JPH06222390A - 液晶表示装置 - Google Patents
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- JPH06222390A JPH06222390A JP1257293A JP1257293A JPH06222390A JP H06222390 A JPH06222390 A JP H06222390A JP 1257293 A JP1257293 A JP 1257293A JP 1257293 A JP1257293 A JP 1257293A JP H06222390 A JPH06222390 A JP H06222390A
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
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- G02F1/133357—Planarisation layers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ゲートライン及びドレインラインとの短絡防
止のため、表示電極が狭まっていたことと、対向基板側
に設けられた遮光膜のために、表示面積が減少する問題
を解決し開口率を上昇させる。 【構成】 ＴＦＴ基板上に有機膜（２４）を設け、これ
を層間絶縁膜とし、この上に表示電極（２３）を従来よ
りも大きな面積で設ける。また、表示電極材料としてメ
タルを用い、反射型として使用する。
止のため、表示電極が狭まっていたことと、対向基板側
に設けられた遮光膜のために、表示面積が減少する問題
を解決し開口率を上昇させる。 【構成】 ＴＦＴ基板上に有機膜（２４）を設け、これ
を層間絶縁膜とし、この上に表示電極（２３）を従来よ
りも大きな面積で設ける。また、表示電極材料としてメ
タルを用い、反射型として使用する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、開口率が上昇した液晶
表示装置に関する。
表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、アクティブマトリクス型液晶表示
装置は、ポケット型ＴＶ、ビデオモニター、液晶プロジ
ェクターおよびＯＡ機器等のディスプレイ装置などに用
いられるが、これらの商品の画質は薄膜トランジスタ基
板の性能に大きく関係している。
装置は、ポケット型ＴＶ、ビデオモニター、液晶プロジ
ェクターおよびＯＡ機器等のディスプレイ装置などに用
いられるが、これらの商品の画質は薄膜トランジスタ基
板の性能に大きく関係している。
【０００３】従来の液晶表示装置の実施例を図５、図６
に示す。図５は平面図、図６は図５のＡ−Ａ′線に沿っ
た断面図である。透明な絶縁性基板（５０）上に、ゲー
ト電極（５１）、これと一体のゲートライン（５２）、
および補助容量電極（５３）が設けられている。続い
て、全面に例えばＳｉＮａで成るゲート絶縁膜（５４）
が設けられている。
に示す。図５は平面図、図６は図５のＡ−Ａ′線に沿っ
た断面図である。透明な絶縁性基板（５０）上に、ゲー
ト電極（５１）、これと一体のゲートライン（５２）、
および補助容量電極（５３）が設けられている。続い
て、全面に例えばＳｉＮａで成るゲート絶縁膜（５４）
が設けられている。
【０００４】このゲート絶縁膜（５４）上の前記ゲート
電極（５１）に対応する領域には、ノンドープの非晶質
シリコン（以下ａ−Ｓｉと略す）（５５）、パシベーシ
ョン膜（５６）、不純物ドープの非晶質シリコン（以下
Ｎ+ａ−Ｓｉと略す）（５７）（５８）が設けられてい
る。更に、Ｎ+ａ−Ｓｉ（５７）上にはドレイン電極
（５９）、Ｎ+ａ−Ｓｉ（５８）上にはソース電極（６
１）が設けられている。また、このドレイン電極（５
９）と一体のドレインライン（６０）が、前記ゲートラ
イン（５２）と直交する方向に設けられ、ゲートライン
（５２）とドレインライン（６０）に囲まれた領域に
は、ＩＴＯより成る表示電極（６２）が設けられ、前記
ソース電極（６１）と電気的に接続されている。そして
図では省略したがファイナルパシベーション膜および配
向膜が設けられている。
電極（５１）に対応する領域には、ノンドープの非晶質
シリコン（以下ａ−Ｓｉと略す）（５５）、パシベーシ
ョン膜（５６）、不純物ドープの非晶質シリコン（以下
Ｎ+ａ−Ｓｉと略す）（５７）（５８）が設けられてい
