JPH0695142A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JPH0695142A JPH0695142A JP24181292A JP24181292A JPH0695142A JP H0695142 A JPH0695142 A JP H0695142A JP 24181292 A JP24181292 A JP 24181292A JP 24181292 A JP24181292 A JP 24181292A JP H0695142 A JPH0695142 A JP H0695142A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- liquid crystal
- pixel
- glass substrate
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- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 各画素ごとの駆動素子を有するアクティブマ
トリックス駆動の液晶表示装置で、開口率を向上し、コ
ントラストが向上した液晶表示装置を提供する。 【構成】 ＴＦＴ素子２と共に各画素ごとに液晶層３を
挟む両電極間に接続される付加容量電極膜６を透明導電
膜で形成して画素の表示領域を有効に利用する。
トリックス駆動の液晶表示装置で、開口率を向上し、コ
ントラストが向上した液晶表示装置を提供する。 【構成】 ＴＦＴ素子２と共に各画素ごとに液晶層３を
挟む両電極間に接続される付加容量電極膜６を透明導電
膜で形成して画素の表示領域を有効に利用する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置に関する。
さらに詳しくは、スイッチング素子としてＴＦＴ（thin
film transistor）素子などを用いたアクティブマトリ
ックス駆動によるものであって、開口率が飛躍的に向上
した液晶表示装置（以下、ＬＣＤという）に関する。
さらに詳しくは、スイッチング素子としてＴＦＴ（thin
film transistor）素子などを用いたアクティブマトリ
ックス駆動によるものであって、開口率が飛躍的に向上
した液晶表示装置（以下、ＬＣＤという）に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＴＦＴ素子などを用いたアクティ
ブマトリックス駆動のＬＣＤは、図３に示されるごと
く、液晶層51の各画素に電圧を加えるために、ＴＦＴ素
子52によって画素電極をスイッチするものであり、各
行、または列ごとにパルス的に短時間電圧が印加される
のを繰り返すため、印加電圧がＯＦＦとなったあとも液
晶層51に電圧を加えておくために、付加容量53が備えら
れている。なお、図中54は横方向に並んだ各画素のＴＦ
Ｔのゲート電極を連結したゲート線であり、55は縦方向
に並んだ各画素のソース電極を連結したソース線であ
り、56はコモン電極である。
ブマトリックス駆動のＬＣＤは、図３に示されるごと
く、液晶層51の各画素に電圧を加えるために、ＴＦＴ素
子52によって画素電極をスイッチするものであり、各
行、または列ごとにパルス的に短時間電圧が印加される
のを繰り返すため、印加電圧がＯＦＦとなったあとも液
晶層51に電圧を加えておくために、付加容量53が備えら
れている。なお、図中54は横方向に並んだ各画素のＴＦ
Ｔのゲート電極を連結したゲート線であり、55は縦方向
に並んだ各画素のソース電極を連結したソース線であ
り、56はコモン電極である。
【０００３】そして、付加容量53の電極のうち、図４に
示されるＴＦＴ素子52と反対側に設けられる付加容量電
極57はゲート電極58と同一層であり、ゲート電極58と同
じＣｒなどから形成される遮光性のあるものであり、ま
た図５に示されるように画素59の上に重なり合って形成
されるものである。なお図５において、52はＴＦＴ素子
を示している。
示されるＴＦＴ素子52と反対側に設けられる付加容量電
極57はゲート電極58と同一層であり、ゲート電極58と同
じＣｒなどから形成される遮光性のあるものであり、ま
た図５に示されるように画素59の上に重なり合って形成
されるものである。なお図５において、52はＴＦＴ素子
を示している。
【０００４】なお、図４において60はソース領域、61は
アモルファスシリコン層、62はドレイン領域、63はドレ
イン領域に接続された表示用透明導電膜、64は絶縁膜、
65は保護膜で、保護膜65の上部側に液晶層が配設され
る。
アモルファスシリコン層、62はドレイン領域、63はドレ
イン領域に接続された表示用透明導電膜、64は絶縁膜、
65は保護膜で、保護膜65の上部側に液晶層が配設され
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前記従来のＬＣＤで
