JPH07239480A - 液晶表示基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 応答速度およびコントラスト比の向上を図
る。 【構成】 液晶を介在させて相対向配置させた各透明基
板のうち一方の透明基板の液晶側の面に電圧が印加され
る一対の電極が形成され、これら各電極の間の領域を画
素として機能させる液晶表示基板において、前記一対の
電極を含む平面内の前記領域に凹陥部が形成されてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はＯＡ機器等の画像、文字
情報の表示装置として用いられる、アクティブマトリッ
クス方式の液晶表示装置の構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】ガラス等の絶縁基板上に薄膜トランジス
タ（以下ＴＦＴと記す）をマトリックス状に形成し、こ
れをスイッチング素子として用いるアクティブマトリッ
クス型の液晶表示装置（ＴＦＴ−ＬＣＤ）は高画質のフ
ラットパネルディスプレィとして期待が大きい。従来の
アクティブマトリックス型液晶表示装置では、液晶層を
駆動する電極として２枚の基板上にそれぞれ相対向させ
て形成した透明電極を用いていた。これは液晶に印加す
る電界の方向を基板面にほぼ垂直な方向とすることで動
作するツイステッドネマチック表示方式に代表される表
示方式を採用していることによる。

【０００３】一方、液晶に印加する電界の方向を基板面
にほぼ平行な方向とする方式としてたとえば特公昭６３
−２１９０７号に開示されているものが知られている。

【０００４】この液晶表示基板は、液晶を介在させて相
対向配置させた各透明基板のうち一方の透明基板の液晶
側の面に電圧が印加される一対の電極が形成され、これ
ら各電極の間の領域を画素として機能させるようになっ
ている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに平面基板上に構成された複数の電極間で平面基板と
平行方向の電界成分で液晶を駆動させる場合、電極間の
電気力線が平面基板の中を通るため液晶に充分な電界が
印加されないという問題が残存されていた。

【０００６】液晶に充分な電界が印加されない場合、応
答速度が充分でなく、またコントラスト比も充分に得ら
れないからである。

【０００７】それ故、本発明はこのような事情に基づい
てなされたものであり、その目的は、応答速度を向上さ
せ、またコントラスト比を充分に得る液晶表示基板を提
供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明は、基本的には、液晶を介在させて相
対向配置させた各透明基板のうち一方の透明基板の液晶
側の面に電圧が印加される一対の電極が形成され、これ
ら各電極の間の領域を画素として機能させる液晶表示基
板において、前記一対の電極を含む平面内の前記領域に
凹陥部が形成されていることを特徴とするものである。

【０００９】

【作用】このような構成からなる液晶表示基板によれ
ば、一対の電極のそれぞれの間に生じる電界の横方向
（各電極を結ぶ方向）の成分がより多く液晶を通過でき
ることになる。

【００１０】前記凹陥部が形成された領域に液晶が充填
され、この充填された液晶層が一対の電極を含む平面に
近接することになるし、あるいは該平面の下側（一対の
電極が形成された透明基板面側）にまで存在することに
なるからである。