る。更に、Ｎ+ａ−Ｓｉ（５７）上にはドレイン電極
（５９）、Ｎ+ａ−Ｓｉ（５８）上にはソース電極（６
１）が設けられている。また、このドレイン電極（５
９）と一体のドレインライン（６０）が、前記ゲートラ
イン（５２）と直交する方向に設けられ、ゲートライン
（５２）とドレインライン（６０）に囲まれた領域に
は、ＩＴＯより成る表示電極（６２）が設けられ、前記
ソース電極（６１）と電気的に接続されている。そして
図では省略したがファイナルパシベーション膜および配
向膜が設けられている。
【０００５】更に対向基板（６３）上には、遮光膜（６
４）、対向電極（６５）および配向膜（不図示）が設け
られ、前記絶縁性基板（５０）と貼り合わされ、中に液
晶が注入されて、液晶表示装置が完成される。
４）、対向電極（６５）および配向膜（不図示）が設け
られ、前記絶縁性基板（５０）と貼り合わされ、中に液
晶が注入されて、液晶表示装置が完成される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前記従来例の液晶表示
装置では、表示電極（６２）とゲートライン（５２）、
および表示電極（６２）とドレインライン（６０）との
ショートを防止するために、表示電極（６２）はゲート
ライン（５２）およびドレインライン（６０）より数μ
ｍ内側に設けられている。また、光漏れ防止のための遮
光膜（６４）が、対向基板（６３）側に設けられている
が、マスク合せや二枚の基板の貼り合わせの際のずれを
考慮して、図５の点線で示される開口部が表示電極（６
２）の周囲より内側になるように設けられている。この
ため、表示領域が狭まり開口率が低下する問題があっ
た。
装置では、表示電極（６２）とゲートライン（５２）、
および表示電極（６２）とドレインライン（６０）との
ショートを防止するために、表示電極（６２）はゲート
ライン（５２）およびドレインライン（６０）より数μ
ｍ内側に設けられている。また、光漏れ防止のための遮
光膜（６４）が、対向基板（６３）側に設けられている
が、マスク合せや二枚の基板の貼り合わせの際のずれを
考慮して、図５の点線で示される開口部が表示電極（６
２）の周囲より内側になるように設けられている。この
ため、表示領域が狭まり開口率が低下する問題があっ
た。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、第１に、表示
電極の下地に層間絶縁膜を設け、表示電極の面積を拡大
し、遮光膜を薄膜トランジスタが設けられた基板側に設
けることで開口率の向上をはかるものである。第２に、
表示電極の材料として例えばＡｌを用い、遮光膜を省略
した構造で開口率の向上をはかるものである。この場
合、光を対向基板側から入射させ、このＡｌ材料の表示
電極で反射させることになる。
電極の下地に層間絶縁膜を設け、表示電極の面積を拡大
し、遮光膜を薄膜トランジスタが設けられた基板側に設
けることで開口率の向上をはかるものである。第２に、
表示電極の材料として例えばＡｌを用い、遮光膜を省略
した構造で開口率の向上をはかるものである。この場
合、光を対向基板側から入射させ、このＡｌ材料の表示
電極で反射させることになる。
【０００８】
【作用】薄膜トランジスタを含んで基板全面に層間絶縁
膜を設けることにより、表示電極をゲートライン上およ
びドレインライン上にまで拡大できる。これにより、画
素間の光漏れはゲートラインおよびドレインラインで遮
断されるので、遮光膜は薄膜トランジスタのチャネル部
を覆う領域にのみ設ければよくなり、しかも、薄膜トラ
ンジスタ側に形成できるので、貼り合わせの際のずれを
考慮する必要がなく、最小の面積で形成でき、開口率が
向上する。
膜を設けることにより、表示電極をゲートライン上およ
びドレインライン上にまで拡大できる。これにより、画
素間の光漏れはゲートラインおよびドレインラインで遮
断されるので、遮光膜は薄膜トランジスタのチャネル部
を覆う領域にのみ設ければよくなり、しかも、薄膜トラ
ンジスタ側に形成できるので、貼り合わせの際のずれを
考慮する必要がなく、最小の面積で形成でき、開口率が
向上する。
【０００９】更に、表示電極材料として例えばＡｌを用
い、これを反射面にすると、本発明の液晶表示装置は、
対向基板側から光を入射させ、薄膜トランジスタ基板側
で反射させて画像を提供することになる。この時、表示
電極は薄膜トランジスタ上も含めて、ゲートライン及び
ドレインラインに囲まれた全領域に形成できるので開口
率が一段と向上することになる。また、光は薄膜トラン