は、遮光性を有する付加容量電極57が画素59の一部分と
重なり合っているため、画素59の有効表示領域が減少
（光学的開口率が低下）し、その結果、表示される映像
の輝度およびコントラストが低下するという問題があ
る。
は、遮光性を有する付加容量電極57が画素59の一部分と
重なり合っているため、画素59の有効表示領域が減少
（光学的開口率が低下）し、その結果、表示される映像
の輝度およびコントラストが低下するという問題があ
る。
【０００６】本発明はかかる問題を解消するためになさ
れたものであり、画素の光学的開口率が上昇し、映像の
輝度およびコントラストが向上したＬＣＤを提供するこ
とを目的とする。
れたものであり、画素の光学的開口率が上昇し、映像の
輝度およびコントラストが向上したＬＣＤを提供するこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のＬＣＤは、２枚
の透明基板のあいだに液晶層が挟持され、前記２枚の透
明基板には前記液晶層の各画素ごとに電圧を印加できる
ようにそれぞれ透明電極膜が形成され、かつ、各画素ご
とに駆動できる駆動素子と各画素ごとの両電極間に接続
される付加容量とが各画素ごとに形成されるアクティブ
マトリックス駆動の液晶表示装置であって、前記付加容
量の電極膜が透明導電膜で形成されていることを特徴と
している。
の透明基板のあいだに液晶層が挟持され、前記２枚の透
明基板には前記液晶層の各画素ごとに電圧を印加できる
ようにそれぞれ透明電極膜が形成され、かつ、各画素ご
とに駆動できる駆動素子と各画素ごとの両電極間に接続
される付加容量とが各画素ごとに形成されるアクティブ
マトリックス駆動の液晶表示装置であって、前記付加容
量の電極膜が透明導電膜で形成されていることを特徴と
している。
【０００８】前記付加容量の両電極間の絶縁膜が２層以
上で形成されれば、ゲート電極形成層と異なる層に付加
容量電極膜を設けることができ、信頼性を向上できる。
上で形成されれば、ゲート電極形成層と異なる層に付加
容量電極膜を設けることができ、信頼性を向上できる。
【０００９】
【作用】本発明のＬＣＤによれば、付加容量電極膜とし
て透明導電膜を用いているため、画素における付加容量
電極膜の部分も表示のための有効領域となり、光学的開
口率が大幅に上昇する。したがって、映像の輝度および
コントラストが向上する。
て透明導電膜を用いているため、画素における付加容量
電極膜の部分も表示のための有効領域となり、光学的開
口率が大幅に上昇する。したがって、映像の輝度および
コントラストが向上する。
【００１０】
【実施例】つぎに添付の図面を参照しながら本発明のＬ
ＣＤを説明する。
ＣＤを説明する。
【００１１】図１は本発明のＬＣＤの一実施例を示す要
部断面図、図２は本発明のＬＣＤの他の実施例を示す要
部断面図である。
部断面図、図２は本発明のＬＣＤの他の実施例を示す要
部断面図である。
【００１２】図１において、１がＬＣＤであり、液晶層
３が２枚のガラス基板４ａ、４ｂによって挟持されたも
のである。図中、上方のガラス基板４ｂには透明導電膜
11ａが形成され、下方のガラス基板４ａ上にはＴＦＴ素
子２や付加容量電極膜６、絶縁膜７、ＩＴＯ膜11、パッ
シベーション膜13などが形成されている。このＴＦＴ素
子２などを形成するばあい、まずガラス基板４ａ上にＣ
ｒなど（Ａｌ、Ｍｏでもよい）からなるゲート電極５お
よびＩｎ2 Ｏ3 などからなる透明の付加容量電極膜６を
形成し、ついでその基板４ａの全面にＳｉ3 Ｎ4 、Ｓｉ
Ｏ2 などからなる絶縁膜７を形成する。つぎに絶縁膜７
上にアモルファスシリコンからなる機能層８を形成し、
その両側それぞれにＡｌなど（Ｃｒ、Ｍｏでもよい）か
らなるソース電極９およびドレイン電極10を形成する。
そして、ドレイン電極10に接続され、かつ前記付加容量
電極膜６とで絶縁膜７を挟むように、ＩＴＯ、Ｉｎ2 Ｏ
3などからなり、各画素の駆動電極となる表示用透明導
電膜（ＩＴＯ膜で代表する）11を形成する。これにより
付加容量12が形成される。
３が２枚のガラス基板４ａ、４ｂによって挟持されたも
のである。図中、上方のガラス基板４ｂには透明導電膜
11ａが形成され、下方のガラス基板４ａ上にはＴＦＴ素
子２や付加容量電極膜６、絶縁膜７、ＩＴＯ膜11、パッ
シベーション膜13などが形成されている。このＴＦＴ素
子２などを形成するばあい、まずガラス基板４ａ上にＣ
ｒなど（Ａｌ、Ｍｏでもよい）からなるゲート電極５お
よびＩｎ2 Ｏ3 などからなる透明の付加容量電極膜６を
形成し、ついでその基板４ａの全面にＳｉ3 Ｎ4 、Ｓｉ
Ｏ2 などからなる絶縁膜７を形成する。つぎに絶縁膜７
上にアモルファスシリコンからなる機能層８を形成し、
その両側それぞれにＡｌなど（Ｃｒ、Ｍｏでもよい）か
らなるソース電極９およびドレイン電極10を形成する。
