JPH04361229A - Ｌｃｄパネル - Google Patents
ＬｃｄパネルInfo
- Publication number
- JPH04361229A JPH04361229A JP3163586A JP16358691A JPH04361229A JP H04361229 A JPH04361229 A JP H04361229A JP 3163586 A JP3163586 A JP 3163586A JP 16358691 A JP16358691 A JP 16358691A JP H04361229 A JPH04361229 A JP H04361229A
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- JP
- Japan
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- substrate
- counter electrode
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- tft
- film
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- Pending
Links
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶プロジェクタのラ
イトバルブ等に用いられるＬＣＤパネルに関する。
イトバルブ等に用いられるＬＣＤパネルに関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は、この種従来のＬＣＤプロジェク
タパネルの断面図である。同図に示されるように、ＬＣ
ＤプロジェクタパネルはＴＦＴ基板１と、対向電極基板
２と、これら両基板間に狭持された液晶３とによって構
成される。
タパネルの断面図である。同図に示されるように、ＬＣ
ＤプロジェクタパネルはＴＦＴ基板１と、対向電極基板
２と、これら両基板間に狭持された液晶３とによって構
成される。
【０００３】ＴＦＴ基板１は、ガラス基板４、ＩＴＯ膜
からなる蓄積容量電極５、クロム膜からなるゲート電極
６および蓄積容量線７、窒化膜からなるゲート絶縁膜８
、アモルファスシリコン膜９、アモルファスシリコン膜
と接触する、クロム膜からなるドレイン電極１０とソー
ス電極１１、ソース電極１１に接続された、ＩＴＯ膜か
らなる画素電極１２およびトランジスタの表面を保護す
る絶縁膜１３から構成される。
からなる蓄積容量電極５、クロム膜からなるゲート電極
６および蓄積容量線７、窒化膜からなるゲート絶縁膜８
、アモルファスシリコン膜９、アモルファスシリコン膜
と接触する、クロム膜からなるドレイン電極１０とソー
ス電極１１、ソース電極１１に接続された、ＩＴＯ膜か
らなる画素電極１２およびトランジスタの表面を保護す
る絶縁膜１３から構成される。
【０００４】また、対向電極基板２は、ガラス基板１７
、ＩＴＯを全面的に被着して形成された対向電極１８、
クロム膜からなり、前記画素電極１２と対応した位置に
表示窓１９ａが開孔されている遮光膜１９から構成され
ている。
、ＩＴＯを全面的に被着して形成された対向電極１８、
クロム膜からなり、前記画素電極１２と対応した位置に
表示窓１９ａが開孔されている遮光膜１９から構成され
ている。
【０００５】ここで、遮光膜１９は、■ＴＦＴのチャネ
ル領域となるアモルファスシリコン膜９に光が入射する
のを防止して光励起による暗電流の発生を抑止する、■
特に、ノーマリホワイト型パネルでは、液晶の画素電極
によってコントロールされない部分を光が透過するのを
阻止して、パターンのくずれやコントラスト比の低下を
防止する、等の機能を果たすように設けられた膜である
。
ル領域となるアモルファスシリコン膜９に光が入射する
のを防止して光励起による暗電流の発生を抑止する、■
特に、ノーマリホワイト型パネルでは、液晶の画素電極
によってコントロールされない部分を光が透過するのを
阻止して、パターンのくずれやコントラスト比の低下を
防止する、等の機能を果たすように設けられた膜である
。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のパネル
の構造では、ＴＦＴ基板上のＴＦＴ素子部やラインパタ
ーン部を遮光するための遮光膜が対向電極基板側にあっ
たため、両基板を接着する際の位置合わせずれを考慮し
、また、光源からの入射光が入射角度によって画素電極
以外の部分に入射して、光励起等を起こさせるのを防止
するために、遮光膜の表示窓を画素電極の面積よりもか
なり狭くしていた。このために、従来例では、表示窓の
開口率が小さくなるという問題点があった。
の構造では、ＴＦＴ基板上のＴＦＴ素子部やラインパタ
ーン部を遮光するための遮光膜が対向電極基板側にあっ
たため、両基板を接着する際の位置合わせずれを考慮し
、また、光源からの入射光が入射角度によって画素電極
以外の部分に入射して、光励起等を起こさせるのを防止
するために、遮光膜の表示窓を画素電極の面積よりもか
なり狭くしていた。このために、従来例では、表示窓の
開口率が小さくなるという問題点があった。
【０００７】また、従来例では、遮光膜とＴＦＴ基板と