ジスタ基板を透過することがないので従来例のような薄
膜トランジスタのチャネル部分に光が入るのを防ぐため
の遮光膜は不要になる。
い、これを反射面にすると、本発明の液晶表示装置は、
対向基板側から光を入射させ、薄膜トランジスタ基板側
で反射させて画像を提供することになる。この時、表示
電極は薄膜トランジスタ上も含めて、ゲートライン及び
ドレインラインに囲まれた全領域に形成できるので開口
率が一段と向上することになる。また、光は薄膜トラン
ジスタ基板を透過することがないので従来例のような薄
膜トランジスタのチャネル部分に光が入るのを防ぐため
の遮光膜は不要になる。
【００１０】
【実施例】本発明の第１の実施例を図１および図２を用
いて説明しよう。図１は平面図、図２は図１のＡ−Ａ′
線に沿う断面図である。まず、透明な絶縁性ガラス基板
（１０）上にゲート電極（１１）、これと一体のゲート
ライン（１２）、および補助容量電極（１３）が設けら
れている。
いて説明しよう。図１は平面図、図２は図１のＡ−Ａ′
線に沿う断面図である。まず、透明な絶縁性ガラス基板
（１０）上にゲート電極（１１）、これと一体のゲート
ライン（１２）、および補助容量電極（１３）が設けら
れている。
【００１１】この上には、ゲート絶縁膜（１４）が全面
に設けられ、このゲート絶縁膜（１４）上のゲート電極
（１１）に対応する部分には、ノンドープの非晶質シリ
コン（以下ａ−Ｓｉと略す）層（１５）、パシベーショ
ン膜（１６）、不純物ドープの非晶質シリコン（以下Ｎ
+ａ−Ｓｉと略す）層（１７），（１８）、ドレイン電
極（１９）、ソース電極（２１）が設けられ、薄膜トラ
ンジスタ（以下ＴＦＴと略す）を構成している。
に設けられ、このゲート絶縁膜（１４）上のゲート電極
（１１）に対応する部分には、ノンドープの非晶質シリ
コン（以下ａ−Ｓｉと略す）層（１５）、パシベーショ
ン膜（１６）、不純物ドープの非晶質シリコン（以下Ｎ
+ａ−Ｓｉと略す）層（１７），（１８）、ドレイン電
極（１９）、ソース電極（２１）が設けられ、薄膜トラ
ンジスタ（以下ＴＦＴと略す）を構成している。
【００１２】また、前記ゲート絶縁膜（１４）上の前記
ゲートライン（１２）と直交する方向に、前記ドレイン
電極（１９）と一体のドレインライン（２０）が設けら
れている。更に、全面にアクリル樹脂系の有機膜（２
４）が設けられ、この上に、ＩＴＯより成る表示電極
（２３）が設けられている。この表示電極（２３）は、
ＴＦＴを含んでゲートライン（１２）及びドレインライ
ン（２０）で囲まれた領域に形成され、前記有機膜（２
４）に設けられたコンタクトホール（図のＣの部分）を
通して、前記ソース電極（１９）と電気的に接続されて
いる。
ゲートライン（１２）と直交する方向に、前記ドレイン
電極（１９）と一体のドレインライン（２０）が設けら
れている。更に、全面にアクリル樹脂系の有機膜（２
４）が設けられ、この上に、ＩＴＯより成る表示電極
（２３）が設けられている。この表示電極（２３）は、
ＴＦＴを含んでゲートライン（１２）及びドレインライ
ン（２０）で囲まれた領域に形成され、前記有機膜（２
４）に設けられたコンタクトホール（図のＣの部分）を
通して、前記ソース電極（１９）と電気的に接続されて
いる。
【００１３】そして、前記ａ−Ｓｉ層（１５）に光が入
るのを防ぐために、前記表示電極（２３）上に、前記Ｔ
ＦＴのチャネル部を覆うように遮光膜（２５）が設けら
れている。最後に、図では省略したが、配向膜が設けら
れ、対向電極（２７）及び配向膜（不図示）が設けられ
た対向基板（２６）と貼り合わされ、間に液晶が注入さ
れて本実施例の液晶表示装置が構成されている。なお、
有機膜（２４）は保護膜の役目も果たすので、ファイナ
ルパシベーション膜は不要になる。
るのを防ぐために、前記表示電極（２３）上に、前記Ｔ
ＦＴのチャネル部を覆うように遮光膜（２５）が設けら
れている。最後に、図では省略したが、配向膜が設けら
れ、対向電極（２７）及び配向膜（不図示）が設けられ
た対向基板（２６）と貼り合わされ、間に液晶が注入さ
れて本実施例の液晶表示装置が構成されている。なお、
有機膜（２４）は保護膜の役目も果たすので、ファイナ
ルパシベーション膜は不要になる。
【００１４】本発明の特徴は、ＴＦＴ、ゲートライン
（１２）、およびドレインライン（２０）を覆って基板
全面にアクリル樹脂系有機膜（２４）を設けているとこ
ろにある。これにより、表示電極（２３）は、このアク
リル樹脂系有機膜（２４）を下地として、ゲートライン
