschichtiges Folienelement
CN102308247B (zh) * 2009-03-13 2015-07-15 夏普株式会社 液晶显示装置及其制造方法
WO2011102030A1 (ja) * 2010-02-18 2011-08-25 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板、ガラス基板、液晶パネル、および液晶表示装置
CN102792219B (zh) * 2010-04-16 2014-12-03 夏普株式会社 显示装置
US8836879B2 (en) * 2010-06-10 2014-09-16 Apple Inc. Displays with minimized curtain mura
JP5299872B2 (ja) 2010-11-30 2013-09-25 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
US10159146B2 (en) * 2012-01-18 2018-12-18 Kyocera Corporation Input apparatus, display apparatus, and electronic apparatus
JP6120660B2 (ja) 2013-04-25 2017-04-26 株式会社ジャパンディスプレイ 投射型液晶表示装置
JP6244802B2 (ja) * 2013-10-11 2017-12-13 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
JP6327450B2 (ja) * 2014-03-28 2018-05-23 Ｔｉａｎｍａ Ｊａｐａｎ株式会社 液晶表示装置
US9391200B2 (en) * 2014-06-18 2016-07-12 Stmicroelectronics, Inc. FinFETs having strained channels, and methods of fabricating finFETs having strained channels
CN107533819A (zh) * 2015-05-25 2018-01-02 夏普株式会社 显示装置的驱动电路
US10706803B2 (en) 2015-05-25 2020-07-07 Sharp Kabushiki Kaisha Shift register circuit
KR102554251B1 (ko) * 2015-12-07 2023-07-11 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
CN105374882A (zh) * 2015-12-21 2016-03-02 武汉华星光电技术有限公司 一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法
CN107146857B (zh) * 2017-05-22 2019-02-12 上海天马有机发光显示技术有限公司 显示面板、显示面板的制作方法和显示装置
JP6805081B2 (ja) * 2017-05-26 2020-12-23 新光電気工業株式会社 発光装置用蓋体
JP6531787B2 (ja) 2017-06-26 2019-06-19 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP6536634B2 (ja) * 2017-07-28 2019-07-03 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
JP6562056B2 (ja) * 2017-10-30 2019-08-21 セイコーエプソン株式会社 透過型電気光学装置および電子機器
JP6631646B2 (ja) * 2018-02-27 2020-01-15 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
JP6690671B2 (ja) 2018-06-20 2020-04-28 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
CN110794610A (zh) 2018-08-02 2020-02-14 京东方科技集团股份有限公司 一种显示组件、显示装置
KR20200144162A (ko) * 2019-06-17 2020-12-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP7028236B2 (ja) * 2019-12-05 2022-03-02 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0312635A (ja) * 1989-06-09 1991-01-21 Sharp Corp 液晶表示装置
JPH0756160A (ja) * 1993-08-23 1995-03-03 Hosiden Corp アクティブマトリクス液晶表示素子
JPH0926601A (ja) * 1995-07-13 1997-01-28 Sony Corp 液晶表示装置およびその製造方法
JPH0950044A (ja) * 1995-08-08 1997-02-18 Sony Corp アクティブマトリクス表示装置
JPH0980485A (ja) * 1995-09-13 1997-03-28 Canon Inc 液晶表示装置
JPH0980480A (ja) * 1995-09-13 1997-03-28 Sony Corp 液晶表示装置
JPH10301100A (ja) * 1997-02-27 1998-11-13 Seiko Epson Corp 液晶装置及びその製造方法、並びに投写型表示装置
JPH11295683A (ja) * 1997-09-11 1999-10-29 Seiko Epson Corp 電気光学装置およびその製造方法並びに投射型表示装置
JPH11295708A (ja) * 1997-09-11 1999-10-29 Seiko Epson Corp 光変調装置、およびこれを用いた投写型表示装置
JP2000019979A (ja) * 1998-07-06 2000-01-21 Seiko Epson Corp 変調装置、およびこれを用いた投写型表示装置
JP2000275676A (ja) * 1999-03-19 2000-10-06 Fujitsu Ltd 液晶表示装置及びそれを用いた電子機器
KR20010006366A (ko) * 1998-02-19 2001-01-26 야스카와 히데아키 액티브 매트릭스 기판, 전기 광학 장치, 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법 및 전자 기기