の間の距離が大きいため、表示窓の面積を狭くしても多
重反射等による迷光がＴＦＴ素子に入射する可能性が高
く光励起電流の十分な抑制が困難であった。
の間の距離が大きいため、表示窓の面積を狭くしても多
重反射等による迷光がＴＦＴ素子に入射する可能性が高
く光励起電流の十分な抑制が困難であった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のＬＣＤパネルは
、ＴＦＴおよび画素電極が形成されたＴＦＴ基板と、対
向電極が形成された対向電極基板とを備えるものであっ
て、ＴＦＴ基板側には少なくともＴＦＴ素子部上を覆う
遮光膜が設けられている。
、ＴＦＴおよび画素電極が形成されたＴＦＴ基板と、対
向電極が形成された対向電極基板とを備えるものであっ
て、ＴＦＴ基板側には少なくともＴＦＴ素子部上を覆う
遮光膜が設けられている。
【０００９】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１は、本発明の第１の実施例を示す断面
図である。同図において、図３の部分と同等の部分には
同一の参照番号が付されているので、重複した説明は省
略する。
て説明する。図１は、本発明の第１の実施例を示す断面
図である。同図において、図３の部分と同等の部分には
同一の参照番号が付されているので、重複した説明は省
略する。
【００１０】本実施例においては、対向電極基板２側に
は遮光膜が設けられておらず、代って、ＴＦＴ基板１側
にこれが設けられている。本実施例において、画素電極
１２を形成した後、ＴＦＴ素子を保護する絶縁膜１３を
形成する迄の工程は従来例と同様である。絶縁膜１３を
形成した後、全面に黒色顔料を含む塗料を塗布して遮光
膜１４を形成し、さらにその上に絶縁膜１５を成膜する
。次に、フォトリソグラフィ技術を用いて、画素電極部
分の絶縁膜と遮光膜とを除去して、表示窓１４ａを形成
する。
は遮光膜が設けられておらず、代って、ＴＦＴ基板１側
にこれが設けられている。本実施例において、画素電極
１２を形成した後、ＴＦＴ素子を保護する絶縁膜１３を
形成する迄の工程は従来例と同様である。絶縁膜１３を
形成した後、全面に黒色顔料を含む塗料を塗布して遮光
膜１４を形成し、さらにその上に絶縁膜１５を成膜する
。次に、フォトリソグラフィ技術を用いて、画素電極部
分の絶縁膜と遮光膜とを除去して、表示窓１４ａを形成
する。
【００１１】このように遮光膜を構成すれば、基板接着
時の位置合わせずれや斜め入射光について考慮する必要
がなくなり、開口率を大きくすることができる。また、
多重反射による迷光がＴＦＴに入射する可能性も低くな
り、光励起による暗電流も低下する。さらに、遮光膜と
して絶縁体を用いたことにより、ＴＦＴ素子および配線
の寄生容量を増加させることがないので、クロム膜の遮
光膜と異なり動作に悪影響を及ぼすことがない。
時の位置合わせずれや斜め入射光について考慮する必要
がなくなり、開口率を大きくすることができる。また、
多重反射による迷光がＴＦＴに入射する可能性も低くな
り、光励起による暗電流も低下する。さらに、遮光膜と
して絶縁体を用いたことにより、ＴＦＴ素子および配線
の寄生容量を増加させることがないので、クロム膜の遮
光膜と異なり動作に悪影響を及ぼすことがない。
【００１２】図２は、本発明の第２の実施例を示す断面
図である。本実施例では、遮光膜１６はスパック法によ
るセラミック材料の堆積によって形成されている。また
、この実施例では、遮光膜はＴＦＴ上および配線パター
ン（図示なし）上にのみ形成されている。
図である。本実施例では、遮光膜１６はスパック法によ
るセラミック材料の堆積によって形成されている。また
、この実施例では、遮光膜はＴＦＴ上および配線パター
ン（図示なし）上にのみ形成されている。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、ＬＣＤ
プロジェクタのライトバルブ等に使用する液晶パネルに
おいて、ＴＦＴ基板の少なくともＴＦＴ素子部を絶縁性
の遮光膜で直接覆った構造としたものであるので、従来
技術に比べ表示窓の開口率を上げることができる。しか
も、開口率を上げても、構造的にＴＦＴに迷光が入射す
る可能性が低くなっているので、光励起電流を低く抑え
ることができる。また、遮光膜を絶縁性の被覆としたの
で、ＴＦＴ素子や配線の寄生容量を低く抑えることがで
き、高速動作性を維持することができる。
プロジェクタのライトバルブ等に使用する液晶パネルに
おいて、ＴＦＴ基板の少なくともＴＦＴ素子部を絶縁性
の遮光膜で直接覆った構造としたものであるので、従来
技術に比べ表示窓の開口率を上げることができる。しか
も、開口率を上げても、構造的にＴＦＴに迷光が入射す
る可能性が低くなっているので、光励起電流を低く抑え
ることができる。また、遮光膜を絶縁性の被覆としたの
で、ＴＦＴ素子や配線の寄生容量を低く抑えることがで
き、高速動作性を維持することができる。
【図１】本発明の第１の実施例を示す断面図。
【図２】本発明の第２の実施例を示す断面図。
【図３】従来例の断面図。
１…ＴＦＴ基板、 ２…対向電極基板、
３…液晶、 ４…ガラス基板、
５…蓄積容量電極、 ６…ゲート電
極、 ７…蓄積容量線、 ８…ゲ
ート絶縁膜、 ９…アモルファスシリコン膜
、 １０…ドレイン電極、 １１
…ソース電極、 １２…画素電極、