（１２）上およびドレインライン（２０）上にまで延在
でき、ＴＦＴ上にも形成されている。すなわち、アクリ
ル樹脂系有機膜（２４）を絶縁膜として、表示電極（２
３）はゲートライン（１２）およびドレインライン（２
０）とは別の層に設けられるため、表示電極（２３）と
ゲートライン（１２）、および、表示電極（２３）とド
レインライン（２０）の間のショートが防止されるた
め、表示領域が拡大でき、開口率が上昇する。
（１２）、およびドレインライン（２０）を覆って基板
全面にアクリル樹脂系有機膜（２４）を設けているとこ
ろにある。これにより、表示電極（２３）は、このアク
リル樹脂系有機膜（２４）を下地として、ゲートライン
（１２）上およびドレインライン（２０）上にまで延在
でき、ＴＦＴ上にも形成されている。すなわち、アクリ
ル樹脂系有機膜（２４）を絶縁膜として、表示電極（２
３）はゲートライン（１２）およびドレインライン（２
０）とは別の層に設けられるため、表示電極（２３）と
ゲートライン（１２）、および、表示電極（２３）とド
レインライン（２０）の間のショートが防止されるた
め、表示領域が拡大でき、開口率が上昇する。
【００１５】また、表示電極（２３）が、ゲートライン
（１２）上およびドレインライン（２０）上にまで延在
していることにより、画素間の光は、ゲートライン（１
２）およびドレインライン（２０）で遮断される。その
ため、遮光膜はＴＦＴのチャネル部を覆う部分にのみ設
ければよいことになる。なお、遮光膜はＴＦＴ基板側の
表示電極（２３）上に形成できるので、貼り合わせの際
のずれを考慮する必要がなく、最小の面積にすることが
できる。
（１２）上およびドレインライン（２０）上にまで延在
していることにより、画素間の光は、ゲートライン（１
２）およびドレインライン（２０）で遮断される。その
ため、遮光膜はＴＦＴのチャネル部を覆う部分にのみ設
ければよいことになる。なお、遮光膜はＴＦＴ基板側の
表示電極（２３）上に形成できるので、貼り合わせの際
のずれを考慮する必要がなく、最小の面積にすることが
できる。
【００１６】本発明の第２の実施例として、図１および
図２で示される第１の実施例において、表示電極（２
３）としてＡｌを用いるものがある。この場合、Ａｌ層
を鏡面として用い、液晶表示装置は対向基板側から入射
した光を、薄膜トランジスタ基板側で反射させて使用さ
れることになる。そのため、ＴＦＴのチャネル部に光が
入ることがなくなるので、第１の実施例では必要だった
遮光膜（２５）が、ここでは不要になるので、ＴＦＴ部
も表示領域に加わることになり、開口率が一段と向上す
ることになる。また、透過型の場合、メタルで成る補助
容量電極が光を遮ることが開口率低下の原因になってい
たが本実施例では、この問題は解消される。
図２で示される第１の実施例において、表示電極（２
３）としてＡｌを用いるものがある。この場合、Ａｌ層
を鏡面として用い、液晶表示装置は対向基板側から入射
した光を、薄膜トランジスタ基板側で反射させて使用さ
れることになる。そのため、ＴＦＴのチャネル部に光が
入ることがなくなるので、第１の実施例では必要だった
遮光膜（２５）が、ここでは不要になるので、ＴＦＴ部
も表示領域に加わることになり、開口率が一段と向上す
ることになる。また、透過型の場合、メタルで成る補助
容量電極が光を遮ることが開口率低下の原因になってい
たが本実施例では、この問題は解消される。
【００１７】続いて、本発明の第３の実施例を図３及び
図４を用いて説明しよう。図３は平面図、図４は図３の
Ａ−Ａ′線に沿った断面図である。尚、図番は図１及び
図２と共通のものは同じ番号を使っている。第１及び第
２の実施例と異なっているのは、従来技術での表示電極
をそのまま残している点である。この表示電極を第１の
表示電極（２２）とし、本発明の特徴である有機膜（２
４）上に設けられた表示電極を第２の表示電極（２
３′）とする。第２の表示電極（２３′）は本来の表示
電極の役割をはたすものであるが、第１の表示電極（２
３′）は、補助容量電極（１３）と補助容量を形成して
いる。
図４を用いて説明しよう。図３は平面図、図４は図３の
Ａ−Ａ′線に沿った断面図である。尚、図番は図１及び
図２と共通のものは同じ番号を使っている。第１及び第
２の実施例と異なっているのは、従来技術での表示電極
をそのまま残している点である。この表示電極を第１の
表示電極（２２）とし、本発明の特徴である有機膜（２
４）上に設けられた表示電極を第２の表示電極（２