そして、ドレイン電極10に接続され、かつ前記付加容量
電極膜６とで絶縁膜７を挟むように、ＩＴＯ、Ｉｎ2 Ｏ
3などからなり、各画素の駆動電極となる表示用透明導
電膜（ＩＴＯ膜で代表する）11を形成する。これにより
付加容量12が形成される。
【００１３】このようにして形成されたガラス基板４ａ
の表面にパッシベーション膜13や図示しない配向膜を設
けたうえで、同様に透明導電膜11ａや図示していない配
向膜などが設けられた上方のガラス基板４ｂとのあいだ
に液晶材料を封入することにより、液晶層３が形成され
た多数の画素からなるＬＣＤ１が完成する。
の表面にパッシベーション膜13や図示しない配向膜を設
けたうえで、同様に透明導電膜11ａや図示していない配
向膜などが設けられた上方のガラス基板４ｂとのあいだ
に液晶材料を封入することにより、液晶層３が形成され
た多数の画素からなるＬＣＤ１が完成する。
【００１４】このように、透明の付加容量電極膜６とＩ
ＴＯ膜11とにより、液晶層３の位置とは反対側に付加容
量12が形成されるため、この付加容量12の領域において
も、ＩＴＯ膜11から液晶層３に電圧を印加して表示用領
域として使用することができる。
ＴＯ膜11とにより、液晶層３の位置とは反対側に付加容
量12が形成されるため、この付加容量12の領域において
も、ＩＴＯ膜11から液晶層３に電圧を印加して表示用領
域として使用することができる。
【００１５】なによりも本構成の特徴は付加容量電極膜
６が実質的に透明な材質（ＩＴＯ、Ｉｎ2 Ｏ3 やＳｎＯ
2 など）から形成されていることであり、その結果、付
加容量12の領域もいわば有効表示領域となるのである。
したがって、従来のＬＣＤにおける諸要素の配置（図５
参照）のごとく付加容量電極膜６の位置がＩＴＯ膜11の
中央であろうが、端部側にずれていようが、あるいはＩ
ＴＯ膜11の全領域を覆っていようとも輝度やコントラス
トなど、画像品位に悪影響を及ぼすことがない。
６が実質的に透明な材質（ＩＴＯ、Ｉｎ2 Ｏ3 やＳｎＯ
2 など）から形成されていることであり、その結果、付
加容量12の領域もいわば有効表示領域となるのである。
したがって、従来のＬＣＤにおける諸要素の配置（図５
参照）のごとく付加容量電極膜６の位置がＩＴＯ膜11の
中央であろうが、端部側にずれていようが、あるいはＩ
ＴＯ膜11の全領域を覆っていようとも輝度やコントラス
トなど、画像品位に悪影響を及ぼすことがない。
【００１６】本発明のＬＣＤにおける絶縁膜７は前記実
施例のごとく一層（図１参照）に限定されることはな
く、たとえば図２に示されるごとく２層の絶縁膜７ａ、
７ｂ、またはそれ以上の多層として形成されてもよい。
また、絶縁膜７ａ、７ｂが複数層形成されるばあいゲー
ト電極５と付加容量電極膜６とを異なる層間に形成する
ことができ（たとえば図２）、容量を形成する電極間の
絶縁膜が厚くなり、ピンホールなどによるショート不良
を防止でき、信頼性が向上する。
施例のごとく一層（図１参照）に限定されることはな
く、たとえば図２に示されるごとく２層の絶縁膜７ａ、
７ｂ、またはそれ以上の多層として形成されてもよい。
また、絶縁膜７ａ、７ｂが複数層形成されるばあいゲー
ト電極５と付加容量電極膜６とを異なる層間に形成する
ことができ（たとえば図２）、容量を形成する電極間の
絶縁膜が厚くなり、ピンホールなどによるショート不良
を防止でき、信頼性が向上する。
【００１７】
【発明の効果】本発明のＬＣＤによれば、容量を形成す
る電極膜を透明導電膜で形成しているため、画素の光学
的開口率が高くなり、輝度やコントラストなどの向上に
より、画像品位が飛躍的に向上する。
る電極膜を透明導電膜で形成しているため、画素の光学
的開口率が高くなり、輝度やコントラストなどの向上に
より、画像品位が飛躍的に向上する。
【００１８】さらに電極膜を透明導電膜で形成している
ため、画素範囲の広い面積で形成することができ、大き
い容量のものを形成し易く、また電極間の絶縁膜の厚さ
を厚く形成でき、ショート不良などを激減でき、信頼性
が大幅に向上する。
ため、画素範囲の広い面積で形成することができ、大き
い容量のものを形成し易く、また電極間の絶縁膜の厚さ
を厚く形成でき、ショート不良などを激減でき、信頼性
が大幅に向上する。
【図１】本発明のＬＣＤの一実施例を示す要部断面説明
図である。
図である。
【図２】本発明のＬＣＤの他の実施例を示す要部断面説
明図である。
明図である。
【図３】従来のＬＣＤの一例を示す等価回路図である。
【図４】図３のＬＣＤにおけるＴＦＴ素子領域を示す断
面説明図である。
面説明図である。
【図５】図３のＬＣＤの概略平面図である。
１ ＬＣＤ ２ ＴＦＴ素子 ３ 液晶層 ４ａ ガラス基板 ４ｂ ガラス基板 ６ 付加容量電極膜 11 ＩＴＯ膜 12 付加容量
Claims (2)
- 【請求項１】 ２枚の透明基板のあいだに液晶層が挟持
され、前記２枚の透明基板には前記液晶層の各画素ごと