【００１１】このため、液晶の応答速度を向上でき、ま
た充分なコントラスト比を得ることができるようにな
る。

【００１２】

【実施例】

実施例１ 図１〜図４は本発明の第１の実施例の動作原理を示す単
位画素の断面図及び平面図である。ガラス基板上にＣｒ
よりなるゲート電極１０およびコモン電極１６を形成
し、これらの電極を覆うように窒化シリコン（ＳｉＮ）
膜からなるゲート絶縁膜２０を形成した。ゲート電極１
０上の一部にゲート絶縁膜２０上を介して非晶質シリコ
ン（ａ−Ｓｉ）膜３０を形成しトランジスタの能動層と
する。前記ａ−Ｓｉ膜３０のパターンの一部に重畳する
ようにＭｏよりなるドレイン電極１４、ソース電極１５
を形成し、これらすべてを被覆するようにＳｉＮ膜より
なる保護絶縁膜２３を形成した。以上よりなる単位画素
をマトリックス状に配置したアクティブマトリックス基
板の表面にポリイミドよりなる配向膜ＯＲＩ１、ＯＲＩ
２を形成し、表面にラビング処理を施した。同じくラビ
ング処理を施した配向膜ＯＲＩ１、ＯＲＩ２を表面に形
成した対向基板５０８と、前記アクティブマトリツクス
基板の間に棒状の液晶分子５１３を含む液晶組成物を封
入し、二枚の基板の外表面に偏光板５０５を配置した。
液晶分子５１３は無電界時（図１および図２）にはスト
ライプ状のソース電極１５およびコモン電極１６の長手
方向に対して若干の角度、即ち液晶分子の長軸（光学
軸）と電界の方向（ソース電極とコモン電極の長手方向
に垂直）のなす角度にして４５°以上９０°未満を持つ
ように配置されている。尚、上下基板との界面での液晶
分子の配向は互いに平行とした。また、液晶分子の誘電
異方性は正である。ここで、ＴＦＴのゲート電極１０に
電圧を印加してＴＦＴをオンとするとソース電極１５に
電圧が印加し、ソース電極１５−コモン電極１６間に電
界Ｅ１を誘起させると、図３および図４に示すように電
界方向に液晶分子が向きを変える。上下基板の表面に配
置した２枚の偏光板５０５の偏光透過軸を所定角度ＡＧ
Ｌ１に配置することで電界印加によって光の透過率を変
化させることが可能になる。このように、本発明の表示
方式では従来必要であった透明電極がなくてもコントラ
ストを与える表示が可能となる。このため、透明電極の
形成に関わる工程を全て省略できるので製造コスト削減
が可能となる。さらに、従来の透明電極を用いる表示方
式では、電圧印加により液晶分子の長軸を基板界面から
立ち上がらせ複屈折位相差を０とすることで暗状態を得
ているが、複屈折位相差が０となる視角方向は正面、即
ち基板界面に垂直な方向のみであり、僅かでも傾くと複
屈折位相差が現れ、ノーマリーオープン型の表示では光
が漏れコントラストの低下や階調レベルの反転を引き起
こす。ところが、本実施例の表示方式では液晶分子の長
軸は基板とほぼ平行であり電圧を印加しても立ち上がる
ことが無い、従って視角方向を変えたときの明るさの変
化が小さく視角特性が大幅に改善される効果がある。

【００１３】さらに、本実施例ではコモン電極１６をゲ
ート電極１０と同一のレイヤーに形成し、ソース電極１
５およびドレイン電極１４とコモン電極１６をゲート絶
縁膜２０によって絶縁分離した。また、従来使用されて
いた櫛歯状電極を廃し、ソース電極１５とコモン電極１
６をゲート絶縁膜２０を介して重畳させた。このように
ソース電極１５およびドレイン電極１４とコモン電極１
６を絶縁分離することによりソース電極１５およびコモ
ン電極１６の平面パターンの設計自由度が大きくなり画
素開口率を向上させることが可能となる。また、ソース
電極１５とコモン電極１６の重畳部は液晶容量と並列に
接続される付加容量として作用するので液晶印加電圧の
保持能を向上させることができる。このような効果は従
来の櫛歯状電極では得られないものであり、ソース電極
１５およびドレイン電極１４とコモン電極１６を絶縁分
離することにより初めて達成される。

【００１４】胃所のように、ソース電極１５およびドレ
イン電極１４とコモン電極１６を異層化することにより
平面パターンの設計自由度が大きくなったので、電極形
状としては本実施例に限らず多種多彩な構造が採用でき
る。