３′）とする。第２の表示電極（２３′）は本来の表示
電極の役割をはたすものであるが、第１の表示電極（２
３′）は、補助容量電極（１３）と補助容量を形成して
いる。
【００１８】第１の表示電極（２２）及び第２の表示電
極（２３′）の材料としてＩＴＯが用いられる場合、本
液晶表示装置は光を透過させて用いられるので、ＴＦＴ
のチャネル部に光が入るのを防ぐための遮光膜（２５）
が必要となってくる。また、第２の表示電極（２３′）
をＡｌで形成する場合、これを鏡面として、入射光を全
反射させて用いるので、前記遮光膜（２５）は不要にな
る。この場合、第１の表示電極（２２）もＡｌで形成し
てもよい。いずれにしても、第１の表示電極（２２）は
補助容量電極（１３）との距離が近いので十分に補助容
量の機能をはたせる。
極（２３′）の材料としてＩＴＯが用いられる場合、本
液晶表示装置は光を透過させて用いられるので、ＴＦＴ
のチャネル部に光が入るのを防ぐための遮光膜（２５）
が必要となってくる。また、第２の表示電極（２３′）
をＡｌで形成する場合、これを鏡面として、入射光を全
反射させて用いるので、前記遮光膜（２５）は不要にな
る。この場合、第１の表示電極（２２）もＡｌで形成し
てもよい。いずれにしても、第１の表示電極（２２）は
補助容量電極（１３）との距離が近いので十分に補助容
量の機能をはたせる。
【００１９】これら図１から図４で示される実施例につ
いて製造方法を述べよう。ます、ガラス基板（１０）上
にＣｒをスパッタリングして、パターン化しゲート電極
（１１）、これと一体のゲートライン（１２）、および
補助容量電極（１３）を形成する。次に、全面にプラズ
マＣＶＤ法でＳｉＮａ及びＳｉＯ2を連続成膜してゲー
ト絶縁膜（１４）とし、続いて、ａ−Ｓｉを１０００
Å、ＳｉＮａを２５００Å連続成膜して、ＳｉＮａをパ
ターン化して前記ゲート電極（１１）に対応する部分だ
けを残してＴＦＴのパシベーション膜（１６）とする。
続いて、Ｎ+ａ−Ｓｉを５００Åの厚さで形成し、この
Ｎ+ａ−Ｓｉ及び前記ａ−Ｓｉを連続パターニングして
ＴＦＴ部のみを残し、ａ−Ｓｉ層（１５）、Ｎ+ａ−Ｓ
ｉ層（１７），（１８）を形成する。
いて製造方法を述べよう。ます、ガラス基板（１０）上
にＣｒをスパッタリングして、パターン化しゲート電極
（１１）、これと一体のゲートライン（１２）、および
補助容量電極（１３）を形成する。次に、全面にプラズ
マＣＶＤ法でＳｉＮａ及びＳｉＯ2を連続成膜してゲー
ト絶縁膜（１４）とし、続いて、ａ−Ｓｉを１０００
Å、ＳｉＮａを２５００Å連続成膜して、ＳｉＮａをパ
ターン化して前記ゲート電極（１１）に対応する部分だ
けを残してＴＦＴのパシベーション膜（１６）とする。
続いて、Ｎ+ａ−Ｓｉを５００Åの厚さで形成し、この
Ｎ+ａ−Ｓｉ及び前記ａ−Ｓｉを連続パターニングして
ＴＦＴ部のみを残し、ａ−Ｓｉ層（１５）、Ｎ+ａ−Ｓ
ｉ層（１７），（１８）を形成する。
【００２０】ここで、第３の実施例については、ＩＴＯ
を成膜してパターン化し、第１の表示電極（２２）を形
成する工程が入る。次に，Ａｌ／Ｍｏを８０００Åの厚
さで形成し、パターニングして、ドレイン電極（１
９）、これと一体のドレインライン（２０）、およびソ
ース電極（２１）を形成する。
を成膜してパターン化し、第１の表示電極（２２）を形
成する工程が入る。次に，Ａｌ／Ｍｏを８０００Åの厚
さで形成し、パターニングして、ドレイン電極（１
９）、これと一体のドレインライン（２０）、およびソ
ース電極（２１）を形成する。
【００２１】続いて、本基板に液状アクリル樹脂を適量
滴下し、スピンコーターで約１μｍの厚さで均一にし、
２００℃、３０分間のベーキングを行ってアクリル樹脂
系の有機膜（２４）を形成して層間絶縁膜とする。そし
て、後でこの有機膜上に形成される表示電極を、前記ソ
ース電極（２１）と電気的に接続するためのコンタクト
ホール（図２及び図４のＣの部分）を形成する。
滴下し、スピンコーターで約１μｍの厚さで均一にし、
２００℃、３０分間のベーキングを行ってアクリル樹脂
系の有機膜（２４）を形成して層間絶縁膜とする。そし
て、後でこの有機膜上に形成される表示電極を、前記ソ
ース電極（２１）と電気的に接続するためのコンタクト
ホール（図２及び図４のＣの部分）を形成する。
【００２２】次に、ＩＴＯをスパッタリングし、パター
ン化して図２の表示電極（２３）または、図４の第２の
表示電極（２３′）を形成する。全反射で用いる場合に
は、ＩＴＯのかわりにＡｌで同様に図２の表示電極（２