に電圧を印加できるようにそれぞれ透明電極膜が形成さ
れ、かつ、各画素ごとに駆動できる駆動素子と各画素ご
との両電極間に接続される付加容量とが各画素ごとに形
成されるアクティブマトリックス駆動の液晶表示装置で
あって、前記付加容量の電極膜が透明導電膜で形成され
てなる液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記付加容量の両電極間の絶縁膜が２層
以上で形成されてなる請求項１記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24181292A JPH0695142A (ja) | 1992-09-10 | 1992-09-10 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24181292A JPH0695142A (ja) | 1992-09-10 | 1992-09-10 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0695142A true JPH0695142A (ja) | 1994-04-08 |
Family
ID=17079872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24181292A Pending JPH0695142A (ja) | 1992-09-10 | 1992-09-10 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0695142A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5180855A (en) * | 1990-04-27 | 1993-01-19 | Rhone-Poulenc Nutrition Animale | Process for the preparation of citral |
| US9941393B2 (en) | 2009-03-05 | 2018-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US11233132B2 (en) | 2009-03-05 | 2022-01-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03188422A (ja) * | 1989-12-18 | 1991-08-16 | Toppan Printing Co Ltd | 薄膜トランジスタアレイの製造方法 |
-
1992
- 1992-09-10 JP JP24181292A patent/JPH0695142A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03188422A (ja) * | 1989-12-18 | 1991-08-16 | Toppan Printing Co Ltd | 薄膜トランジスタアレイの製造方法 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5180855A (en) * | 1990-04-27 | 1993-01-19 | Rhone-Poulenc Nutrition Animale | Process for the preparation of citral |
| US9941393B2 (en) | 2009-03-05 | 2018-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US10326008B2 (en) | 2009-03-05 | 2019-06-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US10686061B2 (en) | 2009-03-05 | 2020-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US11233132B2 (en) | 2009-03-05 | 2022-01-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US11955537B2 (en) | 2009-03-05 | 2024-04-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US11961894B2 (en) | 2009-03-05 | 2024-04-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
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