【００１５】実施例２ 図５は本発明の第２の実施例の単位画素の平面図を示
す。本実施例の断面構造は前記第１の実施例（図１）と
同様である。本実施例ではコモン電極１６を十字型と
し、一方ソース電極１５はリング型とした点に特徴があ
る。コモン電極１６とソース電極１５はＣ１、Ｃ２、Ｃ
３、Ｃ４と記した個所で互いに重なり付加容量を形成し
ている。本実施例によれば、コモン電極１６とゲート電
極１０の間の距離を大きくとれるのでコモン電極１６と
ゲート電極１０間の短絡不良を防止できる。また、ソー
ス電極１５をリング型にすることにより、ソース電極の
任意の個所で断線が発生しても２個所以上の断線が無い
かぎりソース電極全体に給電され、正常な動作が可能で
ある。即ち、本構造は断線に対し冗長性をもち歩留まり
を向上させることができる。

【００１６】実施例３ 図６は本発明の第３の実施例の単位画素の平面図を示
す。本実施例の断面構造は前記第１の実施例（図１）と
同様である。本実施例では、ソース電極１５は第２の実
施例と同様にリング型とし、コモン電極１６をＴ字型と
した点に特徴がある。本実施例では、リング状のソース
電極の短辺の一方とコモン電極が重なるようにすること
により、開口率を低下させることなく大きな付加容量を
形成でき、電圧保持特性を改善できる。また、水平方向
のコモン電極を光透過領域内から排除したので画素開口
率向上に有利である。

【００１７】実施例４ 図７は本発明の第４の実施例の単位画素の平面図を示
す。本実施例の断面構造は前記第１の実施例（図１）と
同様である。本実施例では、ソース電極１５は第２の実
施例と同様にリング型とし、コモン電極１６をエ字型と
した点に特徴がある。本実施例では、リング状のソース
電極の２つの短辺とコモン電極が重なるようにすること
により、開口率を低下させることなくより大きな付加容
量を形成でき、電圧保持特性を改善できる。

【００１８】実施例５ 図８は本発明の第５の実施例の単位画素の平面図を示
す。本実施例の断面構造は前記第１の実施例（図１）と
同様である。本実施例では、コモン電極１６はII字型と
し、ソース電極１５をＴ字型とした。本実施例は前記第
２〜第４の実施例とはことなり、画素の中央にソース電
極１５を、その左右両側にコモン電極１６を配置した点
に特徴がある。このような配置の利点は、コモン電極１
６とドレイン電極１４がゲート絶縁膜により分離されて
いるためにこれらの電極の間の距離を小さくできる点に
ある。これにより、コモン電極１６をドレイン電極１４
にできる限り近付けることにより光透過領域を拡大でき
開口率を向上させることができる。ただし、この時コモ
ン電極１６とドレイン電極１４が重なると、これらの電
極間の寄生容量が急激に増大する。コモン電極とドレイ
ン電極の間の過大な寄生容量はコモン電極信号の波形歪
をもたらし、スミアと呼ばれる画質低下が発生するので
望ましくない。したがって、コモン電極とドレイン電極
は可能な限り近付けてもよいが決して重ならないように
することが必要である。

【００１９】実施例６ 図９は本発明の第６の実施例の単位画素の平面図を示
す。本実施例の断面構造は前記第１の実施例（図１）と
同様である。本実施例では、ソース電極１５をエ字型と
し、コモン電極１６はリング型とした点に特徴がある。
本実施例では前記第５の実施例と同様に開口率を向上さ
せることができることに加え、ソース電極１５とコモン
電極１６の重なりを大きくできるので付加容量を大きく
できる。

【００２０】実施例７ 図１０は本発明の第７の実施例の単位画素の平面図を示
す。本実施例の断面構造は前記第１の実施例（図１）と
同様である。本実施例では、ソース電極１５をはしご型
とし、コモン電極１６はリング型として互いに重ね合わ
せた構造を有し、前記第１〜第６の実施例と異なり液晶
を駆動する電界は画素の長手方向と平行な方向とした点
に特徴がある。本実施例では、はしご型電極の断数を変
えることによりコモン電極１６とソース電極１５間のギ
ャップを任意に変えることができる。電極間ギャップは
液晶の応答速度を決めるので、ギャップを任意に調節す
ることにより所望の応答速度を得ることが可能となる。