３）または図４の第２の表示電極（２３′）を形成す
る。そして、表示電極（２３）または第２の表示電極
（２３′）をＩＴＯで形成している場合には、このＩＴ
Ｏ層上のＴＦＴのチャネル部を覆う部分に遮光膜（２
５）を形成する。
ン化して図２の表示電極（２３）または、図４の第２の
表示電極（２３′）を形成する。全反射で用いる場合に
は、ＩＴＯのかわりにＡｌで同様に図２の表示電極（２
３）または図４の第２の表示電極（２３′）を形成す
る。そして、表示電極（２３）または第２の表示電極
（２３′）をＩＴＯで形成している場合には、このＩＴ
Ｏ層上のＴＦＴのチャネル部を覆う部分に遮光膜（２
５）を形成する。
【００２３】最後に、図では省略したが配向膜を形成し
て、対向電極（２７）及び配向膜（不図示）が設けられ
た対向基板（２６）と貼り合わせ本発明の液晶表示装置
が完成する。層間絶縁膜としては、従来は、ＳｉＮａを
プラズマＣＶＤで形成したものを用いられていたが、こ
れは製造コストが高かった。その点本発明の有機膜は、
前述の製造方法の説明で明らかなように、低コストであ
り、装置も小規模なものですむ。
て、対向電極（２７）及び配向膜（不図示）が設けられ
た対向基板（２６）と貼り合わせ本発明の液晶表示装置
が完成する。層間絶縁膜としては、従来は、ＳｉＮａを
プラズマＣＶＤで形成したものを用いられていたが、こ
れは製造コストが高かった。その点本発明の有機膜は、
前述の製造方法の説明で明らかなように、低コストであ
り、装置も小規模なものですむ。
【００２４】反射面の材料として、第２及び第３の実施
例でＡｌを用いているのは、反射率や加工性などの面か
らＡｌが最適と考えられるためである。
例でＡｌを用いているのは、反射率や加工性などの面か
らＡｌが最適と考えられるためである。
【００２５】
【発明の効果】有機膜を設けて、表示電極を薄膜トラン
ジスタと別の層に設けることにより、表示電極を互いに
短絡しない程度に広く形成することができ、開口率を向
上できる。また、この場合、画素間の光漏れは、ゲート
ラインおよびドレインラインで遮断できるのでこの部分
で遮光膜は不要となり、薄膜トランジスタのチャネル部
に光が入射するのを防ぐために必要となるのみであり、
しかも、薄膜トランジスタ基板側に設けられるので最小
の大きさですみ、開口率を向上できる。
ジスタと別の層に設けることにより、表示電極を互いに
短絡しない程度に広く形成することができ、開口率を向
上できる。また、この場合、画素間の光漏れは、ゲート
ラインおよびドレインラインで遮断できるのでこの部分
で遮光膜は不要となり、薄膜トランジスタのチャネル部
に光が入射するのを防ぐために必要となるのみであり、
しかも、薄膜トランジスタ基板側に設けられるので最小
の大きさですみ、開口率を向上できる。
【００２６】更に、この表示電極の材料としてＡｌを用
いれば、これを鏡面として入射光を全反射させれば、遮
光膜はまったく不要となり、開口率が更に向上し、ま
た、遮光膜の成膜工程が省略できる。また、表示電極を
有機膜の下部にも設けると、これと補助容量電極とで十
分な補助容量を構成できる。
いれば、これを鏡面として入射光を全反射させれば、遮
光膜はまったく不要となり、開口率が更に向上し、ま
た、遮光膜の成膜工程が省略できる。また、表示電極を
有機膜の下部にも設けると、これと補助容量電極とで十
分な補助容量を構成できる。
【図１】本発明の第１及び第２の実施例である液晶表示
装置の平面図である。
装置の平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ′線に沿った断面図である。
【図３】本発明の第３及び第４の実施例である液晶表示
装置の平面図である。
装置の平面図である。
【図４】図３のＡ−Ａ′線に沿った断面図である。
【図５】従来の液晶表示装置の平面図である。
【図６】図５のＡ−Ａ′線に沿った断面図である。
１０ ガラス基板 １１ ゲート電極 １２ ゲートライン １３ 補助容量電極 １４ ゲート絶縁膜 １５ ａ−Ｓｉ １６ パシベーション膜 １７，１８ Ｎ+ａ−Ｓｉ １９ ドレイン電極 ２０ ドレインライン ２１ ソース電極 ２２ 第１の表示電極 ２３′ 第２の表示電極 ２４ 有機膜 ２５ 遮光膜
Claims (10)
- 【請求項１】 透明な絶縁性基板上に設けられた複数の
ゲートラインと、このゲートラインと交差して設けられ
た複数のドレインラインと、このゲートラインとドレイ
ンラインの交点にマトリクス状に設けられ、前記ゲート