１３、１５…絶縁膜、 １４、１６、１９…
遮光膜、 １４ａ、１９ａ…表示窓、
１７…ガラス基板、 １８…対向電極
。
３…液晶、 ４…ガラス基板、
５…蓄積容量電極、 ６…ゲート電
極、 ７…蓄積容量線、 ８…ゲ
ート絶縁膜、 ９…アモルファスシリコン膜
、 １０…ドレイン電極、 １１
…ソース電極、 １２…画素電極、
１３、１５…絶縁膜、 １４、１６、１９…
遮光膜、 １４ａ、１９ａ…表示窓、
１７…ガラス基板、 １８…対向電極
。
Claims (3)
- 【請求項１】 画素電極および薄膜トランジスタが形
成されているＴＦＴ基板と、対向電極が形成された対向
電極基板と、を具備するＬＣＤパネルにおいて、前記Ｔ
ＦＴ基板の少なくとも前記薄膜トランジスタ上には遮光
膜が形成されていることを特徴とするＬＣＤパネル。 - 【請求項２】 前記対向電極基板が遮光膜を有してい
ない請求項１記載のＬＣＤパネル。 - 【請求項３】 前記遮光膜が絶縁性被膜である請求項
１または２記載のＬＣＤパネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3163586A JPH04361229A (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | Ｌｃｄパネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3163586A JPH04361229A (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | Ｌｃｄパネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04361229A true JPH04361229A (ja) | 1992-12-14 |
Family
ID=15776734
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3163586A Pending JPH04361229A (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | Ｌｃｄパネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04361229A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7061567B2 (en) | 2001-10-04 | 2006-06-13 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device with a plurality of first and second sets of frame shielding films that defines the image display region |
| JP2020024455A (ja) * | 2005-12-26 | 2020-02-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
-
1991
- 1991-06-07 JP JP3163586A patent/JPH04361229A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7061567B2 (en) | 2001-10-04 | 2006-06-13 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device with a plurality of first and second sets of frame shielding films that defines the image display region |
| US7233372B2 (en) | 2001-10-04 | 2007-06-19 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device with a gap of the light shielding layer being in a non-overlapping condition with the drain and the source in plan view |
| US7362397B2 (en) | 2001-10-04 | 2008-04-22 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device with a gap of the light shielding layer being in a non-overlapping condition with the drain and the source in plan view |
| JP2020024455A (ja) * | 2005-12-26 | 2020-02-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
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