【００２１】この場合においても、コモン電極１６とソ
ース電極１５で囲まれる４つの領域からなる画素領域に
それぞれ凹陥部ＤＥＮＴが形成されている。

【００２２】以上のように、コモン電極とソース電極、
ドレイン電極を異層化することにより多種多様な電極形
状の設計が可能となり、用途に応じた表示性能を実現す
ることができる。

【００２３】以上の実施例ではコモン電極をゲート電極
と同一の電極材料で構成する場合を示してきたが、コモ
ン電極またはソース電極を複数の電極を組み合わせて構
成してもよい。以下、そのような実施例を示す。

【００２４】実施例８ 図１１は本発明の第８の実施例の単位画素の平面図を示
す。図１２は図１１中Ｂ−Ｂ’における断面図を示す。
本実施例ではコモン電極は引出配線１６０と駆動電極１
６１の２つの部材によって構成され、これらはゲート絶
縁膜２０に設けたスルーホールＴＨを介して接続されて
いる。ここで引出配線１６０にはゲート電極１０と同一
の電極材料を、駆動電極１６１にはソース電極１５と同
一の電極材料を用いた。本実施例においてもコモン電極
の引出配線１６０とソース電極１５はゲート絶縁膜２０
によって異層化されているため、互いに交差させること
ができ交差部Ｃｓｔにおいて付加容量を構成し、保持特
性を改善できる。また、駆動電極１６１をソース電極１
５と同一層内に形成することにより、ソース電極１５と
隣接するドレイン電極１４との間で形成される不必要な
電界をシールドすることが可能となる。液晶の駆動に直
接関与しない電極によって形成される寄生電界は液晶の
配向を乱し、表示画像のコントラスト低下を招くので、
通常電極の周囲を遮光層によって隠すことによって対策
している。しかしこのような遮光層は開口率を低下させ
るという欠点を持つ。これにたいして本実施例のよう
に、液晶の配向を乱す寄生電界をシールドすることによ
り遮光層の面積を縮小できるので開口率を向上させるこ
とが可能となる。

【００２５】そして、ソース電極１５とコモン電極１６
１の間の領域に凹陥部ＤＥＮＴが形成されて、応答速度
およびコントラスト比の向上を図っている。この場合、
引出配線１６０はガラス基板１に設けた凹陥部に沿って
形成してもよく、また、この引出線１６０をを境にして
それぞれ２個の凹陥部を形成してもよい。

【００２６】実施例９ 図１３は本発明の第９の実指令の単位画素の平面図を示
す。図１４は図１３中Ｃ−Ｃ’における断面図を示す。
本実施例ではコモン電極の引出配線１６０は、前記第７
の実施例と同様にゲート電極１０と同一の電極材料で構
成し、駆動電極１６１は保護絶縁膜２３上に設けた新た
な電極によって構成し、これらをスルーホールによって
接続した。本実施例ではコモン電極は引出配線１６０、
駆動電極１６１とともにソース電極１５と絶縁分離され
ているので前記の実施例と同様な効果がある。

【００２７】この場合、実施例８と比較した場合、凹陥
部ＤＥＮＴはガラス基板１に形成された凹陥部に基づく
ものではなく、該ガラス基板１面より突出した状態でソ
ース電極１５およびコモン電極１６１が形成されてい
る。すなわち、ソース電極１５はゲート絶縁膜２０面に
形成され、コモン電極１６１は該ゲート絶縁膜２０上に
積層された保護絶縁膜２３面に形成されているととも
に、凹陥部ＤＥＮＴ形成領域に相当する領域の該ゲート
絶縁膜２０は選択エッチングされ、これにより露呈され
たガラス基板１面に保護絶縁膜２３が形成されている。