ラインと一体のゲート電極、このゲート電極を少なくと
も覆うようにして設けられたゲート絶縁膜、非単結晶シ
リコン膜、金属より成るソース電極、および、前記ドレ
インラインと一体のドレイン電極とから少なくとも成る
薄膜トランジスタと、ソース電極と電気的コンタクトを
持って設けられた表示電極とを少なくとも有する液晶表
示装置において、 前記薄膜トランジスタを含む基板全面に層間絶縁膜が設
けられ、前記表示電極はこの層間絶縁膜上で、前記ゲー
トライン上および前記ドレインライン上にまで延在して
設けられ、コンタクトホールを通して前記ソース電極と
電気的に接続され、遮光膜が前記表示電極上で、前記薄
膜トランジスタのチャネル部を覆うように設けられてい
ることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記層間絶縁膜は、アクリル樹脂系有機
膜であることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装
置。 - 【請求項３】 透明な絶縁性基板上に設けられた複数の
ゲートラインと、これに交差して設けられた複数のドレ
インラインと、前記ゲートラインと前記ドレインライン
の交点に設けられ、前記ゲートラインと一体のゲート電
極、このゲート電極を少なくとも覆うように設けられた
ゲート絶縁膜、このゲート絶縁膜上の前記ゲート電極に
対応する部分に設けられた非単結晶シリコン膜、この上
に設けられたソース電極、および前記ドレインラインと
一体のドレイン電極より少なくとも成る薄膜トランジス
タと、前記ソース電極と電気的に接続された表示電極
と、対向電極が設けられた対向基板とを少なくとも有す
る液晶表示装置において、 前記薄膜トランジスタが設けられた基板全面に層間絶縁
膜が設けられ、前記表示電極はこの層間絶縁膜上で、前
記ゲートライン上および前記ドレインライン上にまで延
在されて設けられ、この層間絶縁膜に設けられたコンタ
クトホールを通して前記ソース電極と電気的に接続され
ていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記表示電極はＡｌで成り、対向基板側
から入射した光を、この表示電極で反射させて用いられ
ることを特徴とする請求項３記載の液晶表示装置。 - 【請求項５】 前記層間絶縁膜は、アクリル樹脂系有機
膜であることを特徴とする請求項３または、請求項４記
載の液晶表示装置。 - 【請求項６】 透明な絶縁性基板上に設けられた複数の
ゲートライン、補助容量電極、および、この補助容量電
極と一体の補助容量ラインと、前記ゲートラインと交差
する方向に設けられたドレインラインと、 前記ゲートラインと前記ドレインラインの交点に設けら
れ、 前記ゲートラインと一体のゲート電極、このゲート電
極、および、補助容量電極とを少なくとも覆うように設
けられたゲート絶縁膜、このゲート絶縁膜上の前記ゲー
ト電極に対応する部分に設けられた非単結晶シリコン
膜、この上に設けられたソース電極、および、前記ドレ
インラインと一体のドレイン電極より少なくともなる薄
膜トランジスタと、 前記ソース電極と電気的コンタクトを持って設けられた
第１の表示電極と、前記薄膜トランジスタおよび前記第
１の表示電極を覆うように設けられた層間絶縁膜と、こ
の層間絶縁膜上に前記ゲートライン上および前記ドレイ
ンライン上にまで延在されて設けられ、前記ドレイン電
極と、この層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールを
通して電気的に接続されている第２の表示電極とを少な
くとも有する液晶表示装置であって、 前記第１の表示電極と、前記補助容量電極との間で補助
容量を構成していることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項７】 前記層間絶縁膜は、アクリル樹脂系有機
膜であることを特徴とする請求項６記載の液晶表示装
置。 - 【請求項８】 前記第１の表示電極、及び、第２の表示
電極はＩＴＯより成ることを特徴とする請求項６、また
は、請求項７記載の液晶表示装置。 - 【請求項９】 前記第２の表示電極はメタルで成り、対
向基板側から入射した光を、この第２の表示電極で反射
させて用いられることを特徴とする請求項６、または請
求項７記載の液晶表示装置。 - 【請求項１０】 前記第１の表示電極は、メタルまたは
ＩＴＯより成ることを特徴とする請求項９記載の液晶表