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5247375A (en) * 1990-03-09 1993-09-21 Hitachi, Ltd. Display device, manufacturing method thereof and display panel
JPH04361229A (ja) 1991-06-07 1992-12-14 Nec Corp Ｌｃｄパネル
TW214603B (en) * 1992-05-13 1993-10-11 Seiko Electron Co Ltd Semiconductor device
EP0592063A3 (en) * 1992-09-14 1994-07-13 Toshiba Kk Active matrix liquid crystal display device
JPH0798459A (ja) 1993-09-29 1995-04-11 Nippondenso Co Ltd 液晶表示装置
TW321731B (ko) * 1994-07-27 1997-12-01 Hitachi Ltd
TW347477B (en) * 1994-09-30 1998-12-11 Sanyo Electric Co Liquid crystal display with storage capacitors for holding electric charges
KR0169385B1 (ko) * 1995-03-10 1999-03-20 김광호 블랙 매트릭스 구조가 가능한 액정용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조방법
US6081305A (en) * 1995-05-30 2000-06-27 Hitachi, Ltd. Liquid crystal light valve and projection type liquid crystal display using such valve
JPH09105953A (ja) * 1995-10-12 1997-04-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
US5739880A (en) * 1995-12-01 1998-04-14 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display device having a shielding film for shielding light from a light source
JP3219685B2 (ja) * 1996-06-04 2001-10-15 キヤノン株式会社 液晶表示装置およびその製造方法
JP3640224B2 (ja) * 1996-06-25 2005-04-20 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示パネル
JP2839085B2 (ja) * 1996-07-25 1998-12-16 日本電気株式会社 液晶表示装置
JP3475421B2 (ja) * 1996-09-18 2003-12-08 ソニー株式会社 液晶表示装置
JP3249077B2 (ja) * 1996-10-18 2002-01-21 キヤノン株式会社 マトリクス基板と液晶装置
US5774957A (en) 1996-11-06 1998-07-07 Kohl; Thomas D. Jewelry clasp
JP3281848B2 (ja) * 1996-11-29 2002-05-13 三洋電機株式会社 表示装置
US6184962B1 (en) * 1997-03-05 2001-02-06 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device with visible peripheral non-display region having masking sub-electrodes
KR100264887B1 (ko) * 1997-08-11 2000-09-01 구본준 액정표시장치
JPH11101986A (ja) * 1997-09-26 1999-04-13 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置及び表示装置用大基板
JP4050377B2 (ja) * 1997-10-31 2008-02-20 セイコーエプソン株式会社 液晶装置及び電子機器並びに投射型表示装置
JPH11183934A (ja) * 1997-12-19 1999-07-09 Seiko Epson Corp 液晶パネル及びその製造方法並びに電子機器
TWI224221B (en) * 1998-01-30 2004-11-21 Seiko Epson Corp Electro-optic apparatus, electronic apparatus using the same, and its manufacturing method
TWI245950B (en) * 1999-03-19 2005-12-21 Sharp Kk Liquid crystal display apparatus
JP3374911B2 (ja) * 1999-09-30 2003-02-10 日本電気株式会社 透過液晶パネル、画像表示装置、パネル製造方法
JP3987248B2 (ja) 1999-09-30 2007-10-03 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
US6542205B2 (en) * 2000-08-04 2003-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US6545731B2 (en) * 2001-04-13 2003-04-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Liquid crystal display device having light isolation structure
KR20010106366A (ko) 2001-10-29 2001-11-29 김진태 진공흡착기를 이용한 받침대
JP4551049B2 (ja) * 2002-03-19 2010-09-22 三菱電機株式会社 表示装置

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0312635A (ja) * 1989-06-09 1991-01-21 Sharp Corp 液晶表示装置
JPH0756160A (ja) * 1993-08-23 1995-03-03 Hosiden Corp アクティブマトリクス液晶表示素子
JPH0926601A (ja) * 1995-07-13 1997-01-28 Sony Corp 液晶表示装置およびその製造方法
JPH0950044A (ja) * 1995-08-08 1997-02-18 Sony Corp アクティブマトリクス表示装置
JPH0980485A (ja) * 1995-09-13 1997-03-28 Canon Inc 液晶表示装置
JPH0980480A (ja) * 1995-09-13 1997-03-28 Sony Corp 液晶表示装置
JPH10301100A (ja) * 1997-02-27 1998-11-13 Seiko Epson Corp 液晶装置及びその製造方法、並びに投写型表示装置
JPH11295683A (ja) * 1997-09-11 1999-10-29 Seiko Epson Corp 電気光学装置およびその製造方法並びに投射型表示装置
JPH11295708A (ja) * 1997-09-11 1999-10-29 Seiko Epson Corp 光変調装置、およびこれを用いた投写型表示装置
KR20010006366A (ko) * 1998-02-19 2001-01-26 야스카와 히데아키 액티브 매트릭스 기판, 전기 광학 장치, 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법 및 전자 기기
JP2000019979A (ja) * 1998-07-06 2000-01-21 Seiko Epson Corp 変調装置、およびこれを用いた投写型表示装置
JP2000275676A (ja) * 1999-03-19 2000-10-06 Fujitsu Ltd 液晶表示装置及びそれを用いた電子機器

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