【００２８】このように形成した凹陥部ＤＥＮＴにあっ
ても、この凹陥部ＤＥＮＴに液晶が充填され、この液晶
に前記各電極間に発生する電気力線が通過するようにな
る。

【００２９】したがって、液晶に印加される電界が大き
くなることから、応答速度およびコントラスト比の向上
が図れるようになる。

【００３０】実施例１０ 前記実施例ではコモン電極の駆動電極１６１は保護絶縁
膜２３上に設けた電極によって構成したが、駆動電極は
ゲート電極１０の下層に設けてもよい。図１５は本発明
の第１０の実施例の単位画素の平面図を示す。図１６は
図１５中Ｄ−Ｄ’における断面図を示す。本実施例では
コモン電極の引出配線１６０は、前記第７の実施例と同
様にゲート電極１０と同一の電極材料で構成し、駆動電
極１６１はゲート電極１０の下層に絶縁膜２４を介して
設けた新たな電極によって構成し、これらをスルーホー
ルによって接続した。本実施例ではコモン電極は引出配
線１６０、駆動電極１６１ともにソース電極１５と絶縁
分離されているので前記の実施例と同様な効果がある。

【００３１】この場合、ソース電極１５およびコモン電
極１６１の間には、ガラス基板１に形成した凹陥部に基
づく凹陥部ＤＥＮＴが形成されている。コモン電極１６
１はガラス基板１面に形成され該ガラス基板１面から突
出していない構成となっているからである。

【００３２】実施例１１ 図１７は本発明の第１１の実施例の単位画素の平面図を
示す。図１８は図１７中Ｅ−Ｅ’における断面図を示
す。本実施例ではコモン電極１６はゲート電極１０の下
層に下地絶縁膜２４を介して設けた新たな電極によって
構成した。従って、コモン電極はゲート電極１０および
ソース電極１５、ドレイン電極１４の全てと異層化され
る。そこで、本実施例ではコモン電極１６をゲート電極
と平行な方向だけでなくゲート電極と垂直な方向にも引
出して網目状とすることが可能となる。このことによ
り、コモン電極の抵抗値を下げられるのでコモン電圧の
波形歪みを低減しスミアの発性を防止できる効果があ
る。

【００３３】この場合においても、ソース電極１５およ
びコモン電極１６１の間には、ガラス基板１に形成した
凹陥部に基づく凹陥部ＤＥＮＴが形成されている。コモ
ン電極１６がガラス基板１面に形成されているからであ
る。

【００３４】実施例１２ 図１９は本発明の第１２の実施例の単位画素の平面図を
示す。図２０は図１９中Ｅ−Ｅ’における断面図を示
す。本実施例ではコモン電極１６は保護絶縁膜２３上に
設けた新たな電極によって構成した。本実施例において
も、前記実施例１１と同様にコモン電極はゲート電極１
０およびソース電極１５、ドレイン電極１４の全てと異
層化されるので、コモン電極１６をゲート電極と平行な
方向だけでなくゲート電極と垂直な方向にも引出して網
目状とすることが可能となりコモン電圧の波形歪を低減
しスミアの発生を防止できる。

【００３５】この場合、実施例９と同様に、ガラス基板
１には凹陥部が形成されておらず、該ガラス基板１を露
呈させたゲート絶縁膜２０および保護絶縁膜２３の選択
エッチングによって凹陥部ＤＥＮＴが形成されている。

【００３６】実施例１３ 図２１は本発明の第１３の実施例の単位画素の断面図を
示す。本実施例の平面図は前記実施例１と同様である。
本実施例ではゲート電極１０およびコモン電極１６はア
ルミニウム（Ａｌ）で構成され、その表面はＡｌの自己
酸化膜であるアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）２１によって被覆さ
れている点に特徴がある。このような２層絶縁膜構造を
採用することによりコモン電極１６とドレイン、ソース
電極との絶縁不良が低減できるので画素欠陥を低減でき
る。