示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1257293A JPH06222390A (ja) | 1993-01-28 | 1993-01-28 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1257293A JPH06222390A (ja) | 1993-01-28 | 1993-01-28 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06222390A true JPH06222390A (ja) | 1994-08-12 |
Family
ID=11809078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1257293A Pending JPH06222390A (ja) | 1993-01-28 | 1993-01-28 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06222390A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0745885A2 (en) * | 1995-05-31 | 1996-12-04 | Xerox Corporation | An integrated dark matrix for an active matrix liquid crystal display and manufacturing method |
| JP2001125510A (ja) * | 1995-11-17 | 2001-05-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | アクティブマトリクス型ｅｌ表示装置 |
| KR100493969B1 (ko) * | 1996-04-16 | 2005-08-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액티브매트릭스액정표시장치및그제조방법과,이장치를갖는전자장치와,표시장치 |
| JP2005250228A (ja) * | 2004-03-05 | 2005-09-15 | Casio Comput Co Ltd | トランジスタアレイ基板 |
-
1993
- 1993-01-28 JP JP1257293A patent/JPH06222390A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0745885A2 (en) * | 1995-05-31 | 1996-12-04 | Xerox Corporation | An integrated dark matrix for an active matrix liquid crystal display and manufacturing method |
| EP0745885A3 (en) * | 1995-05-31 | 1998-05-06 | Xerox Corporation | An integrated dark matrix for an active matrix liquid crystal display and manufacturing method |
| JP2001125510A (ja) * | 1995-11-17 | 2001-05-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | アクティブマトリクス型ｅｌ表示装置 |
| KR100493969B1 (ko) * | 1996-04-16 | 2005-08-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액티브매트릭스액정표시장치및그제조방법과,이장치를갖는전자장치와,표시장치 |
| JP2005250228A (ja) * | 2004-03-05 | 2005-09-15 | Casio Comput Co Ltd | トランジスタアレイ基板 |
| JP4661060B2 (ja) * | 2004-03-05 | 2011-03-30 | カシオ計算機株式会社 | トランジスタアレイ基板及び液晶ディスプレイパネル |
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