【００３７】この場合にも、ソース電極１５およびコモ
ン電極１６１の間には、ガラス基板１に形成した凹陥部
に基づく凹陥部ＤＥＮＴが形成されている。コモン電極
１６がガラス基板１面に形成されているからである。

【００３８】実施例１４ 図２２は本発明の第１４の実施例の単位画素の平面図を
示す。図２３は図２２のＧ−Ｇ’断面図である。本実施
例ではコモン電極１６はタンタル（Ｔａ）で構成し、そ
の表面はＴａの自己酸化膜である五酸化タンタル（Ｔａ
₂Ｏ₃）２２によって被覆した。また、コモン電極１６上
のソース電極１５と対向する側のゲート絶縁膜２０およ
び保護絶縁膜２３をエッチング除去した点に特徴があ
る。比誘電率が２３と大きいＴａ₂Ｏ₃を露出させること
によりソース電極側に電束を集中できるのでより低い印
加電圧で液晶を駆動させることができる。

【００３９】この場合、ゲート絶縁膜２０および保護絶
縁膜１４の同時選択エッチングによって凹陥部ＤＥＮＴ
が形成されている。

【００４０】図２４は本発明のアクティブマトリックス
基板鏡の透過回路を含む平面模式図である。ガラス基板
１上にゲート電極１０とドレイン電極１４とこれらに接
続されたＴＦＴとゲート電極１０に平行に引き出された
コモン電極１６とゲート電極ドレイン電極およびコモン
電極の引出端子１０１、１５１、１６３が形成されたも
のである。引出端子はゲート電極１０、ドレイン電極１
４およびコモン電極１６に外部回路から信号を供給する
ための端子である。

【００４１】図２５はアクティブマトリックス部の画素
配列の平面図である。図２５では単位画素として図９に
示したものを使用した。各画素はゲート電極１０が延在
する方向と同一方向に複数配置され、画素列Ｘ１、Ｘ
２、Ｘ３…のそれぞれを構成している。各画素列Ｘ１、
Ｘ２、Ｘ３…のそれぞれの画素は薄膜トランジスタＴＦ
Ｔ１、コモン電極１６およびソース電極１５の配置位置
を同一に構成している。ドレイン電極１４はゲート電極
１０と交差するように配置され各画素列の内の１個の画
素に接続されている。

【００４２】図２６は本発明の液晶表示装置のセル断面
図である。下側のガラス基板１上に走査信号電極１０と
映像信号電極１４がマトリックス状に形成され、その交
点付近に形成されたＴＦＴを介してソース電極１５を駆
動する。棒状の液晶分子５１３を含む液晶層を挟んで対
向する対向基板５０８上にはカラーフィルター５０７、
カラーフィルター保護膜５１１、遮光用ブラックマトリ
ックス５１２が形成されている。図２６の中央部は単位
画素の断面図を、左側は外部接続端子の存在する部分の
断面図を、右側は外部接続端子の存在しない部分の断面
図を示している。図２６の右側、左側に示すシール材Ｓ
Ｌは液晶層を封止するように構成されており、液晶封入
口（図示せず）を除くガラス基板１、５０８の縁全体に
沿って形成されている。シール材は例えばエポキシ樹脂
で形成されている。配向制御膜ＯＲＩ１、ＯＲＩ２、保
護膜２３、カラーフィルタ保護膜５１１の各層はシール
材ＳＬの内側に形成される。偏光板５０５は一対のガラ
ス基板１、５０８の外側表面に形成されている。液晶層
内の液晶分子５１３は配向制御膜ＯＲＩ１、ＯＲＩ２に
よって所定の方向に配向されており、バックライトＢＬ
からの光をソース電極１５とコモン電極１６の間の部分
の液晶層で調節することによりカラー画像の表示が可能
となる。

【００４３】

【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明による液晶表示基板によれば、応答速度およびコ
ントラスト比の向上を図ることができるようになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による液晶表示基板の第１の実施例の電
界無印加時の画素平面模式図である。

【図２】本発明による液晶表示基板の第１の実施例の電
界無印加時の画素平面模式図である。

【図３】本発明による液晶表示基板の第１の実施例の電
界印加時の画素平面模式図である。

【図４】本発明による液晶表示基板の第１の実施例の電
荷印加時の画素断面模式図である。

【図５】本発明による液晶表示基板の第２の実施例の電
界無印加時の画素平面図である。

【図６】本発明による液晶表示基板の第３の実施例の電
界無印加時の画素平面図である。

【図７】本発明による液晶表示基板の第４の実施例の電
界無印加時の画素平面図である。

【図８】本発明による液晶表示基板の第５の実施例の電
界無印加時の画素平面図である。

【図９】本発明による液晶表示基板の第６の実施例の電
界無印加時の画素平面図である。

【図１０】本発明による液晶表示基板の第７の実施例の
電界無印加時の画素平面図である。

【図１１】本発明による液晶表示基板の第８の実施例の
電界無印加時の画素平面図である。

【図１２】本発明による液晶表示基板の第８の実施例の
電界無印加時の画素断面図である。

【図１３】本発明による液晶表示装置の第９の実施例の
電界無印加時の画素平面図である。

【図１４】本発明による液晶表示基板の第９の実施例の
電界無印加時の画素断面図である。

【図１５】本発明による液晶表示基板の第１０の実施例
の電界無印加時の画素平面図である。

【図１６】本発明による液晶表示基板の第１０の実施例
の電界無印加時の画素断面図である。

【図１７】本発明による液晶表示基板の第１１の実施例
の電界無印加時の画素平面図である。

【図１８】本発明による液晶表示基板の第１１の実施例
の電界無印加時の画素断面図である。

【図１９】本発明による液晶表示基板の第１２の実施例
の電界無印加時の画素平面図である。

【図２０】本発明による液晶表示基板の第１２の実施例
の電界無印加時の画素断面図である。

【図２１】本発明による液晶表示基板の第１３の実施例
の電界無印加時の画素断面図である。

【図２２】本発明による液晶表示基板の第１４の実施例
の電界無印加時の画素平面図である。

【図２３】本発明による液晶表示基板の第１４の実施例
の電界無印加時の画素断面図である。

【図２４】本発明による液晶表示基板の等価回路を示す
平面図である。

【図２５】本発明による液晶表示基板の表示部ＴＦＴマ
トリックス部の平面図である。

【図２６】本発明による液晶表示基板のセル断面図であ
る。

【符号の説明】

１…ガラス基板、１０…ゲート電極、１４…ドレイン電
極、１５…ソース電極、１６…コモン電極、１４１…ド
レイン電極の引出し端子、１０１…ゲート電極の引出し
端子、１６０…コモン電極の引き出し配線、１６１…駆
動電極、２０…ゲート絶縁膜、２１…アルミナ膜、２３
…保護絶縁膜、ＤＥＮＴ…凹陥部。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 液晶を介在させて相対向配置させた各透
   明基板のうち一方の透明基板の液晶側の面に電圧が印加
   される一対の電極が形成され、これら各電極の間の領域
   を画素として機能させる液晶表示基板において、 前記一対の電極を含む平面内の前記領域に凹陥部が形成
   されていることを特徴とする液晶表示基板。
2. 【請求項２】 透明基板に形成されている凹陥部によっ
   て前記凹陥部が形成されていることを特徴とする請求項
   １記載の液晶表示基板。
3. 【請求項３】 一対の電極の少なくとも１つを形成領域
   が透明基板面より突出させて形成することによって前記
   凹陥部が形成されていることを特徴とする請求項１記載
   の液晶表示基板。